MRAM (ang.Magnetoresistive Random Access Memory) – rodzajpamięci nieulotnejRAM wykorzystującej tunelowyefekt magnetorezystancyjny lub zjawiskogigantycznego magnetooporu. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej i twardej warstwy ferromagnetycznej oraz z oplotu przewodnika. Zapis polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianęrezystancji złącza. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji.
Pierwsze prace nad pamięciami MRAM dokonałIBM. Obecnie najbardziej zaawansowani w tej technologii sąAltis Semiconductor iFreescale Semiconductor (dawniej dział półprzewodników firmyMotorola).