WO2021261567A1 - Light-emitting device - Google Patents

Abstract

The purpose of the present invention is to provide a light-emitting device that is unlikely to generate luminance unevenness. This light-emitting device has: a substrate having a first region and a second region disposed in the surroundings of the fist region; a plurality of light-emitting elements mounted on the substrate in the second region; a sealing material disposed on the substrate so as to cover the plurality of light-emitting elements; a reflective material disposed on an upper side of the sealing material and the opposite side of the first region; and a light guide material that has an upper surface and is disposed in the first region facing a first region-side side surface of the sealing material.

Description

Translated fromJapanese

発光装置Light emitting device

　本開示は、発光装置に関する。This disclosure relates to a light emitting device.

　発光素子を搭載した発光装置において、発光特性を改善するための種々の技術が知られている。特開２０１８－１２０９５９号公報には、第１領域に加えて、上面及び側面が反射部によって覆われる周縁部にＬＥＤチップを実装した発光装置が記載されている。特開２０１８－１２０９５９号公報に記載される発光装置は、第１領域に加えて周縁部にＬＥＤチップを実装することで、ＬＥＤチップの発熱による発光効率の低下を抑制できるので、狭い第１領域で高出力が実現される。Various techniques for improving the light emitting characteristics of a light emitting device equipped with a light emitting element are known. Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-120959 describes a light emitting device in which an LED chip is mounted on a peripheral portion whose upper surface and side surfaces are covered with a reflecting portion in addition to the first region. The light emitting device described in JP-A-2018-120959 can suppress a decrease in luminous efficiency due to heat generation of the LED chip by mounting an LED chip on the peripheral portion in addition to the first region, and thus a narrow first region. High output is realized with.

　特開２０１４－１５４３４９号公報には、複数の発光素子の上部に導光板を設け、導光部の側面を反射面で覆い、複数の発光素子から導光板へ導入された光を外部に導出する照明器具が記載されている。特開２０１４－１５４３４９号公報に記載される照明装置では、発光素子から上部に配置される導光板に導入された光の内、反射面と連なる光出射面に到達した光が外部に導出されるので、輝度ムラ及びグレアを抑制することができる。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-154349, a light guide plate is provided on the upper part of a plurality of light emitting elements, the side surface of the light guide portion is covered with a reflective surface, and the light introduced into the light guide plate from the plurality of light emitting elements is derived to the outside. Lighting equipment is listed. In the lighting device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-154349, among the light introduced from the light emitting element to the light guide plate arranged above, the light reaching the light emitting surface connected to the reflecting surface is derived to the outside. Therefore, uneven brightness and glare can be suppressed.

　特開２０１４－８６４０５号公報には、周縁部に配置された発光素子の上部に導光板を設け、導光板の側面を光反射層で覆い、発光素子の発光を光反射層で導光板側に反射させる構成を有する照明装置が記載されている。特開２０１４－８６４０５号公報に記載される照明装置では、周縁部から出射される出射光量を向上させることにより、優れた光利用効率を期待できる照明装置を提供することができる。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-86405, a light guide plate is provided on the upper part of a light emitting element arranged at a peripheral portion, the side surface of the light guide plate is covered with a light reflection layer, and the light emission of the light emission element is emitted to the light guide plate side by the light reflection layer. Illumination devices having a reflective configuration are described. The lighting device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-86405 can provide a lighting device that can be expected to have excellent light utilization efficiency by improving the amount of emitted light emitted from the peripheral portion.

　特開２０１８－１２０９５９号公報に記載される発光装置では、第１領域の全面に亘って発光素子が配置されるため、低輝度での発光等において、発光素子が輝度ムラとして視認されるおそれがある。また、特開２０１８－１２０９５９号公報に記載される発光装置では、第１領域の全面に亘って蛍光材料が配置されるため、消灯時に第１領域が蛍光材料の色で視認されることにより美感が低下するおそれがある。In the light emitting device described in JP-A-2018-120959, since the light emitting element is arranged over the entire surface of the first region, the light emitting element may be visually recognized as uneven brightness in light emission at low brightness or the like. be. Further, in the light emitting device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-120959, since the fluorescent material is arranged over the entire surface of the first region, the first region is visually recognized by the color of the fluorescent material when the light is turned off, which gives a beautiful impression. May decrease.

　特開２０１４－１５４３４９号公報及び特開２０１４－８６４０５号公報に記載される照明装置では、発光素子の上部に導光板を設ける必要があることから、輝度ムラ及びグレアを抑制するためには、照明装置自体を厚くせざるを得ない。また、上記の照明装置では、発光素子の蛍光材料の色に関しては、全く考慮されていなかった。In the lighting devices described in JP-A-2014-154349 and JP-A-2014-86405, it is necessary to provide a light guide plate on the upper part of the light emitting element. Therefore, in order to suppress luminance unevenness and glare, lighting is performed. There is no choice but to make the device itself thicker. Further, in the above-mentioned lighting device, the color of the fluorescent material of the light emitting element is not considered at all.

　本開示は、輝度ムラが発生するおそれが低い発光装置を提供することを目的とする。The object of the present disclosure is to provide a light emitting device having a low risk of uneven brightness.

　また、本開示は、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれが低い発光装置を提供することを目的とする。Further, it is an object of the present disclosure to provide a light emitting device in which the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off and the aesthetic appearance is less likely to deteriorate.

　本発光装置の一実施形態によると、第１領域と前記第１領域の周辺に配置された第２領域を有する基板と、第２領域において基板上に実装された複数の発光素子と、複数の発光素子を覆うように基板上に配置された封止材と、封止材の上側及び第１領域側とは反対側に配置された反射材と、上面を有し且つ封止材の第１領域側の側面に対向して第１領域に配置された導光材と、を有する。According to one embodiment of the present light emitting device, a substrate having a first region and a second region arranged around the first region, a plurality of light emitting elements mounted on the substrate in the second region, and a plurality of light emitting elements. The encapsulant arranged on the substrate so as to cover the light emitting element, the reflective material arranged on the upper side of the encapsulant and on the side opposite to the first region side, and the first encapsulant having an upper surface and having an upper surface. It has a light guide material arranged in the first region facing the side surface on the region side.

　上記の発光装置では、封止材は、複数の発光素子から出射された光を波長変換して異なる波長の光として出射する蛍光材を含有する、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the encapsulant contains a fluorescent material that converts the light emitted from a plurality of light emitting elements into wavelengths and emits light having different wavelengths.

　上記の発光装置では、反射材及び導光材は、蛍光材を含有しない、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the reflective material and the light guide material do not contain a fluorescent material.

　上記の発光装置では、封止材は、複数の発光素子から出射された光を波長変換して、複数の発光素子から出射された第１波長の光と異なる第２波長の光として出射する第１蛍光材を含有する第１封止材、及び、複数の発光素子から出射された光を波長変換して、複数の発光素子から出射された第１波長の光と異なる第３波長の光として出射する第２蛍光材を含有する第２封止材、を含み、第１封止材及び第２封止材のそれぞれは、複数の発光素子の何れかを封止する、ことが好ましい。In the above light emitting device, the encapsulant converts the light emitted from the plurality of light emitting elements into wavelengths and emits the light as a second wavelength light different from the first wavelength light emitted from the plurality of light emitting elements. The first encapsulant containing one fluorescent material and the light emitted from a plurality of light emitting elements are wavelength-converted to obtain light having a third wavelength different from the light of the first wavelength emitted from the plurality of light emitting elements. It is preferable that each of the first encapsulant and the second encapsulant encapsulates any of a plurality of light emitting elements, including the second encapsulant containing the emitted second fluorescent material.

　上記の発光装置では、複数の発光素子は、導光材の外縁部に近接して配置された第１群の発光素子、及び、第１群の発光素子の第１領域側とは反対側に配置された第２群の発光素子、を含み、第１封止材は第１群の発光素子を封止し、第２封止材は第２群の発光素子を封止する、ことが好ましい。In the above light emitting device, the plurality of light emitting elements are arranged on the side opposite to the first region side of the first group light emitting element and the first group light emitting element arranged close to the outer edge portion of the light guide material. It is preferable that the first encapsulant seals the first group of light emitting elements, and the second encapsulant encloses the second group of light emitting elements, including the arranged second group of light emitting elements. ..

　上記の発光装置では、第１封止材は、複数の発光素子の全てを封止し、第２封止材は、複数の発光素子の一部のみを封止する、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the first sealing material seals all of the plurality of light emitting elements, and the second sealing material seals only a part of the plurality of light emitting elements.

　上記の発光装置では、封止材は、蛍光材を含まない第３封止材を更に含み、第３封止材は、第１封止材、第２封止材、又は、複数の発光素子の内第１封止材及び前２封止材によって封止されていない発光素子を封止する、ことが好ましい。In the above light emitting device, the encapsulant further includes a third encapsulant containing no fluorescent material, and the third encapsulant is a first encapsulant, a second encapsulant, or a plurality of light emitting elements. Of these, it is preferable to seal the light emitting element that is not sealed by the first sealing material and the front two sealing materials.

　上記の発光装置では、封止材は、蛍光材を含有しない、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the encapsulant does not contain a fluorescent material.

　上記の発光装置では、複数の発光素子は、第１波長の光を出射する第１発光素子、及び、第１波長とは異なる波長の光を出射する第２発光素子を含む、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the plurality of light emitting elements include a first light emitting element that emits light having a first wavelength and a second light emitting element that emits light having a wavelength different from the first wavelength.

　上記の発光装置では、第１発光素子及び第２発光素子は、互い違いに前記基板上に配置される、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the first light emitting element and the second light emitting element are alternately arranged on the substrate.

　上記の発光装置では、複数の発光素子は、基板に対して垂直方向又は水平方向に光を出射するＳＭＤタイプのＬＥＤチップである、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the plurality of light emitting elements are SMD type LED chips that emit light in the vertical direction or the horizontal direction with respect to the substrate.

　上記の発光装置では、第１領域は、円形又は多角形状を有し、導光材の前記上面は、第１領域と同じ外形を有し、複数の発光素子は、導光材の外縁部に沿って配置される、ことが好ましい。In the above light emitting device, the first region has a circular or polygonal shape, the upper surface of the light guide material has the same outer shape as the first region, and the plurality of light emitting elements are on the outer edge portion of the light guide material. It is preferably arranged along.

　上記の発光装置では、基板は矩形形状を有し、複数の発光素子の一部は、基板の長手方向に沿って一列に配置される、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the substrate has a rectangular shape and some of the plurality of light emitting elements are arranged in a row along the longitudinal direction of the substrate.

　上記の発光装置では、複数の発光素子の一部は、第１領域に配置され、反射材は、第１領域に配置された複数の発光素子の一部の上方にも配置される、ことが好ましい。In the above light emitting device, a part of the plurality of light emitting elements may be arranged in the first region, and the reflective material may be arranged above the part of the plurality of light emitting elements arranged in the first region. preferable.

　上記の発光装置では、導光材の前記基板表面からの高さは、導光材の中央部から外縁部に向かって、徐々に低くなるように設定されている、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the height of the light guide material from the surface of the substrate is set so as to gradually decrease from the central portion to the outer edge portion of the light guide material.

　上記の発光装置では、導光材の上面は、ディンプル加工される、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the upper surface of the light guide material is dimple-processed.

　上記の発光装置では、導光材の上面の上方に配置され、導光材よりも屈折率が低い低屈折率層を更に有する、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the light emitting device is arranged above the upper surface of the light guide material and further has a low refractive index layer having a lower refractive index than the light guide material.

　上記の発光装置では、導光材の上面の表面には、ドット状の樹脂が配置されている、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that a dot-shaped resin is arranged on the surface of the upper surface of the light guide material.

　上記の発光装置では、基板を上方から平面視したときに、反射材は封止材を遮蔽するように配置される、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the reflective material is arranged so as to shield the sealing material when the substrate is viewed from above in a plan view.

　上記の発光装置では、反射材は、封止材の外縁部に沿って配置された枠部材と、封止材の上方に配置された遮蔽部材を含み、枠部材の基板表面からの高さは、導光材の基板表面からの高さより高くなるように設定されている、ことが好ましい。In the above light emitting device, the reflective material includes a frame member arranged along the outer edge of the encapsulant and a shielding member arranged above the encapsulant, and the height of the frame member from the substrate surface is set. , It is preferable that the height of the light guide material is set higher than the height from the substrate surface.

　上記の発光装置では、反射材は、予め成形された樹脂部材でる、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the reflective material is a preformed resin member.

　上記の発光装置では、導光材の前記上面の上方に配置され、上面から出射された光を拡散する拡散材を含有し且つ蛍光材を含有しない拡散層を更に有する、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the light emitting device is arranged above the upper surface of the light guide material and further has a diffusion layer containing a diffuser for diffusing the light emitted from the upper surface and not containing a fluorescent material.

　上記の発光装置では、拡散層の中央部の厚さは、拡散層の外縁部の厚さより薄い、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the thickness of the central portion of the diffusion layer is thinner than the thickness of the outer edge portion of the diffusion layer.

　上記の発光装置では、拡散層表面の基板表面からの高さは、拡散層の中央部から外縁部に向かって、徐々に高くなるように設定される、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the height of the surface of the diffusion layer from the surface of the substrate is set so as to gradually increase from the central portion to the outer edge portion of the diffusion layer.

　上記の発光装置では、基板上に配置され、複数の発光素子と電気的に接続される電極及び開口部を有する回路基板を更に有し、複数の発光素子は、開口部の内側で基板上に実装される、ことが好ましい。The light emitting device described above further includes a circuit board that is arranged on a substrate and has electrodes and openings that are electrically connected to the plurality of light emitting elements, and the plurality of light emitting elements are placed on the substrate inside the openings. It is preferably implemented.

　上記の発光装置では、第１領域において、基板の表面はシボ加工されている、ことが好ましい。In the above light emitting device, it is preferable that the surface of the substrate is textured in the first region.

　上記の発光装置では、第１領域において、基板の表面には、封止材から出射された光を反射する突起物が配置されている、ことが好ましい。In the above-mentioned light emitting device, it is preferable that a protrusion that reflects the light emitted from the encapsulant is arranged on the surface of the substrate in the first region.

　実施形態に係る発光装置では、輝度ムラが発生するおそれを低くすることができる。また、実施形態に係る発光装置では、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれを低くすることができる。In the light emitting device according to the embodiment, the possibility of uneven brightness can be reduced. Further, in the light emitting device according to the embodiment, the color of the fluorescent material is not visually recognized from the outside when the light is turned off, and the possibility that the aesthetic appearance is deteriorated can be reduced.

第１実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 1st Embodiment.図１ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 1A.図１Ａに示す発光装置の発光状態を示す図である。It is a figure which shows the light emitting state of the light emitting device shown in FIG. 1A.図１に示す発光装置の製造方法を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG.図３ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 3A.図１に示す発光装置の製造方法を示す図（その２）である。It is a figure (the 2) which shows the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG.図４ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 4A.図１に示す発光装置の製造方法を示す図（その３）である。It is a figure (the 3) which shows the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG.図５ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 5A.図１に示す発光装置の製造方法を示す図（その４）である。It is a figure (the 4) which shows the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG.図６ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 6A.図１に示す発光装置の製造方法を示す図（その５）である。FIG. 5 is a diagram (No. 5) showing a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG. 1.図７ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 7A.第２実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 2nd Embodiment.図８ＡにおけるＢ－Ｂ線に沿う断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 8A.第３実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 3rd Embodiment.図９ＡにおけるＣ－Ｃ線に沿う断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 9A.第４実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 4th Embodiment.図１０ＡにおけるＤ－Ｄ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the DD line in FIG. 10A.第５実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 5th Embodiment.図１１ＡにおけるＥ－Ｅ線に沿う断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line EE in FIG. 11A.第１実施形態の第１変形例に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on 1st modification of 1st Embodiment.第１実施形態の第２変形例に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on 2nd modification of 1st Embodiment.第１実施形態の第３変形例に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on 3rd modification of 1st Embodiment.第１実施形態の第４変形例に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on 4th modification of 1st Embodiment.第１実施形態の第５変形例に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on 5th modification of 1st Embodiment.第１実施形態の第６変形例に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on the 6th modification of 1st Embodiment.第１実施形態の第７変形例に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on the 7th modification of 1st Embodiment.第１実施形態の第８変形例に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 8th modification of 1st Embodiment.第６実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 6th Embodiment.図１７ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 17A.図１７Ａに示す発光装置の発光状態を示す図である。It is a figure which shows the light emitting state of the light emitting device shown in FIG. 17A.図１７に示す発光装置の製造方法を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG.図１９ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。19A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 19A.図１７に示す発光装置の製造方法を示す図（その２）である。It is a figure (the 2) which shows the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG.図２０ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 20A.図１７に示す発光装置の製造方法を示す図（その３）である。FIG. 3 is a diagram (No. 3) showing a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG.図２１ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 21A.図１７に示す発光装置の製造方法を示す図（その４）である。FIG. 4 is a diagram (No. 4) showing a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG.図２２ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 22A.図１７に示す発光装置の製造方法を示す図（その５）である。FIG. 5 is a diagram (No. 5) showing a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG.図２３ＡおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 23A.図１７に示す発光装置の製造方法を示す図（その６）である。FIG. 6 is a diagram (No. 6) showing a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG.図２４ＡおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 24A.第７実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 7th Embodiment.図２５ＡにおけるＢ－Ｂ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the line BB in FIG. 25A.図２５に示す発光装置の製造方法を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG.図２６ＡにおけるＢ－Ｂ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the line BB in FIG. 26A.図２５に示す発光装置の製造方法を示す図（その２）である。FIG. 2 is a diagram (No. 2) showing a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG. 25.図２７ＡにおけるＢ－Ｂ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the line BB in FIG. 27A.第８実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 8th Embodiment.図２８ＡにおけるＣ－Ｃ線に沿う断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 28A.第９実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 9th Embodiment.図２９ＡにおけるＤ－Ｄ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the DD line in FIG. 29A.第１０実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 10th Embodiment.図３０ＡにおけるＥ－Ｅ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line EE in FIG. 30A.第１１実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 11th Embodiment.図３１ＡにおけるＦ－Ｆ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the FF line in FIG. 31A.第１２実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 12th Embodiment.図３２ＡにおけるＧ－Ｇ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the GG line in FIG. 32A.第１３実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 13th Embodiment.図３３ＡにおけるＨ－Ｈ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the HH line in FIG. 33A.第１４実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 14th Embodiment.図３４ＡにおけるＩ－Ｉ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line I-I in FIG. 34A.第１５実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 15th Embodiment.図３５ＡにおけるＡ－Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 35A.第１６実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 16th Embodiment.図３６ＡにおけるＢ－Ｂ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the line BB in FIG. 36A.第１７実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 17th Embodiment.図３７ＡにおけるＣ－Ｃ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 37A.第１８実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 18th Embodiment.図３８ＡにおけるＤ－Ｄ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the DD line in FIG. 38A.第１９実施形態に係る発光装置の平面図ある。It is a top view of the light emitting device which concerns on 19th Embodiment.図３９ＡにおけるＣ－Ｃ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 39A.表面発光ＳＭＤの一例の平面図である。It is a top view of an example of a surface light emitting SMD.図４０Ａに示す表面発光ＳＭＤの右側側面図である。It is a right side view of the surface light emitting SMD shown in FIG. 40A.図４０Ａに示す表面発光ＳＭＤの裏面図である。It is a back view of the surface light emitting SMD shown in FIG. 40A.側面発光ＳＭＤの一例の平面図である。It is a top view of an example of a side light emitting SMD.図４１Ａに示す側面発光ＳＭＤの右側側面図である。It is a right side view of the side light emitting SMD shown in FIG. 41A.図４１Ａに示す側面発光ＳＭＤの裏面図である。It is a back view of the side light emitting SMD shown in FIG. 41A.実施形態に係る発光装置に適用可能な照明装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the lighting apparatus applicable to the light emitting device which concerns on embodiment.比較例に係る発光装置を照明装置に適応した例を示す図である。It is a figure which shows the example which applied the light emitting device which concerns on a comparative example to a lighting device.実施形態に係る発光装置を照明装置に適応した例を示す図である。It is a figure which shows the example which applied the light emitting device which concerns on embodiment to a lighting device.

　以下、発光装置の好ましい一実施形態を、図を参照して説明する。但し、本開示の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。Hereinafter, a preferred embodiment of the light emitting device will be described with reference to the drawings. However, the technical scope of the present disclosure is not limited to those embodiments, but extends to the inventions described in the claims and their equivalents.

　以下の説明において、「ＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップ」とは、基板上にＩｎＧａＮ系化合物、ＩｎＧａＮ系化合物、及び、ＧａＡｓＰ系化合物等の半導体を発光層として成長させることにより形成された半導体素子をいう。ＬＥＤチップは、上面、下面、又は上面及び下面に配置されたアノード及びカソード間に所定の電圧が印加される事によって、所定の発光波長の光を出射する。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩ接合、ＰＮ接合など有るホモ構造、ヘテロ構造、ダブルヘテロ構造等が含まれる。ＬＥＤチップの材料、成長温度等により、発光波長を様々なものに選択可能である。ＬＥＤチップが出射する光の波長については、対応する実施形態において説明する。In the following description, the "LED (Light Emitting Diode) chip" is a semiconductor element formed by growing a semiconductor such as an InGaN-based compound, an InGaN-based compound, and a GaAsP-based compound as a light emitting layer on a substrate. Say. The LED chip emits light having a predetermined emission wavelength by applying a predetermined voltage between the anode and the cathode arranged on the upper surface, the lower surface, or the upper surface and the lower surface. The semiconductor structure includes a homostructure such as a MIS junction, a PI junction, and a PN junction, a heterostructure, a double heterostructure, and the like. The emission wavelength can be selected from various wavelengths depending on the material of the LED chip, the growth temperature, and the like. The wavelength of the light emitted by the LED chip will be described in the corresponding embodiment.

　また、「ＬＥＤパッケージ」とは、基板上に「ＬＥＤチップ」を実装し、実装された「ＬＥＤチップ」を、樹脂又は蛍光材料を含有した樹脂で封止した部品、又は、「ＬＥＤチップ」の上面、又は、上面及び側面を蛍光材料含有の樹脂で被覆したのみの部品を言い、上面発光ＳＭＤ（Surface Mounted Device）、側面発光ＳＭＤ等を含む。ここで、蛍光材料とは、「ＬＥＤチップ」から出射された所定の波長の光を吸収して、異なる波長の光を出射する材料を言い、その結果、「ＬＥＤパッケージ」からは、「ＬＥＤチップ」から出射された光と蛍光材料から出射された光とが混色した光が出射されることとなる。なお、「ＬＥＤパッケージ」は、蛍光材料を含まず、含有する「ＬＥＤチップ」から出力された波長の光がそのまま出射するように構成されていても良い。The "LED package" is a component or "LED chip" in which an "LED chip" is mounted on a substrate and the mounted "LED chip" is sealed with a resin or a resin containing a fluorescent material. A component whose upper surface or upper surface and side surface are only coated with a resin containing a fluorescent material, and includes a top surface light emitting SMD (Surface Mounted Device), a side light emitting SMD, and the like. Here, the fluorescent material means a material that absorbs light of a predetermined wavelength emitted from the "LED chip" and emits light of a different wavelength, and as a result, the "LED chip" is referred to as "LED chip". The light emitted from the above and the light emitted from the fluorescent material are mixed to emit light. The "LED package" does not contain a fluorescent material, and may be configured so that light having a wavelength output from the "LED chip" contained therein is emitted as it is.

　さらに、「発光素子」とは、「ＬＥＤチップ」及び「ＬＥＤパッケージ」の両方の形態を含み、所定の波長の光を出射するものを言う。Further, the "light emitting element" includes both forms of "LED chip" and "LED package" and emits light having a predetermined wavelength.

　図１Ａは第１実施形態に係る発光装置１００の平面図であり、図１Ｂは図１Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。FIG. 1A is a plan view of thelight emitting device 100 according to the first embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 1A.

　発光装置１００は、第１領域１７及び第１領域１７の周辺に配置される第２領域１８を有する基板１０と、１６個のＬＥＤチップ２０と、封止材３１と、反射材３２と、導光材３３とを有する。封止材３１はＬＥＤチップ２０から出射された第１の色の光を吸収して第１の色と異なる第２の色の光を出射する蛍光材料３０を含有し、導光材３３は蛍光材料３０を含有しない。封止材３１及び導光材３３はＬＥＤチップ２０から出射された第１の色の光及び蛍光材料３０から出射された第２の色の光を透過し、反射材３２は第１の色の光及び第２の色の光を反射する。Thelight emitting device 100 includes asubstrate 10 having afirst region 17 and asecond region 18 arranged around thefirst region 17, 16LED chips 20, a sealingmaterial 31, areflective material 32, and a guide. It has alight material 33. Theencapsulant 31 contains afluorescent material 30 that absorbs light of the first color emitted from theLED chip 20 and emits light of a second color different from the first color, and thelight guide material 33 is fluorescent. Does not containmaterial 30. The sealingmaterial 31 and thelight guide material 33 transmit the light of the first color emitted from theLED chip 20 and the light of the second color emitted from thefluorescent material 30, and the reflectingmaterial 32 transmits the light of the first color. Reflects light and light of a second color.

　発光装置１００では、ＬＥＤチップ２０は視認可能な第１領域１７に配置されないので、低輝度の発光の間でもＬＥＤチップ２０が輝度ムラとして視認されるおそれがない。また、発光装置１００では、蛍光材料３０を含有する封止材３１が反射材３２に覆われ、蛍光材料３０を含有しない導光材３３が第１領域１７に配置されるため、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。In thelight emitting device 100, since theLED chip 20 is not arranged in the visiblefirst region 17, there is no possibility that theLED chip 20 will be visually recognized as uneven brightness even during low brightness light emission. Further, in thelight emitting device 100, the sealingmaterial 31 containing thefluorescent material 30 is covered with thereflective material 32, and thelight guide material 33 not containing thefluorescent material 30 is arranged in thefirst region 17, so that the fluorescent material is turned off when the light is turned off. The color of is not visible from the outside, and there is no risk of degrading the aesthetics.

　基板１０は、実装基板１１と、回路基板１２と、アノード電極１３と、カソード電極１４と、アノード配線１５と、カソード配線１６とを有する。実装基板１１は、アルミニウム等の熱伝導率及び反射率が高い金属製の基板であり、略矩形状の平面形状を有する。実装基板１１は、略矩形の平面形状を有する第１領域１７を中央部に有すると共に、第１領域１７の外周に沿って第２領域１８を有する。基板１０は、第１領域１７及び第２領域１８を含めて表面及び裏面の双方は平坦な面である。実装基板１１は、対角に配置される一対の角が切り欠けている。Thesubstrate 10 has a mountingsubstrate 11, acircuit board 12, ananode electrode 13, acathode electrode 14, ananode wiring 15, and acathode wiring 16. The mountingsubstrate 11 is a metal substrate such as aluminum having high thermal conductivity and reflectance, and has a substantially rectangular planar shape. The mountingboard 11 has afirst region 17 having a substantially rectangular planar shape in the central portion, and has asecond region 18 along the outer periphery of thefirst region 17. Both the front surface and the back surface of thesubstrate 10 including thefirst region 17 and thesecond region 18 are flat surfaces. The mountingboard 11 is notched with a pair of diagonally arranged corners.

　回路基板１２は、エポキシ材等の絶縁材で形成され、実装基板１１と同一の平面形状を有すると共に、実装基板１１に接着される。回路基板１２は、第１領域１７及び１６個のＬＥＤチップ２０が実装される第２領域１８を囲む開口部が形成される。Thecircuit board 12 is formed of an insulating material such as an epoxy material, has the same planar shape as the mountingboard 11, and is adhered to the mountingboard 11. Thecircuit board 12 is formed with an opening surrounding thefirst region 17 and thesecond region 18 on which the 16LED chips 20 are mounted.

　アノード電極１３、カソード電極１４、アノード配線１５及びカソード配線１６は、回路基板１２の実装基板１１に対向する面の反対の面に銅等の導電性薄膜により形成された配線パターンである。アノード電極１３及びカソード電極１４は、切り欠けが形成されていない角の近傍に配置される。アノード電極１３及びカソード電極１４は、不図示の電源に接続され、アノード配線１５及びカソード配線１６を介して、ＬＥＤチップ２０のそれぞれに電力を供給する。Theanode electrode 13, thecathode electrode 14, theanode wiring 15, and thecathode wiring 16 are wiring patterns formed of a conductive thin film such as copper on the surface opposite to the surface of thecircuit board 12 facing the mountingsubstrate 11. Theanode electrode 13 and thecathode electrode 14 are arranged in the vicinity of the corner where the notch is not formed. Theanode electrode 13 and thecathode electrode 14 are connected to a power source (not shown) and supply electric power to each of the LED chips 20 via theanode wiring 15 and thecathode wiring 16.

　アノード配線１５及びカソード配線１６の封止材３１及び反射材３２に覆われていない部分は、レジスト等の絶縁層に覆われる。アノード配線１５はアノード電極１３に接続されると共に、第１領域１７のそれぞれの辺に沿って配置される４つの発光素子の１つにボンディングワイヤ２１を介して接続される。カソード配線１６はカソード電極１４に接続されると共に、第１領域１７のそれぞれの辺に沿って配置される４つの発光素子の１つにボンディングワイヤ２１を介して接続される。The portion of theanode wiring 15 and thecathode wiring 16 that is not covered with the sealingmaterial 31 and thereflective material 32 is covered with an insulating layer such as a resist. Theanode wiring 15 is connected to theanode electrode 13 and is connected to one of the four light emitting elements arranged along each side of thefirst region 17 via thebonding wire 21. Thecathode wiring 16 is connected to thecathode electrode 14 and is connected to one of the four light emitting elements arranged along each side of thefirst region 17 via thebonding wire 21.

　１６個のＬＥＤチップ２０は、例えば出射する光の波長域が４４０ｎｍ～４５５ｎｍのＩｎＧａＮ系化合物半導体等により形成される青色発光する半導体素子である。１６個のＬＥＤチップ２０のそれぞれは、略矩形の平面形状を有し、順電圧（forward voltage、ＶＦ）、温度特性及び寿命等の発光特性が略同一の素子を使用することが好ましい。The 16LED chips 20 are semiconductor devices that emit blue light, for example, formed of an InGaN-based compound semiconductor having a wavelength range of emitted light of 440 nm to 455 nm. It is preferable to use an element in which each of the 16LED chips 20 has a substantially rectangular planar shape and has substantially the same light emitting characteristics such as forward voltage (VF), temperature characteristics, and life.

　１６個のＬＥＤチップ２０は、第１領域１７の外周に沿うように、第１領域１７の辺のそれぞれに沿って４つずつ基板１０の第２領域１８に実装される。第１領域１７の辺のそれぞれに沿う第２領域１８に実装される４つのＬＥＤチップ２０は、アノード電極１３とカソード電極１４との間に直列接続される。ＬＥＤチップ２０は、４つずつ直列接続された４つの発光素子列を並列接続するように接続される。The 16LED chips 20 are mounted on thesecond region 18 of thesubstrate 10 by four along each side of thefirst region 17 so as to be along the outer circumference of thefirst region 17. The fourLED chips 20 mounted in thesecond region 18 along each side of thefirst region 17 are connected in series between theanode electrode 13 and thecathode electrode 14. The LED chips 20 are connected so as to connect four light emitting element trains connected in series by four in parallel.

　なお、発光装置１００では、１６個のＬＥＤチップ２０が配置されるが、搭載されるＬＥＤチップ２０の数は、１６個未満であってもよく、１７個以上であってもよい。また、発光装置１００では、４個のＬＥＤチップ２０が直列接続されるが、直列接続されるＬＥＤチップ２０の数は、３個未満であってもよく、５個以上であってもよい。また、発光装置１００では、４個の発光素子列が並列接続されるが、並列接続される発光素子列の数は、３個未満であってもよく、５個以上であってもよい。In thelight emitting device 100, 16LED chips 20 are arranged, but the number ofLED chips 20 mounted may be less than 16 or 17 or more. Further, in thelight emitting device 100, fourLED chips 20 are connected in series, but the number ofLED chips 20 connected in series may be less than three or five or more. Further, in thelight emitting device 100, four light emitting element rows are connected in parallel, but the number of light emitting element rows connected in parallel may be less than three or five or more.

　封止材３１は、蛍光材料３０を含有するシリコーン樹脂等の合成樹脂である。封止材３１は、第１領域１７の外周に沿って、アノード配線１５及びカソード配線１６の一部並びにＬＥＤチップ２０及びボンディングワイヤ２１を覆うように配置される。封止材３１は、第１領域１７を囲む枠状の平面形状を有する。The sealingmaterial 31 is a synthetic resin such as a silicone resin containing thefluorescent material 30. The sealingmaterial 31 is arranged along the outer periphery of thefirst region 17 so as to cover a part of theanode wiring 15 and thecathode wiring 16 as well as theLED chip 20 and thebonding wire 21. The sealingmaterial 31 has a frame-shaped planar shape surrounding thefirst region 17.

　封止材３１に含有される蛍光材料３０は、ＬＥＤチップ２０から出射される第１の色である青色の光を吸収して第１の色と異なる第２の色の光を出射する蛍光材料である。蛍光材料３０は、例えば５５０ｎｍ～５８０ｎｍである黄色の光を出射するセレンで付活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光材料である。また、蛍光材料３０は、黄色の光を出射するＹＡＧ系蛍光材料に加えて、ピーク波長の範囲が６００ｎｍ～６３０ｎｍである赤色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）固溶のＣａＡｌＳｉＮ₃（カルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物）蛍光材料を添加されたものであってもよい。また、蛍光材料３０は、例えばピーク波長の範囲が５３５ｎｍ～５７０ｎｍである緑色の光を出射するセリウムで付活されたＹＡＧ系蛍光材料を添加してもよい。Thefluorescent material 30 contained in the sealingmaterial 31 is a fluorescent material that absorbs blue light, which is the first color emitted from theLED chip 20, and emits light of a second color different from the first color. Is. Thefluorescent material 30 is a YAG (yttrium aluminum garnet) fluorescent material activated by selenium that emits yellow light having a diameter of, for example, 550 nm to 580 nm. In addition to the YAG-based fluorescent material that emits yellow light, thefluorescent material 30 is Eu²⁺ (europium) solid-soluble CaAlSiN₃ (calcium) that emits red light having a peak wavelength range of 600 nm to 630 nm. -Aluminum / silicone oxynitride) It may be the one to which a fluorescent material is added. Further, as thefluorescent material 30, for example, a YAG-based fluorescent material activated by cerium that emits green light having a peak wavelength range of 535 nm to 570 nm may be added.

　なお、蛍光材料３０は、ピーク波長の範囲が４８０ｎｍ～５００ｎｍである青緑色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）で付活されたシリケイト系蛍光材料、又はバリウムシリコーン酸窒化物の蛍光材料であってもよい。また、蛍光材料３０は、ピーク波長の範囲が６００ｎｍ～６３０ｎｍである赤色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）固溶のＣａＡｌＳｉＮ₃（カルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物）蛍光材料であってもよい。さらに、蛍光材料３０は、複数種の蛍光材料を含んでもよい。蛍光材料３０に含まれる蛍光材料の比率を相違させることで、色温度が同一であり且つ演色性が相違する発光装置を提供することができる。^{The fluorescent material 30 is a silicate-based fluorescent material activated with Eu 2+} (Europium) that emits blue-green light having a peak wavelength range of 480 nm to 500 nm, or a barium silicone oxynitride fluorescent material. There may be._{Further, the fluorescent material 30 may be a CaAlSiN 3} (calcium / aluminum / silicone oxynitride) fluorescent material having a solid solution of^{Eu 2+} (europium) that emits red light having a peak wavelength range of 600 nm to 630 nm. good. Further, thefluorescent material 30 may contain a plurality of types of fluorescent materials. By differentiating the ratio of the fluorescent materials contained in thefluorescent material 30, it is possible to provide a light emitting device having the same color temperature and different color rendering properties.

　例えば、蛍光材料３０は、ピーク波長が５５０ｎｍ～５８０ｎｍである黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光材料であってもよい。また、蛍光材料３０は、黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光材料、及びピーク波長が４８０ｎｍ～５００ｎｍである黄色の光を出射するユーロピウム付活ストロンチウムアルミン酸塩蛍光材料を含んでもよい。さらに、黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光材料、及び赤色の光を出射するユーロピウム固溶のカルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物蛍光材料を含んでもよい。For example, thefluorescent material 30 may be an orthosilicate fluorescent material activated with europium that emits yellow light having a peak wavelength of 550 nm to 580 nm. Thefluorescent material 30 includes an orthosilicate fluorescent material activated with europium that emits yellow light, and an active strontium aluminate fluorescent material with europium that emits yellow light having a peak wavelength of 480 nm to 500 nm. It may be included. Further, it may contain a europium-activated orthosilicate fluorescent material that emits yellow light, and a europium solid-soluble calcium-aluminum-silicone oxynitride fluorescent material that emits red light.

　反射材３２は、酸化チタン等の反射性の微粒子が分散されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、ＬＥＤチップ２０から出射される第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光を反射する反射材である。反射材３２は、少なくとも封止材３１の上部の一部を覆い且つ第１領域１７を囲むように配置される。反射材３２は、封止材３１と同様に、第１領域１７を囲む枠状の平面形状を有する。Thereflective material 32 is a synthetic resin such as a silicone resin in which reflective fine particles such as titanium oxide are dispersed, and is a first color light emitted from theLED chip 20 and a second light emitted from thefluorescent material 30. It is a reflective material that reflects colored light. Thereflective material 32 is arranged so as to cover at least a part of the upper part of the sealingmaterial 31 and surround thefirst region 17. Like the sealingmaterial 31, thereflective material 32 has a frame-shaped planar shape surrounding thefirst region 17.

　反射材３２は、導光材３３に沿って、封止材３１の上側及び第１領域１７と反対側を覆うように形成されている。そのため、封止材３１の第１領域１７側には、反射材３２による開口部９０が形成されることとなる。複数のＬＥＤチップ２０から出射された第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光は、反射材３２に反射して開口部９０から導光材３３に出射する。Thereflective material 32 is formed along thelight guide material 33 so as to cover the upper side of the sealingmaterial 31 and the side opposite to thefirst region 17. Therefore, anopening 90 due to thereflective material 32 is formed on thefirst region 17 side of the sealingmaterial 31. The light of the first color emitted from the plurality ofLED chips 20 and the light of the second color emitted from thefluorescent material 30 are reflected by thereflective material 32 and emitted from theopening 90 to thelight guide material 33.

　導光材３３は、蛍光材料３０が含有されず且つシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、ＬＥＤチップ２０から出射される第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光を透過する。導光材３３は、ＬＥＤチップ２０から出射される第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光を第１領域１７に導く。第１領域１７に導かれた光は、直接もしくは反射して、第１領域１７の全体の上面から外部に出射する。すなわち、発光装置１００では、ＬＥＤチップ２０が点灯時には、第１領域１７の全体の上面が面発光している。導光材３３は、屈折率を高くすることにより輝度ムラなく面発光させることができる。Thelight guide material 33 is a synthetic resin such as a silicone resin that does not contain thefluorescent material 30, and is a first color light emitted from theLED chip 20 and a second color light emitted from thefluorescent material 30. Is transparent. Thelight guide material 33 guides the light of the first color emitted from theLED chip 20 and the light of the second color emitted from thefluorescent material 30 to thefirst region 17. The light guided to thefirst region 17 is directly or reflected and emitted to the outside from the entire upper surface of thefirst region 17. That is, in thelight emitting device 100, when theLED chip 20 is lit, the entire upper surface of thefirst region 17 emits surface light. By increasing the refractive index of thelight guide material 33, surface light can be emitted without uneven brightness.

　図２は、発光装置１００の発光状態を示す図である。図２は、図１Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。図２において、一点鎖線の矢印線は、ＬＥＤチップ２０から出射された光の光路を示す。FIG. 2 is a diagram showing a light emitting state of thelight emitting device 100. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 1A. In FIG. 2, the alternate long and short dash arrow line indicates the optical path of the light emitted from theLED chip 20.

　ＬＥＤチップ２０から出射された第１の色の光は、封止材３１を覆う反射材３２に反射すると共に、導光材３３が配置される第１領域１７を介して発光装置１００から外部に出射される。また、ＬＥＤチップ２０から出射された第１の色の光の一部は、封止材３１に含有される蛍光材料３０に吸収されて第２の色の光として蛍光材料３０から出射される。The light of the first color emitted from theLED chip 20 is reflected by thereflective material 32 covering the sealingmaterial 31, and is reflected from thelight emitting device 100 to the outside through thefirst region 17 in which thelight guide material 33 is arranged. It is emitted. Further, a part of the light of the first color emitted from theLED chip 20 is absorbed by thefluorescent material 30 contained in theencapsulant 31 and emitted from thefluorescent material 30 as the light of the second color.

　図３～図７を用いて、発光装置１００の製造方法を説明する。図３は第１工程を示し、図４は第２工程を示し、図５は第３工程を示し、図６は第４工程を示し、図７は第５工程を示す。図３～図７において、Ａ図面は平面図であり、Ｂ図面は図１Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図に対応する断面図である。A method of manufacturing thelight emitting device 100 will be described with reference to FIGS. 3 to 7. 3 shows the first step, FIG. 4 shows the second step, FIG. 5 shows the third step, FIG. 6 shows the fourth step, and FIG. 7 shows the fifth step. 3 to 7, the drawing A is a plan view, and the drawing B is a cross-sectional view corresponding to a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 1A.

　第１工程において、基板１０が提供される。次いで、第２工程において、１６個のＬＥＤチップ２０が第１領域１７の外周に沿って第２領域１８に実装される。１６個のＬＥＤチップ２０は、４個ずつ第１領域１７の一辺に沿って、ダイボンド（不図示）により実装される。次いで、第３工程において、１６個のＬＥＤチップ２０がアノード配線１５とカソード配線１６との間に４個ずつボンディングワイヤ２１によって直列接続される。第１領域１７の一辺に沿って実装される４個のＬＥＤチップ２０の一端に配置されるＬＥＤチップ２０は、アノード配線１５にボンディングワイヤ２１を介して接続される。また、第１領域１７の一辺に沿って実装される４個のＬＥＤチップ２０の他端に配置されるＬＥＤチップ２０は、カソード配線１６にボンディングワイヤ２１を介して接続される。Thesubstrate 10 is provided in the first step. Next, in the second step, 16LED chips 20 are mounted in thesecond region 18 along the outer circumference of thefirst region 17. The 16LED chips 20 are mounted by die-bonding (not shown) along one side of thefirst region 17, four by four. Next, in the third step, 16LED chips 20 are connected in series between theanode wiring 15 and thecathode wiring 16 by 4bonding wires 21 each. The LED chips 20 arranged at one end of the fourLED chips 20 mounted along one side of thefirst region 17 are connected to theanode wiring 15 via thebonding wire 21. Further, the LED chips 20 arranged at the other ends of the fourLED chips 20 mounted along one side of thefirst region 17 are connected to thecathode wiring 16 via thebonding wire 21.

　次いで、第４工程において、封止材３１がＬＥＤチップ２０及びボンディングワイヤ２１を覆うように配置される。次いで、第５工程において、反射材３２が封止材３１を覆い且つ第１領域１７を囲むように配置される。反射材３２は、第１領域１７に沿って開口部９０が形成されるように配置される。そして、第６工程において、導光材３３が反射材３２で囲まれた第１領域１７に配置して、発光装置１００の製造工程が終了する。Next, in the fourth step, the sealingmaterial 31 is arranged so as to cover theLED chip 20 and thebonding wire 21. Next, in the fifth step, thereflective material 32 is arranged so as to cover the sealingmaterial 31 and surround thefirst region 17. Thereflector 32 is arranged so that theopening 90 is formed along thefirst region 17. Then, in the sixth step, thelight guide material 33 is arranged in thefirst region 17 surrounded by thereflective material 32, and the manufacturing process of thelight emitting device 100 is completed.

　封止材３１、反射材３２及び導光材３３は、チクソ性が高い樹脂材を使用してもよい。チクソ性が高い樹脂材を封止材３１、反射材３２及び導光材３３として使用するとき、第６工程の後に封止材３１、反射材３２及び導光材３３が一斉に固化されてもよい。また、チクソ性が低い樹脂材を封止材３１、反射材３２及び導光材３３として使用するとき、第４工程～第６工程のそれぞれにおいて、封止材３１、反射材３２及び導光材３３は、別個に固化される。As the sealingmaterial 31, thereflective material 32 and thelight guide material 33, a resin material having a high ticking property may be used. When a resin material having high ticking property is used as the sealingmaterial 31, thereflective material 32 and thelight guide material 33, even if the sealingmaterial 31, thereflective material 32 and thelight guide material 33 are solidified all at once after the sixth step. good. Further, when a resin material having low chixing property is used as the sealingmaterial 31, thereflective material 32 and thelight guide material 33, the sealingmaterial 31, thereflective material 32 and the light guide material are used in each of the fourth to sixth steps. 33 is solidified separately.

　発光装置１００では、ＬＥＤチップ２０は外部から視認可能な第１領域１７に配置されないので、低輝度の発光において、ＬＥＤチップ２０がホットスポットとも称される輝度ムラとして視認されるおそれがない。また、ＬＥＤチップ２０が輝度ムラとして視認されるおそれがないので、輝度ムラの発生を防止するために拡散材を導光材３３に含有することはなく、拡散材を含有させることにより発光効率が低下することはない。In thelight emitting device 100, since theLED chip 20 is not arranged in thefirst region 17 that can be visually recognized from the outside, there is no possibility that theLED chip 20 is visually recognized as uneven brightness, which is also called a hot spot, in low brightness light emission. Further, since theLED chip 20 is not likely to be visually recognized as uneven brightness, thelight guide material 33 does not contain a diffusing material in order to prevent the occurrence of uneven brightness, and the luminous efficiency is improved by containing the diffusing material. It does not decrease.

　また、発光装置１００では、輝度ムラが発生するおそれがないので、発光装置１００を搭載する照明器具等の発光器具において、輝度ムラを制御することはなく、高輝度の照明が実現できる。Further, since thelight emitting device 100 does not have a possibility of causing uneven brightness, it is possible to realize high-brightness lighting without controlling the uneven brightness in a light emitting device such as a lighting device equipped with thelight emitting device 100.

　また、発光装置１００では、蛍光材料３０を含有する封止材３１が反射材３２に覆われ、蛍光材料３０を含有しない導光材３３が第１領域１７に配置されるため、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 100, the sealingmaterial 31 containing thefluorescent material 30 is covered with thereflective material 32, and thelight guide material 33 not containing thefluorescent material 30 is arranged in thefirst region 17, so that the fluorescent material is turned off when the light is turned off. The color of is not visible from the outside, and there is no risk of degrading the aesthetics.

　また、発光装置１００では、１６個のＬＥＤチップ２０は何れも単一の実装基板１１に実装されるので、１６個のＬＥＤチップ２０の全ての温度変化が互いに連動し、温度特性に依存する発光特性が互いにばらつくおそれが低い。Further, in thelight emitting device 100, since all 16LED chips 20 are mounted on a single mountingsubstrate 11, all the temperature changes of the 16LED chips 20 are interlocked with each other, and light emission depends on the temperature characteristics. There is little risk that the characteristics will vary from each other.

　また、発光装置１００では、導光体として機能する導光材３３が第１領域１７に配置されるので、輝度ムラがない光を出射することができる。Further, in thelight emitting device 100, since thelight guide material 33 that functions as a light guide is arranged in thefirst region 17, it is possible to emit light without uneven brightness.

　図８Ａは第２実施形態に係る発光装置１０１の平面図であり、図８Ｂは図８Ａに示すＢ－Ｂ線に沿う断面図である。FIG. 8A is a plan view of thelight emitting device 101 according to the second embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG. 8A.

　発光装置１０１は、第１封止材３４及び第２封止材３５を封止材３１の代わりに有することが発光装置１００と相違する。発光装置１０１において、発光装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 101 is different from thelight emitting device 100 in that thefirst sealing material 34 and thesecond sealing material 35 are provided in place of the sealingmaterial 31. In thelight emitting device 101, the same components as those of thelight emitting device 100 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　第１封止材３４は、配置される位置が封止材３１と相違する。配置される位置以外の第１封止材３４の構成及び機能は、封止材３１と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。第１封止材３４は、ＬＥＤチップ２０を覆うように配置されず、第１領域１７とＬＥＤチップ２０との間に配置される。The position where thefirst encapsulant 34 is arranged is different from that of theencapsulant 31. Since the configuration and function of thefirst encapsulant 34 other than the position where it is arranged are the same as those of theencapsulant 31, detailed description thereof will be omitted here. Thefirst sealing material 34 is not arranged so as to cover theLED chip 20, but is arranged between thefirst region 17 and theLED chip 20.

　第２封止材３５は、導光材３３と同様に、蛍光材料３０が含有されず且つシリコーン樹脂等の合成樹脂である。第２封止材３５は、ＬＥＤチップ２０及び第１封止材３４を覆うように配置される。反射材３２は、第１封止材３４の上側、及び、第２封止材３５の上側及び第１領域１７と反対側を覆うように形成されている。Like thelight guide material 33, thesecond sealing material 35 is a synthetic resin such as a silicone resin that does not contain thefluorescent material 30. Thesecond encapsulant 35 is arranged so as to cover theLED chip 20 and thefirst encapsulant 34. Thereflective material 32 is formed so as to cover the upper side of thefirst sealing material 34, the upper side of thesecond sealing material 35, and the side opposite to thefirst region 17.

　発光装置１０１では、第１領域１７とＬＥＤチップ２０との間に配置される第１封止材３４が、蛍光材料３０を含有することで、ＬＥＤチップ２０から出射された光の一部は、第１領域１７に出射する前に第１封止材３４に含有される蛍光材料３０に吸収される。ＬＥＤチップ２０から出射された光の一部が蛍光材料３０に吸収されることに応じて、蛍光材料３０から第２の色の光が出射される。第１の色の光及び第２の色の光は、第１領域１７を介して導光材３３から外部に出射される。In thelight emitting device 101, thefirst sealing material 34 arranged between thefirst region 17 and theLED chip 20 contains thefluorescent material 30, so that a part of the light emitted from theLED chip 20 is a part of the light emitted from theLED chip 20. Before emitting to thefirst region 17, it is absorbed by thefluorescent material 30 contained in thefirst sealing material 34. As a part of the light emitted from theLED chip 20 is absorbed by thefluorescent material 30, the light of the second color is emitted from thefluorescent material 30. The light of the first color and the light of the second color are emitted to the outside from thelight guide material 33 via thefirst region 17.

　発光装置１０１の製造方法は、第１封止材３４が配置される位置、及び第１封止材３４を配置する工程と反射材３２を配置する工程との間に第２封止材３５を配置する工程を有することが発光装置１００の製造方法と相違する。第２封止材３５を配置する工程以外の発光装置１０１の製造方法は、発光装置１００の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。In the method of manufacturing thelight emitting device 101, the position where thefirst sealing material 34 is arranged and thesecond sealing material 35 are provided between the step of arranging thefirst sealing material 34 and the step of arranging thereflective material 32. Having a step of arranging is different from the manufacturing method of thelight emitting device 100. Since the manufacturing method of thelight emitting device 101 other than the step of arranging thesecond sealing material 35 is the same as the manufacturing method of thelight emitting device 100, detailed description thereof will be omitted here.

　発光装置１０１は、第１封止材３４を第１領域１７とＬＥＤチップ２０との間に配置するので、第１領域１７に入射される直前に第１の色の光と第２の色の光とを混合して出射することができる。発光装置１０１は、第１領域１７に入射される直前に第１の色の光と第２の色の光とを混合して出射するので、発光装置１００よりも色度の調整が容易である。Since thelight emitting device 101 arranges thefirst sealing material 34 between thefirst region 17 and theLED chip 20, the light of the first color and the second color immediately before being incident on thefirst region 17. It can be mixed with light and emitted. Since thelight emitting device 101 mixes and emits the light of the first color and the light of the second color immediately before being incident on thefirst region 17, it is easier to adjust the chromaticity than thelight emitting device 100. ..

　また、発光装置１０１では、蛍光材料３０を含有する第１封止材３４が反射材３２に覆われ、蛍光材料３０を含有しない導光材３３が第１領域１７に配置されるため、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 101, thefirst sealing material 34 containing thefluorescent material 30 is covered with thereflective material 32, and thelight guide material 33 not containing thefluorescent material 30 is arranged in thefirst region 17, so that when the light is turned off. The color of the fluorescent material is not visible from the outside, and there is no risk of degrading the aesthetic appearance.

　図９Ａは第３実施形態に係る発光装置１０２の平面図であり、図９Ｂは図９Ａに示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。9A is a plan view of thelight emitting device 102 according to the third embodiment, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line CC shown in FIG. 9A.

　発光装置１０２は、基板４０を基板１０の代わりに有することが発光装置１００と相違する。発光装置１０２において、発光装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 102 is different from thelight emitting device 100 in that the substrate 40 is provided in place of thesubstrate 10. In thelight emitting device 102, the same components as those of thelight emitting device 100 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　基板４０は、実装基板４１を実装基板１１の代わりに有することが基板１０と相違する。実装基板４１以外の基板４０の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された基板１０の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。The board 40 differs from theboard 10 in that it has a mountingboard 41 instead of the mountingboard 11. Since the configurations and functions of the components of the substrate 40 other than the mountingsubstrate 41 are the same as the configurations and functions of the components of thesubstrate 10 having the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted here.

　実装基板４１は、第１領域４７を第１領域１７の代わりに有することが実装基板１１と相違する。第１領域４７以外の実装基板４１の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された実装基板１１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。第１領域４７は、シボ加工されていることが第１領域１７と相違する。The mountingboard 41 differs from the mountingboard 11 in that the mountingboard 41 has afirst region 47 instead of thefirst region 17. Since the configurations and functions of the components of the mountingboard 41 other than thefirst region 47 are the same as the configurations and functions of the components of the mountingboard 11 having the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted here. Thefirst region 47 is different from thefirst region 17 in that it is textured.

　発光装置１０２の製造方法は、第１領域４７がシボ加工されている実装基板４１を使用すること以外は、発光装置１００の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。なお、第１領域４７のシボ加工は、例えば実装基板４１の第１領域４７以外の領域をマスクした状態で、エッチングすることで形成される。Since the manufacturing method of thelight emitting device 102 is the same as the manufacturing method of thelight emitting device 100 except that the mountingsubstrate 41 in which thefirst region 47 is textured is used, detailed description thereof will be omitted here. The embossing of thefirst region 47 is formed by etching, for example, in a state where the region other than thefirst region 47 of the mountingsubstrate 41 is masked.

　発光装置１０２は、第１領域４７がシボ加工されているので、第１領域４７に入射した第１及び第２の色の光が第１領域４７において拡散されて、発光装置１００よりも混色された状態で第１及び第２の色の光を出射することができる。Since thefirst region 47 is textured in thelight emitting device 102, the light of the first and second colors incident on thefirst region 47 is diffused in thefirst region 47 and mixed with thelight emitting device 100. It is possible to emit light of the first and second colors in this state.

　図１０Ａは第４実施形態に係る発光装置１０３の平面図であり、図１０Ｂは図１０Ａに示すＤ－Ｄ線に沿う断面図である。FIG. 10A is a plan view of thelight emitting device 103 according to the fourth embodiment, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line DD shown in FIG. 10A.

　発光装置１０３は、導光材３６を導光材３３の代わりに有することが発光装置１００と相違する。発光装置１０３において、発光装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 103 is different from thelight emitting device 100 in that it has thelight guide material 36 instead of thelight guide material 33. In thelight emitting device 103, the same components as those of thelight emitting device 100 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　導光材３６は、表面がディンプル加工されていることが導光材３３と相違する。表面がディンプル加工されていること以外の導光材３６の構成及び機能は、同一符号が付された導光材３３の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。Thelight guide material 36 is different from thelight guide material 33 in that the surface is dimple-processed. Since the configuration and function of thelight guide material 36 other than the surface being dimple-processed are the same as the configuration and function of thelight guide material 33 with the same reference numeral, detailed description thereof will be omitted here.

　発光装置１０３の製造方法は、導光材３６が配置された後に、導光材３６の表面にディンプル加工を施すこと以外は、発光装置１００の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。なお、導光材３６の表面のディンプル加工は、例えば導光材３６の表面にレーザ加工を施すことで形成される。Since the manufacturing method of thelight emitting device 103 is the same as the manufacturing method of thelight emitting device 100 except that the surface of thelight guide material 36 is dimple-processed after thelight guide material 36 is arranged, detailed description thereof is omitted here. do. The dimple processing on the surface of thelight guide material 36 is formed by, for example, laser processing the surface of thelight guide material 36.

　発光装置１０３は、導光材３６の表面がディンプル加工されているので、導光材３６の表面に入射した第１及び第２の色の光が導光材３６の表面において拡散されて、発光装置１００よりも混色された状態で第１及び第２の色の光を出射することができる。Since the surface of thelight guide material 36 is dimple-processed, the light of the first and second colors incident on the surface of thelight guide material 36 is diffused on the surface of thelight guide material 36 to emit light. It is possible to emit light of the first and second colors in a state where the colors are mixed more than thedevice 100.

　また、発光装置１０３では、実装基板１１の代わりに、発光装置１０２で記載したシボ加工が施された第１領域４７を有する実装基板４１を使用しても良い。Further, in thelight emitting device 103, instead of the mountingboard 11, the mountingboard 41 having thefirst region 47 subjected to the grain processing described in thelight emitting device 102 may be used.

　図１１Ａは第５実施形態に係る発光装置１０４の平面図であり、図１１Ｂは図１１Ａに示すＥ－Ｅ線に沿う断面図である。FIG. 11A is a plan view of thelight emitting device 104 according to the fifth embodiment, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line EE shown in FIG. 11A.

　発光装置１０４は、封止材３７を封止材３１の代わりに有することが発光装置１００と相違する。また、発光装置１０４は、第１ＬＥＤチップ５１、第２ＬＥＤチップ５２及び第３ＬＥＤチップ５３をＬＥＤチップ２０の代わりに有することが発光装置１００と相違する。発光装置１０４において、発光装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 104 is different from thelight emitting device 100 in that the sealingmaterial 37 is provided in place of the sealingmaterial 31. Further, thelight emitting device 104 is different from thelight emitting device 100 in that the first LED chip 51, thesecond LED chip 52, and thethird LED chip 53 are provided in place of theLED chip 20. In thelight emitting device 104, the same components as those of thelight emitting device 100 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　封止材３７は、蛍光材料３０を含有しないことが封止材３１と相違する。蛍光材料３０を含有しないこと以外の封止材３７の構成及び機能は、封止材３１の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。封止材３７は、第１ＬＥＤチップ５１、第２ＬＥＤチップ５２及び第３ＬＥＤチップ５３のそれぞれを覆うように配置される。Theencapsulant 37 is different from theencapsulant 31 in that it does not contain thefluorescent material 30. Since the configuration and function of theencapsulant 37 other than not containing thefluorescent material 30 are the same as the configuration and function of theencapsulant 31, detailed description thereof will be omitted here. The sealingmaterial 37 is arranged so as to cover each of the first LED chip 51, thesecond LED chip 52, and thethird LED chip 53.

　第１ＬＥＤチップ５１は、ＬＥＤチップ２０と同様に、出射する光の波長域が４４０ｎｍ～４５５ｎｍの青色発光する半導体素子であり、図１１Ａにおいて文字「Ｂ」が付される。第２ＬＥＤチップ５２は、出射する光の波長域が５０５ｎｍ～５５５ｎｍのＩｎＧａＮ系化合物半導体等により形成される緑色発光する半導体素子であり、図１１Ａにおいて文字「Ｇ」が付される。第３ＬＥＤチップ５３は、出射する光の波長域が６２０ｎｍ～７５０ｎｍのＧａＡｓＰ系化合物半導体等により形成される赤色発光する半導体素子であり、図１１Ａにおいて文字「Ｒ」が付される。Like theLED chip 20, the first LED chip 51 is a semiconductor element that emits blue light having a wavelength range of 440 nm to 455 nm, and the letter "B" is added in FIG. 11A. Thesecond LED chip 52 is a semiconductor element that emits green light and is formed of an InGaN-based compound semiconductor or the like having a wavelength range of emitted light of 505 nm to 555 nm, and is designated by the letter “G” in FIG. 11A. Thethird LED chip 53 is a semiconductor element that emits red light and is formed of a GaAsP-based compound semiconductor or the like having a wavelength range of emitted light of 620 nm to 750 nm, and is designated by the letter “R” in FIG. 11A.

　第１ＬＥＤチップ５１が出射する青色は第１の色の光の一例であり、第２ＬＥＤチップ５２が出射する緑色は第２の色の光の一例であり、第３ＬＥＤチップ５３が出射する赤色は第３の光の一例である。The blue color emitted by the first LED chip 51 is an example of light of the first color, the green color emitted by thesecond LED chip 52 is an example of light of the second color, and the red color emitted by thethird LED chip 53 is the first. It is an example of the light of 3.

　発光装置１０４の製造方法は、第１ＬＥＤチップ５１、第２ＬＥＤチップ５２及び第３ＬＥＤチップ５３をＬＥＤチップ２０の代わりに実装すること以外は、発光装置１００の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。The manufacturing method of thelight emitting device 104 is the same as the manufacturing method of thelight emitting device 100 except that the first LED chip 51, thesecond LED chip 52, and thethird LED chip 53 are mounted in place of theLED chip 20, and thus a detailed description thereof will be given here. Is omitted.

　発光装置１０４では、第１ＬＥＤチップ５１、第２ＬＥＤチップ５２及び第３ＬＥＤチップ５３は視認可能な第１領域１７に配置されないので、輝度が低い発光の間でも第１ＬＥＤチップ５１、第２ＬＥＤチップ５２及び第３ＬＥＤチップ５３が輝度ムラとして視認されるおそれがない。In thelight emitting device 104, since the first LED chip 51, thesecond LED chip 52, and thethird LED chip 53 are not arranged in the visiblefirst region 17, the first LED chip 51, thesecond LED chip 52, and thesecond LED chip 52 are not arranged even during low-luminance light emission. 3 There is no possibility that theLED chip 53 will be visually recognized as uneven brightness.

　また、発光装置１０４では、第１ＬＥＤチップ５１、第２ＬＥＤチップ５２及び第３ＬＥＤチップ５３は視認可能な第１領域１７に配置されず、封止材３７は蛍光材料３０を含有せず、蛍光材料３０を含有しない導光材３３が第１領域１７に配置されるため、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 104, the first LED chip 51, thesecond LED chip 52, and thethird LED chip 53 are not arranged in the visiblefirst region 17, the sealingmaterial 37 does not contain thefluorescent material 30, and thefluorescent material 30 is not contained. Since thelight guide material 33 that does not contain the above is arranged in thefirst region 17, the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　第３ＬＥＤチップ５３が、ＧａＡＳ系の赤色発光半導体素子で温度特性が悪い素子の場合、青色発光半導体素子である第１ＬＥＤチップ５１と同じ実装基板上に実装されると、第１ＬＥＤチップ５１の発熱の影響を受けてしまう可能性がある。そこで、発光装置１０４において、第３ＬＥＤチップ５３を、青色発光半導体素子の周囲を、青色光を吸収して赤色光を出射する赤色蛍光材料を含有する樹脂で封止したＬＥＤパッケージで置き換えるようにしても良い。このようなＬＥＤパッケージを利用することで、温度上昇の影響が各色を発光するチップ又はパッケージ間で同じにすることが可能となる。When thethird LED chip 53 is a GaAS-based red light emitting semiconductor element having poor temperature characteristics, when it is mounted on the same mounting substrate as the first LED chip 51 which is a blue light emitting semiconductor element, the heat generated by the first LED chip 51 is generated. It may be affected. Therefore, in thelight emitting device 104, thethird LED chip 53 is replaced with an LED package in which the periphery of the blue light emitting semiconductor element is sealed with a resin containing a red fluorescent material that absorbs blue light and emits red light. Is also good. By using such an LED package, it is possible to make the influence of the temperature rise the same between the chips or packages that emit light of each color.

　さらに、発光装置１０４において、第２ＬＥＤチップ５２を、青色発光半導体素子の周囲を、青色光を吸収して緑光を出射する緑色蛍光材料を含有する樹脂で封止した第１ＬＥＤパッケージで置き換え、第３ＬＥＤチップ５３を、青色発光半導体素子の周囲を、青色光を吸収して赤色光を出射する赤色蛍光材料を含有する樹脂で封止した第２ＬＥＤパッケージで置き換えるようにして良い。この場合でも、第１ＬＥＤチップ５１、第１ＬＥＤパッケージ、及び、第２ＬＥＤパッケージは、反射材３２に覆われるので、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 104, thesecond LED chip 52 is replaced with a first LED package in which the periphery of the blue light emitting semiconductor element is sealed with a resin containing a green fluorescent material that absorbs blue light and emits green light, and the third LED is used. Thechip 53 may be replaced with a second LED package in which the periphery of the blue light emitting semiconductor element is sealed with a resin containing a red fluorescent material that absorbs blue light and emits red light. Even in this case, since the first LED chip 51, the first LED package, and the second LED package are covered with thereflective material 32, the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　発光装置１０４では、実装基板１１の代わりに、発光装置１０２で記載したシボ加工が施された第１領域４７を有する実装基板４１を使用しても良い。また、発光装置１０４では、導光材３３の代わりに、発光装置１０３で記載した表面がディンプル加工されている導光材３６を使用しても良い。さらに、発光装置１０４では、シボ加工が施された第１領域４７を有する実装基板４１及び表面がディンプル加工されている導光材３６を両方用いても良い。In thelight emitting device 104, instead of the mountingboard 11, the mountingboard 41 having thefirst region 47 subjected to the grain processing described in thelight emitting device 102 may be used. Further, in thelight emitting device 104, instead of thelight guide material 33, thelight guide material 36 whose surface is dimple-processed may be used as described in thelight emitting device 103. Further, in thelight emitting device 104, both the mountingsubstrate 41 having thefirst region 47 which has been textured and thelight guide material 36 whose surface is dimple-processed may be used.

　図１２Ａは発光装置１００の第１変形例に係る発光装置１０５の断面図であり、図１２Ｂは発光装置１００の第２変形例に係る発光装置１０６の断面図であり、図１２Ｃは発光装置１００の第３変形例に係る発光装置１０７の断面図である。図１２Ａ～１２Ｃは、図１Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図に対応する断面図である。12A is a cross-sectional view of thelight emitting device 105 according to the first modification of thelight emitting device 100, FIG. 12B is a cross-sectional view of thelight emitting device 106 according to the second modification of thelight emitting device 100, and FIG. 12C is a cross-sectional view of thelight emitting device 100. It is sectional drawing of thelight emitting device 107 which concerns on the 3rd modification of. 12A to 12C are cross-sectional views corresponding to the cross-sectional views taken along the line AA shown in FIG. 1A.

　発光装置１０５～１０７のそれぞれは、封止材３１と反射材３２との間に配置される充填材３８を有することが発光装置１００と相違する。発光装置１０５～１０７において、発光装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Each of thelight emitting devices 105 to 107 is different from thelight emitting device 100 in that it has afiller 38 arranged between the sealingmaterial 31 and thereflective material 32. In thelight emitting devices 105 to 107, the same components as those of thelight emitting device 100 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　充填材３８は、導光材３３と同様に、蛍光材料３０が含有されないシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、封止材３１を覆うように配置される。発光装置１０５では、充填材３８は、封止材３１の全面を覆うように配置される。発光装置１０６では、充填材３８は、封止材３１の導光材３３に接する面を除く面を覆うように配置され、発光装置１０７では、充填材３８は、封止材３１の導光材３３に接する面の反対の面を除く面を覆うように配置される。Like thelight guide material 33, thefiller 38 is a synthetic resin such as a silicone resin that does not contain thefluorescent material 30, and is arranged so as to cover the sealingmaterial 31. In thelight emitting device 105, thefiller 38 is arranged so as to cover the entire surface of the sealingmaterial 31. In thelight emitting device 106, thefiller 38 is arranged so as to cover the surface of the sealingmaterial 31 other than the surface in contact with thelight guide material 33, and in thelight emitting device 107, thefiller 38 is the light guide material of the sealingmaterial 31. It is arranged so as to cover a surface other than the surface opposite to the surface in contact with 33.

　上述した発光装置１０３及び１０４において、上記の発光装置１０５～１０７と同様に、封止材３１と反射材３２との間に充填材を配置しても良い。封止材３１と反射材３２との間に充填材を配置することにより、ＬＥＤチップ２０及び封止材３１から出射された光のうち、反射材３２で吸収される光の量を低減できるので、効率よく第１領域１７に光を導光させることができる。In the above-mentionedlight emitting devices 103 and 104, a filler may be arranged between the sealingmaterial 31 and thereflective material 32 in the same manner as in the above-mentionedlight emitting devices 105 to 107. By arranging the filler between the sealingmaterial 31 and thereflective material 32, the amount of light absorbed by thereflective material 32 among the light emitted from theLED chip 20 and the sealingmaterial 31 can be reduced. The light can be efficiently guided to thefirst region 17.

　図１３Ａは発光装置１００の第４変形例に係る発光装置１０８の断面図であり、図１３Ｂは発光装置１００の第５変形例に係る発光装置１０９の断面図である。図１３Ａ及び１３Ｂは、図１Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図に対応する断面図である。FIG. 13A is a cross-sectional view of thelight emitting device 108 according to the fourth modification of thelight emitting device 100, and FIG. 13B is a cross-sectional view of thelight emitting device 109 according to the fifth modification of thelight emitting device 100. 13A and 13B are cross-sectional views corresponding to the cross-sectional views taken along the line AA shown in FIG. 1A.

　発光装置１０８及び１０９のそれぞれは、導光材３３を覆うように配置される拡散層３９を有することが発光装置１００と相違する。発光装置１０８及び１０９において、発光装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Each of thelight emitting devices 108 and 109 is different from thelight emitting device 100 in that it has adiffusion layer 39 arranged so as to cover thelight guide material 33. In thelight emitting devices 108 and 109, the same components as those of thelight emitting device 100 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　拡散層３９は、シリカ及び酸化チタン等により形成されたフィラーが含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、導光材３３を覆うように配置される。発光装置１０８及び１０９では、拡散層３９は、導光材３３の全面を覆うように配置される。なお、発光装置１０９では、導光材３３は、第１領域１７に加えて封止材３１を覆うように配置される。Thediffusion layer 39 is a synthetic resin such as a silicone resin containing a filler formed of silica, titanium oxide, or the like, and is arranged so as to cover thelight guide material 33. In thelight emitting devices 108 and 109, thediffusion layer 39 is arranged so as to cover the entire surface of thelight guide material 33. In thelight emitting device 109, thelight guide material 33 is arranged so as to cover the sealingmaterial 31 in addition to thefirst region 17.

　上述した、発光装置１０１～１０７において、上記の発光装置１０８及び１０９と同様に、導光材３３又は３６の上に、拡散層を配置しても良い。拡散層を導光材３３又は３６の上に配置することによって、輝度ムラを更に低減することができる。In the above-mentionedlight emitting devices 101 to 107, the diffusion layer may be arranged on thelight guide material 33 or 36 in the same manner as the above-mentionedlight emitting devices 108 and 109. By arranging the diffusion layer on thelight guide material 33 or 36, the uneven brightness can be further reduced.

　図１４は発光装置１００の第６変形例に係る発光装置１１０の平面図であり、図１５は発光装置１００の第７変形例に係る発光装置１１１の平面図であり、図１６は発光装置１００の第８変形例に係る発光装置１１２の平面図である。発光装置１１０～１１２のＡ－Ａ線に沿う断面図は、図１Ｂと同様である。14 is a plan view of thelight emitting device 110 according to the sixth modification of thelight emitting device 100, FIG. 15 is a plan view of thelight emitting device 111 according to the seventh modification of thelight emitting device 100, and FIG. 16 is a plan view of thelight emitting device 100. It is a top view of thelight emitting device 112 which concerns on the 8th modification of. The cross-sectional view of thelight emitting devices 110 to 112 along the line AA is the same as that of FIG. 1B.

　発光装置１１０～１１２のそれぞれは、第１封止材８１及び第２封止材８２を封止材３１の代わりに有することが発光装置１００と相違する。発光装置１１０～１１２において、発光装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Each of thelight emitting devices 110 to 112 differs from thelight emitting device 100 in that thefirst sealing material 81 and thesecond sealing material 82 are provided in place of the sealingmaterial 31. In thelight emitting devices 110 to 112, the same components as those of thelight emitting device 100 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　第１封止材８１は、ＬＥＤチップ２０から出射された光を吸収して黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光材料が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂である。この場合、ＬＥＤチップ２０から光が出射されたとき、ＬＥＤチップ２０から出射された青色の光と、第１封止材８１に含有された蛍光材料から出射された黄色の光とが混色された例えば色温度が６５００Ｋである寒色の白色光が第１封止材８１から出射される。Thefirst encapsulant 81 is a synthetic resin such as a silicone resin containing an orthosilicate fluorescent material activated by europium that absorbs the light emitted from theLED chip 20 and emits yellow light. In this case, when the light is emitted from theLED chip 20, the blue light emitted from theLED chip 20 and the yellow light emitted from the fluorescent material contained in thefirst sealing material 81 are mixed. For example, cold white light having a color temperature of 6500 K is emitted from thefirst encapsulant 81.

　なお、第１封止材８１は、ＬＥＤチップ２０から出射された光を吸収して黄色の光を出射するセリウムで付活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光材料が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であっても良い。この場合、ＬＥＤチップ２０から光が出射されたとき、ＬＥＤチップ２０から出射された青色の光と、第１封止材８１に含有された蛍光材料から出射された黄色の光とが混色された例えば色温度が６５００Ｋである寒色の白色光が第１封止材８１から出射される。Thefirst encapsulant 81 is a silicone containing a YAG (yttrium aluminum garnet) fluorescent material activated by cerium that absorbs the light emitted from theLED chip 20 and emits yellow light. It may be a synthetic resin such as a resin. In this case, when the light is emitted from theLED chip 20, the blue light emitted from theLED chip 20 and the yellow light emitted from the fluorescent material contained in thefirst sealing material 81 are mixed. For example, cold white light having a color temperature of 6500 K is emitted from thefirst encapsulant 81.

　第２封止材８２は、ＬＥＤチップ２０から出射された光を吸収して黄色の光を出射するセリウムで付活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光材料、及び赤色の光を出射するユーロピウム固溶のＣａＡｌＳｉＮ₃蛍光材料が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂である。ＬＥＤチップ２０から光が出射されたとき、ＬＥＤチップ２０から出射された青色の光と、第２封止材８２に含有された蛍光材料から出射された緑色及び赤色の光とが混色された例えば色温度が２７００Ｋである暖色の白色光が第２封止材８２から出射される）。Thesecond encapsulant 82 emits a YAG (yttrium aluminum garnet) fluorescent material activated by cerium that absorbs the light emitted from theLED chip 20 and emits yellow light, and emits red light. It is a synthetic resin such as a silicone resin containing_{a CaAlSiN 3} fluorescent material which is a solid solution of europium. When the light is emitted from theLED chip 20, the blue light emitted from theLED chip 20 and the green and red light emitted from the fluorescent material contained in thesecond encapsulant 82 are mixed, for example. Warm white light having a color temperature of 2700 K is emitted from the second encapsulant 82).

　なお、第２封止材８２は、ＬＥＤチップ２０から出射された光を吸収して緑色の光を出射するセリウムで付活されたＹＡＧ系蛍光材料、及び赤色の光を出射するユーロピウム固溶のＣａＡｌＳｉＮ₃蛍光材料が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であっても良い。ＬＥＤチップ２０から光が出射されたとき、ＬＥＤチップ２０から出射された青色の光と、第２封止材８２に含有された蛍光材料から出射された緑色及び赤色の光とが混色された例えば色温度が２７００Ｋである暖色の光が第１封止材８１から出射される。
Thesecond encapsulant 82 is a YAG-based fluorescent material activated by cerium that absorbs the light emitted from theLED chip 20 and emits green light, and a solid solution of europium that emits red light. It may be a synthetic resin such as a silicone resin containing a CaAlSiN_{3 fluorescent material.} When the light is emitted from theLED chip 20, the blue light emitted from theLED chip 20 and the green and red light emitted from the fluorescent material contained in thesecond encapsulant 82 are mixed, for example. Warm-colored light having a color temperature of 2700 K is emitted from thefirst sealing material 81.

　発光装置１１０において、一対の第１封止材８１及び一対の第２封止材８２のそれぞれは、対向する一対の辺に互いに平行に延伸するように配置される。発光装置１１１において、第一対の１封止材８１及び一対の第２封止材８２のそれぞれは、隣接する一対の辺に互いに直交する方向に延伸するように配置される。発光装置１１２において、第１封止材８１及び第２封止材８２のそれぞれは、隣接する一対の辺に延伸するように配置される。In thelight emitting device 110, each of the pair offirst encapsulant 81 and the pair ofsecond encapsulant 82 is arranged so as to extend parallel to each other on the pair of opposite sides. In thelight emitting device 111, each of the pair offirst encapsulant 81 and the pair ofsecond encapsulant 82 is arranged so as to extend in a direction orthogonal to each other on a pair of adjacent sides. In thelight emitting device 112, each of thefirst sealing material 81 and thesecond sealing material 82 is arranged so as to extend to a pair of adjacent sides.

　なお、発光装置１１０～１１２において、１６個の全てのＬＥＤチップ２０が一対の電極対であるアノード電極１３及びカソード電極１４に接続されるが、ＬＥＤチップ２０は、二対の電極対に接続されてもよい。ＬＥＤチップ２０が二対の電極対の接続されるとき、一方の電極対には第１封止材８１によって封止されるＬＥＤチップ２０が接続され、他方の電極対には第２封止材８２によって封止されるＬＥＤチップ２０が接続される。In thelight emitting devices 110 to 112, all 16LED chips 20 are connected to theanode electrode 13 and thecathode electrode 14 which are a pair of electrode pairs, but the LED chips 20 are connected to two pairs of electrodes. You may. When theLED chip 20 is connected to two pairs of electrodes, theLED chip 20 sealed by thefirst encapsulant 81 is connected to one electrode pair, and the second encapsulant is connected to the other electrode pair. TheLED chip 20 sealed by 82 is connected.

　また、発光装置１０１～１０３、及び、１０５～１０９では、封止材３１又は封止材３４は、同一の蛍光材料３０を含有するが、発光装置１１０～１１２の様に、配置される領域毎に応じて異なる蛍光材料を含有してもよい。Further, in thelight emitting devices 101 to 103 and 105 to 109, the sealingmaterial 31 or the sealingmaterial 34 contains thesame fluorescent material 30, but each region is arranged like thelight emitting devices 110 to 112. It may contain different fluorescent materials depending on the environment.

　図１７Ａは第６実施形態に係る発光装置１１３の平面図であり、図１７Ｂは図１７Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。FIG. 17A is a plan view of thelight emitting device 113 according to the sixth embodiment, and FIG. 17B is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 17A.

　発光装置１１３は、封止材２３１、反射材２３２、導光材２３３、及び、拡散層２３４の構成が、発光装置１００と相違する。発光装置１１３において、発光装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 113 is different from thelight emitting device 100 in the configurations of the sealingmaterial 231, thereflective material 232, thelight guide material 233, and thediffusion layer 234. In thelight emitting device 113, the same components as those of thelight emitting device 100 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　発光装置１１３は、第１領域１７及び第１領域１７の周辺に配置される第２領域１８を有する基板１０と、１６個のＬＥＤチップ２０と、封止材２３１と、反射材２３２と、導光材２３３と、拡散層２３４とを有する。封止材２３１はＬＥＤチップ２０から出射された第１波長を有する第１光を吸収して第１波長と異なる第２波長を有する第２光を出射する蛍光材料３０を含有し、導光材２３３は蛍光材料３０を含有しない。封止材２３１及び導光材２３３はＬＥＤチップ２０から出射された第１光及び蛍光材料３０から出射された第２光を透過し、反射材２３２は第１光及び第２光を反射する。導光材２３３は、平面視したときに、外縁が封止材２３１に重畳するように配置される。Thelight emitting device 113 includes asubstrate 10 having afirst region 17 and asecond region 18 arranged around thefirst region 17, 16LED chips 20, a sealingmaterial 231 and areflective material 232, and a guide. It has alight material 233 and adiffusion layer 234. Theencapsulant 231 contains afluorescent material 30 that absorbs the first light having a first wavelength emitted from theLED chip 20 and emits a second light having a second wavelength different from the first wavelength, and is a light guide material. 233 does not contain thefluorescent material 30. The sealingmaterial 231 and thelight guide material 233 transmit the first light emitted from theLED chip 20 and the second light emitted from thefluorescent material 30, and thereflector 232 reflects the first light and the second light. Thelight guide material 233 is arranged so that the outer edge thereof overlaps with the sealingmaterial 231 when viewed in a plan view.

　発光装置１１３では、ＬＥＤチップ２０は外部から視認可能な第１領域１７に配置されないので、ＬＥＤチップ２０が輝度ムラとして視認されるおそれがない。また、発光装置１１３は、蛍光材料３０を含有する封止材２３１が反射材２３２に覆われ、蛍光材料３０を含有しない導光材２３３が第１領域１７に配置されるため、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。In thelight emitting device 113, since theLED chip 20 is not arranged in thefirst region 17 that can be visually recognized from the outside, there is no possibility that theLED chip 20 is visually recognized as uneven brightness. Further, in thelight emitting device 113, since the sealingmaterial 231 containing thefluorescent material 30 is covered with thereflective material 232 and thelight guide material 233 not containing thefluorescent material 30 is arranged in thefirst region 17, the fluorescent material is turned off. The color of is not visible from the outside, and there is no risk of degrading the aesthetics.

　また、発光装置１１３では、導光材２３３は、基板１０を平面視したときに外縁が封止材２３１に重畳するように配置されるので、ＬＥＤチップ２０から出射され、反射材２３２によって反射された光は、第１領域１７に放射されるので、発光効率を高くすることができる。Further, in thelight emitting device 113, since thelight guide material 233 is arranged so that the outer edge thereof overlaps with the sealingmaterial 231 when thesubstrate 10 is viewed in a plan view, it is emitted from theLED chip 20 and reflected by thereflective material 232. Since the emitted light is radiated to thefirst region 17, the luminous efficiency can be increased.

　封止材２３１は、蛍光材料３０を含有するシリコーン樹脂等の合成樹脂である。封止材２３１は、第１領域１７の外周に沿って、アノード配線１５及びカソード配線１６の一部並びにＬＥＤチップ２０及びボンディングワイヤ２１を覆うように配置される。封止材２３１は、第１領域１７を囲む枠状の平面形状を有する。The sealingmaterial 231 is a synthetic resin such as a silicone resin containing thefluorescent material 30. The sealingmaterial 231 is arranged along the outer periphery of thefirst region 17 so as to cover a part of theanode wiring 15 and thecathode wiring 16 as well as theLED chip 20 and thebonding wire 21. The sealingmaterial 231 has a frame-shaped planar shape surrounding thefirst region 17.

　封止材２３１に含有される蛍光材料３０は、ＬＥＤチップ２０から出射される光を吸収して、ＬＥＤチップ２０から出射される光の波長である第１波長と異なる第２波長を有する第２光を出射する蛍光体である。蛍光材料３０は、例えば５５０ｎｍ～５８０ｎｍである黄色の光を出射するセレンで付活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体である。また、蛍光材料３０は、黄色の光を出射するＹＡＧ系蛍光体に加えて、ピーク波長の範囲が６００ｎｍ～６３０ｎｍである赤色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）固溶のＣａＡｌＳｉＮ₃（カルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物）蛍光体を添加されたものであってもよい。また、蛍光材料３０は、例えばピーク波長の範囲が５３５ｎｍ～５７０ｎｍである緑色の光を出射するセリウムで付活されたＹＡＧ系蛍光体を添加してもよい。Thefluorescent material 30 contained in the sealingmaterial 231 absorbs the light emitted from theLED chip 20 and has a second wavelength different from the first wavelength which is the wavelength of the light emitted from theLED chip 20. It is a phosphor that emits light. Thefluorescent material 30 is a YAG (yttrium aluminum garnet) -based fluorescent material activated by selenium that emits yellow light having a diameter of, for example, 550 nm to 580 nm._{The fluorescent material 30 is a CaAlSiN 3} (calcium) solid-soluble^{Eu 2+} (europium) that emits red light having a peak wavelength range of 600 nm to 630 nm, in addition to a YAG-based phosphor that emits yellow light. -Aluminum / silicone oxynitride) It may be the one to which a fluorescent substance is added. Further, for thefluorescent material 30, for example, a YAG-based phosphor activated with cerium that emits green light having a peak wavelength range of 535 nm to 570 nm may be added.

　なお、蛍光材料３０は、ピーク波長の範囲が４８０ｎｍ～５００ｎｍである青緑色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）で付活されたシリケイト系蛍光体、又はバリウムシリコーン酸窒化物の蛍光体であってもよい。また、蛍光材料３０は、ピーク波長の範囲が６００ｎｍ～６３０ｎｍである赤色の光を出射するＥｕ²⁺（ユーロピウム）固溶のＣａＡｌＳｉＮ₃（カルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物）蛍光体であってもよい。さらに、蛍光材料３０は、複数種の蛍光体を含んでもよい。蛍光材料３０に含まれる蛍光体の比率を相違させることで、色温度が同一であり且つ演色性が相違する発光装置を提供することができる。Thefluorescent material 30 is a silicate-based fluorescent substance activated by^{Eu 2+} (Europium) that emits blue-green light having a peak wavelength range of 480 nm to 500 nm, or a barium silicone oxynitride phosphor. There may be._{Further, the fluorescent material 30 may be a CaAlSiN 3} (calcium / aluminum / silicone oxynitride) phosphor having a solid solution of^{Eu 2+} (europium) that emits red light having a peak wavelength range of 600 nm to 630 nm. good. Further, thefluorescent material 30 may contain a plurality of types of fluorescent substances. By differentiating the ratio of the phosphors contained in thefluorescent material 30, it is possible to provide a light emitting device having the same color temperature and different color rendering properties.

　例えば、蛍光材料３０は、ピーク波長が５５０ｎｍ～５８０ｎｍである黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光体であってもよい。また、蛍光材料３０は、黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光体、及びピーク波長が４８０ｎｍ～５００ｎｍである黄色の光を出射するユーロピウム付活ストロンチウムアルミン酸塩蛍光体を含んでもよい。さらに、黄色の光を出射するユーロピウムで付活されたオルソ珪酸塩蛍光体、及び赤色の光を出射するユーロピウム固溶のカルシウム・アルミニウム・シリコーン酸窒化物蛍光体を含んでもよい。For example, thefluorescent material 30 may be an orthosilicate phosphor activated with europium that emits yellow light having a peak wavelength of 550 nm to 580 nm. Further, thefluorescent material 30 includes an orthosilicate phosphor activated with europium that emits yellow light, and a europium-activated strontium aluminate phosphor that emits yellow light having a peak wavelength of 480 nm to 500 nm. It may be included. Further, it may contain a europium-activated orthosilicate phosphor that emits yellow light, and a europium solid-soluble calcium-aluminum-silicone oxynitride phosphor that emits red light.

　反射材２３２は、酸化チタン等の反射性の微粒子が分散されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、ＬＥＤチップ２０から出射される青色の光及び封止材２３１に含有される蛍光材料３０から出射される黄色の光を反射する。反射材２３２は、アノード配線１５及びカソード配線１６の一部を覆い且つ第１領域１７を囲むように配置される。反射材２３２は、第１領域１７を囲む枠状の平面形状を有する。Thereflective material 232 is a synthetic resin such as a silicone resin in which reflective fine particles such as titanium oxide are dispersed, and is emitted from the blue light emitted from theLED chip 20 and thefluorescent material 30 contained in the sealingmaterial 231. Reflects the yellow light that is produced. Thereflective material 232 is arranged so as to cover a part of theanode wiring 15 and thecathode wiring 16 and surround thefirst region 17. Thereflective material 232 has a frame-shaped planar shape surrounding thefirst region 17.

　反射材２３２は、導光材２３３に沿って、封止材２３１の上側及び第１領域１７と反対側を覆うように形成されている。そのため、封止材２３１の第１領域１７側には、反射材２３２による開口部９０が形成されることとなる。複数のＬＥＤチップ２０から出射された第１の色の光及び蛍光材料３０から出射される第２の色の光は、反射材２３２に反射して開口部９０から導光材２３３に出射する。Thereflective material 232 is formed along thelight guide material 233 so as to cover the upper side of the sealingmaterial 231 and the side opposite to thefirst region 17. Therefore, anopening 90 due to thereflective material 232 is formed on thefirst region 17 side of the sealingmaterial 231. The light of the first color emitted from the plurality ofLED chips 20 and the light of the second color emitted from thefluorescent material 30 are reflected by thereflective material 232 and emitted from theopening 90 to thelight guide material 233.

　導光材２３３は、蛍光材料３０が含有されないシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、封止材２３１から出射された光を透過させながら第１領域１７に伝搬する。導光材２３３は、基板１０を平面視したときに外縁が封止材２３１に重畳するように、反射材２３２で囲まれた第１領域１７に開口部９０に隣接して配置される。導光材２３３の高さは、第１領域１７の中央部が一番高く、発光領域の外縁に向かうに従って徐々に低くなるように配置される。導光材２３３はチクソ性が高いものが好ましい。Thelight guide material 233 is a synthetic resin such as a silicone resin that does not contain thefluorescent material 30, and propagates to thefirst region 17 while transmitting the light emitted from the sealingmaterial 231. Thelight guide material 233 is arranged adjacent to theopening 90 in thefirst region 17 surrounded by thereflective material 232 so that the outer edge thereof overlaps with the sealingmaterial 231 when thesubstrate 10 is viewed in a plan view. The height of thelight guide material 233 is arranged so as to be highest in the central portion of thefirst region 17 and gradually decrease toward the outer edge of the light emitting region. Thelight guide material 233 is preferably one having a high chixo property.

　導光材２３３の屈折率は、例えば１．４６である。導光材２３３が拡散層２３４よりも高い屈折率を有することで、導光材２３３と拡散層との間の臨界角が大きくなり、封止材２３１から出射された光は、導光材２３３と拡散層２３４との間で全反射し易くなる。封止材２３１から出射された光は、導光材２３３と拡散層２３４との間で全反射し易くなることで、導光材２３３の内部で発光領域の中央部まで導光され、発光装置１１３は、輝度ムラなく面発光させることができる。The refractive index of thelight guide material 233 is, for example, 1.46. Since thelight guide material 233 has a higher refractive index than thediffusion layer 234, the critical angle between thelight guide material 233 and the diffusion layer becomes large, and the light emitted from the sealingmaterial 231 is thelight guide material 233. And thediffusion layer 234 are easily totally reflected. The light emitted from the sealingmaterial 231 is easily totally reflected between thelight guide material 233 and thediffusion layer 234, so that the light is guided to the center of the light emitting region inside thelight guide material 233 and is guided to the center of the light emitting region. The 113 can be surface-emitted without uneven brightness.

　拡散層２３４は、二酸化ケイ素等により形成されるフィラー、及び酸化チタン等が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、略矩形状の平面形状を有する。拡散層２３４の屈折率は、例えば１．４１である。Thediffusion layer 234 is a synthetic resin such as a filler formed of silicon dioxide or the like and a silicone resin containing titanium oxide or the like, and has a substantially rectangular planar shape. The refractive index of thediffusion layer 234 is, for example, 1.41.

　拡散層２３４の表面の高さは、反射材２３２の高さと概ね等しく、全面に亘って略均一の高さを有する。拡散層２３４の表面が略均一の高さを有し且つ導光材２３３の高さは、第１領域１７の中央部から外縁に向かって徐々に低くなるので、拡散層２３４の厚さは、第１領域１７の中央部が一番薄く、第１領域１７の外縁に向かうに従って徐々に厚くなる。The height of the surface of thediffusion layer 234 is substantially equal to the height of thereflective material 232, and has a substantially uniform height over the entire surface. Since the surface of thediffusion layer 234 has a substantially uniform height and the height of thelight guide material 233 gradually decreases from the central portion of thefirst region 17 toward the outer edge, the thickness of thediffusion layer 234 is determined. The central portion of thefirst region 17 is the thinnest, and gradually becomes thicker toward the outer edge of thefirst region 17.

　拡散層２３４は、封止材２３１から出射され、導光材２３３によって導光された光を拡散して混色性を向上させる。拡散層２３４は、反射材２３２に囲まれた第１領域１７に導光材２３３を覆うように配置され、封止材２３１から出射され、導光材２３３によって導光された光を第１領域１７の全体に亘って上面から面発光させて外部に出射する。Thediffusion layer 234 is emitted from the sealingmaterial 231 and diffuses the light guided by thelight guide material 233 to improve the color mixing property. Thediffusion layer 234 is arranged in thefirst region 17 surrounded by thereflective material 232 so as to cover thelight guide material 233, and the light emitted from the sealingmaterial 231 and guided by thelight guide material 233 is transmitted to the first region. The entire surface of 17 is emitted from the upper surface to emit light to the outside.

　図１８は、発光装置１１３の発光状態を示す図である。図１８は、図１７Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。図１８において、一点鎖線の矢印線は、ＬＥＤチップ２０から出射された光の光路を示す。FIG. 18 is a diagram showing a light emitting state of thelight emitting device 113. FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 17A. In FIG. 18, the alternate long and short dash arrow line indicates the optical path of the light emitted from theLED chip 20.

　ＬＥＤチップ２０から出射された青色の光は、封止材２３１を覆う反射材２３２に反射すると共に、導光材２３３及び拡散層２３４が配置される第１領域１７を介して発光装置１１３から外部に出射される。また、ＬＥＤチップ２０から出射された青色の光の一部は、封止材２３１に含有される蛍光材料３０に吸収されて黄色の光として蛍光材料３０から出射される。The blue light emitted from theLED chip 20 is reflected by thereflective material 232 covering the sealingmaterial 231 and is external from thelight emitting device 113 via thefirst region 17 in which thelight guide material 233 and thediffusion layer 234 are arranged. Is emitted to. Further, a part of the blue light emitted from theLED chip 20 is absorbed by thefluorescent material 30 contained in theencapsulant 231 and emitted from thefluorescent material 30 as yellow light.

　図１９～図２４を用いて、発光装置１１３の製造方法を説明する。図１９は第１工程を示し、図２０は第２工程を示し、図２１は第３工程を示し、図２２は第４工程を示し、図２３は第５工程を示し、図２４は第６工程を示す。図１９～図２４において、Ａ図面は平面図であり、Ｂ図面は図１７Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図に対応する断面図である。A method of manufacturing thelight emitting device 113 will be described with reference to FIGS. 19 to 24. 19 shows the first step, FIG. 20 shows the second step, FIG. 21 shows the third step, FIG. 22 shows the fourth step, FIG. 23 shows the fifth step, and FIG. 24 shows the sixth step. The process is shown. 19 to 24, the drawing A is a plan view, and the drawing B is a cross-sectional view corresponding to a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 17A.

　第１工程において、基板１０が提供される。次いで、第２工程において、１６個のＬＥＤチップ２０が第１領域１７の外周に沿って第２領域１８に実装される。１６個のＬＥＤチップ２０は、４個ずつ第１領域１７の一辺に沿って実装される。次いで、第３工程において、１６個のＬＥＤチップ２０がアノード配線１５とカソード配線１６との間に４個ずつボンディングワイヤ２１によって直列接続される。第１領域１７の一辺に沿って実装される４個のＬＥＤチップ２０の一端に配置されるＬＥＤチップ２０は、アノード配線１５にボンディングワイヤ２１を介して接続される。また、第１領域１７の一辺に沿って実装される４個のＬＥＤチップ２０の他端に配置されるＬＥＤチップ２０は、カソード配線１６にボンディングワイヤ２１を介して接続される。Thesubstrate 10 is provided in the first step. Next, in the second step, 16LED chips 20 are mounted in thesecond region 18 along the outer circumference of thefirst region 17. The 16LED chips 20 are mounted four by four along one side of thefirst region 17. Next, in the third step, 16LED chips 20 are connected in series between theanode wiring 15 and thecathode wiring 16 by 4bonding wires 21 each. The LED chips 20 arranged at one end of the fourLED chips 20 mounted along one side of thefirst region 17 are connected to theanode wiring 15 via thebonding wire 21. Further, the LED chips 20 arranged at the other ends of the fourLED chips 20 mounted along one side of thefirst region 17 are connected to thecathode wiring 16 via thebonding wire 21.

　次いで、第４工程において、封止材２３１がＬＥＤチップ２０及びボンディングワイヤ２１を覆うように配置される。まず、蛍光材料３０を含む封止材２３１の固化前の樹脂がＬＥＤチップ２０及びボンディングワイヤ２１を覆うように配置される。次いで、基板１０を加熱することにより封止材２３１の固化前の樹脂が固化することで、封止材２３１が形成される。Next, in the fourth step, the sealingmaterial 231 is arranged so as to cover theLED chip 20 and thebonding wire 21. First, the resin before solidification of the sealingmaterial 231 containing thefluorescent material 30 is arranged so as to cover theLED chip 20 and thebonding wire 21. Next, the resin before solidification of the sealingmaterial 231 is solidified by heating thesubstrate 10, whereby the sealingmaterial 231 is formed.

　次いで、第５工程において、導光材２３３が封止材２３１の内壁を覆うように第１領域１７に配置される。導光材２３３の固化前の樹脂が封止材２３１の頂部及び内壁を覆うように配置される。まず、導光材２３３の固化前の樹脂は、第１領域１７の中央部から外縁に向かって高さが低くなる山型に配置される。導光材２３３は、固化前のチクソ性が高い樹脂を用いることにより、中央に頂部を有する山型の配置が可能となる。次いで、基板１０を加熱することにより導光材２３３の固化前の樹脂が固化することで、導光材２３３が形成される。Next, in the fifth step, thelight guide material 233 is arranged in thefirst region 17 so as to cover the inner wall of the sealingmaterial 231. The resin before solidification of thelight guide material 233 is arranged so as to cover the top and inner walls of the sealingmaterial 231. First, the resin before solidification of thelight guide material 233 is arranged in a mountain shape in which the height decreases from the central portion of thefirst region 17 toward the outer edge. By using a resin having a high thixo property before solidification, thelight guide material 233 can be arranged in a mountain shape having a top in the center. Next, by heating thesubstrate 10, the resin before solidification of thelight guide material 233 is solidified, so that thelight guide material 233 is formed.

　次いで、第６工程において、反射材２３２は、封止材２３１を全面に亘って覆い且つ導光材２３３の外縁を覆うように、第１領域１７に沿って配置される。まず、反射材２３２の固化前の樹脂が封止材２３１を覆うように配置される。次いで、基板１０を加熱することにより反射材２３２の固化前の樹脂が固化することで、反射材２３２が形成される。Next, in the sixth step, thereflective material 232 is arranged along thefirst region 17 so as to cover the entire surface of the sealingmaterial 231 and the outer edge of thelight guide material 233. First, the resin before solidification of thereflective material 232 is arranged so as to cover the sealingmaterial 231. Next, by heating thesubstrate 10, the resin before solidification of thereflective material 232 is solidified, so that thereflective material 232 is formed.

　次いで、第７工程（不図示）において、拡散層２３４は、反射材２３２の内側に、導光材２３３を覆うように配置される。まず、拡散層２３４の固化前の樹脂は、反射材２３２の内側に、表面の高さが略均一であり且つ導光材２３３を覆うように配置される。次いで、基板１０を加熱することにより拡散層２３４の固化前の樹脂が固化することで、拡散層２３４が形成されて、発光装置１１３の製造工程が終了する。Next, in the seventh step (not shown), thediffusion layer 234 is arranged inside thereflective material 232 so as to cover thelight guide material 233. First, the resin before solidification of thediffusion layer 234 is arranged inside thereflective material 232 so as to have a substantially uniform surface height and cover thelight guide material 233. Next, by heating thesubstrate 10, the resin before solidification of thediffusion layer 234 is solidified, so that thediffusion layer 234 is formed and the manufacturing process of thelight emitting device 113 is completed.

　発光装置１１３では、ＬＥＤチップ２０は外部から視認可能な第１領域１７に配置されないので、ＬＥＤチップ２０がホットスポットとも称される輝度ムラとして視認されるおそれがない。また、発光装置１１３では、輝度ムラが発生するおそれがないので、発光装置１１３を搭載する照明器具等の発光器具において、輝度ムラを制御することはなく、高輝度の照明が実現できる。In thelight emitting device 113, since theLED chip 20 is not arranged in thefirst region 17 that can be visually recognized from the outside, there is no possibility that theLED chip 20 is visually recognized as uneven brightness, which is also called a hot spot. Further, since thelight emitting device 113 does not have a possibility of causing uneven brightness, it is possible to realize high-brightness lighting without controlling the uneven brightness in a light emitting device such as a lighting device equipped with thelight emitting device 113.

　また、発光装置１１３は、蛍光材料３０を含有する封止材２３１が、反射材である反射材２３２に覆われ、蛍光材料３０を含有しない導光材２３３が第１領域１７に配置される。発光装置１１３は、蛍光材料３０が第１領域１７に配置されないため、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 113, the sealingmaterial 231 containing thefluorescent material 30 is covered with thereflective material 232, and thelight guide material 233 not containing thefluorescent material 30 is arranged in thefirst region 17. In thelight emitting device 113, since thefluorescent material 30 is not arranged in thefirst region 17, the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　また、発光装置１１３では、１６個のＬＥＤチップ２０は何れも単一の実装基板１１に実装されるので、１６個のＬＥＤチップ２０の全ての温度変化が互いに連動し、温度特性に依存する発光特性が互いにばらつくおそれが低い。Further, in thelight emitting device 113, since all 16LED chips 20 are mounted on a single mountingboard 11, all the temperature changes of the 16LED chips 20 are interlocked with each other, and light emission depends on the temperature characteristics. There is little risk that the characteristics will vary from each other.

　また、発光装置１１３では、導光体として機能する導光材２３３が第１領域１７に配置されるので、輝度ムラがない光を出射することができる。また、発光装置１では、導光材２３３が拡散層２３４よりも高い屈折率を有するので、導光材２３３の内部で発光領域の中央部まで導光され、発光装置１は、輝度ムラなく面発光させることができる。Further, in thelight emitting device 113, since thelight guide material 233 that functions as a light guide is arranged in thefirst region 17, it is possible to emit light without uneven brightness. Further, in thelight emitting device 1, since thelight guide material 233 has a higher refractive index than thediffusion layer 234, the light guide is guided to the central portion of the light emitting region inside thelight emitting material 233, and thelight emitting device 1 has a surface without uneven brightness. It can be made to emit light.

　また、発光装置１１３では、拡散層２３４の厚さは、第１領域１７の中央部が一番薄く、第１領域１７の外縁に向かうに従って徐々に厚くなるので、第１領域１７の中央部は、第１領域１７の外縁部よりも光を透過し易い。発光装置１１３では、ＬＥＤチップ２０は、第１領域１７の外周を囲むように配置されるので、第１領域１７の中央部は、第１領域１７の外縁よりもＬＥＤチップ２０から到達する光の光量が少ない。発光装置１１３では、拡散層２３４の厚さを第１領域１７の外縁よりも第１領域１７の中央部で薄くすることで、ＬＥＤチップ２０との間の距離に起因する第１領域１７の中央部と外縁との間で輝度ムラの発生を抑制することができる。Further, in thelight emitting device 113, the thickness of thediffusion layer 234 is the thinnest in the central portion of thefirst region 17, and gradually increases toward the outer edge of thefirst region 17, so that the central portion of thefirst region 17 is formed. , It is easier to transmit light than the outer edge of thefirst region 17. In thelight emitting device 113, since theLED chip 20 is arranged so as to surround the outer periphery of thefirst region 17, the central portion of thefirst region 17 is the light arriving from theLED chip 20 rather than the outer edge of thefirst region 17. The amount of light is low. In thelight emitting device 113, the thickness of thediffusion layer 234 is made thinner at the central portion of thefirst region 17 than at the outer edge of thefirst region 17, so that the center of thefirst region 17 is caused by the distance from theLED chip 20. It is possible to suppress the occurrence of uneven brightness between the portion and the outer edge.

　図２５Ａは第７実施形態に係る発光装置１１４の平面図であり、図２５Ｂは図２５Ａに示すＢ－Ｂ線に沿う断面図である。FIG. 25A is a plan view of thelight emitting device 114 according to the seventh embodiment, and FIG. 25B is a cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG. 25A.

　発光装置１１４は、枠部材２３５及び遮蔽部材２３６を反射材２３２の代わりに有し、拡散層２３７を拡散層２３４の代わりに有することが発光装置１１３と相違する。発光装置１１４において、発光装置１１３と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 114 differs from thelight emitting device 113 in that theframe member 235 and the shieldingmember 236 are provided in place of thereflective material 232 and thediffusion layer 237 is provided in place of thediffusion layer 234. In thelight emitting device 114, the same components as those of thelight emitting device 113 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　枠部材２３５は、反射材２３２と同様に、酸化チタン等の反射性の微粒子が分散されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、導光材２３３及び遮蔽部材２３６の高さ以上の高さで、且つ反射材２３６を囲むように配置され、枠状の平面形状を有する。Similar to thereflective material 232, theframe member 235 is a synthetic resin such as a silicone resin in which reflective fine particles such as titanium oxide are dispersed, and has a height equal to or higher than the height of thelight guide material 233 and the shieldingmember 236. Moreover, it is arranged so as to surround thereflective material 236 and has a frame-like planar shape.

　遮蔽部材２３６は、反射材２３２と同様に、酸化チタン等の反射性の微粒子が分散されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、ＬＥＤチップ２０及び蛍光材料３０から出射された光を反射する。また、遮蔽部材２３６は、含有される反射性の微粒子の含有率が反射材２３２及び枠部材２３５よりも低く、ＬＥＤチップ２０及び蛍光材料３０から出射された光の一部を透過する。遮蔽部材２３６の透過率は、３０％以上であり且つ７０％以下であることが好ましく、４０％以上であり且つ６０％以下であることが更に好ましい。遮蔽部材２３６がＬＥＤチップ２０及び蛍光材料３０から出射された光の一部を透過することで、遮蔽部材２３６の上方において輝度ムラの発生が抑制される。Similar to thereflective material 232, the shieldingmember 236 is a synthetic resin such as a silicone resin in which reflective fine particles such as titanium oxide are dispersed, and reflects the light emitted from theLED chip 20 and thefluorescent material 30. Further, the shieldingmember 236 has a lower content of the reflective fine particles contained than thereflective material 232 and theframe member 235, and transmits a part of the light emitted from theLED chip 20 and thefluorescent material 30. The transmittance of the shieldingmember 236 is preferably 30% or more and 70% or less, and more preferably 40% or more and 60% or less. Since the shieldingmember 236 transmits a part of the light emitted from theLED chip 20 and thefluorescent material 30, the occurrence of luminance unevenness is suppressed above the shieldingmember 236.

　発光装置１１４では、枠部材２３５及び遮蔽部材２３６が、発光装置１１３の反射材２３２の役目を果たしている。すなわち、枠部材２３５及び遮蔽部材２３６は、封止材２３１の上側及び第１領域１７とは反対側に配置されて、封止材２３１から出射された光を反射して、反射光を導光材２３３側に導いている。In thelight emitting device 114, theframe member 235 and the shieldingmember 236 serve as thereflective material 232 of thelight emitting device 113. That is, theframe member 235 and the shieldingmember 236 are arranged on the upper side of the sealingmaterial 231 and on the side opposite to thefirst region 17, and reflect the light emitted from the sealingmaterial 231 to guide the reflected light. It leads to thematerial 233 side.

　拡散層２３７は、拡散層２３４と同様に、二酸化ケイ素等により形成されるフィラー、及び酸化チタン等が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂である。拡散層２３７の表面は、平坦でもよいし、第１領域１７の中央部が頂となる凸形状もしくは第１領域１７の中央部が底となる凹形状であってもよい。拡散層２３７中央部の厚さは、拡散層２３７の外縁部の厚さよりも薄い。拡散層２３４と同様に、拡散層２３７の厚さは、第１領域１７の中央部が一番薄く、第１領域１７の外縁に向かうに従って徐々に厚くなる。Like thediffusion layer 234, thediffusion layer 237 is a synthetic resin such as a silicone resin containing a filler formed of silicon dioxide or the like and titanium oxide or the like. The surface of thediffusion layer 237 may be flat, or may have a convex shape with the central portion of thefirst region 17 at the top or a concave shape with the central portion of thefirst region 17 at the bottom. The thickness of the central portion of thediffusion layer 237 is thinner than the thickness of the outer edge portion of thediffusion layer 237. Similar to thediffusion layer 234, the thickness of thediffusion layer 237 is the thinnest in the central portion of thefirst region 17, and gradually increases toward the outer edge of thefirst region 17.

　図２６及び図２７を用いて、発光装置１１４の製造方法を説明する。発光装置１１４を製造する第１工程～第５工程は、図１９～図２３に示した、発光装置１１３を製造する第１工程～第５工程と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。図２６は図２５に示す発光装置１１４の製造方法の第６工程を示す図であり、図２７は図２５に示す発光装置１１４の製造方法の第７工程を示す図である。図２６及び２７において、Ａ図面は平面図であり、Ｂ図面はＡ図面に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図である。A method of manufacturing thelight emitting device 114 will be described with reference to FIGS. 26 and 27. Since the first to fifth steps for manufacturing thelight emitting device 114 are the same as the first to fifth steps for manufacturing thelight emitting device 113 shown in FIGS. 19 to 23, detailed description thereof will be omitted here. FIG. 26 is a diagram showing a sixth step of the manufacturing method of thelight emitting device 114 shown in FIG. 25, and FIG. 27 is a diagram showing a seventh step of the manufacturing method of thelight emitting device 114 shown in FIG. 25. In FIGS. 26 and 27, the drawing A is a plan view, and the drawing B is a cross-sectional view taken along the line BB shown in the drawing A.

　第５工程において導光材２３３が配置された後、第６工程において、封止材２３１の周囲を囲むように枠部材２３５が配置される。まず、枠部材２３５の固化前の樹脂が封止材２３１を囲むように配置される。枠部材２３５の固化前の樹脂は、チクソ性が高く、壁状の配置が可能となる。次いで、基板１０を加熱することにより枠部材２３５の固化前の樹脂が固化することで、枠部材２３５が形成される。After thelight guide material 233 is arranged in the fifth step, theframe member 235 is arranged so as to surround the periphery of the sealingmaterial 231 in the sixth step. First, the resin before solidification of theframe member 235 is arranged so as to surround the sealingmaterial 231. The resin before solidification of theframe member 235 has a high ticking property and can be arranged in a wall shape. Next, theframe member 235 is formed by solidifying the resin before solidification of theframe member 235 by heating thesubstrate 10.

　次いで、第７工程において、遮蔽部材２３６は、封止材２３１を全面に亘って覆い且つ導光材２３３の外縁を覆うように、枠部材２３５の内壁に沿って配置される。まず、遮蔽部材２３６の固化前の樹脂が封止材２３１を覆うように枠部材２３５の内壁に沿って配置される。次いで、基板１０を加熱することにより遮蔽部材２３６の固化前の樹脂が固化することで、遮蔽部材２３６が形成される。また、第６工程は第７工程以前にあればよく、例えば第３工程の後でも構わない。Next, in the seventh step, the shieldingmember 236 is arranged along the inner wall of theframe member 235 so as to cover the entire surface of the sealingmaterial 231 and the outer edge of thelight guide material 233. First, the resin before solidification of the shieldingmember 236 is arranged along the inner wall of theframe member 235 so as to cover the sealingmaterial 231. Next, by heating thesubstrate 10, the resin before solidification of the shieldingmember 236 is solidified, whereby the shieldingmember 236 is formed. Further, the sixth step may be performed before the seventh step, for example, after the third step.

　そして、第８工程（不図示）において、拡散層２３７は、枠部材２３５の内側に、導光材２３３を覆うように配置される。まず、拡散層２３７の固化前の樹脂は、枠部材２３５の内側に、第１領域１７の中央部が底になる凹型となり且つ導光材２３３を覆うように配置される。次いで、基板１０を加熱することにより拡散層２３７の固化前の樹脂が固化することで、拡散層２３７が形成される。Then, in the eighth step (not shown), thediffusion layer 237 is arranged inside theframe member 235 so as to cover thelight guide material 233. First, the resin before solidification of thediffusion layer 237 is arranged inside theframe member 235 so as to have a concave shape with the central portion of thefirst region 17 at the bottom and to cover thelight guide material 233. Next, by heating thesubstrate 10, the resin before solidification of thediffusion layer 237 is solidified, so that thediffusion layer 237 is formed.

　発光装置１１４は、第１光及び第２光を反射する枠部材２３５によって第１領域１７が囲まれるので、第１光及び第２光を効率よく第１領域１７の上方に出射することができる。Since thefirst region 17 is surrounded by theframe member 235 that reflects the first light and the second light, thelight emitting device 114 can efficiently emit the first light and the second light above thefirst region 17. ..

　また、発光装置１１４では、発光装置１１３と同様に、拡散層２３７の厚さを第１領域１７の外縁よりも第１領域１７の中央部で薄くすることで、ＬＥＤチップ２０との間の距離に起因する第１領域１７の中央部と外縁との間で輝度ムラの発生を抑制することができる。なお、発光装置１１４では、拡散層２３７の表面が第１領域１７の中央部が底となる球面状の凹部であるため、第１領域１７の中央部における拡散層２３７の厚さを薄くして、輝度ムラの発生をさら抑制することができる。Further, in thelight emitting device 114, similarly to thelight emitting device 113, the thickness of thediffusion layer 237 is made thinner at the central portion of thefirst region 17 than at the outer edge of thefirst region 17, so that the distance between the light emittingdevice 114 and theLED chip 20 is reduced. It is possible to suppress the occurrence of uneven brightness between the central portion and the outer edge of thefirst region 17 due to the above. In thelight emitting device 114, since the surface of thediffusion layer 237 is a spherical recess whose bottom is the central portion of thefirst region 17, the thickness of thediffusion layer 237 in the central portion of thefirst region 17 is reduced. , The occurrence of uneven brightness can be further suppressed.

　また、発光装置１１４では、ＬＥＤチップ２０及び蛍光材料３０から出射された青色及び黄色の光の一部は、遮蔽部材２３６を透過して拡散層２３７を介して発光装置１１４から外部に出射されるので、遮蔽部材２３６の上方に暗部が生じて輝度ムラが発生することを防止できる。なお、遮蔽部材２３６の透過率は、３０％以上であり且つ７０％以下であることが好ましく、光は多少透過させるが、外部から蛍光材料の色は視認することができない。したがって、発光装置１１４は、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 114, a part of the blue and yellow light emitted from theLED chip 20 and thefluorescent material 30 passes through the shieldingmember 236 and is emitted to the outside from thelight emitting device 114 via thediffusion layer 237. Therefore, it is possible to prevent a dark portion from being generated above the shieldingmember 236 and causing uneven brightness. The transmittance of the shieldingmember 236 is preferably 30% or more and 70% or less, and although light is transmitted to some extent, the color of the fluorescent material cannot be visually recognized from the outside. Therefore, in thelight emitting device 114, the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　図２８Ａは第８実施形態に係る発光装置１１５の平面図であり、図２８Ｂは図２８Ａに示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。FIG. 28A is a plan view of thelight emitting device 115 according to the eighth embodiment, and FIG. 28B is a cross-sectional view taken along the line CC shown in FIG. 28A.

　発光装置１１５は、導光材２３８及び複数のドット状の樹脂２３９を、導光材２３３及び拡散層２３４の代わりに有することが発光装置１１３と相違する。発光装置１１５において、発光装置１１３と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 115 differs from thelight emitting device 113 in that it has thelight guide material 238 and a plurality of dot-shapedresins 239 instead of thelight guide material 233 and thediffusion layer 234. In thelight emitting device 115, the same components as those of thelight emitting device 113 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　導光材２３８は、表面の高さが略均一であることが導光材２３３と相違する。表面の高さが均一であること以外の導光材２３８の構成及び機能は、導光材２３３の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。Thelight guide material 238 is different from thelight guide material 233 in that the height of the surface is substantially uniform. Since the configuration and function of thelight guide material 238 other than the uniform height of the surface are the same as the configuration and function of thelight guide material 233, detailed description thereof will be omitted here.

　複数のドット状の樹脂２３９は、樹脂ドットとも称され、二酸化ケイ素等により形成されるフィラー、及び酸化チタン等の白色樹脂が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、導光材２３８の表面に配置される。複数のドット状の樹脂２３９は、配置ピッチが第１領域１７の中央部から外縁に向かって徐々に広くなるように配置される。The plurality of dot-shapedresins 239, also referred to as resin dots, are synthetic resins such as a silicone resin containing a filler formed of silicon dioxide or the like and a white resin such as titanium oxide, and are the surfaces of thelight guide material 238. Placed in. The plurality of dot-shapedresins 239 are arranged so that the arrangement pitch gradually widens from the central portion of thefirst region 17 toward the outer edge.

　発光装置１１５の製造方法は、複数のドット状の樹脂２３９を拡散層２３４の代わりに配置すること以外は、発光装置１１３の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。The manufacturing method of thelight emitting device 115 is the same as the manufacturing method of thelight emitting device 113 except that a plurality of dot-shapedresins 239 are arranged in place of thediffusion layer 234, and therefore detailed description thereof will be omitted here.

　発光装置１１５は、複数のドット状の樹脂２３９が第１領域１７の中央部から外縁に向かって配置ピッチが徐々に広くなるように配置されるので、輝度ムラが低い光を出射することができる。なお、複数のドット状の樹脂２３９の配置の方法は、発光装置１１５で示した方法に限定されず、輝度ムラが低くなるようにできれば、他の配置方法であっても良い。Since thelight emitting device 115 is arranged so that the arrangement pitch of the plurality of dot-shapedresins 239 gradually increases from the central portion of thefirst region 17 toward the outer edge, it is possible to emit light having low luminance unevenness. .. The method of arranging the plurality of dot-shapedresins 239 is not limited to the method shown by thelight emitting device 115, and other arrangement methods may be used as long as the luminance unevenness can be reduced.

　図２９Ａは第９実施形態に係る発光装置１１６の平面図であり、図２９Ｂは図２９Ａに示すＤ－Ｄ線に沿う断面図である。FIG. 29A is a plan view of thelight emitting device 116 according to the ninth embodiment, and FIG. 29B is a cross-sectional view taken along the line DD shown in FIG. 29A.

　発光装置１１６は、導光材２４０を導光材２３３の代わりに有し、且つ、拡散層２３４を有さないことが発光装置１１３と相違する。発光装置１１６において、発光装置１１３と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 116 is different from thelight emitting device 113 in that it has thelight guide material 240 instead of thelight guide material 233 and does not have thediffusion layer 234. In thelight emitting device 116, the same components as those of thelight emitting device 113 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　導光材２４０は、表面がディンプル加工されることが導光材２３３と相違する。表面がディンプル加工されること以外の導光材２４０の構成及び機能は、導光材２３３の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。導光材２４０の表面に形成されるディンプルの深さは、第１領域１７の中央部から外縁に向かって徐々に浅くなるように形成される。Thelight guide material 240 is different from thelight guide material 233 in that the surface is dimple-processed. Since the configuration and function of thelight guide material 240 other than the surface being dimple-processed are the same as the configuration and function of thelight guide material 233, detailed description thereof will be omitted here. The depth of the dimples formed on the surface of thelight guide material 240 is formed so as to gradually become shallower from the central portion of thefirst region 17 toward the outer edge.

　発光装置１１６の製造方法は、導光材２３３が配置された後に、導光材２３３の表面にディンプル加工を施すこと以外は、発光装置１１３の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。なお、導光材２３３の表面のディンプル加工は、例えば導光材２３３の表面にレーザ加工を施すことで形成される。導光材２３３の表面は、ディンプルの深さが第１領域１７の中央部から外縁に向かって徐々に浅くなるディンプル加工される。ディンプル加工された部分の内側は、空洞（空気）であっても良いし、透明樹脂などを充填しても良い。ディンプル加工された部分の内側に投影樹脂層を充填すれば、ディンプル形状が摩耗して光学特性が劣化することを防止できる。また、導光材２４０の屈折率より、空気及び透明樹脂の屈折率は低いので、ディンプル加工された部分は低屈折率層としても機能する。Since the manufacturing method of thelight emitting device 116 is the same as the manufacturing method of thelight emitting device 113 except that the surface of thelight guide material 233 is dimple-processed after thelight guide material 233 is arranged, detailed description thereof is omitted here. do. The dimple processing on the surface of thelight guide material 233 is formed by, for example, laser processing the surface of thelight guide material 233. The surface of thelight guide material 233 is dimple-processed so that the depth of the dimples gradually becomes shallower from the central portion of thefirst region 17 toward the outer edge. The inside of the dimple-processed portion may be a cavity (air) or may be filled with a transparent resin or the like. By filling the inside of the dimple-processed portion with the projection resin layer, it is possible to prevent the dimple shape from being worn and the optical characteristics from being deteriorated. Further, since the refractive index of air and the transparent resin is lower than the refractive index of thelight guide material 240, the dimple-processed portion also functions as a low refractive index layer.

　発光装置１１６は、導光材２４０の表面がディンプル加工されているので、拡散層２３４を配置することなく、輝度ムラの発生を抑制することができる。なお、ディンプルの配置及び各ディンプルの高さは、発光装置１１６に示した配置及び高さでなくても、輝度ムラが低くなるようにできれば、他の配置方法であっても良い。Since the surface of thelight guide material 240 is dimple-processed in thelight emitting device 116, it is possible to suppress the occurrence of uneven luminance without arranging thediffusion layer 234. The arrangement of the dimples and the height of each dimple may not be the arrangement and height shown in thelight emitting device 116, but may be another arrangement method as long as the luminance unevenness can be reduced.

　また、発光装置１１６では、平坦な第１領域１７を有する実装基板１１が使用されるが、導光材２４０の表面がディンプル加工されると共に、第１領域１７の表面がシボ加工されている実装基板を使用しても良い。Further, in thelight emitting device 116, a mountingsubstrate 11 having a flatfirst region 17 is used, but the surface of thelight guide material 240 is dimple-processed and the surface of thefirst region 17 is textured. A substrate may be used.

　図３０Ａは第１０実施形態に係る発光装置１１７の平面図であり、図３０Ｂは図３０Ａに示すＥ－Ｅ線に沿う断面図である。FIG. 30A is a plan view of thelight emitting device 117 according to the tenth embodiment, and FIG. 30B is a cross-sectional view taken along the line EE shown in FIG. 30A.

　発光装置１１７は、突起物２４１を有することが発光装置１１３と相違する。発光装置１１７において、発光装置１１３と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 117 is different from thelight emitting device 113 in that it has aprotrusion 241. In thelight emitting device 117, the same components as those of thelight emitting device 113 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　突起物２４１は、アルミニウム等の反射率が高い材料で形成され、円錐状の形状を有する。突起物２４１は、頂部２４２と、外縁部２４３と、側面部２４４とを有し、頂部２４２が第１領域１７の中心に位置するように配置される。頂部２４２は、突起物２４１の頂点であり、反射部材を平面視したときに中心に位置する。外縁部２４３は、頂部２４２よりも高さが低く且つ頂部２４２を囲むように配置される。側面部２４４は、頂部２４２と外縁部２４３との間に配置され、封止材２３１から出射される光を反射する。また、突起物２４１は、酸化チタン等の反射性の微粒子が分散されたシリコーン樹脂等の合成樹脂であってもよい。ここでは、円錐状の形状は、頂点２４２が丸い形状、外縁部２４３の平面形状が真円でなく凹凸を含む形状、及び側面２４３に凹凸を含む形状等の略円錐形状を含む。Theprotrusion 241 is made of a material having high reflectance such as aluminum and has a conical shape. Theprotrusion 241 has atop portion 242, anouter edge portion 243, and aside surface portion 244, and thetop portion 242 is arranged so as to be located at the center of thefirst region 17. Thetop portion 242 is the apex of theprotrusion 241 and is located at the center when the reflective member is viewed in a plan view. Theouter edge portion 243 is arranged so as to be lower in height than thetop portion 242 and surround thetop portion 242. Theside surface portion 244 is arranged between thetop portion 242 and theouter edge portion 243 and reflects the light emitted from the sealingmaterial 231. Further, theprotrusion 241 may be a synthetic resin such as a silicone resin in which reflective fine particles such as titanium oxide are dispersed. Here, the conical shape includes a substantially conical shape such as a shape in which the apex 242 is round, a shape in which the planar shape of theouter edge portion 243 is not a perfect circle but includes irregularities, and a shape in which theside surface 243 includes irregularities.

　発光装置１１７の製造方法は、突起物２４１を配置する反射部材配置工程を、発光装置１１３の製造工程において、第２工程と第３工程との間に有することが発光装置１１３の製造方法と相違する。反射部材配置工程において、突起物２４１は、接着剤によって第１領域１７の中央部に接着される。また、突起物２４１が、酸化チタン等の反射性の微粒子が分散されたシリコーン樹脂等の合成樹脂である場合、反射部材配置工程において、突起物２４１は、固化することによって第１領域１７の中央部に接着される。The manufacturing method of thelight emitting device 117 is different from the manufacturing method of thelight emitting device 113 in that the reflecting member arranging step for arranging theprotrusions 241 is provided between the second step and the third step in the manufacturing process of thelight emitting device 113. do. In the reflective member arranging step, theprotrusion 241 is adhered to the central portion of thefirst region 17 by an adhesive. Further, when theprotrusion 241 is a synthetic resin such as a silicone resin in which reflective fine particles such as titanium oxide are dispersed, theprotrusion 241 is solidified in the center of thefirst region 17 in the reflective member arranging step. It is glued to the part.

　発光装置１１７は、突起物２４１が第１領域１７の中央部に配置されることで、第１領域１７の中央部から出射される光の輝度が向上し、第１領域１７の中央部と外縁との間で輝度ムラの発生を抑制することができる。なお、発光装置１１７が有する突起物２４１は、円錐状の形状を有するが、四角錐状を含む多角錐状の形状を有してもよい。なお、ここでは、多角錐状の形状は、頂点が丸い形状、外縁部の平面形状が直線で結線された多角形状でなく凹凸を含む形状、及び側面に凹凸を含む形状等の略多角錐形状を含む。In thelight emitting device 117, theprotrusion 241 is arranged in the central portion of thefirst region 17, so that the brightness of the light emitted from the central portion of thefirst region 17 is improved, and the central portion and the outer edge of thefirst region 17 are improved. It is possible to suppress the occurrence of uneven brightness between the two. Theprotrusion 241 of thelight emitting device 117 has a conical shape, but may have a polygonal pyramid shape including a quadrangular pyramid shape. Here, the polygonal pyramid shape is a substantially polygonal pyramid shape such as a shape having a round apex, a shape including unevenness instead of a polygonal shape in which the planar shape of the outer edge is connected by a straight line, and a shape including unevenness on the side surface. including.

　図３１Ａは第１１実施形態に係る発光装置１１８の平面図であり、図３１Ｂは図３１Ａに示すＦ－Ｆ線に沿う断面図である。FIG. 31A is a plan view of thelight emitting device 118 according to the eleventh embodiment, and FIG. 31B is a cross-sectional view taken along the line FF shown in FIG. 31A.

　発光装置１１８は、基板２５０を基板１０の代わりに有することが発光装置１１３と相違する。発光装置１１８において、発光装置１１３と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 118 is different from thelight emitting device 113 in that thesubstrate 250 is provided in place of thesubstrate 10. In thelight emitting device 118, the same components as those of thelight emitting device 113 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　基板２５０は、実装基板２５１を実装基板１１の代わりに有することが基板１０と相違する。実装基板２５１以外の基板２５０の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された基板１０の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。Theboard 250 differs from theboard 10 in that it has a mountingboard 251 in place of the mountingboard 11. Since the components and functions of theboard 250 other than the mountingboard 251 are the same as the components and functions of theboard 10 to which the same reference numerals are given, detailed description thereof will be omitted here.

　実装基板２５１は、第１領域２５７を第１領域１７の代わりに有することが実装基板１１と相違する。第１領域２５７以外の実装基板２５１の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された実装基板１１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。第１領域２５７は、シボ加工されていることが第１領域１７と相違する。The mountingboard 251 differs from the mountingboard 11 in that it has afirst region 257 instead of thefirst region 17. Since the configurations and functions of the components of the mountingboard 251 other than thefirst region 257 are the same as the configurations and functions of the components of the mountingboard 11 having the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted here. Thefirst region 257 is different from thefirst region 17 in that it is textured.

　発光装置１１８の製造方法は、第１領域２５７がシボ加工されている実装基板２５１を使用すること以外は、発光装置１１３の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。なお、第１領域２５７のシボ加工は、例えば実装基板２５１の発光領域５７以外の領域をマスクした状態で、エッチングすることで形成される。Since the manufacturing method of thelight emitting device 118 is the same as the manufacturing method of thelight emitting device 113 except that the mountingsubstrate 251 in which thefirst region 257 is textured is used, detailed description thereof will be omitted here. The graining of thefirst region 257 is formed by etching, for example, in a state where the region other than thelight emitting region 57 of the mountingsubstrate 251 is masked.

　発光装置１１８は、第１領域２５７がシボ加工されているので、封止材２３１を出射して第１領域２５７に入射した光は、第１領域２５７において拡散されて外部に出射される。Since thefirst region 257 of thelight emitting device 118 is textured, the light emitted from the sealingmaterial 231 and incident on thefirst region 257 is diffused in thefirst region 257 and emitted to the outside.

　図３２Ａは第１２実施形態に係る発光装置１１９の平面図であり、図３２Ｂは図３２Ａに示すＧ－Ｇ線に沿う断面図である。FIG. 32A is a plan view of thelight emitting device 119 according to the twelfth embodiment, and FIG. 32B is a cross-sectional view taken along the line GG shown in FIG. 32A.

　発光装置１１９は、封止材２６０を封止材２３１の代わりに有すること、且つ、第１ＬＥＤチップ２６１、第２ＬＥＤチップ２６２及び第３ＬＥＤチップ２６３をＬＥＤチップ２０の代わりに有することが発光装置１１４と相違する。発光装置１１９において、発光装置１１４と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 119 has the sealingmaterial 260 in place of the sealingmaterial 231 and has the first LED chip 261 and the second LED chip 262 and thethird LED chip 263 in place of theLED chip 20. It's different. In thelight emitting device 119, the same components as those of thelight emitting device 114 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　封止材２６０は、蛍光材料３０を含有しないことが封止材２３１と相違する。蛍光材料３０を含有しないこと以外の封止材２６０の構成及び機能は、封止材２３１の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。封止材２６０は、第１ＬＥＤチップ２６１、第２ＬＥＤチップ２６２及び第３ＬＥＤチップ２６３のそれぞれを覆うように配置される。Theencapsulant 260 is different from theencapsulant 231 in that it does not contain thefluorescent material 30. Since the configuration and function of theencapsulant 260 other than not containing thefluorescent material 30 are the same as the configuration and function of theencapsulant 231, detailed description thereof will be omitted here. Theencapsulant 260 is arranged so as to cover each of the first LED chip 261 and the second LED chip 262 and thethird LED chip 263.

　第１ＬＥＤチップ２６１は、ＬＥＤチップ２０と同様に、出射する光の波長域が４４０ｎｍ～４５５ｎｍの青色発光する半導体素子であり、図３２Ａにおいて文字「Ｂ」が付される。第２ＬＥＤチップ２６２は、出射する光の波長域が５０５ｎｍ～５５５ｎｍのＩｎＧａＮ系化合物半導体等により形成される緑色発光する半導体素子であり、図３２Ａにおいて文字「Ｇ」が付される。第３ＬＥＤチップ２６３は、出射する光の波長域が６２０ｎｍ～７５０ｎｍのＧａＡｓＰ系化合物半導体等により形成される赤色発光する半導体素子であり、図３２Ａにおいて文字「Ｒ」が付される。Like theLED chip 20, the first LED chip 261 is a semiconductor element that emits blue light having a wavelength range of 440 nm to 455 nm, and the letter "B" is added in FIG. 32A. The second LED chip 262 is a semiconductor element that emits green light and is formed of an InGaN-based compound semiconductor or the like having a wavelength range of emitted light of 505 nm to 555 nm, and is designated by the letter “G” in FIG. 32A. Thethird LED chip 263 is a semiconductor element that emits red light and is formed of a GaAsP-based compound semiconductor or the like having a wavelength range of emitted light of 620 nm to 750 nm, and is designated by the letter “R” in FIG. 32A.

　第１ＬＥＤチップ２６１が出射する光は第１波長を有する第１光の一例であり、第２ＬＥＤチップ２６２が出射する光は第２波長を有する第２光の一例であり、第３ＬＥＤチップ２６３が出射する光は第３波長を有する第３光の一例である。The light emitted by the first LED chip 261 is an example of the first light having the first wavelength, the light emitted by the second LED chip 262 is an example of the second light having the second wavelength, and the light emitted by thethird LED chip 263 is emitted. The light to be emitted is an example of the third light having a third wavelength.

　発光装置１１９の製造方法は、第１ＬＥＤチップ２６１、第２ＬＥＤチップ２６２及び第３ＬＥＤチップ２６３をＬＥＤチップ２０の代わりに実装すること以外は、発光装置１１４の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。The manufacturing method of thelight emitting device 119 is the same as the manufacturing method of thelight emitting device 114 except that the first LED chip 261 and the second LED chip 262 and thethird LED chip 263 are mounted instead of theLED chip 20, so detailed description thereof will be given here. Is omitted.

　発光装置１１９では、第１ＬＥＤチップ２６１、第２ＬＥＤチップ２６２及び第３ＬＥＤチップ２６３は視認可能な第１領域１７に配置されないので、輝度が低い発光の間でも第１ＬＥＤチップ２６１、第２ＬＥＤチップ２６２及び第３ＬＥＤチップ２６３が輝度ムラとして視認されるおそれがない。In thelight emitting device 119, since the first LED chip 261 and the second LED chip 262 and thethird LED chip 263 are not arranged in the visiblefirst region 17, the first LED chip 261 and the second LED chip 262 and the second LED chip 262 and the second LED chip 262 are not arranged even during low-luminance light emission. There is no possibility that the3LED chip 263 is visually recognized as uneven brightness.

　また、発光装置１１９では、平坦な面である第１領域１７を有する実装基板１１が使用されるが、第１領域１７がシボ加工されている実装基板を使用しても良い。さらに、発光装置１１９では、第１領域１７がシボ加工されている実装基板、及び、表面がディンプル加工されている導光材、の両方を使用しても良い。Further, in thelight emitting device 119, the mountingboard 11 having thefirst region 17 which is a flat surface is used, but the mounting board in which thefirst region 17 is textured may be used. Further, in thelight emitting device 119, both a mounting substrate on which thefirst region 17 is textured and a light guide material whose surface is dimple-processed may be used.

　図３３Ａは第１３実施形態に係る発光装置１２０の平面図であり、図３３Ｂは図３３Ａに示すＨ－Ｈ線に沿う断面図である。33A is a plan view of thelight emitting device 120 according to the thirteenth embodiment, and FIG. 33B is a cross-sectional view taken along the line HH shown in FIG. 33A.

　発光装置１２０は、第１封止材２７１、第２封止材２７２及び第３封止材２７３を封止材２３１の代わりに有することが発光装置１１４と相違する。発光装置１２０において、発光装置１１４と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 120 differs from thelight emitting device 114 in that thelight emitting device 120 has thefirst sealing material 271, thesecond sealing material 272, and thethird sealing material 273 instead of the sealingmaterial 231. In thelight emitting device 120, the same components as those of thelight emitting device 114 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　第１封止材２７１は、青色の光を吸収して黄色の光を出射するＹＡＧ等の蛍光体を含有するシリコーン樹脂等の合成樹脂である。第１封止材２７１によってＬＥＤチップ２０が封止されることによって、第１封止材２７１からは青色光と黄色光が混色することによって緑色光が出射される。そのために、便宜上、図３３Ａにおいて、第１封止材２７１によって封止されるＬＥＤチップ２０に、文字「Ｇ」を付している。Thefirst encapsulant 271 is a synthetic resin such as a silicone resin containing a phosphor such as YAG that absorbs blue light and emits yellow light. When theLED chip 20 is sealed by thefirst sealing material 271, green light is emitted from thefirst sealing material 271 by mixing blue light and yellow light. Therefore, for convenience, in FIG. 33A, the letter "G" is attached to theLED chip 20 sealed by thefirst sealing material 271.

　第２封止材２７２は、青色の光を吸収して赤色の光を出射するＣａＡｌＳｉＮ₃等の蛍光体を含有するシリコーン樹脂等の合成樹脂である。第２封止材２７２によってＬＥＤチップ２０が封止されることによって、第２封止材２７２からは主に赤色光が出射される。そのために、便宜上、図３３Ａにおいて、第２封止材２７２によって封止されるＬＥＤチップ２０に、文字「Ｒ」を付している。Thesecond encapsulant 272 is a synthetic resin such as a silicone resin containing a phosphor such as_{CaAlSiN 3} that absorbs blue light and emits red light. When theLED chip 20 is sealed by thesecond sealing material 272, red light is mainly emitted from thesecond sealing material 272. Therefore, for convenience, in FIG. 33A, the letter "R" is attached to theLED chip 20 sealed by thesecond sealing material 272.

　第３封止材２７３は、蛍光体を含有しないシリコーン樹脂等の合成樹脂であり、第１封止材２７１及び第２封止材２７２によって封止されたＬＥＤチップ２０、並びに第１封止材２７１及び第２封止材２７２によって封止されないＬＥＤチップ２０を封止する。第３封止材２７３のみによって封止されるＬＥＤチップ２０は、そのまま青色光を出射するので、便宜上、図３３Ａにおいて文字「Ｂ」を付している。Thethird encapsulant 273 is a synthetic resin such as a silicone resin that does not contain a phosphor, and is anLED chip 20 sealed by thefirst encapsulant 271 and thesecond encapsulant 272, and the first encapsulant. TheLED chip 20 that is not sealed by the 271 and thesecond sealing material 272 is sealed. Since theLED chip 20 sealed only by thethird sealing material 273 emits blue light as it is, the letter "B" is added in FIG. 33A for convenience.

　発光装置１２０の製造方法は、発光装置１１４の製造工程の第４工程において第１封止材２７１～第３封止材２７３を封止材２３１の代わりに配置すること以外は、発光装置１１４の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。The method for manufacturing thelight emitting device 120 is that thelight emitting device 114 is manufactured except that thefirst sealing material 271 to thethird sealing material 273 are arranged in place of the sealingmaterial 231 in the fourth step of the manufacturing process of thelight emitting device 114. Since it is the same as the manufacturing method, detailed description thereof will be omitted here.

　図３４Ａは第１４実施形態に係る発光装置１２１の平面図であり、図３４Ｂは図３４Ａに示すＩ－Ｉ線に沿う断面図である。FIG. 34A is a plan view of thelight emitting device 121 according to the 14th embodiment, and FIG. 34B is a cross-sectional view taken along the line II shown in FIG. 34A.

　発光装置１２１は、ＬＥＤチップ２０が第１領域１７の周囲の第２領域１８に加えて第１領域１７に実装されること、且つ、封止材２８１及び遮蔽部材２８２を新たに追加することが発光装置１１３と相違する。発光装置１２１において、発光装置１１３と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。In thelight emitting device 121, theLED chip 20 can be mounted in thefirst region 17 in addition to thesecond region 18 around thefirst region 17, and the sealingmaterial 281 and the shieldingmember 282 can be newly added. It is different from thelight emitting device 113. In thelight emitting device 121, the same components as those of thelight emitting device 113 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　発光装置１２１では、ＬＥＤチップ２０は、第２領域１８に加えて第１領域１７に実装される。第１領域１７には、４個のＬＥＤチップ２０が実装される。In thelight emitting device 121, theLED chip 20 is mounted in thefirst region 17 in addition to thesecond region 18. FourLED chips 20 are mounted in thefirst region 17.

　封止材２８１は、第１領域１７に実装される４個のＬＥＤチップ２０を覆うように配置される。封止材２８１の材質は封止材２３１と同様であり、封止材２３１に含有される蛍光材と同じ蛍光材料３０が含有される。遮蔽部材２８２は、４個のＬＥＤチップ２０を覆う封止材２８１を覆うように、導光材２３３の上部に配置される。なお、遮蔽部材２８２の材料は、図３０に示す発光装置１１６で利用した遮蔽部材２３６と同様であり、遮蔽部材２３６と同様の透過率を有することが好ましい。なお、矢印Ｈで示した箇所は、封止材２８１の内側の領域であり、この箇所にも導光材２３３が配置される。The sealingmaterial 281 is arranged so as to cover the fourLED chips 20 mounted on thefirst region 17. The material of the sealingmaterial 281 is the same as that of the sealingmaterial 231 and contains thesame fluorescent material 30 as the fluorescent material contained in the sealingmaterial 231. The shieldingmember 282 is arranged on the upper part of thelight guide material 233 so as to cover the sealingmaterial 281 that covers the fourLED chips 20. The material of the shieldingmember 282 is the same as that of the shieldingmember 236 used in thelight emitting device 116 shown in FIG. 30, and it is preferable that the material has the same transmittance as that of the shieldingmember 236. The portion indicated by the arrow H is a region inside the sealingmaterial 281, and thelight guide material 233 is also arranged at this portion.

　発光装置１２１の製造方法は、ＬＥＤチップ２０を第１領域１７に実装すること、及び第１領域１７に実装されたＬＥＤチップ２０を覆うように封止材２８１を配置すること、導光材２３１の硬化後、封止材２８１を覆うように反射材２８２を配置すること以外は、発光装置１１３の製造方法と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。なお、矢印Ｈで示した箇所に配置された導光材２３３は、封止材２８１の外側に配置された導光材２３３とは個別に固化されることが好ましい。The method for manufacturing thelight emitting device 121 is to mount theLED chip 20 in thefirst region 17, arrange the sealingmaterial 281 so as to cover theLED chip 20 mounted in thefirst region 17, andlight guide material 231. Since the method is the same as that of the manufacturing method of thelight emitting device 113 except that thereflective material 282 is arranged so as to cover the sealingmaterial 281 after the curing of the above, detailed description thereof will be omitted here. It is preferable that thelight guide material 233 arranged at the location indicated by the arrow H is solidified separately from thelight guide material 233 arranged outside the sealingmaterial 281.

　発光装置１２１では、第１領域１７にＬＥＤチップ２０が実装されるので、実装領域１７の中央部の輝度を発光装置１１３よりも高くすることができる。また、発光装置１２１では、第１領域１７に実装されるＬＥＤチップ２０を覆うように遮蔽部材２８２が配置されるので、輝度が低い発光の間でも第１領域１７に配置されるＬＥＤチップ２０が輝度ムラとして視認されるおそれがない。また、発光装置１２１では、消灯時に第１領域１７に配置される４個のＬＥＤチップ２０を封止する封止材２８１に含有される蛍光材の色が遮蔽部材２８２で遮蔽されるので、外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。In thelight emitting device 121, since theLED chip 20 is mounted on thefirst region 17, the brightness of the central portion of the mountingregion 17 can be made higher than that of thelight emitting device 113. Further, in thelight emitting device 121, since the shieldingmember 282 is arranged so as to cover theLED chip 20 mounted in thefirst region 17, theLED chip 20 arranged in thefirst region 17 is arranged even during low-luminance light emission. There is no risk of being visually recognized as uneven brightness. Further, in thelight emitting device 121, the color of the fluorescent material contained in the sealingmaterial 281 that seals the fourLED chips 20 arranged in thefirst region 17 when the light is turned off is shielded by the shieldingmember 282, so that the outside is external. There is no possibility that the aesthetics will be deteriorated because it will not be visually recognized.

　上述した発光装置１００～１０３、１０５～１１８では、第１の色である青色の光を出射するＬＥＤチップ２０が実装されるが、ＬＥＤチップ２０の代わりに第１の色の光を出射するＬＥＤチップ、及び、第１の色と異なる第２の色の光を出射するＬＥＤチップが実装されてもよい。In the above-mentionedlight emitting devices 100 to 103 and 105 to 118, theLED chip 20 that emits the first color blue light is mounted, but the LED that emits the first color light instead of theLED chip 20 is mounted. A chip and an LED chip that emits light of a second color different from the first color may be mounted.

　上述した発光装置１００～１２１では、第１領域１７は略矩形の平面形状を有するが、第１領域は円形及び矩形以外の多角形（６角形等）の平面形状を有してもよい。なお、第１領域１７が円形の平面形状を有するとき、封止材及び反射材はリング状の平面形状を有することとなる。In the above-mentionedlight emitting devices 100 to 121, thefirst region 17 has a substantially rectangular plane shape, but the first region may have a circular shape and a polygonal shape other than a rectangle (hexagon or the like). When thefirst region 17 has a circular planar shape, the sealing material and the reflective material have a ring-shaped planar shape.

　発光装置１００～１２１では、一対の電極であるアノード電極１３及びカソード電極１４を介して発光素子に電力が供給されるが、二対以上の電極を介して発光素子に電力が供給されてもよい。In thelight emitting devices 100 to 121, electric power is supplied to the light emitting element via a pair of electrodes, theanode electrode 13 and thecathode electrode 14, but power may be supplied to the light emitting element through two or more pairs of electrodes. ..

　発光装置１００～１１３、１１５、１１６、１１８、及び、１２１では、反射材３２及び２３２は、ＬＥＤチップ２０から出射される青色の光及び封止材３１及び２３１に含有される蛍光材料３０から出射される黄色の光をほぼ透過しない。しかしながら、外部から、蛍光材料の色が視認されない範囲であれば、光の一部を透過するような反射材を利用しても良い。In thelight emitting devices 100 to 113, 115, 116, 118, and 121, thereflective materials 32 and 232 are emitted from the blue light emitted from theLED chip 20 and thefluorescent material 30 contained in the sealingmaterials 31 and 231. It hardly transmits the yellow light. However, as long as the color of the fluorescent material is not visible from the outside, a reflective material that transmits a part of light may be used.

　発光装置１１３及び１１８では、拡散層２３４の表面は、全面に亘って略均一の高さを有しているが、第１領域１７の中央部が低く、周辺部が高くなるような凹部、又は、球面状の凹部であってもよい。In thelight emitting devices 113 and 118, the surface of thediffusion layer 234 has a substantially uniform height over the entire surface, but a recess or a recess such that the central portion of thefirst region 17 is low and the peripheral portion is high. , It may be a spherical concave portion.

　図３５Ａは第１５実施形態に係る発光装置１２２の平面図であり、図３５Ｂは図３５Ａに示すＡ－Ａ線に沿う断面図である。FIG. 35A is a plan view of thelight emitting device 122 according to the fifteenth embodiment, and FIG. 35B is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 35A.

　発光装置１２２は、発光装置１１４と比較して、導光材３３３の外縁部に近接して、第２領域１８に第１群（１２個）のＬＥＤチップ２０が円形に配置され、第１群のＬＥＤチップ２０の内側に第２群（１２個）のＬＥＤチップ２０が円形に配置されている点が、大きく異なる点である。また、発光装置１２２において、発光装置１１４と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。In thelight emitting device 122, the LED chips 20 of the first group (12 pieces) are arranged in a circle in thesecond region 18 in thesecond region 18 closer to the outer edge portion of thelight guide material 333 as compared with thelight emitting device 114, and the first group. The major difference is that the second group (12 pieces) of the LED chips 20 are arranged in a circle inside the LED chips 20 of the above. Further, in thelight emitting device 122, the same reference numerals are given to the same configurations as those of thelight emitting device 114, and the description thereof will be omitted.

　第１アノード電極３１３と電気的に接続されている第１アノード配線３１７、第２アノード電極３１４と電気的に接続されている第２アノード配線３１８、第１カソード電極３１５と電気的に接続されている第１カソード配線３１９、第２カソード電極３１６、及び、第２カソード電極３１６と電気的に接続されている第２カソード配線３２０が回路基板３１２の表面に銅等の導電性薄膜により形成されている。第１群のＬＥＤチップ２０は第１アノード配線３１７と第１カソード配線３１９間に直列接続され、第２群のＬＥＤチップ２０は第２アノード配線３１８と第２カソード配線３２０間に直列接続されている。It is electrically connected to thefirst anode wiring 317 electrically connected to thefirst anode electrode 313, thesecond anode wiring 318 electrically connected to thesecond anode electrode 314, and thefirst cathode electrode 315. Thefirst cathode wiring 319, thesecond cathode electrode 316, and thesecond cathode wiring 320 electrically connected to thesecond cathode electrode 316 are formed on the surface of thecircuit board 312 by a conductive thin film such as copper. There is. TheLED chip 20 of the first group is connected in series between thefirst anode wiring 317 and thefirst cathode wiring 319, and theLED chip 20 of the second group is connected in series between thesecond anode wiring 318 and thesecond cathode wiring 320. There is.

　発光装置１２２において、第１群のＬＥＤチップ２０は、第１封止材３３１により封止され、第２群のＬＥＤチップ２０は第２封止材３３２により封止されている。第１封止材３３１は、前述した発光装置１１０で記載した第２封止材８２と同じ封止材であり、その結果、第１封止材３３１からは色温度２７００Ｋの暖色の白色光が出射される。また、第２封止材３３２は、前述した発光装置１１０で記載した第１封止材８１と同じ封止材であり、その結果、第２封止材３３２からは色温度６５００Ｋの寒色の白色光が出射される。In thelight emitting device 122, theLED chip 20 of the first group is sealed by thefirst sealing material 331, and theLED chip 20 of the second group is sealed by thesecond sealing material 332. Thefirst encapsulant 331 is the same encapsulant as thesecond encapsulant 82 described in the above-mentionedlight emitting device 110, and as a result, warm white light having a color temperature of 2700 K is emitted from thefirst encapsulant 331. It is emitted. Further, thesecond encapsulant 332 is the same encapsulant as thefirst encapsulant 81 described in the above-mentionedlight emitting device 110, and as a result, thesecond encapsulant 332 is a cold white color having a color temperature of 6500 K. Light is emitted.

　第１アノード電極３１３及び第１カソード電極３１５間に所定の第１電圧を印加することにより第１封止材３３１から暖色系の白色光が出射され、第２アノード電極３１４及び第２カソード電極３１６間に所定の第２電圧を印加することにより第２封止材３３２から寒色系の白色光が出射される。したがって、第１電圧及び第２電圧の電圧値を可変することにより、発光装置１２２から出力される白色光の色度を変更すること、言い換えると調色を行うことが可能である。By applying a predetermined first voltage between thefirst anode electrode 313 and thefirst cathode electrode 315, warm-colored white light is emitted from thefirst encapsulant 331, and thesecond anode electrode 314 and thesecond cathode electrode 316 are emitted. By applying a predetermined second voltage between them, cold-colored white light is emitted from thesecond sealing material 332. Therefore, by varying the voltage values of the first voltage and the second voltage, it is possible to change the chromaticity of the white light output from thelight emitting device 122, in other words, to perform color matching.

　発光装置１２２では、発光装置１１４と同様に、導光材３３３、枠部材３３５、遮蔽部材３３６、及び、拡散層３３７を有している。発光装置１２２における導光材３３３、枠部材３３５、遮蔽部材３３６、及び、拡散層３３７の材質及び機能は、発光装置１１４で示した導光材２３３、枠部材２３５、遮蔽部材２３６、及び、拡散層２２７と比較して、同様であるので（形状のみ異なる）、説明を省略する。Thelight emitting device 122 has alight guide material 333, aframe member 335, a shieldingmember 336, and adiffusion layer 337, similarly to thelight emitting device 114. The materials and functions of thelight guide material 333, theframe member 335, the shieldingmember 336, and thediffusion layer 337 in thelight emitting device 122 are thelight guide material 233, theframe member 235, the shieldingmember 236, and the diffusion layer shown in thelight emitting device 114. Since it is the same as that of layer 227 (only the shape is different), the description thereof will be omitted.

　発光装置１２２では、枠部材３３５及び遮蔽部材３３６が、発光装置１１３の反射材２３２の役目を果たしている。すなわち、枠部材３３５及び遮蔽部材３３６は、第１封止材３３１及び第２封止材３３２の上側及び第１領域１７とは反対側に配置されて、第１封止材３３１及び第２封止材３３２から出射された光を反射して、反射光を導光材３３３側に導いている）。In thelight emitting device 122, theframe member 335 and the shieldingmember 336 serve as thereflective material 232 of thelight emitting device 113. That is, theframe member 335 and the shieldingmember 336 are arranged on the upper side of thefirst sealing material 331 and thesecond sealing material 332 and on the side opposite to thefirst region 17, and thefirst sealing material 331 and thesecond sealing material 331. The light emitted from thestop member 332 is reflected, and the reflected light is guided to thelight guide material 333 side).

　また、発光装置１２２では、第１封止材３３１及び第２封止材３３２から出射された光の一部は、遮蔽部材３３６を透過して拡散層３３７を介して発光装置１２２から外部に出射されるので、遮蔽部材３３６の上方に暗部が生じて輝度ムラが発生することを防止できる。なお、遮蔽部材３３６の透過率は、３０％以上であり且つ７０％以下であることが好ましく、光は多少透過させるが、外部から蛍光材料の色は視認することができない。したがって、発光装置１２２は、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 122, a part of the light emitted from thefirst sealing material 331 and thesecond sealing material 332 passes through the shieldingmember 336 and is emitted to the outside from thelight emitting device 122 via thediffusion layer 337. Therefore, it is possible to prevent a dark portion from being generated above the shieldingmember 336 and causing uneven brightness. The transmittance of the shieldingmember 336 is preferably 30% or more and 70% or less, and although light is transmitted to some extent, the color of the fluorescent material cannot be visually recognized from the outside. Therefore, in thelight emitting device 122, the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　発光装置１２２では、寒色系の白色光が出射される第２封止材３３２の外側に暖色系の白色光が出射される第１封止材３３１が配置されており、第１封止材３３１が第２封止材３３２から出射された光を吸収して２次吸収することを抑制するので、装置全体の効率が向上する。In thelight emitting device 122, thefirst sealing material 331 that emits warm white light is arranged outside thesecond sealing material 332 that emits cold white light, and thefirst sealing material 331 is arranged. Suppresses the absorption of the light emitted from thesecond encapsulant 332 and the secondary absorption of the light, so that the efficiency of the entire apparatus is improved.

　発光装置１２２の製造方法は、発光装置１１４の製造工程において、２重に配置した２群のＬＥＤチップを２種類の封止材で封止して、２群のＬＥＤチップのそれぞれを所定の配線電極と接続する以外は、ほぼ同様であるので、詳細な説明を省略する。In the manufacturing process of thelight emitting device 122, in the manufacturing process of thelight emitting device 114, two groups of LED chips arranged in a double manner are sealed with two kinds of sealing materials, and each of the two groups of LED chips is connected to a predetermined wiring. Since it is almost the same except that it is connected to an electrode, detailed description thereof will be omitted.

　図３６Ａは第１６実施形態に係る発光装置１２３の平面図であり、図３６Ｂは図３６Ａに示すＢ－Ｂ線に沿う断面図である。36A is a plan view of thelight emitting device 123 according to the 16th embodiment, and FIG. 36B is a cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG. 36A.

　発光装置１２３は、発光装置１２２と比較して、第１群のＬＥＤチップ２０及び第２群のＬＥＤチップ２０を封止材で封止する方式が異なる点が、大きく異なる点である。また、発光装置１２３において、発光装置１２２と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 123 is significantly different from thelight emitting device 122 in that the method of sealing theLED chip 20 of the first group and theLED chip 20 of the second group with a sealing material is different. Further, in thelight emitting device 123, the same reference numerals are given to the same configurations as those of thelight emitting device 122, and the description thereof will be omitted.

　発光装置１２３では、導光材３３３の外縁部に近接して、第２領域１８に第１群（１２個）のＬＥＤチップ２０が円形に配置され、第１群のＬＥＤチップ２０の内側に第２群（１２個）のＬＥＤチップ２０が円形に配置されており、この点は、発光装置１２２と変わりない。しかしながら、第１群のＬＥＤチップ２０及び第２群のＬＥＤチップ２０全体が、第２封止材３４２によって封止され、第１群のＬＥＤチップ２０の上面にのみ第１封止材３４１が配置されている点が異なる。In thelight emitting device 123, the LED chips 20 of the first group (12 pieces) are arranged in a circle in thesecond region 18 in the vicinity of the outer edge portion of thelight guide material 333, and the LED chips 20 of the first group are arranged inside the LED chips 20 of the first group. Two groups (12) ofLED chips 20 are arranged in a circle, and this point is the same as that of thelight emitting device 122. However, theLED chip 20 of the first group and theentire LED chip 20 of the second group are sealed by thesecond encapsulant 342, and thefirst encapsulant 341 is arranged only on the upper surface of theLED chip 20 of the first group. The point that is done is different.

　発光装置１２３において、第１封止材３４１は、前述した発光装置１１０で記載した第２封止材８２と同じ封止材であり、この結果、第１封止材３４１からは色温度２７００Ｋの暖色の白色光が出射される。また、第２封止材３４２は、前述した発光装置１１０で記載した第１封止材８１と同じ封止材であり、第２封止材３４２からは色温度６５００Ｋの寒色の白色光が出射される。図３６Ａにおいて、便宜上、第１封止材３４１が配置されている箇所に「Ｗ」を付している。In thelight emitting device 123, thefirst sealing material 341 is the same sealing material as thesecond sealing material 82 described in the above-mentionedlight emitting device 110, and as a result, the color temperature of thefirst sealing material 341 is 2700 K. Warm white light is emitted. Further, thesecond encapsulant 342 is the same encapsulant as thefirst encapsulant 81 described in the above-mentionedlight emitting device 110, and cold white light having a color temperature of 6500 K is emitted from thesecond encapsulant 342. Will be done. In FIG. 36A, “W” is attached to the portion where thefirst sealing material 341 is arranged for convenience.

　第１アノード電極３１３及び第１カソード電極３１５間に所定の第１電圧を印加することにより第１封止材３４１から暖色系の白色光が出射され、第２アノード電極３１４及び第２カソード電極３１６間に所定の第２電圧を印加することにより第２封止材３４２から寒色系の白色光が出射される。したがって、第１電圧及び第２電圧の電圧値を可変することにより、発光装置１２３から出力される白色光の色度を変更すること、言い換えると調色を行うことが可能である。By applying a predetermined first voltage between thefirst anode electrode 313 and thefirst cathode electrode 315, warm-colored white light is emitted from thefirst encapsulant 341, and thesecond anode electrode 314 and thesecond cathode electrode 316 are emitted. By applying a predetermined second voltage between them, cold-colored white light is emitted from thesecond sealing material 342. Therefore, by varying the voltage values of the first voltage and the second voltage, it is possible to change the chromaticity of the white light output from thelight emitting device 123, in other words, to perform color matching.

　発光装置１２３では、枠部材３３５及び遮蔽部材３３６は、第１封止材３４１及び第２封止材３４２の上側及び第１領域１７とは反対側に配置されて、第１封止材３４１及び第２封止材３４２から出射された光を反射して、反射光を導光材３３３側に導いている。In thelight emitting device 123, theframe member 335 and the shieldingmember 336 are arranged on the upper side of thefirst sealing material 341 and thesecond sealing material 342 and on the side opposite to thefirst region 17, and thefirst sealing material 341 and thefirst sealing material 341 and the shieldingmember 336 are arranged. The light emitted from thesecond sealing material 342 is reflected, and the reflected light is guided to thelight guide material 333 side.

　また、発光装置１２３では、第１封止材３４１及び第２封止材３４２から出射された光の一部は、遮蔽部材３３６を透過して拡散層３３７を介して発光装置１２３から外部に出射されるので、遮蔽部材３３６の上方に暗部が生じて輝度ムラが発生することを防止できる。なお、遮蔽部材３３６の透過率は、３０％以上であり且つ７０％以下であることが好ましく、光は多少透過させるが、外部から蛍光材料の色は視認することができない。したがって、発光装置１２３は、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 123, a part of the light emitted from thefirst sealing material 341 and thesecond sealing material 342 passes through the shieldingmember 336 and is emitted to the outside from thelight emitting device 123 via thediffusion layer 337. Therefore, it is possible to prevent a dark portion from being generated above the shieldingmember 336 and causing uneven brightness. The transmittance of the shieldingmember 336 is preferably 30% or more and 70% or less, and although light is transmitted to some extent, the color of the fluorescent material cannot be visually recognized from the outside. Therefore, in thelight emitting device 123, the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　さらに、発光装置１２３では、第１群のＬＥＤチップ２０と第２群のＬＥＤチップ２０を導光材３３３の外縁部に近接して交互に配置することができるので、暖色系の白色光と寒色系の白色光との混色性を向上させることが可能である。Further, in thelight emitting device 123, the LED chips 20 of the first group and the LED chips 20 of the second group can be alternately arranged close to the outer edge portion of thelight guide material 333, so that warm white light and cold colors can be arranged alternately. It is possible to improve the color mixing property with the white light of the system.

　発光装置１２３の製造方法は、発光装置１１４の製造工程において、２重に配置した２群のＬＥＤチップを２種類の封止材で封止して、２群のＬＥＤチップのそれぞれを所定の配線電極と接続する以外は、ほぼ同様であるので、詳細な説明を省略する。In the manufacturing process of thelight emitting device 123, in the manufacturing process of thelight emitting device 114, two groups of LED chips arranged in a double manner are sealed with two kinds of sealing materials, and each of the two groups of LED chips is connected to a predetermined wiring. Since it is almost the same except that it is connected to an electrode, detailed description thereof will be omitted.

　図３７Ａは第１７実施形態に係る発光装置１２４の平面図であり、図３７Ｂは図３７Ａに示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。FIG. 37A is a plan view of thelight emitting device 124 according to the 17th embodiment, and FIG. 37B is a cross-sectional view taken along the line CC shown in FIG. 37A.

　発光装置１２４は、枠部材３５０を枠部材２３５及び遮蔽部材２３６の代わりに有し、拡散層２５１を拡散層２３７の代わりに有することが発光装置１１４と相違する。発光装置１２４において、発光装置１１４と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 124 differs from thelight emitting device 114 in that theframe member 350 is provided in place of theframe member 235 and the shieldingmember 236, and thediffusion layer 251 is provided in place of thediffusion layer 237. In thelight emitting device 124, the same components as those of thelight emitting device 114 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　枠部材３５０は、反射材２３２と同様に、封止材２３１から出射された光を反射可能な材料により、成型品として個別に製造され、鉛筆硬度Ｂ以上の硬度を有し、不図示の接着材で基板１０に接着されている。Like thereflective material 232, theframe member 350 is individually manufactured as a molded product from a material capable of reflecting the light emitted from the sealingmaterial 231, has a hardness of pencil hardness B or higher, and is not shown. It is adhered to thesubstrate 10 with a material.

　拡散層３５１は、発光装置１１４の拡散層２３７と同じ材料により構成される。Thediffusion layer 351 is made of the same material as thediffusion layer 237 of thelight emitting device 114.

　発光装置１２４では、枠部材３５０が、封止材２３１の上側及び第１領域１７とは反対側を覆うように配置されて、封止材２３１から出射された光を反射して、反射光を導光材２３３側に導いている。In thelight emitting device 124, theframe member 350 is arranged so as to cover the upper side of the sealingmaterial 231 and the side opposite to thefirst region 17, and reflects the light emitted from the sealingmaterial 231 to reflect the reflected light. It leads to thelight guide material 233 side.

　発光装置１２４の製造方法は、図１９～図２３に示した発光装置１１３を製造する第１工程～第５工程の後に、成形品の枠部材３５０を基板に接着し、枠部材３５０と導光材２３３との間に拡散層３５１を形成ことで完成する。In the method of manufacturing thelight emitting device 124, after the first step to the fifth step of manufacturing thelight emitting device 113 shown in FIGS. 19 to 23, theframe member 350 of the molded product is adhered to the substrate, and theframe member 350 and the light guide are guided. It is completed by forming adiffusion layer 351 with thematerial 233.

　発光装置１２４は、第１光及び第２光を反射する枠部材３５０によって第１領域１７が囲まれるので、第１光及び第２光を効率よく第１領域１７の上方に出射することができる。Since thefirst region 17 is surrounded by theframe member 350 that reflects the first light and the second light, thelight emitting device 124 can efficiently emit the first light and the second light above thefirst region 17. ..

　また、発光装置１２４では、封止材２３３の上方を枠部材３５０で覆っているので、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 124, since the upper part of the sealingmaterial 233 is covered with theframe member 350, the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　また、発光装置１２４では、成形品の枠部材３５０を利用しているため、枠樹脂３５０の上部に平坦な箇所を設けることが可能であり、平坦な箇所を利用して、光学部品等との接続及び／又は位置決めを容易に行えるといった利点がある。さらに、発光装置１２４では、成形品の枠部材３５０を利用しているため、装置として堅牢であり、上部をユーザが触れても、ＬＥＤチップ２０を接続しているワイヤ２１等が断線する等の恐れが低い。Further, since thelight emitting device 124 uses theframe member 350 of the molded product, it is possible to provide a flat portion on the upper portion of theframe resin 350, and the flat portion can be used to connect with an optical component or the like. It has the advantage of easy connection and / or positioning. Further, since thelight emitting device 124 uses theframe member 350 of the molded product, it is robust as a device, and even if the user touches the upper part, thewire 21 or the like connecting theLED chip 20 is disconnected. The fear is low.

　図３８Ａは第１８実施形態に係る発光装置１２５の平面図であり、図３８Ｂは図３８Ａに示すＤ－Ｄ線に沿う断面図である。FIG. 38A is a plan view of thelight emitting device 125 according to the eighteenth embodiment, and FIG. 38B is a cross-sectional view taken along the line DD shown in FIG. 38A.

　発光装置１２５は、第１領域１７にμＬＥＤチップ３６０が配置されている点が、発光装置１１４と相違する。発光装置１２５において、発光装置１１４と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 125 is different from thelight emitting device 114 in that theμLED chip 360 is arranged in thefirst region 17. In thelight emitting device 125, the same components as those of thelight emitting device 114 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

　μＬＥＤチップ３６０は、ＬＥＤチップ２０と同様な半導体素子であるが、ＬＥＤチップ２０の縦横の外形寸法が６５０μｍ×６５０μｍ程度であるのに対して、縦横の外形寸法が５０μｍ×５０μｍ程度と非常に小さい。図３８Ａには記載していないが、各μＬＥＤチップ３６０は、ワイヤ２１によって、アノード配線１５及びカソード配線１６と接続されている。また、図３８Ａには９個のμＬＥＤチップ３６０に限定されず、特に輝度ムラが発生しそうな箇所に配置して輝度ムラ補正に利用することができる。また、μＬＥＤチップ３６０が出射する色は青色光に限定されず、様々な発光色のμＬＥＤチップを利用することが可能である。TheμLED chip 360 is a semiconductor element similar to theLED chip 20, but the vertical and horizontal external dimensions of theLED chip 20 are about 650 μm × 650 μm, whereas the vertical and horizontal external dimensions are very small, about 50 μm × 50 μm. .. Although not shown in FIG. 38A, eachμLED chip 360 is connected to theanode wiring 15 and thecathode wiring 16 by awire 21. Further, FIG. 38A is not limited to the nineμLED chips 360, and can be arranged in a place where luminance unevenness is likely to occur and used for luminance unevenness correction. Further, the color emitted by theμLED chip 360 is not limited to blue light, and μLED chips having various emission colors can be used.

　発光装置１２５の製造方法は、発光装置１１３を製造する工程と同じ工程で、ＬＥＤチップ２０と同じタイミングでμＬＥＤチップ３６０を配置し、ワイヤにより接続を行えば良い。The method for manufacturing thelight emitting device 125 may be the same as the process for manufacturing thelight emitting device 113, in which theμLED chip 360 may be arranged at the same timing as theLED chip 20 and connected by a wire.

　また、発光装置１２５では、μＬＥＤチップ３６０自体の発光に、蛍光材料は必要ないので、発光装置１１４と同様に、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 125, since the fluorescent material is not required for the light emission of theμLED chip 360 itself, the color of the fluorescent material is not visually recognized from the outside when thelight emitting device 114 is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　図３９Ａは第１９実施形態に係る発光装置１２６の平面図であり、図３９Ｂは図３９Ａに示すＥ－Ｅ線に沿う断面図である。FIG. 39A is a plan view of thelight emitting device 126 according to the nineteenth embodiment, and FIG. 39B is a cross-sectional view taken along the line EE shown in FIG. 39A.

　発光装置１２６は、発光装置１２４と比較して、基板４１０が長細い矩形形状であり、基板４１０の長手方向に沿って、ＬＥＤチップがライン状に配列されていることが大きく異なる点である。また、発光装置１２６において、発光装置１１４と同じ構成には、同じ符号を付して説明を省略する。Thelight emitting device 126 is significantly different from thelight emitting device 124 in that thesubstrate 410 has a long and thin rectangular shape and the LED chips are arranged in a line along the longitudinal direction of thesubstrate 410. Further, in thelight emitting device 126, the same reference numerals are given to the same configurations as those of thelight emitting device 114, and the description thereof will be omitted.

　発光装置１２６では、導光材４３３の長手方向に沿った外縁部に近接して、第２領域１８に複数のＬＥＤチップ２０がライン状に配置されている。複数のライン状に配列されたＬＥＤチップ２０は、アノード電極４１３と電気的に接続されたアノード配線４１５及びカソード電極４１４と電気的に接続されたカソード配線４１６間に直列に接続されている。In thelight emitting device 126, a plurality ofLED chips 20 are arranged in a line in thesecond region 18 in the vicinity of the outer edge portion along the longitudinal direction of thelight guide material 433. The LED chips 20 arranged in a plurality of lines are connected in series between theanode wiring 415 electrically connected to theanode electrode 413 and thecathode wiring 416 electrically connected to thecathode electrode 414.

　発光装置１２６では、封止材４３１、導光材４３３、枠部材４３５、遮蔽部材４３６、及び、拡散層４３７を有している。発光装置１２６における封止材４３１、導光材４３３、枠部材４３５、遮蔽部材４３６、及び、拡散層４３７の材質及び機能は、発光装置１１４で示した封止材２３１、導光材２３３、枠部材２３５、遮蔽部材２３６、及び、拡散層２３７と比較して、同様であるので（形状のみ異なる）、説明を省略する。Thelight emitting device 126 has a sealingmaterial 431, alight guide material 433, aframe member 435, a shieldingmember 436, and adiffusion layer 437. The materials and functions of the sealingmaterial 431, thelight guide material 433, theframe member 435, the shieldingmember 436, and thediffusion layer 437 in thelight emitting device 126 are the sealingmaterial 231, thelight guide material 233, and the frame shown in thelight emitting device 114. Since it is the same as themember 235, the shieldingmember 236, and the diffusion layer 237 (only the shape is different), the description thereof will be omitted.

　発光装置１２６では、枠部材４３５及び遮蔽部材４３６が、封止材４３１の上側及び第１領域１７とは反対側に配置されて、封止材４３１から出射された光を反射して、反射光を導光材４３３側に導いている。In thelight emitting device 126, theframe member 435 and the shieldingmember 436 are arranged on the upper side of the sealingmaterial 431 and on the side opposite to thefirst region 17, and reflect the light emitted from the sealingmaterial 431 to reflect the reflected light. Is guided to thelight guide material 433 side.

　また、発光装置１２６では、封止材４３１から出射された光の一部は、遮蔽部材４３６を透過して拡散層４３７を介して発光装置１２６から外部に出射されるので、遮蔽部材４３６の上方に暗部が生じて輝度ムラが発生することを防止できる。なお、遮蔽部材４３６の透過率は、３０％以上であり且つ７０％以下であることが好ましく、光は多少透過させるが、外部から蛍光材料の色は視認することができない。したがって、発光装置１２６は、消灯時に蛍光材料の色が外部から視認されず、美感が低下するおそれがない。Further, in thelight emitting device 126, a part of the light emitted from the sealingmaterial 431 passes through the shieldingmember 436 and is emitted to the outside from thelight emitting device 126 via thediffusion layer 437, so that it is above the shieldingmember 436. It is possible to prevent the occurrence of dark areas and uneven brightness. The transmittance of the shieldingmember 436 is preferably 30% or more and 70% or less, and although light is transmitted to some extent, the color of the fluorescent material cannot be visually recognized from the outside. Therefore, in thelight emitting device 126, the color of the fluorescent material is not visible from the outside when the light is turned off, and there is no possibility that the aesthetic appearance is deteriorated.

　発光装置１２６の製造方法は、基板４１０の形状等が異なる点を除いて、発光装置１１４の製造工程と同様であるので、詳細な説明を省略する。Since the manufacturing method of thelight emitting device 126 is the same as the manufacturing process of thelight emitting device 114 except that the shape of thesubstrate 410 is different, detailed description thereof will be omitted.

　図４０Ａは上面発光ＳＭＤ１５０の一例を示す平面図であり、図４０Ｂは図４０Ａの右側側面図であり、図４０Ｃは図４０Ａの裏面図である。上面発光ＳＭＤ１５０は、ＬＥＤパッケージの一例であって、上述した発光装置１００～１２６において、ＬＥＤチップ２０の代わりに用いることが可能である。40A is a plan view showing an example of the top light emitting SMD150, FIG. 40B is a right side view of FIG. 40A, and FIG. 40C is a back view of FIG. 40A. The toplight emitting SMD 150 is an example of an LED package, and can be used in place of theLED chip 20 in the above-mentionedlight emitting devices 100 to 126.

　上面発光ＳＭＤ１５０は、基板５１０上に配置されたアノード配線５１５及びカソード配線５１６とＬＥＤチップ２０がワイヤ２１で接続されている。アノード配線５１５は、ビア５１７により基板５１０の裏面に配置されているアノード電極５１３と電気的に接続されている。また、カソード配線５１６は、ビア５１８により基板５１０の裏面に配置されているカソード電極５１４と電気的に接続されている。In the toplight emitting SMD 150, theanode wiring 515 and thecathode wiring 516 arranged on thesubstrate 510 and theLED chip 20 are connected by awire 21. Theanode wiring 515 is electrically connected to theanode electrode 513 arranged on the back surface of thesubstrate 510 by thevia 517. Further, thecathode wiring 516 is electrically connected to thecathode electrode 514 arranged on the back surface of thesubstrate 510 by thevia 518.

　基板５１０の上面には、枠部材５３５が配置され、その内側には、ＬＥＤチップ２０及びワイヤ２１を封止するように封止材５３１が配置されている。封止材５３１及び枠部材５３５は、発光装置１１４の封止材２３１及び枠部材２３５と同じ材料で形成される。Aframe member 535 is arranged on the upper surface of thesubstrate 510, and a sealingmaterial 531 is arranged inside theframe member 535 so as to seal theLED chip 20 and thewire 21. The sealingmaterial 531 and theframe member 535 are made of the same material as the sealingmaterial 231 and theframe member 235 of thelight emitting device 114.

　上面発光ＳＭＤ１５０は、裏面（図４０Ｃ参照）のアノード電極５１３及びカソード電極５１４により、例えば、発光装置１１４のアノード配線１５及びカソード配線１６と接続され、所定の電流が供給されることによって、上面側（図４０Ａ参照）から、所定の波長の光を出射する。The topsurface emitting SMD 150 is connected to, for example, theanode wiring 15 and thecathode wiring 16 of thelight emitting device 114 by theanode electrode 513 and thecathode electrode 514 on the back surface (see FIG. 40C), and a predetermined current is supplied to the top surface side. (See FIG. 40A) emits light having a predetermined wavelength.

　上面発光ＳＭＤ１５０の縦、横、高さの外形寸法は、例えば、１．５×１．５×０．５ｍｍであるが、大きさはこれに限定されるものではない。The external dimensions of the toplight emitting SMD 150 in length, width, and height are, for example, 1.5 x 1.5 x 0.5 mm, but the size is not limited to this.

　図４１Ａは側面発光ＳＭＤ１５１の一例を示す平面図であり、図４１Ｂは図４１Ａの右側側面図であり、図４１Ｃは図４１Ａの裏面図である。側面発光ＳＭＤ１５１は、ＬＥＤパッケージの一例であって、上述した発光装置１００～１２６において、ＬＥＤチップ２０の代わりに用いることが可能である。側面発光ＳＭＤ１５１において、上面発光ＳＭＤ１５０と同様な構成には同じ番号を付して説明を省略する。41A is a plan view showing an example of the sidelight emitting SMD 151, FIG. 41B is a right side view of FIG. 41A, and FIG. 41C is a back view of FIG. 41A. The sidelight emitting SMD 151 is an example of an LED package, and can be used in place of theLED chip 20 in the above-mentionedlight emitting devices 100 to 126. In the sidelight emitting SMD 151, the same number is given to the same configuration as the toplight emitting SMD 150, and the description thereof will be omitted.

　側面発光ＳＭＤ１５１は、基板５１０上に配置されたアノード配線５１５及びカソード配線５１６とＬＥＤチップ２０がワイヤ２１で接続されている。アノード配線５１５は、ビア５１７により基板５１０の裏面に配置されているアノード電極５２３と電気的に接続されている。また、カソード配線５１６は、ビア５１８により基板５１０の裏面に配置されているカソード電極５２４と電気的に接続されている。In the sidelight emitting SMD 151, theanode wiring 515 and thecathode wiring 516 arranged on thesubstrate 510 and theLED chip 20 are connected by awire 21. Theanode wiring 515 is electrically connected to theanode electrode 523 arranged on the back surface of thesubstrate 510 by thevia 517. Further, thecathode wiring 516 is electrically connected to thecathode electrode 524 arranged on the back surface of thesubstrate 510 by thevia 518.

　基板５１０の上面には、枠部材５３５が配置され、その内側には、ＬＥＤチップ２０及びワイヤ２１を封止するように封止材５３１が配置されている。封止材５３１及び枠部材５３５は、発光装置１１４の封止材２３１及び枠部材２３５と同じ材料で形成される。Aframe member 535 is arranged on the upper surface of thesubstrate 510, and a sealingmaterial 531 is arranged inside theframe member 535 so as to seal theLED chip 20 and thewire 21. The sealingmaterial 531 and theframe member 535 are made of the same material as the sealingmaterial 231 and theframe member 235 of thelight emitting device 114.

　側面発光ＳＭＤ１５１は、裏面（図４１Ｃ参照）から側面側に伸びているアノード電極５２３及びカソード電極５２４により、側面側（図４１Ｂの矢印Ｆ側）で、例えば、発光装置１１４のアノード配線１５及びカソード配線１６と接続され、所定の電流が供給されることによって、上面側（図４１Ａ参照）から、所定の波長の光を出射する。The sidelight emitting SMD 151 is provided on the side surface side (arrow F side in FIG. 41B) by theanode electrode 523 and thecathode electrode 524 extending from the back surface (see FIG. 41C) to the side surface side, for example, theanode wiring 15 and the cathode of thelight emitting device 114. When connected to thewiring 16 and supplied with a predetermined current, light having a predetermined wavelength is emitted from the upper surface side (see FIG. 41A).

　側面発光ＳＭＤ１５１の縦、横、高さの外形寸法は、例えば、０．８×１．５×０．８ｍｍであるが、大きさはこれに限定されるものではない。The external dimensions of the sidelight emitting SMD 151 in length, width, and height are, for example, 0.8 × 1.5 × 0.8 mm, but the size is not limited to this.

　図４２は発光装置１１３を照明装置６００に適用した例を示す図である。FIG. 42 is a diagram showing an example in which thelight emitting device 113 is applied to thelighting device 600.

　照明装置６００は、発光装置１１３と、レンズ６０１とを有する。レンズ６０１は、軸対称でボウル形状のコリメータレンズであり、くぼみ６０２に発光装置１００の発光領域が位置するように発光装置１００が配置される。レンズ６０１の外面である反射面６０３は、放物線を回転させた回転体形状を有する。レンズ６０１は、発光装置１００から出射された光を反射面６０３で反射して出射面６０４から出射する。なお、他の発光装置１０１～１１２、及び１１４～１２６も照明装置６００に適用できる。Thelighting device 600 has alight emitting device 113 and alens 601. Thelens 601 is an axially symmetric bowl-shaped collimator lens, and thelight emitting device 100 is arranged so that the light emitting region of thelight emitting device 100 is located in therecess 602. Thereflective surface 603, which is the outer surface of thelens 601 has a rotating body shape in which a parabola is rotated. Thelens 601 reflects the light emitted from thelight emitting device 100 on the reflectingsurface 603 and emits the light from the emittingsurface 604. The otherlight emitting devices 101 to 112 and 114 to 126 can also be applied to thelighting device 600.

　図４３Ａは比較例に係る発光装置７００を照明装置６００に利用した場合の例を示し、図４３Ｂは発光装置１００を照明装置６００に利用した場合の例を示している。図４３Ａ及び図４３Ｂは両方とも、照明装置６００の出射面６０４側からユーザが覗き込んだ場合を想定している。FIG. 43A shows an example when thelight emitting device 700 according to the comparative example is used for thelighting device 600, and FIG. 43B shows an example when thelight emitting device 100 is used for thelighting device 600. Both FIGS. 43A and 43B assume a case where the user looks into thelighting device 600 from theexit surface 604 side.

　比較例に係る発光装置７００は、発光装置１１３において、第１領域１７にＬＥＤチップ２０と蛍光材料３０を含んだ封止材２３１が、導光材２３３の代わりに配置されている装置であるものとする。したがって、発光装置７００では、消灯時に蛍光材料の色が上方から視認されるように構成されている。Thelight emitting device 700 according to the comparative example is a device in which the sealingmaterial 231 including theLED chip 20 and thefluorescent material 30 is arranged in thefirst region 17 in place of thelight guide material 233 in thelight emitting device 113. And. Therefore, thelight emitting device 700 is configured so that the color of the fluorescent material can be visually recognized from above when the light is turned off.

　図４３Ａに示す様に、発光装置７００が消灯している間、発光装置７００の第１領域に存在する蛍光材料を含有する封止材の色が、照明装置６００のレンズ６０１の反射面６０３に反射し、レンズ６０１の全面に亘って蛍光体の色が視認され、美感が低下する。As shown in FIG. 43A, while thelight emitting device 700 is turned off, the color of the sealing material containing the fluorescent material existing in the first region of thelight emitting device 700 is applied to thereflective surface 603 of thelens 601 of thelighting device 600. It is reflected and the color of the phosphor is visually recognized over the entire surface of thelens 601 and the aesthetic appearance is deteriorated.

　一方、図４３Ｂに示す様に、発光装置１１３では蛍光材料を含有する封止材は上方から視認されないように反射材２３２が配置されているので、発光装置１１３が消灯している間でも、照明装置６００のレンズ６０１の全面に亘って蛍光体の色が視認されることはない。On the other hand, as shown in FIG. 43B, in thelight emitting device 113, thereflective material 232 is arranged so that the sealing material containing the fluorescent material is not visible from above, so that thelight emitting device 113 is illuminated even while thelight emitting device 113 is turned off. The color of the phosphor is not visible over the entire surface of thelens 601 of theapparatus 600.

　また、実施形態に係る発光装置１１３は、面積が広いので、レンズ６０１を発光装置１１３に実装して照明装置６００を製造するときに、発光装置１１３とレンズ６０１との間に横ずれが生じた場合でも、輝度が低下するおそれが低い。Further, since thelight emitting device 113 according to the embodiment has a large area, when thelens 601 is mounted on thelight emitting device 113 to manufacture thelighting device 600, lateral displacement occurs between the light emittingdevice 113 and thelens 601. However, there is a low possibility that the brightness will decrease.

Claims (27)

Translated fromJapanese

　第１領域と前記第１領域の周辺に配置された第２領域を有する基板と、
　前記第２領域において、前記基板上に実装された複数の発光素子と、
　前記複数の発光素子を覆うように前記基板上に配置された封止材と、
　前記封止材の上側、及び、前記第１領域側とは反対側、に配置された反射材と、
　上面を有し、前記封止材の前記第１領域側の側面に対向して、前記第１領域に配置された導光材と、を有する、
　ことを特徴とする発光装置。A substrate having a first region and a second region arranged around the first region,
In the second region, a plurality of light emitting elements mounted on the substrate and
A sealing material arranged on the substrate so as to cover the plurality of light emitting elements,
Reflective materials arranged on the upper side of the sealing material and on the side opposite to the first region side.
It has an upper surface and has a light guide material arranged in the first region facing the side surface of the sealing material on the first region side.
A light emitting device characterized by that.　前記封止材は、前記複数の発光素子から出射された光を波長変換して異なる波長の光として出射する蛍光材を含有する、請求項１に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 1, wherein the sealing material contains a fluorescent material that converts light emitted from the plurality of light emitting elements into wavelengths and emits light having different wavelengths.　前記反射材及び前記導光材は、前記蛍光材を含有しない、請求項２に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 2, wherein the reflective material and the light guide material do not contain the fluorescent material.　前記封止材は、前記複数の発光素子から出射された光を波長変換して、前記複数の発光素子から出射された第１波長の光と異なる第２波長の光として出射する第１蛍光材を含有する第１封止材、及び、前記複数の発光素子から出射された光を波長変換して、前記複数の発光素子から出射された前記第１波長の光と異なる第３波長の光として出射する第２蛍光材を含有する第２封止材、を含み、
　前記第１封止材及び前記第２封止材のそれぞれは、前記複数の発光素子の何れかを封止する、請求項１～３の何れか一項に記載の発光装置。The encapsulant is a first fluorescent material that converts the light emitted from the plurality of light emitting elements into wavelengths and emits light having a second wavelength different from the light of the first wavelength emitted from the plurality of light emitting elements. The first encapsulant containing the above and the light emitted from the plurality of light emitting elements are wavelength-converted to obtain light having a third wavelength different from the light of the first wavelength emitted from the plurality of light emitting elements. Includes a second encapsulant, which contains a second fluorescent material that emits light.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein each of the first sealing material and the second sealing material seals any of the plurality of light emitting elements.　前記複数の発光素子は、前記導光材の外縁部に近接して配置された第１群の発光素子、及び、前記第１群の発光素子の前記第１領域側とは反対側に配置された第２群の発光素子、を含み、
　前記第１封止材は前記第１群の発光素子を封止し、前記第２封止材は前記第２群の発光素子を封止する、請求項４に記載の発光装置。The plurality of light emitting elements are arranged on a side opposite to the first group of light emitting elements arranged close to the outer edge portion of the light guide material and the first region side of the first group of light emitting elements. Also includes the second group of light emitting elements.
The light emitting device according to claim 4, wherein the first sealing material seals the light emitting element of the first group, and the second sealing material seals the light emitting element of the second group.　前記第１封止材は、前記複数の発光素子の全てを封止し、
　前記第２封止材は、前記複数の発光素子の一部のみを封止する、請求項４又は５に記載の発光装置。The first sealing material seals all of the plurality of light emitting elements, and the first sealing material seals all of the plurality of light emitting elements.
The light emitting device according to claim 4 or 5, wherein the second sealing material seals only a part of the plurality of light emitting elements.　前記封止材は、蛍光材を含まない第３封止材を更に含み、
　前記第３封止材は、前記第１封止材、前記第２封止材、又は、前記複数の発光素子の内前記第１封止材及び前記第２封止材によって封止されていない発光素子を封止する、請求項４～６の何れか一項に記載の発光装置。The encapsulant further comprises a third encapsulant that does not contain a fluorescent material.
The third encapsulant is not sealed by the first encapsulant, the second encapsulant, or the first encapsulant and the second encapsulant among the plurality of light emitting elements. The light emitting device according to any one of claims 4 to 6, which seals a light emitting element.　前記封止材は、蛍光材を含有しない、請求項１に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 1, wherein the sealing material does not contain a fluorescent material.　前記複数の発光素子は、第１波長の光を出射する第１発光素子、及び、前記第１波長とは異なる波長の光を出射する第２発光素子を含む、請求項８に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 8, wherein the plurality of light emitting elements include a first light emitting element that emits light having a first wavelength and a second light emitting element that emits light having a wavelength different from that of the first wavelength. ..　前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、互い違いに前記基板上に配置される、請求項９に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 9, wherein the first light emitting element and the second light emitting element are alternately arranged on the substrate.　前記複数の発光素子は、前記基板に対して垂直方向又は水平方向に光を出射するＳＭＤタイプのＬＥＤチップである、請求項８～１０の何れか一項に記載の発光装置。The light emitting device according to any one of claims 8 to 10, wherein the plurality of light emitting elements are SMD type LED chips that emit light in a vertical direction or a horizontal direction with respect to the substrate.　前記第１領域は、円形又は多角形状を有し、
　前記導光材の前記上面は、前記第１領域と同じ外形を有し、
　前記複数の発光素子は、前記導光材の外縁部に沿って配置される、請求項１～１１の何れか一項に記載の発光装置。The first region has a circular or polygonal shape and has a circular or polygonal shape.
The upper surface of the light guide material has the same outer shape as the first region, and has the same outer shape.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 11, wherein the plurality of light emitting elements are arranged along an outer edge portion of the light guide material.　前記基板は矩形形状を有し、
　前記複数の発光素子の一部は、前記基板の長手方向に沿ってライン状に配置される、請求項１～１１の何れか一項に記載の発光装置。The substrate has a rectangular shape and has a rectangular shape.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 11, wherein a part of the plurality of light emitting elements is arranged in a line along the longitudinal direction of the substrate.　前記複数の発光素子の一部は、前記第１領域に配置され、
　前記反射材は、前記第１領域に配置された前記複数の発光素子の一部の上方にも配置される、請求項１～１１の何れか一項に記載の発光装置。A part of the plurality of light emitting elements is arranged in the first region.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 11, wherein the reflective material is also arranged above a part of the plurality of light emitting elements arranged in the first region.　前記導光材の前記基板表面からの高さは、前記導光材の中央部から外縁部に向かって、徐々に低くなるように設定されている、請求項１～１４の何れか一項に記載の発光装置。The height of the light guide material from the surface of the substrate is set to gradually decrease from the central portion of the light guide material toward the outer edge portion, according to any one of claims 1 to 14. The light emitting device described.　前記導光材の前記上面は、ディンプル加工される、請求項１～１５の何れか一項に記載の発光装置。The light emitting device according to any one of claims 1 to 15, wherein the upper surface of the light guide material is dimple-processed.　前記導光材の前記上面の上方に配置され、前記導光材よりも屈折率が低い低屈折率層を更に有する、請求項１６に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 16, further comprising a low refractive index layer which is arranged above the upper surface of the light guide material and has a lower refractive index than the light guide material.　前記導光材の前記上面の表面には、ドット状の樹脂が配置されている、請求項１～１７の何れか一項に記載の発光装置。The light emitting device according to any one of claims 1 to 17, wherein a dot-shaped resin is arranged on the surface of the upper surface of the light guide material.　前記基板を上方から平面視したときに、前記反射材は前記封止材を遮蔽するように配置される、請求項１～１８の何れか一項に記載の発光装置。The light emitting device according to any one of claims 1 to 18, wherein the reflective material is arranged so as to shield the sealing material when the substrate is viewed from above in a plan view.　前記反射材は、前記封止材の外縁部に沿って配置された枠部材と、前記封止材の上方に配置された遮蔽部材を含み、
　前記枠部材の前記基板表面からの高さは、前記導光材の前記基板表面からの高さより高くなるように設定されている、請求項１～１９の何れか一項に記載の発光装置。The reflective material includes a frame member arranged along the outer edge of the encapsulant and a shielding member arranged above the encapsulant.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 19, wherein the height of the frame member from the surface of the substrate is set to be higher than the height of the light guide material from the surface of the substrate.　前記反射材は、予め成形された樹脂部材である、請求項１～２０の何れか一項に記載の発光装置。The light emitting device according to any one of claims 1 to 20, wherein the reflective material is a preformed resin member.　前記導光材の前記上面の上方に配置され、前記上面から出射された光を拡散する拡散材を含有し且つ蛍光材を含有しない拡散層を更に有する、請求項１～２１の何れか一項に記載の発光装置。Any one of claims 1 to 21, further comprising a diffusion layer that is arranged above the upper surface of the light guide material and further contains a diffuser that diffuses light emitted from the upper surface and does not contain a fluorescent material. The light emitting device according to.　前記拡散層の中央部の厚さは、前記拡散層の外縁部の厚さより薄い、請求項２２に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 22, wherein the thickness of the central portion of the diffusion layer is thinner than the thickness of the outer edge portion of the diffusion layer.　前記拡散層表面の前記基板表面からの高さは、前記拡散層の中央部から外縁部に向かって、徐々に高くなるように設定される、請求項２２又は２３に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 22 or 23, wherein the height of the surface of the diffusion layer from the surface of the substrate is set so as to gradually increase from the central portion to the outer edge portion of the diffusion layer.　前記基板上に配置され、前記複数の発光素子と電気的に接続される電極及び開口部を有する回路基板を更に有し、
　前記複数の発光素子は、前記開口部の内側で前記基板上に実装される、請求項１～２４の何れか一項に記載の発光装置。Further having a circuit board arranged on the substrate and having electrodes and openings electrically connected to the plurality of light emitting elements.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 24, wherein the plurality of light emitting elements are mounted on the substrate inside the opening.　前記第１領域において、前記基板の表面はシボ加工されている、請求項１～２５の何れか一項に記載の発光装置。The light emitting device according to any one of claims 1 to 25, wherein the surface of the substrate is textured in the first region.　前記第１領域において、前記基板の表面には、前記封止材から出射された光を反射する突起物が配置されている、請求項１～２５の何れか一項に記載の発光装置。The light emitting device according to any one of claims 1 to 25, wherein in the first region, a protrusion that reflects light emitted from the sealing material is arranged on the surface of the substrate.

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