Movatterモバイル変換


[0]ホーム

URL:


SU416738A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU416738A1
SU416738A1SU1612765ASU1612765ASU416738A1SU 416738 A1SU416738 A1SU 416738A1SU 1612765 ASU1612765 ASU 1612765ASU 1612765 ASU1612765 ASU 1612765ASU 416738 A1SU416738 A1SU 416738A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cord
plate
semiconductor
current
electrode
Prior art date
Application number
SU1612765A
Other languages
Russian (ru)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filedfiledCritical
Priority to SU1612765ApriorityCriticalpatent/SU416738A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU416738A1publicationCriticalpatent/SU416738A1/ru

Links

Landscapes

Description

Translated fromRussian

1one

Изобретение относитс  к радиотехнике, в частности к устройствам дл  развертки онтических изображений.The invention relates to radio engineering, in particular, to devices for scanning optical images.

Известим устройства дл  гтреобразованн  онтической информацни содержащие узкую полунроводниковую пластину, на двух противолежащих гран х которой нанесены электроды , в частности устройство на основе эффекта Ганна.We shall inform the devices for the reconstructed ontic information containing a narrow semiconductor plate, on the two opposite sides of which there are electrodes, in particular, a device based on the Gunn effect.

Такне устройства характеризуютс  невысокой разрещаюн1ей способностью и дл  своего функционировани  требует использовани  высоких иапр женпй.Also, the devices are characterized by low resolution ability and require high utilization for their operation.

Предлагаемое устройство дл  нреобразовани  онтической информации отличаетс  тем, что электроды нанесены на чувствительиую поверхность нластнны и ей противоиоложпую грань, нрп этом электрод, панесенный на чувствительную новер хность,выполнен светопроницаемым , а иолупроводникова  пластина помещена в стационарное магнитиое поле, силовые линнн которого нерпепдикул рпы к направлонню дпиж-ени  шнурн тока.The proposed device for the transformation of ontic information is characterized in that the electrodes are deposited on a sensitive surface and its anti-lateral face, on this electrode, placed on a sensitive surface, is translucent, and the i-conductor plate is placed in a stationary magnetic field, with a force beam. dpizh-yeni cord current.

Это позвол ет повысить разрешающую способность устройства и одновременно уменьшить пнтающне напр жени .This makes it possible to increase the resolution of the device and at the same time reduce the voltage.

На чертеже нзображена схема предлагаемого устройства.The drawing shows a diagram of the proposed device.

Устройство содержит узкую нолупроводннковую нласт1П1 - / с нанесенными на псе элек9The device contains a narrow noluprovodnnkovuyu nlast1P1 - / s printed on the dog elek9

тродами 2 и 3 (электрод 2 светопроницаем). Пластина помещена в стационарное магнитное поле между полюсами магиита 4. 5 - псточннк напр жени , 6 - нагрузочный резпстор .Trodes 2 and 3 (electrode 2 is transparent). The plate is placed in a stationary magnetic field between the poles of magitite 4. 5 - pstnochnnk voltage, 6 - load rezstor.

Прн подаче па электроды 2 и 3 нмпульсов напр женн  с псточннка 5, амплитуда которых достаточна дл  переключени  полупроводника в состо ние с отрицательным диффереициальным сопротивленнем, н ири достаточно больШОЛ1 сонротнвленнп пагрузки в полупроводниKOBoii пластине наблюдаетс  неоднородное раснределепне нлотн1эстп тока - токовые линнн ст гиваютс  возле какой-лнбо )1еодпородности , нанрнмер у кра  электрода, и образуетс  узка  зона повыщеш ой проводнмости, или «шнур тока.Prn supplying electrodes 2 and 3 pulses is strained with pstnochnka 5, the amplitude of which is enough to be used to switch the semiconductor to a state with a negative differential resistance, and a sufficiently large displacement of the semiconductor load into the semiconductor KOBoii plate shows a non-uniform distribution of the discontinued and not found and there is not a part of the disconnected from it and the loading of the semiconductor into the semiconductor KOBoii plate. It is also known that it is heterogeneous, nanrnmer at the edge of the electrode, and a narrow upward conduction zone is formed, or a "cord of current."

Еслн номестпть такую нластину в стационарное магиитное поле, силовые лищш которого иериендпкул рны к осн шнура тока и боковой гранн пластины,то щпур начнет персмениттьс  вдоль пластннЕз к торцовой стенке, протпвоположпой месту возникновени  шнура. Еслн скорость поверхностной реколюинацни мала но сравнению со скоростью движени  шнура, шнур останавливаетс  у стенки пластины н разрушаетс . Прн последовательной иодаче нмнульсов нанр женн  заданной частоты с HCT04HHi;a 5 осун1ествл етс  нсрнодичиость движени  шпура от места его возникновени If such a nlastin is placed in a stationary mag- netic field, whose force plates are attached to the base of the current cord and the side face of the plate, the wire will begin to change along the plastering to the end wall opposite to the origin of the cord. If the speed of the surface recoil is small, but compared to the speed of the cord, the cord stops at the wall of the plate and is destroyed. Prn sequential iodine nmnulse nannuzhn of a given frequency with HCT04HHi; a 5 causes the movement of the hole from its place of origin

до протпвоположпой степкы пластины. Пои двнжеппн шпура иеравиовесмые носители, соответствующие спроецированному на верхнюю грапь (на светонроннцаемын электрод 2) .изображепню , будут считыватьс  шнуром. Соответственно этому ток во внешней дени н выходной снгпал с нагрузочного резистора 6 6vдут нзмен тье  нронорционально числу нерн новеспых носителей. Такнм образом, шпур нграет роль нровод щего канала, через который 1не{рав:иооесные носите.ш подадаюг с освепденных участков светочувствительной новерхностн во внешнюю день. Этот HJHyji, исремеша сь в магнитном ноле, осун1,.1 ет линейную развертку изображени . Следует также от,метить, что скоросчъ двнженн  шнура jHHiefiно зависит от ве.тнчииы магнитного нол .until the next steppe plate. Poi dvizhenp of the hole and the equilibrium carriers corresponding to the image projected on the upper grap (on the light of the electrode 2). The image will be read by a cord. Accordingly, the current in the external day and the output voltage from the load resistor 6 6v will be replaced by the norm of the number of unloaded carriers. In this way, the hole will play the role of the conductive channel through which one does not {{equal: ioosnye) carry the sub-floor from the updated parts of the photosensitive surface on an external day. This HJHyji, imbued in a magnetic field, is a base 1, .1 em linear scan of the image. It should also be noted that the speed of the cord jHHiefin cord depends on the magnitude of the magnetic field.

П реP re

е т и 3 о о р е т е н н  ET and 3 o r e t e n e

ЛСтронстпо дл  ирсооразовапи  онтическои ::1формац1Л, содержащее rrpej-BiyniecTiieiinoLsStronstpo for Irsoorazapi ontichesko :: 1formats1L containing rrpej-BiyniecTiieiino

1 ОЛ Н|101юдн: К01;ую пластину, на двух i)jT;iB(,4:ie/KaHUix гран х которой нанесены электр1),аы, огл11ма ои{ссс:1 тем, что, с целью и;)ьн1:е1н:  ;п;зре ;игощей снособиости устройст1 а и одиовремепюго уме1НЯ11ени  нитаюших 1 ОЛ Н | 101юдн: К01; th plate, on two i) jT; iB (, 4: ie / KaHUix faces of which are applied to electr1), ay, ogl11ma oi {sss: 1 so that, with a view to and;) h1 : e1n:; n; to see; the needles of the dislocation of the device and the superior temper of the people

напр жений электроды нанесены на чувствите ,1ьную п;):;ерхн()сть нластнны н ей нротиво11олож ую грань, нри этом электрод, нанесениы11 на ), поверхность, вынолнен светонрог.ннаемы.м, а нолуироводникова  нлаетина ino:iieni::i: a в стацнонарное магнитное поле , сн,;овые ;нннн-1 которого нернеидикул рны к нанра ленню движени  шнура тока.voltage electrodes are applied to the sensation, 1 n;) :; super () is insignificant on the opposite side, and the electrode is applied on), the surface is made by the light gauge, and the nlaiotina nlaetina ino: iieni :: i : a in a stationary magnetic field, sn,; new; nnnn-1 which is non-necidal to the current movement of the current cord.

SU1612765A1970-12-241970-12-24SU416738A1 (en)

Priority Applications (1)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
SU1612765ASU416738A1 (en)1970-12-241970-12-24

Applications Claiming Priority (1)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
SU1612765ASU416738A1 (en)1970-12-241970-12-24

Publications (1)

Publication NumberPublication Date
SU416738A1true SU416738A1 (en)1974-02-25

Family

ID=20463939

Family Applications (1)

Application NumberTitlePriority DateFiling Date
SU1612765ASU416738A1 (en)1970-12-241970-12-24

Country Status (1)

CountryLink
SU (1)SU416738A1 (en)

Similar Documents

PublicationPublication DateTitle
US3816840A (en)Electrographic recording process and apparatus using conductive toner subject to a capacitive force
ATE140096T1 (en) LIQUID CRYSTAL DEVICE
ES412340A1 (en)Electrographic development process
KR830004830A (en) Ultrasound diagnostic device
KR920020280A (en) Contact charging method and apparatus
KR870011481A (en) Time Division Driving Method of Optical Switch Device Using Ferroelectric Liquid Crystal
FR2376549A1 (en) BISTABLE ELECTRETS SYSTEM
SU416738A1 (en)
KR860009317A (en) Driving circuit of liquid crystal display device
GB774051A (en)Solid-state radiation amplifier
BE806762A (en) COLLECTOR REST VOLTAGE STABILIZATION CIRCUIT OF A CURRENT POLARIZED TRANSISTOR
GB1374557A (en)Corona charging apparatus
US3434008A (en)Solid state scanning system
GB1316241A (en)Image storage devices
DE69118377D1 (en) VARISTOR CONTROLLED LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
JPS55120010A (en)Picture image display plate
US3107314A (en)Electroluminescent-ferroelectric-photoconductive display device
GB920410A (en)Arrangement for scanning radiation-sensitive or radiation-emissive surfaces
JPS5583818A (en)Level detector
GB1414894A (en)Electro-optical devices
JPS5433725A (en)Electrostatic recording system
SU505219A1 (en)Magnetosensitive element
SU341378A1 (en)Thyristor
SU140821A1 (en) Electroluminescent screen
SU570282A1 (en)Memory element

[8]ページ先頭

©2009-2025 Movatter.jp