Movatterモバイル変換


[0]ホーム

URL:


RU2141647C1 - Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности - Google Patents

Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности
Download PDF

Info

Publication number
RU2141647C1
RU2141647C1RU98121268/28ARU98121268ARU2141647C1RU 2141647 C1RU2141647 C1RU 2141647C1RU 98121268/28 ARU98121268/28 ARU 98121268/28ARU 98121268 ARU98121268 ARU 98121268ARU 2141647 C1RU2141647 C1RU 2141647C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
rotation
analyzed surface
axis
analyzed
Prior art date
Application number
RU98121268/28A
Other languages
English (en)
Inventor
А.В. Войналович
Original Assignee
Войналович Александр Владимирович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Войналович Александр ВладимировичfiledCriticalВойналович Александр Владимирович
Priority to RU98121268/28ApriorityCriticalpatent/RU2141647C1/ru
Priority to EP99973123Aprioritypatent/EP1156321B1/en
Priority to PCT/RU1999/000328prioritypatent/WO2000033055A1/ru
Priority to JP2000585642Aprioritypatent/JP2002531825A/ja
Priority to DE69922844Tprioritypatent/DE69922844T2/de
Application grantedgrantedCritical
Publication of RU2141647C1publicationCriticalpatent/RU2141647C1/ru
Priority to US09/866,725prioritypatent/US6633372B2/en

Links

Images

Classifications

Landscapes

Abstract

Изобретение относится к оптическому приборостроению. Предложены способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор для контроля дефектов поверхности. Предложенный способ заключается в том, что осуществляют вращение объекта с анализируемой поверхностью вокруг первой оси вращения, формируют на анализируемой поверхности пятно света и раздельно воспринимают свет, зеркально отраженный и рассеянный анализируемой поверхностью в точке падения на нее пятна света, и, анализируя полученные сигналы, определяют дефекты поверхности. Реализующий данный способ анализатор осуществляет перемещение пятна света относительно вращаемой анализируемой поверхности по дуге вокруг второй оси вращения, лежащего вне пределов анализируемой поверхности, и, измеряя величину рассеянного света, определяет наличие дефектов на поверхности пластин. Использование изобретения для контроля полупроводниковых пластин позволяет за счет уменьшения размеров и стоимости измерительного прибора встраивать его в технологическое оборудование электронной промышленности. 2 c. и 14 з.п.ф-лы, 3 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к оптическому приборостроению и может использоваться, в частности, при разработке новых и усовершенствовании имеющихся приборов для исследования поверхности полупроводниковых пластин и встраивания приборов внутрь технологического оборудования, а также для исследования степени однородности поверхности других изделий.
Существующий уровень техники
В процессе производства полупроводниковых приборов на поверхности полупроводниковых пластин недопустимо присутствие частиц пыли и иных дефектов. Такие дефекты желательно выявлять как можно раньше, чтобы сразу устранить источник их возникновения. Для решения этой задачи широко применяется метод, использующий тот известный факт, что любая частица на гладкой поверхности или дефект поверхности вызывает рассеяние падающего на поверхность света.
Например, из патента США N 4314763 (кл. G 01 N 21/88, 09.02.82) известен способ сканирования анализируемой поверхности, в котором осуществляют вращение анализируемой поверхности относительно оси вращения, формируют на анализируемой поверхности пятно света и воспринимают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью оптической системы.
Из этого же патента США N 4314763 известен также сканирующий анализатор поверхности, содержащий источник света, предназначенный для освещения анализируемой поверхности пятном света под углом, близким к нормали к этой анализируемой поверхности; фотоприемник, предназначенный для восприятия света, рассеянного анализируемой поверхностью; и поворотный стол для установки на нем изделия с анализируемой поверхностью и вращения его вокруг оси вращения, параллельной нормали к анализируемой поверхности.
В данном анализаторе, реализующем вышеотмеченный способ, вращающаяся анализируемая поверхность перемещается по прямой линии относительно точки, в которой на ней формируют пятно света. Это является недостатком данного способа и реализующего его анализатора, поскольку требуется обеспечить перемещение большого объекта, т.е. поворотного стола для размещения полупроводниковой пластины (до 300 мм в диаметре), снабженного приводом для вращения, что приводит к увеличению размеров прибора и его стоимости.
Наиболее близким к заявленному является способ сканирования анализируемой поверхности, заключающийся в том, что осуществляют вращение объекта с анализируемой поверхностью вокруг первой оси вращения, формируют на анализируемой поверхности пятно света и воспринимают свет, рассеянный анализируемой поверхностью в точке падения на нее пятна света (Altendorfer Н. et al. "Unpatterned surface inspection for next-generation devices". - Solid State Technology, 1996, v. 39, N 8, pp. 93-97).
Из этого же источника информации известен также сканирующий анализатор поверхности, содержащий поворотный стол для установки на нем объекта с анализируемой поверхностью и вращения его вокруг первой оси вращения, перпендикулярной анализируемой поверхности; источник света, предназначенный для освещения анализируемой поверхности пятном света под углом, близким к нормали к этой анализируемой поверхности; собирающее зеркало в виде усеченного тела вращения, образованного вращением эллипса вокруг оси, которая параллельна первой оси вращения и практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного тела вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно его оси вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, а вторая плоскость сечения тела вращения параллельна первой плоскости его сечения; фотоприемник, предназначенный для восприятия рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом.
В этом способе сохраняется поступательное движение вращающейся анализируемой поверхности, т.е. по-прежнему требуется перемещать массивный объект, что, как уже отмечено, приводит к увеличению размеров прибора и его стоимости, что существенно затрудняет его встраивание внутрь технологического оборудования.
Таким образом, целью данного изобретения является разработка таких способов сканирования анализируемой поверхности и сканирующего анализатора поверхности, которые были бы свободны от указанных недостатков.
Раскрытие изобретения
Поставленная задача с достижением отмеченного технического результата решается следующим образом.
В одном аспекте настоящего изобретения, относящемся к способу сканирования анализируемой поверхности, заключающемуся в том, что осуществляют вращение объекта с анализируемой поверхностью вокруг первой оси вращения; формируют на анализируемой поверхности пятно света и раздельно воспринимают свет, зеркально отраженный и рассеянный анализируемой поверхностью в точке падения на нее пятна света; согласно настоящему изобретению осуществляют перемещение пятна света относительно анализируемой поверхности по дуге вокруг второй оси вращения, которая лежит вне пределов анализируемой поверхности; и ориентируют пятно света, имеющее вытянутую форму на анализируемой поверхности, своим наибольшим размером вдоль радиуса, проведенного из точки пересечения первой оси вращения с анализируемой поверхностью по меньшей мере в одном, заранее заданном положении.
Особенностью данного способа является то, что в заранее заданном положении пятно света расположено на середине радиуса анализируемой поверхности, проведенного из вышеупомянутой точки пересечения, либо пятно света при его перемещении по дуге подворачивают так, чтобы его ориентация вдоль радиуса из вышеупомянутой точки пересечения, проходящего через пятно, сохранялась на всей линии сканирования.
Еще одна особенность данного способа состоит в том, что собирают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью системы зеркал, одно из которых выполнено в виде усеченного эллипсоида вращения, ось вращения которого практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в первом фокусе упомянутого усеченного эллипсоида вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно оси его вращения в непосредственной близости от упомянутого первого фокуса, вторая плоскость сечения эллипсоида вращения параллельна первой плоскости его сечения, а другое зеркало представляет собой плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного эллипсоида вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света и для отражения рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом, при этом отраженный плоским зеркалом свет пропускают через светофильтр, а затем диафрагмируют в точке, соответствующей второму фокусу упомянутого эллипсоида вращения с учетом отражения от упомянутого плоского зеркала.
В варианте выполнения особенность данного способа заключается в том, что собирают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью системы зеркал, одно из которых выполнено в виде усеченного параболоида вращения, ось вращения которого практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного параболоида вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно оси его вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, вторая плоскость сечения параболоида вращения параллельна первой плоскости его сечения, а другое зеркало представляет собой плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного параболоида вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света и для отражения рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом, при этом отраженный плоским зеркалом свет пропускают через светофильтр, собирают с помощью линзы и диафрагмируют.
В другом аспекте настоящего изобретения, относящемся к сканирующему анализатору поверхности, содержащему поворотный стол для установки на нем объекта с анализируемой поверхностью и вращения его вокруг первой оси вращения, перпендикулярной анализируемой поверхности; источник света, предназначенный для освещения анализируемой поверхности пятном света под углом, близким к нормали к этой анализируемой поверхности; собирающее зеркало в виде усеченного тела вращения, образованного вращением кривой второго порядка вокруг оси, которая параллельна первой оси вращения и практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного тела вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно его оси вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, а вторая плоскость сечения тела вращения параллельна первой плоскости его сечения; первый блок восприятия света, предназначенный для восприятия рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом; второй блок восприятия света, предназначенный для восприятия зеркально отраженного света от анализируемой поверхности и расположенный вблизи источника света; плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного тела вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света ко второму блоку восприятия света и для отражения света от собирающего зеркала к первому блоку восприятия света, согласно настоящему изобретению источник света, собирающее зеркало, плоское зеркало с отверстием и первый и второй блоки восприятия света размещены в корпусе, выполненном с возможностью поворота вокруг второй оси вращения, параллельной первой оси вращения и проходящей вне объекта с анализируемой поверхностью и/или поворотного стола; и источник света установлен так, что упомянутое пятно света, имеющее на анализируемой поверхности вытянутую форму, ориентировано своим наибольшим размером вдоль радиуса, проведенного из точки пересечения первой оси вращения с анализируемой поверхностью по меньшей мере в одном, заранее заданном положении корпуса.
Особенность данного анализатора состоит в том, что второй блок восприятия света может быть поглотителем света либо фотоприемником для определения наличия на анализируемой поверхности нерассеивающих дефектов.
Другой особенностью данного анализатора является то, что первый блок восприятия света служит для восприятия света, отраженного от плоского зеркала.
Еще одна особенность данного анализатора состоит в том, что тело вращения собирающего зеркала представляет собой эллипсоид вращения, во втором фокусе которого с учетом отражения от плоского зеркала установлена диафрагма, предназначенная для пропускания света, отраженного от плоского зеркала, в первый блок восприятия света. При этом между плоским зеркалом и диафрагмой может быть установлен светофильтр.
Особенностью по другому варианту является то, что тело вращения собирающего зеркала представляет собой параболоид вращения, а между плоским зеркалом и первым блоком восприятия света могут быть установлены собирающая линза и диафрагма, предназначенные для собирания света, отраженного от плоского зеркала, в первый блок восприятия света. При этом между плоским зеркалом и собирающей линзой может быть установлен светофильтр.
Особенностью данного анализатора является также и то, что он дополнительно содержит привод поворота корпуса для обеспечения возможности перемещения корпуса над анализируемой поверхностью по меньшей мере в одну сторону от центра ее вращения.
К особенностям данного анализатора следует отнести также и то, что в упомянутом заранее заданном положении корпуса упомянутое пятно света расположено практически на середине радиуса анализируемой поверхности от ее оси вращения либо привод поворота корпуса снабжен средством измерения угла поворота корпуса, а источник света снабжен средством корректировки положения, предназначенным для подворота источника света в соответствии с сигналами от средства измерения угла поворота для обеспечения упомянутой ориентации пятна света вдоль радиуса из оси вращения анализируемой поверхности, проходящего через пятно по всей линии сканирования.
Особенностью данного анализатора является и то, что корпус изнутри выполнен светопоглощающим.
Наконец, еще одной особенностью данного анализатора является то, что поворотный стол снабжен тремя вакуумными присосками, расположенными симметрично относительно первой оси вращения и предназначенными для установки объекта с анализируемой поверхностью на поворотном столе.
В существующем уровне техники не выявлены объекты того же назначения, что и заявленные, которые обладали бы всеми указанными выше признаками объектов настоящего изобретения. Это позволяет считать как способ сканирования анализируемой поверхности, так и сканирующий анализатор поверхности по настоящему изобретению новыми.
Из существующего уровня техники известны объекты того же назначения, что и заявленные, в которых содержатся отдельные признаки, сходные с основными отличительными признаками заявленных способа и анализатора. Так, в патентах США NN 5377001 и 5377002 (кл. G 01 N 21/00, 27.12.94) пятно света на анализируемой поверхности (фиг. 7а в каждом из этих патентов) изображено вытянутым по радиусу, проходящему из оси вращения анализируемой поверхности; однако в текстах этих патентов нет никаких пояснений того, как следует располагать это пятно по всей линии сканирования. Известно перемещение анализируемой поверхности по двум взаимно перпендикулярным направлениям (заявка ЕПВ N 0398781, кл. G 01 N 21/88, 22.11.90). Из выложенной заявки Японии N 03-163338 (кл. G 01 N 21/88, 15.07.91) известно линейное перемещение узла с источником света и блоком восприятия света вдоль вращающейся анализируемой поверхности. Использование поворотного корпуса в виде тонарма само по себе общеизвестно в проигрывателях грампластинок. Из патента РФ N 2064670 (кл. G 01 N 21/47, 27.07.96) известно также использование собирающего зеркала в виде эллипсоида вращения. Из авторского свидетельства на изобретение РФ N 1297590 (кл. G 01 N 21/47, 15.11.86) известно также использование собирающего зеркала в виде параболоида вращения. Однако нигде в уровне техники нет сведений об использовании поворотного корпуса для размещения в нем оптических элементов, обеспечивающих освещение анализируемой поверхности и восприятие отраженного и рассеянного от нее световых потоков, а также нет сведений о том, как именно должно быть ориентировано пятно света на анализируемой поверхности. Поэтому объекты по настоящему изобретению можно считать имеющими изобретательский уровень.
Краткое описание чертежей
Дальнейшее описание ссылается на пример выполнения заявленного анализатора для реализации заявленного способа, показанный на прилагаемых чертежах.
Фиг. 1 иллюстрирует конструктивную схему оптико-механической части сканирующего анализатора поверхности по настоящему изобретению (пример одного исполнения).
Фиг. 2 иллюстрирует конструктивную схему оптико-механической части сканирующего анализатора поверхности по настоящему изобретению (пример другого исполнения).
Фиг. 3 поясняет принцип ориентации пятна света на анализируемой поверхности.
Подробное описание предпочтительного выполнения изобретения
Способ контроля анализируемой поверхности согласно настоящему изобретению может быть реализован с помощью сканирующего анализатора, выполненного в соответствии с настоящим изобретением, пример которого приведен на сопровождающих чертежах.
На фиг. 1 показана конструктивная схема оптико-механической части сканирующего анализатора поверхности по настоящему изобретению. Объект 1 с анализируемой поверхностью 2 устанавливается на поворотном столе 3, который снабжен вакуумными присосками 4. При использовании анализатора по настоящему изобретению для проверки поверхности в производстве полупроводниковых пластин вакуумные присоски располагаются симметрично относительно оси вращения поворотного стола 3, т.е. с разнесением на 120o по дуге вокруг центра его вращения. Поворотный стол 3 имеет двигатель 5 вращения (в частности, шаговый) для обеспечения вращения поворотного стола вокруг первой оси 6 вращения.
Как уже отмечено ранее, в настоящем изобретении используется известный факт, что дефекты на гладкой поверхности при ее освещении пучком света в направлении, близком к нормали к этой поверхности, рассеивают падающий свет в стороны.
Для обеспечения этого анализируемая поверхность 2 освещается источником 7 света, который может быть выполнен на полупроводниковом лазере. Свет от источника 7 собирается и фокусируется объективом 8 в пятно на анализируемой поверхности 2. Источник 7 света с объективом 8 расположен над объектом 1, при его установке на поворотный стол 3, таким образом, что поток света на анализируемую поверхность 2 имеет направление, близкое к нормали к этой поверхности. (На фиг. 1 нормаль к анализируемой поверхности 2 в точке падения на нее пучка света от источника 7 света совпадает с первой осью 6 вращения; это сделано лишь для облегчения понимания настоящего изобретения.) Рядом с источником 7 света размещен второй блок 9 восприятия света, предназначенный для восприятия зеркально отраженного света от анализируемой поверхности 2.
Второй блок 9 восприятия света может быть просто поглотителем, который предотвращает переотражение назад к анализируемой поверхности 2 зеркально отраженного от нее света. Однако в качестве фотоприемника 9 он может воспринимать зеркально отраженный от анализируемой поверхности 2 свет для того, чтобы определять наличие на поверхности исследуемого объекта 1 (к примеру, полупроводниковой пластины) нерассеивающих дефектов различного типа по изменению интенсивности зеркально отраженного от анализируемой поверхности 2 света.
Свет, рассеиваемый имеющимися на анализируемой поверхности 2 дефектами (например, частицами пыли на поверхности полупроводниковой пластины, дефектами в приповерхностной области, рельефом поверхности), может быть направлен в разные стороны под углами, отличными от нормали к анализируемой поверхности 2. Для того, чтобы использовать этот рассеянный свет при анализе, применяется собирающее зеркало 10, выполненное в виде тела вращения, образованного вращением кривой второго порядка вокруг оси, которая параллельна первой оси вращения и практически совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света. (На фиг. 1 ось вращения кривой второго порядка совпадает с первой осью 6 вращения, однако это сделано лишь для облегчения понимания настоящего изобретения. ) В качестве упомянутой кривой второго порядка выбирается либо эллипс, либо парабола, при этом один из фокусов эллипса или фокус параболы совпадает с точкой падения света от источника 7 на анализируемую поверхность 2. Чтобы обеспечить это, тело вращения выполнено усеченным, причем первая плоскость его сечения расположена перпендикулярно его оси вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, а вторая плоскость сечения тела вращения параллельна первой плоскости его сечения. Получающийся при этом зазор между краем собирающего зеркала 10, расположенным в первой плоскости сечения, и анализируемой поверхностью 2 обеспечивает свободное перемещение собирающего зеркала 10 над анализируемой поверхностью 2. Рассеянный дефектами анализируемой поверхности 2 свет попадает на внутреннюю отражающую поверхность собирающего зеркала 10 и отражается в сторону от анализируемой поверхности 2 либо параллельно нормали к ней в случае параболической формы этого зеркала 10, либо в точку другого фокуса в случае эллиптической формы собирающего зеркала 10.
Для того, чтобы отделить рассеянный дефектами свет от зеркально отраженного света в настоящем изобретении используется плоское зеркало 11 с отверстием в середине, которое установлено под углом к нормали к анализируемой поверхности 2 (к оси вращения, вокруг которой вращалась упомянутая выше кривая второго порядка - парабола или эллипс). Этот угол на фиг. 1 равен 45o, но при необходимости он может иметь и иное значение. Отверстие в середине плоского зеркала 11 обеспечивает беспрепятственное пропускание света от источника света 7 к анализируемой поверхности 2 и зеркально отраженного от нее света ко второму блоку 9 восприятия света. В то же время это плоское зеркало 11 отражает свет, собранный и отраженный собирающим зеркалом 10, в сторону от направления распространения света от источника 7.
В зависимости от вида кривой второго порядка, образующей тело вращения собирающего зеркала 10, дальнейший ход лучей, отраженных плоским зеркалом 11, различен. В случае фиг. 2, если собирающее зеркало 10 выполнено в виде параболоида вращения, линии распространения отраженного им света, падающего в разных местах на поверхность параболоида, проходят параллельно. Отражение от плоского зеркала 11 сохраняет эту параллельность, поэтому для дальнейшего анализа этот отраженный плоским зеркалом 11 свет собирается с помощью собирающей линзы 12. Сфокусированный ею свет пропускается через диафрагму 13 и поступает на первый блок 14 восприятия света, который может быть фотоумножителем и т.п. Перед собирающей линзой свет может пропускаться через светофильтр 15 для выделения только света с требуемой длиной волны и при необходимости поворачивается с помощью дополнительного зеркала 16, если первый блок 14 восприятия света установлен не в направлении на плоское зеркало 11. В случае же фиг. 1, когда собирающее зеркало 10 выполнено в виде эллипсоида вращения, отраженный им свет соберется во втором фокусе этого эллипсоида. При отражении от плоского зеркала 11 этот второй фокус как бы повернется и окажется сбоку от оси вращения эллипсоида (линии распространения света от источника 7). При этом отпадает необходимость в собирающей линзе 12, и диафрагма 13 устанавливается как раз в точке этого второго фокуса эллипсоида вращения с учетом его смещения из-за отражения от плоского зеркала 11. Светофильтр 15 и дополнительное зеркало 16 могут использоваться, как и в случае выполнения собирающего зеркала 10, в виде параболоида вращения.
Согласно настоящему изобретению источник 7 света, объектив 8, собирающее зеркало 10, плоское зеркало 11, первый и второй блоки восприятия света 14, 9, а также элементы светового тракта, обозначенные позициями 12, 13, 15 и 16, помещены в корпус 17, который может быть выполнен внутри светопоглощающим. Корпус 17 снабжен приводом (не показан) с двигателем 18 поворота (в частности, шаговым), который обеспечивает поворот корпуса 17 вокруг второй оси 19 вращения, параллельной первой оси 6 вращения и проходящей вне объекта 1 с анализируемой поверхностью 2 и/или поворотного стола 3.
Привод 18 поворота обеспечивает перемещения корпуса 17 таким образом, что формируемое источником 7 света пятно 21 (фиг. 3) на анализируемой поверхности 2 перемещается по дуге 22, проходящей через ось 23 вращения анализируемой поверхности 2, по меньшей мере в одну сторону от этой оси 23 вращения до края анализируемой поверхности 2.
При таком перемещении формируемое на анализируемой поверхности 2 пятно 21 света, имеющее вытянутую форму, будет описывать дугу 22 вокруг второй оси 24 вращения (являющегося проекцией второй оси 19 вращения на плоскость фиг. 2). В каждой точке этой дуги 22 пятно 21 света будет ориентировано под некоторым углом к радиусу 25 из первой оси 23 вращения (являющегося проекцией первой оси 6 вращения на плоскость фиг. 2) анализируемой поверхности 2, проходящему через данную точку. Оптимальной ориентацией пятна света, с точки зрения максимальной скорости сканирования анализируемой поверхности 2, является ориентация его наибольшего размера (длинной оси пятна) вдоль радиуса 25, проходящего через точку, в которой в данный момент сформировано пятно 21 света.
Согласно настоящему изобретению пятно 21 света, имеющее вытянутую форму на анализируемой поверхности 2, ориентируют своим наибольшим размером вдоль радиуса 25 из первой оси 23 вращения по меньшей мере в одном заранее заданном положении. Таким заранее заданным положением, в котором радиус 25 пересекает дугу 22 (линию сканирования), может быть, в частности, середина радиуса 25. Т.е. источник 7 света и объектив 8 устанавливают так, чтобы пятно 21 света, когда оно формируется на середине расстояния от оси 23 вращения до края анализируемой поверхности 2, было направлено своим наибольшим размером (длинной осью) точно по радиусу 25 анализируемой поверхности, проходящему через пятно 21.
Однако это не единственная возможность ориентации пятна 21 света. Как показано на фиг. 1 и фиг. 2, источник 7 света и объектив 8 могут быть снабжены средством 20 корректировки положения. Это может быть, к примеру, микродвигатель (в частности, шаговый). При этом привод с двигателем 18 поворота снабжен средством измерения угла поворота корпуса (не показано) относительно начального положения. Тогда сигналы с этого средства измерения угла поворота корпуса после их соответствующей обработки могут подаваться на средство 20 корректировки положения, которое будет подворачивать источник 7 света с объективом 8 так, чтобы ориентация пятна 21 света вдоль радиуса 25 из первой оси 23 вращения, проходящего через пятно, сохранялась на всей линии сканирования (дуге 22).
Работа сканирующего анализатора поверхности по настоящему изобретению, в процессе которой реализуется способ сканирования анализируемой поверхности по настоящему изобретению, происходит следующим образом.
Объект 1 с анализируемой поверхностью 2 (например, кремниевая пластина диаметром 150, 200 или 300 мм) устанавливается на поворотном столе 3 и фиксируется на нем с помощью вакуумных присосок 4. По сигналам с соответствующих блоков управления привод 5 начинает вращать поворотный стол 4 вместе с объектом 1, а привод с двигателем 18 - поворачивать корпус 17 над анализируемой поверхностью 2 объекта 1. При наличии средства корректировки положения сигналы на него с блока управления заставляют источник 7 света с объективом 8 постоянно подворачиваться при перемещении по дуге 22 так, чтобы формируемое им на анализируемой поверхности 2 пятно 21 света все время было ориентировано своим наибольшим размером (своей длинной осью) вдоль радиуса 25 из первой оси 23 вращения, проходящего через пятно. Если же средство 20 корректировки положения не используется, необходимо заранее установить пятно 21 света длинной осью вдоль радиуса 25 в заданном положении, например, при нахождении пятна 21 света в середине этого радиуса 25.
В процессе сканирования, т. е. перемещения корпуса 17 над вращающейся анализируемой поверхностью 2, источник 7 света через объектив 8 формирует на анализируемой поверхности 2 пятно 21 света через отверстие в середине плоского зеркала 11.
Если на микроучастке анализируемой поверхности 2, на котором сформировано пятно 21 света от источника 7 света, имеется дефект, рассеивающий свет, этот рассеянный свет попадет на собирающее зеркало 10, отражение от которого попадает на плоское зеркало 11. Собирающее зеркало 10 выполнено в виде усеченного тела вращения, образованного вращением кривой второго порядка, и установлено так, что фокус упомянутой кривой второго порядка расположен в точке формирования пятна 21 света. При выполнении собирающего зеркала 10 в виде параболоида вращения параллельный пучок света от плоского зеркала 11, проходя через светофильтр 15 и собирающую линзу 12, фокусируется в отверстии диафрагмы 13 и попадает на первый блок восприятия света 14, возможно, вновь поменяв направление на дополнительном зеркале 16 (в случае, если первый блок восприятия света 14 выполнен в виде относительно громоздкого фотоумножителя). При выполнении же собирающего зеркала 10 в виде эллипсоида вращения отраженный им пучок света, отразившись от плоского зеркала 11 и проходя через светофильтр 15, собирается в "отраженном" втором фокусе эллипсоида вращения (без линзы 12, которая в этом случае отсутствует), в котором размещена диафрагма 13, после которой свет попадает в первый блок восприятия света 14. В данном случае, как и в случае параболоида, возможно использование дополнительного зеркала 16.
Сигнал с первого блока восприятия света 14 используется для анализа наличия дефекта на поверхности объекта 1. Сигнал, снимаемый с первого блока восприятия света 14, фактически является суммой двух компонент, одна из которых пропорциональна рассеянию света, вызванному микрошероховатостью поверхности пластины и рассеянием в ее приповерхностной области (матовостью), а вторая обусловлена присутствием на поверхности частиц или иных светорассеивающих дефектов. Для разделения указанных компонент сигнала используется программное обеспечение. Это позволяет легко реализовать различные режимы измерения при сохранении относительной простоты электронной части прибора. Таким образом, за время сканирования пластины определяются факт наличия частиц (светорассеивающих дефектов) в каждой точке пластины, размеры присутствующих частиц, а также матовость поверхности.
Конкретные алгоритмы обработки сигналов с блоков восприятия света 9 и 14 не являются предметом настоящего изобретения и не входят в объем его патентных притязаний.
Промышленная применимость
Настоящее изобретение может использоваться для анализа однородности поверхностей различных объектов. В частности, оно применимо в полупроводниковом производстве для контроля качества обрабатываемых полупроводниковых пластин внутри технологического оборудования.
Настоящее изобретение описано выше с помощью примеров его выполнения, которые, однако, не ограничивают возможностей его осуществления и приведены только для иллюстрации основных аспектов настоящего изобретения. Объем патентных притязаний определяется нижеследующей формулой изобретения с учетом эквивалентов.

Claims (16)

1. Способ контроля анализируемой поверхности, заключающийся в том, что осуществляют вращение объекта с анализируемой поверхностью вокруг первой оси вращения, формируют на анализируемой поверхности пятно света, раздельно воспринимают свет, зеркально отраженный и рассеянный анализируемой поверхностью в точке падения на нее пятна света, отличающийся тем, что осуществляют перемещение пятна света относительно анализируемой поверхности по дуге вокруг второй оси вращения, которая лежит вне пределов анализируемой поверхности, ориентируют пятно света, имеющее вытянутую форму, на анализируемой поверхности своим наибольшим размером вдоль радиуса, проведенного из точки пересечения первой оси вращения с анализируемой поверхностью, по меньшей мере в одном заранее заданном положении.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что собирают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью системы зеркал, одно из которых выполнено в виде усеченного эллипсоида вращения, ось вращения которого совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в первом фокусе упомянутого усеченного эллипсоида вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно оси его вращения в непосредственной близости от упомянутого первого фокуса, вторая плоскость сечения эллипсоида вращения параллельна первой плоскости его сечения, а другое зеркало представляет собой плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного эллипсоида вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света и для отражения рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом, при этом отраженный плоским зеркалом свет пропускают через светофильтр, а затем диафрагмируют в точке, соответствующей второму фокусу упомянутого эллипсоида вращения с учетом отражения от упомянутого плоского зеркала.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что собирают рассеянный анализируемой поверхностью свет с помощью системы зеркал, одно из которых выполнено в виде усеченного параболоида вращения, ось вращения которого совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного параболоида вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно оси его вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, вторая плоскость сечения параболоида вращения параллельна первой плоскости его сечения, а другое зеркало представляет собой плоское зеркало с отверстием в середине, установленное под углом к оси вращения усеченного параболоида вращения и предназначенное для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света и для отражения рассеянного анализируемой поверхностью света, отраженного собирающим зеркалом, при этом отраженный плоским зеркалом свет пропускают через светофильтр, собирают с помощью линзы, а затем диафрагмируют в точке фокуса линзы.
6. Сканирующий анализатор поверхности, содержащий поворотный стол для установки на нем объекта с анализируемой поверхностью и вращения его вокруг первой оси вращения, перпендикулярной анализируемой поверхности, источник света, предназначенный для освещения анализируемой поверхности пятном света под углом, близким к нормали к этой анализируемой поверхности, собирающее зеркало в виде усеченного тела вращения, образованного вращением кривой второго порядка вокруг второй оси вращения, которая параллельна первой оси вращения и совпадает с нормалью к анализируемой поверхности, восстановленной в точке падения на нее упомянутого пятна света, при этом указанная точка падения находится в фокусе упомянутого усеченного тела вращения, первая плоскость сечения которого расположена перпендикулярно второй оси вращения в непосредственной близости от упомянутого фокуса, а вторая плоскость сечения тела вращения параллельна первой плоскости его сечения, первый блок восприятия света, предназначенный для восприятия рассеянного анализируемой поверхностью света, второй блок восприятия света, плоское зеркало, установленное под углом ко второй оси вращения, отличающийся тем, что второй блок восприятия света предназначен для восприятия зеркально отраженного света от анализируемой поверхности, плоское зеркало предназначено для отражения света от собирающего зеркала к первому блоку восприятия света, установлено под углом ко второй оси вращения и выполнено с отверстием в середине, предназначенным для пропускания света от источника света к анализируемой поверхности и зеркально отраженного от нее света ко второму блоку восприятия света, источник света, собирающее зеркало, плоское зеркало с отверстием и первый и второй блоки восприятия света размещены в корпусе, выполненном с возможностью поворота вокруг третьей оси вращения, параллельной первой оси вращения и проходящей вне объекта с анализируемой поверхностью и/или поворотного стола, источник света установлен так, что упомянутое пятно света, имеющее на анализируемой поверхности вытянутую форму, ориентировано своим наибольшим размером вдоль радиуса из центра вращения анализируемой поверхности по меньшей мере в одном заранее заданном положении корпуса.
RU98121268/28A1998-11-301998-11-30Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхностиRU2141647C1 (ru)

Priority Applications (6)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
RU98121268/28ARU2141647C1 (ru)1998-11-301998-11-30Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности
EP99973123AEP1156321B1 (en)1998-11-301999-09-08Method for checking a surface to be analysed and scanning surface-analyser
PCT/RU1999/000328WO2000033055A1 (fr)1998-11-301999-09-08Procede de controle d'une surface a analyser et analyseur de surface a balayage
JP2000585642AJP2002531825A (ja)1998-11-301999-09-08解析表面の検査方法と、表面走査解析装置
DE69922844TDE69922844T2 (de)1998-11-301999-09-08Verfahren zum prüfen einer zu analysierenden oberfläche und scanner zur analyse von oberflächen
US09/866,725US6633372B2 (en)1998-11-302001-05-30Method for inspection of an analyzed surface and surface scanning analyzer

Applications Claiming Priority (1)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
RU98121268/28ARU2141647C1 (ru)1998-11-301998-11-30Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности

Publications (1)

Publication NumberPublication Date
RU2141647C1true RU2141647C1 (ru)1999-11-20

Family

ID=20212676

Family Applications (1)

Application NumberTitlePriority DateFiling Date
RU98121268/28ARU2141647C1 (ru)1998-11-301998-11-30Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности

Country Status (6)

CountryLink
US (1)US6633372B2 (ru)
EP (1)EP1156321B1 (ru)
JP (1)JP2002531825A (ru)
DE (1)DE69922844T2 (ru)
RU (1)RU2141647C1 (ru)
WO (1)WO2000033055A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
RU2172946C1 (ru)*2000-08-012001-08-27Митюхляев Виталий БорисовичПрибор для фотолюминесцентного картографирования полупроводниковых пластин (варианты)
US6633372B2 (en)1998-11-302003-10-14Obschestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostiju “Reflex Lait”Method for inspection of an analyzed surface and surface scanning analyzer
RU231035U1 (ru)*2024-06-032024-12-28Общество С Ограниченной Ответственностью "Инновижн" (Ооо "Инновижн")Система получения цифрового изображения полупроводниковых пластин

Families Citing this family (285)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
EP1242421A1 (en)1999-12-222002-09-25Ortho-McNeil Pharmaceutical, Inc.4-[aryl(8-azabicyclo[3.2.1] octan-3-yl)] aminobenzoic acid derivatives
DE10202304A1 (de)*2002-01-222003-07-31Fraunhofer Ges ForschungKryospeichereinrichtung mit Transponder
US6798513B2 (en)*2002-04-112004-09-28Nanophotonics AbMeasuring module
JP4691499B2 (ja)*2003-05-192011-06-01ケーエルエー−テンカー コーポレイション対象となる信号およびノイズ間のロバストな分離を可能にする装置および方法
DE102004034160A1 (de)*2004-07-152006-02-09Byk Gardner GmbhVorrichtung zur Untersuchung optischer Oberflächeneigenschaften
JP5532792B2 (ja)*2009-09-282014-06-25富士通株式会社表面検査装置及び表面検査方法
US20130023129A1 (en)2011-07-202013-01-24Asm America, Inc.Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8718353B2 (en)2012-03-082014-05-06Kla-Tencor CorporationReticle defect inspection with systematic defect filter
US10714315B2 (en)2012-10-122020-07-14Asm Ip Holdings B.V.Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en)2013-02-012016-12-29Asm Ip Holding B.V.System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en)2014-03-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en)2014-10-072021-03-09Asm Ip Holding B.V.Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9612273B2 (en)*2014-11-282017-04-04Exnodes Inc.Distributed wafer inspection
US10276355B2 (en)2015-03-122019-04-30Asm Ip Holding B.V.Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en)2015-06-262019-10-29Asm Ip Holding B.V.Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en)2015-10-212019-02-19Asm Ip Holding B.V.NbMC layers
CN105203561B (zh)*2015-10-222019-02-05徐州恒巨机电科技有限公司一种多层石墨烯污点激光检测装置
CN105203555B (zh)*2015-10-222019-02-05夏烬楚一种多层石墨烯污点检测装置
US11139308B2 (en)2015-12-292021-10-05Asm Ip Holding B.V.Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en)2016-02-192020-01-07Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en)2016-03-182019-07-09Asm Ip Holding B.V.Aligned carbon nanotubes
JP6537992B2 (ja)*2016-03-302019-07-03東京エレクトロン株式会社基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム
US10367080B2 (en)2016-05-022019-07-30Asm Ip Holding B.V.Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en)2016-05-252022-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en)2016-07-082018-01-02Asm Ip Holding B.V.Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en)2016-07-082020-04-07Asm Ip Holdings B.V.Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en)2016-07-282018-02-06Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en)2016-07-282017-11-07Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko)2016-07-282023-05-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en)2016-10-272022-12-20Asm Ip Holding B.V.Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en)2016-11-012020-07-14ASM IP Holdings, B.V.Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
DE102016226212A1 (de)*2016-12-232018-06-28Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.Analyseeinrichtung
KR102546317B1 (ko)2016-11-152023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko)2016-12-142025-02-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11447861B2 (en)2016-12-152022-09-20Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en)2016-12-152023-02-14Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko)2016-12-192024-08-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10269558B2 (en)2016-12-222019-04-23Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en)2017-01-102022-07-19Asm Ip Holding B.V.Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en)2017-02-152019-11-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en)2017-03-292020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en)2017-05-082020-09-08Asm Ip Holdings B.V.Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en)2017-06-202024-07-16Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en)2017-06-282022-04-19Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko)2017-07-182019-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en)2017-07-192022-06-28Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en)2017-07-192020-01-21Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en)2017-07-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en)2017-07-262020-03-17Asm Ip Holdings B.V.Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh)2017-08-042023-09-21荷蘭商Asm智慧財產控股公司用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en)2017-08-082020-06-23Asm Ip Holdings B.V.Radiation shield
US10770336B2 (en)2017-08-082020-09-08Asm Ip Holding B.V.Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en)2017-08-092021-10-05Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en)2017-08-092023-09-26Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en)2017-08-292023-11-28Asm Ip Holding B.V.Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en)2017-08-302021-07-06Asm Ip Holding B.V.Layer forming method
KR102491945B1 (ko)2017-08-302023-01-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11295980B2 (en)2017-08-302022-04-05Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en)2017-09-282020-05-19Asm Ip Holdings B.V.Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en)2017-10-052019-09-03Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en)2017-10-302021-02-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en)2017-11-242021-06-01Asm Ip Holding B.V.Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en)2017-11-272019-05-31Asm Ip Holding B.V.A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
CN111344522B (zh)2017-11-272022-04-12阿斯莫Ip控股公司包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en)2018-01-162020-12-22Asm Ip Holding B. V.Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh)2018-01-192023-04-21荷蘭商Asm 智慧財產控股公司沈積方法
KR102695659B1 (ko)2018-01-192024-08-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en)2018-02-062021-08-03Asm Ip Holding B.V.Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en)2018-02-142021-01-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en)2018-02-142019-08-22Asm Ip Holding B.V.A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en)2018-02-152020-08-04Asm Ip Holding B.V.Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko)2018-02-202024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en)2018-02-232021-04-13Asm Ip Holding B.V.Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en)2018-03-012022-10-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en)2018-03-092023-04-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en)2018-03-162021-09-07Asm Ip Holding B.V.Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko)2018-03-272024-03-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en)2018-03-292022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en)2018-03-292021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102600229B1 (ko)2018-04-092023-11-10에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI811348B (zh)2018-05-082023-08-11荷蘭商Asm 智慧財產控股公司藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en)2018-05-082024-07-02Asm Ip Holding B.V.Thin film forming method
US12272527B2 (en)2018-05-092025-04-08Asm Ip Holding B.V.Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko)2018-05-282023-10-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh)2018-06-042024-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en)2018-06-042023-08-08Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en)2018-06-082022-03-29Asm Ip Holding B.V.Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko)2018-06-212023-08-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 시스템
US10797133B2 (en)2018-06-212020-10-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI873894B (zh)2018-06-272025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko)2018-06-272025-09-02에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en)2018-06-292020-04-07ASM IP Holding, B.V.Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en)2018-07-032019-08-20Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en)2018-07-032020-08-25Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en)2018-08-062021-07-06Asm Ip Holding B.V.Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en)2018-08-222022-08-30Asm Ip Holding B.V.Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en)2018-09-112021-06-01Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko)2018-09-112024-09-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
US11049751B2 (en)2018-09-142021-06-29Asm Ip Holding B.V.Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh)2018-10-012024-10-25Asmip控股有限公司衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en)2018-10-032022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko)2018-10-082023-10-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko)2018-10-192023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko)2018-10-192023-11-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en)2018-10-242022-04-12Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en)2018-10-262025-08-05Asm Ip Holding B.V.High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en)2018-10-312021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko)2018-11-022024-12-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en)2018-11-062023-02-07Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en)2018-11-072021-06-08Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en)2018-11-162020-10-27Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en)2018-11-162020-11-24Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en)2018-11-282024-07-16Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en)2018-11-302022-01-04Asm Ip Holding B.V.Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko)2018-12-042024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en)2018-12-132021-10-26Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh)2018-12-142025-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI866480B (zh)2019-01-172024-12-11荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko)2019-01-222024-11-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
CN111524788B (zh)2019-02-012023-11-24Asm Ip私人控股有限公司氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh)2019-02-202024-04-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko)2019-02-202024-01-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh)2019-02-202025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh)2019-02-202024-06-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh)2019-02-222024-05-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko)2019-03-082025-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko)2019-03-082025-03-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en)2019-03-082023-08-29Asm Ip Holding B.V.Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja)2019-03-282020-10-08エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェードアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko)2019-04-012025-05-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko)2019-04-192020-10-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko)2019-04-242020-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
US11289326B2 (en)2019-05-072022-03-29Asm Ip Holding B.V.Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130121A (ko)2019-05-072020-11-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko)2019-05-102020-11-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja)2019-05-162025-01-14エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja)2019-05-162024-12-11エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en)2019-05-172023-01-17Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD947913S1 (en)2019-05-172022-04-05Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD935572S1 (en)2019-05-242021-11-09Asm Ip Holding B.V.Gas channel plate
USD922229S1 (en)2019-06-052021-06-15Asm Ip Holding B.V.Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko)2019-06-062020-12-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko)2019-06-102020-12-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko)2019-06-112020-12-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en)2019-06-142022-03-01Asm Ip Holding B.V.Shower plate
USD931978S1 (en)2019-06-272021-09-28Asm Ip Holding B.V.Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko)2019-07-032021-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja)2019-07-092024-06-13エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh)2019-07-102021-01-12Asm Ip私人控股有限公司基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko)2019-07-162021-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210010816A (ko)2019-07-172021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko)2019-07-172025-09-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en)2019-07-182023-05-09Asm Ip Holding B.V.Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko)2019-07-192021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh)2019-07-192024-04-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh)2019-07-292024-08-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
US12169361B2 (en)2019-07-302024-12-17Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
US11587815B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en)2019-07-312022-01-18Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh)2019-08-052024-02-09Asm Ip私人控股有限公司用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh)2019-08-092021-02-09Asm Ip私人控股有限公司包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en)2019-08-192022-09-27Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD965524S1 (en)2019-08-192022-10-04Asm Ip Holding B.V.Susceptor support
JP2021031769A (ja)2019-08-212021-03-01エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en)2019-08-222022-01-11Asm Ip Holding B.V.Electrode
USD949319S1 (en)2019-08-222022-04-19Asm Ip Holding B.V.Exhaust duct
KR20210024423A (ko)2019-08-222021-03-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en)2019-08-222023-02-28Asm Ip Holding B.V.Insulator
USD930782S1 (en)2019-08-222021-09-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor
KR20210024420A (ko)2019-08-232021-03-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en)2019-08-232022-03-29Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko)2019-09-042025-05-12에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko)2019-09-052024-11-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11562901B2 (en)2019-09-252023-01-24Asm Ip Holding B.V.Substrate processing method
CN112593212B (zh)2019-10-022023-12-22Asm Ip私人控股有限公司通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh)2019-10-082024-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理裝置
KR20210042810A (ko)2019-10-082021-04-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh)2019-10-082021-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh)2019-10-102024-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en)2019-10-142024-06-11Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh)2019-10-162024-03-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en)2019-10-172023-04-25Asm Ip Holding B.V.Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko)2019-10-212025-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko)2019-10-252021-05-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en)2019-10-292023-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko)2019-11-052021-05-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en)2019-11-152022-11-15Asm Ip Holding B.V.Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko)2019-11-202025-09-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh)2019-11-262025-07-29Asmip私人控股有限公司基板处理设备
US11450529B2 (en)2019-11-262022-09-20Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692B (zh)2019-11-292025-08-15Asmip私人控股有限公司基板处理设备
CN120432376A (zh)2019-11-292025-08-05Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
JP7527928B2 (ja)2019-12-022024-08-05エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko)2019-12-042021-06-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210078405A (ko)2019-12-172021-06-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko)2019-12-192021-06-30에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7636892B2 (ja)2020-01-062025-02-27エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーチャネル付きリフトピン
JP7730637B2 (ja)2020-01-062025-08-28エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en)2020-01-082024-05-28Asm Ip Holding B.V.Injector
KR20210093163A (ko)2020-01-162021-07-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko)2020-01-202024-06-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh)2020-01-292025-07-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh)2020-02-032025-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko)2020-02-042021-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en)2020-02-072023-10-03Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh)2020-02-132021-12-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR20210103956A (ko)2020-02-132021-08-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh)2020-02-172024-09-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於生長磷摻雜矽層之方法
EP3869183B1 (de)*2020-02-242025-09-24Berthold Technologies GmbH & Co. KGVorrichtung zur ermittlung optischer eigenschaften von proben
CN113410160A (zh)2020-02-282021-09-17Asm Ip私人控股有限公司专用于零件清洁的系统
KR20210113043A (ko)2020-03-042021-09-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko)2020-03-112021-09-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en)2020-03-112024-01-16Asm Ip Holding B.V.Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko)2020-03-122025-02-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en)2020-03-172024-12-24Asm Ip Holding B.V.Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko)2020-04-022025-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 형성 방법
TWI887376B (zh)2020-04-032025-06-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh)2020-04-082025-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en)2020-04-152023-11-21Asm Ip Holding B.V.Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko)2020-04-152021-10-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en)2020-04-162024-05-28Asm Ip Holding B.V.Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko)2020-04-212021-11-01에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판을 처리하기 위한 방법
CN113555279A (zh)2020-04-242021-10-26Asm Ip私人控股有限公司形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132612A (ko)2020-04-242021-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR102866804B1 (ko)2020-04-242025-09-30에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202208671A (zh)2020-04-242022-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko)2020-04-242021-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko)2020-04-292025-03-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko)2020-05-012021-11-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja)2020-05-042025-08-20エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー基板を処理するための基板処理システム
KR102788543B1 (ko)2020-05-132025-03-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh)2020-05-152021-12-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko)2020-05-192021-11-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko)2020-05-212025-04-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko)2020-05-212021-12-01에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh)2020-05-222025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko)2020-05-262021-12-06에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh)2020-05-292025-03-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
TW202212620A (zh)2020-06-022022-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh)2020-06-162022-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積含硼之矽鍺層的方法
TW202218133A (zh)2020-06-242022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成含矽層之方法
TWI873359B (zh)2020-06-302025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
US12431354B2 (en)2020-07-012025-09-30Asm Ip Holding B.V.Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh)2020-07-082022-01-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
KR20220010438A (ko)2020-07-172022-01-25에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh)2020-07-202025-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko)2020-07-202022-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en)2020-07-272025-06-03Asm Ip Holding B.V.Thin film deposition process
KR20220021863A (ko)2020-08-142022-02-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
US12040177B2 (en)2020-08-182024-07-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh)2020-08-252022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en)2020-08-262023-08-15Asm Ip Holding B.V.Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh)2020-08-272022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh)2020-09-102022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en)2020-09-112023-06-27Asm Ip Holding B.V.Weighted lift pin
KR20220036866A (ko)2020-09-162022-03-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en)2020-09-242024-01-30Asm Ip Holding B.V.Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh)2020-09-252025-07-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
US12009224B2 (en)2020-09-292024-06-11Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko)2020-10-062022-04-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh)2020-10-072022-04-08Asm Ip私人控股有限公司气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh)2020-10-142022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202232565A (zh)2020-10-152022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置
TW202217037A (zh)2020-10-222022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh)2020-10-282022-06-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh)2020-11-122022-08-01特文特大學沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh)2020-11-232022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh)2020-11-242022-09-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh)2020-11-302022-09-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en)2020-12-102025-03-18Asm Ip Holding B.V.Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh)2020-12-142022-09-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en)2020-12-162024-04-02Asm Ip Holding B.V.Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh)2020-12-182022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh)2020-12-222022-11-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh)2020-12-222022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh)2020-12-222022-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具匹配器的電漿處理裝置
USD981973S1 (en)2021-05-112023-03-28Asm Ip Holding B.V.Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en)2021-05-112024-04-23Asm Ip Holding B.V.Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en)2021-09-072023-06-27Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate
USD1060598S1 (en)2021-12-032025-02-04Asm Ip Holding B.V.Split showerhead cover

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US465592A (en)*1891-12-22evans
US4314763A (en)*1979-01-041982-02-09Rca CorporationDefect detection system
DE3626724A1 (de)*1986-08-071988-02-11Siemens AgAnordnung zur oberflaechenpruefung
SU1753377A1 (ru)*1988-11-211992-08-07Институт физики им.Б.И.СтепановаСпособ непрерывного контрол локальных дефектов на поверхности плоских движущихс материалов и устройство дл его осуществлени

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
GB1514921A (en)*1975-04-021978-06-21Kanji SRecord-playing apparatus
US4079944A (en)*1975-12-051978-03-21Durley Iii Benton ACueing device for phonographs
JPS5651045A (en)*1979-09-291981-05-08Toshiba CorpDetector for part between data of record player
US4655592A (en)*1983-12-301987-04-07Hamamatsu Systems, Inc.Particle detection method and apparatus
US5127726A (en)1989-05-191992-07-07Eastman Kodak CompanyMethod and apparatus for low angle, high resolution surface inspection
JPH03163338A (ja)1989-11-221991-07-15Toshiba Corp付着ごみ検査装置
US5377001A (en)1991-07-201994-12-27Tet Techno Trust Investment SettlementApparatus for surface inspection
US5377002A (en)1991-07-201994-12-27Tet Techno Trust Investment SettlementApparatus for surface inspections
JP3163338B2 (ja)1992-05-282001-05-08味の素株式会社(S)−γ−ハロゲン化−β−ハイドロキシ酪酸エステルの製造方法
US5420689A (en)*1993-03-011995-05-30Siu; BernardHigh speed illumination system for microelectronics inspection
RU2064670C1 (ru)1993-04-191996-07-27Александр Владимирович ВойналовичУстройство для измерения интенсивности рассеянного света
US6271916B1 (en)*1994-03-242001-08-07Kla-Tencor CorporationProcess and assembly for non-destructive surface inspections
WO1997012226A1 (en)*1995-09-251997-04-03Tencor InstrumentsImproved system for surface inspection
RU2141647C1 (ru)1998-11-301999-11-20Войналович Александр ВладимировичСпособ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US465592A (en)*1891-12-22evans
US4314763A (en)*1979-01-041982-02-09Rca CorporationDefect detection system
DE3626724A1 (de)*1986-08-071988-02-11Siemens AgAnordnung zur oberflaechenpruefung
SU1753377A1 (ru)*1988-11-211992-08-07Институт физики им.Б.И.СтепановаСпособ непрерывного контрол локальных дефектов на поверхности плоских движущихс материалов и устройство дл его осуществлени

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Altendorfer H. et al. "Unpatterned surface inspection for next-generation devices." - Solid State Technology, 1996, v. 39, N 8, pp. 93 - 97.*

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US6633372B2 (en)1998-11-302003-10-14Obschestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostiju “Reflex Lait”Method for inspection of an analyzed surface and surface scanning analyzer
RU2172946C1 (ru)*2000-08-012001-08-27Митюхляев Виталий БорисовичПрибор для фотолюминесцентного картографирования полупроводниковых пластин (варианты)
RU231035U1 (ru)*2024-06-032024-12-28Общество С Ограниченной Ответственностью "Инновижн" (Ооо "Инновижн")Система получения цифрового изображения полупроводниковых пластин

Also Published As

Publication numberPublication date
DE69922844D1 (de)2005-01-27
EP1156321B1 (en)2004-12-22
JP2002531825A (ja)2002-09-24
US20020005943A1 (en)2002-01-17
WO2000033055A1 (fr)2000-06-08
DE69922844T2 (de)2005-12-15
US6633372B2 (en)2003-10-14
EP1156321A4 (en)2002-07-31
EP1156321A1 (en)2001-11-21

Similar Documents

PublicationPublication DateTitle
RU2141647C1 (ru)Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности
JP3140664B2 (ja)異物検査方法及び装置
JP3801635B2 (ja)製品表面の検査システムおよび方法
US7102744B2 (en)Process and assembly for non-destructive surface inspections
JP2790279B2 (ja)粒子検出方法および装置
US5717485A (en)Foreign substance inspection apparatus
JP4473581B2 (ja)回折性のパターンを備えた表面の異常を検出するための方法及び装置
JP3936220B2 (ja)端部傷検査装置
US11852592B2 (en)Time domain multiplexed defect scanner
EP1035408A1 (en)Apparatus for measuring characteristics of optical angle
US20200378755A1 (en)Method and apparatus for inspection of spherical surfaces
JP3494762B2 (ja)表面欠陥検査装置
JP2999712B2 (ja)端部欠陥検査方法とその装置
JP2007263612A (ja)ウエハ外観検査装置
JPH0882602A (ja)板ガラスの欠点検査方法及び装置
JP3469714B2 (ja)感光体表面検査方法および感光体表面検査装置
JPH05346368A (ja)光学要素の評価と格付けのための方法と装置
JP2821460B2 (ja)透明基板の傷検査装置
JP3040131B2 (ja)球体表面の傷検査装置
JPH0141922B2 (ru)
TW402685B (en)Method for monitoring the analysed surface and surface scanning analyser
JPH01143904A (ja)薄膜検査装置
JP3869101B2 (ja)光ファイバ母材の欠陥検出装置および方法
JPH07119703B2 (ja)表面欠陥検査装置
JP2000081394A (ja)透明体および半透明体の外観検査方法およびその装置

Legal Events

DateCodeTitleDescription
QZ4AChanges in the licence of a patent

Effective date:20000811

MM4AThe patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date:20071201


[8]ページ先頭

©2009-2025 Movatter.jp