KR19980016828A - Semiconductor device manufacturing device - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

반도체소자 제조장치를 개시하고 있다. 이는, 막 증착 공정이 진행되는 튜브; 상기 튜브를 배기시키기 위한 주 펌프와 상기 튜브 사이에 설치되어, 막 증착 공정이 진행되는 동안 오픈되고, 막 증착이 완료되면 클로우즈 되는 게이트 밸브; 막 증착 공정이 완료된 후 상기 튜브 내의 기압을 측정하기 위해 상기 튜브와 연결된 기압측정 센서; 및 상기 기압측정 센서와 튜브 사이에 설치되고, 상기 게이트 밸브의 동작과 반대되는 연동작용을 하도록 조절되어 막 증착 공정이 진행되는 동안에는 클로우즈/막 증착 공정이 완료된 후에는 오픈되는 에어 밸브를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 막 증착공정시 게이트 밸스는 오픈, 에어밸브는 클로우즈 상태를 유지하도록하여 반응부산물에 의해 에어밸브 관이 막히는 현상을 방지할 수 있다.Disclosed is a semiconductor device manufacturing apparatus. This includes a tube in which a film deposition process is performed; A gate valve installed between the main pump for evacuating the tube and the tube, the gate valve being opened during the film deposition process and closed when the film deposition is completed; A barometric pressure sensor connected to the tube for measuring the air pressure in the tube after the film deposition process is completed; And an air valve installed between the barometric pressure sensor and the tube, the air valve being adjusted to have an interlocking action opposite to that of the gate valve, and opened after the close / film deposition process is completed during the film deposition process. It features. Therefore, the gate balance is opened during the film deposition process, and the air valve is kept closed, thereby preventing the air valve tube from being blocked by the reaction byproduct.

Description

Translated fromKorean

반도체소자 제조장치Semiconductor device manufacturing device

본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로, 특히 원활한 튜브 백-필(back-fill)이 가능한 저압화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, 이하 LPCVD라 한다) 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) device capable of smooth tube back-fill.

반도체 소자 제조시 막을 증착하기 위해 사용되는 장비중의 하나가 LPCVD 장치이다. 이 LPCVD 장치는 통상, 저압 상태에서 증착하고자 하는 막 성분을 포함하는 가스를 노즐을 통해 웨이퍼 위에 분사함으로써 막을 증착하는데 사용된다.One of the equipments used to deposit films in the manufacture of semiconductor devices is the LPCVD apparatus. This LPCVD apparatus is typically used to deposit a film by spraying a gas containing a film component to be deposited at a low pressure state through a nozzle onto a wafer.

도 1은 종래 일반적으로 사용되는 LPCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면으로서, 형성하고자 하는 막의 증착 공정이 진행되는 동안 튜브(1)와 연결된 게이트 밸브(3)를 통해 주 펌프(main pump, 5) 로 배기되고, 증착공정이 완료된 후 기압측정센서(7)를 이용하여 튜브(1) 내의 기압을 측정한다. 튜브 내의 기압이 일정압력으로 되는 일정시간 후, 웨이퍼 로더(loader)부가 하강하게 되고 튜브(1)의 백-필이 완료되며, 웨이퍼가 다음 단계로 이송된다.FIG. 1 is a schematic view of a conventional LPCVD apparatus, which is used as a main pump 5 through a gate valve 3 connected to a tube 1 during a deposition process of a film to be formed. After evacuation and completion of the deposition process, the barometric pressure in the tube 1 is measured using the barometric pressure sensor 7. After a certain time when the air pressure in the tube becomes a constant pressure, the wafer loader portion is lowered and the back-fill of the tube 1 is completed, and the wafer is transferred to the next step.

그러나 이때, 상기 종래의 장치에 따르면, 튜브내부 기압측정 센서(7)와 튜브(1)는 항시 오픈(open) 상태를 유지하게 되며, 이에 의해 막 증착 공정이 진행되는 동안 발생된 반응부산물로 기압측정 센서(7)와 연결된 관이 막히게 되는 문제가 발생된다. 이는, 기압측정 센서(7)의 역할 수행을 방해할 뿐만 아니라, 튜브를 초기상태로 유지하기 위한 백-필 공정이 제대로 수행되지 못하도록 하는 요인이 된다.At this time, however, according to the conventional apparatus, the inside of the barometric pressure sensor 7 and the tube 1 are always kept in an open state, whereby the atmospheric pressure is generated as a reaction by-product generated during the film deposition process. The problem arises that the pipe connected to the measuring sensor 7 is blocked. This not only hinders the performance of the barometric pressure sensor 7, but also causes the back-fill process for maintaining the tube to be in an initial state to be poorly performed.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 원활한 튜브의 백-필(back-fill)이 가능한 저압화학기상증착 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a low pressure chemical vapor deposition apparatus capable of back-filling a smooth tube.

도1은 종래 일반적으로 사용되는 LPCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional LPCVD apparatus commonly used.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LPCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a schematic view of an LPCVD apparatus according to an embodiment of the present invention.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 막 증착 공정이 진행되는 튜브; 상기 튜브를 배기시키기 위한 주 펌프와 상기 튜브 사이에 설치되어, 막 증착 공정이 진행되는 동안 오픈되고, 막 증착이 완료되면 클로우즈 되는 게이트 밸브; 막 증착 공정이 완료된 후 상기 튜브 내의 기압을 측정하기 위해 상기 튜브와 연결된 기압측정 센서; 및 상기 기압측정 센서와 튜브 사이에 설치되고, 상기 게이트 밸브의 동작과 반대되는 연동작용을 하도록 조절되어 막 증착 공정이 진행되는 동안에는 클로우즈/막 증착 공정이 완료된 후에는 오픈되는 에어 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the film deposition process proceeds; A gate valve installed between the main pump for evacuating the tube and the tube, the gate valve being opened during the film deposition process and closed when the film deposition is completed; A barometric pressure sensor connected to the tube for measuring the air pressure in the tube after the film deposition process is completed; And an air valve installed between the barometric pressure sensor and the tube, the air valve being adjusted to have an interlocking action opposite to that of the gate valve, and opened after the close / film deposition process is completed during the film deposition process. A semiconductor device is provided.

따라서, 막 증착공정시 게이트 밸스는 오픈, 에어밸브는 클로우즈 상태를 유지하도록하여 반응부산물에 의해 에어밸브 관이 막히는 현상을 방지할 수 있다.Therefore, the gate balance is opened during the film deposition process, and the air valve is kept closed, thereby preventing the air valve tube from being blocked by the reaction byproduct.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail the present invention.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LPCVD 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a schematic view of an LPCVD apparatus according to an embodiment of the present invention.

먼저, 본 발명에 따른 LPCVD 장치는, 기압측정 센서(57)와 LPCVD 튜브(51)를 연결하는 관에 에어 밸브(air valve, 59)를 설치하고 이것이 게이트 밸브(53)와 연동작용을 하도록 구성한다.First, the LPCVD apparatus according to the present invention is configured to install an air valve 59 in a pipe connecting the barometric pressure sensor 57 and the LPCVD tube 51, which is configured to interlock with the gate valve 53. do.

본 발명에 따른 LPCVD 장치의 동작을 살펴보면, 형성하고자 하는 막의 증착 공정이 진행되는 동안 튜브(51)와 연결된 게이트 밸브(53)가 오픈(open)되고, 튜브(51)를 통해 주 펌프(5)로 배기된다. 또한, 상기 게이트 벨브(53)와 연계되어 에어 밸브(59)가 클로우즈(close)됨으로써, 종래에서와 같이 막 증착공정 동안 반응부산물이 기압측정 센서(57)와 연결된 관이 막히게 되는 현상이 방지된다.Referring to the operation of the LPCVD apparatus according to the present invention, the gate valve 53 connected to the tube 51 is opened during the deposition process of the film to be formed, and the main pump 5 through the tube 51. Is exhausted. In addition, the air valve 59 is closed in connection with the gate valve 53, thereby preventing the reaction by-products from being blocked with the barometric sensor 57 during the film deposition process. .

한편, 막 증착공정이 완료되면, 게이트 밸브(53)가 클로우즈 되고 이에 연동작용으로 에어 밸브(59)가 오픈되어 기압측정 센서(57)가 튜브(51) 내의 기압을 측정하게 된다. 이 후, 튜브(51) 내의 기압이 일정압력으로 되는 일정시간 후, 웨이퍼 로더(loader)부가 하강하게 되고 튜브(51)의 백-필이 완료되며, 웨이퍼가 다음 단계로 이송된다.Meanwhile, when the film deposition process is completed, the gate valve 53 is closed and the air valve 59 is opened by the interlocking action so that the barometric pressure sensor 57 measures the air pressure in the tube 51. Thereafter, after a predetermined time at which the air pressure in the tube 51 becomes a constant pressure, the wafer loader portion is lowered and the back-fill of the tube 51 is completed, and the wafer is transferred to the next step.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 펌프와 연결된 게이트 밸브의 상태에 반대되는 연동작용을 하는 에어밸브를 기압측정센서 앞단에 설치함으로써, 막 증착공정시 게이트 밸스는 오픈, 에어밸브는 클로우즈 상태를 유지하도록하여 반응부산물에 의해 에어밸브 관이 막히는 현상을 방지할 수 있다.According to the present invention as described above, by installing the air valve in the front end of the barometric pressure measuring sensor in the interlocking action opposite to the state of the gate valve connected to the pump, the gate balance is open during the film deposition process, the air valve is kept closed By doing so, it is possible to prevent the air valve tube from being blocked by the reaction byproduct.

Claims (1)

Translated fromKorean

막 증착 공정이 진행되는 튜브;A tube in which a film deposition process is performed;상기 튜브를 배기시키기 위한 주 펌프와 상기 튜브 사이에 설치되어, 막 증착 공정이 진행되는 동안 오픈되고, 막 증착이 완료되면 클로우즈 되는 게이트 밸브;A gate valve installed between the main pump for evacuating the tube and the tube, the gate valve being opened during the film deposition process and closed when the film deposition is completed;막 증착 공정이 완료된 후 상기 튜브 내의 기압을 측정하기 위해 상기 튜브와 연결된 기압측정 센서; 및A barometric pressure sensor connected to the tube for measuring the air pressure in the tube after the film deposition process is completed; And상기 기압측정 센서와 튜브 사이에 설치되고, 상기 게이트 밸브의 동작과 반대되는 연동작용을 하도록 조절되어 막 증착 공정이 진행되는 동안에는 클로우즈/막 증착 공정이 완료된 후에는 오픈되는 에어 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.And an air valve installed between the barometric pressure sensor and the tube, the air valve being adjusted to have an interlocking action opposite to the operation of the gate valve and opened after the close / film deposition process is completed during the film deposition process. A semiconductor device.