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KR20130137043A - 웨이퍼 교환 장치 및 웨이퍼 지지용 핸드 - Google Patents

웨이퍼 교환 장치 및 웨이퍼 지지용 핸드
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KR20130137043A
KR20130137043AKR1020137029430AKR20137029430AKR20130137043AKR 20130137043 AKR20130137043 AKR 20130137043AKR 1020137029430 AKR1020137029430 AKR 1020137029430AKR 20137029430 AKR20137029430 AKR 20137029430AKR 20130137043 AKR20130137043 AKR 20130137043A
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KR
South Korea
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wafer
hand
hands
housing
lifting means
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1020137029430A
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English (en)
Inventor
히로시 야마베
히토시 오바타
가츠히로 야마조에
요시키 니시지마
고스케 사카타
신이치 이마이
히로아키 즈키모토
게이이치 마츠카와
Original Assignee
다즈모 가부시키가이샤
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Abstract

컴팩트하고 액세스성이 우수한 웨이퍼 교환 장치를 제공한다. 본 발명의 웨이퍼 교환 장치는, 제1 및 제2 핸드(10 및 20), 제1 승강 수단(30), 하우징(40), 수평 이동 수단(50), 및 제2 승강 수단(60)을 구비한다. 제1 및 제2 핸드(10 및 20)는, 대략 선대칭으로 좌우 분할 형상으로 형성되며, 웨이퍼(100)를 지지한다. 제1 승강 수단(30)은, 제2 핸드(20)를 승강시킨다. 하우징(40)은, 제1 승강 수단(30)을 내장함과 함께, 제1 핸드(10)를 높이 위치 불변, 또한, 제2 핸드(20)를 승강 가능하게 지지한다. 수평 이동 수단(50)은, 하우징(40)을 수평 이동시킨다. 제2 승강 수단(60)은, 하우징(40)을 승강시킨다.

Description

웨이퍼 교환 장치 및 웨이퍼 지지용 핸드{WAFER EXCHANGE DEVICE AND HAND FOR WAFER SUPPORT}
본 발명은, 미처리 웨이퍼와 처리 완료 웨이퍼를 교환하는 웨이퍼 교환 장치 및 이러한 웨이퍼 교환 장치에 이용되는 웨이퍼 지지용 핸드에 관한 것이다.
종래, 수용한 웨이퍼에 대해 어떠한 처리를 하는 웨이퍼 처리 장치에서는, 처리 완료 웨이퍼를 반출하고, 미처리 웨이퍼를 반입하는 웨이퍼 교환에 필요로 하는 시간을 단축함으로써, 가동률이 올라가기 때문에, 아웃풋을 늘릴 수 있다.
특허 문헌 1에는, 웨이퍼 교환을 일련의 동작 중에 행하는 웨이퍼 교환 장치가 제안되고 있다. 이 웨이퍼 교환 장치는, 상하로 간격을 두고 배치된 2개의 핸드를 가지며, 이들 상하 2개의 핸드를 연동으로 승강시키는 승강 기구를 구비하고, 이 승강 기구 단독으로 상하 2개의 핸드의 절대 높이를 변경하도록 하고 있다.
예를 들면, 상단의 선반에 처리 완료 웨이퍼가 올려 놓아지고, 하단의 선반은 비어 있는 것으로 한다. 이 때, 하측의 핸드로 미처리 웨이퍼를 지지한 상태로 웨이퍼 처리 장치에 액세스하여, 미처리 웨이퍼를 반입한다. 그리고, 승강 기구를 동작시켜 상하의 핸드 간의 간격을 넓히도록 하측의 핸드를 아래로 움직임과 함께, 상측의 핸드를 위로 움직이면, 미처리 웨이퍼가 하측의 핸드로부터 떨어져 하단의 선반에 세트됨과 동시에, 상단의 선반에 올려 놓아져 있던 처리 완료 웨이퍼가 상측의 핸드에 지지된다. 이 상태로 핸드를 웨이퍼 처리 장치로부터 멀어지게 하면, 처리 완료 웨이퍼가 반출된다.
반대로, 하단의 선반에 처리 완료 웨이퍼가 올려 놓아지고, 상단의 선반은 비어 있는 것으로 한다. 이 때, 상측의 핸드로 미처리 웨이퍼를 지지한 상태로 웨이퍼 처리 장치에 액세스하여, 미처리 웨이퍼를 반입한다. 그리고, 승강 기구를 동작시켜 상하의 핸드 간의 간격을 좁히도록 하측의 핸드를 위로 움직임과 함께, 상측의 핸드를 아래로 움직이면, 미처리 웨이퍼가 상측의 핸드로부터 떨어져 상단의 선반에 세트됨과 동시에, 하단의 선반에 올려 놓아져 있던 처리 완료 웨이퍼가 하측의 핸드에 지지된다. 이 상태로 핸드를 웨이퍼 처리 장치로부터 멀어지게 하면, 처리 완료 웨이퍼가 반출된다.
일본국 특허공개 평8-139152호 공보
특허 문헌 1의 웨이퍼 교환 장치의 구성에서는, 상하 2개의 핸드를 연동으로 승강시키는 기구가 복잡하고, 기구 부품이 집약되어 장치가 대형화되는 문제가 있다. 또, 핸드가 상하 2개가 되기 때문에, 웨이퍼 처리 장치에 1개의 핸드로 액세스하고 싶을 때에 액세스를 행할 수 없는 불편이 있다.
본 발명은, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 컴팩트하고 액세스성이 우수한 웨이퍼 교환 장치 및 웨이퍼 지지용 핸드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 교환 장치는, 제1 및 제2 핸드, 제1 승강 수단, 하우징, 수평 이동 수단, 및 제2 승강 수단을 구비한다. 제1 및 제2 핸드는, 대략 선대칭으로 좌우 분할 형상으로 형성되며, 웨이퍼를 지지한다. 제1 승강 수단은, 상기 제2 핸드를 승강시킨다. 하우징은, 상기 제1 승강 수단을 내장함과 함께, 상기 제1 핸드를 높이 위치 불변, 또한, 상기 제2 핸드를 승강 가능하게 지지한다. 수평 이동 수단은, 상기 하우징을 수평 이동시킨다. 제2 승강 수단은, 상기 하우징을 승강시킨다.
이 웨이퍼 교환 장치의 구성에 의하면, 제1 승강 수단에 의해 제1 및 제2 핸드의 상대 높이가 가변되어, 제2 승강 수단에 의해 절대 높이를 조정 가능해진다. 이 때문에, 기구 부품을 분산하여 배치 가능하다. 또, 제1 및 제2 핸드의 높이 위치를 맞추면 외관상 한 개의 핸드로서 사용 가능해진다.
또, 본 발명의 한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드는, 대략 선대칭으로 좌우 분할 형상으로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드의 높이를 맞춤으로써 외관상 1개의 핸드로서 양쪽의 웨이퍼 지지용 핸드 일체로 웨이퍼를 지지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드의 높이를 달리함으로써, 2개의 핸드로서 따로 따로 웨이퍼를 지지하는 것도 가능해진다. 즉, 외관상 1개의 핸드를 2개의 핸드로서 사용하는 것이 가능하고, 상하로 떼어 이용하는 2개의 핸드를 공간 절약적으로 구성하는 것이 가능하다.
한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드의 선단에, 선대칭으로 조합되어 포크 형상을 이루는 주 핑거를 형성하고, 각 핑거의 근본에, 선대칭축을 넘어 상대측의 핸드로 돌출하는 보조 핑거가 번갈아 돌출 설치되어도 된다. 이 구성에 의하면, 한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드가 외관상 1개의 핸드로서 사용될 때, 각 핸드의 주 핑거들이 선대칭으로 조합되어 포크 형상의 핑거를 이루고, 2개의 핸드로서 사용될 때는, 각 핸드의 주 핑거와 보조 핑거가 조합되어 포크 형상의 핑거를 이룬다. 즉, 외관상 1개의 핸드여도, 2개의 핸드여도 포크 형상의 핑거로 안정적으로 웨이퍼를 지지하는 것이 가능해진다.
또한, 한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드의 웨이퍼 지지면의 상기 주 핑거 및 상기 보조 핑거의 선단부에, 흡기구를 설치해도 된다. 이 구성에 의하면, 한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드의 웨이퍼 지지면에 웨이퍼가 올려 놓아진 상태에서, 흡기구로부터 에어를 흡인함으로써, 웨이퍼가 웨이퍼 지지면에 흡착되어, 확실히 지지할 수 있다.
이 발명에 의하면, 컴팩트하고 액세스성이 우수한 웨이퍼 교환 장치 및 웨이퍼 지지용 핸드를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 관련된 웨이퍼 교환 장치의 개략 구성을 나타내는 부분 단면 평면도이다.
도 2(A)~(C)는, 상기 서술한 웨이퍼 교환 장치의 제1 및 제2 승강 수단의 동작을 설명하는 부분 단면 측면도이다.
도 3은 제1 및 제2 핸드를 2개의 핸드로서 사용하는 경우를 설명하는 각 핸드의 평면도이다.
도 4는 제1 및 제2 핸드를 외관상 1개의 핸드로서 사용하는 경우를 설명하는 양 핸드를 조합시킨 상태의 평면도이다.
도 5(A)~(D)는, 웨이퍼 교환 장치에 의한 웨이퍼 교환 동작의 일례를 설명하는 사시도이다.
도 6(A)~(D)는, 웨이퍼 교환 장치에 의한 웨이퍼 교환 동작의 일례를 설명하는 사시도이다.
도 1~도 3을 이용하여, 본 발명의 실시 형태에 관련된 웨이퍼 교환 장치의 개략 구성을 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 교환 장치(1)는, 제1 및 제2 핸드(10, 20), 제1 승강 수단(30), 하우징(40), 수평 이동 수단(50), 및 제2 승강 수단(60)을 구비한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 및 제2 핸드(10, 20)는, 대략 선대칭으로 좌우 분할 형상으로 형성되어 있다.
제1 및 제2 핸드(10, 20)는 판 형상으로 형성되며, 한쪽의 면측에 단차 없이 설정된 웨이퍼 지지면(도 3, 도 4 중의 사선부 참조.)이 형성되어 있다. 이 때문에, 도 4에 동일 방향의 사선으로 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 핸드(10, 20)의 높이를 맞춤으로써 외관상 1개의 핸드로서 양쪽의 핸드(10 및 20) 일체로 웨이퍼(100)를 지지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 도 3에 다른 방향의 사선으로 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 핸드(10, 20)의 높이를 달리함으로써, 2개의 핸드로서 어느 한쪽의 핸드(10 또는 20)로 따로 따로 웨이퍼(100)를 지지하는 것도 가능해진다. 즉, 외관상 1개의 핸드를 2개의 핸드로서 사용하는 것이 가능하고, 상하로 떼어 이용하는 2개의 핸드를 공간 절약적으로 구성하는 것이 가능하다.
또, 도 3, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 및 제2 핸드(10, 20)의 선단에는, 선대칭으로 조합되어 포크 형상을 이루는 주 핑거(10A, 20A)가 각각 형성되어 있다. 이들 각 주 핑거(10A, 10B)의 근본에는, 선대칭축 L을 넘어 상대측의 핸드로 돌출하는 보조 핑거(10B, 20B)가 각각 번갈아 돌출 설치되어 있다. 제1 핸드(10)에는, 그 보조 핑거(10B)에 인접하여, 후미진 형상의 오목부(10D)가 형성되어 있어, 오목부(10D)에 제2 핸드(20)의 보조 핑거(20B)가 들어가도록 되어 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 핸드(10, 20)가 외관상 1개의 핸드로서 사용될 때, 각 핸드의 주 핑거(10A, 20A)들이 선대칭으로 조합되어 포크 형상의 핑거를 이루고, 도 3에 나타내는 바와 같이, 2개의 핸드로서 사용될 때는, 각 핸드의 주 핑거(10A 또는 20A)와 보조 핑거(10B 또는 20B)가 조합되어 포크 형상의 핑거를 이룬다. 즉, 외관상 1개의 핸드여도, 2개의 핸드여도 포크 형상의 핑거로 안정적으로 웨이퍼(100)를 지지하는 것이 가능해진다.
또한, 도 3, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 및 제2 핸드(10, 20)의 웨이퍼 지지면의 주 핑거(10A, 20A)와 보조 핑거(10B, 20B)의 선단부에는, 각각 흡기구(12, 22)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 제1 또는 제2 핸드(10, 20)의 웨이퍼 지지면에 웨이퍼(100)가 올려 놓아진 상태에서, 흡기구(12, 22)로부터 에어를 흡인함으로써, 웨이퍼(100)가 웨이퍼 지지면에 흡착되어 확실히 지지할 수 있다.
도 2(A)에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 핸드(10, 20)의 근본부(10C, 20C)는, 웨이퍼 지지면보다 한 단 높게 형성되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 근본부(10C, 20C)의 엣지 라인은, 원호 형상으로 형성되어 있어, 근본부(10C, 20C)를 위치 결정하여 원형의 웨이퍼(100)를 웨이퍼 지지면의 적절한 위치에 확실히 지지할 수 있게 되어 있다.
판 형상의 유지 부재(2, 3)는, 제1, 제2 핸드(10, 20)를, 그 근본부(10C, 20C)로 각각 유지하고 있다. 제1, 제2 핸드(10, 20)는 이들 유지 부재(2, 3)를 이용하여 하우징(40)에 부착된다.
제1 승강 수단(30)은, 제2 핸드(20)를 승강시킨다. 도 1, 도 2(A)에 나타내는 바와 같이, 본 실시의 형태에서는, 제1 승강 수단(30)은, 모터(31), 회동 부재(32), 가이드(33), 및 제1, 제2 슬라이드 부재(34, 35)를 구비하고 있다.
모터(31)는, 모터축(31A)을 양방향으로 소정의 각도 범위에서 회동하는 구동원이다. 모터(31)의 구체예로서, 예를 들면, 스텝핑 모터를 들 수 있다. 회동 부재(32)는, 모터축(31A)을 중심으로 모터축(31A)의 회전에 수반하여 회동한다. 회동 부재(32)의 형상은 한정되지 않지만, 예를 들면, 도시한 바와 같은 판봉 형상의 부재가 이용된다. 회동 부재(32)의 일단에는 모터축(31A)이 고정되어 있다. 회동 부재(32)의 타단에는, 길이 방향으로 연장된 슬릿 형상의 긴 구멍(32A)이 관통하고 있다.
제1, 제2 슬라이드 부재(34)는, 회동 부재(32)의 회동에 연동하여 왕복 직선 운동을 한다. 제1, 제2 슬라이드 부재(34, 35)의 형상은 한정되지 않지만, 예를 들면, 제1 슬라이드 부재(34)는 도시한 바와 같은 힌지판 형상의 부재, 제2 슬라이드 부재(35)는 도시한 바와 같은 판 형상의 부재가 이용된다.
도 2(A)에 나타내는 바와 같이, 제1 슬라이드 부재(34)의, 수직으로 배향된 부분의 일측 단면(도 2(A)에서는 앞쪽면.)에는, 축(34A)이 돌출 설치되어 있다. 축(34A)은, 회동 부재(32)의 긴 구멍(32A)에 삽입되어 있으며, 긴 구멍(32A)을 가이드로 하여 그 길이 방향으로 이동 가능하다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 제2 슬라이드 부재(34)의 배면은, 수직으로 연장되어 가이드 홈(34B)이 형성되어 있다. 가이드 홈(34B)의 형상은 한정되지 않지만, 예를 들면, 도시한 바와 같은 각 홈으로 할 수 있다. 가이드 홈(34B)에는, 하우징(40) 내에 수직으로 세워 설치된 가이드(33)가 걸어 맞춰져 있다. 가이드(33)의 형상은 한정되지 않지만, 예를 들면, 도시한 바와 같은 판봉 형상의 부재가 이용된다. 가이드 홈(34B) 및 가이드(33)는 가이드 기구를 구성하고 있다. 또한, 가이드 기구의 걸어 맞춤 관계는 상기와는 반대로 해도 된다. 즉, 가이드(33)쪽에 가이드 홈을 설치하고, 제1 슬라이드 부재(34)의 배면에 가이드(33)의 가이드 홈에 걸어 맞춰지는 볼록부를 형성해도 된다.
도 2(A)에 나타내는 바와 같이, 제1 슬라이드 부재(34)의, 수평으로 배향된 부분의 선단 하면에는, 제2 슬라이드 부재(35)의 상단면이 고정되어 있다. 이와 같이 합체된 제1 슬라이드 부재(34)와 제2 슬라이드 부재(35)는, 측면에서 보아 역 U자 형상을 나타낸다. 이것에 의해, 제1 슬라이드 부재(34)의 전면과 제2 슬라이드 부재(35)의 배면 사이에는 양측 및 아래가 개방된 간극이 형성된다.
도 1, 도 2(A)에 나타내는 바와 같이, 하우징(40)의 전면 하반분은, 제2 핸드(20)를 유지하는 유지 부재(3)의 폭 및 제2 슬라이드 부재(35)의 안쪽 길이에 대응하는 치수로 들어가 있다. 이것에 의해 형성되는 오목부(40A)는 위가 개방되어, 제2 슬라이드 부재(35)가 상하 이동할 수 있는 공간을 제공한다. 오목부(40A)의 안쪽벽은, 상기 간극에 위치하고 있다. 제1 슬라이드 부재(34)의 전면은 오목부(40A)의 안쪽벽 배면에 맞닿아 있다. 따라서, 제1 슬라이드 부재(34)는, 오목부(40A)의 안쪽벽과 가이드(33)에 맞닿아 전후의 이동이 규제된 상태로 상하 이동한다. 이것에 의해, 제2 슬라이드 부재(35)도 전후의 이동이 규제된다.
회동 부재(32), 가이드(33), 및 제1, 제2 슬라이드 부재(34, 35)는 캠 기구를 구성하고 있다. 이 캠 기구에 의해, 도 2(A)에 점선 화살표로 나타내는 바와 같이, 모터축(31A)의 회전 운동이 제1, 제2 슬라이드 부재(34, 35)의 상하 운동(직선 운동)으로 변환된다. 이 결과, 유지 부재(3)도 상하 운동하고, 유지 부재(3)에 유지된 제2 핸드(20)가 상하 운동한다.
하우징(40)은, 제1 승강 수단(30)을 내장함과 함께, 제1 핸드(20)를 높이 위치 불변, 또한, 제2 핸드(20)를 승강 가능하게 지지한다. 하우징(40)은 상자 형상을 나타낸다. 하우징(40)의 구성은 불문하지만, 예를 들면, 도 5(A)~(D), 도 6(A)~(D)에 나타내는 바와 같이, 천정을 가지는 상부, 통 형상의 하부, 및 저판으로 구성되는 조립품으로 할 수 있다.
제1 핸드(10)를 유지하는 유지 부재(2)는 하우징(40)의 저판에 고정된다. 이것에 의해, 제1 핸드(10)는, 높이 위치 불변(상하 이동 불가능)으로 하우징(40)에 지지된다. 제2 핸드(20)를 유지하는 유지 부재(3)는, 제2 슬라이드 부재(35)에 지지된다. 이것에 의해, 제2 핸드(20)은, 승강 가능하게 하우징(40)에 지지된다.
수평 이동 수단(50)은, 하우징(40)을 수평 이동시킨다. 본 실시의 형태에서는, 수평 이동 수단(50)은, 도시하지 않는 모터, 다관절 로봇 아암(제1, 제2 아암(51, 52)), 및 도시하지 않는 링크 기구를 구비한다. 제2 아암(52)의 선단에는, 하우징(40)이 회동 가능하게 지지되어 있다. 모터는, 다관절 로봇 아암의 제1 아암(51)을 회동 구동한다. 링크 기구는, 제1 아암(51)의 회동을 제2 아암(52) 및 하우징(40)의 회동에 링크시키는 것이며, 제1 아암(51)의 회동각에 따라 제2 아암(52) 및 하우징(40)의 회동각이 적절히 조정되게 되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 수평 이동 수단(50)에 의해 하우징(40)이 외관상의 방향을 바꾸는 일 없이 전후 운동되게 되어 있다.
또한, 수평 이동 수단으로서는, 상기와 같이 다관절 로봇 아암에 의해 간접적으로 하우징(40)을 전후 이동시키는 것에 한정되지 않고, 예를 들면, 슬라이드 기구에 의해 하우징(40)을 직접 전후 이동시키는 것이어도 상관없다.
제2 승강 수단(60)은, 하우징(40)을 승강시킨다. 본 실시의 형태에서는, 제2 승강 수단(60)은, 도시하지 않는 엘리베이터 기구, 및 로봇 본체(기체(61) 및 승강체(62))를 구비한다. 엘리베이터 기구는 한정되지 않지만, 예를 들면, 모터와 크랭크축에 의해 구성할 수 있다. 기체(61)는 바닥면에 고정되고, 승강체(62)는 기체(61)에 대해 승강 가능하게 설치된다. 기체(61) 및 승강체(62)의 형상은 한정되지 않지만, 예를 들면, 도시한 바와 같은 원통형의 부재를 이용할 수 있다. 하우징(40)은, 상기 수평 이동 수단(50)을 통하여 제2 승강 수단(60)에 부착되어 있다.
이 제2 승강 수단(60)에 의해, 도 2(B)에 실선 화살표로 나타내는 바와 같이, 승강체(62)의 상하 운동에 수반하여 하우징(40)이 상하 운동한다. 이 결과, 유지 부재(2, 3)도 상하 운동하고, 유지 부재(3)에 유지된 제1, 제2 핸드(10, 20)가 상하 운동한다.
상기와 같이 구성된 웨이퍼 교환 장치(1)의 동작에 대해서 도 5(A)~(D), 도 6(A)~(D)를 참조하여 설명한다. 웨이퍼에 열처리 등의 어떠한 처리를 행하기 위한 웨이퍼 처리 장치에는, 웨이퍼의 수납 장소의 측벽 등에 스테이지(201, 202)가 설치되어 있는 것으로 한다. 스테이지(201 및 202)는 상하 2단으로 선반(201A, 201B 및 202A, 202B)이 각각 설치되며, 한쪽의 선반에 웨이퍼를 세트하고 처리를 행하도록 되어 있다.
예를 들면, 도 5(A)에 나타내는 바와 같이, 상단의 선반(201A, 202A)에 처리 완료 웨이퍼(101)가 올려 놓아지고, 하단의 선반(201B, 202B)에는 웨이퍼는 없고, 비어 있는 것으로 한다. 상기의 웨이퍼 교환 장치(1)의 구성에서, 제1 승강 수단(30)(도시하지 않음)을 동작시켜 제2 핸드(20)를, 작은 거리(구체적으로는, 상단과 하단의 선반의 간격보다 작은 거리.)만큼 제1 핸드(10)보다 상방으로 위치시키고, 제1 핸드(10)로 미처리 웨이퍼(102)를 지지한 상태에서, 수평 이동 수단(50)을 동작시켜 상단과 하단의 선반의 사이에 제1, 제2 핸드(10, 20)를 액세스한다. 이것에 의해, 하단의 선반(201B, 202B)의 바로 윗쪽으로 미처리 웨이퍼(102)가 반입된다. 그리고, 도 5(B)에 나타내는 바와 같이, 제2 승강 수단(60)(도시하지 않음)을 동작시켜 하우징(40)을 하강시킴과 동시에 제1 승강 수단(30)을 동작시켜 제2 핸드(20)를 상승시킨다. 이것에 의해, 도 5(C)에 나타내는 바와 같이, 제1 핸드(10)가 하우징(40)과 함께 하강하여, 제1 핸드(10)에 지지되어 있던 미처리 웨이퍼(102)가 하단의 선반(201B, 202B)에 올려 놓아짐과 함께, 제2 핸드(20)가 상승하여, 상단의 선반(201A, 202A)에 올려 놓아져 있던 처리 완료 웨이퍼(101)가 제2 핸드(20)에 지지된다. 이 상태에서, 도 5(D)에 나타내는 바와 같이, 수평 이동 수단(50)을 동작시켜 제1, 제2 핸드(10, 20)를 선반으로부터 멀어지게 하면, 처리 완료 웨이퍼(101)가 웨이퍼 처리 장치로부터 반출되고, 하단의 선반(201B, 202B)에 미처리 웨이퍼(102)가 세트된다. 즉, 미처리 웨이퍼(102)와 처리 완료 웨이퍼(101)가 교환된다.
하단의 선반(201B, 202B)에 세트된 웨이퍼의 처리가 끝나면, 도 6(A)에 나타내는 바와 같이, 제1 승강 수단(30)(도시하지 않음)을 동작시켜 제2 핸드(20)를, 큰 거리(구체적으로는, 상단과 하단의 선반의 간격보다 큰 거리.)만큼 제1 핸드(10)보다 상방으로 위치시키고, 제2 핸드(20)로 미처리 웨이퍼(102)를 지지한 상태에서, 수평 이동 수단(50)을 동작시켜 상단의 선반(201A, 202A) 위에 제2 핸드(20)를, 하단의 선반(201B, 202B)의 하방에 제1 핸드(10)를 액세스한다. 그리고, 도 6(B)에 나타내는 바와 같이, 제2 승강 수단(60)(도시하지 않음)을 동작시켜 하우징(40)을 상승시킴과 동시에 제1 승강 수단(30)을 동작시켜 제2 핸드(20)를 하강시킨다. 이것에 의해, 도 6(C)에 나타내는 바와 같이, 제1 핸드(10)가 하우징(40)과 함께 상승하여, 하단의 선반(201B, 202B)에 올려 놓아져 있던 처리 완료 웨이퍼(101)가 제1 핸드(10)에 지지됨과 함께 제2 핸드(20)가 하강하여, 제2 핸드(20)에 지지되어 있던 미처리 웨이퍼(102)가 상단의 선반(201A, 202A)에 올려 놓아진다. 이 상태에서, 도 6(D)에 나타내는 바와 같이, 수평 이동 수단(50)을 동작시켜 제1, 제2 핸드(10, 20)를 선반으로부터 멀어지게 하면, 처리 완료 웨이퍼가 웨이퍼 처리 장치로부터 취출되어, 상단의 선반(201A, 202A)에 미처리 웨이퍼(102)가 세트된다. 즉, 미처리 웨이퍼(102)와 처리 완료 웨이퍼(101)가 교환된다.
이상과 같이, 미처리 웨이퍼(102)의 반입과 선반으로의 세트, 및 처리 완료 웨이퍼(101)의 반출을 일련의 동작 중에 행할 수 있다. 따라서, 미처리 웨이퍼(102)와 처리 완료 웨이퍼(101)의 교환을 효율적으로 행할 수 있다.
상기의 설명에서는, 선반이 2단인 경우를 설명했지만, 선반이 더 다단으로 구성되어 있는 경우에 있어서, 선반의 단수가 짝수인 경우는, 상기의 동작을 (단수/2)회 반복함으로써, 모든 단에 대해서 미처리 웨이퍼(102)와 처리 완료 웨이퍼(101)의 교환을 행할 수 있다.
그러나, 선반의 단수가 홀수인 경우는, 상기와 같이 하여 2단씩 웨이퍼의 교환을 행해 가면, 마지막에 한 단만 어중간하게 남아 버린다. 이러한 경우 제1, 제2 핸드(10, 20)의 높이를 달리한 상태에서는, 웨이퍼 처리 장치의 반출 입구에 핸드(10, 20)가 간섭할 우려가 있다. 그래서, 도 2(C)에 나타내는 바와 같이, 제1 승강 수단(30)을 동작시켜 제2 핸드(20)를 제1 핸드(10)과 동일한 높이로 함으로써, 도 4에 나타내는 바와 같이 분할 형상으로 형성된 제1 및 제2 핸드(10, 20)를 조합하여 외관상 1개의 핸드로서 움직이도록 한다. 이와 같이 하면, 1개의 핸드로 웨이퍼를 지지하고, 선반에 액세스하는 것이 가능해져, 웨이퍼 처리 장치의 반출 입구에 핸드가 간섭하는 일 없이, 미처리 웨이퍼(102)를 반입하는 것이나, 처리 완료 웨이퍼(101)를 반출하는 것이 가능해진다.
본 실시의 형태에 의하면, 제1 승강 수단(30)에 의해 제1 및 제2 핸드(10, 20)의 상대 높이가 가변되어, 제2 승강 수단(60)에 의해 절대 높이를 조정 가능해진다. 이 때문에, 기구 부품을 분산하여 배치 가능하다. 또, 제1 및 제2 핸드(10, 20)의 높이를 맞추면 외관상 한 개의 핸드로서 사용 가능해진다. 따라서, 컴팩트하고 액세스성이 우수한 웨이퍼 교환 장치를 제공할 수 있다.
상기 서술한 실시 형태의 설명은, 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아닌 것으로 생각되어야 할 것이다. 본 발명의 범위는, 상기 서술한 실시 형태가 아니며, 특허 청구의 범위에 의해 나타난다. 또한, 본 발명의 범위에는, 특허 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
1: 웨이퍼 교환 장치
10: 제1 핸드(한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드의 한쪽)
20: 제2 핸드(한 쌍의 웨이퍼 지지용 핸드의 다른쪽)
30: 제1 승강 수단40: 하우징
50: 수평 이동 수단60: 제2 승강 수단

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Families Citing this family (396)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US10378106B2 (en)2008-11-142019-08-13Asm Ip Holding B.V.Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en)2009-04-062016-07-19Asm America, Inc.Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en)2009-08-142014-08-12Asm America, Inc.Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en)2011-06-062016-04-12Asm Japan K.K.High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en)2011-06-222017-10-17Asm Japan K.K.Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en)2011-06-272019-07-30Asm Ip Holding B.V.Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en)2011-07-152020-12-01Asm Ip Holding B.V.Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en)2011-07-202013-01-24Asm America, Inc.Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en)2011-10-282015-04-28Asm America, Inc.Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en)2012-04-042015-02-03Asm Ip Holdings B.V.Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en)2012-07-272017-01-31Asm Ip Holding B.V.System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en)2012-08-282017-05-23Asm Ip Holding B.V.Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en)2012-09-122015-05-05Asm Ip Holdings B.V.Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en)2012-09-262016-04-26Asm Ip Holding B.V.Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en)2012-10-122020-07-14Asm Ip Holdings B.V.Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en)2012-12-262017-05-02Asm Ip Holding B.V.Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en)2013-02-012016-12-29Asm Ip Holding B.V.System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en)2013-03-082016-11-01Asm Ip Holding B.V.Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en)2013-03-082017-03-07Asm Ip Holding B.V.Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
JP6190645B2 (ja)*2013-07-092017-08-30東京エレクトロン株式会社基板搬送方法
US8993054B2 (en)2013-07-122015-03-31Asm Ip Holding B.V.Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en)2013-07-222015-04-28Asm Ip Holding B.V.Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en)2013-08-142017-10-17Asm Ip Holding B.V.Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en)2013-09-272016-01-19Asm Ip Holding B.V.Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en)2013-10-092017-01-31ASM IP Holding B.VMethod for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9214369B2 (en)*2013-11-012015-12-15Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.Dynamic pitch substrate lift
US10179947B2 (en)2013-11-262019-01-15Asm Ip Holding B.V.Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en)2014-02-252020-06-16Asm Ip Holding B.V.Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en)2014-03-182016-09-20Asm Ip Holding B.V.Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en)2014-03-182019-01-01Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en)2014-03-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9343350B2 (en)*2014-04-032016-05-17Asm Ip Holding B.V.Anti-slip end effector for transporting workpiece using van der waals force
US9404587B2 (en)2014-04-242016-08-02ASM IP Holding B.VLockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en)2014-07-282020-12-08Asm Ip Holding B.V.Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en)2014-08-012017-01-10Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en)2014-08-212018-02-13Asm Ip Holding B.V.Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en)2014-10-072021-03-09Asm Ip Holding B.V.Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en)2014-10-072017-05-23Asm Ip Holding B.V.Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko)2014-11-192021-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko)2014-12-222021-06-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 및 그 제조 방법
EP3056320B1 (en)*2015-02-102018-12-05F. Hoffmann-La Roche AGRobotic device and laboratory automation system comprising robotic device
US9478415B2 (en)2015-02-132016-10-25Asm Ip Holding B.V.Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
JP6486140B2 (ja)*2015-02-252019-03-20キヤノン株式会社搬送ハンド、リソグラフィ装置及び被搬送物を搬送する方法
US10529542B2 (en)2015-03-112020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en)2015-03-122019-04-30Asm Ip Holding B.V.Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9779977B2 (en)*2015-04-152017-10-03Lam Research CorporationEnd effector assembly for clean/dirty substrate handling
US10458018B2 (en)2015-06-262019-10-29Asm Ip Holding B.V.Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en)2015-07-072020-03-24Asm Ip Holding B.V.Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en)2015-07-132018-08-07Asm Ip Holding B.V.Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en)2015-07-132018-02-20Asm Ip Holding B.V.Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en)2015-07-242018-09-25Asm Ip Holding B.V.Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en)2015-08-042018-10-02Asm Ip Holding B.V.Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en)2015-08-142017-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en)2015-08-252017-07-18Asm Ip Holding B.V.Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en)2015-09-292018-05-01Asm Ip Holding B.V.Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en)2015-10-152018-03-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en)2015-10-212019-02-19Asm Ip Holding B.V.NbMC layers
US10322384B2 (en)2015-11-092019-06-18Asm Ip Holding B.V.Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en)2015-11-102016-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en)2015-12-012018-02-27Asm Ip Holding B.V.Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en)2015-12-212017-03-28Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en)2015-12-282017-04-18Asm Ip Holding B.V.Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en)2015-12-282017-08-15Asm Ip Holding B.V.Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en)2015-12-292021-10-05Asm Ip Holding B.V.Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en)2016-02-192017-09-05Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en)2016-02-192020-01-07Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en)2016-02-192019-11-05Asm Ip Holding B.V.Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en)2016-03-092019-12-10Asm Ip Holding B.V.Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en)2016-03-182019-07-09Asm Ip Holding B.V.Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en)2016-03-242018-02-13Asm Ip Holding B.V.Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en)2016-04-212020-12-15Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en)2016-04-212018-10-02Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides
US10190213B2 (en)2016-04-212019-01-29Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides
US10367080B2 (en)2016-05-022019-07-30Asm Ip Holding B.V.Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en)2016-05-022018-07-24Asm Ip Holding B.V.Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko)2016-05-172023-10-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en)2016-05-252022-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en)2016-06-282019-08-20Asm Ip Holding B.V.Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en)2016-07-082020-04-07Asm Ip Holdings B.V.Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en)2016-07-082018-01-02Asm Ip Holding B.V.Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en)2016-07-142017-10-17ASM IP Holding B.VMethod of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en)2016-07-192020-07-14Asm Ip Holding B.V.Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko)2016-07-272022-01-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
US10395919B2 (en)2016-07-282019-08-27Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko)2016-07-282023-05-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en)2016-07-282018-02-06Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en)2016-07-282017-11-07Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en)2016-07-282019-01-08Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en)2016-09-012018-10-02Asm Ip Holding B.V.3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en)2016-10-132019-09-10Asm Ip Holding B.V.Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en)2016-10-262020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en)2016-10-272022-12-20Asm Ip Holding B.V.Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en)2016-11-012020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en)2016-11-012019-03-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en)2016-11-012020-07-14ASM IP Holdings, B.V.Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en)2016-11-012019-10-08Asm Ip Holding B.V.Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en)2016-11-072018-11-20Asm Ip Holding B.V.Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko)2016-11-152023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en)2016-11-282019-07-02Asm Ip Holding B.V.Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko)2016-12-142025-02-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US9916980B1 (en)2016-12-152018-03-13Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en)2016-12-152022-09-20Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en)2016-12-152023-02-14Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko)2016-12-192024-08-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10269558B2 (en)2016-12-222019-04-23Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en)2016-12-282020-12-15Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en)2017-01-102022-07-19Asm Ip Holding B.V.Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en)2017-02-092020-05-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en)2017-02-152019-11-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en)2017-03-292020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en)2017-03-292019-05-07Asm Ip Holding B.V.Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en)2017-03-312018-10-16Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en)2017-04-072018-10-16Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko)2017-04-252022-10-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en)2017-05-082021-01-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en)2017-05-082020-09-08Asm Ip Holdings B.V.Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en)2017-05-082019-10-15Asm Ip Holding B.V.Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en)2017-05-312019-12-10Asm Ip Holding B.V.Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en)2017-06-022021-01-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en)2017-06-202024-07-16Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en)2017-06-282022-04-19Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en)2017-07-052020-06-16Asm Ip Holdings B.V.Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko)2017-07-182019-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en)2017-07-192020-01-21Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en)2017-07-192022-06-28Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en)2017-07-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en)2017-07-262020-03-31Asm Ip Holding B.V.Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en)2017-07-262019-06-04Asm Ip Holding B.V.Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en)2017-07-262020-03-17Asm Ip Holdings B.V.Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh)2017-08-042023-09-21荷蘭商Asm智慧財產控股公司用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en)2017-08-082020-06-23Asm Ip Holdings B.V.Radiation shield
US10770336B2 (en)2017-08-082020-09-08Asm Ip Holding B.V.Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en)2017-08-092021-10-05Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en)2017-08-092019-04-02Asm Ip Holding B.V.Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en)2017-08-092023-09-26Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en)2017-08-222019-03-19ASM IP Holding B.V..Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en)2017-08-242020-10-27Asm Ip Holding B.V.Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en)2017-08-292023-11-28Asm Ip Holding B.V.Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en)2017-08-302022-04-05Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en)2017-08-302021-07-06Asm Ip Holding B.V.Layer forming method
KR102491945B1 (ko)2017-08-302023-01-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko)2017-08-312022-05-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10607895B2 (en)2017-09-182020-03-31Asm Ip Holdings B.V.Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko)2017-09-212024-01-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en)2017-09-222020-11-24Asm Ip Holding B.V.Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en)2017-09-282020-05-19Asm Ip Holdings B.V.Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN107520856A (zh)*2017-10-042017-12-29海宁市新宇光能科技有限公司上工件机械手总成
US10403504B2 (en)2017-10-052019-09-03Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en)2017-10-102019-06-11Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en)2017-10-302021-02-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko)2017-11-162022-09-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en)2017-11-162021-02-02Asm Ip Holding B.V.Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en)2017-11-242021-06-01Asm Ip Holding B.V.Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh)2017-11-272022-04-12阿斯莫Ip控股公司包括洁净迷你环境的装置
WO2019103613A1 (en)2017-11-272019-05-31Asm Ip Holding B.V.A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en)2017-12-052019-05-14Asm Ip Holding B.V.Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en)2018-01-162020-12-22Asm Ip Holding B. V.Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko)2018-01-192024-08-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh)2018-01-192023-04-21荷蘭商Asm 智慧財產控股公司沈積方法
USD903477S1 (en)2018-01-242020-12-01Asm Ip Holdings B.V.Metal clamp
US11018047B2 (en)2018-01-252021-05-25Asm Ip Holding B.V.Hybrid lift pin
US10535516B2 (en)2018-02-012020-01-14Asm Ip Holdings B.V.Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en)2018-02-012020-04-07Asm Ip Holding B.V.Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en)2018-02-062021-08-03Asm Ip Holding B.V.Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en)2018-02-142019-08-22Asm Ip Holding B.V.A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en)2018-02-142021-01-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en)2018-02-152020-08-04Asm Ip Holding B.V.Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko)2018-02-202024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en)2018-02-202020-05-19Asm Ip Holding B.V.Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en)2018-02-232021-04-13Asm Ip Holding B.V.Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en)2018-03-012022-10-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en)2018-03-092023-04-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en)2018-03-162021-09-07Asm Ip Holding B.V.Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko)2018-03-272024-03-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en)2018-03-292022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en)2018-03-292021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en)2018-03-292019-12-17Asm Ip Holding B.V.Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko)2018-03-302023-02-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko)2018-04-092023-11-10에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en)2018-05-082024-07-02Asm Ip Holding B.V.Thin film forming method
TWI811348B (zh)2018-05-082023-08-11荷蘭商Asm 智慧財產控股公司藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en)2018-05-092025-04-08Asm Ip Holding B.V.Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko)2018-05-112019-11-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko)2018-05-282023-10-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en)2018-06-042023-08-08Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh)2018-06-042024-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en)2018-06-082022-03-29Asm Ip Holding B.V.Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko)2018-06-212023-08-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 시스템
US10797133B2 (en)2018-06-212020-10-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
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US10612136B2 (en)2018-06-292020-04-07ASM IP Holding, B.V.Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko)2018-06-292024-07-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en)2018-07-032020-08-25Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en)2018-07-032019-08-20Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en)2018-07-162020-09-08Asm Ip Holding B.V.Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en)2018-07-262019-11-19Asm Ip Holding B.V.Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en)2018-08-062021-07-06Asm Ip Holding B.V.Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en)2018-08-092021-01-05Asm Ip Holding B.V.Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en)2018-08-162020-11-10Asm Ip Holding B.V.Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en)2018-08-222022-08-30Asm Ip Holding B.V.Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko)2018-09-112024-09-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
US11024523B2 (en)2018-09-112021-06-01Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en)2018-09-142021-06-29Asm Ip Holding B.V.Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
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US11232963B2 (en)2018-10-032022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
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US10847365B2 (en)2018-10-112020-11-24Asm Ip Holding B.V.Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en)2018-10-162020-10-20Asm Ip Holding B.V.Method for etching a carbon-containing feature
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USD948463S1 (en)2018-10-242022-04-12Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en)2018-10-252019-08-13Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en)2018-10-262025-08-05Asm Ip Holding B.V.High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en)2018-10-312021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
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US11572620B2 (en)2018-11-062023-02-07Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en)2018-11-072021-06-08Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en)2018-11-162020-11-24Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en)2018-11-162020-10-27Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en)2018-11-262020-02-11Asm Ip Holding B.V.Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en)2018-11-282024-07-16Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en)2018-11-302022-01-04Asm Ip Holding B.V.Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko)2018-12-042024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en)2018-12-132021-10-26Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh)2018-12-142025-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
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KR102858005B1 (ko)2019-03-082025-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko)2019-03-082025-03-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en)2019-03-082023-08-29Asm Ip Holding B.V.Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP7597725B2 (ja)*2019-03-112024-12-10パーシモン テクノロジーズ コーポレイション非対称のデュアルエンドエフェクタロボットアーム
JP2020167398A (ja)2019-03-282020-10-08エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェードアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko)2019-04-012025-05-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko)2019-04-192020-10-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko)2019-04-242020-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN110060952A (zh)*2019-04-302019-07-26上海隐冠半导体技术有限公司片状体交接装置和方法及采用该装置的硅片膜厚测量系统
KR20200130121A (ko)2019-05-072020-11-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11289326B2 (en)2019-05-072022-03-29Asm Ip Holding B.V.Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130652A (ko)2019-05-102020-11-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja)2019-05-162024-12-11エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja)2019-05-162025-01-14エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en)2019-05-172023-01-17Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD947913S1 (en)2019-05-172022-04-05Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD935572S1 (en)2019-05-242021-11-09Asm Ip Holding B.V.Gas channel plate
USD922229S1 (en)2019-06-052021-06-15Asm Ip Holding B.V.Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko)2019-06-062020-12-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko)2019-06-102020-12-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko)2019-06-112020-12-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en)2019-06-142022-03-01Asm Ip Holding B.V.Shower plate
USD931978S1 (en)2019-06-272021-09-28Asm Ip Holding B.V.Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko)2019-07-032021-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja)2019-07-092024-06-13エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh)2019-07-102021-01-12Asm Ip私人控股有限公司基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko)2019-07-162021-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
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KR102860110B1 (ko)2019-07-172025-09-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en)2019-07-182023-05-09Asm Ip Holding B.V.Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko)2019-07-192021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh)2019-07-192024-04-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh)2019-07-292024-08-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
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US12169361B2 (en)2019-07-302024-12-17Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11587815B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en)2019-07-312022-01-18Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh)2019-08-052024-02-09Asm Ip私人控股有限公司用于化学源容器的液位传感器
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USD965524S1 (en)2019-08-192022-10-04Asm Ip Holding B.V.Susceptor support
USD965044S1 (en)2019-08-192022-09-27Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
JP2021031769A (ja)2019-08-212021-03-01エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en)2019-08-222022-04-19Asm Ip Holding B.V.Exhaust duct
USD930782S1 (en)2019-08-222021-09-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor
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USD979506S1 (en)2019-08-222023-02-28Asm Ip Holding B.V.Insulator
US11286558B2 (en)2019-08-232022-03-29Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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US11562901B2 (en)2019-09-252023-01-24Asm Ip Holding B.V.Substrate processing method
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US12009241B2 (en)2019-10-142024-06-11Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh)2019-10-162024-03-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en)2019-10-172023-04-25Asm Ip Holding B.V.Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko)2019-10-212025-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko)2019-10-252021-05-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en)2019-10-292023-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko)2019-11-052021-05-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en)2019-11-152022-11-15Asm Ip Holding B.V.Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko)2019-11-202025-09-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en)2019-11-262022-09-20Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697B (zh)2019-11-262025-07-29Asmip私人控股有限公司基板处理设备
CN120432376A (zh)2019-11-292025-08-05Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
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JP7527928B2 (ja)2019-12-022024-08-05エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko)2019-12-042021-06-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
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US11776846B2 (en)2020-02-072023-10-03Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
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US11876356B2 (en)2020-03-112024-01-16Asm Ip Holding B.V.Lockout tagout assembly and system and method of using same
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US12173404B2 (en)2020-03-172024-12-24Asm Ip Holding B.V.Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
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US11821078B2 (en)2020-04-152023-11-21Asm Ip Holding B.V.Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
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US11996289B2 (en)2020-04-162024-05-28Asm Ip Holding B.V.Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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US12431354B2 (en)2020-07-012025-09-30Asm Ip Holding B.V.Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh)2020-07-082022-01-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
KR20220010438A (ko)2020-07-172022-01-25에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
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US12322591B2 (en)2020-07-272025-06-03Asm Ip Holding B.V.Thin film deposition process
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US12040177B2 (en)2020-08-182024-07-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
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US11725280B2 (en)2020-08-262023-08-15Asm Ip Holding B.V.Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
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USD980813S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en)2021-05-112024-04-23Asm Ip Holding B.V.Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en)2021-05-112023-03-28Asm Ip Holding B.V.Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en)2021-09-072023-06-27Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate
CN113675132B (zh)*2021-10-222022-06-10西安奕斯伟材料科技有限公司一种手持式晶圆吸附装置
USD1060598S1 (en)2021-12-032025-02-04Asm Ip Holding B.V.Split showerhead cover

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
DE3915038A1 (de)*1989-05-081990-11-22Balzers HochvakuumHalte- und transportvorrichtung fuer eine scheibe
JP2622046B2 (ja)*1991-11-261997-06-18大日本スクリーン製造株式会社基板搬送装置
JPH06349933A (ja)*1993-06-101994-12-22Sony Corpウエハ移載装置
JP2984636B2 (ja)*1997-10-281999-11-29九州日本電気株式会社ウエハ搬送装置及びウエハ搬送方法
JP4137244B2 (ja)*1998-08-122008-08-20株式会社ダン・クリーン・プロダクト基板洗浄装置における搬送機構
JP2001344829A (ja)*2000-06-052001-12-14Matsushita Electric Ind Co Ltdディスクストック装置
JP2004022767A (ja)*2002-06-142004-01-22Kondo Seisakusho:Kkウエハ搬送装置
JP4348921B2 (ja)*2002-09-252009-10-21東京エレクトロン株式会社被処理体の搬送方法
JP4440178B2 (ja)*2005-07-252010-03-24東京エレクトロン株式会社基板の搬送装置
KR101312621B1 (ko)*2006-11-292013-10-07삼성전자주식회사웨이퍼이송장치
KR100919215B1 (ko)*2007-09-062009-09-28세메스 주식회사엔드 이펙터 및 이를 갖는 로봇 암 장치
US9254566B2 (en)*2009-03-132016-02-09Kawasaki Jukogyo Kabushiki KaishaRobot having end effector and method of operating the same

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