SIMM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Текущая версия страницы покане проверялась опытными участниками и может значительно отличаться отверсии, проверенной 16 марта 2022 года; проверки требуют5 правок.
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Модули SIMM сверху вниз:
 · 30-контактный (4 Мбайта, 9 × HYB5400AJ-70) (верхний);
 · 68-контактный (512 Кбайт, 4 × TC524258BJ-10 VRAM из Macintosh LC II);
 · 72-контактный (64 Мбайта, 16 × KM44C16100AS-6 + 8 × HM5116100S6) (нижний)
Модуль памяти SIPP в материнской плате c процессором 80286

SIMM (англ. singlein-linememorymodule —односторонний модуль памяти) —форм-фактор модулейпамяти с однорядным расположением контактов, широко применявшихся в компьютерных системах в1990-е годы. Стандарты SIMM описаны в сборнике JESD-21C комитетаJEDEC. Имели несколько модификаций.

Содержание

История

[править |править код]

В большинстве раннихматеринских платIBM-PC-совместимых компьютеров использовались чипыDRAM, упакованные вDIP-корпуса и установленные всокеты[1]. Однако в системах с процессорами80286 использовалось большее количество памяти, и для экономии места на материнской плате и упрощения процесса модернизации отдельные чипы стали объединять в модули. В некоторых системах использовалисьSIPP-модули, но их оказалось слишком легко сломать при установке.

Модули SIMM были разработаны и запатентованы в1983 году компаниейWang Laboratories. Первоначально модули были керамическими и имели штырьки.

Ранние SIMM устанавливались вслоты, не имеющие механизмов фиксации, однако достаточно быстро стали применятьсяZIF-слоты с защёлками:

  1. Первыми появились 30-контактные модули, имеющие объём от 64 Кбайт до 16 Мбайт и восьмиразрядную шину данных, дополняемую (иногда) девятой линией контроля чётности памяти. Применялись в компьютерах сЦПIntel 8088[2],286,386. На материнских платах с процессорами 8088, модули ставились по одному, в случае процессоров 286,386SX модули ставились парами, на386DX — по четыре модуля одинаковой ёмкости.
  2. С распространением в массовых компьютерах процессоровIntel 80486 и аналогичных, для которых 30-контактные модули надо было ставить, как минимум, по четыре, 30-контактные SIMM были вытеснены 72-контактными модулями SIMM. 72-контактными модули состояли, по существу, из четырёх 30-контактных модулей с общими линиями адреса и раздельными линиями данных, были 32-разрядными, имели объём от 1 Мбайт до 64 Мбайт. В эпоху процессоров 486 72-контактные модули стали применяться на брендовых PC (Compaq,HP,Acer и других), а с переходом на процессоры Pentium — на материнских платах практически всех производителей.

Так как на материнские платы для процессоров Pentium с 64-разрядной шиной данных 72-контактные модули требовалось ставить парами, постепенно модули физически попарно «объединили»: стали размещать микросхемы на обеих сторонах печатной платымодуля памяти. В результате появились первые модулиDIMM[a].

Существовали также 64-контактные модули (применявшиеся, например, в компьютерахMacintosh IIfx) и 68-контактные модули (например,VRAM вMacintosh LC).

FPM и EDO

[править |править код]

Из-за низкого быстродействия динамической памяти SIMM-модулей с распространением в массовых компьютерах процессоровPentium спецификация модулей претерпела изменения. В результате появились модули, названныеEDO (отангл. extended data out). Модули EDO обладали немного большим быстродействием[3], чем старые модули, названныеFPM (отангл. fast page mode), и были несовместимы со старыми модулями.

Материнские платы для процессоров Pentium, как правило, поддерживали и FPM, и EDO. Большинство материнских плат для процессора 486 поддерживали только FPM (старый тип модулей памяти). Отличить модули FPM от модулей EDO по внешнему виду было практически невозможно (внешнее отличие было только в маркировке микросхем), и на практике чаще использовалсяметод «научного тыка». Установка модуля памяти «неправильного» типа не приводила к неисправностям —BIOS просто не распознавал модули неподдерживаемого типа.

30-контактные модули

[править |править код]
Слоты для 30-контактных SIMM на материнской плате Atari STE
  1. Разрядность шины данных: 8 бит у модулей без контроля чётности, 9 бит у модулей с контролем чётности.
  2. Тип применяемых микросхем динамической памяти:FPM.
  3. Стандартные значения объёма памяти модулей: 64 Кб, 256 Кб, 1 Мб, 4 Мб, 16 Мб.
  4. Физические размеры модуля: 89 мм на 13 мм, 89 мм на 25 мм.
  5. Шаг расположения контактных площадок: 0,1".
  6. Модули типаSIPP имеют аналогичное назначение контактов и отличаются только конструктивно: вместо контактных площадок используются контактные штырьки.
Назначение контактов модуля
 № НазваниеОписание
1VccНапряжение питания +5 В
2CAS#Строб адреса столбца
3DQ0Линия данных 0
4A0Адресная линия 0
5A1Адресная линия 1
6DQ1Линия данных 1
7A2Адресная линия 2
8A3Адресная линия 3
9GNDОбщий
10DQ2Линия данных 2
11A4Адресная линия 4
12A5Адресная линия 5
13DQ3Линия данных 3
14A6Адресная линия 6
15A7Адресная линия 7
16DQ4Линия данных 4
17A8Адресная линия 8
18A9Адресная линия 9
19A10Адресная линия 10
20DQ5Линия данных 5
21WE#Запись данных
22GNDОбщий
23DQ6Линия данных 6
24A11Адресная линия 11
25DQ7Линия данных 7
26QPЛиния данных 9 (контроль чётности, выход)
27RAS#Строб адреса строки
28CASP#Строб адреса столбца чётности
29DPЛиния данных 9 (контроль чётности, вход)
30VccНапряжение питания +5 В

Примечания:

  • уровни сигналов на линиях — стандартныеТТЛ;
  • линии QP и DP подключены только на модулях, использующих контроль чётности;
  • линия A8 не подключена на 64 Кб модулях;
  • линия A9 не подключена на 64 Кб, 256 Кб модулях;
  • линия A10 не подключена на 64 Кб, 256 Кб и 1 Мб модулях;
  • линия A11 не подключена на 64 Кб, 256 Кб, 1 Мб и 4 Мб модулях.

30-контактные модули использовались в звуковых картахSound Blaster AWE32 иSound Blaster 32компанииCreative Labs для расширяемого ОЗУ чипа EMU8011, максимальный объём памяти — 32 Мбайта (фактически доступно 28 Мбайт).

72-контактные модули

[править |править код]
Слоты для 72-контактных модулей SIMM на материнской плате IBM PS/2 с процессором 80486
  1. Разрядность шины данных: 32 бита у модулей без контроля чётности, 36 бит у модулей с контролем чётности.
  2. Типы применяемых микросхем динамической памяти:FPM,EDO.
  3. Стандартные значения объёма памяти модулей: 1 Мб, 2 Мб, 4 Мб, 8 Мб, 16 Мб, 32 Мб, 64 Мб.
  4. Физические размеры модуля: в большинстве случаев 108 мм на 25 мм, иногда 108 мм на 39 мм.
  5. Шаг расположения контактных площадок: 0,05"; между выводами с номерами 36 и 37 увеличенное расстояние и вырез (ключ).
Назначение контактов модуля
ECC без контроля чётностиECC с контролем чётностиНазначениеБез контроля чётностиС контролем чётностиНазначение
1VSSVSSОбщийVSSVSSОбщий
2DQ0DQ0Линия данных 0DQ0DQ0Линия данных 0
3DQ1DQ1Линия данных 1DQ16DQ16Линия данных 16
4DQ2DQ2Линия данных 2DQ1DQ1Линия данных 1
5DQ3DQ3Линия данных 3DQ17DQ17Линия данных 17
6DQ4DQ4Линия данных 4DQ2DQ2Линия данных 2
7DQ5DQ5Линия данных 5DQ18DQ18Линия данных 18
8DQ6DQ6Линия данных 6DQ3DQ3Линия данных 3
9DQ7DQ7Линия данных 7DQ19DQ19Линия данных 19
10VCCVCCНапряжение питания +5 ВVCCVCCНапряжение питания +5 В
11PD5PD5Линия конфигурации 5--Не подключен
12A0A0Адресная линия 0A0A0Адресная линия 0
13A1A1Адресная линия 1A1A1Адресная линия 1
14A2A2Адресная линия 2A2A2Адресная линия 2
15A3A3Адресная линия 3A3A3Адресная линия 3
16A4A4Адресная линия 4A4A4Адресная линия 4
17A5A5Адресная линия 5A5A5Адресная линия 5
18A6A6Адресная линия 6A6A6Адресная линия 6
19--Не подключенA10A10Адресная линия 10
20DQ8DQ8Линия данных 8DQ4DQ4Линия данных 4
21DQ9DQ9Линия данных 9DQ20DQ20Линия данных 20
22DQ10DQ10Линия данных 10DQ5DQ5Линия данных 5
23DQ11DQ11Линия данных 11DQ21DQ21Линия данных 21
24DQ12DQ12Линия данных 12DQ6DQ6Линия данных 6
25DQ13DQ13Линия данных 13DQ22DQ22Линия данных 22
26DQ14DQ14Линия данных 14DQ7DQ7Линия данных 7
27DQ15DQ15Линия данных 15DQ23DQ23Линия данных 23
28A7A7Адресная линия 7A7A7Адресная линия 7
29DQ16DQ16Линия данных 16A11A11Адресная линия 11
30VCCVCCНапряжение питания +5 ВVCCVCCНапряжение питания +5 В
31A8A8Адресная линия 8A8A8Адресная линия 8
32A9A9Адресная линия 9A9A9Адресная линия 9
33--Не подключенRAS3#RAS3#Строб строки 3
34RAS1#RAS1#Строб строки 1RAS2#RAS2#Строб строки 2
35DQ17DQ17Линия данных 17-PQ3Бит чётности 3 (для линий 16-23)
36DQ18DQ18Линия данных 18-PQ1Бит чётности 1 (для линий 0-7)
37DQ19DQ19Линия данных 19-PQ2Бит чётности 2 (для линий 8-15)
38DQ20DQ20Линия данных 20-PQ4Бит чётности 4 (для линий 24-31)
39VSSVSSОбщийVSSVSSОбщий
40CAS0#CAS0#Строб столбца 0CAS0#CAS0#Строб столбца 0
41A10A10Адресная линия 10CAS2#CAS2#Строб столбца 2
42A11A11Адресная линия 11CAS3#CAS3#Строб столбца 3
43CAS1#CAS1#Строб столбца 1CAS1#CAS1#Строб столбца 1
44RAS0#RAS0#Строб строки 0RAS0#RAS0#Строб строки 0
45RAS1#RAS1#Строб строки 1RAS1#RAS1#Строб строки 1
46DQ21DQ21Линия данных 21--Не подключен
47WE#WE#Сигнал записиWE#WE#Сигнал записи
48ECC#ECC#ECC--Не подключен
49DQ22DQ22Линия данных 22DQ8DQ8Линия данных 8
50DQ23DQ23Линия данных 23DQ24DQ24Линия данных 24
51DQ24DQ24Линия данных 24DQ9DQ9Линия данных 9
52DQ25DQ25Линия данных 25DQ25DQ25Линия данных 25
53DQ26DQ26Линия данных 26DQ10DQ10Линия данных 10
54DQ27DQ27Линия данных 27DQ26DQ26Линия данных 26
55DQ28DQ28Линия данных 28DQ11DQ11Линия данных 11
56DQ29DQ29Линия данных 29DQ27DQ27Линия данных 27
57DQ30DQ30Линия данных 30DQ12DQ12Линия данных 12
58DQ31DQ31Линия данных 31DQ28DQ28Линия данных 28
59VCCVCCНапряжение питания +5 ВVCCVCCНапряжение питания +5 В
60DQ32DQ32Линия данных 32DQ29DQ29Линия данных 29
61DQ33DQ33Линия данных 33DQ13DQ13Линия данных 13
62DQ34DQ34Линия данных 34DQ30DQ30Линия данных 30
63DQ35DQ35Линия данных 35DQ14DQ14Линия данных 14
64-DQ36Линия данных 36DQ31DQ31Линия данных 31
65-PQ37Линия данных 37DQ15DQ15Линия данных 15
66-PQ38Линия данных 38--Не подключен
67PD1PD1Линия конфигурации 1PD1PD1Линия конфигурации 1
68PD2PD2Линия конфигурации 2PD2PD2Линия конфигурации 2
69PD3PD3Линия конфигурации 3PD3PD3Линия конфигурации 3
70PD4PD4Линия конфигурации 4PD4PD4Линия конфигурации 4
71-DQ39Линия данных 39--Не подключен
72VSSVSSОбщийVSSVSSОбщий

Примечания:

  • линия A10 не подключена на модулях 256 Кбайт, 512 Кбайт, 1 Мбайт и 4 Мбайт;
  • линии RAS1 и RAS3 не подключены на модулях 256 Кбайт, 1 Мбайт и 4 Мбайт.

Объём памяти модуля определяется по перемычкам, установленным на линиях конфигурации PD1 и PD2.

PD2PD1Объём
GNDGND4 или 64 Мб
GNDNC2 или 32 Мб
NCGND1 или 16 Мб
NCNC8 Мб

Время доступа к ячейкам памяти модуля определяется по перемычкам, установленным на линиях конфигурации PD3 и PD4.

PD4PD3Время доступа
GNDGND50, 100 нс
GNDNC80 нс
NCGND70 нс
NCNC60 нс

Линия GND подключена к общему проводу, а линия NC — не подключена.

72-контактные модули FPM применялись не только в компьютерах, но и в лазерных принтерах для увеличения объёма памяти. В ноутбуках с процессорами 386SX и 386DX также использовались 72-контактные модули.

После появления 72-контактных модулей FPM надо было найти применение 30-контактным модулям, и некоторые фирмы начали выпуск адаптеров 4×30 pin SIMM — 72 pin SIMM.

См. также

[править |править код]

Примечания

[править |править код]

Комментарии

[править |править код]
  1. На самом деле, одностороннее или двустороннее расположение микросхем на плате модуля памяти никакого отношения к названию DIMM не имеет. Это довольно частое заблуждение, не имеющее ничего общего с действительностью.

Источники

[править |править код]
  1. Александр Фролов, Григорий Фролов. Компьютер IBM PC/AT, MS-DOS и Windows. Вопросы и ответы : [арх. 30 апреля 2023]. — Диалог-МИФИ, 1993. — Т. 4, кн. 10, 2.4. Чем отличаются микросхемы памяти DIP, SIMM и SIP. — С. 218. — (Библиотека системного программиста).
  2. Материнская плата 8088 с модулями SIMMАрхивировано 26 января 2021 года.
  3. Юрий А. Денисов. B.3. Динамическое ОЗУ : B.3.2.2. Причины повышения скорости работы EDO RAM : [арх. 15 апреля 2015]. — 2001. — Вып. 2, VII. Память. — («Основы информационных систем»).Источник  (неопр.). Дата обращения: 2 сентября 2015. Архивировано 15 апреля 2015 года..

Ссылки

[править |править код]
Перейти к шаблону «DRAM»
Асинхронная
Синхронная
Графическая
Rambus
Модули памяти
Источник —https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=SIMM&oldid=141782706
Категории: