KR20080057159A - Electrostatic chuck - Google Patents
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Abstract
Translated fromKoreanDescription
Translated fromKorean본 발명은 정전 척에 관한 것으로서, 특히 기체(基體) 상(上)에 탑재 배치된 기판을 흡착하는 정전 척에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
유리 기판이나 반도체 기판 등의 기판 상(上)에 막을 형성하는 성막 장치나, 기판 상에 형성된 막을 패터닝하는 에칭 장치 등의 제조 장치에는, 구배력(gradient force)에 의해 기판을 흡착시키는 정전 척(chuck)(도 1 및 도 2 참조)이 설치되어 있다.An electrostatic chuck which adsorbs a substrate by a gradient force to a film forming apparatus for forming a film on a substrate such as a glass substrate or a semiconductor substrate, or an etching apparatus for patterning a film formed on the substrate. chuck) (see FIGS. 1 and 2) is provided.
도 1은 종래의 정전 척의 평면도이다.1 is a plan view of a conventional electrostatic chuck.
도 1을 참조하면, 종래의 정전 척(200)은 기체(基體)인 세라믹판(201)과, 정전 적극(210)과, 전원(208)을 갖는다. 세라믹판(201)은 기판(도시 생략)이 탑재 배치되는 탑재 배치면(201A)을 갖는다. 세라믹판(201)은 평면에서 본 상태에서, 사각형으로 되어 있다.Referring to FIG. 1, a conventional
도 2는 도 1에 나타낸 종래의 정전 척의 F-F선 방향의 단면도이다.FIG. 2 is a sectional view taken along the line F-F of the conventional electrostatic chuck shown in FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 정전 전극(210)은 배선 패턴(202, 205)과, 제 1 배선 패턴(203)과, 제 2 배선 패턴(206)을 갖는다. 배선 패턴(202, 205), 제 1 배 선 패턴(203), 및 제 2 배선 패턴(206)은 세라믹판(201)에 내장되어 있다. 배선 패턴(202, 205), 제 1 배선 패턴(203), 및 제 2 배선 패턴(206)은 동일한 평면 상에 배치되어 있다.1 and 2, the
배선 패턴(202)은 세라믹판(201)의 측면(201B)의 근방에 위치하는 부분의 세라믹판(201)에 내설되어 있다. 배선 패턴(202)은 X1, X1 방향으로 연장되는 패턴이다. 배선 패턴(202)은 전원(208)의 플러스 단자(208A)와 접속되어 있다.The
제 1 배선 패턴(203)은 Y1, Y1 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, 그 한쪽의 단부(端部)는 배선 패턴(202)과 접속되어 있다. 제 1 배선 패턴(203)은 X1, X1 방향에 대하여 소정의 간격으로 배치되어 있다. 제 1 배선 패턴(203)의 폭(W11)은 예를 들어, 2㎜로 할 수 있다.The
배선 패턴(205)은 세라믹판(201)의 측면(201C)의 근방에 위치하는 부분의 세라믹판(201)에 내설되어 있다. 배선 패턴(205)은 X1, X1 방향으로 연장되는 패턴이다. 배선 패턴(205)은 전원(208)의 마이너스 단자(208B)와 접속되어 있다.The
제 2 배선 패턴(206)은 Y1, Y1 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, 그 한쪽의 단부는 배선 패턴(205)과 접속되어 있다. 제 1 배선 패턴(203) 및 제 2 배선 패턴(206)은 X1, X1 방향에 대하여 번갈아 배치되어 있다. 제 2 배선 패턴(206)은 제 1 배선 패턴(203)과 전기적으로 절연되어 있다. 제 2 배선 패턴(206)의 폭은 예를 들어, 2㎜로 할 수 있다.The
상기 구성으로 이루어진 정전 척(200)은 배선 패턴(202, 205), 제 1 배선 패턴(203), 및 제 2 배선 패턴(206)에 전압을 인가함으로써 발생하는 구배력에 의해, 세라믹판(201) 상에 탑재 배치된 기판(도시 생략)을 흡착한다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).The
[특허문헌 1] 일본국 공개특허2001-308166호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-308166
그러나, 종래의 정전 척(200)에서는, 정전 전극(210)의 흡착력(이 경우에는 구배력)이 약하기 때문에, 예를 들어 면적이 큰 기판(예를 들어, 액정에 사용되는 유리 기판)을 흡착할 경우, 기판의 하면(下面) 전체를 확실하게 흡착하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다.However, in the conventional
또한, 배선 패턴(202, 205), 제 1 배선 패턴(203), 및 제 2 배선 패턴(206)에 높은 전압(예를 들어, 5000V 이상)을 인가하여, 정전 전극(210)의 흡착력을 강하게 하는 것을 생각할 수 있지만, 이 경우, 기판 상에 형성된 회로가 파괴되게 된다.In addition, by applying a high voltage (for example, 5000 V or more) to the
그래서, 본 발명은 기체 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있는 정전 척을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck capable of reliably absorbing a substrate mounted on a base.
본 발명의 일 관점에 의하면, 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체(基體)와, 상기 기체에 내장된 정전(靜電) 전극을 구비한 정전 척(chuck)으로서, 상기 정전 전극은 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 배선 패턴과, 상기 복수의 제 1 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 상기 제 1 방향과는 상이한 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 배선 패턴을 갖고, 평면에서 본 상태에서, 상기 복수의 제 1 배선 패턴과 상기 복수의 제 2 배선 패턴을 교차시킨 것을 특징으로 하는 정전 척이 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided an electrostatic chuck having a substrate having a substrate mounting arrangement surface on which a substrate is mounted and an electrostatic electrode embedded in the substrate. A plurality of first wiring patterns extending in one direction and a plurality of second wiring patterns provided in layers different from the plurality of first wiring patterns and extending in a second direction different from the first direction, In the state seen from the plane, the electrostatic chuck provided with the said 1st wiring pattern and the said 2nd wiring pattern was crossed.
본 발명에 의하면, 정전 전극을, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 배선 패턴과, 복수의 제 1 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 제 1 방향과는 상이한 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 배선 패턴을 구비한 구성으로 하는 동시에, 평면에서 본 상태에서, 복수의 제 1 배선 패턴과 복수의 제 2 배선 패턴을 교차 시킴으로써, 단층(單層)의 배선 패턴에 의해 구성된 종래의 정전 전극보다도 강한 구배력을 발생시키는 것이 가능해지기 때문에, 세라믹판 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있다.According to the present invention, a plurality of first wiring patterns extending in a first direction and a plurality of first wiring patterns provided in layers different from the plurality of first wiring patterns and extending in a second direction different from the first direction are provided. The conventional electrostatic force comprised by the wiring pattern of a single layer by making it the structure provided with the 2nd wiring pattern of the structure, and making it cross | intersect a some 1st wiring pattern and a some 2nd wiring pattern in the state seen from the plane. Since it is possible to generate a gradient force stronger than that of the electrode, the substrate mounted on the ceramic plate can be reliably adsorbed.
또한, 복수의 제 1 배선 패턴과 복수의 제 2 배선 패턴을 교차시킴으로써, 정전 척이 다층 소성(燒成) 세라믹 기판일 경우, 소성 시에서의 세라믹판의 수축 편차를 작게 하는 것이 가능해지기 때문에, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴의 치수 편차를 최소한으로 할 수 있다.In addition, when the plurality of first wiring patterns and the plurality of second wiring patterns are crossed, when the electrostatic chuck is a multilayer fired ceramic substrate, it becomes possible to reduce the shrinkage deviation of the ceramic plate during firing, The dimensional deviation of the plurality of first and second wiring patterns can be minimized.
본 발명의 다른 관점에 의하면, 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체와, 상기 기체에 내장된 정전 전극을 구비한 정전 척으로서, 상기 정전 전극은 제 1 방향으로 연장되는 복수의 배선 패턴과, 상기 복수의 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 상기 복수의 배선 패턴보다도 폭이 넓은 형상으로 된 적어도 2개 이상의 도체층을 갖고, 평면에서 본 상태에서, 상기 적어도 2개 이상의 도체층을 상기 복수의 배선 패턴과 중첩되도록 배치한 것을 특징으로 하는 정전 척이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electrostatic chuck having a substrate having a substrate mounting arrangement surface on which a substrate is mounted, and an electrostatic electrode embedded in the substrate, wherein the electrostatic electrodes extend in a first direction. And at least two or more conductor layers provided in layers different from the plurality of wiring patterns and having a shape wider than the plurality of wiring patterns, and in the state viewed in a plane, the at least two or more conductor layers An electrostatic chuck is disposed so as to overlap the plurality of wiring patterns.
본 발명에 의하면, 정전 전극을, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 배선 패턴과, 복수의 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 복수의 배선 패턴보다도 폭이 넓 은 형상으로 된 적어도 2개 이상의 도체층을 구비한 구성으로 하는 동시에, 평면에서 본 상태에서, 적어도 2개 이상의 도체층을 복수의 배선 패턴과 중첩되도록 배치함으로써, 복수의 배선 패턴에 전압을 인가함으로써 발생하는 구배력과, 적어도 2개 이상의 도체층에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력(coulomb force)에 의해 기판을 흡착하는 것이 가능해지기 때문에, 기체 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있다.According to the present invention, at least two or more conductors in which the electrostatic electrode is provided in a plurality of wiring patterns extending in the first direction and a layer different from the plurality of wiring patterns, and have a shape wider than the plurality of wiring patterns. At least two gradient layers generated by applying a voltage to the plurality of wiring patterns by arranging at least two or more conductor layers so as to overlap the plurality of wiring patterns in a state in which the structure is provided with a layer and in a plan view. Since it becomes possible to adsorb | suck a board | substrate by the coulomb force which generate | occur | produces a voltage to the above conductor layer, the board | substrate mounted on a base can be reliably adsorb | sucked.
본 발명의 그 외의 관점에 의하면, 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체와, 상기 기체에 내장된 정전 전극을 구비한 정전 척으로서, 상기 정전 전극은 상기 기체의 중앙부에 배치된 제 1 배선 패턴과, 상기 제 1 배선 패턴의 외측(外側)에 배치된 제 2 배선 패턴을 갖고, 상기 제 1 배선 패턴의 폭을 0.5㎜∼2.0㎜로 하는 동시에, 상기 제 2 배선 패턴의 폭을 상기 제 1 배선 패턴의 폭보다도 넓게 한 것을 특징으로 하는 정전 척이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electrostatic chuck having a substrate having a substrate mounting arrangement surface on which a substrate is mounted, and an electrostatic electrode embedded in the substrate, wherein the electrostatic electrode is disposed at a central portion of the base. A wiring pattern and a second wiring pattern disposed outside the first wiring pattern, the width of the first wiring pattern is 0.5 mm to 2.0 mm, and the width of the second wiring pattern is An electrostatic chuck is provided which is wider than the width of the first wiring pattern.
본 발명에 의하면, 정전 전극을, 기체의 중앙부에 배치된 제 1 배선 패턴과, 제 1 배선 패턴의 외측에 배치된 제 2 배선 패턴을 구비한 구성으로 하는 동시에, 제 1 배선 패턴의 폭을 0.5㎜∼2.0㎜로 하고, 또한 제 2 배선 패턴의 폭을 제 1 배선 패턴의 폭보다도 넓게함으로써, 기판의 면적이 작은 경우에는, 제 1 배선 패턴에 전압을 인가함으로써 발생하는 구배력에 의해 기판을 흡착하고, 기판의 면적이 큰 경우에는, 상기 구배력과 제 2 배선 패턴에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력에 의해 기판을 흡착하는 것이 가능해지기 때문에, 기판의 면적(사이즈)에 의존하지 않고, 기체 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있다.According to the present invention, the electrostatic electrode is configured to have a first wiring pattern disposed in the center portion of the base and a second wiring pattern disposed outside the first wiring pattern, and the width of the first wiring pattern is 0.5. If the area of the substrate is small by setting the width of the second wiring pattern to be larger than the width of the first wiring pattern, the substrate is formed by a gradient force generated by applying a voltage to the first wiring pattern. When the substrate is absorbed and the area of the substrate is large, the substrate can be adsorbed by the coulomb force generated by applying a voltage to the gradient power and the second wiring pattern, so that it does not depend on the area (size) of the substrate, The substrate mounted on the base can be reliably adsorbed.
본 발명에 의하면, 기체 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있다.According to the present invention, the substrate mounted on the base can be reliably adsorbed.
다음으로, 도면에 의거하여 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.Next, the Example of this invention is described based on drawing.
(제 1 실시예)(First embodiment)
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 척(chuck)의 평면도이다.3 is a plan view of an electrostatic chuck in accordance with a first embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 제 1 실시예의 정전 전극(10)은 기체(基體)인 세라믹판(11)과, 정전 전극(12)과, 전원(13, 14)을 갖는다. 본 실시예에서는, 유전체인 세라믹층이 다층으로 적층된 세라믹판(11)의 내층(內層)에 정전 전극(12)을 갖는 구성으로 이루어진 정전 척(10)을 예로 들어 설명한다.Referring to FIG. 3, the
도 4는 도 3에 나타낸 정전 척의 A-A선 방향의 단면도이다. 도 4에서는, 도 3에 도시하고 있지 않은 기판을 도시한다.4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of the electrostatic chuck shown in FIG. 3. In FIG. 4, the board | substrate not shown in FIG. 3 is shown.
도 3 및 도 4를 참조하여, 세라믹판(11), 정전 전극(12), 및 전원(13, 14)을 차례로 설명한다.3 and 4, the
세라믹판(11)은 평면에서 보아 사각형으로 이루어져 있고, 기판(20)이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면(11A)을 갖는다. 세라믹판(11)의 재료로서는, 예를 들어 Al2O3를 사용할 수 있다. 세라믹판(11)의 두께는 예를 들어, 2㎜로 할 수 있다. 기판(20)으로서는, 예를 들어 절연 기판을 사용할 수 있다. 절연 기판으로서는, 예를 들어 액정 패널에 사용되는 유리 기판을 사용할 수 있다. 기판(20) 상에는, 도시하고 있지 않은 회로가 형성되어 있다.The
정전 전극(12)은 배선 패턴(16, 18, 22, 24)과, 제 1 배선 패턴(17, 19)과, 제 2 배선 패턴(23, 25)을 갖는다. 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)은 기판 탑재 배치면(11A)의 근방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내장되어 있다. 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다. 배선 패턴(22, 24) 및 제 2 배선 패턴(23, 25)은 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 하방(下方)에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내장되어 있다. 배선 패턴(22, 24) 및 제 2 배선 패턴(23, 25)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다.The electrostatic electrode 12 has
배선 패턴(16)은 세라믹판(11)의 측면(11E)의 근방에 위치하는 세라믹판(11) 내에 배치되어 있다. 배선 패턴(16)은 Y, Y 방향으로 연장되어 있고, 전원(13)의 플러스 단자(13A)와 전기적으로 접속되어 있다.The
제 1 배선 패턴(17)은 X, X 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, Y, Y 방향에 대하여 소정의 간격으로 배치되어 있다. 즉, 제 1 배선 패턴(17)은 복수 설치되어 있다. 제 1 배선 패턴(17)은 그 한쪽의 단부가 배선 패턴(16)과 접속되어 있다.The
배선 패턴(18)은 세라믹판(11)의 측면(11D)의 근방에 위치하는 세라믹판(11) 내에 배치되어 있다. 배선 패턴(18)은 Y, Y 방향으로 연장되어 있고, 전원(13)의 마이너스 단자(13B)와 전기적으로 접속되어 있다.The
제 1 배선 패턴(19)은 X, X 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, Y, Y 방향에 대하여 복수 설치되어 있다. 제 1 배선 패턴(19)은 제 1 배선 패턴(17)과 전기적 으로 절연되어 있다. 제 1 배선 패턴(17, 19)은 Y, Y 방향으로 번갈아 배치되어 있다. 제 1 배선 패턴(19)의 한쪽의 단부는 배선 패턴(18)과 접속되어 있다.The
제 1 배선 패턴(17, 19)의 폭(W1, W2)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. 제 1 배선 패턴(17, 19)의 폭(W1, W2)을 0.5㎜보다도 작게 형성하는 것은 기술적으로 곤란하다. 또한, 제 1 배선 패턴(17, 19)의 폭(W1, W2)이 2.0㎜보다도 크면 발생하는 구배력이 작아지기 때문에, 흡착력이 부족하게 된다.The widths W1 and W2 of the
이와 같이, 제 1 배선 패턴(17, 19)의 폭(W1, W2)을 0.5㎜∼2.0㎜로 함으로써, 제 1 배선 패턴(17, 19)에 전압을 인가했을 때, 구배력을 발생시킬 수 있다.As described above, when the widths W1 and W2 of the
제 1 배선 패턴(17, 19)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다. 또한, 제 1 배선 패턴(17)과 제 1 배선 패턴(19)의 간격(D1)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 재료로서는, 예를 들어 텅스텐을 사용할 수 있다.The thickness of the
배선 패턴(22)은 세라믹판(11)의 측면(11B)의 근방에 위치하는 세라믹판(11) 내에 배치되어 있다. 배선 패턴(22)은 X, X 방향으로 연장되어 있고, 전원(14)의 플러스 단자(14A)와 전기적으로 접속되어 있다.The
제 2 배선 패턴(23)은 Y, Y 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, X, X 방향에 대하여 소정의 간격으로 배치되어 있다. 즉, 제 2 배선 패턴(23)은 평면에서 본 상태에서, 제 1 배선 패턴(17, 19)과 교차(본 실시예의 경우에는 직교)하도록 배치되어 있다. 제 2 배선 패턴(23)의 한쪽의 단부는 배선 패턴(22)과 접속되어 있다.The
배선 패턴(24)은 세라믹판(11)의 측면(11C)의 근방에 위치하는 세라믹판(11) 내에 배치되어 있다. 배선 패턴(24)은 X, X 방향으로 연장되어 있고, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다.The
제 2 배선 패턴(25)은 Y, Y 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, Y, Y 방향에 대하여 복수 설치되어 있다. 제 2 배선 패턴(25)은 제 2 배선 패턴(23)과 전기적으로 절연되어 있다. 제 2 배선 패턴(23, 25)은 X, X 방향으로 번갈아 배치되어 있다. 즉, 제 2 배선 패턴(25)은 평면에서 본 상태에서, 제 1 배선 패턴(17, 19)과 교차(본 실시예의 경우에는 직교)하도록 배치되어 있다. 제 2 배선 패턴(25)의 한쪽의 단부는 배선 패턴(24)과 접속되어 있다.The
제 2 배선 패턴(23, 25)의 폭(W3, W4)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. 제 2 배선 패턴(23, 25)의 폭(W3, W4)을 0.5㎜보다도 작게 형성하는 것은 기술적으로 곤란하다. 또한 제 2 배선 패턴(23, 25)의 폭(W3, W4)이 2.0㎜보다도 크면 발생하는 구배력이 작아지게 되기 때문에, 흡착력이 부족하게 된다.The widths W3 and W4 of the
이와 같이, 제 2 배선 패턴(23, 25)의 폭(W3, W4)을 05㎜∼2.0㎜로 함으로써, 제 2 배선 패턴(23, 25)에 전압을 인가했을 때, 구배력을 발생시킬 수 있다.In this manner, when the widths W3 and W4 of the
제 2 배선 패턴(23, 25)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다. 또한, 제 2 배선 패턴(23)과 제 2 배선 패턴(25)의 간격(D2)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. 배선 패턴(22, 24) 및 제 2 배선 패턴(23, 25)의 재료로서는, 예를 들어 텅스텐을 사용할 수 있다.The thickness of the
이와 같이, 정전 전극(12)을, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과는 상이한 층에 설치되고, 평면에서 본 상태에서 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 교차하는 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)을 갖는 구성으로함으로써, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 낮은 전압(예를 들어, 3000V)을 인가하여, 종래보다도 강한 구배력을 발생시키는 것이 가능해 지기 때문에, 세라믹판(11) 상에 탑재 배치되는 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다.In this way, the electrostatic electrode 12 is provided on a layer different from the plurality of
또한, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 인가하는 전압이 낮기 때문에, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 인가하는 전압에 의해, 기판(20) 상에 형성된 회로(도시 생략)가 파괴되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the voltage applied to the plurality of first and
또한, 평면에서 본 상태에서, 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)과 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)을 교차시켜 배치함으로써, 정전 척(10)이 다층 소성 세라믹 기판으로 이루어질 경우, 소성 시에서의 세라믹판(11)의 수축 편차를 작게 하는 것이 가능해지기 때문에, 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)의 치수 편차를 최소한으로 할 수 있다.In addition, when the plurality of
전원(13)은 플러스 단자(13A)와, 마이너스 단자(13B)를 갖는다. 플러스 단자(13A)는 배선 패턴(16)과 전기적으로 접속되어 있다. 마이너스 단자(13B)는 배선 패턴(18)과 전기적으로 접속되어 있다. 전원(13)은 배선 패턴(16, 18)을 통하여, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)에 전압을 인가하기 위한 것이다.The
전원(14)은 플러스 단자(14A)와, 마이너스 단자(14B)를 갖는다. 플러스 단자(14A)는 배선 패턴(22)과 전기적으로 접속되어 있다. 마이너스 단자(14B)는 배선 패턴(24)과 전기적으로 접속되어 있다. 전원(14)은 배선 패턴(22, 24)을 통하여, 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)에 전압을 인가하기 위한 것이다.The
본 실시예의 정전 척에 의하면, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)은 상이한 층에 설치되고, 평면에서 본 상태에서 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 교차하는 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)을 갖는 정전 전극(12)을 설치함으로써, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 낮은 전압(예를 들어, 3000V)을 인가하여, 종래보다도 강한 구배력을 발생시키는 것이 가능해지기 때문에, 세라믹판(11) 상에 탑재 배치되는 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다.According to the electrostatic chuck of the present embodiment, the plurality of
또한, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 인가하는 전압이 낮기 때문에, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 인가하는 전압에 의해, 기판(20) 상에 형성된 회로(도시 생략)가 파괴되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the voltage applied to the plurality of first and
또한, 평면에서 본 상태에서, 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)과 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)을 교차시켜 배치함으로써, 정전 척(10)이 다층 소성 세라믹 기판으로 이루어질 경우, 소성 시에서의 세라믹판(11)의 수축 편차를 작게 하는 것이 가능해지기 때문에, 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)의 치수 편차를 최소한으로 할 수 있는다.In addition, when the plurality of
또한, 본 실시예에서는, 평면에서 본 상태에서, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)이 직교하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)은 교차하고 있으면 되고, 도 3에 나타낸 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)의 배치예에 한정되지 않는다.In the present embodiment, the case where the plurality of
또한, 배선 패턴(16, 18) 및 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)의 상방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에, 배선 패턴(22, 24) 및 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)을 내설(內設)할 수도 있다. 이 경우에도, 본 실시예의 정전 척(10)과 동일한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the
또한, 세라믹판(11)의 형상은 평면에서 보아 사각형으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 평면에서 보아 원형의 세라믹판에 본 실시예에서 설명한 정전 전극(12)을 설치할 수도 있다.In addition, the shape of the
(제 2 실시예)(Second embodiment)
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전 척의 평면도이다. 도 5에 있어서, 제 1 실시예의 정전 척(10)과 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여한다.5 is a plan view of an electrostatic chuck according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as the
도 5를 참조하면, 제 2 실시예의 정전 척(30)은 제 1 실시예의 정전 척(10)에 설치된 정전 전극(12) 대신에 정전 전극(31)을 설치한 이외에는 정전 척(10)과 동일하게 구성된다.Referring to FIG. 5, the
정전 전극(31)은 제 1 실시예에서 설명한 정전 전극(12)에 설치된 배선 패턴(22, 24) 및 제 2 배선 패턴(23, 25) 대신에, 도체층인 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35)을 설치한 이외에는 정전 전극(12)과 동일하게 구성된다.The
도 6은 도 5에 나타낸 정전 척의 B-B선 방향의 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line B-B of the electrostatic chuck shown in FIG. 5.
도 5 및 도 6을 참조하여, 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35)에 대해서 차례로 설명한다. 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35)은 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 금속 층(34, 36) 및 배선 패턴(35)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다.5 and 6, the metal layers 34 and 36 and the
금속층(34)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상(베타 형상의 패턴)으로 되어 있다. 금속층(34)의 상면(上面)은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 절반 정도의 면적을 갖는다. 금속층(34)은 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 금속층(34)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. 금속층(34)은 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 전기적으로 절연되어 있다. 금속층(34)은 전원(14)의 플러스 단자(14A)와 전기적으로 접속되어 있다. 금속층(34)의 두께는 예를 들어, 1O㎛로 할 수 있다.The
배선 패턴(35)은 세라믹판(11)의 측면(11C)의 근방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 배선 패턴(35)은 X, X 방향으로 연장되는 배선 패턴이다. 배선 패턴(35)은 금속층(36)과 접속되는 동시에, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다.The
금속층(36)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상(베타 형상의 패턴)으로 되어 있다. 금속층(36)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 절반 정도의 면적을 갖는다. 금속층(36)은 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 금속층(36)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. 금속층(36)은 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 전기적으로 절연되 어 있다. 금속층(36)은 배선 패턴(35)과 접속되어 있다. 금속층(36)은 배선 패턴(35)을 통하여, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다. 금속층(36)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다. 또한, 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35)의 재료로서는, 예를 들어 텅스텐을 사용할 수 있다.The
이와 같이, 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 된 금속층(34, 36)을 설치함으로써, 금속층(34, 36)에 전압을 인가했을 때, 쿨롱력을 발생시킬 수 있다.Thus, by providing the metal layers 34 and 36 which are wider than the
본 실시예의 정전 척에 의하면, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과는 상이한 층에 설치되고, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 된 금속층(34, 36)을 갖는 정전 전극(31)을 설치하는 동시에, 평면에서 본 상태에서, 금속층(34, 36)을 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치함으로써, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)에 낮은 전압(예를 들어, 3000V)을 인가함으로써 발생하는 구배력과, 금속층(34, 36)에 낮은 전압(예를 들어, 3000V)을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력을 이용하여 기판(20)을 흡착하는 것이 가능해지기 때문에, 세라믹판(11) 상에 탑재 배치된 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다.According to the electrostatic chuck of this embodiment, the plurality of
또한, 본 실시예에서는, 정전 전극(31)에 2개의 금속층(34, 36)을 설치한 경우를 예로 들어 설명했지만, 정전 전극(31)에 설치하는 금속층의 수는 적어도 2개 이상이면 된다. 구체적으로는, 예를 들어 후술하는 도 7 및 도 8에 나타낸 정전 척(40)과 같이, 정전 전극(41)에 4개의 금속층(43, 45, 47, 49)을 설치할 수도 있 다.In the present embodiment, the case where two
도 7은 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 정전 척의 평면도이다. 도 7에 있어서, 제 2 실시예의 정전 척(30)과 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여한다.7 is a plan view of an electrostatic chuck according to a modification of the second embodiment of the present invention. In Fig. 7, the same reference numerals are given to the same constituent parts as the
도 7을 참조하면, 제 2 실시예의 변형예의 정전 척(40)은 제 2 실시예의 정전 척(30)에 설치된 정전 전극(31) 대신에 정전 전극(41)을 설치한 이외에는 정전 척(30)과 동일하게 구성된다.Referring to FIG. 7, the
도 8은 도 7에 나타낸 정전 척의 C-C선 방향의 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line C-C of the electrostatic chuck shown in FIG. 7.
도 7 및 도 8을 참조하면, 정전 전극(41)은 제 2 실시예의 정전 전극(31)에 설치된 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35) 대신에, 도체층인 금속층(43, 45, 47, 49)과 배선 패턴(44, 48)을 설치한 이외에는 정전 척(30)과 동일하게 구성된다.7 and 8, the
금속층(43, 45, 47, 49) 및 배선 패턴(44, 48)은 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 금속층(43, 45, 47, 49) 및 배선 패턴(44, 48)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다. 금속층(43, 45, 47, 49) 및 배선 패턴(44, 48)은 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 전기적으로 절연되어 있다.The metal layers 43, 45, 47, and 49 and the
금속층(43)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 되어 있다. 금속층(43)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 1/4의 면적을 갖는다. 금속층(43)은 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 금속층(43)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. 금속층(43)은 X, X 방향에서 금속층(49)과 대향하고, Y, Y 방향에서 금속층(47)과 대향하고 있다. 금속층(43)은 배선 패턴(44)과 접속되는 동시에, 전원(14)의 플러스 단자(14A)와 전기적으로 접속되어 있다. 금속층(43)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다.The
배선 패턴(44)은 세라믹판(11)의 외주부(外周部)에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 배선 패턴(44)은 그 한쪽의 단부가 금속층(43)과 접속되어 있고, 다른 쪽의 단부가 금속층(45)과 접속되어 있다.The
금속층(45)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 되어 있다. 금속층(45)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 1/4의 면적을 갖는다. 금속층(45)은 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 금속층(45)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. 금속층(45)은 X, X 방향에서 금속층(47)과 대향하고, Y, Y 방향에서 금속층(49)과 대향하고 있다. 금속층(45)은 배선 패턴(44)과 접속되어 있다. 금속층(45)은 금속층(43) 및 배선 패턴(44)을 통하여, 전원(14)의 플러스 단자(14A)와 전기적으로 접속되어 있다. 금속층(45)의 두께는 예를 들어, 1O㎛로 할 수 있다.The
금속층(47)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 되어 있다. 금속층(47)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 1/4의 면적을 갖는다. 금속층(47)은 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 금속층(47)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. 금속층(47)은 X, X 방향에서 금속층(45)과 대향하고, Y, Y 방향에서 금속층(43)과 대향하고 있다. 금속층(47)은 배선 패턴(48)과 접속되는 동시에, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다. 금속층(47)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다.The
배선 패턴(48)은 세라믹판(11)의 중앙부에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 배선 패턴(48)은 그 한쪽의 단부가 금속층(47)과 접속되어 있고, 다른 쪽의 단부가 금속층(49)과 접속되어 있다.The
금속층(49)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 되어 있다. 금속층(49)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 1/4의 면적을 갖는다. 금속층(49)은 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 금속층(49)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. 금속층(49)은 X, X 방향에서 금속층(43)과 대향하고, Y, Y 방향에서 금속층(45)과 대향하고 있다. 금속층(49)은 배선 패턴(48)과 접속되어 있다. 금속층(49)은 배선 패턴(48) 및 금속층(47)을 통하여, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다. 금속층(49)의 두께는 예를 들어, 1O㎛로 할 수 있다.The
상기 구성으로 이루어진 정전 전극(41)을 구비한 정전 척(40)에서도, 제 2 실시예의 정전 척(30)과 동일한 효과를 얻을 수 있다.Also in the
(제 3 실시예)(Third embodiment)
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 정전 척의 평면도이다. 도 9에 있어 서, 제 1 실시예의 정전 척(10)과 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여한다.9 is a plan view of an electrostatic chuck in accordance with a third embodiment of the present invention. In Fig. 9, the same reference numerals are given to the same constituent parts as the
도 9를 참조하면, 제 3 실시예의 정전 척(50)은 제 1 실시예의 정전 척(10)에 설치된 정전 전극(12) 대신에 정전 전극(51)을 설치하는 동시에, 정전 척(10)에 설치된 전원(14)을 구성요소로부터 제거한 이외에는 정전 전극(10)과 동일하게 구성된다.9, the
도 10은 도 9에 나타낸 정전 척의 D-D선 방향의 단면도이다.10 is a cross-sectional view taken along the D-D line of the electrostatic chuck shown in FIG. 9.
도 9 및 도 10을 참조하면, 정전 전극(51)은 제 1 배선 패턴(54, 55)과, 제 2 배선 패턴(56, 57)을 갖는다. 제 1 및 제 2 배선 패턴(54, 55, 56, 57)은 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 제 1 및 제 2 배선 패턴(54, 55, 56, 57)은 세라믹판(11) 내의 동일한 평면 상에 배치되어 있다.9 and 10, the
이와 같이, 제 1 및 제 2 배선 패턴(54, 55, 56, 57)을 동일한 평면 상에 배치함으로써, 예를 들어 인쇄법을 이용하여, 제 1 및 제 2 배선 패턴(54, 55, 56, 57)을 동시에 형성할 수 있다.Thus, by arranging the first and
제 1 배선 패턴(54)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이고, 세라믹판(11)의 중앙부에 배치되어 있다. 제 1 배선 패턴(54)은 제 2 배선 패턴(56, 57)보다도 폭이 좁은 배선 패턴이다. 제 1 배선 패턴(54)의 폭은 세라믹판(11)의 중심을 향함에 따라 좁아지도록 구성되어 있다. 제 1 배선 패턴(54)의 폭은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. 제 1 배선 패턴(54)은 제 2 배선 패턴(56)과 접속되어 있다. 제 1 배선 패턴(54)은 제 2 배선 패턴(56)을 통하여, 전원(13)의 플러스 단자(13A)와 전기적으로 접속되어 있다.The
제 1 배선 패턴(55)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이고, 세라믹판(11)의 중앙부에 내설되어 있다. 제 1 배선 패턴(55)은 제 1 배선 패턴(54)과 전기적으로 절연되어 있다. 제 1 배선 패턴(54, 55)은 도 9에 나타낸 D-D선 방향에서, 번갈아 배치되어 있다. 제 1 배선 패턴(55)은 제 2 배선 패턴(56, 57)보다도 폭이 좁은 배선 패턴이다. 제 1 배선 패턴(55)의 폭은 세라믹판(11)의 중심을 향함에 따라 좁아지도록 구성되어 있다. 제 1 배선 패턴(55)의 폭은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. 제 1 배선 패턴(55)은 제 2 배선 패턴(57)과 접속되어 있다. 제 1 배선 패턴(55)은 제 2 배선 패턴(57)을 통하여, 전원(13)의 마이너스 단자(13B)와 전기적으로 접속되어 있다.The
상기 구성으로 이루어진 제 1 배선 패턴(54, 55)은 전압이 인가되었을 때, 구배력을 발생시킨다.The
이와 같이, 세라믹판(11)의 중앙부에, 폭이 0.5㎜∼2.0㎜로 이루어진 제 1 배선 패턴(54, 55)을 내설함으로써, 세라믹판(11)의 기판 탑재 배치면(11A)에 면적이 작은 기판(20)이 탑재 배치된 경우, 구배력에 의해 세라믹판(11) 상에 탑재 배치된 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다.In this way, the
제 2 배선 패턴(56)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이고, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 외측에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 제 2 배선 패턴(56)은 제 1 배선 패턴(54)과 접속되는 동시에, 전원(13)의 플러스 단자(13A)와 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 배선 패턴(56)의 폭(W5)은 제 1 배선 패턴(54, 55)의 폭보다도 넓어지도록 구성되어 있다. 제 2 배선 패턴(56)의 폭(W5)은 예를 들어, 5㎜ 이상으로 할 수 있다.The
제 2 배선 패턴(57)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이고, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 외측에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. 제 2 배선 패턴(56, 57)은 도 9에 나타낸 D-D선 방향에서, 번갈아 배치되어 있다. 제 2 배선 패턴(57)은 제 1 배선 패턴(55)과 접속되는 동시에, 전원(13)의 마이너스 단자(13B)와 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 배선 패턴(57)의 폭(W6)은 제 1 배선 패턴(54, 55)의 폭보다도 넓어지도록 구성되어 있다. 제 2 배선 패턴(57)의 폭(W6)은 예를 들어, 5㎜ 이상으로 할 수 있다.The
상기 구성으로 이루어진 제 2 배선 패턴(56, 57)은 전압이 인가된 때, 쿨롱력을 발생시킨다.The
이와 같이, 세라믹판(11)의 중앙부에 내설되고, 폭이 0.5㎜∼2.0㎜로 된 제 1 배선 패턴(54, 55)과, 제 1 배선 패턴(54, 55)의 외측에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되고, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 폭이 넓은 형상으로 된 제 2 배선 패턴(56, 57)을 구비한 정전 전극(51)을 설치함으로써, 세라믹판(11)의 기판 탑재 배치면(11A)에 면적이 큰 기판(20)이 탑재 배치된 경우, 구배력과 쿨롱력에 의해 면적이 큰 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다.In this way, the
본 실시예의 정전 척에 의하면, 세라믹판(11)의 중앙부에 내설되고, 폭이 0.5㎜∼2.0㎜로 된 제 1 배선 패턴(54, 55)과, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 외측에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되고, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 폭이 넓은 형상으로 된 제 2 배선 패턴(56, 57)을 구비한 정전 전극(51)을 설치함으로 써, 세라믹판(11)의 기판 탑재 배치면(11A)에 탑재 배치되는 기판(20)의 면적(사이즈)이 작을 경우에는, 제 1 배선 패턴(54, 55)에 전압을 인가함으로써 발생하는 구배력에 의해 기판(20)을 흡착하고, 기판(20)의 면적(사이즈)이 클 경우에는, 상기 구배력과 제 2 배선 패턴에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력에 의해, 기판(20)을 흡착하는 것이 가능해지기 때문에, 기판(20)의 면적(사이즈)에 의존하지 않고, 세라믹판(11) 상에 탑재 배치된 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다.According to the electrostatic chuck of the present embodiment, the
또한, 본 실시예에서는, 제 1 배선 패턴(54, 55)과 제 2 배선 패턴(56, 57)을, 세라믹판(11) 내의 동일한 평면 상에 설치한 경우를 예로 들어 설명했지만, 제 1 배선 패턴(54, 55)과 제 2 배선 패턴(56, 57)을 각각 세라믹판(11)의 상이한 층에 설치할 수도 있다.In addition, in this embodiment, although the case where the
도 11은 본 발명의 제 3 실시예의 변형예에 따른 정전 척의 평면도이다. 도 11에 있어서, 제 3 실시예의 정전 척(50)과 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여한다.11 is a plan view of an electrostatic chuck according to a modification of the third embodiment of the present invention. In FIG. 11, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the
도 11을 참조하면, 제 3 실시예의 변형예에 따른 정전 척(60)은 제 3 실시예의 정전 척(50)에 설치된 정전 전극(51) 대신에 정전 전극(61)을 설치한 이외에는 정전 척(50)과 동일하게 구성된다.Referring to FIG. 11, the
도 12는 도 11에 나타낸 정전 척의 E-E선 방향의 단면도이다.FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line E-E of the electrostatic chuck shown in FIG. 11.
도 11 및 도 12를 참조하면, 정전 전극(61)은 제 3 실시예에서 설명한 정전 전극(51)에 설치된 제 1 배선 패턴(54, 55) 대신에 제 1 배선 패턴(63, 64)을 설치한 이외에는 정전 전극(51)과 동일하게 구성된다.11 and 12, the
제 1 배선 패턴(63, 64)은 세라믹판(11)의 중앙부에 내설되어 있다. 제 1 및 제 2 배선 패턴(63, 64, 56, 57)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다.The
이와 같이, 제 1 및 제 2 배선 패턴(63, 64, 56, 57)을 동일한 평면 상에 배치함으로써, 예를 들어 인쇄법을 이용하여, 제 1 및 제 2 배선 패턴(63, 64, 56, 57)을 동시에 형성할 수 있다.Thus, by arranging the first and
제 1 배선 패턴(63)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이다. 제 1 배선 패턴(63)은 제 2 배선 패턴(56)과 접속되어 있다. 제 1 배선 패턴(63)은 제 2 배선 패턴(56)을 통하여, 전원(13)의 플러스 단자(13A)와 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 배선 패턴(63)의 폭(W7)은 제 2 배선 패턴(56, 57)의 폭(W5, W6)보다도 좁아지도록 구성되어 있다. 제 1 배선 패턴(63)의 폭(W7)은 거의 일정한 넓이로 되어 있다. 제 1 배선 패턴(63)의 폭(W7)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다.The
제 1 배선 패턴(64)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이다. 제 1 배선 패턴(63, 64)은 도 11에 나타낸 E-E선 방향에서, 번갈아 배치되어 있다. 제 1 배선 패턴(64)은 제 2 배선 패턴(57)과 접속되어 있다. 제 1 배선 패턴(64)은 제 2 배선 패턴(57)을 통하여, 전원(13)의 마이너스 단자(13B)와 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 배선 패턴(64)의 폭(W8)은 제 2 배선 패턴(56, 57)의 폭(W5, W6)보다도 좁아지도록 구성되어 있다. 제 1 배선 패턴(64)의 폭(W8)은 거의 일정한 크기로 되어 있다. 제 1 배선 패턴(64)의 폭(W8)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다.The
이와 같이, 제 3 실시예에서 설명한 제 1 배선 패턴(54, 55) 대신에 거의 일정한 폭으로 된 제 1 배선 패턴(63, 64)과, 제 1 배선 패턴(63, 64)보다도 폭이 넓은 제 2 배선 패턴(56, 57)을 갖는 정전 전극(61)을 구비한 정전 척(60)에서도, 제 3 실시예의 정전 척(50)과 동일한 효과를 얻을 수 있다.Thus, instead of the
또한, 본 실시예에서는, 제 1 배선 패턴(63, 64)과 제 2 배선 패턴(56, 57)을 세라믹판(11) 내의 동일한 평면 상에 설치한 경우를 예로 들어 설명했지만, 제 1 배선 패턴(63, 64)과 제 2 배선 패턴(56, 57)을 각각 세라믹판(11)의 상이한 층에 설치할 수도 있다.In the present embodiment, the case where the
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정 실시예에 한정되지 않고, 특허청구의 범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형·변경이 가능하다.As mentioned above, although preferable Example of this invention was described in detail, this invention is not limited to this specific Example, A various deformation | transformation and a change are possible within the scope of the summary of this invention described in the claim.
본 발명은 세라믹판 상에 탑재 배치된 기판을 흡착하는 정전 척에 적용할 수 있다.The present invention can be applied to an electrostatic chuck that adsorbs a substrate mounted on a ceramic plate.
도 1은 종래의 정전 척(chuck)의 평면도.1 is a plan view of a conventional electrostatic chuck.
도 2는 도 1에 나타낸 종래의 정전 척의 F-F선 방향의 단면도.2 is a cross-sectional view taken along the line F-F of the conventional electrostatic chuck shown in FIG. 1.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 척의 평면도.3 is a plan view of an electrostatic chuck in accordance with a first embodiment of the present invention;
도 4는 도 3에 나타낸 정전 척의 A-A선 방향의 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of the electrostatic chuck shown in FIG. 3.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전 척의 평면도.5 is a plan view of an electrostatic chuck in accordance with a second embodiment of the present invention.
도 6은 도 5에 나타낸 정전 척의 B-B선 방향의 단면도.6 is a cross-sectional view taken along the line B-B of the electrostatic chuck shown in FIG. 5.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 정전 척의 평면도.7 is a plan view of an electrostatic chuck according to a modification of the second embodiment of the present invention.
도 8은 도 7에 나타낸 정전 척의 C-C선 방향의 단면도.8 is a cross-sectional view taken along the line C-C of the electrostatic chuck shown in FIG. 7.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 정전 척의 평면도.9 is a plan view of an electrostatic chuck in accordance with a third embodiment of the present invention.
도 10은 도 9에 나타낸 정전 척의 D-D선 방향의 단면도.10 is a sectional view taken along the line D-D of the electrostatic chuck shown in FIG. 9;
도 11은 본 발명의 제 3 실시예의 변형예에 따른 정전 척의 평면도.11 is a plan view of an electrostatic chuck in accordance with a modification of the third embodiment of the present invention.
도 12는 도 11에 나타낸 정전 척의 E-E선 방향의 단면도.12 is a cross-sectional view taken along the line E-E of the electrostatic chuck shown in FIG.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10, 30, 40, 50, 60: 정전 척10, 30, 40, 50, 60: electrostatic chuck
11: 세라믹판11: ceramic plate
11A: 기판 탑재 배치면11A: Board Mount Layout
11B, 11C, 11D, 11E: 측면11B, 11C, 11D, 11E: Side
12, 31, 41, 51, 61: 정전 전극12, 31, 41, 51, 61: electrostatic electrode
13, 14: 전원13, 14: power
13A, 14A: 플러스 단자13 A, 14 A: positive terminal
13B, 14B: 마이너스 단자13B, 14B: Negative terminal
16, 18, 22, 24, 35, 44, 48: 배선 패턴16, 18, 22, 24, 35, 44, 48: wiring pattern
17, 19, 54, 55, 63, 64: 제 1 배선 패턴17, 19, 54, 55, 63, 64: first wiring pattern
20: 기판20: substrate
23, 25, 56, 57:제 2 배선 패턴23, 25, 56, 57: Second wiring pattern
34, 36, 43, 45, 47, 49: 금속층34, 36, 43, 45, 47, 49: metal layer
D1, D2: 간격D1, D2: spacing
W1∼W8: 폭W1-W8: width
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Publications (1)
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| TW (1) | TW200832608A (en) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8852687B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8859325B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8859043B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8865252B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8871542B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8882922B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8882556B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8906731B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus |
| US8945974B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-02-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus |
| US8951610B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8968829B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8973525B2 (en) | 2010-03-11 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US9018647B2 (en) | 2010-09-16 | 2015-04-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9051636B2 (en) | 2011-12-16 | 2015-06-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus |
| US9234270B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-01-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Electrostatic chuck, thin film deposition apparatus including the electrostatic chuck, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus by using the thin film deposition apparatus |
| US9249493B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same |
| US9257649B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic layer on a substrate while fixed to electrostatic chuck and charging carrier using contactless power supply module |
| US9279177B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9347886B2 (en) | 2013-06-24 | 2016-05-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus provided with the same for depositing organic layer, method of monitoring deposition rate, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same |
| US9388488B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9450140B2 (en) | 2009-08-27 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US9496317B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-11-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus |
| US9496524B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-11-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method |
| US9512515B2 (en) | 2011-07-04 | 2016-12-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9748483B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| CN110690156A (en)* | 2018-07-04 | 2020-01-14 | 三星显示有限公司 | Electrostatic chuck unit |
| US12442069B2 (en) | 2010-01-11 | 2025-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110088887B (en) | 2017-11-10 | 2020-06-16 | 株式会社爱发科 | Vacuum apparatus, adsorption apparatus, and method for manufacturing conductive thin film |
| TR201905624A2 (en)* | 2019-04-16 | 2019-07-22 | Hidropar Hareket Kontrol Teknolojileri Merkezi Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | The method of creating a controllable electrostatic attraction force between two bodies and providing adhesion with the help of this attraction force. |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2838810B2 (en)* | 1990-07-16 | 1998-12-16 | 東陶機器株式会社 | Electrostatic chuck |
| US6303879B1 (en)* | 1997-04-01 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Laminated ceramic with multilayer electrodes and method of fabrication |
| JP2002329777A (en)* | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Tokyo Electron Ltd | Method of plasma processing and substrate retainer |
| JP2002345273A (en)* | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Toto Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2003037159A (en)* | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Toto Ltd | Electrostatic chuck unit |
| JP2003124298A (en)* | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Anelva Corp | Double electrostatic chuck wafer stage for plasma assisted wafer processing reaction vessel |
| JP4030360B2 (en)* | 2002-06-24 | 2008-01-09 | 株式会社アルバック | Electrostatic adsorption apparatus and vacuum processing apparatus using the same |
| JP4030361B2 (en)* | 2002-06-24 | 2008-01-09 | 株式会社アルバック | Electrostatic adsorption method |
| JP2004319700A (en)* | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Nhk Spring Co Ltd | Electrostatic chuck |
| DE112005000621B4 (en)* | 2004-03-19 | 2019-01-31 | Creative Technology Corporation | Bipolar electrostatic holding device |
| JP4339306B2 (en)* | 2005-12-07 | 2009-10-07 | 株式会社アルバック | Adsorption method |
- 2006
- 2006-12-19JPJP2006341779Apatent/JP2008153543A/enactivePending
- 2007
- 2007-12-17KRKR1020070131954Apatent/KR20080057159A/ennot_activeWithdrawn
- 2007-12-19TWTW096148637Apatent/TW200832608A/enunknown
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8968829B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9450140B2 (en) | 2009-08-27 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US9224591B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of depositing a thin film |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US12442069B2 (en) | 2010-01-11 | 2025-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US10287671B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8859325B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8882556B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8973525B2 (en) | 2010-03-11 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US9453282B2 (en) | 2010-03-11 | 2016-09-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8865252B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9136310B2 (en) | 2010-04-28 | 2015-09-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9279177B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9018647B2 (en) | 2010-09-16 | 2015-04-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8871542B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US9388488B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8882922B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8852687B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US9748483B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same |
| US9234270B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-01-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Electrostatic chuck, thin film deposition apparatus including the electrostatic chuck, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus by using the thin film deposition apparatus |
| US9249493B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same |
| US8859043B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8906731B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus |
| US9512515B2 (en) | 2011-07-04 | 2016-12-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9777364B2 (en) | 2011-07-04 | 2017-10-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8951610B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US9051636B2 (en) | 2011-12-16 | 2015-06-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus |
| US9496524B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-11-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method |
| US9257649B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic layer on a substrate while fixed to electrostatic chuck and charging carrier using contactless power supply module |
| US10431779B2 (en) | 2012-07-10 | 2019-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method |
| US8945974B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-02-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus |
| US9347886B2 (en) | 2013-06-24 | 2016-05-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus provided with the same for depositing organic layer, method of monitoring deposition rate, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same |
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| PA0109 | Patent application | Patent event code:PA01091R01D Comment text:Patent Application Patent event date:20071217 | |
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |