pMOS — технология производстваполупроводниковых элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, какIntel1702,К505РР1. Это серияЛИПЗ МОП с электрической записью иультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ —лавинный пробойp-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель —электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Однаячейка памяти строилась на двухтранзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет.

Для улучшения этой статьижелательно: Оформить статью поправилам. Дополнить статью (статьяслишком короткая либо содержит лишьсловарное определение). Найти и оформить в видесносок ссылки на независимыеавторитетные источники,подтверждающие написанное. Добавитьиллюстрации. Исправить статью согласностилистическим правилам Википедии. После исправления проблемы исключите её из списка. Удалите шаблон, если устранены все недостатки.

• Транзисторы

• Википедия:Статьи с проблемами в оформлении
• Википедия:Очень короткие статьи
• Википедия:Статьи без ссылок на источники
• Википедия:Статьи без источников (не распределённые по типам)
• Википедия:Статьи без изображений (не распределённые по типам)
• Википедия:Стилистически некорректные статьи
• Википедия:Статьи с шаблонами недостатков по алфавиту