1、项目介绍：

　　动态二次离子质谱技术（DSIMS）是一门广泛应用于固体材料成分分析的表面分析技术。使用聚焦的具有一定能量和入射角度的一次离子束来轰击测试样品表面，通过收集和分析轰击过程中产生的二次离子信号，这样可以得到测试样品的化学组成成分。这个轰击过程可以很缓慢，从而其深度分辨率可以达到1-2nA。现阶段DSIMS的定量分析需要通过测试标样来完成，尽管如此其仍然是当前最灵敏的表面分析技术——不同的元素检测极限可以达到ppm-ppb。

　　胜科纳米采用Cameca IMS-7F auto ，是目前世界上最先进的DSIMS测试设备，由于其价格昂贵，业界能够采购的公司很少。该设备真空系统和分析能力都得到了很大的提升（分析室真空值可达1E-10 torr，可以分析更复杂的样品）。

　　2、应用优势：

　　极低的检测极限（ppm-ppb）

　　可以精确检测H-U全部元素

　　元素浓度深度分布或者体相浓度

　　小区域分析（<30umx30um）

　　3、D-SIMS样品要求

　　（1）材料种类

　　-Si材料（单晶、多晶、太阳能电池片）

　　-SiO2材料（SOI,TFT-LCD）

　　-SiC材料

　　-III-V化合物半导体材料(GaN, GaAs, InP, etc.)

　　（2）样品形状和尺寸

　　-块状样品，最小尺寸3mm*3mm

　　-样品测试面最好光滑平整（表面状态会影响深度分辨率）

　　4、应用案例：

　　（1）Depth profile for Silicon

　　高的准确度和精度，能够分辨出离子注入的细微差异。可应用于离子注入设备调试和工艺监控。

　　（2）Depth profile for Silicon

　　由于注入机的质量过滤器的质量分辨率低，如果注入机具有质量接近或相同于掺杂剂的污染物，则可能发生质量污染。

　　（3）Depth profile for Solar Cell

　　太阳能电池片中P掺杂监控，良好的测试重复性，能够精确的反应杂质的扩散曲线。

　　（4）Depth profile for GaN LED

　　良好的深度分辨率。可应用于MQW调节以及Mg,Si等掺杂元素监控。低的检测限有助于分析C,H,O等杂质元素。

　　（5）Depth profile for TFT-LCD

　　7F-auto能够很好的应用于玻璃等绝缘材料的元素分析。H 浓度检测。

　　（6）Depth profile for TFT-LCD

　　P 注入掺杂

　　Na K 玷污检测（配合tof-sims）