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| 羅伯特·海思·丹納德 Robert H. Dennard | |
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| 出生 | (1932-09-05)1932年9月5日 美国德克薩斯州特雷爾（英语：Terrell, Texas） |
| 逝世 | 2024年4月23日(2024-04-23)（91歲） 美国紐約州哈德逊河畔克罗顿 |
| 国籍 | 美国 |
| 母校 | 南方衛理公會大學 卡內基技術學院 |
| 知名于 | 動態隨機存取記憶體（DRAM） |
| 奖项 | 哈維獎（1990） IEEE愛迪生獎章（2001） IEEE榮譽獎章（2009） |
| 科学生涯 | |
| 研究领域 | 電機工程 |
| 机构 | IBM |
羅伯特·海思·丹納德（英語：Robert Heath Dennard，1932年9月5日—2024年4月23日），生於美國德克薩斯州特雷爾（英语：Terrell, Texas），電機工程師與發明家，為動態隨機存取記憶體（DRAM）的發明者。
1954年，於達拉斯南方衛理公會大學取得電機工程學士，1956年取得碩士學位。1958年，於卡內基技術學院（卡内基梅隆大學的前身）取得博士學位。畢業後，進入IBM工作。
1968年，發明動態隨機存取記憶體（DRAM）。1970年代與1980年代，投入MOSFET的微縮方程式（scaling equations）研發。
2013年，獲得日本京都賞先進技術獎。
