KR20190134275A - System for inspecting edge area of wafer and method using the same - Google Patents
System for inspecting edge area of wafer and method using the sameDownload PDFInfo
- Publication number
- KR20190134275A KR20190134275AKR1020180059721AKR20180059721AKR20190134275AKR 20190134275 AKR20190134275 AKR 20190134275AKR 1020180059721 AKR1020180059721 AKR 1020180059721AKR 20180059721 AKR20180059721 AKR 20180059721AKR 20190134275 AKR20190134275 AKR 20190134275A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- inspection
- edge
- vacuum chuck
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Translated fromKoreanDescription
Translated fromKorean본 발명은 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 전면 또는 이면에 손상을 주지 않으면서, 웨이퍼의 노치 정렬 및 웨이퍼의 전면, 이면, 베벨(bevel)과 아펙스(apex)를 포함한 에지 영역 검사를 자동으로 연속 실행하고 검사 상태를 표시할 수 있는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a wafer edge area inspection system and inspection method, and more particularly to the alignment of notches of a wafer and the front, back, bevel and apex of a wafer without damaging the front or back side of the wafer. An edge area inspection system and inspection method of a wafer capable of automatically and continuously executing an edge area inspection including and displaying an inspection state.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 확산, 식각, 노광, 이온주입공정과 같은 여러 공정을 선택적 또는 순차적으로 수행함으로써 제조된다. 반도체 소자의 제조 과정은 반도체 웨이퍼 상의 전면에 도전층 및 절연층을 다층으로 증착해 나가면서 각 층을 구성하는 물질층을 패턴화하여 설계된 반도체 집적회로를 구현해나가는 과정이라 할 수 있다.In general, semiconductor devices are manufactured by selectively or sequentially performing various processes such as diffusion, etching, exposure, and ion implantation processes on a wafer. The manufacturing process of the semiconductor device may be a process of implementing a semiconductor integrated circuit designed by patterning a material layer constituting each layer while depositing a conductive layer and an insulating layer on the entire surface of the semiconductor wafer in multiple layers.
이때, 통상적으로 반도체 집적회로는 반도체 칩의 단위로 구성되며, 웨이퍼 전체에 걸쳐 복수의 반도체 칩들이 동일한 단계에서 동일한 과정을 거쳐 완성되어나간다. 따라서 각 반도체 칩의 최상층의 물질층이 형성된 후에는 반도체 웨이퍼는 칩 단위로 다이싱되며 웨이퍼의 가장자리(웨이퍼 에지) 부분은 불필요한 부분으로 폐기된다.In this case, a semiconductor integrated circuit is typically configured in units of semiconductor chips, and a plurality of semiconductor chips are completed through the same process in the same step throughout the wafer. Therefore, after the uppermost material layer of each semiconductor chip is formed, the semiconductor wafer is diced on a chip basis, and the edge (wafer edge) portion of the wafer is discarded as an unnecessary portion.
통상, 웨이퍼 에지는 도 1의 (a)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼의 표면으로부터 서서히 경사져 가서(모따기) 잘라내어 지는 형상으로 되어 있다. 웨이퍼 에지의 모따기된 부분은 베벨(bevel)이라 하고, 수직인 부분은 아펙스(apex)라 한다. 또 웨이퍼 에지는 도 1의 (a)와 같은 형상을 블릿(bullet)형이라 하고, 도 1의 (b)와 같은 형상은 라운드형이라 한다.Usually, as shown in FIG.1 (a), a wafer edge becomes a shape which inclines (chamfers) and cuts out gradually from the surface of a wafer. The chamfered portion of the wafer edge is called the bevel and the vertical portion is called the apex. In addition, the wafer edge has a shape as shown in FIG. 1A as a bullet type, and a shape as shown in FIG. 1B as a round shape.
에지 영역에서의 결함은 예를 들면, 포토레지스트 재료로 웨이퍼를 스핀 코팅하는 동안에, 포토레지스트 비드가 웨이퍼 주계 주위에 형성될 수 있고, 과잉 포Defects in the edge region may be formed around the wafer boundary, for example during spin coating of the wafer with photoresist material, and excess fabric
토레지스트가 웨이퍼의 에지 위에서 아래로 확산할 수 있다. 이러한 과잉 에지 포토레지스트는 벗겨져서 웨이퍼의 소자 영역으로 또는 리소그래피 도구의 처크 또는 다른 표면으로 확산할 수 있다. 또 에칭 화학물질 또는 증착막 재료가 웨이퍼 에지에 남아서 소자 영역으로 확산할 수 있다 임의 수의 이러한 에지 결함들은 수율 손실을 야기할 수 있다. 복수의 웨이퍼가 함께 접합될 때, 웨이퍼들 간의 접합이 결함을 가질 수도 있다.Tores may diffuse down over the edge of the wafer. Such excess edge photoresist may peel off and diffuse into the device region of the wafer or to the chuck or other surface of the lithographic tool. Etch chemistry or deposited material may also remain at the wafer edge and diffuse into the device region. Any number of such edge defects may cause yield loss. When a plurality of wafers are bonded together, the bonding between the wafers may have a defect.
이러한 웨이퍼 에지 영역에 크랙이나 결함 또는 손상 등의 단부 결함이 발생하고 있는지 여부, 웨이퍼 에지 영역에 미세한 이물질이 부착되어 있는지 여부를 검사하는 방법으로는 펜라이트 등을 이용한 육안에 의한 검사 외에, 검사장치에 의한 방법으로서, CCD 카메라와 컴퓨터를 이용한 화상 처리, 라인 스캔 레이저를 웨이퍼 에지에 조사하고, 거기로부터의 산란 광을 광검출기에 의해 검출하는 검사 방법이 대표적이다.In addition to visual inspection using a penlight, an inspection apparatus may be used to inspect whether or not end defects such as cracks, defects or damages occur in the wafer edge region, and whether fine foreign matter adheres to the wafer edge region. As a method by which the image processing using a CCD camera and a computer and a line scan laser are irradiated to a wafer edge, the inspection method which detects the scattered light from there by a photodetector is typical.
CCD 카메라와 컴퓨터를 이용한 화상 처리에 의한 검사 방법으로서, 웨이퍼를 회전 가능한 상태에서 지지하는 지지부를 설치하고, 지지된 웨이퍼의 에지 부분을 연속적으로 촬상하는 촬상 카메라를 다수 개 이용하는 방법이 있다. 다수개의 촬상 카메라에 의해 웨이퍼의 에지 영역을 촬상하고, 그것을 화상 처리함으로써 웨이퍼 에지에 이상이 있는지 여부를 검사하는 것이다.As an inspection method by the image processing using a CCD camera and a computer, there exists a method of providing the support part which supports a wafer in a rotatable state, and using several imaging cameras which continuously image the edge part of a supported wafer. It is to check whether there is an abnormality in a wafer edge by imaging an edge area | region of a wafer with many imaging cameras, and image-processing it.
또 카메라에서 촬상하는 웨이퍼 에지를 중심으로 하여 호 형상으로 가이드 레일을 설치하고, 촬상 카메라를 이 호 형상으로 연장한 가이드 레일을 따라 이동시켜 웨이퍼 에지를 촬상하는 웨이퍼 에지의 검사 장치가 개시되어 있다.Moreover, the inspection apparatus of the wafer edge which installs the guide rail in arc shape centering on the wafer edge imaged by a camera, and moves an imaging camera along the guide rail extended in this arc shape to image a wafer edge is disclosed.
한편, 비접촉 방식에 의한 웨이퍼의 반송 방법으로 베르누이 척 등을 구비한 반송 부재에 의해 웨이퍼를 상측으로부터 비접촉으로 흡인하고, 평탄도를 유지하고, 웨이퍼 홀더에 반송하는 기술 등이 있다.On the other hand, as a method of conveying a wafer by a non-contact method, a conveying member having a Bernoulli chuck or the like sucks the wafer from the upper side in a non-contact manner, maintains flatness, and conveys it to a wafer holder.
이러한 기술의 일 예가 하기 문헌 1 내지 3 등에 개시되어 있다.One example of such a technique is disclosed in Documents 1 to 3 and the like below.
예를 들어, 하기 특허문헌 1에는 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상을 웨이퍼의 측면과 수직하고 수평한 제1 방향으로 반사시키는 적어도 1개 이상의 웨이퍼 반사경, 상기 웨이퍼 반사경에서 반사된 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면의 영상 및 웨이퍼의 측면 영상을 함께 촬영하는 카메라, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상과 상기 웨이퍼 테두리의 상면 또는 하면 영상의 광경로의 길이 차이를 보상하기 위하여, 상기 웨이퍼 테두리의 측면 영상을 2회 이상 반사시키는 2개 이상의 반사미러를 구비하는 광경로 보상장치, 상기 카메라에서 촬영된 영상을 통해 웨이퍼 테두리의 결함을 판단하는 제어부 및 웨이퍼를 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향으로 이송하거나, 회전시키는 구동장치를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템에 대해 개시되어 있다.For example, Patent Document 1 below discloses at least one wafer reflector reflecting an image of the upper or lower surface of the wafer rim in a first direction perpendicular to and horizontal to the side of the wafer, or the upper surface of the wafer rim reflected from the wafer reflector, or A camera for capturing the image of the lower surface and the side image of the wafer together, and the side image of the wafer edge at least twice in order to compensate for the difference in the optical path length between the side image of the wafer edge and the top or bottom image of the wafer edge. An optical path compensation device having two or more reflective mirrors for reflecting, a control unit for determining a defect of a wafer edge through an image photographed by the camera, and transferring or rotating the wafer in a third direction perpendicular to the first direction A wafer inspection system comprising a drive is disclosed.
하기 특허문헌 2에는 판형의 물체를 물체 배치부가 설치된 물체 배치 부재에 반송하는 반송 시스템으로서, 물체와 대향하는 대향부를 갖고 대향부와 물체 사이에 기체류를 형성하여 물체에 대한 흡인력을 발생시키는 흡인 부재, 상기 흡인 부재에 의해 흡인되어 있는 물체의 형상에 관한 정보를 구하는 계측 장치, 상기 흡인 부재를 상기 물체 배치부에 대하여 접근 또는 이격되는 상하 방향으로 상대 이동시키는 구동 장치, 상기 계측 장치에 의해 구해진 정보를 이용하여, 물체가 정해진 형상으로 상기 물체 배치부에 배치되도록 상기 흡인 부재와 구동 장치 중의 적어도 한쪽을 제어하는 제어 장치를 구비하는 반송 시스템에 대해 개시되어 있다.Patent Document 2 discloses a conveying system for conveying a plate-shaped object to an object arranging member provided with an object arranging unit, the suction member having an opposing part facing the object and forming a gas flow between the opposing part and the object to generate a suction force on the object. A measuring device for obtaining information about the shape of an object sucked by the suction member, a drive device for relatively moving the suction member in an up and down direction approaching or spaced from the object placing portion, the information obtained by the measuring device A conveying system having a control device for controlling at least one of the suction member and the driving device such that an object is disposed in the object arranging portion in a predetermined shape using the present invention is disclosed.
또 하기 특허문헌 3에는 투광계와 수광계가 고정된 기대를 설치하고, 투광계에 의해 광을 웨이퍼 주연 단부에 조사하고, 수광계에 의해 웨이퍼 주연 단부로부터의 산란광을 검출하고, 검출한 산란광의 강도로부터 웨이퍼 주연 단부에 부착되는 이물질 및 결함 중 하나 이상을 검사하는 웨이퍼 주연 단부의 이물질 검사 방법에서, 투광계에 의해 광을, 웨이퍼 주연 단부의 베벨의 중심점으로 향하여 상기 중심점에서의 법선에 대하여 비스듬하게 상기 베벨의 양끝으로부터 각각 삐져나온 가늘고 긴 스폿 형상으로 성형하여 조사하고, 집광 렌즈를 구비한 수광계에 의해 웨이퍼 주연 단부로부터의 산란광을 직접 수광하고, 수광계가 수광하는 산란광의 강도에 임계치를 설정함으로써 아펙스로부터의 산란광을 소거함과 함께 수광한 산란광의 강도로부터 상기 베벨에 부착되는 이물질 및 결함 중 하나 이상을 검사하는 웨이퍼 주연 단부의 이물질 검사 방법에 대해 개시되어 있다.In addition, Patent Document 3 below provides a base on which a light transmitter and a light receiver are fixed, irradiates light to a wafer peripheral end with a light transmitter, detects scattered light from the wafer peripheral end with a light receiver, and detects scattered light. In the foreign material inspection method of the wafer peripheral end, which inspects at least one of the foreign matter and defects attached to the wafer peripheral end from the intensity, the light is directed by a light meter to the center point of the bevel at the peripheral end of the wafer and is oblique to the normal at the center point. It is formed into a thin long spot shape protruding from both ends of the bevel and irradiated, and directly receives the scattered light from the peripheral edge of the wafer by a light receiving system equipped with a condenser lens, and a threshold value is applied to the intensity of the scattered light received by the light receiving system. By setting it, the scattered light from the apex is canceled and the image is obtained from the intensity of the scattered light received. Disclosed is a method of inspecting a foreign material at the peripheral edge of a wafer for inspecting at least one of foreign matter and defects attached to an existing bevel.
그러나 상술한 바와 같은 특허문헌 1에 개시된 기술에서는 구동장치가 웨이퍼를 일정한 방향으로 이송시키는 컨베이어 벨트와 구동축으로 구성되거나 로봇 암(robot arm)으로 구성되고, 웨이퍼 안착부 및 회전축을 구비하고, 웨이퍼 안착부를 회전시키는 구조이므로, 웨이퍼의 회전 과정에서 웨이퍼의 이면에 손상이 발생할 수 있다는 문제가 있었다.However, in the technique disclosed in Patent Document 1 as described above, the drive device is composed of a conveyor belt and a drive shaft for transferring the wafer in a predetermined direction or a robot arm, and includes a wafer seating portion and a rotating shaft, and seats the wafer. Since the structure rotates, there is a problem that damage may occur on the back surface of the wafer during the rotation of the wafer.
상기 특허문헌 2에 개시된 기술에서는 로딩 포지션 상에서의 웨이퍼의 대기 중에 3개의 계측계에 의해 웨이퍼의 노치를 포함하는 웨이퍼의 에지 3개소의 위치 정보를 검출하고, 웨이퍼의 X축 방향, Y축 방향의 위치 어긋남과 회전(θ z 회전) 오차를 구하여 노광 처리를 실행하는 구조로서, 웨이퍼의 베벨과 아펙스 부분의 검사를 실행할 수 없다는 문제가 있었다. 또 상기 특허문헌 2에 개시된 기술에서는 고정된 상태에서 웨이퍼의 위치 상태만을 검출할 수 있을 뿐 웨이퍼의 전체 에지 영역을 검출할 수 없다는 문제도 있었다.In the technique disclosed in the Patent Document 2, the position information of three edges of the wafer including the notch of the wafer is detected by three measurement systems in the atmosphere of the wafer on the loading position, and the X-axis direction and the Y-axis direction of the wafer are detected. As a structure in which exposure processing is performed by determining the position shift and rotation (θ z rotation) errors, there is a problem that inspection of the bevel and apex portions of the wafer cannot be performed. In addition, in the technique disclosed in Patent Document 2, there is a problem that only the position state of the wafer can be detected in the fixed state, and the entire edge area of the wafer cannot be detected.
상술한 바와 같은 특허문헌 3에 개시된 기술에서는 웨이퍼가 웨이퍼 적재대에 적재되고, 웨이퍼 적재대가 웨이퍼와 함께 지지대에 구비된 회전 기구에 의해 소정의 속도로 회전하는 구조로서, 회전 기구에 의해 웨이퍼를 회전시키면서, 투광계에 의해 레이저광을 조사하므로, 웨이퍼의 에지 영역의 검사 도중 적재대에 적재된 웨이퍼의 이면에서 손상이 발생할 수 있다는 문제가 있었다. 또 상기 특허 문헌 3에 개시된 기술에서는 투광계와 수광계가 마련된 기대를 회전 암에 의해 회전시키므로, 검사 장치가 대형화된다는 문제도 있었다.In the technique disclosed in Patent Document 3 as described above, the wafer is loaded on the wafer holder, and the wafer holder is rotated at a predetermined speed by a rotary mechanism provided on the support together with the wafer, and the wafer is rotated by the rotary mechanism. In the meantime, since the laser beam is irradiated by the light meter, there is a problem that damage may occur on the back surface of the wafer loaded on the mounting table during the inspection of the edge region of the wafer. Moreover, in the technique disclosed in the said patent document 3, since the base provided with the light transmitting system and the light receiving system is rotated by a rotating arm, there also existed a problem that an inspection apparatus became large.
본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 웨이퍼의 전면 또는 이면에 손상을 주지 않으면서 웨이퍼의 노치 정렬 및 웨이퍼의 전면, 이면, 베벨과 아펙스의 검사를 자동으로 동시에 실행할 수 있는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to solve the problems described above, it is possible to automatically run the notch alignment of the wafer and inspection of the front, back, bevel and apex of the wafer without damaging the front or back of the wafer. To provide an edge area inspection system and inspection method of a wafer.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 노치 정렬 및 웨이퍼의 전면, 이면, 베벨과 아펙스의 검사를 정밀하고 고속으로 실행할 수 있는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an edge area inspection system and inspection method for wafers capable of precisely and rapidly performing notch alignment of wafers and inspection of front, back, bevel and apex of wafers.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템은 웨이퍼의 노치 정렬 및 웨이퍼의 전면, 이면, 베벨(bevel)과 아펙스(apex)를 포함한 에지 영역 검사를 자동으로 연속 실행하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템으로서, 웨이퍼의 에지 영역에서 크랙 또는 손상과 같은 결함을 검사하고 노치를 정렬하는 웨이퍼 에지 영역 검사 장치, 웨이퍼 카세트에 장착된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치로 로딩 및 언로딩 하는 웨이퍼 이송 장치, 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치와 웨이퍼 이송 장치에서 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하도록 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치와 웨이퍼 이송 장치에 공압을 공급하는 공압 장치, 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치, 웨이퍼 이송 장치 및 공압 장치의 작동을 제어하는 제어 장치, 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치에 의해 검사된 웨이퍼의 에지 영역 상태에 대한 정보를 표시하는 표시 장치를 포함하고, 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치는 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착한 후 회전시키면서 상기 웨이퍼의 에지 영역 검사를 실행하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the edge area inspection system of the wafer according to the present invention provides a method for automatically performing continuous wafer edge alignment and edge area inspection including bevel and apex of the wafer. An edge area inspection system, comprising: a wafer edge area inspection device for inspecting defects such as cracks or damage in an edge area of a wafer and aligning notches; a wafer for loading and unloading a wafer mounted on a wafer cassette into the wafer edge area inspection device; A pneumatic device for supplying air pressure to the wafer edge area inspection device and the wafer transfer device to vacuum suction the wafer in a non-contact state in the transfer device, the wafer edge area inspection device and the wafer transfer device, the wafer edge area inspection device, the wafer transfer device And a control device for controlling the operation of the pneumatic device, the And a display device for displaying information on the state of the edge region of the wafer inspected by the wafer edge region inspection apparatus, wherein the wafer edge region inspection apparatus vacuum-adsorbs the wafer in a non-contact state and then rotates the edge region inspection of the wafer. Characterized in that the execution.
또 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서, 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치는 상기 웨이퍼 이송 장치에 의해 지지대 상에 위치한 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하는 진공척을 구비한 진공 흡착부, 상기 웨이퍼의 에지 영역을 연속적으로 검사하기 위해 웨이퍼를 진공 흡착한 진공척을 회전시키는 회전부, 상기 웨이퍼와 동일 평면상에 마련되고, 상기 회전부에 의해 회전하는 웨이퍼의 에지 영역 및 노치 위치를 검사하는 에지 검사용 라인 스캔부 및 상기 진공척의 위치를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the wafer edge region inspection system according to the present invention, the wafer edge region inspection apparatus includes a vacuum adsorption portion having a vacuum chuck that vacuum-adsorbs a wafer positioned on a support by the wafer transfer device in a non-contact state, Rotating part for rotating the vacuum chuck that vacuum-adsorbed the wafer to continuously inspect the edge area, an edge inspection line provided on the same plane as the wafer and inspecting the edge area and the notch position of the wafer rotated by the rotating part. And a control unit for controlling the position of the scan unit and the vacuum chuck.
또 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서, 상기 에지 검사용 라인 스캔부는 상기 웨이퍼가 진공척과 접촉을 하지 않은 상태에서 상기 웨이퍼의 회전에 따라 웨이퍼의 전체 둘레의 에지 영역 부분을 검사하고 노치 위치를 파악하는 것을 특징으로 한다.In the wafer edge region inspection system according to the present invention, the edge inspection line scan unit inspects the edge region portion of the entire circumference of the wafer according to the rotation of the wafer while the wafer is not in contact with the vacuum chuck, and the notched position. It is characterized by grasping.
또 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서, 상기 에지 검사용 라인 스캔부는 상기 웨이퍼의 에지 영역 부분이 삽입되고 에지 영역을 검사하기 위한 발광 및 수광의 광학적 기능을 실행하는 삽입부를 구비하고, 상기 웨이퍼의 에지 영역 부분의 검사 및 노치 위치의 정열은 상기 웨이퍼가 상기 에지 검사용 라인 스캔부의 삽입부가 삽입된 상태에서 실행되는 것을 특징으로 한다.In the wafer edge region inspection system according to the present invention, the edge inspection line scan portion includes an insertion portion into which an edge region portion of the wafer is inserted and which performs optical functions of light emission and light reception for inspecting the edge region. The inspection of the edge region portion of the wafer and the alignment of the notch positions are performed in the state where the wafer is inserted with the insertion portion of the line scan portion for edge inspection.
또 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서, 상기 웨이퍼의 장착 위치를 인식하기 위한 카메라를 구비한 웨이퍼 장착 위치 검사부를 더 포함하고, 상기 웨이퍼 장착 위치 검사부는 상기 웨이퍼 이송 장치에 의해 상기 지지대 상에 안착된 웨이퍼의 위치 상태를 촬영하고, 촬영된 웨이퍼의 안착 위치에 대한 위치 정보를 출력하고, 상기 제어부는 상기 위치 정보에 따라 상기 진공척의 위치를 제어하여 상기 웨이퍼와 진공척의 동심 위치를 일치시키도록 상기 진공척의 이동을 제어하는 것을 특징으로 한다.In the wafer edge area inspection system according to the present invention, the wafer mounting position inspection unit further comprises a wafer mounting position inspection unit having a camera for recognizing the mounting position of the wafer, wherein the wafer mounting position inspection unit is mounted on the support by the wafer transfer device. Photographing the position state of the wafer seated on the substrate, and outputting position information on the seating position of the photographed wafer, and the controller controls the position of the vacuum chuck according to the position information to match the concentric positions of the wafer and the vacuum chuck. It characterized in that for controlling the movement of the vacuum chuck.
또 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서, 상기 제어부는 상기 웨이퍼의 에지 영역 부분의 검사 및 노치 위치의 정렬을 다수의 웨이퍼의 각각의 사이즈에 대응하여 실행하는 것을 특징으로 한다.In the wafer edge region inspection system according to the present invention, the controller performs inspection of the edge region portion of the wafer and alignment of notch positions corresponding to respective sizes of the plurality of wafers.
또 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서, 상기 진공척에 대해 상기 웨이퍼를 진공 흡착할 수 있도록 상기 공압 장치로부터 공기를 배출 및 흡입하는 공기 공급부, 상기 진공척을 X 방향으로 이동시키는 X축 구동부, 상기 진공척을 Y 방향으로 이동시키는 Y축 구동부, 상기 진공척을 Z 방향으로 이동시키는 Z축 구동부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 웨이퍼 장착 위치 검사부 및 에지 검사용 라인 스캔부에서의 검사 결과에 따라 상기 공기 공급부, X축 구동부, Y축 구동부, Z축 구동부 및 회전부를 제어하는 것을 특징으로 한다.In the wafer edge area inspection system according to the present invention, an air supply unit for discharging and sucking air from the pneumatic device to vacuum suction the wafer with respect to the vacuum chuck, and an X axis for moving the vacuum chuck in the X direction. A driving unit, a Y-axis driving unit for moving the vacuum chuck in the Y direction, and a Z-axis driving unit for moving the vacuum chuck in the Z direction, the control unit is inspected by the wafer mounting position inspection unit and the edge inspection line scanning unit According to the result, the air supply unit, the X-axis drive unit, the Y-axis drive unit, the Z-axis drive unit and the rotating unit is characterized in that it is controlled.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 방법은 웨이퍼의 노치 정렬 및 웨이퍼의 전면, 이면, 베벨(bevel)과 아펙스(apex)를 포함한 에지 영역 검사를 자동으로 연속 실행하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 방법으로서, (a) 웨이퍼 이송 장치로 검사용 웨이퍼 카세트에 장착된 웨이퍼를 인출하여 웨이퍼 에지 영역 검사 장치의 지지대 상에 로딩하는 단계, (b) 상기 단계 (a)에 의해 지지대 상에 웨이퍼가 로딩된 상태에서 진공척을 상승시켜 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하는 단계, (c) 상기 웨이퍼가 미리 설정된 위치에 로딩이 되었는지를 확인하기 위해 상기 단계 (b)에서 상기 웨이퍼가 진공 흡착된 진공척을 회전시키고, 위치 검사부의 카메라가 촬영하여 웨이퍼와 진공척의 동심 체크를 실행하는 단계, (d) 상기 단계 (c)에서 위치 검사부에 의해 인식된 웨이퍼의 위치를 메모리에 저장된 정상 위치와 정합시키기 위해 진공척을 X 방향 또는 Y 방향으로 이동하여 진공척의 동심과 웨이퍼의 동심을 일치시키는 단계, (e) 상기 단계 (d)에서 진공척의 동심과 웨이퍼의 동심이 일치된 상태에서 웨이퍼의 에지 영역을 검사하기 위해 에지 검사용 라인 스캔부의 삽입부로 웨이퍼가 비접촉 상태로 진공 흡착된 진공척을 이동시키는 단계, (f) 웨이퍼의 검사 위치인 에지 검사용 라인 스캔부의 삽입부에 비접촉 상태로 진공 흡착된 웨이퍼가 삽입된 상태에서 진공척을 회전시켜 웨이퍼의 전체 둘레의 에지 영역에서 에지 검사와 노치 위치를 파악하는 단계, (g) 상기 단계 (f)에서 파악된 웨이퍼의 에지 검사 상태를 표시 장치에 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above object, the method for inspecting the edge area of a wafer according to the present invention automatically performs continuous execution of edge area inspection including notch alignment of the wafer and front, back, bevel and apex of the wafer. A method of inspecting an edge region of a wafer, the method comprising: (a) extracting a wafer mounted on an inspection wafer cassette with a wafer transfer apparatus and loading the wafer on a support of the wafer edge region inspection apparatus; and (b) the support stage by the step (a). Lifting the vacuum chuck in a state where the wafer is loaded on the wafer to vacuum suction the wafer in a non-contact state, (c) the wafer is vacuumed in the step (b) to confirm that the wafer is loaded at a predetermined position Rotating the adsorbed vacuum chuck and performing a concentric check of the wafer and the vacuum chuck by the camera of the position inspection unit, (d) in the step (c) Moving the vacuum chuck in the X direction or the Y direction to match the concentricity of the vacuum chuck with the concentricity of the wafer to match the position of the wafer recognized by the position inspection unit with the normal position stored in the memory, (e) the step (d) Moving the vacuum chuck in which the wafer is vacuum-adsorbed in a non-contact state to the insertion portion of the line inspection unit for the edge inspection to check the edge region of the wafer while the concentricity of the vacuum chuck and the concentricity of the wafer coincide with (f) (C) determining the edge inspection and the notch position in the edge region of the entire circumference of the wafer by rotating the vacuum chuck in a state where the wafer which is vacuum-adsorbed in a non-contact state is inserted into the insertion portion of the line inspection portion for edge inspection. And displaying the edge inspection state of the wafer identified in step (f) on the display device.
또 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 방법에서, 상기 진공 흡착은 사이클론 타입 또는 베르누이 타입으로 실행되는 것을 특징으로 한다.In the method for inspecting the edge region of a wafer according to the present invention, the vacuum adsorption is performed in a cyclone type or a Bernoulli type.
또 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 방법에서, (h) 상기 단계 (f)에서 웨이퍼의 에지 검사와 노치 위치를 파악한 후, 웨이퍼가 비접촉 상태로 진공 흡착된 진공척을 상기 X 방향으로 이동시켜 상기 웨이퍼를 삽입부에서 인출하고, 웨이퍼를 지지대 상에 안착시키고, 상기 웨이퍼 이송 장치가 검사된 웨이퍼를 상기 지지대에서 언로딩 하고, 보관용 웨이퍼 카세트로 수납하는 단계를 더 포함하고, 상기 단계 (a) 내지 단계 (h)는 상기 검사용 웨이퍼 카세트에 장착된 다수의 웨이퍼의 각각에 대해 순차적으로 실행되어 상기 보관용 웨이퍼 카세트로 수납되는 것을 특징으로 한다.In the wafer edge region inspection method according to the present invention, (h) after the edge inspection and notch position of the wafer are determined in the step (f), the vacuum chuck in which the wafer is vacuum-adsorbed in a non-contact state is moved in the X direction. Removing the wafer from the insert, seating the wafer on a support, the wafer transfer device unloading the inspected wafer from the support, and storing the wafer into a storage wafer cassette, the step (a ) To step (h) is performed sequentially for each of the plurality of wafers mounted on the inspection wafer cassette to be stored in the storage wafer cassette.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법에 의하면, 웨이퍼의 에지 영역에서 크랙 또는 손상과 같은 결함을 검사하고 노치를 정렬하는 웨이퍼 에지 영역 검사 장치와 웨이퍼 카세트에 장착된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치로 로딩 및 언로딩 하는 웨이퍼 이송 장치에서 각각 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하여 실행하고, 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착한 진공척이 회전부에 의해 회전하면서 웨이퍼의 에지 영역 및 노치 위치를 검사하므로, 웨이퍼의 전면 또는 이면에 손상을 주지 않으면서 에지 영역 및 노치 위치의 검사를 실행할 수 있다는 효과가 얻어진다.As described above, according to the edge area inspection system and inspection method of the wafer according to the present invention, the wafer edge area inspection apparatus and wafer cassettes for inspecting defects such as cracks or damage in the edge region of the wafer and aligning the notches are mounted. In the wafer transfer device for loading and unloading the wafer into the wafer edge region inspection device, the wafer is vacuum-adsorbed in a non-contact state, respectively, and the vacuum chuck, in which the wafer is vacuum-adsorbed in a non-contact state, is rotated by the rotating unit, thereby the edge region of the wafer. And the notch position is inspected, thereby obtaining the effect of inspecting the edge area and the notched position without damaging the front or back side of the wafer.
또, 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법에 의하면, 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하여 에지 영역 및 노치 위치를 자동으로 고속 검사를 실행할 수 있다는 효과도 얻어진다.In addition, according to the edge area inspection system and inspection method of the wafer according to the present invention, the effect that the wafer can be vacuum-adsorbed in a non-contact state and the edge area and the notch position can be automatically executed at high speed is also obtained.
또, 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법에 의하면, 웨이퍼의 에지 영역 및 노치 위치를 자동으로 균일하게 실행하여 우수한 제품 품질관리를 확보하면서 생산성 향상에 기여할 수 있다는 효과도 얻어진다.Moreover, according to the edge area inspection system and inspection method of the wafer which concerns on this invention, the edge area and notch position of a wafer are automatically performed uniformly, and the effect which can contribute to productivity improvement, ensuring excellent product quality control is also acquired.
도 1은 본 발명에 적용되는 웨이퍼 에지의 형상을 설명하기 위한 도면,
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템의 사시도,
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서 함체의 일부를 개방시킨 상태의 사시도,
도 4는 도 2에 도시된 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템의 내부를 위에서 본 평면도,
도 5는 웨이퍼 카세트가 장착되고 도 2에 도시된 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템의 내부의 정면도,
도 6은 도 4에 도시된 웨이퍼 에지 영역 검사장치의 사시도,
도 7은 도 6에 도시된 웨이퍼 에지 영역 검사장치의 주요부의 분해 사시도,
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 영역 검사장치의 블록도,
도 9 내지 도 20은 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 방법을 설명하기 위한 웨이퍼 에지 영역 검사 장치의 동작 상태의 사시도.1 is a view for explaining the shape of the wafer edge applied to the present invention,
2 is a perspective view of an edge area inspection system of a wafer according to the present invention;
3 is a perspective view of a part of the housing opened in the edge area inspection system of the wafer shown in FIG.
4 is a plan view from above of the inside of the edge area inspection system of the wafer shown in FIG. 2;
5 is a front view of the interior of the edge area inspection system of the wafer shown in FIG.
6 is a perspective view of the wafer edge region inspection apparatus shown in FIG.
7 is an exploded perspective view of an essential part of the wafer edge region inspection apparatus shown in FIG. 6;
8 is a block diagram of a wafer edge region inspection apparatus according to the present invention;
9 to 20 are perspective views of the operation state of the wafer edge region inspection apparatus for explaining the edge region inspection method of the wafer according to the present invention.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 더욱 명확하게 될 것이다.The above and other objects and novel features of the present invention will become more apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
본원에서 사용하는 용어 "진공 흡착"은 반도체 웨이퍼가 진공척과 물리적인 접촉 없이 진공척 상에서 부상한 상태로 유지되는 것을 의미한다. 상기 진공 흡착을 위해서는 사이클론 타입 또는 베르누이 타입을 적용할 수 있다. 사이클론 타입은 공급 포트에서 도입된 공기가 흡착면측 오목부 측면에 있는 노즐로부터 분출되며, 선회 흐름이 되고, 이 선회 흐름이 비접촉 진공척과 반도체 웨이퍼의 틈새에서 대기로 방출되므로, 사이클론 효과에 의해 선회 흐름 내부에 진공영역이 발생하고, 비접촉에서의 반도체 웨이퍼의 리프트(상승 및 이동)가 가능해지며, 선회 흐름의 원심력의 작용에 의해 더욱 강한 리프트력를 발생시킬 수 있다. 또 베르누이 타입은 공급 포트에서 도입된 공기가 흡착면측 볼록부 측면에 있는 노즐에서 방사 모양으로 분출되고, 방사 흐름은 비접촉 진공척과 반도체 웨이퍼의 틈새에서 대기로 방출되며, 비접촉 진공척과 반도체 웨이퍼 사이의 공기가 외주 방향으로 인장시켜서 중심부에 진공영역이 발생하고, 비접촉에서의 반도체 웨이퍼의 리프트가 가능해지며, 공기를 방사 모양으로 토출하여, 맥동이나 선회 흐름에 따른 일렁거림 등을 억제, 워크 진폭을 억제할 수 있다. 또한, "웨이퍼"는 일반적으로 반도체 또는 비반도체 재료로 형성된 기판으로서, 반도체 재료의 비 제한적인 예로는 단결정 실리콘, 비화 갈륨 및 인화 인듐이 있으며, 이러한 기판은 반도체 제조 설비에서 통상적으로 처리될 수 있고, 기판은 유리, 사파이어 또는 다른 절연체 재료로 이루어질 수 있다. "노치"는 반도체 웨이퍼에서 결정의 방향을 표시하기 위해 그 방향을 특정한 절결 부분을 의미하고, "에지 영역"은 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 둘레 가장자리 부분에서 베벨(bevel) 부분과 아펙스(apex)부분을 포함한 영역을 의미한다.As used herein, the term "vacuum adsorption" means that the semiconductor wafer is left floating on the vacuum chuck without physical contact with the vacuum chuck. Cyclone type or Bernoulli type may be applied to the vacuum adsorption. In the cyclone type, the air introduced from the supply port is ejected from the nozzle on the side of the recessed side of the suction surface, and becomes a swirl flow, and the swirl flow is discharged to the atmosphere from the gap between the non-contact vacuum chuck and the semiconductor wafer, and thus the swirl flow is caused by the cyclone effect. A vacuum area is generated inside, lift (raising and moving) of the semiconductor wafer in non-contact becomes possible, and a stronger lift force can be generated by the action of the centrifugal force of the turning flow. In the Bernoulli type, the air introduced from the supply port is ejected radially from the nozzle on the side of the convex side of the suction surface, and the radial flow is discharged into the atmosphere from the gap between the non-contact vacuum chuck and the semiconductor wafer, and the air between the non-contact vacuum chuck and the semiconductor wafer is Tension in the circumferential direction to generate a vacuum region at the center, and to lift the semiconductor wafer in a non-contact manner, and to discharge the air radially, to suppress the pulsation and the fluctuations caused by the turning flow, and to suppress the workpiece amplitude. Can be. Also, "wafers" are substrates that are generally formed of semiconductor or non-semiconductor materials, non-limiting examples of semiconductor materials include single crystal silicon, gallium arsenide, and indium phosphide, which substrates can typically be processed in a semiconductor manufacturing facility and The substrate may be made of glass, sapphire or other insulator material. "Notch" means a cutout portion whose direction is specified to indicate the direction of a crystal in the semiconductor wafer, and an "edge area" means a bevel portion and a circumferential edge portion of the semiconductor wafer, as shown in FIG. It means the area including the apex part.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템의 실시 예를 도면에 따라서 설명한다.Hereinafter, an embodiment of an edge region inspection system of a wafer according to the present invention will be described with reference to the drawings.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템의 사시도 이고, 도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서 함체의 일부를 개방시킨 상태의 사시도 이고, 도 4는 도 2에 도시된 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템의 내부를 위에서 본 평면도 이며, 도 5는 웨이퍼 카세트가 장착되고 도 2에 도시된 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템의 내부의 정면도 이다.FIG. 2 is a perspective view of an edge area inspection system of a wafer according to the present invention, FIG. 3 is a perspective view of a part of an enclosure opened in the edge area inspection system of a wafer shown in FIG. 2, and FIG. 4 is shown in FIG. 2. 3 is a plan view from above of the inside of the edge area inspection system of the loaded wafer, and FIG. 5 is a front view of the inside of the edge area inspection system of the wafer shown in FIG.
본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템은 웨이퍼의 노치 정렬 및 웨이퍼의 전면, 이면, 베벨(bevel)과 아펙스(apex)를 포함한 에지 영역 검사를 자동으로 연속 실행하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템으로서, 도 2에 도시된 바와 같이 함체(10) 내에 마련되고, 함체(10)의 일측에는 검사용 로드부(11)와 보관용 로드부(12)가 마련되고, 함체(10)의 상부에는 시스템의 작동 상태를 나타내는 타워 램프(13)가 장착된다.The wafer edge area inspection system according to the present invention is a wafer edge area inspection system that automatically performs edge notch alignment of wafers and edge area inspections including front, back, bevel and apex of the wafer. As shown in Figure 2 is provided in the
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 검사용 로드부(11)에는 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서 검사될 다수의 웨이퍼, 예를 들어 25개의 웨이퍼가 안착된 검사용 웨이퍼 카세트가 장착되고, 보관용 로드부(12)에는 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서 검사가 완료된 다수의 웨이퍼, 예를 들어 25개의 웨이퍼가 안착된 보관용 웨이퍼 카세트(20)가 장착된다.As shown in FIG. 5, the
도 2에 도시된 바와 같은 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템이 마련된 함체(10)는 클린룸으로 이루어진다. 즉, 함체(10) 내의 상태는 예를 들어 온도 15℃~30℃, 습도 40~70%(단 이슬 맺힘 없을 것), 결상 광학계, 조명광학계 등의 사용부품이 오염을 방지하도록 클린도 Class 1000 이하, 진동 1~50Hz 1 X 10-2 m/s2의 사용 환경을 충족하도록 마련된다.The
상기 함체 (10) 내에는 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 에지 영역에서 크랙 또는 손상과 같은 결함을 검사하고 노치를 정렬하는 웨이퍼 에지 영역 검사 장치(100, 300, 400), 웨이퍼 카세트(20)에 장착된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치로 로딩 및 언로딩 하는 웨이퍼 이송 장치(200), 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치(100, 300, 400)와 웨이퍼 이송 장치(200)에서 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하도록 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치(100, 300, 400)와 웨이퍼 이송 장치(200)에 공압을 공급하는 공압 장치(600), 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치(100, 300, 400), 웨이퍼 이송 장치(200) 및 공압 장치(200)의 작동을 제어하는 제어 장치(700), 웨이퍼의 크기, 위치, 치수 및 웨이퍼의 표면 또는 이면에 마이크로크랙이나 핀홀, 스테인(이물질) 등이 있는지를 확인하는 표면검사를 위해 마련된 3개의 라인 스캔 카메라(Line Scan Camera, 810)와 에어 포켓 화상의 확대를 위한 리뷰 카메라(820)를 구비한 표면 검사 장치(800), 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치(100, 300, 400)에 의해 검사된 웨이퍼의 에지 영역 상태에 대한 정보를 표시하는 표시 장치(미도시)를 포함한다.3 to 5, wafer edge
본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에서 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치(100, 300, 400)는 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착한 후 회전시키면서 상기 웨이퍼의 에지 영역 검사를 실행한다.In the wafer edge region inspection system according to the present invention, the wafer edge
상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치(100, 300, 400)에 대해서는 도 6 내지 도 8에 따라 설명한다.The wafer edge
도 6은 도 4에 도시된 웨이퍼 에지 영역 검사 장치의 사시도 이고, 도 7은 도 6에 도시된 웨이퍼 에지 영역 검사 장치의 주요부의 분해 사시도 이며, 도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 영역 검사장치의 블록도이다.6 is a perspective view of the wafer edge region inspection apparatus shown in FIG. 4, FIG. 7 is an exploded perspective view of a main part of the wafer edge region inspection apparatus illustrated in FIG. 6, and FIG. 8 is a wafer edge region inspection apparatus according to the present invention. It is a block diagram.
본 발명에 적용되는 웨이퍼 에지 영역 검사 장치(100, 300, 400)는 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 에지 영역에서 크랙이나 결함 또는 손상과 같은 결함을 검사하고 노치를 정렬하기 위한 웨이퍼의 에지 영역을 검사하는 장치로서, 웨이퍼 이송 장치(200)에 의해 본체(160)의 상판(170)에 마련된 지지대(150) 상에 위치한 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하는 진공척(101)을 구비한 진공 흡착부(100), 상기 웨이퍼의 에지 영역을 연속적으로 검사하기 위해 웨이퍼를 진공 흡착한 진공척(101)을 회전시키는 회전부(140), 상기 웨이퍼의 장착 위치를 인식하기 위한 카메라를 구비한 웨이퍼 장착 위치 검사부(300), 상기 웨이퍼와 동일 평면상에 마련되고, 상기 회전부(140)에 의해 회전하는 웨이퍼의 에지 영역 및 노치 위치를 검사하는 에지 검사용 라인 스캔부(400) 및 상기 진공척(101)의 위치를 제어하는 제어부(500)를 포함한다.The wafer edge
상기 진공 흡착부(100)는 도 7에 도시된 바와 같이 본체(160)의 상판(170)의 상부에서 노출되어 반도체 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 진공척(101)과 본체(160) 내에 마련되고 상기 진공척(101)에 대해 상기 반도체 웨이퍼를 진공 흡착할 수 있도록 공압 장치(600)에 연결되어 공기 배출 및 공기 흡입하는 공기 공급부(102)를 포함한다,The
상기 진공척(101)에는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 상기 공기 공급부(102)와 연통되는 다수의 개구부가 마련되며, 공압 장치(600)를 통해 공기 공급부(102)로 도입된 공기가 흡착면측 오목부 측면에 있는 노즐로부터 분출되며 선회 흐름이 되고, 이 선회 흐름이 진공척(101)과 반도체 웨이퍼의 틈새에서 대기로 방출하는 사이클론 타입 또는 진공척(101)과 반도체 웨이퍼 사이의 공기가 외주 방향으로 인장시켜서 중심부에 진공영역이 발생하는 베르누이 타입을 적용할 수 있다.The
상기 공기 공급부(102)는 회전부(140)의 중앙 부분을 관통하는 배관을 구비하며, 이 배관의 하단은 웨이퍼 에지 영역 검사 장치의 외부로 안내되어 2개로 분기되어 공기 공급 부재와 흡인 부재로 이루어진 공압 장치(600)에 연결된다. 상기 공기 공급부(102)에서 한쪽의 분기관은 밸브를 거쳐서 압력 조정 및 공기 공급을 실행하는 상기 공기 공급 부재에 접속되고, 다른 쪽의 분기관은 밸브를 거쳐서 압력 조정 및 흡인 펌프로 구성되는 상기 흡인 부재에 접속된다. 즉 본 발명에 적용되는 공기 공급부(102)는 진공척(101)의 작동을 위한 공기의 공급 및 흡인을 실행할 수 있도록 공압 장치(600)에 연결된다. 따라서, 진공척(101)의 다수의 개구부로부터 공기를 배출시키고, 그 배출 압력에 의해 진공척(101)상의 웨이퍼(W)를 부상시키고, 공압 장치(600)의 흡인 부재가 다수의 개구부로부터 흡인해서 진공척(101)상의 웨이퍼(W)를 진공 흡착할 수 있다. 또 분기관에 마련된 밸브의 제어에 의해 진공 흡착 상태를 해제할 수도 있다.The
본 발명에 따른 웨이퍼 에지 영역 검사 장치는 도 6 및 도 7에 도시된 바와같이, 본체(160) 내에서 상기 진공척(101)을 X 방향으로 이동시키는 X축 구동부(110), 상기 진공척(101)을 Y 방향으로 이동시키는 Y축 구동부(120), 상기 진공척(101)을 Z 방향으로 이동시키는 Z축 구동부(130)가 순차적으로 적층된 구조로 마련되고, 상기 회전부(140)는 Z축 구동부(130)의 상부에 마련된다.Wafer edge region inspection apparatus according to the present invention as shown in Figs. Likewise, in the
상기 X축 구동부(110), Y축 구동부(120), Z축 구동부(130)의 각각에는 안내 레일 및 구동 모터가 마련되며, 통상의 구동 수단과 같이 제어부(500)의 제어하에 작동한다. 즉 제어부(500)는 상기 웨이퍼 장착 위치 검사부(300) 및 에지 검사용 라인 스캔부(400)에서의 검사 결과에 따라 상기 공기 공급부(102), X축 구동부(110), Y축 구동부(120), Z축 구동부(130) 및 회전부(140)를 제어한다.Each of the
상기 회전부(140)의 중앙 부분에는 도 7에 도시된 바와 같이, 공기 공급부(102)의 배관이 관통하는 관통홀이 마련되므로, 진공척(101)은 회전부(140)의 회전에 관계없이 웨이퍼에 대해 진공 흡착 상태를 유지할 수 있다.As shown in FIG. 7, a through hole through which the pipe of the
상기 지지대(150)는 본체(160)의 상판(170) 상에 웨이퍼의 직경에 대응하여 웨이퍼 이송 장치(200)에 의해 로딩 및 언로딩되는 반도체 웨이퍼를 일시 유지하기 위해 마련된다. 즉 지지대(150)는 도 6에 도시된 바와 같이 상판(170) 상에 120도 간격으로 마련되고 대략 "ㄷ"자 형상을 갖는 3개의 지지 부재로 이루어지며, 이 3개의 지지 부재의 상단 가장자리 부분에 웨이퍼의 에지 부분이 안착되게 된다. 상기 지지대(150)를 "ㄷ"자 형상의 3개의 지지 부재로 마련하는 것에 의해 웨이퍼 이송 장치(200)의 로봇 암이 진공척(101) 상에서 지지 부재의 장애 없이 용이하게 출입할 수 있고, 웨이퍼의 에지 부분에서만 웨이퍼를 안정적으로 유지할 수 있게 된다. 또 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 상판(170)에는 진공척(101)의 이동을 위한 개구부(171)가 마련된다. 상기 개구부(171)는 진공척(101)이 X 방향 및 Y 방향으로의 이동이 자유롭도록 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 장착 위치 검사부(300)와 에지 검사용 라인 스캔부(400) 사이에 타원 형상으로 마련된다.The
상기 웨이퍼 이송 장치(200)는 본 발명에 적용되는 웨이퍼 에지 영역 검사 장치 및 표면 검사 장치(800)에 의해 검사될 다수의 웨이퍼, 예를 들어 25개의 웨이퍼를 각각 보관 유지하는 검사용 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼를 인출하여 지지대(150)상에 안착하거나 검사 완료된 지지대(150) 상의 웨이퍼를 보관용 웨이퍼 카세트(20)로 보관하기 위한 로봇 암을 구비한다. 이와 같은 로봇 암에는 웨이퍼를 유지하기 위한 에지 그립부가 마련되거나 본 발명에 적용되는 진공 척과 같은 진공 흡착부를 구비할 수 있다.The
상기 웨이퍼 장착 위치 검사부(300)는 상기 웨이퍼 이송 장치(200)에 의해 지지대(150) 상에 안착된 웨이퍼의 위치 상태를 촬영하고, 촬영된 웨이퍼의 안착 위치에 대한 위치 정보를 제어부(500)로 출력한다. 이를 위해 웨이퍼 장착 위치 검사부(300)는 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 일부분이 삽입되도록 "ㄷ'자 형상으로 이루어진 절결부(310)가 마련되고, 상부에는 촬영용 카메라(320)가 장착된다.The wafer mounting
상기 에지 검사용 라인 스캔부(400)에는 웨이퍼(W)가 진공척(101)과 접촉을 하지 않은 상태에서 상기 웨이퍼의 회전에 따라 웨이퍼의 전체 둘레의 에지 영역 부분을 검사하고 노치 위치를 파악하기 위해 웨이퍼의 에지 영역 부분이 삽입되고 에지 영역을 검사하기 위한 발광 및 수광의 광학적 기능을 실행하는 삽입부(410)가 마련된다. 즉 웨이퍼의 에지 영역 부분의 검사 및 노치 위치의 정열은 상기 웨이퍼가 상기 에지 검사용 라인 스캔부의 삽입부(410)가 삽입된 상태에서 실행되며, 이를 위해 삽입부(410)의 상부 및 하부에는 발광계 및 수광계가 마련된다. 상기 발광계의 광원으로서 예를 들어 적외 반도체 레이저(발신 파장 785㎚, 저임계 전류 30 ㎃)를 적용할 수 있으며, 수광계로서는 예를 들어 실리콘 PIN 포토다이오드(감도 파장 범위 : 320㎚ 내지 1060㎚)를 적용할 수 있다. 상기 발광계는 그 내부에 다수의 렌즈를 구비하고, 레이저광과 렌즈와의 거리 및 렌즈와 웨이퍼와의 거리를 제어하여 원하는 스폿 형상으로 레이저광을 성형할 수 있다. 한편, 수광계에서 수광한 산란광의 강도를 전기 신호로 변환하도록, 수광계는 산란광을 광전 변환하고, 산란광의 강도에 대응한 산란광 신호를 출력하며, 산란광 신호를 증폭기에 의해 증폭하고, 비교기에 의해 기준 전압과 비교되어 웨이퍼의 에지 영역에서의 이물질의 사이즈가 특정된다, 이물질 사이즈마다 디지털 신호로 변환된 결과와 웨이퍼의 회전 속도, 산란광 강도 등의 정보는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 영역 검사장치와 별도로 마련된 검사 전용 PC에 설치된 프로그램에 의해 자동으로 분석되며, 이 검사 전용 PC에 의해 웨이퍼 에지 영역에 부착되어 있는 이물질, 결손 등의 위치가 특정된다. 또한, 검사 전용 PC에 의해 분석된 각각의 웨이퍼의 영상 정보는 정상 또는 불량으로 표시 장치(디스플레이)에 표시되고, 그 결과를 프린터로 출력할 수 있다.In the edge inspection
본 발명에 적용되는 웨이퍼 에지 영역 검사 장치에서는 진공척(101)에 의해 웨이퍼가 비접촉 상태로 진공 흡착된 상태에서 회전부(140)에 의해 회전하므로, 웨이퍼의 노치 위치 및 도 1에 도시된 바와 같은 웨이퍼의 표면, 표면측 베벨, 아펙스, 이면측 베벨, 웨이퍼 이면에 부착되는 이물질 및 크랙 등의 결함을 검출할 수 있다.In the wafer edge region inspection apparatus applied to the present invention, since the wafer is rotated by the
상기 제어부(500) 상술한 웨이퍼 장착 위치 검사부(300)에서의 위치 정보 및 메모리(510)에 저장된 위치 정보에 따라 상기 진공척(101)의 위치를 제어하여 상기 웨이퍼(W)와 진공척(101)의 동심 위치를 일치시키도록 진공척(101)의 이동을 제어하며, 이와 같은 제어는 웨이퍼의 에지 영역 부분의 검사 및 노치 위치의 정렬을 다수의 웨이퍼의 각각의 사이즈에 대응하여 실행할 수 있다. 이를 위해 메모리(510)에는 에지 영역을 검사할 웨이퍼의 크기에 대한 정보, 진공척(101)의 초기 위치에 대한 정보, X축 구동부(110), Y축 구동부(120), Z축 구동부(130)에 의한 진공척(101)의 X 방향 이동, Y 방향 이동, Z 방향 이동에 대한 정보, 회전부(140)의 회전 속도에 대한 정보 등이 저장된다.The
한편, 도 6에 도시된 바와 같은 웨이퍼 에지 영역 검사 장치의 각각의 구성 요소 사이에서 전기적 신호의 송수신은 통상의 웨이퍼 에지 영역 검사 장치와 동일하게 실행되므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.On the other hand, since the transmission and reception of electrical signals between the respective components of the wafer edge region inspection apparatus as shown in FIG. 6 is performed in the same manner as a conventional wafer edge region inspection apparatus, a detailed description thereof will be omitted.
상기 공압 장치(600)는 회전부(140)의 중앙 부분을 관통하는 배관에 연통되는 공기 공급 부재와 흡인 부재를 구비한다. 즉, 배관의 하단은 2개로 분기되어 공기 공급 부재와 흡인 부재에 연통되며, 공기 공급원인 공기 공급부의 분기관에는 밸브가 장착되고, 이 밸브를 거쳐서 압력 조정부 및 공기 공급원이 접속되며, 흡인 부재에는 밸브가 장착되고, 이 밸브를 거쳐서 압력 조정부 및 흡인 펌프가 접속된다. 이와 같은 공압 장치(600)에서의 공기의 공급 및 흡인은 제어 장치(700)에 의해 제어된다.The
상기 제어 장치(700)는 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 함체(10)의 전면에 패널로서 마련되고, 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템의 각각의 장치에서 구동부의 모터를 구동하고 제어하며 각 센서를 제어하기 위한 PLC(Programmable Logic Controller), 장비 동작과 관련된 사용자 인터페이스(User Interface)를 위한 제어 박스(Control Box)로 구성된다.The
상기 표면 검사 장치(800)는 3개의 라인 스캔 카메라(810)와 리뷰 카메라(820) 및 이들 카메라의 촬상 상태를 양호하게 하기 위해 할로겐램프로 이루어진 조명계를 구비한다. 이 표면 검사 장치(800)는 3개의 라인 스캔 카메라(810)와 리뷰 카메라(820)를 통해 웨이퍼 이송 장치(200)가 검사용 웨이퍼 카세트에서 인출한 웨이퍼에 대해 웨이퍼의 에지 영역 검사 전에 웨이퍼의 크기, 위치, 치수 및 웨이퍼의 표면 또는 이면에 마이크로크랙이나 핀홀, 스테인 등이 있는지를 확인하는 표면 검사를 실행한다. 표면 검사 장치(800)에서 실행된 웨이퍼의 표면 검사 결과는 검사 전용 PC에 의해 분석되고 표시 장치에 표시되며, 이 표면 검사에서 불량으로 판정된 웨이퍼에 대해서는 웨이퍼의 에지 영역 검사를 실행하지 않고, 보관용 웨이퍼 카세트(20)에 수납될 수 있다.The
상기 표시 장치는 통상의 디스플레이 장치로서 LCD, LED 또는 OLED 모니터로 이루어지며, 검사 전용 PC에 의해 검사된 웨이퍼의 크기, 위치, 치수 및 웨이퍼의 표면 또는 이면, 에지 영역 상태에 대한 정보를 영상 또는 문자로 표시될 수 있으며, 검사한 웨이퍼의 양호 또는 불량 및 보관용 웨이퍼 카세트(20)에서의 웨이퍼 위치 정보를 표시할 수 있다.The display device includes a LCD, an LED or an OLED monitor as a conventional display device, and displays an image or text for information on the size, position, dimensions of the wafer and the surface or backside of the wafer, and the state of the edge area. It may be indicated by, and may indicate the good or bad of the inspected wafer and the wafer position information in the
다음에 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템에 의한 웨이퍼의 에지 영역 검사 방법에 대해 도 9 내지 도 20에 따라 설명한다.Next, an edge area inspection method of the wafer by the edge area inspection system of the wafer according to the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 20.
도 9 내지 도 20은 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 과정을 설명하기 위한 웨이퍼 에지 영역 검사 장치의 동작 상태의 사시도 이다.9 to 20 are perspective views of an operation state of a wafer edge region inspection apparatus for explaining an edge region inspection process of a wafer according to the present invention.
도 9에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 이송 장치(200)는 검사될 다수의 웨이퍼를 각각 보관 유지하는 검사용 웨이퍼 카세트에서 로봇 암으로 웨이퍼를 인출하여 지지대(150)상에 안착(로딩)시킨다. 검사할 웨이퍼(W)의 로딩은 도 9에 도시된 바와 같이 "ㄷ"자 형상의 3개의 지지 부재 상에 실행되며, 웨이퍼(W)의 일부분이 위치 검사부(300)의 절결부(310) 내에 삽입된 상태에서 웨이퍼 이송 장치(200)의 로봇 암이 분리된다.As shown in FIG. 9, the
도 10에 도시된 바와 같이, 지지대(150) 상에 웨이퍼(W)가 로딩된 상태에서 Z축 구동부(130)에 의해 진공척(101)이 상승(Z축 상승)하여 웨이퍼(W)를 진공 흡착한다. 즉 웨이퍼(W)와 진공척(101)은 일정한 간격을 유지한 상태에서 진공척 상에 비접촉 상태로 웨이퍼가 유지된다. 이와 같은 Z축 상승 및 웨이퍼(W)의 진공 흡착은 1초 이내에 실행된다. 이에 따라 도 11에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 에지 영역 부분이 지지대(150)와 분리된다.As shown in FIG. 10, in the state in which the wafer W is loaded on the
다음에 상기 웨이퍼(W)가 미리 설정된 위치에 로딩이 되었는지를 확인하기 위해 도 12에 도시된 바와 같이 진공척(100)에 웨이퍼(W)가 진공 흡착된 상태에서 도 12에 도시된 바와 같이 진공척(101)을 회전시키고, 위치 검사부(300)에 마련된 카메라(320)가 촬영하여 웨이퍼(W)와 진공척(101)의 동심 체크를 실행한다. 진공척(101)의 회전에 따라 카메라(320)가 로딩된 웨이퍼(W)를 촬영하여 웨이퍼(W)의 위치 정보를 추출하고, 제어부(500)는 추출된 위치 정보와 메모리(510)에 미리 저장된 웨이퍼의 로딩 위치 정보를 비교하여 웨이퍼의 정확한 로딩 정보를 인식한다. 상술한 웨이퍼(W)와 진공척(101)의 동심 체크는 4초 이내에 실행된다.Next, as shown in FIG. 12, the wafer W is vacuum-adsorbed to the
위치 검사부(300)에 의해 웨이퍼(W)의 위치가 인식되면, 도 13에 도시된 바와 같이, Z축 구동부(130)에 의해 진공척(101)이 하강(Z축 하강)하여 진공 상태가 해제되어 웨이퍼(W)가 지지대(150) 상에 안착된다. 즉 도 10에 도시된 상태와 동일한 상태로 된다. 이와 같은 Z축 하강 및 진공 상태의 해제는 1초 이내에 실행된다.When the position of the wafer W is recognized by the
이후, 위치 검사부(300)에 의해 인식된 웨이퍼(W)의 위치를 메모리(510)에 저장된 정상 위치와 정합시키기 위해 도 14에 도시된 바와 같이, X축 구동부(110)와 Y축 구동부(120)에 의해 진공척(101)을 X 방향 또는 Y 방향으로 이동하여 진공척(101)의 동심과 웨이퍼(W)의 동심을 일치시킨다. 이와 같은 진공척(101)의 동심과 웨이퍼(W)의 동심을 일치하기 위한 X 방향 또는 Y 방향으로의 이동은 1초 이내에 실행된다.Thereafter, in order to match the position of the wafer W recognized by the
계속해서, 진공척(101)의 동심과 웨이퍼(W)의 동심이 일치된 상태에서 웨이퍼의 에지 영역을 검사하기 위해 도 15에 도시된 바와 같이, Z축 구동부(130)에 의해 진공척(101)이 상승(Z축 상승)하고 웨이퍼를 진공 흡착하고, 도 16에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 에지 영역을 검사하기 위해 X축 구동부(110)에 의해 진공척(101)을 X 방향으로 이동시켜 에지 검사용 라인 스캔부(400)의 삽입부(410)에 삽입된 상태로 유지시킨다. 상술한 에지 검사를 위한 진공척(101)의 이동은 1초 이내에 실행된다. 또 필요시 웨이퍼(W)를 진공 흡착한 상태에서 진공척(101)은 X, Y 방향으로 동시에 이동할 수 있다. 또한, Y축 방향의 이동은 예를 들어 40mm 정도 이내에서 실행될 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 15 to inspect the edge region of the wafer in the state where the concentricity of the
웨이퍼(W)의 검사 위치인 에지 검사용 라인 스캔부의 삽입부(410)에 비접촉 상태로 진공 흡착된 웨이퍼(W)가 삽입된 상태에서 도 17에 도시된 바와 같이, 회전부(140)에 의해 진공척(101)을 회전시켜 웨이퍼(W)의 전체 둘레의 에지 영역에서 에지 검사와 노치 위치를 파악한다. 즉 삽입부(410)의 상부 및 하부에 마련된 발광계 및 수광계에 의해 웨이퍼(W)의 노치 위치 및 웨이퍼(W)의 표면, 표면측 베벨, 아펙스, 이면측 베벨, 웨이퍼 이면에 부착되는 이물질 및 크랙 상태를 검출하고, 검출 정보는 분석 장치로 출력된다. 이와 같은 웨이퍼(W)의 전체 둘레의 에지 영역에서 에지 검사 및 노치 위치의 파악에는 10초 이내에 실행된다.As shown in FIG. 17, the vacuum is rotated by the
상술한 과정에서 웨이퍼(W)의 전체 둘레의 에지 영역에서 에지 검사와 노치 위치의 검사가 완료되면, 도 18에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)가 비접촉 상태로 진공 흡착된 진공척(101)을 삽입부(410)에서 인출하고, 웨이퍼(W)의 노치 위치를 정렬하도록 회전부(140)에 의해 진공척(101)이 회전하고, 웨이퍼(W)가 지지대(150) 상에 안착할 수 있는 위치로 이동하도록, 진공척(101)이 X축 구동부(110)에 의해 X축 방향 또는 Y축 구동부(120)에 의해 Y 축 방향으로 이동한다. 이와 같은 웨이퍼(W)의 언로딩 상태로의 이동은 1초 이내에 실행된다.In the above-described process, when the edge inspection and the notch position inspection are completed in the edge region around the entire wafer W, as shown in FIG. 18, the
이어서 진공척(100)의 이동에 따라 웨이퍼(W)가 지지대(150) 상에 위치하면, Z축 구동부(130)에 의해 진공척(101)이 하강(Z축 하강)하고, 도 19에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)에 대한 진공 상태가 해제되고, 웨이퍼(W)는 지지대(150) 위에 안착하게 된다. 상술한 바와 같은 Z축 하강 및 웨이퍼(W)에 대한 진공 상태의 해제는 1초 이내에 실행된다. 본 발명에 따른 웨이퍼(W)의 에지 영역에서 에지 검사와 노치 위치의 정렬까지는 21초 이내에 실행되므로 종래의 기술에 비해 고속으로 진행된다.Subsequently, when the wafer W is positioned on the
도 19에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 지지대(150) 상에 안착하면, 웨이퍼(W)에 대한 에지 영역에서 에지 검사와 노치 위치의 검사가 완료된 것으로 판단하고, 도 20에 도시된 바와 같이 웨이퍼 이송 장치(200)가 웨이퍼(W)를 언로딩하고, 로봇 암이 검사 완료된 웨이퍼(W)를 보관용 웨이퍼 카세트(20)에 수납한다.As shown in FIG. 19, when the wafer W is seated on the
상술한 바와 같은 웨이퍼의 검사 상태 정보는 표시 장치에 표시된다.The inspection state information of the wafer as described above is displayed on the display device.
계속해서, 상술한 바와 같은 에지 영역 검사 및 노치 정렬을 실행하여 로봇 암이 지지대(150)에서 보관용 웨이퍼 카세트(20)로 수납한 후, 검사용 웨이퍼 카세트에서 새로운 웨이퍼의 검사를 위해 웨이퍼 이송 장치(200)의 로봇 암이 웨이퍼를 인출하여 상술한 과정을 반복한다,Subsequently, after performing the edge area inspection and notch alignment as described above, the robot arm is received from the
상기 설명에서는 검사용 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼를 인출하여 웨이퍼 에지 영역 검사 장치에 로딩하는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니고 표면 검사 장치(800)에서의 웨이퍼 표면 검사 결과, 양호로 판정된 웨이퍼에 대해서만 웨이퍼 에지 영역 검사 장치로 공급되는 구조를 적용할 수도 있다.In the above description, the wafer is taken out from the inspection wafer cassette and loaded into the wafer edge region inspection apparatus. However, the invention is not limited thereto, and only wafers determined as satisfactory as a result of wafer surface inspection in the
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시 예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.As mentioned above, although the invention made by the present inventor was demonstrated concretely according to the said Example, this invention is not limited to the said Example and can be variously changed in the range which does not deviate from the summary.
본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법을 사용하는 것에 의해 웨이퍼의 전면 또는 이면에 손상을 주지 않으면서 에지 영역 및 노치 위치의 검사를 실행할 수 있다.By using the edge area inspection system and inspection method of the wafer according to the present invention, inspection of the edge area and the notch position can be performed without damaging the front or back side of the wafer.
100 : 진공 흡착부
150 : 지지대
200 : 웨이퍼 로딩 및 언로딩부
300 : 웨이퍼 장착 위치 검사부
400 : 에지 검사용 라인 스캔부
500 : 제어부100: vacuum adsorption unit
150: support
200: wafer loading and unloading unit
300: wafer mounting position inspection unit
400: line scan unit for edge inspection
500: control unit
Claims (10)
Translated fromKorean웨이퍼의 에지 영역에서 크랙 또는 손상과 같은 결함을 검사하고 노치를 정렬하는 웨이퍼 에지 영역 검사 장치,
웨이퍼 카세트에 장착된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치로 로딩 및 언로딩 하는 웨이퍼 이송 장치,
상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치와 웨이퍼 이송 장치에서 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하도록 상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치와 웨이퍼 이송 장치에 공압을 공급하는 공압 장치,
상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치, 웨이퍼 이송 장치 및 공압 장치의 작동을 제어하는 제어 장치,
상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치에 의해 검사된 웨이퍼의 에지 영역 상태에 대한 정보를 표시하는 표시 장치를 포함하고,
상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치는 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착한 후 회전시키면서 상기 웨이퍼의 에지 영역 검사를 실행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템.A wafer edge area inspection system that automatically performs continuous notch alignment of wafers and edge area inspection including front, back, bevel and apex of the wafer,
Wafer edge area inspection device for inspecting defects such as cracks or damage in the edge area of the wafer and aligning the notches,
A wafer transfer device for loading and unloading a wafer mounted on a wafer cassette into the wafer edge area inspection device;
A pneumatic device for supplying pneumatic pressure to the wafer edge region inspection apparatus and the wafer transfer apparatus to vacuum-adsorb the wafer in a non-contact state in the wafer edge region inspection apparatus and the wafer transfer apparatus
A control device for controlling the operation of the wafer edge region inspection device, wafer transfer device and pneumatic device,
A display device for displaying information on an edge region state of the wafer inspected by the wafer edge region inspecting apparatus,
And the wafer edge region inspection apparatus performs edge region inspection of the wafer while vacuum-adsorbing the wafer in a non-contact state and rotating the wafer.
상기 웨이퍼 에지 영역 검사 장치는
상기 웨이퍼 이송 장치에 의해 지지대 상에 위치한 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하는 진공척을 구비한 진공 흡착부,
상기 웨이퍼의 에지 영역을 연속적으로 검사하기 위해 웨이퍼를 진공 흡착한 진공척을 회전시키는 회전부,
상기 웨이퍼와 동일 평면상에 마련되고, 상기 회전부에 의해 회전하는 웨이퍼의 에지 영역 및 노치 위치를 검사하는 에지 검사용 라인 스캔부 및
상기 진공척의 위치를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템.In claim 1,
The wafer edge area inspection device
A vacuum suction unit having a vacuum chuck for vacuum suction of a wafer placed on a support by the wafer transfer device in a non-contact state,
Rotating part for rotating the vacuum chuck to vacuum suction the wafer to continuously inspect the edge region of the wafer,
An edge inspection line scan portion provided on the same plane as the wafer and inspecting edge regions and notch positions of the wafer rotated by the rotating portion;
And a controller for controlling the position of the vacuum chuck.
상기 에지 검사용 라인 스캔부는 상기 웨이퍼가 진공척과 접촉을 하지 않은 상태에서 상기 웨이퍼의 회전에 따라 웨이퍼의 전체 둘레의 에지 영역 부분을 검사하고 노치 위치를 파악하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템.In claim 2,
The edge inspection line scan unit inspects an edge region portion of the entire circumference of the wafer and determines a notch position according to the rotation of the wafer while the wafer is not in contact with the vacuum chuck. .
상기 에지 검사용 라인 스캔부는 상기 웨이퍼의 에지 영역 부분이 삽입되고 에지 영역을 검사하기 위한 발광 및 수광의 광학적 기능을 실행하는 삽입부를 구비하고,
상기 웨이퍼의 에지 영역 부분의 검사 및 노치 위치의 정열은 상기 웨이퍼가 상기 에지 검사용 라인 스캔부의 삽입부가 삽입된 상태에서 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템.In claim 2,
The edge inspection line scan portion includes an insert portion into which an edge region portion of the wafer is inserted and which performs optical functions of light emission and light reception for inspecting the edge region,
The inspection of the edge region portion of the wafer and the alignment of the notch positions are performed while the wafer is inserted with the insertion portion of the line inspection portion for the edge inspection.
상기 웨이퍼의 장착 위치를 인식하기 위한 카메라를 구비한 웨이퍼 장착 위치 검사부를 더 포함하고,
상기 웨이퍼 장착 위치 검사부는 상기 웨이퍼 이송 장치에 의해 상기 지지대 상에 안착된 웨이퍼의 위치 상태를 촬영하고, 촬영된 웨이퍼의 안착 위치에 대한 위치 정보를 출력하고,
상기 제어부는 상기 위치 정보에 따라 상기 진공척의 위치를 제어하여 상기 웨이퍼와 진공척의 동심 위치를 일치시키도록 상기 진공척의 이동을 제어하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템.In claim 2,
Further comprising a wafer mounting position inspection unit having a camera for recognizing the mounting position of the wafer,
The wafer mounting position inspection unit photographs the position of the wafer seated on the support by the wafer transfer device, outputs position information on the seated position of the photographed wafer,
And the control unit controls the movement of the vacuum chuck to match the concentric positions of the wafer and the vacuum chuck by controlling the position of the vacuum chuck according to the position information.
상기 제어부는 상기 웨이퍼의 에지 영역 부분의 검사 및 노치 위치의 정렬을 다수의 웨이퍼의 각각의 사이즈에 대응하여 실행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템.In claim 2,
And the controller performs inspection of the edge region portion of the wafer and alignment of the notch positions corresponding to respective sizes of the plurality of wafers.
상기 진공척에 대해 상기 웨이퍼를 진공 흡착할 수 있도록 상기 공압 장치로부터 공기를 배출 및 흡입하는 공기 공급부,
상기 진공척을 X 방향으로 이동시키는 X축 구동부,
상기 진공척을 Y 방향으로 이동시키는 Y축 구동부,
상기 진공척을 Z 방향으로 이동시키는 Z축 구동부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 웨이퍼 장착 위치 검사부 및 에지 검사용 라인 스캔부에서의 검사 결과에 따라 상기 공기 공급부, X축 구동부, Y축 구동부, Z축 구동부 및 회전부를 제어하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템.In claim 2,
An air supply unit for discharging and sucking air from the pneumatic device to vacuum suction the wafer to the vacuum chuck,
X-axis driving unit for moving the vacuum chuck in the X direction,
Y-axis drive unit for moving the vacuum chuck in the Y direction,
Further comprising a Z-axis drive unit for moving the vacuum chuck in the Z direction,
The controller controls the air supply unit, the X-axis drive unit, the Y-axis drive unit, the Z-axis drive unit, and the rotating unit according to the inspection result of the wafer mounting position inspection unit and the edge inspection line scan unit. system.
(a) 웨이퍼 이송 장치로 검사용 웨이퍼 카세트에 장착된 웨이퍼를 인출하여 웨이퍼 에지 영역 검사 장치의 지지대 상에 로딩하는 단계,
(b) 상기 단계 (a)에 의해 지지대 상에 웨이퍼가 로딩된 상태에서 진공척을 상승시켜 웨이퍼를 비접촉 상태로 진공 흡착하는 단계,
(c) 상기 웨이퍼가 미리 설정된 위치에 로딩이 되었는지를 확인하기 위해 상기 단계 (b)에서 상기 웨이퍼가 진공 흡착된 진공척을 회전시키고, 위치 검사부의 카메라가 촬영하여 웨이퍼와 진공척의 동심 체크를 실행하는 단계,
(d) 상기 단계 (c)에서 위치 검사부에 의해 인식된 웨이퍼의 위치를 메모리에 저장된 정상 위치와 정합시키기 위해 진공척을 X 방향 또는 Y 방향으로 이동하여 진공척의 동심과 웨이퍼의 동심을 일치시키는 단계,
(e) 상기 단계 (d)에서 진공척의 동심과 웨이퍼의 동심이 일치된 상태에서 웨이퍼의 에지 영역을 검사하기 위해 에지 검사용 라인 스캔부의 삽입부로 웨이퍼가 비접촉 상태로 진공 흡착된 진공척을 이동시키는 단계,
(f) 웨이퍼의 검사 위치인 에지 검사용 라인 스캔부의 삽입부에 비접촉 상태로 진공 흡착된 웨이퍼가 삽입된 상태에서 진공척을 회전시켜 웨이퍼의 전체 둘레의 에지 영역에서 에지 검사와 노치 위치를 파악하는 단계,
(g) 상기 단계 (f)에서 파악된 웨이퍼의 에지 검사 상태를 표시 장치에 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사 방법.A method of inspecting edge regions of wafers that continuously performs notch alignment of wafers and edge region inspection including front, back, bevel and apex of wafers,
(a) extracting the wafer mounted in the inspection wafer cassette with the wafer transfer device and loading the wafer on the support of the wafer edge region inspection device;
(b) raising the vacuum chuck in a state where the wafer is loaded on the support by the step (a) to vacuum suction the wafer in a non-contact state,
(c) In order to confirm whether the wafer is loaded at a predetermined position, the vacuum chuck in which the wafer is vacuum-adsorbed is rotated in step (b), and the camera of the position inspection unit is photographed to perform concentric check of the wafer and the vacuum chuck. Steps,
(d) matching the concentricity of the vacuum chuck with the concentricity of the wafer by moving the vacuum chuck in the X direction or the Y direction to match the position of the wafer recognized by the position inspection unit in step (c) with the normal position stored in the memory; ,
(e) in step (d), moving the vacuum chuck in which the wafer is vacuum-adsorbed in a non-contact state to the insertion portion of the line scan portion for edge inspection to inspect the edge area of the wafer while the concentricity of the vacuum chuck and the concentricity of the wafer coincide. step,
(f) Rotating the vacuum chuck in a state where the vacuum-adsorbed wafer is inserted into the non-contact state of the edge inspection line scanning portion, which is the inspection position of the wafer, to determine the edge inspection and notch position in the edge region around the entire wafer. step,
(g) displaying the edge inspection state of the wafer identified in step (f) on a display device.
상기 진공 흡착은 사이클론 타입 또는 베르누이 타입으로 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사방법.In claim 8,
Wherein said vacuum adsorption is performed in a cyclone type or Bernoulli type.
(h) 상기 단계 (f)에서 웨이퍼의 에지 검사와 노치 위치를 파악한 후, 웨이퍼가 비접촉 상태로 진공 흡착된 진공척을 상기 X 방향으로 이동시켜 상기 웨이퍼를 삽입부에서 인출하고, 웨이퍼를 지지대 상에 안착시키고, 상기 웨이퍼 이송 장치가 검사된 웨이퍼를 상기 지지대에서 언로딩 하고, 보관용 웨이퍼 카세트로 수납하는 단계를 더 포함하고,
상기 단계 (a) 내지 단계 (h)는 상기 검사용 웨이퍼 카세트에 장착된 다수의 웨이퍼의 각각에 대해 순차적으로 실행되어 상기 보관용 웨이퍼 카세트로 수납되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 영역 검사방법.
In claim 8,
(h) After the edge inspection and the notch position of the wafer are identified in the step (f), the vacuum chuck in which the wafer is vacuum-adsorbed in a non-contact state is moved in the X direction, and the wafer is taken out from the insertion portion, and the wafer is placed on the support stand. Mounting the wafer to the support, and unloading the inspected wafer from the support, and storing the wafer in a storage wafer cassette,
The step (a) to step (h) is performed sequentially for each of the plurality of wafers mounted in the inspection wafer cassette is received in the storage wafer cassette, characterized in that the wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180059721AKR20190134275A (en) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | System for inspecting edge area of wafer and method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180059721AKR20190134275A (en) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | System for inspecting edge area of wafer and method using the same |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200072892ADivisionKR102136084B1 (en) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | System for inspecting edge area of wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190134275Atrue KR20190134275A (en) | 2019-12-04 |
Family
ID=69004571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180059721ACeasedKR20190134275A (en) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | System for inspecting edge area of wafer and method using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20190134275A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112626480A (en)* | 2020-12-28 | 2021-04-09 | 合肥晶威特电子有限责任公司 | Coated wafer correction device |
| KR20210079521A (en)* | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 에스케이실트론 주식회사 | Device of monitoring a backside of a wafer and method thereof |
| CN116008303A (en)* | 2023-01-16 | 2023-04-25 | 武汉精立电子技术有限公司 | Large-size wafer appearance defect detection equipment |
| WO2024205699A1 (en)* | 2023-03-30 | 2024-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pre-bonding automatic optical inspection defect classification |
| KR20240179042A (en)* | 2023-06-23 | 2024-12-31 | 주식회사 쎄믹스 | Apparatus for aligning wafer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101228459B1 (en) | 2010-09-09 | 2013-01-31 | 한미반도체 주식회사 | Wafer inspection device and wafer inspection system having the same |
| KR101440622B1 (en) | 2007-06-01 | 2014-09-15 | 가부시끼가이샤 야마나시 기쥬쯔 고오보오 | Alien substance inspection method in end of wafer periphery and alien substance inspection apparatus |
| KR20150089080A (en) | 2012-11-30 | 2015-08-04 | 가부시키가이샤 니콘 | Transfer system, exposure apparatus, transfer method, exposure method, device manufacturing method, and suction apparatus |
- 2018
- 2018-05-25KRKR1020180059721Apatent/KR20190134275A/ennot_activeCeased
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101440622B1 (en) | 2007-06-01 | 2014-09-15 | 가부시끼가이샤 야마나시 기쥬쯔 고오보오 | Alien substance inspection method in end of wafer periphery and alien substance inspection apparatus |
| KR101228459B1 (en) | 2010-09-09 | 2013-01-31 | 한미반도체 주식회사 | Wafer inspection device and wafer inspection system having the same |
| KR20150089080A (en) | 2012-11-30 | 2015-08-04 | 가부시키가이샤 니콘 | Transfer system, exposure apparatus, transfer method, exposure method, device manufacturing method, and suction apparatus |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210079521A (en)* | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 에스케이실트론 주식회사 | Device of monitoring a backside of a wafer and method thereof |
| CN112626480A (en)* | 2020-12-28 | 2021-04-09 | 合肥晶威特电子有限责任公司 | Coated wafer correction device |
| CN116008303A (en)* | 2023-01-16 | 2023-04-25 | 武汉精立电子技术有限公司 | Large-size wafer appearance defect detection equipment |
| WO2024205699A1 (en)* | 2023-03-30 | 2024-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pre-bonding automatic optical inspection defect classification |
| KR20240179042A (en)* | 2023-06-23 | 2024-12-31 | 주식회사 쎄믹스 | Apparatus for aligning wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102136084B1 (en) | System for inspecting edge area of wafer | |
| KR102136085B1 (en) | Apparatus for inspecting edge area of wafer | |
| KR20190134275A (en) | System for inspecting edge area of wafer and method using the same | |
| CN111971782B (en) | Wafer edge area inspection device and inspection method | |
| KR100492158B1 (en) | Apparatus for inspecting a wafer | |
| TW201911453A (en) | Processing tool and its operating method | |
| KR100979721B1 (en) | Inspection and classification integration device of semiconductor die | |
| CN112397408B (en) | Workpiece confirmation and processing methods | |
| JP2016143809A (en) | Peeling device, peeling system, peeling method, program, and information recording medium | |
| KR20170058070A (en) | Substrate cleaning module for inspection apparatus and probe station having the same | |
| JP2004253756A (en) | Substrate mounting device, transfer arm, semiconductor wafer positioning method, substrate inspection device, and substrate inspection method | |
| US10876976B2 (en) | Apparatus and method for substrate inspection | |
| KR102078603B1 (en) | Inspecting method and Apparatus for treating a substrate | |
| KR102461790B1 (en) | Wafer prcessing method and system | |
| JP2000114329A (en) | Method and device for inspecting ground edge section of substrate | |
| JPH10242233A (en) | Semiconductor manufacturing method | |
| JP4557871B2 (en) | Defect substrate detection method and detection apparatus | |
| KR102000024B1 (en) | Inspecting method and Apparatus for treating a substrate | |
| KR102037912B1 (en) | Inspecting method and Apparatus for treating a substrate | |
| KR20250110463A (en) | Non-contact wafer edge inspection device | |
| JP2013137315A (en) | Sample loading device | |
| KR20070002257A (en) | Wafer back flaw detection device | |
| KR101021473B1 (en) | Wafer Alignment-Back Inspection | |
| KR20100042340A (en) | Apparatus and method for inspecting semi-conductor wafer backside | |
| KR102358688B1 (en) | Wafer prcessing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application | Patent event code:PA01091R01D Comment text:Patent Application Patent event date:20180525 | |
| PA0201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant | Patent event date:20180709 Comment text:Notification of Change of Applicant Patent event code:PN23011R01D | |
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection | Comment text:Notification of reason for refusal Patent event date:20190911 Patent event code:PE09021S01D | |
| PG1501 | Laying open of application | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent | Patent event date:20200413 Comment text:Decision to Refuse Application Patent event code:PE06012S01D Patent event date:20190911 Comment text:Notification of reason for refusal Patent event code:PE06011S01I | |
| X091 | Application refused [patent] | ||
| PX0901 | Re-examination | Patent event code:PX09011S01I Patent event date:20200413 Comment text:Decision to Refuse Application Patent event code:PX09012R01I Patent event date:20191210 Comment text:Amendment to Specification, etc. | |
| E601 | Decision to refuse application | ||
| E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent | Patent event date:20200527 Comment text:Decision to Refuse Application Patent event code:PE06012S01D Patent event date:20190911 Comment text:Notification of reason for refusal Patent event code:PE06011S01I | |
| PE0801 | Dismissal of amendment | Patent event code:PE08012E01D Comment text:Decision on Dismissal of Amendment Patent event date:20200527 Patent event code:PE08011R01I Comment text:Amendment to Specification, etc. Patent event date:20200518 Patent event code:PE08011R01I Comment text:Amendment to Specification, etc. Patent event date:20191210 | |
| A107 | Divisional application of patent | ||
| PA0107 | Divisional application | Comment text:Divisional Application of Patent Patent event date:20200616 Patent event code:PA01071R01D |