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EDO RAM

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此條目没有列出任何参考或来源。(2017年5月6日)
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扩展数据输出記憶體（英語：Extended Data Output RAM，缩写EDO DRAM）是Micron公司的专利技术，有72线和168线之分，采用5V电压，带宽32bit，基本速率40ns以上。

EDO RAM是从傳統的FPRAM（Fast Page RAM）改進而來，運作上主要是假定下一次的存取地址都與上一次連續，然後準備資料（假設用戶的資料多數是顺序的），這樣便能把内存吞吐量由FPRAM的最高176MB/s提升到EDO RAM的最高264MB/s。1993年後，EDO RAM開始取代FPRAM的位置。

这是一篇與電腦儲存裝置相關的小作品。您可以通过编辑或修订扩充其内容。

查论编動態隨機存取記憶體（DRAM）
異步	FPM RAM ·EDO RAM
同步	SDRAM 快速周期DRAM（FCRAM） RLDRAM（英语：RLDRAM） DDR SDRAM Mobile DDR（LPDDR） DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM DDR5 SDRAM 高带宽内存
移动平台	LPDDR ·LPDDR2 ·LPDDR3 ·LPDDR4 ·LPDDR5
繪圖處理	VRAM WRAM MDRAM SGRAM DDR2 SDRAM GDDR GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 GDDR6 GDDR7
Rambus	RDRAM XDR DRAM XDR2 DRAM（英语：XDR2 DRAM）
技術	記憶體管理記憶體控制器雙通道多通道記憶體技術双倍数据速率
内存模块	SIMM DIMM SO-DIMM UniDIMM（英语：UniDIMM） CAMM

检索自“https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=EDO_RAM&oldid=82667790”

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