KR20180077384A - Heat-Treatment Apparatus and Method of Substrate using VCSEL - Google Patents

Abstract

Disclosed are a substrate heat treatment apparatus using VCSEL and a method thereof, which can reduce heat shrinkage or deformation of a flat substrate and shorten a processing time. The substrate heat treatment apparatus comprises a substrate support plate on which a flat substrate is mounted; and a heating module simultaneously emitting VCSEL to a predetermined area of the flat substrate to perform a heat treatment process. The method is characterized by simultaneously emitting VCSEL to a predetermined area of a flat substrate or a semiconductor wafer to perform a heat treatment process.

Description

Translated fromKorean

VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법{Heat-Treatment Apparatus and Method of Substrate using VCSEL}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a VCSEL substrate,

본 발명은 VCSEL에서 조사되는 레이저를 이용하여 평판 기판 또는 반도체 웨이퍼를 가열하여 열처리하는 기판 열처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate thermal processing apparatus and method for heating a flat substrate or a semiconductor wafer by using a laser irradiated from a VCSEL and subjecting the substrate to a heat treatment.

평판 패널 디스플레이 장치는 유리 기판에 저온 다결정 실리콘 박막이 증착되는 평판 기판을 사용한다. 상기 평판 기판은 실리콘 결정화 공정, 유전층 재료 증착 공정 및 이온 주입과 액티베이션 공정에 있어서 엄격한 제어를 필요로 한다. 특히 상기 액티베이션 공정은 소스 영역/드레인 영역의 전기적 활성화와 이온이 소량 주입된 드레인을 제공하여, 실리콘 및 주입 이온의 크고 작은 범위에서 이온의 재배열을 도와준다.A flat panel display device uses a flat substrate on which a low temperature polycrystalline silicon thin film is deposited on a glass substrate. The flat substrate requires strict control in a silicon crystallization process, a dielectric layer material deposition process, and an ion implantation and activation process. In particular, the activation process provides electrical activation of the source region / drain region and a drain into which a small amount of ions are implanted, helping to rearrange the ions in large and small ranges of silicon and implant ions.

상기 액티베이션 장치는 일반적으로 할로겐 램프를 이용하는 장치 또는 칸탈 열선을 이용하는 장치등이 많이 사용되고 있다. 상기 액티베이션 장치는 평판 기판을 300 ~ 600℃의 온도로 가열하면서 주입 이온을 활성화시킨다. 최근에는 평판 디스플레이 장치의 고해상도화에 따라, 액티베이션 공정에서 유발되는 평판 기판의 열 수축 또는 변형이 문제가 된다.In general, the activation device is a device using a halogen lamp or a device using a cantilever heating wire. The activation device activates the implanted ions while heating the flat substrate to a temperature of 300 to 600 ° C. In recent years, with the increase in the resolution of the flat panel display device, the heat shrinkage or deformation of the flat substrate caused by the activation process becomes a problem.

한편, 반도체 웨이퍼의 어닐링(annealing) 공정과 같은 열처리 공정에서는 할로겐 램프를 사용하여 반도체 웨이퍼를 가열하여 열처리하는 열처리 기술이 많이 사용되고 있다. 할로겐 램프를 이용한 열처리 기술은 반도체 웨이퍼의 전면 또는 후면에 광을 조사하고 복수 개의 위치에서 반도체 웨이퍼의 온도를 측정하면서 실시간으로 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하면서 진행한다. 할로겐 램프를 이용한 열처리 장치는 반도체 웨이퍼로 조사된 후 반사되는 광을 다시 웨이퍼로 조사하기 위한 반사판 구조가 복잡하고, 반도체 웨이퍼의 온도 균일도를 증가시키기 위하여 플래시 램프의 배열 구조가 복잡해지는 측면이 있다. 또한, 상기 할로겐 램프를 이용한 어닐링 장치는 할로겐 램프의 수명이 짧아 장치의 유지 비용이 증가되는 측면이 있다.Meanwhile, in a heat treatment process such as an annealing process for a semiconductor wafer, a heat treatment technique for heating and heating a semiconductor wafer using a halogen lamp is widely used. A heat treatment technique using a halogen lamp irradiates light to the front or rear surface of a semiconductor wafer and proceeds while controlling the temperature of the semiconductor wafer in real time while measuring the temperature of the semiconductor wafer at a plurality of positions. A heat treatment apparatus using a halogen lamp has a complicated reflector structure for irradiating reflected light to a wafer after being irradiated with a semiconductor wafer and the array structure of the flash lamp is complicated in order to increase the temperature uniformity of the semiconductor wafer. In addition, since the life of the halogen lamp is shortened, the annealing apparatus using the halogen lamp has a problem that the maintenance cost of the apparatus is increased.

본 발명은 평판 기판의 열 수축 또는 변형을 감소시키고, 공정 시간을 단축시키는 기판 열처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus and method for reducing heat shrinkage or deformation of a flat substrate and shortening a processing time.

또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 가열 온도 균일도를 증가시키고 열처리 시간과 제조 비용을 감소시키는 기판 열처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a substrate heating apparatus and method for increasing the heating temperature uniformity of a semiconductor wafer and reducing the heat treatment time and manufacturing cost.

본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치는 평판 기판이 안착되는 기판 지지판 및 상기 평판 기판의 소정 면적에 VCSEL을 동시에 조사하여 열처리 공정을 진행하는 히팅 모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 평판 기판은 소스 영역과 드레인 영역을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되는 유리 기판 또는 플렉서블 기판 또는 비정질 실리콘 박막이 형성되는 유리 기판 또는 플렉서블 기판일 수 있다.The substrate heat treatment apparatus using the VCSEL of the present invention includes a substrate supporting plate on which a flat substrate is placed, and a heating module for simultaneously irradiating a VCSEL to a predetermined area of the flat substrate to perform a heat treatment process. In this case, the flat substrate may be a glass substrate, a flexible substrate, or a glass substrate or a flexible substrate on which a thin film transistor including a source region and a drain region is formed, or an amorphous silicon thin film.

또한, 상기 히팅 모듈은 상기 평판 기판의 폭 및 길이보다 큰 폭과 길이를 갖는 히팅 프레임 및 상기 평판 기판의 폭 및 길이보다 큰 폭과 길이를 갖는 영역에 행 방향과 열 방향으로 배열되어 VCSEL을 발진하는 레이저 유닛을 포함하며, 상기 히팅 모듈은 상기 평판 기판에서 열처리를 필요로 하는 영역의 전체 면적에 동시에 VCSEL을 조사하도록 형성될 수 있다.The heating module may include a heating frame having a width and a length greater than the width and length of the flat substrate, and a heating frame arranged in a row direction and a column direction in an area having a width and a length greater than the width and length of the flat substrate, The heating module may be formed to simultaneously irradiate a VCSEL to the entire area of a region requiring heat treatment in the flat substrate.

또한, 상기 히팅 모듈은 길이 방향으로 연장되며, 상기 평판 기판의 폭보다 큰 길이를 갖는 히팅 프레임 및 상기 히팅 프레임에 상기 평판 기판의 폭보다 큰 길이로 배열되어 VCSEL을 발진하는 레이저 유닛을 포함하며, 상기 히팅 모듈은 상기 평판 기판의 전체 폭 및 소정 길이의 영역에 동시에 VCSEL을 조사하며 상기 평판 기판의 길이 방향으로 스캔하면서 VCSEL을 조사하도록 형성될 수 있다.The heating module includes a heating frame extending in the longitudinal direction and having a length greater than the width of the flat plate substrate, and a laser unit arranged in the heating frame to have a length greater than the width of the flat plate substrate and oscillating the VCSEL, The heating module may be formed to simultaneously irradiate the VCSEL to the entire width and the predetermined length of the flat substrate and scan the VCSEL while scanning the flat substrate in the longitudinal direction.

또한, 상기 히팅 프레임은 상기 평판 기판과 대향하는 면에 형성되는 수용 홈을 구비하며, 상기 레이저 유닛은 상기 수용 홈에 분리 가능하게 결합되도록 형성될 수 있다.The heating frame may have a receiving groove formed on a surface facing the flat substrate, and the laser unit may be detachably coupled to the receiving groove.

또한, 상기 기판은 반도체 웨이퍼로 형성되며, 상기 기판 지지판의 하부에 결합되어 상기 기판 지지판을 회전시키는 회전 모듈을 더 포함하며, 상기 히팅 모듈은 상기 반도체 웨이퍼의 직경보다 큰 폭과 길이를 갖는 히팅 프레임 및 상기 히팅 프레임에 행 방향과 열 방향으로 배열되어 VCSEL을 발진하는 레이저 유닛을 포함하며, 상기 히팅 모듈은 상기 반도체 웨이퍼의 전체 면적에 동시에 VCSEL을 조사하도록 형성될 수 있다.The heating module further includes a heating module coupled to a lower portion of the substrate support plate to rotate the substrate support plate. The heating module includes a heating frame having a width and a length greater than the diameter of the semiconductor wafer, And a laser unit arranged in the heating frame in the row direction and the column direction to oscillate the VCSEL, wherein the heating module can be formed to simultaneously irradiate the entire area of the semiconductor wafer with the VCSEL.

또한, 상기 히팅 프레임은 상기 반도체 웨이퍼와 대향하는 면에 행 방향과 열 방향으로 배열되어 격자 형상을 이루도록 형성되는 수용 홈을 구비하며, 상기 레이저 유닛은 상기 수용 홈에 분리 가능하게 결합되도록 형성될 수 있다.The heating frame may include a receiving groove formed in a row direction and a column direction on a surface facing the semiconductor wafer so as to form a lattice, and the laser unit may be formed to be detachably coupled to the receiving groove. have.

또한, 상기 레이저 유닛은 상기 수용 홈에 모두 결합되거나, 사각 형상을 이루도록 인접하는 4개의 상기 수용 홈에서 대각선 방향으로 2개에만 결합되거나, 사각 형상을 이루도록 인접하는 4개의 상기 수용 홈에서 어느 하나에만 결합되도록 형성될 수 있다.The laser unit may be connected to only two of the four receiving grooves so as to form a rectangular shape, or may be connected to only one of the four adjacent receiving grooves so as to have a rectangular shape, Or the like.

또한, 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치는 평판 기판 또는 반도체 웨이퍼의 소정 면적에 VCSEL을 동시에 조사하여 열처리 공정을 진행하도록 이루어질 수 있다.Further, in the substrate heat treatment apparatus using the VCSEL of the present invention, a VCSEL may be simultaneously irradiated to a predetermined area of a flat substrate or a semiconductor wafer to perform a heat treatment process.

또한, 상기 열처리 공정은 유리 기판 또는 플렉서블 기판에 형성되는 박막 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역에 대한 액티베이션 공정, 상기 유리 기판 또는 플렉서블 기판에 형성되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 공정 또는 상기 반도체 웨이퍼를 가열하는 가열 공정일 수 있다.In addition, the heat treatment process may include an activation process for a source region and a drain region of a thin film transistor formed on a glass substrate or a flexible substrate, a crystallization process of the amorphous silicon thin film formed on the glass substrate or the flexible substrate, Process.

또한, 상기 열처리 공정은 상기 평판 기판에서 열처리가 필요한 영역 또는 상기 반도체 웨이퍼에서 열처리가 필요한 영역의 전체에 VCSEL을 동시에 조사하여 진행될 수 있다.The heat treatment process may be performed by simultaneously irradiating a VCSEL to a region where heat treatment is required in the flat substrate or an entire region where heat treatment is required in the semiconductor wafer.

또한, 상기 열처리 공정은 상기 평판 기판의 전체 폭과 소정 길이의 영역에 동시에 VCSEL을 조사하며, 상기 평판 기판의 길이 방향으로 스캔하면서 VCSEL을 조사하여 진행될 수 있다.In the heat treatment process, the VCSEL may be simultaneously irradiated to the entire width of the flat substrate and the predetermined length, and the VCSEL may be irradiated while scanning the flat substrate in the longitudinal direction of the flat substrate.

본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법은 면발광 레이저인 VCSEL 소자를 적어도 평판 기판에 대응되는 면적을 갖는 평면 형상으로 배열하여 평판 기판의 액티베이션 영역을 전체적으로 균일하게 가열하므로 액티베이션 과정에서 온도 균일도가 향상되고 평판 기판의 열 수축 또는 변형이 최소화되는 효과가 있다.The apparatus and method for substrate heat treatment using a VCSEL according to the present invention are characterized in that the VCSEL elements which are surface emitting lasers are arranged in a plane shape having an area corresponding to at least a flat plate substrate to uniformly heat the activation region of the flat plate substrate, And the heat shrinkage or deformation of the flat substrate is minimized.

또한, 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법은 VCSEL 소자의 배열 간격을 조정하거나 위치에 따라 인가되는 전력을 달리함으로써 평판 기판에서 액티베이션 영역을 독립적으로 가열할 수 있는 효과가 있다.In addition, the apparatus and method for heat-treating a substrate using the VCSEL of the present invention have an effect of independently heating the activation region in the flat substrate by adjusting the intervals of the VCSEL elements or varying the power depending on the positions.

또한, 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법은 VCSEL 소자를 적어도 평판 기판의 면적을 갖는 평면 형상으로 배열함으로써 히팅 모듈의 구조가 간단해지는 효과가 있다.In addition, the apparatus and method for substrate heat treatment using the VCSEL of the present invention have the effect of simplifying the structure of the heating module by arranging the VCSEL elements in a plane shape having at least an area of the flat substrate.

또한, 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법은 고출력의 VCSEL 소자에서 발진되는 레이저를 사용하므로 온도 상승률이 높고 공정 시간을 단축되는 효과가 있다.In addition, the apparatus and method for heat-treating a substrate using the VCSEL of the present invention use a laser oscillated in a high-output VCSEL device, so that the temperature rising rate is high and the process time is shortened.

또한, 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법은 면발광 레이저인 VCSEL 소자를 적어도 반도체 웨이퍼의 면적을 갖는 평면 형상으로 배열하여 반도체 웨이퍼의 전면 또는 후면을 동시에 가열하므로 온도 균일도가 향상되는 효과가 있다.In addition, the apparatus and method for heat-treating a substrate using the VCSEL of the present invention are advantageous in that temperature uniformity is improved because the VCSEL elements, which are surface-emitting lasers, are arranged in a planar shape having at least the area of the semiconductor wafers, have.

또한, 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법은 VCSEL 소자의 배열 간격을 조정하거나 위치에 따라 인가되는 전력을 달리함으로써 반도체 웨이퍼의 온도 균일도가 더욱 향상되는 효과가 있다.In addition, the apparatus and method for substrate heat treatment using the VCSEL of the present invention have an effect of further improving the temperature uniformity of the semiconductor wafer by adjusting the arrangement interval of the VCSEL elements or varying the power applied depending on the position.

또한, 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법은 VCSEL 소자를 적어도 반도체 웨이퍼의 면적을 갖는 평면 형상으로 배열함으로써 히팅 모듈의 구조가 간단해지는 효과가 있다.In addition, the apparatus and method for substrate heat treatment using the VCSEL of the present invention have the effect of simplifying the structure of the heating module by arranging the VCSEL elements in a plane shape having at least the area of the semiconductor wafer.

또한, 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법은 VCSEL 소자의 수명이 상대적으로 길어 장치의 유지 비용이 감소되는 효과가 있다.In addition, the apparatus and method for heat-treating a substrate using the VCSEL of the present invention have an advantage in that the lifetime of the VCSEL device is relatively long and the maintenance cost of the apparatus is reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 VCSEL을 이용한 열처리 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1의 히팅 모듈의 저면도이다.
도 3은 도 2의 레이저 유닛의 확대 저면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 히팅 모듈의 저면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 이용하여 평판 기판의 소스/드레인 영역의 액티베이션 공정을 진행하는 공정도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치의 개략적인 구성도이다.
도 7은 도 6의 기판 열처리 장치의 히팅 모듈에 대한 저면도이다.
도 8은 도 7의 레이저 유닛의 배열 구조도이다.
도 9는 도 7의 히팅 모듈의 온도 분포에 대한 사진(a)과 그래프(b)이다.
도 10은 도 7의 히팅 모듈에 공급되는 전력에 따른 온도 상승률에 대한 평가 그래프이다.1 is a schematic block diagram of a heat treatment apparatus using a VCSEL according to an embodiment of the present invention.
2 is a bottom view of the heating module of Fig. 1;
3 is an enlarged bottom view of the laser unit of Fig.
4 is a bottom view of a heating module according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a flow chart illustrating a process of activating a source / drain region of a flat substrate using a substrate thermal processing apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG.
6 is a schematic block diagram of a substrate heat treatment apparatus using a VCSEL according to another embodiment of the present invention.
7 is a bottom view of the heating module of the substrate heat treatment apparatus of FIG.
Fig. 8 is an arrangement of the laser unit of Fig. 7; Fig.
FIG. 9 is a photograph (a) and a graph (b) of the temperature distribution of the heating module of FIG.
10 is an evaluation graph of a temperature rise rate according to electric power supplied to the heating module of FIG.

이하에서 실시예와 첨부된 도면을 통하여 본 발명의 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, an apparatus and a method for heat-treating a substrate using the VCSEL of the present invention will be described in more detail with reference to embodiments and accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치의 구조에 대하여 설명한다.First, a structure of a substrate heat treatment apparatus using a VCSEL according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 VCSEL을 이용한 열처리 장치의 개략적인 구성도이다. 도 2는 도 1의 히팅 모듈의 저면도이다. 도 3은 도 2의 레이저 유닛의 확대 저면도이다.1 is a schematic block diagram of a heat treatment apparatus using a VCSEL according to an embodiment of the present invention. 2 is a bottom view of the heating module of Fig. 1; 3 is an enlarged bottom view of the laser unit of Fig.

본 발명의 일 실시예에 따른 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치(100)는, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 지지판(110) 및 히팅 모듈(120)을 포함하여 형성된다. 상기 기판 열처리 장치(100)는 구체적으로 도시하지는 않았지만, 내부가 중공이며 열처리 분위기가 형성되는 열처리 챔버를 구비하며, 열처리 챔버 내부에 기판 지지판(110) 및 히팅 모듈(120)이 위치한다.1 to 3, thesubstrate heating apparatus 100 using a VCSEL according to an embodiment of the present invention includes asubstrate support plate 110 and aheating module 120. Although not shown in detail, thesubstrate heating apparatus 100 includes a heat treatment chamber having a hollow interior and a heat treatment atmosphere formed therein, and asubstrate support plate 110 and aheating module 120 are positioned inside the heat treatment chamber.

상기 기판 열처리 장치(100)는 유리 기판 또는 플렉서블 기판에 형성되는 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 기판(10)의 상부 또는 하부에서 소스 영역 또는 드레인 영역과 같은 액티베이션 영역에 VCSEL을 선택적으로 조사하여 액티베이션 공정과 같은 열처리 공정을 진행한다. 또한, 상기 기판 열처리 장치(100)는 유리 기판 또는 플렉서블 기판에 형성되는 비정질 실리콘 박막을 구비하는 평판 기판의 상부 또는 하부에서 비정질 실리콘 박막에 VCSEL을 조사하여 결정화 공정과 같은 열처리 공정을 진행한다.Thesubstrate heating apparatus 100 selectively irradiates a VCSEL to an activation region, such as a source region or a drain region, on an upper portion or a lower portion of aflat substrate 10 having a thin film transistor formed on a glass substrate or a flexible substrate, The same heat treatment process is carried out. In addition, the substrateheat treatment apparatus 100 irradiates the VCSEL to the amorphous silicon thin film on the upper or lower surface of the flat substrate including the amorphous silicon thin film formed on the glass substrate or the flexible substrate, and performs a heat treatment process such as a crystallization process.

상기 기판 열처리 장치(100)는 면발광 레이저인 VCSEL을 평판 기판(10)의 소정 면적에 조사하여 열처리 공정을 진행한다. 상기 기판 열처리 장치(100)는 바람직하게는 평판 기판(10)에서 열처리가 필요한 열처리 영역의 전체 면적에 VCSEL을 동시에 조사하여 열처리를 진행한다. 예를 들면, 상기 기판 열처리 장치(100)는 평판 기판(10)에서 액티베이션 영역의 전체에 VCSEL을 조사하여 액티베이션 공정을 진행한다. 상기 기판 열처리 장치(100)는 액티베이션 영역을 전체적으로 균일하게 가열하므로 액티베이션 과정에서 평판 기판(10)의 열 수축 또는 변형을 최소화시킬 수 있다. 또한, 상기 기판 열처리 장치(100)는 평판 기판에서 비정질 실리콘 박막이 형성된 결정화 영역의 전체에 VCSEL을 조사하여 결정화 공정을 진행한다. 상기 기판 열처리 장치(100)는 결정화 영역을 전체적으로 균일하게 가열하므로 결정화 과정에서 평판 기판(10)의 열 수축 또는 변형을 최소화시킬 수 있다.The substrateheat treatment apparatus 100 irradiates a predetermined area of theflat substrate 10 with a VCSEL, which is a surface emitting laser, and performs a heat treatment process. The substrateheat treatment apparatus 100 preferably irradiates a VCSEL to the entire area of the heat treatment region where heat treatment is required in theflat substrate 10 to conduct the heat treatment. For example, the substrateheat treatment apparatus 100 irradiates the entire VCSEL in the activation region of theflat substrate 10 and proceeds with the activation process. The substrateheat treatment apparatus 100 uniformly heats the entire activation region, thereby minimizing heat shrinkage or deformation of theflat substrate 10 during the activation process. Also, thesubstrate heating apparatus 100 irradiates VCSEL to the entire crystallization region where the amorphous silicon thin film is formed on the flat substrate, and proceeds the crystallization process. The substrateheat treatment apparatus 100 can uniformly heat the crystallization region as a whole, thereby minimizing heat shrinkage or deformation of theflat substrate 10 during the crystallization process.

또한, 상기 기판 열처리 장치(100)는 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 상기 기판 열처리 장치(100)는 가열 온도등을 고려하여 공정 시간을 수msec에서 수백 sec까지 조절할 수 있도록 한다.In addition, the substrateheat treatment apparatus 100 can shorten the processing time. In addition, the substrateheat treatment apparatus 100 can adjust the process time from several msec to several hundreds sec in consideration of the heating temperature and the like.

상기 평판 기판(10)은 평판 디스플레이 장치인 액정 디스플레이 장치 또는 유기 발광 디스플레이 장치에 사용될 수 있다. 또한, 상기 평판 기판은 태양 전지와 같은 장치에도 사용될 수 있다.Theflat panel substrate 10 may be used in a liquid crystal display device or an organic light emitting display device, which is a flat panel display device. In addition, the flat substrate can be used in a device such as a solar cell.

상기 기판 지지판(110)은 상면에 안착되는 평판 기판(10)보다 큰 면적을 갖는 판상으로 형성된다. 상기 평판 기판(10)은 유리 기판 또는 플렉서블 기판일 수 있다. 상기 기판 지지판(110)은 평판 디스플레이 장치용 평판 기판의 제조 사용되는 일반적인 기판 지지판으로 형성된다. 상기 기판 지지판(110)은 상면에 안착되는 평판 기판(10)을 고정하기 위한 척킹 수단(미도시)을 구비하여 형성될 수 있다.Thesubstrate support plate 110 is formed in a plate shape having an area larger than that of theflat plate substrate 10 which is seated on the upper surface. Theflat substrate 10 may be a glass substrate or a flexible substrate. Thesubstrate support plate 110 is formed of a general substrate support plate used for manufacturing a flat substrate for a flat panel display device. Thesubstrate support plate 110 may be formed with chucking means (not shown) for fixing theflat substrate 10 to be mounted on the upper surface.

상기 히팅 모듈(120)은 히팅 프레임(121) 및 레이저 유닛(125)을 포함하여 형성된다. 상기 히팅 모듈(120)은 기판 지지판(110)의 상부 또는 하부에 위치하며, 기판 지지판(110)에 안착되는 평판 기판(10)에서 전체 열처리 영역에 레이저를 동시에 조사한다.Theheating module 120 includes aheating frame 121 and alaser unit 125. Theheating module 120 is located at the upper or lower portion of thesubstrate support plate 110 and simultaneously irradiates the laser to the entire heat treatment region in theflat substrate 10 mounted on thesubstrate support plate 110.

상기 히팅 모듈(120)은 복수 개의 레이저 유닛(125)이 행 방향과 열 방향으로 배열되어 형성된다. 상기 히팅 모듈(120)은 평판 기판(10)의 면적보다 큰 면적에 레이저 유닛이 평면 형상으로 배열되도록 형성된다. 상기 히팅 모듈(120)은 평판 기판(10)의 액티베이션 온도와 평판 기판(10)의 면적에 따라 레이저 유닛(125)의 배열 간격과 개수가 달라질 수 있다.Theheating module 120 is formed by arranging a plurality oflaser units 125 in the row direction and the column direction. Theheating module 120 is formed such that the laser units are arranged in a plane area larger than the area of theflat substrate 10. Theheating module 120 may have a different arrangement interval and number oflaser units 125 depending on the activation temperature of theflat substrate 10 and the area of theflat substrate 10. [

상기 히팅 모듈(120)은 레이저 유닛(125)과 평판 기판(10)의 상면 또는 하면과 소정 거리로 이격되도록 위치한다. 상기 이격 거리는 레이저 유닛(125)의 배열 간격과 배열 형태에 따라 평판 기판(10)의 열처리 영역 또는 액티베이션 영역만을 적정하게 가열할 수 있도록 조정된다.Theheating module 120 is spaced a predetermined distance from the upper surface or the lower surface of thelaser unit 125 and theflat substrate 10. The spacing distance is adjusted so as to appropriately heat only the heat treatment region or the activation region of theflat substrate 10 according to the arrangement interval and the arrangement form of thelaser units 125. [

상기 히팅 프레임(121)은 전체적으로 판상을 이루도록 형성되며, 평판 기판(10)의 폭 및 길이보다 큰 폭과 길이를 갖는 사각 판상으로 형성된다. 상기 히팅 프레임(121)은 수용 홈(122)을 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 히팅 프레임(121)이 평판으로 형성되고 레이저 유닛(125)이 히팅 프레임의 하면에 직접 고정되는 경우에, 수용 홈(122)은 생략될 수 있다.Theheating frame 121 is formed in a plate-like shape as a whole, and is formed in a rectangular plate shape having a width and a length larger than the width and length of theflat plate substrate 10. Theheating frame 121 may include a receivinggroove 122. On the other hand, when theheating frame 121 is formed as a flat plate and thelaser unit 125 is fixed directly to the lower surface of the heating frame, the receivinggroove 122 may be omitted.

상기 수용 홈(122)은 히팅 프레임에서 평판 기판과 대향하는 면에 하부 또는 상부로 개방되어 형성된다. 상기 수용 홈(122)은 격자 형상으로 배열되어 형성된다. 상기 수용 홈(122)은 레이저 유닛(125)이 수용되는 공간을 제공한다. 상기 수용 홈(122)은 레이저 유닛(125)이 수용되는데 필요한 부피를 갖도록 형성된다. 상기 수용 홈(122)은 레이저 유닛(125)이 분리 가능하게 결합되도록 형성될 수 있다.The receivinggroove 122 is formed in the heating frame so as to open downwardly or upwardly on a surface facing the flat plate substrate. The receivinggrooves 122 are formed in a lattice shape. The receivinggroove 122 provides a space in which thelaser unit 125 is accommodated. The receivinggroove 122 is formed to have a volume necessary for accommodating thelaser unit 125. The receivinggroove 122 may be formed such that thelaser unit 125 is detachably coupled.

상기 히팅 프레임(121)은 구체적으로 도시하지는 않았지만 내부에 냉각수가 흐르는 냉각 유로가 형성될 수 있다. 상기 히팅 프레임(121)은 수용 홈(122)에 수용되는 레이저 유닛(125)과 접촉하면서 외부로부터 공급되는 냉각수를 이용하여 레이저 유닛(125)을 냉각할 수 있다. 이 경우에 상기 히팅 프레임(121)은 전체 레이저 유닛(125)을 냉각하게 된다. 상기 레이저 유닛(125)은 작동할 때 발생되는 열에 수명이 저하될 수 있다.Theheating frame 121 may have a cooling channel through which cooling water flows, though not specifically shown. Theheating frame 121 can cool thelaser unit 125 using cooling water supplied from the outside while contacting thelaser unit 125 accommodated in the receivinggroove 122. In this case, theheating frame 121 cools theentire laser unit 125. The lifetime of thelaser unit 125 may be degraded when it is operated.

한편, 상기 히팅 프레임(121)은 각각의 레이저 유닛(125)에 냉각수를 공급하도록 냉각 유로가 형성될 수 있다. 즉, 상기 히팅 프레임(121)은 각각의 수용 홈(122)에 수용되는 레이저 유닛(125)에 직접 냉각수가 공급되도록 냉각 유로가 형성될 수 있다. 또한, 상기 레이저 유닛(125)은 후면에 냉각수가 흐르는 냉각 유로가 개별적으로 형성될 수 있다. 이 경우에 상기 레이저 유닛은 히팅 프레임(121)에서 공급되는 냉각수에 의하여 개별적으로 냉각된다.Meanwhile, theheating frame 121 may be formed with a cooling channel to supply cooling water to eachlaser unit 125. That is, the cooling passage may be formed in theheating frame 121 so that the cooling water is directly supplied to thelaser unit 125 accommodated in each receivinggroove 122. In addition, thelaser unit 125 may have a cooling passage through which cooling water flows on the rear surface thereof. In this case, the laser unit is cooled individually by the cooling water supplied from theheating frame 121.

상기 레이저 유닛(125)은 적어도 1개의 VCSEL 소자(126)를 포함하여 형성된다. 상기 레이저 유닛(125)은 바람직하게는 복수 개의 VCSEL 소자(126)가 평면상으로 사각 형상을 이루도록 배열되어 형성된다. 예를 들면, 상기 레이저 유닛(125)은, 도 3을 참조하면, 복수 개의 VCSEL 소자(126)가 행 방향과 열 방향으로 배열되어 형성된다. 상기 레이저 유닛(125)은 구체적으로 도시하는 않았지만, VCSEL 소자(126)를 고정하기 위한 발광 프레임(미도시)과 VCSEL 소자(126)에 전력을 공급하기 위한 전력선 및 전력 입출력 단자(미도시)를 구비하여 형성될 수 있다. 상기 레이저 유닛(125)은 전체에 동일한 전력이 인가되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 레이저 유닛(125)은 각각에 서로 다른 전력이 인가되도록 형성될 수 있다. 이러한 경우에, 상기 레이저 유닛(125)은 VCSEL 소자(126)에 인가되는 전력을 제어하는 제어 소자를 포함할 수 있다.Thelaser unit 125 is formed to include at least oneVCSEL element 126. Thelaser unit 125 is preferably formed by arranging a plurality ofVCSEL elements 126 so as to have a rectangular shape in plan view. For example, referring to FIG. 3, thelaser unit 125 is formed by arranging a plurality ofVCSEL elements 126 in the row direction and the column direction. Although not shown in detail, thelaser unit 125 includes a light emitting frame (not shown) for fixing theVCSEL element 126 and a power line and a power input / output terminal (not shown) for supplying power to theVCSEL element 126 Respectively. Thelaser unit 125 may be formed so that the same power is applied to thelaser unit 125 as a whole. Also, thelaser unit 125 may be configured to apply different power to each laser unit. In this case, thelaser unit 125 may include a control element for controlling the power applied to theVCSEL element 126. [

상기 VCSEL 소자(126)는 면발광 레이저를 발진하는 소자로 형성된다. 상기 VCSEL 소자(126)는 사각 형상으로 이루어지며, 바람직하게는 정사각형 또는 폭과 길이의 비가 1:2를 초과하지 않는 직사각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 VCSEL 소자(126)는 육면체 형상의 칩으로 제조되며, 일면에서 고출력의 레이저가 발진된다. 상기 VCSEL 소자(126)는 고출력의 레이저를 발진하므로, 기존의 할로겐 램프에 대비하여 평판 기판(10)의 온도 상승률을 증가시킬 수 있으며, 수명도 상대적으로 길다.TheVCSEL element 126 is formed of an element that oscillates a surface emitting laser. TheVCSEL device 126 may have a rectangular shape, and may have a square shape or a rectangular shape having a width-to-length ratio of not more than 1: 2. TheVCSEL device 126 is made of a hexagonal chip, and a laser of high output is oscillated on one surface. Since theVCSEL device 126 oscillates a laser with a high output, it can increase the temperature rise rate of theflat panel substrate 10 in comparison with the conventional halogen lamp, and has a relatively long service life.

다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 히팅 모듈에 대하여 설명한다.Next, a heating module according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 다른 실시예에 따른 히팅 모듈(220)은, 도 4를 참조하면, 히팅 프레임(221) 및 레이저 유닛(225)을 포함하여 형성된다.Referring to FIG. 4, theheating module 220 according to another embodiment of the present invention includes a heating frame 221 and alaser unit 225.

상기 히팅 모듈(220)은 복수 개의 레이저 유닛(225)이 길이 방향으로 배열되어 형성된다. 상기 히팅 모듈(220)은 평판 기판(10)의 폭보다 큰 길이에 걸쳐서 레이저 유닛(225)이 배열되도록 형성된다. 상기 히팅 모듈(220)은 평판 기판(10)의 열처리 온도와 평판 기판(10)의 폭에 따라 레이저 유닛(225)의 배열 간격과 개수가 달라질 수 있다. 한편, 여기서, 상기 평판 기판(10)의 폭은 길이가 될 수 있으며, 선택적인 개념이다.Theheating module 220 is formed by arranging a plurality oflaser units 225 in the longitudinal direction. Theheating module 220 is formed such that thelaser units 225 are arranged over a length greater than the width of theflat substrate 10. The interval and the number of thelaser units 225 may be varied according to the heat treatment temperature of theflat substrate 10 and the width of theflat substrate 10. Here, the width of theflat substrate 10 may be a length and is an optional concept.

상기 히팅 모듈(220)은 평판 기판의 폭의 전체와 평판 기판의 소정 길이의 영역에 대하여 동시에 VCSEL을 조사한다. 또한, 상기 히팅 모듈(220)은 평판 기판(10)을 길이 방향으로 스캔하면서 레이저를 조사한다. 따라서, 상기 히팅 모듈은 평판 기판의 폭 방향의 전체에 대하여 동시에 VCSEL을 조사하고 길이 방향으로 스캔하면서 VCSEL을 조사하여 열처리를 진행하므로 평판 기판의 폭 방향으로의 수축 또는 변형등을 감소시킬 수 있다.Theheating module 220 simultaneously irradiates the VCSEL with respect to the entire width of the flat substrate and the predetermined length of the flat substrate. In addition, theheating module 220 irradiates the laser while scanning theflat substrate 10 in the longitudinal direction. Therefore, the heating module irradiates the VCSEL at the same time with respect to the entire width direction of the flat panel substrate, irradiates the VCSEL while scanning in the longitudinal direction, and conducts heat treatment, thereby reducing shrinkage or deformation in the width direction of the flat panel substrate.

상기 히팅 모듈(220)은 히팅 프레임(221)과 레이저 유닛(225)을 이동시키기 위한 이동 유닛(미도시)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 이동 유닛은 반도체 또는 평판 디스플레이 장치의 제조 장치에서 사용되는 일반적인 이동 장치로 형성될 수 있다. 또한, 상기 히팅 모듈(220)은 레이저 유닛(225)의 작동을 제어하는 별도의 제어 유닛(미도시)을 구비하여 형성될 수 있다. 한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 히팅 모듈(220)은 도 1 내지 도 3의 기판 열처리 장치(100)에 장착되어 사용된다.Theheating module 220 may further include a heating unit 221 and a moving unit (not shown) for moving thelaser unit 225. The moving unit may be formed of a general moving device used in a manufacturing apparatus of a semiconductor or flat panel display device. In addition, theheating module 220 may include a separate control unit (not shown) for controlling the operation of thelaser unit 225. Meanwhile, theheating module 220 according to another embodiment of the present invention is mounted and used in the substrateheat treatment apparatus 100 of FIGS.

상기 히팅 프레임(221)은 길이 방향으로 연장되어 전체적으로 바 형상을 이루도록 형성되며, 길이가 평판 기판(10)의 폭 또는 길이보다 크게 형성된다. 상기 히팅 프레임(221)은 복수 개의 수용 홈(222)이 형성된다.The heating frame 221 extends in the longitudinal direction and is formed to have a bar shape as a whole, and is formed to have a length greater than the width or length of theflat substrate 10. The heating frame 221 has a plurality of receivinggrooves 222 formed therein.

상기 수용 홈(222)은 히팅 프레임(221)에서 평판 기판(10)과 대향하는 면인 하면 또는 상면에 홈 형상으로 형성된다. 상기 수용 홈(222)은 레이저 유닛(225)이 수용되는 공간을 제공한다. 상기 수용 홈(222)은 히팅 프레임(221)에서 길이 방향으로 배열된다. 상기 수용 홈(222)은 서로 접하거나 이격되어 형성된다.The receivinggroove 222 is formed in a groove shape on a lower surface or an upper surface of the heating frame 221 facing theflat plate substrate 10. The receivinggroove 222 provides a space in which thelaser unit 225 is accommodated. The receivinggrooves 222 are longitudinally arranged in the heating frame 221. The receivinggrooves 222 are formed in contact with or spaced apart from each other.

상기 레이저 유닛(225)은 적어도 1개의 VCSEL 소자(126)를 포함하여 형성된다. 상기 레이저 유닛(225)은, 도 4를 참조하면, 히팅 프레임(221)에 길이 방향으로 한 줄로 배열되어 형성된다. 상기 레이저 유닛(225)은 수용 홈(222)에 삽입되어 고정된다. 상기 레이저 유닛(225)은 수용 홈(222)에 분리 가능하게 결합될 수 있다.Thelaser unit 225 is formed to include at least oneVCSEL element 126. Referring to FIG. 4, thelaser units 225 are formed in the heating frame 221 in a single row in the longitudinal direction. Thelaser unit 225 is inserted and fixed in the receivinggroove 222. Thelaser unit 225 may be detachably coupled to the receivinggroove 222.

상기 히팅 모듈(220)은 평판 기판(10)의 상부 또는 하부에서 평판 기판(10)을 스캔하면서 액티베이션 영역과 같은 열처리 영역에 레이저를 조사한다. 따라서, 상기 히팅 모듈(220)이 이동하여 액티베이션 영역에 위치하면, 레이저 유닛(225)의 VCSEL 소자(126)가 작동하여 해당 액티베이션 영역에 레이저를 조사한다. 또한, 상기 히팅 모듈(220)이 액티베이션 영역을 지나면, 해당 VCSEL 소자(126)는 작동을 중지한다.Theheating module 220 irradiates a laser to a heat treatment region such as an activation region while scanning theflat substrate 10 on the upper or lower surface of theflat substrate 10. Accordingly, when theheating module 220 moves and is positioned in the activation region, theVCSEL element 126 of thelaser unit 225 operates to irradiate the activation region with the laser. Further, when theheating module 220 passes the activation region, the correspondingVCSEL element 126 stops operating.

다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 이용한 액티베이션 방법에 대하여 설명한다.Next, an activation method using a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 이용하여 평판 기판의 소스/드레인 영역의 액티베이션 공정을 진행하는 공정도이다.FIG. 5 is a process diagram illustrating a process of activating a source / drain region of a flat substrate using a substrate thermal processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

상기 기판 열처리 장치(100)는, 도 5를 참조하면, 플렉서블 기판(10)의 상면에 형성되는 저온 단결정 실리콘 박막 트랜지스터의 소스 영역과 드레인 영역에 레이저를 조사하여 액티베이션 공정을 진행한다. 상기 저온 단결정 실리콘 박막 트랜지스터는 소스 영역과 드레인 영역에 이온이 주입되고 액티베이션되어 형성된다.5, the substrateheat treatment apparatus 100 irradiates a source region and a drain region of a low temperature single crystal silicon thin film transistor formed on the upper surface of theflexible substrate 10 with a laser to perform an activation process. The low-temperature single-crystal silicon thin-film transistor is formed by implanting and activating ions in a source region and a drain region.

상기 기판 열처리 장치(100)의 히팅 모듈(120)이 투명한 플렉서블 기판(10)의 하부에 위치하여 플렉서블 기판(10)의 액티베이션 영역으로 레이저를 동시에 조사한다. 상기 VCSEL 소자(126)에서 조사되는 레이저는 대략 980nm의 파장을 가지며, 약 98%이상이 플렉서블 기판(10)을 투과하여 소스 영역 및 드레인 영역에 조사된다. 따라서, 상기 기판 열처리 장치(100)는 소스 영역과 드레인 영역에 대응되는 위치에 배열되는 레이저 유닛(125)을 선택적으로 작동시켜 레이저를 조사할 수 있다. 상기 기판 열처리 장치(100)는 소스 영역과 드레인 영역만을 선택적으로 조사하여 가열하므로, 플렉서블 기판(10)의 열 수축 또는 변형을 최소화시킬 수 있다.Theheating module 120 of thesubstrate heating apparatus 100 is positioned below the transparentflexible substrate 10 and irradiates the laser to the activation region of theflexible substrate 10 at the same time. The laser beam emitted from theVCSEL device 126 has a wavelength of approximately 980 nm, and approximately 98% or more of the laser beam is transmitted through theflexible substrate 10 to be irradiated to the source region and the drain region. Accordingly, the substratethermal processing apparatus 100 can selectively irradiate thelaser unit 125 with laser beams arranged at positions corresponding to the source region and the drain region. Since the substrateheat treatment apparatus 100 selectively irradiates only the source region and the drain region and heats the substrate, heat shrinkage or deformation of theflexible substrate 10 can be minimized.

다음은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 대하여 설명한다.Next, a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치의 개략적인 구성도이다. 도 7은 도 6의 기판 열처리 장치의 히팅 모듈에 대한 저면도이다. 도 8은 도 6의 히팅 모듈에서 레이저 유닛의 배열 구조를 나타낸다.6 is a schematic block diagram of a substrate heat treatment apparatus using a VCSEL according to another embodiment of the present invention. 7 is a bottom view of the heating module of the substrate heat treatment apparatus of FIG. 8 shows the arrangement of laser units in the heating module of Fig.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 VCSEL을 이용한 기판 열처리 장치(300)는, 도 6 내지 도 8을 참조하면, 기판 지지판(310)과 히팅 모듈(320) 및 회전 모듈(330)을 포함하여 형성된다. 상기 기판 열처리 장치(300)는 구체적으로 도시하지는 않았지만, 내부가 중공이며 열처리 분위기가 형성되는 열처리 챔버를 구비하며, 열처리 챔버 내부에 기판 지지판(310)과 히팅 모듈(320)이 위치한다. 또한, 상기 기판 열처리 장치(300)는 히팅 모듈(320)에서 발진되는 VCSEL을 기판 지지판(310)에 안착되는 반도체 웨이퍼(20)의 소정 면적에 동시에 조사하여 반도체 웨이퍼(20)를 열처리한다. 상기 열처리는 반도체 웨이퍼(20)의 상면에 형성되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 공정 또는 반도체 웨이퍼(20)의 어닐링 공정일 수 있다. 상기 기판 열처리 장치(300)는 바람직하게는 반도체 웨이퍼(20)에서 열처리가 필요한 열처리 영역의 전체 면적에 동시에 VCSEL을 조사하여 가열한다. 상기 기판 열처리 장치는 반도체 웨이퍼(2)의 전체 면적을 동시에 가열하므로 온도 균일도가 증가하고 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 상기 기판 열처리 장치는 가열 온도등을 고려하여 공정 시간을 수msec에서 수백 sec까지 조절할 수 있도록 한다.한편, 상기 기판 열처리 장치(300)는 히팅 모듈(320)이 기판 지지판(310)의 하부에 위치하여 반도체 웨이퍼(20)의 하면에 레이저를 조사하도록 형성될 수 있다.6 to 8, asubstrate heating apparatus 300 using a VCSEL according to another embodiment of the present invention includes asubstrate supporting plate 310, aheating module 320, and arotation module 330 do. Although not shown in detail, thesubstrate heating apparatus 300 includes a heat treatment chamber having a hollow interior and a heat treatment atmosphere, and asubstrate support plate 310 and aheating module 320 are disposed inside the heat treatment chamber. Thesubstrate heating apparatus 300 simultaneously irradiates the VCSEL generated by theheating module 320 to a predetermined area of thesemiconductor wafer 20 mounted on thesubstrate support plate 310 to heat thesemiconductor wafer 20. The heat treatment may be a crystallization process of the amorphous silicon thin film formed on the upper surface of thesemiconductor wafer 20 or an annealing process of thesemiconductor wafer 20. [ The substrateheat treatment apparatus 300 preferably irradiates the entire area of the heat treatment region requiring heat treatment in thesemiconductor wafer 20 and simultaneously heats the VCSEL. The substrate heating apparatus simultaneously heats the entire area of the semiconductor wafer 2, so that the temperature uniformity can be increased and the processing time can be shortened. The substrateheat treatment apparatus 300 may be configured such that theheating module 320 is mounted on the lower side of thesubstrate support plate 310, And may be formed so as to irradiate a laser beam on the lower surface of thesemiconductor wafer 20. [

상기 기판 지지판(310)은 상면에 안착되는 반도체 웨이퍼(20)의 직경보다 큰 폭과 길이를 갖는 판상으로 형성된다. 상기 기판 지지판(310)은 반도체 제조 공정에서 사용되는 일반적인 기판 지지판(310)으로 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지판(100)은 상면에 안착되는 반도체 웨이퍼(20)를 고정하기 위한 척킹 수단(미도시)을 구비하여 형성될 수 있다.Thesubstrate support plate 310 is formed in a plate shape having a width and a length larger than the diameter of thesemiconductor wafer 20 mounted on the upper surface. Thesubstrate support plate 310 may be a generalsubstrate support plate 310 used in a semiconductor manufacturing process. Thewafer support plate 100 may be formed with chucking means (not shown) for fixing thesemiconductor wafer 20 mounted on the upper surface.

상기 히팅 모듈(320)은 히팅 프레임(321) 및 레이저 유닛(325)을 포함하여 형성된다. 상기 히팅 모듈(320)은 기판 지지판(310)의 상부에 위치하며, 기판 지지판(310)에 안착되는 반도체 웨이퍼(20)의 상면의 전체 면적에 동시에 레이저를 조사한다. 한편, 상기 히팅 모듈(320)은 기판 지지판(310)의 하부에 위치하며, 기판 지지판(310)의 상면에 안착되는 반도체 웨이퍼(20)의 하면에 레이저를 조사하도록 형성될 수 있다.Theheating module 320 includes aheating frame 321 and alaser unit 325. Theheating module 320 is disposed on the upper side of thesubstrate support plate 310 and simultaneously irradiates the entire area of the upper surface of thesemiconductor wafer 20 mounted on thesubstrate support plate 310 with a laser. Theheating module 320 may be positioned below thesubstrate support plate 310 and may be formed to irradiate a laser beam on the lower surface of thesemiconductor wafer 20 that is mounted on the upper surface of thesubstrate support plate 310.

상기 히팅 모듈(320)은 레이저 유닛(325)과 반도체 웨이퍼(20)의 가열면(상면 또는 하면) 사이의 이격 거리가 50 ~ 400mm가 되도록 반도체 웨이퍼(20)의 상부 또는 하부에 위치한다. 상기 이격 거리는 바람직하게는 100 ~ 300mm일 수 있다. 상기 이격 거리는 레이저 유닛(325)의 배열 간격과 배열 형태에 따라 반도체 웨이퍼(20)가 균일하게 가열될 수 있도록 조정될 수 있다. 예를 들면, 상기 레이저 유닛(325)의 배열 간격이 좁으면, 이격 거리가 작더라도 온도 균일도에 주는 영향이 작으므로 이격 거리를 작게 할 수 있다. 상기 이격 거리가 작은 경우에 공급되는 전력을 줄이거나 온도 상승률을 증가시킬 수 있다. 그러나, 상기 레이저 유닛(325)의 배열 간격이 넓고 이격 거리가 작으면, 온도 균일도가 감소하게 되므로, 배열 간격이 넓은 경우에 이격 거리를 상대적으로 크게 해야 한다. 상기 이격 거리가 긴 경우에 상대적으로 공급되는 전력을 증가시켜야 한다. 보다 구체적인 예를 들면, 상기 레이저 유닛(325)의 배열 간격이 24mm인 경우에, 레이저 유닛(325)과 반도체 웨이퍼(20)의 이격 거리가 150mm이면 온도 편차가 0.27℃(0.037%)이며, 200mm이면 0.15℃(0.018%)로 평가되었다. 이때, 상기 히팅 모듈(320)의 폭과 길이는 355mm이고, 반도체 웨이퍼(20)의 상면 온도는 800℃이고, 에너지 밀도는 각각 29.1W/㎠와 28.5W/㎠이었으며, 반도체 웨이퍼(20)의 회전 속도는 150rpm이었다. 한편, 다른 조건은 동일한 상태에서 반도체 웨이퍼(20)를 회전시키지 않는 경우에 온도 편차가 각각 2.96℃(0.37%)와 1.02℃(0.13%)로 증가되었다.Theheating module 320 is located on the upper or lower side of thesemiconductor wafer 20 such that the distance between thelaser unit 325 and the heating surface (upper surface or lower surface) of thesemiconductor wafer 20 is 50 to 400 mm. The spacing distance may be preferably 100 to 300 mm. The spacing distance can be adjusted so that thesemiconductor wafer 20 can be uniformly heated depending on the arrangement interval and arrangement of thelaser units 325. [ For example, if the spacing of thelaser units 325 is narrow, the influence on temperature uniformity is small even if the spacing distance is small, so that the spacing distance can be reduced. When the spacing distance is small, the supplied power can be reduced or the temperature rising rate can be increased. However, if the arrangement interval of thelaser units 325 is wide and the spacing distance is small, the temperature uniformity is reduced. Therefore, when the arrangement interval is wide, the spacing distance should be relatively large. If the distance is long, the power to be supplied must be increased. More specifically, if the spacing distance between thelaser unit 325 and thesemiconductor wafer 20 is 150 mm, the temperature deviation is 0.27 deg. C (0.037%) when the array interval of thelaser units 325 is 24 mm, It was evaluated as 0.15 캜 (0.018%). At this time, the width and length of theheating module 320 were 355 mm, the top surface temperature of thesemiconductor wafer 20 was 800 ° C, the energy densities were 29.1 W / cm 2 and 28.5 W / cm 2, The rotation speed was 150 rpm. On the other hand, under different conditions, when thesemiconductor wafer 20 was not rotated in the same state, the temperature deviations were increased to 2.96 ° C (0.37%) and 1.02 ° C (0.13%), respectively.

상기 히팅 모듈(320)은 복수 개의 레이저 유닛(325)이 행 방향과 열 방향으로 배열되어 형성된다. 상기 히팅 모듈(320)은 반도체 웨이퍼(20)의 면적에 대응되는 면적의 영역에 레이저 유닛(325)이 위치하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 히팅 모듈(320)은 반도체 웨이퍼(20)의 직경에 대응되는 직경을 갖는 원형의 영역에 레이저 유닛(325)이 배치될 수 있다.Theheating module 320 is formed by arranging a plurality oflaser units 325 in the row direction and the column direction. Theheating module 320 may be formed so that thelaser unit 325 is positioned in an area corresponding to the area of thesemiconductor wafer 20. [ For example, theheating module 320 may have alaser unit 325 disposed in a circular area having a diameter corresponding to the diameter of thesemiconductor wafer 20.

상기 히팅 프레임(321)은 전체적으로 판상을 이루도록 형성되며, 열처리되는 반도체 웨이퍼(20)의 직경보다 큰 폭과 길이를 갖는 사각 판상 또는 반도체 웨이퍼(20)의 직경보다 큰 직경을 갖는 원 형상으로 형성될 수 있다. 상기 히팅 프레임(321)은 수용 홈(322)을 포함하여 형성될 수 있다.Theheating frame 321 is formed in a plate shape as a whole and is formed in a rectangular plate shape having a width and a length larger than the diameter of thesemiconductor wafer 20 to be heat treated or a circular shape having a diameter larger than the diameter of thesemiconductor wafer 20 . Theheating frame 321 may include a receivinggroove 322.

상기 수용 홈(322)은 히팅 프레임(321)에서 반도체 웨이퍼(20)와 대향하는 면에 개방되어 형성되며, 행 방향과 열 방향으로 배열되어 격자 형상을 이루도록 형성된다. 상기 수용 홈(322)은 레이저 유닛(325)이 수용되는 공간을 제공한다. 상기 수용 홈(322)은 히팅 프레임(321)의 하면의 전체 영역에 형성될 수 있으며, 반도체 웨이퍼(20)의 면적에 대응되는 영역에만 형성될 수 있다.The receivinggroove 322 is formed in theheating frame 321 so as to be opened on a surface facing thesemiconductor wafer 20 and is arranged in a row direction and a column direction to be formed into a lattice shape. The receivinggroove 322 provides a space in which thelaser unit 325 is accommodated. The receivinggroove 322 may be formed in the entire area of the lower surface of theheating frame 321 and only in the area corresponding to the area of thesemiconductor wafer 20.

상기 레이저 유닛(325)은 적어도 1개의 VCSEL 소자(126)를 포함하여 형성된다. 상기 레이저 유닛(325)은 바람직하게는, 도 3에 도시된 바와 같이 복수 개의 VCSEL 소자(126)가 평면상으로 사각 형상을 이루도록 배열되어 형성된다.Thelaser unit 325 is formed to include at least oneVCSEL element 126. As shown in FIG. 3, thelaser unit 325 is preferably formed by arranging a plurality ofVCSEL elements 126 so as to have a rectangular shape in plan view.

상기 레이저 유닛(325)은 히팅 프레임(321)에 행 방향과 열 방향으로 배열되어 형성된다. 이때, 상기 레이저 유닛(325)은, 도 7에서 보는 바와 같이, 행 방향과 열 방향으로 한 개씩 이격되어 배열될 수 있다. 또한, 상기 레이저 유닛(325)은 행 방향과 열 방향으로 격자 형상으로 배열되고, 도 7에서 보는 바와 같이, 한 개 건너 한 개씩 교대로 작동될 수 있다.Thelaser unit 325 is formed in theheating frame 321 in the row direction and the column direction. At this time, as shown in FIG. 7, thelaser units 325 may be arranged in the row direction and the column direction, respectively. Further, thelaser units 325 are arranged in a lattice pattern in the row direction and the column direction, and can be operated alternately one by one, as shown in Fig.

상기 레이저 유닛(325)은 반도체 웨이퍼(20)의 최고 가열 온도 또는 온도 상승 속도에 따라 다른 개수로 배열될 수 있다. 예를 들면, 상기 레이저 유닛(325)은 도 8의 (a)에서 보는 바와 같이 격자 형상을 이루는 수용 홈(322)의 전체에 각각 위치하도록 배열될 수 있다. 또한, 상기 레이저 유닛(325)은, 도 8의 (b)에서 보는 바와 같이 사각 형상으로 이루도록 인접하는 4개의 수용 홈(322)에서 대각선 방향으로 2개만 위치하도록 배열될 수 있다. 상기 레이저 유닛(325)은 도 8의 (b)와 같이 배열되는 경우에 행 방향과 열 방향으로 교대로 배열되는 구조가 된다. 또한, 상기 레이저 유닛(325)은 도 8의 (c)에서 보는 바와 같이 사각 형상을 이루도록 인접하는 4개의 수용 홈(322)에서 어느 하나에만 위치하도록 배열될 수 있다. 이러한 경우에 에너지 밀도는 각각 100W/㎠, 50W/㎠, 25W/㎠가 된다. 상기 레이저 유닛(325)이 도 8의 (a)와 같이 배열되는 경우에 반도체 웨이퍼(20)의 가열 온도 또는 온도 상승률이 상대적으로 높게 되며, 도 8의 (c)와 같이 배열되는 경우에 반도체 웨이퍼(20)의 가열 온도 또는 온도 상승률이 상대적으로 낮게 된다. 한편, 상기 레이저 유닛(325)은 반도체 웨이퍼(20)가 회전하는 상태에서 레이저를 조사하는 경우에 도 8의 (b) 또는 (c)와 같이 배열되더라도 반도체 웨이퍼(20)를 불균일하게 가열하지 않는다.Thelaser units 325 may be arranged in different numbers depending on the maximum heating temperature or the temperature rising speed of thesemiconductor wafers 20. For example, thelaser unit 325 may be arranged to be located entirely in the grating-shapedreceiving groove 322 as shown in FIG. 8 (a). 8 (b), thelaser unit 325 may be arranged so as to be positioned in only two diagonally opposite directions in the four receivinggrooves 322 adjacent to each other in a rectangular shape. Thelaser units 325 are arranged alternately in the row direction and the column direction when arranged as shown in FIG. 8 (b). In addition, thelaser unit 325 may be arranged to be located in any one of the four receivinggrooves 322 adjacent to each other so as to have a rectangular shape as shown in FIG. 8 (c). In this case, the energy densities are 100 W /cm 2, 50 W / cm 2 and 25 W / cm 2, respectively. When thelaser unit 325 is arranged as shown in FIG. 8A, the heating temperature or the temperature increasing rate of thesemiconductor wafer 20 becomes relatively high, and when thelaser unit 325 is arranged as shown in FIG. 8C, The heating temperature or the rate of temperature rise of thesubstrate 20 becomes relatively low. On the other hand, thelaser unit 325 does not unevenly heat thesemiconductor wafer 20 even if thelaser unit 325 is arranged as shown in FIG. 8 (b) or (c) when the laser beam is irradiated while thesemiconductor wafer 20 is rotating .

상기 회전 모듈(330)은 기판 지지판(310)의 하부에 결합되며, 기판 지지판(310)을 회전시킨다. 상기 기판 지지판(310)이 회전되는 경우에 기판 지지판(310)의 상면에 안착되어 있는 반도체 웨이퍼(20)는 보다 균일하게 가열된다.Therotation module 330 is coupled to the lower portion of thesubstrate support plate 310 and rotates thesubstrate support plate 310. When thesubstrate support plate 310 is rotated, thesemiconductor wafer 20 mounted on the upper surface of thesubstrate support plate 310 is more uniformly heated.

상기 회전 모듈(330)은 기존의 반도체 웨이퍼 열처리 장치에서 사용되는 회전 모듈로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 회전 모듈(330)은, 구체적으로 도시하지는 않았지만, 기판 지지판(310)의 하부에 결합되는 회전축과 회전축을 회전시키는 모터 및 회전축과 모터를 연결시키는 타이밍 벨트 또는 체인을 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 회전축에 직접 모터가 연결되어 회전축과 기판 지지판(310)을 회전시키도록 형성될 수 있다. 또한, 기판 지지판(310)이 중공으로 형성되어 히팅 모듈(320)이 하부에 형성될 수 있다.Therotation module 330 may be formed of a rotation module used in a conventional semiconductor wafer heat treatment apparatus. For example, although not shown in detail, therotation module 330 includes a rotation shaft coupled to a lower portion of thesubstrate support plate 310, a motor for rotating the rotation shaft, and a timing belt or chain for connecting the rotation shaft and the motor. . In addition, a motor may be directly connected to the rotation shaft to rotate the rotation shaft and thesubstrate support plate 310. Further, thesubstrate supporting plate 310 may be formed in a hollow shape so that theheating module 320 may be formed at the bottom.

다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 히팅 모듈의 평가 결과에 대하여 설명한다.Next, evaluation results of the heating module according to one embodiment of the present invention will be described.

도 9는 도 7의 히팅 모듈에 대하여 시뮬레이션 과정을 통하여 평가한 결과이다. 도 7의 히팅 모듈에 대한 평가에서는 히팅 모듈(320)과 반도체 웨이퍼(20) 사이의 거리를 300mm로 하였다. 또한, 상기 히팅 모듈(320)은 반도체 웨이퍼(20)의 면적에 대응되는 영역에 위치하는 레이저 유닛(325)에 반도체 웨이퍼(20)의 가열 온도에 필요한 전력을 공급하고, 반도체 웨이퍼(20)의 외측 영역에 위치하는 레이저 유닛(325)에 대하여는 외측으로 갈수록 공급되는 전력을 감소시켰다. 도 9의 (a)에서 보는 바와 같이 시뮬레이션 결과를 참조하면, 히팅 모듈(320)은 반도체 웨이퍼(20)에 대응되는 영역의 온도가 가장 높으며, 외측으로 갈수록 온도가 낮아지도록 작동한다. 도 9의 (b)를 보면, 반도체 웨이퍼(20)의 직경에 대응되는 길이에서 온도 분포가 균일하며, 반도체 웨이퍼(20)의 외측으로 갈수록 온도가 급격하게 감소되는 것을 볼 수 있다. 평가 결과에 따르면, 온도가 균일한 영역에서의 온도 편차는 0.746%로 평가되었다.FIG. 9 is a result of evaluation of the heating module of FIG. 7 through a simulation process. 7, the distance between theheating module 320 and thesemiconductor wafer 20 is 300 mm. Theheating module 320 supplies power required for heating thesemiconductor wafer 20 to thelaser unit 325 located in the area corresponding to the area of thesemiconductor wafer 20, And the power supplied to thelaser unit 325 located in the outer region is decreased toward the outer side. Referring to the simulation results, as shown in FIG. 9A, theheating module 320 operates so that the temperature of the region corresponding to thesemiconductor wafer 20 is the highest, and the temperature decreases toward the outside. 9 (b), it can be seen that the temperature distribution is uniform at a length corresponding to the diameter of thesemiconductor wafer 20, and the temperature is drastically reduced toward the outside of thesemiconductor wafer 20. According to the evaluation results, the temperature deviation in the temperature uniform region was evaluated as 0.746%.

또한, 상기 반도체 웨이퍼(20)의 표면 온도는 800℃이고, 온도 상승률은 75℃/sec이고, 인가되는 전력이 26.9kW이고, 최대 에너지 밀도가 29.1W/㎠이며, 반도체 웨이퍼(20)와의 거리가 150mm인 경우에 온도 균일도가 0.3℃이하로 평가되었다. 이때, 상기 반도체 웨이퍼(20)는 150rpm으로 회전시켰다.The surface temperature of thesemiconductor wafer 20 was 800 占 폚, the rate of temperature rise was 75 占 폚 / sec, the power applied was 26.9 kW, the maximum energy density was 29.1 W / cm2, the distance from thesemiconductor wafer 20 The temperature uniformity was evaluated to be 0.3 占 폚 or less. At this time, thesemiconductor wafer 20 was rotated at 150 rpm.

다음은 히팅 모듈에 인가되는 전력에 따른 온도 상승률에 대한 평가 결과이다.The following is the evaluation result of the temperature rise rate according to the power applied to the heating module.

도 10을 참조하면, 상기 히팅 모듈(320)의 에너지 밀도가 높을수록 온도 상승률과 반도체 웨이퍼(20)의 표면 최고 온도가 증가되는 것을 알 수 있다. 또한, 상기 히팅 모듈(320)의 에너지 밀도가 높을수록 반도체 웨이퍼(20)의 표면 최고 온도에 도달하는 시간이 감소되는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 10, it can be seen that as the energy density of theheating module 320 increases, the temperature rise rate and the maximum surface temperature of thesemiconductor wafer 20 increase. Also, it can be seen that as the energy density of theheating module 320 increases, the time required to reach the surface maximum temperature of thesemiconductor wafer 20 decreases.

본 명세서에 개시된 실시예는 여러 가지 실시 가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 실시예를 선정하여 제시한 것일 뿐, 이 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예에만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 부가 및 변경이 가능함 물론, 균등한 다른 실시예의 구현이 가능하다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims.

10: 평판 기판20: 반도체 웨이퍼
100, 300: 기판 열처리 장치
110, 310: 기판 지지판120, 220, 320: 히팅 모듈
121, 221,321: 히팅 프레임125, 225, 325: 레이저 유닛
330: 회전 모듈10: flat plate substrate 20: semiconductor wafer
100, 300: Substrate heat treatment apparatus
110, 310:substrate support plate 120, 220, 320: heating module
121, 221, 321:Heating frame 125, 225, 325: Laser unit
330: Rotation module

Claims (12)

Translated fromKorean

평판 기판이 안착되는 기판 지지판 및
상기 평판 기판의 소정 면적에 VCSEL을 동시에 조사하여 열처리 공정을 진행하는 히팅 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.A substrate support plate on which the flat plate substrate is mounted, and
And a heating module for simultaneously applying a VCSEL to a predetermined area of the flat substrate to conduct a heat treatment process.제 1 항에 있어서,
상기 평판 기판은 소스 영역과 드레인 영역을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되는 유리 기판 또는 플렉서블 기판 또는 비정질 실리콘 박막이 형성되는 유리 기판 또는 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the flat substrate is a glass substrate or a flexible substrate on which a thin film transistor including a source region and a drain region is formed, or a glass substrate or a flexible substrate on which an amorphous silicon thin film is formed.제 2 항에 있어서,
상기 히팅 모듈은
상기 평판 기판의 폭 및 길이보다 큰 폭과 길이를 갖는 히팅 프레임 및
상기 평판 기판의 폭 및 길이보다 큰 폭과 길이를 갖는 영역에 행 방향과 열 방향으로 배열되어 VCSEL을 발진하는 레이저 유닛을 포함하며,
상기 히팅 모듈은 상기 평판 기판에서 열처리를 필요로 하는 영역의 전체 면적에 동시에 VCSEL을 조사하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.3. The method of claim 2,
The heating module
A heating frame having a width and a length greater than the width and length of the flat substrate; and
And a laser unit arranged in a row direction and in a column direction in an area having a width and a length greater than the width and length of the flat substrate to oscillate the VCSEL,
Wherein the heating module is formed to simultaneously irradiate a VCSEL to the entire area of a region requiring heat treatment in the flat plate substrate.제 2 항에 있어서,
상기 히팅 모듈은
길이 방향으로 연장되며, 상기 평판 기판의 폭보다 큰 길이를 갖는 히팅 프레임 및
상기 히팅 프레임에 상기 평판 기판의 폭보다 큰 길이로 배열되어 VCSEL을 발진하는 레이저 유닛을 포함하며,
상기 히팅 모듈은 상기 평판 기판의 전체 폭 및 소정 길이의 영역에 동시에 VCSEL을 조사하며 상기 평판 기판의 길이 방향으로 스캔하면서 VCSEL을 조사하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.3. The method of claim 2,
The heating module
A heating frame extending in the longitudinal direction and having a length greater than the width of the flat substrate, and
And a laser unit arranged on the heating frame at a length greater than the width of the flat substrate to oscillate the VCSEL,
Wherein the heating module is formed to simultaneously irradiate a VCSEL to the entire width and a predetermined length of the flat substrate and irradiate the VCSEL while scanning the flat substrate in the longitudinal direction of the flat substrate.제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 히팅 프레임은 상기 평판 기판과 대향하는 면에 형성되는 수용 홈을 구비하며,
상기 레이저 유닛은 상기 수용 홈에 분리 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the heating frame has a receiving groove formed on a surface facing the flat substrate,
And the laser unit is detachably coupled to the receiving groove.제 1 항에 있어서,
상기 기판은 반도체 웨이퍼로 형성되며,
상기 기판 지지판의 하부에 결합되어 상기 기판 지지판을 회전시키는 회전 모듈을 더 포함하며,
상기 히팅 모듈은 상기 반도체 웨이퍼의 직경보다 큰 폭과 길이를 갖는 히팅 프레임 및 상기 히팅 프레임에 행 방향과 열 방향으로 배열되어 VCSEL을 발진하는 레이저 유닛을 포함하며,
상기 히팅 모듈은 상기 반도체 웨이퍼의 전체 면적에 동시에 VCSEL을 조사하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is formed of a semiconductor wafer,
And a rotation module coupled to a lower portion of the substrate support plate to rotate the substrate support plate,
Wherein the heating module includes a heating frame having a width and a length greater than the diameter of the semiconductor wafer and a laser unit arranged in the row direction and the column direction in the heating frame to oscillate the VCSEL,
Wherein the heating module is formed to simultaneously irradiate a VCSEL to the entire area of the semiconductor wafer.제 6 항에 있어서,
상기 히팅 프레임은 상기 반도체 웨이퍼와 대향하는 면에 행 방향과 열 방향으로 배열되어 격자 형상을 이루도록 형성되는 수용 홈을 구비하며,
상기 레이저 유닛은 상기 수용 홈에 분리 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the heating frame has a receiving groove formed in a row direction and a column direction on a surface facing the semiconductor wafer so as to form a lattice shape,
And the laser unit is detachably coupled to the receiving groove.제 7 항에 있어서,
상기 레이저 유닛은 상기 수용 홈에 모두 결합되거나, 사각 형상을 이루도록 인접하는 4개의 상기 수용 홈에서 대각선 방향으로 2개에만 결합되거나, 사각 형상을 이루도록 인접하는 4개의 상기 수용 홈에서 어느 하나에만 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.8. The method of claim 7,
The laser unit may be coupled to only two of the four receiving grooves so as to form a rectangular shape, or may be coupled to only one of the four receiving grooves so as to have a rectangular shape And the substrate is heated.평판 기판 또는 반도체 웨이퍼의 소정 면적에 VCSEL을 동시에 조사하여 열처리 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.Wherein a VCSEL is simultaneously irradiated to a predetermined area of a flat substrate or a semiconductor wafer to perform a heat treatment process.제 9 항에 있어서,
상기 열처리 공정은 유리 기판 또는 플렉서블 기판에 형성되는 박막 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역에 대한 액티베이션 공정, 상기 유리 기판 또는 플렉서블 기판에 형성되는 비정질 실리콘 박막의 결정화 공정 또는 상기 반도체 웨이퍼를 가열하는 가열 공정인 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.10. The method of claim 9,
The heat treatment process may include an activation process for a source region and a drain region of a thin film transistor formed on a glass substrate or a flexible substrate, a crystallization process of the amorphous silicon thin film formed on the glass substrate or the flexible substrate, ≪ / RTI >제 9 항에 있어서,
상기 열처리 공정은 상기 평판 기판에서 열처리가 필요한 영역 또는 상기 반도체 웨이퍼에서 열처리가 필요한 영역의 전체에 VCSEL을 동시에 조사하여 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the heat treatment process is performed by simultaneously irradiating a VCSEL to a region requiring heat treatment in the flat substrate or an entire region requiring heat treatment in the semiconductor wafer.제 9 항에 있어서,
상기 열처리 공정은 상기 평판 기판의 전체 폭과 소정 길이의 영역에 동시에 VCSEL을 조사하며, 상기 평판 기판의 길이 방향으로 스캔하면서 VCSEL을 조사하여 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the heat treatment process is performed by simultaneously irradiating a VCSEL to the entire width and a predetermined length of the flat substrate and irradiating the VCSEL while scanning the flat substrate in the longitudinal direction of the flat substrate.

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