| Transistor MOSFET | |
|---|---|
 MOSFET với các cực gate (G), body (B), source (S) and drain (D). Gate cách ly bởi lớp màu trắng. | |
| Loại | Chủ động |
| Chân | drain, gate, source |
| Ký hiệu điện | |
    | |
Transistor hiệu ứng trường kim loại - oxit bán dẫn, viết tắt theotiếng Anh làMOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) là thuật ngữ chỉ cáctransistor hiệu ứng trường FET được xây dựng dựa trên lớp chuyển tiếp Oxit Kim loại và bán dẫn (ví dụ Oxit Bạc và bán dẫn Silic) tạo ra lớp cách điện mỏng giữa cực cổng (gate) kim loại với vùng bán dẫn hoạt động nối giữa cực nguồn (source) và cực máng (drain).[1]
MOSFET được sử dụng rất phổ biến trong cả cácmạch kỹ thuật số và cácmạch tương tự. Giống như FET, MOSFET có hai lớp chính chia theo kiểu kênh dẫn được sử dụng:
Từ kiến trúc cơ bản của MOSFET có nhiều biến thể dẫn xuất khác nhau để tạo ra phần tử có đặc trưng thích hợp với các ứng dụng cụ thể. Ví dụMOSFET nhiều cổng hayMuGFET (multigate field-effect transistor),MESFET (metal–semiconductor field-effect transistor), MOSFET công suất lớn (Power MOSFET),...
Do bố trí cực cổng cách ly mà MOSFET còn được gọi là "transistor hiệu ứng trường cổng cách ly" (Insulated Gate Field-effect Transistor), viết tắt làIGFET. Tên gọiIGFET sát nghĩa hơn với các FET có thực thể điều khiển ở cực cổng không phải là kim loại, mà là các kết cấu tích lũy điện tích khác, nhưdung dịch điện phân trong các FETcảm biếnsinh học (Bio-FET), FET cảm biến enzym (ENFET), FET cảm biến pH (pHFET), FET cảm biến khí (GASFET),...[2]
Thông thườngchất bán dẫn được chọn làsilic nhưng có một số hãng vẫn sản xuất các vi mạch bán dẫn từ hỗn hợp của silic vàgermani (SiGe), ví dụ như hãngIBM. Ngoài silic và germani còn có một số chất bán dẫn khác nhưgali arsenua có đặc tính điện tốt hơn nhưng lại không thể tạo nên các lớp oxide phù hợp nên không thể dùng để chế tạo các transistor MOSFET.
Hoạt động của MOSFET có thể được chia thành ba chế độ khác nhau tùy thuộc vàođiện áp trên các đầu cuối. Với transistor NMOSFET thì ba chế độ đó là:[1]
Trong cácmạch số thì các transistor chỉ hoạt động trong chế độ cut-off và Bão hòa. Chế độ Triode chủ yếu được dùng trong các ứng dụngmạch tương tự.
| Loại | nMOSFET | pMOSFET | |
|---|---|---|---|
| Source/drain type | n-type | p-type | |
| n-type | p-type | |
| Polysilicon | n+ | p+ |
| Metal | φm ~ Si conduction band | φm ~ Si valence band | |
| Well type | p-type | n-type | |
| Threshold voltage,Vth |
|
| |
| Band-bending | Downwards | Upwards | |
| Inversion layer carriers | Electrons | Holes | |
| Substrate type | p-type | n-type | |
