以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。Below, the embodiments are described in detail with reference to the attached drawings. Note that the following embodiments do not limit the invention according to the claims. Although the embodiments describe multiple features, not all of these multiple features are necessarily essential to the invention, and multiple features may be combined in any manner. Furthermore, in the attached drawings, the same reference numbers are used for the same or similar configurations, and duplicate explanations are omitted.
<第一実施形態>
<電子デバイスの製造ライン>
図1は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ラインの構成の一部を示す模式図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられるもので、矩形の基板100が成膜ブロック301に順次搬送され、基板100に有機ELの成膜が行われる。First Embodiment
<Electronic device manufacturing line>
1 is a schematic diagram showing a part of the configuration of a manufacturing line for electronic devices to which the film forming apparatus of the present invention can be applied. The manufacturing line in FIG. 1 is used, for example, for manufacturing display panels for organic EL display devices for smartphones.Rectangular substrates 100 are sequentially transported to afilm forming block 301, and an organic EL film is formed on thesubstrates 100.
成膜ブロック301には、平面視で八角形の形状を有する搬送室302の周囲に、基板100に対する成膜処理が行われる複数の成膜室303a~303dと、使用前後のマスクが収納されるマスク格納室305とが配置されている。搬送室302には、基板100を搬送する搬送ロボット302aが配置されている。搬送ロボット302aは、基板100を保持するハンドと、ハンドを水平方向に移動する多関節アームとを含む。換言すれば、成膜ブロック301は、搬送ロボット302aの周囲を取り囲むように複数の成膜室303a~303dが配置されたクラスタ型の成膜ユニットである。なお、成膜室303a~303dを総称する場合、或いは、区別しない場合は成膜室303と表記する。In thedeposition block 301, a plurality ofdeposition chambers 303a to 303d in which deposition processing is performed on thesubstrate 100, and amask storage chamber 305 in which masks before and after use are stored are arranged around atransfer chamber 302 that has an octagonal shape in a plan view. Atransfer robot 302a that transfers thesubstrate 100 is arranged in thetransfer chamber 302. Thetransfer robot 302a includes a hand that holds thesubstrate 100 and a multi-joint arm that moves the hand horizontally. In other words, thedeposition block 301 is a cluster-type deposition unit in which a plurality ofdeposition chambers 303a to 303d are arranged to surround thetransfer robot 302a. When thedeposition chambers 303a to 303d are collectively referred to or when no distinction is made, they are referred to as deposition chambers 303.
基板100の搬送方向(矢印方向)で、成膜ブロック301の上流側、下流側には、それぞれ、バッファ室306、旋回室307、受渡室308が配置されている。製造過程において、各室は真空状態に維持される。なお、図1においては成膜ブロック301を1つしか図示していないが、本実施形態に係る製造ラインは複数の成膜ブロック301を有しており、複数の成膜ブロック301が、バッファ室306、旋回室307、受渡室308で構成される連結装置で連結された構成を有する。なお、連結装置の構成はこれに限定はされず、例えばバッファ室306又は受渡室308のみで構成されていてもよい。In the transport direction (arrow direction) of thesubstrate 100, abuffer chamber 306, aswirl chamber 307, and adelivery chamber 308 are disposed upstream and downstream of thedeposition block 301, respectively. During the manufacturing process, each chamber is maintained in a vacuum state. Although only onedeposition block 301 is shown in FIG. 1, the manufacturing line according to this embodiment has multiple deposition blocks 301, which are connected by a connection device composed of abuffer chamber 306, aswirl chamber 307, and adelivery chamber 308. The configuration of the connection device is not limited to this, and may be composed of only thebuffer chamber 306 or thedelivery chamber 308, for example.
搬送ロボット302aは、上流側の受渡室308から搬送室302への基板100の搬入、成膜室303間での基板100の搬送、マスク格納室305と成膜室303との間でのマスクの搬送、及び、搬送室302から下流側のバッファ室306への基板100の搬出、を行う。Thetransport robot 302a transports thesubstrate 100 from theupstream delivery chamber 308 to thetransport chamber 302, transports thesubstrate 100 between the deposition chambers 303, transports the mask between themask storage chamber 305 and the deposition chamber 303, and transports thesubstrate 100 from thetransport chamber 302 to thedownstream buffer chamber 306.
バッファ室306は、製造ラインの稼働状況に応じて基板100を一時的に格納するための室である。バッファ室306には、カセットとも呼ばれる基板収納棚と、昇降機構とが設けられる。基板収納棚は、複数枚の基板100を基板100の被処理面(被成膜面)が重力方向下方を向く水平状態を保ったまま収納可能な多段構造を有する。昇降機構は、基板100が搬入又は搬出される段を搬送位置に合わせるために、基板収納棚を昇降させる。これにより、バッファ室306には複数の基板100を一時的に収容し、滞留させることができる。Thebuffer chamber 306 is a chamber for temporarily storing thesubstrates 100 depending on the operating status of the production line. Thebuffer chamber 306 is provided with a substrate storage shelf, also called a cassette, and a lifting mechanism. The substrate storage shelf has a multi-tier structure capable of storingmultiple substrates 100 while maintaining the horizontal state in which the surface to be processed (surface to be film-formed) of thesubstrates 100 faces downward in the direction of gravity. The lifting mechanism raises and lowers the substrate storage shelf to align the tier where thesubstrates 100 are loaded or unloaded with the transport position. This allowsmultiple substrates 100 to be temporarily stored and retained in thebuffer chamber 306.
旋回室307は基板100の向きを変更する装置を備えている。例えば、旋回室307では、旋回室307に設けられた搬送ロボットによって基板100の向きを180度回転させる。旋回室307に設けられた搬送ロボットが、バッファ室306で受け取った基板100を支持した状態で180度旋回し受渡室308に引き渡すことで、バッファ室306内と受渡室308とで基板の前端と後端が入れ替わる。これにより、成膜室303に基板100を搬入する際の向きが、各成膜ブロック301で同じ向きになるため、基板100に対する成膜のスキャン方向やマスクの向きを各成膜ブロック301において一致させることができる。このような構成とすることで、各成膜ブロック301においてマスク格納室305にマスクを設置する向きを揃えることができ、マスクの管理が簡易化されユーザビリティを高めることができる。Theswirl chamber 307 is equipped with a device for changing the orientation of thesubstrate 100. For example, in theswirl chamber 307, the orientation of thesubstrate 100 is rotated 180 degrees by a transport robot provided in theswirl chamber 307. The transport robot provided in theswirl chamber 307 rotates 180 degrees while supporting thesubstrate 100 received in thebuffer chamber 306 and delivers it to thedelivery chamber 308, so that the front end and the rear end of the substrate are swapped between thebuffer chamber 306 and thedelivery chamber 308. As a result, the orientation of thesubstrate 100 when it is brought into the deposition chamber 303 is the same in eachdeposition block 301, so that the scanning direction of the deposition on thesubstrate 100 and the orientation of the mask can be aligned in eachdeposition block 301. With this configuration, the orientation of the mask installed in themask storage chamber 305 in each deposition block 301 can be aligned, simplifying mask management and improving usability.
製造ラインの制御系は、ホストコンピュータとしてライン全体を制御する上位装置300と、各構成を制御する制御装置14a~14d、309、310とを含み、これらは有線又は無線の通信回線300aを介して通信可能である。制御装置14a~14dは、成膜室303a~303dに対応して設けられ、後述する成膜装置1を制御する。なお、制御装置14a~14dを総称する場合、或いは、区別しない場合は制御装置14と表記する。The control system of the manufacturing line includes a higher-level device 300 that controls the entire line as a host computer, andcontrol devices 14a-14d, 309, and 310 that control each component, and these can communicate via a wired orwireless communication line 300a. Thecontrol devices 14a-14d are provided corresponding to thedeposition chambers 303a-303d, and control thedeposition device 1 described below. Note that when thecontrol devices 14a-14d are referred to collectively or when no distinction is made, they are referred to ascontrol device 14.
制御装置309は搬送ロボット302aを制御する。制御装置310は旋回室307の装置を制御する。上位装置300は、基板100に関する情報や搬送タイミング等の指示を各制御装置14、309、310に送信し、各制御装置14、309、310は受信した指示に基づき各構成を制御する。Thecontrol device 309 controls thetransport robot 302a. Thecontrol device 310 controls the devices in theswirl chamber 307. The higher-level device 300 transmits information about thesubstrate 100 and instructions such as transport timing to each of thecontrol devices 14, 309, and 310, and each of thecontrol devices 14, 309, and 310 controls each component based on the received instructions.
<成膜装置の概要>
図2は一実施形態に係る成膜装置1の概略図である。成膜室303に設けられる成膜装置1は、基板100に蒸着物質を成膜する装置であり、マスク101を用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を基板100に形成する。成膜装置1で成膜が行われる基板100の材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物など)などの物質である。成膜装置1は、例えば表示装置(フラットパネルディスプレイなど)や薄膜太陽電池、有機光電変換素子(有機薄膜撮像素子)等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ELパネルを製造する製造装置に適用可能である。以下の説明においては成膜装置1が真空蒸着によって基板100に成膜を行う例について説明するが、本発明はこれに限定はされず、スパッタやCVD等の各種成膜方法を適用可能である。なお、各図において矢印Zは上下方向(重力方向)を示し、矢印X及び矢印Yは互いに直交する水平方向を示す。<Overview of the film formation equipment>
FIG. 2 is a schematic diagram of afilm forming apparatus 1 according to an embodiment. Thefilm forming apparatus 1 provided in the film forming chamber 303 is an apparatus for forming a film of a deposition material on asubstrate 100, and forms a thin film of the deposition material in a predetermined pattern on thesubstrate 100 using amask 101. The material of thesubstrate 100 on which a film is formed in thefilm forming apparatus 1 can be appropriately selected from materials such as glass, resin, and metal, and a resin layer such as polyimide formed on glass is preferably used. The deposition material is an organic material, an inorganic material (metal, metal oxide, etc.), and the like. Thefilm forming apparatus 1 can be applied to a manufacturing apparatus for manufacturing electronic devices such as display devices (flat panel displays, etc.), thin-film solar cells, and organic photoelectric conversion elements (organic thin-film imaging elements), and optical members, and is particularly applicable to a manufacturing apparatus for manufacturing organic EL panels. In the following description, an example will be described in which thefilm forming apparatus 1 forms a film on thesubstrate 100 by vacuum deposition, but the present invention is not limited thereto, and various film forming methods such as sputtering and CVD can be applied. In each drawing, arrow Z indicates the vertical direction (gravity direction), and arrows X and Y indicate horizontal directions that are perpendicular to each other.
成膜装置1は、内部を真空に保持可能な箱型の真空チャンバ3(単にチャンバ3と呼ぶ場合がある)を有する。真空チャンバ3の内部空間3aは、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。本実施形態では、真空チャンバ3は不図示の真空ポンプに接続されている。なお、本明細書において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。Thefilm forming apparatus 1 has a box-shaped vacuum chamber 3 (sometimes simply referred to as chamber 3) capable of maintaining a vacuum inside. Theinternal space 3a of the vacuum chamber 3 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas. In this embodiment, the vacuum chamber 3 is connected to a vacuum pump (not shown). In this specification, "vacuum" refers to a state filled with gas at a pressure lower than atmospheric pressure, in other words, a reduced pressure state.
真空チャンバ3の内部空間3aには、基板100を水平姿勢で支持する基板支持ユニット6、マスク101を支持するマスク台5、蒸着ユニット4、プレートユニット9、吸着ユニット15が配置される。In theinternal space 3a of the vacuum chamber 3, asubstrate support unit 6 that supports thesubstrate 100 in a horizontal position, a mask table 5 that supports themask 101, adeposition unit 4, aplate unit 9, and anadsorption unit 15 are arranged.
マスク101は、基板100上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンをもつメタルマスクであり、マスク台5の上に載置されている。なお、マスク台5は、マスク101を所定の位置に固定する他の形態の手段に置換可能である。マスク101としては、枠状のマスクフレームに数μm~数十μm程度の厚さのマスク箔が溶接固定された構造を有するマスクを用いることができる。マスク101の材質は特に限定はされないが、インバー材などの熱膨張係数の小さい金属を用いることが好ましい。成膜処理は、基板100がマスク101の上に載置され、基板100とマスク101とが互いに重ね合わされた状態で行われる。Themask 101 is a metal mask having an opening pattern corresponding to the thin film pattern to be formed on thesubstrate 100, and is placed on the mask table 5. The mask table 5 can be replaced with other means for fixing themask 101 in a predetermined position. Themask 101 may be a mask having a structure in which a mask foil having a thickness of several μm to several tens of μm is welded to a frame-shaped mask frame. The material of themask 101 is not particularly limited, but it is preferable to use a metal with a small thermal expansion coefficient such as Invar material. The film formation process is performed with thesubstrate 100 placed on themask 101 and thesubstrate 100 and themask 101 overlapping each other.
プレートユニット9は、冷却プレート90と磁石プレート91とを備える。冷却プレート90は磁石プレート91の下に、磁石プレート91に対して支持部92を介してZ方向に変位可能に吊り下げられている。冷却プレート90は、後述する吸着ユニット15と接触することにより、成膜時に吸着ユニット15に吸着された基板100を冷却する機能を有する。冷却プレート90は水冷機構等を備えて積極的に基板100を冷却するものに限定はされず、水冷機構等は設けられていないものの吸着ユニット15と接触することによって基板100の熱を奪う板状部材であってもよい。磁石プレート91は、磁力によってマスク101を引き寄せるプレートであり、基板100の上面に載置されて、成膜時に基板100とマスク101の密着性を向上する。Theplate unit 9 includes acooling plate 90 and amagnet plate 91. The coolingplate 90 is suspended below themagnet plate 91 via asupport 92 so as to be displaceable in the Z direction relative to themagnet plate 91. The coolingplate 90 has a function of cooling thesubstrate 100 adsorbed to theadsorption unit 15 during film formation by contacting theadsorption unit 15 described later. The coolingplate 90 is not limited to a type that is equipped with a water cooling mechanism or the like and actively cools thesubstrate 100, and may be a plate-like member that does not have a water cooling mechanism or the like but removes heat from thesubstrate 100 by contacting theadsorption unit 15. Themagnet plate 91 is a plate that attracts themask 101 by magnetic force, and is placed on the upper surface of thesubstrate 100 to improve the adhesion between thesubstrate 100 and themask 101 during film formation.
なお、冷却プレート90と磁石プレート91は適宜省略されてもよい。例えば、吸着ユニット15に冷却機構が設けられている場合、冷却プレート90はなくてもよい。また、吸着ユニット15がマスク101を吸着する場合、磁石プレート91はなくてもよい。The coolingplate 90 and themagnet plate 91 may be omitted as appropriate. For example, if thesuction unit 15 is provided with a cooling mechanism, the coolingplate 90 may not be necessary. Also, if thesuction unit 15 suctions themask 101, themagnet plate 91 may not be necessary.
蒸着ユニット4は、ヒータ、シャッタ、蒸発源の駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成され、蒸着物質を基板100に蒸着する蒸着源である。より具体的には、本実施形態では、蒸着ユニット4は複数のノズル(不図示)がX方向に並んで配置され、それぞれのノズルから蒸着材料が放出されるリニア蒸発源である。例えば、リニア蒸発源は、蒸発源移動機構(不図示)によってY方向(装置の奥行き方向)に往復移動される。本実施形態では、蒸着ユニット4が後述するアライメント装置2と同一の真空チャンバ3に設けられている。Thedeposition unit 4 is composed of a heater, a shutter, an evaporation source drive mechanism, an evaporation rate monitor, etc., and is an evaporation source that deposits an evaporation material onto thesubstrate 100. More specifically, in this embodiment, thedeposition unit 4 is a linear evaporation source in which multiple nozzles (not shown) are arranged in the X direction, and the evaporation material is emitted from each nozzle. For example, the linear evaporation source is moved back and forth in the Y direction (depth direction of the device) by an evaporation source moving mechanism (not shown). In this embodiment, thedeposition unit 4 is provided in the same vacuum chamber 3 as the alignment device 2 described later.
<アライメント装置>
成膜装置1は、基板100とマスク101とのアライメントを行うアライメント装置2を備える。アライメント装置2は、基板支持ユニット6、吸着ユニット15、位置調整ユニット20、距離調整ユニット24、計測ユニット7及び8等を備えている。以下、アライメント装置の各構成について説明する。<Alignment device>
Thefilm forming apparatus 1 includes an alignment device 2 that aligns asubstrate 100 and amask 101. The alignment device 2 includes asubstrate supporting unit 6, asuction unit 15, aposition adjustment unit 20, adistance adjustment unit 24,measurement units 7 and 8, etc. Each component of the alignment device will be described below.
(基板支持ユニット)
アライメント装置2は、基板100の周縁部を支持する基板支持ユニット6を備える。基板支持ユニット6は、矩形状の枠体であるベース部61を備える。ベース部61は、Y方向に延設された梁部61L、61Rを含む。梁部61L、61RはX方向に互いに離間して、平行に延びている。ベース部61には、ベース部61から内側へ突出した複数の支持部が設けられている。基板100は複数の支持部に載置される。(Substrate Support Unit)
The alignment apparatus 2 includes asubstrate supporting unit 6 that supports the peripheral portion of thesubstrate 100. Thesubstrate supporting unit 6 includes abase portion 61 that is a rectangular frame. Thebase portion 61 includesbeam portions 61L, 61R that extend in the Y direction. Thebeam portions 61L, 61R extend parallel to each other and spaced apart from each other in the X direction. Thebase portion 61 is provided with a plurality of support portions that protrude inward from thebase portion 61. Thesubstrate 100 is placed on the plurality of support portions.
複数の支持部は、複数の支持部62Lと、複数の支持部62Rとを含む。複数の支持部62Lは、Y方向に配列されて梁部61Lに支持されている。複数の支持部62Rは、Y方向に配列されて梁部61Rに支持されている。複数の支持部62Lには、基板100のX方向の一方の周縁部が載置され、複数の支持部62Rは、X方向の他方の周縁部(一方の周縁部とは反対側の位置の周縁部)が載置される。The multiple support parts includemultiple support parts 62L andmultiple support parts 62R. Themultiple support parts 62L are arranged in the Y direction and supported by thebeam part 61L. Themultiple support parts 62R are arranged in the Y direction and supported by thebeam part 61R. One peripheral part in the X direction of thesubstrate 100 is placed on themultiple support parts 62L, and the other peripheral part in the X direction (the peripheral part at the opposite side to the one peripheral part) is placed on themultiple support parts 62R.
ベース部61は、複数の支持軸63に吊り下げられている。支持軸63はZ方向に延びる軸であり、昇降プレート25に搭載されたアクチュエータ64によってZ方向に移動される。アクチュエータ64の作動によって、基板支持ユニット6を移動し、基板支持ユニット6に支持された基板100を移載先へ移載する。基板支持ユニット6、複数の支持軸63、アクチュエータ64は、基板100を移載する移載装置TAを構成している。Thebase portion 61 is suspended from a number ofsupport shafts 63. Thesupport shafts 63 extend in the Z direction and are moved in the Z direction by actuators 64 mounted on the liftingplate 25. Theactuators 64 are operated to move thesubstrate support unit 6, and thesubstrate 100 supported by thesubstrate support unit 6 is transferred to the destination. Thesubstrate support unit 6, the number ofsupport shafts 63, and theactuators 64 constitute a transfer device TA that transfers thesubstrate 100.
(吸着ユニット)
アライメント装置2は、真空チャンバ3の内部に設けられ、基板100を吸着可能な吸着ユニット15を備える。本実施形態では、吸着ユニット15は、基板支持ユニット6とプレートユニット9との間に設けられ、複数の支持軸27により吊り下げられている。支持軸27はZ方向に延び、かつ、Z方向に移動可能な軸であり、その下端部において吸着ユニット15を支持し、その上端部において昇降プレート25に固定されている。(Suction unit)
The alignment device 2 is provided inside the vacuum chamber 3, and includes asuction unit 15 capable of suctioning thesubstrate 100. In this embodiment, thesuction unit 15 is provided between thesubstrate support unit 6 and theplate unit 9, and is suspended by a plurality ofsupport shafts 27. Thesupport shafts 27 extend in the Z direction and are movable in the Z direction. Thesupport shafts 27 support thesuction unit 15 at their lower ends and are fixed to thelift plate 25 at their upper ends.
本実施形態では、吸着ユニット15は、基板100を静電気力によって吸着する静電チャックである。例えば、吸着ユニット15は、セラミックス材質のマトリックス(基体とも呼ばれる)の内部に金属電極などの電気回路が埋め込まれた構造を有する。例えば、電極配置領域151に配置された金属電極にプラス(+)及びマイナス(-)電圧が印加されると、セラミックスマトリックスを通じて基板100に分極電荷が誘導され、基板100と吸着ユニット15との間の静電気的な引力(静電気力)により、基板100が吸着ユニット15の吸着面(下面)に固定される。なお、吸着ユニット15は、その表面に物理的な粘着性を持つ粘着チャック(PSC:Physical Sticky Chuck)等であってもよい。In this embodiment, thesuction unit 15 is an electrostatic chuck that suctions thesubstrate 100 by electrostatic force. For example, thesuction unit 15 has a structure in which an electric circuit such as a metal electrode is embedded inside a matrix (also called a base) made of a ceramic material. For example, when a positive (+) and negative (-) voltage is applied to the metal electrodes arranged in the electrode arrangement area 151, a polarized charge is induced in thesubstrate 100 through the ceramic matrix, and thesubstrate 100 is fixed to the suction surface (lower surface) of thesuction unit 15 by the electrostatic attraction (electrostatic force) between thesubstrate 100 and thesuction unit 15. Thesuction unit 15 may be an adhesive chuck (PSC: Physical Sticky Chuck) that has physical adhesion on its surface.
(位置調整ユニット)
アライメント装置2は、基板支持ユニット6により周縁部が支持された基板100、あるいは、吸着ユニット15によって吸着された基板100と、マスク101との相対位置を調整する位置調整ユニット20を備える。位置調整ユニット20は、基板支持ユニット6または吸着ユニット15をX-Y平面上で変位することにより、マスク101に対する基板100の相対位置を調整する。すなわち、位置調整ユニット20は、マスク101と基板100の水平位置を調整するユニットであるとも言える。例えば、位置調整ユニット20は、基板支持ユニット6をX方向、Y方向及びZ方向の軸周りの回転方向に変位することができる。本実施形態では、マスク101の位置を固定し、基板100を変位してこれらの相対位置を調整するが、マスク101を変位させて調整してもよく、或いは、基板100とマスク101の双方を変位させてもよい。(Position adjustment unit)
The alignment device 2 includes aposition adjustment unit 20 that adjusts the relative position between thesubstrate 100, the peripheral portion of which is supported by thesubstrate support unit 6, or thesubstrate 100, which is adsorbed by theadsorption unit 15, and themask 101. Theposition adjustment unit 20 adjusts the relative position of thesubstrate 100 with respect to themask 101 by displacing thesubstrate support unit 6 or theadsorption unit 15 on the XY plane. That is, theposition adjustment unit 20 can also be said to be a unit that adjusts the horizontal positions of themask 101 and thesubstrate 100. For example, theposition adjustment unit 20 can displace thesubstrate support unit 6 in the rotational directions around the axes in the X direction, Y direction, and Z direction. In this embodiment, the position of themask 101 is fixed, and thesubstrate 100 is displaced to adjust their relative positions, but themask 101 may be displaced to adjust the relative positions, or both thesubstrate 100 and themask 101 may be displaced.
本実施形態では、位置調整ユニット20は、固定プレート21と、可動プレート22と、これらのプレートの間に配置された複数のアクチュエータMとを備える。固定プレート21は真空チャンバ3の上壁部30上に固定されている。また、可動プレート22上にはフレーム状の架台23が搭載されており、架台23には距離調整ユニット24等が支持されている。アクチュエータMより可動プレート22を固定プレート21に対して水平方向に変位すると、架台23と架台23に支持されている各構成が一体的に変位する。In this embodiment, theposition adjustment unit 20 comprises a fixedplate 21, amovable plate 22, and a number of actuators M arranged between these plates. The fixedplate 21 is fixed onto theupper wall portion 30 of the vacuum chamber 3. A frame-shapedstand 23 is mounted on themovable plate 22, and adistance adjustment unit 24 and the like are supported on thestand 23. When the actuator M displaces themovable plate 22 horizontally relative to the fixedplate 21, thestand 23 and the components supported by thestand 23 are displaced integrally.
複数のアクチュエータMは、例えば、可動プレート21をX方向に変位可能なアクチュエータ及び可動プレート22をY方向に変位可能なアクチュエータ等を含み、これらの移動量を制御することにより、可動プレート22をX方向、Y方向及びZ方向の軸周りの回転方向に変位することができる。例えば、複数のアクチュエータMは、駆動源であるモータと、モータの駆動力を直線運動に変換するボールねじ機構等の機構を含み得る。The multiple actuators M may include, for example, an actuator capable of displacing themovable plate 21 in the X direction and an actuator capable of displacing themovable plate 22 in the Y direction, and by controlling the amount of movement of these actuators, themovable plate 22 may be displaced in rotational directions around the X, Y, and Z axes. For example, the multiple actuators M may include a motor as a drive source and a mechanism such as a ball screw mechanism that converts the driving force of the motor into linear motion.
(距離調整ユニット)
距離調整ユニット24は、吸着ユニット15及び基板支持ユニット6を昇降することで、それらとマスク台5上のマスク101との距離を調整し、基板100とマスク101とを基板100の厚み方向(Z方向)に接近及び離隔(離間)させる昇降ユニットである。換言すれば、距離調整ユニット24は、基板100とマスク101とを重ね合わせる方向に接近させたり、その逆方向に離隔させたりする。なお、距離調整ユニット24によって調整する「距離」はいわゆる垂直距離(又は鉛直距離)であり、距離調整ユニットは、マスク101と基板100の垂直位置を調整するユニットであるとも言える。(Distance adjustment unit)
Thedistance adjustment unit 24 is a lifting unit that adjusts the distance between thesuction unit 15 and thesubstrate support unit 6 and themask 101 on the mask table 5 by raising and lowering them, and moves thesubstrate 100 and themask 101 closer to each other and farther apart in the thickness direction (Z direction) of thesubstrate 100. In other words, thedistance adjustment unit 24 moves thesubstrate 100 and themask 101 closer to each other in the direction in which they are superimposed, and moves them apart in the opposite direction. Note that the "distance" adjusted by thedistance adjustment unit 24 is the so-called vertical distance, and the distance adjustment unit can also be said to be a unit that adjusts the vertical positions of themask 101 and thesubstrate 100.
距離調整ユニット24は昇降プレート25を備える。架台23の側部にはZ方向に延びるガイドレール23aが形成されており、昇降プレート25はガイドレール23aに沿ってZ方向に昇降自在である。Thedistance adjustment unit 24 is equipped with a liftingplate 25. Aguide rail 23a extending in the Z direction is formed on the side of thestand 23, and the liftingplate 25 can be freely raised and lowered in the Z direction along theguide rail 23a.
昇降プレート25は、複数の支持軸27を介して吸着ユニット15を支持している。昇降プレート25が昇降するとそれに伴って吸着ユニット15が昇降する。換言すれば、昇降プレート25は吸着ユニット15を支持する複数の支持軸27を支持しており、昇降プレート25の昇降により複数の支持軸27が同期して昇降し、吸着ユニット15がその平行度を保った状態で昇降する。Thelift plate 25 supports thesuction unit 15 viamultiple support shafts 27. When thelift plate 25 rises and falls, thesuction unit 15 rises and falls accordingly. In other words, thelift plate 25 supportsmultiple support shafts 27 that support thesuction unit 15, and when thelift plate 25 rises and falls, themultiple support shafts 27 rise and fall in sync, and thesuction unit 15 rises and falls while maintaining its parallelism.
また、昇降プレート25は、複数のアクチュエータ64及び複数の支持軸63を介して基板支持ユニット6を支持している。昇降プレート25が昇降するとそれに伴って基板支持ユニット6が昇降する。また、アクチュエータ64が支持軸63をZ方向に移動することによって基板支持ユニット6が昇降する。アクチュエータ64は、例えばモータ及びボールねじ機構を備えた電動シリンダである。Thelift plate 25 also supports thesubstrate support unit 6 viamultiple actuators 64 andmultiple support shafts 63. When thelift plate 25 rises and falls, thesubstrate support unit 6 rises and falls accordingly. Theactuators 64 also move thesupport shafts 63 in the Z direction, causing thesubstrate support unit 6 to rise and fall. Theactuators 64 are, for example, electric cylinders equipped with a motor and a ball screw mechanism.
昇降プレート25の昇降機構についてより具体的に説明する。距離調整ユニット24は、架台23に支持されたモータ26と、モータ26により駆動される伝達機構としてボールねじ機構26aとを備える。ボールねじ機構26aは、Z方向に延びるボールねじ軸と昇降プレート25に固定されたボールナットとを含む。ボールねじ軸の回転とその回転方向の切り替えによって、昇降プレート25をZ方向に昇降することができる。昇降プレート25の昇降量は、例えば、モータ26の回転量を検知するロータリエンコーダ等のセンサの検知結果から制御することができる。これにより、基板100を吸着して支持している吸着ユニット15のZ方向における位置を制御し、基板100とマスク101との接触、離隔を制御することができる。The lifting mechanism of the liftingplate 25 will be described in more detail. Thedistance adjustment unit 24 includes amotor 26 supported by thestand 23, and aball screw mechanism 26a as a transmission mechanism driven by themotor 26. Theball screw mechanism 26a includes a ball screw shaft extending in the Z direction and a ball nut fixed to the liftingplate 25. The liftingplate 25 can be raised and lowered in the Z direction by rotating the ball screw shaft and switching the direction of rotation. The amount of lifting of the liftingplate 25 can be controlled, for example, from the detection results of a sensor such as a rotary encoder that detects the amount of rotation of themotor 26. This makes it possible to control the position in the Z direction of thesuction unit 15 that suctions and supports thesubstrate 100, and to control the contact and separation between thesubstrate 100 and themask 101.
なお、本実施形態の距離調整ユニットは、マスク台5の位置を固定し、基板支持ユニット6及び吸着ユニット15を移動してこれらのZ方向の距離を調整するが、これに限定はされない。基板支持ユニット6または吸着ユニット15の位置を固定し、マスク台5を移動させて調整してもよく、或いは、基板支持ユニット6、吸着ユニット15、及びマスク台5のそれぞれを移動させて互いの距離を調整してもよい。In addition, the distance adjustment unit in this embodiment fixes the position of the mask table 5 and moves thesubstrate support unit 6 and thesuction unit 15 to adjust the distance between them in the Z direction, but this is not limited to this. The positions of thesubstrate support unit 6 or thesuction unit 15 may be fixed and the mask table 5 may be moved to adjust them, or thesubstrate support unit 6,suction unit 15, and mask table 5 may each be moved to adjust the distance between them.
(プレートユニットの昇降機構)
プレートユニット9の昇降機構について説明する。プレートユニット9の磁石プレート91は、複数の支持軸93を介して昇降プレート94に連結されている。昇降プレート94は、モータ95と、その駆動力の伝達機構であるボールねじ機構95aとによって昇降される。モータ95は架台23に支持されている。(Plate unit lifting mechanism)
The lifting mechanism of theplate unit 9 will now be described. Themagnet plate 91 of theplate unit 9 is connected to a liftingplate 94 via a plurality ofsupport shafts 93. The liftingplate 94 is lifted and lowered by amotor 95 and aball screw mechanism 95a which is a transmission mechanism for the driving force of themotor 95. Themotor 95 is supported by thestand 23.
なお、前述した各支持軸27、63、93はチャンバ3の上壁部30の開口部を通過してチャンバ3の内部に延設されている。真空チャンバ3の気密性を維持するため、上壁部30の開口部にはベローズ等の気密部材が設けられる。Theaforementioned support shafts 27, 63, and 93 pass through openings in theupper wall portion 30 of the chamber 3 and extend into the interior of the chamber 3. To maintain the airtightness of the vacuum chamber 3, an airtight member such as a bellows is provided in the opening of theupper wall portion 30.
(計測ユニット)
アライメント装置2は、基板支持ユニット6により周縁部が支持された基板100とマスク101の位置ずれを計測する計測ユニット7及び8を備える。図2に加えて図3を参照して説明する。図3は計測ユニット7及び8の説明図であり、基板100とマスク101の位置ずれの計測態様を示している。本実施形態の計測ユニット7及び8はいずれも画像を撮像する撮像装置(カメラ)である。計測ユニット7及び8は、上壁部30の上方に配置され、上壁部30に形成された窓部(不図示)を介して真空チャンバ3内の画像を撮像可能である。吸着ユニット15には計測ユニット7及び8が基板100及びマスク101のアライメントマークを撮像するための複数の開口が形成されている。(Measuring unit)
The alignment device 2 includesmeasurement units 7 and 8 that measure the positional deviation between thesubstrate 100, the peripheral portion of which is supported by thesubstrate support unit 6, and themask 101. The following description will be given with reference to FIG. 3 in addition to FIG. 2. FIG. 3 is an explanatory diagram of themeasurement units 7 and 8, and shows the measurement mode of the positional deviation between thesubstrate 100 and themask 101. Themeasurement units 7 and 8 in this embodiment are both imaging devices (cameras) that capture images. Themeasurement units 7 and 8 are disposed above theupper wall portion 30, and can capture an image of the inside of the vacuum chamber 3 through a window portion (not shown) formed in theupper wall portion 30. Thesuction unit 15 has a plurality of openings formed therein for themeasurement units 7 and 8 to capture images of the alignment marks of thesubstrate 100 and themask 101.
基板100には基板ラフアライメントマーク100a及び基板ファインアライメントマーク100bが形成されており、マスク101にはマスクラフアライメントマーク101a及びマスクファインマーク101bが形成されている。以下、基板ラフアライメントマーク100aを基板ラフマーク100aと呼び、基板ファインアライメントマーク100bを基板ファインマーク100bと呼び、両者をまとめて基板マークと呼ぶことがある。また、マスクラフアライメントマーク101aをマスクラフマーク101aと呼び、マスクファインアライメントマーク101bをマスクファインマーク101bと呼び、両者をまとめてマスクマークと呼ぶことがある。Substrate 100 has substraterough alignment mark 100a and substratefine alignment mark 100b formed thereon, andmask 101 has maskrough alignment mark 101a and maskfine mark 101b formed thereon. Hereinafter, substraterough alignment mark 100a will be referred to as substraterough mark 100a, substratefine alignment mark 100b will be referred to as substratefine mark 100b, and both will be collectively referred to as substrate marks. Further, maskrough alignment mark 101a will be referred to as maskrough mark 101a, maskfine alignment mark 101b will be referred to as maskfine mark 101b, and both will be collectively referred to as mask marks.
基板ラフマーク100aは、基板100の短辺中央部に形成されている。基板ファインマーク100bは、基板100の四隅に形成されている。マスクラフマーク101aは、基板ラフマーク100aに対応してマスク101の短辺中央部に形成されている。また、マスクファインマーク101bは基板ファインマーク100bに対応してマスク101の四隅に形成されている。The substraterough mark 100a is formed in the center of the short side of thesubstrate 100. The substratefine mark 100b is formed at the four corners of thesubstrate 100. The maskrough mark 101a is formed in the center of the short side of themask 101 in correspondence with the substraterough mark 100a. In addition, the maskfine mark 101b is formed at the four corners of themask 101 in correspondence with the substratefine mark 100b.
計測ユニット8は、対応する基板ファインマーク100bとマスクファインマーク101bの各組(本実施形態では4組)を撮像するように4つ設けられている。計測ユニット8は、相対的に視野が狭いが高い解像度(例えば数μmのオーダ)を有する高倍率CCDカメラ(ファインカメラ)であり、基板100とマスク101との位置ずれを高精度で計測する。計測ユニット7は、1つ設けられており、対応する基板ラフマーク100aとマスクラフマーク101aの各組(本実施形態では2組)を撮像する。Fourmeasurement units 8 are provided to capture images of each pair (four pairs in this embodiment) of corresponding substratefine marks 100b and maskfine marks 101b. Themeasurement units 8 are high-magnification CCD cameras (fine cameras) with a relatively narrow field of view but high resolution (e.g., on the order of a few μm), and measure the positional misalignment between thesubstrate 100 andmask 101 with high precision. Onemeasurement unit 7 is provided to capture images of each pair (two pairs in this embodiment) of corresponding substraterough marks 100a and maskrough marks 101a.
計測ユニット7は、相対的に視野が広いが低い解像度を有する低倍率CCDカメラ(ラフカメラ)であり、基板100とマスク101との大まかな位置ずれを計測する。図3の例では2組の基板ラフマーク100a及びマスクラフマーク101aの組を1つの計測ユニット7でまとめて撮像する構成を示したが、これに限定はされない。計測ユニット8と同様に、基板ラフマーク100a及びマスクラフマーク101aの各組をそれぞれ撮影するように、それぞれの組に対応する位置に計測ユニット7を2つ設けてもよい。Themeasurement unit 7 is a low-magnification CCD camera (rough camera) with a relatively wide field of view but low resolution, and measures the rough positional deviation between thesubstrate 100 and themask 101. In the example of FIG. 3, a configuration is shown in which two sets of substraterough marks 100a and maskrough marks 101a are imaged together by onemeasurement unit 7, but this is not limited to this. As with themeasurement unit 8, twomeasurement units 7 may be provided at positions corresponding to each set so as to image each set of substraterough marks 100a and maskrough marks 101a.
このように二種類の計測ユニット7及び8を設けたことで、本実施形態では、第1計測ユニット7の計測結果に基づいて基板100とマスク101との大まかな位置調整を行った後、計測ユニット8の計測結果に基づいて基板100とマスク101との精密な位置調整を行うことができる。By providing two types ofmeasurement units 7 and 8 in this manner, in this embodiment, rough position adjustment between thesubstrate 100 and themask 101 can be performed based on the measurement results of thefirst measurement unit 7, and then precise position adjustment between thesubstrate 100 and themask 101 can be performed based on the measurement results of themeasurement unit 8.
<制御装置>
制御装置14は、成膜装置1の全体を制御する電子回路である。制御装置14は、例えば、処理部、記憶部、入出力インタフェース(I/O)、通信部を備える。処理部は、CPUに代表されるプロセッサであり、記憶部に記憶されたプログラムを実行して成膜装置1を制御する。記憶部は、ROM、RAM、HDD等の記憶デバイスであり、処理部が実行するプログラムの他、各種の制御情報を記憶する。入出力インタフェースは、処理部と外部デバイスとの間の信号を送受信するインタフェースである。通信部は通信回線300aを介して上位装置300又は他の制御装置14、309、310等と通信を行う通信デバイスである。<Control device>
Thecontrol device 14 is an electronic circuit that controls the entirefilm forming apparatus 1. Thecontrol device 14 includes, for example, a processing unit, a storage unit, an input/output interface (I/O), and a communication unit. The processing unit is a processor represented by a CPU, and controls thefilm forming apparatus 1 by executing a program stored in the storage unit. The storage unit is a storage device such as a ROM, a RAM, or a HDD, and stores various control information in addition to the program executed by the processing unit. The input/output interface is an interface that transmits and receives signals between the processing unit and an external device. The communication unit is a communication device that communicates with theupper device 300 orother control devices 14, 309, 310, etc. via acommunication line 300a.
<成膜装置の動作例>
成膜装置1の動作例について説明する。図2は搬送ロボット302aにより成膜装置1内に基板100が搬入され、搬送ロボット302aが退避した後の状態である。図4~図6を参照してその後の動作について説明する。<Example of film formation device operation>
An example of the operation of thefilm forming apparatus 1 will now be described. Fig. 2 shows a state after thesubstrate 100 is carried into thefilm forming apparatus 1 by thetransport robot 302a and thetransport robot 302a has retreated. Subsequent operations will now be described with reference to Figs. 4 to 6.
図4の状態ST41は基板100を吸着ユニット15に吸着させる動作を例示している。各アクチュエータ64の駆動によって基板支持ユニット6を上昇させ吸着ユニット15の下面に基板100を密着させる。吸着ユニット15を駆動することで基板100が吸着ユニット15に吸着させる。こうして基板支持ユニット6と吸着ユニット15との間で基板100が移載される。State ST41 in Figure 4 illustrates an example of the operation of adsorbing thesubstrate 100 to thesuction unit 15. Thesubstrate support unit 6 is raised by driving eachactuator 64, and thesubstrate 100 is brought into close contact with the lower surface of thesuction unit 15. Thesubstrate 100 is adsorbed to thesuction unit 15 by driving thesuction unit 15. In this way, thesubstrate 100 is transferred between thesubstrate support unit 6 and thesuction unit 15.
基板支持ユニット6によって基板100はその周縁部が支持されている。基板100は自重によって、その中央部が下方へ凸となる撓みを有している(図2)。基板支持ユニット6から吸着ユニット15へ基板100を移載する際には、最初に吸着ユニット15の中央部の吸着力を発揮させ、その後、吸着ユニット15の周縁部の吸着力を発揮させる。このように吸着ユニット15を制御することで、吸着ユニット15に対して基板100を撓みを解消して平坦な状態で吸着することができる。Thesubstrate 100 is supported at its peripheral portion by thesubstrate support unit 6. Thesubstrate 100 is bent due to its own weight, causing its central portion to be convex downward (Figure 2). When transferring thesubstrate 100 from thesubstrate support unit 6 to thesuction unit 15, the suction force of the central portion of thesuction unit 15 is exerted first, and then the suction force of the peripheral portion of thesuction unit 15 is exerted. By controlling thesuction unit 15 in this manner, thesubstrate 100 can be adsorbed to thesuction unit 15 in a flat state, eliminating the bending of thesubstrate 100.
次に、図4の状態ST42に示すようにモータ26の駆動によって昇降プレート25を降下させ、吸着ユニット15及び基板支持ユニット6を降下させると共に、各アクチュエータ64の駆動によって基板支持ユニット6を更に降下させる。吸着ユニット15は基板100とマスク101とのアライメントを行う位置まで降下される。Next, as shown in state ST42 in FIG. 4, themotor 26 is driven to lower thelift plate 25, lowering thesuction unit 15 and thesubstrate support unit 6, and theactuators 64 are driven to further lower thesubstrate support unit 6. Thesuction unit 15 is lowered to a position where thesubstrate 100 andmask 101 are aligned.
図5の状態ST51及び状態ST52は基板100とマスク101とのアライメント動作の例を示している。アライメント動作は、計測ユニット7及び8を用いた位置ずれ量の計測動作(状態ST51)と、位置調整ユニット20を用いた相対位置調整動作(状態ST52)とを含む。また、アライメント動作は、計測ユニット7の計測結果を利用したラフアライメント動作と、計測ユニット8の計測結果を利用したファインアライメント動作とを含む。States ST51 and ST52 in FIG. 5 show examples of alignment operations between thesubstrate 100 and themask 101. The alignment operations include a measurement operation of the amount of misalignment using themeasurement units 7 and 8 (state ST51), and a relative position adjustment operation using the position adjustment unit 20 (state ST52). The alignment operations also include a rough alignment operation using the measurement results of themeasurement unit 7, and a fine alignment operation using the measurement results of themeasurement unit 8.
「位置ずれ量」とは、位置ずれの距離と方向(X、Y、θ)で定義される。位置調整ユニット20によって、吸着ユニット15がX-Y平面上で変位され、マスク101に対する基板100の相対位置が調整される。The "amount of misalignment" is defined as the distance and direction (X, Y, θ) of the misalignment. Theposition adjustment unit 20 displaces thesuction unit 15 on the XY plane, adjusting the relative position of thesubstrate 100 with respect to themask 101.
ラフアライメント動作では、計測ユニット7でアライメントマークを撮影して位置ずれ量を計測し、位置ずれ量が小さくなるように位置調整ユニット20を作動する。位置ずれ量が許容範囲内になるまで計測と位置調整を繰り返す。In the rough alignment operation, themeasurement unit 7 photographs the alignment mark to measure the amount of misalignment, and theposition adjustment unit 20 is operated to reduce the amount of misalignment. Measurement and position adjustment are repeated until the amount of misalignment falls within the allowable range.
ラフアライメント動作が完了するとファインアライメント動作を行う。ファインアライメント動作では、昇降プレート25を降下させて基板100とマスク101との距離をラフアライメント動作よりも近くした状態において、計測ユニット8でアライメントマークを撮影して位置ずれ量を計測し、位置ずれ量が小さくなるように位置調整ユニット20を作動する。位置ずれ量が許容範囲内になるまで計測と位置調整を繰り返す。Once the rough alignment operation is completed, the fine alignment operation is performed. In the fine alignment operation, thelift plate 25 is lowered to bring the distance between thesubstrate 100 and themask 101 closer than in the rough alignment operation, and the alignment mark is photographed by themeasurement unit 8 to measure the amount of misalignment, and theposition adjustment unit 20 is operated so as to reduce the amount of misalignment. Measurement and position adjustment are repeated until the amount of misalignment falls within the allowable range.
アライメント動作が完了すると、図6の状態ST61に示すように昇降プレート25を降下させて基板100をマスク101に重ねる。そして、図6の状態ST62に示すようにモータ95を駆動してプレートユニット9を吸着ユニット15に降下させる。冷却プレート90が吸着ユニット15に当接した後、磁石プレート5が冷却プレート4上に当接する。磁石プレート91の磁力によりマスク102を引き寄せ、マスク102と基板101とを全体的に密着させることができる。その後、蒸着ユニット4による蒸着処理を行い、基板100に薄膜が成膜される。When the alignment operation is complete, thelift plate 25 is lowered to place thesubstrate 100 on themask 101, as shown in state ST61 in FIG. 6. Then, themotor 95 is driven to lower theplate unit 9 to thesuction unit 15, as shown in state ST62 in FIG. 6. After thecooling plate 90 abuts against thesuction unit 15, themagnet plate 5 abuts against the coolingplate 4. The mask 102 is attracted by the magnetic force of themagnet plate 91, and the mask 102 and thesubstrate 101 can be brought into close contact with each other as a whole. After that, a deposition process is performed by thedeposition unit 4, and a thin film is formed on thesubstrate 100.
基板100の成膜が完了すると、基板100が成膜装置1から搬出される。成膜完了から搬出までの手順について説明すると、まず、プレートユニット9を上昇する(状態ST61の状態に戻る)。次に昇降プレート25を上昇して基板100をマスク101から分離する(状態ST52の状態に戻る)。基板支持ユニット6を上昇して、吸着ユニット15に吸着された基板100を支持部62L及び62Rで下側から支持する(状態ST41の状態に戻る)。吸着ユニット15による基板100の吸着を解除し、基板支持ユニット6を降下する(図2の状態に戻る)。こうして基板支持ユニット6と吸着ユニット15との間で基板100が移載される。その後、搬送ロボット302aが成膜装置1内に侵入して基板100が基板支持ユニット6から搬送ロボット302aに移載され、搬送ロボット302aによって基板100が搬出される。When the film formation on thesubstrate 100 is completed, thesubstrate 100 is removed from thefilm formation apparatus 1. The procedure from completion of film formation to removal will be described below. First, theplate unit 9 is lifted (returning to state ST61). Next, thelift plate 25 is lifted to separate thesubstrate 100 from the mask 101 (returning to state ST52). Thesubstrate support unit 6 is lifted, and thesubstrate 100 adsorbed to thesuction unit 15 is supported from below by thesupport parts 62L and 62R (returning to state ST41). The suction of thesubstrate 100 by thesuction unit 15 is released, and thesubstrate support unit 6 is lowered (returning to the state shown in FIG. 2). In this way, thesubstrate 100 is transferred between thesubstrate support unit 6 and thesuction unit 15. After that, thetransport robot 302a enters thefilm formation apparatus 1, thesubstrate 100 is transferred from thesubstrate support unit 6 to thetransport robot 302a, and thesubstrate 100 is removed by thetransport robot 302a.
<支持部の構造>
支持部62L、62Rの構造について説明する。本実施形態では、基板支持ユニット6と吸着ユニット15との間で基板100が移載される。基板支持ユニット6から吸着ユニット15に基板100が移載される際、基板100はその中央部が下方へ凸状に撓んだ状態から、平坦な状態に変化する。したがって、移載の際には、基板100の撓みを解消する際に、基板100に無理な荷重が作用したり、位置がずれることを防止する必要がある。本実施形態の支持部62L、62Rは基板100の撓みをスムーズに解消できる機能を有している。<Structure of Support Part>
The structure of thesupport parts 62L, 62R will be described. In this embodiment, thesubstrate 100 is transferred between thesubstrate support unit 6 and thesuction unit 15. When thesubstrate 100 is transferred from thesubstrate support unit 6 to thesuction unit 15, thesubstrate 100 changes from a state in which the center part of thesubstrate 100 is bent downwardly in a convex shape to a flat state. Therefore, when transferring thesubstrate 100, it is necessary to prevent thesubstrate 100 from being subjected to an excessive load or being displaced when removing the bending of thesubstrate 100. Thesupport parts 62L, 62R of this embodiment have a function of smoothly removing the bending of thesubstrate 100.
図7Aを参照する。支持部62L、62Rは、基板100の周縁部の変位を規制する規制構造620を有している。規制構造620は、基板100の周縁部が載置される回転ローラ621と、円筒状のワンウェイクラッチ622と、支持部材623とを含む。回転ローラ621はワンウェイクラッチ622を介して支持部材623に支持されている回転ローラ621は例えばゴムローラ等である。回転ローラ621の表面を、摩擦係数が高い材料で形成することで、基板100と回転ローラ621との間に滑りが生じることを防止できる。Refer to FIG. 7A.Support portions 62L, 62R have a regulatingstructure 620 that regulates the displacement of the peripheral portion ofsubstrate 100. Regulatingstructure 620 includesrotating roller 621 on which the peripheral portion ofsubstrate 100 is placed, cylindrical one-way clutch 622, andsupport member 623.Rotating roller 621 is supported bysupport member 623 via one-way clutch 622.Rotating roller 621 is, for example, a rubber roller. By forming the surface ofrotating roller 621 from a material with a high coefficient of friction, slippage betweensubstrate 100 androtating roller 621 can be prevented.
ワンウェイクラッチ622は、支持部材623に固定される内輪と、回転ローラ621が固定される外輪とを有し、内輪と外輪との間には、内輪に対して外輪の一方向の回転を許容する機構が設けられている。The one-way clutch 622 has an inner ring fixed to thesupport member 623 and an outer ring to which therotating roller 621 is fixed, and a mechanism is provided between the inner and outer rings to allow the outer ring to rotate in one direction relative to the inner ring.
ワンウェイクラッチ622によって、回転ローラ621はY軸方向の回転軸回りに図7Aの実線矢印の方向の回転が許容され、破線矢印の方向の回転が規制される。支持部62L、62Rのいずれにおいても、回転ローラ621は、載置される基板100の周縁部の、基板100の外側方向への変位よりも内側方向への変位を規制する。図7Aの例でみると、支持部62Lでは、基板100の周縁部がX方向で左側に変位することは許容されるが、右側に変位することは不能とされる。支持部62Rでは、基板100の周縁部がX方向で右側に変位することは許容されるが、左側に変位することは不能とされる。The one-way clutch 622 allows therotating roller 621 to rotate around its axis of rotation in the Y-axis direction in the direction of the solid arrow in Figure 7A, but restricts rotation in the direction of the dashed arrow. In bothsupport parts 62L and 62R, therotating roller 621 restricts the inward displacement of the peripheral edge of the placedsubstrate 100 more than the outward displacement of thesubstrate 100. In the example of Figure 7A,support part 62L allows the peripheral edge of thesubstrate 100 to displace to the left in the X-direction, but does not allow it to displace to the right. Insupport part 62R, the peripheral edge of thesubstrate 100 is allowed to displace to the right in the X-direction, but does not allow it to displace to the left.
図7Bは、基板100が搬送ロボット302aから基板支持ユニット6へ移載された段階(基板100が成膜装置1に搬入された段階)を示している。基板100は、自重によってその中央部が下側に凸の形態に撓む。その結果、基板100のX方向の各周縁部は実線矢印で示す方向に変位しようとし、各回転ローラ621には破線矢印で示す方向に回転させる負荷を基板100の周縁部から受ける。しかし、ワンウェイクラッチ622の作用によって、破線矢印で示す方向には回転ローラ621は回転しない。したがって、基板100が支持部62L、62Rから脱落することが防止される。Figure 7B shows the stage when thesubstrate 100 has been transferred from thetransport robot 302a to the substrate support unit 6 (the stage when thesubstrate 100 has been brought into the film formation apparatus 1). Thesubstrate 100's own weight causes the center portion to bend downward into a convex shape. As a result, each peripheral portion of thesubstrate 100 in the X direction attempts to displace in the direction shown by the solid arrows, and eachrotating roller 621 receives a load from the peripheral portion of thesubstrate 100 that rotates it in the direction shown by the dashed arrow. However, due to the action of the one-way clutch 622, therotating roller 621 does not rotate in the direction shown by the dashed arrow. This prevents thesubstrate 100 from falling off thesupports 62L, 62R.
図7Cは、基板100が基板支持ユニット6から吸着ユニット15へ移載された段階(図4の状態ST41の段階)を示している。上記のとおり、移載の際、最初に吸着ユニット15の中央部の吸着力を発揮させ、その後、吸着ユニット15の周縁部の吸着力を発揮させる。このように吸着ユニット15を制御することで、吸着ユニット15に対して基板100を、撓みを解消して平坦な状態で吸着することができる。撓みが解消される際、基板100の各周縁部は回転ローラ621に対して相対的にX方向に変位しようとし、各回転ローラ621には実線矢印で示す方向に回転させる負荷を基板100の周縁部から受ける。ワンウェイクラッチ622の回転規制は作用せず、実線矢印で示す方向に回転ローラ621は回転する。Figure 7C shows the stage where thesubstrate 100 has been transferred from thesubstrate support unit 6 to the suction unit 15 (stage ST41 in Figure 4). As described above, during transfer, the suction force of the center of thesuction unit 15 is exerted first, and then the suction force of the peripheral portion of thesuction unit 15 is exerted. By controlling thesuction unit 15 in this manner, thesubstrate 100 can be adsorbed to thesuction unit 15 in a flat state with no warping. When the warping is eliminated, each peripheral portion of thesubstrate 100 attempts to displace in the X direction relative to therotating rollers 621, and eachrotating roller 621 receives a load from the peripheral portion of thesubstrate 100 that rotates it in the direction indicated by the solid arrow. The rotation restriction of the one-way clutch 622 does not work, and therotating rollers 621 rotate in the direction indicated by the solid arrow.
このようにして、本実施形態によれば、基板100が支持部62L及び62Rから脱落することを防止することができると共に、基板100の撓みをスムーズに解消することができる。In this way, according to this embodiment, it is possible to prevent thesubstrate 100 from falling off thesupport portions 62L and 62R, and to smoothly eliminate the bending of thesubstrate 100.
なお、本実施形態では、各回転ローラ621の軸方向をY方向としたが、基板100の撓み解消の際、基板100の周縁部はX方向だけでなく、放射状に変位する場合がある。その対策として、各回転ローラ621の軸方向を、回転ローラ621の位置によって異ならせ、周縁部の変位方向に合わせてもよい。或いは、支持部材623が梁部61L、61Rに対して、Z方向の軸周りに揺動自在に取り付けられてもよい。支持部材623がZ軸回りに自由回動することにより、周縁部の変位方向に合わせて回転ローラ621の向きを変化させることができる。In this embodiment, the axial direction of eachrotating roller 621 is the Y direction, but when the deflection of thesubstrate 100 is eliminated, the peripheral portion of thesubstrate 100 may be displaced radially as well as in the X direction. As a countermeasure to this, the axial direction of eachrotating roller 621 may be made different depending on the position of therotating roller 621 to match the displacement direction of the peripheral portion. Alternatively, thesupport member 623 may be attached to thebeam portions 61L and 61R so as to be able to swing freely around an axis in the Z direction. By allowing thesupport member 623 to rotate freely around the Z axis, the orientation of therotating roller 621 can be changed to match the displacement direction of the peripheral portion.
<第二実施形態>
第一実施形態では、支持部62L、62Rの双方に規制構造620を設けたが、一方のみに設けてもよい。この構成の場合、例えば、基板支持ユニット6から吸着ユニット15へ基板100を移載する際、基板100のX方向の位置のずれは生じるが、撓みの解消に伴って基板100に作用する荷重を軽減できる。Second Embodiment
In the first embodiment, the restrictingstructure 620 is provided on both thesupport portions 62L and 62R, but it may be provided on only one of them. In the case of this configuration, for example, when thesubstrate 100 is transferred from thesubstrate support unit 6 to thesuction unit 15, the position of thesubstrate 100 in the X direction is shifted, but the load acting on thesubstrate 100 can be reduced as the deflection is eliminated.
また、第一実施形態では、X方向に対向する位置に配置される支持部62L、62Rを例に挙げて説明したが、Y方向に対向する位置に支持部を配置した構成においては、これらの支持部にも規制構造620を設けてもよい。In addition, in the first embodiment, thesupport parts 62L and 62R are arranged at positions opposing each other in the X direction. However, in a configuration in which the support parts are arranged at positions opposing each other in the Y direction, the regulatingstructure 620 may also be provided on these support parts.
<第三実施形態>
図8Aは規制構造620の別の例の説明図である。図示の規制構造620Aは、板状の部材であるフィンガ部624と、フィンガ部624の上面に形成された異方性摩擦抵抗部625とを備える。フィンガ部624は、梁部61L、61Rに固定されており、基板100の周縁部が載置される。異方性摩擦抵抗部625は、接触する部材に対する摩擦抵抗が、基板100の面方向(ここではX方向)で異なっており、破線矢印方向の摩擦抵抗が実線矢印方向の摩擦抵抗よりも高い。本実施形態の場合、異方性摩擦抵抗部625は、鮫肌の鱗構造と同様の構造を有しており、複数の楔形状の起伏を有している。楔の向きを基板100の外方向を指向させるによって表面の摩擦係数が破線矢印の方向で高く、実線矢印の方向で低くしている。Third Embodiment
FIG. 8A is an explanatory diagram of another example of the regulatingstructure 620. The illustratedregulating structure 620A includes afinger portion 624, which is a plate-shaped member, and an anisotropicfriction resistance portion 625 formed on the upper surface of thefinger portion 624. Thefinger portion 624 is fixed to thebeam portions 61L and 61R, and the peripheral portion of thesubstrate 100 is placed on thefinger portion 624. The anisotropicfriction resistance portion 625 has a friction resistance against the contacting member that differs in the surface direction (here, the X direction) of thesubstrate 100, and the friction resistance in the direction of the dashed arrow is higher than the friction resistance in the direction of the solid arrow. In this embodiment, the anisotropicfriction resistance portion 625 has a structure similar to the scale structure of a shark skin, and has multiple wedge-shaped undulations. By directing the wedge toward the outside of thesubstrate 100, the friction coefficient of the surface is high in the direction of the dashed arrow and low in the direction of the solid arrow.
図8Bは、基板100が搬送ロボット302aから基板支持ユニット6へ移載された段階(基板100が成膜装置1に搬入された段階)を示している。基板100は、自重によってその中央部が下側に凸の形態に撓む。その結果、基板100のX方向の各周縁部は実線矢印で示す方向に変位しようとし、各フィンガ部624には破線矢印で示す方向の摩擦力が作用する。しかし、異方性摩擦抵抗部625の作用によって、基板100の変位に対する破線矢印で示す方向の摩擦抵抗が高い。したがって、基板100が支持部62L、62Rから脱落することが防止される。Figure 8B shows the stage when thesubstrate 100 has been transferred from thetransport robot 302a to the substrate support unit 6 (the stage when thesubstrate 100 has been brought into the film formation apparatus 1). Thesubstrate 100's own weight causes its center to bend downwardly into a convex shape. As a result, each peripheral portion of thesubstrate 100 in the X direction attempts to displace in the direction shown by the solid arrows, and a frictional force acts on eachfinger portion 624 in the direction shown by the dashed arrows. However, due to the action of the anisotropicfriction resistance portion 625, the frictional resistance against the displacement of thesubstrate 100 in the direction shown by the dashed arrows is high. Therefore, thesubstrate 100 is prevented from falling off thesupport portions 62L, 62R.
図8Cは、基板100が基板支持ユニット6から吸着ユニット15へ移載された段階(図4の状態ST41の段階)を示している。上記のとおり、移載の際、最初に吸着ユニット15の中央部の吸着力を発揮させ、その後、吸着ユニット15の周縁部の吸着力を発揮させる。このように吸着ユニット15を制御することで、吸着ユニット15に対して基板100を撓みを解消して平坦な状態で吸着することができる。撓みが解消される際、基板100の各周縁部はフィンガ部624に対して相対的にX方向に変位しようとし、各フィンガ部624には実線矢印で示す方向の摩擦力が作用する。しかし、異方性摩擦抵抗部625の作用によって、基板100の変位に対する実線矢印で示す方向の摩擦抵抗が低く。基板100の周縁部はフィンガ部624に対してスムーズに変位する。FIG. 8C shows the stage where thesubstrate 100 is transferred from thesubstrate support unit 6 to the suction unit 15 (stage ST41 in FIG. 4). As described above, when transferring, the suction force of the center of thesuction unit 15 is exerted first, and then the suction force of the peripheral portion of thesuction unit 15 is exerted. By controlling thesuction unit 15 in this manner, thesubstrate 100 can be adsorbed to thesuction unit 15 in a flat state by eliminating the warp. When the warp is eliminated, each peripheral portion of thesubstrate 100 tries to displace in the X direction relative to thefinger portions 624, and a frictional force acts on eachfinger portion 624 in the direction indicated by the solid arrow. However, due to the action of the anisotropicfrictional resistance portion 625, the frictional resistance in the direction indicated by the solid arrow against the displacement of thesubstrate 100 is low. The peripheral portion of thesubstrate 100 is smoothly displaced relative to thefinger portions 624.
このようにして、本実施形態によれば、基板100が支持部62L及び62Rから脱落することを防止することができると共に、基板100の撓みをスムーズに解消することができる。In this way, according to this embodiment, it is possible to prevent thesubstrate 100 from falling off thesupport portions 62L and 62R, and to smoothly eliminate the bending of thesubstrate 100.
なお、本実施形態では、異方性摩擦抵抗部625を、X方向の一方向と他方向とで摩擦抵抗が異なるようにしたが、基板100の撓み解消の際、基板100の周縁部はX方向だけでなく、放射状に変位する場合がある。その対策として、異方性摩擦抵抗部625の摩擦抵抗の方向性を、フィンガ部624の位置によって異ならせ、周縁部の変位方向に合わせてもよい。In this embodiment, the anisotropicfriction resistance portion 625 is configured to have different friction resistance in one direction of the X direction and the other direction, but when the deflection of thesubstrate 100 is eliminated, the peripheral portion of thesubstrate 100 may be displaced not only in the X direction but also radially. As a countermeasure to this, the directionality of the friction resistance of the anisotropicfriction resistance portion 625 may be made to differ depending on the position of thefinger portion 624, and may be aligned with the displacement direction of the peripheral portion.
<第四実施形態>
図9Aは規制構造620の別の例の説明図である。図示の規制構造620Bは、ガイド部材626と、基板100が載置される載置部627と、載置部627を基板100の面方向(本実施形態ではX方向)の一方向に付勢する付勢ユニット628と、を備える。載置部627は、基板100が載置される爪状の載置部材627aと、載置部材627aが固定されたスライド部材627bとを備える。ガイド部材626は、スライド部材627bのX方向のスライドを案内するレール部材であり、その一方端部は梁部61L又は61Rに固定され、他方端部にはストッパ626aが形成されている。ストッパ626aは、載置部材627aと当接することによって、載置部627のX方向における変位限界位置を規定する。付勢ユニット628は、本実施形態の場合、バネ、ゴム等の弾性部材であり、スライド部材627bをストッパ626aへ押圧する。<Fourth embodiment>
9A is an explanatory diagram of another example of the regulatingstructure 620. The illustratedregulating structure 620B includes aguide member 626, aplacement portion 627 on which thesubstrate 100 is placed, and abiasing unit 628 that biases theplacement portion 627 in one direction of the surface direction of the substrate 100 (the X direction in this embodiment). Theplacement portion 627 includes a claw-shapedplacement member 627a on which thesubstrate 100 is placed, and aslide member 627b to which theplacement member 627a is fixed. Theguide member 626 is a rail member that guides the slide of theslide member 627b in the X direction, one end of which is fixed to thebeam portion 61L or 61R, and the other end of which is formed with astopper 626a. Thestopper 626a defines the displacement limit position of theplacement portion 627 in the X direction by abutting against theplacement member 627a. In this embodiment, the biasingunit 628 is an elastic member such as a spring or rubber, and presses theslide member 627b against thestopper 626a.
図9Bは、基板100が搬送ロボット302aから基板支持ユニット6へ移載された段階(基板100が成膜装置1に搬入された段階)を示している。基板100は、自重によってその中央部が下側に凸の形態に撓む。その結果、基板100のX方向の各周縁部は実線矢印で示す方向に変位しようとし、各載置部627には破線矢印で示す方向の摩擦力が作用する。しかし、ストッパ626aの作用によって、載置部627の破線矢印方向への変位は規制される。したがって、基板100が支持部62L、62Rから脱落することが防止される。FIG. 9B shows the stage when thesubstrate 100 has been transferred from thetransport robot 302a to the substrate support unit 6 (the stage when thesubstrate 100 has been brought into the film formation apparatus 1). Thesubstrate 100's own weight causes its center to bend downward and convex. As a result, each peripheral portion of thesubstrate 100 in the X direction attempts to displace in the direction shown by the solid arrows, and a frictional force acts on each mountingportion 627 in the direction shown by the dashed arrows. However, the action of thestopper 626a restricts the displacement of the mountingportion 627 in the direction shown by the dashed arrows. This prevents thesubstrate 100 from falling off thesupports 62L, 62R.
図9Cは、基板100が基板支持ユニット6から吸着ユニット15へ移載された段階(図4の状態ST41の段階)を示している。上記のとおり、移載の際、最初に吸着ユニット15の中央部の吸着力を発揮させ、その後、吸着ユニット15の周縁部の吸着力を発揮させる。このように吸着ユニット15を制御することで、吸着ユニット15に対して基板100を撓みを解消して平坦な状態で吸着することができる。撓みが解消される際、基板100の各周縁部はフィンガ部624に対して相対的にX方向に変位しようとし、各載置部627には実線矢印で示す方向の摩擦力が作用する。このとき、載置部627はガイド部材626の案内によってX方向で外側方向(ストッパ626aから離れる方向)にスライドする。基板100の周縁部は載置部627と共にスムーズに変位する。9C shows the stage where thesubstrate 100 is transferred from thesubstrate support unit 6 to the suction unit 15 (stage ST41 in FIG. 4). As described above, when transferring, the suction force of the center of thesuction unit 15 is exerted first, and then the suction force of the peripheral portion of thesuction unit 15 is exerted. By controlling thesuction unit 15 in this manner, thesubstrate 100 can be adsorbed to thesuction unit 15 in a flat state by eliminating the warp. When the warp is eliminated, each peripheral portion of thesubstrate 100 tries to displace in the X direction relative to thefinger portion 624, and a frictional force in the direction indicated by the solid arrow acts on eachplacement portion 627. At this time, theplacement portion 627 slides outward in the X direction (away from thestopper 626a) guided by theguide member 626. The peripheral portion of thesubstrate 100 is smoothly displaced together with theplacement portion 627.
このようにして、本実施形態によれば、基板100が支持部62L及び62Rから脱落することを防止することができると共に、基板100の撓みをスムーズに解消することができる。In this way, according to this embodiment, it is possible to prevent thesubstrate 100 from falling off thesupport portions 62L and 62R, and to smoothly eliminate the bending of thesubstrate 100.
本実施形態の場合、付勢ユニット628の弾性力の作用によってこうした作用を発揮している。具体的には、付勢ユニット628の弾性力の強さは、基板100が載置部627に載置されていない場合は、載置部627がストッパ626aに当接した状態を維持し(図9A)、基板100が撓んだ状態で載置部627に載置されている場合は、載置部627がストッパ626aに当接した状態を維持し(図9B、基板100が撓んだ状態で載置部627に載置された状態から、基板100に対する外力の作用(吸着ユニット15の吸着力)により基板100が撓んだ状態から平坦な状態に変化する場合に、載置部627が外側に変位することを許容する(図9C)、ように設定されている。In the present embodiment, this effect is exerted by the action of the elastic force of thebiasing unit 628. Specifically, the strength of the elastic force of thebiasing unit 628 is set so that when thesubstrate 100 is not placed on the mountingportion 627, the mountingportion 627 maintains a state in contact with thestopper 626a (FIG. 9A), and when thesubstrate 100 is placed on the mountingportion 627 in a bent state, the mountingportion 627 maintains a state in contact with thestopper 626a (FIG. 9B), and when thesubstrate 100 is placed on the mountingportion 627 in a bent state and changes from a bent state to a flat state due to the action of an external force on the substrate 100 (the suction force of the suction unit 15), the mountingportion 627 is allowed to be displaced outward (FIG. 9C).
なお、本実施形態では、載置部627のスライド方向をX方向としたが、基板100の撓み解消の際、基板100の周縁部はX方向だけでなく、放射状に変位する場合がある。その対策として、載置部627のスライド方向を、載置部627の位置によって異ならせ、周縁部の変位方向に合わせてもよい。In this embodiment, the sliding direction of the mountingportion 627 is the X direction, but when the deflection of thesubstrate 100 is eliminated, the peripheral portion of thesubstrate 100 may be displaced radially, not just in the X direction. As a countermeasure to this, the sliding direction of the mountingportion 627 may be varied depending on the position of the mountingportion 627, and may be aligned with the displacement direction of the peripheral portion.
<第五実施形態>
上記各実施形態では、吸着ユニット15に基板100を吸着して、マスク101とのアライメント等を行う構成について説明したが、吸着ユニット15を用いない構成も採用可能である。図10Aはその一例を示しており、アライメント動作(図5の状態ST52に相当)を示している。本実施形態の場合、基板支持ユニット6を、位置調整ユニット20によってX-Y平面状で変位することで、マスク101に対する基板100の相対位置が調整される。このとき、基板100はその中央部が下方へ凸状に撓んだ状態にある。Fifth Embodiment
In each of the above embodiments, a configuration has been described in which thesubstrate 100 is adsorbed onto theadsorption unit 15 and alignment with themask 101 is performed, but a configuration that does not use theadsorption unit 15 can also be adopted. Fig. 10A shows one example of this, illustrating an alignment operation (corresponding to state ST52 in Fig. 5). In the case of this embodiment, thesubstrate support unit 6 is displaced in the XY plane by theposition adjustment unit 20, thereby adjusting the relative position of thesubstrate 100 with respect to themask 101. At this time, the center of thesubstrate 100 is bent downward in a convex shape.
アライメント動作が完了すると、図10Bに示すように基板支持ユニット6を降下し、基板100をマスク101上に載置する。載置の過程で基板100の撓みが徐々に解消される。このとき、支持部62L、62Rにおいて、基板100の周縁部のX方向の変位に応じて回転ローラ621が回転し、周辺部の変位が許容される(図7Cと同様の作用)。When the alignment operation is complete, thesubstrate support unit 6 is lowered as shown in FIG. 10B, and thesubstrate 100 is placed on themask 101. During the process of placing, the deflection of thesubstrate 100 is gradually eliminated. At this time, in thesupport portions 62L and 62R, the rotatingrollers 621 rotate in response to the displacement of the peripheral portion of thesubstrate 100 in the X direction, allowing the peripheral portion to be displaced (same action as in FIG. 7C).
その後、プレートユニット9が降下し、基板100とマスク101とが密着して基板100が平坦な状態となる。このときも支持部62L、62Rにおいて、基板100の周縁部のX方向の変位に応じて回転ローラ621が回転し、周辺部の変位が許容される(図7Cと同様の作用)。Then, theplate unit 9 descends, and thesubstrate 100 and themask 101 come into close contact with each other, so that thesubstrate 100 is in a flat state. At this time, the rotatingrollers 621 rotate in thesupport portions 62L and 62R in response to the displacement of the peripheral portion of thesubstrate 100 in the X direction, allowing the peripheral portion to be displaced (same action as in FIG. 7C).
<第六実施形態>
基板支持ユニット6は、成膜時の基板100の移載以外にも適用可能である。図11A及び図11Bは、膜厚測定時の基板100の移載に基板支持ユニット6を適用した例を示す。基板100に成膜された膜の検査などを目的として、例えば、図1のバッファ室306や受渡室308において膜厚を測定することができる。Sixth Embodiment
Thesubstrate supporting unit 6 can be applied to other purposes besides transferring thesubstrate 100 during film formation. Figures 11A and 11B show an example in which thesubstrate supporting unit 6 is applied to transferring thesubstrate 100 during film thickness measurement. For the purpose of inspecting a film formed on thesubstrate 100, for example, the film thickness can be measured in thebuffer chamber 306 or thedelivery chamber 308 in Figure 1.
図示の例では、移載装置として、基板支持ユニット6’が設けられた搬送ロボット401が示されている。基板支持ユニット6’は、上述した各実施形態の基板支持ユニット6に相当し、基板100の周縁部を支持する支持部62L、62Rを有している。支持部62L、62Rは、一例として第一実施形態の規制構造620を備えているが規制構造620Aや620Bも採用可能である。搬送ロボット401は多関節ロボットであり、基板支持ユニット6’を水平方向及び上下方向に移動可能である。In the illustrated example, atransport robot 401 equipped with a substrate support unit 6' is shown as the transfer device. The substrate support unit 6' corresponds to thesubstrate support unit 6 in each of the above-mentioned embodiments, and hassupport parts 62L, 62R that support the peripheral portion of thesubstrate 100. Thesupport parts 62L, 62R are equipped with the regulatingstructure 620 of the first embodiment as an example, but regulatingstructures 620A and 620B can also be adopted. Thetransport robot 401 is an articulated robot, and is capable of moving the substrate support unit 6' in the horizontal and vertical directions.
膜厚測定装置500は、スライダ501、スライダ501の移動を案内するガイドレール502、スライダ501に支持された吸着ユニット503、及び、測定装置504を備える。吸着ユニット503は例えば静電チャックであり、基板100を平坦な状態で吸着する。測定装置504は例えば光学センサであり、膜に光を照射し、その反射光を受光して反射率を測定することで膜厚を測定する。The filmthickness measuring device 500 includes aslider 501, aguide rail 502 that guides the movement of theslider 501, anadsorption unit 503 supported by theslider 501, and ameasuring device 504. Theadsorption unit 503 is, for example, an electrostatic chuck, and adsorbs thesubstrate 100 in a flat state. The measuringdevice 504 is, for example, an optical sensor, and measures the film thickness by irradiating the film with light, receiving the reflected light, and measuring the reflectance.
図11Aは搬送ロボット401から吸着ユニット503へ基板100が移載される段階を示している。基板100は基板支持ユニット6’上に載置されている。FIG. 11A shows the stage where thesubstrate 100 is transferred from thetransport robot 401 to thesuction unit 503. Thesubstrate 100 is placed on the substrate support unit 6'.
基板支持ユニット6’を吸着ユニット503へ上昇しつつ、最初に吸着ユニット503の中央部の吸着力を発揮させ、その後、吸着ユニット503の周縁部の吸着力を発揮させる。このように吸着ユニット503を制御することで、吸着ユニット503に対して基板100を、撓みを解消して平坦な状態で吸着することができる。撓みが解消される際、基板100の各周縁部の変位が回転ローラ621の回転によって許容される。As the substrate support unit 6' rises to thesuction unit 503, the suction force of the center of thesuction unit 503 is first exerted, and then the suction force of the peripheral portion of thesuction unit 503 is exerted. By controlling thesuction unit 503 in this manner, thesubstrate 100 can be adsorbed to thesuction unit 503 in a flat state with no bending. When the bending is eliminated, the displacement of each peripheral portion of thesubstrate 100 is permitted by the rotation of therotating rollers 621.
基板支持ユニット6’を降下した後、図11Bに示すようにスライダ501を移動しつつ、測定装置504によって基板100に成膜された膜の膜厚を測定することができる。After the substrate support unit 6' is lowered, the thickness of the film formed on thesubstrate 100 can be measured by the measuringdevice 504 while moving theslider 501 as shown in FIG. 11B.
<第七実施形態:電子デバイスの製造方法>
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図1に例示した成膜ブロック301が、製造ライン上に、例えば、3箇所、設けられる。Seventh embodiment: Method for manufacturing an electronic device
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device will be described. Below, as an example of an electronic device, the configuration and manufacturing method of an organic EL display device will be illustrated. In this example, thedeposition block 301 illustrated in FIG. 1 is provided in, for example, three places on a manufacturing line.
まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図12Aは有機EL表示装置50の全体図、図12Bは1画素の断面構造を示す図である。First, we will explain the organic EL display device to be manufactured. Figure 12A is an overall view of organicEL display device 50, and Figure 12B is a diagram showing the cross-sectional structure of one pixel.
図12Aに示すように、有機EL表示装置50の表示領域51には、発光素子を複数備える画素52がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。As shown in FIG. 12A, a plurality ofpixels 52, each of which includes a plurality of light-emitting elements, are arranged in a matrix in adisplay area 51 of an organicEL display device 50. As will be described in detail later, each of the light-emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes.
なお、ここでいう画素とは、表示領域51において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子52R、第2発光素子52G、第3発光素子52Bの複数の副画素の組み合わせにより画素52が構成されている。画素52は、赤色(R)発光素子と緑色(G)発光素子と青色(B)発光素子の3種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素52は少なくとも1種類の副画素を含めばよく、2種類以上の副画素を含むことが好ましく、3種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素52を構成する副画素としては、例えば、赤色(R)発光素子と緑色(G)発光素子と青色(B)発光素子と黄色(Y)発光素子の4種類の副画素の組み合わせでもよい。Note that the pixel referred to here refers to the smallest unit that allows a desired color to be displayed in thedisplay area 51. In the case of a color organic EL display device, apixel 52 is formed by a combination of multiple sub-pixels of a first light-emittingelement 52R, a second light-emittingelement 52G, and a third light-emittingelement 52B that emit light differently from each other. Apixel 52 is often formed by a combination of three types of sub-pixels, a red (R) light-emitting element, a green (G) light-emitting element, and a blue (B) light-emitting element, but is not limited to this. Apixel 52 needs to include at least one type of sub-pixel, and preferably includes two or more types of sub-pixels, and more preferably includes three or more types of sub-pixels. The sub-pixels that make up apixel 52 may be, for example, a combination of four types of sub-pixels, a red (R) light-emitting element, a green (G) light-emitting element, a blue (B) light-emitting element, and a yellow (Y) light-emitting element.
図12Bは、図12AのA-B線における部分断面模式図である。画素52は、基板53上に、第1の電極(陽極)54と、正孔輸送層55と、赤色層56R・緑色層56G・青色層56Bのいずれかと、電子輸送層57と、第2の電極(陰極)58と、を備える有機EL素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層55、赤色層56R、緑色層56G、青色層56B、電子輸送層57が有機層に当たる。赤色層56R、緑色層56G、青色層56Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。FIG. 12B is a partial cross-sectional schematic diagram taken along line A-B in FIG. 12A.Pixel 52 has a plurality of sub-pixels onsubstrate 53, each of which is composed of an organic EL element having a first electrode (anode) 54, a hole transport layer 55, ared layer 56R, agreen layer 56G, or ablue layer 56B, anelectron transport layer 57, and a second electrode (cathode) 58. Of these, hole transport layer 55,red layer 56R,green layer 56G,blue layer 56B, andelectron transport layer 57 correspond to organic layers.Red layer 56R,green layer 56G, andblue layer 56B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (sometimes referred to as organic EL elements) that emit red, green, and blue light, respectively.
また、第1の電極54は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層55と電子輸送層57と第2の電極58は、複数の発光素子52R、52G、52Bにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図12Bに示すように正孔輸送層55が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層56R、緑色層56G、青色層56Bが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層57と第2の電極58が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。Furthermore, thefirst electrode 54 is formed separately for each light-emitting element. The hole transport layer 55, theelectron transport layer 57, and the second electrode 58 may be formed in common across the multiple light-emittingelements 52R, 52G, and 52B, or may be formed for each light-emitting element. That is, as shown in FIG. 12B, the hole transport layer 55 may be formed as a common layer across the multiple sub-pixel regions, on which thered layer 56R, thegreen layer 56G, and theblue layer 56B may be formed separately for each sub-pixel region, and on top of that theelectron transport layer 57 and the second electrode 58 may be formed as a common layer across the multiple sub-pixel regions.
なお、近接した第1の電極54の間でのショートを防ぐために、第1の電極54間に絶縁層59が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層60が設けられている。In order to prevent short circuits between adjacentfirst electrodes 54, an insulatinglayer 59 is provided between thefirst electrodes 54. Furthermore, since the organic EL layer deteriorates due to moisture and oxygen, aprotective layer 60 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.
図12Bでは正孔輸送層55や電子輸送層57が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第1の電極54と正孔輸送層55との間には第1の電極54から正孔輸送層55への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第2の電極58と電子輸送層57の間にも電子注入層を形成してもよい。In FIG. 12B, the hole transport layer 55 and theelectron transport layer 57 are shown as a single layer, but depending on the structure of the organic EL display element, they may be formed of multiple layers including a hole blocking layer and an electron blocking layer. In addition, a hole injection layer having an energy band structure that allows holes to be smoothly injected from thefirst electrode 54 to the hole transport layer 55 may be formed between thefirst electrode 54 and the hole transport layer 55. Similarly, an electron injection layer may be formed between the second electrode 58 and theelectron transport layer 57.
赤色層56R、緑色層56G、青色層56Bのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層56Rを2層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。Each of thered layer 56R,green layer 56G, andblue layer 56B may be formed of a single light-emitting layer, or may be formed by laminating multiple layers. For example, thered layer 56R may be configured of two layers, with the upper layer being a red light-emitting layer and the lower layer being a hole transport layer or an electron blocking layer. Alternatively, the lower layer may be formed of a red light-emitting layer and the upper layer being an electron transport layer or a hole blocking layer. In this way, by providing a layer below or above the light-emitting layer, the light-emitting position in the light-emitting layer can be adjusted, and the optical path length can be adjusted, thereby improving the color purity of the light-emitting element.
なお、ここでは赤色層56Rの例を示したが、緑色層56Gや青色層56Bでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は2層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を2層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。Note that although an example of thered layer 56R is shown here, a similar structure may also be adopted for thegreen layer 56G and theblue layer 56B. The number of layers may also be two or more. Furthermore, layers of different materials may be laminated, such as a light-emitting layer and an electron blocking layer, or layers of the same material may be laminated, for example, two or more light-emitting layers may be laminated.
次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層56Rが下側層56R1と上側層56R2の2層からなり、緑色層56Gと青色層56Bは単一の発光層からなる場合を想定する。成膜室303として6つの成膜室を想定する。Next, an example of a manufacturing method for an organic EL display device will be specifically described. Here, it is assumed that thered layer 56R is made up of two layers, a lower layer 56R1 and an upper layer 56R2, and thegreen layer 56G and theblue layer 56B are made up of a single light-emitting layer. Six deposition chambers are assumed as the deposition chambers 303.
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)及び第1の電極54が形成された基板53を準備する。なお、基板53の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板53として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。First, asubstrate 53 is prepared on which a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and afirst electrode 54 are formed. The material of thesubstrate 53 is not particularly limited, and it can be made of glass, plastic, metal, etc. In this embodiment, a substrate in which a polyimide film is laminated on a glass substrate is used as thesubstrate 53.
第1の電極54が形成された基板53の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第1の電極54が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層59を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。なお、本実施形態では、絶縁層59の形成までは大型基板に対して処理が行われ、絶縁層59の形成後に、基板53を分割する分割工程が実行される。A resin layer such as acrylic or polyimide is coated by bar coating or spin coating on thesubstrate 53 on which thefirst electrode 54 is formed, and the resin layer is patterned by lithography so that an opening is formed in the area where thefirst electrode 54 is formed, forming the insulatinglayer 59. This opening corresponds to the light-emitting area where the light-emitting element actually emits light. Note that in this embodiment, processing is performed on the large substrate up to the formation of the insulatinglayer 59, and after the insulatinglayer 59 is formed, a division process is carried out to divide thesubstrate 53.
絶縁層59がパターニングされた基板53を第1の成膜室303に搬入し、正孔輸送層55を、表示領域の第1の電極54の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層55は、最終的に1つ1つの有機EL表示装置のパネル部分となる表示領域51ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。Thesubstrate 53 with the patterned insulatinglayer 59 is carried into the first deposition chamber 303, and the hole transport layer 55 is deposited as a common layer on thefirst electrode 54 in the display area. The hole transport layer 55 is deposited using a mask with an opening for eachdisplay area 51 that will ultimately become the panel portion of each organic EL display device.
次に、正孔輸送層55までが形成された基板53を第2の成膜室303に搬入する。基板53とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層55の上の、基板53の赤色を発する素子を配置する部分(赤色の副画素を形成する領域)に、赤色層56Rを成膜する。ここで、第2の成膜室で用いるマスクは、有機EL表示装置の副画素となる基板53上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層56Rは、基板53上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層56Rは、基板53上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。Next, thesubstrate 53 on which the hole transport layer 55 has been formed is carried into the second film formation chamber 303. Thesubstrate 53 and the mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and thered layer 56R is formed on the hole transport layer 55 in the portion of thesubstrate 53 where the red-emitting element is arranged (the region where the red subpixel is formed). Here, the mask used in the second film formation chamber is a high-definition mask in which openings are formed only in the multiple regions that will become the red subpixels among the multiple regions on thesubstrate 53 that will become the subpixels of the organic EL display device. As a result, thered layer 56R including the red light-emitting layer is formed only in the regions that will become the red subpixels among the multiple regions on thesubstrate 53 that will become the subpixels. In other words, thered layer 56R is selectively formed in the regions that will become the red subpixels, without being formed in the regions that will become the blue subpixels or the green subpixels among the multiple regions on thesubstrate 53 that will become the subpixels.
赤色層56Rの成膜と同様に、第3の成膜室303において緑色層56Gを成膜し、さらに第4の成膜室303において青色層56Bを成膜する。赤色層56R、緑色層56G、青色層56Bの成膜が完了した後、第5の成膜室303において表示領域51の全体に電子輸送層57を成膜する。電子輸送層57は、3色の層56R、56G、56Bに共通の層として形成される。Similar to the formation of thered layer 56R, thegreen layer 56G is formed in the third film formation chamber 303, and then theblue layer 56B is formed in the fourth film formation chamber 303. After the formation of thered layer 56R, thegreen layer 56G, and theblue layer 56B is completed, theelectron transport layer 57 is formed over theentire display area 51 in the fifth film formation chamber 303. Theelectron transport layer 57 is formed as a layer common to the threecolor layers 56R, 56G, and 56B.
電子輸送層57までが形成された基板を第6の成膜室303に移動し、第2の電極58を成膜する。本実施形態では、第1の成膜室303~第6の成膜室303では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第6の成膜室303における第2の電極58の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第2の電極58までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマCVDによって保護層60を成膜して(封止工程)、有機EL表示装置50が完成する。なお、ここでは保護層60をCVD法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ALD法やインクジェット法によって形成してもよい。The substrate on which theelectron transport layer 57 has been formed is moved to the sixth deposition chamber 303, where the second electrode 58 is formed. In this embodiment, the layers are formed by vacuum deposition in the first deposition chamber 303 to the sixth deposition chamber 303. However, the present invention is not limited to this, and for example, the second electrode 58 in the sixth deposition chamber 303 may be formed by sputtering. Thereafter, the substrate on which the second electrode 58 has been formed is moved to a sealing device, and theprotective layer 60 is formed by plasma CVD (sealing process), completing the organicEL display device 50. Note that, although theprotective layer 60 is formed by the CVD method here, the method is not limited to this, and it may also be formed by the ALD method or the inkjet method.
ここで、第1の成膜室303~第6の成膜室303での成膜は、形成されるそれぞれの層のパターンに対応した開口が形成されたマスクを用いて成膜される。成膜の際には、基板53とマスクとの相対的な位置調整(アライメント)を行った後に、マスクの上に基板53を載置して成膜が行われる。Here, the films are formed in the first to sixth film forming chambers 303 using a mask in which openings corresponding to the pattern of each layer to be formed are formed. When forming the film, the relative positions of thesubstrate 53 and the mask are adjusted (aligned), and then thesubstrate 53 is placed on the mask and film formation is performed.
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。The invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following claims are attached to publicize the scope of the invention.