Movatterモバイル変換

[0]ホーム
URL:

TWI462179B - 用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置 - Google Patents

用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置Download PDF

Info

Publication number
TWI462179B
TWI462179BTW096135607ATW96135607ATWI462179BTW I462179 BTWI462179 BTW I462179BTW 096135607 ATW096135607 ATW 096135607ATW 96135607 ATW96135607 ATW 96135607ATW I462179 BTWI462179 BTW I462179B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
processing
region
processing region
film
Prior art date
Application number
TW096135607A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200832554A (en
Inventor
Kazuhide Hasebe
Yoshihiro Ishida
Takehiko Fujita
Jun Ogawa
Shigeru Nakajima
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2007215809Aexternal-prioritypatent/JP5193527B2/ja
Priority claimed from JP2007218026Aexternal-prioritypatent/JP5258229B2/ja
Application filed by Tokyo Electron LtdfiledCriticalTokyo Electron Ltd
Publication of TW200832554ApublicationCriticalpatent/TW200832554A/zh
Application grantedgrantedCritical
Publication of TWI462179BpublicationCriticalpatent/TWI462179B/zh

Links

Classifications

Landscapes

Description

用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置
本發明係關於一種於半導體處理中，於半導體晶圓等被處理基板上形成氧化矽膜之成膜方法與裝置。此處，所謂半導體處理係指為達成以下目的而實施之各種處理：藉由於晶圓或如LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)般之FPD(Flat Panel Display，工作臺顯示器)用玻璃基板等被處理基板上以特定圖案形成半導體層、絕緣層、導電層等，而製造被處理基板上含有半導體元件或與半導體元件連接的配線、電極等之構造物。
於構成半導體積體電路之半導體元件之製造中，對被處理基板例如半導體晶圓施行成膜、蝕刻、氧化、擴散、改質、退火、除去自然氧化膜等各種處理。例如，於半導體晶圓上形成氧化矽膜之情形時，可於垂直式(所謂批次式)熱處理裝置中，使用四乙氧基矽烷(TEOS：Si(OC2H5)4)進行作為一種成膜處理之CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)處理。
近年來，隨著對半導體積體電路之進一步高積體化及更高微細化之要求，業者期望減少半導體元件製造步驟中之熱歷程，改善元件特性。於垂直式處理裝置中，業者亦期望按照如此要求對半導體處理方法加以改良。例如，於CVD處理中，亦採用以下方法：一面間斷地供給原料氣體等，一面以1層或數層為單位，使原子或分子級厚度之層重複成膜。如此之成膜方法，一般稱為ALD(Atomic Layer Deposition，原子層沈積技術)或者MLD(Molecular Layer Deposition，分子層沈積技術)，藉此即使晶圓不曝露於相對高溫下亦可進行目的處理。又，採用ALD(原子層沈積技術)或MLD(分子層沈積技術)進行成膜，因階梯覆蓋(step coverage)良好，故伴隨元件微細化而適於嵌入狹小的半導體元件內之凹部例如閘極間距。例如，日本專利特開2004－281853號公報(專利文獻1)中，揭示有利用ALD法於300℃~600℃低溫下使氮化矽膜進行成膜之方法。又，日本專利特開2003－7700號公報(專利文獻2)中，亦揭示有此種ALD法。
本發明之目的在於提供一種可維持特定成膜速率，另一方面可於低溫下形成良好品質的矽氧化膜之半導體處理用成膜方法及裝置。
本發明之第一形態係一種半導體處理用成膜方法，其係於可選擇性供給具有矽源氣體的第1處理氣體與具有氧化氣體的第2處理氣體之處理區域內，利用CVD於被處理基板上形成氧化膜者，且藉由複數次重複進行交替具有下述步驟之循環，並對每次上述循環所形成的薄膜施行積層，而形成具有特定厚度之上述氧化膜，此處，使用1價或2價之胺基矽烷氣體作為上述矽源氣體，與使用3價之胺基矽烷氣體之情形相比，較低設定上述循環中之處理溫度，上述步驟係
對上述處理區域供給上述第1處理氣體，另一方面停止對上述處理區域供給上述第2處理氣體之第1步驟；藉此，於上述被處理基板表面形成含矽之吸附層；及對上述處理區域供給上述第2處理氣體，另一方面停止對上述處理區域供給上述第1處理氣體，並使上述被處理基板表面上之上述吸附層氧化之第2步驟。
本發明之第二形態係一種半導體處理用之成膜裝置，其包括：具備收納被處理基板之處理區域之處理容器、於上述處理區域內支持上述被處理基板之支持部件、加熱上述處理區域內的上述被處理基板的加熱器、對上述處理區域內進行排氣之排氣系統、對上述處理區域供給具有矽源氣體的第1處理氣體之第1處理氣體供給系統、對上述處理區域供給具有氧化氣體的第2處理氣體之第2處理氣體供給系統、選擇性激發供給至上述處理區域內的上述第2處理氣體之激發機構、及控制上述裝置動作之控制部；且上述控制部，為了利用CVD於上述被處理基板上形成氧化膜，藉由複數次重複進行交替具有下述步驟之循環，並對每次上述循環所形成的薄膜施行積層，而形成具有特定厚度之上述氧化膜，此處，使用1價或2價之胺基矽烷氣體作為上述矽源氣體，與使用3價之胺基矽烷氣體之情形相比，較低設定上述循環中之處理溫度，上述步驟係
對上述處理區域供給上述第1處理氣體，另一方面停止對上述處理區域供給上述第2處理氣體之第1步驟；藉此，於上述被處理基板表面形成含矽之吸附層；及對上述處理區域供給上述第2處理氣體，另一方面停止對上述處理區域供給上述第1處理氣體，並使上述被處理基板表面上的上述吸附層氧化之第2步驟。
本發明之第三形態係一種包含用以在處理器上執行的程式指令之可以電腦讀取之媒體，上述程式指令於由處理器執行時，控制半導體處理用之成膜裝置，其係利用CVD於可選擇性供給具有矽源氣體的第1處理氣體與具有氧化氣體的第2處理氣體之處理區域內，於被處理基板上形成氧化膜；藉由複數次重複進行交替具有下述步驟之循環，並對每次上述循環中形成的薄膜施行積層，而形成具有特定厚度之上述氧化膜，此處，使用1價或2價之胺基矽烷氣體作為上述矽源氣體，與使用3價之胺基矽烷氣體之情形相比，較低設定上述循環中之處理溫度，上述步驟係
對上述處理區域供給上述第1處理氣體，另一方面停止對上述處理區域供給上述第2處理氣體之第1步驟；藉此，於上述被處理基板表面形成含矽之吸附層；及對上述處理區域供給上述第2處理氣體，另一方面停止對上述處理區域供給上述第1處理氣體，並使上述被處理基板表面上之上述吸附層氧化之第2步驟。
本發明之另外目的及優勢將以下列描述來闡述，且一部分自描述中將顯而易見，或者可藉由實施本發明來得知。本發明之目的及優勢將藉由下文所特定指出之工具及組合實現及獲得。
併入且構成本說明書之一部分附圖說明本發明之實施例，以及連同用於說明本發明之原理的上文所給定之普遍描述及下文給定之實施例之詳細描述。
本發明者們於本發明開發過程中，對半導體處理中利用CVD形成氧化矽膜之方法之相關先前技術之問題點進行研究。其結果，本發明者們獲得如下所述之見識。
先前，作為用於藉由CVD形成氧化矽膜之矽源氣體，一般使用的是二氯矽烷(DCS：SiH2Cl2)、單矽烷(SiH4)、四氯矽烷(TCS：SiCl4)、二矽烷(Si2H6)、六氯二矽烷(Si2Cl6)、TEOS(Si(OC2H5)4)等。
於使用如此矽源氣體之情形時，一般而言，若降低處理溫度則會產生成膜速率下降或者氧化矽膜的膜質下降之問題。成膜速率係決定處理產量(throughput)之重要因素，又，氧化矽膜之膜質係因伴隨元件微細化而薄膜化，故愈來愈受重視之因素。例如，於閘極氧化膜由較薄氧化矽膜形成之情形時，若膜質並不良好則存在洩漏電流增大之虞。根據如此理由，於使用上述矽源氣體之情形時，例如，即使利用ALD或MLD法，如上述專利文獻1所記載處理溫度亦必須設為300℃以上。
對此，根據本發明者們之研究發現：於使用1價或2價胺基矽烷氣體作為矽源氣體之情形時，若利用ALD或MLD法，則即使將處理溫度設定為不足300℃，亦可維持特定成膜速率，另一方面亦可形成良好品質的氧化矽膜。尤其於使用1價胺基矽烷氣體作為矽源氣體之情形時，以200℃以下，進而100℃以下之處理溫度，能夠獲得良好效果。因此，能夠進一步減輕半導體元件於製造步驟中之熱歷程，改善元件特性。
再者，至於形成氧化矽膜所能夠使用之1價胺基矽烷氣體(1分子內具有1個胺基之胺基矽烷氣體)，可舉出：SiH3NC2(CH3)4、SiH3(NHC(CH3)3)、SiH3(N(CH3)2)。又，至於2價胺基矽烷氣體(1分子內具有2個胺基之胺基矽烷氣體)，可舉出：BTBAS(雙(第三丁基胺基)矽烷)、BDEAS(雙(二乙基胺基)矽烷)、BDMAS(雙(二甲基胺基)矽烷)。
以下，參照圖式就基於如此見解而構成之本發明之實施形態加以說明。再者，於以下說明中，對於具有大致相同功能及構成之構成要素賦予同一符號，僅在必要時進行重複說明。
[第一實施形態]
圖1係表示本發明第一實施形態之成膜裝置(垂直式電漿CVD裝置)之剖面圖。圖2係表示圖1所示之裝置的一部分之截斷面圖。該成膜裝置2具有能夠選擇性供給以下氣體之處理區域，上述氣體為具有1價或2價胺基矽烷氣體作為矽源氣體之第1處理氣體、及具有作為氧化氣體之氧氣(O2)之第2處理氣體。成膜裝置2構成為於如此處理區域內利用CVD於被處理基板上形成矽氧化膜。
成膜裝置2具有頂棚圓筒狀之處理容器4，其將留有間隔而容納處理經重疊之複數個半導體晶圓(被處理基板)之處理區域5定於內部，且下端開口。處理容器4之整體例如由石英形成。處理容器4內之頂棚中，配設密封有石英製頂棚板6。成形為圓筒狀之歧管8，經由O型環等密封部件10而與處理容器4之下端開口連接。再者，亦可不另外設置歧管8而以圓筒狀石英製處理容器來構成整體。
歧管8例如由不鏽鋼構成，支持處理容器4之下端。通過歧管8之下端開口，使石英製晶舟12升降，藉此晶舟12可相對於處理容器4進行裝卸。晶舟12中多階載置有多片半導體晶圓W作為被處理基板。例如，於本第一實施形態之情形時，晶舟12之支柱12A上能夠大致等間距地多階支持例如50~100片左右直徑為300 mm之晶圓W。
晶舟12係介隔石英製保溫筒14而載置於工作臺16上。工作臺16於旋轉軸20上受到支持，該旋轉軸20貫通開關歧管8下端開口之例如不鏽鋼製蓋體18。
旋轉軸20之貫通部中插入有例如磁性流體密封22，以便氣密性密封旋轉軸20並且支持旋轉軸20能夠旋轉。於蓋體18之周邊部與歧管8之下端部，插入有例如由O型環等構成之密封部件24，從而保持容器內之密封性。
旋轉軸20例如安裝於由晶舟升降機等升降機構25支持之臂26之前端。藉由升降構造25使晶舟12及蓋體18等一體性升降。再者，亦可將工作臺16固定設置於蓋體18側，以便進行晶圓W之處理而無需旋轉晶舟12。
於歧管8之側部連接有氣體供給部，該氣體供給部用以將特定處理氣體供給至處理容器4內的處理區域5。氣體供給部包括第1處理氣體供給系統30、第2處理氣體供給系統32、及惰性氣體供給系統36。第1處理氣體供給系統30將供給具有1價或2價胺基矽烷氣體之第1處理氣體作為矽源氣體。第2處理氣體供給系統32將供給具有氧氣(O2)之第2處理氣體作為氧化氣體。惰性氣體供給系統36例如供給N2氣作為稀釋用、淨化用、或者壓力控制用之惰性氣體。根據需要，可於第1及第2處理氣體中混合入適當量之載氣(稀釋氣體)，以下為了使便於說明而不言及載氣。
具體而言，第1處理氣體供給系統30及惰性氣體供給系統36，具有共通之氣體分散噴嘴40，第2處理氣體供給系統32具有氣體分散噴嘴42。各氣體分散噴嘴40、42由使歧管8的側壁向內側貫通再向上方彎曲延伸之石英管構成(參照圖1)。各氣體分散噴嘴40、42上，以沿其長度方向(上下方向)且遍布晶舟12上的晶圓W整體之方式，隔開特定間隔形成有複數個氣體噴射孔40A、42A。氣體噴射孔40A、42A，以形成與晶舟12上的複數個晶圓W平行的氣流之方式，於水平方向上大致均勻地分別供給對應之處理氣體。再者，第1處理氣體供給系統30及惰性氣體供給系統36可以分別單獨具有氣體分散噴嘴之方式構成。
噴嘴40經由氣體供給路徑(氣體通路)50、56分別與矽源氣體及N2氣之氣源30S、36S連接。噴嘴42經由氣體供給路徑(氣體通路)52與O2氣之氣源32S連接。氣體供給路徑50、52、56上，配設有開閉閥50A、52A、56A與如同質量流量控制器之流量控制器50B、52B、56B。藉此，能夠分別對矽源氣體、O2氣、及N2氣進行流量控制並且進行供給。
於處理容器4之一部分側壁上，沿其高度方向設置有氣體激發部66。為對其內部氣體環境進行真空排氣，與氣體激發部66相對向之處理容器4的相反側上配設有細長排氣口68，該細長排氣口68例如藉由將處理容器4側壁沿上下方向切削而形成。
具體而言，氣體激發部66於上下方向上具有細長開口70，該細長開口70藉由將處理容器4側壁沿上下方向以特定寬度進行切削而形成。開口70由與處理容器4外壁氣密性焊接接合之石英製保護層72覆蓋。保護層72以突出於處理容器4外側之方式形成剖面凹部狀，且具有上下細長的形狀。
藉由該構成，而形成自處理器4側壁突出且一側向處理容器4內開口之氣體激發部66。即，氣體激發部66之內都空間，與處理容器4內之處理區域5連通。於上下方向上形成充分長的開口70，以便於高度方向上能夠覆蓋晶舟12上所保持的全部晶圓W。
於保護層72兩側壁之外側面上，以沿其長度方向(上下方向)相互對向之方式，設置有一對細長之電極74。用於電漿產生之高頻電源76經由供電線78與電極74連接。例如藉由對電極74施加13.56 MHz高頻電壓，而於一對電極74間形成用以激發電漿之高頻電場。再者，高頻電壓之頻率並非限定於13.56 MHz，亦可使用其他頻率例如400 kHz等。
將第2處理氣體之氣體分散噴嘴42於晶舟12上的最下層晶圓W以下之位置，向處理容器4之半徑方向之外側彎曲。其後，氣體分散噴嘴42，垂直豎立於氣體激發部66內之最裏面(離處理容器4中心最遠之部分)之位置。亦如圖2所示，氣體分散噴嘴42設置於一對相對向之電極74所夾持之區域(高頻電場最強之位置)，即向實際產生主要電漿之電漿產生區域PS之外側偏離之位置上。具有由氣體分散噴嘴42之氣體噴射孔42A噴射的O2氣之第2處理氣體朝向電漿產生區域PS噴射，並於此處受到激發(分解或者活化)，以含氧自由基(O＊、O2＊)之狀態供給至晶舟12上之晶圓W上(記號「＊」表示係自由基)。
於保護層72之外側，例如以覆蓋其之方式安裝有由石英構成之絕緣保護層80。於作為絕緣保護層80內側且與電極74相對向之部分，配設有包括冷媒通路之冷卻機構(未圖示)。冷媒通路中藉由使作為冷媒之例如經冷卻之氮氣流動，而使電極74冷卻。再者，於絕緣保護層80外側，配設有將其覆蓋以防止高頻波洩漏之遮罩(未圖示)。
於氣體激發部66之開口70之外側附近即開口70之外側(處理容器4內)之其中一側，垂直豎立設置有第1處理氣體及惰性氣體之氣體分散噴嘴40。將含有矽源氣體之第1處理氣體或者含有N2之惰性氣體，自形成於氣體分散噴嘴40中之氣體噴射孔40A朝向處理容器4之中心方向噴射。
另一方面，於與氣體激發部66對向設置之排氣口68，以覆蓋其之方式利用焊接安裝有由石英構成之剖面成形為""字狀之排氣口保護層部件82。排氣口保護層部件82，沿處理容器4之側壁向上方延伸，於處理客器4之上方形成有氣體出口84。於氣體出口84中連接有配設有真空泵等之真空排氣系統GE。
以包圍處理容器4之方式，配設有對處理容器4內的氣體環境及晶圓W進行加熱之加熱器86。於處理容器4內之排氣口68附近，配設有用以控制加熱器86之熱電偶(未圖示)。
進而，成膜裝置2具有包括控制裝置整體動作之電腦等的主控制部100。圖3係表示主控制部100之構成之圖。如圖3所示，主控制部100連接有操作面板121、溫度感應器(群)122、壓力計(群)123、加熱器控制器124、MFC(主流量控制器)125(與圖1之流量控制器50B、52B、56B對應)、閥控制部126、真空泵127(與圖1之真空排氣系統GE對應)、晶舟升降機128(與圖1之升降機構25對應)、電漿控制部129等。
操作面板121具有顯示畫面及操作按鈕，並將控制器之操作指示傳送至主控制部100，又，將來自主控制部100之各種資訊顯示於顯示畫面上。溫度感應器(群)122，測定處理容器4內及排氣管內之各部分溫度，且將其測定值通知主控制部100。壓力計(群)123，測定處理容器4內及排氣管內各部分之壓力，且將測定值通知主控制部100。
加熱器控制器124係用以單獨控制加熱器86之各區。加熱器控制器124將根據來自主控制部100之指示，使加熱器86之各區通電而對該等加熱。又，加熱器控制器124單獨測定加熱器86各區之耗電，再通知主控制部100。
MFC 125配置於氣體供給線路之配管中。MFC 125將流動於各配管中之氣體流量控制為由主控制部100指示之量。又，MFC 125測定實際流動之氣體流量，並通知主控制部100。
閥控制部126配置於各配管中，將配置於各配管上之閥的開度控制為由主控制部100指示之值。真空泵127與排氣管連接，將處理容器4內之氣體排出。
晶舟升降機128藉由使蓋體18上升而將載置於旋轉工作臺16上之晶舟11(半導體晶圓W)載入處理容器4內。又，晶舟升降機128，藉由使蓋體18下降而自處理容器4內卸載旋轉工作臺16上所載置之晶舟11(半導體晶圓W)。
電漿控制部129響應來自主控制部100之指示，對氣體激發部66進行控制。藉此，使供給至氣體激發部66內之氧氣活化，生成自由基。
主控制部100包括：配方記憶部111、ROM(唯讀記憶體)112、RAM(隨機存取記憶體)113、I/O埠114、及CPU(中央處理單元)115。該等由匯流排116而相互連接，並經由匯流排116而在各部間傳輸資訊。
於配方記憶部111中記憶有配置用配方及複數個製程用配方。於成膜裝置2製造之初，僅儲存有配置用配方。配置用配方係生成基於各成膜裝置之熱模型等時執行者。製程用配方係每一次使用者實際進行之熱處理(製程)中所準備之配方。製程用配方固定自將半導體晶圓W載入處理容器4內起至處理結束卸載晶圓為止之各部分的溫度變化、處理容器4內的壓力變化、處理氣體之供給開始及停止的時序及供給量等。
ROM 112係包含EEPROM(電子可擦除可編程式唯讀記憶體)、快閃記憶體、硬磁碟等，且將CPU 115之動作程式等加以記憶之記錄媒體。RAM 113發揮作為CPU 115之工作區等之功能。
I/O埠114與操作面板121、溫度感應器122、壓力計123、加熱器控制器124、MFC 125、閥控制部126、真空泵127、晶舟升降機128、電漿控制部129等連接，控制資料或信號之輸入輸出。
CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)115構成主控制部100之中樞。CPU 115執行ROM 112中記憶之控制程式，依據來自操作面板121之指示，按照配方記憶部111所記憶之配方(製程用配方)控制成膜裝置2之動作。即，CPU 115對溫度感應器(群)122、壓力計(群)123、MFC 125等測定處理容器4內及排氣管內之各部分溫度、壓力、流量等。又，CPU 115基於該測定資料，將控制信號等輸出至加熱器控制器124、MFC 125、閥控制部126、真空泵127等中，依據製程用配方對上述各部進行控制。
其次，就使用圖1所示裝置，於主控制部100之控制下進行之成膜方法(所謂ALD或MLD成膜)加以說明。於該第一實施形態之成膜方法中，利用電漿CVD於半導體晶圓W上形成氧化矽膜。因此，對容納有晶圓W之處理區域5選擇性供給具有1價或2價胺基矽烷氣體作為矽源氣體之第1處理氣體、及具有作為氧化氣體之氧(O2)氣之第2處理氣體。
首先，將保持有多片例如50~100片尺寸300 mm之晶圓W之常溫晶舟12載入設為特定溫度之處理容器4內，再密封處理容器4。其次，對處理容器4內進行真空抽吸，維持特定的處理壓力，並且待機至使晶圓溫度上升穩定為成膜用處理溫度為止。其次，一面使晶舟12旋轉一面分別對第1及第2處理氣體進行流量控制，並且自氣體分散噴嘴40、42間斷供給第1及第2處理氣體。
概括而言，首先，自氣體分散噴嘴40之氣體噴射孔40A中，以形成與晶舟12上的複數個晶圓W平行的氣流之方式，供給具有矽源氣體之第1處理氣體。此期間，矽源氣體之分子、或者由其等分解而產生之分解生成物之分子或原子吸附於晶圓之經預處理之表面上而形成吸附層(吸附)。
其次，自氣體分散噴嘴42之氣體噴射孔42A，以形成與晶舟12上的複數個晶圓W平行的氣流之方式，供給具有O2氣之第2處理氣體。第2處理氣體，於通過一對電極74間的電漿產生區域PS時，受到選擇性激發而使其中一部分電漿化。此時生成O＊、O2＊等氧自由基(活性種)。該等自由基自氣體激發部66之開口70向處理容器4的中心流出，並以層流狀態供給至晶圓W相互之間。若對晶圓W供給氧自由基，則會與晶圓W上的吸附層之Si產生反應，藉此於晶圓上形成氧化矽物之薄膜(氧化)。
圖4係表示本發明第一實施形態之成膜方法中供給氣體及施加RF(高頻率)之態樣之時序圖。如圖4所示，於該第一實施形態之成膜方法中，交替重複進行第1至第4步驟T1~T4。即，重複進行複數次包括第1至第4步驟T1~T4之循環，將每次循環中形成的氧化矽物之薄膜加以積層，藉此獲得具有最終厚度之氧化矽膜。
具體而言，於第一步驟T1中，對處理區域5供給第1處理氣體(於圖4中表示為Si源)，另一方面停止對處理區域5供給第2處理氣體(於圖4中表示為O2)。於第2步驟T2中，停止對處理區域5供給第1及第2處理氣體。於第3步驟T3中，對處理區域5供給第2處理氣體，另一方面停止對處理區域5供給第1處理氣體。又，於第3步驟T3中，接通RF電源76，於氣體激發部66中將第2處理氣體電漿化，藉此將第2處理氣體於經激發之狀態下供給至處理區域5中。於第4步驟T4中，停止對處理區域5供給第1及第2處理氣體。
第2及第4步驟T2、T4用作將殘留於處理容器4內的氣體排除之淨化步驟。此處，所謂淨化係指藉由一面使N2氣等惰性氣體流動一面對處理容器4內進行真空排氣、或者藉由停止全部氣體供給並對處理容器4內進行真空排氣，而除去處理容器4內之殘留氣體。又，亦可於第2及第4步驟T2、T4之前半程中僅進行真空排氣，而於後半程中一併進行真空排氣與惰性氣體供給。再者，於第1及第3步驟T1、T3中，在供給第1及第2處理氣體時，可停止處理容器4內之真空排氣。然而，於一面對處理容器4內進行真空排氣一面供給第1及第2處理氣體之情形時，於第1至第4步驟T1~T4之全部過程中，可持續進行處理容器4內之真空排氣。
於圖4中，將第1步驟T1設定為約1~180秒，將第2步驟T2設定為約1~60秒，將第3步驟T3設定為約1~300秒，將第4步驟T4設定為約1~60秒。又，通常藉由第1至第4步驟T1~T4之1個循環而形成之膜厚約為0.2 nm。因此，若目標膜厚為例如10 nm，則該循環需要重複進行約50次左右。其中，該等時間或厚度僅表示一個例示，但並不限定於該數值。
圖5A－F係模式性表示使用作為1價胺基矽烷氣體之SiH3NC2(CH3)4作為矽源氣體之情形時Si晶圓W表面之反應之圖。再者，如下所述，1價胺基矽烷氣體具有以下優點：與2價胺基矽烷氣體相比，可獲得較高成膜速率(因此可降低處理溫度)。
供給至處理區域5中之矽源氣體即SiH3NC2(CH3)4氣體，於處理區域5中經加熱而活化，如圖5A至圖5B所示，於半導體晶圓W表面上形成含矽吸附層。此處，存在於Si晶圓W表面上之OH基，例如來自經沈積之SiO2膜之表面。於形成吸附層之時，因NC2(CH3)4自矽中分離出來，故吸附層中不含有氮(N)。又，NC2(CH3)4由淨化步驟除去。因此，於所形成之氧化矽膜中難以含有氮，從而可形成良好品質之氧化矽膜。又，因矽源氣體係1價胺基矽烷，故於形成吸附層時難以產生結構性阻障，因此難以妨礙分子吸附。因此，可使吸附速度不知降低，而獲得較高成膜速率。
其次，經由淨化步驟將氧自由基供給至處理區域5。藉此，如圖5C至圖5D所示，半導體晶圓W上之吸附層受到氧化(吸附層之H由O取代)，於半導體晶圓W上形成氧化矽膜。藉由重複進行包含如此吸附步驟與氧化步驟之1個循環，而如圖5E至圖5F所示將矽氧化膜加以積層。
於上述MLD法中，於使用作為1價胺基矽烷氣體之SiH3NC2(OH3)4作為矽源氣體之情形時成膜處理之處理條件如下所述。
矽源氣體之供給量，較好的是設為1~500 sccm。若小於1 sccm，則產生無法向晶圓W供給充分的矽源之可能性。若多於500 sccm，則產生有利於吸附於晶圓W上之矽源的比例變得過低之虞。矽源氣體之供給量，更好的是設為50~500 sccm。藉由設為如此範圍，而可促進矽源吸附於晶圓W上。
處理區域5內之壓力(處理壓力)，較好的是設為0.1~50 Torr(133 Pa＝1 Torr)。可藉由設為如此範圍之壓力，而促進矽源氣體吸附於晶圓W上。處理區域5內之壓力，更好的是設為1~30 Torr。藉由設為如此範圍之壓力，而可使得處理區域5內之壓力控制變得容易。
將處理區域5內之溫度(處理溫度)設定為25℃~300℃，較好的是25℃~200℃，更好的是25℃~100℃。若處理溫度超過300℃，則存在無法回避膜厚不均之虞。於使用1價胺基矽烷氣體作為矽源氣體之情形時，如下所述，獲得的成膜速率高於使用2價或3價胺基矽烷氣體之情形，相應地使得晶圓W表面之反應性得以促進。然而，此處可將處理溫度設定為較低值，使得晶圓W表面之反應性相應得以促進，藉此維持基準範圍內之成膜速率。因此，能夠減輕半導體元件製造步驟中之熱歷程，提昇元件特性。再者，可於上述循環開始前利用實驗來確定處理溫度，以獲得基準範圍內之成膜速率。
圖6A－C係表示於使用作為2價胺基矽烷氣體之雙(第三丁基胺基)矽烷(BTBAS：SiH2(NH(C4H9))2作為矽源氣體時半導體晶圓W表面上之反應之圖。再者，2價胺基矽烷氣體例如BTBAS，具有與1價胺基矽烷氣體相比穩定性較高之優點。
供給至處理區域5之矽源氣體即BTBAS氣體，於處理區域5中受熱而活化，如圖6A至圖6B所示，於半導體晶圓W表面上形成含矽吸附層。此時，BTBAS之Si與表面的OH基的O反應，而使三甲基胺基脫離。BTBAS與OH的反應性較高，於形成吸附層時難以產生結構性阻障，故難以妨礙分子之吸附。因此，可使吸附速度不致下降，而獲得高成膜速率。
其次，經淨化步驟將氧自由基供給至處理區域5。藉此，如圖6C所示，半導體晶圓W上之吸附層經氧化(吸附層之H由O取代)，而於半導體晶圓W上形成氧化矽膜(其中，圖6C表示氧化矽膜表面吸附H而形成OH基之狀態)。藉由重複進行包含如此吸附步驟及氧化步驟之1個循環，而將氧化矽膜積層。
於上述MLD法中，於使用作為2價胺基矽烷氣體之BTBAS作為矽源氣體之情形時成膜處理之處理條件如下所述。
較好的是使矽源氣體之供給量為1~500 sccm。若小於1 sccm，則產生無法向晶圓W供給充分的矽源之虞。若多於500 sccm，則產生有利於吸附於晶圓W上之矽源比例變得過低之虞。更好的是使矽源氣體之供給量為50~500 sccm。藉由設為如此範圍，而促進矽源吸附於晶圓W上。
較好的是使處理區域5內之壓力(處理壓力)為0.1~50 Torr(133 Pa＝1 Torr)。可藉由設為如此範圍之壓力，而促進矽源吸附於晶圓上。更好的是使處理區域5內之壓力為1~30 Torr。藉由設為如此範圍之壓力，而使得處理區域5內之壓力控制變得容易。
使處理區域5內之溫度(處理溫度)為25℃~300℃，較好的是25℃~200℃，更好的是25℃~100℃。若處理溫度超過300℃，則存在膜厚之不均將超出容許之虞。此時，亦可將處理溫度設定為低於使用3價胺基矽烷氣體時之值，使得晶圓W表面之反應性相應得以促進，藉此維持基準範圍內之成膜速率。藉此，能夠減少半導體元件在製造步驟中之熱歷程，提昇元件特性。
又，於上述MLD法中，使用1價或2價胺基矽烷氣體作為矽源氣體之情形時成膜處理之共通處理條件如下所述。
較好的是使RF功率為10 W~1500 W。若小於10 W，則氧自由基會變得難以生成。若超過1500 W，則產生構成氣體激發部66之石英壁可能受損之虞。更好的是使RF功率為50 W~500 W。可藉由設為如此範圍，而有效生成氧自由基。
較好的是使氣體激發部66內之壓力(氣體噴射孔之壓力)為0.133 Pa~13.3 kPa，更好的是70 Pa~400 Pa。可藉由設為如此範圍之壓力，而產生電漿且不致出現問題，並且供給氧化晶圓W上吸附層之Si所充分之氧自由基。
如上所述，以能夠本質地進行低溫成膜且獲得良好膜質之MLD法為前提，進而，使用1價或2價胺基矽烷氣體作為於形成吸附層時難以產生結構性阻障的矽源氣體。進而，為了將吸附層氧化，而使用無需使溫度上升便可使反應進行之O2氣電漿般之氧自由基。藉此，可將良好膜質之SiO2膜，於100℃以下進而於室溫(25℃)之先前無法考慮之低溫下，以高成膜速率進行成膜。
[實驗1：成膜速率及組成]使用圖1所示之裝置，藉由上述第一實施形態之成膜方法形成氧化矽膜，並進行其成膜速率及組成之評價。於該實驗中，單獨使用作為1價胺基矽烷氣體之SiH3NC2(CH3)4、及作為2價胺基矽烷氣體之BTBAS作為矽源氣體。進而，作為比較例，使用作為3價胺基矽烷氣體之Tri－DMAS(SiH(N(CH3)2)3)作為矽源氣體。
此時成膜處理之處理條件基準如上述第一實施形態中所述，重複進行42次上述循環，形成具有特定厚度之氧化矽膜。具體而言，使被處理基板為100片300 mm矽晶圓，成膜溫度為100℃，處理壓力於第1步驟T1中為533 Pa(4 Torr)，於第3步驟T3中為66.5 Pa(0.5 Torr)。矽源氣體之流量中，使SiH3NC2(CH3)4為300 mL/min(sccm)，使BTBAS為2000 mL/min(sccm)，使Tri－DMAS為300 mL/min(sccm)。使O2氣之供給量為2000 mL/min(sccm)，使激發其之高頻電源之頻率為13.56 MHz，功率為50 W。再者，為了淨化處理容器內部，而於第一步驟T1之前，持續進行處理容器內之真空抽吸，並且以3500 mL/min(sccm)之流量供給N2氣體作為淨化氣體。又，於於第3步驟T3之前，持續進行處理容器內的真空抽吸，並且以3500 mL/min(sccm)之流量供給6秒鐘N2氣作為淨化氣體。
對於如此形成之氧化矽膜(半導體晶圓W)之中心部(CT)及端部(ED)，測定膜中所含各成分(Si、O、N)之濃度。於此測定中，使用X射線光電子分光裝置(XPS：X－ray Photoelectron Spectrometer)。其結果，由上述第一實施形態之成膜方法形成之薄膜經確認幾乎不含氮，且為氧化矽膜(SiO2)。
圖7係表示由該實驗獲得之不同矽源氣體與氧化矽膜的成膜速率之關係之圖表。圖7之縱軸，表示於將作為3價胺基矽烷氣體之Tri－DMAS(SiH(N(CH3)2)3)用作矽源氣體時之成膜速率標準化作為1之由各矽源氣體所得之成膜速率。
如圖7所示，2價胺基矽烷氣體之成膜速率高於3價胺基矽烷氣體，1價胺基矽烷氣體之成膜速率高於2價胺基矽烷氣體。一般認為，其原因在於：越是低元胺基矽烷氣體，在Si吸附時，越難以產生結構性阻障，故難以妨礙其他分子之吸附。
[實驗2：氧化氣體]將使用BTBAS作為矽源氣體，且將O2氣電漿化後用作氧化氣體之情形，與並未進行電漿化便使用臭氧(O3)氣體之情形進行比較。於電漿化後使用O2氣體時之條件，與上述實驗1相同。並未進行電漿化便使用O3氣體時之條件，除了以250 g/Nm3之流量供給O3氣體以外，其餘與上述實驗1相同。對於如此形成之氧化矽膜，測定其成膜速率及膜厚之面內均勻性。分別在晶舟12之上部(TOP)、中央部(CTR)、及下部(BTM)分別選擇一片，作為樣品晶圓W。
圖8係表示由該實驗獲得之不同處理氣體與氧化矽膜的成膜速率及膜厚面內均勻性之關係之圖表。圖8之左縱軸表示使用O3氣作為氧化氣體時以中央部(CTR)晶圓之成膜速率為1進行標準化之各部分晶圓之成膜速率。右縱軸表示使用O3氣作為氧化氣體時以中央部(CTR)將晶圓之面內均勻性為1進行標準化之各部分晶圓之面內均勻性。
如圖8所示，於使用O2氣電漿之情形時，獲得成膜速率(速度)為使用未將氧氣自由基化的O3氣時之5倍左右。又，使用O2氣電漿之情形與使用未將氧氣自由基化的O3氣之情形相比，膜厚之面內均勻性非常良好。
[實驗3：處理溫度]
對於使用BTBAS作為矽源氣體，且經電漿化後使用O2氣作為氧化氣體之情形，進行以處理溫度為參數之實驗。處理溫度以外之條件與上述實驗1相同。作為處理溫度，使用與室溫(25℃)、75℃、100℃、200℃、300℃不同之值。對如此形成之氧化矽膜，測定其成膜速率及膜厚之面內均勻性。
圖9係表示由該實驗所獲得之不同處理溫度與氧化矽膜成膜速率之關係之圖表。圖9之左縱軸，表示處理溫度為300℃時的成膜速率作為1進行標準化之利用其他溫度條件而獲得之成膜速率。右縱軸表示處理溫度為300℃時的面內均勻性作為1進行標準化之利用其他溫度條件而獲得之面內均勻性。
如圖9所示，可確認即使於100℃以下之低溫下亦能夠獲得高成膜速率，即使於室溫下亦能夠進行具有充分實用性的成膜。又，即使於100℃以下之低溫下，膜厚均勻性亦為良好。另一方面，若成膜溫度超過300℃，則膜厚不均一會變大。
[第二實施形態]
圖10係表示本發明第二實施形態之成膜裝置(垂直式熱CVD裝置)之剖面圖。為了使氧化氣體活化，可使用觸媒、UV(紫外線)、熱量、磁力等其他媒體，代替第一實施形態中所述之電漿。例如，於利用熱量使氧化氣體活化之情形時，可使用如圖10所示之熱處理裝置。
於圖10所示之膜裝置2X中，於處理容器頂部形成有與真空排氣系統連接之氣體出口84，於處理容器4底部連接有短L字形之噴嘴40、42。因此，處理氣體由設置有支持晶圓W的晶舟12之處理區域5下方之噴嘴40、42之供給口供給，並於通過處理區域5後，自上方氣體出口84排出。噴嘴40供給具有1價或2價胺基矽烷氣體作為矽源氣體之第1處理氣體。噴嘴42供給具有氧氣(O2)作為氧化氣體之第2處理氣體。處理區域5由配設於處理容器4周圍之加熱器86加熱。
於使用如此熱處理裝置之情形時，可藉由將氧氣導入加熱至特定溫度之處理區域5中，而使氧活化。處理區域5之溫度若能將所供給之氧活化即可，例如較好的是設為550℃左右。較好的是使處理區域5之壓力為133 Pa(1 Torr)左右，較好的是使氧氣供給量為100 sccm~1 slm。
又，可使用臭氧(O3)、水蒸汽(H2O)等其他氧化氣體來代替氧氣。例如，於使用臭氧作為氧化氣體之情形時，較好的是使處理區域5之溫度為200℃~600℃，壓力為133 Pa(1 Torr)，臭氧流量為250 g/Nm3左右。
[變更例]
作為用以形成矽氧化膜之1價胺基矽烷氣體(1分子內具有2個胺基之胺基矽烷氣體)，可使用SiH3(NHC(CH3)3)、SiH3(N(CH3)2)來代替SiH3NC2(CH3)4。又，至於2價胺基矽烷氣體(1分子內具有2個胺基之胺基矽烷氣體)，可列舉使用BDEAS(雙(二乙基胺基)矽烷)、BDMAS(雙(二甲基胺基)矽烷)來代替BTBAS。
至於作為第2處理氣體中的氧化氣體，可使用選自作為氧氣之氧、臭氧(O3)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)、一氧化二氮(N2O)、水蒸汽(H2O)所組成之群之1種以上氣體。
上述第一實施形態中，例示有供給處理氣體時供給氮氣作為稀釋氣體之情形。關於此點，在供給處理氣體時亦可不供給氮氣。其中，藉由含有氮氣作為稀釋氣體，而使得處理時間之設定等變得容易，因此較好的是含有稀釋氣體。至於稀釋氣體，較好的是惰性氣體，除氮氣以外例如可適用氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)、氙氣(Xe)。
上述第一實施形態中，自共通之氣體分散噴嘴中供給矽源氣體及氮氣。取而代之，亦可對每種氣體配設氣體供給噴嘴。進而，為了自複數個噴嘴導入相同氣體，亦可在處理容器4下端附近之側面插入複數個氣體供給噴嘴。於此情形時，因自複數個氣體供給噴嘴對處理容器4內供給處理氣體，故可更均勻地將處理氣體導入處理容器4內。
於上述第一實施形態中，使用單管結構之批次式熱處理裝置作為成膜裝置。取而代之，本發明亦可適用於例如處理容器由內管及外管構成之雙管構造之批次式垂直式熱處理裝置。進而，本發明亦可適用於葉片式熱處理裝置。被處理基板並不限定於半導體晶圓W，例如亦可為LCD用玻璃基板。
成膜裝置之控制部100，並不侷限於專用系統，亦能夠使用通常之電腦系統來實現。例如，可藉由自容納用以執行上述處理的程式之記錄媒體(軟性磁碟、CD－ROM等)將該程式安裝於通用電腦中，而構成執行上述處理之控制部100。
用以供給該等程式之機構可為任意者。程式除可如上所述經由特定記錄媒體供給以外，亦可經由例如通信線路、通信網路、通信系統等供給。於此情形時，例如，亦可將該程式揭示於通信網路之論壇(BBS)上，經由網路將其與載波重疊後進行提供。繼而，起動以如此方式提供之程式，於OS控制下以與其他應用程式同樣之方式執行，藉此執行上述處理。
熟習此項技術者將易想到另外優勢及改質體。因此，本發明在其更廣闊之態樣中並不限於本文所示及描述之特定細節及代表性實施例。為此，可進行各種修改而不偏離藉由隨附申請專利範圍及其等效體所界定之普遍發明概念的精神或範疇。
2．．．成膜裝置
4．．．處理容器
5．．．處理區域
6．．．頂棚板
8．．．歧管
10．．．密封部件
12．．．晶舟
12A．．．支柱
14．．．保溫筒
16．．．工作臺
18．．．蓋體
20．．．旋轉軸
22．．．磁性流體密封
24．．．密封部件
25．．．升降機構
30．．．第1處理氣體供給系統
30S．．．矽源氣體之氣源
32．．．第2處理氣體供給系統
32S．．．O2氣之氣源
36．．．惰性氣體供給系統
36S．．．N2之氣源
40．．．氣體分散噴嘴
40A．．．氣體噴射孔
42．．．氣體分散噴嘴
42A．．．氣體噴射孔
50、52、56．．．氣體供給線路
50A、52A、56A．．．開閉閥
50B、52B、56B．．．流量控制器
52．．．氣體供給線路
66．．．氣體激發部
68．．．排氣口
70．．．開口
72．．．蓋體
74．．．電極
76．．．高頻率電源
78．．．供電線路
80．．．絕緣保護蓋體
82．．．排氣覆蓋部件
84．．．氣體出口
86．．．加熱器
100．．．主控制部
111．．．配方記憶部
112．．．ROM
113．．．RAM
114．．．I/O埠
115．．．CPU
116．．．路徑
121．．．操作面板
122．．．溫度感應器
123．．．壓力計
124．．．加熱器控制器
125．．．MFC
126．．．閥控制部
127．．．真空泵
128．．．晶舟升降機
129．．．電漿控制部
GE．．．真空排氣系統
PS．．．電漿產生區域
W．．．半導體晶元
圖1係表示本發明第一實施形態之成膜裝置(垂直式電漿CVD裝畳)之剖面圖。
圖2係表示圖1所示之裝置一部分之橫截平面圖。
圖3係表示圖1所示裝置之控制部構成之圖。
圖4係表示本發明第一實施形之成膜方法中氣體供給及施加RF(高頻率)的態樣之時序圖。
圖5A－F係模式性表示使用作為1價胺基矽烷氣體之SiH3NC2(CH3)4作為矽源氣體之情形時Si晶圓W表面上之反應的圖。
圖6A－C係模式性表示使用作為2價胺基矽烷氣體之雙(第三丁基胺基)矽烷(BTBAS：SiH2(NH(C4H9))2作為矽源氣體之情形時半導體晶圓W表面上之反應的圖。
圖7係表示由實驗所得之不同矽源氣體與氧化矽膜的成膜速率之關係的圖表。
圖8係表示由實驗所得之不同處理氣體與氧化矽膜的成膜速率及膜厚的平面內均勻性之關係的圖表。
圖9係表示由實驗所得之不同處理溫度與氧化矽膜的成膜速率之關係的圖表。
圖10係表示本發明第二實施形態之成膜裝置(垂直式熱CVD裝置)之剖面圖。
2．．．成膜裝置
4．．．處理容器
5．．．處理區域
6．．．頂棚板
8．．．歧管
10．．．密封部件
12．．．晶舟
12A．．．支柱
14．．．保溫筒
16．．．工作臺
18．．．蓋體
20．．．旋轉軸
22．．．磁性流體密封
24．．．密封部件
25．．．升降機構
30．．．第1處理氣體供給系統
30S．．．矽源氣體之氣源
32．．．第2處理氣體供給系統
32S．．．O2氣之氣源
36．．．惰性氣體供給系統
36S．．．N2氣之氣源
40．．．氣體分散噴嘴
40A．．．氣體噴射孔
42．．．氣體分散噴嘴
42A．．．氣體噴射孔
50、52、56．．．氣體供給線路
50A、52A、56A．．．開閉閥
50B、52B、56B．．．流量控制器
52．．．氣體供給線路
66．．．氣體激發部
68．．．排氣口
70．．．開口
72．．．蓋體
74．．．電極
76．．．高頻率電源
78．．．供電線路
80．．．絕緣保護蓋體
82．．．排氣覆蓋部件
84．．．氣體出口
86．．．加熱器
100．．．主控制部
GE．．．真空排氣系統

Claims (10)

  1. 一種半導體處理用之成膜方法，其係於可選擇性供給SiH3NC2(CH3)4氣體與O2氣體之處理區域內，利用CVD於縱向設置之複數枚被處理基板上形成氧化矽膜者，該方法藉由複數次重複進行循環，以形成複數個積層薄膜，而形成具有特定厚度之上述氧化矽膜，上述循環包含下述步驟：對上述處理區域供給SiH3NC2(CH3)4氣體，且不對上述處理區域供給O2氣體之吸附步驟；藉此，於上述被處理基板表面形成含矽之吸附層；將氣體排出上述處理區域且不對上述處理區域供給SiH3NC2(CH3)4和O2氣體之第1淨化步驟；對上述處理區域供給O2氣體，且不對上述處理區域供給SiH3NC2(CH3)4氣體之氧化步驟，藉此，使上述被處理基板表面上之上述吸附層氧化；及將氣體排出上述處理區域且不對上述處理區域供給SiH3NC2(CH3)4和O2氣體之第2淨化步驟；其中於上述循環之整個期間內之處理溫度設定為25~100℃，上述吸附步驟中，上述處理區域中之壓力為133~3,990Pa，上述氧化步驟中，當對上述處理區域供給O2氣體時，於激發機構中，藉由將O2氣體轉變為電漿以激發O2氣體，藉此自O2氣體產生自由基，並利用上述自由基使上述被處理基板表面上之上述吸附層氧化。
  2. 如請求項1之半導體處理用之成膜方法，其中進而包括以下步驟：於上述循環之第1次開始前，決定上述處理溫度以獲得基準範圍內之成膜速率。
  3. 如請求項1之半導體處理用之成膜方法，其中上述循環構成為於其整個期間內，自上述處理區域進行連續性排氣。
  4. 如請求項1之半導體處理用之成膜方法，其中上述各第1淨化及第2淨化步驟包括對上述處理區域供給惰性氣體之期間。
  5. 如請求項1之半導體處理用之成膜方法，其中於上述循環之整個期間內，處理溫度設定為室溫。
  6. 一種半導體處理用之成膜方法，其係於成膜裝置中，利用CVD在複數枚被處理基板上形成氧化矽膜者，上述裝置包括：處理容器，其具備收納被處理基板之縱向細長處理區域；支持部件，其於上述處理區域內於縱向間隔地支持上述被處理基板；激發機構，其設置於上述處理區域之側壁，該激發機構包括連接上述處理區域及電極之電漿產生區域，並被設置為接收高頻率電源，上述電極沿上述電漿產生區域延伸，上述電漿產生區域存在於上述處理容器中形成之凹部，且延伸超出相對於上述處理區域之縱向長度；處理氣體供給系統，其被設置為對上述處理區域選擇性供給SiH3NC2(CH3)4氣體及O2氣體，使SiH3NC2(CH3)4氣體被供給至上述處理區域但不通過上述電漿產生區域，且O2氣體通過上述電漿產生區域被供給至上述處理區域；且供給上述SiH3NC2(CH3)4氣體及O2氣體以在上述處理區域中產生超出對應於上述處理區域之縱向長度且實質上水平之氣流；排氣系統，其被設置為藉由連接至上述處理容器之排氣管，自上述處理容器內排氣；及控制部，其被設置為控制上述成膜裝置進行上述成膜方法，上述成膜方法構成為重複進行循環複數次，並藉由重複上述循環分別積層薄膜，藉此形成具有特定厚度之氧化矽膜，上述循環包含下述步驟：對上述處理區域供給SiH3NC2(CH3)4氣體，且不對上述處理區域供給O2氣體之吸附步驟；藉此，於被處理基板表面形成含矽之吸附層；對上述處理區域供給惰性氣並將氣體排出上述處理區域、且不對上述處理區域供給SiH3NC2(CH3)4和O2氣體之第1淨化步驟；對上述處理區域供給O2氣體，且不對上述處理區域供給SiH3NC2(CH3)4氣體之氧化步驟，藉此，使上述被處理基板表面上之上述吸附層氧化；及對上述處理區域供給惰性氣並將氣體排出上述處理區域、且不對上述處理區域供給SiH3NC2(CH3)4和O2氣體之第2淨化步驟；其中於上述循環之整個期間內之處理溫度設定為25~100℃，上述吸附步驟構成為上述處理區域中之壓力為133~3,990Pa，上述氧化步驟構成為當對上述處理區域供給O2氣體時，於激發機構中，藉由將O2氣體轉變為電漿以激發O2氣體，上述電漿產生區域內之壓力小於400Pa，供給至上述電極之高頻電源為50~500W，藉此自O2氣體產生自由基，並利用上述自由基，使上述被處理基板表面上之上述吸附層氧化。
  7. 如請求項6之半導體處理用之成膜方法，其進而包括以下步驟：於上述循環之第1次開始前，決定上述處理溫度以獲得基準範圍內之成膜速率。
  8. 如請求項6之半導體處理用之成膜方法，其中上述循環構成為於其整個期間內，自上述處理區域進行連續性排氣。
  9. 如請求項6之半導體處理用之成膜方法，其中上述排氣系統包括形成在上述處理容器上之排氣口，上述排氣口位於上述電漿產生區域之對向並間隔上述處理區域之位置，且與排氣管連接。
  10. 如請求項6之半導體處理用之成膜方法，其中於上述循環之整個期間內，處理溫度設定為室溫。
TW096135607A2006-09-282007-09-21用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置TWI462179B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
JP20062658182006-09-28
JP20062644692006-09-28
JP2007215809AJP5193527B2 (ja)2006-09-282007-08-22シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム
JP2007218026AJP5258229B2 (ja)2006-09-282007-08-24成膜方法および成膜装置

Publications (2)

Publication NumberPublication Date
TW200832554A TW200832554A (en)2008-08-01
TWI462179Btrue TWI462179B (zh)2014-11-21

Family

ID=39261448

Family Applications (1)

Application NumberTitlePriority DateFiling Date
TW096135607ATWI462179B (zh)2006-09-282007-09-21用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置

Country Status (4)

CountryLink
US (1)US7906168B2 (zh)
KR (1)KR20080029846A (zh)
CN (1)CN101154589B (zh)
TW (1)TWI462179B (zh)

Families Citing this family (475)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JP2006261434A (ja)2005-03-172006-09-28L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claudeシリコン酸化膜の形成方法
US8232176B2 (en)2006-06-222012-07-31Applied Materials, Inc.Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill
US20090041952A1 (en)2007-08-102009-02-12Asm Genitech Korea Ltd.Method of depositing silicon oxide films
US7867923B2 (en)*2007-10-222011-01-11Applied Materials, Inc.High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US8357435B2 (en)*2008-05-092013-01-22Applied Materials, Inc.Flowable dielectric equipment and processes
JP5616591B2 (ja)*2008-06-202014-10-29株式会社日立国際電気半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5155070B2 (ja)*2008-09-022013-02-27株式会社日立国際電気半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP2010073822A (ja)*2008-09-172010-04-02Tokyo Electron Ltd成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
JP4638550B2 (ja)2008-09-292011-02-23東京エレクトロン株式会社マスクパターンの形成方法、微細パターンの形成方法及び成膜装置
US10378106B2 (en)*2008-11-142019-08-13Asm Ip Holding B.V.Method of forming insulation film by modified PEALD
KR20100093349A (ko)*2009-02-162010-08-25삼성전자주식회사기상 박막 형성 방법 및 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
JP5275093B2 (ja)*2009-03-132013-08-28東京エレクトロン株式会社基板処理方法
US9394608B2 (en)2009-04-062016-07-19Asm America, Inc.Semiconductor processing reactor and components thereof
US8980382B2 (en)2009-12-022015-03-17Applied Materials, Inc.Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
US8741788B2 (en)2009-08-062014-06-03Applied Materials, Inc.Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US8802201B2 (en)2009-08-142014-08-12Asm America, Inc.Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5444961B2 (ja)2009-09-012014-03-19東京エレクトロン株式会社成膜装置及び成膜方法
US8449942B2 (en)*2009-11-122013-05-28Applied Materials, Inc.Methods of curing non-carbon flowable CVD films
US20110159213A1 (en)*2009-12-302011-06-30Applied Materials, Inc.Chemical vapor deposition improvements through radical-component modification
JP2013516763A (ja)*2009-12-302013-05-13アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドフレキシブルな窒素／水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長
US8329262B2 (en)2010-01-052012-12-11Applied Materials, Inc.Dielectric film formation using inert gas excitation
SG182336A1 (en)*2010-01-062012-08-30Applied Materials IncFlowable dielectric using oxide liner
KR101837648B1 (ko)2010-01-072018-04-19어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드라디칼-컴포넌트 ｃｖｄ를 위한 인­시츄 오존 경화
JP2013521650A (ja)2010-03-052013-06-10アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドラジカル成分ｃｖｄによる共形層
US8236708B2 (en)*2010-03-092012-08-07Applied Materials, Inc.Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor
JP5052638B2 (ja)*2010-03-172012-10-17Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社成膜方法
US20130078376A1 (en)*2010-04-012013-03-28L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges ClaudeMetal nitride containing film deposition using combination of amino-metal and halogenated metal precursors
US9611544B2 (en)2010-04-152017-04-04Novellus Systems, Inc.Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9373500B2 (en)2014-02-212016-06-21Lam Research CorporationPlasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9390909B2 (en)2013-11-072016-07-12Novellus Systems, Inc.Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US9997357B2 (en)2010-04-152018-06-12Lam Research CorporationCapped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US20110256734A1 (en)2010-04-152011-10-20Hausmann Dennis MSilicon nitride films and methods
US8637411B2 (en)2010-04-152014-01-28Novellus Systems, Inc.Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9892917B2 (en)2010-04-152018-02-13Lam Research CorporationPlasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9257274B2 (en)2010-04-152016-02-09Lam Research CorporationGapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
JP2011243620A (ja)*2010-05-142011-12-01Tokyo Electron Ltd成膜方法および成膜装置
US9685320B2 (en)2010-09-232017-06-20Lam Research CorporationMethods for depositing silicon oxide
US9285168B2 (en)2010-10-052016-03-15Applied Materials, Inc.Module for ozone cure and post-cure moisture treatment
US8664127B2 (en)2010-10-152014-03-04Applied Materials, Inc.Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
JP5544343B2 (ja)*2010-10-292014-07-09東京エレクトロン株式会社成膜装置
JP2012138500A (ja)*2010-12-272012-07-19Tokyo Electron Ltdタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
JP5692850B2 (ja)*2010-12-282015-04-01東京エレクトロン株式会社薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
US10283321B2 (en)2011-01-182019-05-07Applied Materials, Inc.Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8450191B2 (en)2011-01-242013-05-28Applied Materials, Inc.Polysilicon films by HDP-CVD
US8716154B2 (en)*2011-03-042014-05-06Applied Materials, Inc.Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers
KR102111702B1 (ko)2011-04-072020-05-15피코순 오와이플라즈마 소오스를 갖는 원자층 퇴적
US8445078B2 (en)2011-04-202013-05-21Applied Materials, Inc.Low temperature silicon oxide conversion
US8466073B2 (en)2011-06-032013-06-18Applied Materials, Inc.Capping layer for reduced outgassing
US9312155B2 (en)2011-06-062016-04-12Asm Japan K.K.High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en)2011-06-222017-10-17Asm Japan K.K.Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en)2011-06-272019-07-30Asm Ip Holding B.V.Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US9404178B2 (en)2011-07-152016-08-02Applied Materials, Inc.Surface treatment and deposition for reduced outgassing
US10854498B2 (en)2011-07-152020-12-01Asm Ip Holding B.V.Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en)2011-07-202013-01-24Asm America, Inc.Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8617989B2 (en)2011-09-262013-12-31Applied Materials, Inc.Liner property improvement
US8551891B2 (en)2011-10-042013-10-08Applied Materials, Inc.Remote plasma burn-in
US9017481B1 (en)2011-10-282015-04-28Asm America, Inc.Process feed management for semiconductor substrate processing
KR101886740B1 (ko)*2011-11-012018-09-11삼성디스플레이 주식회사기상 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US8946830B2 (en)2012-04-042015-02-03Asm Ip Holdings B.V.Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en)2012-07-272017-01-31Asm Ip Holding B.V.System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en)2012-08-282017-05-23Asm Ip Holding B.V.Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US8889566B2 (en)2012-09-112014-11-18Applied Materials, Inc.Low cost flowable dielectric films
US9021985B2 (en)2012-09-122015-05-05Asm Ip Holdings B.V.Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en)2012-09-262016-04-26Asm Ip Holding B.V.Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en)2012-10-122020-07-14Asm Ip Holdings B.V.Semiconductor reaction chamber showerhead
KR102207992B1 (ko)2012-10-232021-01-26램 리써치 코포레이션서브-포화된 원자층 증착 및 등각막 증착
US9679984B2 (en)*2012-11-072017-06-13Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.Metal gate structure with multi-layer composition
SG2013083241A (en)2012-11-082014-06-27Novellus Systems IncConformal film deposition for gapfill
JP6538300B2 (ja)2012-11-082019-07-03ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
US9640416B2 (en)2012-12-262017-05-02Asm Ip Holding B.V.Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US9018108B2 (en)2013-01-252015-04-28Applied Materials, Inc.Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en)2013-02-012016-12-29Asm Ip Holding B.V.System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en)2013-03-082017-03-07Asm Ip Holding B.V.Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en)2013-03-082016-11-01Asm Ip Holding B.V.Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en)2013-07-122015-03-31Asm Ip Holding B.V.Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en)2013-07-222015-04-28Asm Ip Holding B.V.Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en)2013-08-142017-10-17Asm Ip Holding B.V.Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en)2013-09-272016-01-19Asm Ip Holding B.V.Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en)2013-10-092017-01-31ASM IP Holding B.VMethod for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en)2013-11-262019-01-15Asm Ip Holding B.V.Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US9214334B2 (en)2014-02-182015-12-15Lam Research CorporationHigh growth rate process for conformal aluminum nitride
US10683571B2 (en)2014-02-252020-06-16Asm Ip Holding B.V.Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en)2014-03-182019-01-01Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en)2014-03-182016-09-20Asm Ip Holding B.V.Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en)2014-03-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en)2014-04-242016-08-02ASM IP Holding B.VLockout tagout for semiconductor vacuum valve
US9412581B2 (en)2014-07-162016-08-09Applied Materials, Inc.Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
US10858737B2 (en)2014-07-282020-12-08Asm Ip Holding B.V.Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en)2014-08-012017-01-10Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9478411B2 (en)2014-08-202016-10-25Lam Research CorporationMethod to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9478438B2 (en)2014-08-202016-10-25Lam Research CorporationMethod and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9890456B2 (en)2014-08-212018-02-13Asm Ip Holding B.V.Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en)2014-10-072021-03-09Asm Ip Holding B.V.Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en)2014-10-072017-05-23Asm Ip Holding B.V.Variable conductance gas distribution apparatus and method
JP6366454B2 (ja)2014-10-072018-08-01東京エレクトロン株式会社被処理体を処理する方法
KR102300403B1 (ko)2014-11-192021-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
US9564312B2 (en)2014-11-242017-02-07Lam Research CorporationSelective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
KR102263121B1 (ko)2014-12-222021-06-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en)2015-02-132016-10-25Asm Ip Holding B.V.Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en)2015-03-112020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en)2015-03-122019-04-30Asm Ip Holding B.V.Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10566187B2 (en)2015-03-202020-02-18Lam Research CorporationUltrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9502238B2 (en)2015-04-032016-11-22Lam Research CorporationDeposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
JP6462477B2 (ja)2015-04-272019-01-30東京エレクトロン株式会社被処理体を処理する方法
JP6456764B2 (ja)*2015-04-282019-01-23株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10458018B2 (en)2015-06-262019-10-29Asm Ip Holding B.V.Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en)2015-07-072020-03-24Asm Ip Holding B.V.Magnetic susceptor to baseplate seal
US10526701B2 (en)2015-07-092020-01-07Lam Research CorporationMulti-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
US10043661B2 (en)2015-07-132018-08-07Asm Ip Holding B.V.Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en)2015-07-132018-02-20Asm Ip Holding B.V.Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en)2015-07-242018-09-25Asm Ip Holding B.V.Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en)2015-08-042018-10-02Asm Ip Holding B.V.Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en)2015-08-142017-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en)2015-08-252017-07-18Asm Ip Holding B.V.Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en)2015-09-292018-05-01Asm Ip Holding B.V.Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en)2015-10-152018-03-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en)2015-10-212019-02-19Asm Ip Holding B.V.NbMC layers
US10322384B2 (en)2015-11-092019-06-18Asm Ip Holding B.V.Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en)2015-11-102016-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en)2015-12-012018-02-27Asm Ip Holding B.V.Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en)2015-12-212017-03-28Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en)2015-12-282017-04-18Asm Ip Holding B.V.Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en)2015-12-282017-08-15Asm Ip Holding B.V.Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en)2015-12-292021-10-05Asm Ip Holding B.V.Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en)2016-02-192017-09-05Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en)2016-02-192019-11-05Asm Ip Holding B.V.Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en)2016-02-192020-01-07Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en)2016-03-092019-12-10Asm Ip Holding B.V.Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en)2016-03-182019-07-09Asm Ip Holding B.V.Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en)2016-03-242018-02-13Asm Ip Holding B.V.Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en)2016-04-212018-10-02Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides
US10190213B2 (en)2016-04-212019-01-29Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides
US10865475B2 (en)2016-04-212020-12-15Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en)2016-05-022018-07-24Asm Ip Holding B.V.Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en)2016-05-022019-07-30Asm Ip Holding B.V.Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko)2016-05-172023-10-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en)2016-05-252022-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en)2016-06-282019-08-20Asm Ip Holding B.V.Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9773643B1 (en)2016-06-302017-09-26Lam Research CorporationApparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en)2016-07-012018-08-28Lam Research CorporationSelective atomic layer deposition with post-dose treatment
US9859151B1 (en)2016-07-082018-01-02Asm Ip Holding B.V.Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en)2016-07-082020-04-07Asm Ip Holdings B.V.Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en)2016-07-142017-10-17ASM IP Holding B.VMethod of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en)2016-07-192020-07-14Asm Ip Holding B.V.Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko)2016-07-272022-01-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
US9812320B1 (en)2016-07-282017-11-07Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en)2016-07-282018-02-06Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko)2016-07-282023-05-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en)2016-07-282019-01-08Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en)2016-07-282019-08-27Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US10037884B2 (en)2016-08-312018-07-31Lam Research CorporationSelective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10090316B2 (en)2016-09-012018-10-02Asm Ip Holding B.V.3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en)2016-10-132019-09-10Asm Ip Holding B.V.Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en)2016-10-262020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en)2016-10-272022-12-20Asm Ip Holding B.V.Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en)2016-11-012019-03-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en)2016-11-012020-07-14ASM IP Holdings, B.V.Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en)2016-11-012019-10-08Asm Ip Holding B.V.Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en)2016-11-012020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en)2016-11-072018-11-20Asm Ip Holding B.V.Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko)2016-11-152023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en)2016-11-282019-07-02Asm Ip Holding B.V.Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
JP6836953B2 (ja)*2016-12-132021-03-03東京エレクトロン株式会社窒化シリコンから形成された第１領域を酸化シリコンから形成された第２領域に対して選択的にエッチングする方法
US10319613B2 (en)*2016-12-132019-06-11Tokyo Electron LimitedMethod of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide
CN106756884B (zh)*2016-12-132018-10-23温州海旭科技有限公司一种pecvd镀膜装置
KR102762543B1 (ko)2016-12-142025-02-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11581186B2 (en)2016-12-152023-02-14Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en)2016-12-152018-03-13Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en)2016-12-152022-09-20Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko)2016-12-192024-08-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10269558B2 (en)2016-12-222019-04-23Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en)2016-12-282020-12-15Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en)2017-01-102022-07-19Asm Ip Holding B.V.Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en)2017-02-092020-05-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10176984B2 (en)*2017-02-142019-01-08Lam Research CorporationSelective deposition of silicon oxide
US10468261B2 (en)2017-02-152019-11-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en)2017-03-292020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en)2017-03-292019-05-07Asm Ip Holding B.V.Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en)2017-03-312018-10-16Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en)2017-04-072018-10-16Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko)2017-04-252022-10-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en)2017-05-082020-09-08Asm Ip Holdings B.V.Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en)2017-05-082021-01-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en)2017-05-082019-10-15Asm Ip Holding B.V.Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en)2017-05-312019-12-10Asm Ip Holding B.V.Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en)2017-06-022021-01-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en)2017-06-202024-07-16Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en)2017-06-282022-04-19Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en)2017-07-052020-06-16Asm Ip Holdings B.V.Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko)2017-07-182019-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en)2017-07-192022-06-28Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en)2017-07-192020-01-21Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en)2017-07-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en)2017-07-262020-03-17Asm Ip Holdings B.V.Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en)2017-07-262020-03-31Asm Ip Holding B.V.Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en)2017-07-262019-06-04Asm Ip Holding B.V.Method of depositing film by PEALD using negative bias
JP6902958B2 (ja)*2017-08-022021-07-14東京エレクトロン株式会社シリコン膜の形成方法および形成装置
JP6840051B2 (ja)*2017-08-022021-03-10東京エレクトロン株式会社タングステン膜上へシリコン酸化膜を形成する方法および装置
TWI815813B (zh)2017-08-042023-09-21荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en)2017-08-082020-09-08Asm Ip Holding B.V.Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en)2017-08-082020-06-23Asm Ip Holdings B.V.Radiation shield
US11139191B2 (en)2017-08-092021-10-05Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en)2017-08-092023-09-26Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en)2017-08-092019-04-02Asm Ip Holding B.V.Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en)2017-08-222019-03-19ASM IP Holding B.V..Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en)2017-08-242020-10-27Asm Ip Holding B.V.Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en)2017-08-292023-11-28Asm Ip Holding B.V.Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en)2017-08-302022-04-05Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en)2017-08-302021-07-06Asm Ip Holding B.V.Layer forming method
KR102491945B1 (ko)2017-08-302023-01-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko)2017-08-312022-05-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10269559B2 (en)2017-09-132019-04-23Lam Research CorporationDielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US10607895B2 (en)2017-09-182020-03-31Asm Ip Holdings B.V.Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko)2017-09-212024-01-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en)2017-09-222020-11-24Asm Ip Holding B.V.Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en)2017-09-282020-05-19Asm Ip Holdings B.V.Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en)2017-10-052019-09-03Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en)2017-10-102019-06-11Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en)2017-10-302021-02-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10872762B2 (en)*2017-11-082020-12-22Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.Methods of forming silicon oxide layer and semiconductor structure
KR102443047B1 (ko)2017-11-162022-09-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en)2017-11-162021-02-02Asm Ip Holding B.V.Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en)2017-11-242021-06-01Asm Ip Holding B.V.Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh)2017-11-272022-04-12阿斯莫Ip控股公司包括洁净迷你环境的装置
WO2019103613A1 (en)2017-11-272019-05-31Asm Ip Holding B.V.A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en)2017-12-052019-05-14Asm Ip Holding B.V.Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en)2018-01-162020-12-22Asm Ip Holding B. V.Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko)2018-01-192024-08-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh)2018-01-192023-04-21荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司沈積方法
USD903477S1 (en)2018-01-242020-12-01Asm Ip Holdings B.V.Metal clamp
US11018047B2 (en)2018-01-252021-05-25Asm Ip Holding B.V.Hybrid lift pin
US10535516B2 (en)2018-02-012020-01-14Asm Ip Holdings B.V.Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en)2018-02-012020-04-07Asm Ip Holding B.V.Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en)2018-02-062021-08-03Asm Ip Holding B.V.Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en)2018-02-142021-01-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en)2018-02-142019-08-22Asm Ip Holding B.V.A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en)2018-02-152020-08-04Asm Ip Holding B.V.Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en)2018-02-202020-05-19Asm Ip Holding B.V.Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko)2018-02-202024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en)2018-02-232021-04-13Asm Ip Holding B.V.Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en)2018-03-012022-10-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
CN112005343B (zh)2018-03-022025-05-06朗姆研究公司使用水解的选择性沉积
US11629406B2 (en)2018-03-092023-04-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en)2018-03-162021-09-07Asm Ip Holding B.V.Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko)2018-03-272024-03-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en)2018-03-292019-12-17Asm Ip Holding B.V.Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en)2018-03-292021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en)2018-03-292022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko)2018-03-302023-02-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko)2018-04-092023-11-10에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI811348B (zh)2018-05-082023-08-11荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en)2018-05-082024-07-02Asm Ip Holding B.V.Thin film forming method
US12272527B2 (en)2018-05-092025-04-08Asm Ip Holding B.V.Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko)2018-05-112019-11-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko)2018-05-282023-10-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh)2018-06-042024-05-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en)2018-06-042023-08-08Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system and reactor system including same
JP7073924B2 (ja)*2018-06-062022-05-24東京エレクトロン株式会社原子層成長法を用いて基板上に薄膜を成膜する方法、または装置
US11286562B2 (en)2018-06-082022-03-29Asm Ip Holding B.V.Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en)2018-06-212020-10-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko)2018-06-212023-08-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 시스템
TWI873894B (zh)2018-06-272025-02-21荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko)2018-06-272025-09-02에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en)2018-06-292020-04-07ASM IP Holding, B.V.Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko)2018-06-292024-07-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en)2018-07-032020-08-25Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en)2018-07-032019-08-20Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en)2018-07-162020-09-08Asm Ip Holding B.V.Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en)2018-07-262019-11-19Asm Ip Holding B.V.Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en)2018-08-062021-07-06Asm Ip Holding B.V.Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en)2018-08-092021-01-05Asm Ip Holding B.V.Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en)2018-08-162020-11-10Asm Ip Holding B.V.Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en)2018-08-222022-08-30Asm Ip Holding B.V.Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en)2018-09-112021-06-01Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko)2018-09-112024-09-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
US11049751B2 (en)2018-09-142021-06-29Asm Ip Holding B.V.Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh)2018-10-012024-10-25Asmip控股有限公司衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en)2018-10-032022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko)2018-10-082023-10-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en)2018-10-112020-11-24Asm Ip Holding B.V.Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en)2018-10-162020-10-20Asm Ip Holding B.V.Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko)2018-10-192023-11-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko)2018-10-192023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en)2018-10-242022-04-12Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en)2018-10-252019-08-13Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en)2018-10-262025-08-05Asm Ip Holding B.V.High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en)2018-10-312021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko)2018-11-022024-12-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en)2018-11-062023-02-07Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en)2018-11-072021-06-08Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en)2018-11-162020-10-27Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en)2018-11-162020-11-24Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en)2018-11-262020-02-11Asm Ip Holding B.V.Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en)2018-11-282024-07-16Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en)2018-11-302022-01-04Asm Ip Holding B.V.Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko)2018-12-042024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en)2018-12-132021-10-26Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh)2018-12-142025-03-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI866480B (zh)2019-01-172024-12-11荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko)2019-01-222024-11-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
CN111524788B (zh)2019-02-012023-11-24Asm Ip私人控股有限公司氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh)2019-02-202024-06-21荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI838458B (zh)2019-02-202024-04-11荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI873122B (zh)2019-02-202025-02-21荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko)2019-02-202024-01-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP6807420B2 (ja)*2019-02-212021-01-06株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
TWI842826B (zh)2019-02-222024-05-21荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko)2019-03-082025-03-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en)2019-03-082023-08-29Asm Ip Holding B.V.Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko)2019-03-082025-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja)2019-03-282020-10-08エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェードアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko)2019-04-012025-05-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko)2019-04-192020-10-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko)2019-04-242020-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102726216B1 (ko)2019-05-012024-11-04램 리써치 코포레이션변조된 원자 층 증착
KR20200130121A (ko)2019-05-072020-11-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11289326B2 (en)2019-05-072022-03-29Asm Ip Holding B.V.Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130652A (ko)2019-05-102020-11-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja)2019-05-162024-12-11エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja)2019-05-162025-01-14エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en)2019-05-172023-01-17Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD947913S1 (en)2019-05-172022-04-05Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
JP7158337B2 (ja)*2019-05-202022-10-21東京エレクトロン株式会社成膜方法
USD935572S1 (en)2019-05-242021-11-09Asm Ip Holding B.V.Gas channel plate
USD922229S1 (en)2019-06-052021-06-15Asm Ip Holding B.V.Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko)2019-06-062020-12-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
JP2022534793A (ja)2019-06-072022-08-03ラム リサーチ コーポレーション原子層堆積時における膜特性の原位置制御
KR20200141931A (ko)2019-06-102020-12-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko)2019-06-112020-12-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en)2019-06-142022-03-01Asm Ip Holding B.V.Shower plate
USD931978S1 (en)2019-06-272021-09-28Asm Ip Holding B.V.Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko)2019-07-032021-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja)2019-07-092024-06-13エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh)2019-07-102021-01-12Asm Ip私人控股有限公司基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko)2019-07-162021-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko)2019-07-172025-09-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko)2019-07-172021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en)2019-07-182023-05-09Asm Ip Holding B.V.Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko)2019-07-192021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh)2019-07-192024-04-21荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh)2019-07-292024-08-11荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
US12169361B2 (en)2019-07-302024-12-17Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
CN112309899A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
US11587815B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en)2019-07-312022-01-18Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh)2019-08-052024-02-09Asm Ip私人控股有限公司用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh)2019-08-092021-02-09Asm Ip私人控股有限公司包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
JP7246284B2 (ja)*2019-08-152023-03-27東京エレクトロン株式会社成膜方法
USD965044S1 (en)2019-08-192022-09-27Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD965524S1 (en)2019-08-192022-10-04Asm Ip Holding B.V.Susceptor support
JP2021031769A (ja)2019-08-212021-03-01エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ．成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko)2019-08-222021-03-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en)2019-08-222023-02-28Asm Ip Holding B.V.Insulator
USD940837S1 (en)2019-08-222022-01-11Asm Ip Holding B.V.Electrode
USD930782S1 (en)2019-08-222021-09-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor
USD949319S1 (en)2019-08-222022-04-19Asm Ip Holding B.V.Exhaust duct
US11286558B2 (en)2019-08-232022-03-29Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko)2019-08-232021-03-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko)2019-09-042025-05-12에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko)2019-09-052024-11-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11562901B2 (en)2019-09-252023-01-24Asm Ip Holding B.V.Substrate processing method
CN112593212B (zh)2019-10-022023-12-22Asm Ip私人控股有限公司通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko)2019-10-082021-04-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh)2019-10-082021-08-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh)2019-10-082024-07-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司基板處理裝置
TWI846966B (zh)2019-10-102024-07-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en)2019-10-142024-06-11Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh)2019-10-162024-03-11荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en)2019-10-172023-04-25Asm Ip Holding B.V.Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko)2019-10-212025-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko)2019-10-252021-05-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN110629205B (zh)*2019-10-292024-02-13苏州创瑞机电科技有限公司气相沉积炉、其使用方法及气相沉积系统
US11646205B2 (en)2019-10-292023-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko)2019-11-052021-05-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en)2019-11-152022-11-15Asm Ip Holding B.V.Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko)2019-11-202025-09-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh)2019-11-262025-07-29Asmip私人控股有限公司基板处理设备
US11450529B2 (en)2019-11-262022-09-20Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN120432376A (zh)2019-11-292025-08-05Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
CN112885692B (zh)2019-11-292025-08-15Asmip私人控股有限公司基板处理设备
JP7527928B2 (ja)2019-12-022024-08-05エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko)2019-12-042021-06-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210078405A (ko)2019-12-172021-06-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko)2019-12-192021-06-30에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja)2020-01-062025-08-28エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
JP7636892B2 (ja)2020-01-062025-02-27エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーチャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en)2020-01-082024-05-28Asm Ip Holding B.V.Injector
KR20210093163A (ko)2020-01-162021-07-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko)2020-01-202024-06-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh)2020-01-292025-07-11荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh)2020-02-032025-04-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko)2020-02-042021-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en)2020-02-072023-10-03Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh)2020-02-132021-12-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR20210103956A (ko)2020-02-132021-08-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh)2020-02-172024-09-11荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用於生長磷摻雜矽層之方法
CN113410160A (zh)2020-02-282021-09-17Asm Ip私人控股有限公司专用于零件清洁的系统
KR20210113043A (ko)2020-03-042021-09-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko)2020-03-112021-09-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en)2020-03-112024-01-16Asm Ip Holding B.V.Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko)2020-03-122025-02-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
JP2021150383A (ja)*2020-03-172021-09-27東京エレクトロン株式会社基板処理方法及び基板処理装置
US12173404B2 (en)2020-03-172024-12-24Asm Ip Holding B.V.Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko)2020-04-022025-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 형성 방법
TWI887376B (zh)2020-04-032025-06-21荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh)2020-04-082025-07-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en)2020-04-152023-11-21Asm Ip Holding B.V.Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko)2020-04-152021-10-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en)2020-04-162024-05-28Asm Ip Holding B.V.Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko)2020-04-212021-11-01에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132612A (ko)2020-04-242021-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
CN113555279A (zh)2020-04-242021-10-26Asm Ip私人控股有限公司形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102866804B1 (ko)2020-04-242025-09-30에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202208671A (zh)2020-04-242022-03-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko)2020-04-242021-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko)2020-04-292025-03-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko)2020-05-012021-11-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja)2020-05-042025-08-20エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー基板を処理するための基板処理システム
KR102788543B1 (ko)2020-05-132025-03-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh)2020-05-152021-12-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko)2020-05-192021-11-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210145079A (ko)2020-05-212021-12-01에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko)2020-05-212025-04-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh)2020-05-222025-02-21荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko)2020-05-262021-12-06에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh)2020-05-292025-03-11荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司基板處理方法
TW202212620A (zh)2020-06-022022-04-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh)2020-06-162022-03-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司沉積含硼之矽鍺層的方法
TWI797640B (zh)2020-06-182023-04-01法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司基於矽之自組裝單層組成物及使用該組成物之表面製備
TW202218133A (zh)2020-06-242022-05-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司形成含矽層之方法
TWI873359B (zh)2020-06-302025-02-21荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司基板處理方法
US12431354B2 (en)2020-07-012025-09-30Asm Ip Holding B.V.Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh)2020-07-082022-01-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司基板處理方法
KR20220010438A (ko)2020-07-172022-01-25에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko)2020-07-202022-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh)2020-07-202025-04-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用於沉積鉬層之方法及系統
US12322591B2 (en)2020-07-272025-06-03Asm Ip Holding B.V.Thin film deposition process
KR20220021863A (ko)2020-08-142022-02-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
US12040177B2 (en)2020-08-182024-07-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh)2020-08-252022-08-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en)2020-08-262023-08-15Asm Ip Holding B.V.Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh)2020-08-272022-08-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh)2020-09-102022-05-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en)2020-09-112023-06-27Asm Ip Holding B.V.Weighted lift pin
KR20220036866A (ko)2020-09-162022-03-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en)2020-09-242024-01-30Asm Ip Holding B.V.Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh)2020-09-252025-07-11荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司基板處理方法
US12009224B2 (en)2020-09-292024-06-11Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko)2020-10-062022-04-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh)2020-10-072022-04-08Asm Ip私人控股有限公司气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh)2020-10-142022-08-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202232565A (zh)2020-10-152022-08-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置
TW202217037A (zh)2020-10-222022-05-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh)2020-10-282022-06-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh)2020-11-122022-08-01特文特大學沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh)2020-11-232022-08-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh)2020-11-242022-09-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh)2020-11-302022-09-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en)2020-12-102025-03-18Asm Ip Holding B.V.Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh)2020-12-142022-09-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en)2020-12-162024-04-02Asm Ip Holding B.V.Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh)2020-12-182022-08-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh)2020-12-222022-07-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh)2020-12-222022-11-01荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh)2020-12-222022-08-16荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en)2021-05-112024-04-23Asm Ip Holding B.V.Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en)2021-05-112023-03-28Asm Ip Holding B.V.Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en)2021-09-072023-06-27Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate
CN114074063A (zh)*2021-11-222022-02-22深圳市深赛尔股份有限公司一种用多组分水性组合物涂覆金属表面的方法
USD1060598S1 (en)2021-12-032025-02-04Asm Ip Holding B.V.Split showerhead cover
CN118600395A (zh)*2024-07-112024-09-06国鲸合创(青岛)科技有限公司生长柔性发光显示材料中绝缘层的设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JPH01204434A (ja)*1988-02-091989-08-17Nec Corp絶縁薄膜の製造方法
US6391803B1 (en)*2001-06-202002-05-21Samsung Electronics Co., Ltd.Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US6667236B2 (en)*2000-03-202003-12-23Koninklijke Philips Electronics N.V.Method of manufacturing a two layer liner for dual damascene vias
JP2004281853A (ja)*2003-03-182004-10-07Hitachi Kokusai Electric Inc基板処理装置
JP2005175408A (ja)*2003-12-052005-06-30Semiconductor Res Found酸化・窒化絶縁薄膜の形成方法
JP2006054432A (ja)*2004-07-152006-02-23Tokyo Electron Ltd成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US7875312B2 (en)*2006-05-232011-01-25Air Products And Chemicals, Inc.Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JPH01204434A (ja)*1988-02-091989-08-17Nec Corp絶縁薄膜の製造方法
US6667236B2 (en)*2000-03-202003-12-23Koninklijke Philips Electronics N.V.Method of manufacturing a two layer liner for dual damascene vias
US6391803B1 (en)*2001-06-202002-05-21Samsung Electronics Co., Ltd.Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
JP2003007700A (ja)*2001-06-202003-01-10Samsung Electronics Co Ltdトリスジメチルアミノシランを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
JP2004281853A (ja)*2003-03-182004-10-07Hitachi Kokusai Electric Inc基板処理装置
JP2005175408A (ja)*2003-12-052005-06-30Semiconductor Res Found酸化・窒化絶縁薄膜の形成方法
JP2006054432A (ja)*2004-07-152006-02-23Tokyo Electron Ltd成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Also Published As

Publication numberPublication date
CN101154589B (zh)2015-07-29
US20080081104A1 (en)2008-04-03
US7906168B2 (en)2011-03-15
CN101154589A (zh)2008-04-02
KR20080029846A (ko)2008-04-03
TW200832554A (en)2008-08-01

Similar Documents

PublicationPublication DateTitle
TWI462179B (zh)用以形成氧化矽膜之成膜方法與裝置
KR100980127B1 (ko)반도체 처리용의 성막 방법 및 장치와, 컴퓨터 판독 가능한 매체
US8357619B2 (en)Film formation method for forming silicon-containing insulating film
KR100957879B1 (ko)반도체 처리용 성막 방법 및 장치와, 컴퓨터로 판독 가능한 매체
KR100954243B1 (ko)반도체 처리용 성막 장치 및 방법과 컴퓨터로 판독 가능한 매체
TWI516631B (zh)半導體處理用之批次化學氣相沉積方法及設備
US7964241B2 (en)Film formation method and apparatus for semiconductor process
KR100935257B1 (ko)반도체 처리용 성막 방법 및 장치와, 컴퓨터 판독 가능 매체
TWI552225B (zh)ＳｉＣＮ膜之形成方法及裝置
CN101713067B (zh)成膜方法及成膜装置
TWI383448B (zh)形成含矽絕緣膜之方法及裝置
US8646407B2 (en)Film formation apparatus for semiconductor process and method for using the same
TWI423335B (zh)膜形成方法及半導體製程用裝置
JP5258229B2 (ja)成膜方法および成膜装置
TWI443714B (zh)成膜裝置及使用其之方法
US8349401B2 (en)Film formation apparatus and method for using same
KR20070100125A (ko)반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치 및 방법
US20090114156A1 (en)Film formation apparatus for semiconductor process
JP2017005016A (ja)半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
[8]ページ先頭
©2009-2025 Movatter.jp