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KR19980016828A - 반도체 소자 제조장치 - Google Patents

반도체 소자 제조장치
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KR19980016828A
KR19980016828AKR1019960036522AKR19960036522AKR19980016828AKR 19980016828 AKR19980016828 AKR 19980016828AKR 1019960036522 AKR1019960036522 AKR 1019960036522AKR 19960036522 AKR19960036522 AKR 19960036522AKR 19980016828 AKR19980016828 AKR 19980016828A
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KR
South Korea
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tube
film deposition
deposition process
completed
air valve
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Withdrawn
Application number
KR1019960036522A
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English (en)
Inventor
이천무
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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Abstract

반도체소자 제조장치를 개시하고 있다. 이는, 막 증착 공정이 진행되는 튜브; 상기 튜브를 배기시키기 위한 주 펌프와 상기 튜브 사이에 설치되어, 막 증착 공정이 진행되는 동안 오픈되고, 막 증착이 완료되면 클로우즈 되는 게이트 밸브; 막 증착 공정이 완료된 후 상기 튜브 내의 기압을 측정하기 위해 상기 튜브와 연결된 기압측정 센서; 및 상기 기압측정 센서와 튜브 사이에 설치되고, 상기 게이트 밸브의 동작과 반대되는 연동작용을 하도록 조절되어 막 증착 공정이 진행되는 동안에는 클로우즈/막 증착 공정이 완료된 후에는 오픈되는 에어 밸브를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 막 증착공정시 게이트 밸스는 오픈, 에어밸브는 클로우즈 상태를 유지하도록하여 반응부산물에 의해 에어밸브 관이 막히는 현상을 방지할 수 있다.

Description

반도체소자 제조장치
본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로, 특히 원활한 튜브 백-필(back-fill)이 가능한 저압화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, 이하 LPCVD라 한다) 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조시 막을 증착하기 위해 사용되는 장비중의 하나가 LPCVD 장치이다. 이 LPCVD 장치는 통상, 저압 상태에서 증착하고자 하는 막 성분을 포함하는 가스를 노즐을 통해 웨이퍼 위에 분사함으로써 막을 증착하는데 사용된다.
도 1은 종래 일반적으로 사용되는 LPCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면으로서, 형성하고자 하는 막의 증착 공정이 진행되는 동안 튜브(1)와 연결된 게이트 밸브(3)를 통해 주 펌프(main pump, 5) 로 배기되고, 증착공정이 완료된 후 기압측정센서(7)를 이용하여 튜브(1) 내의 기압을 측정한다. 튜브 내의 기압이 일정압력으로 되는 일정시간 후, 웨이퍼 로더(loader)부가 하강하게 되고 튜브(1)의 백-필이 완료되며, 웨이퍼가 다음 단계로 이송된다.
그러나 이때, 상기 종래의 장치에 따르면, 튜브내부 기압측정 센서(7)와 튜브(1)는 항시 오픈(open) 상태를 유지하게 되며, 이에 의해 막 증착 공정이 진행되는 동안 발생된 반응부산물로 기압측정 센서(7)와 연결된 관이 막히게 되는 문제가 발생된다. 이는, 기압측정 센서(7)의 역할 수행을 방해할 뿐만 아니라, 튜브를 초기상태로 유지하기 위한 백-필 공정이 제대로 수행되지 못하도록 하는 요인이 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 원활한 튜브의 백-필(back-fill)이 가능한 저압화학기상증착 장치를 제공하는 것이다.
도1은 종래 일반적으로 사용되는 LPCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LPCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 막 증착 공정이 진행되는 튜브; 상기 튜브를 배기시키기 위한 주 펌프와 상기 튜브 사이에 설치되어, 막 증착 공정이 진행되는 동안 오픈되고, 막 증착이 완료되면 클로우즈 되는 게이트 밸브; 막 증착 공정이 완료된 후 상기 튜브 내의 기압을 측정하기 위해 상기 튜브와 연결된 기압측정 센서; 및 상기 기압측정 센서와 튜브 사이에 설치되고, 상기 게이트 밸브의 동작과 반대되는 연동작용을 하도록 조절되어 막 증착 공정이 진행되는 동안에는 클로우즈/막 증착 공정이 완료된 후에는 오픈되는 에어 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다.
따라서, 막 증착공정시 게이트 밸스는 오픈, 에어밸브는 클로우즈 상태를 유지하도록하여 반응부산물에 의해 에어밸브 관이 막히는 현상을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LPCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
먼저, 본 발명에 따른 LPCVD 장치는, 기압측정 센서(57)와 LPCVD 튜브(51)를 연결하는 관에 에어 밸브(air valve, 59)를 설치하고 이것이 게이트 밸브(53)와 연동작용을 하도록 구성한다.
본 발명에 따른 LPCVD 장치의 동작을 살펴보면, 형성하고자 하는 막의 증착 공정이 진행되는 동안 튜브(51)와 연결된 게이트 밸브(53)가 오픈(open)되고, 튜브(51)를 통해 주 펌프(5)로 배기된다. 또한, 상기 게이트 벨브(53)와 연계되어 에어 밸브(59)가 클로우즈(close)됨으로써, 종래에서와 같이 막 증착공정 동안 반응부산물이 기압측정 센서(57)와 연결된 관이 막히게 되는 현상이 방지된다.
한편, 막 증착공정이 완료되면, 게이트 밸브(53)가 클로우즈 되고 이에 연동작용으로 에어 밸브(59)가 오픈되어 기압측정 센서(57)가 튜브(51) 내의 기압을 측정하게 된다. 이 후, 튜브(51) 내의 기압이 일정압력으로 되는 일정시간 후, 웨이퍼 로더(loader)부가 하강하게 되고 튜브(51)의 백-필이 완료되며, 웨이퍼가 다음 단계로 이송된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 펌프와 연결된 게이트 밸브의 상태에 반대되는 연동작용을 하는 에어밸브를 기압측정센서 앞단에 설치함으로써, 막 증착공정시 게이트 밸스는 오픈, 에어밸브는 클로우즈 상태를 유지하도록하여 반응부산물에 의해 에어밸브 관이 막히는 현상을 방지할 수 있다.

Claims (1)

KR1019960036522A1996-08-291996-08-29반도체 소자 제조장치WithdrawnKR19980016828A (ko)

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KR19980016828Atrue KR19980016828A (ko)1998-06-05

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DateCodeTitleDescription
PA0109Patent application

Patent event code:PA01091R01D

Comment text:Patent Application

Patent event date:19960829

PG1501Laying open of application
PC1203Withdrawal of no request for examination
WITNApplication deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid

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