KR102450726B1 - Optical lens, light emitting module and light unit having thereof - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

실시 예에 따른 발광 모듈은, 상면 및 복수의 측면을 통해 광을 방출하는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 배치된 광학 렌즈를 포함하며, 상기 광학 렌즈는, 경사진 바닥면, 상기 발광 소자 상에 리세스를 갖는 입사면; 상기 입사면으로 입사된 광을 출사하며 곡면을 갖는 제1광 출사면; 및 상기 제1광 출사면의 하부 둘레에 배치되며 비 구면을 갖는 제2광 출사면을 포함하며, 상기 리세스의 깊이는 상기 광학 렌즈의 두께의 80% 이상이며, 상기 입사면을 통해 제2광 출사면으로 출사된 제1광의 출사각은 광축을 기준으로 상기 입사면의 입사각보다 작고, 상기 입사면을 통해 상기 바닥면에 의해 반사되어 상기 제2광 출사면으로 출사된 제2광의 출사각은 광축을 기준으로 상기 입사면의 입사각보다 작고, 상기 입사면과 상기 제1광 출사면은 곡률 반경의 중심이 서로 다르며, 상기 서로 다른 곡률 반경을 갖는 원들의 중심은 상기 입사면의 정점에 수평한 직선보다 아래에 배치되며, 광축을 기준으로 상기 입사면의 정점과 상기 입사면의 제1에지 사이의 선분 사이는 제1각도를 이루며, 상기 제1각도는 상기 바닥면의 경사진 각도보다 크다.A light emitting module according to an embodiment includes: a light emitting device emitting light through an upper surface and a plurality of side surfaces; and an optical lens disposed on the light emitting element, the optical lens comprising: an inclined bottom surface; an incident surface having a recess on the light emitting element; a first light emitting surface emitting the light incident on the incident surface and having a curved surface; and a second light exit surface disposed around the lower periphery of the first light exit surface and having an aspherical surface, wherein a depth of the recess is 80% or more of a thickness of the optical lens, and a second light exit surface is passed through the incidence surface. The emission angle of the first light emitted to the light exit surface is smaller than the incidence angle of the incidence surface with respect to the optical axis, and the exit angle of the second light reflected by the bottom surface through the incidence surface and emitted to the second light exit surface is smaller than the incident angle of the incident surface with respect to the optical axis, the incident surface and the first light output surface have different centers of radii of curvature, and the centers of circles having different radii of curvature are horizontal to the vertices of the incident surface. It is disposed below one straight line, and a line segment between the vertex of the incident surface and the first edge of the incident surface with respect to the optical axis forms a first angle, the first angle being greater than the inclined angle of the bottom surface. .

Description

Translated fromKorean

광학 렌즈, 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛{OPTICAL LENS, LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT UNIT HAVING THEREOF}Optical lens, light emitting module, and light unit having the same

본 발명은 광학 렌즈, 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to an optical lens, a light emitting module, and a light unit having the same.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device, for example, a light emitting diode (Light Emitting Device), is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since light emitting diodes generate light using semiconductor devices, they consume very low power compared to incandescent lamps that generate light by heating tungsten, or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet rays generated through high-voltage discharge onto phosphors. .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light by using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifespan, faster response characteristics, and environment-friendly characteristics compared to a conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.Accordingly, many studies have been conducted to replace the existing light source with a light emitting diode, and the use of the light emitting diode as a light source for lighting devices such as various lamps, display devices, electric signs, and street lamps used indoors and outdoors is increasing.

실시 예는 서로 다른 광 출사면을 갖는 광학 렌즈를 제공한다.An embodiment provides an optical lens having different light exit surfaces.

실시 예는 입사면 및 제1광 출사면의 정점이 동일한 방향으로 볼록한 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens in which the vertices of the incident surface and the first light exit surface are convex in the same direction.

실시 예는 입사면의 정점이 광원보다는 제1광 출사면의 정점에 더 인접한 광학 렌즈를 제공한다.Embodiments provide an optical lens in which the apex of the incident surface is closer to the apex of the first light exit surface than to the light source.

실시 예는 입사면의 둘레에 구면의 제1광 출사면과 경사진 비 구면의 제2광 출사면을 갖는 광학 렌즈를 제공한다.An embodiment provides an optical lens having a spherical first light exit surface and an inclined aspherical second light exit surface around an incident surface.

실시 예는 발광 소자의 둘레에 경사진 바닥면이 배치된 광학 렌즈를 제공한다.An embodiment provides an optical lens having a slanted bottom surface disposed around a light emitting device.

실시 예는 적어도 5면으로 발광하는 발광 소자로부터 입사된 광의 출사각을 변화시켜 주는 광학 렌즈를 제공한다.An embodiment provides an optical lens for changing an emission angle of light incident from a light emitting device emitting light on at least five surfaces.

실시 예는 광학 렌즈로부터 출사된 광의 휘도 분포를 제어할 수 있는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module capable of controlling the luminance distribution of light emitted from an optical lens.

실시 예는 광의 지향각을 벗어난 영역으로 방출되는 광의 출사각이 입사각보다 작은 광학 렌즈 및 이를 갖는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides an optical lens and a light emitting module having the same, in which an emission angle of light emitted to a region deviating from a beam angle of light is smaller than an incident angle.

실시 예는 회로 기판 상에 광학 렌즈로부터 반사된 광의 광량이 최대인 영역에 흡수 층을 제공한 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module in which an absorption layer is provided on a circuit board in a region where the amount of light reflected from an optical lens is maximum.

실시 예에 따른 광학 렌즈는, 바닥면; 상기 바닥면으로부터 볼록한 리세스; 상기 리세스의 둘레에 광이 입사되는 입사면; 상기 입사면으로 입사된 광을 방출하고 구면을 갖는 제1광 출사면; 및 상기 제1광 출사면의 외측 하부 둘레에 배치되며 비 구면을 갖는 제2광 출사면을 포함하며, 상기 리세스는 상기 제1광 출사면의 정점과 상기 바닥면 사이의 거리의 80% 이상의 깊이를 가지며, 상기 제1광 출사면의 영역 중 상기 리세스와 수직 방향으로 오버랩된 영역은 상기 리세스와 동일한 방향으로 볼록한 곡면을 포함하며, 상기 제1광 출사면은 서로 다른 곡률 반경을 갖고, 상기 서로 다른 곡률 반경을 갖는 원의 중심이 상기 리세스의 정점에 수평한 직선보다 아래에 배치되며, 상기 제2광 출사면은 상기 입사면으로 입사된 제1광의 입사각보다 작은 출사각을 갖고, 광 축을 기준으로 상기 입사면의 정점과 상기 입사면의 제1에지를 연결한 선분 사이의 각도는 제1각도를 가지며, 상기 바닥면은 광축에 직교하는 제1축 방향에 대해 제2각도로 경사지며, 상기 제1각도는 제2각도보다 크다. An optical lens according to an embodiment, a bottom surface; a recess convex from the bottom surface; an incident surface on which light is incident around the recess; a first light emitting surface emitting light incident on the incident surface and having a spherical surface; and a second light exit surface disposed around the lower outer periphery of the first light exit surface and having an aspherical surface, wherein the recess is at least 80% of a distance between the apex of the first light exit surface and the bottom surface having a depth, a region overlapping the recess in a vertical direction among the regions of the first light exit surface includes a curved surface convex in the same direction as the recess, the first light exit surface has different radii of curvature, The centers of circles having different radii of curvature are disposed below a straight line horizontal to the vertex of the recess, and the second light exit surface has an exit angle smaller than the incidence angle of the first light incident on the incidence surface, An angle between the vertex of the incident surface and a line segment connecting the first edge of the incident surface with respect to the axis has a first angle, and the bottom surface is inclined at a second angle with respect to a first axis direction orthogonal to the optical axis. , the first angle is greater than the second angle.

실시 예에 따른 발광 모듈은, 상면 및 복수의 측면을 통해 광을 방출하는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 배치된 광학 렌즈를 포함하며, 상기 광학 렌즈는, 경사진 바닥면, 상기 발광 소자 상에 리세스를 갖는 입사면; 상기 입사면으로 입사된 광을 출사하며 곡면을 갖는 제1광 출사면; 및 상기 제1광 출사면의 하부 둘레에 배치되며 비 구면을 갖는 제2광 출사면을 포함하며, 상기 리세스의 깊이는 상기 광학 렌즈의 두께의 80% 이상이며, 상기 입사면을 통해 제2광 출사면으로 출사된 제1광의 출사각은 광축을 기준으로 상기 입사면의 입사각보다 작고, 상기 입사면을 통해 상기 바닥면에 의해 반사되어 상기 제2광 출사면으로 출사된 제2광의 출사각은 광축을 기준으로 상기 입사면의 입사각보다 작고, 상기 입사면과 상기 제1광 출사면은 곡률 반경의 중심이 서로 다르며, 상기 서로 다른 곡률 반경을 갖는 원들의 중심은 상기 입사면의 정점에 수평한 직선보다 아래에 배치되며, 광축을 기준으로 상기 입사면의 정점과 상기 입사면의 제1에지 사이의 선분 사이는 제1각도를 이루며, 상기 제1각도는 상기 바닥면의 경사진 각도보다 크다.
A light emitting module according to an embodiment includes: a light emitting device emitting light through an upper surface and a plurality of side surfaces; and an optical lens disposed on the light emitting element, the optical lens comprising: an inclined bottom surface; an incident surface having a recess on the light emitting element; a first light emitting surface emitting the light incident on the incident surface and having a curved surface; and a second light exit surface disposed around the lower periphery of the first light exit surface and having an aspherical surface, wherein a depth of the recess is 80% or more of a thickness of the optical lens, and a second light exit surface is passed through the incidence surface. The emission angle of the first light emitted to the light exit surface is smaller than the incidence angle of the incidence surface with respect to the optical axis, and the exit angle of the second light reflected by the bottom surface through the incidence surface and emitted to the second light exit surface is smaller than the incident angle of the incident surface with respect to the optical axis, the incident surface and the first light output surface have different centers of radii of curvature, and the centers of circles having different radii of curvature are horizontal to the vertices of the incident surface. It is disposed below one straight line, and a line segment between the vertex of the incident surface and the first edge of the incident surface with respect to the optical axis forms a first angle, the first angle being greater than the inclined angle of the bottom surface. .

실시 예는 광학 렌즈 아래에 배치된 발광 소자의 측면으로 방출되는 광 경로를 제어하여, 광학 렌즈의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment may improve the luminance distribution of the optical lens by controlling the light path emitted to the side of the light emitting device disposed under the optical lens.

실시 예는 광학 렌즈로부터 추출된 광에 의한 핫 스팟과 같은 노이즈를 줄일 수 있다.The embodiment may reduce noise such as a hot spot caused by light extracted from an optical lens.

실시 예는 광학 렌즈에 의해 발광 소자 간의 간격을 넓게 제공하여, 광학 렌즈 간의 간섭을 줄여줄 수 있다.The embodiment may provide a wide gap between the light emitting elements by the optical lens, thereby reducing interference between the optical lenses.

실시 예는 회로 기판 상에 흡수층을 배치하여, 구면의 제1광 출사면으로 반사된 광을 흡수하여, 휘도 분포를 제어할 수 있다.In the embodiment, by disposing the absorption layer on the circuit board to absorb the light reflected by the spherical first light emitting surface, it is possible to control the luminance distribution.

실시 예는 백라이트 유닛 내에 배치되는 발광 소자의 개수를 줄일 수 있다.The embodiment may reduce the number of light emitting devices disposed in the backlight unit.

실시 예는 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment may improve the reliability of a light emitting module having an optical lens.

실시 예는 인접한 광학 렌즈 간의 간섭을 최소화하여 화상을 개선할 수 있다.Embodiments may improve images by minimizing interference between adjacent optical lenses.

실시 예는 광학 렌즈와 같은 라이트 유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment may improve the reliability of a light unit such as an optical lens.

실시 예는 발광 모듈을 갖는 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments may improve the reliability of a lighting system having a light emitting module.

도 1은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 3은 도 1의 광학 렌즈의 입사면 및 제1광 출사면의 곡률 반경의 중심을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1의 광학 렌즈를 입사면 및 출사면의 광 분포를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 1의 광학 렌즈의 입사면을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 1의 광학 렌즈의 제1 및 제2광 출사면의 출사각을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 1의 광학 렌즈의 측면도이다.
도 8은 도 1의 광학 렌즈의 저면도이다.
도 9는 도 1의 광학 렌즈에서 제2광 출사면에 의해 반사된 광의 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 1의 광학 렌즈에서 바닥면의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 1의 광학 렌즈의 제2광 출사면의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 지지 돌기를 갖는 광학 렌즈 및 흡수 층을 갖는 회로 기판을 구비한 발광 모듈의 예시도이다.
도 13은 도 12의 발광 모듈의 광학 렌즈의 투시도이다.
도 14는 실시 예에 따른 광학 렌즈를 갖는 라이트 유닛을 나타낸 측 단면도이다.
도 15는 도 1의 광학 렌즈의 입사면의 곡선 구간을 베지어 곡선 함수를 이용하여 정의하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 16은 도 1의 광학 렌즈의 제1광 출사면의 곡선 구간을 베지어 곡선 함수를 이용하여 정의하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 17은 실시 예에 따른 회로 기판 상에 배치된 발광 소자의 상세 구성을 나타낸 제1예이다.
도 18은 실시 예에 따른 회로 기판 상에 배치된 발광 소자의 제2예이다.
도 19는 실시 예에 따른 회로 기판 상에 배치된 발광 소자의 제3예를 나타낸 도면이다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 21은 실시 예와 비교 예의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 22는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 출사 광의 변화를 나타낸 도면이다.
도 23은 실시 예에 따른 광학 렌즈에 있어서, 제2광 출사면의 요철 여부에 따른 휘도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 24는 실시 예에 따른 광학 렌즈에 있어서, 제2광 출사면의 요철 여부에 따른 색차 변화를 나타낸 그래프이다.
도 25는 실시 예에 따른 광학 렌즈에 있어서, 회로기판의 흡수층 여부에 따른 화상 균일도를 나타낸 그래프이다.1 is a side cross-sectional view of an optical lens according to an embodiment.
FIG. 2 is a side cross-sectional view of the light emitting module having the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 3 is a view showing the centers of radii of curvature of the incident surface and the first light output surface of the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 4 is a view showing light distribution of an incident surface and an exit surface of the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 5 is a view for explaining an incident surface of the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 6 is a view for explaining emission angles of first and second light exit surfaces of the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 7 is a side view of the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 8 is a bottom view of the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 9 is a view for explaining a path of light reflected by a second light emitting surface in the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 10 is a view showing another example of a bottom surface of the optical lens of FIG. 1 .
11 is a view showing another example of a second light emitting surface of the optical lens of FIG. 1 .
12 is an exemplary view of a light emitting module including an optical lens having a support protrusion and a circuit board having an absorption layer according to an embodiment.
13 is a perspective view of an optical lens of the light emitting module of FIG. 12 .
14 is a side cross-sectional view illustrating a light unit having an optical lens according to an embodiment.
15 is a diagram illustrating an example of defining a curved section of an incident surface of the optical lens of FIG. 1 using a Bezier curve function.
16 is a diagram illustrating an example of defining a curved section of a first light emitting surface of the optical lens of FIG. 1 using a Bezier curve function.
17 is a first example illustrating a detailed configuration of a light emitting device disposed on a circuit board according to an embodiment.
18 is a second example of a light emitting device disposed on a circuit board according to an embodiment.
19 is a diagram illustrating a third example of a light emitting device disposed on a circuit board according to an embodiment.
20 is a diagram illustrating a display device having a light emitting module according to an exemplary embodiment.
21 is a view showing the luminance distribution of Examples and Comparative Examples.
22 is a diagram illustrating a change in light emitted from an optical lens according to an embodiment.
23 is a graph showing the luminance distribution according to whether the second light exit surface is uneven in the optical lens according to the embodiment.
24 is a graph illustrating a color difference change according to whether a second light emitting surface is uneven in the optical lens according to the embodiment.
25 is a graph showing image uniformity according to whether or not an absorption layer of a circuit board exists in the optical lens according to the embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, the embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is “on” or “under/under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being “formed on,” “on” and “under/under” both refer to “directly” or “indirectly” formed through another layer. include In addition, the criteria for the upper / upper or lower / lower of each layer will be described with reference to the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 광학 렌즈 및 이를 구비한 발광 모듈을 설명한다.Hereinafter, an optical lens and a light emitting module having the same according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 측 단면도이고, 도 2는 도 1의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 측 단면도이다.1 is a side cross-sectional view of an optical lens according to an embodiment, and FIG. 2 is a side cross-sectional view of a light emitting module having the optical lens of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 모듈(301)은, 발광 소자(100), 상기 발광 소자(100) 상에 배치된 광학 렌즈(300), 및 상기 발광 소자(100) 아래에 배치된 회로 기판(400)을 포함한다.1 and 2 , thelight emitting module 301 includes alight emitting device 100 , anoptical lens 300 disposed on thelight emitting device 100 , and a circuit disposed under thelight emitting device 100 . and asubstrate 400 .

상기 발광 소자(100)는 상기 회로 기판(400) 상에 소정의 간격을 갖고 배열될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상기 광학 렌즈(300)와 상기 회로 기판(400) 사이에 배치되고, 상기 회로 기판(400)으로부터 전원을 공급받아 구동하며 광을 방출하게 된다.Thelight emitting devices 100 may be arranged on thecircuit board 400 with a predetermined interval therebetween. Thelight emitting device 100 is disposed between theoptical lens 300 and thecircuit board 400 , is driven by receiving power from thecircuit board 400 , and emits light.

상기 발광 소자(100)는 도 2와 같이, 상면(S1) 및 다수의 측면(S2)을 통해 광을 방출하게 되며, 예컨대 5면 또는 그 이상의 발광 면을 갖는다. 상기 발광 소자(100)의 다수의 측면(S2)은 적어도 4개의 측면을 포함한 구조로서, 발광 면일 수 있다.Thelight emitting device 100 emits light through an upper surface S1 and a plurality of side surfaces S2 as shown in FIG. 2 , and has, for example, five or more light emitting surfaces. The plurality of side surfaces S2 of thelight emitting device 100 has a structure including at least four side surfaces, and may be a light emitting surface.

상기 발광 소자(100)는 5면 이상의 발광 면을 제공하므로, 측면(S2)을 통해 방출된 광에 의해 광의 지향각 분포는 넓어질 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 광의 지향각 분포는 140도 이상 예컨대, 142도 이상이 될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 지향각 분포의 반치폭은 70도 이상, 예컨대 71도 이상일 수 있다. 상기 반치폭은 지향각의 최대 광도의 1/2 광도을 갖는 폭을 나타낸다. 이러한 발광 소자(100)의 광의 지향각 분포를 넓게 제공해 줌으로써, 광학 렌즈(300)를 이용한 광 확산이 보다 용이한 효과가 있다.Since thelight emitting device 100 provides five or more light emitting surfaces, the distribution of the beam angle may be widened by the light emitted through the side surface S2 . The light beam distribution angle distribution of thelight emitting device 100 may be 140 degrees or more, for example, 142 degrees or more. The full width at half maximum of the directional angle distribution of thelight emitting device 100 may be 70 degrees or more, for example, 71 degrees or more. The half width represents a width having a luminous intensity of 1/2 of the maximum luminous intensity of the beam angle. By providing a wide distribution of the beam angle of thelight emitting device 100 , there is an effect that light diffusion using theoptical lens 300 is easier.

상기 발광 소자(100)는 화합물 반도체를 갖는 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 청색, 녹색, 청색, UV 또는 백색의 광 중 적어도 하나를 발광할 수 있다.
Thelight emitting device 100 may include an LED chip including a compound semiconductor, for example, at least one of a UV (ultraviolet) LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a white LED chip, and a red LED chip. Thelight emitting device 100 may include at least one or both of a group II-VI compound semiconductor and a group III-V compound semiconductor. Thelight emitting device 100 may emit at least one of blue, green, blue, UV, and white light.

상기 광학 렌즈(300)는 발광 소자(100)로부터 방출된 광(light)의 경로를 변경한 후 외부로 추출시켜 줄 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 광원으로 정의될 수 있다.Theoptical lens 300 may change the path of light emitted from thelight emitting device 100 and then extract it to the outside. Thelight emitting device 100 may be defined as a light source.

상기 광학 렌즈(300)는, 바닥면(310), 상기 바닥면(310)보다 위로 볼록한 리세스(recess)(315), 상기 리세스(315)의 둘레에 입사면(320), 상기 바닥면(310) 및 상기 입사면(320)의 반대측에 배치된 제1광 출사면(330), 및 상기 제1광 출사면(330)의 하부 둘레에 배치된 제2광 출사면(335)을 포함한다.Theoptical lens 300 includes abottom surface 310 , arecess 315 convex above thebottom surface 310 , anincident surface 320 around therecess 315 , and thebottom surface 310 and a firstlight exit surface 330 disposed on the opposite side of theincident surface 320 , and a secondlight exit surface 335 disposed around a lower portion of the firstlight exit surface 330 . do.

상기 광학 렌즈(300)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 입사면(320)으로 입사받아 제1 및 제2광 출사면(330,335)로 방출하게 된다. 상기 입사면(320)으로부터 입사된 일부 광은 소정의 경로를 거쳐 상기 바닥면(310)으로 방출될 수 있다.Theoptical lens 300 receives the light emitted from thelight emitting device 100 to theincident surface 320 and emits it to the first and second light output surfaces 330 and 335 . Some light incident from theincident surface 320 may be emitted to thebottom surface 310 through a predetermined path.

광학 렌즈(300)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 136도 이상의 지향각 분포를 갖고 입사면(320)으로 입사되면, 제1 및 제2광 출사면(330,335)을 통해 확산시켜 줄 수 있다.When the light emitted from thelight emitting device 100 has a directional angle distribution of 136 degrees or more and is incident on theincident surface 320 , theoptical lens 300 diffuses it through the first and second light output surfaces 330 and 335 . can

상기 광학 렌즈(300)의 입사면(320)은 상기 발광 소자(100)의 다수의 측면(S2)과 서로 대면하게 배치되므로, 상기 발광 소자(100)의 측면(320)으로부터 방출된 광이 직접 입사될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 소자(100)의 측면(S2)으로 방출된 광은 누설 없이 입사면(320)으로 입사될 수 있다.Since theincident surface 320 of theoptical lens 300 is disposed to face the plurality of side surfaces S2 of thelight emitting device 100 , the light emitted from theside surface 320 of thelight emitting device 100 is directly transmitted. can be hired Accordingly, the light emitted to the side surface S2 of thelight emitting device 100 may be incident on theincident surface 320 without leakage.

상기 발광 소자(100)의 상면에 대해 연직한 방향은 광축(Y0) 방향이라 할 수 있다. 상기 광축(Y0) 방향은 상기 회로 기판(400)의 상면에 직교하는 방향일 수 있다. 상기 광축(Y0)과 직교하는 제1축(X0) 방향은 상기 발광 소자(100)로부터 상기 광축(Y0)에 직교하는 방향일 수 있다.
A direction perpendicular to the upper surface of thelight emitting device 100 may be referred to as an optical axis Y0 direction. The direction of the optical axis Y0 may be a direction orthogonal to the upper surface of thecircuit board 400 . The direction of the first axis X0 perpendicular to the optical axis Y0 may be a direction perpendicular to the optical axis Y0 from thelight emitting device 100 .

상기 리세스(315)는 바닥면(310)의 센터 영역으로부터 광축(Y0) 방향으로 함몰된 형태이다. 상기 리세스(315)는 센터 영역 또는 광축(Y0)에 가까울수록 더 깊은 깊이를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 너비(D1)는 광축(Y0) 방향(예: 상 방향)으로 진행할수록 점차 좁아질 수 있다. 상기 리세스(315)는 위로 올라갈수록 제1광 출사면(330)에 더 인접할 수 있다.Therecess 315 is recessed in the optical axis Y0 direction from the center region of thebottom surface 310 . Therecess 315 may have a greater depth as it approaches the center region or the optical axis Y0. The width D1 of therecess 315 may gradually become narrower as it progresses in the optical axis Y0 direction (eg, upward direction). Therecess 315 may be closer to the firstlight emitting surface 330 as it rises upward.

상기 리세스(315)의 측 단면 형상은 반구 형상 또는 반 타원 형상을 포함할 수 있으며, 그 표면의 하부 형상은 원 형상 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 입사면(320)은 바닥면(310)의 센터 영역으로부터 위로 볼록한 리세스(315)의 둘레에 배치된다.The cross-sectional shape of the side of therecess 315 may include a hemispherical shape or a semi-elliptical shape, and the lower shape of the surface may include a circular shape or a polygonal shape. Theincident surface 320 is disposed around theconvex recess 315 upward from the center region of thebottom surface 310 .

상기 입사면(320)은 베지어(Bezier) 곡선을 갖는 회전체로 형성될 수 있다. 상기 입사면(320)의 곡선은 스플라인(Spline) 예컨대, 큐빅(cubic), B-스플라인, T-스플라인으로 구현될 수 있다. 상기 입사면(320)의 곡선은 베지어 곡선(Bezier curve)로 구현될 수 있다.
Theincident surface 320 may be formed of a rotating body having a Bezier curve. The curve of theincident surface 320 may be implemented as a spline, for example, a cubic, B-spline, or T-spline. The curve of theincident surface 320 may be implemented as a Bezier curve.

상기 입사면(320)은 상기 리세스(315)의 표면으로서 상기 발광 소자(100)의 상면(S1) 및 측면(S2)의 외측에 배치될 수 있다.Theincident surface 320 is a surface of therecess 315 and may be disposed outside the upper surface S1 and the side surface S2 of thelight emitting device 100 .

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 평평한 면, 곡면 또는 곡면과 플랫한 면을 포함할 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 경사진 면을 제공할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 제1축(X0)을 기준으로 경사진 면으로 제공될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 80% 이상의 영역이 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 경사지게 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 전 반사면을 포함할 수 있다.Thebottom surface 310 of theoptical lens 300 may include a flat surface, a curved surface, or a curved surface and a flat surface. Thebottom surface 310 may provide a surface inclined with respect to the top surface of thecircuit board 400 . Thebottom surface 310 of theoptical lens 300 may be provided as a surface inclined with respect to the first axis X0. 80% or more of thebottom surface 310 may be disposed to be inclined with respect to the top surface of thecircuit board 400 . Thebottom surface 310 may include a total reflection surface.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 제1에지(23) 및 제2에지(25)를 포함한다. 상기 제1에지(23)는 상기 입사면(320)과 상기 바닥면(310) 사이의 경계 지점이며, 광학 렌즈(300)의 저점이 될 수 있다. 상기 제1에지(23)는 바닥면(310)의 영역 중에서 가장 낮은 지점이 될 수 있다. 상기 제1에지(23)의 위치는 수평한 선을 기준으로 제2에지(25)보다 낮게 위치될 수 있다. 상기 제1에지(23)는 상기 입사면(320)의 하부 둘레가 될 수 있다.Thebottom surface 310 of theoptical lens 300 includes afirst edge 23 and asecond edge 25 . Thefirst edge 23 is a boundary point between theincident surface 320 and thebottom surface 310 , and may be the bottom of theoptical lens 300 . Thefirst edge 23 may be the lowest point among the areas of thebottom surface 310 . The position of thefirst edge 23 may be lower than that of thesecond edge 25 based on a horizontal line. Thefirst edge 23 may be a lower circumference of theincident surface 320 .

상기 제2에지(25)는 제2광 출사면(335)의 하부 둘레 또는 바닥면(310)의 최 외곽에 배치될 수 있다. 상기 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)과 상기 제2광 출사면(335) 사이의 경계 지점일 수 있다Thesecond edge 25 may be disposed on the lower periphery of the secondlight emitting surface 335 or at the outermost portion of thebottom surface 310 . Thesecond edge 25 may be a boundary point between thebottom surface 310 and the secondlight exit surface 335 .

상기 제1에지(23)와 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)의 양 끝단일 수 있다. 상기 제1에지(23)는 바텀 뷰 형상이 원 형상 또는 타원 형상일 수 있으며, 상기 제2에지(25)는 바텀 뷰 형상이 원 형상 또는 타원 형상일 수 있다.Thefirst edge 23 and thesecond edge 25 may be both ends of thebottom surface 310 . The bottom-view shape of thefirst edge 23 may be a circular shape or an elliptical shape, and thesecond edge 25 may have a bottom-view shape of a circular shape or an oval shape.

상기 회로 기판(400)의 상면은 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)의 제2에지(25)보다 제1에지(23)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)의 제1에지(23)는 상기 회로 기판(400)의 상면에 접촉될 수 있고, 상기 제2에지(25)는 회로 기판(400)의 상면으로부터 최대 간격(T0)으로 이격될 수 있다. 상기 제2에지(25)는 발광 소자(100) 내의 활성층보다 낮은 위치에 배치될 수 있어, 광의 손실을 방지할 수 있다.
The top surface of thecircuit board 400 may be disposed closer to thefirst edge 23 than thesecond edge 25 of thebottom surface 310 of theoptical lens 300 . Thefirst edge 23 of thebottom surface 310 may be in contact with the top surface of thecircuit board 400 , and thesecond edge 25 is at a maximum distance T0 from the top surface of thecircuit board 400 . can be spaced apart. Thesecond edge 25 may be disposed at a lower position than the active layer in thelight emitting device 100 , thereby preventing light loss.

상기 광학 렌즈(300)의 제1 및 제2광 출사면(330,335)은 입사된 광을 굴절시켜 방출하게 된다. 상기 제2광 출사면(335)은 광축(Y0)을 기준으로, 굴절 후의 추출된 광의 각도가 굴절 전에 입사된 광의 각도보다 작게 굴절시켜 준다. 이에 따라 인접한 광학 렌즈(300)간의 광 간섭 거리를 길게 제공할 수 있고, 제2광 출사면(335)을 통해 출사된 일부 광과 제1광 출사면(330)으로 출사된 광이 광학 렌즈(300)의 주변에서 서로 혼색될 수 있다.
The first and secondlight emitting surfaces 330 and 335 of theoptical lens 300 refract and emit the incident light. The secondlight exit surface 335 refracts the extracted light after refraction with respect to the optical axis Y0 to be smaller than the angle of the incident light before refraction. Accordingly, it is possible to provide a long optical interference distance between adjacentoptical lenses 300, and some light emitted through the secondlight exit surface 335 and the light emitted to the firstlight exit surface 330 are separated from the optical lens ( 300) may be mixed with each other.

상기 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)은 전 영역으로 광이 출사되는 구면으로 형성될 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역은 정점(31) 또는 고점이 될 수 있으며, 상기 정점(31)으로부터 연속적으로 연결되는 곡면 형상을 포함한다. 상기 제1광 출사면(330)은 입사되는 광을 반사하거나 굴절시켜 외부로 출사시켜 줄 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 광축(Y0)을 기준으로, 제1광 출사면(330)으로 방출된 광의 굴절 후의 방출 각도는 굴절 전에 입사된 입사 각도보다 클 수 있다.The firstlight emitting surface 330 of theoptical lens 300 may be formed as a spherical surface through which light is emitted to the entire area. The center region of the firstlight emitting surface 330 may be avertex 31 or a peak, and includes a curved shape continuously connected from the apex 31 . The firstlight emitting surface 330 may reflect or refract incident light to be emitted to the outside. In the firstlight exit surface 330 , an emission angle after refraction of the light emitted to the firstlight exit surface 330 with respect to the optical axis Y0 may be greater than an incidence angle before refraction.

상기 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)은 광의 지향각 분포의 반치각 내에서 광축(Y0)을 거리에 따라 단조가 증가하게 되며, 상기 제2광 출사면(335)은 광의 지향각 분포의 반치각을 벗어난 영역을 포함하며, 상기 광축(Y0)을 기준으로 거리에 따라 단조가 감소하게 된다.The monotony of the firstlight emitting surface 330 of theoptical lens 300 increases according to the distance from the optical axis Y0 within the half value of the light beam distribution, and the secondlight emitting surface 335 is the It includes a region that deviates from the half-maximum angle of the directional angle distribution, and the monotony decreases according to a distance with respect to the optical axis Y0.

상기 제1광 출사면(330)은 베지어(Bezier) 곡선을 갖는 회전체로 형성될 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 곡선은 스플라인(Spline) 예컨대, 큐빅(cubic), B-스플라인, T-스플라인으로 구현될 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 곡선은 베지어 곡선(Bezier curve)로 구현될 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)는 광축(Y0)을 기준으로 회전 대칭 형상으로 제공될 수 있다.The firstlight emitting surface 330 may be formed of a rotating body having a Bezier curve. The curve of the firstlight emitting surface 330 may be implemented as a spline, for example, a cubic, B-spline, or T-spline. The curve of the firstlight emitting surface 330 may be implemented as a Bezier curve. Theoptical lens 300 may be provided in a rotationally symmetrical shape with respect to the optical axis Y0.

상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역은 광축(Y0)의 인접 영역으로서, 상 방향으로 볼록한 곡면이거나 평탄한 면일 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역과 제2광 출사면(335) 사이의 영역은 볼록한 곡면 형상으로 제공될 수 있다.The center region of the firstlight emitting surface 330 is adjacent to the optical axis Y0, and may be a curved surface convex in an upward direction or a flat surface. A region between the center region of the firstlight emitting surface 330 and the secondlight emitting surface 335 may be provided in a convex curved shape.

상기 입사면(320) 및 제1광 출사면(330)은 양의 곡률 반경을 가질 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역 및 그 둘레 영역은 음의 곡률 반경을 갖지 않고 서로 다른 양의 곡률 반경을 가질 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역은 곡률 반경이 0인 영역을 포함할 수 있다.Theincident surface 320 and the firstlight exit surface 330 may have positive radii of curvature. The center area and the peripheral area of the firstlight emitting surface 330 may not have a negative radius of curvature but may have different positive radii of curvature. The center area of the firstlight emitting surface 330 may include an area in which a radius of curvature is 0.

상기 입사면(320)의 곡률 반경은 상기 제1광출사면(330)의 곡률 반경보다는 작을 수 있다. 또는 상기 입사면(320)은 기울기가 상기 제1광 출사면(330)의 기울기보다는 클 수 있다.
A radius of curvature of theincident surface 320 may be smaller than a radius of curvature of the firstlight exit surface 330 . Alternatively, the inclination of theincident surface 320 may be greater than that of the firstlight emitting surface 330 .

상기 제2광 출사면(335)은 제1광 출사면(330)의 하부 둘레에 배치되어 입사된 광을 굴절시켜 방출하게 된다. 상기 제2광 출사면(335)은 비구면 형상 또는 플랫(flat) 면을 포함한다. 상기 제2광 출사면(335)은 예컨대 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)이 경사진 면으로 형성될 경우, 사출 성형시 분리가 용이한 효과가 있다.The secondlight exit surface 335 is disposed around the lower portion of the firstlight exit surface 330 to refract and emit the incident light. The secondlight emitting surface 335 has an aspherical shape or a flat surface. The secondlight exit surface 335 may be, for example, a surface perpendicular to the top surface of thecircuit board 400 or an inclined surface. When the secondlight emitting surface 335 is formed as an inclined surface, there is an effect of easy separation during injection molding.

상기 제2광 출사면(335)은 상기 광학 렌즈(300)에서 가장 외측에 배치될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)은 상기 제1광 출사면(330)의 하부 둘레에 플랫한 면으로 연장될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)은 제1광 출사면(330)에 인접한 제3에지(35)를 포함할 수 있다. 상기 제2에지(25)는 제2광 출사면(335)의 하부 에지일 수 있으며, 제3에지(35)는 제2광 출사면(335)의 상부 에지이거나 제1 및 제2광 출사면(330,335) 사이의 경계 지점일 수 있다.The secondlight emitting surface 335 may be disposed at the outermost side of theoptical lens 300 . The secondlight exit surface 335 may extend as a flat surface around a lower portion of the firstlight exit surface 330 . The secondlight exit surface 335 may include athird edge 35 adjacent to the firstlight exit surface 330 . Thesecond edge 25 may be a lower edge of the secondlight exit surface 335 , and thethird edge 35 may be an upper edge of the secondlight exit surface 335 or the first and second light exit surfaces. It may be a boundary point between (330,335).

상기 제2광 출사면(335)은 발광 소자(100)의 측면(S2)으로 방출된 일부 광을 입사받아 굴절시켜 추출하게 된다. 이때 제2광 출사면(335)은 광축(Y0)을 기준으로, 방출된 광의 출사 각이 굴절 전의 입사각보다 작을 수 있다. 이에 따라 인접한 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭 거리를 길게 제공할 수 있다.
The secondlight emitting surface 335 receives and refracts some light emitted to the side surface S2 of thelight emitting device 100 to be extracted. In this case, in the secondlight exit surface 335 , an exit angle of the emitted light with respect to the optical axis Y0 may be smaller than an incidence angle before refraction. Accordingly, it is possible to provide a long optical interference distance between adjacentoptical lenses 300 .

도 1을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)는 너비(D4)가 두께(D3)보다 넓게 배치될 수 있다. 상기 너비(D4)는 상기 두께(D3)의 2.5배 이상 예컨대, 3배 이상이 될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)는 15mm이상일 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 너비(D4)가 두께(D3)보다 상기의 범위로 넓게 배치되므로, 라이트 유닛 예컨대, 백라이트 유닛의 전 영역에 균일한 휘도 분포를 제공할 수 있고, 또한 라이트 유닛의 두께를 줄여줄 수 있다.Referring to FIG. 1 , theoptical lens 300 may be disposed to have a width D4 wider than a thickness D3 . The width D4 may be 2.5 times or more, for example, 3 times or more of the thickness D3. The width D4 of theoptical lens 300 may be 15 mm or more. Since the width D4 of theoptical lens 300 is wider than the thickness D3 in the above range, it is possible to provide a uniform luminance distribution over the entire area of the light unit, for example, the backlight unit, and also the thickness of the light unit. can reduce

여기서, 광학 렌즈(300)의 입사면(320)의 하부 너비(D1)는 상기 리세스(315)의 하부 너비일 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 너비(W1)보다는 넓게 배치될 수 있다. 이러한 입사면(320) 및 리세스(315)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 용이하게 입사될 수 있는 크기를 갖는다.Here, the lower width D1 of theincident surface 320 of theoptical lens 300 may be the lower width of therecess 315 and may be disposed wider than the width W1 of thelight emitting device 100 . . Theincident surface 320 and therecess 315 have a size through which the light emitted from thelight emitting device 100 can be easily incident.

상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 상기 입사면(320)의 하부 너비(D1)와 같거나 깊게 배치될 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 광학 렌즈(300)의 두께(D3)의 75% 이상 예컨대, 80% 이상의 깊이를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 상기 제1광 출사면(330)의 정점(31)과 바닥면(310) 또는 제1에지(23)사이의 거리의 80% 이상일 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)가 깊게 배치됨으로써, 제1광 출사면(330)의 센터 영역이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 입사면(320)의 정점(21)의 인접 영역에서도 측 방향으로 광을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 입사면(320)의 정점(21)의 깊이로서, 상기 입사면(320)의 정점(21)의 깊이가 깊게 배치됨으로써, 정점(21) 및 그 주변 영역으로 입사된 광에 대해 측 방향으로 굴절시켜 줄 수 있다.
A depth D2 of therecess 315 may be equal to or deeper than a lower width D1 of theincident surface 320 . The depth D2 of therecess 315 may have a depth of 75% or more, for example, 80% or more of the thickness D3 of theoptical lens 300 . The depth D2 of therecess 315 may be 80% or more of the distance between the apex 31 of the firstlight exit surface 330 and thebottom surface 310 or thefirst edge 23 . Since the depth D2 of therecess 315 is deep, even if the center area of the firstlight exit surface 330 does not have a total reflection surface or a negative curvature, the apex 21 of theincidence surface 320 is The light may be diffused in the lateral direction even in an adjacent area. The depth D2 of therecess 315 is the depth of the apex 21 of theincident surface 320 , and the depth of the apex 21 of theincident surface 320 is deep, so that the apex 21 and its The light incident on the peripheral area may be laterally refracted.

상기 입사면(320)의 하부 너비(D1)과 상기 발광 소자(100)의 너비(W1)의 비율(D1:W1)은 1.8: 1 내지 3.0: 1 범위일 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 너비(D1)는 상기 발광 소자(100)의 너비(W1)의 3배 이하로 배치된 경우, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 입사면(320)을 통해 효과적으로 입사될 수 있다.A ratio (D1:W1) of the lower width D1 of theincident surface 320 to the width W1 of thelight emitting device 100 may be in a range of 1.8:1 to 3.0:1. When the lower width D1 of theincident surface 320 is less than three times the width W1 of thelight emitting element 100, the light emitted from thelight emitting element 100 hits theincident surface 320 can be entered effectively.

상기 입사면(320) 중에서 상기 발광 소자(100)과 동일한 너비를 갖는 위치는 상기 입사면(320)의 정점(21)으로부터 소정 거리(D6)로 이격될 수 있다. 상기 거리(D6)는 상기 리세스(315)와 상기 제1광 출사면(330) 사이의 최소 거리(D5)와 같거나 0.1mm 이내의 차이를 가질 수 있다. 이는 발광 소자(100)의 상면(S1)을 통해 방출된 광이 상기 입사면(320)의 정점(21) 주변까지 면 광원 형태로 입사되도록 가이드할 수 있다.A position having the same width as that of thelight emitting device 100 among theincident surface 320 may be spaced apart from thevertex 21 of theincident surface 320 by a predetermined distance D6 . The distance D6 may be the same as the minimum distance D5 between therecess 315 and the firstlight emitting surface 330 or may have a difference within 0.1 mm. This may guide the light emitted through the upper surface S1 of thelight emitting device 100 to be incident in the form of a surface light source up to the periphery of the apex 21 of theincident surface 320 .

상기 입사면(320) 중에서 상기 발광 소자(100)과 동일한 너비를 갖는 위치에서 제1광 출사면(330)의 정점(31)까지의 거리(D8)는 0.5mm 내지 2mm 범위로서, 거리(D5) 또는 거리(D6)의 2배일 수 있다. 이는 발광 소자(100)과 동일한 너비를 갖는 입사면(320)의 영역이 상기 제1광 출사면(330)의 정점(31)에 2mm 이하의 거리에 위치하게 됨으로써, 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역이 음의 곡률 반경을 갖지 않더라도, 입사면(310)의 깊이(D2)와 상기 정점(31)과의 거리에 의해 측 방향으로 광을 확산시켜 줄 수 있다.A distance D8 from a position having the same width as that of thelight emitting device 100 among theincident surface 320 to the apex 31 of the firstlight emitting surface 330 is in the range of 0.5 mm to 2 mm, and the distance D5 ) or twice the distance D6. This is because the area of theincident surface 320 having the same width as that of thelight emitting device 100 is positioned at a distance of 2 mm or less from the apex 31 of the firstlight exit surface 330, so that the first light exit surface ( Even if the center area of 330 does not have a negative radius of curvature, light may be diffused in the lateral direction by the distance between the depth D2 of theincident surface 310 and thevertex 31 .

상기 리세스(315)의 정점(21)과 상기 리세스(315) 내에서 너비(W1) 사이의 거리(D6)는, 상기 리세스(315)의 정점(21)과 상기 제1광 출사면(330)의 정점(31) 사이의 거리(D5)의 비율은 0.5:1 내지 1:1를 범위를 만족한다.
The distance D6 between the apex 21 of therecess 315 and the width W1 in therecess 315 is the apex 21 of therecess 315 and the first light exit surface. The ratio of the distance D5 between thevertices 31 of 330 satisfies the range of 0.5:1 to 1:1.

상기 리세스(315)와 상기 제1광 출사면(330) 사이의 최소 거리(D5)는 상기 리세스(315)의 정점(21)과 제1광 출사면(330)의 정점(31) 사이의 간격일 수 있다. 상기 거리(D5)는 예컨대 1.5mm 이하일 수 있으며, 예컨대, 0.6mm 내지 1mm 범위일 수 있다. 상기 리세스(315)의 정점(21)과 제1광 출사면(330) 정점(31) 사이의 거리(D5)가 1.5mm 이상인 경우 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역으로 진행하는 광량이 많아질 수 있어, 핫 스팟 현상이 발생될 수 있다. 상기 리세스(315)의 정점(21)과 제2광 출사면(31) 사이의 거리(D5)가 0.6mm 미만인 경우 광학 렌즈(300)의 센터 측 강성이 약해지는 문제가 있다. 이러한 리세스(315) 및 제1광 출사면(330) 사이의 거리(D5)를 상기 범위로 배치함으로써, 제2광 출사면(335)의 센터 영역이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 센터 영역의 주변으로 광의 경로를 수평 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 이는 리세스(35)의 정점(21)이 상기 제1광 출사면(330)의 볼록한 정점(31)에 인접할수록 상기 입사면(320)을 통해 제1광 출사면(330)의 측 방향으로 진행하는 광의 광량이 증가될 수 있다. 따라서, 광학 렌즈(300)의 측 방향으로 확산하는 광량을 증가시켜 줄 수 있다.The minimum distance D5 between therecess 315 and the firstlight exit surface 330 is between the apex 21 of therecess 315 and the apex 31 of the firstlight exit surface 330 . may be an interval of The distance D5 may be, for example, 1.5 mm or less, for example, may be in the range of 0.6 mm to 1 mm. When the distance D5 between the apex 21 of therecess 315 and the apex 31 of the firstlight exit surface 330 is 1.5 mm or more, it proceeds to the center region of the firstlight exit surface 330 Since the amount of light may be increased, a hot spot phenomenon may occur. When the distance D5 between the apex 21 of therecess 315 and the secondlight exit surface 31 is less than 0.6 mm, there is a problem in that the center-side rigidity of theoptical lens 300 is weakened. By disposing the distance D5 between therecess 315 and the firstlight exit surface 330 in the above range, even if the center region of the secondlight exit surface 335 does not have a total reflection surface or a negative curvature , it is possible to spread the light path in the horizontal direction to the periphery of the center region. This means that as the apex 21 of therecess 35 is adjacent to theconvex apex 31 of the firstlight emitting surface 330, the lateral direction of the firstlight emitting surface 330 through theincident surface 320 is increased. The amount of propagating light may be increased. Accordingly, it is possible to increase the amount of light diffused in the lateral direction of theoptical lens 300 .

상기 리세스(315)의 정점(21)은 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)로부터 수평하게 연장한 직선보다는 제1광 출사면(330)의 센터인 정점(31)에 더 인접하게 배치될 수 있다.
The apex 21 of therecess 315 is avertex 31 that is the center of the firstlight emitting surface 330 rather than a straight line extending horizontally from thethird edge 35 of the secondlight emitting surface 335 . may be placed closer to the

도 3을 참조하면, 광학 렌즈(300)에서 상기 제1광 출사면(330)은 서로 다른 곡률 반경(ra, rb, rc)을 갖는 복수의 원 성분을 가질 수 있으며, 상기 서로 다른 원 성분의 중심(Pa,Pb,Pc)은 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 이러한 제1광 출사면(330)의 원 성분들의 중심(Pa,Pb,Pc)은 상기 입사면(320)의 정점(21)의 수평한 직선보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 원 성분들의 중심(Pa,Pb,Pc)은 상기 광학 렌즈(300)와 수직 방향으로 오버랩된 영역에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3 , in theoptical lens 300 , the firstlight emitting surface 330 may have a plurality of circle components having different radii of curvature ra, rb, and rc, and The centers Pa, Pb, and Pc may be disposed at different positions. The centers Pa, Pb, and Pc of the circle components of the firstlight emitting surface 330 may be disposed below a horizontal straight line of thevertex 21 of theincident surface 320 . The centers Pa, Pb, and Pc of the original components of the firstlight emitting surface 330 may be disposed in an area overlapping theoptical lens 300 in a vertical direction.

상기 입사면(320)은 서로 다른 곡률 반경을 갖는 복수의 원 성분을 가질 수 있으며, 상기 원 성분의 중심은 상기 입사면(320)의 정점(21)의 수평한 직선보다 아래에 배치될 수 있고, 상기 광학 렌즈(300)와 수직 방향으로 오버랩된 영역에 배치될 수 있다.Theincident surface 320 may have a plurality of circle components having different radii of curvature, and the center of the circle component may be disposed below a horizontal straight line of thevertex 21 of theincident surface 320 , , may be disposed in an area overlapping theoptical lens 300 in a vertical direction.

도 4를 참조하면, 광학 렌즈(300)의 광 경로를 보면, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 광학 렌즈(300)의 입사면(320)의 제1지점(P1)으로 입사된 제1광(L1)은 굴절되어 제1광 출사면(330)의 소정의 제2지점(P2)으로 방출될 수 있다. 또한 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 상기 입사면(320)의 제3지점(P3)으로 입사된 제2광(L2)은 제2광 출사면(335)의 소정의 제4지점(P4)으로 방출될 수 있다.Referring to FIG. 4 , looking at the optical path of theoptical lens 300 , the first point P1 of the light emitted from thelight emitting device 100 is incident on theincident surface 320 of theoptical lens 300 . One light L1 may be refracted and emitted to a predetermined second point P2 of the firstlight emitting surface 330 . In addition, among the light emitted from thelight emitting device 100 , the second light L2 incident on the third point P3 of theincident surface 320 is a predetermined fourth point ( P4) can be released.

여기서, 상기 광축(Y0)을 기준으로 입사면(320)의 제1지점(P1)으로 입사되는 제1광(L1)의 입사 각도를 제1각도(θ1)로 정의하고, 상기 광축(Y0)을 기준으로 제1광 출사면(330)의 임의의 제3지점(P2)으로 방출된 제1광(L1)의 방출 각도를 제2각도(θ2)로 정의할 수 있다. 상기 광축(Y0)을 기준으로 입사면(320)의 제3지점(P3)으로 입사되는 제2광(L2)의 입사 각도를 제3각도(θ3)로 정의하고, 상기 광축(Y0)을 기준으로 제2광 출사면(335)의 제4지점(P4)으로 출사된 제2광(L2)의 방출 각도를 제4각도(θ4)로 정의할 수 있다. 상기 제2광(L2)은 발광 소자(100)의 측면으로 방출된 광일 수 있다.Here, an incident angle of the first light L1 incident on the first point P1 of theincident surface 320 with respect to the optical axis Y0 is defined as a first angle θ1, and the optical axis Y0 is defined as the first angle θ1. An emission angle of the first light L1 emitted to an arbitrary third point P2 of the firstlight exit surface 330 may be defined as a second angle θ2 based on . An incident angle of the second light L2 incident on the third point P3 of theincident surface 320 with respect to the optical axis Y0 is defined as a third angle θ3, and the optical axis Y0 is defined as a reference Thus, an emission angle of the second light L2 emitted to the fourth point P4 of the secondlight exit surface 335 may be defined as a fourth angle θ4. The second light L2 may be light emitted from a side surface of thelight emitting device 100 .

상기 제2각도(θ2)는 상기 제1각도(θ1)보다 크게 된다. 상기 제2각도(θ2)는 상기 제1각도(θ1)가 점차 커질수록 점차 커지게 되며, 상기 제1각도(θ1)가 점차 작아질수록 점차 작아지게 된다. 그리고 제1 및 제2각도(θ1, θ2)는 θ2>θ1 또는 1<(θ2/θ1)의 조건을 만족한다. 상기 제1광 출사면(330)의 제2각도(θ2)는 굴절 후의 방출 각도로서, 굴절 전의 입사 각도보다 클 수 있다. 이에 따라 제1광 출사면(330)은 입사면(320)을 통해 입사된 광 중에서 상기 제1광 출사면(330)으로 진행하는 제1광(L1)에 대해 굴절시켜 줌으로써, 제1광(L1)에 대해 광학 렌즈(300)의 측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다.The second angle θ2 is greater than the first angle θ1 . The second angle θ2 gradually increases as the first angle θ1 gradually increases, and gradually decreases as the first angle θ1 decreases as the first angle θ1 decreases. In addition, the first and second angles θ1 and θ2 satisfy the condition of θ2>θ1 or 1<(θ2/θ1). The second angle θ2 of the firstlight emitting surface 330 is an emission angle after refraction, and may be greater than an incidence angle before refraction. Accordingly, the firstlight emitting surface 330 refracts the first light L1 that travels to the firstlight emitting surface 330 among the light incident through theincident surface 320, so that the first light ( L1) may be diffused in the lateral direction of theoptical lens 300 .

상기 제4각도(θ4)는 상기 제3각도(θ3)보다 작을 수 있다. 상기 제3각도(θ3)가 증가할수록 상기 제4각도(θ4)는 증가하게 되며, 상기 제3각도(θ3)가 감소할수록 상기 제4각도(θ4)는 감소하게 된다. 그리고 제3 및 제4각도(θ3, θ4)는 θ4<θ3 또는 1>(θ4/θ3)의 조건을 만족한다. 상기 제2광 출사면(335)의 제4각도(θ4)는 굴절 후의 방출 각도로서, 굴절 전의 입사 각도보다 작을 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에는 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 방출된 광이거나 광 지향각을 벗어난 광들이 입사될 수 있다. 이에 따라 상기 제2광 출사면(335)는 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 방출된 광 및 광 지향각 분포를 벗어난 광에 대해, 휘도 분포의 반치각 영역 이내로 진행하도록 굴절시켜 줄 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에 의해 광 손실을 줄일 수 있다.The fourth angle θ4 may be smaller than the third angle θ3 . As the third angle θ3 increases, the fourth angle θ4 increases, and as the third angle θ3 decreases, the fourth angle θ4 decreases. In addition, the third and fourth angles θ3 and θ4 satisfy the condition of θ4<θ3 or 1>(θ4/θ3). The fourth angle θ4 of the secondlight exit surface 335 is an emission angle after refraction, and may be smaller than an incidence angle before refraction. Light emitted through the side surface S2 of thelight emitting device 100 or light having a deviation from a light beam angle may be incident on the secondlight exit surface 335 . Accordingly, the secondlight emitting surface 335 refracts the light emitted through the side surface S2 of thelight emitting device 100 and the light outside the light directivity angle distribution so as to proceed within the half value region of the luminance distribution. can Light loss may be reduced by the secondlight emitting surface 335 .

상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)는 상기 광축(Y0)에 대해 상기 발광 소자(100)의 지향각 분포의 반치각 예컨대, 제4각도(θ4)의 위치 보다 위에 배치될 수 있다. 예컨대, 광축(Y0)과 기준점(P0)부터 제3에지(35) 사이를 연결하는 직선 사이의 각도는 상기 발광 소자(100)의 반치각보다 작을 수 있다.Thethird edge 35 of the secondlight emitting surface 335 is disposed above the position of the half-value, for example, the fourth angle θ4 of the distribution angle of thelight emitting device 100 with respect to the optical axis Y0. can be For example, the angle between the optical axis Y0 and the straight line connecting the reference point P0 to thethird edge 35 may be smaller than the half-maximum angle of thelight emitting device 100 .

발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 반치각에 인접한 영역으로 조사된 광은 상기 제2광 출사면(335)을 통해 방출되도록 제어할 수 있다. 이 경우 제2광 출사면(335)으로 방출된 제2광(L2)은 제1광 출사면(330)으로 진행하는 광들과 혼색될 수 있다.Among the light emitted from thelight emitting device 100 , the light irradiated to the region adjacent to the half-value angle may be controlled to be emitted through the secondlight emitting surface 335 . In this case, the second light L2 emitted to the secondlight exit surface 335 may be mixed with lights traveling to the firstlight exit surface 330 .

여기서, 상기 기준점(P0)는 광축(Y0)과 발광 소자(100)의 교점일 수 있다. 상기 기준점(P0)은 발광 소자(100)의 상면(S1)보다 낮은 위치에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 기준점(P0)은 상면(S1)의 중심과 복수의 측면(S2)의 중심이 교차되는 지점이거나 상기 상면(S1)의 중심과 각 측면(S2)의 하부 중심이 교차되는 지점이 될 수 있다. 이러한 기준점(P0)은 광축(Y0)과 발광 소자(100)로부터 출사된 광이 교차되는 교점이 될 수 있다. 상기 기준점(P0)은 상기 광학 렌즈(300)의 저점과 동일한 수평 선상에 배치되거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다.
Here, the reference point P0 may be an intersection of the optical axis Y0 and thelight emitting device 100 . The reference point P0 may be disposed at a position lower than the upper surface S1 of thelight emitting device 100 . The reference point P0 of thelight emitting device 100 is a point at which the center of the upper surface S1 and the centers of the plurality of side surfaces S2 intersect, or the center of the upper surface S1 and the lower center of each side surface S2 intersect. It can be a point to be The reference point P0 may be an intersection point at which the optical axis Y0 and the light emitted from thelight emitting device 100 intersect. The reference point P0 may be disposed on the same horizontal line as the bottom point of theoptical lens 300 or disposed at a higher position.

상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 입사면(320)의 제5지점(P5)로 입사된 광(L3)은 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)에 의해 반사되고 제2광 출사면(335)의 제6지점(P6)을 통해 투과 또는 반사될 수 있다. 이때 상기 제2광 출사면(335)은 바닥면(310)으로부터 반사되어 입사된 광의 입사각(θ8)보다 작은 출사각(θ9)으로 광을 투과 또는 반사하게 된다. 상기 입사각(θ8) 및 출사각(θ9)은 광축(Y0)과의 각도이다. 여기서, 상기 바닥면(310)에 의해 반사되어 제2광 출사면(335)으로 진행하는 광은 입사각(θ8)보다 출사각(θ8)이 작게 굴절됨으로써, 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 누설될 수 있는 광을 효과적으로 재 사용할 수 있다. 또한 발광 소자(100)의 광 지향각 분포에서 반치 각을 벗어나는 광에 대해서도 상기 바닥면(310)에 의한 전 반사를 통해 광 누설을 방지할 수 있는 효과가 있다.Among the light emitted from thelight emitting device 100 , the light L3 incident on the fifth point P5 of theincident surface 320 is reflected by thebottom surface 310 of theoptical lens 300 and the second light It may be transmitted or reflected through the sixth point P6 of theexit surface 335 . In this case, the secondlight exit surface 335 transmits or reflects light at an exit angle θ9 smaller than an incidence angle θ8 of the light reflected from thebottom surface 310 . The incident angle θ8 and the exit angle θ9 are angles with respect to the optical axis Y0. Here, the light reflected by thebottom surface 310 and traveling to the secondlight exit surface 335 is refracted at an exit angle θ8 smaller than the incidence angle θ8, so that the side surface S2 of thelight emitting device 100 . It is possible to effectively reuse the light that can be leaked through. In addition, there is an effect of preventing light leakage through total reflection by thebottom surface 310 even for light that deviates from the half-maximum angle in the light directivity angle distribution of thelight emitting device 100 .

도 22는 제1,2광 출사면으로 출사된 출사각과 입사면의 입사각의 비율을 나타낸 도면이다. 도 22와 같이, 제1광 출사면(330)의 영역(A1)은 출사각/입사각의 비율이 제2광 출사면(335)의 영역(A2)에 인접할수록 점차 작아지게 되며, 1보다 큰 비율을 가지게 된다. 도 22의 X축 방향은 광의 지향각을 나타내는 것으로서, 68도의 이상의 광의 지향각 분포는 제2광 출사면(335)의 영역(A2)에 의해 제어될 수 있다.22 is a diagram illustrating a ratio of an exit angle emitted to the first and second light exit surfaces to an incident angle of the incident surface. As shown in FIG. 22 , the area A1 of the firstlight exit surface 330 gradually decreases as the ratio of the exit angle/incident angle is adjacent to the area A2 of the secondlight exit surface 335, and is larger than 1. have a proportion. The X-axis direction of FIG. 22 represents the beam angle, and the distribution of the beam beam angle of 68 degrees or more may be controlled by the area A2 of the secondlight exit surface 335 .

상기 제2광 출사면(335)의 영역(A2)에서 1보다 작은 값을 가지게 되며, 바닥면(310)에 의해 제2광 출사면(335)로 반사된 영역(A3)을 통해 출사된 광의 출사각/입사각의 비율은 상기 영역(A2)보다 작은 값을 가지게 된다.It has a value less than 1 in the area A2 of the secondlight exit surface 335 , and the amount of light emitted through the area A3 reflected by thebottom surface 310 to the secondlight exit surface 335 . The ratio of the exit angle/incident angle has a value smaller than that of the area A2.

발광 소자(100)의 측면(S2)으로 방출된 광 중에서 제2광 출사면(335)을 통해 방출된 광은 입사 각도보다 작은 방출 각도로 방출되므로, 도 14와 같이 광학 렌즈(100) 간의 간격(G1) 즉, 광 간섭 거리를 늘려줄 수 있다. 또한 광학 렌즈(300)에 의한 휘도 분포가 개선되므로, 회로 기판(400)과 광학 시트(514) 사이의 거리(H1)를 줄여줄 수 있다. 또한 백라이트 유닛 내에 배치된 광학 렌즈(300)의 개수를 줄여줄 수 있다.
Among the light emitted to the side surface S2 of thelight emitting device 100 , the light emitted through the secondlight exit surface 335 is emitted at an emission angle smaller than the incident angle, and thus the distance between theoptical lenses 100 as shown in FIG. 14 . (G1) That is, the optical interference distance can be increased. In addition, since the luminance distribution by theoptical lens 300 is improved, the distance H1 between thecircuit board 400 and theoptical sheet 514 may be reduced. In addition, the number ofoptical lenses 300 disposed in the backlight unit may be reduced.

도 5를 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)에서 바닥면(310)의 제1에지(23)의 위치는 상기 발광 소자(300)의 기준점(P0)보다 낮거나 같은 위치에 위치할 수 있으며, 제2에지(25)의 위치는 상기 발광 소자(100)의 상면(S1)보다 높게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이에 따라 상기 바닥면(310)은 상기 입사면(320)로부터 입사된 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 방출된 광을 전 반사하게 된다.5, the position of thefirst edge 23 of thebottom surface 310 in theoptical lens 300 may be lower than or located at the same position as the reference point P0 of thelight emitting device 300, The position of thesecond edge 25 may be higher than the upper surface S1 of thelight emitting device 100 , but is not limited thereto. Accordingly, thebottom surface 310 totally reflects the light emitted through the side surface S2 of thelight emitting device 100 incident from theincident surface 320 .

상기 광학 렌즈(300)는 기준점(P0), 입사면(320)의 정점(21), 및 상기 입사면(320)의 제1에지(23)를 연결한 선분은 삼각형 형상 예컨대, 직각 삼각형 형상으로 제공될 수 있다. 상기 광축(Y0)의 기준 점(P0)과 정점(21)과 제1에지(23)을 연결한 선분 사이의 각도(θ11)는 30도 이하 예컨대, 20도 내지 24도일 수 있다. 이러한 각도(θ12)는 다른 각도(θ14)의 1/3배 이하일 수 있다.
Theoptical lens 300 has a reference point P0, avertex 21 of theincident surface 320, and a line segment connecting thefirst edge 23 of theincident surface 320 in a triangular shape, for example, in a right-angled triangular shape. can be provided. The angle θ11 between the reference point P0 of the optical axis Y0 and the line segment connecting thevertex 21 and thefirst edge 23 may be 30 degrees or less, for example, 20 degrees to 24 degrees. This angle θ12 may be 1/3 or less of the other angle θ14.

도 1 및 도 5를 참조하면, 상기 리세스(315)와 수직 방향으로 오버랩되는 제1광 출사면(330)의 센터 영역이 평탄한 면이거나 볼록한 면으로 처리됨으로써, 리세스(315)의 깊이(도 1의 D2)가 낮을 경우 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역으로 투과되는 광에 의해 핫 스팟이 발생될 수 있다. 실시 예는 리세스(315)의 깊이(D2)를 상기 제1광 출사면(330)의 볼록한 센터 영역에 인접하게 배치하여, 상기 리세스(315)의 입사면(320)에 의해 광을 측 방향으로 굴절시켜 줄 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)에 의해 출사된 광에 의한 핫 스팟은 줄어들 수 있다.1 and 5 , the center region of the firstlight exit surface 330 overlapping therecess 315 in the vertical direction is treated as a flat surface or a convex surface, so that the depth of the recess 315 ( When D2 of FIG. 1 ) is low, a hot spot may be generated by the light transmitted to the center region of the firstlight emitting surface 330 . In the embodiment, the depth D2 of therecess 315 is disposed adjacent to the convex center region of the firstlight exit surface 330 to measure the light by theincidence surface 320 of therecess 315 . direction can be deflected. Accordingly, a hot spot caused by the light emitted by the firstlight emitting surface 330 of theoptical lens 300 may be reduced.

상기 기준 점(P0)을 광축(Y0)과 정점(31) 및 제1에지(23) 사이의 각도(θ13)는 상기 각도(θ11)보다 작은 15도 내지 22도 범위일 수 있다. 여기서, 상기 각도 θ11/θ12 < 1를 만족하며, 상기 각도 θ11/θ5 > 1을 만족한다. 여기서, 각도(θ5)는 바닥면(310)의 경사진 각도이다. 상기 각도 θ11는 각도 θ5보다 4배 이상 예컨대, 5배 이상 20배 이하의 범위를 갖는다.
An angle θ13 between the optical axis Y0 of the reference point P0 and thevertex 31 and thefirst edge 23 may be in the range of 15 degrees to 22 degrees smaller than the angle θ11. Here, the angle θ11/θ12 < 1 is satisfied, and the angle θ11/θ5 > 1 is satisfied. Here, the angle θ5 is an inclined angle of thebottom surface 310 . The angle θ11 has a range of 4 times or more, for example, 5 times or more and 20 times or less than the angle θ5.

도 6을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)에서 바닥면(310)의 경사진 각도(θ5)는 5도 이내일 수 있으며, 예컨대 0.5도 내지 4도 범위일 수 있다. 상기 바닥면(310)의 양 에지(23,25)를 연결한 제1직선(X1)과 광축(Y0)이 이루는 각도(θ6)는 예각 예컨대, 89.5도 이하일 수 있으며, 예컨대 87도 이하일 수 있다. 이러한 바닥면(310)이 경사진 각도(θ5)를 갖는 면으로 배치됨으로써, 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 입사된 광을 반사하여 제2광 출사면(335)을 통해 투과 또는 반사시켜 준다. 상기 제2광 출사면(335)의 출사각은 반사면(310)을 통해 입사된 입사각보다 작게 출사하게 됨으로써, 인접한 광학 렌즈 간의 간섭을 줄여줄 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)을 통해 방출된 광량을 개선시켜 줄 수 있다.Referring to FIG. 6 , the inclined angle θ5 of thebottom surface 310 of theoptical lens 300 may be within 5 degrees, for example, in the range of 0.5 degrees to 4 degrees. The angle θ6 between the first straight line X1 connecting bothedges 23 and 25 of thebottom surface 310 and the optical axis Y0 may be an acute angle, for example, 89.5 degrees or less, for example, 87 degrees or less. . As thebottom surface 310 is disposed as a surface having an inclined angle θ5, the light incident through the side surface S2 of thelight emitting device 100 is reflected and transmitted through the secondlight exit surface 335 or reflect it The emission angle of the secondlight exit surface 335 is smaller than the incidence angle incident through thereflection surface 310 , thereby reducing interference between adjacent optical lenses. Accordingly, the amount of light emitted through the secondlight emitting surface 335 of theoptical lens 300 may be improved.

상기 바닥면(310)의 경사진 각도(θ5)는 도 11에 개시된, 제2광 출사면(335)의 경사진 각도(θ7)보다 클 수 있다.
The inclined angle θ5 of thebottom surface 310 may be greater than the inclined angle θ7 of the secondlight emitting surface 335 illustrated in FIG. 11 .

그리고, 상기 바닥면(310)에서 제2에지(25) 및 제3에지(35) 사이의 직선 거리는 상기 리세스(315)의 깊이(D2)보다 작을 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 너비(D7)는 상기 리세스(315)와 상기 제1광 출사면(330) 사이의 거리의 1.5배 이상 예컨대, 2배 이상일 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)와 기준점(P0)을 연결하는 직선과 광축(Y0) 사이의 각도는 상기 발광 소자(100)의 지향각 분포의 반치각 예컨대, 각도(θ4)보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 반치각은 발광 소자(100)로부터 방출된 광 출력이 광축을 기준으로 피크치의 50% 또는 1/2이 되는 각도를 나타낸다.
In addition, the linear distance between thesecond edge 25 and thethird edge 35 from thebottom surface 310 may be smaller than the depth D2 of therecess 315 . The width D7 of the secondlight exit surface 335 may be 1.5 times or more, for example, 2 times or more of the distance between therecess 315 and the firstlight exit surface 330 . The angle between the straight line connecting thethird edge 35 of the secondlight emitting surface 335 and the reference point P0 and the optical axis Y0 is a half-maximum angle of the directional angle distribution of thelight emitting device 100, for example, an angle. It may be smaller than (θ4). Here, the half-maximum angle represents an angle at which the light output emitted from thelight emitting device 100 becomes 50% or 1/2 of the peak value with respect to the optical axis.

상기 제2광 출사면(335)의 영역 중에서, 제2지점(P2)를 출사하는 출사각(θ2)이 발광 소자(100)의 지향각 분포의 반치각의 1/2 지점인 경우, 상기 제2지점(P2)로 입사되는 광의 입사면(320)의 지점과 광축(Y0) 사이의 거리(D11)는 상기 D1의 1/2 이하의 지점일 수 있다. 이는 광학 렌즈(300)의 두께를 줄이거나 제1광출사면(330)의 정점 높이를 낮추더라도, 광을 측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다.In the region of the secondlight exit surface 335 , when the exit angle θ2 from which the second point P2 is emitted is 1/2 of the half-maximum angle distribution of thelight emitting device 100 , the second point P2 is The distance D11 between the point of theincident surface 320 of the light incident to the two points P2 and the optical axis Y0 may be less than 1/2 of the point D1. Even if the thickness of theoptical lens 300 is reduced or the height of the apex of the firstlight emitting surface 330 is lowered, light may be diffused in the lateral direction.

상기 광축(Y0)에 대해 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)의 제1에지(23)를 연결한 선분 사이의 제6각도(θ6)는 상기 선분과 제2광 출사면(335) 사이의 각도(θ61)보다 작을 수 있다. 상기 각도 θ6/θ61 < 1를 만족할 수 있다. 여기서, 상기 각도 θ6는 90도 미만일 수 있으며, 상기 각도 θ61은 90도 이상 예컨대, 90< θ61 ≤ 95도 범위일 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)의 선분은 광축(Y0)에 대해 예각을 갖고, 제2광 출사면(335)에 대해 둔각을 갖게 되므로, 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 전반사시켜 줄 수 있고, 또한 상기 전 반사된 광을 제2광 출사면(335)을 통해 굴절됨으로써, 다른 광학 렌즈와의 간섭을 줄여줄 수 있다.
A sixth angle θ6 between the line segment connecting thefirst edge 23 of thebottom surface 310 of theoptical lens 300 with respect to the optical axis Y0 is the line segment and the secondlight exit surface 335 . It may be smaller than the angle θ61 between them. The angle θ6/θ61 < 1 may be satisfied. Here, the angle θ6 may be less than 90 degrees, and the angle θ61 may be 90 degrees or more, for example, 90 < θ61 ≤ 95 degrees. Since the line segment of thebottom surface 310 of theoptical lens 300 has an acute angle with respect to the optical axis Y0 and an obtuse angle with respect to the secondlight exit surface 335, the light emitted from thelight emitting device 100 is It is possible to provide total reflection, and also, by refracting the all-reflected light through the secondlight exit surface 335 , interference with other optical lenses can be reduced.

한편, 상기 광학 렌즈(300)는 하부에 배치된 하나 또는 복수의 지지 돌기(미도시)를 포함한다. 상기 지지 돌기는 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)으로부터 하 방향 즉, 회로 기판(400) 방향으로 돌출된다. 상기 지지 돌기는 복수개가 회로 기판(400) 상에 고정되며, 상기 광학 렌즈(300)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다.
Meanwhile, theoptical lens 300 includes one or a plurality of support protrusions (not shown) disposed below. The support protrusion protrudes downward from thebottom surface 310 of theoptical lens 300 , that is, in thecircuit board 400 direction. A plurality of the support protrusions are fixed on thecircuit board 400 , and it is possible to prevent theoptical lens 300 from being tilted.

도 2와 같이, 상기 회로 기판(400)은 표시 장치, 단말기, 조명 장치와 같은 라이트 유닛 내에 배열될 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 상기 발광 소자(100)와 전기적으로 연결되는 회로 층을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 수지 재질의 PCB, 금속 코어를 갖는 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
As shown in FIG. 2 , thecircuit board 400 may be arranged in a light unit such as a display device, a terminal, and a lighting device. Thecircuit board 400 may include a circuit layer electrically connected to thelight emitting device 100 . Thecircuit board 400 may include at least one of a resin PCB, a metal core PCB (MCPCB, metal core PCB), and a flexible PCB (FPCB, flexible PCB), but is not limited thereto.

도 7 및 도 8은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 측면도 및 배면도를 나타낸 도면이다.7 and 8 are views showing a side view and a rear view of an optical lens according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)는 제2광 출사면(335)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 요철 면은 표면이 거친 헤이즈(Haze) 면으로 형성될 수 있다. 상기 요철 면은 산란 입자가 형성된 면일 수 있다.Referring to FIG. 7 , theoptical lens 300 may have a concave-convex surface on the secondlight emitting surface 335 . The uneven surface may be formed as a haze surface having a rough surface. The uneven surface may be a surface on which scattering particles are formed.

도 8을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 요철 면은 표면이 거친 헤이즈 면으로 형성되거나, 산란 입자가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8 , thebottom surface 310 of theoptical lens 300 may have an uneven surface. The uneven surface may be formed as a haze surface having a rough surface, or scattering particles may be formed.

도 23을 참조하면, 예1은 바닥면 및 측면에 헤이즈가 처리되지 않는 광학 렌즈에서의 휘도 분포의 변화를 나타낸 것이며, 예2는 바닥면 및 측면에 헤이즈가 처리된 광학 렌즈에서의 휘도 분포의 변화를 나타낸 것이다. 여기서, 광학 렌즈의 측면 및 바닥 면에 헤이즈가 처리된 예2에서 균일도가 개선됨을 알 수 있다.Referring to FIG. 23 , Example 1 shows the change in luminance distribution in an optical lens in which haze is not applied to the bottom and side surfaces, and Example 2 is the luminance distribution in the optical lens in which haze is applied to the bottom and side surfaces of the optical lens. indicates change. Here, it can be seen that the uniformity is improved in Example 2 in which haze is applied to the side and bottom surfaces of the optical lens.

도 24을 참조하면, 예1은 헤이즈가 처리되지 않는 광학 렌즈에서의 색차 변화를 나타낸 것이며, 예2는 헤이즈가 처리된 광학 렌즈에서의 색차 변화를 나타낸 것이다. 헤이즈가 처리된 예2에서 색차 개선 효과가 있음을 알 수 있다.
Referring to FIG. 24 , Example 1 shows a change in color difference in an optical lens to which haze is not treated, and Example 2 shows a change in color difference in an optical lens in which haze is treated. It can be seen that in Example 2 in which the haze was treated, there was an effect of improving the color difference.

도 9와 같이, 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335) 및 바닥면(310)에 요철 면이 형성된 경우, 상기 입사면(320)으로 입사된 광은 상기 바닥면(310)에 의해 전 반사될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)은 입사된 일부 광을 반사하게 되며, 상기 반사된 일부 광은 상기 입사면(320)으로 재 입사되어 굴절되거나 제1광 출사면(330)으로 직접 입사될 수 있다. 여기서, 상기 제2광 출사면(335)에 의해 반사된 광 중에서 입사면(320)으로 입사된 광량은 상기 제1광 출사면(330)으로 입사된 광량보다 더 많을 수 있다. 상기 입사면(320)으로 재 입사된 광은 굴절되어 제1광 출사면(330) 또는 제2광 출사면(335)을 통해 출사될 수 있다.
As shown in FIG. 9 , when uneven surfaces are formed on the secondlight exit surface 335 and thebottom surface 310 of theoptical lens 300 , the light incident on theincidence surface 320 is transmitted to thebottom surface 310 . can be fully reflected. The secondlight emitting surface 335 may reflect some incident light, and the reflected partial light may be re-entered and refracted by theincident surface 320 or may be directly incident on the firstlight emitting surface 330 . have. Here, the amount of light incident on theincident surface 320 among the light reflected by the secondlight exit surface 335 may be greater than the amount of light incident on the firstlight exit surface 330 . The light re-incident to theincident surface 320 may be refracted and emitted through the firstlight exit surface 330 or the secondlight exit surface 335 .

여기서, 도 9 및 도 10과 같이, 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 곡면을 갖는 제1영역(D9)과 평탄 면을 갖는 제2영역(D10)을 포함한다. 상기 바닥면(310)은 리세스(315)에 인접한 영역이 곡면을 갖고 상기 제2광 출사면(335)에 입접한 영역이 평평한 면으로서, 수평한 면이거나 경사진 면으로 제공될 수 있다.Here, as shown in FIGS. 9 and 10 , thebottom surface 310 of theoptical lens 300 includes a first area D9 having a curved surface and a second area D10 having a flat surface. Thebottom surface 310 has a curved surface in an area adjacent to therecess 315 and a flat surface in an area adjacent to the secondlight exit surface 335 , and may be provided as a horizontal surface or an inclined surface.

상기 제1영역(D9)은 제1에지(23)부터 위로 볼록한 곡률 반경을 갖게 된다. 즉, 상기 바닥면(310)에서 제1영역(D9)의 곡면은 수평한 연장 선에 대해 위로 오목하게 되며, 예컨대 65mm 내지 75mm 범위의 곡률 반경을 갖는다. 즉, 상기 제1영역(D9)는 음(-)의 곡률을 가질 수 있다. 상기 제2영역(D10)은 상기 제1영역(D9)과 제2에지(25) 사이에 배치된다. 상기 제1영역(D9)의 너비가 제2영역(D10)의 너비보다 더 넓을 수 있다. 상기 제1영역(D9)과 제2영역(D10)의 길이 비율은 6:4 내지 9:1의 비율로 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D7)의 너비가 넓을수록 광학 렌즈(300)의 중심부에서의 핫 스팟 현상을 줄여줄 수 있다.The first region D9 has a radius of curvature convex upward from thefirst edge 23 . That is, the curved surface of the first region D9 on thebottom surface 310 is concave upward with respect to the horizontal extension line, and has, for example, a radius of curvature in the range of 65 mm to 75 mm. That is, the first region D9 may have a negative (-) curvature. The second region D10 is disposed between the first region D9 and thesecond edge 25 . A width of the first region D9 may be wider than a width of the second region D10 . The length ratio of the first region D9 and the second region D10 may be in a ratio of 6:4 to 9:1. As the width of the first region D7 increases, a hot spot phenomenon in the center of theoptical lens 300 may be reduced.

상기 바닥면(310) 중에서 곡면 구간인 제1영역(D9)은 상기 입사면(320)에 인접하게 배치되며, 상기 평탄한 구간인 제2영역(D10)은 제2에지(25)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 곡면 및 평탄 면은 제1에지(23)부터 제2에지(25)를 직선으로 연결한 선분보다 위에 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D9)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선보다 낮게 배치되며, 상기 제2영역(D10)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선과 동일 선상에 배치될 수 있다.Of thebottom surface 310 , a first area D9 which is a curved section is disposed adjacent to theincident surface 320 , and a second area D10 which is a flat section is disposed adjacent to thesecond edge 25 . can be The curved surface and the flat surface may be disposed above a line segment connecting thefirst edge 23 to thesecond edge 25 in a straight line. The first area D9 may be disposed lower than the horizontal extension line of thesecond edge 25 , and the second area D10 may be disposed on the same line as the horizontal extension line of thesecond edge 25 .

상기 바닥면(310)의 제1영역(D9)은 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 다른 방향으로 굴절시켜 주어, 제1 및 제2광 출사면(330,335)에 의한 휘도 분포를 변화시켜 줄 수 있다. 이러한 광의 휘도 분포는 바닥면(310)이 곡면 영역을 포함할 경우, 중심부의 핫 스팟 현상이 경사진 면을 갖는 광학 렌즈에 비해 개선될 수 있다.
The first region D9 of thebottom surface 310 refracts the light emitted from thelight emitting device 100 in different directions, thereby changing the luminance distribution by the first and secondlight emitting surfaces 330 and 335 . can give Such a luminance distribution of light may be improved when thebottom surface 310 includes a curved area, compared to an optical lens having an inclined surface in which a hot spot phenomenon in the center is inclined.

도 11은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 다른 예이다.11 is another example of an optical lens according to an embodiment.

도 11을 참조하면, 광학 렌즈의 제2광 출사면(335)은 수직한 광축(Y0)을 기준으로, 제7각도(θ7)로 경사질 수 있다. 상기 제7각도(θ7)는 제5각도(θ5)보다 작을 수 있다. 상기 각도 θ7/ θ5 <1을 만족할 수 있다.
Referring to FIG. 11 , the secondlight emitting surface 335 of the optical lens may be inclined at a seventh angle θ7 with respect to the vertical optical axis Y0. The seventh angle θ7 may be smaller than the fifth angle θ5 . The angle θ7/θ5 <1 may be satisfied.

도 12 및 도 13는 실시 예에 따른 발광 모듈에서 회로 기판 상에 흡수층을 배치한 구조이다.12 and 13 are structures in which an absorption layer is disposed on a circuit board in a light emitting module according to an embodiment.

도 12 및 도 13을 참조하면, 회로 기판(400) 상에 흡수층(412,414)을 배치된다. 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)에 입사된 광의 일부(L5)는 투과되고 일부 광(L6)은 반사된다. 상기 흡수층(412,414)은 입사되는 광(L6)을 흡수하게 된다. 상기 흡수층(412,414)은 흑색 레지스트 물질을 포함할 수 있다.12 and 13 , absorption layers 412 and 414 are disposed on thecircuit board 400 . A portion L5 of the light incident on the firstlight emitting surface 330 of theoptical lens 300 is transmitted and a portion L6 of the light is reflected. The absorption layers 412 and 414 absorb the incident light L6. The absorption layers 412 and 414 may include a black resist material.

상기 흡수층(412,414)은 광학 렌즈(300)와 수직 방향으로 오버래되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)은 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)은 상기 회로 기판(400)의 상기 광학 렌즈(300)의 리세스(315)를 기준으로 서로 반대측에 배치될 수 있다.
The absorption layers 412 and 414 may be disposed in a region overlapping theoptical lens 300 in a vertical direction. The absorption layers 412 and 414 may be disposed in a region that vertically overlaps with thebottom surface 310 of theoptical lens 300 . The absorption layers 412 and 414 may be disposed on opposite sides of thecircuit board 400 with respect to therecess 315 of theoptical lens 300 .

상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)가 상기 회로 기판(400)의 너비(D13)보다 넓은 경우, 상기 광학 렌즈(300)가 배열되는 방향을 따라 상기 광학 렌즈(300)의 리세스(315)의 양측에 상기 흡수층(412,414)이 각각 배치될 수 있다. 이러한 흡수층(412,414)은 상기 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)으로 반사된 일부 광(L6)이 입사된 경우 흡수하게 된다.When the width D4 of theoptical lens 300 is wider than the width D13 of thecircuit board 400 , therecess 315 of theoptical lens 300 along the direction in which theoptical lens 300 is arranged. ), the absorption layers 412 and 414 may be disposed on both sides, respectively. The absorption layers 412 and 414 absorb some light L6 reflected to the firstlight exit surface 330 of theoptical lens 300 when incident.

상기 흡수층(412,414)의 영역은 상기 제1광 출사면(330)으로 반사된 광의 광량이 최대인 영역 아래에 배치될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)의 영역들은 상기 광축(Y0)의 기준점으로부터 동일한 반경(D12)을 갖고 배치될 수 있다.Regions of the absorption layers 412 and 414 may be disposed under regions in which the amount of light reflected by the firstlight emitting surface 330 is maximum. Regions of the absorption layers 412 and 414 may be disposed to have the same radius D12 from the reference point of the optical axis Y0.

도 25와 같이, 회로 기판 상에 흡수층을 갖는 경우(예3)는 흡수층을 갖지 않는 경우(예4)에 비해, 불필요한 광을 흡수하게 되므로, 광의 균일도가 개선됨을 알 수 있다.As shown in FIG. 25 , it can be seen that the case in which the absorbing layer is provided on the circuit board (Example 3) absorbs unnecessary light compared to the case in which the absorbing layer is not provided (Example 4), so that the light uniformity is improved.

도 12 및 도 13을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)의 바닥 면(310)에는 복수의 지지 돌기(350,355)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350,355)는 제1지지 돌기(350) 및 제2지지 돌기(355)를 포함한다. 상기 제1지지 돌기(350)는 상기 흡수층(412,414)의 영역을 제외하고 복수개가 배치될 수 있으며, 회로 기판(400)의 상면과 접촉될 수 있다. 상기 제1지지 돌기(350)은 2개 또는 3개 이상으로 배치되어, 회로 기판(400) 상에 광학 렌즈(300)을 지지하게 된다.12 and 13 , a plurality ofsupport protrusions 350 and 355 may be disposed on thebottom surface 310 of theoptical lens 300 . The plurality ofsupport protrusions 350 and 355 include afirst support protrusion 350 and asecond support protrusion 355 . A plurality of thefirst support protrusions 350 may be disposed except for regions of the absorption layers 412 and 414 , and may be in contact with the upper surface of thecircuit board 400 . Two or three or more of thefirst support protrusions 350 are arranged to support theoptical lens 300 on thecircuit board 400 .

상기 제2지지 돌기(355)는 상기 제1지지 돌기(350)의 높이보다 더 높이 돌출될 수 있다. 상기 제2지지 돌기(355) 간의 간격은 상기 회로 기판(400)의 너비(D13)과 동일하거나 더 이격될 수 있다. 상기 제2지지 돌기(355) 사이에는 상기 회로 기판(400)이 끼워질 수 있다. 이에 따라 제2지지 돌기(355)는 광학 렌즈(300)를 결합하는 과정에서 상기 회로 기판(400)의 외측에 결합되어 상기 광학 렌즈(300)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2지지 돌기(355)는 2개 또는 3개 이상이 배치될 수 있으며, 상기 회로 기판(400)의 양측에 접촉될 수 있다. 상기 제2지지 돌기(355)의 반경은 상기 제1지지 돌기(350)의 반경보다 클 수 있다.
Thesecond support protrusion 355 may protrude higher than the height of thefirst support protrusion 350 . A distance between thesecond support protrusions 355 may be equal to or more spaced apart from the width D13 of thecircuit board 400 . Thecircuit board 400 may be sandwiched between thesecond support protrusions 355 . Accordingly, thesecond support protrusion 355 is coupled to the outside of thecircuit board 400 in the process of coupling theoptical lens 300 to prevent theoptical lens 300 from being tilted. Two or three or more of thesecond support protrusions 355 may be disposed and may be in contact with both sides of thecircuit board 400 . A radius of thesecond support protrusion 355 may be greater than a radius of thefirst support protrusion 350 .

도 14은 실시 예에 따른 광학 렌즈를 갖는 라이트 유닛을 나타낸 측 단면도이다.14 is a side cross-sectional view illustrating a light unit having an optical lens according to an embodiment.

도 14를 참조하면, 각 회로 기판(400) 내에 배치된 광학 렌즈(300) 간의 간격(G1)은 서로 다른 회로 기판(400) 내에 배치된 광학 렌즈(300) 간의 간격보다 좁게 배열될 수 있다. 상기 간격(G1)은 도 13에 도시된 광학 렌즈(300)의 너비(D4)의 6배 내지 10배 범위 예컨대, 7배 내지 9배 범위로 배열될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300) 간의 간격(G1)은 인접한 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 14 , the spacing G1 between theoptical lenses 300 disposed in eachcircuit board 400 may be arranged to be narrower than the spacing between theoptical lenses 300 disposed indifferent circuit boards 400 . The gap G1 may be arranged in a range of 6 to 10 times, for example, 7 to 9 times the width D4 of theoptical lens 300 shown in FIG. 13 . The distance G1 between theoptical lenses 300 may prevent optical interference between adjacentoptical lenses 300 .

여기서, 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)는 15mm 이상이 될 수 있으며, 예컨대 16mm 내지 20mm 범위에 있을 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)가 상기 범위보다 좁은 경우 라이트 유닛 내의 광학 렌즈의 개수가 증가될 수 있고 상기 광학 렌즈(300)들 사이의 영역에 암부가 발생될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)가 상기 범위보다 넓은 경우 라이트 유닛 내의 광학 렌즈의 개수는 감소되지만, 각 광학 렌즈의 휘도가 감소될 수 있다.Here, the width D4 of theoptical lens 300 may be 15 mm or more, for example, may be in the range of 16 mm to 20 mm. When the width D4 of theoptical lens 300 is narrower than the above range, the number of optical lenses in the light unit may be increased, and a dark portion may be generated in a region between theoptical lenses 300 . When the width D4 of theoptical lens 300 is wider than the above range, the number of optical lenses in the light unit is reduced, but the luminance of each optical lens may be reduced.

도 21은 라이트 유닛에서의 광학 렌즈의 휘도 분포를 나타낸 것으로서, 실시 예는 비교 예의 광학 렌즈를 출사면이 음의 곡률 반경을 갖는 구조에 비해, 거의 동일한 휘도 분포를 가지게 된다.
21 is a diagram showing the luminance distribution of the optical lens in the light unit, and the embodiment has almost the same luminance distribution compared to the optical lens of the comparative example in which the emitting surface has a negative radius of curvature.

한편, 광학 렌즈(300)는 입사면(320) 및 제1광 출사면(330)의 단면이 곡선 구간을 포함하는 경우, 곡선 구간은 비선형적 수치해석 기법인 스플라인 곡선(spline curve)을 만족할 수 있다. 스플라인 곡선은 적은 수의 제어점(control point)으로 매끄러운 곡선을 만들기 위한 함수로서, 선정된 제어점들을 통과하는 보간(interpolation) 곡선, 선정된 제어점을 연결하는 선의 모양에 근사(approximation) 곡선으로 정의될 수 있다. 스플라인 곡선으로는 비스플라인(B-Spline) 곡선, 베지어(Bezier) 곡선, 넙스(Non-UniformRational B-Spline, NURBS) 곡선, 큐빅 스플라인(cubic spline) 곡선 등이 사용될 수 있다.Meanwhile, in theoptical lens 300, when the cross-sections of theincident surface 320 and the firstlight emitting surface 330 include a curved section, the curved section can satisfy a spline curve, which is a nonlinear numerical analysis technique. have. A spline curve is a function for making a smooth curve with a small number of control points. It can be defined as an interpolation curve passing through the selected control points and an approximation curve to the shape of a line connecting the selected control points. have. As the spline curve, a B-Spline curve, a Bezier curve, a Non-UniformRational B-Spline, NURBS curve, a cubic spline curve, etc. may be used.

일 예로, 각 면의 단면에 포함되는 곡선 구간은 베지어 곡선 함수(Bezier Curve equation)를 통하여 나타낼 수 있다. 베지어 곡선 함수는 최초의 제어점(control point)인 시작점과, 최후의 제어점인 끝점 그리고 그 사이에 위치하는 내부 제어점의 이동에 의해 다양한 자유 곡선을 얻는 함수로 구현될 수 있다.
For example, the curved section included in the cross section of each surface may be expressed through a Bezier curve equation. The Bezier curve function may be implemented as a function to obtain various free curves by moving a start point, which is the first control point, an end point, which is the last control point, and an internal control point located therebetween.

도 15는 리세스의 입사면의 곡선을 구하는 것으로서, 시작 점(C1)과 끝점(C2), 그리고 적어도 하나의 내부 제어점(C3)의 이동에 의해 구현될 수 있다.15 shows a curve of the incident surface of the recess, which may be implemented by moving a start point C1, an end point C2, and at least one internal control point C3.

상기 내부 제어점(C3)과 연결되는 상기 시작 점(C1)과 끝점(C2)에 대한 가중치(weight)를 주어 상기의 입사면(320)의 곡선을 아래의 표 1과 같이 구할 수 있다. 표 1은 입사면의 곡선 구간을 구하기 위한 파라미터들이다.By giving weights to the start point C1 and the end point C2 connected to the internal control point C3, the curve of theincident surface 320 can be obtained as shown in Table 1 below. Table 1 is the parameters for obtaining the curved section of the incident surface.

시작 점starting point끝점endpointY(광축)Y (optical axis)0.000.001.581.58X(수평 축)X (horizontal axis)4.50-4.704.50-4.700.00990.0099Tangent AngleTangent Angle109-113109-113-3.74-3.74Tangent LengthTangent Length1.431.430.450.45WeightWeight0.48-0.500.48-0.500.710.71

상기 시작 점(C1)의 X축 지점과 가중치(Weight)는 광학 렌즈(300)와 광학 시트 사이의 간격에 따라 변경될 수 있다.
The X-axis point and the weight of the starting point C1 may be changed according to the distance between theoptical lens 300 and the optical sheet.

도 16은 광학 렌즈의 제1광 출사면의 곡선을 구하는 것으로서, 시작 점(C4)과 끝점(C5), 그리고 적어도 두 개의 내부 제어점(C6,C7)의 이동에 의해 구현될 수 있다.16 shows a curve of the first light emitting surface of the optical lens, which may be implemented by moving a start point C4 and an end point C5, and at least two internal control points C6 and C7.

상기 내부 제어점(C6,C7)과 연결되는 상기 시작 점(C4)과 끝점(C5)에 대한 가중치(weight)를 주어 상기의 제1광 출사면(330)의 곡선을 아래의 표2와 같이 구할 수 있다. 표 2는 제1광 출사면의 곡선 구간을 구하기 위한 파라미터들이다.By giving weights to the start point C4 and the end point C5 connected to the internal control points C6 and C7, the curve of the firstlight emitting surface 330 is obtained as shown in Table 2 below. can Table 2 shows parameters for obtaining a curved section of the first light emitting surface.

시작 점starting point끝점endpointY(광축)Y (optical axis)8.518.510.000.00X(수평 축)X (horizontal axis)2.482.485.65-5.765.65-5.76Tangent AngleTangent Angle-22-229090Tangent LengthTangent Length1.42.3631.42.3634.804.80WeightWeight0.44-0.480.44-0.480.52-0.540.52-0.54

상기 시작 점(C4)의 X축 지점과 가중치(Weight)는 광학 렌즈(300)와 광학 시트 사이의 간격에 따라 변경될 수 있다.
The X-axis point and the weight of the starting point C4 may be changed according to the distance between theoptical lens 300 and the optical sheet.

도 17은 실시 예에 따른 발광 소자(100)의 제1예를 나타낸 도면이다. 도 17을 참조하여 발광 소자(100) 및 회로 기판(400)을 설명하기로 한다.17 is a view showing a first example of thelight emitting device 100 according to the embodiment. Thelight emitting device 100 and thecircuit board 400 will be described with reference to FIG. 17 .

도 17을 참조하면, 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(100A)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(100A)과 상기 발광 칩(100A) 상에 배치된 형광체층(150)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(150)은 청색, 녹색, 황색, 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수를 포함하며, 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 17 , thelight emitting device 100 includes alight emitting chip 100A. Thelight emitting device 100 may include alight emitting chip 100A and aphosphor layer 150 disposed on thelight emitting chip 100A. Thephosphor layer 150 includes at least one or a plurality of blue, green, yellow, and red phosphors, and may be disposed in a single layer or in multiple layers. In thephosphor layer 150, a phosphor is added in a light-transmitting resin material. The light-transmitting resin material may include a material such as silicone or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride-based materials.

상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100A)의 상면에 배치되거나, 상기 발광 칩(100A)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100A)의 표면 중에서 광이 방출되는 영역 상에 배치되어, 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.Thephosphor layer 150 may be disposed on the upper surface of thelight emitting chip 100A, or may be disposed on the upper surface and side surfaces of thelight emitting chip 100A. Thephosphor layer 150 may be disposed on a region where light is emitted from the surface of thelight emitting chip 100A, and may convert a wavelength of light.

상기 형광체층(150)은 단층 또는 서로 다른 형광체층을 포함할 수 있으며, 상기 서로 다른 형광체층은 제1층이 적색, 황색, 녹색 형광체 중 적어도 한 종류의 형광체를 가질 수 있고, 제2층이 상기 제1층 위에 형성되며 적색, 황색, 녹색 형광체 중 상기 제1층과 다른 형광체를 가질 수 있다. 다른 예로서, 상기 서로 다른 형광체층은 3층 이상의 형광체층을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Thephosphor layer 150 may include a single layer or different phosphor layers. In the different phosphor layers, the first layer may include at least one type of red, yellow, and green phosphor, and the second layer may include phosphor layers. It is formed on the first layer and may have a phosphor different from that of the first layer among red, yellow, and green phosphors. As another example, the different phosphor layers may include three or more phosphor layers, but is not limited thereto.

다른 예로서, 상기 형광체층(150)은 필름 타입을 포함할 수 있다. 상기 필름 타입의 형광체층은 균일한 두께를 제공함으로써, 파장 변환에 따른 색 분포가 균일할 수 있다.As another example, thephosphor layer 150 may include a film type. Since the film-type phosphor layer provides a uniform thickness, color distribution according to wavelength conversion may be uniform.

상기 발광 칩(100A)에 대해 설명하면, 상기 발광 칩(100A)은 기판(111), 제1반도체층(113), 발광 구조물(120), 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 지지층(140)을 포함할 수 있다.When describing thelight emitting chip 100A, thelight emitting chip 100A includes asubstrate 111 , afirst semiconductor layer 113 , alight emitting structure 120 , anelectrode layer 131 , an insulatinglayer 133 , and a first It may include anelectrode 135 , asecond electrode 137 , afirst connection electrode 141 , asecond connection electrode 143 , and asupport layer 140 .

상기 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al₂O₃), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga₂O₃ 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(111)의 탑 면 및 바닥면 중 적어도 하나 또는 모두에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 각 볼록부의 측 단면 형상은 반구형 형상, 반타원 형상, 또는 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기판(111)은 발광 칩(100A) 내에서 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 제1반도체층(113) 또는 제1도전형 반도체층(115)이 발광 칩(100A)의 탑 층으로 배치될 수 있다.Thesubstrate 111 may use a light-transmitting, insulating or conductive substrate, for example, sapphire (Al₂ O₃ ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga₂ O₃ At least one is available. A plurality of convex portions (not shown) may be formed on at least one or both of the top surface and the bottom surface of thesubstrate 111 to improve light extraction efficiency. A side cross-sectional shape of each convex portion may include at least one of a hemispherical shape, a semi-elliptical shape, and a polygonal shape. Here, thesubstrate 111 may be removed from thelight emitting chip 100A. In this case, thefirst semiconductor layer 113 or the firstconductive semiconductor layer 115 serves as a top layer of thelight emitting chip 100A. can be placed.

상기 기판(111) 아래에는 제1반도체층(113)이 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖고, 버퍼층 및 언도프드(undoped) 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 반도체의 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제1반도체층(113)은 형성하지 않을 수 있다.Afirst semiconductor layer 113 may be formed under thesubstrate 111 . Thefirst semiconductor layer 113 may be formed using a compound semiconductor of a group II to group V element. Thefirst semiconductor layer 113 may be formed of at least one layer or a plurality of layers using a compound semiconductor of a group II to group V element. Thefirst semiconductor layer 113 is, for example, a semiconductor layer using a compound semiconductor of a group III-V element, for example, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, It may include at least one of GaP. Thefirst semiconductor layer 113 has a composition formula of In_x Al_y Ga_1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), and a buffer layer and undoped ) may be formed of at least one of the semiconductor layers. The buffer layer may reduce a difference in lattice constant between the substrate and the nitride semiconductor layer, and the undoped semiconductor layer may improve crystal quality of a semiconductor. Here, thefirst semiconductor layer 113 may not be formed.

상기 제1반도체층(113) 아래에는 발광 구조물(120)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(120)은 II족 내지 V족 원소 및 III족-V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다.Alight emitting structure 120 may be formed under thefirst semiconductor layer 113 . Thelight emitting structure 120 is selectively formed from compound semiconductors of Group II to Group V elements and Group III-V elements, and may emit light at a predetermined peak wavelength within a wavelength range from an ultraviolet band to a visible light band.

상기 발광 구조물(120)은 제1도전형 반도체층(115), 제2도전형 반도체층(119), 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제2도전형 반도체층(119) 사이에 형성된 활성층(117)을 포함하며, 상기 각 층(115,117,119)의 위 및 아래 중 적어도 하나에는 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Thelight emitting structure 120 includes a first conductivitytype semiconductor layer 115 , a second conductivitytype semiconductor layer 119 , and between the first conductivitytype semiconductor layer 115 and the second conductivitytype semiconductor layer 119 . It includes the formedactive layer 117 , and another semiconductor layer may be further disposed on at least one of the top and bottom of each of thelayers 115 , 117 , and 119 , but is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(115)은 제1반도체층(113) 아래에 배치되며, 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.The first conductivitytype semiconductor layer 115 is disposed under thefirst semiconductor layer 113 and may be implemented as a semiconductor doped with a first conductivity type dopant, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductivitytype semiconductor layer 115 includes a compositional formula of In_x Al_y Ga_1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). The firstconductive semiconductor layer 115 may be selected from a group III-V group element compound semiconductor, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. . The first conductivity-type dopant is an n-type dopant and includes a dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like.

상기 활성층(117)은 제1도전형 반도체층(115) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.Theactive layer 117 is disposed under the first conductivitytype semiconductor layer 115 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. and includes the cycle of the well layer and the barrier layer. The period of the well layer/barrier layer is, for example, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs at least one of the pairs of

상기 제2도전형 반도체층(119)은 활성층(117) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.The secondconductive semiconductor layer 119 is disposed under theactive layer 117 . The second conductivitytype semiconductor layer 119 is a semiconductor doped with a second conductivity type dopant, for example, In_x Al_y Ga_1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤ 1) contains the composition formula. The secondconductive semiconductor layer 119 may be formed of at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The second conductivity-type semiconductor layer 119 is a p-type semiconductor layer, and the first conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

상기 발광 구조물(120)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(115)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(119)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(120)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
As another example of thelight emitting structure 120 , the first conductivity-type semiconductor layer 115 may be implemented as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 119 may be implemented as an n-type semiconductor layer. A third conductivity type semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductivity type semiconductor layer may be formed on the second conductivitytype semiconductor layer 119 . In addition, thelight emitting structure 120 may be implemented as any one of an np junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure.

상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에는 전극층(131)이 형성된다. 상기 전극층(131)은 반사층을 포함할 수 있다. 상기 전극층(131)은 상기 발광 구조물(120)의 제2도전형 반도체층(119)에 접촉된 오믹 접촉층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 반사율이 70% 이상인 물질 예컨대, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir의 금속과 상기의 금속 중 둘 이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 반사층의 금속은 상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에 접촉될 수 있다. 상기 오믹 접촉층은 투광성 재질, 금속 또는 비 금속 재질 중에서 선택될 수 있다.Anelectrode layer 131 is formed under the secondconductive semiconductor layer 119 . Theelectrode layer 131 may include a reflective layer. Theelectrode layer 131 may include an ohmic contact layer in contact with the secondconductive semiconductor layer 119 of thelight emitting structure 120 . The reflective layer may be selected from a material having a reflectance of 70% or more, for example, metals of Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, and Ir, and alloys of two or more of the above metals. The metal of the reflective layer may be in contact under the second conductivitytype semiconductor layer 119 . The ohmic contact layer may be selected from a light-transmitting material, a metal, or a non-metal material.

상기 전극층(131)은 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 상기 투광성 전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 상기 투광성 전극층의 아래에는 금속 재질의 반사층이 배치될 수 있으며, 예컨대 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 상기 반사층은 다른 예로서, 서로 다른 굴절률을 갖는 두 층이 교대로 배치된 DBR(distributed bragg reflection) 구조로 형성될 수 있다.Theelectrode layer 131 may include a stacked structure of a light-transmitting electrode layer/reflective layer, and the light-transmitting electrode layer may include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), or indium aluminum (IAZO). zinc oxide), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), Ag, Ni, Al, Rh, Pd , Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and optional combinations thereof. A reflective layer made of a metallic material may be disposed under the light-transmitting electrode layer, for example, from among materials consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and selective combinations thereof. can be formed. As another example, the reflective layer may be formed in a distributed bragg reflection (DBR) structure in which two layers having different refractive indices are alternately disposed.

상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 전극층(131) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
A light extraction structure such as roughness may be formed on the surface of at least one of the secondconductive semiconductor layer 119 and theelectrode layer 131, and this light extraction structure changes the critical angle of incident light, It can improve the light extraction efficiency.

상기 절연층(133)은 상기 전극층(131) 아래에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(119)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 활성층(117)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역에 배치될 수 있다. 상기 절연층(133)은 상기 발광 구조물(120)의 하부 영역 중에서 상기 전극층(131), 제1전극(135) 및 제2전극(137)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(120)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다.The insulatinglayer 133 is disposed under theelectrode layer 131 , a lower surface of the secondconductive semiconductor layer 119 , side surfaces of the secondconductive semiconductor layer 119 and theactive layer 117 , and the It may be disposed in a partial region of the first conductivitytype semiconductor layer 115 . The insulatinglayer 133 is formed in a region excluding theelectrode layer 131 , thefirst electrode 135 , and thesecond electrode 137 in the lower region of thelight emitting structure 120 . The lower part is electrically protected.

상기 절연층(133)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(133)은 예컨대, SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, TiO₂ 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(133)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(133)은 발광 구조물(120)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(120)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.The insulatinglayer 133 includes an insulating material or insulating resin formed of at least one of oxide, nitride, fluoride, and sulfide having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr. The insulatinglayer 133 may be selectively formed from, for example, SiO₂ , Si₃ N₄ , Al₂ O₃ , and TiO₂ . The insulatinglayer 133 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto. The insulatinglayer 133 is formed to prevent an interlayer short circuit of thelight emitting structure 120 when a metal structure for flip bonding is formed under thelight emitting structure 120 .

상기 절연층(133)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1층과 제2층이 교대로 배치된 DBR(distributed bragg reflector) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층은 SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, TiO₂ 중에서 어느 하나이며, 상기 제2층은 상기 제1층 이외의 물질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정하지 않으며, 또는 상기 제1층 및 제2층이 동일한 물질로 형성되거나 3층 이상의 층을 갖는 페어(Pair)로 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 전극층은 형성하지 않을 수 있다.
The insulatinglayer 133 may be formed in a distributed bragg reflector (DBR) structure in which first and second layers having different refractive indices are alternately disposed, the first layer being SiO₂ , Si₃ N₄ , Any one of Al₂ O₃ and TiO₂ , and the second layer may be formed of any material other than the first layer, but is not limited thereto, or the first layer and the second layer are formed of the same material. Or it may be formed as a pair having three or more layers. In this case, the electrode layer may not be formed.

상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역 아래에는 제1전극(135)이 배치되며, 상기 전극층(131)의 일부 아래에는 제2전극(137)이 배치될 수 있다. 상기 제1전극(135) 아래에는 제1연결 전극(141)이 배치되며, 상기 제2전극(137) 아래에는 제2연결 전극(143)이 배치된다.Afirst electrode 135 may be disposed under a portion of the firstconductive semiconductor layer 115 , and asecond electrode 137 may be disposed under a portion of theelectrode layer 131 . Afirst connection electrode 141 is disposed under thefirst electrode 135 , and asecond connection electrode 143 is disposed under thesecond electrode 137 .

상기 제1전극(135)은 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제1연결 전극(141)에 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(137)은 상기 전극층(131)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(119)과 제2연결 전극(143)에 전기적으로 연결될 수 있다.Thefirst electrode 135 is electrically connected to the firstconductive semiconductor layer 115 and thefirst connection electrode 141 , and thesecond electrode 137 is connected to thesecond electrode layer 131 through theelectrode layer 131 . It may be electrically connected to the secondconductive semiconductor layer 119 and thesecond connection electrode 143 .

상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)은 Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135)과 상기 제2전극(137)은 동일한 적층 구조이거나 다른 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137) 중 적어도 하나는 암(arm) 또는 핑거(finger) 구조와 같은 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 또한 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2연결 전극(141,143) 중 적어도 하나는 복수로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Thefirst electrode 135 and thesecond electrode 137 are made of at least one of Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W or an alloy. may be formed, and may be formed in a single layer or in multiple layers. Thefirst electrode 135 and thesecond electrode 137 may be formed in the same or different stacked structures. At least one of thefirst electrode 135 and thesecond electrode 137 may further have a current diffusion pattern such as an arm or finger structure. In addition, thefirst electrode 135 and thesecond electrode 137 may be formed in one or a plurality, but is not limited thereto. At least one of the first andsecond connection electrodes 141 and 143 may be disposed in plurality, but is not limited thereto.

상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 전원을 공급하는 리드(lead) 기능과 방열 경로를 제공하게 된다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 원 형상, 다각 형상, 원 기둥 또는 다각 기둥과 같은 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 금속 파우더의 재질 예컨대, Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, W 및 이들 금속의 선택적 합금 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)과의 접착력 향상을 위하여 In, Sn, Ni, Cu 및 이들의 선택적인 합금 중의 어느 한 금속으로 도금될 수 있다.Thefirst connection electrode 141 and thesecond connection electrode 143 provide a lead function for supplying power and a heat dissipation path. Thefirst connection electrode 141 and thesecond connection electrode 143 may include at least one of a circular shape, a polygonal shape, and a shape such as a circular pole or a polygonal pole. Thefirst connection electrode 141 and thesecond connection electrode 143 are made of metal powder, for example, Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta. , Ti, W, and optional alloys of these metals. Thefirst connection electrode 141 and thesecond connection electrode 143 may include In, Sn, Ni, Cu, and optional alloys thereof to improve adhesion between thefirst electrode 135 and thesecond electrode 137 . It may be plated with any one of the metals.

상기 지지층(140)은 열 전도성 재질을 포함하며, 상기 제1전극(135), 상기 제2전극(137), 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 지지층(140)의 하면에는 상기 제1 및 제2연결 전극(141,143)의 하면이 노출될 수 있다.Thesupport layer 140 includes a thermally conductive material and is disposed around thefirst electrode 135 , thesecond electrode 137 , thefirst connection electrode 141 , and thesecond connection electrode 143 . can be Lower surfaces of the first andsecond connection electrodes 141 and 143 may be exposed on a lower surface of thesupport layer 140 .

상기 지지층(140)은 발광 소자(100)를 지지하는 층으로 사용된다. 상기 지지층(140)은 절연성 재질로 형성되며, 상기 절연성 재질은 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지층으로 형성된다. 다른 예로서, 상기 절연성 재질은 페이스트 또는 절연성 잉크를 포함할 수 있다. 상기 절연성 재질의 재질은 그 종류는 polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), 및 Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), 및 PAMAM 내부 구조 및 유기-실리콘 외면을 갖는 PAMAM-OS(organosilicon)를 단독 또는 이들의 조합을 포함한 수지로 구성될 수 있다. 상기 지지층(140)은 상기 절연층(133)과 다른 물질로 형성될 수 있다.The supportinglayer 140 is used as a layer supporting thelight emitting device 100 . Thesupport layer 140 is formed of an insulating material, and the insulating material is formed of, for example, a resin layer such as silicone or epoxy. As another example, the insulating material may include a paste or insulating ink. The material of the insulating material is polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), and Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), and PAMAM-OS (organosilicon) having a PAMAM internal structure and an organosilicon outer surface. can be Thesupport layer 140 may be formed of a material different from that of the insulatinglayer 133 .

상기 지지층(140) 내에는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 여기서, 상기 지지층(140) 내에 첨가된 화합물은 열 확산제일 수 있으며, 상기 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 사용될 수 있다. 상기 열 확산제는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 세라믹 재질은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic), 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic), 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 세라믹 재질은 질화물 또는 산화물과 같은 절연성 물질 중에서 열 전도도가 질화물이나 산화물보다 높은 금속 질화물로 형성될 수 있으며, 상기 금속 질화물은 예컨대, 열 전도도가 140 W/mK 이상의 물질을 포함할 수 있다. 상기 세라믹 재질은 예컨대, SiO₂, Si_xO_y, Si₃N₄, Si_xN_y, SiO_xN_y, Al₂O₃, BN, Si₃N₄, SiC(SiC-BeO), BeO, CeO, AlN와 같은 세라믹 (Ceramic) 계열일 수 있다. 상기 열 전도성 물질은 C (다이아몬드, CNT)의 성분을 포함할 수 있다.
At least one of compounds such as oxide, nitride, fluoride, and sulfide having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr may be added into thesupport layer 140 . Here, the compound added into thesupport layer 140 may be a heat spreader, and the heat spreader may be used as powder particles, grains, fillers, or additives of a predetermined size. The heat spreader includes a ceramic material, and the ceramic material is a co-fired low temperature co-fired ceramic (LTCC), high temperature co-fired ceramic (HTCC), and alumina. , quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fusedsilica, mullite, cordierite, zirconia, beryllia ), and at least one of aluminum nitride. The ceramic material may be formed of a metal nitride having higher thermal conductivity than a nitride or oxide among insulating materials such as nitride or oxide, and the metal nitride may include, for example, a material having a thermal conductivity of 140 W/mK or more. The ceramic material is, for example, SiO₂ , Si_x O_y , Si₃ N₄ , Si_x N_y , SiO_x N_y , Al₂ O₃ , BN, Si₃ N₄ , SiC (SiC-BeO), BeO, It may be a ceramic series such as CeO or AlN. The thermally conductive material may include a component of C (diamond, CNT).

상기 발광 칩(100A)은 상기 회로 기판(400) 상에 플립 방식으로 탑재된다. 상기 회로 기판(400)은 금속층(471), 상기 금속층(471) 위에 절연층(472), 상기 절연층(472) 위에 복수의 리드 전극(473,474)을 갖는 회로 층(미도시) 및 상기 회로 층을 보호하는 보호층(475)을 포함한다. 상기 금속층(471)은 방열 층으로서, 열 전도성이 높은 금속 예컨대, Cu 또는 Cu-합금와 같은 금속을 포함하며, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.Thelight emitting chip 100A is mounted on thecircuit board 400 in a flip manner. Thecircuit board 400 includes ametal layer 471 , an insulatinglayer 472 on themetal layer 471 , a circuit layer (not shown) having a plurality of lead electrodes 473,474 on the insulatinglayer 472 , and the circuit layer and aprotective layer 475 to protect the Themetal layer 471 is a heat dissipation layer, and includes a metal having high thermal conductivity, for example, a metal such as Cu or Cu-alloy, and may be formed in a single-layer or multi-layer structure.

상기 절연층(472)은 상기 금속층(471)과 회로 층 사이를 절연시켜 준다. 상기 절연층은 에폭시, 실리콘, 유리섬유, 프리 프레그(prepreg), 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T)와 같은 수지 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 절연층(472) 내에는 금속 산화물 예컨대, TiO₂, SiO₂, Al₂O₃와 같은 첨가제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 절연층(472)은 그라핀과 같은 재질을 실리콘 또는 에폭시와 같은 절연 물질 내에 첨가하여 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The insulatinglayer 472 insulates between themetal layer 471 and the circuit layer. The insulating layer may include at least one of a resin material such as epoxy, silicone, glass fiber, prepreg, polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP), and polyamide9T (PA9T). . In addition, an additive such as a metal oxide, for example, TiO₂ , SiO₂ , Al₂ O₃ may be added in the insulatinglayer 472 , but the present disclosure is not limited thereto. As another example, the insulatinglayer 472 may be used by adding a material such as graphene into an insulating material such as silicon or epoxy, but is not limited thereto.

상기 절연층(472)은 상기 금속층(471)이 양극 산화(anodizing) 과정에 의해 형성된 아노다이징(anodizing)된 영역일 수 있다. 여기서, 상기 금속층(471)은 알루미늄 재질이고, 상기 아노다이징된 영역은 Al₂O₃와 같은 재질로 배치될 수 있다.
The insulatinglayer 472 may be an anodized region in which themetal layer 471 is formed by an anodizing process. Here, themetal layer 471 may be made of aluminum, and the anodized region may be made of a material such as Al₂ O₃ .

상기 제1 및 제2리드 전극(473,474)은 발광 칩(100A)의 제1 및 제2연결 전극(141,143)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2리드 전극(473,474)과 상기 발광 칩(100A)의 연결 전극(141,143) 사이에는 전도성 접착제(461,462)가 배치될 수 있다. 상기 전도성 접착제(461,462)는 솔더 재질과 같은 금속 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1리드 전극(473) 및 제2리드 전극(474)은 회로 패턴으로서, 전원을 공급해 주게 된다.The first and second lead electrodes 473,474 are electrically connected to the first andsecond connection electrodes 141 and 143 of thelight emitting chip 100A.Conductive adhesives 461 and 462 may be disposed between the first and second lead electrodes 473,474 and theconnection electrodes 141 and 143 of thelight emitting chip 100A. Theconductive adhesives 461 and 462 may include a metal material such as a solder material. The firstlead electrode 473 and the secondlead electrode 474 are circuit patterns and supply power.

상기 보호층(475)은 상기 회로층 상에 배치될 수 있다. 상기 보호층(475)은 반사 재질을 포함하며, 예컨대 레지스트 재질 예컨대, 백색의 레지스트 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 보호층(475)은 반사층으로 기능할 수 있으며, 예컨대 흡수율보다 반사율이 더 높은 재질로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 보호층(475)은 광을 흡수하는 재질로 배치될 수 있으며, 상기 광 흡수 재질은 흑색 레지스트 재질을 포함할 수 있다.
Thepassivation layer 475 may be disposed on the circuit layer. Theprotective layer 475 includes a reflective material, and may be formed of, for example, a resist material, for example, a white resist material, but is not limited thereto. Thepassivation layer 475 may function as a reflective layer, and may be formed of, for example, a material having a higher reflectance than an absorptivity. As another example, theprotective layer 475 may be formed of a material absorbing light, and the light absorbing material may include a black resist material.

도 18을 참조하여 발광 모듈의 발광 소자의 제2예를 설명하기로 한다.A second example of the light emitting device of the light emitting module will be described with reference to FIG. 18 .

도 18을 참조하면, 발광 소자(100)는 발광 칩(100B)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(100B)과 상기 발광 칩(100B) 상에 배치된 형광체층(150)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(150)은 청색, 녹색, 황색, 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수를 포함하며, 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 18 , thelight emitting device 100 includes alight emitting chip 100B. Thelight emitting device 100 may include alight emitting chip 100B and aphosphor layer 150 disposed on thelight emitting chip 100B. Thephosphor layer 150 includes at least one or a plurality of blue, green, yellow, and red phosphors, and may be disposed in a single layer or in multiple layers. In thephosphor layer 150, a phosphor is added in a light-transmitting resin material. The light-transmitting resin material may include a material such as silicone or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride-based materials.

상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100B)의 상면에 배치되거나, 상기 발광 칩(100B)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100B)의 표면 중에서 광이 방출되는 영역 상에 배치되어, 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.Thephosphor layer 150 may be disposed on the upper surface of thelight emitting chip 100B, or may be disposed on the upper surface and side surfaces of thelight emitting chip 100B. Thephosphor layer 150 may be disposed on a region where light is emitted from the surface of thelight emitting chip 100B, and may convert a wavelength of light.

상기 발광 칩(100B)은 기판(111), 제1반도체층(113), 발광 구조물(120), 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 지지층(140)을 포함할 수 있다. 상기 기판(111) 및 제2반도체층(113)은 제거될 수 있다.Thelight emitting chip 100B includes asubstrate 111 , afirst semiconductor layer 113 , alight emitting structure 120 , anelectrode layer 131 , an insulatinglayer 133 , afirst electrode 135 , and asecond electrode 137 . , afirst connection electrode 141 , asecond connection electrode 143 , and asupport layer 140 . Thesubstrate 111 and thesecond semiconductor layer 113 may be removed.

발광 소자(100)의 발광 칩(100B)과 회로 기판(400)은 연결 전극(161,162)으로 연결될 수 있으며, 상기 연결 전극(161,162)은 전도성 펌프 즉, 솔더 범프를 포함할 수 있다. 상기 전도성 펌프는 각 전극(135,137) 아래에 하나 또는 복수로 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(133)은 제1 및 제2전극(135,137)을 노출시켜 줄 수 있으며, 상기 제1 및 제2전극(135,137)은 연결 전극(161,162)와 전기적으로 연결될 수 있다.
Thelight emitting chip 100B of thelight emitting device 100 and thecircuit board 400 may be connected to each other throughconnection electrodes 161 and 162 , and theconnection electrodes 161 and 162 may include a conductive pump, that is, a solder bump. The conductive pump may be arranged in one or a plurality under each of theelectrodes 135 and 137, but is not limited thereto. The insulatinglayer 133 may expose the first andsecond electrodes 135 and 137 , and the first andsecond electrodes 135 and 137 may be electrically connected to theconnection electrodes 161 and 162 .

도 19을 참조하여, 발광 소자의 제3예를 설명하기로 한다.A third example of the light emitting device will be described with reference to FIG. 19 .

도 19을 참조하면, 발광 소자(100)는 회로 기판(400)에 연결된 발광 칩(200A)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(200A)의 표면에 배치된 형광체층(250)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(250)은 입사되는 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 발광 소자(100) 상에는 도 4와 같이 광학 렌즈(도 4의 300)가 배치되어 상기 발광 칩(200A)으로부터 방출된 광의 지향 특성을 조절하게 된다.Referring to FIG. 19 , thelight emitting device 100 includes alight emitting chip 200A connected to acircuit board 400 . Thelight emitting device 100 may include aphosphor layer 250 disposed on the surface of thelight emitting chip 200A. Thephosphor layer 250 converts the wavelength of the incident light. As shown in FIG. 4 , an optical lens ( 300 in FIG. 4 ) is disposed on thelight emitting device 100 to adjust the directivity of light emitted from thelight emitting chip 200A.

상기 발광 칩(200A)은 발광 구조물(225), 및 복수의 패드(245,247)를 포함한다. 상기 발광 구조물(225)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체층 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체층 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 패드(245,247)는 상기 발광 구조물(225)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.Thelight emitting chip 200A includes alight emitting structure 225 and a plurality ofpads 245 and 247 . Thelight emitting structure 225 may be formed of a compound semiconductor layer of a group II to group VI element, for example, a compound semiconductor layer of a group III-V element or a compound semiconductor layer of a group II-VI element. The plurality ofpads 245 and 247 are selectively connected to the semiconductor layer of thelight emitting structure 225 and supply power.

상기 발광 구조물(225)은 제1도전형 반도체층(222), 활성층(223) 및 제2도전형 반도체층(224)을 포함한다. 상기 발광 칩(200A)은 기판(221)을 포함할 수 있다. 상기 기판(221)은 상기 발광 구조물(225) 위에 배치된다. 상기 기판(221)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 이러한 구성은 도 4의 발광 구조물 및 기판에 대한 설명을 참조하기로 한다.Thelight emitting structure 225 includes a first conductivitytype semiconductor layer 222 , anactive layer 223 , and a second conductivitytype semiconductor layer 224 . Thelight emitting chip 200A may include asubstrate 221 . Thesubstrate 221 is disposed on thelight emitting structure 225 . Thesubstrate 221 may be, for example, a light-transmitting, insulating substrate, or a conductive substrate. For such a configuration, reference will be made to the description of the light emitting structure and the substrate of FIG. 4 .

상기 발광 칩(200A)은 하부에 패드(245,247)가 배치되며, 상기 패드(245,247)는 제1 및 제2패드(245,247)를 포함한다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩(200A)의 아래에 서로 이격되어 배치된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제1도전형 반도체층(222)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(247)는 제2도전형 반도체층(224)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)은 바닥 형상이 다각형 또는 원 형상이거나, 회로 기판(400)의 제1 및 제2리드 전극(415,417)의 형상과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2패드(245,247) 각각의 하면 면적은 예컨대, 제1 및 제2리드 전극(415,417) 각각의 상면 크기와 대응되는 크기로 형성될 수 있다.Pads 245 and 247 are disposed below thelight emitting chip 200A, and thepads 245 and 247 include first andsecond pads 245 and 247 . The first andsecond pads 245 and 247 are disposed under thelight emitting chip 200A to be spaced apart from each other. Thefirst pad 245 is electrically connected to the firstconductive semiconductor layer 222 , and thesecond pad 247 is electrically connected to the secondconductive semiconductor layer 224 . The first andsecond pads 245 and 247 may have a polygonal or circular bottom shape, or may be formed to correspond to the shapes of the first and secondlead electrodes 415 and 417 of thecircuit board 400 . A lower surface area of each of the first andsecond pads 245 and 247 may be formed to have a size corresponding to a size of the upper surface of each of the first and secondlead electrodes 415 and 417 , for example.

상기 발광 칩(200A)은 상기 기판(221)과 상기 발광 구조물(225) 사이에 버퍼층(미도시) 및 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(221)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(221)은 제거될 수 있다. 상기 기판(221)이 제거된 경우 형광체층(250)은 상기 제1도전형 반도체층(222)의 상면이나 다른 반도체층의 상면에 접촉될 수 있다.Thelight emitting chip 200A may include at least one of a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) between thesubstrate 221 and thelight emitting structure 225 . The buffer layer is a layer for alleviating a difference in lattice constant between thesubstrate 221 and the semiconductor layer, and may be selectively formed from group II to group VI compound semiconductors. An undoped group III-V compound semiconductor layer may be further formed under the buffer layer, but is not limited thereto. Thesubstrate 221 may be removed. When thesubstrate 221 is removed, thephosphor layer 250 may be in contact with an upper surface of the firstconductive semiconductor layer 222 or an upper surface of another semiconductor layer.

상기 발광 칩(200A)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242) 각각은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 상기 발광 구조물(225)의 아래에 배치된 제1전극층(241); 및 상기 제1전극층(241) 아래에 배치된 제2전극층(242)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(241)은 입사되는 광을 반사하게 된다.Thelight emitting chip 200A includes first and second electrode layers 241,242 , athird electrode layer 243 , and insulating layers 231,233 . Each of the first and second electrode layers 241,242 may be formed as a single layer or a multilayer, and may function as a current diffusion layer. The first and second electrode layers 241,242 may include afirst electrode layer 241 disposed under thelight emitting structure 225; and asecond electrode layer 242 disposed under thefirst electrode layer 241 . Thefirst electrode layer 241 diffuses the current, and thesecond electrode layer 241 reflects the incident light.

상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(225)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다.The first and second electrode layers 241,242 may be formed of different materials. Thefirst electrode layer 241 may be formed of a light-transmitting material, for example, a metal oxide or a metal nitride. The first electrode layer is, for example, indium tin oxide (ITO), ITO nitride (ITON), indium zinc oxide (IZO), IZO nitride (IZON), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), or IGZO (indium zinc oxide). Indium gallium zinc oxide), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), and gallium zinc oxide (GZO) may be selectively formed. Thesecond electrode layer 242 may be in contact with a lower surface of thefirst electrode layer 241 and function as a reflective electrode layer. Thesecond electrode layer 242 includes a metal, for example, Ag, Au, or Al. Thesecond electrode layer 242 may partially contact the lower surface of thelight emitting structure 225 when a portion of thefirst electrode layer 241 is removed.

다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)의 구조는 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(241)과, 상기 제1전극층(241)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(242)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(241,242)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(241)과 제2전극층(242) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다.As another example, the structure of the first and second electrode layers 241,242 may be stacked in an Omni Directional Reflector layer (ODR) structure. The non-directional reflective structure may be formed as a stacked structure of afirst electrode layer 241 having a low refractive index and asecond electrode layer 242 made of a highly reflective metal material in contact with thefirst electrode layer 241 . The electrode layers 241,242 may have, for example, a stacked structure of ITO/Ag. The omnidirectional reflection angle at the interface between thefirst electrode layer 241 and thesecond electrode layer 242 may be improved.

다른 예로서, 상기 제2전극층(242)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO₂층, Si₃N₄층, TiO₂층, Al₂O₃층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전극층(241,242)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩(200A)을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩(200A)은 상기 제2전극층(242)로부터 반사된 광이 기판(221)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다. 또한 상기 발광 칩(200A)의 측면으로 방출된 광은 반사 시트(600)에 의해 광학 렌즈의 입사면 영역으로 반사될 수 있다.As another example, thesecond electrode layer 242 may be removed, and may be formed of a reflective layer of a different material. The reflective layer may be formed in a distributed bragg reflector (DBR) structure, wherein the distributed Bragg reflector structure includes a structure in which two dielectric layers having different refractive indices are alternately disposed, for example, a SiO₂ layer , Si₃ N₄ layer, TiO₂ layer, Al₂ O₃ layer, and may include a different one of the MgO layer, respectively. As another example, the electrode layers 241,242 may include both a distributed Bragg reflective structure and a non-directional reflective structure, and in this case, thelight emitting chip 200A having a light reflectance of 98% or more may be provided. Thelight emitting chip 200A mounted in the flip method emits light reflected from thesecond electrode layer 242 through thesubstrate 221 , so that most of the light may be emitted in the vertical direction. In addition, the light emitted to the side surface of thelight emitting chip 200A may be reflected by the reflective sheet 600 to the incident surface area of the optical lens.

상기 제3전극층(243)은 상기 제2전극층(242)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(243)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(243) 아래에는 제1패드(245) 및 제2패드(247)가 배치된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 제1 및 제2패드(245,247), 발광 구조물(225)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1절연층(231)은 상기 제3전극층(243)과 제2전극층(242) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(233)은 상기 제3전극층(243)과 제1/2패드(245,247) 사이에 배치된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 제1 및 제2리드 전극(415,417)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.Thethird electrode layer 243 is disposed under thesecond electrode layer 242 and is electrically insulated from the first and second electrode layers 241,242 . Thethird electrode layer 243 may be formed of a metal, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), or tin (Sn). ), silver (Ag), and phosphorus (P). Afirst pad 245 and asecond pad 247 are disposed under thethird electrode layer 243 . The insulating layers 231,233 block unnecessary contact between the layers of the first and second electrode layers 241,242 , thethird electrode layer 243 , the first andsecond pads 245 and 247 , and thelight emitting structure 225 . The insulating layers 231,233 include first and second insulating layers 231,233. The first insulatinglayer 231 is disposed between thethird electrode layer 243 and thesecond electrode layer 242 . The secondinsulating layer 233 is disposed between thethird electrode layer 243 and thesecond pads 245 and 247 . The first andsecond pads 245 and 247 may include the same material as the first and secondlead electrodes 415 and 417 .

상기 제3전극층(243)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 연결된다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)는 상기 제1, 2전극층(241, 242) 및 발광 구조물(225)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전형 반도체층(222)과 접촉된다. 상기 연결부(244)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)의 둘레에는 상기 제1절연층(231)의 일부(232)가 연장되어 제3전극층(243과 상기 제1 및 제2전극층(241,242), 제2도전형 반도체층(224) 및 활성층(223) 간의 전기적인 연결을 차단한다. 상기 발광 구조물(225)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Thethird electrode layer 243 is connected to the first conductivitytype semiconductor layer 222 . Theconnection part 244 of thethird electrode layer 243 protrudes into a via structure through the lower portions of the first and second electrode layers 241 and 242 and thelight emitting structure 225 and is in contact with the firstconductive semiconductor layer 222 . do. Theconnection part 244 may be disposed in plurality. Aportion 232 of the first insulatinglayer 231 extends around the connectingportion 244 of thethird electrode layer 243, so that thethird electrode layer 243, the first and second electrode layers 241,242, and the second It blocks the electrical connection between theconductive semiconductor layer 224 and theactive layer 223. An insulating layer may be disposed on a side surface of thelight emitting structure 225 for side protection, but is not limited thereto.

상기 제2패드(247)는 상기 제2절연층(233) 아래에 배치되고 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(241, 242) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제2절연층(233)의 아래에 배치되며 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(243)과 연결된다. 이에 따라 상기 제1패드(247)의 돌기(248)는 제1,2전극층(241,242)을 통해 제2도전형 반도체층(224)에 전기적으로 연결되며, 제2패드(245)의 돌기(246)는 제3전극층(243)을 통해 제1도전형 반도체층(222)에 전기적으로 연결된다.Thesecond pad 247 is disposed under the second insulatinglayer 233 and makes contact with at least one of the first and second electrode layers 241 and 242 through an open area of the second insulatinglayer 233 . or connected Thefirst pad 245 is disposed under the second insulatinglayer 233 and is connected to thethird electrode layer 243 through an open area of the second insulatinglayer 233 . Accordingly, theprotrusions 248 of thefirst pad 247 are electrically connected to the secondconductive semiconductor layer 224 through the first and second electrode layers 241,242 , and theprotrusions 246 of thesecond pad 245 . ) is electrically connected to the first conductivitytype semiconductor layer 222 through thethird electrode layer 243 .

상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩(200A)의 하부에 서로 이격되며, 상기 회로 기판(400)의 제1 및 제2리드 전극(415,417)와 대면하게 된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)에는 다각형 형상의 리세스(271,273)를 포함할 수 있으며, 상기 리세스(271,273)는 상기 발광 구조물(225)의 방향으로 볼록하게 형성된다. 상기 리세스(271,273)는 상기 제1 및 제2패드(245,247)의 두께와 같거나 작은 깊이를 갖고 형성될 수 있으며, 이러한 리세스(271,273)의 깊이는 상기 제1 및 제2패드(245,247)의 표면적을 증가시켜 줄 수 있다.The first andsecond pads 245 and 247 are spaced apart from each other under thelight emitting chip 200A, and face the first and secondlead electrodes 415 and 417 of thecircuit board 400 . The first andsecond pads 245 and 247 may include polygonal recesses 271,273 , and the recesses 271,273 are convex in the direction of thelight emitting structure 225 . The recesses 271,273 may be formed to have a depth equal to or smaller than the thicknesses of the first andsecond pads 245 and 247, and the depths of the recesses 271,273 are the first andsecond pads 245 and 247. can increase the surface area of

상기 제1패드(245) 및 제1리드 전극(415) 사이의 영역 및 상기 제2패드(247) 및 제2리드 전극(417) 사이의 영역에는 접합 부재(255,257)가 배치된다. 상기 접합 부재(255,257)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 일부는 상기 리세스(271,273)에 배치된다. 상기 제1 및 제2패드(215,217)는 상기 접합 부재(255,257)가 리세스(271,273)에 배치되므로, 상기 접합 부재(255,257)와 제1 및 제2패드(245,247) 간의 접착 면적은 증가될 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2패드(245,247)와 제1 및 제2리드 전극(415,417)가 접합되므로 발광 칩(200A)의 전기적인 신뢰성 및 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.Bonding members 255 and 257 are disposed in the region between thefirst pad 245 and the firstlead electrode 415 and in the region between thesecond pad 247 and the secondlead electrode 417 . Thebonding members 255 and 257 may include an electrically conductive material, and some are disposed in therecesses 271 and 273 . Since thebonding members 255 and 257 of the first andsecond pads 215 and 217 are disposed in the recesses 271,273, the bonding area between the bondingmembers 255 and 257 and the first andsecond pads 245 and 247 may be increased. have. Accordingly, since the first andsecond pads 245 and 247 and the first and secondlead electrodes 415 and 417 are bonded, the electrical reliability and heat dissipation efficiency of thelight emitting chip 200A may be improved.

상기 접합 부재(255,257)는 솔더 페이스트 재질을 포함할 수 있다. 상기 솔더 페이스트 재질은 금(Au), 주석(Sn), 납(Pb), 구리(Cu), 비스무트(Bi), 인듐(In), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 접합 부재(255,257)는 열 전달을 회로 기판(400)에 직접 전도하기 때문에 열 전도 효율이 패키지를 이용한 구조보다는 개선될 수 있다. 또한 상기 접합 부재(255,257)는 발광 칩(200A)의 제1 및 제2패드(245,247)와의 열 팽창계수의 차이가 적은 물질이므로, 열 전도 효율을 개선시켜 줄 수 있다.Thebonding members 255 and 257 may include a solder paste material. The solder paste material includes at least one of gold (Au), tin (Sn), lead (Pb), copper (Cu), bismuth (Bi), indium (In), and silver (Ag). Since thebonding members 255 and 257 directly conduct heat transfer to thecircuit board 400 , heat conduction efficiency may be improved compared to a structure using a package. In addition, since thebonding members 255 and 257 are a material having a small difference in coefficients of thermal expansion between the first andsecond pads 245 and 247 of thelight emitting chip 200A, heat conduction efficiency may be improved.

상기 접합 부재(255,257)는 다른 예로서, 전도성 필름을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 필름은 절연성 필름 내에 하나 이상의 도전성 입자를 포함한다. 상기 도전성 입자는 예컨대, 금속이나, 금속 합금, 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도전성 입자는 니켈, 은, 금, 알루미늄, 크롬, 구리 및 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 필름은 이방성(Anisotropic) 전도 필름 또는 이방성 도전 접착제를 포함할 수 있다.As another example, thebonding members 255 and 257 may include a conductive film, wherein the conductive film includes one or more conductive particles in an insulating film. The conductive particles may include, for example, at least one of a metal, a metal alloy, and carbon. The conductive particles may include at least one of nickel, silver, gold, aluminum, chromium, copper, and carbon. The conductive film may include an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive adhesive.

상기 발광 칩(200A)과 상기 회로 기판(400) 사이에는 접착 부재 예컨대, 열전도성 필름을 포함할 수 있다. 상기 열전도성 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부티렌테레프탈레이드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부티렌나프탈레이트 등의 폴리에스터 수지; 폴리이미드 수지; 아크릴 수지; 폴리스티렌 및 아크릴로니트릴-스티렌 등의 스티렌계 수지; 폴리카보네이트 수지; 폴리락트산 수지; 폴리우레탄 수지; 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체와 같은 폴리올레핀 수지; 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴클로라이드 등의 비닐 수지; 폴리아미드 수지; 설폰계 수지; 폴리에테르-에테르케톤계 수지; 알릴레이트계 수지; 또는 상기 수지들의 블렌드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.An adhesive member, for example, a thermally conductive film may be included between the light emittingchip 200A and thecircuit board 400 . The thermally conductive film may include a polyester resin such as polyethylene terephthalate, polybutyrene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polybutyrene naphthalate; polyimide resin; acrylic resin; styrene-based resins such as polystyrene and acrylonitrile-styrene; polycarbonate resin; polylactic acid resin; polyurethane resin; etc. can be used. In addition, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, and ethylene-propylene copolymer; vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride; polyamide resin; sulfone-based resins; polyether-etherketone-based resins; allylate-based resin; or at least one of a blend of the above resins.

상기 발광 칩(200A)은 회로 기판(400)의 표면 및 발광 구조물(225)의 측면 및 상면을 통해 광을 방출함으로써, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 회로 기판(400) 상에 발광 칩(200A)을 직접 본딩할 수 있어 공정이 간소화될 수 있다. 또한 발광 칩(200A)의 방열이 개선됨으로써, 조명 분야 등에 유용하게 활용될 수 있다.
Thelight emitting chip 200A may improve light extraction efficiency by emitting light through the surface of thecircuit board 400 and the side and upper surfaces of thelight emitting structure 225 . Since thelight emitting chip 200A can be directly bonded to thecircuit board 400 , the process can be simplified. In addition, since the heat dissipation of thelight emitting chip 200A is improved, it may be usefully utilized in the lighting field.

도 20은 실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 측 단면도이다.20 is a side cross-sectional view illustrating a display device having a light emitting module according to an exemplary embodiment.

도 20을 참조하면, 표시 장치(500)는 바텀 커버(510) 상에 발광 모듈(301)이 배치되며, 상기 발광 모듈(301) 상에 광학 시트(514) 및 표시 패널(515)을 포함한다.Referring to FIG. 20 , thedisplay device 500 includes alight emitting module 301 disposed on abottom cover 510 , and anoptical sheet 514 and adisplay panel 515 are disposed on thelight emitting module 301 . .

상기 바텀 커버(510)는 방열을 위한 금속 또는 열 전도성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 바텀 커버(510)는 수납부(560)을 구비하며, 상기 수납부(560)의 둘레에는 측면 커버를 구비할 수 있다.Thebottom cover 510 may include a metal or a thermally conductive resin material for heat dissipation. Thebottom cover 510 may include anaccommodating part 560 , and a side cover may be provided around theaccommodating part 560 .

상기 발광 모듈(301)은 상기 바텀 커버(510) 상에 하나 또는 복수의 열로 배치될 수 있다. 상기 발광 모듈(301)은 발광 소자(100)에 의해 백색의 광이 방출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Thelight emitting module 301 may be disposed on thebottom cover 510 in one or a plurality of rows. Thelight emitting module 301 may emit white light by thelight emitting device 100, but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(301)은 발광 소자(100), 각 발광 소자(100) 상에 광학 렌즈(300), 복수의 발광 소자(100)이 탑재된 회로 기판(400)을 포함한다. 상기 회로 기판(400)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있으며, 예컨대 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Thelight emitting module 301 includes alight emitting device 100 , anoptical lens 300 on each light emittingdevice 100 , and acircuit board 400 on which a plurality of light emittingdevices 100 are mounted. Thecircuit board 400 may be a printed circuit board (PCB, Printed Circuit Board) including a circuit pattern (not shown), for example, a resin material PCB, a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB ( FPCB, Flexible PCB), etc., but is not limited thereto.

상기 회로기판(400) 상에는 반사 시트(517)가 배치되며, 상기 반사 시트(517)은 오프 영역(518)을 포함하며, 상기 오픈 영역(518)에는 광학 렌즈(300)가 결합된다. 상기 반사 시트(517)의 오픈 영역(518)을 통해 광학 렌즈(300)가 돌출됨으로써, 광학 렌즈(300)의 방출된 광은 광학 시트(514)를 투과하거나 반사되고, 그 반사된 광은 상기 반사 시트(517)에 의해 재 반사될 수 있다. 이에 따라 백라이트유 유닛(510)의 휘도 분포의 균일도는 개선될 수 있다.Areflective sheet 517 is disposed on thecircuit board 400 , thereflective sheet 517 includes an off region 518 , and anoptical lens 300 is coupled to the open region 518 . As theoptical lens 300 protrudes through the open area 518 of thereflective sheet 517 , the emitted light of theoptical lens 300 transmits or reflects theoptical sheet 514 , and the reflected light is It may be reflected back by thereflective sheet 517 . Accordingly, the uniformity of the luminance distribution of thebacklight oil unit 510 may be improved.

상기 반사 시트(517)은 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.Thereflective sheet 517 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

상기 광학 시트는(514)는 분산된 광을 모으는 프리즘 시트들, 휘도강화시트 및 광을 다시 확산시키는 확산 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(514)와 발광 모듈(301) 사이의 영역에는 도광층(미도시)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Theoptical sheet 514 may include at least one of prism sheets for collecting dispersed light, a luminance enhancing sheet, and a diffusion sheet for re-diffusing the light. A light guide layer (not shown) may be disposed in a region between theoptical sheet 514 and thelight emitting module 301 , but is not limited thereto.

상기 광학 시트(514) 상에는 표시 패널(515)이 배치될 수 있다. 상기 표시 패널(515)은 입사되는 광에 의해 영상을 표시할 수 있다. 상기 표시 패널(515)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(515)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(515)은 광학 시트(514)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(500)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.Adisplay panel 515 may be disposed on theoptical sheet 514 . Thedisplay panel 515 may display an image by the incident light. Thedisplay panel 515 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates made of transparent materials that face each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of thedisplay panel 515 , but the structure of the polarizing plate is not limited thereto. Thedisplay panel 515 displays information by the light passing through theoptical sheet 514 . Thedisplay device 500 may be applied to various types of portable terminals, a monitor of a notebook computer, a monitor of a laptop computer, a TV, and the like.

실시예에 따른 발광 모듈은 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 하나 또는 복수의 발광 모듈을 갖는 구조를 포함하며, 3차원 디스플레이, 각종 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
The light emitting module according to the embodiment may be applied to a light unit. The light unit may include a structure having one or a plurality of light emitting modules, and may include a three-dimensional display, various lighting lamps, traffic lights, vehicle headlights, electric signs, and the like.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiment has been described above, it is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are exemplified above in a range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100: 발광 소자100A, 110B, 200A: 발광 칩
301: 발광 모듈150,250: 형광체층
300: 광학 렌즈315: 리세스
320: 입사면310: 바닥면
330: 제1광 출사면335: 제1광 출사면
400: 회로 기판514: 광학 시트
517: 반사 시트100: light emittingelement 100A, 110B, 200A: light emitting chip
301: light emitting module 150,250: phosphor layer
300: optical lens 315: recess
320: incident surface 310: bottom surface
330: first light exit surface 335: first light exit surface
400: circuit board 514: optical sheet
517: reflective sheet

Claims (21)

Translated fromKorean

바닥면;
상기 바닥면으로부터 볼록한 리세스를 갖고 광이 입사되는 입사면;
상기 입사면으로 입사된 광을 방출하고 볼록한 곡면을 갖는 제1광 출사면; 및
상기 제1광 출사면의 외측 하부 둘레에서 상기 바닥면을 향해 연장되는 제2광 출사면을 포함하며,
상기 리세스는 상기 제1광 출사면의 정점과 상기 바닥면 사이의 거리의 80% 이상의 깊이를 가지며,
상기 제1광 출사면의 영역 중 상기 리세스와 수직 방향으로 오버랩된 영역은 볼록한 곡면을 포함하며,
상기 제1광 출사면은 서로 다른 곡률 반경을 갖고, 상기 서로 다른 곡률 반경을 갖는 원들의 중심이 상기 입사면의 정점에 수평한 직선보다 아래에 배치되며,
상기 제2광 출사면은 상기 입사면으로 입사된 제1광의 입사각보다 작은 출사각을 갖고,
상기 바닥면과 상기 입사면 사이의 경계 지점은 제1에지이며,
상기 바닥면과 상기 제2광 출사면 사이의 경계 지점은 제2에지이며,
상기 제2광 출사면의 상단은 제3에지이며,
광축을 기준으로 상기 입사면의 정점과 상기 제1에지를 연결한 선분 사이의 각도는 제1각도를 가지며,
상기 제1에지와 상기 제2에지를 연결한 제1직선은 상기 광축에 직교하는 제1축 방향에 대해 제2각도로 경사지며,
상기 제1각도는 제2각도보다 크며,
상기 입사면의 정점은 상기 제3에지에서 상기 리세스를 향해 지나는 수평한 직선보다 높게 배치되는 광학 렌즈.bottom surface;
an incident surface having a convex recess from the bottom surface to which light is incident;
a first light emitting surface emitting light incident on the incident surface and having a convex curved surface; and
and a second light exit surface extending from an outer lower periphery of the first light exit surface toward the bottom surface,
The recess has a depth of 80% or more of a distance between the apex of the first light exit surface and the bottom surface,
A region overlapping the recess in a vertical direction among regions of the first light emitting surface includes a convex curved surface,
The first light exit surface has different radii of curvature, and centers of circles having different radii of curvature are disposed below a straight line horizontal to the vertex of the incident surface,
The second light exit surface has an exit angle smaller than the incidence angle of the first light incident to the incidence surface,
A boundary point between the bottom surface and the incident surface is a first edge,
A boundary point between the bottom surface and the second light exit surface is a second edge,
The upper end of the second light emitting surface is a third edge,
The angle between the vertex of the incident surface and the line segment connecting the first edge with respect to the optical axis has a first angle,
A first straight line connecting the first edge and the second edge is inclined at a second angle with respect to a first axis direction orthogonal to the optical axis,
The first angle is greater than the second angle,
An apex of the incident surface is disposed higher than a horizontal straight line passing from the third edge toward the recess.제1항에 있어서, 상기 제2광 출사면은 제3각도로 경사지며,
상기 제3각도는 상기 제3에지에서 상기 제2에지를 연결한 직선과 수직한 직선 사이의 각도이며,
상기 제1각도는 상기 제2각도보다 4배 이상 크며,
상기 제2각도는 상기 제3각도보다 큰 광학 렌즈.According to claim 1, wherein the second light exit surface is inclined at a third angle,
The third angle is an angle between a straight line connecting the second edge from the third edge and a perpendicular straight line,
The first angle is at least 4 times greater than the second angle,
The second angle is greater than the third angle of the optical lens.제1항에 있어서, 상기 바닥면은 오목한 곡면 또는 전 반사면을 포함하며,
상기 제2광 출사면은 상기 바닥면의 제1 및 제2 에지를 연결한 제1직선과 둔각의 각도로 배치되며,
상기 제1에지는 상기 제2에지보다 낮게 배치되는 광학 렌즈.According to claim 1, wherein the bottom surface comprises a concave curved surface or a total reflection surface,
The second light emitting surface is disposed at an obtuse angle with a first straight line connecting the first and second edges of the bottom surface,
The first edge is an optical lens disposed lower than the second edge.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리세스의 깊이는 상기 입사면의 하부 너비보다 크며,
상기 제1광 출사면은 상기 제1광 출사면의 정점에서 외측 하단까지 볼록한 곡면을 가지며,
상기 제1광 출사면에서 상기 제1광 출사면의 정점의 높이가 가장 높고, 상기 제1광 출사면의 정점에서 외측 하단으로 갈수록 점차 낮아지는 높이를 갖는 광학 렌즈.4. The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the depth of the recess is greater than the lower width of the incident surface,
The first light exit surface has a convex curved surface from the apex of the first light exit surface to the outer lower end,
An optical lens having the highest height of the apex of the first light emitting surface on the first light emitting surface and gradually lowering from the apex of the first light emitting surface to the lower outer side.제4항에 있어서, 상기 바닥면으로부터 돌출된 복수의 지지 돌기를 포함하며,
상기 제2광 출사면의 수직한 너비는 상기 리세스의 정점과 상기 제1광 출사면 사이의 거리의 1.5배 이상인 광학 렌즈.According to claim 4, comprising a plurality of support projections protruding from the bottom surface,
The vertical width of the second light exit surface is at least 1.5 times the distance between the apex of the recess and the first light exit surface.상면 및 복수의 측면을 통해 광을 방출하는 발광 소자; 및
상기 발광 소자 상에 배치된 광학 렌즈를 포함하며,
상기 광학 렌즈는,
경사진 바닥면;
상기 바닥면으로부터 오목한 리세스를 갖고, 상기 발광 소자가 배치된 입사면;
상기 입사면으로 입사된 광을 출사하며 볼록한 곡면을 갖는 제1광 출사면; 및
상기 제1광 출사면의 하부 둘레에서 상기 바닥면을 향해 연장되는 제2광 출사면을 포함하며,
상기 리세스의 깊이는 상기 광학 렌즈의 두께의 80% 이상이며,
상기 입사면을 통해 상기 제2광 출사면으로 출사된 제1광의 출사각은 광축을 기준으로 상기 입사면의 입사각보다 작고,
상기 입사면을 통해 입사된 광 중에서 상기 바닥면에 의해 반사되어 상기 제2광 출사면으로 출사된 제2광의 출사각은 광축을 기준으로 상기 입사면의 입사각보다 작고,
상기 입사면과 상기 제1광 출사면은 곡률 반경의 중심이 서로 다르며, 상기 서로 다른 곡률 반경을 갖는 원들의 중심은 상기 입사면의 정점에 수평한 직선보다 아래에 배치되며,
상기 바닥면과 상기 입사면 사이의 경계 지점은 제1에지이며,
상기 바닥면과 상기 제2광 출사면 사이의 경계 지점은 제2에지이며,
상기 제2광 출사면의 상단은 제3에지이며,
광축을 기준으로 상기 입사면의 정점과 상기 제1에지 사이의 선분 사이는 제1각도를 이루며,
상기 제1각도는 상기 제1 및 제2에지를 연결한 직선과 상기 광축에 수직한 제1직선 사이의 각도보다 크며,
상기 입사면의 정점은 상기 제3에지에서 상기 리세스를 향해 지나는 수평한 직선보다 높게 배치되는 발광 모듈.a light emitting device emitting light through an upper surface and a plurality of side surfaces; and
It includes an optical lens disposed on the light emitting device,
The optical lens is
sloping floor;
an incident surface having a recess concave from the bottom surface and on which the light emitting element is disposed;
a first light emitting surface emitting the light incident on the incident surface and having a convex curved surface; and
a second light exit surface extending from a lower periphery of the first light exit surface toward the bottom surface;
The depth of the recess is at least 80% of the thickness of the optical lens,
An emitting angle of the first light emitted to the second light emitting surface through the incident surface is smaller than an incident angle of the incident surface with respect to the optical axis,
Of the light incident through the incident surface, an emission angle of the second light reflected by the bottom surface and emitted to the second light emission surface is smaller than the incidence angle of the incident surface with respect to the optical axis,
The incident surface and the first light exit surface have different centers of radii of curvature, and the centers of circles having different radii of curvature are disposed below a straight line horizontal to the vertex of the incident surface,
A boundary point between the bottom surface and the incident surface is a first edge,
A boundary point between the bottom surface and the second light exit surface is a second edge,
The upper end of the second light emitting surface is a third edge,
A first angle is formed between the line segment between the vertex of the incident surface and the first edge with respect to the optical axis,
The first angle is greater than an angle between a straight line connecting the first and second edges and a first straight line perpendicular to the optical axis,
The vertex of the incident surface is disposed higher than a horizontal straight line passing from the third edge toward the recess.제6항에 있어서, 상기 제1광 출사면의 영역 중 상기 리세스와 수직 방향으로 오버랩된 영역은 평탄한 면 또는 볼록한 곡면을 포함하며,
상기 바닥면은 오목한 곡면 또는 전 반사면을 포함하는 발광 모듈.The method according to claim 6, wherein a region overlapping the recess in a vertical direction among regions of the first light exit surface includes a flat surface or a convex curved surface,
The bottom surface is a light emitting module including a concave curved surface or a total reflection surface.제7항에 있어서,
상기 발광 소자 아래에 배치된 회로 기판을 포함하며,
상기 광학 렌즈는 상기 바닥 면에서 상기 회로기판을 향해 돌출된 복수의 지지 돌기를 포함하며,
상기 회로 기판의 상면은 상기 바닥면으로 투과된 광을 흡수하는 흡수층을 포함하며,
상기 흡수층은 상기 발광 소자를 기준으로 서로 반대측 영역에 배치되며,
상기 회로 기판 상에서 상기 흡수층이 배치된 영역은 상기 제1광 출사면으로부터 반사된 광의 광량이 상기 반사면으로 최대로 투과되는 영역 아래에 배치되는 발광 모듈.8. The method of claim 7,
It includes a circuit board disposed under the light emitting device,
The optical lens includes a plurality of support protrusions protruding from the bottom surface toward the circuit board,
The top surface of the circuit board includes an absorption layer for absorbing the light transmitted to the bottom surface,
The absorption layer is disposed in regions opposite to each other with respect to the light emitting device,
a region on the circuit board in which the absorption layer is disposed is disposed below a region in which the amount of light reflected from the first light emitting surface is maximally transmitted to the reflective surface.제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바닥면의 양단을 연결한 제1직선과 상기 리세스에 수직한 광축 사이의 각도는 상기 제2광 출사면과 상기 제1직선 사이의 각도보다 작으며,
상기 제2광 출사면은 상기 제1직선과 둔각의 각도로 배치되며,
상기 리세스의 깊이는 상기 입사면의 하부 너비보다 크며,
상기 제1에지는 상기 제2광 출사면의 제2에지보다 낮은 발광 모듈.9. The method according to any one of claims 6 to 8,
An angle between a first straight line connecting both ends of the bottom surface and an optical axis perpendicular to the recess is smaller than an angle between the second light exit surface and the first straight line,
The second light emitting surface is disposed at an obtuse angle with the first straight line,
The depth of the recess is greater than the lower width of the incident surface,
The first edge is lower than the second edge of the second light emitting surface of the light emitting module.제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 리세스의 정점과 상기 리세스 내에서 제1너비 사이의 거리는 상기 리세스의 정점과 상기 제1광 출사면의 정점 사이의 거리의 비율은 0.5:1 내지 1:1를 범위를 만족하며,
상기 제1너비는 상기 리세스의 영역 중에서의 상기 발광 소자의 너비와 동일한 너비인 발광 모듈.
9. The method according to any one of claims 6 to 8,
The distance between the apex of the recess and the first width within the recess, the ratio of the distance between the apex of the recess and the apex of the first light exit surface satisfies the range of 0.5:1 to 1:1
The first width of the light emitting module is the same width as the width of the light emitting element in the region of the recess.
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