본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 특히 터치 패널(Touch Panel) 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a touch panel and a method of manufacturing the same.
일반적으로 터치 패널은 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid CrystalDisplay), PDP(Plasma Display Panel) 및 EL(Electroluminescence) 등과 같은 화상표시장치의 표시면에 설치되어 사용자가 화상표시장치를 보면서 터치 패널의 ITO(Indium Tin Oxide) 필름을 가압하여 컴퓨터에 미리 정해진 정보를 입력하는 컴퓨터 주변장치라고 할 수 있다.In general, the touch panel is installed on the display surface of an image display device such as a cathode ray tube (CRT), a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence (EL). It is a computer peripheral device that presses an indium tin oxide (ITO) film and inputs predetermined information into a computer.
현재 사용되어지고 있는 터치 패널은 정전식, 광전식, 저항식 등이 있는데, 이중에서 가장 많이 사용되고 있는 것은 저항식이다. 저항식 터치 패널은 2매의 투명한 패널 또는 시트가 대향하여 배치되고, 그 대향면측 표면에 ITO등의 투명 전극층이 형성되어 있다. 이와 같이 2매 1조로서 터치 패널을 구성하지만, LCD나 CRT의 표시화면상에 중첩하여 사용하는 경우, 하측 패널의 대부분은 글라스를 사용하고, 상측의 시트는 가압시 탄력성이 있도록 폴리카보네이트 등의 필름을 사용하기도 한다.Currently used touch panels are capacitive, photoelectric, and resistive, among which the most commonly used is resistive. In the resistive touch panel, two transparent panels or sheets are disposed to face each other, and a transparent electrode layer such as ITO is formed on the surface of the opposite surface. As described above, the touch panel is composed of two sets, but in case of overlapping on the display screen of LCD or CRT, most of the lower panel is made of glass, and the upper sheet is made of polycarbonate so as to be elastic when pressed. The film is also used.
ITO 등의 투명 전극의 패턴에는 크게 디지털형과 아날로그형의 두 가지 방식이 있는데, 그 중 디지털형은 상,하 2매의 패널에 각각 종횡으로 가늘고 긴 슬릿(Slit)형의 투명 전극층이 형성되고, 위로부터 눌려질 때 전기적으로 단락된 슬릿을 종방향과 횡방향의 위치 데이터로서 검지한다.There are two types of transparent electrode patterns, such as ITO, which are digital type and analog type. Among them, the digital type has a thin and long slit transparent electrode layer formed vertically and horizontally on two panels. When the slit is pressed from above, the electrically shorted slit is detected as position data in the longitudinal and transverse directions.
이 디지털 방식은 투명 전극의 얼룩에 의한 저항치의 불균일 등에 의해서 검출오차가 발생하는 일이 없어 확실성이 높지만 스트라이프(Stripe)상으로 절연하기 때문에 포토리소그래피(Photolithography)에 의한 마스킹 레지스트(resist)의 형성과 에칭 처리에 의한 투명전극막의 분할이 필요하며 비용이 높아진다. 게가다 전극의 분할정도에 의해 분해능이 한정되기 때문에 미세한 위치 검출에는 적합하지 않다라는 난점이 있다.In this digital system, detection error does not occur due to unevenness of resistance due to unevenness of the transparent electrode, and high reliability, but insulation is performed on a stripe. The division of the transparent electrode film by the etching process is necessary and the cost is high. In addition, since the resolution is limited by the degree of division of the electrode, there is a difficulty in that it is not suitable for minute position detection.
한편, 아날로그 방식은 투명 전극층에 슬리형의 분할 부분을 만들지 않고, 패널 전면에 연속된 투명 전극이다. 이 투명전극에는 2매의 패널 중 한 쪽이 종방향으로, 다른 한 쪽의 패널은 횡방향으로 전류가 흐르도록 투명 전극의 상, 하 양단부 또는 좌, 우 양단부로 양 도체 의한 접속 패드가 설치되어 있다. 따라서, 특정한 지점을 가압하면, 패드로부터의 위치에 비례하여 상,하 및 좌,우 각각의 투명 전극 저항치가 확인되기 때문에 이것에 기초하여 연산하는 것에 의해 종, 횡 좌표가 산출된다.On the other hand, the analog system is a transparent electrode which is continuous on the front surface of the panel without making a split type portion in the transparent electrode layer. The transparent electrode is provided with connection pads formed by both conductors at the upper and lower ends or the left and right ends of the transparent electrode so that one of two panels flows in the longitudinal direction and the other panel flows in the transverse direction. have. Therefore, when the specific point is pressed, the transparent electrode resistance values of the up, down, left, and right sides are confirmed in proportion to the position from the pad, and the vertical and horizontal coordinates are calculated by calculating based on this.
이 아날로그 방식은 디지털 방식에 비해 슬릿 가공의 필요가 없고, 매우 세밀한 위치 검출이 가능한 반면에 투명 전극의 두께 불균일이 크면, 검출의 정밀도가 악화되기 때문에 ITO증착 등의 고도한 제어 기술이 요구된다.Compared with the digital method, this analog method does not require slit processing, and very fine position detection is possible. On the other hand, if the thickness unevenness of the transparent electrode is large, the precision of the detection is deteriorated. Therefore, advanced control techniques such as ITO deposition are required.
도 1은 종래 기술에 따른 터치 패널의 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.1 is a plan view of a touch panel according to the prior art, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상판(11a)과 하판(11b), 그리고 그 사이에 액정이 봉입된 LCD패널(11)과, 상기 LCD패널(11)의 배면에 형성된 디지타이저용 기판(12)과, 상기 디지타이저용 기판(12) 상에 형성된 고저항 금속(13)과, 상기 고저항 금속의 가장자리 부위를 따라 형성된 저저항 금속(15a)으로 구성된다.As shown in FIGS. 1 and 2, an upper panel 11a and a lower panel 11b, an LCD panel 11 in which liquid crystal is enclosed therebetween, and a digitizer substrate formed on a rear surface of the LCD panel 11 ( 12), a high resistance metal 13 formed on the digitizer substrate 12, and a low resistance metal 15a formed along an edge portion of the high resistance metal.
여기서, 미설명 부호 "17"은 LCD패널에 형성된 광 차단층을 지시하며, 상기 저저항 금속(15a)은 화면이 디스플레이되는 액티브 영역을 가리지 않도록 LCD패널(11)의 상판에 형성된 광 차단층(17)의 안쪽에 형성하여야 한다.Here, reference numeral 17 denotes a light blocking layer formed on the LCD panel, and the low resistance metal 15a is formed on the upper panel of the LCD panel 11 so as not to cover the active area where the screen is displayed. It should be formed inside of 17).
이와 같은 종래 터치 패널의 제조는 게이트 배선 및 데이터 배선이 형성되고, 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성된 하판(11b)과, 칼라 필터층, 광 차단층 및 공통 전극이 형성된 상판(11a)을 준비한 후, 상기 상판(11a)과 하판(11b)을 합착하고, 그 사이에 액정을 봉입하여 LCD패널(11)을 제작한다.In the manufacture of the conventional touch panel, after preparing the lower plate 11b on which the gate wiring and the data wiring are formed, the thin film transistor and the pixel electrode are formed, and the upper plate 11a on which the color filter layer, the light blocking layer and the common electrode are formed, The upper panel 11a and the lower panel 11b are bonded together, and the liquid crystal is enclosed therebetween to produce the LCD panel 11.
이후 상기 LCD패널의 상판(11a)의 배면에 디지타이저용 기판(12)를 형성한 후, 상기 디지타이저용 기판(12) 상에 고저항 금속(13)을 형성한다. 이때, 상기 고저항 금속(13)은 매트릭스 형태로 형성된다.Subsequently, the digitizer substrate 12 is formed on the rear surface of the upper panel 11a of the LCD panel, and then the high resistance metal 13 is formed on the digitizer substrate 12. In this case, the high resistance metal 13 is formed in a matrix form.
이어, 상기 고저항 금속(13)의 가장자리 부위를 따라 고저항 금속(13)과 전압 차를 갖는 저저항 금속(15a)을 패터닝한다. 이때, 상기 저저항 금속(15a)로서는 크롬(Cr), 망간(Mo)을 사용하면 종래 기술에 따른 터치 패널 제조공정이 완료된다.Subsequently, the low resistance metal 15a having a voltage difference with the high resistance metal 13 is patterned along the edge portion of the high resistance metal 13. In this case, as the low resistance metal 15a, chromium (Cr) and manganese (Mo) are used to complete the touch panel manufacturing process according to the prior art.
그러나 상기와 같은 종래 터치 패널 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the conventional touch panel manufacturing method as described above has the following problems.
첫째, 고저항 금속과 저저항 금속을 형성하는 방법에서 저저항 금속을 고저항 금속의 상부에 형성한 후 포토리소그래피(Photolithography) 공정으로 패터닝하기 때문에 공정이 복잡해진다.First, in the method of forming the high resistance metal and the low resistance metal, the process is complicated because the low resistance metal is formed on the high resistance metal and then patterned by a photolithography process.
둘째, 저저항 금속이 광 차단층의 안쪽에 존재하도록 조절해야 하므로 공정 마진(Process Margin)을 확보할 수 없다.Second, since the low-resistance metal must be adjusted to exist inside the light blocking layer, a process margin cannot be secured.
셋째, 디지타이저용 기판은 LCD패널에 접착제를 이용하여 접착하게 되는데, 접착제를 패널 전면에 균일하게 도포하는 것이 어려워 화면에 얼룩을 발생시킬 수있으며, 더욱이 별도의 디지타이저용 기판을 사용하므로 패널의 두께를 증가시키게 된다.Third, the digitizer substrate is adhered to the LCD panel using an adhesive. It is difficult to apply the adhesive evenly to the front panel, which may cause stains on the screen. Furthermore, since a separate digitizer substrate is used, the thickness of the panel is increased. Is increased.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 코스트를 절감시키고, 공정을 단순화시킴과 동시에 공정 마진을 확보할 수 있는 터치 패널 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to provide a touch panel and a method of manufacturing the same, which can reduce cost, simplify the process, and secure process margins.
도 1은 종래 기술에 따른 터치 패널의 평면도1 is a plan view of a touch panel according to the related art.
도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.
도 3은 본 발명에 따른 터치 패널의 평면도3 is a plan view of a touch panel according to the present invention;
도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 단면도4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.
도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 터치 패널의 제조공정 단면도5a to 5c are cross-sectional views of the manufacturing process of the touch panel according to the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
41a : 제 1 기판 41b : 제 2 기판41a: first substrate 41b: second substrate
41 : LCD패널 43 : 제 1 투명 도전막41: LCD panel 43: first transparent conductive film
45 : 제 2 투명 도전막45: second transparent conductive film
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 터치 패널은 LCD패널과, 상기 LCD패널의 배면에 형성된 제 1 투명 도전막과, 상기 상기 제 1 투명 도전막의 가장자리 부위를 따라 형성된 제 2 투명 도전막을 포함하여 구성되고, 본 발명의 터치 패널 제조방법은 제 1 글라스 기판과 제 2 글라스 기판을 합착하는 공정과, 상기 제 2 글라스 기판의 배면에 제 1 투명 도전막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 투명 도전막의 가장자리를 따라 제 2 투명 도전막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 글라스 기판과 상기 제 2 글라스 기판의 사이에 액정을 봉입하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The touch panel of the present invention for achieving the above object comprises an LCD panel, a first transparent conductive film formed on the back of the LCD panel, and a second transparent conductive film formed along the edge portion of the first transparent conductive film The touch panel manufacturing method of the present invention comprises the steps of bonding the first glass substrate and the second glass substrate, forming a first transparent conductive film on the back surface of the second glass substrate, and the first transparent conductive film. And a step of forming a second transparent conductive film along an edge and encapsulating a liquid crystal between the first glass substrate and the second glass substrate.
이와 같은 본 발명의 터치 패널은 별도의 디지타이저용 기판을 사용하지 않고 LCD패널 배면에 직접 패터닝하는데 특징이 있다.Such a touch panel of the present invention has a feature of directly patterning the LCD panel without using a separate digitizer substrate.
다른 특징으로서는 LCD패널의 배면에 형성되는 고저항 전극과 저저항 전극을 모두 투명 도전막으로 구성하는데 특징이 있다. 즉, 고저항 전극은 고저항 ITO(indium Tin Oxide)로 형성하고, 저저항 전극은 저저항 ITO로 형성하였으며, 특히 고저항 투명 도전막으로 사용되는 ITO 대신에 TiOx, ITZO, IZO 등을 이용할 수도 있다.Another characteristic is that both the high resistance electrode and the low resistance electrode formed on the back of the LCD panel are composed of a transparent conductive film. That is, the high resistance electrode is formed of high resistance ITO (indium tin oxide), and the low resistance electrode is formed of low resistance ITO. In particular, TiOx, ITZO, IZO, etc. may be used instead of ITO used as a high resistance transparent conductive film. have.
여기서, 상기 고저항 투명 도전막으로 사용되는 ITO의 면 저항은 500∼5000 Ω/㎠의 범위이고, 그 두께는 50∼2000Å의 범위이다.Here, the surface resistance of ITO used as the high resistance transparent conductive film is in the range of 500 to 5000 kPa / cm 2, and the thickness thereof is in the range of 50 to 2000 kPa.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 터치 패널 및 그 제조방법을 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a touch panel and a method of manufacturing the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 터치 패널에 따른 평면도이고, 도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 단면도이다.3 is a plan view according to the touch panel of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 터치 패널은 LCD패널(41)과, 상기 LCD패널(41)의 배면에 형성된 제 1 투명 도전막(43)과, 상기 제 1 투명 도전막(41)의 가장자리를 따라 형성된 제 2 투명 도전막(45)으로 구성된다.As shown in FIGS. 3 and 4, the touch panel of the present invention includes an LCD panel 41, a first transparent conductive film 43 formed on the rear surface of the LCD panel 41, and the first transparent conductive film. It consists of the 2nd transparent conductive film 45 formed along the edge of 41. As shown in FIG.
상기 LCD패널(41)은 제 1 기판(41a)과 제 2 기판(41b), 그리고 그 사이에 봉입되는 액정으로 구성되며, 상기 제 1 기판(41a)은 종횡으로 게이트 배선과 데이터 배선이 배치되고, 상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 부위에 박막 트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor)가 구성된다. 그리고 박막 트랜지스터의 드레인과 전기적으로 연결되는 화소 전극이 형성된다.The LCD panel 41 is composed of a first substrate 41a, a second substrate 41b, and a liquid crystal encapsulated therebetween, and the first substrate 41a has gate lines and data lines arranged vertically and horizontally. A thin film transistor (TFT) is formed at a portion where the gate line and the data line cross each other. A pixel electrode electrically connected to the drain of the thin film transistor is formed.
제 2 기판(41b)에는 제 1 기판에 형성된 화소 전극을 제외한 영역으로 빛이 투과되는 것을 차단하기 위한 광 차단층 및 R, G, B 색 표현을 위한 칼라 필터층이 형성되며, 상기 화소 전극으로 신호 전압을 인가하는 공통 전극이 형성된다.The second substrate 41b is formed with a light blocking layer for blocking light from being transmitted to a region other than the pixel electrode formed on the first substrate, and a color filter layer for expressing R, G, and B colors, and a signal to the pixel electrode. A common electrode for applying a voltage is formed.
상기 제 1 투명 도전막(43)은 고저항 ITO로 형성하며, 상기 ITO 대신에 TiOx, ITZO, IZO 등으로 형성할 수 있다. 상기 제 2 투명 도전막(45)은 저저항 ITO로 형성하며, 그 폭은 상기 광 차단층의 폭과 동일하며, 광 차단층에 얼라인(align)된다.The first transparent conductive layer 43 may be formed of high resistance ITO, and may be formed of TiOx, ITZO, IZO, or the like instead of the ITO. The second transparent conductive film 45 is formed of low resistance ITO, and the width thereof is the same as that of the light blocking layer, and is aligned with the light blocking layer.
상기 제 1 투명 도전막(43)의 면 저항은 500∼5000 Ω/㎠의 범위이고, 그 두께는 50∼2000Å의 범위로 조절하며, 제 2 투명 도전막(45)의 면 저항은 5∼40 Ω/㎠의 범위이고, 그 두께는 500∼5000Å의 범위로 조절한다.The surface resistance of the first transparent conductive film 43 is in the range of 500 to 5000 kPa / cm 2, the thickness thereof is adjusted to be in the range of 50 to 2000 kPa, and the surface resistance of the second transparent conductive film 45 is 5 to 40 kPa. It is the range of dl / cm <2>, and the thickness is adjusted to the range of 500-5000 dl.
이하, 도 5a 내지 5c를 참조하여 본 발명에 따른 터치 패널 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a touch panel according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5C.
도 5a에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(41a)과 제 2 기판(41b)을 제작한 후, 두 기판을 합착한다.As shown in FIG. 5A, after the first substrate 41a and the second substrate 41b are manufactured, the two substrates are bonded to each other.
여기서, 상기 제 1 기판(41a)에는 종횡으로 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하고, 상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 부위마다 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 박막 트랜지스터는 게이트 배선을 게이트 전극으로 사용하고, 데이터 배선을 소스 및 드레인 전극으로 사용하며, 상기 드레인 전극과 연결되도록 화소 전극을 형성한다.Here, gate wirings and data wirings are formed on the first substrate 41a in the vertical and horizontal directions, and thin film transistors (TFTs) are formed at portions where the gate wirings and data wirings cross each other. The thin film transistor uses a gate wiring as a gate electrode, a data wiring as a source and a drain electrode, and forms a pixel electrode to be connected to the drain electrode.
상기 제 2 기판(41b)에는 화소 전극을 제외한 영역으로 빛이 투과되는 것을 방지하는 광 차단층을 형성하고, 상기 광 차단층의 사이사이에는 색 표현을 위한 칼라 필터층을 형성한다. 그리고 칼라 필터층 및 광 차단층의 전면에 걸쳐 화소 전극으로 신호 전압을 인가하는 공통 전극을 형성한다.A light blocking layer is formed on the second substrate 41b to prevent light from being transmitted to regions other than the pixel electrode, and a color filter layer for color expression is formed between the light blocking layers. A common electrode for applying a signal voltage to the pixel electrode is formed over the entire surface of the color filter layer and the light blocking layer.
이와 같이, 제 1 기판과 제 2 기판을 제작 및 합착한 후, 도 5b에 도시한 바와 같이, 제 2 기판(41b)의 배면에 제 1 투명 도전막(43)을 형성한다.Thus, after manufacturing and bonding a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate, as shown in FIG. 5B, the 1st transparent conductive film 43 is formed in the back surface of the 2nd board | substrate 41b.
여기서, 상기 제 1 투명 도전막(43)의 물질은 고저항 물질이며, 바람직하게는 고저항 ITO(Indium Tin Oxide)이고, 면 저항은 500∼5000 Ω/㎠의 범위이며, 그 두께는 50∼2000Å의 범위이다. 또한, 상기 고저항 ITO 대신에 TiOx, ITZO, IZO 등을 사용할 수도 있다.Here, the material of the first transparent conductive film 43 is a high resistance material, preferably high resistance ITO (Indium Tin Oxide), the sheet resistance is in the range of 500 ~ 5000 Ω / ㎠, the thickness is 50 ~ It is in the range of 2000Å. In addition, TiOx, ITZO, IZO, or the like may be used instead of the high resistance ITO.
이어, 도 5c에 도시한 바와 같이, 쉐도우 마스크를 이용하여 상기 제 1 투명 도전막(43)의 가장자리를 따라 제 2 투명 도전막(45)을 형성한다. 즉, 제 2 투명 도전막(45)이 형성될 부위가 오픈되어 있는 마스크를 제 1 투명 도전막(43)상에 올려 놓고 제 2 투명 도전막(45)으로 사용되는 저저항 ITO를 증착하면 제 1 투명 도전막(43)의 가장자리를 따라 제 2 투명 도전막(45)이 형성된다. 따라서, 포토 공정을 이용할 경우에 비해 노광 및 현상 공정이 필요치 않으므로 공정을 간소호할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 5C, a second transparent conductive film 45 is formed along the edge of the first transparent conductive film 43 using a shadow mask. That is, when the mask on which the portion on which the second transparent conductive film 45 is to be formed is opened is placed on the first transparent conductive film 43, the low resistance ITO used as the second transparent conductive film 45 is deposited. A second transparent conductive film 45 is formed along the edge of the first transparent conductive film 43. Therefore, since the exposure and development processes are not necessary as compared with the case of using the photo process, the process can be simplified.
여기서, 제 2 투명 도전막(45)의 물질은 저저항 물질이며, 바람직하게는 저저항 ITO이며, 면 저항은 5∼40 Ω/㎠의 범위이고, 그 두께는 500∼5000Å의 범위이다.Here, the material of the second transparent conductive film 45 is a low resistance material, preferably low resistance ITO, the sheet resistance is in the range of 5 to 40 mW / cm 2, and the thickness thereof is in the range of 500 to 5000 mW.
상기 제 2 투명 도전막(45)의 폭은 제 2 기판(41b)에 형성된 광 차단층의 폭과 동일하며, 광 차단층과 얼라인 되도록 패터닝한다. 즉, 제 2 투명 도전막(45)이 저저항 ITO이므로 광 차단층에 얼라인시킬 경우, 공정의 여유도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 포토 공정을 사용하지 않고 쉐도우 마스크(Shadow Mask)를 이용한 증착 공정으로 손 쉽게 형성할 수 있다.The width of the second transparent conductive film 45 is equal to the width of the light blocking layer formed on the second substrate 41b and is patterned to be aligned with the light blocking layer. That is, since the second transparent conductive film 45 is low-resistance ITO, when the alignment is made to the light blocking layer, not only the margin of the process can be improved but also a shadow mask is used without using a photo process. It can be easily formed by the deposition process.
이와 같이, 제 2 투명 도전막(45)을 형성한 후, 상기 제 1 기판(41a)과 제 2기판(41b) 사이에 액정을 주입한 후, 봉지하면 본 발명에 따른 터치 패널 제조공정이 완료된다.As described above, after the second transparent conductive film 45 is formed, the liquid crystal is injected between the first substrate 41a and the second substrate 41b, and then sealed, and then the touch panel manufacturing process according to the present invention is completed. do.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 터치 패널 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the touch panel and the manufacturing method of the present invention has the following effects.
첫째, 전극 물질로서 고저항 투명 도전막 및 저저항 투명 도전막을 사용함에 따라 저저항 투명 도전막을 포토 공정이 아닌 쉐도우 마스크를 이용한 증착 공정으로 형성하기 때문에 공정을 간소화할 수 있다.First, since the high resistance transparent conductive film and the low resistance transparent conductive film are used as electrode materials, the low resistance transparent conductive film is formed by a deposition process using a shadow mask instead of a photo process, thereby simplifying the process.
둘째, 저저항 전극으로 사용되는 저저항 투명 도전막을 광 차단층에 얼라인시키면 되므로 공정 마진(Process Margin)을 확보할 수 있다.Second, since the low resistance transparent conductive film used as the low resistance electrode may be aligned with the light blocking layer, a process margin may be secured.
셋째, 별도의 디지타이저용 기판을 사용하지 않으므로 패널의 두께를 최소화할 수 있다.Third, since a separate digitizer substrate is not used, the thickness of the panel can be minimized.
넷째, 고저항 투명도전막과 저저항 투명도전막을 형성한 후에 액정을 주입하므로, 투명도전막을 패터닝에 따른 고온 공정에서 열로 인해 액정이 손상되는 것을 방지할 수 있다.Fourth, since the liquid crystal is injected after the high resistance transparent conductive film and the low resistance transparent conductive film are formed, the liquid crystal may be prevented from being damaged by heat in the high temperature process according to the patterning of the transparent conductive film.
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