在本說明書中，有一些相同的符號，其表示具有相同或是類似之結構、功能、原理的元件，且為業界具有一般知識能力者可以依據本說明書之教導而推知。為說明書之簡潔度考量，相同之符號的元件將不再重述。
第2圖顯示一種電源控制器12a，為一積體電路，具有高壓啟動電路18a以及一高壓啟動控制器15。高壓啟動電路18a包含有一JFET JHV、電阻RH與RCC、NMOS NCHG、NCC與NINV、二極體D1，彼此的電性連接如同第2圖所示。JFET JHV為一耐超高壓電晶體，可耐受超過400V的一輸入電壓。如同第2圖所示，JFET JHV的閘極，也就是控制端，直接連接到一接地線。高壓啟動控制器15以操作電源電壓VCC作為操作電源，同時偵測操作電源電壓VCC。
當高壓啟動控制器15發現操作電源電壓VCC低於一預設的下限電壓VBTM(譬如10V)時，高壓啟動控制器15使充電停止信號SNCHG禁能，其邏輯電壓準位大約為0V，使得NMOS NINV關閉。NMOS NCHG開啟。因此，充電電流ICHG從第1圖中線電壓VLINE開始，流經電阻RS、第2圖中的高壓接腳HV、JFET JHV、NMOS NCHG、電阻RCC、二極體D1、以及操作電源接腳VCC，對第1圖中的操作電源電容C1充電。這樣的動作稱為高壓充電。因此，操作電源電壓VCC隨著時間漸漸地上升。
當高壓啟動控制器15發現操作電源電壓VCC超過於一預設的上限電壓VTOP(譬如20V)時，高壓啟動控制器15使充電停止信號SNCHG致能，其邏輯電壓準位大約為5V，使得NMOS NINV開啟。開啟的NMOS NINV拉低了NMOS NCHG的閘電壓Vg，使得NMOS NCHG關閉。因此，充電電流ICHG消失。高壓充電停止。
高壓啟動電路18a的設計，需要考慮兩個點：充電開始的反應速度與高壓充電停止後的電流損耗。
為了讓高壓啟動電路18a在充電停止信號SNCHG禁能時，能快速地開始進行高壓充電，電阻RH需要小。如此，流經電阻RH的電流IH才能夠使得NMOS NINV的閘電壓Vg快速的上升，使得NMOS NINV快速地被開啟，進行高壓充電。
但是，為了降低高壓充電停止後的電流損耗，電阻RH需要大。當充電停止信號SNCHG致能時，開啟的JFET JHV、電阻RH、以及NMOS NINV提供了一漏電路徑，造成電流損耗。這個漏電路徑中，電阻RH大，電流IH小，電流損耗就小。
從以上分析可知，第2圖中的電阻RH之選擇將無法兩全其美，不是降低了充電開始的反應速度，不然就是增加了對高壓充電停止後的電流損耗。
第3圖顯示了依據本發明所實施的一種電源控制器12b。在一實施例中，為一積體電路，可以取代第1圖中的電源控制器12。電源控制器12b具有高壓啟動電路18b以及一高壓啟動控制器15。高壓啟動電路18b包含有一JFET JHV、JC、NMOS NCHG、ND與NINV、PMOS PINV、以及二極體D1，彼此的電性連接如同第3圖所示。JFET JHV與該NMOS NCHG透過連接點NS1串聯於高壓接腳HV與操作電源接腳VCC之間。高壓啟動控制器15以操作電源電壓VCC作為操作電源，同時偵測操作電源電壓VCC。跟第2圖不同的，在第3圖中，JFET JHV的閘極，也就是控制端，連接到JFET JC的閘極，以及NMOS NCHG的閘極。
NMOS NINV、JFET JC、以及PMOS PINV一起，可以視為一反向器20，其接收充電停止信號SNCHG，用以控制NMOS NCHG的閘極。JFET JC以及PMOS PINV可以視為一上拉電路22，用以拉高NMOS NCHG的閘極之閘電壓Vg。NMOS NINV可以視為一下拉電路24，用以拉低NMOS NCHG的閘極之閘電壓Vg。
NMOS ND可以視為一二極體，逆向的連接於連接點NS1與NMOS NCHG的閘極之間。NMOS ND的漏電流，可以些許地提供上拉閘電壓Vg的能力。在一些實施例中，NMOS ND可以省略。
在第3圖之實施例中，JFET JHV與JC的臨界電壓VTH-HV與VTH-C大約分別是20V與5V。高壓啟動電路18b中所有的NMOS與PMOS都是高壓元件，最大耐受跨壓為30V。PMOS PINV具有一獨立的N型井，其沒有跟電源控制器12b其他的N型井相電連接。如同第3圖所示，PMOS PINV的N型井，作為基極，短路到PMOS PINV的源極，也就是連接點NS2。
在第3圖中，當高壓啟動控制器15發現操作電源電壓VCC低於一預設的下限電壓VBTM(譬如10V)時，高壓啟動控制器15使充電停止信號SNCHG禁能，其邏輯電壓準位大約為0V，使得NMOS NINV關閉，PMOS PINV開啟。此時，PMOS PINV短路了JFET JC的閘極與源極，所以JFET JC處以開啟狀態。開啟的PMOS PINV與JFET JC使得上拉電路22耦接NMOS NCHG的閘極至連接點NS1，因此NMOS NCHG開啟。下拉電路24呈現一斷路。充電電流ICHG從第1圖中線電壓VLINE開始，流經電阻RS、第3圖中的高壓接腳HV、JFET JHV、NMOS NCHG、二極體D1、以及操作電源接腳VCC，對第1圖中的操作電源電容C1充電，進行高壓充電。因此，操作電源電壓VCC隨著時間漸漸地上升。
在第3圖中，當高壓啟動控制器15發現操作電源電壓VCC超過於一預設的上限電壓VTOP(譬如20V)時，高壓啟動控制器15使充電停止信號SNCHG致能，其邏輯電壓準位大約為5V，使得NMOS NINV開啟，也降低了流經PMOS PINV的電流。閘電壓Vg隨之下降。下降的閘電壓Vg可以關閉NMOS NCHG。因此，充電電流ICHG消失。高壓充電停止。
NMOS NCHG的開關大致決定了充電電流ICHG的存在或是消失，可以視為一充電NMOS電晶體。
當充電停止信號SNCHG致能，高壓充電停止時，高壓啟動電路18b幾乎沒有電流損耗。當高壓充電停止時，連接點NS1的電壓大約會維持在20V，介於JFET JC與PMOS PINV之間的連接點NS2的電壓大約會維持在5V。JFET JC使得連接點NS2的電壓不大於PMOS PINV的閘電壓。JFET JHV、JC與PMOS PINV都關閉，上拉電路22呈現一斷路。NCHG的閘極離耦於連接點NS1。NMOS NINV開啟，下拉電路24將閘電壓Vg拉下到約0V。關閉的JFET JHV就可以證明第3圖中，在高壓充電停止時，高壓啟動電路18b除了被關閉元件本身的漏電流之外，幾乎沒有電流損耗。
第3圖中，當充電停止信號SNCHG由致能轉變成禁能時，NMOS NINV可以快速地關閉，PMOS PINV快速地開啟。隨後JFET JC快速地開啟，使得JFET JHV與NMOS NCHG接著開啟，產生充電電流ICHG，進行高壓充電。因此，只要PMOS PINV與JFET JC在開啟時的驅動電流夠大，充電開始的反應速度就可以非常的快。
從以上分析可知，要增加高壓啟動電路18b充電開始的反應速度，只要提高PMOS PINV與JFET JC在開啟時的驅動電流。而且，高壓啟動電路18b在高壓充電停止後的電流損耗，幾乎就是0，跟充電開始的反應速度無關。因此，高壓啟動電路18b可以同時具有高反應速度與低電流損耗兩種優點，非常適用於現今的高壓啟動電路設計。
第4圖顯示了依據本發明所實施的一種電源控制器12c，其為第3圖中的電源控制器12b修改加上第2圖中的NMOS NCC與電阻RCC。第4圖中，NMOS NCC與電阻RCC一起可以視為一定電流控制電路26，連接於NMOS NCHG與操作電源接腳VCC之間。定電流控制電路26可以限制充電電流ICHG的值，使其大約不大於NMOS NCC的臨界電壓對電阻RCC之電阻值的比值。高壓啟動電路18c一樣也可以有高反應速度與低電流損耗兩種優點。
第5圖顯示了依據本發明所實施的一種電源控制器12d，為一積體電路，其具有高壓啟動電路18d以及一高壓啟動控制器15。高壓啟動電路18d包含有一JFET JHV2、NMOS NCHG、ND與NINV、PMOS PINV、以及二極體D1，彼此的電性連接如同第5圖所示。JFET JHV與該NMOS NCHG透過連接點NS3串聯於高壓接腳HV與操作電源接腳VCC之間。高壓啟動控制器15以操作電源電壓VCC作為操作電源，同時偵測操作電源電壓VCC。第5圖與第3、4圖之間相似或是相同之處，可以透過先前的解說而得知，不再累述。
NMOS NINV以及PMOS PINV一起，可以視為一反向器30，其接收充電停止信號SNCHG，用以控制NMOS NCHG的閘極。PMOS PINV可以視為一上拉電路32，用以拉高NMOS NCHG的閘極之閘電壓Vg。NMOS NINV可以視為一下拉電路34，用以拉低NMOS NCHG的閘極之閘電壓Vg。
在第5圖之實施例中，JFET JHV2為一耐超高壓電晶體，可耐受超過400V的一輸入電壓。JFET JHV2的臨界電壓VTH-HV大約是5V。高壓啟動電路18d中所有的NMOS與PMOS都是高壓元件，最大耐受跨壓為30V。
在第5圖中，當充電停止信號SNCHG禁能時，其邏輯電壓準位大約為0V，NMOS NINV關閉，PMOS PINV開啟。開啟的PMOS PINV使得上拉電路32耦接NMOS NCHG的閘極至連接點NS3，下拉電路24呈現一斷路，因此NMOS NCHG開啟。JFET JHV2的源極連接到自己的閘極，所以JFET JHV2開啟。充電電流ICHG從第1圖中線電壓VLINE開始，流經電阻RS、第5圖中的高壓接腳HV、JFET JHV、NMOS NCHG、二極體D1、以及操作電源接腳VCC，對第1圖中的操作電源電容C1充電，進行高壓充電。因此，操作電源電壓VCC隨著時間漸漸地上升。
當第5圖中的充電停止信號SNCHG致能時，其邏輯電壓準位大約為5V，NMOS NINV開啟，流經PMOS PINV的電流降低。閘電壓Vg隨之下降。下降的閘電壓Vg可以關閉NMOS NCHG。因此，充電電流ICHG消失。高壓充電停止。
當第5圖中的充電停止信號SNCHG致能，高壓充電停止時，高壓啟動電路18b幾乎沒有電流損耗。當高壓充電停止時，連接點NS3的電壓大約會維持在5V，因此，JFET JHV2與PMOS PINV都關閉，NMOS NINV開啟。上拉電路32呈現一斷路，使NMOS NCHG的閘極離耦於連接點NS3。下拉電路34將閘電壓Vg拉下到約0V。關閉的JFET JHV2、NMOS NCHG、PMOS PINV可以證明第3圖中，在高壓充電停止時，高壓啟動電路18d除了被關閉元件本身的漏電流之外，幾乎沒有電流損耗。
要增加高壓啟動電路18d充電開始的反應速度，只要提高PMOS PINV在開啟時的驅動電流。高壓啟動電路18d在高壓充電停止後的電流損耗，幾乎就是0，跟充電開始的反應速度無關。因此，跟高壓啟動電路18a與18b類似的，高壓啟動電路18d可以同時具有高反應速度與低電流損耗兩種優點。
第6圖顯示了依據本發明所實施的一種電源控制器12e，其為第5圖中的電源控制器12d修改加上第2圖中的NMOS NCC與電阻RCC。第6圖中的高壓啟動電路18e一樣也可以有高反應速度與低電流損耗兩種優點。
以上實施例以返馳式電源轉換器作為應用的例子，但本發明並不限於此。本發明也可適用於其他的需要高壓啟動或是高壓充電的應用。舉例來說，本發明也可適用於升壓器、降壓器、LLC諧振電源轉換器等等。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。