Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов, конкретнее к светодиодам на основе широкозонных нитридных соединений типа AIIIBV.The invention relates to the field of semiconductor emitting devices, and more particularly to LEDs based on wide-gap nitride compounds of type AIII BV.
Известен полупроводниковый светоизлучающий элемент, содержащий подложку, буферный слой, n-контактный слой, выполненный из GaN и легированный Si, р-контактный слой, выполненный из GaN и легированный Mg, F.Calle et al., MRS J.Nitride Semicond. Res. 3 (1998) 24.Known semiconductor light-emitting element containing a substrate, a buffer layer, an n-contact layer made of GaN and doped with Si, a p-contact layer made of GaN and doped with Mg, F. Calle et al., MRS J. Nitride Semicond. Res. 3 (1998) 24.
Это техническое решение обеспечивает максимальную простоту конструкции прибора, однако не позволяет получить высокую внутреннюю эффективность излучения и длину волны излучения менее 365 нм.This technical solution provides the maximum simplicity of the design of the device, but does not allow to obtain high internal radiation efficiency and a radiation wavelength of less than 365 nm.
Известен также полупроводниковый элемент, излучающий свет в ультрафиолетовом диапазоне, структура которого последовательно включает подложку, буферный слой, выполненный из нитридного материала, n-контактный слой, выполненный из нитридного материала Alx1Iny1Ga1-x1-y1N, легированного Si, активный слой, выполненный из нитридного материала Alx2Iny2Ga1-x2-y2N, легированный одновременно донорами и акцепторами, и р-контактный слой, выполненный из нитридного материала Alx3Iny3Ga1-x3-y3N, легированного Mg, где вышеупомянутые слои образуют либо одностороннюю, либо двухстороннюю гетероструктуру, US 6005258.Also known is a semiconductor element emitting light in the ultraviolet range, the structure of which consistently includes a substrate, a buffer layer made of nitride material, an n-contact layer made of nitride material Alx1 Iny1 Ga1-x1-y1 N, doped with Si, active a layer made of nitride material Alx2 Iny2 Ga1-x2-y2 N, simultaneously doped with donors and acceptors, and a p-contact layer made of nitride material Alx3 Iny3 Ga1-x3-y3 N, doped with Mg, where the above layers form either one-sided, l bo bi-heterostructure, US 6,005,258.
В данной конструкции для повышения внутренней квантовой эффективности светоизлучающего элемента используется либо солегирование донорами и акцепторами активного слоя гетероструктуры, либо замена односторонней структуры двухсторонней.In this design, to increase the internal quantum efficiency of the light-emitting element, either the active layer of the heterostructure is donated and accepted by the donors and acceptors, or the one-sided structure is replaced by a two-sided one.
Данное техническое решение выбрано в качестве прототипа настоящего изобретения.This technical solution is selected as a prototype of the present invention.
Однако этот полупроводниковый светоизлучающий элемент пригоден, в первую очередь, для генерации излучения с длиной волны 350 нм и более. В более коротковолновом диапазоне внутренняя эффективность излучения устройства-прототипа резко деградирует.However, this semiconductor light emitting element is suitable primarily for generating radiation with a wavelength of 350 nm or more. In the shorter wavelength range, the internal radiation efficiency of the prototype device is sharply degraded.
Это объясняется тем, что для работы элемента в ультрафиолетовом спектральном диапазоне (с длиной волны излучения 300 нм и менее) требуется использование нитридных соединений с высоким содержанием AlN. В этом случае наиболее существенными факторами, определяющими эффективность излучения, являются ограничение носителей в активном слое и подавление потенциальных барьеров, связанных с поляризационными зарядами, возникающими на интерфейсах со скачкообразным изменением состава. В устройстве-прототипе ограничение носителей в пределах активного слоя недостаточно. В результате инжектируемые дырки могут свободно проникать в n-контактный слой, а электроны - в р-контактный слой, где они рекомбинируют преимущественно безызлучательно, приводя к резкому снижению внутренней эффективности.This is explained by the fact that for the element to operate in the ultraviolet spectral range (with a radiation wavelength of 300 nm or less), the use of nitride compounds with a high AlN content is required. In this case, the most significant factors determining the radiation efficiency are carrier limitation in the active layer and suppression of potential barriers associated with polarization charges arising at interfaces with an abrupt change in composition. In the prototype device, limiting the media within the active layer is not enough. As a result, injected holes can freely penetrate into the n-contact layer, and electrons can penetrate into the p-contact layer, where they recombine predominantly nonradiatively, leading to a sharp decrease in the internal efficiency.
В основу данного изобретения положено решение задачи расширения диапазона ультрафиолетового излучения до 240-300 нм, повышения внутренней эффективности излучения при одновременном упрощении конструкции светоизлучающего элемента.The basis of this invention is the solution to the problem of expanding the range of ultraviolet radiation to 240-300 nm, increasing the internal radiation efficiency while simplifying the design of the light-emitting element.
Согласно изобретению эта задача решается за счет того, что в полупроводниковом элементе, излучающем свет в ультрафиолетовом диапазоне, структура которого последовательно включает подложку, буферный слой, выполненный из нитридного материала, n-контактный слой, выполненный из нитридного материала AlX1InX2Ga1-X1-X2N, легированного Si, активный слой, выполненный из нитридного материала AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N, и р-контактный слой, выполненный из нитридного материала AlZ1InZ2Ga1-Z1-Z2N, легированного Mg, активный слой разделен на две области, при этом прилегающая к контактному слою область легирована Si и имеет проводимость n-типа, а другая область активного слоя легирована Mg и имеет проводимость р-типа, мольная доля Al (Y1) в области активного слоя с проводимостью n-типа непрерывно и монотонно уменьшается от границы с n-контактным слоем до границы с областью активного слоя, имеющей проводимость р-типа, и находится в пределах 0,1≤Y1≤1, причем разница значений Y1 на границах области активного слоя с проводимостью n-типа составляет не менее 0,04, а ширина запрещенной зоны в области активного слоя с проводимостью р-типа на ее границе с областью с проводимостью n-типа не менее чем на 0,1 эВ превышает максимальную ширину запрещенной зоны области с проводимостью n-типа.According to the invention, this problem is solved due to the fact that in the semiconductor element emitting light in the ultraviolet range, the structure of which consistently includes a substrate, a buffer layer made of nitride material, an n-contact layer made of nitride material AlX1 InX2 Ga1- X1-X2 N doped with Si, an active layer made of nitride material AlY1 InY2 Ga1-Y1-Y2 N, and a p-contact layer made of nitride material AlZ1 InZ2 Ga1-Z1-Z2 N doped Mg, the active layer is divided into two regions, while the adjacent the contact layer, the region is doped with Si and has n-type conductivity, and the other region of the active layer is doped with Mg and has p-type conductivity, the molar fraction of Al (Y1) in the region of the active layer with n-type conductivity continuously and monotonously decreases from the boundary with n- contact layer to the boundary with the region of the active layer having p-type conductivity, and is in the range 0.1≤Y1≤1, and the difference in the values of Y1 at the boundaries of the region of the active layer with n-type conductivity is at least 0.04, and the width band gap in the region of the active layer with conductivity p-type at its boundary with the region with n-type conductivity is not less than 0.1 eV exceeds the maximum band gap of the region with n-type conductivity.
Заявителем не выявлены источники, содержащие информацию о технических решениях, идентичных настоящему изобретению, что позволяет сделать вывод о его соответствии критерию «новизна».The applicant has not identified sources containing information about technical solutions identical to the present invention, which allows us to conclude that it meets the criterion of "novelty."
Реализация отличительных признаков изобретения обеспечивает повышение эффективности излучения за счет расширения активного слоя по сравнению с традиционными двухсторонними структурами на основе квантовых ям, где критичным фактором является качество интерфейсов и профиль легирования вблизи них. Кроме того, широкая активная область снижает тепловую нагрузку на активный слой, что дополнительно благоприятствует повышению эффективности прибора.The implementation of the distinguishing features of the invention provides an increase in the radiation efficiency due to the expansion of the active layer in comparison with traditional double-sided structures based on quantum wells, where the quality of interfaces and the doping profile near them are a critical factor. In addition, the wide active region reduces the heat load on the active layer, which further contributes to an increase in the efficiency of the device.
Использование содержания InN в слоях гетероструктуры с указанными мольными долями In, с одной стороны, способствует уменьшению концентрации собственных точечных дефектов в материале, что благоприятно для повышения внутренней эффективности излучения, а с другой стороны, не приводит к распаду на фазы твердых растворов AlxInyGa1-x-yN, сопровождающемуся генерацией протяженных дефектов, резко снижающему квантовый выход излучения.The use of the InN content in heterostructure layers with the indicated molar fractions of In, on the one hand, helps to reduce the concentration of intrinsic point defects in the material, which is favorable for increasing the internal radiation efficiency, and, on the other hand, does not lead to decomposition into phases of Alx Iny solid solutions Ga1-xy N, accompanied by the generation of extended defects, sharply reducing the quantum yield of radiation.
Для подавления проникновения дырок в n-контактный слой в предлагаемой конструкции применяется плавное изменение ширины запрещенной зоны в n-области активного слоя за счет вариации его состава. Это создает для дырок встроенное электрическое поле, оттягивающее их от n-контактного слоя по направлению к границе р-n перехода. Величина тянущего поля контролируется разницей значений у, на границах области активного слоя с проводимостью n-типа в пределах 0,04.To suppress the penetration of holes into the n-contact layer in the proposed design, a smooth change in the band gap in the n-region of the active layer is applied due to variations in its composition. This creates a built-in electric field for holes, pulling them away from the n-contact layer towards the boundary of the pn junction. The magnitude of the pulling field is controlled by the difference in the values of y at the boundaries of the region of the active layer with n-type conductivity within 0.04.
Для предотвращения проникновения электронов в р-контактный слой формируется скачок состава (и, следовательно, ширины запрещенной зоны) на границе областей активного слоя с проводимостью n- и р-типа (n- и р-областей). Чтобы потенциальный барьер для электронов, созданный этим скачком, был эффективен и при больших уровнях инжекции, необходимо, чтобы ширина запрещенной зоны в р-области активного слоя на ее границе с n-областью была на 0.1 эВ больше, чем максимальная ширина запрещенной зоны в n-области активного слоя.To prevent the penetration of electrons into the p-contact layer, a jump in the composition (and, consequently, the band gap) is formed at the boundary of the regions of the active layer with n- and p-type conductivity (n- and p-regions). For the potential electron barrier created by this jump to be effective even at high injection levels, it is necessary that the band gap in the p region of the active layer at its boundary with the n region be 0.1 eV larger than the maximum band gap in n -regions of the active layer.
Заявителем не обнаружены какие-либо источники информации, содержащие сведения о влиянии заявленных отличительных признаков на достигаемые вследствие их реализации технический результат. Это, по мнению заявителя, свидетельствует о соответствии данного технического решения критерию «изобретательский уровень».The applicant has not found any sources of information containing information on the impact of the claimed distinctive features on the technical result achieved as a result of their implementation. This, according to the applicant, indicates that this technical solution meets the criterion of "inventive step".
Полупроводниковый элемент в конкретном исполнении во всех примерах имеет структуру, которая включает последовательно:The semiconductor element in a specific embodiment in all examples has a structure that includes in series:
- подложку 1, выполненную из сапфира, толщиной 500 мкм;- a substrate 1 made of sapphire with a thickness of 500 μm;
- буферный слой 2 из AlN толщиной 20 нм;- buffer layer 2 of AlN with a thickness of 20 nm;
- n-контактный слой 3, выполненный из ALX1INX2GA1-X1-X2N, в данном примере X1=0,52; X1может варьироваться от 0,1 до 1,0; Х2 может варьироваться от 0 до 0,05. Слой 3 легирован кремнием с концентрацией 5·1018 см-3, толщиной 1,5 мкм;- n-contact layer 3 made of ALX1 INX2 GA1-X1-X2 N, in this example, X1 = 0.52; X1 may vary from 0.1 to 1.0; X2 can vary from 0 to 0.05. Layer 3 is doped with silicon with a concentration of 5 · 1018 cm-3 , a thickness of 1.5 microns;
- активный слой, выполненный из AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N, где Y1=0,52, может лежать в пределах от 0,1 до 1, Y2=0 и может быть в пределах от 0 до 0,05; активный слой включает область 4, легированную Si с концентрацией 5·1018 см-3 с проводимостью n-типа, и область 5, легированную Mg с концентрацией 5·1019 см-3, имеющую проводимость р-типа;- the active layer made of AlY1 InY2 Ga1-Y1-Y2 N, where Y1 = 0.52, can lie in the range from 0.1 to 1, Y2 = 0 and can be in the range from 0 to 0 , 05; the active layer includes region 4 doped with Si with a concentration of 5 · 1018 cm-3 with n-type conductivity and region 5 doped with Mg with a concentration of 5 · 1019 cm-3 having p-type conductivity;
- р-контактный слой 6, выполненный из AlZ1InZ2Ga1-Z1-Z2N, в котором величина Z1=0,52; Z1 может варьироваться в пределах от 0,1 до 1,0; Z2 может быть в пределах от 0 до 0,05. Слой G легирован магнием с концентрацией 5·1019 см-3, толщиной 100 нм.- p-contact layer 6 made of AlZ1 InZ2 Ga1-Z1-Z2 N, in which the value of Z1 = 0.52; Z1 may vary from 0.1 to 1.0; Z2 may be in the range from 0 to 0.05. Layer G is doped with magnesium with a concentration of 5 · 1019 cm-3 and a thickness of 100 nm.
Полупроводниковый элемент представляет собой одностороннюю светодиодную гетероструктуру с переменным составом активного слоя, которая позволяет получить внутреннюю эффективность на уровне 15-35% при плотностях тока, изменяющихся в диапазоне от 1 А/см2 до 100 А/см2и плотности проникающих дислокаций ~109 см-2. Следует при этом отметить, что уменьшение плотности дислокации в светодиоде приводит к резкому повышению его внутренней эффективности. При плотности дислокации ~107 см-2 возможно получить внутренний квантовый выход, превышающий 90%.The semiconductor element is a one-sided LED heterostructure with a variable composition of the active layer, which allows one to obtain an internal efficiency of 15-35% at current densities varying from 1 A / cm2 to 100 A / cm2 and the density of penetrating dislocations is ~ 109 cm-2 . It should be noted that a decrease in the dislocation density in an LED leads to a sharp increase in its internal efficiency. With a dislocation density of ~ 107 cm-2, it is possible to obtain an internal quantum yield in excess of 90%.
Для испытаний гетероструктуры выращивались на сапфировой подложке методом МОС-гидридной эпитаксии при субатмосферном давлении и температурах от 1000°С до 1100°С, n-контактные слои и n-области активных слоев легировались Si до концентрации 5·1018 см-3, что было установлено с помощью ВИМС (вторичная ионная масс-спектрометрия). р-области активных слоев и р-контактные слои легировались Mg до концентрации 5·1019 см-3.For testing, heterostructures were grown on a sapphire substrate by MOS hydride epitaxy at subatmospheric pressure and temperatures from 1000 ° C to 1100 ° C, n-contact layers and n-regions of active layers were doped with Si to a concentration of 5 · 1018 cm-3 , which was established using SIMS (secondary ion mass spectrometry). p-regions of the active layers and p-contact layers were doped with Mg to a concentration of 5 · 1019 cm-3 .
После процесса роста структура подвергалась сухому (ионному) травлению с целью формирования мезы до глубины, соответствующей уровню n-контактного слоя. Далее на вытравленную и оставшуюся части структуры наносились соответственно n- и р-контакты, представляющие собой многослойные металлические композиции, соответственно Ti/Al/Pt/Au и Ni/Au. Контакты вжигались в атмосфере азота при температуре 850°С в течение 30 секунд.After the growth process, the structure was subjected to dry (ion) etching in order to form a mesa to a depth corresponding to the level of the n-contact layer. Then, the n and p contacts, which are multilayer metal compositions, respectively, Ti / Al / Pt / Au and Ni / Au, were applied to the etched and remaining parts of the structure, respectively. The contacts were burned in an atmosphere of nitrogen at a temperature of 850 ° C for 30 seconds.
Далее из структуры вырезались отдельные светодиоды, которые монтировались на теплоотводе р-контактом вниз, и к ним припаивались золотые электроды для подвода электрического тока.Further, individual LEDs were cut out from the structure, which were mounted on the heat sink with the p-contact down, and gold electrodes were soldered to them to supply electric current.
Для исследования люминесцентных характеристик светодиодов использовался спектрометр КСВУ-12 со специально подобранной дифракционной решеткой, позволяющей осуществлять измерения в ультрафиолетовом спектральном диапазоне. В качестве детектора использовался фотоумножитель ФЭУ-100. Сигнал с фотоумножителя через цифровой вольтметр Щ1413 передавался на компьютер для окончательной обработки данных измерений.To study the luminescent characteristics of LEDs, we used a KSVU-12 spectrometer with a specially selected diffraction grating, which allows measurements in the ultraviolet spectral range. An FEU-100 photomultiplier was used as a detector. The signal from the photomultiplier was transmitted to a computer through the Sch1413 digital voltmeter for final processing of the measurement data.
Точность измерений интенсивности излучения была не хуже, чем 0,02%.The accuracy of radiation intensity measurements was no worse than 0.02%.
Для измерения внешней эффективности светодиода использовался калиброванный фотодетектор на основе аморфного Si:H (кремния, легированного водородом). Измерения проводились при фиксированной геометрии эксперимента, что позволяло количественно сравнивать излучение различных образцов.To measure the external efficiency of the LED, a calibrated photodetector based on amorphous Si: H (hydrogen doped silicon) was used. The measurements were carried out with a fixed experimental geometry, which made it possible to quantitatively compare the radiation of various samples.
Электролюминесценция светодиодов измерялась при выводе излучения через сапфировую подложку.The electroluminescence of LEDs was measured when radiation was output through a sapphire substrate.
Полученные в результате испытаний характеристики полупроводниковых светоизлучающих элементов приведены в таблице 1.The characteristics of semiconductor light-emitting elements obtained as a result of the tests are shown in Table 1.
В примерах 3, 4, 5, 6 внутренняя квантовая эффективность полупроводникового прибора превышает 15% и достигает на отдельных структурах уровня более 30% при плотности тока 100 А/см2. Дальнейшее повышение плотности тока приводит к росту эффективности до ~50% при плотности тока ~1 кА/см2, что важно для создания мощных светодиодов и лазеров ультрафиолетового диапазона.In examples 3, 4, 5, 6, the internal quantum efficiency of a semiconductor device exceeds 15% and reaches a level of more than 30% on individual structures at a current density of 100 A / cm2 . A further increase in current density leads to an increase in efficiency up to ~ 50% at a current density of ~ 1 kA / cm2 , which is important for creating high-power LEDs and ultraviolet lasers.
Приведенные примеры подтверждают высокую эффективность излучения в коротковолновой части ультрафиолетового спектра.The above examples confirm the high radiation efficiency in the short-wave part of the ultraviolet spectrum.
Для реализации светоизлучающих элементов использовано стандартное промышленное оборудование, что обусловливает соответствие изобретения критерию «промышленная применимость».To implement the light-emitting elements used standard industrial equipment, which determines the compliance of the invention with the criterion of "industrial applicability".
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2004127878/28ARU2262156C1 (en) | 2004-09-14 | 2004-09-14 | Semiconductor element emitting light in ultraviolet range |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2004127878/28ARU2262156C1 (en) | 2004-09-14 | 2004-09-14 | Semiconductor element emitting light in ultraviolet range |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2262156C1true RU2262156C1 (en) | 2005-10-10 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004127878/28ARU2262156C1 (en) | 2004-09-14 | 2004-09-14 | Semiconductor element emitting light in ultraviolet range |
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2262156C1 (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2398311C2 (en)* | 2008-06-16 | 2010-08-27 | Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. | Method of analysing quantum efficiency of semiconductor light-emitting device and analysis system using said method |
| RU2436195C1 (en)* | 2007-12-28 | 2011-12-10 | Нития Корпорейшн | Semiconductor light-emitting instrument and method for its manufacturing |
| RU2452061C2 (en)* | 2009-10-16 | 2012-05-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Нитридные кристаллы" | Semiconductor element emitting light in ultraviolet band |
| RU2456711C1 (en)* | 2010-11-11 | 2012-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" | Semiconductor light-emitting element |
| RU2720046C1 (en)* | 2019-07-17 | 2020-04-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" | Light-emitting heterostructure with quantum wells of combined profile |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729029A (en)* | 1996-09-06 | 1998-03-17 | Hewlett-Packard Company | Maximizing electrical doping while reducing material cracking in III-V nitride semiconductor devices |
| GB2344461A (en)* | 1998-12-02 | 2000-06-07 | Arima Optoelectronics Corp | Semiconductor light emitting devices |
| US6133589A (en)* | 1999-06-08 | 2000-10-17 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
| RU2159483C1 (en)* | 1999-08-13 | 2000-11-20 | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" | Epitaxial semiconductor nitride structure of group a3 elements |
| US6265726B1 (en)* | 1994-03-22 | 2001-07-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity |
| RU2202843C2 (en)* | 2001-04-27 | 2003-04-20 | Институт проблем химической физики РАН | Semiconductor adjustable-color electroluminescent light source |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265726B1 (en)* | 1994-03-22 | 2001-07-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity |
| US5729029A (en)* | 1996-09-06 | 1998-03-17 | Hewlett-Packard Company | Maximizing electrical doping while reducing material cracking in III-V nitride semiconductor devices |
| GB2344461A (en)* | 1998-12-02 | 2000-06-07 | Arima Optoelectronics Corp | Semiconductor light emitting devices |
| US6133589A (en)* | 1999-06-08 | 2000-10-17 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
| RU2159483C1 (en)* | 1999-08-13 | 2000-11-20 | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" | Epitaxial semiconductor nitride structure of group a3 elements |
| RU2202843C2 (en)* | 2001-04-27 | 2003-04-20 | Институт проблем химической физики РАН | Semiconductor adjustable-color electroluminescent light source |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2436195C1 (en)* | 2007-12-28 | 2011-12-10 | Нития Корпорейшн | Semiconductor light-emitting instrument and method for its manufacturing |
| RU2398311C2 (en)* | 2008-06-16 | 2010-08-27 | Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. | Method of analysing quantum efficiency of semiconductor light-emitting device and analysis system using said method |
| RU2452061C2 (en)* | 2009-10-16 | 2012-05-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Нитридные кристаллы" | Semiconductor element emitting light in ultraviolet band |
| RU2456711C1 (en)* | 2010-11-11 | 2012-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" | Semiconductor light-emitting element |
| RU2720046C1 (en)* | 2019-07-17 | 2020-04-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" | Light-emitting heterostructure with quantum wells of combined profile |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102377550B1 (en) | Semiconductor device and semiconductor device package including the same | |
| US10388828B2 (en) | Light-emitting semiconductor chip | |
| US20140332756A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| US20130001637A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
| US20130221320A1 (en) | Led with embedded doped current blocking layer | |
| RU2262155C1 (en) | Semiconductor element emitting light in ultraviolet range | |
| RU2262156C1 (en) | Semiconductor element emitting light in ultraviolet range | |
| RU2277736C1 (en) | Semiconductor element emitting light in visible-spectrum blue region | |
| KR20090084583A (en) | Nitride Semiconductor Light Emitting Device | |
| JP2021197533A (en) | Light-emitting element | |
| KR102444467B1 (en) | light emitting diode | |
| KR100999694B1 (en) | Light emitting element | |
| JP2023076266A (en) | Light-emitting element | |
| KR102358690B1 (en) | Semiconductor device and semiconductor device package and light unit including the same | |
| TW202129994A (en) | Polarised emission from quantum wires in cubic gan | |
| Fang et al. | Electron and hole traps in GaN pin photodetectors grown by reactive molecular beam epitaxy | |
| TWI895500B (en) | Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element | |
| US7042013B2 (en) | Radiation-emitting semiconductor component | |
| KR100925059B1 (en) | White light emitting device and its manufacturing method | |
| US20240304754A1 (en) | ELECTRON OVERFLOW OF AIGaN DEEP ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODES | |
| RU2452061C2 (en) | Semiconductor element emitting light in ultraviolet band | |
| KR102438767B1 (en) | Semiconductor device and semiconductor device package | |
| JP2024002365A (en) | Ultraviolet semiconductor light-emitting element | |
| JP2021197531A (en) | Light emitting element and its manufacturing method | |
| KR101501149B1 (en) | Light emitting device |
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent | Effective date:20080519 | |
| QB4A | Licence on use of patent | Effective date:20100721 | |
| QC41 | Official registration of the termination of the licence agreement or other agreements on the disposal of an exclusive right | Free format text:LICENCE FORMERLY AGREED ON 20080519 Effective date:20130610 Free format text:LICENCE FORMERLY AGREED ON 20100721 Effective date:20130610 | |
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right | Effective date:20130614 | |
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees | Effective date:20170915 |