Spoločnosť TSMC bola založená na Taiwane v roku 1987Morrisom Changom, bola prvým špecializovanýmzávodom na výrobu polovodičov na svete. Je dlhodobo vedúcou spoločnosťou vo svojom odbore. Keď Chang v roku 2018 odišiel do dôchodku, po 31 rokoch saMark Liu stal predsedom aC. C. Wei generálnym riaditeľom TSMC. Od roku 1993 je TSMC kótované na Taiwanskej burze cenných papierov (TWSE: 2330); v roku 1997 sa stalo prvou taiwanskou spoločnosťou kótovanou na burze cenných papierov vNew Yorku (NYSE: TSM). Od roku 1994 má TSMC zloženú ročnú mieru rastu (CAGR) 17,4 % a obratov a CAGR 16,1 % z príjmov.
TSMC má od roku 2020 globálnu kapacitu približne trinásť miliónov 300 mmwaferov ročne a vyrába čipy pre zákazníkov sprocesnými uzlami (angl.semiconductor manufacturing process nodes) od 2mikrometrov až do 5nanometrov.
TSMC je prvouFoundry (závod na výrobu polovodičov), ktorá poskytuje 7-nanometrové a 5-nanometrové výrobné kapacity (využívané od roku 2020 preApple A14 aM1 SoC) a prvou, ktorá komercializuje technológiu extrémnej ultrafialovej (EUV)litografie vo veľkom.
Vmikroelektronickom priemysle jezávod na výrobu polovodičov, kde sa vyrábajúpolovodičovéintegrované obvody, bežne nazývaný anglicky ako fab alebo foundry. Ak podnik vyrába len na zákazky iných firiem, ale nevyrába svoje vlastné návrhy, je nazývanýangl.Pure-play semiconductor foundry. Rozhodnutím, že TSMS nebude navrhovať, vyrábať ani uvádzať na trh žiadne polovodičové produkty pod svojím vlastným menom, spoločnosť zaisťuje, že nikdy nebude súťažiť so svojimi zákazníkmi. Kľúčom k úspechu TSMC bolo vždy zamerať sa na úspech svojich zákazníkov.[4][2]
Spoločnosť TSMC má za svojich klientov najvýznamnejšie spoločnosti vyrábajúce zariadenia, ako sú Apple, Qualcomm, Nvidia a Advanced Micro Devices. Väčšina popredných polovodičových spoločností ako AMD, Apple, ARM, Broadcom, Marvell, MediaTek a Nvidia sú zákazníkmi TSMC, rovnako ako viaceré novo vznikajúce spoločnosti. Popredné spoločnosti zaoberajúce sa programovateľnými logickými zariadeniami ako Xilinx tiež využívajú alebo využívali služby TSMC. Niektorí výrobcovia integrovaných obvodov, ktorí majú svoje vlastné výrobné zariadenia, ako napríkladIntel, NXP, STMicroelectronics aTexas Instruments, zadávajú časť svojej výroby spoločnosti TSMC[2][5], alebo tam časť svojej produkcieoutsourcujú.[6]
TSM vykázala vo fiškálnom roku 2020 príjmy vo výške 45,5 miliardy USD, čo je nárast z 34,63 miliardy USD v roku 2019. Spoločnosť má tiež dobre vypracovaný budúci plán výskumu a vývoja. TSMC minula približne 3,8 miliardy dolárov na výskum a vývoj, čo zodpovedá 8,3 % jej príjmov.[2][3] Pokiaľ v roku 2017 dosiahli čistý obrat 1 031,474 miliónov NT$, mali v roku 2020 čistý obrat 1 339,255 miliónov NT$ (nový taiwanský dolár sa rovnal v roku 2020 približne 0,035 amerického dolára, a tak ich obrat bol približne 48 miliardy dolára a hrubý zisk 25 miliardy dolára).[3][1]
Okrem využívania 5-nanometrových výrobných kapacít TSMC má vo vývoji technológie sprocesnými uzlami pre pokročilú logikuCMOS 3 a 2 nm. Okrem toho je výskumná a vývojová práca spoločnosti zameraná na uzol pod 2 nm a na oblasti, ako sú 3D tranzistory, nová pamäť a low-R interconnect."[4][2][7]
Spoločnosť TSMC od roku 2018 začala používať vo fotolitografiu na výrobu 7 nm (N7) čipov a zvýšila výrobnú kapacitu na štvornásobok. V roku 2021 už bude polovica vyrobených čipov s technológiou 6 nm (N6). V roku 2020 už bola zahájená sérová výroba 5 nm čipov (N5), ktoré majú oproti N7 o 80 % vyššiu hustotu, ale aj o 15 % vyšší výkon alebo 30 % nižšiu spotrebu.
V druhej polovici roku 2022 sa má začať sériová výroba 3nm čipov. Generácia N3 sľubuje o 70 % vyššiu denzitu a o 15 % vyšší výkon alebo o 30 % nižšiu spotrebu ako N5.[10]
TSMC zároveň v spolupráci s partnermi a vedeckými tímami z rôznych univerzít (NTU, MIT) vyvinulo jednu z kľúčových technológií pre 1nm výrobu, ktorá by sa mohla začať uplatňovať okolo roku 2025.[11]
Na 300 mm wafroch TSMC má fotolitografiu na kremíku s týmitoprocesnými uzlami:
- 0,13 μm (možnosti: general-purpose (G), low-power (LP), high-performance low-voltage (LV)).
- 90 nm (based upon 80GC from Q4/2006),
- 65 nm (možnosti: general-purpose (GP), low-power (LP), ultra-low power (ULP), LPG).
- 55 nm (možnosti: general-purpose (GP), low-power (LP)).
- 40 nm (možnosti: general-purpose (GP), low-power (LP), ultra-low power (ULP)).
- 28 nm (možnosti: high-performance (HP), high-performance mobile (HPM), high-performance computing (HPC), high-performance low-power (HPL), low-power (LP), high-performance computing Plus (HPC+), ultra-low power (ULP)) with HKMG.
- 22 nm (možnosti: ultra-low power (ULP), ultra-low leakage (ULL))
- 20 nm
- 16 nm (možnosti:FinFET (fin field-effect transistor - FF), FinFET Plus (FF+), FinFET Compact (FFC))
- 12 nm (možnosti: FinFET Compact (FFC), FinFET NVIDIA (FFN)), enhanced version of 16 nm process.
- 10 nm (možnosti: FinFET (FF))
- 7 nm (možnosti: FinFET (FF), FinFET Plus (FF+), FinFET Pro (FFP), high-performance computing (HPC))
- 6 nm (možnosti: FinFET (FF)), zlepšený 7 nm process.
- 5 nm (možnosti: FinFET (FF)).