KR102498112B1 - Micro led transfer head - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

본 발명은 현재까지 제안된 마이크로 LED의 전사헤드의 문제점을 해결하고 진공 흡착의 원리를 이용하면서 마이크로 LED의 접합이 보다 효과적으로 구현될 수 있는 마이크로 LED 전사 헤드를 제공한다.The present invention solves the problems of the micro LED transfer head proposed so far and provides a micro LED transfer head that can more effectively implement micro LED bonding while using the principle of vacuum adsorption.

Description

Translated fromKorean

마이크로 LED 전사 헤드{MICRO LED TRANSFER HEAD}Micro LED transfer head {MICRO LED TRANSFER HEAD}

본 발명은 마이크로 LED 전사 헤드에 관한 것이다.The present invention relates to a micro LED transfer head.

현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,‘마이크로 LED’라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다.In the current display market, while LCD is still the mainstream, OLED is rapidly replacing LCD and emerging as the mainstream. In a situation where display companies are rushing to participate in the OLED market, Micro LED (hereinafter referred to as ‘Micro LED’) display is emerging as another next-generation display. While the core materials of LCD and OLED are liquid crystal and organic materials, respectively, micro LED display is a display that uses 1-100 micrometer (㎛) LED chips themselves as light emitting materials.

Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(등록특허공보 등록번호 제0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다.In 1999, when Cree applied for a patent on "a micro-light emitting diode array with improved light extraction" (Registration Patent Publication Registration No. 0731673), the term micro LED appeared, and related research papers were published one after another, research and development this is being done As a task to be solved in order to apply micro LED to a display, it is necessary to develop a customized micro chip based on a flexible material/device for a micro LED device, transfer of a micrometer size LED chip and accurate display pixel electrode. Skills for mounting are required.

특히, 마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없고, 보다 고정밀도로 이송하는 전사 헤드기술이 필요하게 되었다. 이러한 전사 헤드 기술과 관련하여, 이하에서 살펴보는 바와 같은 몇 가지의 구조들이 제안되고 있으나 각 제안 기술은 몇 가지의 단점들을 가지고 있다.In particular, in relation to the transfer of the micro LED device to the display substrate, as the size of the LED decreases to 1 to 100 micrometers (μm), conventional pick and place equipment cannot be used. There is a need for a transfer head technology that transfers with higher precision. Regarding the transfer head technology, several structures have been proposed as described below, but each proposed technology has several disadvantages.

미국의 Luxvue사는 정전헤드(electrostatic head)를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호, 이하 ‘선행발명1’이라 함). 선행발명1의 전사원리는 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 인가함으로써 대전현상에 의해 마이크로 LED와 밀착력이 발생하게 하는 원리이다. 이 방법은 정전 유도시 헤드에 인가된 전압에 의해 대전 현상에 의한 마이크로 LED 손상에 대한 문제가 발생할 수 있다.Luxvue of the United States proposed a method of transferring micro LEDs using an electrostatic head (Patent Publication No. 2014-0112486, hereinafter referred to as 'Prior Invention 1'). The transfer principle of the prior invention 1 is the principle of generating adhesion to the micro LED by a charging phenomenon by applying a voltage to the head part made of silicon. This method may cause a problem of damage to the micro LED due to a charging phenomenon caused by a voltage applied to the head when inducing a static electricity.

미국의 X-Celeprint사는 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 마이크로 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호, 이하 ‘선행발명2’라 함). 이 방법은 정전헤드 방식에 비해 LED 손상에 대한 문제점은 없으나, 전사 과정에서 목표기판의 접착력 대비 탄성 전사 헤드의 접착력이 더 커야 안정적으로 마이크로 LED를 이송시킬 수 있으며, 전극 형성을 위한 추가 공정이 필요한 단점이 있다. 또한, 탄성 고분자 물질의 접착력을 지속적으로 유지하는 것도 매우 중요한 요소로 작용하게 된다.X-Celeprint of the United States proposed a method of transferring micro LEDs on a wafer to a desired substrate by applying a transfer head made of an elastic polymer material (Patent Publication No. 2017-0019415, hereinafter referred to as 'Prior Invention 2'). box). This method has no problem with LED damage compared to the electrostatic head method, but the adhesive force of the elastic transfer head must be greater than the adhesive force of the target substrate during the transfer process to stably transfer the micro LED, and additional processes for electrode formation are required. There are downsides. In addition, it is also a very important factor to continuously maintain the adhesive force of the elastic polymer material.

한국광기술원은 섬모 접착구조 헤드를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1754528호, 이하 ‘선행발명3’이라 함). 그러나 선행발명3은 섬모의 접착구조를 제작하는 것이 어렵다는 단점이 있다.Korea Photonics Technology Institute proposed a method of transferring micro LEDs using a ciliary adhesive structure head (Registration Patent Publication No. 1754528, hereinafter referred to as 'Prior Invention 3'). However, the prior invention 3 has a disadvantage that it is difficult to manufacture the adhesive structure of the cilia.

한국기계연구원은 롤러에 접착제를 코팅하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1757404호, 이하 ‘선행발명4’라 함). 그러나 선행발명4는 접착제의 지속적인 사용이 필요하고, 롤러 가압 시 마이크로 LED가 손상될 수도 있는 단점이 있다.The Korea Institute of Machinery and Materials proposed a method of transferring micro LEDs by coating an adhesive on a roller (Registered Patent Publication Registration No. 1757404, hereinafter referred to as 'Prior Invention 4'). However, the prior invention 4 requires continuous use of an adhesive and has a disadvantage that the micro LED may be damaged when the roller is pressed.

삼성디스플레이는 어레이 기판이 용액에 담겨 있는 상태에서 어레이 기판의 제1,2전극에 마이너스 전압을 인가하여 정전기 유도 현상에 의해 마이크로 LED를 어레이 기판에 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0026959호, 이하 ‘선행발명5’라 함). 그러나 선행발명 5는 마이크로 LED를 용액에 담가 어레이 기판에 전사한다는 점에서 별도의 용액이 필요하고 이후 건조공정이 필요하다는 단점이 있다.Samsung Display has proposed a method of transferring micro LEDs to an array substrate by electrostatic induction by applying a negative voltage to the first and second electrodes of the array substrate while the array substrate is immersed in a solution (Public Patent Publication No. 10- 2017-0026959, hereinafter referred to as 'Prior Invention 5'). However, Prior Invention 5 has a disadvantage in that a separate solution is required and a drying process is required in that the micro LED is immersed in the solution and transferred to the array substrate.

엘지전자는 헤드홀더를 복수의 픽업헤드들과 기판 사이에 배치하고 복수의 픽업 헤드의 움직임에 의해 그 형상이 변형되어 복수의 픽업 헤드들에게 자유도를 제공하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0024906호, 이하 ‘선행발명6’이라 함). 그러나 선행발명 6은 복수의 픽업헤드들의 접착면에 접착력을 가지는 본딩물질을 도포하여 마이크로 LED를 전사하는 방식이라는 점에서, 픽업헤드에 본딩물질을 도포하는 별도의 공정이 필요하다는 단점이 있다.LG Electronics has proposed a method of disposing a head holder between a plurality of pickup heads and a substrate and providing a degree of freedom to the plurality of pickup heads by deforming the shape by movement of the plurality of pickup heads (Public Patent Publication No. 10). -2017-0024906, hereinafter referred to as 'Prior Invention 6'). However, prior invention 6 has a disadvantage in that a separate process of applying the bonding material to the pickup heads is required in that the micro LED is transferred by applying a bonding material having adhesive strength to the adhesive surfaces of the plurality of pickup heads.

위와 같은 선행발명들의 문제점을 해결하기 위해서는 선행발명들이 채택하고 있는 기본 원리를 그대로 채용하면서 전술한 단점들을 개선해야 하는데, 이와 같은 단점들은 선행발명들이 채용하고 있는 기본 원리로부터 파생된 것이어서 기본 원리를 유지하면서 단점들을 개선하는 데에는 한계가 있다. 이에 본 발명의 출원인은 이러한 종래기술의 단점들을 개선하는데 그치지 않고, 선행 발명들에서는 전혀 고려하지 않았던 새로운 방식을 제안하고자 한다.In order to solve the above problems of the prior inventions, it is necessary to improve the above-mentioned disadvantages while adopting the basic principles adopted by the prior inventions as they are. There is a limit to improving the shortcomings while doing it. Accordingly, the applicant of the present invention does not stop at improving the disadvantages of the prior art, but intends to propose a new method that was not considered at all in the prior inventions.

등록특허공보 등록번호 제0731673호Registered Patent Publication No. 0731673공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호Publication of Patent Publication No. 2014-0112486공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호Publication of Patent Publication No. 2017-0019415등록특허공보 등록번호 제1754528호Registered Patent Publication No. 1754528등록특허공보 등록번호 제1757404호Registered Patent Publication No. 1757404공개특허공보 제10-2017-0026959호Publication No. 10-2017-0026959공개특허공보 제10-2017-0024906호Publication No. 10-2017-0024906

이에 본 발명은 현재까지 제안된 마이크로 LED의 전사헤드의 문제점을 해결하고 진공 흡착의 원리를 이용하면서 마이크로 LED의 접합이 보다 효과적으로 구현될 수 있는 마이크로 LED 전사 헤드를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the problems of the micro LED transfer head proposed so far and to provide a micro LED transfer head that can more effectively implement micro LED bonding while using the principle of vacuum adsorption.

이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 마이크로 LED 전사 헤드는, 기공을 갖는 다공성 부재; 및 상기 다공성 부재의 표면에 형성된 히터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the object of the present invention, a micro LED transfer head according to the present invention includes a porous member having pores; and a heater part formed on the surface of the porous member.

또한, 상기 다공성 부재는 마이크로 LED를 흡착하는 흡착영역을 포함하고, 상기 히터부는 상기 흡착영역에 대응되어 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the porous member includes an adsorption area for adsorbing the micro LED, and the heater unit is formed to correspond to the adsorption area.

또한, 상기 히터부는 폐쇄형 루프로 구성되는 발열부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the heater unit is characterized in that it includes a heating unit composed of a closed loop.

또한, 상기 발열부의 내측으로 상기 흡착영역이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, it is characterized in that the adsorption area is formed inside the heating part.

또한, 상기 히터부는 상기 다공성 부재 표면의 기공을 막지 않으면서 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the heater unit is characterized in that formed without blocking pores on the surface of the porous member.

또한, 상기 히터부는, 상기 다공성 부재를 수직하게 관통하는 수직전도부; 및 상기 수직전도부와 연결되며, 상기 다공성 부재의 표면에 형성되는 수평전도부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the heater unit, a vertical conduction unit vertically penetrating the porous member; and a horizontal conductive portion connected to the vertical conductive portion and formed on a surface of the porous member.

또한, 상기 다공성 부재는 다공질 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the porous member is characterized in that it comprises a porous ceramic.

또한, 상기 다공성 부재는 양극산화막을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the porous member is characterized in that it comprises an anodic oxide film.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 LED 전사 헤드는, 마이크로 LED의 상면을 직접 가열할 수 있으므로 마이크로 LED를 표시기판의 전극과 보다 견고하게 접합할 수 있다.As described above, since the micro LED transfer head according to the present invention can directly heat the upper surface of the micro LED, the micro LED can be more firmly bonded to the electrode of the display substrate.

도 1은 본 발명의 실시예들의 흡착 대상이 되는 마이크로 LED를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예들에 의해 표시기판에 이송되어 실장된 마이크로 LED 구조체의 도면.
도 3은 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 4는 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드를 아래에서 바라본 도면.
도 5는 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드가 마이크로 LED를 흡착한 상태를 아래에서 바라본 도면.
도 6은 도 4의 변형례를 도시한 도면.
도 7은 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드가 마이크로 LED를 표시기판의 전극에 접합하는 과정을 도시한 도면.
도 8는 제2실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 9는 도 4의 'A'부분의 확대도.
도 10은 도 4의 마이크로 LED 전사헤드가 마이크로 LED를 흡착한 상태를 도시한 도면.
도 11 및 도 12a,b는 제2실시예의 변형례를 도시한 도면.
도 13은 제3실시예의 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 14은 제3실시예의 변형례를 도시한 도면.
도 15은 제4실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 16은 제5실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드의 도면.
도 17a는 도 12의 'A'부분의 확대도.
도 17b는 도 13a의 'A'부분의 양극산화막의 상부에서 바라본 도면
도 18, 도 19는 제5실시예의 변형례를 도시한 도면.
도 20은 제6실시예의 마이크로 LED 전사헤드의 도면.1 is a diagram showing a micro LED to be adsorbed in embodiments of the present invention.
2 is a view of a micro LED structure transferred and mounted on a display board according to embodiments of the present invention.
3 is a view of the micro LED transfer head according to the first embodiment.
4 is a bottom view of the micro LED transfer head according to the first embodiment.
5 is a view from below showing a state in which the micro LED transfer head adsorbs the micro LED according to the first embodiment.
Fig. 6 shows a modified example of Fig. 4;
7 is a diagram illustrating a process of bonding a micro LED to an electrode of a display board by a micro LED transfer head according to the first embodiment;
8 is a diagram of a micro LED transfer head according to a second embodiment.
9 is an enlarged view of part 'A' of FIG. 4;
10 is a view showing a state in which the micro LED transfer head of FIG. 4 adsorbs the micro LED.
11 and 12a and b are views showing modified examples of the second embodiment.
Fig. 13 is a diagram of a micro LED transfer head in a third embodiment;
Fig. 14 is a diagram showing a modified example of the third embodiment;
15 is a diagram of a micro LED transfer head according to a fourth embodiment.
16 is a diagram of a micro LED transfer head according to a fifth embodiment.
17A is an enlarged view of part 'A' of FIG. 12;
FIG. 17B is a view viewed from the top of the anodic oxide film of part 'A' of FIG. 13A.
18 and 19 are diagrams showing modified examples of the fifth embodiment.
Fig. 20 is a diagram of a micro LED transfer head in a sixth embodiment;

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art can invent various devices that embody the principles of the invention and fall within the concept and scope of the invention, even though not explicitly described or shown herein. In addition, it should be understood that all conditional terms and embodiments listed in this specification are, in principle, expressly intended only for the purpose of making the concept of the invention understood, and are not limited to such specifically listed embodiments and conditions. .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above objects, features and advantages will become more apparent through the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the invention belongs will be able to easily implement the technical idea of the invention. .

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.Embodiments described in this specification will be described with reference to sectional views and/or perspective views, which are ideal exemplary views of the present invention. Thicknesses of films and regions and diameters of holes shown in these drawings are exaggerated for effective description of the technical content. The shape of the illustrative drawings may be modified due to manufacturing techniques and/or tolerances. In addition, the number of micro LEDs shown in the drawing is shown in the drawing by way of example only. Therefore, embodiments of the present invention are not limited to the specific shapes shown, but also include changes in shapes generated according to manufacturing processes.

다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In describing various embodiments, the same names and the same reference numbers will be given to components performing the same functions even if the embodiments are different. In addition, configurations and operations already described in other embodiments will be omitted for convenience.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드의 흡착 대상이 되는 복수의 마이크로 LED(100)를 도시한 도면이다. 마이크로 LED(100)는 성장 기판(101) 위에서 제작되어 위치한다.FIG. 1 is a diagram showing a plurality ofmicro LEDs 100 to be adsorbed by a micro LED transfer head according to a preferred embodiment of the present invention. Themicro LED 100 is fabricated and positioned on thegrowth substrate 101 .

성장 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 성장 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga₂0₃ 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.Thegrowth substrate 101 may be formed of a conductive substrate or an insulating substrate. For example, thegrowth substrate 101 may be formed of at least one of sapphire, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga₂ O₃ .

마이크로 LED(100)는 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)을 포함할 수 있다.Themicro LED 100 includes afirst semiconductor layer 102, asecond semiconductor layer 104, anactive layer 103 formed between thefirst semiconductor layer 102 and thesecond semiconductor layer 104, and a first contact electrode ( 106) and asecond contact electrode 107.

제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.Thefirst semiconductor layer 102, theactive layer 103, and thesecond semiconductor layer 104 may be formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), or plasma chemical vapor deposition (CVD). It can be formed using methods such as plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), molecular beam epitaxy (MBE), and hydride vapor phase epitaxy (HVPE).

제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.Thefirst semiconductor layer 102 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN , InAlGaN, AlInN, etc., and a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba may be doped. Thesecond semiconductor layer 104 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN , AlInN, etc., and an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn may be doped.

다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and thefirst semiconductor layer 102 may include an n-type semiconductor layer, and thesecond semiconductor layer 104 may include a p-type semiconductor layer.

활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.Theactive layer 103 is a region where electrons and holes recombine, and as electrons and holes recombine, theactive layer 103 transitions to a lower energy level and can generate light having a wavelength corresponding thereto. Theactive layer 103 may include, for example, a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), and may be formed by a single It may be formed in a quantum well structure or a multi quantum well (MQW) structure. In addition, a quantum wire structure or a quantum dot structure may be included.

제1 반도체층(102)에는 제1 컨택전극(106)이 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 컨택전극(107)이 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(106) 및/또는 제2 컨택 전극(107)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.Afirst contact electrode 106 may be formed on thefirst semiconductor layer 102 , and asecond contact electrode 107 may be formed on thesecond semiconductor layer 104 . Thefirst contact electrode 106 and/or thesecond contact electrode 107 may include one or more layers and may be formed of various conductive materials including metals, conductive oxides and conductive polymers.

성장 기판(101) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(100)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(100)를 성장 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다.A plurality ofmicro LEDs 100 formed on thegrowth substrate 101 are cut using a laser or the like along a cutting line or individually separated through an etching process, and a plurality ofmicro LEDs 100 are separated into a growth substrate by a laser lift-off process It can be made to be separable from (101).

도 1에서 ‘p’는 마이크로 LED(100)간의 피치간격을 의미하고, ‘s’는 마이크로 LED(100)간의 이격 거리를 의미하며, ‘w’는 마이크로 LED(100)의 폭을 의미한다.In FIG. 1, 'p' means the pitch interval between themicro LEDs 100, 's' means the separation distance between themicro LEDs 100, and 'w' means the width of themicro LEDs 100.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드에 의해 표시 기판으로 이송되어 실장됨에 따라 형성된 마이크로 LED 구조체를 도시한 도면이다.2 is a view showing a micro LED structure formed by being transferred and mounted on a display substrate by a micro LED transfer head according to a preferred embodiment of the present invention.

표시 기판(300)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 기판(300)은 SiO₂를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 표시 기판(300)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가용성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.Thedisplay substrate 300 may include various materials. For example, thedisplay substrate 300 may be made of a transparent glass material containing SiO₂ as a main component. However, thedisplay substrate 300 is not necessarily limited thereto, and may be formed of a transparent plastic material and have solubility. The plastic materials are insulating organic materials such as polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethyelenen napthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET, polyethyleneterepthalate), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate: CAP) may be an organic material selected from the group consisting of.

화상이 표시 기판(300)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 표시 기판(300)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 표시 기판(300)을 형성할 수 있다.In the case of a bottom emission type displaying an image in the direction of thedisplay substrate 300, thedisplay substrate 300 must be formed of a transparent material. However, in the case of a top emission type in which an image is displayed in a direction opposite to that of thedisplay substrate 300, thedisplay substrate 300 does not necessarily need to be made of a transparent material. In this case, thedisplay substrate 300 may be formed of metal.

금속으로 표시 기판(300)을 형성할 경우 표시 기판(300)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When thedisplay substrate 300 is formed of metal, thedisplay substrate 300 may include at least one selected from the group consisting of iron, chromium, manganese, nickel, titanium, molybdenum, stainless steel (SUS), an Invar alloy, an Inconel alloy, and a Kovar alloy. It may include, but is not limited thereto.

표시 기판(300)은 버퍼층(311)을 포함할 수 있다. 버퍼층(311)은 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(311)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.Thedisplay substrate 300 may include a buffer layer 311 . The buffer layer 311 may provide a flat surface and may block penetration of foreign substances or moisture. For example, the buffer layer 311 is made of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, or titanium nitride, or an organic material such as polyimide, polyester, or acryl. It may contain, and may be formed of a plurality of laminates among the materials exemplified.

박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함할 수 있다.The thin film transistor (TFT) may include anactive layer 310, agate electrode 320, asource electrode 330a, and adrain electrode 330b.

이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.Hereinafter, a case in which the thin film transistor (TFT) is a top gate type in which anactive layer 310, agate electrode 320, asource electrode 330a, and adrain electrode 330b are sequentially formed will be described. However, the present embodiment is not limited thereto, and various types of thin film transistors (TFTs) such as a bottom gate type may be employed.

활성층(310)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(310)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(310)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다.Theactive layer 310 may include a semiconductor material, for example, amorphous silicon or polycrystalline silicon. However, the present embodiment is not limited thereto, and theactive layer 310 may contain various materials. As an optional embodiment, theactive layer 310 may contain an organic semiconductor material or the like.

또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(310)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(310)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.As another optional embodiment, theactive layer 310 may contain an oxide semiconductor material. For example, theactive layer 310 is made of metal elements of groups 12, 13, and 14, such as zinc (Zn), indium (In), gallium (Ga), tin (Sn), cadmium (Cd), and germanium (Ge), and combinations thereof. It may contain oxides of selected materials.

게이트 절연막(313:gate insulating layer)은 활성층(310) 상에 형성된다. 게이트 절연막(313)은 활성층(310)과 게이트 전극(320)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(313)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.Agate insulating layer 313 is formed on theactive layer 310 . Thegate insulating layer 313 serves to insulate theactive layer 310 and thegate electrode 320 . Thegate insulating layer 313 may be formed of a multilayer or a single layer of an inorganic material such as silicon oxide and/or silicon nitride.

게이트 전극(320)은 게이트 절연막(313)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(320)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.Thegate electrode 320 is formed on thegate insulating layer 313 . Thegate electrode 320 may be connected to a gate line (not shown) for applying an on/off signal to the thin film transistor TFT.

게이트 전극(320)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(320)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.Thegate electrode 320 may be made of a low-resistance metal material. Thegate electrode 320 is made of, for example, aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg) in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness and processability of the stacked layer, and the like. , Gold (Au), Nickel (Ni), Neodymium (Nd), Iridium (Ir), Chromium (Cr), Lithium (Li), Calcium (Ca), Molybdenum (Mo), Titanium (Ti), Tungsten (W) , Copper (Cu) may be formed as a single layer or multiple layers.

게이트 전극(320)상에는 층간 절연막(315)이 형성된다. 층간 절연막(315)은 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)과 게이트 전극(320)을 절연한다. 층간 절연막(315)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘 산화물(SiO₂), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al₂O₃), 티타늄산화물(TiO₂), 탄탈산화물(Ta₂O₅), 하프늄산화물(HfO₂), 또는 아연산화물(ZrO₂) 등을 포함할 수 있다.An interlayer insulatingfilm 315 is formed on thegate electrode 320 . Theinterlayer insulating film 315 insulates thesource electrode 330a and thedrain electrode 330b from thegate electrode 320 . Theinterlayer insulating film 315 may be formed of a multi-layer or single-layer film made of an inorganic material. For example, the inorganic material may be a metal oxide or a metal nitride, and specifically, the inorganic material may be silicon oxide (SiO₂ ), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al₂ O₃ ), titanium oxide ( TiO₂ ), tantalum oxide (Ta₂ O₅ ), hafnium oxide (HfO₂ ), or zinc oxide (ZrO₂ ).

층간 절연막(315) 상에 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 형성된다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 활성층(310)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.Asource electrode 330a and adrain electrode 330b are formed on theinterlayer insulating layer 315 . Thesource electrode 330a and thedrain electrode 330b may include aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), or neodymium (Nd). ), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) in a single layer or multi-layer can be formed Thesource electrode 330a and thedrain electrode 330b are electrically connected to the source and drain regions of theactive layer 310 , respectively.

평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 한다. 평탄화층(317)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(317)은 무기 절연막과 유기절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.Theplanarization layer 317 is formed on the thin film transistor (TFT). Theplanarization layer 317 is formed to cover the thin film transistor (TFT), eliminates the step caused by the thin film transistor (TFT), and flattens the upper surface. Theplanarization layer 317 may be formed of a single layer or multiple layers of a film made of an organic material. Organic materials include general purpose polymers such as Polymethylmethacrylate (PMMA) and Polystylene (PS), polymer derivatives having phenolic groups, acrylic polymers, imide polymers, arylether polymers, amide polymers, fluorine polymers, and p-xylene polymers. It may include polymers, vinyl alcohol-based polymers, and blends thereof. Also, theplanarization layer 317 may be formed of a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

평탄화층(317)상에는 제1 전극(510)이 위치한다. 제1 전극(510)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(510)은 평탄화층(317)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(330b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(510)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 평탄화층(317)상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크층(400)이 배치될 수 있다. 뱅크층(400)은 마이크로 LED(100)가 수용될 오목부를 포함할 수 있다. 뱅크층(400)은 일 예로, 오목부를 형성하는 제1 뱅크층(410)를 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)의 높이는 마이크로 LED(100)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부의 크기(폭)는 표시 장치의 해상도, 픽셀 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 뱅크층(410)의 높이보다 마이크로 LED(100)의 높이가 더 클 수 있다. 오목부는 사각 단면 형상일 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않고, 오목부는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.Afirst electrode 510 is positioned on theplanarization layer 317 . Thefirst electrode 510 may be electrically connected to the thin film transistor (TFT). Specifically, thefirst electrode 510 may be electrically connected to thedrain electrode 330b through a contact hole formed in theplanarization layer 317 . Thefirst electrode 510 may have various shapes, for example, may be patterned and formed in an island shape. Abank layer 400 defining a pixel area may be disposed on theplanarization layer 317 . Thebank layer 400 may include a concave portion in which themicro LED 100 is accommodated. Thebank layer 400 may include, for example, afirst bank layer 410 forming a concave portion. The height of thefirst bank layer 410 may be determined by the height and viewing angle of themicro LED 100 . The size (width) of the concave portion may be determined by the resolution and pixel density of the display device. In one embodiment, the height of themicro LED 100 may be greater than the height of thefirst bank layer 410 . The concave portion may have a square cross-sectional shape, but embodiments of the present invention are not limited thereto, and the concave portion may have various cross-sectional shapes such as polygonal, rectangular, circular, conical, elliptical, and triangular shapes.

뱅크층(400)은 제1 뱅크층(410) 상부의 제2 뱅크층(420)를 더 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)와 제2 뱅크층(420)는 단차를 가지며, 제2 뱅크층(420)의 폭이 제1 뱅크층(410)의 폭보다 작을 수 있다. 제2 뱅크층(420)의 상부에는 전도층(550)이 배치될 수 있다. 전도층(550)은 데이터선 또는 스캔선과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 제2 전극(530)과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제2 뱅크층(420)는 생략되고, 제1 뱅크층(410) 상에 전도층(550)이 배치될 수 있다. 또는, 제2 뱅크층(420) 및 전도층(500)을 생략하고, 제2 전극(530)을 픽셀(P)들에 공통인 공통전극으로서 기판(301) 전체에 형성할 수도 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란물질을 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다.Thebank layer 400 may further include asecond bank layer 420 over thefirst bank layer 410 . Thefirst bank layer 410 and thesecond bank layer 420 have a step difference, and the width of thesecond bank layer 420 may be smaller than that of thefirst bank layer 410 . Aconductive layer 550 may be disposed on thesecond bank layer 420 . Theconductive layer 550 may be disposed in a direction parallel to the data line or the scan line and electrically connected to thesecond electrode 530 . However, the present invention is not limited thereto, and thesecond bank layer 420 may be omitted, and theconductive layer 550 may be disposed on thefirst bank layer 410 . Alternatively, thesecond bank layer 420 and the conductive layer 500 may be omitted and thesecond electrode 530 may be formed over the entire substrate 301 as a common electrode common to the pixels P. Thefirst bank layer 410 and thesecond bank layer 420 may include a material that absorbs at least a portion of light, a light reflection material, or a light scattering material. Thefirst bank layer 410 and thesecond bank layer 420 may include an insulating material that is translucent or opaque to visible light (eg, light in a wavelength range of 380 nm to 750 nm).

일 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, thefirst bank layer 410 and thesecond bank layer 420 may be formed of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone, polyvinylbutyral, polyphenylene ether, polyamide, or polyether. Etherimide, norbornene system resin, methacrylic resin, thermoplastic resin such as cyclic polyolefin, epoxy resin, phenol resin, urethane resin, acrylic resin, vinyl ester resin, imide resin, urethane resin, urea It may be formed of a thermosetting resin such as resin or melamine resin, or an organic insulating material such as polystyrene, polyacrylonitrile, or polycarbonate, but is not limited thereto.

다른 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제1뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 변형례에서 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.As another example, thefirst bank layer 410 and thesecond bank layer 420 may be formed of an inorganic insulating material such as an inorganic oxide or inorganic nitride such as SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, or ZnOx. It is not limited to this. In one embodiment, thefirst bank layer 410 and thesecond bank layer 420 may be formed of an opaque material such as a black matrix material. Insulative black matrix materials include organic resins, glass paste and resins or pastes containing black pigments, metal particles such as nickel, aluminum, molybdenum and alloys thereof, metal oxide particles (e.g., chromium oxide), or metal nitride particles (eg, chromium nitride) and the like. In a modified example, thefirst bank layer 410 and thesecond bank layer 420 may be a distributed Bragg reflector (DBR) having high reflectivity or a mirror reflector formed of metal.

오목부에는 마이크로 LED(100)가 배치된다. 마이크로 LED(100)는 오목부에서 제1 전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다.Amicro LED 100 is disposed in the concave portion. Themicro LED 100 may be electrically connected to thefirst electrode 510 in the concave portion.

마이크로 LED(100)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 마이크로 LED(100)는 1 ㎛ 내지 100 ㎛ 의 크기를 갖는다. 마이크로 LED(100)는 개별적으로 또는 복수 개가 본 발명의 실시예에 따른 전사헤드에 의해 성장 기판(101) 상에서 픽업(pick up)되어 표시 기판(300)에 전사됨으로써 표시 기판(300)의 오목부에 수용될 수 있다.Themicro LED 100 emits light having wavelengths such as red, green, blue, and white, and white light can be implemented by using a fluorescent material or combining colors. Themicro LED 100 has a size of 1 μm to 100 μm. Themicro LEDs 100 are picked up on thegrowth substrate 101 by the transfer head according to the embodiment of the present invention and transferred to thedisplay substrate 300 individually or in plurality, thereby forming a concave portion of thedisplay substrate 300. can be accepted in

마이크로 LED(100)는 p-n 다이오드, p-n 다이오드의 일측에 배치된 제1 컨택 전극(106) 및 제1 컨택 전극(106)과 반대측에 위치한 제2 컨택 전극(107)을 포함한다. 제1 컨택 전극(106)은 제1 전극(510)과 접속하고, 제2 컨택 전극(107)은 제2 전극(530)과 접속할 수 있다.Themicro LED 100 includes a p-n diode, afirst contact electrode 106 disposed on one side of the p-n diode, and asecond contact electrode 107 disposed on the opposite side of thefirst contact electrode 106. Thefirst contact electrode 106 may be connected to thefirst electrode 510 , and thesecond contact electrode 107 may be connected to thesecond electrode 530 .

제1 전극(510)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In₂O₃; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO;aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.Thefirst electrode 510 may include a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, and a transparent or translucent electrode layer formed on the reflective film. The transparent or translucent electrode layer is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In₂ O₃ ; indium oxide), indium gallium It may include at least one selected from the group including indium gallium oxide (IGO) and aluminum zinc oxide (AZO).

패시베이션층(520)은 오목부 내의 마이크로 LED(100)를 둘러싼다. 패시베이션층(520)은 뱅크층(400)과 마이크로 LED(100) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부 및 제1 전극(510)을 커버한다. 패시베이션층(520)은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Apassivation layer 520 surrounds themicro LED 100 in the recess. Thepassivation layer 520 covers the concave portion and thefirst electrode 510 by filling the space between thebank layer 400 and themicro LED 100 . Thepassivation layer 520 may be formed of an organic insulating material. For example, thepassivation layer 520 may be formed of acrylic, poly(methyl methacrylate) (PMMA), benzocyclobutene (BCB), polyimide, acrylate, epoxy, and polyester, but is limited thereto. It is not.

패시베이션층(520)은 마이크로 LED(100)의 상부, 예컨대 제2 컨택 전극(107)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2 컨택 전극(107)은 노출된다. 패시베이션층(520) 상부에는 마이크로 LED(100)의 노출된 제2 컨택 전극(107)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(530)이 형성될 수 있다.Thepassivation layer 520 is formed at a height not covering the top of themicro LED 100, for example, thesecond contact electrode 107, so that thesecond contact electrode 107 is exposed. Asecond electrode 530 electrically connected to the exposedsecond contact electrode 107 of themicro LED 100 may be formed on thepassivation layer 520 .

제2 전극(530)은 마이크로 LED(100)와 패시베이션층(520)상에 배치될 수 있다. 제2 전극(530)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다.Thesecond electrode 530 may be disposed on themicro LED 100 and thepassivation layer 520 . Thesecond electrode 530 may be formed of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In₂ O₃ .

제1실시예Example 1

도 3은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 진공으로 흡착한 상태를 도시한 도면이다. 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 기공을 갖는 다공성 부재(1100) 및 다공성 부재(1100)의 표면에 형성된 히터부(1001)를 포함한다.3 is a view showing a state in which the microLED transfer head 1000 according to the first preferred embodiment of the present invention adsorbs themicro LED 100 in a vacuum. The microLED transfer head 1000 according to the first embodiment of the present invention includes aporous member 1100 having pores and aheater unit 1001 formed on the surface of theporous member 1100.

바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는 제1기판(예를 들어, 성장기판(101))에서 제2기판(예를 들어, 표시 기판(300))으로 이송하는 전사헤드일 수 있다.The microLED transfer head 1000 according to the first preferred embodiment is a transfer head that transfers from a first substrate (eg, the growth substrate 101) to a second substrate (eg, the display substrate 300). can

다공성 부재(1100)의 상부에는 공기 챔버(1200)가 구비된다. 공기 챔버(1200)는 진공펌프에 연결된다. 공기 챔버(1200)는 진공펌프의 작동에 따라 다공성 부재(1100)의 다수의 기공에 진공을 가하거나 기공에 가하진 진공을 해제하는 기능을 한다. 공기 챔버(1200)를 다공성 부재(1100)에 결합하는 구조는 다공성 부재(1100)에 진공을 가하거나 가해진 진공을 해제함에 있어서 다른 부위로의 진공의 누설을 방지하는데 적절한 구조라면 이에 대한 한정은 없다.Anair chamber 1200 is provided above theporous member 1100 .Air chamber 1200 is connected to a vacuum pump. Theair chamber 1200 functions to apply vacuum to the pores of theporous member 1100 or release the vacuum applied to the pores according to the operation of the vacuum pump. The structure coupling theair chamber 1200 to theporous member 1100 is not limited as long as it is suitable for preventing leakage of vacuum to other parts when applying a vacuum to theporous member 1100 or releasing the applied vacuum. .

마이크로 LED(100)의 진공 흡착 시, 공기 챔버(1200)에 가해진 진공은 다공성 부재(1100)의 다수의 기공에 전달되어 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착력이 발생한다. 한편, 마이크로 LED(100)의 탈착 시에는, 공기 챔버(1200)에 가해진 진공이 해제됨에 따라 다공성 부재(1100)의 다수의 기공에도 진공이 해제되어 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착력이 제거된다.When themicro LED 100 is vacuum adsorbed, the vacuum applied to theair chamber 1200 is transmitted to the plurality of pores of theporous member 1100, and a vacuum adsorption force to themicro LED 100 is generated. On the other hand, when themicro LED 100 is detached, as the vacuum applied to theair chamber 1200 is released, the vacuum is also released in the plurality of pores of theporous member 1100, and the vacuum adsorption force for themicro LED 100 is removed. .

다공성 부재(1100)는 내부에 기공이 다수 함유되어 있는 물질을 포함하여 구성되며, 일정 배열 또는 무질서한 기공구조로 0.2~0.95 정도의 기공도를 가지는 분말, 박막/후막 및 벌크 형태로 구성될 수 있다. 다공성 부재(1100)의 기공은 그 크기에 따라 직경 2 nm 이하의 마이크로(micro)기공, 2~50 nm 메조(meso)기공, 50 nm 이상의 마크로(macro)기공으로 구분할 수 있는데, 이들의 기공들을 적어도 일부를 포함한다. 다공성 부재(1100)는 그 구성 성분에 따라서 유기, 무기(세라믹), 금속, 하이브리드형 다공성 소재로 구분이 가능하다. 다공성 부재(1100)는 기공이 일정 배열로 형성되는 양극산화막을 포함한다. 다공성 부재(1100)는 형상의 측면에서 분말, 코팅막, 벌크가 가능하고, 분말의 경우 구형, 중공구형, 화이버, 튜브형등 다양한 형상이 가능하며, 분말을 그대로 사용하는 경우도 있지만, 이를 출발물질로 코팅막, 벌크 형상을 제조하여 사용하는 것도 가능하다.Theporous member 1100 is composed of a material containing a plurality of pores therein, and may be configured in the form of powder, thin film/thick film, and bulk having a porosity of about 0.2 to 0.95 in a regular arrangement or disordered pore structure. . The pores of theporous member 1100 can be classified according to their size into micro pores with a diameter of 2 nm or less, meso pores with a diameter of 2 to 50 nm, and macro pores with a diameter of 50 nm or more. contains at least some Theporous member 1100 can be classified into organic, inorganic (ceramic), metal, and hybrid porous materials according to their components. Theporous member 1100 includes an anodic oxide film in which pores are formed in a predetermined arrangement.Porous member 1100 can be powder, coating film, bulk in terms of shape, and in the case of powder, various shapes such as spherical, hollow sphere, fiber, tube, etc. are possible, and there are cases where the powder is used as it is, but it is used as a starting material. It is also possible to manufacture and use a coating film or a bulk form.

다공성 부재(1100)의 기공이 무질서한 기공구조를 갖는 경우에는, 다공성 부재(1100)의 내부는 다수의 기공들이 서로 연결되면서 다공성 부재(1100)의 상, 하를 연결하는 공기 유로를 형성하게 된다. 한편, 다공성 부재(1100)의 기공이 수직 형상의 기공구조를 갖는 경우에는, 다공성 부재(1100)의 내부는 수직 형상의 기공에 의해 다공성 부재(1100)의 상, 하로 관통되면서 공기 유로를 형성할 수 있도록 한다.When the pores of theporous member 1100 have a disordered pore structure, an air flow path connecting the top and bottom of theporous member 1100 is formed while a plurality of pores are connected to each other inside theporous member 1100. On the other hand, when the pores of theporous member 1100 have a vertical pore structure, the inside of theporous member 1100 is penetrated through the upper and lower portions of theporous member 1100 by the vertical pores to form an air flow path. make it possible

다공성 부재(1100)는 마이크로 LED(100)를 흡착하는 흡착영역(1310)과 마이크로 LED(100)를 흡착하지 않는 비흡착영역(1330)을 포함한다. 흡착영역(1310)은 공기 챔버(1200)의 진공이 전달되어 마이크로 LED(100)를 흡착하는 영역이고, 비흡착영역(1330)은 공기 챔버(1200)의 진공이 전달되지 않음에 따라 마이크로 LED(100)를 흡착하지 않는 영역이다.Theporous member 1100 includes anadsorption region 1310 that adsorbs themicro LED 100 and anon-adsorption region 1330 that does not adsorb themicro LED 100 . Theadsorption area 1310 is an area where the vacuum of theair chamber 1200 is transferred to adsorb themicro LED 100, and thenon-adsorption area 1330 is a micro LED ( 100) is not adsorbed.

비흡착영역(1330)은 다공성 부재(1100)의 적어도 일부 표면에 차폐부를 형성함으로써 구현될 수 있다. 위와 같은 차폐부는 다공성 부재(1100)의 적어도 일부 표면에 형성된 기공을 막도록 형성된다. 차폐부는 다공성 부재(1100)의 상, 하 표면 중에서 적어도 일부 표면에 형성될 수 있고, 특히 다공성 부재(1100)의 기공 구조가 무질서한 기공 구조인 경우에는 다공성 부재(1100)의 상, 하 표면 모두에 형성될 수 있다.Thenon-adsorption area 1330 may be implemented by forming a shielding part on at least a portion of the surface of theporous member 1100 . The shielding portion as described above is formed to block pores formed on at least a portion of the surface of theporous member 1100 . The shielding portion may be formed on at least some of the upper and lower surfaces of theporous member 1100, and in particular, when theporous member 1100 has a disordered pore structure, both the upper and lower surfaces of theporous member 1100. can be formed

차폐부는 다공성 부재(1100)의 표면의 기공을 막는 기능을 수행할 수 있는 것이라면 그 재질, 형상, 두께에는 한정이 없다. 바람직하게는 포토레지스트(PR, Dry Film PR포함) 또는 금속 재질로 추가로 형성될 수 있고, 다공성 부재(1100)를 이루는 자체 구성에 의해서도 형성 가능하다. 여기서 다공성 부재(1100)를 이루는 자체 구성으로는, 예를 들어 후술하는 다공성 부재(1100)가 양극산화막으로 구성될 경우에는, 차폐부는 배리어층 또는 금속 모재일 수 있다.The material, shape, and thickness of the shielding unit are not limited as long as it can perform a function of blocking pores on the surface of theporous member 1100 . Preferably, it may be additionally formed of a photoresist (including PR, dry film PR) or a metal material, and may also be formed by its own configuration constituting theporous member 1100. Here, as a self-configuration of theporous member 1100, for example, when theporous member 1100 to be described later is composed of an anodic oxide film, the shielding portion may be a barrier layer or a metal base material.

전사헤드(1000)는 공기 챔버(1200)의 진공도를 모니터링하는 모니터링부가 구비될 수 있다. 모니터링부는 공기 챔버(1200)에 형성되는 진공도를 모니터링하며, 제어부는 공기 챔버(1200)의 진공도의 정도에 따라 공기 챔버(1200)의 진공도를 제어할 수 있다. 모니터링부에서 공기 챔버(1200)의 진공도가 기 설정된 진공도의 범위보다 낮은 진공도로 형성될 경우에는, 제어부는 다공성 부재(1100)에 진공 흡착되어야 하는 마이크로 LED(100) 중 일부가 진공 흡착되지 않은 경우로 판단하거나 일부에서 진공의 누설이 있는 것으로 판단하여 전사헤드(1000)의 재작동을 명령할 수 있다. 이처럼 공기 챔버(1200) 내부의 진공도의 정도에 따라 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 오류 없이 이송하도록 한다.Thetransfer head 1000 may include a monitoring unit that monitors the vacuum level of theair chamber 1200 . The monitoring unit monitors the degree of vacuum formed in theair chamber 1200, and the control unit may control the degree of vacuum of theair chamber 1200 according to the degree of vacuum of theair chamber 1200. When the vacuum level of theair chamber 1200 in the monitoring unit is formed at a vacuum level lower than the preset vacuum level range, the control unit determines that some of themicro LEDs 100 to be vacuum-adsorbed to theporous member 1100 are not vacuum-adsorbed. Thetransfer head 1000 may be re-operated by determining that thetransfer head 1000 is determined to be , or that there is a vacuum leak in some parts. As such, thetransfer head 1000 transfers themicro LED 100 without errors according to the degree of vacuum inside theair chamber 1200 .

또한 전사헤드(1000)에는 다공성 부재(1100)와 마이크로 LED(100)간의 접촉을 완충시키기 위하여 완충 부재가 구비될 수 있다. 이러한 완충 부재는 다공성 부재(1100)와 마이크로 LED(100)간의 접촉을 완충하면서 탄성 복원력을 갖는 것이라면 그 재질에는 제한이 없다. 완충 부재는 다공성 부재(1100)와 공기 챔버(1200)의 사이에 형성될 수 있으나, 완충 부재의 설치 위치는 이에 한정되는 것은 아니다. 다공성 부재(1100)와 마이크로 LED(100)간의 접촉을 완충시킬 수 있는 위치라면, 완충 부재는 전사헤드(1000)의 어느 위치에 설치되어도 무관하다.In addition, a buffer member may be provided in thetransfer head 1000 to buffer contact between theporous member 1100 and themicro LED 100 . The material of the buffer member is not limited as long as it has elastic restoring force while buffering the contact between theporous member 1100 and themicro LED 100. The buffer member may be formed between theporous member 1100 and theair chamber 1200, but the installation position of the buffer member is not limited thereto. As long as the position can buffer the contact between theporous member 1100 and themicro LED 100, the buffer member may be installed at any position of thetransfer head 1000.

도 4는 다공성 부재(1100)의 하부면의 일부를 도시한 도면이다. 마이크로 LED(100)의 개수에 대응되어 발열부(2300)가 형성되지만, 도 4는 그 중 일부만을 편의상 도시한 것이다.FIG. 4 is a view showing a part of the lower surface of theporous member 1100. As shown in FIG. Although theheating unit 2300 is formed corresponding to the number ofmicro LEDs 100, FIG. 4 shows only a part of them for convenience.

도 4를 참조하면, 히터부(1001)는 다공성 부재(1100)의 하부 표면에 형성된다. 히터부(1001)는, 전압이 인가되는 제1,2패드(2501, 2503), 마이크로 LED(100)의 흡착 위치에 대응되는 위치에 형성되는 발열부(2300), 제1,2패드(2501, 2503)와 발열부(2300) 및 발열부(2300)간을 연결하는 연결부(2400)로 구성된다. 전압이 제1,2패드(2501, 2503)에 인가되면 발열부(2300)는 전기에너지를 열에너지로 변환한다. 이를 통해 마이크로 LED(100)의 상면을 가열할 수 있다.Referring to FIG. 4 , theheater unit 1001 is formed on the lower surface of theporous member 1100 . Theheater unit 1001 includes the first andsecond pads 2501 and 2503 to which voltage is applied, theheating unit 2300 formed at a position corresponding to the suction position of themicro LED 100, and the first andsecond pads 2501. , 2503), theheating unit 2300, and theconnection unit 2400 connecting theheating unit 2300. When voltage is applied to the first andsecond pads 2501 and 2503, theheating unit 2300 converts electrical energy into thermal energy. Through this, the upper surface of themicro LED 100 may be heated.

발열부(2300)는 밀폐형 루프의 형상을 가질 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 밀폐형 루프는 원형의 고리 형상으로 이루어질 수 있으며, 다각형의 고리형상으로 이루어 질 수 있다. 한편 발열부(2300)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며, 전기를 인가받아 전기에너지를 열에너지를 변환하기에 적절한 형상인 경우라면 본원 발명의 발열부(2300)의 범주에 포함될 수 있다.Theheating unit 2300 may have a closed loop shape. As shown in FIG. 4, the closed loop may have a circular ring shape or a polygonal ring shape. Meanwhile, the shape of theheating unit 2300 is not limited thereto, and any shape suitable for receiving electricity and converting electrical energy into thermal energy may be included in the scope of theheating unit 2300 of the present invention.

발열부(2300)와 발열부(2300)사이에는 연결부(2400)가 구성된다. 연결부(2400)는 발열부(2300) 사이를 서로 전기적으로 연결하여 발열부(2300)에 전기를 연결시켜주는 기능을 한다. 또한 연결부(2400)는 최외곽 발열부(2300)와 제1,2패드(2501, 2503)간을 전기적으로 연결하는 기능을 한다.Aconnection unit 2400 is formed between theheating unit 2300 and theheating unit 2300 . Theconnection unit 2400 serves to electrically connect theheating units 2300 to each other and connect electricity to theheating units 2300 . In addition, theconnection unit 2400 serves to electrically connect theoutermost heating unit 2300 and the first andsecond pads 2501 and 2503.

다공성 부재(1100)의 표면에 형성된 기공(1350)은 흡입력으로 마이크로 LED(100)를 흡착한다. 이 경우 발열부(2300)의 내부로는 다공성 부재(1100)의 표면에 형성된 기공(1350)이 노출된다. 발열부(2300) 내부의 기공(1350)을 이용하여 마이크로 LED(100)를 흡착하며, 발열부(2300)에 의해 마이크로 LED(100)의 상면을 가열할 수 있게 된다.Thepores 1350 formed on the surface of theporous member 1100 adsorb themicro LED 100 with a suction force. In this case, pores 1350 formed on the surface of theporous member 1100 are exposed to the inside of theheating unit 2300 . Themicro LED 100 is adsorbed by using thepores 1350 inside theheating unit 2300, and the upper surface of themicro LED 100 can be heated by theheating unit 2300.

전술한 차폐부는 가림부(2600)로 구성될 수 있다. 다공성 부재(1100)의 하부표면은 발열부(2300)의 내부를 제외하고 가림부(2600)에 의해 다공성 부재(1100)의 기공(1350)을 막도록 형성될 수 있다. 즉, 다공성 부재(1100)의 하부 표면의 기공(1350)은 발열부(2300)의 내부를 제외하고 노출되지 않는다. 이러한 구성을 통해 발열부(2300) 내부에 형성되는 흡착영역(2100)에만 흡입력이 발생하며, 발열부(2300) 외부로는 흡입력이 발생하지 않는다. 흡착영역(2100)은 기공(1350)에 가하진 진공을 이용하여 마이크로 LED(100)를 진공흡착하여 전사할 수 있게 된다. 가림부(2600)를 통해 흡착영역(2100)을 제외한 영역의 기공(1350)이 모두 밀폐되어 공기 챔버(1200)의 진공압이 흡착영역(2100)으로 집중되므로 마이크로 LED(100)를 보다 쉽게 진공흡착할 수 있게 된다.The aforementioned shielding unit may be configured as theshielding unit 2600 . The lower surface of theporous member 1100 may be formed to block thepores 1350 of theporous member 1100 by the shieldingportion 2600 except for the inside of theheating portion 2300 . That is, thepores 1350 on the lower surface of theporous member 1100 are not exposed except for the inside of theheating part 2300 . Through this configuration, suction power is generated only in the adsorption area 2100 formed inside theheating unit 2300, and no suction force is generated outside theheating unit 2300. The adsorption area 2100 can be transferred by vacuum adsorption of themicro LED 100 using vacuum applied to thepores 1350 . Allpores 1350 in the area except for the adsorption area 2100 are sealed through theshield 2600, and the vacuum pressure of theair chamber 1200 is concentrated in the adsorption area 2100, so that themicro LED 100 can be vacuumed more easily. can be adsorbed.

도 5는 마이크로 LED(100)가 다공성 부재(1100)의 하부표면에 흡착된 상태를 도시한 도면이다. 흡착영역(2100) 각각은 각각의 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하며, 발열부(2300)는 흡착영역(2100)의 테두리에 형성되어 마이크로 LED(100)의 상면을 가열할 수 있게 된다.FIG. 5 is a view showing a state in which themicro LED 100 is adsorbed to the lower surface of theporous member 1100. Referring to FIG. Each of the adsorption regions 2100 vacuum adsorbs eachmicro LED 100, and theheating unit 2300 is formed on the edge of the adsorption region 2100 to heat the upper surface of themicro LED 100.

도 6은 도 4에 도시된 다공성 부재(1100)의 하부 표면의 변형례로서, 도 4의 가림부(2600)가 형성되지 않은 것이다. 도 4에 도시된 구조와는 달리 가림부(2600)가 형성되지 않은 구성이라는 점에서, 흡착영역(2100)에서의 진공압이 상대적으로 저하되기는 하나, 흡착영역(2100) 이외의 영역에서도 마이크로 LED(100)를 흡착할 수 있기 때문에 마이크로 LED(100)의 정렬오차가 있다고 하더라도 마이크로 LED(100)를 전사할 수 있는 효과를 발휘할 수 있게 된다.FIG. 6 is a modified example of the lower surface of theporous member 1100 shown in FIG. 4, in which thecovering portion 2600 of FIG. 4 is not formed. Unlike the structure shown in FIG. 4, since the shieldingportion 2600 is not formed, the vacuum pressure in the adsorption area 2100 is relatively reduced, but even in areas other than the adsorption area 2100, micro LED Since (100) can be adsorbed, even if there is an alignment error of themicro LED 100, the effect of transferring themicro LED 100 can be exhibited.

도 7은 마이크로 LED(100)를 흡착한 전사헤드(1000)가 제2기판(300)에 마이크로 LED(100)를 전사하는 상태를 도시한 도면이다. 도 7을 참조하면, 전사헤드(1000)는 마이크로 LED(100)를 표시기판(300)의 제1 전극(510)에 전사한다.FIG. 7 is a diagram showing a state in which thetransfer head 1000 adsorbing themicro LED 100 transfers themicro LED 100 to thesecond substrate 300 . Referring to FIG. 7 , thetransfer head 1000 transfers themicro LED 100 to thefirst electrode 510 of thedisplay substrate 300 .

그런 다음 전사헤드(1000)의 히터부(1001)에 전기를 인가하여 발열부(2300)를 가열하게 된다. 이와 함께, 표시기판(300)에 전원을 인가하여 표시기판(300)의 제1전극(510)을 가열한다.Then, electricity is applied to theheater unit 1001 of thetransfer head 1000 to heat theheating unit 2300. At the same time, power is applied to thedisplay substrate 300 to heat thefirst electrode 510 of thedisplay substrate 300 .

마이크로 LED(100)를 표시기판(300)의 제1전극(510)에 본딩시키기 위한 수단으로 금속 접합방식을 이용할 수 있다. 금속 접합방식은 본딩 금속(합금)를 가열하여 용융상태에서 마이크로 LED(100)를 제1전극(510)에 접합하는 방식이며, 열압착 본딩 또는 유테틱 본딩 등을 이용할 수 있다.A metal bonding method may be used as a means for bonding themicro LED 100 to thefirst electrode 510 of thedisplay substrate 300 . The metal bonding method is a method of bonding themicro LED 100 to thefirst electrode 510 in a molten state by heating a bonding metal (alloy), and thermocompression bonding or eutectic bonding may be used.

마이크로 LED(100)를 표시기판(300) 등에 접합할 때, 표시기판(300)만을 가열하여 접합을 할 경우에는 냉납 문제가 발생할 수 있다. 다시 말해 표시기판(300)만을 가열하여 접합을 할 경우에는 본딩 금속(합금)의 상부 표면으로 갈수록 온도가 상대적으로 낮아지게 되어 냉납 문제가 발생하며 이로 인해 마이크로 LED(100)가 제1전극(510)에 견고하게 접합되지 않게 되는 문제점이 있다.When bonding themicro LED 100 to thedisplay substrate 300 or the like, when bonding is performed by heating only thedisplay substrate 300, a cold soldering problem may occur. In other words, when bonding is performed by heating only thedisplay substrate 300, the temperature is relatively lowered toward the upper surface of the bonding metal (alloy), causing a cold soldering problem. ), there is a problem that it is not firmly bonded.

하지만 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 표시기판(300)을 통해 본딩 금속(합금)을 가열할 수 있을 뿐만 아니라 전사헤드(1000)의 히터부(1001)를 통해 마이크로 LED(100)의 상면을 가열할 수 있게 된다. 이를 통해 본딩 금속(합금)의 온도 분포가 본딩 금속(합금)의 깊이에 따라 균일화되므로 냉납 문제가 발생하지 않게 되고, 그 결과 마이크로 LED(100)가 표시기판(300)의 제1전극(510)에 보다 견고하게 접합된다.However, according to a preferred embodiment of the present invention, not only can the bonding metal (alloy) be heated through thedisplay substrate 300, but also the upper surface of themicro LED 100 through theheater unit 1001 of thetransfer head 1000. can be heated. Through this, since the temperature distribution of the bonding metal (alloy) is uniformed according to the depth of the bonding metal (alloy), the problem of cold soldering does not occur, and as a result, themicro LED 100 is connected to thefirst electrode 510 of thedisplay substrate 300. bonded more firmly to

제2실시예Example 2

이하, 본 발명의 제2실시예에 대해 살펴본다.Hereinafter, look at the second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 도시한 도면이고, 도 9는 도 8의 ‘A’부분을 확대한 도면이고, 도 10은 제2실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 진공 흡착한 상태를 도시한 도면이다.8 is a view showing a microLED transfer head 1000 according to a second preferred embodiment of the present invention, FIG. 9 is an enlarged view of part 'A' in FIG. 8, and FIG. It is a diagram showing a state in which the microLED transfer head 1000 vacuum adsorbs themicro LED 100 according to FIG.

제2실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 금속을 양극산화하여 형성된 기공을 갖는 양극산화막(1300)을 포함하여 구성된다는 것을 특징으로 한다.The microLED transfer head 1000 according to the second embodiment is characterized in that it includes ananodic oxide film 1300 having pores formed by anodizing a metal.

양극산화막(1300)의 하부에는 히터부(1001)가 구비된다. 히터부(1001)는 전기 전도성 재질이면 그 재질에는 한정이 없다. 히터부(1001)는 양극산화막(1300)의 표면에 스퍼터링(sputtering)공정을 통해 증착되어 형성될 수 있다. 히터부(1001)는 양극산화막(1300)의 기공(1303)을 막지 않는 구성으로 형성될 수 있다. 다시 말해 히터부(1001)는 양극산화막(1300)의 기공(1303)을 제외한 표면 상에 얇게 형성된다.Aheater unit 1001 is provided under theanodic oxide film 1300 . The material of theheater unit 1001 is not limited as long as it is an electrically conductive material. Theheater unit 1001 may be formed by depositing on the surface of theanodic oxide layer 1300 through a sputtering process. Theheater unit 1001 may be formed in a configuration that does not blockpores 1303 of theanodic oxide film 1300 . In other words, theheater unit 1001 is thinly formed on the surface of theanodic oxide film 1300 except for thepores 1303 .

히터부(1001)가 양극산화막(1300)의 표면에서 양극산화막(1300)의 표면에 형성되는 기공(1303)을 막지 않으면서 형성되는 구성에 따르면, 마이크로 LED(100)와 접촉되는 전사헤드(1000)의 접착면에는 양극산화막(1300)의 기공(1303)과 연통되는 구멍이 히터부(1001)에도 구비되므로, 양극산화막(1300)의 기공(1303)에 진공을 가하거나 기공(1303)에 가하진 진공을 해제하여 마이크로 LED(100)를 흡착하거나 흡착을 해제할 수 있다.According to the configuration in which theheater unit 1001 is formed on the surface of theanodic oxide film 1300 without blocking thepores 1303 formed on the surface of theanodic oxide film 1300, thetransfer head 1000 in contact with themicro LED 100 Since a hole communicating with thepores 1303 of theanodic oxide film 1300 is also provided in theheater unit 1001 on the adhesive surface of the ), vacuum is applied to thepores 1303 of theanodic oxide film 1300 or applied to thepores 1303 By releasing the vacuum, themicro LED 100 may be adsorbed or the adsorption may be released.

양극산화막(1300)은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공(1303)은 금속을 양극산화하여 양극산화막(1300)을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 양극산화알루미늄(Al₂O₃) 재질의 양극산화막(1300)이 형성된다. 위와 같이, 형성된 양극산화막(1300)은 내부에 기공(1303)이 형성되지 않은 배리어층(1301)과, 내부에 기공(1303)이 형성된 다공층(1305)으로 구분된다. 배리어층(1301)은 모재의 상부에 위치하고, 다공층(1305)은 배리어층(1301)의 상부에 위치한다. 이처럼, 배리어층(1301)과 다공층(1305)을 갖는 양극산화막(1300)이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 양극산화알루미늄(Al₂O₃) 재질의 양극산화막(1300)만이 남게 된다.Theanodic oxide film 1300 means a film formed by anodic oxidation of a base metal, and thepores 1303 mean holes formed in the process of forming theanodic oxide film 1300 by anodic oxidation of a metal. For example, when the base metal is aluminum (Al) or an aluminum alloy, when the base metal is anodized, ananodic oxide film 1300 made of anodized aluminum oxide (Al₂ O₃ ) is formed on the surface of the base metal. As described above, the formedanodic oxide film 1300 is divided into abarrier layer 1301 in which pores 1303 are not formed and aporous layer 1305 in which pores 1303 are formed. Thebarrier layer 1301 is located on top of the base material, and theporous layer 1305 is located on top of thebarrier layer 1301. As such, when the base material is removed from the base material on which theanodic oxide film 1300 having thebarrier layer 1301 and theporous layer 1305 is formed, only theanodic oxide film 1300 made of aluminum oxide (Al₂ O₃ ) is formed. will remain

양극산화막(1300)은, 지름이 균일하고, 수직한 형태로 형성되면서 규칙적인 배열을 갖는 기공(1303)을 갖게 된다. 따라서, 배리어층(1301)을 제거하면, 기공(1303)은 상, 하로 수직하게 관통된 구조를 갖게 되며, 이를 통해 수직한 방향으로 진공압을 형성하는 것이 용이하게 된다.Theanodic oxide film 1300 haspores 1303 having a regular arrangement while being formed in a vertical shape with a uniform diameter. Therefore, when thebarrier layer 1301 is removed, thepores 1303 have a structure vertically penetrating upward and downward, and through this, it is easy to form a vacuum pressure in a vertical direction.

양극산화막(1300)의 내부는 수직 형상의 기공(1303)에 의해 수직한 형태로의 공기 유로를 형성할 수 있게 된다. 기공(1303)의 내부 폭은 수 nm 내지 수 백nm의 크기를 갖는다. 예를 들어, 진공 흡착하고자 하는 마이크로 LED(100)의 사이즈가 30㎛ x 30㎛인 경우이고 기공(1303)의 내부 폭이 수 nm인 경우에는 대략 수 천만개의 기공(1303)을 이용하여 마이크로 LED(100)를 진공 흡착할 수 있게 된다. 한편, 진공 흡착하고자 하는 마이크로 LED(100)의 사이즈가 30㎛ x 30㎛인 경우이고 기공(1303)의 내부 폭이 수 백 nm인 경우에는 대략 수 만개의 기공(1303)을 이용하여 마이크로 LED(100)를 진공 흡착할 수 있게 된다. 마이크로 LED(100)의 경우에는 기본적으로 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)만으로 구성됨에 따라 상대적으로 가벼운 편이므로 양극산화막(1300)의 수만 내지 수 천만개의 기공(1303)을 이용하여 진공 흡착하는 것이 가능한 것이다.The inside of theanodic oxidation film 1300 can form an air flow path in a vertical form by thevertical pores 1303 . The inner width of thepore 1303 has a size of several nm to several hundreds of nm. For example, when the size of themicro LED 100 to be vacuum adsorbed is 30 μm x 30 μm and the internal width of thepores 1303 is several nm, approximately tens of millions ofpores 1303 are used to obtain the micro LED (100) can be vacuum adsorbed. On the other hand, when the size of themicro LED 100 to be vacuum adsorbed is 30 μm x 30 μm and the internal width of thepore 1303 is several hundred nm, approximately tens of thousands ofpores 1303 are used for the micro LED ( 100) can be vacuum adsorbed. In the case of themicro LED 100, thefirst semiconductor layer 102, thesecond semiconductor layer 104, theactive layer 103 formed between thefirst semiconductor layer 102 and thesecond semiconductor layer 104, As it is composed of only thefirst contact electrode 106 and thesecond contact electrode 107, it is relatively light, so it is possible to vacuum adsorption using tens of thousands to tens of millions ofpores 1303 of theanodic oxide film 1300.

양극산화막(1300)의 상부에는 공기 챔버(1200)가 구비된다. 공기 챔버(1200)는 진공펌프에 연결된다. 공기 챔버(1200)는 진공펌프의 작동에 따라 양극산화막(1300)의 다수의 수직 형상의 기공에 진공을 가하거나 진공을 해제하는 기능을 한다.Anair chamber 1200 is provided above theanodic oxide film 1300 .Air chamber 1200 is connected to a vacuum pump. Theair chamber 1200 functions to apply vacuum to or release the vacuum from the plurality of vertical pores of theanodic oxide film 1300 according to the operation of the vacuum pump.

마이크로 LED(100)의 흡착 시, 공기 챔버(1200)에 가해진 진공은 양극산화막(1300)의 다수의 기공(1303)에 전달되어 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착력을 제공한다. 한편, 마이크로 LED(100)의 탈착 시에는, 공기 챔버(1200)에 가해진 진공이 해제됨에 따라 양극산화막(1300)의 다수의 기공(1303)에도 진공이 해제되어 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착력이 제거된다.When themicro LED 100 is adsorbed, the vacuum applied to theair chamber 1200 is transferred to the plurality ofpores 1303 of theanodic oxide film 1300 to provide vacuum adsorption force to themicro LED 100 . Meanwhile, when themicro LED 100 is detached, as the vacuum applied to theair chamber 1200 is released, the vacuum is also released in the plurality ofpores 1303 of theanodic oxide film 1300, thereby increasing the vacuum adsorption force for themicro LED 100. this is removed

양극산화막(1300)은 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하는 흡착영역(1310)과 마이크로 LED(100)를 흡착하지 않는 비흡착영역(1330)을 포함한다. 흡착영역(1310)은 공기 챔버(1200)의 진공이 전달되어 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하는 영역이고, 비흡착영역(1330)은 공기 챔버(1200)의 진공이 전달되지 않음에 따라 마이크로 LED(100)를 흡착하지 않는 영역이다.Theanodic oxidation film 1300 includes anadsorption area 1310 for vacuum adsorbing themicro LED 100 and anon-adsorption area 1330 for not adsorbing themicro LED 100 . Theadsorption area 1310 is an area where the vacuum of theair chamber 1200 is transferred to vacuum-adsorb themicro LED 100, and thenon-adsorption area 1330 is a micro LED as the vacuum of theair chamber 1200 is not transferred. This is a region in which (100) is not adsorbed.

바람직하게는, 흡착영역(1310)은 기공(1303)의 상, 하가 관통되는 영역이고, 비흡착영역(1330)은 기공(1303)의 상, 하 중 적어도 어느 한 부분이 폐쇄된 영역일 수 있다.Preferably, theadsorption region 1310 may be a region through which the upper and lower portions of thepores 1303 penetrate, and thenon-adsorption region 1330 may be a region in which at least one of the upper and lower portions of thepores 1303 is closed. there is.

비흡착영역(1330)은 양극산화막(1300)의 적어도 일부 표면에 차폐부를 형성함으로써 구현될 수 있다. 위와 같은 차폐부는 양극산화막(1100)의 적어도 일부 표면으로 노출되는 기공(1303)의 입구를 막도록 형성된다. 차폐부는 양극산화막(1300)의 상, 하 표면 중에서 적어도 일부 표면에 형성될 수 있다. 차폐부는 다공성 부재(1100)의 표면으로 노출되는 기공(1303)의 입구를 막는 기능을 수행할 수 있는 것이라면 그 재질, 형상, 두께에는 한정이 없다. 바람직하게 차례부는 포토레지스트(PR, Dry Film PR포함) 또는 금속 재질로 추가로 형성될 수 있고, 배리어층(1301)일 수 있다.Thenon-adsorption area 1330 may be implemented by forming a shielding portion on at least a portion of the surface of theanodic oxide film 1300 . The shielding portion as described above is formed to block the entrance of thepores 1303 exposed to at least a portion of the surface of theanodic oxide film 1100 . The shielding part may be formed on at least a part of the upper and lower surfaces of theanodic oxide layer 1300 . The material, shape, and thickness of the shielding unit are not limited as long as it can perform a function of blocking the entrance of thepores 1303 exposed to the surface of theporous member 1100 . Preferably, the turn portion may be additionally formed of photoresist (including PR, dry film PR) or a metal material, and may be abarrier layer 1301.

비흡착영역(1330)은 양극산화막(1310)의 제조 시 형성된 배리어층(1301)에 의해 수직 형상의 기공(1303)의 상, 하 중 어느 한 부분이 폐쇄되도록 하여 형성될 수 있고, 흡착영역(1310)은 에칭 등의 방법으로 배리어층(1301)이 제거되어 수직 형상의 기공(1303)의 상, 하가 서로 관통되도록 형성될 수 있다.Thenon-adsorption area 1330 may be formed by closing any one of the upper and lower portions of thevertical pores 1303 by thebarrier layer 1301 formed during the manufacture of theanodic oxide film 1310, and the adsorption area ( 1310 may be formed such that the upper and lower portions of thevertical pores 1303 pass through each other by removing thebarrier layer 1301 by a method such as etching.

또한 상, 하로 관통하는 기공(1303)은 배리어층(1301)의 일부가 제거됨에 따라 형성되므로, 흡착영역(1310)의 양극산화막(1300)의 두께는 비흡착영역(1330)의 양극산화막(1300)의 두께보다 작다.In addition, since thepores 1303 penetrating up and down are formed as a part of thebarrier layer 1301 is removed, the thickness of theanodic oxide film 1300 in theadsorption area 1310 is equal to the thickness of theanodic oxide film 1300 in the non-adsorption area 1330. ) is less than the thickness of

도 8, 9에는, 배리어층(1301)이 양극산화막(1300)의 상부에 위치하고 기공(1303)이 있는 다공층(1305)이 하부에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 배리어층(1301)이 양극산화막(1300)의 하부에 위치하도록 도 8, 9에 도시된 양극산화막(1300)이 상, 하 반전되어 비흡착영역(1330)을 구성할 수 있다.8 and 9, it is shown that thebarrier layer 1301 is located on top of theanodic oxide film 1300 and theporous layer 1305 withpores 1303 is located on the bottom, but thebarrier layer 1301 is the anodic oxide film. Theanodic oxidation film 1300 shown in FIGS. 8 and 9 may be inverted upside down to be positioned below 1300 to form anon-adsorption area 1330 .

한편, 비흡착영역(1330)이 배리어층(1301)에 의해 기공(1303)의 상, 하 중 어느 한 부분이 폐쇄된 것으로 설명하였으나, 배리어층(1301)에 의해 폐쇄되지 않은 반대면은 별도의 코팅층이 추가되어 상, 하가 모두 폐쇄되도록 구성될 수 있다. 비흡착영역(1330)을 구성함에 있어서 양극산화막(1300)의 상, 하면이 모두 폐쇄되는 구성은, 양극산화막(1300)의 상, 하면 중 적어도 하나가 폐쇄되는 구성에 비해, 비흡착영역(1330)의 기공(1303)에 이물질이 잔존할 우려를 줄일 수 있다는 점에서 유리하다.On the other hand, although thenon-adsorption area 1330 has been described as having either the top or bottom of thepores 1303 closed by thebarrier layer 1301, the opposite side not closed by thebarrier layer 1301 is a separate A coating layer may be added so that both the upper and lower surfaces are closed. In configuring thenon-adsorption area 1330, the configuration in which both the upper and lower surfaces of theanodic oxidation film 1300 are closed is higher than the configuration in which at least one of the upper and lower surfaces of theanodic oxidation film 1300 is closed. ) It is advantageous in that it can reduce the possibility of foreign substances remaining in thepores 1303.

도 11에는 도 10에 도시된 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 변형례가 도시되어 있다. 도 11에 도시된 전사헤드(1000)는, 비흡착영역(1330)의 상부에는 양극산화막(1300)의 강도를 보강하기 위한 지지부(1307)가 추가로 형성된다. 일례로, 지지부(1307)는 금속 재질의 모재가 될 수 있다. 양극산화 시 사용된 금속 재질의 모재가 제거되지 않고 배리어층(1301)의 상부에 구비되면서 금속 재질(예건대, 알루미늄 또는 알루미늄 합금)의 모재가 지지부(1307)가 될 수 있다.FIG. 11 shows a modified example of the microLED transfer head 1000 shown in FIG. 10 . In thetransfer head 1000 shown in FIG. 11, asupport portion 1307 for reinforcing the strength of theanodic oxide film 1300 is additionally formed above thenon-adsorption area 1330. For example, thesupport part 1307 may be a base material made of metal. A base material of metal material (for example, aluminum or aluminum alloy) may serve as thesupport part 1307 while being provided on top of thebarrier layer 1301 without being removed during anodization.

도 11를 참조하면, 비흡착영역(1330)에서는 금속 재질의 모재(1307), 배리어층(1301) 및 기공(1303)이 형성된 다공층(1305)이 모두 구비된 채로 형성되고, 흡착영역(1310)은 금속 재질의 모재(1307) 및 배리어층(1301)이 제거됨에 따라 기공(1303)의 상, 하가 관통되도록 형성된다. 금속 재질의 모재(1307)가 비흡착영역(1330)에 구비되어 양극산화막(1300)의 강성을 확보할 수 있게 된다. 위와 같은 지지부(1307)의 구성에 의하여, 상대적으로 강도가 약한 양극산화막(1300)의 강도를 높일 수 있게 됨에 따라 양극산화막(1300)으로 구성되는 전사헤드(1000)의 크기를 대면적화 할 수 있다.Referring to FIG. 11, in thenon-adsorption area 1330, abase material 1307 made of metal, abarrier layer 1301, and aporous layer 1305 in which pores 1303 are formed are all provided, and the adsorption area 1310 ) is formed so that the top and bottom of thepores 1303 penetrate as thebase material 1307 made of metal and thebarrier layer 1301 are removed. Abase material 1307 made of metal is provided in thenon-adsorption area 1330 to secure the rigidity of theanodic oxide film 1300 . By the configuration of thesupport part 1307 as above, the strength of the relatively weakanodic oxide film 1300 can be increased, so that the size of thetransfer head 1000 composed of theanodic oxide film 1300 can be enlarged. .

도 12(a)에는, 도 10에 도시된 전사헤드(1000)의 변형례가 도시되어 있다. 도 12(a)에 도시된 전사헤드(1000)는, 양극산화막(1300)의 흡착영역(1310)에는 양극산화막(1300)의 자연발생적으로 형성되는 기공(1303) 이외에 투과홀(1309)이 추가로 형성된다. 투과홀(1309)은 양극산화막(1300)의 상면과 하면을 관통하도록 형성된다. 투과홀(1309)의 직경은 기공(1303)의 직경보다 더 크게 형성된다. 기공(1303)의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 투과홀(1309)이 형성되는 구성에 의하여, 기공(1303)만으로 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하는 구성에 비해, 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착면적을 키울 수 있게 된다.In FIG. 12(a), a modified example of thetransfer head 1000 shown in FIG. 10 is shown. In thetransfer head 1000 shown in FIG. 12(a), apenetration hole 1309 is added to theadsorption area 1310 of theanodic oxide film 1300 in addition to the naturally formedpores 1303 of theanodic oxide film 1300. is formed with Thepenetration hole 1309 is formed to pass through the upper and lower surfaces of theanodic oxide film 1300 . The diameter of thepenetration hole 1309 is larger than that of thepore 1303. By the configuration in which thepenetration hole 1309 having a larger diameter than the diameter of thepore 1303 is formed, compared to a configuration in which themicro LED 100 is vacuum-sucked only through thepore 1303, the vacuum for themicro LED 100 adsorption area can be increased.

이러한 투과홀(1309)은 전술한 양극산화막(1300) 및 기공(1303)이 형성된 후, 양극산화막(1300)을 수직방향으로 에칭함으로써 형성될 수 있다. 흡착영역(1310)에서의 진공 누설을 방지한다는 측면에서 투과홀(1309)은 흡착영역(1310)의 중심에 분포하는 것이 바람직하다.Thepenetration hole 1309 may be formed by etching theanodic oxide film 1300 in a vertical direction after theanodic oxide film 1300 and thepores 1303 are formed. In terms of preventing vacuum leakage from theadsorption area 1310 , it is preferable that the permeation holes 1309 are distributed in the center of theadsorption area 1310 .

한편, 전사헤드(1000) 전체적인 관점에서 살펴보면, 투과홀(1309)은 각각의 흡착영역(1310)의 위치에 따라 그 크기 및 개수를 달리할 수 있다. 진공펌프가 전사헤드(1000)의 중심에 위치하는 경우에는, 전사헤드(1000)의 가장자리 측으로 갈수록 진공압이 감소되어 흡착영역(1310)간의 진공압의 불균일이 초래될 수 있다. 이런 경우에는 전사헤드(1000)의 가장자리 측으로 위치하는 흡착영역(1310) 내의 투과홀(1309)에 의해 형성되는 흡착 면적의 크기를, 전사헤드(1000)의 중심 측으로 위치하는 흡착영역(1310) 내의 투과홀(1309)에 의해 형성되는 흡착 면적의 크기보다 더 크게 형성할 수 있다. 이처럼 흡착영역(1310)의 위치에 따라 투과홀(1309)의 흡착면적의 크기에 변화를 줌으로써, 흡착영역(1310) 간에 발생하는 진공압의 불균일을 해소하여 균일한 진공 흡착력을 제공할 수 있다.Meanwhile, from the overall viewpoint of thetransfer head 1000, the number and size of the penetration holes 1309 may vary depending on the location of eachadsorption area 1310. When the vacuum pump is located at the center of thetransfer head 1000, the vacuum pressure decreases toward the edge of thetransfer head 1000, which may cause non-uniform vacuum pressure between theadsorption areas 1310. In this case, the size of the adsorption area formed by thepenetration hole 1309 in theadsorption area 1310 located at the edge of thetransfer head 1000 is determined by the size of theadsorption area 1310 located at the center of thetransfer head 1000. The adsorption area formed by thepenetration hole 1309 may be formed larger than the size. In this way, by changing the size of the adsorption area of thepermeation hole 1309 according to the position of theadsorption region 1310, the non-uniformity of the vacuum pressure generated between theadsorption regions 1310 can be eliminated and a uniform vacuum adsorption force can be provided.

도 12(b)에는, 도 10에 도시된 전사헤드(1000)의 변형례가 도시되어 있다. 도 12(b)에 도시된 전사헤드(1000)는, 양극산화막(1300)의 흡착영역(1310)의 하부에는 흡착홈(1310)이 추가로 형성된다. 흡착홈(1310)은 전술한 기공(1303) 또는 투과홀(1309)보다 더 큰 수평 면적을 갖으면서도 마이크로 LED(100)의 상면의 수평 면적보다 작은 면적을 갖는다. 이를 통해 마이크로 LED(100)에 대한 진공 흡착 면적을 더 키울 수 있게 되고, 흡착홈(1310)을 통해 마이크로 LED(100)에 대한 균일한 진공 흡착 면적을 제공할 수 있게 된다. 흡착홈(1310)은 전술한 양극산화막(1300) 및 기공(1303)이 형성된 후, 양극산화막(1300)의 일부를 소정의 깊이로 에칭함으로써 형성될 수 있다.In FIG. 12(b), a modified example of thetransfer head 1000 shown in FIG. 10 is shown. In thetransfer head 1000 shown in FIG. 12(b), anadsorption groove 1310 is additionally formed under theadsorption area 1310 of theanodic oxide film 1300. Theadsorption groove 1310 has a horizontal area larger than that of the above-describedpores 1303 orpenetration holes 1309 but smaller than the horizontal area of the upper surface of themicro LED 100 . Through this, the vacuum adsorption area for themicro LED 100 can be further increased, and a uniform vacuum adsorption area for themicro LED 100 can be provided through theadsorption groove 1310 . Theadsorption groove 1310 may be formed by etching a portion of theanodic oxide film 1300 to a predetermined depth after theanodic oxide film 1300 and thepores 1303 are formed.

제3실시예3rd embodiment

이하, 본 발명의 제3실시예에 대해 살펴본다.Hereinafter, look at the third embodiment of the present invention.

도 13는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 도시한 도면이다.13 is a diagram showing a microLED transfer head 1000 according to a third preferred embodiment of the present invention.

제3실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 제1,2다공성부재(1500, 1600)의 이중 구조를 포함하여 구성된다는 것을 특징으로 한다.The microLED transfer head 1000 according to the third embodiment is characterized in that it includes a dual structure of first and secondporous members 1500 and 1600.

제1다공성 부재(1500)의 하부에는 히터부(1001)이 구비된다. 제1다공성 부재(1500)의 표면에 형성되는 히터부(1001)는 다공성 부재(1100)의 표면에 형성되는 기공을 막지 않는 형태로 구성된다.Aheater unit 1001 is provided under the firstporous member 1500 . Theheater unit 1001 formed on the surface of the firstporous member 1500 is configured to not block pores formed on the surface of theporous member 1100 .

제1다공성 부재(1500)의 상부에는 제2다공성 부재(1600)가 구비된다. 제1다공성 부재(1500)는 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하는 기능을 수행하는 구성이고, 제2다공성 부재(1600)는 공기 챔버(1200)와 제1다공성 부재(1500) 사이에 위치하여 공기 챔버(1200)의 진공압을 제1다공성 부재(1500)에 전달하는 기능을 수행한다.A secondporous member 1600 is provided above the firstporous member 1500 . The firstporous member 1500 is a component that performs a function of vacuum adsorbing themicro LED 100, and the secondporous member 1600 is located between theair chamber 1200 and the firstporous member 1500 to air It serves to transfer the vacuum pressure of thechamber 1200 to the firstporous member 1500.

제1,2다공성 부재(1500, 1600)은 서로 다른 다공성의 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1,2다공성 부재(1500, 1600)는 기공의 배열 및 크기, 다공성 부재의 소재, 형상 등에서 서로 다른 특성을 가진다.The first and secondporous members 1500 and 1600 may have different porosity characteristics. For example, the first and secondporous members 1500 and 1600 have different characteristics in terms of arrangement and size of pores, material of the porous member, and shape.

기공의 배열 측면에서 살펴보면, 제1,2다공성 부재(1500, 1600) 중 하나는 기공이 일정한 배열을 갖는 것이고 다른 하나는 기공이 무질서한 배열을 갖는 것일 수 있다. 기공의 크기 측면에서 살펴보면, 제1,2다공성 부재(1500,1600) 중 어느 하나는 기공의 크기가 다른 하나에 비해 큰 것일 수 있다. 여기서 기공의 크기는 기공의 평균 크기일 수 있고, 기공 중에서의 최대 크기일 수 있다. 다공성 부재의 소재 측면에서 살펴보면, 어느 하나가 유기, 무기(세라믹), 금속, 하이브리드형 다공성 소재 중 하나의 소재로 구성되면 다른 하나는 어느 하나의 소재와는 다른 소재로서 유기, 무기(세라믹), 금속, 하이브리드형 다공성 소재 중에서 선택될 수 있다. 다공성 부재의 형상 측면에서 살펴보면, 제1,2다공성 부재(1500, 1600)의 형상은 서로 상이하게 구성될 수 있다.In terms of the arrangement of pores, one of the first and secondporous members 1500 and 1600 may have a regular arrangement of pores, and the other may have a disordered arrangement of pores. In terms of pore size, any one of the first and secondporous members 1500 and 1600 may have a larger pore size than the other one. Here, the size of the pores may be an average size of pores or a maximum size among pores. In terms of the material of the porous member, if one is composed of one of organic, inorganic (ceramic), metal, and hybrid porous materials, the other is a material different from any one material, such as organic, inorganic (ceramic), It may be selected from among metals and hybrid porous materials. In terms of the shape of the porous member, the first and secondporous members 1500 and 1600 may have different shapes.

이처럼 제1,2다공성 부재(1500,1600)의 기공의 배열 및 크기, 소재 및 형상 등을 서로 달리함으로써 전사헤드(1000)의 기능을 다양하게 할 수 있고, 제1,2다공성 부재(1500, 1600)의 각각에 대한 상보적인 기능을 수행할 수 있게 할 수 있다. 다공성 부재의 개수는 제1,2다공성 부재처럼 2개로 한정되는 것은 아니며 각각의 다공성 부재가 서로 상보적인 기능을 갖는 것이라면 그 이상으로 구비되는 것도 제3실시예의 범위에 포함된다.As described above, the function of thetransfer head 1000 can be diversified by differentiating the arrangement, size, material, and shape of the pores of the first and secondporous members 1500 and 1600, and the first and secondporous members 1500, 1600), it is possible to perform complementary functions for each of them. The number of porous members is not limited to two like the first and second porous members, and if each porous member has a function complementary to each other, having more than that is also included in the scope of the third embodiment.

도 14를 참조하면, 제1다공성 부재(1500)는 전술한 제2실시예 및 그 변형례의 구성으로 구비될 수 있다. 제1다공성 부재(1500)의 하부에는 히터부(1001)가 구비된다. 히터부(1001)는 제1다공성 부재(1500)의 하부 표면에 형성된 기공을 막지 않으면서 소정의 두께를 가지면서 형성된다.Referring to FIG. 14 , the firstporous member 1500 may have the configuration of the above-described second embodiment and its modifications. Aheater unit 1001 is provided under the firstporous member 1500 . Theheater unit 1001 is formed while having a predetermined thickness without blocking pores formed on the lower surface of the firstporous member 1500 .

제2다공성 부재(1600)은 제1다공성 부재(1500)를 지지하는 기능을 갖는 다공성 지지체로 구성될 수 있다. 제2다공성 부재(1600)가 제1다공성 부재(1500)를 지지하는 기능을 달성할 수 있는 구성이라면 그 재료에는 한정이 없으며, 전술한 제1실시예의 다공성 부재(1100)의 구성이 포함될 수 있다. 제2다공성 부재(1600)는 제1다공성 부재(1500)의 중앙 처짐 현상 방지에 효과를 갖는 경질의 다공성 지지체로 구성될 수 있다. 예컨대, 제2다공성 부재(1600)는 다공성 세라믹 소재일 수 있다.The secondporous member 1600 may be composed of a porous support having a function of supporting the firstporous member 1500 . As long as the secondporous member 1600 has a structure capable of supporting the firstporous member 1500, the material is not limited, and the structure of theporous member 1100 of the first embodiment described above may be included. . The secondporous member 1600 may be formed of a rigid porous support having an effect of preventing central sagging of the firstporous member 1500 . For example, the secondporous member 1600 may be a porous ceramic material.

다공성 세라믹 소재의 경우, 다공성 기공의 크기가 불균일하고, 여러 방향에서 기공이 형성되어 있어 위치에 따른 진공압이 불균일하게 형성될 수 있다. 이와 달리, 양극산화막은 크기가 균일하고, 기공의 방향이 일방향(예컨데, 상하 방향)으로 형성되어 있으므로, 위치가 다르더라도 진공압이 균일하게 형성된다. 따라서, 전술한 바와 같이, 제1다공성부재(1500)가 기공을 갖는 양극산화막으로 구성되고, 제2다공성 부재(1600)가 다공성 세라믹 소재로 구성되면, 전사헤드(1000)의 다공성을 유지하면서 강성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 진공압의 균일성을 확보할 수 있게 된다.In the case of a porous ceramic material, the size of porous pores is non-uniform and pores are formed in various directions, so that vacuum pressure may be non-uniform depending on the location. Unlike this, since the size of the anodic oxide film is uniform and the pores are formed in one direction (eg, vertical direction), vacuum pressure is uniformly formed even if the location is different. Therefore, as described above, when the firstporous member 1500 is composed of an anodic oxide film having pores and the secondporous member 1600 is composed of a porous ceramic material, thetransfer head 1000 maintains its porosity while maintaining rigidity. It is possible to secure the uniformity of the vacuum pressure as well as to secure.

한편, 제1다공성 부재(1500)는 전술한 제2실시예 및 그 변형례의 구성으로 구비되면서, 제2다공성 부재(1600)는 제1다공성 부재(1500)와 마이크로 LED(100)간의 접촉시 이를 완충하기 위한 다공성 완충체로 구성될 수 있다. 제2다공성 부재(1600)가 제1다공성 부재(1500)를 완충하는 기능을 달성할 수 있는 구성이라면 그 재료에는 한정이 없으며, 전술한 제1실시예의 다공성 부재(1100)의 구성이 포함될 수 있다. 제2다공성 부재(1600)는 제1다공성 부재(1500)가 마이크로 LED(100)와 접촉되어 진공으로 마이크로 LED(100)를 흡착하는 경우에 제1다공성 부재(1500)가 마이크로 LED(100)에 맞닿아 마이크로 LED(100)를 손상시키는 것을 방지하는데 도움이 되는 연질의 다공성 완충체로 구성될 수 있다. 예컨대, 제2다공성 부재(1600)는 스펀지 등과 같은 다공성 탄성 재질일 수 있다.On the other hand, while the firstporous member 1500 is provided with the configuration of the above-described second embodiment and its modifications, the secondporous member 1600 is formed upon contact between the firstporous member 1500 and themicro LED 100. It may be composed of a porous buffer for buffering it. As long as the secondporous member 1600 has a structure that can achieve a function of buffering the firstporous member 1500, there is no limitation on the material, and the structure of theporous member 1100 of the first embodiment described above may be included. . In the secondporous member 1600, when the firstporous member 1500 comes into contact with themicro LED 100 and vacuums themicro LED 100, the firstporous member 1500 adheres to themicro LED 100. It may be composed of a soft, porous buffer that helps prevent contact and damage to themicro LED 100 . For example, the secondporous member 1600 may be a porous elastic material such as a sponge.

제4실시예Example 4

이하, 본 발명의 제4실시예에 대해 살펴본다.Hereinafter, look at the fourth embodiment of the present invention.

도 15은 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 도시한 도면이다.15 is a diagram showing a microLED transfer head 1000 according to a fourth preferred embodiment of the present invention.

제4실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 제1,2,3다공성부재(1700, 1800, 1900)의 삼중 구조를 포함하여 구성된다는 것을 특징으로 한다.The microLED transfer head 1000 according to the fourth embodiment is characterized in that it includes a triple structure of first, second, and thirdporous members 1700, 1800, and 1900.

제1다공성 부재(1500)의 하부에는 히터부(1001)이 구비된다. 히터부(1001)는 제1다공성 부재(1500)의 하부 표면에 형성된 기공을 막지 않으면서 소정의 두께를 가지면서 형성된다.Aheater unit 1001 is provided under the firstporous member 1500 . Theheater unit 1001 is formed while having a predetermined thickness without blocking pores formed on the lower surface of the firstporous member 1500 .

제1다공성 부재(1700)의 상부에는 제2다공성 부재(1800)가 구비되고, 제2다공성 부재(1800)의 상부에는 제3다공성 부재(1900)가 구비된다. 제1다공성 부재(1700)는 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하는 기능을 수행하는 구성이다. 제2다공성 부재(1800) 및 제3다공성 부재(1900) 중 적어도 하는 경질의 다공성 지지체이고 다른 하나는 연질의 다공성 완충체로 구성될 수 있다.A secondporous member 1800 is provided above the firstporous member 1700 , and a thirdporous member 1900 is provided above the secondporous member 1800 . The firstporous member 1700 is a component that performs a function of vacuum adsorbing themicro LED 100 . At least one of the secondporous member 1800 and the thirdporous member 1900 may be a hard porous support and the other may be a soft porous buffer.

제1다공성 부재(1700)은 제2실시예 및 그변형례의 구성으로 구비될 수 있고, 제2다공성 부재(1800)은 제1다공성 부재(1500)의 중앙 처짐 현상 방지에 효과를 갖는 경질의 다공성 지지체로 구성될 수 있으며(예컨대, 다공성 세라믹 소재), 제3다공성 부재(1900)는 연질의 다공성 완충체(예컨대, 스펀지 소재등과 같이 탄력이 높으면서 다공성인 소재)로 구성될 수 있다.The firstporous member 1700 may be provided in the configuration of the second embodiment and its modified examples, and the secondporous member 1800 is a hard material having an effect of preventing the central sagging of the firstporous member 1500. It may be composed of a porous support (eg, a porous ceramic material), and the thirdporous member 1900 may be composed of a soft porous buffer (eg, a highly elastic and porous material such as a sponge material).

위와 같은 구성에 의하여, 다수의 마이크로 LED(100)에 대해 균일하게 진공 흡착할 수 있고, 제1다공성 부재(1700)의 중앙 처짐 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 마이크로 LED(100)의 손상을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.With the above configuration, it is possible to uniformly vacuum adsorb the plurality ofmicro LEDs 100, prevent central sagging of the firstporous member 1700, and prevent damage to themicro LEDs 100. have an effect that can

제5실시예Example 5

이하, 본 발명의 제5실시예에 대해 살펴본다. 본 발명의 제5실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 기공을 갖는 다공성 부재(1300), 다공성 부재를 수직하게 관통하는 수직전도부 및 수직전도부와 연결되는 수평 전도부를 포함한다.Hereinafter, look at the fifth embodiment of the present invention. The microLED transfer head 1000 according to the fifth embodiment of the present invention includes aporous member 1300 having pores, a vertical conductive part vertically penetrating the porous member, and a horizontal conductive part connected to the vertical conductive part.

다공성 부재를 수직하게 관통하여 형성되는 수직전도부 및 수직전도부와 연결되어 표면측으로 노출되는 수평 전도부를 포함하는 히터부의 구성을 통해, 마이크로 LED(100)의 상면을 가열할 수 있다.The upper surface of themicro LED 100 can be heated through the configuration of the heater unit including a vertical conductive portion formed by vertically penetrating the porous member and a horizontal conductive portion connected to the vertical conductive portion and exposed to the surface side.

수직전도부(1351) 및 수직전도부(1351)와 연결되어 표면측으로 노출되는 수평전도부(1353)의 구성은 흡착영역(1310) 내에 구비될 수 있고, 비흡착영역(1330) 내에 구비될 수 있다. 다만, 수직전도부(1351) 및 수평전도부(1353)의 구성이 흡착영역(1310) 내에 구비되는 구성에 의하면, 마이크로 LED(100)를 흡착한 상태에서 히터부(1001)에 전기를 인가할 수 있다.The configuration of the verticalconductive part 1351 and the horizontalconductive part 1353 connected to the verticalconductive part 1351 and exposed to the surface side may be provided in theadsorption area 1310 or may be provided in thenon-adsorption area 1330. However, according to the configuration in which thevertical conduction unit 1351 and thehorizontal conduction unit 1353 are included in theadsorption area 1310, electricity can be applied to theheater unit 1001 while themicro LED 100 is adsorbed. .

도 17a, 17b를 참조하면, 흡착영역(1310)은 배리어층(1301)이 제거되어 기공(1303)의 상, 하가 관통되어 구성을 포함한다.Referring to FIGS. 17A and 17B , theadsorption area 1310 includes a structure in which thebarrier layer 1301 is removed andpores 1303 penetrate through the top and bottom.

이러한 흡착영역(1310)은 흡착부(a)와 히터부(b)를 포함한다.Theadsorption area 1310 includes an adsorption unit (a) and a heater unit (b).

흡착부(a)는 기공(1303)이 상, 하로 관통되는 부분으로서, 마이크로 LED(100)를 흡착하는 부분이며, 히터부(b)는 전도성 물질로 구성되는 부분이다.The adsorbing part (a) is a part through which thepores 1303 penetrate upward and downward, and is a part adsorbing themicro LED 100, and the heater part (b) is a part made of a conductive material.

수평전도부(1353)는 전사헤드(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착하는 흡착면의 반대면에 형성된다. 수직전도부(1351)는 마이크로 LED(100)가 흡착되는 흡착영역(1310) 내에 위치하게 된다. 수직전도부(1351)는 양극산화막(1300)의 기공(1303)에 충진되어 형성되며, 그 일단은 수평전도부(1353)와 일체로 연결되고 그 타단은 마이크로 LED(100)의 흡착면에 노출되게 형성된다.The horizontalconductive part 1353 is formed on the opposite side of the adsorption surface on which thetransfer head 1000 adsorbs themicro LED 100. The verticalconductive part 1351 is located in theadsorption area 1310 where themicro LED 100 is adsorbed. The verticalconductive part 1351 is formed by filling thepores 1303 of theanodic oxide film 1300, one end of which is integrally connected to the horizontalconductive part 1353, and the other end thereof is formed to be exposed to the adsorption surface of themicro LED 100. do.

이를 통해 흡착영역(1310)은 마이크로 LED(100)를 흡착함과 동시에 그 흡착면에 수직전도부(b)가 접촉함으로써 마이크로 LED(100)의 상면 가열이 가능하게 된다.Through this, theadsorption area 1310 adsorbs themicro LED 100 and at the same time, the top surface of themicro LED 100 can be heated by contacting the vertical conductive portion b with the adsorption surface.

도 17b는 도 17a의 'A'부분의 양극산화막(1300)의 상부에서 바라본 도면이며, 도 17b를 참조하면, 개구된 형태의 흡착영역(1310)이 형성되고 흡착영역(1310)의 주면으로는 배리어층(1301)에 의해 비흡착영역(1330)이 형성된다.FIG. 17B is a view from the top of theanodic oxide film 1300 of the 'A' part of FIG. Anon-adsorption area 1330 is formed by thebarrier layer 1301 .

계속해서 도 17b를 참조하면, 수평전도부(1353)는 흡착영역(1310)의 범위내에서 상, 하로 관통되는 기공(1303)의 일부만을 덮는 형태로 구성되고, 수평전도부(1353)에 의해 덮히지 않는 기공(1303)은 마이크로 LED(100)를 흡착하는 기능을 하게 된다.Continuing to refer to FIG. 17B, the horizontalconductive portion 1353 is configured to cover only a part of thepores 1303 penetrating upward and downward within the scope of theadsorption area 1310, and is not covered by the horizontalconductive portion 1353. Thepores 1303 that do not have a function of adsorbing themicro LED 100.

또한 나란하게 배치되는 각각의 수평전도부(1353)를 공통적으로 연결하는 공통히터부(1355)이 양극산화막(1300)의 일측에 구비될 수 있다. 하나의 공통히터부(1355)에 복수 개의 수평전도부(1353)가 연결되는 구성이다. 이러한 공통히터부(1355)의 구성을 통해 나란하게 배치되는 각각의 수평전도부(1353)를 일괄적으로 연결할 수 있게 된다.In addition, acommon heater unit 1355 that commonly connects the horizontalconductive units 1353 arranged side by side may be provided on one side of theanodic oxide film 1300 . A plurality of horizontalconductive parts 1353 are connected to onecommon heater part 1355. Through this configuration of thecommon heater unit 1355, each horizontalconductive unit 1353 disposed side by side can be collectively connected.

도 18에는 도 16에 도시된 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 변형례가 도시되어 있다. 도 18에 도시된 전사헤드(1000)는, 비흡착영역(1330)의 상부에는 양극산화막(1300)의 강도를 보강하기 위한 지지부(1307)가 추가로 형성된다. 일례로, 지지부(1307)는 금속 재질의 모재가 될 수 있다. 양극산화 시 사용된 금속 재질의 모재가 제거되지 않고 배리어층(1301)의 상부에 구비되면서 금속 재질(예건대, 알루미늄 또는 알루미늄 합금)의 모재가 지지부(1307)가 될 수 있다. 도 18을 참조하면, 비흡착영역(1330)에서는 금속 재질의 모재(1307), 배리어층(1301) 및 기공(1303)이 형성된 다공층(1305)이 모두 구비된 채로 형성되고, 흡착영역(1310)은 금속 재질의 모재(1307) 및 배리어층(1301)이 제거됨에 따라 기공(1303)의 상, 하가 관통되도록 형성된다. 금속 재질의 모재(1307)가 비흡착영역(1330)에 구비되어 양극산화막(1300)의 강성을 확보할 수 있게 된다. 위와 같은 지지부(1307)의 구성에 의하여, 상대적으로 강도가 약한 양극산화막(1300)의 강도를 높일 수 있게 됨에 따라 양극산화막(1300)으로 구성되는 마이크로 LED 전사헤드(1000)의 크기를 대면적화 할 수 있다.FIG. 18 shows a modified example of the microLED transfer head 1000 shown in FIG. 16 . In thetransfer head 1000 shown in FIG. 18, asupport portion 1307 for reinforcing the strength of theanodic oxide film 1300 is additionally formed above thenon-adsorption area 1330. For example, thesupport part 1307 may be a base material made of metal. A base material of metal material (for example, aluminum or aluminum alloy) may serve as thesupport part 1307 while being provided on top of thebarrier layer 1301 without being removed during anodization. Referring to FIG. 18, in thenon-adsorption area 1330, abase material 1307 made of metal, abarrier layer 1301, and aporous layer 1305 in which pores 1303 are formed are all provided, and the adsorption area 1310 ) is formed so that the top and bottom of thepores 1303 penetrate as thebase material 1307 made of metal and thebarrier layer 1301 are removed. Abase material 1307 made of metal is provided in thenon-adsorption area 1330 to secure the rigidity of theanodic oxide film 1300 . As the strength of the relatively weakanodic oxide film 1300 can be increased by the configuration of thesupport part 1307 as above, the size of the microLED transfer head 1000 composed of theanodic oxide film 1300 can be enlarged. can

도 19는, 도 16에 도시된 전사헤드(1000)의 변형례가 도시되어 있다. 도 19에 도시된 전사헤드(1000)는, 양극산화막(1300)의 흡착영역(1310)에는 양극산화막(1300)의 자연발생적으로 형성되는 기공(1303) 이외에 투과홀(1309)이 추가로 형성된다. 투과홀(1309)은 양극산화막(1300)의 상면과 하면을 관통하도록 형성된다. 투과홀(1309)의 직경은 기공(1303)의 직경보다 더 크게 형성된다. 이러한 투과홀(1309)은 전술한 양극산화막(1300) 및 기공(1303)이 형성된 후, 양극산화막(1300)을 수직방향으로 에칭함으로써 형성될 수 있다. 투과홀(1309)이 에칭에 의해 형성됨으로써, 단순히 기공(1303)을 확공하여 투과홀(1309)을 형성하는 것보다 더욱 안정적으로 투과홀(1309)을 형성시킬 수 있다. 이러한 투과홀(1309)을 이용하여 수직전도부(1351)을 형성을 보다 쉽게 구현할 수 있고, 마이크로 LED(100)와 수직전도부(1351)의 접촉면적을 키울 수 있게 된다.FIG. 19 shows a modified example of thetransfer head 1000 shown in FIG. 16 . In thetransfer head 1000 shown in FIG. 19, apenetration hole 1309 is additionally formed in theadsorption area 1310 of theanodic oxide film 1300 in addition to the naturally formedpores 1303 of theanodic oxide film 1300. . Thepenetration hole 1309 is formed to pass through the upper and lower surfaces of theanodic oxide film 1300 . The diameter of thepenetration hole 1309 is larger than that of thepore 1303. Thepenetration hole 1309 may be formed by etching theanodic oxide film 1300 in a vertical direction after theanodic oxide film 1300 and thepores 1303 are formed. Since thepenetration hole 1309 is formed by etching, thepenetration hole 1309 can be formed more stably than simply expanding thepore 1303 to form thepenetration hole 1309 . Using such apenetration hole 1309, the formation of the verticalconductive portion 1351 can be more easily implemented, and the contact area between themicro LED 100 and the verticalconductive portion 1351 can be increased.

제6실시예6th embodiment

이하, 본 발명의 제6실시예에 대해 살펴본다.Hereinafter, look at the sixth embodiment of the present invention.

도 20은 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)를 도시한 도면이다.20 is a diagram showing a microLED transfer head 1000 according to a sixth preferred embodiment of the present invention.

제6실시예에 따른 마이크로 LED 전사헤드(1000)는, 제1,2다공성부재(1500, 1600)의 이중 구조를 포함하여 구성된다는 것을 특징으로 한다. 제1다공성 부재(1500)의 상부에는 제2다공성 부재(1600)가 구비된다.The microLED transfer head 1000 according to the sixth embodiment is characterized in that it includes a dual structure of first and secondporous members 1500 and 1600. A secondporous member 1600 is provided above the firstporous member 1500 .

제1다공성 부재(1500)는 마이크로 LED(100)를 진공 흡착하는 기능을 수행하고, 제2다공성 부재(1600)는 공기 챔버(1200)와 제1다공성 부재(1500) 사이에 위치하여 공기 챔버(1200)의 진공압을 제1다공성 부재(1500)에 전달하는 기능을 수행한다.The firstporous member 1500 performs a function of vacuum adsorbing themicro LED 100, and the secondporous member 1600 is positioned between theair chamber 1200 and the firstporous member 1500 to form an air chamber ( 1200) to transfer the vacuum pressure to the firstporous member 1500.

제1다공성 부재(1500)는 금속을 양극산화하여 형성된 기공을 갖는 양극산화막으로 구비된다. 제1다공성 부재(1500)에는 제1다공성 부재(1500)를 수직하게 관통하는 수직전도부(1351) 및 수직전도부(1351)와 연결되는 수평전도부(1353)를 포함하는 히터부(1001)가 구비된다.The firstporous member 1500 includes an anodic oxide film having pores formed by anodizing a metal. The firstporous member 1500 is provided with aheater unit 1001 including a verticalconductive part 1351 vertically penetrating the firstporous member 1500 and a horizontalconductive part 1353 connected to the verticalconductive part 1351. .

제2다공성 부재(1600)은 제1다공성 부재(1500)를 지지하는 기능을 갖는 다공성 지지체로 구성될 수 있다. 제2다공성 부재(1600)가 제1다공성 부재(1500)를 지지하는 기능을 달성할 수 있는 구성이라면 그 재료에는 한정이 없다.The secondporous member 1600 may be composed of a porous support having a function of supporting the firstporous member 1500 . The material of the secondporous member 1600 is not limited as long as it can achieve the function of supporting the firstporous member 1500.

제2다공성 부재(1600)는 제1다공성 부재(1500)의 중앙 처짐 현상 방지에 효과를 갖는 경질의 다공성 지지체로 구성될 수 있다. 예컨대, 제2다공성 부재(1600)는 다공성 세라믹 소재일 수 있다.The secondporous member 1600 may be formed of a rigid porous support having an effect of preventing central sagging of the firstporous member 1500 . For example, the secondporous member 1600 may be a porous ceramic material.

다공성 세라믹 소재의 경우, 다공성 기공의 크기가 불균일하고, 여러 방향에서 기공이 형성되어 있어 위치에 따른 진공압이 불균일하게 형성될 수 있다. 이와 달리, 양극산화막은 크기가 균일하고, 기공의 방향이 일방향(예컨데, 상하 방향)으로 형성되어 있으므로, 위치가 다르더라도 진공압이 균일하게 형성된다.In the case of a porous ceramic material, the size of porous pores is non-uniform and pores are formed in various directions, so that vacuum pressure may be non-uniform depending on the location. Unlike this, since the size of the anodic oxide film is uniform and the pores are formed in one direction (eg, vertical direction), vacuum pressure is uniformly formed even if the location is different.

따라서, 전술한 바와 같이, 제1다공성부재(1500)가 기공을 갖는 양극산화막으로 구성되고, 제2다공성 부재(1600)가 다공성 세라믹 소재로 구성되면, 전사헤드(1000)의 다공성을 유지하면서 강성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 진공압의 균일성을 확보할 수 있게 된다.Therefore, as described above, when the firstporous member 1500 is composed of an anodic oxide film having pores and the secondporous member 1600 is composed of a porous ceramic material, thetransfer head 1000 maintains its porosity while maintaining rigidity. It is possible to secure the uniformity of the vacuum pressure as well as to secure.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. Or it can be carried out by modifying.

100: 마이크로 LED101: 성장기판
300: 표시기판1000: 전사헤드100: micro LED 101: growth substrate
300: display board 1000: transfer head

Claims (8)

Translated fromKorean

기공을 갖는 다공성 부재; 및
상기 다공성 부재의 표면에 형성된 히터부를 포함하고,
상기 다공성 부재는 마이크로 LED를 흡착하는 흡착영역을 포함하고,
상기 히터부는 상기 흡착영역에 대응되어 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 헤드.
a porous member having pores; and
A heater part formed on the surface of the porous member,
The porous member includes an adsorption area for adsorbing the micro LED,
The micro LED transfer head, characterized in that the heater unit is formed to correspond to the adsorption area, respectively.
삭제delete제1항에 있어서,
상기 히터부는 폐쇄형 루프로 구성되는 발열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 헤드.
According to claim 1,
The heater unit includes a heating unit configured as a closed loop micro LED transfer head.
제3항에 있어서,
상기 발열부의 내측으로 상기 흡착영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 헤드.
According to claim 3,
Micro LED transfer head, characterized in that the adsorption area is formed inside the heating part.
제1항에 있어서,
상기 히터부는 상기 다공성 부재 표면의 기공을 막지 않으면서 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 헤드.
According to claim 1,
The micro LED transfer head, characterized in that the heater unit is formed without blocking pores on the surface of the porous member.
기공을 갖는 다공성 부재; 및
상기 다공성 부재의 표면에 형성된 히터부를 포함하고,
상기 히터부는,
상기 다공성 부재를 수직하게 관통하는 수직전도부; 및
상기 수직전도부와 연결되며, 상기 다공성 부재의 표면에 형성되는 수평전도부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 헤드.
a porous member having pores; and
A heater part formed on the surface of the porous member,
the heater part,
a vertical conduction portion vertically penetrating the porous member; and
Micro LED transfer head, characterized in that it comprises a horizontal conductive portion connected to the vertical conductive portion and formed on the surface of the porous member.
제1항에 있어서,
상기 다공성 부재는 다공질 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 헤드.
According to claim 1,
The micro LED transfer head, characterized in that the porous member comprises a porous ceramic.
제1항에 있어서,
상기 다공성 부재는 양극산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 전사 헤드.


According to claim 1,
The micro LED transfer head, characterized in that the porous member comprises an anodic oxide film.

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