Movatterモバイル変換


[0]ホーム

URL:


Ir para o conteúdo
Wikipédia
Busca

Optoeletrônica

Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre.
Esta página cita fontes, mas não cobrem todo o conteúdo
Esta páginacita fontes, mas quenão cobrem todo o conteúdo. Ajude ainserir referências (Encontre fontes:Google (N • L • A • I • WP refs)  • ABW  • CAPES).

Aoptoeletrônica(português brasileiro) ouoptoeletrónica(português europeu) (AO 1945: optoelectrónica) é o estudo e aplicação de aparelhoseletrônicos que fornecem, detectam e controlamluz. O uso militar da optoeletrônica é usualmente referido comooptrônica(português brasileiro) ouoptrónica(português europeu).

A optoeletrônica é normalmente considerada um sub-campo dafotônica. Nesse contexto,luz frequentemente inclui formas invisíveis de radiação comoraios gama,raios-X,ultravioleta einfravermelho, em adição à luz visível. Aparelhos optoeletrônicos sãotransdutores elétrico para ótico ou ótico para elétrico, ou instrumentos que usam tais aparelhos em sua operação.Eletro-óptica é frequentemente usada incorretamente como sinônimo, mas é, de fato, um braço mais abrangente dafísica que lida com todas interações entre luz ecampos elétricos, quer eles formem ou não parte de um aparelho eletrônico.

A optoeletrônica é baseada emefeitos quânticos da luz em materiaissemicondutores, às vezes na presença de campos elétricos.

Pesquisas recentes

[editar |editar código]

Quase toda amicroeletrônica atual é baseada nosilício. Entretanto, este semicondutor apresenta propriedades ópticas muito pobres. O desenvolvimento de tecnologias de comunicação e computação baseadas na luz (fotônica) trouxe a necessidade de melhorar a interface entre a microeletrônica e dispositivos ópticos como asfibras ópticas e oslasers. Uma das principais fronteiras nessa área é a busca de novos materiais baseados no silício (combinações de silício com outros elementos).[1] Um dos mais promissores é o beta-dissiliceto de ferro (β-FeSi2)[2], por ter propriedades eletrônicas não muito distantes da do silício (gap de energia de cerca de 0,87 eV[2], enquanto o do silício é de 1,11 eV[3]) e propriedades ópticas adequadas às necessidades da optoeletrônica atual (o β-FeSi2 emite luz comcomprimento de onda de cerca de 1,5 μm, adequado para a transmissão por fibras ópticas[1]).

Referências

  1. abLeong, D.; Harry, M.; Reeson, K. J.; e Homewood, K. P. (1997).«A silicon/iron-disilicide light-emitting diode operating at a wavelength of 1.5 μm.».Nature.387: 696 A referência emprega parâmetros obsoletos|coautores= (ajuda)
  2. abWetzig, Klaus; Schneider, Claus Michael (2006).Metal based thin films for electronics (em inglês) 2 ed. [S.l.]: Wiley-VCH. p. 64.ISBN 3-527-40650-6. Consultado em 30 de setembro de 2011 A referência emprega parâmetros obsoletos|coautor= (ajuda)
  3. Streetman, Ben G.; Banerjee, Sanjay (2000).Solid State electronic Devices (em inglês) 5 ed. New Jersey, EUA:Prentice Hall. p. 524.ISBN 0-13-025538-6 A referência emprega parâmetros obsoletos|coautor= (ajuda)

Veja também

[editar |editar código]

Ligações externas

[editar |editar código]
Obtida de "https://pt.wikipedia.org/w/index.php?title=Optoeletrônica&oldid=52310648"
Categoria:
Categorias ocultas:

[8]ページ先頭

©2009-2025 Movatter.jp