Movatterモバイル変換


[0]ホーム

URL:


Przejdź do zawartości
Wikipediawolna encyklopedia
Szukaj

Dioda elektroluminescencyjna

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Wikipedia:Weryfikowalność
Ten artykuł od 2012-10 wymagazweryfikowania podanych informacji.
Należy podać wiarygodne źródła w formieprzypisów bibliograficznych.
Część lub nawet wszystkie informacje w artykule mogą być nieprawdziwe. Jako pozbawione źródeł mogą zostać zakwestionowane i usunięte.
Sprawdź w źródłach:Encyklopedia PWN •Google Books • Google Scholar •BazHum •BazTech •RCIN • Internet Archive (texts /inlibrary)
Dokładniejsze informacje o tym, co należy poprawić, być może znajdują się wdyskusji tego artykułu.
Po wyeliminowaniu niedoskonałości należy usunąć szablon{{Dopracować}} z tego artykułu.
Dioda elektroluminescencyjna
Ilustracja
Czerwona, zielona i niebieska – pięciomilimetrowe diody elektroluminescencyjne (LED)
Typ

optoelektroniczny

Zasada działania

elektroluminescencja

Wynalazca

Nick Holonyak Jr.,Oleg Łosiew

Rok wynalezienia

1962

Układ wyprowadzeń

anoda ikatoda

Symbol
Symbol
Symbol diody elektroluminescencyjnej
Multimedia w Wikimedia Commons
Hasło w Wikisłowniku
Zielona, żółta i czerwona dioda elektroluminescencyjna
Struktura wewnętrzna diody elektroluminescencyjnej: anoda (+) po lewej, katoda (–) po prawej stronie
Różne diody elektroluminescencyjne
Różnice pomiędzy diodami LED 3, 5 i 10 mm
Trzymilimetrowe diody elektroluminescencyjne
Diody płaskie (typSMD)
Diody dużej mocy (tutaj przykład diod markiLuxeon)
Diody LED podświetlające wentylator komputerowy

Dioda elektroluminescencyjna,dioda świecąca,dioda emitująca światło,LED (ang.light-emitting diode) –dioda zaliczana dopółprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych, emitującychpromieniowanie w zakresieświatła widzialnego,podczerwieni iultrafioletu.

Wynalezienie diody

[edytuj |edytuj kod]

Do produkcji weszła w latach 60. XX w. w formie opracowanej przez amerykańskiego inżynieraNicka Holonyaka juniora, który jest uważany za jej wynalazcę.

Jednak już w latach 20. XX wieku, radziecki technik radiowyOleg Łosiew w trakcie badań półprzewodników zauważył, żediody ostrzowe ze złączem wykonanym z węgliku krzemu emitująświatło, w latach 1927–1930 opublikował łącznie 16 artykułów opisujących działanie diod elektroluminescencyjnych[1], co czyni go prawdziwym odkrywcą efektu elektroluminescencji.

Działanie

[edytuj |edytuj kod]

Działanie diody elektroluminescencyjnej (LED) opiera się na zjawisku rekombinacji nośników ładunku (rekombinacja promienista). Zjawisko to zachodzi w półprzewodnikach wówczas, gdy elektrony, przechodząc z wyższegopoziomu energetycznego na niższy, zachowują swójpseudopęd. Jest to tak zwane przejście proste. Podczas tego przejścia energia elektronu zostaje zamieniona nakwant promieniowania elektromagnetycznego. Przejścia tego rodzaju dominują w półprzewodnikach z prostym układem pasmowym, w którym minimum pasma przewodnictwa i wierzchołkowipasma walencyjnego odpowiada ta sama wartośćpędu.

Półprzewodnikiem cechującym się tego rodzaju przejściami jestarsenek galu (GaAs) i między innymi dzięki tej właściwości głównie ten związek stosuje się do produkcji źródeł promieniowania. Drugim powodem popularności arsenku galu jest jego bardzo duża sprawność kwantowa – parametr określający udział przejść rekombinacyjnych, w wyniku których generowane sąfotony, do ilości nośnikówładunku przechodzących przezwarstwę zaporową złącza p-n (przejścia rekombinowane zachodzą w obszarze czynnym złącza).

ηqw=NfotNnoso=PpromhνIe,{\displaystyle \eta _{qw}={\frac {N_{fot}}{N_{noso}}}={\frac {\frac {P_{prom}}{h\nu }}{\frac {I}{e}}},}

gdzie:

Nfot{\displaystyle N_{fot}} – całkowita ilość fotonów generowanych wewnątrz obszaru czynnego,
Nnoso{\displaystyle N_{noso}} – całkowita ilość nośników wstrzykiwanych do obszaru czynnego złącza,
Pprom{\displaystyle P_{prom}} – moc promieniowania generowanego wewnątrz półprzewodnika,
h{\displaystyle h} – stała Plancka,
v{\displaystyle v}częstotliwość generowanego promieniowania,
I{\displaystyle I} – prąd elektryczny doprowadzony do diody,
e{\displaystyle e} – ładunek elektronu.

W krzemie i germanie dominują przejścia skośne.

Luminescencja jest zjawiskiem fizycznym polegającym na emitowaniu przezmaterię promieniowania elektromagnetycznego pod wpływem czynnika pobudzającego, które dla pewnychdługości fali przewyższa emitowane przez tę materię promieniowanie temperaturowe. W diodzie elektroluminescencyjnej (LED) mamy do czynienia zelektroluminescencją, przy wytworzeniu której źródłem energii pobudzającej jest prąd elektryczny dostarczony z zewnątrz, czasamipole elektryczne. Najefektywniejsza elektroluminescencja w półprzewodniku powstaje w wyniku rekombinacji swobodnych nośników ładunku wzłączu p-n, gdy jest ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Intensywność świecenia zależy od wartości doprowadzonego prądu, przy czym zależność ta jest liniowa w dużym zakresie zmian prądu. Zjawiska przeszkadzające elektroluminescencji to pochłanianie wewnętrzne i całkowite odbicie wewnętrzne. Długość fali generowanego promieniowania:

λ=hcWg,{\displaystyle \lambda ={\frac {hc}{W_{g}}},}

gdzie:

h{\displaystyle h}stała Plancka,
c{\displaystyle c}prędkość światła,
Wg=WcWv{\displaystyle W_{g}=W_{c}-W_{v}}szerokość pasma zabronionego lub różnica energii poziomów, między którymi zachodzi rekombinacja.

Miarą strat na odbicie wewnętrzne i pochłanianie jest stosunek zewnętrznej do wewnętrznej sprawności kwantowejnqz/nnw.{\displaystyle n_{qz}/n_{nw}.} O ile wewnętrzna sprawność kwantowanqw{\displaystyle n_{qw}} jest zależna od technologii procesu wytwarzania złącza oraz właściwości zastosowanego półprzewodnika, o tyle na zewnętrzną sprawność kwantową ma także wpływ kształt diody.

Kąt krytyczny, przy którym występuje pełne odbicie wewnętrzne

qkr=arcsin1n,{\displaystyle q_{kr}=\arcsin {\frac {1}{n^{*}}},}

gdzien{\displaystyle n^{*}} jest współczynnikiem załamania.

Pochłanianie wewnętrzne może być wyrażane za pomocą funkcjiexp[a(l)x],{\displaystyle \exp[-a(l)x],} gdziea(l){\displaystyle a(l)} jest współczynnikiem absorpcji dla danej długości fali,x{\displaystyle x} zaś określa odległość od miejsca rekombinacji promienistej do powierzchni emitującej promieniowanie diody na zewnątrz.

Całkowitą sprawność zamiany energii elektrycznej na energię promienistą w przypadku diody płaskiej określa zależność:

μqz=qP4n(n+1)2(1cosϕkr)Φ(λ)[1+R exp(2αn(λ)χn)] exp(αp(λ)χp)dλΦ(λ)dλ,{\displaystyle \mu _{qz}={\frac {q}{P}}{\frac {4n^{*}}{(n^{*}+1)^{2}}}(1-\cos \phi _{kr}){\frac {\int \Phi (\lambda )[1+R~\exp(-2\alpha _{n}(\lambda )\chi _{n})]~\exp(\alpha _{p}(\lambda )\chi _{p})d\lambda }{\int \Phi (\lambda )d\lambda }},}

gdzie:

P{\displaystyle P} – moc wejściowa elektryczna,
4n/(n+1)2{\displaystyle 4n^{*}/(n^{*}+1)^{2}} – współczynnik transmisji (przepuszczalności) promieniowania z wnętrza półprzewodnika do powietrza,
f(l){\displaystyle f(l)} – strumień fotonów,
R{\displaystyle R} – współczynnik odbicia od kontaktu tylnego,
αn,{\displaystyle \alpha _{n},}αp{\displaystyle \alpha _{p}} – współczynnik absorpcji w obszarze n lub p diody,
xn,{\displaystyle x_{n},}xp{\displaystyle x_{p}} – grubość obszaru n lub p diody.

Złącza p-n diod elektroluminescencyjnych z GaAs wykonuje się zazwyczaj technikądyfuzyjną, co zapewnia im wysoką sprawność kwantową.

Promieniowanie diod elektroluminescencyjnych z GaAs można uczynić widzialnym za pomocąprzetworników podczerwieni, na przykład przez pokrycie powierzchni diody odpowiednim luminoforem. Promieniowanie widzialne emitują diody elektroluminescencyjne z półprzewodników trójskładnikowych, na przykładGaAsP, w których są spełnione warunki dla prostych przejść rekombinacyjnych. Diody z GaAsP emitują światło czerwone o długości falil{\displaystyle l} = 650nm.

Długość fali emitowanego promieniowania zwiększa się ze wzrostem temperatury złącza. Diody emitują promieniowanie w bardzo wąskim przedziale widma: od 490 nm – kolor niebieski do 950 nm – bliska podczerwień.

Diody elektroluminescencyjne są wytwarzane z materiałów półprzewodnikowych (pierwiastki z III i V grupy układu okresowego, na przykład arsenek galu, fosforek galu, arsenofosforek galu, o odpowiednim domieszkowaniu). Barwa promieniowania emitowanego przez diody elektroluminescencyjne zależy od materiału półprzewodnikowego; są to barwy: niebieska, żółta, zielona, pomarańczowa, czerwona.

NazwaMateriałBarwa
arsenek galuGaAspodczerwień
fosforek galuGaPczerwona, zielona, żółta
arsenofosforek galuGaAs1-xPxczerwona, pomarańczowa, żółta
galoarsenek glinuAlxGa1-xAsczerwona, podczerwień
azotek galuGaNniebieska, biała (gdy dioda jest pokryta luminoforem, który wzbudzany przez niebieskie światło diody z azotku galu świeci przykładowo na żółto, co w efekcie daje barwę białą z widocznym lekkim niebieskim odcieniem)

Średniprąd przewodzeniaIF{\displaystyle I_{F}} nie powinien przekraczać 20–1500 mA, zależnie od typu diody. Często ogranicza się go za pomocą odpowiednio dobranegoopornika połączonego szeregowo z diodą lubstabilizatora prądu. Stabilizatory prądu są zwykle stosowane do zasilania diod dużej mocy, gdzie istotna jest sprawność układu zasilania diody.

Zalety diod elektroluminescencyjnych to:

  • dużasprawność
  • duża trwałość
  • duża wartość luminacji
  • mały pobór prądu
  • małe rozmiary
  • małe straty energii
  • mała wartość napięcia zasilającego.

Parametry diod elektroluminescencyjnych (LED)

[edytuj |edytuj kod]

Odmiany i zastosowania LED

[edytuj |edytuj kod]
 Osobny artykuł:Lampa LED.
Diody elektroluminescencyjne produkowane są w różnych wielkościach i kształtach obudowy. W większości przypadków kolor obudowy odpowiada barwie emitowanego światła. Wyjątek stanowią obudowy bezbarwne, które stosuje się do diod światła białego, jak i innych barw – również wielokolorowe oraz diod emitujących podczerwień.
  • Cool white LED – dioda generująca światło białe zimne (według normy PN-EN 12464-1 jest to temperatura barwowa powyżej 5300 K)
  • HBLED,High Brightness LED – diody o wysokiej jasności świecenia. Za takie uważa się diody, których jasność przekracza 0,2 cd. Znajdują one zastosowanie w miejscach, gdzie zwykle używa się tradycyjnych źródeł światła: wsygnalizacji ulicznej, w oświetleniu pojazdów, w latarkach.
  • High Power LED lubPower LED – dioda wysokiej mocy. Do poprawnej pracy wymaga zapewnienia odpowiedniego chłodzenia iźródła prądowego do zasilania. Białe diody tego typu mają najczęściej emiter wielkości kilku mm², jasność 80–200lm przy prądzie 350 mA i pobieranej mocy około 1 W. Maksymalny prąd podawany przez producentów to zazwyczaj 0,7–1,5 A na 1 mm² struktury (maksymalny prąd zależy w głównej mierze od chłodzenia struktury świecącej diody). Firmy produkujące tego typu LED-y to (przykładowe modele w nawiasach):
    • CREE (XR-C, XR-E, XP-C, XP-E, XP-G, MC-E)
    • Luminus Devices (SST-50, SST-90)
    • Nichia
    • Osram Opto Semiconductors GmbH (Ostar, Oslon)
    • Philips Lumileds Lighting Company (Luxeon K2, Luxeon Rebel)
    • Seoul Semiconductors (SSC-P4, SSC-P7)
  • IR – emitujące promieniowanie podczerwone, stosowane w łączachświatłowodowych, a także w urządzeniach zdalnego sterowania
  • Neutral white LED – dioda generująca światło białe neutralne (według normy PN-EN 12464-1 jest to temperatura barwowa 3300–5300 K)
  • RGB LED – dioda mająca struktury do generowania trzech podstawowych barw (czerwony, zielony, niebieski) i, przez możliwość ich mieszania, praktycznie dowolnej barwy
  • RGBA LED – rozszerzenie strukturyRGB o dodatkową diodę o kolorze bursztynowym, powiększającą osiągalną przestrzeń barw
  • RGBW LED – rozszerzenie struktury RGB o dodatkową diodę o kolorze białym. Przykładem diody RGBW jest dioda firmy CREE model MC-E RGBW.
  • Warm white LED – dioda generująca światłobiałe ciepłe (według normy PN-EN 12464-1 jest totemperatura barwowa poniżej 3300K). Diody ciepłe mają najbardziej zbliżoną temperaturę barwową do światłażarówki.

Zespoły diod elektroluminescencyjnych są stosowane w różnego rodzaju wyświetlaczach, na przykładsiedmiosegmentowych.

Zobacz też

[edytuj |edytuj kod]

Przypisy

[edytuj |edytuj kod]
  1. The LED – older than we thought. newscientist.com. [zarchiwizowane ztego adresu (2007-06-09)].


Zobacz publikację
Zastosowanie LED w oświetleniu w Wikibooks
Elektryczne źródła światła
Żarowe
Wyładowcze
Łukowe
Półprzewodnikowe

Źródło: „https://pl.wikipedia.org/w/index.php?title=Dioda_elektroluminescencyjna&oldid=77906497
Kategoria:
Ukryta kategoria:

[8]ページ先頭

©2009-2025 Movatter.jp