SU940221A1 - Method of radiation-sensitive recording information - Google Patents

Description

Translated fromRussian

1one

Изобретение OTHOCJITCH к приборостроению , в частности к способу радиационночувствительной записи информации на многослойный носитель.The invention of OTHOCJITCH to instrumentation, in particular to the method of radiation-sensitive recording of information on multilayer media.

Известен способ записи излучением,при котором в качестве носител  используетс  полупроводниковый материал, обладающий фоточувствительными свойствами, нанесенный на основу, выполн ющую роль барьера 1.There is a known method of recording radiation, in which a semiconductor material with photosensitive properties, applied to a substrate, acting as a barrier 1, is used as a carrier.

Качество записи и воспроизведени  информации при этом способе достаточно высокое, но дл  его реализации требуетс  не только локальный, но и мощный источник излучени .The quality of recording and reproducing information with this method is rather high, but for its realization not only a local but also a powerful source of radiation is required.

Применение многослойного устройства дл  записи информации 2, где слои разделены барьерами, каждый из которых взаимодействует со своим носителем, затруднительно из-за конструктивной сложности , поэтому способ малоприемлем, так как он предусматривает именно запись на многослойный носитель.The use of a multilayer device for recording information 2, where the layers are separated by barriers, each of which interacts with its carrier, is difficult because of the structural complexity, so the method is hardly acceptable, since it provides for recording onto multilayer media.

Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ радиационно-чувствительной записи, основанный на облучении носител , состо щего из полупроводникового, барьерного и металлического слоев, актиничным излучением 3.The closest to the present invention is a method of radiation-sensitive recording, based on the irradiation of the carrier, consisting of semiconductor, barrier and metal layers, and actinic radiation 3.

Однако такой способ не позвол ет с достаточной надежностью осуществл ть хранение записанной информации и иметь достаточно высокую чувствительность.However, this method does not allow with sufficient reliability to store the recorded information and have a sufficiently high sensitivity.

Цель изобретени  - повыщение надежности хранени  записанной информации и повыщение чувствительности.The purpose of the invention is to increase the reliability of storage of recorded information and increase sensitivity.

Это достигаетс  тем, что по предлагае10 мому способу запись ведут короткими импульсами излучени  до локального разрущени  барьерного сло  за счет электрического пробо  в месте фокусировки излучени .This is achieved by the fact that according to the proposed method, recording is carried out with short radiation pulses until local destruction of the barrier layer due to electrical breakdown at the focusing point of the radiation.

Фиг. 1-3 по сн ют предлагаемый спо15 соб.FIG. 1-3, the proposed method is deleted.

При облучении импульсами больщой мощности и малой длительности в первую очередь в слое 1 полупроводника возникает 2Q объемный зар д, который создает напр женность пол , достаточную дл  пробо  барьерного сло  2. В результате пробо  целостность этого сло  нарушаетс  и атомы металла из сло  3 диффундируют в облученную область.When irradiated with pulses of high power and short duration, first of all, in the semiconductor layer 1, a 2Q volume charge arises, which creates a field strength sufficient for breakdown of the barrier layer 2. As a result, the integrity of this layer is broken and the metal atoms from layer 3 diffuse into the irradiated region.

Из расчетных данных следует, что при длительности импульсов менее 1 мкс и плотности мощности более 10 Вт/см может возникнуть напр женность 10 - 10 В/см, т.е. вполне достаточна  дл  пробо  большинства диэлектрических материалов.From the calculated data, it follows that with a pulse duration of less than 1 µs and a power density of more than 10 W / cm, a intensity of 10 - 10 V / cm may occur, i.e. quite sufficient for the breakdown of most dielectric materials.

Claims (3)

Translated fromRussian

1.Патент США № 3359376, Кл. 179-100.3, опублик. 1967.1. US patent number 3359376, CL. 179-100.3, publ. 1967.2.Патент США № 3369251, КЛ. 346-74, опублик, 1968.2. US patent number 3369251, CL. 346-74, published in 1968.3.Авторское свидетельство СССР № 394748, КЛ. G 03 G 17/00, 1971.3. USSR author's certificate number 394748, CL. G 03 G 17/00, 1971.