WO2007066472A1 - ガスヘッド及び薄膜製造装置 - Google Patents

Abstract

　低コストで、ラジカルガスの失活を抑制でき、基板上に原料ガスを均一に導入することができるガスヘッド及び薄膜製造装置を提供する。 　本発明に係るガスヘッド(１３)は、反応ガスが導入される反応ガス導入口(３０Ａ)と、原料ガスが導入される原料ガス導入口(３０Ｂ)と、原料ガス導入口(３０Ｂ)に対向配置され原料ガスを分散させる分散板(３２)とを備え、原料ガス導入口(３０Ｂ)は、反応ガス導入口(３０Ａ)の周囲を囲むように複数設けられている。反応ガス導入口(３０Ａ)に導入された反応ガスは、原料ガス導入口(３０Ｂ)に導入され分散板(３２)で分散された原料ガスと混合される。原料ガス導入口(３０Ｂ)は反応ガス導入口(３０Ａ)の周囲に複数設けられているが、シャワーホール等のような微細な孔にする必要はない。

Description

ッド び薄膜

術分野

０００1 、例えば OC に用 られ、原料ガス ガス、 ガ ス等の成 ガスを反応 入する ッド びこれを備えた薄膜 置に関 する。 ０００2 OC (Me a O gancChemca Vapo Depos on)法の C 法に 薄膜を製造する際に、 、 質、 組成 ウ 内の 一性 を高める手段として、原料ガス 反応ガスとの 一な混合、ウ に対する 一な ガス に て の 術が提案されて る。

０００3 えば には、 OC 法に 製造する 置 であ て、 した原料ガス 反応ガスと らなる ガスを真空 囲気の 内 に導入し、 内に配 されたステ ジ上に載 したウ 等の被 理基 上 で気相 反応に する 術が開示されて る。 の 部にはステ ジ に対向して ャワ ッドが され、この ャワ ッドを介して 上に混合ガス を 一に吹き出す に構成されて る。

０００4 は、 ャワ ッド の 構成 を示して る。 ャワ ッド は、原料ガス 反応ガスと らなる ガスの 2aが設けられた金属製の 2と、この

2の 口部を覆 属製の ャワ プ ト3とで構成されて る。 ャワ プ ト3には ガスが通過する複数の 細な ャワ ホ 3aが されて る。 ッド 2 ャワ プ ト3との間には、 入された ガス ワ ホ 3 域全域に行き渡ら るための 間部4が設けられて る。

０００5 1 2 4 3597

2 54459 報

発明の

明が解決しよ とする課題 ０００6 ッド は、 表面に対する の に優れており、C プ セスにお て 広 使用されて る。 ワ ホ 3aは用途により なものがあ るが、開口径は 後のものが多 、その数は数百～ 千にも及ぶ。 て、 ッドの製 ストは非常に高 。

０００7 また、 ワ ホ 3aは原料ガス ガスが流れる経路であるため 着が 起こり 、定期的なメンテナンスが必要である。し し、微細な ワ ホ 3a内 に付着した膜は除去しに 、 去しきれな た膜は ティク の とな てしま 。 て、 ワ プ トの 利用はほとんど不可能であるため定期的に交 換する必要が生じ、これが原因で半導体 ストが上昇して ると 題がある。 ０００8 更に、 ッド を用 た薄膜 置にお ては、 ワ ホ 3a等の ンダクタンスが小さ 所が存在すると、 ワ ホ 3aの ( 間部4 2aの )の が2 ( ) 気されに なり、結果的に基 枚 の処理に要する 気時間( )が長 な て生産性が低下すると 題が ある。

０００9 特に近年、上記 2に開示されて るよ な (Aomc a e Depos on ) の 究が盛んに行われて るが、 は の 気を数十サイク り返す 法であるため、 サイク たりのガス 気時間の サイク 数に 比例して大き なる。 て、ガスの 速な 気が生産性の 上に大き 貢献するこ とになる。

００1０ 方、 ッド 外に成 内に を導入する方法は 。 え ば、ガス ングノズ がある。し し、ガス ングノズ は、 ング のガス 入口( ン グに繋がる直線状のガス )に近 孔の方が の 出速度が速 、その 果、 ガス 入口に近 側の孔 らのガス 給量が多 な てしま 。これにより、 布 、組成分布 の 能に悪影響を与えてしま 。特に、C プ セスはガス れの 響が非常に強 膜に現れてしま ため、大量生産 置では上述した ッド が採用されて る。

００11 また、 イスの 頼性の および の 減を目的として 度の の 望が強 。 度を低温 するには、低温でも反応が開始するよ に( は 進するよ に) ガスを活性 するのが有効とされる。 した反応ガ ス、 ちうジカ ガスを導入して する方法は、 上での 度を低 抑える ことができる らである。

００12 その 方で、ラジカ ガスは、金属に接すると する性質があるため、石英

セラ ックス管で に導入する必要がある。また、 ジカ ガスは反応性 が高 、原料ガスに接触すると気相反応するため、 ジカ ガス 原料ガスを 内に別 に導入しなければならな 。更に、 質、 組成の 一性を確 保するために、原料ガス又は原料ガス 反応ガスの ガスを ッドなどの ッドを介して 入することが必要とされる。

００13 し しながら、 ッドは主に金属製であるため、 ワ ホ を通過する 際にうジカ ガスの は金属 に接触して してしま 。 方、 ッドを セラ ック で製 すればうジカ ガスの 低減できるものの、 ッドの製 ストは更に 、非常に高価な部品とな てしま 。また、上述 したよ に 能性ある は再利用性、 ンダクタンスに関する問題も 然として 残るので、半導体 ストの 下及び 産性の 上は望めな 。

００14 このよ に、従来の 置にお ては、 を防ぐためのラジカ 入構造 を優先すると原料ガスの 度分布が悪 して 一性が得られず、また、原料ガ スの 度分布を優先するとラジカ が する 題があ た。

００15 上述の 題に みてなされ、 ストで、 ジカ ガスの を抑制でき 、 上に原料ガスを 一に導入することができる ッド び薄膜 置を提 供することを課題とする。

題を解決するための

００16 上の課題を解決するに当たり、 明の ッドは、 の が導入される のガス 入口と、 2の が導入される 2のガス 入口と、この 2のガス 入口に対向 置され 2の を分散さ る分散 とを備え、 2のガス 入口は、 のガス 入口の 囲を囲むよ に複数 けられて る。

００17 明の ッドにお て、 2のガス 入口は、 のガス 入口の 囲に複 数 けられて るが、 ワ ホ 等のよ 細な孔にする必要はな 。すなわ 明では、分散 による分散 用で第2のガス 度の を図るよ にしてお り、構成の による繰り返し使用を可能として る。

００18 明の ッドにお ては、 ワ ホ 等のよ に微細な孔を必要としな ので、ガス ッドの ストを低減し、付着 の 去も可能となる。また、 ン ダクタンスの 下も影響が少な ので、 の 気時間の 縮に寄与する。更に 、反応ガスにラジカ ガスが用 られても、ラジカ の を抑制することができるの で、 度の を実現できる。なお、ガス ッドの 金属でもよ し 、石英ガラス セラ ック であ てもよ 。

００19 明の ッドの 成としては、中央 に第 のガス 入口が形成されその 囲に複数の 2のガス 入口が形成された 、この に間隔を あけて対向 置され 数の 2ガス 入口を遮蔽するとともに上記 口を有する分 散 とを備える。

００2０ ガスにラジカ ガスを用 る場合には、 室 の 前に反応ガスを励起 できるよ に、ガス ッドの ラジカ 源を配置するのが好適である。ラジカ としては、高温 熱した イク 発生 ある はプラズ 源などが 適用される。

００21 2の の 一分散を図るためには、 2のガス 入口を第 のガス 入口に対 してそれぞれ等 上に配置したり、 2のガス 入口を第 のガス 入口の 囲に 角度 隔で配置するのが好適である。また、 2のガス 入口に対向 置される 分散 、適度な 隔をお て配置される必要がある。

００22 適には、分散 の 2のガス 入口と対向する 域と、 の 口の 縁との間の距 ( )が、少な とも5 上あればよ 。また、上記 に対す る と分散 との間の間 (G)の (G )は ・ 4 下とする。

００23 2のガス 入口の 口径は特に限定されな が、例えば、 のガス 入口の 口径よりも 、さ 形成される。 2のガス 入口の数も特に制限されず、少な とも2 上あればよ が、数が多 ほど 2のガス 度の 一性を高めることができる。 ００24 また、ステ ジ 分散 の間の距 ( は4 下 する。この 合、分散 の 口の 、ステ ジ上に載 される 理基 の ・ 25 以上とする のが好まし 。

明の

００25 上述 たよ に、 明によれば、 ワ ホ のよ な 数の 細孔を必要 とすることな ガス 度の を図ることができる。これにより、ガス ッドの スト 、洗浄による再利用 ンダクタンス を実現し、半導体 イスの ストの 減と生産性の 上を図ることができる。また、反応ガスにラジカ ガス を用 た際にラジカ の を抑制できるので、 度の を可能とし、 イスの 頼性の 保と工程 の 減を図ることが可能となる。

００26 明の 施の 態による 置の である。

2 ガス源の構成の 例を示す図である。

3 ガス源の構成の他の例を示す図である。

4 置の 面図である。

5 明に係る ッドの 成を示す図であり、 は平面図、 は 面図、c は底面図である。

6 明に係る ッドの他の構 を示す図であり、 は平面図、 は 面図、cは底面図である。

7 ガスの 態の 例を示すタイ ング図である。

8 明の にお て説明するサンプ 膜の ジ 子分光分析 であ る。

9 明の にお て説明するサンプ 膜の基 面内分布の 験結果 であり、 は比較 、 は実施 を示して る。

1０ ッドの である。

号の

００27 2 チヤン

3 ッド 4 ステ ジ

2 ガス ライン

22 ガス ライン

23

24 イ ス

25 ライン

26

3 ガス 入口

3 ガス 入口

3

32

33 スペ サ

34

口の

d ガス 入口の

G と分散 との S ステ ジ間の距

W

明を実施するための 良の

００28 下、本 明の 施の 態に て 面を参照して説明する。

００29 は 明の 施の 態による の ガス ライン

ラインの である。なお、本明細書にお て ガス とは、 反応に用 る原料ガス、反応ガス、 ガスなどの ガス又は混 ガスを 。 ００3０ は、 ( ) を内部に形成する チヤン 2と、 原料ガス ガスを導入する ッド 3と、 設置され 導体ウ がガラス の 理基 ( )Wを支持するステ ジ 4とを備えて る。 ００31 、真空 ライン25を介して真空 26に接続されており、メイ ン を することで所定の 囲気に真空 能に構成されて る 。ステ ジ 4は、ガス ッド 3に対向して配置されて る。このステ ジ 4は例えば ホットプ ト らなり、このステ ジ 4の上に載 される Wを所定温度に加熱 可能とされて る。

００32 ッド 3は、詳細を後述するよ に、反応ガス源に連絡する反応ガス ライ ン2 と、原料ガス と連絡する原料ガス ライン22とが 続されており、 に反応ガス、原料ガス又はこれらの ガスを導入する。特に ッド 3 は、ステ ジ 4 Wに対して原料ガスを面内 一に導入する機能を有して る。

００33 ここで、反応ガスは 明の のガス に対応し、原料ガスは 明の 2のガ ス に対応する。なお 述するよ に、 の として、反応ガスに代えて又は反応 ガスとともに ガスが用 られることもある。 ガスとしては、 3(アン ア ガス)や 2( ガス)等が用 られる。 ガスとしては ( a C 、 Z、 、 b)の 機金属 料が用 られ、 ( 、 ア )に合わ て選択される。この 合、反応ガスに されたアン アガス等の窒 を 用 ることでこれらの 属の 膜が作製される。 ガスとしては、 2や が 用 られる。

００34 ここで、反応ガス源に て説明する。 ガス源は、 2に示すよ に ス

ント ラ( C)を用 てガス 量を制御できる一般的なガス ( ガス 、不 き ガス )である。このガス源は集積により ガス源 ら複数の を出すこ とが可能である。 3にガス源の集 を示す。 示の例にお て、反応ガス は 3、反応ガス2は 2、 ガスは 2である。これらの ガス又は混 ガスをガス として ることができる。

００35 ガス源は、固体 体の 機金属 料を ガスとする ステム が用 られて る。 料の 、液を気 送り気 する気化 ステム又 は ング ステムが用 られる。 料の 、固体を加熱 した 器で気 する原料 ステム 気化 ステムの ステム、又は加熱 ステム ング ステムの ステム、 は固体 料を する昇華 ステム等が 用 られる。なお、原料ガスは有機金属 料に限られず、W 6等の半導体 プ セスで一般的に使用されて る を使用することも可能である。

００36 導入された反応ガス ガスは、相互に化学反応を起こして W上に金属 形成する。 は、真空 ライン25を介して 気される。

００37 ガス 原料ガスは に同時に導入されてもよ し、 に導入され てもよ 。 ガス ライン2 は を開閉することで原料ガスの

入の 行われる。なお、 の 、第2 2を することで原料ガスが イ ス 24を介して、 を経由 ずに排気できる よ にも 成されて る。この 合、第2 2は、 に閉 、 了後 に開 する。このよ 方法で原料ガスを供給することで、 原料ガスを安 定して 入することが可能となる。

００38 また、反応ガスを活性 さ て 入することも可能である。 実施の 態では、反応ガス ライン2 を介して 給される反応ガスを励起してラジカ を生 成するためのうジカ 23を ッド 3の 設置して る。 ジカ 23とし ては、例えば、高温 された が用 られる。

００39 次に、ガス ッド 3は、 Wの 面に原料ガスを 一な 度で 給する機能を 有しており、これにより Wに形成される 膜の 、 質、 組成の 一性 を確保するよ にして る。 下、この ッド 3の 細に て説明する。 4は 薄膜 の であり、 5は ッド 3の( ) 面図、 ( ) 面図及び(C) 面図である。

００4０ ッド 3は、 3 分散 32 スペ サ33との 合 体で構成され 、真空チヤン 2の 部に設置されて る。 3 分散 32との間は、こ れらの にお てボ ト等の締 ( )を介して 在に組み立 てられて る。なお必要に応じて、 3 分散 32との間に が 介 されて てもよ 。

００41 ッド 3を構成する 3 、分散 32、スペ サ33はそれぞれア ステン ス の 属製とされるが、石英 セラ ックス等で構成され てもよ 、使用される の に応じて 定することができる。

００42 3 の には反応ガスが導入される反応ガス 入口( のガス 入口)3 が設けられており、この ガス 入口3 の 囲には原料ガスが導入 される原料ガス 入口3 が設けられて る。 ガス 入口3 は、ステ ジ 上の基 Wの に位置して る。 ガス 入口3 は、 5 に示すよ に、 反応ガス 入口3 の 囲を囲むよ に複数( では4 ) けられて る。

００43 ガス 入口3 の 口径は特に限定されな が、本実施の 態では反応ガ ス 入口3 よりも小径で、それぞれ ( えば直径 5 )の 成さ れて る。 の ガス 入口3 は、反応ガス 入口3 に対してそれぞれ等 上に配置されて る。また、 の ガス 入口3 は、原料ガス 入口3 の 囲に 角度 隔で配置されて る。

００44 32は原料ガス 入口3 を遮蔽するよ に 3 の に対向 置されて る。 32と 3 ( ガス 入口3 )との間の間 、ス ペ サ33の さで調整される。スペ サ33は単独の 品で構成されて てもよ 、 3 の ある は分散 32の 縁に一体形成されて ても よ 。

００45 32の には、反応ガス 入口3 対向する 域に開口34が設けら れて る。 34の 任意であるが、本実施の 態では反応ガス 入口3 の 口径よりも大きな径の丸 とされて る( 5C)。なお、反応ガス 入口3 は、 分散 32側に向 に れて開口径が大き なる(d d2) 形状とされて るが、これに限らず、開口径(d)が不変の 円筒形状でもよ 。

００46 32の 34の面 (ある は直径 )としては、ステ ジ 4上に載 される

Wの 対応して設定することができる。 実施の 態では、開口34の面 、 Wの ・ 25 以上に設定されて る。この 合、ステ ジ 4 分散 32との間の距 Sは4 下とする。

００47 5Cに示すよ に、分散 32上の原 ガス 入口3 との 域と、開口34 の 縁との間の距 ( と の きさは、 すぎると原料ガスの 向が固定 されて分散性が悪 する。このため、本実施の 態では の きさを少な とも5 上として る。

００48 また、分散 32と 3 との ( 5 )の きさは、必要以上に小 原料ガスの 速が大き なり過ぎて分散性が悪 なる。そこで本実施の 態では、 の きさに合わ てスペ サ33の Gも調整するよ にしており、本 実施の 態では、G の きさが ・ 4 上となるよ にして る。 て、 5 の 合、Gの きさは2 上となる。

００49 なお、ガス ッド 3の 3 32は 5に示したよ 平面

形状のものに限らず、 6に示すよ に平面 方形状 の 形状のものでもよ 。

6の例では、 の ガス 入口3 は、 3 の 置にそれぞ れ形成されて る。なお 6にお て、 5 対応する部分に てはそれぞれ 一 の 号を付して る。

００5０ 次に、以上のよ に構成される本実施の 態の ッド 3 の 用に て説明する。

００51 ガス 入口3 に導入された反応ガス(又はうジカ ガス、 ガス)は、 分散 33の 34を通 て直下方に配置されたステ ジ 4 Wの 面に 供給される。 方、原料ガスは、複数の ガス 入口3 に同時に導入されて分 散 32によ て分散される。 された原料ガスは、分散 32の 34を通り、ス テ ジ 4の 囲に形成される 気流れに沿 て Wの 面に供給される。

００52 実施の 態の ッド 3にお ては、原料ガスの 入口3 を 所に設 置し、 のガス 入口 ら導入された原料ガスを分散さ て開口34の 置に 集約することで、 Wの 域に 面内 一なガス量で原料ガスを導入する 。これにより Wに形成される 膜の 、 質、 組成の 一性を確保す ることができる。

００53 ガス 反応ガスは 同時に導入されてもよ し、 に導入されても よ 。また、反応ガスをラジカ 23で 起し活性化されたうジカ ガスとして

入してもよ 。更に、反応ガスに代えて又は反応ガスとともに ガスが 導入されてもよ 。すなわち、 プ セスの 類に応じてこれらの ガスの 態を異なら ることができる。

００54 えば、通常のC ( OC )法にお ては、ガス ッド 3に対して反応ガス 原料ガスが同時に導入されて Wの が行われる。このときの ガスの を図7 に示す。 ガスは反応ガス用の アガスとして られる。 ガ ス 原料ガスは、ガス ッド 3の 34 ステ ジ 4との間の反 間で混合され る。 ガスは反応ガスとの 触により 反応を起こし、その が基 W 上に 積して所定の 形成する。特に、反応ガスにア アガス等の窒素 を含む を用 ることで、金属 膜を形成することができる。 応により 成した の ガスはステ ジ 囲を介して の 部 気される ００55 実施の 態によれば、ガス ッド 3によ て原料ガスを 表面に 一に導入 することができるので、 される金属 の 質、 組成 の 一性を 安定して得ることができる。また、ガス ッド 3 体の 成も 素であり、 ワ ホ のよ な 細孔は設けられて な ので、分解 容易に行え、繰り返し使 用も可能である。これにより、ガス ッドの ストの 減を図ることができる。 ００56 更に、本実施の 態の ッド 3にお ては、反応ガス 原料ガスとを

に導入して るので、 前における反応を防ぐことができる。これにより、 ガス ラインのク ン度を高めて安定したガス メンテナンスサイク の を図ることができる。

００57 ガスは、ラジカ 23によ て活性 ラジカ ガスとして 入 することができる。これにより、 Wの 度を低温 でき イスの 頼性確 保と基 Wの を抑えることができる。特に本実施の 態の ッド 3は、 ガスの 路に ワ ホ のよ な 細孔が用 られて な ので、ラジカ の を抑制し、 の 維持することができる。

００58 方、反応ガス 原料ガスとが 交互に導入される。このよ な ガス の 、 (Aomc a e Depos on) プ セスに好適に用 ることが できる。 、反応ガス(ラジカ ガス ガスの ち、一方の を に導入した 気し、更に他方の を に導入した する工程を 数回行 ことで、 W上に金属 位で 積さ る プ セス である( 2 )。

入した の 気には き ガスがア ストガ として られる場合が多 。ア ストガ は、反応ガス又は原料ガスを 皿 ら 早 追 出す機能と、 の を最小限に抑えて 度の を低減する機能を有して る。 このよ な プ セスのガス タイ ング例を図7 Cに示す。 7 の例は反 応ガス ガスの 入時に不き ガスが同時に導入される例を示しており、 7Cの例は反応ガスの 入時に不 ガスの 入が停止される例を示して る。これ らのガス タイ ングは一例であ て、プ セスごとに最適な が採用され る。

実施の 態によれば、ガス ッド 3のガス 路に ワ ホ のよ な 細孔が用 られて な ので、ガス ッド 3を介しての の 気を 速に行 こと ができ、上述したよ な プ セスにおける の 間が短縮されて生産，注 の向上を図ることができる。 下、本 明の に て説明するが、 以下の に限定され な 。

5を参照して説明した ッド 3を作製し チヤン に組み込んだ。ここで、 反応ガス 入口3 の 口径は (d d2)、原料ガス 入口3 の 口 径は 5 、原料ガス 入口3 分散 32との Gは2 、分散 32の 34の は24 、分散 32の は5 、ステ ジ 4 分散 32 との間の距 Sは35 とした。

ガスを導入して a 膜を作製した。 ガスの 類、流量 の 以 下のとおりである。

・ ガス P a (C 3)(C2 )

6 5 7

2(キヤ アガス) 5 scc

・ ガス 3 2 scc

・ ア ストガ 46 scc ・ により常に o 定に調整。

・ 3 8。C

００65 体のP を用 るに当たり、原料ガス源は気化 ステムを用 た。

器では、 2(P の を補助し としても働 ) したP の 合気体( ガス)が作られる。

００66 また、反応ガス源 らラジカ 23に 3を導入し、 3 子が されたラ ジカ ガスとして 入した。 、 Wをステ ジ 4に 、 ガスを導入して行 た。

００67 ガスの 、原料ガス ア ストガ ラジカ ガス ア ストガ とし 、このサイク を 数回繰り返した。 ガスに a膜を生成さ 、ラジカ ガスは a の を取り去り、 a膜を窒 さ て a 膜を生成さ ることで、 上に 3 の a 膜を成 した。

００68 8は、作製した a 膜の S(A ge Eec on pec oscop ジ 子分光 分析)による分析結果を示して る。 向に一定の 成の膜が形成されており、 程での ガスの 度が安定に 持されて ることがわ る。

００69 また、ラジカ の が抑えられて、 度が 8Cでも良質の a 膜を作製 することができた。 まり、ラジカ ガスを用 な 通常の C 法では4 C 上の基 度が必要であることに比 て、 度の が実現されて ること がわ る。

００7０ 次に、 9は、作製した a 膜の基 面内の 抵抗( ) 布を示しており、 は ッド 3の 32の の きさが3 のとき、 は の きさが5 のときの図である。 、面内の 分布 配の 高線に相当す る。また、 原料ガスの (4 )を示して る。

００71 g に示すよ に、 が3 の 、面内の 抵抗 布が原料ガス の 向とそれ以外の 向とで大き 異な て る。これはガス 入口付近での 大き 抵抗 影響を及ぼして る らである。

００72 これに対して、 g に示すよ に が5 の 、原料ガスの

向に関係な 、 部 ら中心部に向 て一様な 抵抗 布で推移して おり、面内分布 一性が改善されて ることがわ る。 内分布の 一性は分散 3 2の が大き ほど高 ので、 の 合、 は少な とも5 上あれば良好な面内分布 一性が得られることがわ た。

００73 上、本 明の 施の 態に て説明したが、 、本 はこれに限定され ることな 、 明の 術的 想に基 て の 形が可能である。

００74 えば 上の実施の 態では、原料ガス 入口3 を反応ガス 入口3 の 囲に計4 所設けたが、 この数に限定されることはな 、更に設置 を増加して もよ 。また、 ガス 入口3 3 の 円形に限らず、 弧 状、 形状 としてもよ 。

００75 また、分散 32による原料ガスの 能を高めるために、原料ガス 入口3 に対向する分散 32上の領域を してもよ 。また、原料ガスを分散さ た後 の の 向を制御するために、開口34の 縁を下向き 状に形成す る等してもよ 。

００76 更に、以上の実施の 態では、 明に係る ッド 3を薄膜 に 適用した例に て説明したが、これに代えて、 チング ッドとして 適用することも可能である。この 合、上述の 施の 態にお て反応ガス 入口3 O に対応する のガス 入口には例えば 2 2 を導入することができ 、原料ガス 入口3 に対応する 2のガス 入口には 3 を導入することが できる。

Claims

求の

の が導入される のガス 入口と、

2の が導入される 2のガス 入口と、

前記 2のガス 入口に対向 置され 2の を分散さ る分散 とを備え 2のガス 入口は、前記 のガス 入口の 囲を囲むよ に複数 けられ て ることを特徴とする ッド。

2 数の 2のガス 入口は、前記 のガス 入口に対してそれぞれ等

上に配置されて ることを特徴とする 求の 項に記載の ッド。

3 数の 2のガス 入口は、前記 のガス 入口の 囲に 角度 隔で配 置されて ることを特徴とする 求の 項に記載の ッド。

4 2のガス 入口は、前記 に間隙をあけて対向 置された

にそれぞれ形成されて ることを特徴とする 求の 項に記載の ッ ド

5 には、前記 のガス 入口と対向する 域に、 のガス 入 口よりも大き 開口が形成されて ることを特徴とする 求の 4項に記載の ッド。

6 のガス 入口は、前記 に向 に れて開口径が大き なるよ に形成されて

ことを特徴とする 求の 4項に記載の ッド。

7 、この を真空 する 段と、前記 内に設置され

理基 を支持するステ ジ 、前記ステ ジに対向 置され 内 ガ スを導入する ッドとを備えた薄膜 置にお て、

前記ガス ッドは、

中央 に第 の ガス の のガス 入口が形成され、この のガス 入口の 囲に第2の ガス の 数の 2のガス 入口が形成された

、

前記 に間隔をあけて対向 置され、前記 数の 2のガス 入口を遮 するとともに前記 のガス 入口と対向する 域には開口を有する分散 とを備 えて

ことを特徴とする 。

8 2のガス 入口は、前記 のガス 入口に対してそれぞれ等 上に 角度 隔で配置されて ることを特徴とする 求の 7項に記載の

。

9 の 口の 、前記 ガス 入口の よりも大き とを特徴と する 求の 7項に記載の 。

０ ガス ッドには、前記 の ガスを励起するラジカ 源が設置されて

ことを特徴とする 求の 7項に記載の 。

の ガスは反応ガス又は不 ガスであり、前記 2の ガスは原料 ガスであることを特徴とする 求の 7項に記載の 。

2 の 2のガス 入口と対向する 域と、 の 口の 縁 との間の距離が、少な とも5 上あることを特徴とする 求の 7項に記 載の 。

3 の 2のガス 入口と対向する 域と当 の 口の 縁と の間の距 ( )に対する、前記 と前記 との間の間 (G)の (G ) 4 下であることを特徴とする 求の 7項に記載の 4 の 口の 、前記ステ ジ上に載 される 理基 の

25 以上であることを特徴とする 求の 7項に記載の 。 5 ステ ジ 前記 との間の距離が4 下であることを特徴とする 求 の 4項に記載の 。