WO2011078010A1 - Insulated substrate, process for production of insulated substrate, process for formation of wiring line, wiring substrate, and light-emitting element - Google Patents

Abstract

An insulated substrate comprising an aluminum base plate and an anodic oxide film that covers the entire surface of the aluminum base plate, wherein an intermetallic compound having an equivalent circle diameter of 1 μm or more is contained in the anodic oxide film in an amount of 2000 particles/mm³ or less; and a process for producing an insulated substrate, which comprises an anodic oxidation step of subjecting an aluminum base plate to an anodic oxidation treatment, wherein an insulated substrate can be produced in which an intermetallic compound having an equivalent circle diameter of 1 μm or more is contained in an anodic oxide film that covers the entire surface of the aluminum base plate in an amount of 2000 particles/mm³ or less.

Description

Translated fromJapanese

絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子Insulating substrate, method for manufacturing insulating substrate, method for forming wiring, wiring substrate and light emitting element

　本発明は、発光素子に用いられる絶縁基板に関し、詳しくは発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）に用いられる絶縁基板に関する。The present invention relates to an insulating substrate used for a light emitting element, and more particularly to an insulating substrate used for a light emitting diode (hereinafter referred to as “LED”).

　一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
　特に白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
　近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０～１５０Ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０～１１０Ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
　これにより、蛍光灯にかわり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。In general, LEDs are said to have 1/100 power consumption and 40 times the life (40000 hours) compared to fluorescent lamps. Such a feature of power saving and long life is an important factor for adopting LEDs in an environment-oriented flow.
In particular, white LEDs are excellent in color rendering properties and have a merit that a power supply circuit is simpler than fluorescent lamps, and therefore, expectations for light sources for illumination are increasing.
In recent years, white LEDs (30 to 150 Lm / W) with high luminous efficiency, which are required as light sources for illumination, have appeared one after another. is doing.
As a result, the flow of practical use of white LEDs instead of fluorescent lamps has increased rapidly, and the number of cases in which white LEDs are employed as backlights or illumination light sources for liquid crystal display devices is increasing.

　ところで、高輝度化を達成するためにＬＥＤチップに電流を大量に流すと、発熱量が増大して波長変換用蛍光体担持樹脂材料の経時劣化を促進し、その結果、長寿命という特徴が犠牲になるという問題点が指摘されている。
　実際、従来のＬＥＤにおいては、長時間駆動させたり発光輝度を高めるために高電流駆動させたりすると、ＬＥＤチップが著しく発熱して高温状態となり、熱劣化が生じている。By the way, if a large amount of current is passed through the LED chip in order to achieve high brightness, the amount of generated heat increases, and the deterioration of the wavelength-supporting phosphor-supporting resin material is promoted over time. The problem of becoming.
In fact, in the conventional LED, when the LED is driven for a long time or driven at a high current in order to increase the light emission luminance, the LED chip generates a large amount of heat and becomes a high temperature state, resulting in thermal degradation.

　このような問題を解消するため、アルミニウム基板の表面を陽極酸化皮膜で被覆した絶縁基板が提案されている（例えば、特許文献１～８を参照）。この場合、陽極酸化皮膜が絶縁性を有するとともに、アルミニウム基板が高い熱伝導性を有するため、良好な放熱性が得られる。In order to solve such problems, an insulating substrate in which the surface of an aluminum substrate is coated with an anodized film has been proposed (see, for example,Patent Documents 1 to 8). In this case, since the anodized film has insulating properties and the aluminum substrate has high thermal conductivity, good heat dissipation can be obtained.

　また、従来、白色系ＬＥＤ発光素子として、ＲＧＢのカラーフイルタを用いてカラー表示を行う表示装置を照明するＬＥＤ発光素子が一般的に知られており、なかでも、多色混合型のＬＥＤ発光素子が用いられている。
　この多色混合型のＬＥＤ発光素子は、ＲＧＢの３色のＬＥＤを同時に発光させることによって白色光を発光させ、この白色光と表示装置のカラーフイルタによってカラー表示を行うものである。Conventionally, as a white LED light emitting element, an LED light emitting element for illuminating a display device that performs color display using an RGB color filter is generally known, and among them, a multicolor mixed type LED light emitting element Is used.
This multi-color mixed type LED light emitting element emits white light by simultaneously emitting LEDs of three colors of RGB, and performs color display by using the white light and a color filter of a display device.

　しかし、この多色混合型のＬＥＤ発光素子は、ＲＧＢの各ＬＥＤが発光しているため、各色純度が高く演色性にも優れているが、反面、白色光を得るためにＬＥＤの数を多く必要とし、価格が高くなるという問題があった。However, this multi-color mixed type LED light emitting element emits light from each of RGB LEDs, so that each color purity is high and color rendering is excellent. However, on the other hand, a large number of LEDs are used to obtain white light. There was a problem that required and the price was high.

　この問題を解決するＬＥＤ発光素子として、例えば、特許文献１や特許文献２等に開示されている蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子が知られている。
　ここで、図２０は、特許文献９および１０に開示される蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式図である。図２０に示すように、白色系ＬＥＤ発光素子３００は、青色ＬＥＤ３１０がＹＡＧ系の蛍光粒子３５０を混入した透明樹脂３６０でモールドされており、ＹＡＧ系の蛍光粒子３５０によって励起された光と青色ＬＥＤ３１０の残光とにより、白色系光が発光されるものである。なお、青色ＬＥＤ３１０は、外部接続用の電極３２０，３３０を有する基板３４０にフェースダウンボンディングされている。As LED light-emitting elements that solve this problem, for example, phosphor-mixed LED light-emitting elements disclosed inPatent Document 1,Patent Document 2, and the like are known.
Here, FIG. 20 is a schematic diagram showing a configuration example of a phosphor mixed color white LED light emitting element disclosed inPatent Documents 9 and 10. FIG. As shown in FIG. 20, in the white LEDlight emitting element 300, theblue LED 310 is molded with atransparent resin 360 mixed with YAGfluorescent particles 350, and the light excited by the YAGfluorescent particles 350 and theblue LED 310 White light is emitted by the afterglow. Theblue LED 310 is face-down bonded to asubstrate 340 havingelectrodes 320 and 330 for external connection.

　このような従来公知の蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子では、白色系の発光出力を高めるに、蛍光粒子が混入された透明樹脂の厚みを厚くしたり、透明樹脂の蛍光粒子含有量を増やしたりする等の手法が検討されている。In such a known phosphor-mixed LED light emitting element, in order to increase the white light emission output, the thickness of the transparent resin mixed with the fluorescent particles is increased, or the content of the fluorescent particles in the transparent resin is increased. The technique of doing is examined.

　また、このような従来公知の蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子では、放熱性と絶縁性を考慮した基板として、アルミニウム基板の表面に陽極酸化処理を施して酸化アルミニウム膜を設けた金属基板が知られている（特許文献１１参照）。In addition, in such conventionally known phosphor mixed color LED light emitting elements, a metal substrate in which an aluminum oxide film is provided by anodizing the surface of an aluminum substrate is known as a substrate considering heat dissipation and insulation. (See Patent Document 11).

特開２００７－２５０３１５号公報JP 2007-250315 A実開昭５５－１５４５６４号公報Japanese Utility Model Publication No. 55-154564特開２００６－３４４９７８号公報JP 2006-344978 A特開平７－１４９３８号公報JP 7-14938 A特開２００６－２４４８２８号公報JP 2006-244828 A特開２００９－１６４５８３号公報JP 2009-164583 A特表平１１－５０４３８７号公報Japanese National Patent Publication No. 11-504387特開平６－４５５１５号公報JP-A-6-45515特許第２９９８６９６号明細書Japanese Patent No. 2998696特開平１１－８７７８４号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-87784特開平６－４５５１５号公報JP-A-6-45515

　本発明者は、特許文献１～８に記載の絶縁基板についてさらに検討を行った。その結果、陽極酸化皮膜を得るための陽極酸化処理の条件や使用するアルミニウム基板によっては良好な絶縁性が得られないことが明らかとなった。The present inventor further examined the insulating substrates described inPatent Documents 1 to 8. As a result, it became clear that good insulation could not be obtained depending on the conditions of the anodizing treatment for obtaining the anodized film and the aluminum substrate used.

　また、絶縁性（耐電圧）向上の観点から陽極酸化皮膜の膜厚を厚くすると、放熱性が低下してしまうことが明らかとなり、優れた絶縁性および放熱性を両立することが困難であることが分かった。In addition, from the viewpoint of improving insulation (withstand voltage), it becomes clear that increasing the film thickness of the anodized film decreases heat dissipation, making it difficult to achieve both excellent insulation and heat dissipation. I understood.

　また、特許文献９および１０に開示されるような従来公知の蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子において、白色系の発光出力を高めるに、蛍光粒子が混入された透明樹脂の厚みを厚くしたり、透明樹脂の蛍光粒子含有量を増やしたりする等の手法を採用した場合、透明樹脂の厚みや透明樹脂の蛍光粒子含有量によっては、青色ＬＥＤからの青色光の透過性が弱くなり、かえって白色系の発光出力が低下する場合があった。Further, in the conventionally known phosphor-mixed LED light emitting elements as disclosed inPatent Documents 9 and 10, in order to increase the white light emission output, the thickness of the transparent resin mixed with fluorescent particles is increased, When adopting a method such as increasing the fluorescent particle content of the transparent resin, depending on the thickness of the transparent resin and the fluorescent particle content of the transparent resin, the blue light transmission from the blue LED becomes weaker. In some cases, the light emission output of the battery decreased.

　また、特許文献１１に記載された金属基板では、絶縁性が十分ではなく、高出力での発光に際し、実装されたＬＥＤに接続されている金属配線からの漏れ電流が陽極酸化層を通り金属基板にリークしてショートしてしまう問題があった。Moreover, in the metal substrate described in Patent Document 11, the insulation is not sufficient, and at the time of light emission at high output, leakage current from the metal wiring connected to the mounted LED passes through the anodized layer and the metal substrate. There was a problem of short circuit due to leakage.

　そこで、本発明の第１の目的は、優れた放熱性を維持しつつ良好な絶縁性が得られる絶縁基板を提供することである。Therefore, a first object of the present invention is to provide an insulating substrate that can obtain good insulation while maintaining excellent heat dissipation.

　また、本発明の第２の目的は、絶縁性および放熱性のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板およびその製造方法ならびにそれを用いた発光素子を提供することである。In addition, a second object of the present invention is to provide an insulating substrate capable of providing a light emitting element excellent in both insulation and heat dissipation, a manufacturing method thereof, and a light emitting element using the same.

　また、本発明の第３の目的は、絶縁性および放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供することができる絶縁基板およびそれを用いた発光素子を提供することである。In addition, a third object of the present invention is to provide an insulating substrate that can provide a light emitting element that is excellent in insulation and heat dissipation and that has improved white light emission output, and a light emitting element using the same. is there.

　本発明者は、上記第１の目的を達成すべく鋭意検討した結果、陽極酸化皮膜中の円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である場合に、良好な絶縁性が得られることを見出し、本発明（第１態様）を完成させた。As a result of intensive studies to achieve the first object, the present inventors have found that when the number of intermetallic compounds having an equivalent circle diameter of 1 μm or more in the anodic oxide film is 2000 / mm³ or less, good insulation is obtained. As a result, the present invention (first aspect) was completed.

　また、本発明者は、上記第２の目的を達成すべく鋭意検討した結果、陽極酸化皮膜の空隙率を所定の値以下とした絶縁層を有する絶縁基板を用いることにより、優れた絶縁性と放熱性を両立できることを見出し、本発明（第２態様）を完成させた。In addition, as a result of intensive studies to achieve the second object, the present inventor has achieved excellent insulation properties by using an insulating substrate having an insulating layer in which the porosity of the anodized film is not more than a predetermined value. The present invention (second embodiment) has been completed by finding that both heat dissipation properties can be achieved.

　さらに、本発明者は、上記第３の目的を達成すべく鋭意検討した結果、絶縁基板全体の厚みと絶縁基板における絶縁層との厚みを所定の範囲および比率とし、かつ、絶縁層におけるマイクロポアの深さを所定の範囲とした絶縁基板を用いることにより、絶縁性と放熱性とを両立し、白色系の発光出力を向上させることができることを見出し、本発明（第３態様）を完成させた。
　すなわち、本発明は、以下の（１）～（３５）を提供する。Furthermore, as a result of intensive studies to achieve the third object, the present inventors have determined that the thickness of the entire insulating substrate and the thickness of the insulating layer in the insulating substrate are within a predetermined range and ratio, and the micropores in the insulating layer are By using an insulating substrate having a depth of a predetermined range, it has been found that both insulation and heat dissipation can be achieved and white light emission output can be improved, and the present invention (third aspect) is completed. It was.
That is, the present invention provides the following (1) to (35).

　（１）アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板。(1) An insulating substrate comprising an aluminum substrate and an anodized film covering the entire surface of the aluminum substrate, wherein the intermetallic compound having an equivalent circle diameter of 1 μm or more is 2000 pieces / mm³ or less in the anodized film .

　（２）さらに、上記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成されたスルーホールを備え、上記スルーホールの内壁面が上記陽極酸化皮膜で被覆されている、上記（１）に記載の絶縁基板。(2) The insulating substrate according to (1), further including a through hole formed through the aluminum substrate in a thickness direction, wherein an inner wall surface of the through hole is covered with the anodized film.

　（３）上記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、上記（１）または（２）に記載の絶縁基板。(3) The insulating substrate according to (1) or (2), wherein the aluminum purity of the aluminum substrate is 99.95% by mass or more.

　（４）ＬＥＤ用絶縁基板である、上記（１）～（３）のいずれかに記載の絶縁基板。(4) The insulating substrate according to any one of (1) to (3) above, which is an LED insulating substrate.

　（５）上記（１）に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜中において円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法。(5) An insulating substrate manufacturing method for obtaining the insulating substrate according to (1) above, comprising an anodizing treatment step for anodizing the aluminum substrate, and covering the entire surface of the aluminum substrate. manufacturing method of the insulating substrate circle between equivalent diameter 1μm or more metal compounds to obtain an insulating substrate is 2,000 / mm³ or less during the film.

　（６）上記（２）に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を備える、上記（５）に記載の絶縁基板の製造方法。(6) A method for manufacturing an insulating substrate as described in (2) above, wherein a through-hole forming step for forming a through-hole in the thickness direction of the aluminum substrate before the anodizing step The manufacturing method of the insulated substrate as described in said (5) provided with.

　（７）上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板に対して３５０～６００℃での焼鈍処理を施す焼鈍処理工程を備える、上記（５）または（６）に記載の絶縁基板の製造方法。(7) The method for manufacturing an insulating substrate according to (5) or (6), further including an annealing treatment step of performing an annealing treatment at 350 to 600 ° C. on the aluminum substrate before the anodizing treatment step. .

　（８）上記陽極酸化処理工程では、硫酸電解液を用いる、上記（５）～（７）のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。(8) The method for manufacturing an insulating substrate according to any one of (5) to (7), wherein a sulfuric acid electrolyte is used in the anodizing treatment step.

　（９）上記硫酸電解液の硫酸濃度が、１０～６０ｇ／ｌである、上記（８）に記載の絶縁基板の製造方法。(9) The method for manufacturing an insulating substrate according to (8), wherein the sulfuric acid electrolyte has a sulfuric acid concentration of 10 to 60 g / l.

　（１０）上記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、上記（５）～（９）のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。(10) The method for manufacturing an insulating substrate according to any one of (5) to (9), wherein the aluminum purity of the aluminum substrate is 99.95% by mass or more.

　（１１）上記（１）～（３）のいずれかに記載の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、上記所望部位にのみ上記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える、配線の形成方法。(11) A wiring forming method for forming a wiring at a desired site on the anodized film provided in the insulating substrate according to any one of (1) to (3), wherein the wiring and the wiring are formed only at the desired site. A method of forming a wiring, comprising a supply step of selectively supplying a conductive metal.

　（１２）上記供給工程が、上記所望部位に上記導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。(12) The wiring forming method according to (11), wherein the supplying step is a step of supplying a metal ink containing the conductive metal to the desired portion by an ink jet printing method.

　（１３）上記供給工程が、上記所望部位に上記導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。(13) The wiring forming method according to (11), wherein the supplying step is a step of supplying a metal ink containing the conductor metal to the desired portion by a screen printing method.

　（１４）上記供給工程が、上記陽極酸化皮膜上の上記所望部位以外の部位にレジストを形成させた上記絶縁基板に対して、上記導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。(14) In the supplying step, an electroless plating treatment is performed on the insulating substrate in which a resist is formed on a portion other than the desired portion on the anodized film, using a treatment liquid containing ions of the conductor metal. And / or the method of forming a wiring according to (11) above, which is a step of performing an electrolytic plating treatment.

　（１５）上記供給工程が、上記所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された上記金属還元層に対して上記導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。(15) The supplying step is a step of forming a metal reducing layer having a metal reducing ability at the desired site, and bringing the treatment liquid containing ions of the conductor metal into contact with the formed metal reducing layer. The method for forming a wiring according to (11) above.

　（１６）上記所望部位が上記絶縁基板の表裏両側に位置している、上記（１１）～（１５）のいずれかに記載の配線の形成方法。(16) The wiring formation method according to any one of (11) to (15), wherein the desired portions are located on both front and back sides of the insulating substrate.

　（１７）金属基板と、上記金属基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
　上記金属基板が、バルブ金属基板であり、
　上記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、
　上記陽極酸化皮膜の空隙率が、３０％以下である絶縁基板。(17) An insulating substrate having a metal substrate and an insulating layer provided on the surface of the metal substrate,
The metal substrate is a valve metal substrate,
The insulating layer is an anodized film of a valve metal,
An insulating substrate having a porosity of the anodized film of 30% or less.

　（１８）上記陽極酸化皮膜の表面が、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を有する上記（１７）に記載の絶縁基板。(18) The insulating substrate according to (17), wherein the surface of the anodized film has irregularities having an average pitch of 0.5 μm or less and an average diameter of 1 μm or more.

　（１９）上記陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有し、
　上記マイクロポアの内部の少なくとも一部が、上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されている上記（１７）または（１８）に記載の絶縁基板。(19) The anodized film has micropores,
The insulating substrate according to (17) or (18), wherein at least a part of the inside of the micropore is sealed with a material different from a material constituting the anodized film.

　（２０）上記陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有し、
　上記マイクロポアが、その内部の少なくとも一部が上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されているマイクロポアと、その内部が上記異なる物質により封孔されていないマイクロポアとで構成されている上記（１７）～（１９）のいずれかに記載の絶縁基板。(20) The anodic oxide film has micropores,
The micropore is composed of a micropore in which at least a part of the inside thereof is sealed with a material different from the material constituting the anodized film, and a micropore in which the inside is not sealed with the different material. The insulating substrate according to any one of (17) to (19), which is configured.

　（２１）上記異なる物質が、絶縁性である上記（１９）または（２０）に記載の絶縁基板。(21) The insulating substrate according to (19) or (20), wherein the different substance is insulating.

　（２２）上記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属である上記（１７）～（２１）のいずれかに記載の絶縁基板。(22) The above (17) to (21), wherein the valve metal is at least one metal selected from the group consisting of aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zirconium, zinc, tungsten, bismuth and antimony. An insulating substrate according to any one of the above.

　（２３）上記バルブ金属が、アルミニウムである上記（２２）に記載の絶縁基板。(23) The insulating substrate according to (22), wherein the valve metal is aluminum.

　（２４）上記絶縁基板が、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である上記（１７）～（２３）のいずれかに記載の絶縁基板。(24) The insulating substrate according to any one of (17) to (23), wherein the insulating substrate is a substrate provided on a light emission observation surface side of the LED light emitting element.

　（２５）上記（１７）～（２４）のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
　バルブ金属基板の表面に陽極酸化処理を施して、バルブ金属の陽極酸化皮膜をバルブ金属基板上に形成させる陽極酸化処理工程と、
　上記陽極酸化処理工程の後に、封孔処理を施して、上記陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とする封孔処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。(25) An insulating substrate manufacturing method for manufacturing the insulating substrate according to any one of (17) to (24) above,
Anodizing the surface of the valve metal substrate to form an anodized film of the valve metal on the valve metal substrate;
After the said anodizing process, a sealing process is performed, The sealing process which makes the porosity of the said anodized film 30% or less is performed.

　（２６）上記陽極酸化処理により、マイクロポアを有する上記陽極酸化皮膜が形成され、
　上記封孔処理により、上記マイクロポアの内部の少なくとも一部が上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質により封孔される、上記（２５）に記載の絶縁基板の製造方法。(26) By the anodizing treatment, the anodized film having micropores is formed,
The method for producing an insulating substrate according to (25), wherein at least a part of the inside of the micropore is sealed with a material different from the material constituting the anodized film by the sealing treatment.

　（２７）上記バルブ金属基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を有する、上記（２５）または（２６）に記載の絶縁基板の製造方法。(27) The method for manufacturing an insulating substrate according to (25) or (26), further including a through hole forming step of forming a through hole in the thickness direction of the valve metal substrate.

　（２８）上記スルーホール形成工程の後に、上記バルブ金属基板を所望の形状で個片化可能にする個片化工程を有する上記（２７）に記載の絶縁基板の製造方法。(28) The method for manufacturing an insulating substrate according to (27), further including an individualization step that enables the valve metal substrate to be separated into a desired shape after the through-hole forming step.

　（２９）上記（１７）～（２４）のいずれかに記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。(29) A wiring substrate having the insulating substrate according to any one of (17) to (24) and a metal wiring layer provided on the insulating layer side of the insulating substrate.

　（３０）上記（２９）に記載の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。(30) The wiring board according to (29), a blue LED light emitting element provided on an upper part of the wiring board on the metal wiring layer side, and a fluorescent light emitter provided on at least an upper part of the blue LED light emitting element. A white LED light-emitting element provided.

　（３１）アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
　上記絶縁層が、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、
　上記絶縁基板の厚みが１５００μｍ以下であり、
　上記陽極酸化皮膜の厚みが５μｍ以上であり、
　上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が２．５～３００であり、
　上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち、上記マイクロポアが形成されていない部分の厚みが３０ｎｍ以上である絶縁基板。(31) An insulating substrate having an aluminum substrate and an insulating layer provided on the surface of the aluminum substrate,
The insulating layer is an anodized film of aluminum having micropores,
The insulating substrate has a thickness of 1500 μm or less;
The thickness of the anodized film is 5 μm or more,
The ratio (T_A / T_O ) of the thickness (T_A ) of the insulating substrate to the thickness (T_O ) of the anodized film is 2.5 to 300,
Of the thickness in the depth direction of the anodic oxide film, an insulating substrate in which the thickness of the portion where the micropores are not formed is 30 nm or more.

　（３２）上記マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が２０％以上である、上記（３１）に記載の絶縁基板。
　規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００　　（ｉ）
　上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。(32) The insulating substrate according to (31), wherein the degree of ordering defined by the following formula (i) for the micropore is 20% or more.
Ordering degree (%) = B / A × 100 (i)
In the above formula (i), A represents the total number of micropores in the measurement range. B is centered on the center of gravity of one micropore, and when a circle with the shortest radius inscribed in the edge of another micropore is drawn, the center of gravity of the micropore other than the one micropore is set inside the circle. This represents the number in the measurement range of the one micropore to be included.

　（３３）上記絶縁基板が、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である上記（３１）または（３２）に記載の絶縁基板。(33) The insulating substrate according to (31) or (32), wherein the insulating substrate is a substrate provided on a light emission observation surface side of the LED light emitting element.

　（３４）上記（３１）～（３３）のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
　アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜をアルミニウム基板上に形成させる第１陽極酸化処理工程と、
　上記第１陽極酸化処理工程の後に、ｐＨ２．５～１１．５の電解液を用いて陽極酸化処理を施して、上記マイクロポアの内部の一部を底方向から酸化アルミニウムで封孔する第２陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。(34) An insulating substrate manufacturing method for manufacturing the insulating substrate according to any one of (31) to (33) above,
A first anodizing treatment step in which a part of the aluminum substrate is anodized to form an aluminum anodized film having micropores on the aluminum substrate;
After the first anodizing treatment step, anodizing treatment is performed using an electrolytic solution having a pH of 2.5 to 11.5, and a part of the inside of the micropore is sealed from the bottom with aluminum oxide. An insulating substrate manufacturing method comprising an anodizing treatment step.

　（３５）上記（３１）～（３３）のいずれかに記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。(35) The insulating substrate according to any one of (31) to (33), a blue LED light emitting element provided on the insulating layer side of the insulating substrate, and provided at least above the blue LED light emitting element. A white LED light-emitting element comprising a fluorescent light-emitting body.

　本発明によれば、優れた放熱性を維持しつつ良好な絶縁性が得られる絶縁基板を提供することができる。According to the present invention, it is possible to provide an insulating substrate capable of obtaining good insulation while maintaining excellent heat dissipation.

　また、本発明によれば、絶縁性および放熱性のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板およびその製造方法ならびにそれを用いた発光素子を提供することができる。In addition, according to the present invention, it is possible to provide an insulating substrate capable of providing a light-emitting element that is excellent in both insulation and heat dissipation, a manufacturing method thereof, and a light-emitting element using the same.

　さらに、本発明によれば、絶縁性および放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供することができる絶縁基板およびそれを用いた発光素子を提供することができる。Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide an insulating substrate that can provide a light-emitting element that is excellent in insulation and heat dissipation and has improved white light-emitting output, and a light-emitting element using the same.

本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。It is a schematic diagram which shows an example of suitable embodiment of the insulated substrate of this invention, (A) shows a top view, (B) shows sectional drawing.本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of suitable embodiment of the insulated substrate of this invention.比較例Ｉ－１の絶縁基板を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。It is a schematic diagram which shows the insulated substrate of the comparative example I-1, (A) shows a top view, (B) shows sectional drawing.導通試験の状態を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。It is a schematic diagram which shows the state of a continuity test, (A) shows a top view, (B) shows sectional drawing.ルーティング加工を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating routing processing.本発明におけるルーティング加工の好適例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the suitable example of the routing process in this invention.ルーティング加工の一例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of a routing process.絶縁基板への配線を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the wiring to an insulated substrate.導体金属の供給を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating supply of a conductor metal.配線パターンを示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は底面図を示す。It is a schematic diagram which shows a wiring pattern, (A) shows a top view, (B) shows a bottom view.マイクロポアにおける異なる物質の封孔態様を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the sealing aspect of a different substance in a micropore.本発明の絶縁基板の作製における陽極酸化処理に用いられる陽極酸化処理装置の概略図である。It is the schematic of the anodizing apparatus used for the anodizing process in preparation of the insulated substrate of this invention.本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which showed one structural example of the white type LED light emitting element of this invention.本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の他の構成例を示した模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which showed the other structural example of the white type LED light emitting element of this invention.本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の他の構成例を示した模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which showed the other structural example of the white type LED light emitting element of this invention.本発明の絶縁基板の好適な実施態様の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the suitable embodiment of the insulated substrate of this invention.マイクロポアの規則化度を算出する方法の説明図である。It is explanatory drawing of the method of calculating the regularization degree of a micropore.本発明の絶縁基板における絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）、陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）およびマイクロポアが形成されていない部分の陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｆ）を説明する図面である。It is drawing explaining the thickness (T_A ) of the insulating substrate, the thickness (T_O ) of the anodized film, and the thickness (T_F ) of the portion of the anodized film where the micropores are not formed.本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which showed one structural example of the white type LED light emitting element of this invention.従来の蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which showed the example of 1 structure of the conventional fluorescent substance color mixture type white LED light emitting element.

１．第１態様
［絶縁基板］
　以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板は、アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板である。
　次に、本発明の絶縁基板の構成について、図１を用いて説明する。1. First aspect [insulating substrate]
Hereinafter, the insulating substrate of the present invention will be described in detail.
The insulating substrate of the present invention comprises an aluminum substrate and an anodic oxide film that covers the entire surface of the aluminum substrate, and in the anodic oxide film, 2000 intermetallic compounds having an equivalent circle diameter of 1 μm or more are 2000 pieces / mm³ or less. This is an insulating substrate.
Next, the structure of the insulating substrate of the present invention will be described with reference to FIG.

　図１は、本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。
　図１に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２を主体に構成されている。アルミニウム基板２の全面は、陽極酸化皮膜３によって被覆されている。1A and 1B are schematic views showing an example of a preferred embodiment of an insulating substrate of the present invention, where FIG. 1A shows a plan view and FIG. 1B shows a cross-sectional view.
As shown in FIG. 1, the insulatingsubstrate 1 of the present invention is mainly composed of analuminum substrate 2. The entire surface of thealuminum substrate 2 is covered with ananodized film 3.

　ここで、アルミニウム基板２の「全面」とは、アルミニウム基板２において外部雰囲気と接する全ての露出面をいい、図１に示すように、アルミニウム基板２が平板状である場合には、アルミニウム基板２の表裏面はもとより、アルミニウム基板の厚さを規定する面をも含む概念である。Here, the “entire surface” of thealuminum substrate 2 refers to all exposed surfaces in contact with the external atmosphere in thealuminum substrate 2, and when thealuminum substrate 2 is flat as shown in FIG. 1, thealuminum substrate 2 The concept includes not only the front and back surfaces but also the surface defining the thickness of the aluminum substrate.

　また、図１に示すように、アルミニウム基板２には、その厚さ方向に貫通させて、スルーホール４が形成されていてもよい。アルミニウム基板２の全面が陽極酸化皮膜３によって被覆されているため、スルーホール４の内壁面も同様に、陽極酸化皮膜３によって被覆されている。Further, as shown in FIG. 1, a throughhole 4 may be formed in thealuminum substrate 2 so as to penetrate in the thickness direction. Since the entire surface of thealuminum substrate 2 is covered with theanodic oxide film 3, the inner wall surface of the throughhole 4 is similarly covered with theanodic oxide film 3.

　本発明の絶縁基板１では、陽極酸化皮膜３が絶縁層となる。そのため、絶縁基板１の表面に配置されるＬＥＤチップ（図示せず）に対して、絶縁基板１の裏面側から絶縁基板１の外周の陽極酸化皮膜３を沿わせて、電力供給のための配線（図示せず）を形成することができる。
　また、スルーホール４の内壁面も陽極酸化皮膜３によって被覆されているため、スルーホール４を通過させて、絶縁基板１の裏面側から表面側に向けて配線を形成することもできる。
　ＬＥＤチップを絶縁基板に表面実装する場合、電力供給のための配線を絶縁基板の裏面側から表面側に向けて形成する必要があるが、本発明の絶縁基板１によれば、これが可能となる。
　なお、配線は、例えば、後述するように、金属インクをインクジェット印刷法、スクリーン印刷法等により印刷し焼成する方法等によって形成することができる。
　このとき、アルミニウム基板２が高い熱伝導性を有するため、ＬＥＤチップが熱を帯びたとしても、優れた放熱性が得られる。In the insulatingsubstrate 1 of the present invention, theanodic oxide film 3 becomes an insulating layer. Therefore, wiring for power supply is provided along theanodic oxide film 3 on the outer periphery of the insulatingsubstrate 1 from the back side of the insulatingsubstrate 1 to the LED chip (not shown) arranged on the surface of the insulatingsubstrate 1. (Not shown) can be formed.
Further, since the inner wall surface of the throughhole 4 is also covered with theanodic oxide film 3, it is possible to form the wiring from the back surface side to the front surface side of the insulatingsubstrate 1 through the throughhole 4.
When the LED chip is surface-mounted on an insulating substrate, it is necessary to form wiring for supplying power from the back side to the front side of the insulating substrate. However, according to the insulatingsubstrate 1 of the present invention, this is possible. .
The wiring can be formed by, for example, a method of printing and baking a metal ink by an ink jet printing method, a screen printing method, or the like, as will be described later.
At this time, since thealuminum substrate 2 has high thermal conductivity, even if the LED chip is heated, excellent heat dissipation is obtained.

　以下に、本発明の絶縁基板を構成するアルミニウム基板、陽極酸化皮膜、スルーホール等について詳述する。Hereinafter, an aluminum substrate, an anodized film, a through hole and the like constituting the insulating substrate of the present invention will be described in detail.

 〔アルミニウム基板〕
　上記アルミニウム基板としては、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。[Aluminum substrate]
As the aluminum substrate, a known aluminum substrate can be used. In addition to a pure aluminum substrate, an alloy plate containing aluminum as a main component and containing a trace amount of foreign elements; low-purity aluminum (for example, recycled material) and high-purity aluminum It is also possible to use a substrate on which the surface of silicon wafer, quartz, glass or the like is coated with high-purity aluminum by a method such as vapor deposition or sputtering; a resin substrate in which aluminum is laminated;

　上記アルミニウム基板の厚さは、特に限定されないが、実装部品の低背化の観点から、０．２～０．５ｍｍであるのが好ましい。なお、アルミニウム基板２を、所望の形状に加工することで、設計変更等にも柔軟に対応できる。The thickness of the aluminum substrate is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 0.5 mm from the viewpoint of reducing the height of the mounted component. In addition, it can respond flexibly to a design change etc. by processing thealuminum substrate 2 into a desired shape.

　上記アルミニウム基板のアルミニウム純度は、高い方が好ましい。具体的には、アルミニウム純度が、９９．９５質量％以上であるのが好ましく、９９．９９質量％以上であるのがより好ましい。
　アルミニウム純度が上記範囲であると、上記アルミニウム基板中のＳｉ、Ｆｅ等の不純物が極めて微量となり、後述する陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化皮膜中に残存する金属間化合物の個数が低減する。The higher aluminum purity of the aluminum substrate is preferable. Specifically, the aluminum purity is preferably 99.95% by mass or more, and more preferably 99.99% by mass or more.
When the aluminum purity is in the above range, impurities such as Si and Fe in the aluminum substrate become extremely small, and the number of intermetallic compounds remaining in the anodized film formed by performing anodizing treatment described later is reduced. To do.

　また、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
　脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去することを目的として行われる。脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
　鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくすために行われる。鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。Moreover, when performing the anodizing process mentioned later with respect to the said aluminum substrate, it is preferable that the surface which anodizes is previously degreased and a mirror finishing process.
The degreasing treatment is performed for the purpose of dissolving and removing organic components such as dust, fat, and resin attached to the aluminum substrate using an acid, an alkali, an organic solvent, or the like. A conventionally known degreasing agent can be used for the degreasing treatment. Specifically, for example, various commercially available degreasing agents can be used by a predetermined method.
The mirror finish processing is performed to eliminate unevenness on the surface of the aluminum substrate, for example, rolling streaks generated during the rolling of the aluminum substrate. The mirror finishing process is not particularly limited, and a conventionally known method can be used. Examples thereof include mechanical polishing, chemical polishing, and electrolytic polishing.

 〔陽極酸化皮膜〕
　上記陽極酸化皮膜は、存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物の個数が２０００個／ｍｍ³以下である酸化アルミニウム皮膜である。
　上記陽極酸化皮膜は、例えば、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板の全面に形成される。
　上記陽極酸化皮膜の厚さは、絶縁性の観点から、５～７５μｍであるのが好ましく、１０～５０μｍであるのがより好ましい。[Anodized film]
The anodic oxide film is an aluminum oxide film in which the number of existing intermetallic compounds having an equivalent circle diameter of 1 μm or more is 2000 pieces / mm³ or less.
The anodic oxide film is formed on the entire surface of the aluminum substrate, for example, by subjecting the aluminum substrate to an anodic oxidation treatment described later.
The thickness of the anodic oxide film is preferably 5 to 75 μm, more preferably 10 to 50 μm from the viewpoint of insulation.

　ここで、金属間化合物について説明する。
　本発明において、金属間化合物とは、上記アルミニウム基板中のアルミニウムとＳｉ、Ｆｅ等の不純物とによって構成される化合物である。後述する陽極酸化処理によって、一部の金属間化合物はアルミニウムとともに酸化され、別の一部の金属間化合物は残存すると言われている。
　本発明においては、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下であり、１０００個／ｍｍ³以下が好ましく、８００個／ｍｍ³以下がより好ましく、２００個／ｍｍ³以下がさらに好ましい。
　また、金属間化合物の個数は次のように測定した。まず、陽極酸化皮膜の外面と断面とを、加速電圧２ｋＶ、観察倍率１００００倍で、測定面積が０．０１ｍｍ^２となるように、複数視野をＦＥ－ＳＥＭ（日立製作所社製、Ｓ－４０００）で観察した。この観察結果から、陽極酸化皮膜外面の金属間化合物の存在確率Ｐｓ（個／ｍｍ^２）と、陽極酸化皮膜断面の金属間化合物の存在確率Ｐｃ（個／ｍｍ^２）とを求め、計算式｛（Ｐｓ×Ｐｃ）＾（３／４）｝から、有効数字を２桁として、陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数を、算術的に求めた。
　円相当直径とは、ＳＥＭ写真における金属間化合物の面積と同じ面積を有する円の直径として換算した値である。Here, the intermetallic compound will be described.
In the present invention, the intermetallic compound is a compound composed of aluminum in the aluminum substrate and impurities such as Si and Fe. It is said that a part of intermetallic compounds are oxidized together with aluminum by an anodic oxidation process described later, and another part of intermetallic compounds remains.
In the present invention, in the anodic oxide film, the intermetallic compound having an equivalent circle diameter of 1 μm or more is 2000 pieces / mm³ or less, preferably 1000 pieces / mm³ or less, more preferably 800 pieces / mm³ or less, More preferably 200 pieces / mm³ or less.
The number of intermetallic compounds was measured as follows. First, FE-SEM (manufactured by Hitachi, Ltd., S-4000) is used so that the outer surface and cross section of the anodized film have an acceleration voltage of 2 kV, an observation magnification of 10000 times, and a measurement area of 0.01 mm^2. Observed at. From this observation result, the existence probability Ps (pieces / mm² ) of the intermetallic compound on the outer surface of the anodized film and the existence probability Pc (pieces / mm² ) of the intermetallic compound on the cross section of the anodized film are obtained, and the calculation formula { From (Ps × Pc) ^ (3/4)}, the number of intermetallic compounds in the anodic oxide film was arithmetically obtained with two significant digits.
The equivalent circle diameter is a value converted as the diameter of a circle having the same area as the area of the intermetallic compound in the SEM photograph.

　上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数が上記範囲であると、本発明の絶縁基板は、絶縁性に優れる。
　これは、上記陽極酸化皮膜中に残存している金属間化合物は絶縁破壊等の起点になると考えられるところ、本発明によれば、上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の絶対数が低く抑えられるため、絶縁破壊等が起こりにくくなるからであると考えられる。When the number of intermetallic compounds in the anodic oxide film is within the above range, the insulating substrate of the present invention is excellent in insulating properties.
This is because the intermetallic compound remaining in the anodic oxide film is considered to be a starting point for dielectric breakdown or the like. According to the present invention, the absolute number of intermetallic compounds in the anodic oxide film can be kept low. Therefore, it is considered that dielectric breakdown or the like hardly occurs.

　なお、本発明者は、金属間化合物がアルミニウム基板の芯部分で増えることを明らかにした。これは、アルミニウムの鋳造工程に起因すると推定される。
　したがって、アルミニウム基板の芯部分の面についても陽極酸化皮膜を形成する場合、この陽極酸化皮膜と他の位置の陽極酸化皮膜とでは、金属間化合物の個数に差異が生じ、絶縁性等の特性にも差異が生じやすいと考えられる。
　しかし、本発明においては、金属間化合物の個数が全体的に低減されているため、陽極酸化皮膜の位置の違いによる絶縁性等の特性の差異も生じにくくなると考えられる。In addition, this inventor clarified that an intermetallic compound increases in the core part of an aluminum substrate. This is presumed to be due to the aluminum casting process.
Therefore, when an anodized film is also formed on the surface of the core portion of the aluminum substrate, there is a difference in the number of intermetallic compounds between this anodized film and the anodized film at other positions, resulting in characteristics such as insulation. The difference is likely to occur.
However, in the present invention, since the number of intermetallic compounds is reduced as a whole, it is considered that differences in characteristics such as insulation due to differences in the position of the anodized film are less likely to occur.

 〔スルーホール〕
　所望により形成する上記スルーホールは、後述する陽極酸化処理によって上記陽極酸化皮膜が形成される前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成される。これにより、上記スルーホールの内壁面も上記陽極酸化皮膜で被覆される。
　上記スルーホールの形状は、特に限定されないが、後述する陽極酸化処理が施される際の上記アルミニウム基板の体積膨張を考慮して、目的のホール径よりもわずかに大径に形成されることが好ましい。
　また、上記スルーホールが形成される個数は、実施態様に応じて変更されるため、特に限定されないが、例えば、個片化された上記アルミニウム基板に対して２個である。[Through hole]
The through hole formed as desired is formed so as to penetrate in the thickness direction of the aluminum substrate before the anodic oxide film is formed by an anodic oxidation process described later. Thereby, the inner wall surface of the through hole is also covered with the anodized film.
The shape of the through hole is not particularly limited, but may be formed slightly larger than the target hole diameter in consideration of the volume expansion of the aluminum substrate when the anodizing process described later is performed. preferable.
In addition, the number of through holes formed is not particularly limited because it is changed according to the embodiment. For example, the number of through holes is two for the aluminum substrate divided into pieces.

［絶縁基板の製造方法］
　以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、上述した本発明の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法である。[Insulating substrate manufacturing method]
Below, the manufacturing method of the insulated substrate of this invention is demonstrated in detail.
An insulating substrate manufacturing method according to the present invention is an insulating substrate manufacturing method for obtaining the above-described insulating substrate according to the present invention, and includes an anodizing treatment step of anodizing the aluminum substrate. An insulating substrate manufacturing method for obtaining an insulating substrate.

　次に、本発明の絶縁基板の製造方法が備える各工程について、図２に基づいて説明する。図２は、本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示すフローチャートである。Next, each step included in the method for manufacturing an insulating substrate of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart showing an example of a preferred embodiment of the insulating substrate of the present invention.

 〔陽極酸化処理工程〕
　陽極酸化処理工程は、上記アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施して、上記アルミニウム基板の全面を被覆する上記陽極酸化皮膜を形成する工程である。[Anodizing treatment process]
The anodizing treatment step is a step of forming the anodized film that covers the entire surface of the aluminum substrate by anodizing the aluminum substrate.

　陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来の方法で陽極酸化処理を施すことができる。
　具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができ、中でも硫酸、ホウ酸を用いることが好ましい。The anodizing treatment in the anodizing treatment step can be carried out by a conventional method performed in the production of a lithographic printing plate support or the like.
Specifically, sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid, oxalic acid, sulfamic acid, benzenesulfonic acid, amidosulfonic acid, malonic acid, citric acid, tartaric acid, boric acid, etc. are used alone as the solution used for the anodizing treatment. Or two or more types can be used in combination, and among these, sulfuric acid and boric acid are preferably used.

　硫酸電解液を用いる場合、その硫酸濃度は、１０～６０ｇ／ｌであることが好ましく、２０～４０ｇ／ｌであることがより好ましい。硫酸濃度がこの範囲であると、陽極酸化皮膜に残存する金属間化合物の個数が低減するため、本発明の絶縁基板は、絶縁性により優れる。When a sulfuric acid electrolyte is used, the sulfuric acid concentration is preferably 10 to 60 g / l, and more preferably 20 to 40 g / l. When the sulfuric acid concentration is within this range, the number of intermetallic compounds remaining in the anodized film is reduced, so that the insulating substrate of the present invention is more excellent in insulation.

　この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０～１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。At this time, at least a component normally contained in an aluminum substrate, an electrode, tap water, groundwater, or the like may be contained in the electrolytic solution. Furthermore, the 2nd, 3rd component may be added. Examples of the second and third components herein include metal ions such as Na, K, Mg, Li, Ca, Ti, Al, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn; Cation such as ammonium ion; anion such as nitrate ion, carbonate ion, chloride ion, phosphate ion, fluoride ion, sulfite ion, titanate ion, silicate ion, borate ion, etc., 0 to 10,000 ppm It may be contained at a concentration of about.

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１～８０質量％、液温５～７０℃、電流密度０．５～６０Ａ／ｄｍ²、電圧１～１００Ｖ、電解時間１５秒～５０分であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。In addition, the conditions of the anodizing treatment in the anodizing treatment step vary depending on the electrolyte used, and thus cannot be determined unconditionally. In general, however, the concentration of the electrolyte is 1 to 80% by mass, and the solution temperature is 5 to 70. It is appropriate that the temperature is 0.5 ° C., the current density is 0.5 to 60 A / dm² , the voltage is 1 to 100 V, and the electrolysis time is 15 seconds to 50 minutes.

　陽極酸化処理工程においては、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
　アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は１～６０Ａ／ｄｍ²であるのが好ましく、５～４０Ａ／ｄｍ²であるのがより好ましい。In the anodizing process, when anodizing is performed in an electrolytic solution containing sulfuric acid, direct current may be applied between the aluminum substrate and the counter electrode, or alternating current may be applied.
When direct current is applied to the aluminum substrate, the current density is preferably 1 to 60 A / dm² , and more preferably 5 to 40 A / dm² .

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５～１０Ａ／ｄｍ²の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０～５０Ａ／ｄｍ²またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。In addition, when the anodizing treatment in the anodizing treatment step is continuously performed, the beginning of the anodizing treatment is 5 to 5 so that current is concentrated on a part of the aluminum substrate and so-called “burning” does not occur. It is preferable to increase the current density to 30 to 50 A / dm² or more as the anodizing process proceeds with a current flowing at a low current density of 10 A / dm² . In the case where the anodizing process is continuously performed, it is preferable that the anodizing process is performed by a liquid power feeding method in which power is supplied to the aluminum substrate through an electrolytic solution.

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。Further, the anodizing treatment in the anodizing treatment step may be carried out independently under a certain treatment condition, but may be carried out by sequentially combining two or more different anodizing treatments.

　例えば、硫酸電解液を用いた陽極酸処理の後に、ホウ酸およびホウ酸ナトリウムを含有する電解液を用いて陽極酸化処理（追加ホウ酸処理）を施してもよい。これにより、得られる絶縁基板について、陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数がより低減される。
　追加ホウ酸処理の条件は、特に限定されないが、ホウ酸濃度は、０．１～１Ｍが好ましく、０．３～０．６Ｍがより好ましい。また、ホウ酸ナトリウム濃度は、０．０１～０．１Ｍが好ましく、０．０３～０．０６Ｍがより好ましい。さらに、電圧は、２００～６００Ｖが好ましく、液温は、２０～６０℃が好ましい。For example, after an anodic acid treatment using a sulfuric acid electrolytic solution, an anodic oxidation treatment (additional boric acid treatment) may be performed using an electrolytic solution containing boric acid and sodium borate. Thereby, the number of intermetallic compounds in the anodic oxide film is further reduced in the obtained insulating substrate.
The conditions for the additional boric acid treatment are not particularly limited, but the boric acid concentration is preferably 0.1 to 1M, and more preferably 0.3 to 0.6M. The sodium borate concentration is preferably 0.01 to 0.1M, more preferably 0.03 to 0.06M. Further, the voltage is preferably 200 to 600 V, and the liquid temperature is preferably 20 to 60 ° C.

 〔スルーホール形成工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法は、スルーホール形成工程を備えていてもよい。スルーホール形成工程は、上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向に上記スルーホールを貫通形成する工程である。
　上記スルーホールの形成に際しては、従来公知の方法を採用することができ、例えば、ドリル加工、レーザー加工、金型よる打ち抜き加工等を用いることができる。
　また、上述したように、上記スルーホールの形成に際しては、陽極酸化処理による上記アルミニウム基板の体積膨張を考慮して、目的のホール径よりもわずかに大径に形成することが好ましい。[Through hole formation process]
The method for manufacturing an insulating substrate of the present invention may include a through hole forming step. The through hole forming step is a step of penetrating and forming the through hole in the thickness direction of the aluminum substrate before the anodizing step.
In forming the through-hole, a conventionally known method can be employed. For example, drilling, laser processing, punching with a mold, or the like can be used.
Further, as described above, when forming the through hole, it is preferable to form the through hole slightly larger than the target hole diameter in consideration of the volume expansion of the aluminum substrate due to the anodizing treatment.

 〔個片化工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法は、個片化工程を備えていてもよい。個片化工程は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程を備える場合には、上記スルーホール形成工程の後、または、上記スルーホール形成工程と同時）に、上記アルミニウム基板を所望の形状で個片化可能にする工程である。この際、従来公知の方法を採用することができ、例えば、金型による内抜き加工、ドリルやレーザを用いたルーティング加工等を採用することができる。[Individualization process]
The method for manufacturing an insulating substrate according to the present invention may include an individualization step. In the singulation step, the aluminum substrate is desired before the anodizing step (when the through hole forming step is provided, after the through hole forming step or simultaneously with the through hole forming step). It is the process which makes it possible to divide into pieces with the shape. At this time, a conventionally known method can be employed, and for example, a hollowing process using a mold, a routing process using a drill or a laser, or the like can be employed.

　＜ルーティング加工＞
　ここで、図５に基いて、ルーティング加工について説明する。ルーティング加工は、板状のアルミニウム基板２（図５（Ａ１）参照）から、複数個のアルミニウム基板であるチップ９（図５（Ａ２）参照）を得るために行われる。
　ルーティング加工では、各々のチップ９の周囲に、アルミニウム基板２を貫通する切欠部１１が形成される（図５（Ａ２）参照）。このとき、異なるチップ９同士またはチップ９とアルミニウム基板２とを連結する連結部１０を残しておくことは、チップ９がアルミニウム基板２から切り離されてバラバラとならず、チップ９をアルミニウム基板２と一体に扱うことができるため、好ましい。
　そして、ルーティング加工の後、上述した陽極酸化処理を施し（図５（Ａ３）参照）、連結部１０を切り離すことで、絶縁基板としてのチップ９が得られる（図５（Ａ４）参照）。
　ところで、連結部１０を切り離した後のチップ９の側面には、陽極酸化されていないアルミニウム部分である切離跡１２が出現することになる（図５（Ａ４）参照）。このような切離跡１２は、陽極酸化されていないため、切離跡１２を有する絶縁基板としてのチップ９の絶縁性は、不十分となるおそれがある。<Routing processing>
Here, the routing process will be described with reference to FIG. The routing process is performed in order to obtain a plurality of chips 9 (see FIG. 5 (A2)) which are a plurality of aluminum substrates from the plate-like aluminum substrate 2 (see FIG. 5 (A1)).
In the routing process, notches 11 penetrating thealuminum substrate 2 are formed around each chip 9 (see FIG. 5 (A2)). At this time, leaving the connectingportions 10 that connect thedifferent chips 9 to each other or thechip 9 and thealuminum substrate 2 does not cause thechip 9 to be separated from thealuminum substrate 2, so that thechip 9 is separated from thealuminum substrate 2. Since it can handle integrally, it is preferable.
Then, after the routing process, the above-described anodic oxidation process is performed (see FIG. 5A3), and the connectingportion 10 is cut off to obtain thechip 9 as an insulating substrate (see FIG. 5A4).
By the way, on the side surface of thechip 9 after the linkingpart 10 is cut off, aseparation mark 12 that is an aluminum portion that is not anodized appears (see FIG. 5 (A4)). Since such aseparation trace 12 is not anodized, the insulating property of thechip 9 as an insulating substrate having theseparation trace 12 may be insufficient.

　そこで、本発明においては、図６に示すように、ルーティング加工の際に、連結部１０を、チップ９よりも薄く形成する（図６（Ｂ１）参照）。具体的には、連結部１０の厚さを、陽極酸化処理によって形成される陽極酸化皮膜３の厚さの２倍以下にすることで、連結部１０における全ての部分を陽極酸化皮膜３が占めるようにする（図６（Ｂ２）参照）。
　そうすると、連結部１０におけるアルミニウム部分は全く無くなるため、連結部１０を切り離しても、絶縁基板であるチップ９の切離跡１２は出現しない（図６（Ｂ３）参照）。このようにして得られた絶縁基板としてのチップ９の絶縁性は、十分なものとなる。Therefore, in the present invention, as shown in FIG. 6, the connectingportion 10 is formed thinner than thechip 9 during the routing process (see FIG. 6 (B1)). Specifically, theanodic oxide film 3 occupies all the portions in the connectingpart 10 by setting the thickness of the connectingpart 10 to be equal to or less than twice the thickness of the anodizedfilm 3 formed by anodizing treatment. (See FIG. 6B2).
Then, since the aluminum portion in the connectingportion 10 is completely eliminated, even if the connectingportion 10 is disconnected, theseparation trace 12 of thechip 9 which is an insulating substrate does not appear (see FIG. 6 (B3)). The insulating property of thechip 9 as the insulating substrate obtained in this way is sufficient.

　なお、連結部１０をチップ９よりも薄く形成するといっても、図７に示すように、連結部１０の厚さを、陽極酸化処理によって形成される陽極酸化皮膜３の厚さの２倍超にしてしまうと、連結部１０にアルミニウム部分が残ってしまう（図７（Ｃ２）参照）。この場合、連結部１０の切り離しにより、チップ９の側面には切離跡１２が僅かに出現してしまい（図７（Ｃ３）参照）、絶縁性は不十分となる。Even if the connectingportion 10 is formed thinner than thechip 9, as shown in FIG. 7, the thickness of the connectingportion 10 is more than twice the thickness of the anodizedfilm 3 formed by anodizing treatment. If it does, an aluminum part will remain in the connection part 10 (refer FIG. 7 (C2)). In this case, theseparation part 12 appears slightly on the side surface of thechip 9 due to the disconnection of the connecting part 10 (see FIG. 7 (C3)), and the insulation becomes insufficient.

 〔焼鈍処理工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法は、焼鈍処理工程を備えていてもよい。焼鈍処理工程は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程を備える場合は、上記スルーホール形成工程の前）に、上記アルミニウム基板に対して、焼鈍処理を施す工程である。
　焼鈍処理を施す場合は、３５０～６００℃で施すのが好ましく、４００～５００℃で施すのがより好ましい。また、１０～１００時間施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を焼鈍炉に入れる方法等が挙げられる。
　このような焼鈍処理を施すことにより、アルミニウム基板中の不純物を、その元素種にもよるが、基板中に固溶させることができるので、陽極酸化処理を施して形成される上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数が低減して、本発明の絶縁基板における絶縁性が、より良好になる。
　また、焼鈍処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。[Annealing process]
The method for manufacturing an insulating substrate of the present invention may include an annealing process. The annealing treatment step is a step of performing an annealing treatment on the aluminum substrate before the anodizing treatment step (when the through hole forming step is provided, before the through hole forming step).
When the annealing treatment is performed, it is preferably performed at 350 to 600 ° C, more preferably at 400 to 500 ° C. The treatment is preferably performed for 10 to 100 hours. Specifically, for example, a method of putting an aluminum substrate in an annealing furnace can be mentioned.
By performing such an annealing treatment, the impurities in the aluminum substrate can be dissolved in the substrate, depending on the element type, but in the anodic oxidation film formed by anodizing treatment. As a result, the number of intermetallic compounds decreases, and the insulating properties of the insulating substrate of the present invention become better.
Moreover, it is preferable that the annealed aluminum substrate is rapidly cooled. As a method for cooling, for example, a method of directly putting it into water or the like can be mentioned.

 〔その他の工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程または上記個片化工程を備える場合には、これらの工程の後）に、上記アルミニウム基板に対して、バリ、加工油分等の除去を目的としたエッチング処理を施すエッチング処理工程を備えることが好ましい。
　エッチング処理は、酸性の処理液でもアルカリ性の処理液でも用いることができ、例えば、リン酸、水酸化ナトリウム溶液等を用いることができる。この際、有機溶剤系の洗浄剤を併用してもよい。
　さらに、本発明の絶縁基板の製造方法は、上記エッチング処理工程の後であって上記陽極酸化処理工程の前に、陽極酸化処理時の均一性を確保する目的で、上記アルミニウム基板の全面を十分水洗する水洗工程を備えることが好ましい。そして、水洗後、陽極酸化処理までは、自然酸化皮膜の形成および空気中の不純物の付着を抑制するため、上記アルミニウム基板の全面を、空気中に暴露しないことが好ましい。[Other processes]
The method for producing an insulating substrate of the present invention is performed on the aluminum substrate before the anodizing treatment step (after the through-hole forming step or the singulation step, after these steps), It is preferable to provide an etching process step for performing an etching process for the purpose of removing burrs and processing oil.
For the etching treatment, either an acidic treatment solution or an alkaline treatment solution can be used. For example, phosphoric acid, a sodium hydroxide solution, or the like can be used. At this time, an organic solvent-based cleaning agent may be used in combination.
Furthermore, the method for manufacturing an insulating substrate according to the present invention is sufficient to ensure the uniformity of the aluminum substrate after the etching process and before the anodizing process in order to ensure uniformity during the anodizing process. It is preferable to provide a water washing step of washing with water. And after washing with water, it is preferable not to expose the entire surface of the aluminum substrate to the air in order to suppress the formation of a natural oxide film and the adhesion of impurities in the air until the anodizing treatment.

［配線の形成方法］
　以下に、本発明の配線の形成方法について詳細に説明する。
　本発明の配線の形成方法は、上述した本発明の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、上記所望部位にのみ上記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える配線の形成方法である。[Method of forming wiring]
The wiring forming method of the present invention will be described in detail below.
The wiring forming method of the present invention is a wiring forming method for forming a wiring at a desired site on the anodized film provided in the above-described insulating substrate of the present invention, and is a conductor metal that becomes the wiring only at the desired site This is a method for forming a wiring including a supply step of selectively supplying the.

　図８は、絶縁基板への配線を説明するための断面模式図である。絶縁基板１が備える陽極酸化皮膜３上の所望部位に配線を形成する方法としては、図８（Ａ）に示すように、まず、陽極酸化皮膜３の全面に、接着剤を用いて導体金属７の貼付（銅貼り）を行い、その後、所望部位以外の不要部７ｂをエッチング処理等で除去し、残った残部７ａを配線とする方法が考えられる。
　しかしながら、この方法を採用する場合、不要部７ｂをエッチング処理等で除去する工程が必須となる；使用される接着剤が絶縁基板の放熱性を悪化させる；等の問題が生じてしまう。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining wiring to the insulating substrate. As a method of forming a wiring at a desired site on theanodized film 3 provided in the insulatingsubstrate 1, first, as shown in FIG. 8A, theconductor metal 7 is applied to the entire surface of the anodizedfilm 3 using an adhesive. A method of attaching (copper) is performed, and then theunnecessary portion 7b other than the desired portion is removed by etching or the like, and the remainingportion 7a is used as a wiring.
However, when this method is employed, a process of removing theunnecessary portion 7b by etching or the like is essential; the problem is that the adhesive used deteriorates the heat dissipation of the insulating substrate.

　これに対し、本発明の配線の形成方法によれば、図８（Ｂ）に示すように、当初から所望部位にのみ導体金属７が選択的に供給されるため、不要部７ｂをエッチング処理等で除去すること等を必要とせずに所望部位に配線を形成することが可能となる。
　そして、本発明の配線の形成方法によって得られた配線については、陽極酸化皮膜３の全面に導体金属７を供給して得られた配線と同様な導通性を有し、特に、後述する第１～第４の配線の形成方法を採用することによって、接着剤が不要となり、絶縁基板の放熱性が維持される。On the other hand, according to the wiring forming method of the present invention, as shown in FIG. 8 (B), theconductive metal 7 is selectively supplied only from the beginning to a desired portion. Wiring can be formed at a desired site without the need for removal at the step.
And about the wiring obtained by the formation method of the wiring of this invention, it has the electroconductivity similar to the wiring obtained by supplying theconductor metal 7 to the whole surface of theanodic oxide film 3, and especially the 1st mentioned later. By adopting the fourth wiring formation method, no adhesive is required and the heat dissipation of the insulating substrate is maintained.

　図９は、導体金属の供給を説明するための模式図である。図９に基いて、導体金属を供給する場合について説明する。
　図９（Ａ）に示すように、絶縁基板１の形状が、段差のない平板状である場合には、本発明の配線の形成方法を用いることなく、絶縁基板１の陽極酸化皮膜（図９では図示せず）上に導体金属である金属箔層８を配置することができる。
　しかしながら、図９（Ｂ）～（Ｄ）に示すように、絶縁基板１の形状が、一面側に凹凸を有する形状（キャビティ形状）；チップ９同士を連結部１０が連結している形状（プラモデル形状）；チップ９にスルーホール４が形成されている形状（スルーホール形状）；等の段差を有する形状である場合には、金属箔層８をその形状に沿って配置することは困難である。
　そこで、絶縁基板１が段差を有する形状である場合には、所望部位にのみ導体金属７が選択的に供給される本発明の配線の形成方法を採用することにより、段差形状を有する絶縁基板１に対しても部分的に導体金属７を供給し配線とすることができる。このとき、図９（Ｄ）に示すように、配線が形成されることを所望する部位が絶縁基板１の表裏両側に位置していてもよい。
　なお、スルーホール形状の絶縁基板１に対しては、スルーホール４の内壁面にも導体金属７を供給する観点から、後述する第３の配線の形成方法または第４の配線の形成方法を採用することが好ましい。FIG. 9 is a schematic diagram for explaining the supply of the conductor metal. The case where a conductor metal is supplied will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 9A, when the shape of the insulatingsubstrate 1 is a flat plate without a step, the anodic oxide film (FIG. 9) of the insulatingsubstrate 1 is used without using the wiring forming method of the present invention. Themetal foil layer 8 which is a conductor metal can be arrange | positioned on (not shown in figure).
However, as shown in FIGS. 9B to 9D, the shape of the insulatingsubstrate 1 is a shape having irregularities on one side (cavity shape); a shape in which the connectingportions 10 connect thechips 9 to each other (plastic model) Shape); shape in which the throughhole 4 is formed in the chip 9 (through hole shape); or the like having a step, it is difficult to arrange themetal foil layer 8 along the shape. .
Therefore, when the insulatingsubstrate 1 has a stepped shape, the insulatingsubstrate 1 having the stepped shape is adopted by adopting the wiring forming method of the present invention in which theconductor metal 7 is selectively supplied only to a desired portion. Alternatively, theconductor metal 7 can be partially supplied to form a wiring. At this time, as shown in FIG. 9D, the portions where wiring is desired to be formed may be located on both the front and back sides of the insulatingsubstrate 1.
For the through-hole-shaped insulatingsubstrate 1, the third wiring formation method or the fourth wiring formation method described later is employed from the viewpoint of supplying theconductor metal 7 to the inner wall surface of the through-hole 4. It is preferable to do.

　次に、本発明の配線の形成方法として、第１～第４の配線の形成方法について説明する。
 〔第１の配線の形成方法〕
　第１の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である。第１の配線の形成方法によれば、金属インクが配線パターンを形成し、この配線パターンがその後焼成されて配線となる。
　そして、本発明の絶縁基板のように、端面（側面）まで陽極酸化皮膜が形成されている絶縁基板に対しては、第１の配線の形成方法を採用することで、金属インクを供給しやすいという効果が期待できる。Next, the first to fourth wiring forming methods will be described as the wiring forming method of the present invention.
[First Wiring Formation Method]
The supplying step in the first wiring forming method is a step of supplying a metal ink containing a conductive metal to a desired portion on the anodized film by an ink jet printing method. According to the first wiring formation method, the metal ink forms a wiring pattern, which is then baked to form a wiring.
And, for the insulating substrate on which the anodized film is formed up to the end face (side surface) like the insulating substrate of the present invention, the metal ink can be easily supplied by adopting the first wiring formation method. Can be expected.

　インクジェット印刷法に用いる機構としては、特に限定されず、従来公知の機構を用いることができる。
　金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。The mechanism used in the ink jet printing method is not particularly limited, and a conventionally known mechanism can be used.
Examples of the metal ink include one in which fine particles of conductive metal are uniformly dispersed in a solvent containing a binder, a surfactant, and the like. In this case, the solvent needs to have both affinity for the conductive metal and volatility.

　金属インクに含まれる導体金属としては、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の微粒子；酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の微粒子；Ｃｒ－Ｃｏ－Ｍｎ－Ｆｅ、Ｃｒ－Ｃｕ、Ｃｒ－Ｃｕ－Ｍｎ、Ｍｎ－Ｆｅ－Ｃｕ、Ｃｒ－Ｃｏ－Ｆｅ、Ｃｏ－Ｍｎ－Ｆｅ、Ｃｏ－Ｎｉ－Ｃｒ－Ｆｅなどの複合合金の微粒子；銀メッキ銅などのメッキ複合体の微粒子；等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
　これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。Conductive metals contained in the metal ink include fine particles of metals such as silver, copper, gold, platinum, nickel, aluminum, iron, palladium, chromium, molybdenum, tungsten; silver oxide, cobalt oxide, iron oxide, ruthenium oxide, etc. Metal oxide fine particles; Cr—Co—Mn—Fe, Cr—Cu, Cr—Cu—Mn, Mn—Fe—Cu, Cr—Co—Fe, Co—Mn—Fe, Co—Ni—Cr—Fe, etc. Fine particles of a composite alloy of the above; fine particles of a plated composite such as silver-plated copper; and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
Among these, metal fine particles are preferable, silver, copper, and gold are more preferable, oxidation resistance is excellent, it is difficult to form a high-insulation oxide, and the cost is low, and the conductivity after firing the wiring pattern is improved. For this reason, silver is particularly preferable.

　微粒子である導体金属の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、粒状、鱗片状等が挙げられるが、微粒子同士の接触面積を大きくして導電性を向上させるという観点から、鱗片状が好ましい。The shape of the conductive metal that is a fine particle is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, a granular shape, a scale shape, and the like. From the viewpoint of increasing the contact area between the fine particles and improving the conductivity, the scale shape is preferable. preferable.

　金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点、本発明の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜への供給という観点から、１～２０ｎｍが好ましく、５～１０ｎｍがより好ましい。The average size of the conductive metal contained in the metal ink is that the filling rate in the wiring pattern formed with the metal ink is increased to improve the conductivity, and the supply to the anodic oxide film provided in the insulating substrate of the present invention. From the viewpoint, 1 to 20 nm is preferable, and 5 to 10 nm is more preferable.

 〔第２の配線の形成方法〕
　第２の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である。第１の配線の形成方法と同様に、第２の配線の形成方法によれば、金属インクが配線パターンを形成し、この配線パターンがその後焼成されて配線となる。
　スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
　導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。[Second Wiring Formation Method]
The supplying step in the second wiring forming method is a step of supplying a metal ink containing a conductive metal to a desired portion on the anodized film by a screen printing method. Similar to the first wiring forming method, according to the second wiring forming method, the metal ink forms a wiring pattern, and this wiring pattern is then baked to form a wiring.
The supply of the metallic ink by the screen printing method can be performed by providing a transmissive portion according to the wiring pattern on the screen and squeezing the metallic ink from the transmissive portion.
As a metal ink containing a conductor metal, what was used by the inkjet printing method mentioned above can be used.

 〔第３の配線の形成方法〕
　第３の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位以外の部位にレジストを形成させた本発明の絶縁基板に対して、導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である。第３の配線の形成方法によれば、レジストが形成されていない上記陽極酸化皮膜上の所望部位にのみ導体金属を析出させて配線とすることができる。[Third Wiring Formation Method]
In the third wiring formation method, the supplying step uses a treatment liquid containing conductive metal ions for the insulating substrate of the present invention in which a resist is formed on a portion other than the desired portion on the anodized film. This is a step of performing electroless plating treatment and / or electrolytic plating treatment. According to the third method for forming a wiring, a conductive metal can be deposited only at a desired portion on the anodic oxide film on which no resist is formed to form a wiring.

　上記陽極酸化皮膜上にレジストを形成する方法としては、特に限定されず、例えば、レジスト液に浸漬させた本発明の絶縁基板を乾燥させて上記陽極酸化皮膜の全面にレジストを形成させ、配線パターンに従ってレジストを露光し、現像処理を行って不要なレジストを除去する方法等の従来公知の方法を用いることができる。The method for forming a resist on the anodic oxide film is not particularly limited. For example, the insulating substrate of the present invention immersed in a resist solution is dried to form a resist on the entire surface of the anodic oxide film, and a wiring pattern is formed. A conventionally known method such as a method of exposing the resist in accordance with the above and performing development treatment to remove unnecessary resist can be used.

　レジストとしては、上記陽極酸化皮膜を被覆することができるものであれば特に限定されず、従来公知のレジストを用いることができる。なお、フィルムタイプのレジストを用いることは、本発明の絶縁基板が上記スルーホールを備える等により段差を有する場合には、好ましくない。
　また、レジストは、本発明の絶縁基板を使用する際には、除去されていても残存していてもよい。レジストを残存させる場合には、本発明の絶縁基板の放熱性を損なわせないために、アルミナ、シリカ、チタニアなどの酸化物フィラーをレジストに含有させることが好ましい。The resist is not particularly limited as long as it can cover the anodic oxide film, and a conventionally known resist can be used. In addition, it is not preferable to use a film-type resist when the insulating substrate of the present invention has a step due to the provision of the through hole.
Further, the resist may be removed or remain when the insulating substrate of the present invention is used. When the resist is left, it is preferable to contain an oxide filler such as alumina, silica or titania in the resist so as not to impair the heat dissipation of the insulating substrate of the present invention.

　無電解めっき処理で用いる処理液としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の導体金属のイオンを含有する処理液が挙げられ、中でも、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕイオンを含有する処理液が好ましい。
　電解めっき処理で用いる処理液としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等の導体金属のイオンを含有する処理液が挙げられ、中でも、Ｃｕイオンを含有する処理液が好ましい。
　無電解めっき処理および／または電解めっき処理の条件としては、析出する導体金属が電気伝導可能な膜厚となるまで成長すれば特に限定されず、本発明の絶縁基板を無電解めっき処理液に長時間浸漬させて導体金属が所望膜厚となるまで無電解めっき処理のみを施してもよいし、無電解めっき処理を施して導体金属を一定膜厚まで成長させた後に電解めっき処理を施してこの導体金属をさらに成長させてもよい。Examples of the treatment liquid used in the electroless plating treatment include a treatment liquid containing conductive metal ions such as Ni, Au, Cu, and Pd. Among them, a treatment liquid containing Cu, Ni, and Au ions is preferable. .
Examples of the treatment liquid used in the electrolytic plating treatment include a treatment liquid containing conductive metal ions such as Cu, Ni, and Au, and among them, a treatment liquid containing Cu ions is preferable.
The conditions for the electroless plating treatment and / or the electrolytic plating treatment are not particularly limited as long as the deposited conductor metal grows to a film thickness that allows electrical conduction, and the insulating substrate of the present invention can be used as an electroless plating solution. The electroless plating treatment may be performed only until the conductor metal has a desired film thickness by immersing for a period of time, or after the electroless plating process is performed to grow the conductor metal to a certain film thickness, the electroplating process is performed. A conductive metal may be further grown.

 〔第４の配線の形成方法〕
　第４の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された上記金属還元層に対して導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である。第４の配線の形成方法によれば、金属還元層が形成された所望部位にだけ導体金属を析出させて配線とすることができる。[Fourth Wiring Formation Method]
In the fourth wiring formation method, the supplying step forms a metal reduction layer having metal reduction ability at a desired site on the anodized film, and contains conductor metal ions in the formed metal reduction layer This is a step of bringing the treatment liquid into contact. According to the fourth wiring formation method, the conductive metal can be deposited only at a desired portion where the metal reduction layer is formed to form a wiring.

　上記金属還元層は、例えば、金属捕捉能を有する官能基を含有するカップリング剤に金属還元能を有する金属をあらかじめ補足させて得られる処理液を、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法などの印刷法を用いて、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に印刷し、乾燥させることで形成される。
　上記カップリング剤としては、上記陽極酸化皮膜上の水酸基と反応する官能基を有していればよく、反応性の高いシラノール基を生成し得るシランカップリング剤が好ましい。
　上記カップリング剤が含有する金属捕捉能を有する官能基としては、メルカプト基、カルボキシ基、２－ヒドロキシフェニル基、３－ヒドロキシフェニル基、４－ヒドロキシフェニル基、エステル基、アミド基、イミダゾール基、エーテル基等が挙げられ、中でも、金属捕捉能により優れるという理由から、メルカプト基が好ましい。
　このような上記カップリング剤としては、例えば、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン［（ＣＨ₃Ｏ）₃ＳｉＣ₃Ｈ₆ＳＨ］等が挙げられる。
　上記カップリング剤に捕捉される金属還元能を有する金属としては、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ等が挙げられ、中でも、金属還元能により優れるという理由から、Ｐｄ（パラジウム）が好ましい。The metal reduction layer is obtained by, for example, a printing method such as an ink jet printing method or a screen printing method using a treatment liquid obtained by previously capturing a metal having a metal reducing ability into a coupling agent containing a functional group having a metal capturing ability. It is formed by printing on a desired site on the anodic oxide film and drying.
As said coupling agent, what is necessary is just to have the functional group which reacts with the hydroxyl group on the said anodic oxide film, and the silane coupling agent which can produce | generate a highly reactive silanol group is preferable.
Examples of the functional group having a metal capturing ability contained in the coupling agent include a mercapto group, a carboxy group, a 2-hydroxyphenyl group, a 3-hydroxyphenyl group, a 4-hydroxyphenyl group, an ester group, an amide group, an imidazole group, Examples include an ether group, and among them, a mercapto group is preferable because of its superior metal capturing ability.
Examples of such a coupling agent include γ-mercaptopropyltrimethoxysilane [(CH₃ O)₃ SiC₃ H₆ SH].
Examples of the metal having a metal reducing ability trapped by the coupling agent include Pd, Ag, Au, etc. Among them, Pd (palladium) is preferable because it is more excellent in metal reducing ability.

　上記金属還元層に対して接触させる処理液に含有される導体金属のイオンとしては、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属イオンが挙げられ、中でも、Ｃｕが好ましい。
　このような処理液としては、上述した無電解めっき処理で用いる処理液を好ましく用いることができる。Examples of the conductor metal ions contained in the treatment liquid brought into contact with the metal reduction layer include metal ions such as Ag, Ni, Au, Cu, and Pd, and among these, Cu is preferable.
As such a treatment solution, a treatment solution used in the above-described electroless plating treatment can be preferably used.

２．第２態様
［絶縁基板］
　以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板は、金属基板と、上記金属基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記金属基板がバルブ金属基板であり、上記絶縁層がバルブ金属の陽極酸化皮膜であり、上記陽極酸化皮膜の空隙率が３０％以下である絶縁基板である。
　次に、本発明の絶縁基板を構成する金属基板（バルブ金属基板）および絶縁層（バルブ金属の陽極酸化皮膜）について説明する。2. Second aspect [insulating substrate]
Hereinafter, the insulating substrate of the present invention will be described in detail.
The insulating substrate of the present invention is an insulating substrate having a metal substrate and an insulating layer provided on the surface of the metal substrate, wherein the metal substrate is a valve metal substrate, and the insulating layer is an anodized film of a valve metal. And an insulating substrate having a porosity of 30% or less of the anodized film.
Next, the metal substrate (valve metal substrate) and the insulating layer (valve metal anodized film) constituting the insulating substrate of the present invention will be described.

 〔金属基板〕
　本発明の絶縁基板に用いられる金属基板は、バルブ金属からなる基板である。
　ここで、バルブ金属とは、陽極酸化により金属表面がその金属の酸化物の皮膜で覆われる特性を有し、更にその酸化皮膜が、電流を一方方向にのみ流して逆方向には非常に流しにくい特性を有する金属のことであり、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
　これらのうち、発光素子における光源の透過性が良好となり、加工性および強度にも優れる理由から、アルミニウム基板であるのが好ましい。[Metal substrate]
The metal substrate used for the insulating substrate of the present invention is a substrate made of a valve metal.
Here, the valve metal has a characteristic that the metal surface is covered with an oxide film of the metal by anodic oxidation, and the oxide film flows only in one direction and flows very much in the reverse direction. It is a metal having difficult characteristics, and specific examples thereof include aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zirconium, zinc, tungsten, bismuth, antimony and the like.
Of these, an aluminum substrate is preferred because the light source has good light-transmitting properties and excellent workability and strength.

　＜アルミニウム基板＞
　本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
　ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。<Aluminum substrate>
As the aluminum substrate suitably used for the insulating substrate of the present invention, a known aluminum substrate can be used. In addition to a pure aluminum substrate, an alloy plate containing aluminum as a main component and a small amount of foreign elements; low-purity aluminum (for example, , Recycled materials), substrates with high-purity aluminum deposited thereon; substrates coated with high-purity aluminum on the surface of silicon wafers, quartz, glass, etc. by a method such as vapor deposition or sputtering; resin substrates with aluminum laminated; You can also.
Here, the foreign elements that may be included in the alloy plate include silicon, iron, copper, manganese, magnesium, chromium, zinc, bismuth, nickel, titanium, etc., and the content of the foreign elements in the alloy is It is preferably 10% by mass or less.

　このように本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、その組成が特定されるものではなく、例えば、アルミニウムハンドブック第４版（１９９０年、軽金属協会発行）に記載されている従来公知の素材、例えば、ＪＩＳ Ａ１０５０、ＪＩＳ Ａ１１００、ＪＩＳ Ａ１０７０、Ｍｎを含むＪＩＳ Ａ３００４、国際登録合金 ３１０３Ａ等のＡｌ－Ｍｎ系アルミニウム基板を適宜利用することができる。また、引張強度を増す目的で、これらのアルミニウム合金に０．１質量％以上のマグネシウムを添加したＡｌ－Ｍｇ系合金、Ａｌ－Ｍｎ－Ｍｇ系合金（ＪＩＳ Ａ３００５）を用いることもできる。更に、ＺｒやＳｉを含むＡｌ－Ｚｒ系合金やＡｌ－Ｓｉ系合金を用いることもできる。更に、Ａｌ－Ｍｇ－Ｓｉ系合金を用いることもできる。Thus, the composition of the aluminum substrate suitably used for the insulating substrate of the present invention is not specified. For example, a conventionally known aluminum substrate described in Aluminum Handbook 4th Edition (1990, published by Light Metal Association) A material such as an Al-Mn based aluminum substrate such as JIS A1050, JIS A1100, JIS A1070, JIS A3004 containing Mn, and internationally registered alloy 3103A can be used as appropriate. For the purpose of increasing the tensile strength, an Al—Mg alloy or an Al—Mn—Mg alloy (JIS A3005) obtained by adding 0.1 mass% or more of magnesium to these aluminum alloys can also be used. Furthermore, an Al—Zr alloy or an Al—Si alloy containing Zr or Si can also be used. Furthermore, an Al—Mg—Si based alloy can also be used.

　ＪＩＳ１０５０材に関しては、特開昭５９－１５３８６１号、特開昭６１－５１３９５号、特開昭６２－１４６６９４号、特開昭６０－２１５７２５号、特開昭６０－２１５７２６号、特開昭６０－２１５７２７号、特開昭６０－２１６７２８号、特開昭６１－２７２３６７号、特開昭５８－１１７５９号、特開昭５８－４２４９３号、特開昭５８－２２１２５４号、特開昭６２－１４８２９５号、特開平４－２５４５４５号、特開平４－１６５０４１号、特公平３－６８９３９号、特開平３－２３４５９４号、特公平１－４７５４５号、特開昭６２－１４０８９４号、特公平１－３５９１０号および特公昭５５－２８８７４号の各公報に記載されている。Regarding JIS 1050 materials, JP-A-59-153861, JP-A-61-51395, JP-A-62-146694, JP-A-60-215725, JP-A-60-215726, JP-A-60- No. 215727, JP-A-60-216728, JP-A-61-272367, JP-A-58-11759, JP-A-58-42493, JP-A-58-212254, JP-A-62-148295 JP-A-4-254545, JP-A-4-165541, JP-B-3-68939, JP-A-3-234594, JP-B-1-47545, JP-A-62-140894, JP-B-1-35910 And Japanese Patent Publication No. 55-28874.

　ＪＩＳ１０７０材に関しては、特開平７－８１２６４号、特開平７－３０５１３３号、特開平８－４９０３４号、特開平８－７３９７４号、特開平８－１０８６５９号および特開平８－９２６７９号の各公報に記載されている。Regarding the JIS 1070 material, each of JP-A-7-81264, JP-A-7-305133, JP-A-8-49034, JP-A-8-73974, JP-A-8-108659, and JP-A-8-92679 is disclosed. Are listed.

　Ａｌ－Ｍｇ系合金に関しては、特公昭６２－５０８０号、特公昭６３－６０８２３号、特公平３－６１７５３号、特開昭６０－２０３４９６号、特開昭６０－２０３４９７号、特公平３－１１６３５号、特開昭６１－２７４９９３号、特開昭６２－２３７９４号、特開昭６３－４７３４７号、特開昭６３－４７３４８号、特開昭６３－４７３４９号、特開昭６４－１２９３号、特開昭６３－１３５２９４号、特開昭６３－８７２８８号、特公平４－７３３９２号、特公平７－１００８４４号、特開昭６２－１４９８５６号、特公平４－７３３９４号、特開昭６２－１８１１９１号、特公平５－７６５３０号、特開昭６３－３０２９４号、特公平６－３７１１６号、特開平２－２１５５９９号および特開昭６１－２０１７４７号の各公報に記載されている。Regarding Al-Mg alloys, JP-B-62-5080, JP-B-63-60823, JP-B-3-61753, JP-A-60-203396, JP-A-60-203497, JP-B-3-11635 are used. JP, 61-274993, JP 62-23794, JP 63-47347, JP 63-47348, JP 63-47349, JP 64-12793, JP-A-63-135294, JP-A-63-87288, JP-B-4-73392, JP-B-7-1000084, JP-A-62-149856, JP-B-4-73394, JP-A-62- 181911, JP-B-5-76530, JP-A-63-30294, JP-B-6-37116, JP-A-2-215599, and JP-A-61-201747. It is.

　Ａｌ－Ｍｎ系合金に関しては、特開昭６０－２３０９５１号、特開平１－３０６２８８号、特開平２－２９３１８９号、特公昭５４－４２２８４号、特公平４－１９２９０号、特公平４－１９２９１号、特公平４－１９２９２号、特開昭６１－３５９９５号、特開昭６４－５１９９２号および特開平４－２２６３９４号の各公報、米国特許第５，００９，７２２号明細書、同第５，０２８，２７６号明細書等に記載されている。Regarding Al-Mn alloys, JP-A-60-230951, JP-A-1-306288, JP-A-2-293189, JP-B-54-42284, JP-B-4-19290, JP-B-4-19291 JP-B-4-19292, JP-A-61-35995, JP-A-64-51992, and JP-A-4-226394, US Pat. No. 5,009,722, No. 028,276 and the like.

　Ａｌ－Ｍｎ－Ｍｇ系合金に関しては、特開昭６２－８６１４３号、特開平３－２２２７９６号、特公昭６３－６０８２４号、特開昭６０－６３３４６号、特開昭６０－６３３４７号および特開平１－２９３３５０号の各公報、欧州特許第２２３，７３７号、米国特許第４，８１８，３００号、英国特許第１，２２２，７７７号の各明細書等に記載されている。Regarding Al-Mn-Mg alloys, JP-A-62-86143, JP-A-3-222296, JP-B-63-60824, JP-A-60-63346, JP-A-60-63347 and JP-A-60-63347 are disclosed. No. 1-293350, European Patent No. 223,737, US Pat. No. 4,818,300, British Patent No. 1,222,777 and the like.

　Ａｌ－Ｚｒ系合金に関しては、特公昭６３－１５９７８号、特開昭６１－５１３９５号、特開昭６３－１４３２３４号および特開昭６３－１４３２３５号の各公報等に記載されている。The Al—Zr alloy is described in Japanese Patent Publication Nos. 63-15978, 61-51395, 63-143234, and 63-143235.

　Ａｌ－Ｍｇ－Ｓｉ系合金に関しては、英国特許第１，４２１，７１０号明細書等に記載されている。The Al—Mg—Si alloy is described in British Patent No. 1,421,710.

　アルミニウム合金を板材とするには、例えば、下記の方法を採用することができる。
　まず、所定の合金成分含有量に調整したアルミニウム合金溶湯に、常法に従い、清浄化処理を行い、鋳造する。清浄化処理には、溶湯中の水素等の不要ガスを除去するために、フラックス処理、アルゴンガス、塩素ガス等を用いる脱ガス処理、セラミックチューブフィルタ、セラミックフォームフィルタ等のいわゆるリジッドメディアフィルタや、アルミナフレーク、アルミナボール等をろ材とするフィルタや、グラスクロスフィルタ等を用いるフィルタリング処理、あるいは、脱ガス処理とフィルタリング処理を組み合わせた処理が行われる。In order to use an aluminum alloy as a plate material, for example, the following method can be employed.
First, a molten aluminum alloy adjusted to a predetermined alloy component content is subjected to a cleaning process and cast according to a conventional method. In the cleaning process, in order to remove unnecessary gas such as hydrogen in the molten metal, flux treatment, degassing process using argon gas, chlorine gas, etc., so-called rigid media filter such as ceramic tube filter, ceramic foam filter, A filtering process using a filter that uses alumina flakes, alumina balls or the like as a filter medium, a glass cloth filter, or a combination of a degassing process and a filtering process is performed.

　これらの清浄化処理は、溶湯中の非金属介在物、酸化物等の異物による欠陥や、溶湯に溶け込んだガスによる欠陥を防ぐために実施されることが好ましい。溶湯のフィルタリングに関しては、特開平６－５７４３２号、特開平３－１６２５３０号、特開平５－１４０６５９号、特開平４－２３１４２５号、特開平４－２７６０３１号、特開平５－３１１２６１号、特開平６－１３６４６６号の各公報等に記載されている。また、溶湯の脱ガスに関しては、特開平５－５１６５９号公報、実開平５－４９１４８号公報等に記載されている。本出願人も、特開平７－４００１７号公報において、溶湯の脱ガスに関する技術を提案している。These cleaning treatments are preferably carried out in order to prevent defects caused by foreign substances such as non-metallic inclusions and oxides in the molten metal and defects caused by gas dissolved in the molten metal. Regarding filtering of the molten metal, JP-A-6-57432, JP-A-3-162530, JP-A-5-140659, JP-A-4-231425, JP-A-4-276031, JP-A-5-312661, JP-A-5-312661 It is described in each publication of JP-A-6-136466. Further, the degassing of the molten metal is described in JP-A-5-51659, JP-A-5-49148, and the like. The present applicant has also proposed a technique relating to degassing of molten metal in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-40017.

　ついで、上述したように清浄化処理を施された溶湯を用いて鋳造を行う。鋳造方法に関しては、ＤＣ鋳造法に代表される固定鋳型を用いる方法と、連続鋳造法に代表される駆動鋳型を用いる方法がある。
　ＤＣ鋳造においては、冷却速度が０．５～３０℃／秒の範囲で凝固する。１℃未満であると粗大な金属間化合物が多数形成されることがある。ＤＣ鋳造を行った場合、板厚３００～８００ｍｍの鋳塊を製造することができる。その鋳塊を、常法に従い、必要に応じて面削を行い、通常、表層の１～３０ｍｍ、好ましくは１～１０ｍｍを切削する。その前後において、必要に応じて、均熱化処理を行う。均熱化処理を行う場合、金属間化合物が粗大化しないように、４５０～６２０℃で１～４８時間の熱処理を行う。熱処理が１時間より短い場合には、均熱化処理の効果が不十分となることがある。Next, casting is performed using the molten metal that has been subjected to the cleaning treatment as described above. As for the casting method, there are a method using a fixed mold represented by a DC casting method and a method using a driving mold represented by a continuous casting method.
In DC casting, solidification occurs at a cooling rate of 0.5 to 30 ° C./second. When the temperature is less than 1 ° C., many coarse intermetallic compounds may be formed. When DC casting is performed, an ingot having a thickness of 300 to 800 mm can be produced. The ingot is chamfered as necessary according to a conventional method, and usually 1 to 30 mm, preferably 1 to 10 mm, of the surface layer is cut. Before and after that, soaking treatment is performed as necessary. When soaking treatment is performed, heat treatment is performed at 450 to 620 ° C. for 1 to 48 hours so that the intermetallic compound does not become coarse. If the heat treatment is shorter than 1 hour, the effect of soaking may be insufficient.

　その後、熱間圧延、冷間圧延を行ってアルミニウム基板の圧延板とする。熱間圧延の開始温度は３５０～５００℃が適当である。熱間圧延の前もしくは後、またはその途中において、中間焼鈍処理を行ってもよい。中間焼鈍処理の条件は、バッチ式焼鈍炉を用いて２８０～６００℃で２～２０時間、好ましくは３５０～５００℃で２～１０時間加熱するか、連続焼鈍炉を用いて４００～６００℃で６分以下、好ましくは４５０～５５０℃で２分以下加熱するかである。連続焼鈍炉を用いて１０～２００℃／秒の昇温速度で加熱して、結晶組織を細かくすることもできる。Then, hot rolling and cold rolling are performed to obtain a rolled plate of an aluminum substrate. A suitable starting temperature for hot rolling is 350 to 500 ° C. An intermediate annealing treatment may be performed before or after hot rolling or in the middle thereof. The conditions for the intermediate annealing treatment are heating at 280 to 600 ° C. for 2 to 20 hours, preferably 350 to 500 ° C. for 2 to 10 hours using a batch annealing furnace, or 400 to 600 ° C. using a continuous annealing furnace. Heating is performed for 6 minutes or less, preferably 450 to 550 ° C. for 2 minutes or less. The crystal structure can be made finer by heating at a heating rate of 10 to 200 ° C./second using a continuous annealing furnace.

　以上の工程によって、所定の厚さ、例えば、０．１～０．５ｍｍに仕上げられたアルミニウム基板は、更にローラレベラ、テンションレベラ等の矯正装置によって平面性を改善してもよい。平面性の改善は、アルミニウム基板をシート状にカットした後に行ってもよいが、生産性を向上させるためには、連続したコイルの状態で行うことが好ましい。また、所定の板幅に加工するため、スリッタラインを通してもよい。また、アルミニウム基板同士の摩擦による傷の発生を防止するために、アルミニウム基板の表面に薄い油膜を設けてもよい。油膜には、必要に応じて、揮発性のものや、不揮発性のものが適宜用いられる。The flatness of the aluminum substrate finished to a predetermined thickness, for example, 0.1 to 0.5 mm by the above steps may be further improved by a correction device such as a roller leveler or a tension leveler. The flatness may be improved after the aluminum substrate is cut into a sheet, but in order to improve the productivity, it is preferable to perform it in a continuous coil state. Further, a slitter line may be used for processing into a predetermined plate width. Moreover, in order to prevent the generation | occurrence | production of the damage | wound by friction between aluminum substrates, you may provide a thin oil film on the surface of an aluminum substrate. As the oil film, a volatile or non-volatile film is appropriately used as necessary.

　一方、連続鋳造法としては、双ロール法（ハンター法）、３Ｃ法に代表される冷却ロールを用いる方法、双ベルト法（ハズレー法）、アルスイスキャスターＩＩ型に代表される冷却ベルトや冷却ブロックを用いる方法が、工業的に行われている。連続鋳造法を用いる場合には、冷却速度が１００～１０００℃／秒の範囲で凝固する。連続鋳造法は、一般的には、ＤＣ鋳造法に比べて冷却速度が速いため、アルミマトリックスに対する合金成分固溶度を高くすることができるという特徴を有する。連続鋳造法に関しては、本出願人によって提案された技術が、特開平３－７９７９８号、特開平５－２０１１６６号、特開平５－１５６４１４号、特開平６－２６２２０３号、特開平６－１２２９４９号、特開平６－２１０４０６号、特開平６－２６３０８号の各公報等に記載されている。On the other hand, as the continuous casting method, a twin roll method (hunter method), a method using a cooling roll typified by the 3C method, a double belt method (Hazley method), a cooling belt or a cooling block typified by Al-Swiss Caster II type The method using is industrially performed. When the continuous casting method is used, it solidifies at a cooling rate of 100 to 1000 ° C./second. Since the continuous casting method generally has a higher cooling rate than the DC casting method, it has a feature that the solid solubility of the alloy component in the aluminum matrix can be increased. Regarding the continuous casting method, the techniques proposed by the present applicant are disclosed in JP-A-3-79798, JP-A-5-201166, JP-A-5-156414, JP-A-6-262203, and JP-A-6-122949. JP-A-6-210406, JP-A-6-26308, and the like.

　連続鋳造を行った場合において、例えば、ハンター法等の冷却ロールを用いる方法を用いると、板厚１～１０ｍｍの鋳造板を直接、連続鋳造することができ、熱間圧延の工程を省略することができるというメリットが得られる。また、ハズレー法等の冷却ベルトを用いる方法を用いると、板厚１０～５０ｍｍの鋳造板を鋳造することができ、一般的に、鋳造直後に熱間圧延ロールを配置し連続的に圧延することで、板厚１～１０ｍｍの連続鋳造圧延板が得られる。When continuous casting is performed, for example, if a method using a cooling roll such as the Hunter method is used, a cast plate having a thickness of 1 to 10 mm can be directly continuously cast, and the hot rolling step is omitted. The advantage of being able to In addition, when a method using a cooling belt such as the Husley method is used, a cast plate having a thickness of 10 to 50 mm can be cast. Generally, a hot rolling roll is arranged immediately after casting and continuously rolled. Thus, a continuous cast and rolled plate having a thickness of 1 to 10 mm can be obtained.

　これらの連続鋳造圧延板は、ＤＣ鋳造について説明したのと同様に、冷間圧延、中間焼鈍、平面性の改善、スリット等の工程を経て、所定の厚さ、例えば、０．１～０．５ｍｍの板厚に仕上げられる。連続鋳造法を用いた場合の中間焼鈍条件および冷間圧延条件については、本出願人によって提案された技術が、特開平６－２２０５９３号、特開平６－２１０３０８号、特開平７－５４１１１号、特開平８－９２７０９号の各公報等に記載されている。These continuous cast and rolled sheets are subjected to processes such as cold rolling, intermediate annealing, improvement of flatness, slits, and the like in the same manner as described for DC casting, and a predetermined thickness, for example, 0.1 to 0.00. Finished to a thickness of 5 mm. As for the intermediate annealing conditions and the cold rolling conditions when using the continuous casting method, the techniques proposed by the present applicant are disclosed in JP-A-6-220593, JP-A-6-210308, JP-A-7-54111, It is described in JP-A-8-92709.

　アルミニウム基板の結晶組織は、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理を行った場合、アルミニウム基板の表面の結晶組織が面質不良の発生の原因となることがあるので、表面においてあまり粗大でないことが好ましい。アルミニウム基板の表面の結晶組織は、幅が２００μｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以下であるのがより好ましく、５０μｍ以下であるのが更に好ましく、また、結晶組織の長さが５０００μｍ以下であるのが好ましく、１０００μｍ以下であるのがより好ましく、５００μｍ以下であるのが更に好ましい。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平６－２１８４９５号、特開平７－３９９０６号、特開平７－１２４６０９号の各公報等に記載されている。The crystal structure of the aluminum substrate may cause poor surface quality when the surface of the aluminum substrate is subjected to chemical or electrochemical surface roughening. It is preferably not too coarse. The crystal structure on the surface of the aluminum substrate preferably has a width of 200 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less, and the length of the crystal structure is 5000 μm or less. Is preferably 1000 μm or less, and more preferably 500 μm or less. With respect to these, techniques proposed by the present applicant are described in Japanese Patent Laid-Open Nos. 6-218495, 7-39906, and 7-124609.

　アルミニウム基板の合金成分分布は、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理を行った場合、アルミニウム基板の表面の合金成分の不均一な分布に起因して面質不良が発生することがあるので、表面においてあまり不均一でないことが好ましい。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平６－４８０５８号、特開平５－３０１４７８号、特開平７－１３２６８９号の各公報等に記載されている。The distribution of alloy components on the aluminum substrate may cause poor surface quality due to non-uniform distribution of alloy components on the surface of the aluminum substrate when chemical or electrochemical surface roughening is performed. Therefore, it is preferable that the surface is not very uneven. With regard to these, techniques proposed by the present applicant are described in JP-A-6-48058, JP-A-5-301478, JP-A-7-132689, and the like.

　アルミニウム基板の金属間化合物は、その金属間化合物のサイズや密度が、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理に影響を与える場合がある。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平７－１３８６８７号、特開平４－２５４５４５号の各公報等に記載されている。In the case of an intermetallic compound on an aluminum substrate, the size and density of the intermetallic compound may affect the chemical roughening treatment or the electrochemical roughening treatment. With regard to these, techniques proposed by the present applicant are described in Japanese Patent Laid-Open Nos. 7-138687 and 4-254545.

　本発明においては、上記に示されるようなアルミニウム基板をその最終圧延工程等において、積層圧延、転写等により凹凸を形成させて用いることもできる。In the present invention, an aluminum substrate as described above can be used by forming irregularities by lamination rolling, transfer, etc. in the final rolling step or the like.

　本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、アルミニウムウェブであってもよく、枚葉状シートであってもよい。
　アルミニウムウェブの場合、アルミニウムの荷姿としては、例えば、鉄製パレットにハードボードとフェルトとを敷き、製品両端に段ボールドーナツ板を当て、ポリチュ－ブで全体を包み、コイル内径部に木製ドーナツを挿入し、コイル外周部にフェルトを当て、帯鉄で絞め、その外周部に表示を行う。また、包装材としては、ポリエチレンフィルム、緩衝材としては、ニードルフェルト、ハードボードを用いることができる。この他にもいろいろな形態があるが、安定して、キズも付かず運送等が可能であればこの方法に限るものではない。The aluminum substrate suitably used for the insulating substrate of the present invention may be an aluminum web or a sheet-like sheet.
In the case of an aluminum web, for example, the packing form of aluminum is, for example, laying hardboard and felt on an iron pallet, applying cardboard donut plates to both ends of the product, wrapping the whole with a polytube, and inserting a wooden donut into the inner diameter of the coil Then, a felt is applied to the outer periphery of the coil, the band is squeezed with a band, and the display is performed on the outer periphery. Moreover, a polyethylene film can be used as the packaging material, and a needle felt or a hard board can be used as the cushioning material. There are various other forms, but the present invention is not limited to this method as long as it is stable and can be transported without being damaged.

　本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板の厚みは、０．１～２．０ｍｍ程度であり、０．１５～１．５ｍｍであるのが好ましく、０．２～１．０ｍｍであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。The thickness of the aluminum substrate suitably used for the insulating substrate of the present invention is about 0.1 to 2.0 mm, preferably 0.15 to 1.5 mm, and preferably 0.2 to 1.0 mm. Is more preferable. This thickness can be appropriately changed according to the user's wishes or the like.

 〔絶縁層〕
　本発明の絶縁基板に用いられる絶縁層は、上記金属基板（バルブ金属基板）の表面に設けられる層であって、上述したバルブ金属の陽極酸化皮膜である。
　上記絶縁層は、上記バルブ金属基板とは別のバルブ金属基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記バルブ金属基板の一部（表面）に後述する陽極酸化処理を施すことによってバルブ金属基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。[Insulating layer]
The insulating layer used in the insulating substrate of the present invention is a layer provided on the surface of the metal substrate (valve metal substrate), and is the above-described anodized film of the valve metal.
The insulating layer may be an anodized film of a valve metal substrate different from the valve metal substrate, but from the viewpoint of preventing formation defects of the insulating layer, a part (surface) of the valve metal substrate will be described later. An anodized film formed on the valve metal substrate by anodizing is preferably performed.

　本発明においては、上記陽極酸化皮膜の空隙率が３０％以下であり、１５％以下であるのが好ましく、５％以下であるのがより好ましい。
　ここで、陽極酸化皮膜の空隙率とは、下記式により算出される値をいう。なお、下記式中、バルブ金属酸化物の密度（ｇ／ｃｍ³）は、化学便覧等に記載された密度をいい、例えば、酸化アルミニウムであれば３．９８であり、酸化チタンであれば４．２３である。
　　空隙率（％）＝〔１－（酸化皮膜密度／バルブ金属酸化物の密度）〕×１００
　（式中、酸化皮膜密度（ｇ／ｃｍ³）は、「単位面積あたりの酸化皮膜質量／酸化皮膜膜厚」を表す。）In the present invention, the porosity of the anodic oxide film is 30% or less, preferably 15% or less, more preferably 5% or less.
Here, the porosity of the anodized film refers to a value calculated by the following formula. In the following formula, the density (g / cm³ ) of the valve metal oxide refers to the density described in the chemical handbook, for example, 3.98 for aluminum oxide and 4 for titanium oxide. .23.
Porosity (%) = [1- (oxide film density / valve metal oxide density)] × 100
(In the formula, the oxide film density (g / cm³ ) represents “the oxide film mass per unit area / the oxide film thickness”.)

　このような空隙率を有する陽極酸化皮膜を絶縁層に用いることにより、絶縁性および放熱性がいずれも優れる発光素子を提供することができる。
　これは、陽極酸化皮膜の組成や膜厚に影響を与えずに、陽極酸化皮膜の空隙に存在する空気量が減ることになる結果、陽極酸化皮膜の優れた絶縁性を保持しつつ熱伝導率も高くすることができたためと考えられる。By using an anodic oxide film having such a porosity for the insulating layer, a light-emitting element that is excellent in both insulation and heat dissipation can be provided.
This reduces the amount of air present in the voids of the anodized film without affecting the composition and film thickness of the anodized film. It is thought that it was possible to raise the price.

　また、本発明においては、絶縁性をより良好とする観点から、図１１に示すように、上記陽極酸化皮膜１４が有するマイクロポア１５の内部の少なくとも一部が、上記陽極酸化皮膜１４を構成する物質とは異なる物質１６によって封孔されているのが好ましく（図１１（Ａ）参照）、更に後述する金属配線層との密着性も良好にする観点から、上記陽極酸化皮膜１４が有するマイクロポアが、その内部の少なくとも一部が上記陽極酸化皮膜１４を構成する物質とは異なる物質１６によって封孔されているマイクロポア１５ａとともに、その内部が上記異なる物質により封孔されていないマイクロポア１５ｂとで構成されているのがより好ましい（図１１（Ｂ）参照）。
　ここで、上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質は、絶縁性であるのが好ましく、その具体例としては、上記陽極酸化皮膜がアルミニウムの陽極酸化皮膜（酸化アルミニウム）である場合、具体的には、例えば、水酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、および、これらの水和物等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　これらのうち、酸化アルミニウムと屈折率が近く、発光素子における光源の透過性が良好となる理由ならびに酸化アルミニウムとの吸着性および絶縁性に優れる理由から、水酸化アルミニウムおよびその水和物であるのが好ましい。In the present invention, from the viewpoint of improving the insulating properties, as shown in FIG. 11, at least a part of the inside of themicropore 15 included in theanodic oxide film 14 constitutes theanodic oxide film 14. It is preferably sealed with asubstance 16 different from the substance (see FIG. 11A), and from the viewpoint of improving the adhesion to the metal wiring layer described later, the micropores of theanodic oxide film 14 are included. However, at least a part of the inside of themicropore 15a is sealed with a material 16 different from the material constituting theanodic oxide film 14, and the inside of themicropore 15b is not sealed with the different material. Is more preferable (see FIG. 11B).
Here, the substance different from the substance constituting the anodized film is preferably insulative, and as a specific example, when the anodized film is an aluminum anodized film (aluminum oxide), Specifically, examples thereof include aluminum hydroxide, titanium oxide, silicon oxide, magnesium oxide, tantalum oxide, niobium oxide, zirconium oxide, and hydrates thereof, and these may be used alone. Two or more kinds may be used in combination.
Of these, aluminum hydroxide and its hydrates have a refractive index that is close to that of aluminum oxide, and because the light source has good light-transmitting properties and because of its excellent adsorptivity and insulation with aluminum oxide. Is preferred.

　更に、本発明においては、発光素子の用途に応じて、上記絶縁層を上記金属基板の両面に設けていてもよく、上記金属基板の端面に設けていてもよい。Furthermore, in the present invention, the insulating layer may be provided on both surfaces of the metal substrate, or may be provided on the end surface of the metal substrate, depending on the use of the light emitting element.

　このような本発明の絶縁基板を構成する金属基板および絶縁層の表面は、特に白色ＬＥＤ用の絶縁基板として使用する場合において、光の拡散反射成分を高める観点から、所定の表面形状を設けることができる。
　表面形状としては、平均波長０．０１～１００μｍの凹凸を有する形状が好ましく、また、異なる波長の凹凸が重畳された形状であってもよい。
　このような表面形状を有すると、光拡散効果が向上し、発光吸収効果および干渉効果（反射としてのロスとなりうる効果）を抑えることができると推定される。
　このような表面形状を設ける処理は、例えば、特開２００７－２４５１１６号公報の段落［００４９］～［００７６］に記載されているような、機械的／電気的／化学的な各種処理条件で施すのが好ましい。The surface of the metal substrate and the insulating layer constituting the insulating substrate of the present invention is provided with a predetermined surface shape from the viewpoint of increasing the diffuse reflection component of light, particularly when used as an insulating substrate for a white LED. Can do.
The surface shape is preferably a shape having irregularities with an average wavelength of 0.01 to 100 μm, and may be a shape in which irregularities with different wavelengths are superimposed.
With such a surface shape, it is presumed that the light diffusion effect is improved, and the light emission absorption effect and the interference effect (effect that can be a loss as reflection) can be suppressed.
The treatment for providing such a surface shape is performed under various mechanical / electrical / chemical treatment conditions as described, for example, in paragraphs [0049] to [0076] of JP-A-2007-245116. Is preferred.

　特に、本発明の絶縁基板を構成する絶縁層（陽極酸化皮膜）の表面は、ＬＥＤ実装を考慮して設けられる後述する金属配線層との密着性が良好となり、非配線部分の反射特性の劣化を抑制できる理由から、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を有しているのが好ましい。
　本発明においては、上記凹凸は、上記陽極酸化皮膜が有するマイクロポアの内部の一部（例えば、８～９割程度）に上記異なる物質を封孔することによっても形成することができる。In particular, the surface of the insulating layer (anodized film) that constitutes the insulating substrate of the present invention has good adhesion to a metal wiring layer, which will be described later, in consideration of LED mounting, and deterioration of the reflection characteristics of the non-wiring portion. In view of the above, it is preferable to have irregularities having an average pitch of 0.5 μm or less and an average diameter of 1 μm or more.
In the present invention, the irregularities can also be formed by sealing the different substances in a part (for example, about 80 to 90%) of the micropores of the anodized film.

［絶縁基板の製造方法］
　以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を製造する方法であって、
　バルブ金属基板の表面に陽極酸化処理を施して、バルブ金属の陽極酸化皮膜をバルブ金属基板上に形成させる陽極酸化処理工程と、
　上記陽極酸化処理工程の後に、封孔処理を施して、上記陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とする封孔処理工程とを有する絶縁基板の製造方法である。
　次に、陽極酸化処理工程および封孔処理工程について説明する。[Insulating substrate manufacturing method]
Below, the manufacturing method of the insulated substrate of this invention is demonstrated in detail.
The manufacturing method of the insulating substrate of the present invention is a method of manufacturing the above-described insulating substrate of the present invention,
Anodizing the surface of the valve metal substrate to form an anodized film of the valve metal on the valve metal substrate;
After the said anodizing process, it is a manufacturing method of an insulating substrate which performs a sealing process and has the sealing process process which makes the porosity of the said anodized film 30% or less.
Next, the anodizing process and the sealing process will be described.

 〔陽極酸化処理工程〕
　陽極酸化処理工程は、上記金属基板の表面に陽極酸化処理を施すことにより、金属基板表面に多孔質または非孔質部分を有する絶縁層を形成する処理工程である。[Anodizing treatment process]
The anodizing process is a process for forming an insulating layer having a porous or non-porous portion on the surface of the metal substrate by anodizing the surface of the metal substrate.

　酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来の方法で陽極酸化処理を施すことができる。
　具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属／アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０～１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。The anodizing treatment in the oxidation treatment step can be performed by a conventional method performed in the production of a lithographic printing plate support or the like.
Specifically, as a solution used for anodizing treatment, sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid, oxalic acid, sulfamic acid, benzenesulfonic acid, amidosulfonic acid, malonic acid, citric acid, tartaric acid, boric acid, etc. Alkali metal / alkaline earth metal hydroxides such as sodium hydroxide, magnesium hydroxide, potassium hydroxide and calcium hydroxide can be used alone or in combination of two or more.
At this time, at least a component usually contained in an aluminum substrate, an electrode, tap water, ground water, or the like may be contained in the electrolytic solution. Furthermore, the 2nd, 3rd component may be added. Examples of the second and third components herein include metal ions such as Na, K, Mg, Li, Ca, Ti, Al, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn; Cation such as ammonium ion; anion such as nitrate ion, carbonate ion, chloride ion, phosphate ion, fluoride ion, sulfite ion, titanate ion, silicate ion, borate ion, etc., 0 to 10,000 ppm It may be contained at a concentration of about.

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１～８０質量％、液温５～７０℃、電流密度０．５～６０Ａ／ｄｍ²、電圧１～６００Ｖ、電解時間１５秒～２０時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。In addition, the conditions of the anodizing treatment in the anodizing treatment step vary depending on the electrolyte used, and thus cannot be determined unconditionally. It is appropriate that the temperature is 0.5 ° C., the current density is 0.5 to 60 A / dm² , the voltage is 1 to 600 V, and the electrolysis time is 15 seconds to 20 hours.

　更に、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、特開昭５４－８１１３３号、特開昭５７－４７８９４号、特開昭５７－５１２８９号、特開昭５７－５１２９０号、特開昭５７－５４３００号、特開昭５７－１３６５９６号、特開昭５８－１０７４９８号、特開昭６０－２００２５６号、特開昭６２－１３６５９６号、特開昭６３－１７６４９４号、特開平４－１７６８９７号、特開平４－２８０９９７号、特開平６－２０７２９９号、特開平５－２４３７７号、特開平５－３２０８３号、特開平５－１２５５９７号、特開平５－１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。Further, the anodizing treatment in the anodizing treatment step is disclosed in JP-A-54-81133, JP-A-57-47894, JP-A-57-51289, JP-A-57-51290, JP-A-57-54300. JP-A-57-136596, JP-A-58-107498, JP-A-60-200226, JP-A-62-136596, JP-A-63-176494, JP-A-4-17697, The methods described in Japanese Laid-Open Patent Publication Nos. 4-280997, 6-207299, 5-24377, 5-32083, 5-125597, 5-195291, etc. Can also be used.

　中でも、特開昭５４－１２８５３号公報および特開昭４８－４５３０３号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、１０～３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、１～２５ｇ／Ｌであるのが好ましく、２～１０ｇ／Ｌであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が５０～２００ｇ／Ｌである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。Among these, as described in JP-A-54-12853 and JP-A-48-45303, it is preferable to use a sulfuric acid solution as the electrolytic solution. The sulfuric acid concentration in the electrolytic solution is preferably 10 to 300 g / L, and the aluminum ion concentration is preferably 1 to 25 g / L, more preferably 2 to 10 g / L. Such an electrolytic solution can be prepared, for example, by adding aluminum sulfate or the like to dilute sulfuric acid having a sulfuric acid concentration of 50 to 200 g / L.

　陽極酸化処理工程においては、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
　アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は１～６０Ａ／ｄｍ²であるのが好ましく、５～４０Ａ／ｄｍ²であるのがより好ましい。In the anodizing process, when anodizing is performed in an electrolytic solution containing sulfuric acid, direct current may be applied between the aluminum substrate and the counter electrode, or alternating current may be applied.
When direct current is applied to the aluminum substrate, the current density is preferably 1 to 60 A / dm² , and more preferably 5 to 40 A / dm² .

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５～１０Ａ／ｄｍ²の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０～５０Ａ／ｄｍ²またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。In addition, when the anodizing treatment in the anodizing treatment step is continuously performed, the beginning of the anodizing treatment is 5 to 5 so that current is concentrated on a part of the aluminum substrate and so-called “burning” does not occur. It is preferable to increase the current density to 30 to 50 A / dm² or more as the anodizing process proceeds with a current flowing at a low current density of 10 A / dm² . In the case where the anodizing process is continuously performed, it is preferable that the anodizing process is performed by a liquid power feeding method in which power is supplied to the aluminum substrate through an electrolytic solution.

　陽極酸化皮膜が多孔質である場合、マイクロポアの平均ポア径が５～１０００ｎｍ程度であり、平均ポア密度が１×１０⁶～１×１０¹⁰／ｍｍ²程度である。また、このマイクロポアの陽極酸化皮膜における割合と近似する陽極酸化皮膜の空隙率は、後述する封孔処理が容易となる観点から、１～９０％であることが好ましく、５～８０％がより好ましく、１０～７０％が特に好ましい。なお、空隙率の算出方法は、上述した通りである。When the anodized film is porous, the average pore diameter of the micropores is about 5 to 1000 nm, and the average pore density is about 1 × 10⁶ to 1 × 10¹⁰ / mm² . Further, the porosity of the anodized film approximate to the ratio of the micropores in the anodized film is preferably 1 to 90%, more preferably 5 to 80% from the viewpoint of facilitating the sealing treatment described later. Preferably, 10 to 70% is particularly preferable. The method for calculating the porosity is as described above.

　陽極酸化皮膜の厚さは１～２００μｍであるのが好ましい。１μｍ未満であると絶縁性に乏しく耐電圧が低下し、一方、２００μｍを超えると製造に多大な電力が必要となり、経済的に不利になる。陽極酸化皮膜の厚さは、２～１００μｍであるのがより好ましく、１０～５０μｍであるのが更に好ましい。The thickness of the anodized film is preferably 1 to 200 μm. If the thickness is less than 1 μm, the insulation is poor and the withstand voltage is lowered. On the other hand, if it exceeds 200 μm, a large amount of electric power is required for production, which is economically disadvantageous. The thickness of the anodized film is more preferably 2 to 100 μm, still more preferably 10 to 50 μm.

　陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８－２６６３８号、特開昭４７－１８７３９号、特公昭５８－２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図１２に示す装置が好適に用いられる。図１２は、アルミニウム基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置４１０において、アルミニウム基板４１６は、図１２中矢印で示すように搬送される。電解液４１８が貯溜された給電槽４１２にてアルミニウム基板４１６は給電電極４２０によって（＋）に荷電される。そして、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２においてローラ４２２によって上方に搬送され、ニップローラ４２４によって下方に方向変換された後、電解液４２６が貯溜された電解処理槽４１４に向けて搬送され、ローラ４２８によって水平方向に方向転換される。ついで、アルミニウム基板４１６は、電解電極４３０によって（－）に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽４１４を出たアルミニウム基板４１６は後工程に搬送される。上記陽極酸化処理装置４１０において、ローラ４２２、ニップローラ４２４およびローラ４２８によって方向転換手段が構成され、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２と電解処理槽４１４との槽間部において、上記ローラ４２２、４２４および４２８により、山型および逆Ｕ字型に搬送される。給電電極４２０と電解電極４３０とは、直流電源４３４に接続されている。As the electrolysis apparatus used for the anodizing treatment, those described in JP-A-48-26638, JP-A-47-18739, JP-B-58-24517 and the like can be used. Of these, the apparatus shown in FIG. 12 is preferably used. FIG. 12 is a schematic view showing an example of an apparatus for anodizing the surface of an aluminum substrate. In theanodizing apparatus 410, thealuminum substrate 416 is transported as indicated by arrows in FIG. Thealuminum substrate 416 is charged (+) by thepower supply electrode 420 in thepower supply tank 412 in which theelectrolytic solution 418 is stored. Then, thealuminum substrate 416 is conveyed upward by theroller 422 in thepower supply tank 412, changed in direction downward by thenip roller 424, and then conveyed toward theelectrolytic treatment tank 414 in which theelectrolytic solution 426 is stored. The direction is changed horizontally. Subsequently, thealuminum substrate 416 is charged to (−) by theelectrolytic electrode 430 to form an anodized film on the surface thereof, and thealuminum substrate 416 exiting theelectrolytic treatment tank 414 is transported to a subsequent process. In theanodizing apparatus 410, theroller 422, thenip roller 424 and theroller 428 constitute a direction changing means, and thealuminum substrate 416 is disposed between thepower supply tank 412 and theelectrolytic treatment tank 414 between therollers 422, 424 and By 428, it is conveyed into a mountain shape and an inverted U shape. The feedingelectrode 420 and theelectrolytic electrode 430 are connected to aDC power source 434.

　図１２の陽極酸化処理装置４１０の特徴は、給電槽４１２と電解処理槽４１４とを１枚の槽壁４３２で仕切り、アルミニウム基板４１６を槽間部において山型および逆Ｕ字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるアルミニウム基板４１６の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置４１０の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、アルミニウム基板４１６を山型および逆Ｕ字型に搬送することによって、各槽４１２および４１４の槽壁４３２にアルミニウム基板４１６を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽４１２および４１４内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。The feature of theanodizing apparatus 410 in FIG. 12 is that thefeeding tank 412 and theelectrolytic treatment tank 414 are partitioned by asingle tank wall 432, and thealuminum substrate 416 is conveyed in a mountain shape and an inverted U shape between the tanks. It is in. As a result, the length of thealuminum substrate 416 in the inter-tank portion can be minimized. Therefore, the overall length of theanodizing apparatus 410 can be shortened, so that the equipment cost can be reduced. Further, by transporting thealuminum substrate 416 in a mountain shape and an inverted U shape, it is not necessary to form an opening for allowing thealuminum substrate 416 to pass through thetank wall 432 of eachtank 412 and 414. Therefore, since the liquid feeding amount required to maintain the liquid level height in eachtank 412 and 414 at a required level can be suppressed, the operating cost can be reduced.

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。In addition, the anodizing treatment in the anodizing treatment step may be performed alone under a certain treatment condition, but the shape of the anodized film, such as the shape depending on the location or the shape in the depth direction, is desired to be controlled. In some cases, two or more anodizing treatments under different conditions may be sequentially combined.

　また、後述する封孔処理工程における封孔のバラツキを抑制する観点から、例えば、特許第３，７１４，５０７号、特開２００２－２８５３８２号公報、特開２００６－１２４８２７号公報、特開２００７－２３１３３９号公報、特開２００７－２３１４０５公報、特開２００７－２３１３４０号公報、特開２００７－２３８９８８号公報等に記載されている方法により、ハニカム状に配列したマイクロポアを形成する陽極酸化処理が好ましい。
　これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。Further, from the viewpoint of suppressing variation in sealing in the sealing processing step described later, for example, Japanese Patent No. 3,714,507, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-285382, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-124827, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-2007. Anodization treatment for forming micropores arranged in a honeycomb shape by the methods described in JP-A No. 231339, JP-A No. 2007-231405, JP-A No. 2007-231340, JP-A No. 2007-238988, etc. is preferable .
These processes are preferably the processes described in the processing conditions of each patent and publication.

 〔封孔処理工程〕
　封孔処理工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、封孔処理を施して、上記陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とし、本発明の絶縁基板を得る工程である。[Sealing process]
The sealing treatment step is a step of obtaining an insulating substrate of the present invention by performing sealing treatment after the anodizing treatment step so that the porosity of the anodized film is 30% or less.

　封孔処理工程における封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６－１２５１８号公報、特開平４－４１９４号公報、特開平５－２０２４９６号公報、特開平５－１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。The sealing treatment in the sealing treatment step can be performed according to a known method such as boiling water treatment, hot water treatment, steam treatment, sodium silicate treatment, nitrite treatment, ammonium acetate treatment and the like. For example, even if the sealing treatment is performed by the apparatus and method described in Japanese Patent Publication No. 56-12518, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-4194, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-202496, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-179482, etc. Good.

　本発明においては、上記陽極酸化皮膜がマイクロポアを有している場合、上記陽極酸化皮膜の空隙率をより小さくし、放熱性をより良好とする観点から、陽極酸化皮膜の表面だけではなく、沸騰水処理、熱水処理、ケイ酸ソーダ処理等の処理液をマイクロポアの内部まで浸透させるのが好ましい。In the present invention, when the anodized film has micropores, from the viewpoint of reducing the porosity of the anodized film and improving heat dissipation, not only the surface of the anodized film, It is preferable to infiltrate a treatment liquid such as boiling water treatment, hot water treatment, or sodium silicate treatment into the inside of the micropore.

　また、本発明においては、上記陽極酸化皮膜がマイクロポアを有している場合、絶縁性をより良好にする観点から、上述したように、上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されているのが好ましい。
　このような異なる物質を封孔させる封孔処理としては、例えば、上述した沸騰水処理、熱水処理、ケイ酸ソーダ処理等の処理液をマイクロポアの内部まで浸透させることにより、マイクロポアの内壁を構成する物質（例えば、酸化アルミニウム等）を変質（例えば、水酸化アルミニウム等に変質）させる方法であってもよいが、特開平６－３５１７４号公報の段落［００１６］～［００３５］に記載されているようなゾルゲル法による封孔処理等も好適に挙げられる。
　ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解・重縮合反応により流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物を形成する方法である。
　上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、マイクロポアの内部への封孔が容易である観点から、Ａｌ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｔｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｖ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｗ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｙ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｚｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｚｒ（Ｏ－Ｒ)ｎ等が好適に例示される。なお、上記例示中、Ｒは、置換基を有してもよい、直鎖状、分枝状もしくは環状の炭化水素基または水素原子を表し、ｎは任意の自然数を示す。
　これらのうち、上記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合、酸化アルミニウムとの反応性に優れ、ゾルゲル形成性に優れた、酸化チタン、酸化珪素系の金属アルコキシドが好ましい。
　また、ゾルゲルをマイクロポアの内部に形成する方法は特に限定されないが、マイクロポアの内部への封孔が容易である観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
　また、ゾル液の濃度は、０．１～９０質量％が好ましく、１～８０質量％がより好ましく、５～７０質量％が特に好ましい。
　また、空隙率を低下させるために、繰り返し重ねて処理してもよい。In the present invention, when the anodic oxide film has micropores, as described above, the anodic oxide film is sealed with a substance different from the substance constituting the anodic oxide film as described above. Preferably it is perforated.
As the sealing treatment for sealing such different substances, for example, the inner wall of the micropore is obtained by infiltrating the inside of the micropore with a treatment liquid such as the boiling water treatment, the hot water treatment, or the sodium silicate treatment. However, it may be a method of altering a substance (for example, aluminum oxide or the like) constituting the material (for example, altering to aluminum hydroxide or the like), but described in paragraphs [0016] to [0035] of JP-A-6-35174. A sealing treatment by a sol-gel method as described above is also preferable.
Here, the sol-gel method is a method in which a sol composed of a metal alkoxide is generally used as a gel that has lost fluidity by hydrolysis and polycondensation reaction, and this gel is heated to form an oxide.
The metal alkoxide is not particularly limited, but Al (O—R) n, Ba (O—R) n, B (O—R) n, Bi is used from the viewpoint of easy sealing inside the micropore. (O—R) n, Ca (O—R) n, Fe (O—R) n, Ga (O—R) n, Ge (O—R) n, Hf (O—R) n, In (O -R) n, K (O-R) n, La (O-R) n, Li (O-R) n, Mg (O-R) n, Mo (O-R) n, Na (O-R) ) n, Nb (O—R) n, Pb (O—R) n, Po (O—R) n, Po (O—R) n, P (O—R) n, Sb (O—R) n , Si (O—R) n, Sn (O—R) n, Sr (O—R) n, Ta (O—R) n, Ti (O—R) n, V (O—R) n, W Preferred examples include (O—R) n, Y (O—R) n, Zn (O—R) n, Zr (O—R) n, and the like. In the above examples, R represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group which may have a substituent or a hydrogen atom, and n represents an arbitrary natural number.
Among these, when the insulating layer is an anodic oxide film of aluminum, titanium oxide and silicon oxide-based metal alkoxides having excellent reactivity with aluminum oxide and excellent sol-gel formation are preferable.
The method for forming the sol-gel inside the micropore is not particularly limited, but from the viewpoint of easy sealing inside the micropore, a method in which a sol solution is applied and heated is preferable.
The concentration of the sol solution is preferably 0.1 to 90% by mass, more preferably 1 to 80% by mass, and particularly preferably 5 to 70% by mass.
Moreover, in order to reduce the porosity, you may repeatedly process repeatedly.

　一方、このような異なる物質を封孔させる他の封孔処理として、上記陽極酸化皮膜が有するマイクロポアに入る大きさの絶縁性粒子をマイクロポア内部に充填させてもよい。
　このような絶縁性粒子としては、分散性およびサイズの観点からコロイダルシリカが好ましい。
　コロイダルシリカは、ゾル－ゲル法で調製して使用することもでき、市販品を利用することもできる。ゾル－ゲル法で調製する場合には、Ｗｅｒｎｅｒ Ｓｔｏｂｅｒ ｅｔ ａｌ；Ｊ．Ｃｏｌｌｏｉｄ ａｎｄ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｓｃｉ．， ２６， ６２－６９ （１９６８）、Ｒｉｃｋｅｙ Ｄ．Ｂａｄｌｅｙ ｅｔ ａｌ；Ｌａｎｇ ｍｕｉｒ ６， ７９２－８０１ （１９９０）、色材協会誌，６１ ［９］ ４８８－４９３ （１９８８） などを参照できる。
　また、コロイダルシリカは、二酸化ケイ素を基本単位とするシリカの水または水溶性溶媒の分散体であり、その粒子径は１～４００ｎｍであることが好ましく、１～１００ｎｍであることがより好ましく、５～５０ｎｍであることが特に好ましい。粒子径が１ｎｍより小さい場合は、塗液の貯蔵安定性が悪く、４００ｎｍより大きい場合は、マイクロ孔への充填性が悪くなる。
　上記範囲の粒子径のコロイダルシリカは、水性分散液の状態で、酸性、塩基性のいずれであっても用いることができ、混合する水性分散体の安定領域に応じて、適宜選択することができる。
　水を分散媒体とする酸性のコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業社製のスノーテックス（登録商標。以下同様。）－Ｏ、スノーテックス－ＯＬ、旭電化工業社製のアデライト（登録商標。以下同様。）ＡＴ－２０Ｑ、クラリアントジャパン社製クレボゾール（登録商標。以下同様。）２０Ｈ１２、クレボゾール３０ＣＡＬ２５等の市販品を使用することができる。On the other hand, as another sealing treatment for sealing such a different substance, the inside of the micropore may be filled with insulating particles having a size that can enter the micropore of the anodic oxide film.
As such insulating particles, colloidal silica is preferable from the viewpoint of dispersibility and size.
Colloidal silica can be prepared and used by a sol-gel method, or a commercially available product can be used. For preparation by the sol-gel method, Werner Stober et al; Colloid and Interface Sci. , 26, 62-69 (1968), Rickey D .; Badley et al;Lang muir 6, 792-801 (1990), Color Material Association Journal, 61 [9] 488-493 (1988), and the like.
Colloidal silica is a dispersion of silica or water-soluble solvent having silicon dioxide as a basic unit, and the particle diameter is preferably 1 to 400 nm, more preferably 1 to 100 nm. Particularly preferred is ˜50 nm. When the particle size is smaller than 1 nm, the storage stability of the coating liquid is poor, and when it is larger than 400 nm, the filling properties into the micropores are poor.
Colloidal silica having a particle size in the above range can be used in the state of an aqueous dispersion, whether acidic or basic, and can be appropriately selected depending on the stable region of the aqueous dispersion to be mixed. .
Examples of the acidic colloidal silica using water as a dispersion medium include, for example, Snowtex (registered trademark) manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.-O, Snowtex-OL, and Adelite (registered trademark) manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd. The same applies hereinafter.) Commercially available products such as AT-20Q, Clevosol (registered trademark) manufactured by Clariant Japan Ltd., and so on) 20H12, Clevozol 30CAL25, and the like can be used.

　塩基性のコロイダルシリカとしては、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、アミンの添加で安定化したシリカがあり、例えば、日産化学工業社製のスノーテックス－２０、スノーテックス－３０、スノーテックス－Ｃ、スノーテックス－Ｃ３０、スノーテックス－ＣＭ４０、スノーテックス－Ｎ、スノーテックス－Ｎ３０、スノーテックス－Ｋ、スノーテックス－ＸＬ、スノーテックス－ＹＬ、スノーテックス－ＺＬ、スノーテックスＰＳ－Ｍ、スノーテックスＰＳ－Ｌ；旭電化工業社製のアデライトＡＴ－２０、アデライトＡＴ－３０、アデライトＡＴ－２０Ｎ、アデライトＡＴ－３０Ｎ、アデライトＡＴ－２０Ａ、アデライトＡＴ－３０Ａ、アデライトＡＴ－４０、アデライトＡＴ－５０；クラリアントジャパン社製のクレボゾール３０Ｒ９、クレボゾール３０Ｒ５０、クレボゾール５０Ｒ５０；デュポン社製のルドックス（登録商標。以下同様。）ＨＳ－４０、ルドックスＨＳ－３０、ルドックスＬＳ、ルドックスＳＭ－３０；等の市販品を使用することができる。Examples of basic colloidal silica include silica stabilized by addition of alkali metal ions, ammonium ions, and amines. For example, SNOWTEX-20, SNOWTEX-30, SNOWTEX-C, and SNOWTEX-C manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. Tex-C30, Snotex-CM40, Snotex-N, Snotex-N30, Snotex-K, Snotex-XL, Snotex-YL, Snotex-ZL, Snotex PS-M, Snotex PS-L Adelite AT-20, Adelite AT-30, Adelite AT-30N, Adelite AT-30N, Adelite AT-20A, Adelite AT-30A, Adelite AT-40, Adelite AT-50 manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd .; Clariant Japan Made of clebozo And the like can be used commercially available products; Le 30R9, Kurebozoru 30R50, Kurebozoru 50R50; DuPont Ludox (TM hereinafter the same..) HS-40, Ludox HS-30, Ludox LS, Ludox SM-30.

　また、水溶性溶剤を分散媒体とするコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業社製のＭＡ－ＳＴ－Ｍ（粒子径：２０～２５ｎｍ、メタノール分散タイプ）、ＩＰＡ－ＳＴ（粒子径：１０～１５ｎｍ、イソプロピルアルコール分散タイプ）、ＥＧ－ＳＴ（粒子径：１０～１５ｎｍ、エチレングリコール分散タイプ）、ＥＧ－ＳＴ－ＺＬ（粒子径：７０～１００ｎｍ、エチレングリコール分散タイプ）、ＮＰＣ－ＳＴ（粒子径：１０～１５ｎｍ、エチレングリコールモノプロピルエーテール分散タイプ）等の市販品を使用することができる。
　また、これらコロイダルシリカは、一種または二種類以上組み合わせてもよく、少量成分として、アルミナ、アルミン酸ナトリウムなどを含んでいてもよい。
　また、コロイダルシリカは、安定剤として無機塩基（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニアなど）や有機塩基（テトラメチルアンモニウムなど）を含んでいてもよい。Examples of colloidal silica using a water-soluble solvent as a dispersion medium include MA-ST-M (particle size: 20 to 25 nm, methanol dispersion type), IPA-ST (particle size: 10 to 10) manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. 15 nm, isopropyl alcohol dispersion type), EG-ST (particle diameter: 10 to 15 nm, ethylene glycol dispersion type), EG-ST-ZL (particle diameter: 70 to 100 nm, ethylene glycol dispersion type), NPC-ST (particle diameter) : Commercial products such as 10 to 15 nm, ethylene glycol monopropyl ether dispersion type) can be used.
These colloidal silicas may be used alone or in combination of two or more, and may contain alumina, sodium aluminate or the like as a minor component.
Colloidal silica may contain an inorganic base (such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, or ammonia) or an organic base (such as tetramethylammonium) as a stabilizer.

　本発明においては、上記封孔処理において、上記マイクロポアの内部に上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質を封孔した場合、空隙率が３０％を超えない限度において、上記陽極酸化皮膜の表層（表面）付近に存在する上記異なる物質を除去するのが好ましい。
　表層付近に存在する上記異なる物質を除去することにより、上記陽極酸化皮膜の表面に、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を形成することが容易となり、これにより後述する金属配線層との密着性が良好になる。
　また、表層付近に存在する上記異なる物質を除去する方法は特に限定されないが、例えば、後述する実施例に示す酵素プラズマ処理、水酸化ナトリウム水溶液による浸漬処理等の他、機械的研磨処理や化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理等により表層部分のみを除去する方法が好適に挙げられる。In the present invention, in the sealing treatment, when a substance different from the substance constituting the anodic oxide film is sealed in the micropore, the anodic oxide film is within a limit not exceeding 30%. It is preferable to remove the different substances present in the vicinity of the surface layer (surface).
By removing the different substances present in the vicinity of the surface layer, it becomes easy to form irregularities having an average pitch of 0.5 μm or less and an average diameter of 1 μm or more on the surface of the anodized film. Adhesion with a metal wiring layer to be described later is improved.
Further, the method for removing the different substances present in the vicinity of the surface layer is not particularly limited. For example, in addition to enzyme plasma treatment and immersion treatment with an aqueous sodium hydroxide solution shown in the examples described later, mechanical polishing treatment and chemical machinery A method of removing only the surface layer portion by polishing (CMP: Chemical Mechanical Polishing) or the like is preferable.

 〔スルーホール形成工程／個片化工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法においては、スルーホール形成工程を備えていてもよい。スルーホール形成工程は、上記金属基板の厚さ方向に上記スルーホールを貫通形成する工程である。
　また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、個片化工程を備えていてもよい。個片化工程は、上記スルーホール形成工程を備える場合には上記スルーホール形成工程の後に、上記金属基板を所望の形状（例えば、最終製品に必要な加工シロを加えたもの等）で個片化可能にする工程であり、ルーティング加工ともいう。
　これらの工程は、上述した陽極酸化処理工程の前に行っても後に行ってもよい。陽極酸化処理工程の前に行うと、陽極酸化処理により形成される絶縁層への亀裂を防ぎ、これらの工程により生じる基板端面部への絶縁性を保持することができる。陽極酸化処理工程の後に行うと、陽極酸化処理の効率を上げられ、また最終製品のサイズに精度よく加工することができる。[Through-hole formation process / individualization process]
In the manufacturing method of the insulated substrate of this invention, you may provide the through-hole formation process. The through hole forming step is a step of forming the through hole in the thickness direction of the metal substrate.
Moreover, in the manufacturing method of the insulated substrate of this invention, you may provide the singulation process. When the singulation step includes the through-hole formation step, the metal substrate is divided into pieces having a desired shape (for example, a processing product added to the finished product) after the through-hole formation step. This process is also called routing processing.
These processes may be performed before or after the anodizing process described above. If it is performed before the anodizing treatment step, it is possible to prevent cracks in the insulating layer formed by the anodizing treatment, and to maintain the insulating property to the substrate end face portion generated by these steps. If it is performed after the anodizing treatment step, the efficiency of the anodizing treatment can be increased, and the final product can be processed accurately.

　スルーホール形成工程により形成されるスルーホールの形状は、配線が必要な複数の層間の長さを有し、必要な配線をその中に入れて確保できる大きさ（径）であれば特に限定されないが、最終的なチップの大きさや、より確実な配線の形成を考えると、円形であることが好ましく、具体的には、０．０１～２ｍｍφが好ましく、０．０５～１ｍｍφがより好ましく、０．１～０．８ｍｍφが特に好ましい。The shape of the through-hole formed by the through-hole forming step is not particularly limited as long as it has a length between a plurality of layers where wiring is required and has a size (diameter) that can secure the necessary wiring by placing it therein. However, considering the final chip size and more reliable wiring formation, it is preferably circular, specifically 0.01 to 2 mmφ, more preferably 0.05 to 1 mmφ, and 0. .1 to 0.8 mmφ is particularly preferable.

　また、個片化工程において個片化するサイズは、最終的なチップの大きさや形状を考慮する必要があるが、方形型のチップを想定した場合、チップのコンパクト性および加工適性の観点から、１辺が０．１～５０ｍｍが好ましく、０．２～４０ｍｍがより好ましく、０．４～３０ｍｍが特に好ましい。特に、メインパッケージ用の反射基板を想定する場合には、現在の形状規格例である、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ等の大きさにルーティングすることが好ましい。
　また、個片化した後のチップ部には、上述した陽極酸化処理工程を個片化工程の後に行う場合は、陽極酸化処理により絶縁層を設けるために、チップ部への電気導通性を施す形状に加工しておくことが好ましい。好適な方法としては、導通部を設けた状態でルーティング加工する方法、導通ワイヤ等によりチップ部を接続しておく方法等が挙げられるがこれらに限定されない。In addition, the size to be singulated in the singulation process needs to consider the size and shape of the final chip, but when assuming a rectangular chip, from the viewpoint of compactness and workability of the chip, One side is preferably 0.1 to 50 mm, more preferably 0.2 to 40 mm, and particularly preferably 0.4 to 30 mm. In particular, when a reflection substrate for a main package is assumed, it is preferable to route to a size such as 3.2 mm × 2.8 mm, 1.6 mm × 0.8 mm, which is an example of the current shape standard.
Further, in the case where the anodizing process described above is performed on the chip part after singulation after the singulation process, in order to provide an insulating layer by anodizing process, electrical conductivity to the chip part is applied. It is preferable to process into a shape. Suitable methods include, but are not limited to, a method of performing routing processing with a conductive portion provided, a method of connecting the chip portion with a conductive wire, and the like.

　本発明においては、スルーホール形成工程および個片化工程を施す好適な方法としては、ドリル加工、金型によるプレス加工、ダイサーによるダイシング加工、レーザー加工、等が挙げられるが、これらに限定されない。In the present invention, suitable methods for performing the through-hole forming step and the singulation step include, but are not limited to, drilling, pressing with a die, dicing with a dicer, laser processing, and the like.

 〔保護処理〕
　更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述したスルーホール形成工程や個片化工程、後述するＬＥＤへの電気信号伝送のための金属配線層形成加工やＬＥＤ実装部への金属層形成加工等で使用する各種溶剤に対応させるべく、保護処理を施すことができる。
　保護処理としては、具体的には、例えば、特開２００８－９３６５２号公報、特開２００９－６８０７６号公報等に記載のように、陽極酸化皮膜表面の親／疎水性（親／疎油性）の性質を適宜変えることができるほか、酸／アルカリ等に耐性を付与する方法も、適宜用いることができる。[Protection treatment]
Furthermore, in the method for manufacturing an insulating substrate according to the present invention, the above-described through-hole forming step, individualizing step, metal wiring layer forming processing for electric signal transmission to the LED described later, and metal layer forming on the LED mounting portion are performed. In order to cope with various solvents used in processing and the like, protection treatment can be performed.
Specifically, as the protection treatment, for example, as described in JP-A-2008-93652, JP-A-2009-68076, etc., the hydrophilic / hydrophobic (philic / oleophobic) surface of the anodized film surface is used. In addition to being able to change the properties as appropriate, methods for imparting resistance to acids / alkalis can also be used as appropriate.

 〔その他の処理〕
　更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。
　例えば、反射基板の白色性を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。
　また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、「陽極酸化」金属表面技術協会編．金属表面技術講座Ｂ（１９６９　ＰＰ．１９５～２０７）、「新アルマイト理論」カロス出版（１９９７　ＰＰ．９５～９６）等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ａｕイオン、Ｐｂイオン、Ａｇイオン、Ｓｅイオン、Ｓｎイオン、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ｂｉイオン、Ｍｏイオン、Ｓｂイオン、Ｃｄイオン、Ａｓイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。[Other processing]
Furthermore, in the method for manufacturing an insulating substrate of the present invention, various treatments can be applied to the surface of the insulating substrate as necessary.
For example, in order to improve the whiteness of the reflective substrate, an inorganic insulating layer made of a white insulating material such as titanium oxide or an organic insulating layer such as a white resist may be provided.
In addition to the white color described above, a desired color can be colored on the insulating layer made of aluminum oxide, for example, by electrodeposition. Specifically, “Anodizing” Metal Surface Technology Association. Colored dyeing ion species as described in Metal Surface Technology Course B (1969 PP. 195 to 207), “New Anodized Theory”, Karos Publishing (1997 PP. 95 to 96), specifically Co Ion, Fe ion, Au ion, Pb ion, Ag ion, Se ion, Sn ion, Ni ion, Cu ion, Bi ion, Mo ion, Sb ion, Cd ion, As ion, etc. are mixed in the electrolytic solution and electrolysis is performed. By processing, it can color.

［配線基板］
　以下に、本発明の配線基板について詳細に説明する。
　本発明の配線基板は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる配線層とを有する配線基板である。[Wiring board]
Below, the wiring board of this invention is demonstrated in detail.
The wiring board of the present invention is a wiring board having the above-described insulating substrate of the present invention and a wiring layer provided on the insulating layer side of the insulating substrate.

　上記金属配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
　これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。The material of the metal wiring layer is not particularly limited as long as it is a material that conducts electricity. Specific examples thereof include gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), and magnesium (Mg). , Nickel (Ni), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
Of these, Cu is preferably used because of its low electrical resistance. Note that an Au layer or a Ni / Au layer may be provided on the surface layer of the wiring layer made of Cu from the viewpoint of improving the ease of wire bonding.

　また、上記金属配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５～１０００μｍが好ましく、１～５００μｍがより好ましく、５～２５０μｍが特に好ましい。The thickness of the metal wiring layer is preferably 0.5 to 1000 μm, more preferably 1 to 500 μm, and particularly preferably 5 to 250 μm from the viewpoint of conduction reliability and package compactness.

　上記金属配線層の形成方法としては、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が挙げられる。
　これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜／均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。As a method for forming the metal wiring layer, in addition to various plating processes such as an electrolytic plating process, an electroless plating process and a displacement plating process, a sputtering process, a vapor deposition process, a vacuum pasting process of a metal foil, and an adhesion layer are provided. Processing and the like.
Among these, from the viewpoint of high heat resistance, the metal-only layer formation is preferable, and from the viewpoint of thick film / uniform formation and high adhesion, layer formation by plating is particularly preferable.

　上記めっき処理は、非導電性物質（絶縁基板）に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
　また、上記シード層の形成には、無電解めっきが用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分（例えば、金属塩、還元剤等）と補助成分（例えば、ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等）から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、ＳＥ－６５０・６６６・６８０、ＳＥＫ－６７０・７９７、ＳＦＫ－６３（いずれも日本カニゼン社製）、メルプレートＮＩ－４１２８、エンプレートＮＩ－４３３、エンプレートＮＩ－４１１（いずれもメルテックス社製）等の市販品を適宜用いることができる。
　また、上記金属配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。Since the plating process is a plating process for a non-conductive substance (insulating substrate), a method of forming a thick metal layer using the metal layer after providing a reduced metal layer called a seed layer is used. preferable.
For the formation of the seed layer, electroless plating is preferably used. As a plating solution, a main component (for example, a metal salt, a reducing agent, etc.) and an auxiliary component (for example, a pH adjusting agent, a buffering agent, a complex, etc.) are used. It is preferable to use a solution composed of an agent, accelerator, stabilizer, improver, etc. As plating solutions, SE-650, 666, 680, SEK-670, 797, SFK-63 (all manufactured by Nihon Kanisen), Melplate NI-4128, Enplate NI-433, Enplate NI-411 Commercial products such as those manufactured by Meltex can be used as appropriate.
Further, when copper is used as the material of the metal wiring layer, various electrolytic solutions containing sulfuric acid, copper sulfate, hydrochloric acid, polyethylene glycol and a surfactant as main components and other various additives can be used.

　このようにして形成される金属配線層は、ＬＥＤ実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にＬＥＤが実装される箇所には、再度金属層（半田も含む）を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすい用に適宜加工することができる。
　好適な金属層としては、半田、または、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属素材が好ましく、加熱によるＬＥＤの実装の観点では、半田、または、Ｎｉを介してのＡｕ、Ａｇを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。The metal wiring layer formed in this way is patterned by a known method according to the LED mounting design. In addition, a metal layer (including solder) is again provided at a location where the LED is actually mounted, and can be appropriately processed for easy connection by thermocompression bonding, flip chip, wire bonding, or the like.
As a suitable metal layer, a metal material such as solder or gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), magnesium (Mg), nickel (Ni) is preferable. From the viewpoint of mounting reliability, a method of providing Au or Ag via solder or Ni is preferable from the viewpoint of connection reliability.

　具体的には、パターンが形成された銅（Ｃｕ）配線上に、ニッケル（Ｎｉ）を介して金（Ａｕ）を形成する方法としては、Ｎｉストライクめっきを施し、その後にＡｕめっきを施す方法が挙げられる。
　ここで、Ｎｉストライクめっきは、Ｃｕ配線層の表面酸化層の除去とＡｕ層密着性確保を目的に施される。
　また、Ｎｉストライクめっきには、一般的なＮｉ／塩酸混合液を用いてもよく、ＮＩＰＳ－１００（日立化成工業製）等の市販品を用いてもよい。
　一方、Ａｕめっきは、Ｎｉストライクめっきを施した後に、ワイアボンディングや半田の濡れ性を向上させる目的で施される。
　また、Ａｕめっきは無電解めっきで生成させるのが好ましく、ＨＧＳ－５４００（日立化成工業社製）、ミクロファブＡｕシリーズ、ガルバノマイスターＧＢシリーズ、プレシャスハブＩＧシリーズ（いずれも田中貴金属社製）等の市販の処理液を用いることができる。Specifically, as a method of forming gold (Au) via nickel (Ni) on a copper (Cu) wiring on which a pattern is formed, Ni strike plating is performed, and then Au plating is performed. Can be mentioned.
Here, the Ni strike plating is performed for the purpose of removing the surface oxide layer of the Cu wiring layer and ensuring adhesion of the Au layer.
Further, for Ni strike plating, a general Ni / hydrochloric acid mixed solution may be used, or a commercially available product such as NIPS-100 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) may be used.
On the other hand, Au plating is performed for the purpose of improving wire bonding and solder wettability after performing Ni strike plating.
The Au plating is preferably generated by electroless plating, such as HGS-5400 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), Microfab Au series, Galvano Meister GB series, Precious Hub IG series (all manufactured by Tanaka Kikinzoku Co., Ltd.), etc. A commercially available processing solution can be used.

［白色系ＬＥＤ発光素子］
　以下に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子について詳細に説明する。
　本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、上述した本発明の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子である。
　なお、上述した本発明の配線基板は、使用される発光素子の形状やＬＥＤの種類等に限定はなく、種々の用途に用いることができる。
　次に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の構成を図面を用いて説明する。[White LED light emitting element]
Hereinafter, the white LED light emitting element of the present invention will be described in detail.
The white LED light emitting element of the present invention is provided at least above the wiring board of the present invention described above, the blue LED light emitting element provided on the metal wiring layer side of the wiring board, and the blue LED light emitting element. A white LED light emitting device comprising a fluorescent light emitter.
Note that the above-described wiring board of the present invention is not limited to the shape of the light emitting element used, the type of LED, and the like, and can be used for various applications.
Next, the configuration of the white LED light emitting element of the present invention will be described with reference to the drawings.

　図１３は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
　ここで、図１３に示す白色系ＬＥＤ発光素子１００は、青色ＬＥＤ１１０がＹＡＧ系の蛍光粒子１５０を混入した透明樹脂１６０でモールドされており、ＹＡＧ系の蛍光粒子１５０によって励起された光と青色ＬＥＤ１１０の残光とにより、白色系光が発光されるものであり、青色ＬＥＤ１１０が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層１２０，１３０を有する本発明の配線基板１４０にフェースダウンボンディングされている。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing an example of a preferred embodiment of the white LED light-emitting element of the present invention.
Here, in the white LED light-emittingelement 100 shown in FIG. 13, theblue LED 110 is molded with atransparent resin 160 mixed withYAG fluorescent particles 150, and the light excited by theYAG fluorescent particles 150 and theblue LED 110. White light is emitted by the afterglow, and theblue LED 110 is face-down bonded to thewiring substrate 140 of the present invention having the metal wiring layers 120 and 130 that also serve as external connection electrodes. .

　また、図１４は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
　ここで、図１４に示す白色系ＬＥＤ発光素子１００は、蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子として構成されており、絶縁層３２と金属基板３３と金属配線層３４とを有する本発明の配線基板と、配線基板の金属配線層３４側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子２２と、青色ＬＥＤ発光素子２２の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体２６とを具備するものである。
　また、図１４に示すように、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、青色ＬＥＤ発光素子２２が樹脂２４で封止されているのが好ましい。
　また、本発明においては、蛍光発光体２６として、特願２００９－１３４００７号明細書および特願２００９－１３９２６１号明細書に記載した蛍光発光ユニットを用いることができる。Moreover, FIG. 14 is typical sectional drawing which shows an example of the suitable embodiment of the white type LED light emitting element of this invention.
Here, the white LEDlight emitting element 100 shown in FIG. 14 is configured as a phosphor mixed color white LED light emitting element, and has the insulatinglayer 32, themetal substrate 33, and themetal wiring layer 34. A substrate, a blue LEDlight emitting element 22 provided on themetal wiring layer 34 side of the wiring board, and afluorescent light emitter 26 provided at least on the blue LEDlight emitting element 22 are provided.
Further, as shown in FIG. 14, in the white LED light-emitting element of the present invention, it is preferable that the blue LED light-emittingelement 22 is sealed with aresin 24.
In the present invention, as thefluorescent light emitter 26, the fluorescent light emitting units described in Japanese Patent Application Nos. 2009-134007 and 2009-139261 can be used.

　また、図１５は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の他の構成例を示した模式的な断面図である。
　ここで、図１５に示す白色系ＬＥＤ発光素子１００は、図１３に示す白色系ＬＥＤ発光素子と同様、青色ＬＥＤ３７がＹＡＧ系の蛍光粒子１５０を混入した透明樹脂１６０でモールドされており、青色ＬＥＤ３７が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層１２０，１３０を有する本発明の配線基板にフェースダウンボンディングされている。
　また、図１５に示すように、本発明の配線基板にはスルーホール３５が設けられ、青色ＬＥＤ３７の下部に位置する金属基板３３は、他の基板部分より厚みがある形状に成型されヒートシンク３９としてもよい。
　なお、図１５には明示されていないが、絶縁層３２部分におけるスルーホール３５の内部は、陽極酸化処理されて絶縁層であるのが好ましい。FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing another configuration example of the white LED light emitting element of the present invention.
Here, in the white LEDlight emitting element 100 shown in FIG. 15, similarly to the white LED light emitting element shown in FIG. 13, theblue LED 37 is molded with atransparent resin 160 mixed withYAG fluorescent particles 150. However, it is face-down bonded to the wiring board of the present invention having the metal wiring layers 120 and 130 that also serve as external connection electrodes.
Further, as shown in FIG. 15, the wiring board of the present invention is provided with a throughhole 35, and themetal substrate 33 located below theblue LED 37 is molded into a shape thicker than the other substrate parts to form aheat sink 39. Also good.
Although not explicitly shown in FIG. 15, the inside of the throughhole 35 in the insulatinglayer 32 is preferably an insulating layer that has been anodized.

　ここで、図１３および図１５に示す青色ＬＥＤは、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
　半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。Here, in the blue LED shown in FIGS. 13 and 15, a semiconductor such as GaAlN, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP, InGaN, GaN, and AlInGaN is formed as a light emitting layer on a substrate. Things are used.
Examples of the semiconductor structure include a homostructure having a MIS junction, a PIN junction and a PN junction, a heterostructure, and a double heterostructure. Various emission wavelengths can be selected from ultraviolet light to infrared light depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal.

　また、図１３および図１５に示す透明樹脂の材質は熱硬化性樹脂が好ましい。
　熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
　また、透明樹脂は、青色ＬＥＤを保護するため硬質のものが好ましい。
　また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
　また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。Further, the material of the transparent resin shown in FIGS. 13 and 15 is preferably a thermosetting resin.
Among thermosetting resins, it is preferably formed by at least one selected from the group consisting of epoxy resins, modified epoxy resins, silicone resins, modified silicone resins, acrylate resins, urethane resins, and polyimide resins, especially epoxy resins, Modified epoxy resins, silicone resins, and modified silicone resins are preferred.
Further, the transparent resin is preferably hard to protect the blue LED.
Moreover, it is preferable to use resin excellent in heat resistance, a weather resistance, and light resistance as transparent resin.
The transparent resin may be mixed with at least one selected from the group consisting of a filler, a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, an ultraviolet absorber, and an antioxidant in order to have a predetermined function. it can.

　更に、図１３および図１５に示す蛍光粒子は、青色ＬＥＤからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
　蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体；Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。Furthermore, the fluorescent particles shown in FIG. 13 and FIG. 15 may be anything that absorbs light from the blue LED and converts it into light of a different wavelength.
Specific examples of the fluorescent particles include nitride-based phosphors, oxynitride-based phosphors, sialon-based phosphors, and β-sialon-based phosphors that are mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce. An alkaline earth halogen apatite phosphor, an alkaline earth metal borate phosphor, an alkaline earth metal aluminate phosphor mainly activated by a lanthanoid group such as Eu, or a transition metal group element such as Mn; Alkaline earth silicate phosphor, alkaline earth sulfide phosphor, alkaline earth thiogallate phosphor, alkaline earth silicon nitride phosphor, germanate phosphor; mainly activated by lanthanoid elements such as Ce Rare earth aluminate phosphors, rare earth silicate phosphors, organic complexes mainly activated by lanthanoid elements such as Eu, etc., and these may be used alone, It may be used in combination with more species.

　一方、本発明の配線基板は、紫外～青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤ発光素子の配線基板として用いることもできる。
　これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
　上述した方式は、青色ＬＥＤ光源チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外～近紫外ＬＥＤ光源チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外～近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットの発光素子の基板に本発明の配線基板を用いることができる。On the other hand, the wiring board of the present invention can also be used as a wiring board of a phosphor mixed color white LED light emitting element using an ultraviolet to blue LED and a fluorescent light emitter that absorbs the LED and emits fluorescence in the visible light region.
These fluorescent light emitters absorb blue light from the blue LED to generate fluorescence (yellowish fluorescent light), and white light is emitted from the light emitting element by the fluorescent light and the afterglow of the blue LED.
The above-described method is a so-called “pseudo white light emission type” in which a blue LED light source chip and one kind of yellow phosphor are combined. In addition, for example, an ultraviolet to near ultraviolet LED light source chip and a red / green / blue fluorescence. A substrate of a light-emitting element of a light-emitting unit using a known light-emitting method such as “ultraviolet to near-ultraviolet light source type” in which several kinds of bodies are combined, and “RGB light source type” that emits white light with three red / green / blue light sources The wiring board of the present invention can be used.

　本発明の配線基板にＬＥＤ素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０～３５０℃が好ましく、２４０～３２０℃がより好ましく、２６０～３００℃が特に好ましい。
　これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から２秒～１０分が好ましく、５秒～５分がより好ましく、１０秒～３分が特に好ましい。
　また、金属基板と陽極酸化皮膜との熱膨張率差に起因して陽極酸化皮膜内に発生するクラックを抑制する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で５秒～１０分、より好ましくは１０秒～５分、特に好ましくは２０秒～３分の熱処理を施す方法をとることもできる。所望の一定温度としては、８０～２００℃であることが好ましく、１００～１８０℃がより好ましく、１２０～１６０℃が特に好ましい。The method of mounting the LED element on the wiring board of the present invention involves mounting by heating, but in the thermocompression bonding including solder reflow and the mounting method by flip chip, the highest temperature is achieved from the viewpoint of uniform and reliable mounting. Is preferably 220 to 350 ° C, more preferably 240 to 320 ° C, and particularly preferably 260 to 300 ° C.
The time for maintaining these maximum temperatures is preferably 2 seconds to 10 minutes, more preferably 5 seconds to 5 minutes, and particularly preferably 10 seconds to 3 minutes.
Also, from the viewpoint of suppressing cracks generated in the anodized film due to the difference in thermal expansion coefficient between the metal substrate and the anodized film, the desired constant temperature is reached for 5 seconds to reach the maximum temperature. A method of performing a heat treatment for 10 minutes, more preferably 10 seconds to 5 minutes, particularly preferably 20 seconds to 3 minutes can also be employed. The desired constant temperature is preferably 80 to 200 ° C, more preferably 100 to 180 ° C, and particularly preferably 120 to 160 ° C.

　また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、８０～３００℃が好ましく、９０～２５０℃がより好ましく、１００～２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒～１０分が好ましく、５秒～５分がより好ましく、１０秒～３分が特に好ましい。Also, the temperature at the time of mounting by wire bonding is preferably 80 to 300 ° C., more preferably 90 to 250 ° C., and particularly preferably 100 to 200 ° C. from the viewpoint of reliable mounting. The heating time is preferably 2 seconds to 10 minutes, more preferably 5 seconds to 5 minutes, and particularly preferably 10 seconds to 3 minutes.

３．第３態様
［絶縁基板］
　以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板は、アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記絶縁層が、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、上記絶縁基板の厚みが１５００μｍ以下であり、上記陽極酸化皮膜の厚みが５μｍ以上であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が２．５～３００であり、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち、上記マイクロポアが形成されていない部分の厚みが３０ｎｍ以上である絶縁基板である。
　次に、本発明の絶縁基板の構成について、図１６を用いて説明する。3. Third aspect [insulating substrate]
Hereinafter, the insulating substrate of the present invention will be described in detail.
The insulating substrate of the present invention is an insulating substrate having an aluminum substrate and an insulating layer provided on the surface of the aluminum substrate, wherein the insulating layer is an anodized film of aluminum having micropores, and the thickness of the substrate is not less 1500μm or less, the thickness of the anodic oxide film is not less 5μm or more, the ratio of the thickness of the insulating substrate to the thickness_{(T O)} of the anodized film_{(T a) (T a /} T O) 2.5 to 300, and among the thickness in the depth direction of the anodic oxide film, the portion where the micropores are not formed has a thickness of 30 nm or more.
Next, the structure of the insulating substrate of the present invention will be described with reference to FIG.

　図１６は、本発明の絶縁基板の好適な実施態様の一例を示す模式図である。
　図１６に示すように、本発明の絶縁基板１７は、アルミニウム基板１８と、アルミニウム基板１８の表面に設けられる絶縁層１９とを有するものである。
　また、絶縁層１９は、図１６に示すように、マイクロポア２０を有するものである。
　以下に、アルミニウム基板および絶縁層（アルミニウムの陽極酸化皮膜）のそれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について詳述する。FIG. 16 is a schematic view showing an example of a preferred embodiment of the insulating substrate of the present invention.
As shown in FIG. 16, the insulatingsubstrate 17 of the present invention has analuminum substrate 18 and an insulatinglayer 19 provided on the surface of thealuminum substrate 18.
The insulatinglayer 19 hasmicropores 20 as shown in FIG.
Hereinafter, materials, dimensions, formation methods, and the like will be described in detail for each of the aluminum substrate and the insulating layer (aluminum anodized film).

 〔アルミニウム基板〕
　本発明の絶縁基板を構成するアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
　なお、本発明においては、シリコンウエハーや樹脂基板等にアルミニウムを被覆（ラミネート）させたアルミニウム基板を用いた場合、シリコンウエハーや樹脂基板の厚みは、本発明の絶縁基板の厚み（１５００μｍ以下）に含まないものとする。[Aluminum substrate]
As the aluminum substrate constituting the insulating substrate of the present invention, a known aluminum substrate can be used. In addition to a pure aluminum substrate, an alloy plate containing aluminum as a main component and a trace amount of foreign elements; low-purity aluminum (for example, recycled) A substrate in which high-purity aluminum is deposited on the material); a substrate in which high-purity aluminum is coated on the surface of silicon wafer, quartz, glass or the like by a method such as vapor deposition or sputtering; a resin substrate in which aluminum is laminated; it can.
In the present invention, when an aluminum substrate in which aluminum is coated (laminated) on a silicon wafer or a resin substrate is used, the thickness of the silicon wafer or the resin substrate is equal to the thickness of the insulating substrate of the present invention (1500 μm or less). Not included.

　本発明においては、アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す表面は、アルミニウムの純度が高い方が好ましい。
　具体的には、アルミニウムの純度が、９９．５質量％以上であるのが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。
　特に、アルミニウム純度が上記範囲であると、陽極酸化処理を施して形成される絶縁層に存在するマイクロポアのポア配列の規則性が十分となり、発光素子の透過型の回折格子部や透過型の光散乱層として使用した場合に、発光素子の輝度の均一性が向上する。In the present invention, when the anodizing treatment described later is performed on the aluminum substrate, the surface on which the anodizing treatment is performed preferably has a higher aluminum purity.
Specifically, the purity of aluminum is preferably 99.5% by mass or more, more preferably 99.9% by mass or more, and further preferably 99.99% by mass or more.
In particular, when the aluminum purity is in the above range, the regularity of the pore arrangement of the micropores existing in the insulating layer formed by performing the anodizing treatment is sufficient, and the transmission type diffraction grating part and the transmission type of the light emitting element are sufficient. When used as a light scattering layer, the luminance uniformity of the light emitting element is improved.

　また、本発明においては、アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましく、特に、ポア配列の規則性を向上させる観点から、熱処理が施されるのが好ましい。
　更に、本発明においては、本発明の絶縁基板を実装するＬＥＤ素材の用途に応じて、例えば、光を散乱させる表面を形成する観点からアルミニウム基板の表面に粗面化処理を施すこともできる。In the present invention, when the anodizing treatment described later is performed on the aluminum substrate, the surface to be anodized is preferably preliminarily degreased and mirror-finished. From the viewpoint of improving the properties, heat treatment is preferably performed.
Furthermore, in this invention, according to the use of the LED raw material which mounts the insulated substrate of this invention, a roughening process can also be given to the surface of an aluminum substrate from a viewpoint of forming the surface which scatters light, for example.

　＜熱処理＞
　熱処理を施す場合は、２００～３５０℃で３０秒～２分程度施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を加熱オーブンに入れる方法等が挙げられる。
　このような熱処理を施すことにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
　また、熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。<Heat treatment>
When heat treatment is performed, it is preferably performed at 200 to 350 ° C. for about 30 seconds to 2 minutes. Specifically, for example, a method of placing an aluminum substrate in a heating oven can be used.
By performing such heat treatment, the regularity of the arrangement of micropores generated by an anodic oxidation process described later is improved.
Moreover, it is preferable to cool the aluminum substrate after heat treatment rapidly. As a method for cooling, for example, a method of directly putting it into water or the like can be mentioned.

　＜脱脂処理＞
　脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。<Degreasing treatment>
Degreasing treatment uses acid, alkali, organic solvent, etc. to dissolve and remove the organic components such as dust, fat, resin, etc. attached to the aluminum substrate surface, and in each treatment described later due to the organic components This is done for the purpose of preventing the occurrence of defects.

　脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０～２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０～８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５～２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１～１０Ａ／ｄｍ²の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００～５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１～１０Ａ／ｄｍ²の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０～２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０～５０℃でアルミニウム基板表面に１５～６０秒間接触させ、その後、濃度１００～５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０～１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。Specifically, as the degreasing treatment, for example, a method in which an organic solvent such as various alcohols (for example, methanol), various ketones (for example, methyl ethyl ketone), benzine, volatile oil or the like is brought into contact with the aluminum substrate surface at room temperature (organic Solvent method); a method of bringing a solution containing a surfactant such as soap or neutral detergent into contact with the aluminum substrate surface at a temperature from room temperature to 80 ° C., and then washing with water (surfactant method); concentration of 10 to 200 g / L sulfuric acid aqueous solution is brought into contact with the aluminum substrate surface at a temperature from room temperature to 70 ° C. for 30 to 80 seconds and then washed with water; a sodium hydroxide aqueous solution having a concentration of 5 to 20 g / L is applied to the aluminum substrate surface at room temperature at 30 ° C. while contacting about seconds, the aluminum substrate surface and the electrolyte by passing a direct current of a current density of 1 ~ 10A / dm² in the cathode, the , A method of neutralizing by contacting an aqueous nitric acid solution having a concentration of 100 to 500 g / L; various known anodic oxidation electrolytes are brought into contact with the aluminum substrate surface at room temperature, and the aluminum substrate surface is used as a cathode and a current density of 1 to A method in which a direct current of 10 A / dm² is applied or an alternating current is applied for electrolysis; an alkaline aqueous solution having a concentration of 10 to 200 g / L is brought into contact with the aluminum substrate surface at 40 to 50 ° C. for 15 to 60 seconds; A method of neutralizing by contacting a nitric acid aqueous solution with a concentration of 100 to 500 g / L; an emulsion obtained by mixing a surfactant, water, etc. with light oil, kerosene, etc. is brought into contact with the aluminum substrate surface at a temperature from room temperature to 50 ° C. Then, a method of washing with water (emulsification and degreasing method); a mixed solution of sodium carbonate, phosphates, surfactant and the like on the surface of the aluminum substrate at a temperature from room temperature to 50 ° C. 0 ~ contacting for 180 seconds, then, a method of washing with water (phosphate method); and the like.

　これらのうち、アルミニウム基板表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。Among these, the organic solvent method, the surfactant method, the emulsion degreasing method, and the phosphate method are preferable from the viewpoint that the fat on the surface of the aluminum substrate can be removed, but the dissolution of aluminum hardly occurs.

　また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。In addition, a conventionally known degreasing agent can be used for the degreasing treatment. Specifically, for example, various commercially available degreasing agents can be used by a predetermined method.

　＜鏡面仕上げ処理＞
　鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくして、後述する封孔処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。
　鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。<Mirror finish processing>
The mirror finishing process is performed in order to eliminate unevenness on the surface of the aluminum substrate, for example, rolling streaks generated during the rolling of the aluminum substrate, and improve the uniformity and reproducibility of the sealing process described later.
The mirror finishing process is not particularly limited, and a conventionally known method can be used. Examples thereof include mechanical polishing, chemical polishing, and electrolytic polishing.

　機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤（例えば、ダイヤ、アルミナ）とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、＃１５００のものが好ましい。これにより、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００～８００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。Examples of mechanical polishing include a method of polishing with various commercially available polishing cloths, a method of combining various commercially available abrasives (for example, diamond, alumina) and buffs, and the like. Specifically, when an abrasive is used, a method in which the abrasive used is changed from coarse particles to fine particles over time is preferably exemplified. In this case, the final polishing agent is preferably # 1500. Thereby, the total reflectance in the visible light region (wavelength 300 to 800 nm) on the surface of the aluminum substrate can be 80% or more.

　化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４－１６５に記載されている各種の方法等が挙げられる。
　また、リン酸－硝酸法、Ａｌｕｐｏｌ　Ｉ法、Ａｌｕｐｏｌ　Ｖ法、Ａｌｃｏａ　Ｒ５法、Ｈ₃ＰＯ₄－ＣＨ₃ＣＯＯＨ－Ｃｕ法、Ｈ₃ＰＯ₄－ＨＮＯ₃－ＣＨ₃ＣＯＯＨ法が好適に挙げられる。中でも、リン酸－硝酸法、Ｈ₃ＰＯ₄－ＣＨ₃ＣＯＯＨ－Ｃｕ法、Ｈ₃ＰＯ₄－ＨＮＯ₃－ＣＨ₃ＣＯＯＨ法が好ましい。
　化学研磨により、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００～８００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。As chemical polishing, for example, “Aluminum Handbook”, 6th edition, edited by Japan Aluminum Association, 2001, p. Examples thereof include various methods described in 164 to 165.
Preferred examples include phosphoric acid-nitric acid method, Alupol I method, Alupol V method, Alcoa R5 method, H₃ PO₄ —CH₃ COOH—Cu method, and H₃ PO₄ —HNO₃ —CH₃ COOH method. Of these, the phosphoric acid-nitric acid method, the H₃ PO₄ —CH₃ COOH—Cu method, and the H₃ PO₄ —HNO₃ —CH₃ COOH method are preferable.
By chemical polishing, the total reflectance in the visible light region (wavelength 300 to 800 nm) on the surface of the aluminum substrate can be 80% or more.

　電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４－１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２－３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
　電解研磨により、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００～８００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。As electrolytic polishing, for example, “Aluminum Handbook”, 6th edition, edited by Japan Aluminum Association, 2001, p. 164-165; various methods described in US Pat. No. 2,708,655; “Practical Surface Technology”, vol. 33, no. 3, 1986, p. The method described in 32-38;
By electropolishing, the total reflectance in the visible light region (wavelength 300 to 800 nm) on the surface of the aluminum substrate can be 80% or more.

　これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。These methods can be used in appropriate combination. Specifically, for example, a method of performing mechanical polishing in which the abrasive is changed from coarse particles to fine particles with time, and then performing electrolytic polishing is preferable.

　鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さＲ_a０．１μｍ以下、全反射率８０％以上の表面を得ることができる。平均表面粗さＲ_aは、０．０３μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以下であるのがより好ましい。また、全反射率は８５％以上であるのが好ましく、９０％以上であるのがより好ましい。By mirror finishing, for example, a surface having an average surface roughness R_{a of} 0.1 μm or less and a total reflectance of 80% or more can be obtained. The average surface roughness_Ra is preferably 0.03 μm or less, and more preferably 0.02 μm or less. Further, the total reflectance is preferably 85% or more, and more preferably 90% or more.

　＜粗面化処理＞
　粗面化処理は、上述したように、本発明の絶縁基板を実装するＬＥＤ素材の用途に応じて、光を散乱させる表面を形成することを目的として行われる。
　粗面化処理としては、例えば、特開２００７－２４５１１６号公報の［００４６］～［００７６］段落に記載された方法等により、適宜、所望の正反射率に調整しながら粗面化することができる。
　なお、粗面化処理を施す場合であっても、可視光領域の全反射率は８０％以上であるのが好ましく、９０％以上であるのがより好ましい。また、正反射率は２０％以下であるのが好ましく、１０％以下であるのがより好ましい。<Roughening treatment>
As described above, the roughening treatment is performed for the purpose of forming a surface that scatters light according to the use of the LED material on which the insulating substrate of the present invention is mounted.
As the surface roughening treatment, for example, the surface roughening may be performed while appropriately adjusting to a desired regular reflectance by the method described in paragraphs [0046] to [0076] of JP-A-2007-245116. it can.
Even when the surface roughening treatment is performed, the total reflectance in the visible light region is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more. Further, the regular reflectance is preferably 20% or less, and more preferably 10% or less.

 〔絶縁層〕
　本発明の絶縁基板を構成する絶縁層は、上記アルミニウム基板の表面に設けられる層であって、深さ方向の一部にマイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜である。
　上記絶縁層は、上記アルミニウム基板とは別のアルミニウム基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記アルミニウム基板の一部に後述する陽極酸化処理を施すことによりアルミニウム基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。[Insulating layer]
The insulating layer constituting the insulating substrate of the present invention is a layer provided on the surface of the aluminum substrate, and is an aluminum anodized film having micropores in a part in the depth direction.
The insulating layer may be an anodized film of an aluminum base different from the aluminum substrate, but from the viewpoint of preventing formation defects of the insulating layer, an anodic oxidation process to be described later is performed on a part of the aluminum substrate. Thus, an anodized film formed on the aluminum substrate is preferable.

　本発明においては、上記マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が２０％以上であるのが好ましく、４０％以上であるのがより好ましく、７０％以上であるのが特に好ましい。
　マイクロポアの規則化度が上記範囲であると、本発明の絶縁基板の全反射特性が向上し、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の輝度が向上する。In the present invention, the degree of ordering defined by the following formula (i) for the micropores is preferably 20% or more, more preferably 40% or more, and particularly preferably 70% or more. .
When the degree of ordering of the micropores is in the above range, the total reflection characteristics of the insulating substrate of the present invention are improved, and the brightness of the white LED light emitting element of the present invention is improved.

　規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００　　（ｉ）
　上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。Ordering degree (%) = B / A × 100 (i)
In the above formula (i), A represents the total number of micropores in the measurement range. B is centered on the center of gravity of one micropore, and when a circle with the shortest radius inscribed in the edge of another micropore is drawn, the center of gravity of the micropore other than the one micropore is set inside the circle. This represents the number in the measurement range of the one micropore to be included.

　ここで、図１７は、マイクロポアの規則化度を算出する方法の説明図である。図１７を用いて、上記式（ｉ）をより具体的に説明する。
　図１７（Ａ）に示されるマイクロポア１０１は、マイクロポア１０１の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０３（マイクロポア１０２に内接している。）を描いた場合に、円３の内部にマイクロポア１０１以外のマイクロポアの重心を６個含んでいる。したがって、マイクロポア１０１は、Ｂに算入される。
　図１７（Ｂ）に示されるマイクロポア１０４は、マイクロポア１０４の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０６（マイクロポア１０５に内接している。）を描いた場合に、円１０６の内部にマイクロポア１０４以外のマイクロポアの重心を５個含んでいる。したがって、マイクロポア１０４は、Ｂに算入されない。
　また、図１７（Ｂ）に示されるマイクロポア１０７は、マイクロポア１０７の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０９（マイクロポア１０８に内接している。）を描いた場合に、円１０９の内部にマイクロポア１０７以外のマイクロポアの重心を７個含んでいる。したがって、マイクロポア１０７は、Ｂに算入されない。Here, FIG. 17 is an explanatory diagram of a method for calculating the degree of ordering of micropores. The above formula (i) will be described more specifically with reference to FIG.
Amicropore 101 shown in FIG. 17A draws a circle 103 (inscribed in the micropore 102) having the shortest radius inscribed in the edge of another micropore with the center of gravity of themicropore 101 as the center. In this case, the center of gravity of the micropores other than themicropores 101 is included in thecircle 3. Therefore, themicropore 101 is included in B.
Themicropore 104 shown in FIG. 17B draws a circle 106 (inscribed in the micropore 105) having the shortest radius centered on the center of gravity of themicropore 104 and inscribed in the edge of another micropore. In such a case, the center of gravity of the micropores other than themicropores 104 is included inside thecircle 106. Therefore, themicropore 104 is not included in B.
Amicropore 107 shown in FIG. 17B is centered on the center of gravity of themicropore 107 and has theshortest radius 109 inscribed in the edge of another micropore (inscribed in the micropore 108). Is drawn, thecircle 109 includes seven centroids of micropores other than themicropore 107. Therefore, themicropore 107 is not included in B.

　本発明の絶縁基板は、上述したアルミニウム基板と、このアルミニウム基板の表面に設けられる上述した絶縁層とを有する絶縁基板である。
　また、本発明の絶縁基板は、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）が１５００μｍ以下であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が５μｍ以上であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が２．５～３００である。
　更に、本発明の絶縁基板は、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）が３０ｎｍ以上である。The insulating substrate of the present invention is an insulating substrate having the above-described aluminum substrate and the above-described insulating layer provided on the surface of the aluminum substrate.
The insulating substrate of the present invention has a thickness (T_A ) of the insulating substrate of 1500 μm or less, a thickness of the anodic oxide film (T_O ) of 5 μm or more, and a thickness of the anodic oxide film (T_O ). The ratio (T_A / T_O ) of the thickness (T_A ) of the insulating substrate to the thickness is 2.5 to 300.
Furthermore, in the insulating substrate of the present invention, the thickness (T_F ) of the portion where the micropores are not formed in the depth direction thickness of the anodized film is 30 nm or more.

　ここで、図１８に示すように、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）とはアルミニウム基板１８および絶縁層１９の合計の厚みであり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）とは絶縁層１９の厚みであり、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）とは絶縁層１９の厚みからマイクロポア２０の深さ分を除いた厚みである。
　なお、上記厚み（Ｔ_Ａ）は接触型の厚膜計等や破断面のＦＥ－ＳＥＭ観察等により直接計測することができ、上記厚み（Ｔ_Ｏ）は渦電流式膜厚計や破断面のＦＥ－ＳＥＭ観察等により計測することができ、上記厚み（Ｔ_Ｆ）は破断面のＦＥ－ＳＥＭ観察等により計測することができる。Here, as shown in FIG. 18, the thickness (T_A ) of the insulating substrate is the total thickness of thealuminum substrate 18 and the insulatinglayer 19, and the thickness (T_O ) of the anodized film is the insulatinglayer 19. Of the thickness in the depth direction of the anodic oxide film, the thickness of the portion where the micropores are not formed (T_F ) is obtained by removing the depth of themicropores 20 from the thickness of the insulatinglayer 19. It is thickness.
The thickness (T_A ) can be directly measured by a contact-type thickness meter or the like, or FE-SEM observation of a fracture surface, and the thickness (T_O ) can be measured by an eddy current film thickness meter or a fracture surface The thickness (T_F ) can be measured by FE-SEM observation or the like, and the thickness (T_F ) can be measured by FE-SEM observation or the like of the fracture surface.

　そして、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）および上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）を上述した範囲内とした本発明の絶縁基板を用いると、絶縁性および放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供することができる。
　これは、後述する実施例の結果から推測できるように、上記厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記厚み（Ｔ_Ａ）のバランスが良好となるため放熱性が良好となり、かつ、上記厚み（Ｔ_Ｆ）により耐電圧が向上し、絶縁性が良好になったと考えられる。
　そのため、本発明の絶縁基板は、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板として用いるのが好ましい。
　なお、上記厚み（Ｔ_Ａ）が上記値よりも大きい場合は、基板が大きすぎるため、ＬＥＤを実装した際のコンパクト性、配線を設けるためのスルーホール加工性、基板をチップ化する際のルーティング加工性等の観点から好ましくない。
　また、上記厚み（Ｔ_Ｏ）が上記値よりも小さい場合は、基板の絶縁性が低下する観点から好ましくない。
　また、上記厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が上記範囲を上回る場合は、相対的にアルミニウム基板が厚くなるためスルーホール加工性やルーティング加工性の観点から好ましくなく、上記範囲を下回る場合は、相対的にアルミニウム部分が薄くなるため実装されるＬＥＤからの発熱を放熱しにくくなる理由から好ましくない。
　また、上記厚み（Ｔ_Ｆ）が上記値よりも小さい場合は、基板の絶縁性が低下する観点から好ましくない。Of the thickness of the insulating substrate (T_A ), the thickness of the anodic oxide film (T_O ), and the thickness in the depth direction of the anodic oxide film, the thickness of the portion where the micropores are not formed (T_F ) When the insulating substrate of the present invention having the above in the above-described range is used, it is possible to provide a light emitting element that is excellent in insulation and heat dissipation and has improved white light emission output.
As can be inferred from the results of Examples described later, this provides a good balance of the thickness (T_A ) with respect to the thickness (T_O ), thereby improving heat dissipation, and the thickness (T_F ). It is considered that the withstand voltage was improved and the insulation was improved.
Therefore, the insulating substrate of the present invention is preferably used as a substrate provided on the light emission observation surface side of the LED light emitting element.
When the thickness (T_A ) is larger than the above value, the substrate is too large. Therefore, the compactness when the LED is mounted, the through hole workability for providing the wiring, and the routing when the substrate is made into a chip. It is not preferable from the viewpoint of workability.
Further, when the thickness (T_O) is less than the value, undesirable from the viewpoint of insulating substrate is lowered.
The ratio of the thickness to the thickness_{(T O) (T A)} (T A / T O) is the case above the above range, relatively aluminum substrate is for through hole processability and routing workability of thick It is not preferable from the viewpoint, and when it is less than the above range, the aluminum portion becomes relatively thin, which is not preferable because it is difficult to dissipate heat generated from the mounted LED.
Moreover, when the said thickness (_TF ) is smaller than the said value, it is unpreferable from a viewpoint that the insulation of a board | substrate falls.

　本発明においては、絶縁性および放熱性がより良好となり、白色系の発光出力を更に向上できる理由から、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）が１０００μｍ以下であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が５μｍ以上であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が４～２５０であるのが好ましい。
　また、同様の理由から、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）が８００μｍ以下であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が５μｍ以上であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が５～１６０であるのがより好ましい。
　更に、絶縁性が極めて良好となる理由から、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が２０～７０μｍであり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が８～１２であるのが特に好ましい。In the present invention, insulation and heat radiation becomes better, for reasons that can further improve the light emission output of the white, the thickness of the insulating substrate (T_A) is at 1000μm or less, the thickness of the anodized film (T_{O 2} ) is preferably 5 μm or more, and the ratio (T_A / T_O ) of the thickness (T_A ) of the insulating substrate to the thickness (T_O ) of the anodic oxide film is preferably 4 to 250.
For the same reason, the thickness (T_A ) of the insulating substrate is 800 μm or less, the thickness (T_O ) of the anodized film is 5 μm or more, and the thickness relative to the thickness of the anodized film (T_O ) The ratio (T_A / T_O ) of the thickness (T_A ) of the insulating substrate is more preferably 5 to 160.
Furthermore, for the reason that the insulating property is extremely good, the thickness (T_O ) of the anodic oxide film is 20 to 70 μm, and the thickness (T_A ) of the insulating substrate with respect to the thickness (T_O ) of the anodic oxide film. ratio_(T a / T_O) is particularly preferably 8-12.

　また、本発明においては、絶縁性がより良好となり、上記陽極酸化皮膜の欠陥も補修できる理由から、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）が１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、３００ｎｍ以上であることが特に好ましい。
　一方、上記厚み（Ｔ_Ｆ）の上限値は、後述する本発明の絶縁基板の製造方法に示す第２陽極酸化処理工程においても第１陽極酸化処理工程で形成した陽極酸化皮膜の形状を保持できる理由から、１５００ｎｍ以下であるのが好ましく、１２００ｎｍであるのがより好ましく、１０００ｎｍ以下であるのが更に好ましい。In the present invention, the thickness of the portion where the micropores are not formed in the depth direction thickness of the anodized film (because the insulating property becomes better and defects of the anodized film can be repaired) T_F ) is preferably 100 nm or more, more preferably 200 nm or more, and particularly preferably 300 nm or more.
On the other hand, the upper limit value of the thickness (T_F ) can maintain the shape of the anodized film formed in the first anodizing treatment step even in the second anodizing treatment step shown in the manufacturing method of the insulating substrate of the present invention described later. For the reason, it is preferably 1500 nm or less, more preferably 1200 nm, and still more preferably 1000 nm or less.

［絶縁基板の製造方法］
　以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を製造する方法であって、
　アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜をアルミニウム基板上に形成させる第１陽極酸化処理工程と、
　上記第１陽極酸化処理工程の後に、ｐＨ２．５～１１．５の電解液を用いて陽極酸化処理を施して、上記マイクロポアの内部の一部を底方向から酸化アルミニウムで封孔する第２陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法である。
　次に、第１陽極酸化処理工程および第２陽極酸化処理工程について説明する。[Insulating substrate manufacturing method]
Below, the manufacturing method of the insulated substrate of this invention is demonstrated in detail.
The manufacturing method of the insulating substrate of the present invention is a method of manufacturing the above-described insulating substrate of the present invention,
A first anodizing treatment step in which a part of the aluminum substrate is anodized to form an aluminum anodized film having micropores on the aluminum substrate;
After the first anodizing treatment step, anodizing treatment is performed using an electrolytic solution having a pH of 2.5 to 11.5, and a part of the inside of the micropore is sealed from the bottom with aluminum oxide. And an anodizing treatment process.
Next, the first anodizing process and the second anodizing process will be described.

　＜第１陽極酸化処理工程＞
　第１陽極酸化処理工程は、上記アルミニウム基板に陽極酸化処理を施すことにより、アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する、多孔質または非孔質部分を有する絶縁層を形成する処理工程である。<First anodizing process>
The first anodizing treatment step is a treatment step of forming an insulating layer having a porous or non-porous portion having micropores on the surface of the aluminum substrate by subjecting the aluminum substrate to anodizing treatment.

　第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来の方法で陽極酸化処理を施すことができる。
　具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０～１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。The anodizing treatment in the first anodizing treatment step can be performed by a conventional method performed in the production of a lithographic printing plate support or the like.
Specifically, sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid, oxalic acid, sulfamic acid, benzenesulfonic acid, amidosulfonic acid, malonic acid, citric acid, tartaric acid, boric acid, etc. are used alone as the solution used for the anodizing treatment. Or in combination of two or more.
At this time, at least a component usually contained in an aluminum substrate, an electrode, tap water, ground water, or the like may be contained in the electrolytic solution. Furthermore, the 2nd, 3rd component may be added. Examples of the second and third components herein include metal ions such as Na, K, Mg, Li, Ca, Ti, Al, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn; Cation such as ammonium ion; anion such as nitrate ion, carbonate ion, chloride ion, phosphate ion, fluoride ion, sulfite ion, titanate ion, silicate ion, borate ion, etc., 0 to 10,000 ppm It may be contained at a concentration of about.

　また、第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１～８０質量％、液温５～７０℃、電流密度０．５～６０Ａ／ｄｍ²、電圧１～１００Ｖ、電解時間１５秒～５０分であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。Further, the conditions of the anodizing treatment in the first anodizing treatment step cannot be determined unconditionally because they vary depending on the electrolyte used, but in general, the concentration of the electrolyte is 1 to 80% by mass, the solution temperature is 5 It is appropriate that the temperature is 70 ° C., the current density is 0.5 to 60 A / dm² , the voltage is 1 to 100 V, and the electrolysis time is 15 seconds to 50 minutes.

　更に、第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、特開昭５４－８１１３３号、特開昭５７－４７８９４号、特開昭５７－５１２８９号、特開昭５７－５１２９０号、特開昭５７－５４３００号、特開昭５７－１３６５９６号、特開昭５８－１０７４９８号、特開昭６０－２００２５６号、特開昭６２－１３６５９６号、特開昭６３－１７６４９４号、特開平４－１７６８９７号、特開平４－２８０９９７号、特開平６－２０７２９９号、特開平５－２４３７７号、特開平５－３２０８３号、特開平５－１２５５９７号、特開平５－１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。Further, the anodizing treatment in the first anodizing treatment step is disclosed in JP-A-54-81133, JP-A-57-47894, JP-A-57-51289, JP-A-57-51290, JP-A-57-57. -54300, JP-A-57-136596, JP-A-58-107498, JP-A-60-200226, JP-A-62-136596, JP-A-63-176494, JP-A-4-17697 Disclosed in JP-A-4-280997, JP-A-6-207299, JP-A-5-24377, JP-A-5-32083, JP-A-5-125597, JP-A-5-195291, and the like. You can also use this method.

　中でも、特開昭５４－１２８５３号公報および特開昭４８－４５３０３号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、１０～３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、１～２５ｇ／Ｌであるのが好ましく、２～１０ｇ／Ｌであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が５０～２００ｇ／Ｌである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。Among these, as described in JP-A-54-12853 and JP-A-48-45303, it is preferable to use a sulfuric acid solution as the electrolytic solution. The sulfuric acid concentration in the electrolytic solution is preferably 10 to 300 g / L, and the aluminum ion concentration is preferably 1 to 25 g / L, more preferably 2 to 10 g / L. Such an electrolytic solution can be prepared, for example, by adding aluminum sulfate or the like to dilute sulfuric acid having a sulfuric acid concentration of 50 to 200 g / L.

　第１陽極酸化処理工程においては、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
　アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は１～６０Ａ／ｄｍ²であるのが好ましく、５～４０Ａ／ｄｍ²であるのがより好ましい。In the first anodizing treatment step, when anodizing is performed in an electrolytic solution containing sulfuric acid, direct current may be applied between the aluminum substrate and the counter electrode, or alternating current may be applied.
When direct current is applied to the aluminum substrate, the current density is preferably 1 to 60 A / dm² , and more preferably 5 to 40 A / dm² .

　また、第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５～１０Ａ／ｄｍ²の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０～５０Ａ／ｄｍ²またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。In addition, when the anodizing treatment in the first anodizing treatment step is continuously performed, at the beginning of the anodizing treatment, so as not to cause so-called “burning” due to current concentration on a part of the aluminum substrate, It is preferable to increase the current density to 30 to 50 A / dm² or higher as the anodic oxidation process proceeds with a current flowing at a low current density of 5 to 10 A / dm² . In the case where the anodizing process is continuously performed, it is preferable that the anodizing process is performed by a liquid power feeding method in which power is supplied to the aluminum substrate through an electrolytic solution.

　陽極酸化皮膜が多孔質である場合、その平均ポア径が５～１０００ｎｍ程度であり、平均ポア密度が１×１０⁶～１×１０¹⁰／ｍｍ²程度である。When the anodized film is porous, the average pore diameter is about 5 to 1000 nm, and the average pore density is about 1 × 10⁶ to 1 × 10¹⁰ / mm² .

　陽極酸化皮膜の厚さは５～７５μｍであるのが好ましい。５μｍ未満であると絶縁性に乏しく耐電圧が低下し、一方、７５μｍを超えると全反射率が低下不利となる。陽極酸化皮膜の厚さは、１０～５０μｍであるのがより好ましい。The thickness of the anodized film is preferably 5 to 75 μm. When the thickness is less than 5 μm, the insulation is poor and the withstand voltage is lowered. On the other hand, when it exceeds 75 μm, the total reflectance is disadvantageously lowered. The thickness of the anodized film is more preferably 10 to 50 μm.

　陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８－２６６３８号、特開昭４７－１８７３９号、特公昭５８－２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図１２に示す装置が好適に用いられる。As the electrolysis apparatus used for the anodizing treatment, those described in JP-A-48-26638, JP-A-47-18739, JP-B-58-24517 and the like can be used. Of these, the apparatus shown in FIG. 12 is preferably used.

　また、第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。Further, the anodizing treatment in the first anodizing treatment step may be carried out independently under a certain treatment condition, but the shape of the anodized film such as the shape depending on the location or the shape in the depth direction, etc. When control is desired, two or more anodizing treatments with different conditions may be combined in order.

　一方、上述したマイクロポアの規則化度が高くなる陽極酸化処理としては、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポアの独立性の観点から、例えば、特許第３，７１４，５０７号、特開２００２－２８５３８２号公報、特開２００６－１２４８２７号公報、特開２００７－２３１３３９号公報、特開２００７－２３１４０５公報、特開２００７－２３１３４０号公報、特開２００７－２３１３４０号公報、特開２００７－２３８９８８号公報等に記載されている、自己規則化陽極酸化処理が好ましい。
　更に、特開２００８－０６３６４３号公報、特開２００８－１５６７０５号公報等に記載の方法が、深さ方向に対して略直管形状をしたマイクロポアを形成するうえで好ましい。
　これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。On the other hand, as the anodic oxidation treatment in which the degree of ordering of the micropores is increased, a conventionally known method can be used. From the viewpoint of independence of the micropores, for example, Patent No. 3,714,507, JP 2002-285382 A, JP 2006-124827 A, JP 2007-231339 A, JP 2007-231405 A, JP 2007-231340 A, JP 2007-231340 A, JP 2007. Self-ordered anodizing treatment described in Japanese Patent No. 238988 is preferable.
Furthermore, the methods described in JP-A-2008-063643 and JP-A-2008-156705 are preferable for forming micropores having a substantially straight pipe shape in the depth direction.
These processes are preferably the processes described in the processing conditions of each patent and publication.

　なお、アルミニウム基板の表面にマイクロポアを形成するその他の方法としては、例えば、インプリント法（突起を有する基板またはロールをアルミニウム基板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法）を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム基板の表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平１０－１２１２９２号公報に記載されている方法を用いることができる。
　また、アルミニウム基板の表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からＳｉＯ₂を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたＳｉＯ₂をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。As another method for forming micropores on the surface of the aluminum substrate, for example, an imprint method (a transfer method or press patterning method in which a substrate or a roll having protrusions is pressed against the aluminum substrate to form a recess) is used. The method to use is mentioned. Specifically, a method of forming a depression by pressing a substrate having a plurality of protrusions on the surface thereof against the surface of the aluminum substrate can be mentioned. For example, the method described in JP-A-10-121292 can be used.
In addition, a method in which polystyrene spheres are arranged in a dense state on the surface of an aluminum substrate, SiO₂ is deposited thereon, then the polystyrene spheres are removed, and the substrate is etched using the deposited SiO₂ as a mask to form a recess. Also mentioned.

　また、その他の方法として粒子線法が挙げられる。粒子線法は、アルミニウム基板の表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
　粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）、電子ビームが挙げられる。
　粒子線法としては、例えば、特開２００１－１０５４００号公報に記載されている方法を用いることもできる。Another method is a particle beam method. The particle beam method is a method of forming a depression by irradiating the surface of an aluminum substrate with a particle beam. The particle beam method has an advantage that the position of the depression can be freely controlled.
Examples of the particle beam include a charged particle beam, a focused ion beam (FIB), and an electron beam.
As the particle beam method, for example, a method described in JP-A-2001-105400 can be used.

　そのほか、ブロックコポリマー法も挙げられる。ブロックコポリマー法は、アルミニウム基板の表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
　ブロックコポリマー法としては、例えば、特開２００３－１２９２８８号公報に記載されている方法を用いることができる。In addition, a block copolymer method is also exemplified. The block copolymer method is a method in which a block copolymer layer is formed on the surface of an aluminum substrate, a sea island structure is formed in the block copolymer layer by thermal annealing, and then island portions are removed to form depressions.
As the block copolymer method, for example, a method described in JP-A No. 2003-129288 can be used.

　そのほか、レジストパターン・露光・エッチング法も挙げられる。レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法によりアルミニウム基板の表面のレジストに露光および現像を施し、レジストパターンを形成した後これをエッチングする。レジストを設け、エッチングしてアルミニウム基板の表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。Other examples include resist patterns, exposure, and etching methods. In the resist pattern / exposure / etching method, the resist on the surface of the aluminum substrate is exposed and developed by photolithography or electron beam lithography to form a resist pattern and then etched. In this method, a resist is provided and etched to form a recess penetrating to the surface of the aluminum substrate.

　このような、インプリント法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法を使用する場合には、これらの処理でアルミニウム基板の表面に電解起点を与えた後に陽極酸化処理することにより、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成することができる。
　このような、インプリント法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法を使用する場合には、特開２００８－１５６７１６号公報に記載の方法が深さ方向に対して略直管形状をしたマイクロポアを形成するうえで好ましい。When using the imprint method, particle beam method, block copolymer method, resist pattern / exposure / etching method, etc., anodizing should be performed after providing an electrolytic origin on the surface of the aluminum substrate by these treatments. Thus, an anodic oxide film having micropores can be formed.
In the case of using such an imprint method, particle beam method, block copolymer method, resist pattern / exposure / etching method, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-156716 is substantially straightforward with respect to the depth direction. It is preferable for forming a micropore having a tube shape.

　＜第２陽極酸化処理工程＞
　第２陽極酸化処理工程は、上記第１陽極酸化処理工程の後に、ｐＨ２．５～１１．５の電解液を用いて陽極酸化処理を施して、上記マイクロポアの内部の一部を底方向から酸化アルミニウムで封孔する処理工程であり、本工程により、本発明の絶縁基板における上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）を３０ｎｍ以上とすることができる。<Second anodizing process>
In the second anodizing treatment step, after the first anodizing treatment step, an anodizing treatment is performed using an electrolytic solution having a pH of 2.5 to 11.5, and a part of the inside of the micropore is viewed from the bottom. This is a treatment step of sealing with aluminum oxide. By this step, the thickness (T_F ) of the portion of the insulating substrate of the present invention in which the micropores are not formed out of the thickness in the depth direction of the anodized film is 30 nm. This can be done.

　第２陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ｐＨ２．５～１１．５の中性付近の電解液を用いる。
　ここで、中性付近の電解液に用いる酸は、第１陽極酸化処理工程と同様、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等を用いることができるが、陽極酸化処理における電流密度の観点から電解液の濃度を高濃度化しても、中性の特性を示し、上記第１陽極酸化処理工程で形成した陽極酸化皮膜を溶解しにくい理由から、ホウ酸を用いるのが好ましい。The anodizing treatment in the second anodizing treatment step uses an electrolytic solution having a pH in the vicinity of 2.5 to 11.5.
Here, as in the first anodizing treatment step, the acid used for the neutral electrolyte is sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid, oxalic acid, sulfamic acid, benzenesulfonic acid, amidosulfonic acid, malonic acid, citric acid. Although tartaric acid, boric acid, etc. can be used, even if the concentration of the electrolyte is increased from the viewpoint of the current density in the anodizing treatment, it exhibits neutral characteristics and is formed in the first anodizing treatment step. Boric acid is preferably used because it is difficult to dissolve the anodized film.

　また、第２陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、基本的には第１陽極酸化処理と同様、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、中性付近の電解液を用いるため、電解液濃度１～４０質量％、液温１～７０℃、電流密度０．０５～３０Ａ／ｄｍ²、電圧１～１０００Ｖ、電解時間５秒～６０分であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。In addition, the conditions of the anodizing treatment in the second anodizing treatment step are basically different from those in the first anodizing treatment and vary depending on the electrolyte used. Since the electrolytic solution is used, it is appropriate that the electrolytic solution concentration is 1 to 40% by mass, the liquid temperature is 1 to 70 ° C., the current density is 0.05 to 30 A / dm² , the voltage is 1 to 1000 V, and the electrolysis time is 5 seconds to 60 minutes. And is adjusted so as to obtain a desired anodic oxide film amount.

　＜封孔処理＞
　本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて陽極酸化皮膜が多孔質の場合、存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。
　封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６－１２５１８号公報、特開平４－４１９４号公報、特開平５－２０２４９６号公報、特開平５－１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。
　なお、本発明においては、このような封孔処理によりマイクロポアを封じた場合、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）を算出するにあたっては、封孔処理を施す前のマイクロポアの底（マイクロポアの深さ）を基準として算出するものとする。<Sealing treatment>
In the method for producing an insulating substrate of the present invention, if necessary, if the anodized film is porous, a sealing treatment for sealing the existing micropores may be performed.
The sealing treatment can be performed according to a known method such as boiling water treatment, hot water treatment, steam treatment, sodium silicate treatment, nitrite treatment, ammonium acetate treatment and the like. For example, even if the sealing treatment is performed by the apparatus and method described in JP-B-56-12518, JP-A-4-4194, JP-A-5-20296, JP-A-5-179482, etc. Good.
In the present invention, when the micropores are sealed by such sealing treatment, the thickness (T_F ) of the portion where the micropores are not formed in the depth direction thickness of the anodized film is calculated. In this case, the calculation is performed based on the bottom of the micropore (depth of the micropore) before the sealing process is performed.

　＜水洗処理＞
　また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。<Washing treatment>
Moreover, in the manufacturing method of the insulated substrate of this invention, it is preferable to wash with water after completion | finish of the process of each process mentioned above. For washing, pure water, well water, tap water, or the like can be used. A nip device may be used to prevent the processing liquid from being brought into the next process.

　＜その他の処理＞
　更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。
　例えば、反射基板の白色性を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。
　また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、「陽極酸化」金属表面技術協会編．金属表面技術講座Ｂ（１９６９　ＰＰ．１９５～２０７）、「新アルマイト理論」カロス出版（１９９７　ＰＰ．９５～９６）等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ａｕイオン、Ｐｂイオン、Ａｇイオン、Ｓｅイオン、Ｓｎイオン、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ｂｉイオン、Ｍｏイオン、Ｓｂイオン、Ｃｄイオン、Ａｓイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。<Other processing>
Furthermore, in the method for manufacturing an insulating substrate of the present invention, various treatments can be applied to the surface of the insulating substrate as necessary.
For example, in order to improve the whiteness of the reflective substrate, an inorganic insulating layer made of a white insulating material such as titanium oxide or an organic insulating layer such as a white resist may be provided.
In addition to the white color described above, a desired color can be colored on the insulating layer made of aluminum oxide, for example, by electrodeposition. Specifically, “Anodizing” Metal Surface Technology Association. Colored dyeing ion species as described in Metal Surface Technology Course B (1969 PP. 195 to 207), “New Anodized Theory”, Karos Publishing (1997 PP. 95 to 96), specifically Co Ion, Fe ion, Au ion, Pb ion, Ag ion, Se ion, Sn ion, Ni ion, Cu ion, Bi ion, Mo ion, Sb ion, Cd ion, As ion, etc. are mixed in the electrolytic solution and electrolysis is performed. By processing, it can color.

　また、同様に酸化アルミニウムよりなる絶縁層に、更に絶縁性および高反射性を高めるため、例えば、特開平６－３５１７４号公報の段落［００１６]～［００３５]に記載されているような、ゾルゲル法による層を設けることもできる。
　ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解・重縮合反応により、流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物層（セラミック層）を形成する方法である。
　また、上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、厚さが均一性の良い層を形成させる観点から、Ａｌ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｔｉ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｖ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｗ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｙ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｚｎ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｚｒ（Ｏ－Ｒ）ｎ等が挙げられる（文章中Ｒは、置換基を有してもよい、鎖状、分枝状、および、環状の、炭化水素基、ｎは任意の自然数を示す。）。
　中でも、絶縁層との反応性に優れ、ゾルゲル層形成性に優れた、Ｓｉ（Ｏ－Ｒ）ｎ系がより好ましい。Similarly, in order to further improve the insulation and high reflectivity of the insulating layer made of aluminum oxide, for example, a sol-gel as described in paragraphs [0016] to [0035] of JP-A-6-35174 Legal layers can also be provided.
Here, the sol-gel method is a method in which a sol generally made of a metal alkoxide is made into a gel that loses fluidity by hydrolysis and polycondensation reaction, and this gel is heated to form an oxide layer (ceramic layer). .
The metal alkoxide is not particularly limited, but Al (O—R) n, Ba (O—R) n, B (O—R) n, from the viewpoint of forming a layer having a uniform thickness. Bi (O—R) n, Ca (O—R) n, Fe (O—R) n, Ga (O—R) n, Ge (O—R) n, Hf (O—R) n, In ( O—R) n, K (O—R) n, La (O—R) n, Li (O—R) n, Mg (O—R) n, Mo (O—R) n, Na (O— R) n, Nb (O—R) n, Pb (O—R) n, Po (O—R) n, Po (O—R) n, P (O—R) n, Sb (O—R) n, Si (O—R) n, Sn (O—R) n, Sr (O—R) n, Ta (O—R) n, Ti (O—R) n, V (O—R) n, And W (O—R) n, Y (O—R) n, Zn (O—R) n, Zr (O—R) n, etc. (in the text, R may have a substituent). A chain, a branched, and a cyclic hydrocarbon group, n represents an arbitrary natural number).
Among these, Si (O—R) n type, which has excellent reactivity with the insulating layer and excellent sol-gel layer formability, is more preferable.

　本発明においては、ゾルゲル層を形成する方法は特に限定されないが、層の厚さを制御する観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
　また、ゾル液の濃度としては、０．１～９０質量％が好ましく、１～８０質量％がより好ましく、５～７０質量％が特に好ましい。
　また、本発明においてゾルゲル層を形成する際には、その厚さは、高反射率、絶縁性の観点から、０．０１μｍ～２０μｍが好ましく、０．０５μｍ～１５μｍがより好ましく、０．１μｍ～１０μｍが特に好ましい。この範囲より厚くなると、高反射率の観点から好ましくなく、この範囲より薄くなると絶縁性の観点から好ましくない。なお、層を厚くするために、繰り返し重ねて塗布してもよい。In the present invention, the method for forming the sol-gel layer is not particularly limited, but from the viewpoint of controlling the thickness of the layer, a method in which a sol solution is applied and heated is preferred.
The concentration of the sol solution is preferably 0.1 to 90% by mass, more preferably 1 to 80% by mass, and particularly preferably 5 to 70% by mass.
In the present invention, when the sol-gel layer is formed, the thickness is preferably from 0.01 μm to 20 μm, more preferably from 0.05 μm to 15 μm, and more preferably from 0.1 μm to 0.1 μm, from the viewpoint of high reflectivity and insulation. 10 μm is particularly preferable. If it is thicker than this range, it is not preferable from the viewpoint of high reflectance, and if it is thinner than this range, it is not preferable from the viewpoint of insulation. In addition, in order to make a layer thick, you may apply | coat repeatedly.

 〔白色系ＬＥＤ発光素子〕
　以下に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子について詳細に説明する。
　本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子である。
　なお、上述した本発明の絶縁基板は、使用される発光素子の形状やＬＥＤの種類等に限定はなく、種々の用途に用いることができる。
　次に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の構成を図面を用いて説明する。[White LED light emitting element]
Hereinafter, the white LED light emitting element of the present invention will be described in detail.
The white LED light-emitting element of the present invention includes the above-described insulating substrate of the present invention, a blue LED light-emitting element provided on the insulating layer side of the insulating substrate, and a fluorescent light provided on at least the blue LED light-emitting element. A white LED light emitting element including a light emitter.
Note that the above-described insulating substrate of the present invention is not limited to the shape of the light emitting element to be used, the type of LED, and the like, and can be used for various applications.
Next, the configuration of the white LED light emitting element of the present invention will be described with reference to the drawings.

　図１９は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
　ここで、図１９に示す白色系ＬＥＤ発光素子２００は、蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子として構成されており、絶縁層２３２とアルミニウム基板２３３とを有する絶縁基板２３０と、絶縁基板２３０の絶縁層２３２側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子２２２と、青色ＬＥＤ発光素子２２２の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体２２６とを具備するものである。
　また、図１９に示すように、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、青色ＬＥＤ発光素子２２２が樹脂２２４で封止されているのが好ましい。
　また、本発明においては、蛍光発光体２２６として、特願２００９－１３４００７号明細書および特願２００９－１３９２６１号明細書に記載した蛍光発光ユニットを用いることができる。FIG. 19 is a schematic cross-sectional view showing an example of a preferred embodiment of the white LED light emitting element of the present invention.
Here, the white LEDlight emitting element 200 shown in FIG. 19 is configured as a phosphor-mixed white LED light emitting element, and includes an insulatingsubstrate 230 having an insulatinglayer 232 and analuminum substrate 233, and an insulatingsubstrate 230. A blue LEDlight emitting element 222 provided on the insulatinglayer 232 side and a fluorescentlight emitting body 226 provided on at least the blue LEDlight emitting element 222 are provided.
Further, as shown in FIG. 19, in the white LED light emitting element of the present invention, it is preferable that the blue LEDlight emitting element 222 is sealed with aresin 224.
In the present invention, the fluorescent light emitting units described in Japanese Patent Application Nos. 2009-134007 and 2009-139261 can be used as thefluorescent light emitter 226.

　一方、図２０は、［背景技術］の欄で説明したように、公知の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図であるが、図２０に示す基板３４０の代わりに本発明の絶縁基板を用いることで、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子とすることができる。On the other hand, FIG. 20 is a schematic cross-sectional view showing an example of a preferred embodiment of a known white LED light emitting element as described in the “Background Art” section. Instead, the white LED light emitting element of the present invention can be obtained by using the insulating substrate of the present invention.

　以下に、実施例を示して第１態様に係る本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。Hereinafter, the present invention according to the first aspect will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to these.

　（実施例Ｉ－１）
　アルミニウム純度９９．９５質量％のアルミニウム基板（日本軽金属社製、厚さ０．４ｍｍ）について、ドリル加工によりスルーホール（ホール径０．２ｍｍφ）を形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
　次に、このアルミニウム基板について、硫酸電解液（硫酸濃度５０ｇ／ｌ）を用いて、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で１時間陽極酸化処理を施して、厚さ１０μｍの均一な陽極酸化皮膜で全面が被覆された絶縁基板を得た。Example I-1
With respect to an aluminum substrate (made by Nippon Light Metal Co., Ltd., thickness 0.4 mm) having an aluminum purity of 99.95% by mass, through holes (hole diameter 0.2 mmφ) were formed by drilling, and individualization was possible by routing processing.
Next, this aluminum substrate was anodized for 1 hour using a sulfuric acid electrolyte (sulfuric acid concentration 50 g / l) under the conditions of a voltage of 25 V, a liquid temperature of 15 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. An insulating substrate whose entire surface was coated with a uniform anodic oxide film having a thickness of 10 μm was obtained.

　（実施例Ｉ－２）
　アルミニウム純度９９．９９質量％のアルミニウム基板（日本軽金属社製、厚さ０．４ｍｍ）を用いた以外は、実施例Ｉ－１と同様にして、絶縁基板を得た。Example I-2
An insulating substrate was obtained in the same manner as in Example I-1, except that an aluminum substrate (manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., thickness 0.4 mm) having an aluminum purity of 99.99% by mass was used.

　（実施例Ｉ－３）
　実施例Ｉ－１と同じアルミニウム基板について、まず、焼鈍処理を施した。具体的には、焼鈍炉において４００℃で１２時間施し、その後、水に直接投入して急冷させた。
　そして、焼鈍処理後のアルミニウム基板について、実施例Ｉ－１と同様にして、スルーホールを形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
　その後の陽極酸化処理についても実施例Ｉ－１と同様にして、絶縁基板を得た。Example I-3
The same aluminum substrate as in Example I-1 was first annealed. Specifically, it was applied at 400 ° C. for 12 hours in an annealing furnace, and then directly put into water to be rapidly cooled.
Then, in the annealed aluminum substrate, through holes were formed in the same manner as in Example I-1, and it was possible to separate them by routing.
Subsequent anodic oxidation treatment was performed in the same manner as in Example I-1 to obtain an insulating substrate.

　（実施例Ｉ－４）
　陽極酸化処理に用いる硫酸電解液の硫酸濃度を３０ｇ／ｌとした以外は、実施例Ｉ－２と同様にして、絶縁基板を得た。Example I-4
An insulating substrate was obtained in the same manner as in Example I-2 except that the sulfuric acid concentration of the sulfuric acid electrolyte used for anodizing was 30 g / l.

　（実施例Ｉ－５）
　得られた実施例Ｉ－４の絶縁基板に対して、０．５Ｍホウ酸および０．０５Ｍホウ酸ナトリウムを含む電解液を用いて、陽極酸化皮膜のポア内部のみを１μｍ深さだけ充填し、電圧４００Ｖ、液温４０℃にて、陽極酸化処理を１０分間さらに施して、実施例Ｉ－５とした。(Example I-5)
Using the electrolytic solution containing 0.5M boric acid and 0.05M sodium borate to the obtained insulating substrate of Example I-4, only the inside of the pore of the anodized film was filled to a depth of 1 μm, Anodization was further performed for 10 minutes at a voltage of 400 V and a liquid temperature of 40 ° C., and Example I-5 was obtained.

　（比較例Ｉ－１）
　実施例Ｉ－１と同じアルミニウム基板について、まず、実施例Ｉ－１と同様にして、陽極酸化処理を施した。その後、実施例Ｉ－１と同様にして、スルーホール（ホール径０．２ｍｍφ）を形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
　図３は、比較例Ｉ－１の絶縁基板を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。比較例Ｉ－１の絶縁基板１については、陽極酸化処理を施した後にスルーホール４が形成されるため、図３に示すように、スルーホール４の内壁面は陽極酸化皮膜３で被覆されていない。(Comparative Example I-1)
The same aluminum substrate as in Example I-1 was first anodized in the same manner as in Example I-1. Thereafter, through holes (hole diameter 0.2 mmφ) were formed in the same manner as in Example I-1, and individualization was possible by routing processing.
3A and 3B are schematic views showing an insulating substrate of Comparative Example I-1, where FIG. 3A shows a plan view and FIG. 3B shows a cross-sectional view. In the insulatingsubstrate 1 of Comparative Example I-1, since the throughhole 4 is formed after the anodizing treatment, the inner wall surface of the throughhole 4 is covered with theanodized film 3 as shown in FIG. Absent.

　（比較例Ｉ－２）
　陽極酸化処理に用いる硫酸電解液の硫酸濃度を３００ｇ／ｌとした以外は、実施例Ｉ－１と同様にして、絶縁基板を得た。(Comparative Example I-2)
An insulating substrate was obtained in the same manner as in Example I-1 except that the sulfuric acid concentration of the sulfuric acid electrolyte used for anodizing was 300 g / l.

　＜金属間化合物の個数測定＞
　各例の絶縁基板について、上述したＦＥ－ＳＥＭの観察による方法によって、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物の個数（個／ｍｍ³）を測定した。結果を第１表に示す。<Counting the number of intermetallic compounds>
With respect to the insulating substrate of each example, the number of intermetallic compounds having a circle-equivalent diameter of 1 μm or more (pieces / mm³ ) present in the anodic oxide film was measured by the above-described FE-SEM observation method. The results are shown in Table 1.

　＜耐電圧＞
　各例の絶縁基板について、ＪＩＳ　Ｃ２１１０－１９９４の手法に従い、耐電圧を計測した。結果を第１表に示す。<Withstand voltage>
With respect to the insulating substrate of each example, the withstand voltage was measured according to the method of JIS C2110-1994. The results are shown in Table 1.

　＜導通試験＞
　図４は、導通試験の状態を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。各例の絶縁基板１について、図４に示すようにして、一対のスルーホール４に銅配線５を充填し、これに絶縁抵抗計（メガー）の電極６を接触させ、電圧を負荷した状態で導通を確認した。結果を第１表に示す。
　最大２５０Ｖの電圧を負荷しても絶縁破壊がなく、他電極へのリークも観察されなかった場合には「○」を記載し、電圧負荷により絶縁が保てずに導通してしまった場合には「×」を記載した。<Continuity test>
4A and 4B are schematic views showing the state of the continuity test, where FIG. 4A shows a plan view and FIG. 4B shows a cross-sectional view. With respect to the insulatingsubstrate 1 of each example, as shown in FIG. 4, a pair of through-holes 4 are filled withcopper wiring 5, and anelectrode 6 of an insulation resistance meter (Megger) is brought into contact with this to load a voltage. Confirmed continuity. The results are shown in Table 1.
If there is no dielectric breakdown even when a voltage of up to 250 V is applied and no leakage to other electrodes is observed, “○” is indicated. Indicates "x".

　第１表に示す結果から、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である実施例Ｉ－１～５の絶縁基板は、耐電圧が高く、良好な絶縁性を有することが分かった。
　また、アルミニウム基板のアルミニウム純度を９９．９９質量％とした実施例Ｉ－２は、アルミニウム純度が９９．９５質量％である実施例Ｉ－１と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
　また、アルミニウム基板に対して焼鈍処理を施した実施例Ｉ－３は、焼鈍処理を施さない実施例Ｉ－１と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
　また、陽極酸化処理で用いる電解液の硫酸濃度を３０ｇ／ｌとした実施例Ｉ－４は、硫酸濃度が５０ｇ／ｌである実施例Ｉ－２と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
　また、追加ホウ酸処理を施した実施例Ｉ－５は、当該処理を施さない実施例Ｉ－４と比較して金属間化合物の個数が低減して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性が得られることが分かった。From the results shown in Table 1, the insulating substrates of Examples I-1 to 5 in which the number of intermetallic compounds having an equivalent circle diameter of 1 μm or more present in the anodic oxide film is 2000 / mm³ or less have high withstand voltage, It was found to have good insulation.
In addition, Example I-2 in which the aluminum purity of the aluminum substrate was 99.99% by mass reduced the number of intermetallic compounds compared to Example I-1 in which the aluminum purity was 99.95% by mass. As a result, it was found that the withstand voltage was increased and better insulation was obtained.
Further, in Example I-3 in which the annealing treatment was performed on the aluminum substrate, the number of intermetallic compounds was decreased and the withstand voltage was increased as compared with Example I-1 in which the annealing treatment was not performed. It was found that better insulation can be obtained.
In addition, Example I-4 in which the sulfuric acid concentration of the electrolytic solution used in the anodizing treatment was 30 g / l was smaller than that in Example I-2 in which the sulfuric acid concentration was 50 g / l. As a result, it was found that the withstand voltage is increased and better insulating properties can be obtained.
In addition, Example I-5 subjected to the additional boric acid treatment reduced the number of intermetallic compounds, increased the withstand voltage, and had better insulation as compared with Example I-4 where the treatment was not performed. It was found that sex was obtained.

　これに対して、スルーホールの内壁面が陽極酸化皮膜で被覆されていない比較例Ｉ－１は、導通試験により絶縁破壊が生じてしまい、絶縁性が担保されていないことが分かった。
　また、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が３２００個／ｍｍ³である比較例Ｉ－２は、耐電圧が低く、絶縁性に劣ることが分かった。On the other hand, it was found that Comparative Example I-1 in which the inner wall surface of the through hole was not covered with the anodized film caused dielectric breakdown by the continuity test, and the insulation was not ensured.
Further, it was found that Comparative Example I-2 in which the number of intermetallic compounds having an equivalent circle diameter of 1 μm or more present in the anodized film was 3200 / mm³ had a low withstand voltage and was inferior in insulation.

　次に、実施例Ｉ－２の絶縁基板に、上述した第１～第４の配線の形成方法によって、図１０に示す配線パターンに従った配線を形成した。図１０は、配線パターンを示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は底面図を示す。図１０中、１３が配線パターンである。Next, wirings according to the wiring pattern shown in FIG. 10 were formed on the insulating substrate of Example I-2 by the first to fourth wiring forming methods described above. FIG. 10 is a schematic diagram showing a wiring pattern, where (A) shows a plan view and (B) shows a bottom view. In FIG. 10, 13 is a wiring pattern.

　（実施例Ｉ－６）
　Ａｕナノ粒子（ナノテック、シーアイ化成社製）５０ｇをキシレン５０ｇに加えた後に８時間常温で撹拌を行うことにより、安定したＡｕインク分散液を得た。当該インク分散液を固形粉分析したところ、金の含有量は２６．８質量％であった。そして、上記インク分散液の２質量％のシランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越ポリマー社製）を、当該インク分散液に追加混合することにより、金属インクを調製した。調製された金属インクの粘度は、１０ｃｐｓであった。
　次に、調製された金属インクを、ダイマティックス・マテリアルプリンター　ＤＭＰ－２８３１（富士フイルムダイマティックス社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例Ｉ－２の絶縁基板にインクジェット印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、Ａｕ金属配線を得た。(Example I-6)
A stable Au ink dispersion was obtained by adding 50 g of Au nanoparticles (Nanotech, manufactured by C-I Kasei Co., Ltd.) to 50 g of xylene and stirring for 8 hours at room temperature. When the ink dispersion was analyzed for solid powder, the gold content was 26.8% by mass. A metal ink was prepared by additionally mixing 2% by mass of the silane coupling agent (KBM603, manufactured by Shin-Etsu Polymer Co., Ltd.) with the ink dispersion. The viscosity of the prepared metal ink was 10 cps.
Next, the prepared metal ink was ink-jetted onto the insulating substrate of Example I-2 according to the wiring pattern shown in FIG. 10 using a Dimatics Material Printer DMP-2831 (manufactured by Fujifilm Dimatics). It was supplied by a printing method and dried with hot air by a hot air dryer set at 160 ° C. for about 5 minutes to obtain Au metal wiring.

　（実施例Ｉ－７）
　実施例Ｉ－６と同様にして調製された金属インクを、スクリーン印刷機（ＴＵ２０３０－Ｂ、セリテック社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例Ｉ－２の絶縁基板にスクリーン印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、Ａｕ金属配線を得た。(Example I-7)
Using a screen printer (TU2030-B, manufactured by Celitec), a metal ink prepared in the same manner as in Example I-6 was screened on the insulating substrate of Example I-2 according to the wiring pattern shown in FIG. It was supplied by a printing method and dried with hot air by a hot air dryer set at 160 ° C. for about 5 minutes to obtain Au metal wiring.

　（実施例Ｉ－８）
　実施例Ｉ－２の絶縁基板を、レジスト液（ＤＳＲ３３０Ｐ、タムラ化研社製）に２５℃で５分間浸漬し、８０℃で１０分間乾燥し、露光装置（ＦＬ－３Ｓ、ウシオライティング社製）と図１０に示す配線パターンを形成したマスクとを用いて露光を行い、１質量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて３０℃で９０秒間現像処理を行って不要なレジストを除去した。
　次に、不要なレジストが除去された絶縁基板を、銅の無電解めっき処理液（ＭＫ－４６０ノーシアン厚付け無電解銅めっき液、室町化学社製）に２０分間浸漬し、配線を得た。(Example I-8)
The insulating substrate of Example I-2 was immersed in a resist solution (DSR330P, manufactured by Tamura Kaken Co., Ltd.) at 25 ° C. for 5 minutes, dried at 80 ° C. for 10 minutes, and an exposure apparatus (FL-3S, manufactured by Ushio Lighting Co., Ltd.). And a mask on which the wiring pattern shown in FIG. 10 was formed, and an unnecessary resist was removed by developing for 90 seconds at 30 ° C. using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution.
Next, the insulating substrate from which unnecessary resist was removed was immersed in a copper electroless plating solution (MK-460 non-cyanide electroless copper plating solution, manufactured by Muromachi Chemical Co., Ltd.) for 20 minutes to obtain a wiring.

　（実施例Ｉ－９）
　シランカップリング剤としてのγ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ８０３、信越化学工業社製）１０ｇをメタノール８０ｇで希釈させたものに、塩化パラジウム（８０７１１００００１、メルク社製）１ｇを滴下して、シランカップリング剤のメルカプト基にＰｄを捕捉させ、８時間放置したものをインク（処理液）として得た。
　得られたインクを、ダイマティックス・マテリアルプリンター　ＤＭＰ－２８３１（富士フイルムダイマティックス社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例Ｉ－２の絶縁基板にインクジェット印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、金属還元層を形成させた。
　次に、金属還元層が形成された絶縁基板を、銅の無電解めっき処理液（ＭＫ－４６０ノーシアン厚付け無電解銅めっき液、室町化学社製）に２０分間浸漬し、配線を得た。(Example I-9)
1 g of palladium chloride (8071100001, manufactured by Merck) was added dropwise to 10 g of γ-mercaptopropyltrimethoxysilane (KBM803, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) diluted with 80 g of methanol as a silane coupling agent. Pd was captured by the mercapto group of the ring agent and left for 8 hours to obtain an ink (treatment liquid).
The obtained ink was supplied to the insulating substrate of Example I-2 by the inkjet printing method according to the wiring pattern shown in FIG. 10 using a dimatics material printer DMP-2831 (manufactured by FUJIFILM Dimatics). Then, it was hot-air dried for about 5 minutes with a hot-air dryer set at 160 ° C. to form a metal reduction layer.
Next, the insulating substrate on which the metal reduction layer was formed was immersed in a copper electroless plating solution (MK-460 non-cyanide electroless copper plating solution, manufactured by Muromachi Chemical Co., Ltd.) for 20 minutes to obtain a wiring.

　実施例Ｉ－６～９について、得られた配線に絶縁抵抗計の電極を接触させて、３Ｖの電圧を負荷したところ、導通が確認され、十分な実用性を有することが分かった。Regarding Examples I-6 to 9, when the voltage of 3 V was loaded by bringing the electrodes of the insulation resistance meter into contact with the obtained wirings, conduction was confirmed, and it was found that there was sufficient practicality.

　次に、実施例を示して第２態様に係る本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例ＩＩ－１～８）
　＜アルミニウム基板の作製＞
　Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作成した。
　次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
　更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ０．２４ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
　このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す陽極酸化処理および封孔処理に供した。Next, an example is shown and the present invention concerning the 2nd mode is explained concretely. However, the present invention is not limited to these.
(Examples II-1 to 8)
<Preparation of aluminum substrate>
Si: 0.06 mass%, Fe: 0.30 mass%, Cu: 0.005 mass%, Mn: 0.001 mass%, Mg: 0.001 mass%, Zn: 0.001 mass%, Ti: Containing 0.03% by mass, the balance is prepared using Al and an inevitable impurity aluminum alloy, and after performing the molten metal treatment and filtration, an ingot having a thickness of 500 mm and a width of 1200 mm is obtained by a DC casting method. Created.
Next, the surface was shaved with a chamfering machine with an average thickness of 10 mm, soaked at 550 ° C. for about 5 hours, and when the temperature dropped to 400 ° C., the thickness was 2.7 mm using a hot rolling mill. A rolled plate was used.
Furthermore, after performing heat processing at 500 degreeC using a continuous annealing machine, it finished by cold rolling to 0.24 mm in thickness, and obtained the aluminum substrate of JIS1050 material.
The aluminum substrate was made to have a width of 1030 mm and then subjected to the following anodic oxidation treatment and sealing treatment.

　＜陽極酸化処理＞
　上記で作製したアルミニウム基板に対して、図１２に示す構造の陽極酸化装置を用いて陽極酸化処理を行った。電解液の条件、電圧、形成後の陽極酸化皮膜の厚さを下記第２表に示す。なお、陽極酸化皮膜の厚さに関しては、断面方向からＳＥＭによる１０００～５０００倍での倍率での観察から求めた。<Anodizing treatment>
The aluminum substrate produced above was anodized using an anodizing apparatus having a structure shown in FIG. The conditions of the electrolytic solution, voltage, and thickness of the anodic oxide film after formation are shown in Table 2 below. The thickness of the anodized film was obtained from observation at a magnification of 1000 to 5000 times by SEM from the cross-sectional direction.

　＜封孔処理＞
　上記で得られた陽極酸化皮膜からなる絶縁層に、後述する封孔処理（１）～（６）のいずかを施し、絶縁基板を作製した。なお、各実施例で施す封孔処理の種類は、下記第２表に示す通りである。<Sealing treatment>
The insulating layer made of the anodic oxide film obtained above was subjected to any of sealing treatments (1) to (6) described later to produce an insulating substrate. In addition, the kind of sealing process performed in each Example is as showing in the following 2nd table | surface.

　封孔処理（１）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、８０℃の純水に１分間浸漬した後、浸漬させた状態で１１０℃の雰囲気下で１０分間加熱した。Sealing treatment (1):
An aluminum substrate having an insulating layer made of an anodized film was immersed in pure water at 80 ° C. for 1 minute, and then heated in an atmosphere at 110 ° C. for 10 minutes in the immersed state.

　封孔処理（２）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、６０℃の純水に１分間浸漬した後、浸漬させた状態で１３０℃の雰囲気下で２５分間加熱した。Sealing treatment (2):
An aluminum substrate having an insulating layer made of an anodized film was immersed in pure water at 60 ° C. for 1 minute, and then heated in an atmosphere at 130 ° C. for 25 minutes.

　封孔処理（３）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、８０℃の塩化リチウム５％水溶液に１分間浸漬した後、浸漬させた状態で１１０℃の雰囲気下で１０分間加熱した。Sealing treatment (3):
An aluminum substrate having an insulating layer made of an anodized film was immersed in a 5% aqueous solution of lithium chloride at 80 ° C. for 1 minute, and then heated in an atmosphere at 110 ° C. for 10 minutes.

　封孔処理（４）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、１００℃／５００ｋＰａの水蒸気に１分間さらす処理を施した。Sealing treatment (4):
The aluminum substrate which has the insulating layer which consists of an anodic oxide film was processed to expose to 100 degreeC / 500kPa water vapor for 1 minute.

　封孔処理（５）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、２５℃の処理液Ａ（下記参照）に１５分間浸漬し、その後５００℃の雰囲気下で１分間加熱処理を施した。
　（処理液Ａ）
　・チタンテトライソプロポキシド　　５０．００ｇ
　・濃硝酸　　　　　　　　　　　　　　０．０５ｇ
　・純水　　　　　　　　　　　　　　２１．６０ｇ
　・メタノール　　　　　　　　　　　１０．８０ｇSealing treatment (5):
An aluminum substrate having an insulating layer made of an anodized film was immersed in a treatment liquid A (see below) at 25 ° C. for 15 minutes, and then heat-treated at 500 ° C. for 1 minute.
(Processing liquid A)
・ Titanium tetraisopropoxide 50.00g
・ Concentrated nitric acid 0.05g
・ Pure water 21.60g
・ Methanol 10.80 g

　封孔処理（６）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、２５℃の処理液Ｂ（下記参照）に１時間浸漬処理を施した。
　（処理液Ｂ）
　・２０ｎｍ径コロイダルシリカ　（日産化学工業（株）製ＭＡ－ＳＴ－Ｍ）０．０１ｇ
　・エタノール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００．００ｇSealing treatment (6):
An aluminum substrate having an insulating layer made of an anodized film was immersed in a treatment liquid B (see below) at 25 ° C. for 1 hour.
(Processing liquid B)
・ 20nm colloidal silica (Nissan Chemical Industries, Ltd. MA-ST-M) 0.01g
・ Ethanol 100.00g

　封孔処理（７）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、２５℃の処理液Ｂ（［０１０３］参照）に３時間浸漬処理を施した。Sealing treatment (7):
An aluminum substrate having an insulating layer made of an anodized film was immersed in a treatment liquid B (see [0103]) at 25 ° C. for 3 hours.

（比較例ＩＩ－１～３）
　封孔処理を施さなかった以外は実施例ＩＩ－１、３および６と同様の方法により、それぞれ比較例ＩＩ－１、２および３の絶縁基板を作製した。(Comparative Examples II-1 to 3)
Insulating substrates of Comparative Examples II-1, 2 and 3 were produced in the same manner as in Examples II-1, 3 and 6 except that the sealing treatment was not performed.

　＜空隙率＞
　作製した各絶縁基板について、陽極酸化皮膜の空隙率を下記式から算出した。結果を下記第２表に示す。
　　空隙率（％）＝〔１－（酸化皮膜密度／３．９８）〕×１００
　（式中、酸化皮膜密度（ｇ／ｃｍ³）は、「単位面積あたりの酸化皮膜質量／酸化皮膜膜厚」を表し、３．９８は酸化アルミニウムの密度（ｇ／ｃｍ³）を表す。）<Porosity>
About each produced insulating substrate, the porosity of the anodic oxide film was computed from the following formula. The results are shown in Table 2 below.
Porosity (%) = [1- (oxide film density / 3.98)] × 100
(In the formula, the oxide film density (g / cm³ ) represents “oxide film mass per unit area / oxide film thickness”, and 3.98 represents the density of aluminum oxide (g / cm³ ).)

　＜熱伝導率＞
　作製した各絶縁基板について、アルバック理工社製ＴＣ－９０００／レーザーフラッシュ型熱拡散率測定装置を用い、ｔ１／２法に従い熱拡散率を計算し、熱伝導率を下記式から算出した。結果を第２表に示す。
　　熱伝導率λ＝α×Ｃｐ×ρ
　（式中、αは熱拡散率、Ｃｐは比熱、ρは密度、をそれぞれ表す。）<Thermal conductivity>
For each of the manufactured insulating substrates, the thermal diffusivity was calculated according to the t1 / 2 method using a TC-9000 / laser flash type thermal diffusivity measuring device manufactured by ULVAC-RIKO, and the thermal conductivity was calculated from the following formula. The results are shown in Table 2.
Thermal conductivity λ = α × Cp × ρ
(In the formula, α represents thermal diffusivity, Cp represents specific heat, and ρ represents density.)

　＜絶縁破壊電圧＞
　得られた絶縁基板について、ＪＩＳＣ２１１０規格の方法に従い、絶縁破壊電圧を計測した。結果を第２表に示す。<Dielectric breakdown voltage>
With respect to the obtained insulating substrate, the dielectric breakdown voltage was measured according to the method of the JISC2110 standard. The results are shown in Table 2.

　＜全反射率の測定＞
　得られた絶縁基板について、エックスライト社製ＳＰ６４を用いて４００～７００ｎｍの全反射率を計測した。計測は、１０ｎｍ毎に測定し、その平均値を算出した。結果を第２表に示す。<Measurement of total reflectance>
With respect to the obtained insulating substrate, a total reflectance of 400 to 700 nm was measured using SP64 manufactured by X-Rite. The measurement was performed every 10 nm, and the average value was calculated. The results are shown in Table 2.

　第２表に示す結果から、まず、比較例ＩＩ－１と比較例ＩＩ－２とを対比すると、絶縁性（耐電圧）向上の観点から陽極酸化皮膜を厚くすると、放熱性（熱伝導率）が低くなることが分かった。
　これに対し、封孔処理を施して、陽極酸化皮膜の空隙率が３０％以下とした絶縁基板（実施例ＩＩ－１～８）は、陽極酸化皮膜の厚くしても放熱性の低減を抑制することができ、絶縁性および放熱性のいずれにも優れることが分かった。
　特に、陽極酸化皮膜の形成条件および膜厚が同じ値となる実施例ＩＩ－１と比較例ＩＩ－１とを対比すると、封孔処理を施して陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とすることにより、耐電圧と平均反射率を維持したまま、熱伝導率を向上できることが分かった。実施例ＩＩ－３と比較例ＩＩ－２との対比および実施例ＩＩ－６と比較例ＩＩ－３との対比からも同様のことが分かる。From the results shown in Table 2, firstly, Comparative Example II-1 and Comparative Example II-2 are compared. When the anodic oxide film is thickened from the viewpoint of improving insulation (voltage resistance), heat dissipation (thermal conductivity) is obtained. Was found to be lower.
In contrast, the insulating substrate (Examples II-1 to 8) in which the porosity of the anodic oxide film is 30% or less by sealing treatment suppresses the reduction of heat dissipation even when the anodic oxide film is thick. It was found that both insulation and heat dissipation were excellent.
In particular, when Example II-1 and Comparative Example II-1 in which the formation conditions and film thicknesses of the anodized film are the same values are compared, sealing treatment is performed so that the porosity of the anodized film is 30% or less. Thus, it was found that the thermal conductivity can be improved while maintaining the withstand voltage and the average reflectance. The same can be seen from the comparison between Example II-3 and Comparative Example II-2 and the comparison between Example II-6 and Comparative Example II-3.

　（実施例ＩＩ－９）
　実施例ＩＩ－３で作製した絶縁基板（空隙率：５％）に対し、圧力を管理しながら酸素プラズマ処理を更に施し、実施例ＩＩ－９の絶縁基板を作製した。
　酸素プラズマ処理は、ヤマト科学社製のプラズマリアクターＰＲ３００を用い、８０ｍＬ／分の酸素を流し、－０．１ＭＰａになるように圧力を調整しながら、１００Ｗの条件で４分間施した。
　酸素プラズマ処理により、封孔処理によりマイクロポアの内部に封孔された水酸化アルミニウムの水酸基とイオン化した酸素とが反応して水として脱離され、表面層に存在していた水酸化アルミニウムは、酸化アルミニウムに変質し、体積収縮により除去された。
　酸素プラズマ処理を施した後、絶縁基板表面をＳＥＭで観察したところ、表面から２μｍ程度までの変質が観察され、次いで、ＡＦＭで５μｍ四方をタッピングモードで測定した結果、平均深さ１．８μｍの凹部が平均ピッチ１１０ｎｍの周期で存在していることが分かった。なお、実施例ＩＩ－３で作製した絶縁基板表面をＡＦＭで測定したところ、深さが０．３μｍを超える凹部は観察されず、明確なピッチも検出できなかった。
　また、上述した方法により酸素プラズマ処理後の陽極酸化皮膜の空隙率を算出したところ、空隙率は９％であった。Example II-9
The insulating substrate (porosity: 5%) produced in Example II-3 was further subjected to oxygen plasma treatment while controlling the pressure, to produce an insulating substrate of Example II-9.
The oxygen plasma treatment was performed using a plasma reactor PR300 manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd. for 4 minutes under a condition of 100 W while flowing oxygen at 80 mL / min and adjusting the pressure to −0.1 MPa.
By the oxygen plasma treatment, the hydroxyl group of aluminum hydroxide sealed inside the micropore by the sealing treatment reacts with ionized oxygen and is desorbed as water, and the aluminum hydroxide present in the surface layer is It changed to aluminum oxide and was removed by volume shrinkage.
After the oxygen plasma treatment, the surface of the insulating substrate was observed with an SEM. As a result, alteration from the surface to about 2 μm was observed, and then 5 μm square was measured with an AFM in a tapping mode. As a result, the average depth was 1.8 μm. It was found that the recesses exist with an average pitch of 110 nm. Note that when the surface of the insulating substrate produced in Example II-3 was measured by AFM, a recess having a depth exceeding 0.3 μm was not observed, and a clear pitch could not be detected.
Moreover, when the porosity of the anodic oxide film after the oxygen plasma treatment was calculated by the method described above, the porosity was 9%.

　（実施例ＩＩ－１０）
　実施例ＩＩ－３で作製した絶縁基板（空隙率：５％）に対し、更に１％ＮａＯＨ溶液（液温：１０℃）を用いてアルカリ処理を１分間施し、実施例ＩＩ－１０の絶縁基板を作製した。
　アルカリ処理の後、１０分間の水洗処理を施して乾燥させた後、絶縁基板表面をＳＥＭで観察したところ、表面から約１０μｍ程度までの変質が観察され、次いで、ＡＦＭで５μｍ四方をタッピングモードで測定した結果、平均深さ２μｍの凹部が平均ピッチ１００ｎｍの周期で存在していることが分かった。
　また、上述した方法によりアルカリ処理後の陽極酸化皮膜の空隙率を算出したところ、空隙率は１２％であった。Example II-10
The insulating substrate (porosity: 5%) produced in Example II-3 was further subjected to alkali treatment for 1 minute using a 1% NaOH solution (liquid temperature: 10 ° C.), and the insulating substrate of Example II-10 Was made.
After the alkali treatment, the substrate was washed with water for 10 minutes and dried, and then the surface of the insulating substrate was observed with an SEM. As a result, alteration from the surface to about 10 μm was observed. As a result of measurement, it was found that recesses having an average depth of 2 μm exist with a period of an average pitch of 100 nm.
Moreover, when the porosity of the anodized film after alkali treatment was calculated by the method described above, the porosity was 12%.

　作製した実施例ＩＩ－１～１０および比較例ＩＩ－１～３の絶縁基板に対して、以下に示す方法により実装に供する金属配線層を形成させた配線基板を作製した。
（１）Ｎｉシード層の形成
　まず、１０００ｍＬビーカーに硫酸ニッケル六水和物２５ｇと純水５００ｍＬとを入れ、硫酸ニッケル六水和物を溶解させた後、次亜リン酸ナトリウム２０ｇ、酢酸ナトリウム１０ｇおよびクエン酸ナトリウム１０ｇを入れて撹拌した。
　次いで、純水を加えて全量を１０００ｍＬとした後、硫酸でｐＨを５に調整し、撹拌しながら、浴温を８３℃に保持した。
　本溶液中に各絶縁基板を１分間浸漬させることで、Ｎｉシード層を形成した。
（２）Ｃｕめっき層の形成
　硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよびラウリル硫酸ナトリウムを調製した電解液中に、Ｎｉシード層を形成した上記基板を浸漬し、定電圧下で電解し、厚さ２０μｍのＣｕめっき層を形成した。
（３）金属配線の形成
　Ｃｕめっき層を形成した上記基板をレジスト液（ＤＳＲ３３０Ｐ、タムラ化研社製）に２５℃で浸漬時間５分の条件で浸漬させた後、乾燥温度８０℃、乾燥時間１０分にて乾燥させた。
　次いで、ＦＬ－３Ｓ（ウシオライティング社製）を用いて、配線パターンを形成したマスクを用いて露光を行い、現像液１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて３０℃下で９０秒間現像処理を施し、不要なレジスト層を除去した。
　次いで、上記方法でパターンが形成された基板を過酸化水素溶液に浸漬し、エッチング処理を施すことで非配線部のＣｕ層およびＮｉシード層を剥離した。
　次いで、残りのレジスト層を除去し、Ｃｕ配線が形成された配線基板を作製した。
（４）Ａｕめっき層の形成
　Ｃｕ配線が形成された配線基板に対して、ワイアボンディング適性を付与するためにＮｉストライクめっきを行い、更にＮｉストライクめっき層の上層にＡｕめっき層を設けた。
　Ｎｉストライクめっきは、Ｎｉ／塩酸混合液を用いて５分間処理した。
　その後、プレシャスハブＡＣＧ２０００（田中貴金属社製）の基本液と還元液とを１０：０．４の割合で調製した液中に、５０℃の条件で１０分間浸漬し、Ａｕめっき層を形成した。With respect to the manufactured insulating substrates of Examples II-1 to 10 and Comparative Examples II-1 to III-3, wiring substrates were prepared by forming a metal wiring layer for mounting by the method described below.
(1) Formation of Ni seed layer First, 25 g of nickel sulfate hexahydrate and 500 mL of pure water were put into a 1000 mL beaker to dissolve nickel sulfate hexahydrate, and then 20 g of sodium hypophosphite and 10 g of sodium acetate. And 10 g of sodium citrate was added and stirred.
Subsequently, pure water was added to make the total volume 1000 mL, the pH was adjusted to 5 with sulfuric acid, and the bath temperature was maintained at 83 ° C. while stirring.
The Ni seed layer was formed by immersing each insulating substrate in this solution for 1 minute.
(2) Formation of Cu plating layer In the electrolyte prepared sulfuric acid, copper sulfate, hydrochloric acid, polyethylene glycol and sodium lauryl sulfate, the substrate on which the Ni seed layer was formed was immersed, electrolyzed under a constant voltage, thickness A 20 μm Cu plating layer was formed.
(3) Formation of metal wiring The substrate on which the Cu plating layer was formed was immersed in a resist solution (DSR330P, manufactured by Tamura Kaken Co., Ltd.) at 25 ° C. for 5 minutes, followed by a drying temperature of 80 ° C. and a drying time. Dry in 10 minutes.
Next, using FL-3S (manufactured by Ushio Lighting Co., Ltd.), exposure is performed using a mask on which a wiring pattern is formed, and development is performed at 30 ° C. for 90 seconds using a 1% aqueous sodium carbonate solution. The resist layer was removed.
Next, the substrate on which the pattern was formed by the above method was immersed in a hydrogen peroxide solution and subjected to an etching treatment to peel off the Cu layer and the Ni seed layer in the non-wiring portion.
Next, the remaining resist layer was removed to produce a wiring board on which Cu wiring was formed.
(4) Formation of Au plating layer Ni strike plating was performed on the wiring substrate on which the Cu wiring was formed in order to impart wire bonding suitability, and an Au plating layer was further provided on the Ni strike plating layer.
The Ni strike plating was processed for 5 minutes using a Ni / hydrochloric acid mixture.
After that, an Au plating layer was formed by immersing the precious hub ACG2000 (manufactured by Tanaka Kikinzoku Co., Ltd.) and a reducing solution in a solution prepared at a ratio of 10: 0.4 for 10 minutes at 50 ° C.

　封孔処理を施さなかった比較例ＩＩ－１～３で作製した絶縁基板を用いた場合は、上記（３）および（４）に示す工程において、非配線部のＣｕ層のエッチング処理の際に、下地のＮｉシード層を剥離することができず、非配線部の反射率が低下し、かつ、Ａｕめっき層の形成時に全面にＡｕがめっきされてしまう問題が起こった。
　一方、実施例ＩＩ－１～８で作製した絶縁基板を用いた場合、上記のような問題は発生しなかったが、形成したＣｕ配線の細線部分との密着性がやや劣る結果が得られた。
　また、実施例ＩＩ－９および１０で作製した絶縁基板を用いた場合、上記のような問題は発生せず、かつ、形成したＣｕ配線の細線部分との密着性にも優れることが分かった。これは、実施例ＩＩ－９および１０で作製した絶縁基板の表面が有する凹凸形状により、Ｃｕ配線とのアンカー効果が生じているためと考えられる。In the case where the insulating substrate produced in Comparative Examples II-1 to II-3, which has not been subjected to the sealing treatment, is used in the etching process of the Cu layer in the non-wiring portion in the steps (3) and (4) above. The underlying Ni seed layer could not be peeled off, the reflectance of the non-wiring portion was lowered, and Au was plated on the entire surface when the Au plating layer was formed.
On the other hand, when the insulating substrates prepared in Examples II-1 to II-8 were used, the above-mentioned problems did not occur, but the adhesion with the thin wire portion of the formed Cu wiring was slightly inferior. .
In addition, it was found that when the insulating substrates produced in Examples II-9 and 10 were used, the above problems did not occur and the adhesion to the thin wire portion of the formed Cu wiring was excellent. This is presumably because the anchoring effect with the Cu wiring is caused by the uneven shape of the surface of the insulating substrate produced in Examples II-9 and 10.

　（実施例ＩＩ－１１）
　まず、比較例ＩＩ－２で作製した絶縁基板（未封孔、空隙率：３６％）に対して、撥水性材料（パーフルオロヘキシルエチルメトキシシラン［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃］（Ｇｅｌｅｓｔ社製））を精製せずにそのままインクジェット装置（ＤＭＴ－２８３１、Ｄｉｍａｔｉｘ社製）を用いて配線状に突出、付着させた後に乾燥させた。
　その後、上述した封孔処理（１）と同様の封孔処理を施した。なお、上述した方法により陽極酸化皮膜の空隙率を算出したところ、空隙率は１８％であった。
　次いで、アルカリによる溶解処理（１％ＮａＯＨ溶液、液温度：３０℃、処理時間：２０秒間）を施し、ほぼ単層のフッ素（フルオロアルキルシラン）皮膜を除去した。
　この状態でＮｉを蒸着し、全面にＮｉシード層を形成した。
　引き続き、上記（２）～（４）に示す工程と同様の方法で、Ｃｕ配線基板を作製した。
　ここで、上記（３）に示す工程において、非配線部の封孔処理されていた部分はＮｉシード層の溶解が容易となり、かつ、上記（４）に示す工程で施されるＮｉストライクめっきおよびＡｕめっきにおいても非配線部への金属の析出は観察されなかった。Example II-11
First, the water-repellent material (perfluorohexylethylmethoxysilane [CF₃ (CF₂ )₅ CH₂ CH₂ Si) was used for the insulating substrate (unsealed pores, porosity: 36%) produced in Comparative Example II-2. (OCH₃ )₃ ] (manufactured by Gelest)) was used as it was without being purified, and was projected and adhered to the wiring using an ink jet apparatus (DMT-2831, manufactured by Dimatix), and then dried.
Then, the sealing process similar to the sealing process (1) mentioned above was performed. In addition, when the porosity of the anodized film was calculated by the method described above, the porosity was 18%.
Next, dissolution treatment with an alkali (1% NaOH solution, liquid temperature: 30 ° C., treatment time: 20 seconds) was performed to remove a substantially monolayer fluorine (fluoroalkylsilane) film.
Ni was vapor-deposited in this state, and a Ni seed layer was formed on the entire surface.
Subsequently, a Cu wiring substrate was produced by the same method as the steps shown in (2) to (4) above.
Here, in the step shown in the above (3), the non-wiring portion that has been subjected to the sealing treatment can easily dissolve the Ni seed layer, and the Ni strike plating applied in the step shown in the above (4) and Also in Au plating, metal deposition on the non-wiring portion was not observed.

　次に、実施例を示して第３態様に係る本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例ＩＩＩ－１～１２、比較例ＩＩＩ－１および２）
　（１）アルミニウム基板の前処理工程（電解研磨処理）
　高純度アルミニウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚み０．４ｍｍ）を、１０ｃｍ四方の面積で陽極酸化処理できるようカットした後、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
　陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（ＡＳ　ＯＮＥ製）を用いて計測した。
　なお、実施例ＩＩＩ－８については、上記電解研磨処理を施さなかった。Next, the present invention according to the third aspect will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to these.
(Examples III-1 to 12, Comparative Examples III-1 and 2)
(1) Pretreatment process of aluminum substrate (electrolytic polishing process)
A high-purity aluminum substrate (manufactured by Sumitomo Light Metal Co., Ltd., purity 99.99 mass%, thickness 0.4 mm) is cut so that it can be anodized in an area of 10 cm square, and then an electropolishing liquid having the following composition is used to apply a voltage of 25 V. The electrolytic polishing treatment was performed under the conditions of a liquid temperature of 65 ° C. and a liquid flow rate of 3.0 m / min.
The cathode was a carbon electrode, and the power source was GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho). The flow rate of the electrolyte was measured using a vortex flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by AS ONE).
In Example III-8, the electrolytic polishing treatment was not performed.

　＜電解研磨液組成＞
　・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）　　６６０ｍＬ
　・純水　　１６０ｍＬ
　・硫酸　　１５０ｍＬ
　・エチレングリコール　　３０ｍＬ<Electrolytic polishing liquid composition>
-660 mL of 85% phosphoric acid (reagent manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
・ Pure water 160mL
・ Sulfuric acid 150mL
・ Ethylene glycol 30mL

　（２）第１陽極酸化処理工程（陽極酸化処理）
　まず、電解研磨処理後のアルミニウム基板（実施例ＩＩＩ－８については高純度アルミニウム基板）に、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で１時間陽極酸化処理を施した。更に陽極酸化処理後のサンプルに、０．５ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液を用いて４０℃の条件で２０分間浸漬して脱膜処理を施した。
　次いで、これらと同様の処理をこの順に第３表記載の回数を繰り返した後、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が第３表記載の厚さとなるよう陽極処理時間を設定して再陽極酸化処理を施し、更に、０．５ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液を用いて４０℃の条件で１５分間浸漬させて脱膜処理を施すことにより、アルミニウム基板表面に、マイクロポアが直管状で且つハニカム状に配列された陽極酸化皮膜を形成させた。
　なお、再陽極酸化処理の処理時間を決める基準とした陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）は、再陽極酸化処理後に脱膜処理を施した後の最終的な陽極酸化皮膜の厚みのことをいう。(2) First anodizing process (anodizing process)
First, an electrolytically polished aluminum substrate (a high-purity aluminum substrate in Example III-8) was charged with an electrolyte of 0.30 mol / L sulfuric acid, a voltage of 25 V, a liquid temperature of 15 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. Anodizing treatment was performed for 1 hour under the above conditions. Further, the anodized sample was immersed in a mixed solution of 0.5 mol / L phosphoric acid for 20 minutes at 40 ° C. for film removal.
Next, after repeating the same treatments in this order for the number of times described in Table 3, in an electrolyte solution of 0.30 mol / L sulfuric acid, under conditions of a voltage of 25 V, a liquid temperature of 15 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. Then, the anodizing time was set so that the thickness of the anodized film (T 2_O 3) became the thickness shown in Table 3, and the anodizing treatment was performed again, and a mixed aqueous solution of 0.5 mol / L phosphoric acid was used. By immersing for 15 minutes under the condition of ° C., film removal treatment was performed to form an anodic oxide film in which micropores were arranged in a straight tubular and honeycomb shape on the surface of the aluminum substrate.
The anodized film thickness (T_O ) based on the standard for determining the re-anodizing treatment time refers to the final thickness of the anodized film after the film removal treatment after the re-anodizing treatment. .

　（３）第２陽極酸化処理工程（陽極酸化処理）
　第１陽極酸化処理工程の後、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌのホウ酸、濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌの四ホウ酸ナトリウムの混合水溶液にて、温度２０℃で５分間処理し、マイクロポアが形成されていない部分の陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｆ）が第３表記載の厚さとなるよう電圧を設定して陽極酸化皮膜を形成し、絶縁基板を作製した。
　なお、比較例ＩＩＩ－２については、上記第２陽極酸化処理工程（陽極酸化処理）を施さなかった。(3) Second anodizing treatment step (anodizing treatment)
After the first anodizing treatment step, treatment with a mixed aqueous solution of boric acid at a concentration of 0.5 mol / L and sodium tetraborate at a concentration of 0.05 mol / L for 5 minutes at a temperature of 20 ° C. forms micropores. The voltage was set so that the thickness (T_F ) of the portion of the anodic oxide film that was not formed was the thickness described in Table 3, and an anodic oxide film was formed, thereby producing an insulating substrate.
In Comparative Example III-2, the second anodizing process (anodizing process) was not performed.

　なお、第１陽極酸化処理工程および第２陽極酸化処理工程ともに、陰極はステンレス電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置としては、ＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学社製）を用い、かくはん加温装置として、ペアスターラー ＰＳ－１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（ＡＳ　ＯＮＥ製）を用いて計測した。In both the first anodizing process and the second anodizing process, the cathode was a stainless electrode, and the power source was GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho). Further, NeoCool® BD36 (manufactured by Yamato Kagaku Co.) was used as the cooling device, and Pear Stirrer® PS-100 (manufactured by EYELA) was used as the stirring and heating device. The flow rate of the electrolyte was measured using a vortex flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by AS ONE).

　（Ｔ_Ａ、Ｔ_Ｏ、Ｔ_Ｆの算出）
　得られた絶縁基板について、絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）、陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）およびマイクロポアが形成されていない部分の上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｆ）を、それぞれ断面方向からのＦＥ－ＳＥＭの観察により、１０箇所の測定平均値から算出した。結果を第３表に示す。(Calculation of T_A , T_O , T_F )
About the obtained insulating substrate, the thickness (T_A ) of the insulating substrate, the thickness (T_O ) of the anodic oxide film, and the thickness (T_F ) of the anodic oxide film in the part where the micropores are not formed, respectively The FE-SEM was used to calculate the average value of 10 locations. The results are shown in Table 3.

　（マイクロポアの規則化度の算出）
　得られた絶縁基板について、ＦＥ－ＳＥＭによる表面写真（倍率２００００倍）の１μｍ×１μｍの視野で任意のマイクロポア３００個を用いて、上記式（ｉ）で定義される規則化度を求めた。結果を第３表に示す。(Calculation of micropore ordering)
With respect to the obtained insulating substrate, the degree of ordering defined by the above formula (i) was determined using 300 arbitrary micropores in a 1 μm × 1 μm visual field of a surface photograph (magnification 20000 times) by FE-SEM. . The results are shown in Table 3.

　（絶縁破壊電圧）
　得られた絶縁基板について、ＪＩＳＣ２１１０規格の方法に従い、絶縁破壊電圧を計測した。結果を第３表に示す。
　絶縁破壊電圧が１５０以上あれば、絶縁性に優れ、白色系の発光出力を向上させることができると評価できる。(Dielectric breakdown voltage)
With respect to the obtained insulating substrate, the dielectric breakdown voltage was measured according to the method of the JISC2110 standard. The results are shown in Table 3.
If the dielectric breakdown voltage is 150 or more, it can be evaluated that the insulation is excellent and the white light emission output can be improved.

　（熱伝導率）
　得られた絶縁基板について、アルバック理工社製ＴＣ－９０００／レーザーフラッシュ型熱拡散率測定装置を用い、ｔ１／２法に従い熱伝導率を計測した。結果を第３表に示す。
　熱伝導率が２００程度以上あれば、放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させることができると評価できる。(Thermal conductivity)
About the obtained insulating substrate, thermal conductivity was measured according to the t1 / 2 method using TC-9000 / Laser flash type thermal diffusivity measuring apparatus manufactured by ULVAC-RIKO. The results are shown in Table 3.
If the thermal conductivity is about 200 or more, it can be evaluated that heat dissipation is excellent and white light emission output can be improved.

　（全反射率の測定）
　得られた絶縁基板について、エックスライト社製ＳＰ６４を用いて４００～７００ｎｍの全反射率を計測した。結果を第３表に示す。(Measurement of total reflectance)
With respect to the obtained insulating substrate, a total reflectance of 400 to 700 nm was measured using SP64 manufactured by X-Rite. The results are shown in Table 3.

　第３表に示す結果から、陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が小さい比較例ＩＩＩ－１で作製した絶縁基板は、熱伝導率が低く、放熱性に劣ることが分かった。
　また、陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）が小さい比較例ＩＩＩ－２で作製した絶縁基板は、絶縁破壊電圧が低く、絶縁性に劣ることが分かった。
　一方、上記厚み（Ｔ_Ａ）、上記厚み（Ｔ_Ｏ）およびこれらの比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）ならびに上記厚み（Ｔ_Ｆ）の値がすべて所定範囲にある実施例ＩＩＩ－１～１２で作製した絶縁基板は、絶縁性および放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供できることが分かった。特に、マイクロポアの規則化度の高い実施例ＩＩＩ－１～１１で作製した絶縁基板は、全反射率も高く、発光素子の輝度を向上できることが分かった。また、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が２０～７０μｍの範囲にあり、かつ、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が８～１２の範囲にある実施例ＩＩＩ－３～６および９～１１で作製した絶縁基材は、絶縁性が極めて高くなることが分かった。From the results shown in Table 3, the insulating substrate produced in Comparative Example III-1 having a small ratio (T_A / T_O ) of the insulating substrate thickness (T_A ) to the anodic oxide film thickness (T_O ) It was found that the conductivity was low and the heat dissipation was inferior.
Further, the insulating substrate manufactured in Comparative Example III-2 in which the thickness (T_F ) of the portion where the micropores are not formed out of the thickness in the depth direction of the anodized film is low, and the insulation breakdown voltage is low. It turned out to be inferior.
On the other hand, the thickness (T_A ), the thickness (T_O ), the ratio thereof (T_A / T_O ), and the values of the thickness (T_F ) are all within the predetermined ranges. It was found that the insulating substrate was excellent in insulation and heat dissipation, and could provide a light emitting element with improved white light emission output. In particular, it has been found that the insulating substrates manufactured in Examples III-1 to 11-11 having a high degree of ordering of micropores have a high total reflectance and can improve the luminance of the light emitting element. Further, the thickness (T_O ) of the anodic oxide film is in the range of 20 to 70 μm, and the ratio (T_A / T) of the thickness (T_A ) of the insulating substrate to the thickness (T_O ) of the anodic oxide film It was found that the insulating base materials produced in Examples III-3 to 6 and 9 to 11 in which_{O 2} ) is in the range of 8 to 12 have extremely high insulating properties.

　１　絶縁基板
　２　アルミニウム基板
　３　陽極酸化皮膜
　４　スルーホール
　５　銅配線
　６　電極
　７　導体金属
　７ａ　残部
　７ｂ　不要部
　８　金属箔層
　９　チップ
　１０　連結部
　１１　切欠部
　１２　切離跡
　１３　配線パターン
　１４　陽極酸化皮膜
　１５、１５ａ、１５ｂ　マイクロポア
　１６　異なる物質
　１７　絶縁基板
　１８　アルミニウム基板
　１９　絶縁層
　２０　マイクロポア
　２２　青色ＬＥＤ
　２４　樹脂
　２６　蛍光発光ユニット
　３２　絶縁層
　３３　金属基板
　３４　金属配線層
　３５　スルーホール
　３７　青色ＬＥＤ
　３９　ヒートシンク
　１００　発光素子
　１０１、１０２、１０４、１０５、１０７、１０８　マイクロポア
　１０３、１０６、１０９　円
　１１０　青色ＬＥＤ
　１２０，１３０　金属配線層（電極）
　１４０　配線基板
　１５０　蛍光粒子
　１６０　透明樹脂
　２００　発光素子
　２２２　青色ＬＥＤ発光素子
　２２４　樹脂
　２２６　蛍光発光体
　２３０　絶縁基板
　２３２　絶縁層
　２３３　アルミニウム基板
　３００　発光素子
　３１０　青色ＬＥＤ
　３２０，３３０　電極
　３４０　基板
　３５０　蛍光粒子
　３６０　透明樹脂
　４１０　陽極酸化処理装置
　４１２　給電槽
　４１４　電解処理槽
　４１６　アルミニウム基板
　４１８、４２６　電解液
　４２０　給電電極
　４２２、４２８　ローラ
　４２４　ニップローラ
　４３０　電解電極
　４３２　槽壁
　４３４　直流電源DESCRIPTION OFSYMBOLS 1Insulating substrate 2Aluminum substrate 3Anodized film 4 Throughhole 5Copper wiring 6Electrode 7Conductor metal7a Remaining part 7bUnnecessary part 8Metal foil layer 9Chip 10 Connecting part 11Notch part 12Cut trace 13Wiring pattern 14Anodized film 15 15a,15b Micropore 16Different materials 17 Insulatingsubstrate 18Aluminum substrate 19 Insulatinglayer 20Micropore 22 Blue LED
24Resin 26 Fluorescentlight emitting unit 32 Insulatinglayer 33Metal substrate 34Metal wiring layer 35 Throughhole 37 Blue LED
39Heat sink 100Light emitting element 101, 102, 104, 105, 107, 108Micropore 103, 106, 109yen 110 Blue LED
120, 130 Metal wiring layer (electrode)
DESCRIPTION OFSYMBOLS 140Wiring board 150Fluorescent particle 160Transparent resin 200Light emitting element 222 Blue LEDlight emitting element 224Resin 226 Fluorescentlight emitter 230 Insulatingsubstrate 232Insulating layer 233Aluminum substrate 300Light emitting element 310 Blue LED
320, 330Electrode 340Substrate 350Fluorescent particle 360Transparent resin 410Anodizing device 412Power supply tank 414Electrolytic treatment tank 416Aluminum substrate 418, 426Electrolytic solution 420Power supply electrode 422, 428Roller 424Nip roller 430Electrolytic electrode 432Tank wall 434 DC power supply

Claims (35)

Translated fromJapanese

　アルミニウム基板と、
　前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、
　前記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板。An aluminum substrate;
An anodic oxide film covering the entire surface of the aluminum substrate,
In the anodic oxide film in an insulating substrate circle between equivalent diameter 1μm or more metal compound is 2,000 / mm³ or less.　さらに、前記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成されたスルーホールを備え、
　前記スルーホールの内壁面が前記陽極酸化皮膜で被覆されている、請求項１に記載の絶縁基板。Furthermore, it has a through hole formed through in the thickness direction of the aluminum substrate,
The insulating substrate according to claim 1, wherein an inner wall surface of the through hole is covered with the anodized film.　前記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、請求項１または２に記載の絶縁基板。The insulating substrate according to claim 1 or 2, wherein the aluminum purity of the aluminum substrate is 99.95% by mass or more.　ＬＥＤ用絶縁基板である、請求項１～３のいずれかに記載の絶縁基板。4. The insulating substrate according to claim 1, which is an LED insulating substrate.　請求項１に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、
　アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜中において円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法。An insulating substrate manufacturing method for obtaining the insulating substrate according to claim 1,
An insulating substrate comprising an anodizing step for anodizing an aluminum substrate, wherein an intermetallic compound having an equivalent circle diameter of 1 μm or more is 2000 pieces / mm³ or less in the anodized film covering the entire surface of the aluminum substrate A method of manufacturing an insulating substrate.　請求項２に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、
　前記陽極酸化処理工程の前に、前記アルミニウム基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を備える、請求項５に記載の絶縁基板の製造方法。An insulating substrate manufacturing method for obtaining the insulating substrate according to claim 2,
The manufacturing method of the insulated substrate of Claim 5 provided with the through-hole formation process which penetrates and forms a through hole in the thickness direction of the said aluminum substrate before the said anodizing process process.　前記陽極酸化処理工程の前に、前記アルミニウム基板に対して３５０～６００℃での焼鈍処理を施す焼鈍処理工程を備える、請求項５または６に記載の絶縁基板の製造方法。The method for manufacturing an insulating substrate according to claim 5 or 6, further comprising an annealing treatment step of subjecting the aluminum substrate to an annealing treatment at 350 to 600 ° C before the anodizing treatment step.　前記陽極酸化処理工程では、硫酸電解液を用いる、請求項５～７のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。The method for manufacturing an insulating substrate according to any one of claims 5 to 7, wherein a sulfuric acid electrolyte is used in the anodizing treatment step.　前記硫酸電解液の硫酸濃度が、１０～６０ｇ／ｌである、請求項８に記載の絶縁基板の製造方法。The method for producing an insulating substrate according to claim 8, wherein the sulfuric acid electrolyte has a sulfuric acid concentration of 10 to 60 g / l.　前記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、請求項５～９のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。10. The method of manufacturing an insulating substrate according to claim 5, wherein the aluminum purity of the aluminum substrate is 99.95% by mass or more.　請求項１～３のいずれかに記載の絶縁基板が備える前記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、前記所望部位にのみ前記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える、配線の形成方法。A wiring formation method for forming a wiring at a desired site on the anodized film provided in the insulating substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein a conductive metal serving as the wiring is selectively formed only at the desired site. A method of forming a wiring, comprising a supply step of supplying to the wiring.　前記供給工程が、前記所望部位に前記導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。12. The wiring forming method according to claim 11, wherein the supplying step is a step of supplying a metal ink containing the conductor metal to the desired portion by an ink jet printing method.　前記供給工程が、前記所望部位に前記導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。The wiring forming method according to claim 11, wherein the supplying step is a step of supplying a metal ink containing the conductor metal to the desired portion by a screen printing method.　前記供給工程が、前記陽極酸化皮膜上の前記所望部位以外の部位にレジストを形成させた前記絶縁基板に対して、前記導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。In the supplying step, an electroless plating treatment and / or a treatment liquid containing ions of the conductor metal is applied to the insulating substrate in which a resist is formed on a portion other than the desired portion on the anodized film. The method for forming a wiring according to claim 11, which is a step of performing an electrolytic plating treatment.　前記供給工程が、前記所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された前記金属還元層に対して前記導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。The supply step is a step of forming a metal reduction layer having metal reduction ability at the desired site, and bringing the treatment liquid containing ions of the conductor metal into contact with the formed metal reduction layer. The method for forming a wiring according to 11.　前記所望部位が前記絶縁基板の表裏両側に位置している、請求項１１～１５のいずれかに記載の配線の形成方法。The method for forming a wiring according to any one of claims 11 to 15, wherein the desired portions are located on both front and back sides of the insulating substrate.　金属基板と、前記金属基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
　前記金属基板が、バルブ金属基板であり、
　前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、
　前記陽極酸化皮膜の空隙率が、３０％以下である絶縁基板。An insulating substrate having a metal substrate and an insulating layer provided on the surface of the metal substrate,
The metal substrate is a valve metal substrate;
The insulating layer is an anodized film of a valve metal;
An insulating substrate having a porosity of the anodized film of 30% or less.　前記陽極酸化皮膜の表面が、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を有する請求項１７に記載の絶縁基板。The insulating substrate according to claim 17, wherein the surface of the anodized film has irregularities having an average pitch of 0.5 µm or less and an average diameter of 1 µm or more.　前記陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有し、
　前記マイクロポアの内部の少なくとも一部が、前記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されている請求項１７または１８に記載の絶縁基板。The anodized film has micropores;
The insulating substrate according to claim 17 or 18, wherein at least a part of the inside of the micropore is sealed with a material different from a material constituting the anodized film.　前記陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有し、
　前記マイクロポアが、その内部の少なくとも一部が前記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されているマイクロポアと、その内部が前記異なる物質により封孔されていないマイクロポアとで構成されている請求項１７～１９のいずれかに記載の絶縁基板。The anodized film has micropores;
The micropore includes a micropore in which at least a part of the inside thereof is sealed with a material different from the material constituting the anodized film, and a micropore in which the inside is not sealed with the different material. The insulating substrate according to any one of claims 17 to 19, which is configured.　前記異なる物質が、絶縁性である請求項１９または２０に記載の絶縁基板。The insulating substrate according to claim 19 or 20, wherein the different substance is insulative.　前記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属である請求項１７～２１のいずれかに記載の絶縁基板。The insulation according to any one of claims 17 to 21, wherein the valve metal is at least one metal selected from the group consisting of aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zirconium, zinc, tungsten, bismuth and antimony. substrate.　前記バルブ金属が、アルミニウムである請求項２２に記載の絶縁基板。The insulating substrate according to claim 22, wherein the valve metal is aluminum.　前記絶縁基板が、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である請求項１７～２３のいずれかに記載の絶縁基板。The insulating substrate according to any one of claims 17 to 23, wherein the insulating substrate is a substrate provided on a light emission observation surface side of the LED light emitting element.　請求項１７～２４のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
　バルブ金属基板の表面に陽極酸化処理を施して、バルブ金属の陽極酸化皮膜をバルブ金属基板上に形成させる陽極酸化処理工程と、
　前記陽極酸化処理工程の後に、封孔処理を施して、前記陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とする封孔処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。An insulating substrate manufacturing method for manufacturing the insulating substrate according to any one of claims 17 to 24, comprising:
Anodizing the surface of the valve metal substrate to form an anodized film of the valve metal on the valve metal substrate;
A method for manufacturing an insulating substrate, comprising: a sealing treatment step of performing a sealing treatment after the anodizing treatment step so that a porosity of the anodized film is 30% or less.　前記陽極酸化処理により、マイクロポアを有する前記陽極酸化皮膜が形成され、
　前記封孔処理により、前記マイクロポアの内部の少なくとも一部が前記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質により封孔される、請求項２５に記載の絶縁基板の製造方法。By the anodizing treatment, the anodized film having micropores is formed,
26. The method for manufacturing an insulating substrate according to claim 25, wherein at least a part of the inside of the micropore is sealed with a material different from a material constituting the anodized film by the sealing treatment.　前記バルブ金属基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を有する、請求項２５または２６に記載の絶縁基板の製造方法。27. The method for manufacturing an insulating substrate according to claim 25 or 26, further comprising a through hole forming step of forming a through hole in a thickness direction of the valve metal substrate.　前記スルーホール形成工程の後に、前記バルブ金属基板を所望の形状で個片化可能にする個片化工程を有する請求項２７に記載の絶縁基板の製造方法。28. The method of manufacturing an insulating substrate according to claim 27, further comprising an individualization step that enables the valve metal substrate to be separated into a desired shape after the through-hole forming step.　請求項１７～２４のいずれかに記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。A wiring board comprising the insulating substrate according to any one of claims 17 to 24 and a metal wiring layer provided on the insulating layer side of the insulating substrate.　請求項２９に記載の配線基板と、前記配線基板の前記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、前記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。30. A white system comprising: the wiring board according to claim 29; a blue LED light emitting element provided on an upper portion of the wiring board on the metal wiring layer side; and a fluorescent light emitter provided at least on the blue LED light emitting element. LED light emitting element.　アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
　前記絶縁層が、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、
　前記絶縁基板の厚みが１５００μｍ以下であり、
　前記陽極酸化皮膜の厚みが５μｍ以上であり、
　前記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する前記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が２．５～３００であり、
　前記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち、前記マイクロポアが形成されていない部分の厚みが３０ｎｍ以上である絶縁基板。An insulating substrate having an aluminum substrate and an insulating layer provided on the surface of the aluminum substrate,
The insulating layer is an anodized film of aluminum having micropores;
The insulating substrate has a thickness of 1500 μm or less;
The thickness of the anodized film is 5 μm or more,
The ratio (T_A / T_O ) of the thickness (T_A ) of the insulating substrate to the thickness (T_O ) of the anodized film is 2.5 to 300,
Of the thickness in the depth direction of the anodized film, an insulating substrate in which the thickness of the portion where the micropores are not formed is 30 nm or more.　前記マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が２０％以上である、請求項３１に記載の絶縁基板。
　規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００　　（ｉ）
　前記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に前記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる前記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。32. The insulating substrate according to claim 31, wherein the degree of ordering defined by the following formula (i) for the micropore is 20% or more.
Ordering degree (%) = B / A × 100 (i)
In the formula (i), A represents the total number of micropores in the measurement range. B is centered on the center of gravity of one micropore, and when a circle with the shortest radius inscribed in the edge of another micropore is drawn, the center of gravity of the micropore other than the one micropore is placed inside the circle. This represents the number in the measurement range of the one micropore to be included.　前記絶縁基板が、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である請求項３１または３２に記載の絶縁基板。The insulating substrate according to claim 31 or 32, wherein the insulating substrate is a substrate provided on a light emission observation surface side of the LED light emitting element.　請求項３１～３３のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
　アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜をアルミニウム基板上に形成させる第１陽極酸化処理工程と、
　前記第１陽極酸化処理工程の後に、ｐＨ２．５～１１．５の電解液を用いて陽極酸化処理を施して、前記マイクロポアの内部の一部を底方向から酸化アルミニウムで封孔する第２陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。An insulating substrate manufacturing method for manufacturing the insulating substrate according to any one of claims 31 to 33, comprising:
A first anodizing treatment step in which a part of the aluminum substrate is anodized to form an aluminum anodized film having micropores on the aluminum substrate;
After the first anodizing step, anodizing is performed using an electrolytic solution having a pH of 2.5 to 11.5, and a part of the inside of the micropore is sealed from the bottom with aluminum oxide. An insulating substrate manufacturing method comprising an anodizing treatment step.　請求項３１～３３のいずれかに記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、前記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。An insulating substrate according to any one of claims 31 to 33, a blue LED light emitting element provided on the insulating layer side of the insulating substrate, and a fluorescent light emitter provided on at least the blue LED light emitting element. A white LED light-emitting element provided.

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