KR102484903B1 - Organic light emitting device and method of fabricating the same - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

본 발명은 화소 영역이 정의된 제 1 기판 상에 위치하는 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor), 산화물 박막 트랜지스터 상에 제1전극, 제2전극, 제1전극과 제2전극 사이에 위치하는 유기발광층을 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광다이오드 상에 수소를 함유하는 수소함유 무기막으로 이루어진 패시베이션층(passivation layer)을 포함하고, 제2전극은 유기발광층 상에 순차적으로 위치하는 수소확산방지층 및 전극층을 포함하며, 수소확산방지층은 수소와 결합하거나 수소를 격자 내부에 구속하는 금속 또는 금속합금으로 이루어진 유기발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention relates to an oxide thin film transistor positioned on a first substrate in which a pixel region is defined, a first electrode, a second electrode, and an organic positioned between the first electrode and the second electrode on the oxide thin film transistor. An organic light emitting diode including a light emitting layer and a passivation layer made of a hydrogen-containing inorganic film containing hydrogen on the organic light emitting diode, and the second electrode includes a hydrogen diffusion prevention layer and an electrode layer sequentially positioned on the organic light emitting layer. Including, the hydrogen diffusion prevention layer provides an organic light emitting device made of a metal or metal alloy that binds to hydrogen or confines hydrogen to the inside of the lattice, and a method of manufacturing the same.

Description

Translated fromKorean

유기발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Organic light emitting device and its manufacturing method {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 빛을 발광하는 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device that emits light and a manufacturing method thereof.

유기발광소자는 양 전극 사이로 전류가 흐를 때, 전극 사이에 위치한 유기화합물이 발광하는 전계발광 현상을 이용하여 빛을 발산하는 소자이다. 그리고, 이러한 유기화합물로 흐르는 전류의 양을 제어하여 발산되는 빛의 양을 조절함으로써 영상을 표시하는 장치가 유기발광 표시장치이다.An organic light emitting device is a device that emits light by using an electroluminescence phenomenon in which an organic compound positioned between electrodes emits light when a current flows between both electrodes. An organic light emitting display is a device that displays an image by controlling the amount of light emitted by controlling the amount of current flowing through the organic compound.

유기발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 유기화합물로 발광하기 때문에 경량화 및 박막화가 가능하다는 장점이 있다.Since the organic light emitting display device emits light with a thin organic compound between electrodes, it has the advantage of being lightweight and thin.

유기발광소자가 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor)에 의해 구동되는 경우에 있어, 여러 가지 원인들에 의해 산화물의 특성이 변하면, 트랜지스터의 전기적 거동의 변화가 일어나 문턱전압 시프트(Threshold Voltage Shift)가 일어날 수 있다. 문턱전압 시프트의 정도가 유기발광 패널의 회로 보상 범위를 벗어나게 된다면, 화면에 영향을 주어 얼룩을 발생시키거나 휘도 편차가 발생된다. In the case where an organic light emitting device is driven by an oxide thin film transistor, when the characteristics of the oxide change due to various causes, the electrical behavior of the transistor changes, resulting in a threshold voltage shift. It can happen. If the degree of the threshold voltage shift is out of the circuit compensation range of the organic light emitting panel, it affects the screen to generate stains or luminance deviation.

따라서, 이러한 문턱전압 시프트의 문제는 유기발광 표시장치의 신뢰성을 떨어뜨리는 주요한 원인이 될 수 있고, 산화물 박막 트랜지스터를 활용하는데 큰 제약이 되고 있다.Accordingly, the problem of the threshold voltage shift may be a major cause of deteriorating the reliability of the organic light emitting display device, and is a major limitation in utilizing the oxide thin film transistor.

본 발명의 목적은 문턱전압 시프트가 발생하지 않도록, 산화물 박막 트랜지스터의 전기적 거동의 변화를 방지함으로써, 신뢰성 있는 유기발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a reliable organic light emitting device and a manufacturing method thereof by preventing a change in electrical behavior of an oxide thin film transistor so that a threshold voltage shift does not occur.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은 화소 영역이 정의된 제 1 기판 상에 위치하는 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor), 산화물 박막 트랜지스터 상에 제1전극, 제2전극, 제1전극과 제2전극 사이에 위치하는 유기발광층을 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광다이오드 상에 수소를 함유하는 수소함유 무기막으로 이루어진 패시베이션층(passivation layer)을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, in one aspect, the present invention provides an oxide thin film transistor positioned on a first substrate in which a pixel region is defined, a first electrode, a second electrode on the oxide thin film transistor, An organic light emitting diode including an organic light emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode, and an organic light emitting device including a passivation layer made of an inorganic film containing hydrogen containing hydrogen on the organic light emitting diode. .

제2전극은 유기발광층 상에 순차적으로 위치하는 수소확산방지층 및 전극층을 포함할 수 있다.The second electrode may include a hydrogen diffusion prevention layer and an electrode layer sequentially positioned on the organic light emitting layer.

수소확산방지층은 수소와 결합하거나 수소를 격자 내부에 구속하는 금속 또는 금속합금으로 이루어질 수 있다.The hydrogen diffusion barrier layer may be formed of a metal or metal alloy that binds to hydrogen or confines hydrogen to the inside of the lattice.

다른 측면에서, 본 발명은 화소 영역이 정의된 제 1 기판 상에 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor)를 형성하고, 제 1 기판의 화소 영역에 대응되도록 산화물 박막 트랜지스터 상에 유기발광다이오드를 형성하고, 유기발광다이오드 상에 수소함유 무기막으로 패시베이션층(Passivation Layer)을 형성하고, 패시베이션층 상에 접착층을 형성하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention forms an oxide thin film transistor on a first substrate in which a pixel region is defined, and forms an organic light emitting diode on the oxide thin film transistor to correspond to the pixel region of the first substrate, , A method for manufacturing an organic light emitting device comprising forming a passivation layer with an inorganic film containing hydrogen on an organic light emitting diode and forming an adhesive layer on the passivation layer.

이 유기발광다이오드를 형성할 때, 산화물 박막 트랜지스터 상에 제1전극을 형성하고, 제1전극에 유기발광층을 형성하고, 유기발광층 상에 수소와 결합하거나 수소를 격자 내부에 구속하는 금속 또는 금속합금으로 수소확산방지층 및 수소확산방지층 상에 전극층을 순차적으로 형성할 수 있다. 이때 수소확산방지층을 형성한 후 공정 가스의 공정조건에서 수소확산방지층을 산화할 수 있다.When forming this organic light emitting diode, a first electrode is formed on an oxide thin film transistor, an organic light emitting layer is formed on the first electrode, and a metal or metal alloy is bonded to hydrogen on the organic light emitting layer or confined to the inside of the lattice. As a result, a hydrogen diffusion prevention layer and an electrode layer may be sequentially formed on the hydrogen diffusion prevention layer. At this time, after forming the hydrogen diffusion prevention layer, the hydrogen diffusion prevention layer may be oxidized under process conditions of process gas.

본 발명은 패시베이션층과 산화물 박막 트랜지스터 사이 수소확산방지층을 배치하여, 산화물 박막 트랜지스터의 전기적 거동의 변화가 방지되고, 문턱전압 시프트가 발생하지 않아, 유기발광소자의 신뢰성이 증대되는 효과가 있다.In the present invention, by disposing a hydrogen diffusion barrier layer between the passivation layer and the oxide thin film transistor, the change in electrical behavior of the oxide thin film transistor is prevented and the threshold voltage shift does not occur, thereby increasing the reliability of the organic light emitting device.

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 4는 소자 공정 중 발생한 잔류 수소가 수소확산방지층 내부로 흡수되는 메커니즘을 상세하게 설명한다.
도 5a는 수소확산방지층을 포함하지 않는 유기발광소자 내부의 잔류 수소가 산화물 박막 트랜지스터로 확산되어 산화물 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 시프트시키는 단면도이다.
도 5b는 도 3의 다른 실시예에 따른 유기발광소자 내부의 잔류 수소가 수소확산방지층의 내부에 흡수되어 산화물 박막 트랜지트터로 확산되지 않는 것을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5a의 유기발광소자와, 도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 이물 보상 기능을 비교한 도면이다.
도 7a는 도 5a의 유기발광소자에서 전극층의 투과도를 나타내고 있다.
도 7b는 도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자에서 제2전극의 투과도를 나타내고 있다.
도 8a 내지 도 8d는 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 일 제조공정 단면도들이다.1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device to which embodiments are applied.
2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment.
3 is a cross-sectional view of an organic light emitting device according to another embodiment.
4 explains in detail the mechanism by which residual hydrogen generated during the device process is absorbed into the hydrogen diffusion barrier layer.
5A is a cross-sectional view of shifting the threshold voltage of the oxide thin film transistor by diffusing residual hydrogen inside the organic light emitting device not including the hydrogen diffusion barrier layer into the oxide thin film transistor.
FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating that residual hydrogen inside the organic light emitting device according to another embodiment of FIG. 3 is absorbed into the hydrogen diffusion prevention layer and is not diffused into the oxide thin film transistor.
FIG. 6 is a view comparing foreign material compensation functions of the organic light emitting diode of FIG. 5A and the organic light emitting diode according to other exemplary embodiments of FIGS. 3 and 5B .
FIG. 7a shows the transmittance of the electrode layer in the organic light emitting device of FIG. 5a.
FIG. 7B shows the transmittance of the second electrode in the organic light emitting device according to another embodiment of FIGS. 3 and 5B.
8A to 8D are cross-sectional views of a manufacturing process of an organic light emitting device according to another embodiment.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail through exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, it should be noted that the same components have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.Also, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used in describing the components of the invention. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, order, or order of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element is directly connected or connectable to the other element, but there is another element between the elements. It will be understood that elements may be “connected”, “coupled” or “connected”. In the same vein, when a component is described as being formed “on” or “below” another component, that component is formed either directly by the other component or indirectly through another component. It should be understood as including

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치의 시스템 구성도이다.1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device to which embodiments are applied.

도 1을 참조하면, 유기발광 표시장치(100)는 타이밍 제어부(110), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130) 및 표시패널(140)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , an organic lightemitting display device 100 may include atiming controller 110 , adata driver 120 , agate driver 130 and adisplay panel 140 .

도 1을 참조하면, 제 1 기판(110)에는 일방향으로 형성되는 다수의 데이터 라인(DL: Data Line, DL1~DLn)과 다수의 데이터 라인과 교차하는 타방향으로 형성되는 다수의 게이트 라인(GL: Gate Line, GL1~GLm)의 교차 영역마다 화소(P: Pixel)가 정의된다.Referring to FIG. 1 , thefirst substrate 110 includes a plurality of data lines (DL: Data Line, DL1 to DLn) formed in one direction and a plurality of gate lines (GL) formed in the other direction crossing the plurality of data lines. : A pixel (P: Pixel) is defined for each crossing area of Gate Line, GL1~GLm).

표시패널(140) 상의 각 화소는 제 1 전극인 양극(anode), 제 2 전극인 음극(cathode) 및 유기발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자일 수 있다. 각 유기발광소자에 포함된 유기발광층은 적색, 녹색, 청색 및 백색용 유기발광층 중 적어도 하나 이상의 유기발광층 또는 백색 유기발광층을 포함할 수 있다.Each pixel on thedisplay panel 140 may be at least one organic light emitting device including an anode as a first electrode, a cathode as a second electrode, and an organic light emitting layer. The organic light emitting layer included in each organic light emitting device may include at least one organic light emitting layer among red, green, blue, and white organic light emitting layers or a white organic light emitting layer.

각 화소에는 게이트 라인(GLy), 데이터 라인(DLx) 및 고전위전압을 공급하기 위한 고전위전압라인(VDDx)이 배치되어 있다. 또한, 각 화소에는 게이트 라인(GLy) 및 데이터 라인(DLx) 사이에서 스위칭 트랜지스터(Switching transistor)가 배치되어 있고, 양극, 음극 및 유기발광층으로 구성된 유기발광다이오드(OLED)와 스위칭 트랜지스터의 소스 전극(혹은 드레인 전극) 및 고전위전압라인(VDDx) 사이에서 구동 트랜지스터(driving transistor)가 배치되어 있다.A gate line GLy, a data line DLx, and a high potential voltage line VDDx for supplying a high potential voltage are disposed in each pixel. In addition, in each pixel, a switching transistor is disposed between the gate line GLy and the data line DLx, and an organic light emitting diode (OLED) composed of an anode, a cathode, and an organic light emitting layer and a source electrode of the switching transistor ( Alternatively, a driving transistor is disposed between the drain electrode) and the high potential voltage line (VDDx).

스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터는 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor)로서, 반도체층으로 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide) 등으로 이루어진 산화물층과 게이트 전극, 소스/드레인 전극 등을 포함할 수 있다.The switching transistor and the driving transistor are oxide thin film transistors. An oxide layer made of IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO (Zinc Tin Oxide), ZIO (Zinc Indium Oxide), etc. as a semiconductor layer and a gate electrode, It may include source/drain electrodes and the like.

유기발광다이오드 상에는 유기발광다이오드를 1차적으로 수분과 산소로부터 보호하는 패시베이션층이 형성될 수 있다. 한편, 패시베이션층 상에는 접착층이 형성될 수 있다. 접착층 상에 형성되는 제 2 기판이 형성될 수 있다. 접착층과 제 2 기판 사이에는 컬러필터층이 포함되어 있다.A passivation layer may be formed on the organic light emitting diode to primarily protect the organic light emitting diode from moisture and oxygen. Meanwhile, an adhesive layer may be formed on the passivation layer. A second substrate formed on the adhesive layer may be formed. A color filter layer is included between the adhesive layer and the second substrate.

이하에서는, 전술한 유기발광 표시장치에 화소를 구성하는 유기발광소자에 대하여 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting element constituting a pixel in the above-described organic light emitting display device will be described in more detail with reference to drawings.

도 2는 일 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment.

도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 유기발광소자(200)는 화소 영역이 정의된 제 1 기판(210) 상에 위치하는 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor, 220), 산화물 박막 트랜지스터(220) 상에 배치된 유기발광다이오드(230), 유기발광다이오드(230) 상에 배치된 패시베이션층(passivation layer, 240)을 포함할 수 있다. 또한 일 실시예에 따른 유기발광소자(200)는 패시베이션층(240) 상에 배치된 접착층(250) 및 접착층(250) 상에 배치된 컬러필터층(270), 컬러필터층(270) 상에 위치하는 제 2 기판(260)을 포함한다.Referring to FIG. 2 , the organiclight emitting device 200 according to an exemplary embodiment includes an oxidethin film transistor 220 positioned on afirst substrate 210 in which a pixel region is defined, and an oxide thin film transistor 220 ), and apassivation layer 240 disposed on the organiclight emitting diode 230. In addition, the organiclight emitting device 200 according to an embodiment includes anadhesive layer 250 disposed on thepassivation layer 240, acolor filter layer 270 disposed on theadhesive layer 250, and acolor filter layer 270 disposed on the Asecond substrate 260 is included.

일 실시예에 따른 유기발광소자(200)는 산화물 박막 트랜지스터(210)을 기준으로 발광방향이 제 2 기판(260)으로, 유기발광다이오드(230)에서 발광하는 빛이 컬러필터층(270)을 통해 외부로 방출되는 상부발광(top emission) 유기발광소자이다. 상부발광 유기발광소자는 트랜지스터들이 구성된 제1기판과 반대방향으로 발광하므로 개구율이 높고 회로 설계의 자유도가 높은 장점을 가지고 있다.In the organiclight emitting device 200 according to an exemplary embodiment, light emitted from the organiclight emitting diode 230 passes through thecolor filter layer 270 in a light emitting direction toward thesecond substrate 260 based on the oxidethin film transistor 210 . It is a top emission organic light emitting device that is emitted to the outside. Since the top emission organic light emitting device emits light in the opposite direction to the first substrate on which the transistors are formed, it has an advantage of a high aperture ratio and a high degree of freedom in circuit design.

상부발광 방식으로 패시베이션층(240), 접착층(250) 및 제 2 기판(260)은 유기발광다이오드(230)에서 발광한 빛이 제 2 기판(260)으로 투과하는 재료, 예를 들어 투명한 재료(반투명한 재료 포함)로 이루어질 수 있다. 본 명세서에서 투명하다는 것은 유기발광다이오드(230)에서 발광한 빛이 외부로 투과하는 것을 의미한다.In the top emission method, thepassivation layer 240, theadhesive layer 250, and thesecond substrate 260 are materials through which light emitted from the organiclight emitting diode 230 is transmitted to thesecond substrate 260, for example, a transparent material ( (including translucent materials). Transparency in this specification means that light emitted from the organiclight emitting diode 230 is transmitted to the outside.

산화물 박막 트랜지스터(220)는 폴리실리콘 트랜지스터에 비해 높은 구동 전압이 요구되지만, 공정의 수가 작아서 생산 단가가 낮은 장점을 갖는다. 또한 오프 커런트(off current) 특성이 우수하여 60Hz 이하의 저 주파수로도 구동이 가능하다.The oxidethin film transistor 220 requires a higher driving voltage than a polysilicon transistor, but has a low manufacturing cost due to a small number of processes. In addition, because of its excellent off current characteristics, it can be driven at a low frequency of 60Hz or less.

이하 실시예들의 산화물 박막 트랜지스터(220)는 게이트전극이 소스/드레인 전극의 하부에 형성되는 바텀게이트(bottom gate) 방식을 예로써 도시하였다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 게이트전극이 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 방식일 수 있다.The oxidethin film transistor 220 of the following embodiments is illustrated as an example of a bottom gate method in which a gate electrode is formed below source/drain electrodes. However, the present invention is not limited thereto, and may be a top gate method in which a gate electrode is formed thereon.

이러한 산화물 박막 트랜지스터(220) 상에는 유기발광다이오드(230)가 형성된다. 유기발광다이오드(230)는 두 개의 전극들과 이들 사이에 위치하는 유기층을 포함한다. 이때 유기층은 유기발광층을 포함한다. 또한, 유기층은 원활한 엑시톤(exciton) 형성을 위해, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층 등을 더 포함할 수 있다.An organiclight emitting diode 230 is formed on the oxidethin film transistor 220 . The organiclight emitting diode 230 includes two electrodes and an organic layer positioned between them. In this case, the organic layer includes an organic light emitting layer. In addition, the organic layer may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like to smoothly form excitons.

다음으로, 유기발광다이오드(230) 상에는 패시베이션층(240)이 형성되는데, 필름 타입인 패시베이션층(240)은, 형성 과정에서 발생한 수소를 함유하는 수소함유 무기막으로 이루어질 수 있다.Next, apassivation layer 240 is formed on the organiclight emitting diode 230, and thepassivation layer 240, which is a film type, may be formed of a hydrogen-containing inorganic film containing hydrogen generated during the formation process.

패시베이션층(240) 상에는 접착층(250)이 형성되고, 접착층(250) 상에는 제 2 기판(260)이 형성된 하이브리드 봉지구조일 수 있다. 접착층(250)과 제 2 기판(260) 사이에는 컬러필터층(270)이 포함되어 있다.Theadhesive layer 250 may be formed on thepassivation layer 240 and thesecond substrate 260 may be formed on theadhesive layer 250 to form a hybrid encapsulation structure. Acolor filter layer 270 is included between theadhesive layer 250 and thesecond substrate 260 .

전술한 산화물 박막 트랜지스터(220)는 산화물(oxide)을 포함하므로, 산화물의 변화에 따른 문턱전압 시프트가 발생할 수 있다. 따라서 유기발광소자(200) 내부의 잔류 수소에 의한, 문턱전압 시프트를 방지하기 위해,Since the aforementioned oxidethin film transistor 220 includes oxide, a threshold voltage shift may occur due to a change in oxide. Therefore, in order to prevent the threshold voltage shift due to residual hydrogen inside the organiclight emitting device 200,

유기발광다이오드(230)에 포함된 두개의 전극들 중 중 하나가 수소와 결합하거나 수소를 격자 내부에 구속하는 금속 또는 금속합금으로 이루어진 수소확산방지층을 포함할 수 있다. 또한 수소확산방지층은 유기발광소자(200)의 형성 과정에서 발생된 잔류 수소의 확산을 방지하기 위해 잔류 수소를 흡수하는 격자 틈새를 가진 면심입방 격자구조 또는 체심입방 격자구조일 수 있다.One of the two electrodes included in the organiclight emitting diode 230 may combine with hydrogen or include a hydrogen diffusion prevention layer made of a metal or metal alloy that binds hydrogen to the inside of the lattice. In addition, the hydrogen diffusion prevention layer may have a face-centered cubic lattice structure or a body-centered cubic lattice structure having lattice gaps for absorbing residual hydrogen in order to prevent diffusion of residual hydrogen generated in the process of forming the organiclight emitting diode 200 .

이하에서 유기발광소자(200)의 형성 과정에서 발생된 잔류 수소의 확산을 방지하는 수소확산방지층을 포함하는 유기발광소자 및 그 제조방법의 실시예들을 도 3 내지 도 8d를 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of an organic light emitting device including a hydrogen diffusion prevention layer for preventing diffusion of residual hydrogen generated in the process of forming the organiclight emitting device 200 and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS. 3 to 8D.

도 3은 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an organic light emitting device according to another embodiment.

도 3을 참조하면, 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 화소 영역이 정의된 제 1 기판(310) 상에 위치하는 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor, 320), 산화물 박막 트랜지스터(320) 상에 배치된 유기발광다이오드(330), 유기발광다이오드(330) 상에 배치된 패시베이션층(passivation layer, 340)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 패시베이션층(340) 상에 형성된 접착층(350) 및 접착층(350) 상에 배치된 컬러필터층(370), 컬러필터층(370) 상에 위치하는 제 2 기판(360)을 포함한다.Referring to FIG. 3 , an organiclight emitting diode 300 according to another embodiment includes an oxidethin film transistor 320 positioned on afirst substrate 310 in which a pixel region is defined, and an oxide thin film transistor 320 ) and apassivation layer 340 disposed on the organiclight emitting diode 330. The organiclight emitting device 300 according to another embodiment includes anadhesive layer 350 formed on apassivation layer 340, acolor filter layer 370 disposed on theadhesive layer 350, and a secondcolor filter layer 370 disposed on thecolor filter layer 370. Asubstrate 360 is included.

제 1 기판(310) 상에 산화물 박막 트랜지스터(320)가 형성된다. 산화물 박막 트랜지스터(320)는 게이트 전극(321), 게이트 전극(321) 상에 위치하고 제 1 기판(310)을 덮도록 형성되는 게이트 절연막(323), 게이트 절연막(323) 상에 위치하고 산화물로 형성된 액티브층(active layer, 325), 액티브층(325) 상에 형성되고, 제 1 전극(331)에 연결되는 소스/드레인 전극(327), 액티브층(325) 상에 위치하고 소스 전극과 드레인 전극(327) 사이에 형성되는 에치 스토퍼(etch stopper, 326)를 포함한다.An oxidethin film transistor 320 is formed on thefirst substrate 310 . The oxidethin film transistor 320 includes agate electrode 321, agate insulating film 323 positioned on thegate electrode 321 and formed to cover thefirst substrate 310, and an active active film positioned on thegate insulating film 323 and formed of oxide. layer (active layer, 325), a source/drain electrode 327 formed on theactive layer 325 and connected to thefirst electrode 331, and a source electrode and adrain electrode 327 located on the active layer 325 ) and anetch stopper 326 formed between them.

제 1 기판(310)은 글래스(Glass) 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판 등일 수 있다. 또한, 제 1 기판(310) 상에는 불순원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(buffering layer)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 질화실리콘 또는 산화실리콘의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.Thefirst substrate 310 may be a plastic substrate including polyethylen terephthalate (PET), polyethylen naphthalate (PEN), polyimide, or the like, as well as a glass substrate. In addition, a buffering layer may be further provided on thefirst substrate 310 to block penetration of impurity elements. The buffer layer may be formed of, for example, a single layer or multiple layers of silicon nitride or silicon oxide.

제 1 기판(310) 상에 형성되는 게이트전극(321)은 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.Thegate electrode 321 formed on thefirst substrate 310 may include at least one of Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, and Cu. The above metals or alloys may be formed in a single layer or multiple layers.

한편, 게이트 전극(321)이 형성된 제 1 기판(310) 상에 게이트 절연막(323)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(323)은 SiOx, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT와 같은 무기절연물질 또는 예를 들어 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, agate insulating layer 323 is formed on thefirst substrate 310 on which thegate electrode 321 is formed. Thegate insulating film 323 is formed of an inorganic insulating material such as SiOx, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, or PZT or, for example, benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin. It may be made of an organic insulating material containing, or a combination thereof.

게이트 절연막(323) 상에는, 산화물로 이루어진 반도체층 또는 액티브층(active layer, 325)이 배치된다. 액티브층(325)은 산화물, 예를 들어 IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide) 중 어느 하나의 징크옥사이드계 산화물일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.On thegate insulating film 323, a semiconductor layer or anactive layer 325 made of oxide is disposed. Theactive layer 325 may be an oxide, for example, a zinc oxide-based oxide selected from among indium gallium zinc oxide (IGZO), zinc tin oxide (ZTO), and zinc indium oxide (ZIO), but is not limited thereto.

액티브층(325) 상에 위치하고, 제 1 전극(331)에 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극(327)은 예를 들어 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다. 특히 소스/드레인전극(327)은 크롬(Cr) 또는 탄탈륨(Ta) 등과 같은 고융점 금속으로 형성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.The source/drain electrode 327 located on theactive layer 325 and electrically connected to thefirst electrode 331 is, for example, Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr , Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu, or any one of metals or alloys thereof, and may be formed in a single layer or multiple layers. In particular, the source/drain electrodes 327 may be formed of a high melting point metal such as chromium (Cr) or tantalum (Ta), but is not limited thereto.

액티브층(325) 상에는, 소스/드레인 전극(327) 사이에 위치하는 에치 스토퍼(326)이 형성되는데, 이는 산화물 박막 트랜지스터(320)의 포토리쏘그래피에 의한 패터닝 공정을 수행할 때, 액티브층(325)이 에칭 용액에 의해 식각되는 것을 방지한다. 다만 에치 스토퍼(326)은 에칭 용액에 따라 생략될 수 있다.On theactive layer 325, anetch stopper 326 positioned between the source/drain electrodes 327 is formed. When a patterning process of the oxidethin film transistor 320 by photolithography is performed, the active layer ( 325) from being etched by the etching solution. However, theetch stopper 326 may be omitted depending on the etching solution.

한편, 소스/드레인 전극(327) 상에는 소스/드레인 전극(327)과 게이트 절연막(323)을 덮도록 평탄화층(329)이 형성된다. 평탄화층(329)은 기계적 강도, 내투습성, 성막 용이성, 생산성 등을 고려하여, 소수성의 성질을 갖고, 수소함유 무기막으로서, 예를 들어 SiON, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화알루미늄(AlOx) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.Meanwhile, aplanarization layer 329 is formed on the source/drain electrodes 327 to cover the source/drain electrodes 327 and thegate insulating layer 323 . Theplanarization layer 329 has a hydrophobic property in consideration of mechanical strength, moisture permeability, ease of film formation, productivity, and the like, and is a hydrogen-containing inorganic film, for example, SiON, silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), It may be formed of any one of aluminum oxide (AlOx).

이러한 평탄화층(329) 상에는 유기발광다이오드(330)가 형성되는데, 유기발광다이오드(330)는 제 1 전극(331), 뱅크(333), 유기층(335), 제 2 전극(337)을 포함할 수 있다.An organiclight emitting diode 330 is formed on theplanarization layer 329, and the organiclight emitting diode 330 may include afirst electrode 331, abank 333, anorganic layer 335, and asecond electrode 337. can

제 1 전극(331)은, 평탄화층(329)에 형성된 비아 홀(328)을 통해 소스/드레인 전극(327)과 전기적으로 접촉된다.Thefirst electrode 331 is in electrical contact with the source/drain electrodes 327 through the viahole 328 formed in theplanarization layer 329 .

제 1 전극(331)은 반사효율이 우수한 금속물질, 예를 들면 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 이루어질 수 있다.Thefirst electrode 331 may be made of a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al) or silver (Ag).

제 1 전극(331)은, 애노드 전극(양극)으로 투명한 도전성 물질로 이루어지고 상/하부에 반사효율이 우수한 금속을 보조전극으로 포함할 수도 있다. 투명한 도전성 물질은 예를 들면 ITO 또는 IZO와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 또한, 제 1 전극(331)은 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 등일 수도 있다.Thefirst electrode 331 is made of a transparent conductive material as an anode electrode (anode) and may include a metal having excellent reflection efficiency as an auxiliary electrode at upper and lower portions. Transparent conductive materials include, for example, metal oxides such as ITO or IZO, mixtures of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO2:Sb, poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1, 2-deoxy)thiophene] (PEDT), polypyrrole, and conductive polymers such as polyaniline, etc., but are not limited thereto. Also, thefirst electrode 331 may be a carbon nanotube, graphene, silver nanowire, or the like.

한편, 제 1 전극(331)의 엣지부 상에는 뱅크(333)가 형성되고, 뱅크(333)에는 제 1 전극(331)이 노출되도록 개구부가 구비된다. 이러한 뱅크(333)는 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx)과 같은 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 아크릴 수지(acrylic resin)와 같은 유기절연물질, 이들의 조합으로 이루어질 수 있으나 이에 제한되지 않는다.Meanwhile, abank 333 is formed on an edge portion of thefirst electrode 331 , and an opening is provided in thebank 333 to expose thefirst electrode 331 . Thebank 333 may be made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), or an organic insulating material such as benzocyclobutene or acrylic resin, or a combination thereof. Not limited.

노출된 제 1 전극(331) 상에는 유기층(335)이 형성되는데, 이러한 유기층(335)에는, 정공과 전자가 원활히 수송되어 엑시톤(exciton)을 형성할 수 있도록, 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transfer Layer, HTL), 유기발광층(Emitting Layer, EL), 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL) 등이 차례로 적층되어 포함될 수 있다.Anorganic layer 335 is formed on the exposedfirst electrode 331, and theorganic layer 335 has a hole injection layer (HIL) so that holes and electrons can be smoothly transported to form excitons. ), a hole transfer layer (HTL), an organic light emitting layer (Emitting Layer, EL), an electron transfer layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and the like may be sequentially stacked and included.

유기층(335) 상에는 캐소드 전극(음극)인 제 2 전극(337)이 배치된다. 제 2 전극(337)은 유기발광층(335) 상에 순차적으로 위치하는 수소확산방지층(337b) 및 전극층(337a)을 포함할 수 있다. 이때 전술한 바와 같이 수소확산방지층(337b)은 수소와 결합하거나 수소를 격자 내부에 구속하는 금속 또는 금속합금으로 이루어질 수 있다.Asecond electrode 337 serving as a cathode electrode (negative electrode) is disposed on theorganic layer 335 . Thesecond electrode 337 may include a hydrogendiffusion prevention layer 337b and anelectrode layer 337a sequentially disposed on the organiclight emitting layer 335 . At this time, as described above, the hydrogendiffusion prevention layer 337b may be formed of a metal or metal alloy that combines with hydrogen or confines hydrogen to the inside of the lattice.

수소확산방지층(337b)은, Li, Na, Cr, α-Fe, Mo, W, K 등의 체심입방 격자구조(body-centered cubic lattice) 또는 Pt, Pb, Ni, γ-Fe, Cu, Al, Au, Ag 등의 면심입방 격자구조(face-centered cubic lattice)의 금속 또는 금속합금으로 이루어져, 금속들의 격자 사이로 잔류 수소가 확산하거나 흡수되기 때문에, 잔류 수소가 산화물 박막 트랜지스터(320) 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.The hydrogendiffusion prevention layer 337b has a body-centered cubic lattice such as Li, Na, Cr, α-Fe, Mo, W, K, or Pt, Pb, Ni, γ-Fe, Cu, Al , Since it is made of a metal or metal alloy of face-centered cubic lattice such as Au or Ag, and residual hydrogen is diffused or absorbed between the metal lattices, the residual hydrogen diffuses toward the oxidethin film transistor 320. can prevent it from happening.

체심입방 격자구조를 가지는 금속 또는 금속 합금은 32%의 공극을 가지고 면심입방 격자구조를 가지는 금속 또는 금속 합금은 26%의 공극을 가지므로 패시베이션층(340)이나 평탄화층(329)가 증착되는 과정에서 생겨난 잔류 수소가 수소확산방지층(337b) 내로 확산되어 수소확산방지층(337b)의 내부에 고착되므로, 산화물 박막 트랜지스터(320)의 액티브층(325)으로 더 이상 확산되는 것을 방지할 수 있다.Since the metal or metal alloy having a body-centered cubic lattice structure has voids of 32% and the metal or metal alloy having a face-centered cubic lattice structure has 26% voids, thepassivation layer 340 or theplanarization layer 329 is deposited Since the residual hydrogen generated in the diffusion into the hydrogendiffusion prevention layer 337b is adhered to the inside of the hydrogendiffusion prevention layer 337b, further diffusion into theactive layer 325 of the oxidethin film transistor 320 can be prevented.

전극층(337a)는 캐소드 전극(음극)으로 유기층(335)에서 발광한 빛이 제 2 기판(360)으로 방출하도록 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 투명한 도전성 물질은 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Galium Zinc Oxide)와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 또한, 제 2 전극(336)은 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 등일 수도 있다. 특히 전극층(337a)은 전술한 금속 산화물로 이루어질 수 있다.Theelectrode layer 337a is a cathode electrode (cathode) and may be made of a transparent conductive material so that light emitted from theorganic layer 335 is emitted to thesecond substrate 360 . The transparent conductive material is, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), IGZO (Indium Galium Zinc Oxide), a mixture of metal and oxide such as ZnO:Al or SnO2:Sb, poly( 3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDT), polypyrrole, and conductive polymers such as polyaniline, but are not limited thereto. Also, the second electrode 336 may be carbon nanotube, graphene, or silver nanowire. In particular, theelectrode layer 337a may be made of the above-described metal oxide.

예를 들어 수소확산방지층(337b)는 금속합금인 ZnNi로 이루어지고, 전극층(337a)는 금속산화물인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다.For example, the hydrogendiffusion prevention layer 337b may be made of ZnNi, which is a metal alloy, and theelectrode layer 337a may be made of indium tin oxide (ITO), which is a metal oxide.

제2전극(337)에 포함되는 수소확산방지층(337b)과 전극층(337a)는 각각 단일층 또는 다층일 수 있다. 한편, 수소확산방지층(337b)과 전극층(337a)은 화소 영역 전체에 배치되어 잔류 수소가 산화물 박막 트랜지스터(325)로 확산되는 것을 전면적으로 방지할 수 있다.The hydrogendiffusion prevention layer 337b and theelectrode layer 337a included in thesecond electrode 337 may each have a single layer or multiple layers. Meanwhile, the hydrogendiffusion prevention layer 337b and theelectrode layer 337a are disposed over the entire pixel area to completely prevent residual hydrogen from diffusing into the oxidethin film transistor 325 .

유기발광다이오드(330) 상에는 제 2 전극(337)의 상면 전체를 덮도록 패시베이션층(passivation layer, 340)이 형성된다.Apassivation layer 340 is formed on the organiclight emitting diode 330 to cover the entire upper surface of thesecond electrode 337 .

패시베이션층(340)은 기계적 강도, 내투습성, 성막 용이성, 생산성 등을 고려하여, 소수성의 성질을 갖고, 수소함유 무기막으로서, SiON, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화알루미늄(AlOx) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.Thepassivation layer 340 has a hydrophobic property in consideration of mechanical strength, moisture resistance, ease of film formation, productivity, and the like, and is a hydrogen-containing inorganic film made of SiON, silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), aluminum oxide ( AlOx) may be formed of any one of them.

필름 타입의 패시베이션층(340)은 수분이나 산소의 침투를 더디게 함으로써, 수분과 산소에 민감한 유기층(335)이 수분과 접촉되는 것이 방지될 수 있다.The film-type passivation layer 340 slows down the penetration of moisture or oxygen, so that theorganic layer 335, which is sensitive to moisture and oxygen, may be prevented from coming into contact with moisture.

이러한 패시베이션층(340)은 보호층으로서 기능하는 것 이외에도, Ba, Ca, Cu, Fe, Hf, La, Mg, Nb, Ni, Pd, Pt, Se, Sr, Ta, Ti, V, Zr 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 비드(bid)를 더 포함함으로써, 후술할 소자 내부의 잔류 수소가 산화물 박막 트랜지스터(320)로 확산되는 것을 막는 역할을 할 수도 있다.In addition to functioning as a protective layer, thepassivation layer 340 is at least one of Ba, Ca, Cu, Fe, Hf, La, Mg, Nb, Ni, Pd, Pt, Se, Sr, Ta, Ti, V, and Zr. By further including a bead containing one metal, diffusion of residual hydrogen inside the element to the oxidethin film transistor 320, which will be described later, may be prevented.

패시베이션층(240)은 0.5μm 에서 1.0μm 의 상대적으로 두꺼운 두께를 갖도록 단일층으로 형성되나, 이에 한정되지 않고 다수층으로 형성될 수 있다.Thepassivation layer 240 is formed as a single layer to have a relatively thick thickness of 0.5 μm to 1.0 μm, but is not limited thereto and may be formed as multiple layers.

평탄화층(329) 또는 패시베이션층(340)은 화학기상증착, 물리기상증착, 플라즈마 화학기상증착 등의 공정으로 형성될 수 있다. 특히 플라즈마 화학기상증착으로 평탄화층(329) 또는 패시베이션층(340)을 형성할 경우 유기발광소자(300) 내부를 빠져나가지 못하는 잔류 수소가 발생된다. 패널 내부의 잔류 수소가 발생시키는 문제점에 대한 상세한 설명은 후술한다.Theplanarization layer 329 or thepassivation layer 340 may be formed by a process such as chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or plasma chemical vapor deposition. In particular, when theplanarization layer 329 or thepassivation layer 340 is formed by plasma chemical vapor deposition, residual hydrogen that cannot escape from the inside of the organiclight emitting device 300 is generated. A detailed description of the problem caused by residual hydrogen inside the panel will be described later.

한편, 패시베이션층(340) 상에는 접착층(350)이 형성되는데, 접착층(350)은 광 투과율이 우수한 투명성 접착 재료, 예를 들어 접착 필름(adhesive film) 또는 OCA(Optical Cleared Adhesive)로 형성될 수 있다. 접착층의 형성 방식은 금속리드(metal lid), 프릿실링(frit sealing), 박막(thin film) 증착 방식에 의할 수 있다.Meanwhile, anadhesive layer 350 is formed on thepassivation layer 340. Theadhesive layer 350 may be formed of a transparent adhesive material having excellent light transmittance, for example, an adhesive film or OCA (Optical Cleared Adhesive). . A method of forming the adhesive layer may be a metal lid, frit sealing, or thin film deposition method.

접착층(350)은 제 2 기판(360)의 전면에 접착되는 전면봉지(face sealing)구조로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 이러한 접착층(350)은 습기와 같은 외부 요인으로부터 유기발광다이오드(330)를 보호함과 아울러, 유기발광다이오드(330)를 봉지하는 제 2 기판(360)을 평탄화시킨다.Theadhesive layer 350 may have a face sealing structure that is bonded to the front surface of thesecond substrate 360, but is not limited thereto. Theadhesive layer 350 protects the organiclight emitting diode 330 from external factors such as moisture and flattens thesecond substrate 360 sealing the organiclight emitting diode 330 .

또한, 접착층(350)은, 예를 들어 Ba, Ca, Cu, Fe, Hf, La, Mg, Nb, Ni, Pd, Pt, Se, Sr, Ta, Ti, V, Zr 중 적어도 하나를 비드(bid)로 포함함으로써, 소자 내부의 잔류 수소를 흡수하는 역할을 할 수도 있다.In addition, theadhesive layer 350 may include, for example, at least one of Ba, Ca, Cu, Fe, Hf, La, Mg, Nb, Ni, Pd, Pt, Se, Sr, Ta, Ti, V, and Zr beads ( bid), it may play a role of absorbing residual hydrogen inside the device.

한편, 접착층(350) 상에는 컬러필터층(370)과 제 2 기판(360)이 배치된다.Meanwhile, thecolor filter layer 370 and thesecond substrate 360 are disposed on theadhesive layer 350 .

컬러필터층(370)은 컬러필터(372)와 컬러필터(372) 주위에 배치된 블랙매트릭스(374)를 포함할 수 있다.Thecolor filter layer 370 may include acolor filter 372 and ablack matrix 374 disposed around thecolor filter 372 .

제 2 기판(360)은 글래스(Glass) 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판 등일 수 있다.Thesecond substrate 360 may be not only a glass substrate, but also a plastic substrate including polyethylen terephthalate (PET), polyethylen naphthalate (PEN), polyimide, and the like.

도 4는 소자 공정 중 발생한 잔류 수소가 수소확산방지층 내부로 흡수되는 메커니즘을 상세하게 설명한다.4 explains in detail the mechanism by which residual hydrogen generated during the device process is absorbed into the hydrogen diffusion barrier layer.

도 4를 참조하면, 산화물 박막 트랜지스터(320)의 액티브층(325) 산화물을 환원시켜 소자 특성에 변화를 주는 것은 잔류 수소(430)이다.Referring to FIG. 4 , it is theresidual hydrogen 430 that changes the device characteristics by reducing the oxide of theactive layer 325 of the oxidethin film transistor 320 .

즉, 가스는 플라즈마 상태가 되면 다양한 형태로 분해되어 소자 내에 잔류하게 될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)과 같이 수소화실리콘(SiH4)과 아민(NH3) 가스의 플라즈마를 이용하는 증착 공정 중에, 상온처럼 저온에서도 단원자 또는 이온상태로 고체 내부를 쉽게 이동할 수 있는 확산성 수소(Diffusible Hydrogen)와 다른 원자와 결합하여 분자상으로 변한 비확산성 수소가 발생된다.That is, when the gas is in a plasma state, it may be decomposed into various forms and remain in the device. For example, during a deposition process using plasma of silicon hydride (SiH4) and amine (NH3) gas, such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), the inside of a solid in a monoatomic or ionic state even at a low temperature like room temperature Diffusible Hydrogen, which can move easily, and non-diffusible Hydrogen, which is changed into a molecular phase by combining with other atoms, are generated.

일반적인 유기발광소자(300)의 경우 잔류 수소가 발생하면, 고체 내부를 자유롭게 이동하게 된다. 특히 제1기판(310)과 제2기판(360)이 통상의 글래스 기판을 사용하는 경우에는, 잔류 수소(430)가 양 글래스 기판들(310, 360) 사이에 갇히게 됨으로써, 이 중 일부가 산화물 박막 트랜지스터(320)의 액티브층(325)에 도달할 수 있다.In the case of a general organiclight emitting device 300, when residual hydrogen is generated, it freely moves inside the solid. In particular, when thefirst substrate 310 and thesecond substrate 360 use ordinary glass substrates,residual hydrogen 430 is trapped between the twoglass substrates 310 and 360, so that some of them are formed as oxides. It may reach theactive layer 325 of thethin film transistor 320 .

특히 평탄화층(329)이나 패시베이션층(340)으로 성막되는 질화실리콘(SiNx), SiON 등이 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)되는 경우, 많은 양의 수소 및 불순물들이 발생한다. 특히 유기발광소자(300)의 경우 유기층(335)의 열적 손상 문제로 인하여 공정 온도가 100℃ 이내로 제한되기 때문에, 잔류 수소(430)의 양이 늘어날 수밖에 없다.In particular, when silicon nitride (SiNx), SiON, or the like formed as theplanarization layer 329 or thepassivation layer 340 is plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), a large amount of hydrogen and impurities are generated. In particular, in the case of the organiclight emitting device 300, since the process temperature is limited to 100° C. or less due to thermal damage of theorganic layer 335, the amount ofresidual hydrogen 430 is inevitably increased.

화학식 1을 참조하여 설명하면, SiH4 와 NH3의 혼합 가스를 이용하여 플라즈마화학기상증착 공정으로 질화실리콘을 증착하여 패시베이션층(340)을 형성하면, 패시베이션층(340) 또는 다른 층 중에 약 15 ~ 40% 가량의 잔류 수소(H2, 430)가 발생된다.Referring to Formula 1, when thepassivation layer 340 is formed by depositing silicon nitride by a plasma chemical vapor deposition process using a mixed gas of SiH4 and NH3, about 15 to 40 of thepassivation layer 340 or other layers % of residual hydrogen (H2, 430) is generated.

[화학식 1] [Formula 1]

SiH4 + 2NH3 → SiN2 + 5H2SiH4 + 2NH3 → SiN2 + 5H2

잔류 수소(430)는 도 3에 도시한 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)의 수소확산방지층(337a)를 이루는 재료(410), 예를 들어 금속 또는 금속 합금와 결합하거나, 금속 또는 금속합금의 격자 구조의 공극(420)에 구속될 수 있다.Theresidual hydrogen 430 is combined with amaterial 410 constituting the hydrogendiffusion prevention layer 337a of the organiclight emitting device 300 according to another embodiment shown in FIG. 3, for example, a metal or metal alloy, or a metal or metal alloy. can be confined to thevoids 420 of the lattice structure of

도 5a는 수소확산방지층을 포함하지 않는 유기발광소자 내부의 잔류 수소가 산화물 박막 트랜지스터로 확산되어 산화물 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 시프트시키는 단면도이고, 도 5b는 도 3의 다른 실시예에 따른 유기발광소자 내부의 잔류 수소가 수소확산방지층의 내부에 흡수되어 산화물 박막 트랜지스터로 확산되지 않는 것을 나타내는 단면도이다.5A is a cross-sectional view of shifting the threshold voltage of the oxide thin film transistor by diffusing residual hydrogen inside the organic light emitting device not including the hydrogen diffusion prevention layer into the oxide thin film transistor, and FIG. 5b is an organic light emitting device according to another embodiment of FIG. 3 It is a cross-sectional view showing that residual hydrogen inside is absorbed into the hydrogen diffusion prevention layer and is not diffused into the oxide thin film transistor.

도 5a를 참조하면, 제 2 기판(360)이 글래스 기판인 경우이고, 증착 공정에서 발생된 잔류 수소(630)는, 수소 분자 상태인 비확산성 수소(510)와 원자 상태로 해리된 확산성 수소(520)로 이루어진다. 패시베이션층(340)과 접착층(350)의 증착 공정에서 발생되어 소자 내부에 잔류된 확산성 수소(520)는 제 1 기판(310) 또는 제 2 기판(360)(특히 제 2 기판)에서 흡수하지 못하므로, 제 1 기판(310)과 제 2 기판(360) 사이에서 자유롭게 확산될 수 있다. 따라서 확산성 수소(520)의 일부가 산화물 박막 트랜지스터(320)로 확산되어, 산화물 박막 트랜지스터(320)의 액티브층(325)를 구성하는 산화물을 환원시킬 수 있다.Referring to FIG. 5A , when thesecond substrate 360 is a glass substrate, the residual hydrogen 630 generated in the deposition process isnon-diffusible hydrogen 510 in a hydrogen molecular state and diffusible hydrogen dissociated into an atomic state. (520). Thediffusible hydrogen 520 generated in the deposition process of thepassivation layer 340 and theadhesive layer 350 and remaining inside the device is not absorbed by thefirst substrate 310 or the second substrate 360 (especially the second substrate). Therefore, it can freely diffuse between thefirst substrate 310 and thesecond substrate 360 . Accordingly, some of thediffusible hydrogen 520 diffuses into the oxidethin film transistor 320 to reduce the oxide constituting theactive layer 325 of the oxidethin film transistor 320 .

이러한 액티브층(325)의 환원은 결국 산화물 박막 트랜지스터(320)의 전기적 거동의 변화를 일으켜 문턱전압 시프트(threshold voltage shift)를 야기한다. 다시 말해 확산성 수소(520)는 산화물 반도체로 구성된 액티브층(325)에 도펀트로 작용하여 산화물 박막 트랜지스터(320)의 문턱전압을 음의 방향으로 이동시킨다. 문턱전압 시프트의 정도가 표시패널의 회로 보상 범위를 벗어나게 된다면, 화면에 영향을 주어 얼룩을 발생시키거나, 휘도 편차가 발생될 수 있다.The reduction of theactive layer 325 eventually changes the electrical behavior of the oxidethin film transistor 320 and causes a threshold voltage shift. In other words, thediffusible hydrogen 520 acts as a dopant on theactive layer 325 composed of an oxide semiconductor to move the threshold voltage of the oxidethin film transistor 320 in a negative direction. If the degree of threshold voltage shift is out of the circuit compensation range of the display panel, it may affect the screen to generate stains or luminance deviation.

도 5b를 참조하면, 패시베이션층(340)과 산화물 박막 트랜지스터(320), 구체적으로 유기층(335)와 전극층(337a)사이에 수소확산방지층(337b)를 포함하는 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 평탄화층(329)이나 패시베이션층(340) 등의 적층 구조에 존재하는 확산성 수소(520)가 수소확산방지층(337b)의 내부에 흡수되어 산화물 박막 트랜지스터(320)로 확산되지 않도록 하므로, 산화물 박막 트랜지스터(320)의 환원이 방지될 수 있다.Referring to FIG. 5B, an organic light emitting device according to another embodiment including a hydrogendiffusion prevention layer 337b between thepassivation layer 340 and the oxidethin film transistor 320, specifically, theorganic layer 335 and theelectrode layer 337a ( 300) prevents thediffusible hydrogen 520 present in the stacked structure such as theplanarization layer 329 or thepassivation layer 340 from being absorbed into the hydrogendiffusion prevention layer 337b and diffusing into the oxidethin film transistor 320. , reduction of the oxidethin film transistor 320 can be prevented.

도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 이물로 인한 전극들 사이의 쇼트를 방지하는 이물 보상층의 기능을 하는 수소확산방지층(337b)을 표시패널 내에 포함시키는 구조를 제안한다.The organiclight emitting diode 300 according to another embodiment of FIGS. 3 and 5B has a structure in which a hydrogendiffusion prevention layer 337b functioning as a foreign material compensation layer to prevent a short circuit between electrodes due to foreign matter is included in the display panel. Suggest.

도 6은 도 5a의 유기발광소자와, 도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 이물 보상 기능을 비교한 도면이다.FIG. 6 is a view comparing foreign material compensation functions of the organic light emitting diode of FIG. 5A and the organic light emitting diode according to other exemplary embodiments of FIGS. 3 and 5B .

도 6에서 610은 패널공정 과정에서 침투한 이물을 지시한다. 도 5a의 유기발광소자(500)에서 수소확산방지층(337b)을 포함하지 않는 전극층(337a)은 이물(610)이 침투할 경우 제1전극(331)과 쇼트가 발생한다. 다시 말해 제2전극인 전극층(337a)은 산화물 계열의 투명전도막을 사용하기 때문에 산화물 계열의 투명전도막을 산화시켜 제1전극(331)과 쇼트를 방지하는 기술을 적용할 수 없다.In FIG. 6, 610 indicates a foreign material that has penetrated during the panel process. In the organiclight emitting device 500 of FIG. 5A , when aforeign substance 610 penetrates into theelectrode layer 337a that does not include the hydrogendiffusion barrier layer 337b, a short circuit occurs with thefirst electrode 331. In other words, since theelectrode layer 337a, which is the second electrode, uses an oxide-based transparent conductive film, a technique for preventing a short circuit with thefirst electrode 331 by oxidizing the oxide-based transparent conductive film cannot be applied.

반면 도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)에서, 수소확산방지층(337b)과 전극층(337a)을 포함하는 제2전극(337)은 수소확산방지층(337b)으로 인하여 이물(610)이 침투하여도 제1전극(210)과 전극층(337a) 사이에 쇼트가 발생하지 않아 암점 등과 같은 불량이 발생하지 않는다. 다시 말해 금속 또는 금속합금으로 이루어진 수소확산방지층(337b)을 산화시켜 제1전극(331)과 쇼트를 방지하는 기술을 적용할 수 있다. 즉 IZO, ITO, IGZO와 같은 TCO(transparent conductive oxide)를 전극층(337a)으로 증착하기 전에 산화에 의한 쇼트 방지기술이 적용된 수소확산방지층(337b)을 형성하므로 제1전극(331)과 쇼트를 방지할 수 있다. 이때 수소확산방지층(337b)의 표면이 산화되어 있다. 아울러, 도 6에 도시한 바와 같이 수소확산방지층(337b)과 제1전극(331)의 계면이 산화되어 있다. 이때 수소확산방지층(337b)과 제1전극(331)의 계면의 산화가 이물에 의한 쇼트를 오픈시키는 주된 역할을 한다.On the other hand, in the organiclight emitting device 300 according to the other embodiment of FIGS. 3 and 5B, thesecond electrode 337 including the hydrogendiffusion prevention layer 337b and theelectrode layer 337a is foreign matter due to the hydrogendiffusion prevention layer 337b. Even if 610 penetrates, a short does not occur between thefirst electrode 210 and theelectrode layer 337a, so that defects such as dark spots do not occur. In other words, a technique for preventing a short circuit with thefirst electrode 331 by oxidizing the hydrogendiffusion prevention layer 337b made of metal or metal alloy may be applied. That is, a hydrogendiffusion prevention layer 337b, to which an oxidative short circuit prevention technology is applied, is formed before depositing TCO (transparent conductive oxide) such as IZO, ITO, or IGZO as theelectrode layer 337a, thereby preventing a short circuit with thefirst electrode 331. can do. At this time, the surface of the hydrogendiffusion prevention layer 337b is oxidized. In addition, as shown in FIG. 6, the interface between the hydrogendiffusion prevention layer 337b and thefirst electrode 331 is oxidized. At this time, oxidation of the interface between the hydrogendiffusion prevention layer 337b and thefirst electrode 331 plays a major role in opening a short caused by a foreign substance.

도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)를 적용할 경우, 제2전극(337)에 별도의 공정 없이 이물 보상층 기능을 하는 수소확산방지층(337)을 형성하므로, 제1전극(예를 들어 애노드)와 제2전극(예를 들어 캐소드)의 쇼트를 방지하여 암점 불량 발생 가능성을 낮추며, 패널 수율을 증가시킨다.When the organiclight emitting device 300 according to another embodiment of FIGS. 3 and 5B is applied, since the hydrogendiffusion prevention layer 337 functioning as a foreign matter compensation layer is formed on thesecond electrode 337 without a separate process, A short circuit between the first electrode (eg, anode) and the second electrode (eg, cathode) is prevented, thereby reducing the possibility of dark spot defects and increasing panel yield.

도 7a는 도 5a의 유기발광소자에서 전극층의 투과도를 나타내고 있다. 도 7b는 도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자에서 제2전극의 투과도를 나타내고 있다.FIG. 7a shows the transmittance of the electrode layer in the organic light emitting device of FIG. 5a. FIG. 7B shows the transmittance of the second electrode in the organic light emitting device according to another embodiment of FIGS. 3 and 5B.

도 7a를 참조하면, 도 5a의 유기발광소자(500)의 투명전극인 전극층(337a)은 가시광선 영역에서 평균 90% 이상의 투과도를 나타내지만 특정 파장(Blue영역)에서는 투과도가 90% 미만으로 저하되는 특성을 나타낸다.Referring to FIG. 7A, theelectrode layer 337a, which is a transparent electrode of the organiclight emitting device 500 of FIG. 5A, exhibits an average transmittance of 90% or more in the visible ray region, but the transmittance decreases to less than 90% at a specific wavelength (blue region). represents a characteristic.

도 7b를 참조하면, 도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 투명전극으로 수소확산방지층(337b)와 전극층(337a)을 포함하므로 가시광선 전체 영역에서 평균 90%이상의 투과도를 나타내며, 특정파장(블루 영역, 예를 들어 400nm~450nm의 가시광선 영역)에서도 투과도가 평균 90% 이상인 투과도를 나타낸다.Referring to FIG. 7B , since the organiclight emitting device 300 according to another embodiment of FIGS. 3 and 5B includes a hydrogendiffusion prevention layer 337b and anelectrode layer 337a as transparent electrodes, an average of 90% or more in the entire visible ray region is obtained. Indicates transmittance, and shows transmittance with an average transmittance of 90% or more even in a specific wavelength (blue region, for example, visible ray region of 400 nm to 450 nm).

특히 도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)에서 수소확산방지층(337b)의 두께(도 3에 도시한 t1)는 전극층(337a)의 두께(도 3에 도시한 t2)보다 작다. 즉 수소확산방지층(337b)은 전극층(337a)보다 두께가 얇을 수 있다(t2>T1). 예를 들어 수소확산방지층의 두께는 10 ~ 1000Å일 수 있다. 두께가 얇은 금속계열의 수소확산층(337b)과 두께가 두꺼운 금속산화물계열의 전극층(337a)을 2중으로 포함하는 구조로 제2전극(337)을 구성하므로 전체 가시광선 영역의 평균 투과도(90%이상) 및 블루 영역(예를 들어 400nm~450nm의 가시광선 영역)의 투과도(90%이상)를 증가시킬 수 있다.In particular, in the organiclight emitting device 300 according to another embodiment of FIGS. 3 and 5B, the thickness of the hydrogendiffusion prevention layer 337b (t1 shown in FIG. 3) is the thickness of theelectrode layer 337a (t2 shown in FIG. 3) smaller than That is, the thickness of the hydrogendiffusion prevention layer 337b may be thinner than that of theelectrode layer 337a (t2>T1). For example, the thickness of the hydrogen diffusion barrier layer may be 10 to 1000 Å. Since thesecond electrode 337 is composed of a structure including a thin metal-basedhydrogen diffusion layer 337b and a thick-thick metal oxide-basedelectrode layer 337a in double, the average transmittance in the entire visible ray region (90% or more) ) and transmittance (90% or more) of the blue region (for example, visible light region of 400 nm to 450 nm).

따라서, 도 3 및 도 5b의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)를 적용 시 전체 가시광선 영역의 평균 투과도(90%이상) 및 블루 영역(예를 들어 400nm~450nm의 가시광선 영역)의 투과도(90%이상)를 증가시킴으로써, 패널 효율을 증가시킬 수 있다.Therefore, when the organiclight emitting diode 300 according to another embodiment of FIGS. 3 and 5B is applied, the average transmittance (90% or more) of the entire visible ray region and the blue region (for example, the visible ray region of 400 nm to 450 nm) By increasing transmittance (more than 90%), panel efficiency can be increased.

이상에서 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)를 설명하였고, 이하에서 또다른 실시예들에 따른 유기발광소자의 제조 공정에 대해 설명한다.The organiclight emitting device 300 according to another embodiment has been described above, and a manufacturing process of the organic light emitting device according to another embodiment will be described below.

도 8a 내지 도 8d는 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 일 제조공정 단면도들이다.8A to 8D are cross-sectional views of a manufacturing process of an organic light emitting device according to another embodiment.

우선 도 8a를 참조하면, 제 1 기판(310)이 준비되고, 제 1 기판(310)의 세정 단계를 거친 후, 산화물 박막 트랜지스터(320)가 형성된다. 제 1 기판(310) 세정 단계에서는 표면 개선을 위해 플라즈마 처리(plasma treatment)가 수반될 수 있다.First, referring to FIG. 8A , afirst substrate 310 is prepared, and after a cleaning step of thefirst substrate 310 is performed, an oxidethin film transistor 320 is formed. In the cleaning step of thefirst substrate 310, plasma treatment may be performed to improve the surface.

제 1 기판(310)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 일실시예에 따른 유기발광소자(300)는 제 1 기판(310)은 글래스(Glass) 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판 등일 수 있다.For thefirst substrate 310, a material having excellent mechanical strength and dimensional stability may be selected as a material for forming the device. In the organiclight emitting device 300 according to an embodiment, thefirst substrate 310 is not only a glass substrate but also a plastic substrate including polyethylen terephthalate (PET), polyethylen naphthalate (PEN), polyimide, and the like. etc.

한편, 제 1 기판(310) 상에는 불순원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(buffering layer)이 더 형성될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 질화실리콘 또는 산화실리콘의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.Meanwhile, a buffering layer may be further formed on thefirst substrate 310 to block penetration of impurity elements. The buffer layer may be formed of, for example, a single layer or multiple layers of silicon nitride or silicon oxide.

이러한 제 1 기판(310) 상에는 산화물 박막 트랜지스터(320)가 형성된다.An oxidethin film transistor 320 is formed on thefirst substrate 310 .

산화물 박막 트랜지스터(320)는 절연물질로 이루어진 제 1 기판(310) 상에 알루미늄, 구리 등과 같이 전기적 저항이 작고 인장 응력(tensil stress)을 가지는 도전성 금속으로 이루어진 게이트 전극(321)이 형성된다.In the oxidethin film transistor 320, agate electrode 321 made of a conductive metal having low electric resistance and a tensile stress, such as aluminum or copper, is formed on afirst substrate 310 made of an insulating material.

게이트 전극(321)은 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.Thegate electrode 321 is made of at least one metal or alloy selected from among Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, and Cu, and is a single layer or multiple layers. It can be formed in layers.

또한, 제 1 기판(310) 상에 SiOx, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT와 같은 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질, 또는 이들의 조합으로 이루어진 게이트 절연막(323)이 형성된다. 게이트 절연막(323) 상에 게이트 전극(321)이 중앙에 위치하도록 IGZO, ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide) 등 징크옥사이드계 산화물로 이루어진 액티브층(325)이 형성된다.In addition, inorganic insulating materials such as SiOx, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT or benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin are formed on thefirst substrate 310. Agate insulating film 323 made of an organic insulating material including ) or a combination thereof is formed. Anactive layer 325 made of a zinc oxide-based oxide such as IGZO, zinc tin oxide (ZTO), or zinc indium oxide (ZIO) is formed on thegate insulating layer 323 so that thegate electrode 321 is located in the center.

액티브층(325) 상에 소스/드레인 전극(327)이 형성되고, 소스/드레인전극(327)은 예를 들어 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다. 특히 소스/드레인전극(327)은 크롬(Cr) 또는 탄탈륨(Ta) 등과 같은 고융점 금속으로 형성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.A source/drain electrode 327 is formed on theactive layer 325, and the source/drain electrode 327 is, for example, Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li , Ca, Mo, Ti, W, Cu, or any one of metals or alloys thereof, and may be formed in a single layer or multiple layers. In particular, the source/drain electrodes 327 may be formed of a high melting point metal such as chromium (Cr) or tantalum (Ta), but is not limited thereto.

이러한 산화물 박막 트랜지스터(320)의 형성 방법은, 우선 제 1 기판(310) 상에 알루미늄, 구리 등과 같은 도전성 금속을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 방법이나, 스퍼터링(sputtering) 등의 물리기상증착(Physical Vapor Deposition) 방법으로 증착한 후 포토리쏘그래피(photolithography) 방법으로 패터닝하여 게이트 전극(321)를 형성한다.The method of forming the oxidethin film transistor 320 is, first, a conductive metal such as aluminum or copper on thefirst substrate 310 by chemical vapor deposition or physical vapor deposition such as sputtering (sputtering). Thegate electrode 321 is formed by depositing using a physical vapor deposition method and then patterning using a photolithography method.

그리고, 기판(310) 상에 게이트 전극(321)을 덮도록 산화실리콘 또는 질화실리콘을 화학기상증착 방법으로 증착하여 게이트 절연막(323)을 형성한다.Then, silicon oxide or silicon nitride is deposited on thesubstrate 310 to cover thegate electrode 321 by chemical vapor deposition to form agate insulating layer 323 .

이후 게이트 절연막(323) 상에 불순물이 도핑되지 않은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide) 또는 ZIO(Zinc Indium Oxide) 등을 화학기상증착 등의 방법으로 순차적으로 증착하여 액티브층(325)을 형성한다.Thereafter, IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO (Zinc Tin Oxide), ZIO (Zinc Indium Oxide), etc., which are not doped with impurities, are sequentially deposited on thegate insulating film 323 by a method such as chemical vapor deposition to form an active layer ( 325) form.

이어서 크롬 또는 탄탈륨 등의 금속을 화학기상증착 등의 증착 방법과 포토리쏘그래피 방식으로 이중 단차를 갖도록 소스/드레인전극(327)을 형성한다.Subsequently, source/drain electrodes 327 are formed to have double steps by depositing a metal such as chromium or tantalum using a chemical vapor deposition method or a photolithography method.

다음 단계로서, 게이트 절연막(323) 상에 소스/드레인전극(327)과 액티브층(325)의 노출된 부분을 덮도록 수소함유 무기막, 예를 들어 산화실리콘 또는 질화실리콘을 증착하여 평탄화층(329)을 형성한다. 이 때, 소스/드레인전극(327)이 2중의 단차를 가지므로 평탄화층(329)의 스텝 커버리지(step coverage)가 저하되는 것이 방지된다.As a next step, a planarization layer ( 329) form. At this time, since the source/drain electrodes 327 have a double step, the step coverage of theplanarization layer 329 is prevented from deteriorating.

이후 평탄화층(329)을 패터닝하여 드레인전극(327)을 노출시키는 비아홀(328)을 형성한다.Thereafter, theplanarization layer 329 is patterned to form a viahole 328 exposing thedrain electrode 327 .

도 8b를 참조하면, 제 1 전극, 유기층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드(330)을 형성한다.Referring to FIG. 8B , an organiclight emitting diode 330 including a first electrode, an organic layer, and a second electrode is formed.

우선 제 1 전극(331)이 평탄화층(329) 상에 형성된다. 제 1 전극(331)은 각 화소 영역별로 형성되는데, 비아홀(328)을 통해 드레인 전극(327)과 전기적으로 접촉되고, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 재료로 패터닝될 수 있다. 포토레지스트(photoresist)를 스핀 코팅한 후, 프리 베이킹(pre-baking), 노광, 현상, 포스트 베이킹(post-baking), 에칭(etching) 과정을 거쳐 포토레지스트를 벗겨내는, 포토리쏘그래피 과정을 통해 패터닝된다. 제 1 전극(331)은 정공(hole)을 발생시키는 양극(anode)이 될 수 있다.First, afirst electrode 331 is formed on theplanarization layer 329 . Thefirst electrode 331 is formed for each pixel area, electrically contacts thedrain electrode 327 through the viahole 328, and may be patterned with a transparent material such as indium tin oxide (ITO). After spin-coating photoresist, pre-baking, exposure, development, post-baking, and etching process are used to remove the photoresist through a photolithography process. patterned. Thefirst electrode 331 may be an anode generating holes.

이후 제 1 전극(331)의 엣지부에 형성되어 제 1 전극(331)의 일부분을 노출시키는 개구부가 형성된 뱅크(333)가 형성된다. 뱅크(333)는 각종 트랜지스터 및 각종 배선들이 형성되어 표면이 매끄럽지 못하고, 울퉁불퉁하게 단차가 형성된 표면 위에 유기막을 형성할 경우, 단차진 부분에서 유기물이 열화되는 것을 방지하기 위한 것이다. 즉, 산화물 박막 트랜지스터(320) 및 각종 배선들이 형성된 영역과, 평탄한 기판 위에 단순히 박막들만 적층되어 평탄한 발광 영역을 구분하기 위해 비발광 영역 위에 뱅크(333)가 형성된다.Thereafter, abank 333 formed at an edge portion of thefirst electrode 331 and having an opening exposing a portion of thefirst electrode 331 is formed. Thebank 333 is to prevent deterioration of the organic material in the stepped portion when an organic film is formed on a surface where various types of transistors and various wires are formed and the surface is uneven and unevenly stepped. That is, thebank 333 is formed on the non-emission region to distinguish a region where the oxidethin film transistor 320 and various wirings are formed and a flat emission region in which only thin films are simply stacked on a flat substrate.

노출된 제 1 전극(331)과 뱅크(333) 상에는 유기층(335)이 형성된다. 보다 구체적으로는 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EL), 전자수송층(ETL), 전자주입층(HIL)이 순차적으로 적층된다. 정공과 전자가 발광층에서 만나 여기자(Exciton)을 형성하고, 여기자가 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으켜 화상을 표시하게 된다.Anorganic layer 335 is formed on the exposedfirst electrode 331 and thebank 333 . More specifically, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (HIL) are sequentially stacked. Holes and electrons meet in the light emitting layer to form excitons, and excitons fall from an excited state to a ground state to generate light and display an image.

이러한 유기층(335)을 화학기상증착, 물리기상증착, 용액 공정 등의 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 유기발광층은, 미세형상 금속마스크(Fine Metal Mask, FMM)를 이용하여 RGB 발광 물질을 증착하거나, LITI(Laser Induced Thermal Imaging) 방법 또는 스핀 코팅(spin coating)등의 용액 공정이 수행될 수 있다. LITI 방식은 레이저 빔을 도너 필름(donor film) 위에서 선택적으로 조사하여, 방출되는 열에 의해 박막이 선택적으로 전사(transfer)되는 방식이다.Theorganic layer 335 may be formed by chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or a solution process. For example, the organic light emitting layer is deposited with an RGB light emitting material using a fine metal mask (FMM), or a solution process such as LITI (Laser Induced Thermal Imaging) method or spin coating is performed. It can be. The LITI method is a method in which a laser beam is selectively irradiated on a donor film and a thin film is selectively transferred by heat emitted.

이어서, 유기층(335) 상에는 열증착 또는 이온 빔 증착을 통해, 수소확산방지층(337b)이 형성된다. 수소확산방지층(337b)은 금속 또는 금속합금일 수 있다. 이때, 수소확산방지층(337b)은 열이나 플라즈마에 의한 유기층(335)의 손상을 최소화하기 위하여 저온 증착에 의해 형성할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.Subsequently, a hydrogendiffusion prevention layer 337b is formed on theorganic layer 335 by thermal evaporation or ion beam evaporation. The hydrogendiffusion prevention layer 337b may be a metal or a metal alloy. In this case, the hydrogendiffusion prevention layer 337b may be formed by low-temperature deposition in order to minimize damage to theorganic layer 335 caused by heat or plasma, but is not limited thereto.

유기층(335) 상에 수소확산방지층(337b)를 형성한 후 수소확산방지층(337b)을 산화시키므로 제1전극(331)과 제2전극(337)이 이물에 의해 쇼트되는 것을 방지할 수 있다. 이때 수소확산방지층(337b)의 표면 및 수소확산방지층(337b)과 제1전극(331)의 계면을 산화시킨다. 구체적으로 수소확산방지층(337b)을 형성한 상태에서 예를 들어 O₂또는 O₂를 포함하는 공정 가스의 공정조건에서 저전위 전원전압 배선(VSS)과 고전위 전원전압(VDD) 배선 등 특정 전압을 인가할 수 있다. 이때 회로적으로 위 배선들을 통해 수소확산방지층(337b)에 전류가 흐르게 되고 이 수소확산방지층(337b)에 포함되는 금속 또는 금속합금과 전술한 공정 가스와 반응하여 수소확산방지층(337b)의 표면 및 수소확산방지층(337b)과 제1전극(331)의 계면이 산화된다. 특히 전류에 의한 줄열(Joule Heating)에 의해 수소확산방지층(337b)의 표면 및 수소확산방지층(337b)과 제1전극(331)의 계면의 산화가 가속화된다. 특히 수소확산방지층(337b)과 제1전극(331)의 계면과 같이 쇼트 발생 부위는 상태적으로 계면 불안정성이 높아 컨택 저항이 높기 때문에 가열 속도(Heating rate)가 높아 산화가 더욱 가속화된다.After the hydrogendiffusion prevention layer 337b is formed on theorganic layer 335, the hydrogendiffusion prevention layer 337b is oxidized, thereby preventing thefirst electrode 331 and thesecond electrode 337 from being shorted by foreign matter. At this time, the surface of the hydrogendiffusion prevention layer 337b and the interface between the hydrogendiffusion prevention layer 337b and thefirst electrode 331 are oxidized. Specifically, in the state in which the hydrogendiffusion prevention layer 337b is formed, for example, O 2 or a specific voltage such as a low potential power supply voltage wiring (VSS) and a high potential power supply voltage (VDD) wiring under process conditions of O₂ or O₂ containing process gas can be authorized. At this time, circuitwise, current flows through the hydrogendiffusion prevention layer 337b through the above wirings, and the metal or metal alloy included in the hydrogendiffusion prevention layer 337b reacts with the above-mentioned process gas to the surface and the surface of the hydrogendiffusion prevention layer 337b. The interface between the hydrogendiffusion prevention layer 337b and thefirst electrode 331 is oxidized. In particular, oxidation of the surface of the hydrogendiffusion prevention layer 337b and the interface between the hydrogendiffusion prevention layer 337b and thefirst electrode 331 is accelerated by Joule heating by current. In particular, oxidation is further accelerated due to a high heating rate because a short-circuit site, such as the interface between the hydrogendiffusion prevention layer 337b and thefirst electrode 331, has high interface instability and high contact resistance.

도 8c를 참조하면, 수소확산방지층(337b) 상에 전극층(337a)을 형성한다. 전극층(337a)은 금속산화물, 전도성 고분자, 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 중 하나로 전체 화소 영역에 형성한다.Referring to FIG. 8C , anelectrode layer 337a is formed on the hydrogendiffusion prevention layer 337b. Theelectrode layer 337a is formed over the entire pixel area using one of metal oxide, conductive polymer, carbon nanotube, graphene, and silver nanowire.

이어서 도 8d를 참조하면, 유기발광다이오드(330) 상에 패시베이션층(340)을 형성한다.Referring to FIG. 8D , apassivation layer 340 is formed on the organiclight emitting diode 330 .

패시베이션층(340)은 유기발광다이오드(330)를 수분과 불순물로부터 1차적으로 보호하는 역할을 한다. SiON, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화알루미늄(AlOx)으로 화학기상증착, 물리기상증착, 플라즈마 화학기상증착 등의 공정을 통해 패시베이션층(340)을 형성한다. 이 과정에서 잔류 수소(630)가 발생하게 된다.Thepassivation layer 340 primarily serves to protect the organiclight emitting diode 330 from moisture and impurities. Thepassivation layer 340 is formed using SiON, silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or aluminum oxide (AlOx) through a process such as chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or plasma chemical vapor deposition. In this process, residual hydrogen 630 is generated.

패시베이션층(240)은, 증착 공정시에 발생하는 수소를 함유하는, 수소함유 무기막(예를 들어 SiON, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화알루미늄(AlOx))으로서, 0.5μm 에서 1.0μm 의 상대적으로 두꺼운 두께를 갖도록 단일층으로 형성되나, 이에 한정되지 않고 다수층으로 형성될 수 있다.Thepassivation layer 240 is a hydrogen-containing inorganic film (for example, SiON, silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), aluminum oxide (AlOx)) containing hydrogen generated during the deposition process, and has a thickness of 0.5 μm. It is formed as a single layer to have a relatively thick thickness of 1.0 μm in , but may be formed in multiple layers without being limited thereto.

화학식 1을 참조하여 설명한 바와 같이 SiH4 와 NH3의 혼합 가스를 이용하여 플라즈마화학기상증착 공정으로 질화실리콘을 증착하여 패시베이션층(240)을 형성할 수 있다.As described with reference to Chemical Formula 1, thepassivation layer 240 may be formed by depositing silicon nitride using a plasma chemical vapor deposition process using a mixed gas of SiH4 and NH3.

패시베이션층(340)의 형성 공정과 별도로 제 2 기판(360)에 컬러필터(372)과 블랙매트릭스(374)을 포함하는 컬러필터층(370)을 형성하고, 제1기판(310)의 패시베이션층(340) 상에 접착층(350)을 이용하여 컬러필터층(370)이 형성된 제2기판(360)을 합착한다. 이를 통해 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)가 완성된다.Separately from the process of forming thepassivation layer 340, thecolor filter layer 370 including thecolor filter 372 and theblack matrix 374 is formed on thesecond substrate 360, and the passivation layer of the first substrate 310 ( 340, thesecond substrate 360 on which thecolor filter layer 370 is formed is bonded using theadhesive layer 350. Through this, the organiclight emitting device 300 according to another embodiment is completed.

패시베이션층(340)과 산화물 박막 트랜지스터(320) 사이에 수소확산방지층를 포함하는 실시예들에 따른 유기발광소자(300)는 패시베이션층(340) 내부의 수소가 산화물반도체로 확산하는 것을 방지하는 기능을 포함할 뿐만 아니라, 기존의 이물에 의한 암점 발생 방지 및 패널 효율 향상의 효과도 동시에 구현할 수 있다.The organiclight emitting device 300 according to the embodiments including the hydrogen diffusion prevention layer between thepassivation layer 340 and the oxidethin film transistor 320 has a function of preventing hydrogen inside thepassivation layer 340 from diffusing into the oxide semiconductor. In addition, the effects of prevention of dark spots caused by existing foreign substances and improvement of panel efficiency can be realized at the same time.

이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.Although embodiments have been described with reference to the drawings, the present invention is not limited thereto.

이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as "comprise", "comprise" or "having" described above mean that the corresponding component may be inherent unless otherwise stated, and therefore do not exclude other components. It should be construed that it may further include other components. All terms, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless defined otherwise. Commonly used terms, such as terms defined in a dictionary, should be interpreted as consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present invention, they are not interpreted in an ideal or excessively formal meaning.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations can be made to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (10)

Translated fromKorean

화소 영역이 정의된 제 1 기판 상에 위치하는 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor);
상기 산화물 박막 트랜지스터 상에 제1전극, 제2전극, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치하는 유기발광층을 포함하는 유기발광다이오드; 및
상기 유기발광다이오드 상에 수소를 함유하는 수소함유 무기막으로 이루어진 패시베이션층(passivation layer)을 포함하고,
상기 제2전극은 상기 유기발광층 상에 순차적으로 위치하는 수소확산방지층 및 전극층을 포함하며, 상기 수소확산방지층은 수소와 결합하거나 수소를 격자 내부에 구속하는 금속 또는 금속합금으로 이루어지며,
상기 수소확산방지층은 상기 유기발광층과 상기 전극층 사이에 위치하며,
상기 수소확산방지층의 표면은 산화되어 있는 유기발광소자.an oxide thin film transistor positioned on a first substrate in which a pixel region is defined;
an organic light emitting diode including a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting layer positioned between the first electrode and the second electrode on the oxide thin film transistor; and
A passivation layer made of a hydrogen-containing inorganic film containing hydrogen is included on the organic light-emitting diode,
The second electrode includes a hydrogen diffusion prevention layer and an electrode layer sequentially positioned on the organic light emitting layer, and the hydrogen diffusion prevention layer is made of a metal or metal alloy that bonds with hydrogen or confines hydrogen to the inside of the lattice,
The hydrogen diffusion prevention layer is located between the organic light emitting layer and the electrode layer,
An organic light emitting device in which the surface of the hydrogen diffusion prevention layer is oxidized.제 1항에 있어서,
상기 패시베이션층 상에 위치하는 접착층;
상기 접착층 상에 위치하는 제2기판; 및
상기 접착층과 상기 제2기판 사이에 위치하는 컬러필터층을 포함하는 유기발광소자.According to claim 1,
an adhesive layer positioned on the passivation layer;
a second substrate positioned on the adhesive layer; and
An organic light emitting device comprising a color filter layer positioned between the adhesive layer and the second substrate.제 1항에 있어서,
상기 전극층은 금속산화물, 전도성 고분자, 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 중 하나로 이루어지고, 상기 수소확산방지층은 금속합금으로 이루어진 유기발광소자.According to claim 1,
The electrode layer is made of one of metal oxides, conductive polymers, carbon nanotubes, graphene, and silver nanowires, and the hydrogen diffusion prevention layer is made of a metal alloy.제 3항에 있어서,
상기 금속산화물은 ITO(Indium Tin Oxide)이며, 상기 금속합금은 ZnNi인 유기발광소자.According to claim 3,
The metal oxide is indium tin oxide (ITO), and the metal alloy is ZnNi.제 1항에 있어서,
상기 제2전극의 투과율이 400nm~450nm의 가시광선 영역에서 평균 90% 이상인 유기발광소자.According to claim 1,
An organic light emitting device having an average transmittance of 90% or more in the visible ray region of 400 nm to 450 nm.제 5항에 있어서,
상기 제2전극의 투과율이 가시광선 전체 영역에서 평균 90% 이상인 유기발광소자.According to claim 5,
An organic light emitting device having an average transmittance of 90% or more in the entire visible light region.제5항에 있어서,
상기 수소확산방지층은 상기 전극층보다 두께가 얇은 유기발광소자.According to claim 5,
The hydrogen diffusion prevention layer is an organic light emitting device having a thinner thickness than the electrode layer.제1항에 있어서,
상기 수소확산방지층과 상기 전극층은 상기 화소 영역 전체에 배치된 유기발광소자.According to claim 1,
The hydrogen diffusion prevention layer and the electrode layer are disposed over the entire pixel area.삭제delete화소 영역이 정의된 제 1 기판 상에 산화물 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor)를 형성하는 단계;
상기 제 1 기판의 화소 영역에 대응되도록 상기 산화물 박막 트랜지스터 상에 유기발광다이오드를 형성하는 단계;
상기 유기발광다이오드 상에 수소함유 무기막으로 패시베이션층(Passivation Layer)을 형성하는 단계; 및
상기 패시베이션층 상에 접착층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 유기발광다이오드를 형성하는 단계는, 상기 산화물 박막 트랜지스터 상에 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극에 유기발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기발광층 상에 수소와 결합하거나 수소를 격자 내부에 구속하는 금속 또는 금속합금으로 수소확산방지층 및 상기 수소확산방지층 상에 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하며,
상기 수소확산방지층을 형성한 후, O₂를 포함하는 공정 가스의 공정조건에서 상기 수소확산방지층에 전류를 흐르게 하여, 상기 수소확산방지층에 포함된 금속 또는 금속합금과 상기 공정 가스가 반응하여 상기 수소확산방지층이 산화되는, 유기발광소자의 제조방법.forming an oxide thin film transistor on a first substrate in which a pixel region is defined;
forming an organic light emitting diode on the oxide thin film transistor to correspond to a pixel region of the first substrate;
forming a passivation layer of an inorganic film containing hydrogen on the organic light emitting diode; and
Forming an adhesive layer on the passivation layer,
Forming the organic light emitting diode may include forming a first electrode on the oxide thin film transistor;
forming an organic light emitting layer on the first electrode; and
Sequentially forming a hydrogen diffusion prevention layer and an electrode layer on the hydrogen diffusion prevention layer using a metal or metal alloy that bonds with hydrogen on the organic light emitting layer or confines hydrogen inside a lattice,
After forming the hydrogen diffusion prevention layer, a current is passed through the hydrogen diffusion prevention layer under process conditions of a process gas containing O₂ , so that the metal or metal alloy included in the hydrogen diffusion prevention layer reacts with the process gas to obtain the hydrogen A method for manufacturing an organic light emitting device in which the diffusion barrier layer is oxidized.

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