На цій сторінці показано неперевірені зміни
Ця статтяне міститьпосилань на джерела. Ви можете допомогтиполіпшити цю статтю, додавши посилання нанадійні (авторитетні) джерела. Матеріал без джерел може бути піддано сумніву та вилучено.(березень 2020) |
EEPROM (англ.Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) —постійний запам'ятовувач, що програмується та очищується за допомогою електрики, один з видівенергонезалежної пам'яті. Пам'ять такого типу може очищуватися та заповнюватися інформацією декілька десятків тисяч разів. Використовується в твердотілих накопичувачах. Одним з різновидів EEPROM єфлеш-пам'ять (англ.Flash Memory).
Принцип роботи EEPROM оснований на зміні та реєстрації електричного сигналу в ізольованій області (кишені) напівпровідникової структури.
Зміна заряду («запис» та «стирання») виконується поданням між затвором і витоком великого потенціалу, щоб напруженість електричного поля в тонкому діелектрику між каналомтранзистора і кишенею виявилася достатньою для виникнення тунельного ефекту. Для посилення ефекту тунелювання електронів у кишеню при записі застосовується невелике прискорення електронів шляхом пропускання струму через канал польового транзистора. Читання виконується польовим транзистором, для якого кишеня виконує роль затвора. Потенціалплавного затвору змінює порогові характеристики транзистора, що і реєструється ланцюгами читання.
Основна особливість класичного осередку EEPROM — наявність другого транзистора, який допомагає керувати режимами запису і стирання. Деякі реалізації виконувалися у вигляді одного тризатворного польового транзистора (один затвор плавний і два звичайних). Ця конструкція забезпечується елементами, які дозволяють їй працювати у великому масиві таких же осередків. З'єднання виконується у вигляді двовимірної матриці, в якій на перетині стовпців і рядків розташовується одна клітинка. Оскільки осередок EEPROM має третій затвор, то крім підкладки до кожної клітинки підходять 3 провідники (один провідник стовпців і 2 провідники рядків).