KR102135740B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 클러스터(cluster) 시스템은 기판 이송 로봇(또는 핸들러;handler)과 그 주위에 마련된 복수의 처리 모듈을 포함하는 멀티 챔버 장치를 지칭한다. 최근에는, 액정 모니터 장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 장치, 반도체 제조 장치 등에 있어서 복수의 처리를 일관해서 실행할 수 있는 클러스터 시스템의 수요가 높아지고 있다.
이와 같은 멀티 챔버 장치는 외부로 기판을 반입/반출하기 위한 로드락 챔버와, 로드락 챔버와 연통하고 기판이 이송되는 공간인 트랜스퍼 챔버와, 트랜스퍼 챔버와 연통하고 실질적인 기판의 처리가 이루어지는 프로세스 챔버를 포함한다. 또한, 트랜스퍼 챔버에는 기판을 이송하는 기판 이송 로봇이 구비된다.
이와 같은 멀티 챔버 장치의 프로세스 챔버에서는 복수의 기판이 처리되고 있으며, 통상적으로는 모두 동일한 공정 가스를 이용하여 복수의 기판을 처리하고 있다. 따라서 다른 공정 가스를 이용하여 기판을 처리하기 위해서는 프로세스 챔버 내부를 퍼지하는 과정이 요구되고, 이에 따라 기판 처리에 소요되는 시간이 증가하여 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 프로세스 챔버 내에서 서로 다른 공정 가스를 이용하여 기판 처리를 수행함으로써 공정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명은 프로세스 챔버에 복수의 기판을 효율적으로 로딩 및 언로딩할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 로드락 챔버와; 상기 로드락 챔버의 일측에 배치되는 트랜스퍼 챔버와; 상기 트랜스퍼 챔버의 일측에 배치되는 프로세스 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버 내부에 구비되어 상기 로드락 챔버와 상기 프로세스 챔버 간에 기판을 이송하는 기판 이송로봇;을 포함하고, 상기 프로세스 챔버는 내부에 기판을 지지하는 복수의 기판지지대와, 상기 복수의 기판지지대 상으로 공정 가스를 각각 분사하는 복수의 가스분사체 및 상기 복수의 기판지지대 간에 기판을 이송하는 턴테이블과, 미처리 기판이 인입되는 제1게이트와, 처리 기판이 인출되는 제2게이트가 구비되고, 상기 기판 이송로봇은 상기 미처리 기판과 상기 처리 기판을 상기 제1게이트와 상기 제2게이트를 통해 각각 개별적으로 이송하는 것을 특징으로 한다.
상기 프로세스 챔버는 상부가 개방되고 내부 공간이 형성되는 본체와, 상기 본체의 상부에 구비되어 상기 본체의 상부를 커버하는 탑리드를 포함하고, 상기 탑리드에는 상하방향으로 연장되어 그 내부에 기판이 처리되는 공간을 형성하는 연장부가 구비될 수 있다.
상기 탑리드에 상기 기판이 처리되는 공간이 복수 개 형성되고, 상기 가스분사체와 상기 기판 지지대는 상기 기판이 처리되는 공간의 개수에 대응하는 개수로 구비될 수 있다.
상기 복수개의 가스분사체 중 적어도 하나는 나머지 가스분사체와 다른 공정 가스를 분사할 수 있다.
상기 턴테이블 상부에는 기판을 지지하는 복수의 기판 지지링이 구비되고, 상기 턴테이블에는 상기 기판 지지대가 관통되는 복수의 개구가 형성되며 상기 개구에는 상기 기판 지지링을 지지하도록 상기 개구 내측으로 돌기가 구비되고, 상기 기판 지지링은 상기 기판지지대와 턴테이블에 선택적으로 지지될 수 있다.
상기 기판 이송 로봇은 상기 트랜스퍼 챔버에 설치되는 회전축과, 상기 회전축의 상부에 회전 가능하도록 연결되어 상기 제1게이트를 통해 상기 미처리 기판을 상기 프로세스 챔버로 이송하는 로딩암 및 상기 회전축에 회전 가능하도록 연결되어 상기 제2게이트를 통해 상기 프로세스 챔버 내 처리 기판을 인출하는 언로딩암을 포함할 수 있다.
상기 로드락 챔버는 미처리 기판이 수용되는 제1로드락 챔버와, 상기 프로세스 챔버에서 처리가 완료된 처리 기판이 수용되는 제2로드락 챔버를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 로드락 챔버와, 상기 로드락 챔버의 일측에 배치되는 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버의 일측에 배치되는 프로세스 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버에 배치되는 기판 이송 로봇을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법으로서, 상기 프로세스 챔버에는 미처리 기판이 인입되는 제1게이트와, 처리 기판이 인출되는 제2게이트가 구비되며, 상기 기판 이송 로봇은 상기 제1게이트를 통해 상기 미처리 기판을 상기 프로세스 챔버로 인입하고, 상기 제2게이트를 통해 상기 프로세스 챔버 내 처리 기판을 인출하는 것을 특징으로 한다.
상기 프로세스 챔버는 복수개의 기판지지대와, 상기 복수개의 기판 지지대에 대향되게 배치되는 복수개의 가스분사체와, 상기 복수의 기판 지지대 간에 기판을 이송하는 턴테이블 및 상기 복수개의 기판지지대와 복수개의 가스분사체 사이에 각각 형성되는 복수개의 기판 처리 공간을 포함하며, 상기 복수개의 기판 처리 공간 중 어느 하나의 기판 처리 공간에서 기판 처리가 완료되면, 상기 턴테이블의 회전 구동에 의해 상기 기판을 다른 기판지지대로 이동시켜 서로 다른 기판 처리 공간에서 기판 처리를 수행할 수 있다.
상기 프로세스 챔버에는 상기 제1게이트 측에 로딩영역이 구비되고, 상기 제2게이트 측에 언로딩영역이 구비되며, 상기 로딩영역과 언로딩영역 각각에는 상기 복수개의 기판지지대 중 어느 하나가 구비되어 기판 처리 공간를 형성하고, 상기 로딩영역의 기판 처리 공간에서 기판 처리를 시작하여 상기 언로딩영역의 기판 처리 공간에서 기판 처리가 완료될 수 있다.
상기 복수개의 가스분사체로 모두 동일한 공정 가스를 공급하여 상기 복수개의 기판 처리 공간에서 모두 동일한 기판 처리를 수행할 수 있다.
상기 복수개의 가스분사체 중 적어도 어느 하나의 가스분사체로 다른 공정 가스를 공급하여 상기 복수개의 기판 처리 공간 중 적어도 어느 하나의 기판 처리 공간에서 서로 다른 기판 처리를 수행할 수 있다.
상기 로딩영역에 구비되는 기판 처리 공간과 상기 언로딩영역에 구비되는 기판 처리 공간에서 서로 다른 기판 처리를 수행할 수 있다.
상기 복수개의 기판 처리 공간 중 적어도 하나의 기판 처리 공간 내에서 기판의 플라즈마 처리를 수행할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 하나의 프로세스 챔버 내에서 서로 다른 공정 가스를 이용하여 복수의 기판을 처리할 수 있다. 따라서 기판 처리 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 프로세스 챔버에 복수의 기판을 효율적으로 로딩/언로딩할 수 있다. 이때, 프로세스 챔버 내부에 기판의 로딩영역 및 언로딩영역을 설정하고 기판을 각 영역으로 이동 가능하도록 구성하여, 기판을 각각 설정된 영역을 통해 로딩 및 언로딩함으로써 기판 이송 로봇의 이동 회수를 감소시킬 수 있고, 기판 이송에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 프로세스 챔버의 내부 구조를 보여주는 단면도.
도 3은 도 1에 도시된 기판 이송 로봇의 사시도.
도 4는 도 1에 도시된 기판 이송 로봇의 측면도.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 이송 방법으로 로드락 챔버에서 기판을 반출하는 과정을 보여주는 도면.
도 6 내지 도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 이송 방법으로 기판을 로딩 및 언로딩하는 과정을 보여주는 도면.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 실시 예에 따라 프로세스 챔버 내에서 기판을 처리하는 다양한 방법을 개념적으로 보여주는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 프로세스 챔버의 내부 구조를 보여주는 단면도.
도 3은 도 1에 도시된 기판 이송 로봇의 사시도.
도 4는 도 1에 도시된 기판 이송 로봇의 측면도.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 이송 방법으로 로드락 챔버에서 기판을 반출하는 과정을 보여주는 도면.
도 6 내지 도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 이송 방법으로 기판을 로딩 및 언로딩하는 과정을 보여주는 도면.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 실시 예에 따라 프로세스 챔버 내에서 기판을 처리하는 다양한 방법을 개념적으로 보여주는 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 형태에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 형태들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 프로세스 챔버의 내부 구조를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 기판 이송 로봇의 사시도이고, 도 4는 도 1에 도시된 기판 이송 로봇의 측면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 카세트 모듈(미도시), 대기압 모듈(미도시), 로드락 챔버(110), 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)(120) 및 프로세스 챔버(130)를 포함한다. 카세트 모듈은 처리 예정인 기판이 수용된 카세트가 로딩되거나 처리가 완료된 기판을 수용하기 위한 카세트가 언로딩된다. 대기압 모듈은 카세트 모듈의 후방에 구비되며, 내부에 대기압하에서 작동 가능한 반송로봇(미도시)이 설치된다. 반송로봇은 카세트에 수용된 기판을 로드락 챔버(110)로 반입시키거나, 로드락 챔버(110) 내의 기판을 카세트로 반출한다. 또한, 로드락 챔버(110)는 대기압모듈(미도시)과 트랜스퍼 챔버(120) 사이에 구비되어, 외부에서 반입되거나, 또는 외부로 반출되는 기판이 일시적으로 머무는 완충공간이다. 로드락 챔버(110)는 대기압상태를 유지하다가 기판이 외부에서 반입되면 진공상태로 전환되고, 기판을 외부로 반출할 때에는 진공상태에서 대기압상태로 전환된다. 이때, 로드락 챔버(110)는 미처리 기판(W1)이 수용되는 제1로드락 챔버(110a)와 프로세스 챔버(130)에서 증착, 식각 등의 처리가 완료된 처리 기판(W2)이 수용되는 제2로드락 챔버(110b)를 포함할 수 있고, 제1로드락 챔버(110a)와 제2로드락 챔버(110b)는 기판이 수용되는 내부 공간이 서로 분리되도록 나란하게 구비될 수 있다. 또한, 제1로드락 챔버(110a)와 제2로드락 챔버(110b)는 기판이 반입 및 반출되는 게이트가 별도로 구비될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(120)는 로드락 챔버(110)와 프로세스 챔버(130) 사이에 구비되며, 내부에는 진공상태에서 작동 가능한 기판 이송 로봇(200)이 회동 가능하도록 설치된다. 기판 이송 로봇(200)은 로드락 챔버(110)와 프로세스 챔버(130)로 기판(W1, W2)을 이송한다.
프로세스 챔버(130)에서는 내부에 반입된 미처리 기판(W1)에 증착, 식각 등 다양한 처리가 수행된다.
통상적으로 프로세스 챔버는 트랜스퍼 챔버(120)를 사이에 두고 방사형으로 배치되거나, 트랜스퍼 챔버(120)를 사이에 두고 대칭적으로 배치되어 있다. 그리고 프로세스 챔버(130)에는 한 개 또는 복수의 기판이 로딩될 수 있으며, 특히 복수의 기판이 로딩되는 경우 로딩된 위치에서 기판의 처리가 실시된다. 그러나 본 발명에서는 프로세스 챔버(130) 내에 복수의 기판, 예컨대 4개의 기판을 로딩할 수 있고, 복수의 기판을 각각 로딩된 영역에서 다른 영역으로 이동시킬 수 있다.
프로세스 챔버(130)는 상부가 개방된 본체(132a)와, 본체(132a) 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(132b)를 구비한다. 탑리드(132b)가 본체(132a)의 상부에 결합되어 본체(132a) 내부를 폐쇄하면, 프로세스 챔버(130)의 내부에서 증착 공정 등과 같은 기판에 대한 처리가 행해질 수 있도록 밀폐된 공간이 형성된다. 공간은 일반적으로 진공 분위기로 형성되므로, 프로세스 챔버(130)의 소정 위치, 예컨대 바닥면이나 측면에는 공간에 존재하는 가스의 배출을 위한 배기관(150)이 연결되고, 배기관(150)은 진공 펌프(152)에 연결된다. 그리고 본체(132a)의 측벽에는 기판을 공간 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 게이트(131a, 131b)가 형성될 수 있다. 게이트(131a, 131b)는 트랜스퍼 챔버(120)에 인접한 본체(132a) 측벽에 형성되며, 프로세스 챔버(130) 내부로 기판을 반입하기 위한 제1게이트(131a)와, 프로세스 챔버(130) 외부로 기판을 반출하기 위한 제2게이트(131b)를 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 탑리드(132b)의 하부에 기판이 처리되는 기판 처리 공간이 형성될 수도 있다. 즉, 탑리드는 가장자리를 따라 하부로 절곡되는 연장부(132c)를 구비할 수 있다. 이에 탑리드의 하부면에는 소정 높이의 요홈(미도시)에 의해 형성되는 기판 처리 공간이 형성될 수 있다. 이와 같은 기판 처리 공간은 탑리드(132b)의 하부면에 복수개가 형성될 수 있으며, 예컨대 프로세스 챔버(130)에 장착되는 기판지지대의 개수에 대응하여 형성될 수 있다. 이에 연장부(132c)는 탑리드(132b)의 가장자리는 물론, 중심부에 형성될 수 있으며, 탑리드(132b)의 중심부와 가장자리를 연결하도록 형성될 수 있다. 기판 처리 공간의 평면 형상은 기판과 동일한 형상으로 형성될 수도 있고, 프로세스 챔버(130)의 형상에 따라 사각형 또는 부채꼴 형상으로 형성될 수도 있다. 이렇게 형성되는 기판 처리 공간은 후술하는 기판지지부(137)와 상부 측에 형성되어 기판 별로 독립된 처리를 가능하게 한다. 또한, 기판 처리 공간을 완벽하게 분리하기 위해 탑리드의 연장부(132c)에 커튼 가스를 분사하는 노즐(미도시)을 형성할 수도 있다. 노즐은 기판의 가장자리를 따라 커튼 가스를 분사하도록 형성될 수도 있고, 기판이 장착되는 이외의 영역에 커튼 가스를 분사하도록 형성될 수도 있다.
탑리드(132b)에는 후술하는 기판지지대로 공정 가스를 분사하는 가스분사체(140)가 구비될 수 있다. 가스분사체(140)는 기판지지대의 개수에 대응하는 개수로 구비될 수 있으며, 적어도 하나의 가스분사체(140)는 서로 다른 종류의 공정 가스를 공급하는 가스 저장기에 연결될 수 있다. 가스분사체(140)는 전술한 탑리드(132b)의 하부에 형성되는 기판 처리 공간내부에 구비될 수도 있다.
또한, 프로세스 챔버(130) 내부에는 기판 처리 시 기판이 안착되는 기판지지부(137)가 구비될 수 있다. 기판지지부(137)는 프로세스 챔버(130)의 본체(132a) 바닥면을 관통하며 상하방향으로 배치되는 지지축(137a)과, 지지축(137a)의 상부에 연결되는 기판지지대(137b)를 포함한다. 기판지지부(137)는 프로세스 챔버(130) 내부에 복수 개, 예컨대 4개가 구비될 수 있다. 이때, 각각의 기판지지부(137)를 형성하는 지지축(137a)은 프로세스 챔버(130)의 중심부를 기준으로 일정 간격 이격되어 방사상으로 배치될 수 있다. 그리고 기판지지대(137b)는 소정의 두께를 가지는 플레이트형으로, 기판의 형상과 유사한 형상을 가지며, 예컨대 원판 형상으로 형성될 수 있다. 기판지지대(137b)는 지지축(137a)의 상부에 지지축(137a)의 길이 방향에 대해 교차, 즉 직교하는 방향으로 연결되며, 각각의 기판지지대(137b)는 서로 이격되도록 형성된다. 그리고 기판지지부(137)가 구비되는 프로세스 챔버(130)의 바닥면에는 소정 깊이 리세스된 기판지지대 안착홈(131)이 형성될 수 있다. 기판지지대 안착홈(131)은 기판지지대(137b)와 유사한 형태로 형성될 수 있으며, 기판지지대(137b)가 상하방향으로 이동할 수 있을 정도의 깊이로 형성될 수 있다. 이와 같은 구성을 통해 프로세스 챔버(130) 내부에 형성되는 공간을 감소시켜 기판 처리를 위해 프로세스 챔버(130) 내부로 공급되는 공정 가스의 양을 감소시킬 수 있으며, 프로세스 챔버(130) 내부를 퍼지할 때 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. 그리고 기판지지대(137b)의 상부 가장자리에는 기판지지대(137b)의 상부면보다 낮은 단차를 갖는 제1단턱(138b)이 형성될 수 있다. 제1단턱(138b)은 후술하는 기판지지링(138)을 안착시키기 위한 것이다. 기판지지대(137b) 내부에는 가열부재가 구비될 수 있고, 필요에 따라서는 기판지지대(137b) 하부에 별도의 가열장치가 구비될 수도 있다. 지지축(137a)은 프로세스 챔버(130)의 바닥면을 관통하며 구비되어, 외부의 모터 등의 구동수단에 연결되어 기판지지대(137b)를 상승 및 하강시킨다.
또한, 기판지지부(137)에는 리프트 핀(미도시)이 구비될 수 있으며, 기판지지대(137b)의 상하방향 이동에 의해 기판지지대(137b)의 상부로 노출되어 기판을 지지할 수 있다. 이때, 기판의 로딩 및 언로딩은 로딩 영역(L)과 언로딩영역(UL)에서 이루어지므로 리프트 핀은 로딩 영역과 언로딩영역에 구비될 수 있다.
한편, 프로세스 챔버(130) 내부에는 미처리 기판(W1)이 프로세스 챔버(130) 내부로 로딩되는 로딩 영역(L)과, 프로세스 챔버(130) 내부에서 처리가 완료된 처리 기판(W2)을 외부로 언로딩시키는 언로딩 영역(UL)이 형성될 수 있다. 로딩 영역(L)은 복수의 기판지지부 중 제1게이트(131a)에 인접하여 구비되는 기판지지부가 배치되는 영역을 의미하고, 언로딩 영역(UL)은 복수의 기판지지부 중 제2게이트(131b)에 인접하여 구비되는 기판지지부가 배치되는 영역을 의미한다. 여기에서는 제1게이트(131a)가 미처리 기판(W1)을 이동시키기 위한 것으로 설명하고, 제2게이트(131b)가 처리가 완료된 처리 기판(W2)을 이동시키기 위한 것으로 설명하고 있으나, 이는 필요에 따라 변경될 수도 있다. 이와 같이 프로세스 챔버(130) 내부에는 로딩 영역(L)과 언로딩 영역(UL)이 설정되어 있기 때문에 복수의 기판을 처리하기 위해서는 기판을 프로세스 챔버(130) 내부에서 해당 영역으로 이동시킬 수 있다. 이에 프로세스 챔버(130)에는 기판이동부(135)가 구비될 수 있다. 기판이동부(135)는 턴테이블(135b)과, 턴테이블(135b)을 회전시키는 회전축(135a)을 포함할 수 있다. 회전축(135a)은 프로세스 챔버(130), 즉 본체(132a)의 중심부 바닥면을 관통하며 상하방향으로 배치되고, 회전축(135a)의 상부에는 턴테이블(135b)이 연결된다. 회전축(135a)은 회전 및 상하방향으로의 이동이 가능하여 턴테이블(135b)을 회전 및 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 턴테이블(135b)은 소정 두께를 가지는 플레이트형으로 프로세스 챔버(130) 내에 구비되는 기판지지대의 개수, 예컨대 4개의 개구(H)가 형성될 수 있다. 개구(H)는 후술하는 기판지지대(137b)의 직경보다 큰 직경을 갖도록 형성되어, 기판지지대(137b)가 개구(H)를 통해 상하방향으로 이동할 수 있도록 한다. 턴테이블(135b)에는 개구(H)의 가장자리를 따라 턴테이블(135b)의 상부면보다 낮은 단차를 갖는 제2단턱(138a)이 형성될 수 있다. 제2단턱(138a)은 기판지지대(137b)에 형성되는 제1단턱(138b)과 동일한 높이로 형성될 수도 있다. 여기에서는 제2단턱(138a)이 개구(H)의 가장자리를 따라 연속적으로 형성되는 것으로 설명하고 있으나, 불연속적으로, 다시 말해서 개구(H)의 가장자리를 따라서 부분적으로 돌출 형성되는 돌기를 형성하여 기판지지링(138)을 지지할 수도 있다.
이와 같은 구성을 통해 기판 처리 시에는 기판이 기판지지대(137b) 상부에 안착되고, 기판의 로딩 및 언로딩을 위해 기판을 로딩 영역(L) 및 언로딩 영역(UL)으로 이송하는 경우에는 기판이 턴테이블(135b)에 안착될 수 있다. 그런데 턴테이블(135b)의 개구(H)는 기판지지대(137b)와 기판의 직경보다 큰 직경을 갖도록 형성되기 때문에 기판 이송 시 기판을 턴테이블(135b) 상에 안착시키는 것이 불가능하다. 따라서 기판지지대(137b)의 가장자리와 턴테이블(135b)에 선택적으로 지지될 수 있는 기판지지링(138)이 구비될 수 있다. 기판지지링(138)은 제1단턱(138a)(또는 돌기)과 제2단턱(138b)에 걸쳐 구비될 수 있으며, 기판지지대(137b)의 상부면과 턴테이블(135b)의 상부면을 일치시켰을 때 기판지지링(138)의 상부면이 동일한 평면상에 위치할 수 있다. 이에 기판 처리를 위해 회전축(137a)을 상승시키면 기판은 기판지지링(138)과 기판지지대(137b) 상에 안착되어 상승하고, 기판 이송을 위해 회전축(137a)을 하강시키면 기판은 기판지지링(138)에 지지된 상태로 턴테이블(135b)에 안착될 수 있다. 이때, 기판지지링(138)은 기판 처리 시 기판 전체에 걸쳐 온도를 일정하게 유지하기 위하여 기판지지대(137b)와 동일하거나 열전도도가 유사한 재질로 형성되는 것이 좋다.
트랜스퍼 챔버(120)에 구비되는 기판 이송 로봇(200)은 다관절 구조로 제작되어, 비교적 좁은 트랜스퍼 챔버(120) 내에서 기판을 안정적으로 이송시킬 수 있다. 기판 이송 로봇(200)은 다양한 형태로 형성될 수 있으나, 여기에서는 프로세스 챔버(130)에 미처리 기판(W1)을 로딩하는 로딩암(220)과, 프로세스 챔버(130)에서 처리가 완료된 처리 기판(W2)을 언로딩하는 언로딩암(230)을 포함하는 기판 이송 로봇(200)에 대해서 설명한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 이송 로봇(200)은 회전력을 제공하는 구동부(미도시)와, 구동부에 연결되어 구동부의 작동에 따라 기판 이송 로봇(200)의 몸체를 회전시키는 회전축(210)과, 회전축(210)의 상부에 연결되는 로딩암(220)과, 로딩암(220)의 상부에 연결되는 언로딩암(230)과 회전축(210), 로딩암(220) 및 언로딩암(230)의 동작을 제어하는 제어부를 포함한다. 이때, 로딩암(220)은 로드락 챔버에 수용된 미처리 기판(W1)을 프로세스 챔버(130)로 로딩하는데 사용되고, 언로딩암(230)은 프로세스 챔버(130)에서 처리가 완료된 처리기판을 로드락 챔버로 언로딩하는데 사용될 수 있다. 로딩암(220)은 일측이 회전축(210) 상부 중앙에 회전 가능하도록 연결되는 제1암(222)과, 일측이 제1암(222)의 타측에 회전 가능하도록 연결되는 제2암(224)과, 일측이 제2암(224)의 타측에 회전 가능하도록 연결되는 핸드부(226)를 포함한다. 이때, 회전축(210)과 제1암(222)의 연결부위는 제1조인트부(a)라 하고, 제1암(222)과 제2암(224)의 연결부위는 제2조인트부(b)라 하며, 제2암(224)과 핸드부(226)의 연결부위는 제3조인트부(c)라 하고, 각각의 조인트부는 360°이하의 범위에서 회전 가능하도록 형성된다. 로딩암(220)과 언로딩암(230)은 동일한 구조로 형성될 수 있다. 그리고 언로딩암(230)은 로딩암(220)과 동일한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩암(230)의 제1암(232)이 로딩암(220)의 제1암(222) 상부 일측을 통해 회전축(210)에 연결되는 차이점이 있다.
회전축(210)은 구동부의 작동에 따라 제1암(222, 232)과 제2암(224, 234), 핸드부(226, 236)를 회전시키고, z축, 즉 상하방향으로 이동 가능하도록 형성된다.
제1암(222, 232)과 제2암(224, 234)은 각각 연결부위를 통해 회전하여 방향 및 길이를 조절할 수 있다. 이때, 제1암(222, 232)은 트랜스퍼 챔버(120) 내에서 제1조인트부(a)를 기준으로 회전운동함으로써 y축으로의 직선 운동을 구사하고, 제2암(224, 234)은 제2조인트부(b)를 기준으로 회전운동함으로써 x축으로의 직선 운동을 구사한다.
그리고 핸드부(226, 236)는 끝단에 형성되는 블레이드(228, 238)를 이용하여 기판을 지지하며, 제3조인트부(c)를 통해 제2암(224, 234)의 끝단에 연결되어, 제3조인트부(c)를 기준으로 회전한다.
그리고 로딩암(220)과 언로딩암(230)은 각각의 제1암(222, 232)이 제1조인트부를 동심점으로 하여 동일한 반경을 가지며 개별적으로 회전할 수 있다. 기판 이송 로봇(200)은 기판의 로딩 또는 언로딩을 위해 로드락 챔버나 프로세스 챔버(130)에서 기판을 반출 또는 반입할 때 로딩암(220)과 언로딩암(230)의 핸드부(236)는 동일한 방향을 향하도록 나란하게 배치될 수 있다. 따라서 로딩암(220)과 언로딩암(230)은 비교적 좁은 트랜스퍼 챔버(120) 내에서 기판 이송을 원활하게 할 수 있다.
구동부는 로딩암(220) 및 언로딩암(230) 각각의 회전축(210), 제1암(222, 232), 제2암(224, 234), 핸드부(226, 236)를 독립적으로 회전시켜 직선운동을 구사시킨다. 구동부는 트랜스퍼 챔버(120) 내부에 설치되거나, 외부에 설치될 수도 있다.
제어부는 구동부, 회전축(210), 제1암(222, 232), 제2암(224, 234), 핸드부(226, 236)의 동작을 제어한다. 제어부는 미리 설정된 매뉴얼에 따라 구동부의 작동을 제어하여 제1암(222, 232), 제2암(224, 234), 핸드부(226, 236)의 회전 방향을 제어함으로써 기판의 로딩 또는 언로딩을 가능하게 한다.
하기에서는 상기와 같은 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 이송하는 방법에 대해서 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 이송 방법으로 로드락 챔버에서 기판을 반출하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 6 내지 도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 이송 방법으로 기판을 로딩 및 언로딩하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 13 내지 도 15는 본 발명의 실시 예에 따라 프로세스 챔버 내에서 기판을 처리하는 다양한 방법을 개념적으로 보여주는 도면이다.
본 발명 실시 예의 기판 이송 방법은, 트랜스퍼 챔버(120)에 구비되는 기판 이송 로봇(200)의 로딩암(220)을 이용하여 로드락 챔버(110)에서 미처리 기판(W1)을 반출하는 과정과, 반출된 미처리 기판(W1)을 프로세스 챔버(130)에 로딩하는 과정과, 기판의 처리가 완료되면 언로딩암(230)을 이용하여 처리 기판(W2)을 언로딩하는 과정과, 처리 기판(W2)을 로드락 챔버로 반입시키는 과정을 포함한다. 이때, 로드락 챔버에서 기판을 반출하여 프로세스 챔버(130)에 로딩하는 과정은 적어도 프로세스 챔버(130)에 구비되는 기판지지부(137)의 개수에 대응하는 회수만큼 반복해서 수행될 수 있으며, 프로세스 챔버(130)에 미처리 기판이 로딩되고 다음 미처리 기판이 로딩되는 사이에 프로세스 챔버(130)에 로딩된 기판의 처리가 수행될 수 있다. 또한, 처리 기판(W2)을 언로딩하는 과정은 적어도 프로세스 챔버(130)에 구비되는 기판지지부(137)의 개수에 대응하는 회수만큼 반복해서 수행될 수 있으며, 처리 기판(W2)이 최초 언로딩된 이후에는 미처리 기판(W1)의 로딩과 교대로 반복해서 수행될 수 있다. 이하의 설명에서 핸드부(226, 236)의 전진은 기판의 반입 또는 반출, 로딩 또는 언로딩을 위해 로드락 챔버나 프로세스 챔버(130)로 진입하는 상태를 의미하고, 핸드부(226, 236)의 후퇴는 기판의 반입 또는 반출, 로딩 또는 언로딩을 위해 로드락 챔버나 프로세스 챔버(130)로부터 빠져나오는 상태를 의미한다. 핸드부(226, 236)의 전진 또는 후퇴는 제1암(222, 232)과 제2암(224, 234)의 중첩 정도에 따라 조절될 수 있다.
먼저, 도 5를 참조하여 로드락 챔버(110)에서 처리하기 위한 미처리 기판(W1)을 반출하는 과정에 대해서 설명한다.
도 5를 참조하면, 기판 이송 로봇(200)은 로딩암(220)과 언로딩암(230)의 핸드부(226, 236)를 나란하게 배치한 상태로, 핸드부(226, 236)의 블레이드(228, 238)를 로드락 챔버를 향하도록 배치(도 5의 (a) 참조)시킨다. 이와 같은 상태를 홈포지션이라 한다.
이후, 로딩암(220)의 핸드부(236)를 로드락 챔버 중 미처리 기판(W1)이 수용되는 제1로드락 챔버(110a) 내부로 전진(도 5의 (b) 참조)시켜 로딩암(220)의 핸드부(226) 끝단에 구비되는 블레이드(228)에 미처리 기판(W1)을 안착시키고, 이어서 핸드부(226)를 후퇴시켜 제1로드락 챔버(110a)에 수용되어 있는 미처리 기판(W1)을 트랜스퍼 챔버(120)로 반출한다. 미처리 기판(W1)이 반출되면 기판 이송 로봇(200)의 회전축(210)을 회전시켜 로딩암(220)과 언로딩암(230)의 핸드부(226, 236)를 프로세스 챔버(130)를 향하도록 배치(도 5의 (c) 참조)시킨다.
다음, 로드락 챔버에서 미처리 기판(W1)이 반출되면, 미처리 기판(W1)이 안착되어 있는 로딩암(220)의 핸드부(226)를 프로세스 챔버(130) 내부로 전진시켜 미처리 기판(W1)을 로딩(도 6 참조)시킨다. 이때, 프로세스 챔버(130)에서 회전축(135a)과 지지축(137a)을 하강시켜 턴테이블(135b)과 기판지지대(137b)를 하강시키되, 턴테이블(135b)이 기판지지대(137b)보다 낮은 위치에 배치되도록 하며, 기판지지대(137b) 상부로 리프트 핀을 돌출시킨다. (그리고 로딩 암(220)의 핸드부(226)를 전진시켜 미처리 기판(W1)을 로딩 영역(L)의 기판지지대(137b) 상부로 노출된 리프트 핀 상에 로딩시킨다.
미처리 기판(W1)이 로딩되면, 로딩암(220)의 핸드부(226)를 프로세스 챔버(130)에서 후퇴시킨 다음, 제1게이트(131a)를 폐쇄시킨다. 그리고 지지축을 상승시켜 미처리 기판(W1)을 기판지지대(137b) 및 기판지지링 상에 안착시킨 상태로 탑리드 하부의 기판 처리 공간으로 기판을 이동시킨다.
프로세스 챔버(130) 내부로 로딩된 기판이 처리되면, 다음 기판 처리를 위해 기판을 인접한 기판지지대로 이동시킬 수 있다. 기판의 이동은 턴테이블을 상승시켜 기판지지대와 기판지지링에 의해 지지되어 있는 기판을 기판지지링을 통해 개구 가장자리의 제1단턱(138a)에 안착시켜 턴테이블에 지지시킬 수 있다. 기판이 턴테이블에 지지되면, 회전축을 소정 각도, 예컨대 90도 회전시켜 인접한 기판지지대 상부로 이동시킬 수 있다. 이후 회전축을 하강시켜 기판을 기판지지링을 통해 기판지지대 상에 안착시킬 수 있다.
미처리 기판(W1)이 인접한 기판지지대로 이동하면, 미처리 기판(W1)이 로딩된 영역에 배치되는 가스분사체에서 공정 가스를 분사하여 기판을 처리한다.
여기에서 기판이 인접한 기판지지대로 이동하게 되면 프로세스 챔버(130)에서 로딩 영역(L)에 구비되는 기판지지대는 다음 미처리 기판(W1)을 로딩하기 위한 대기 상태가 된다.
이어서 도 5에 도시된 과정을 반복하여 다음 미처리 기판(W1)을 제1로드락 챔버(110a)로부터 반출시키고, 프로세스 챔버(130)로의 로딩 및 처리 과정을 반복(도 6 내지 도 8 참조)한다. 이러한 과정은 적어도 프로세스 챔버(130)에 구비되는 기판지지대(137b)의 개수 또는 기판 처리 공간의 개수만큼 반복될 수 있으며, 일련의 과정을 통해 로딩 영역(L)의 기판지지대로 로딩된 기판이 언로딩 영역(UL)의 기판지지대에 도달하면, 기판의 처리가 완료된다. 이때, 제1게이트(131a)의 폐쇄 및 턴테이블(135b)의 회전은 제1로드락 챔버(110a)에서 미처리 기판(W1)을 반출하는 과정과 동시에 수행될 수 있다. 기판 처리가 수행되는 동안 기판 이송 로봇(200)은 제1로드락 챔버(110a)에서 미처리 기판(W1)을 반출(도 5의 (c) 참조)하여 프로세스 챔버(130)에 로딩하기 위해 로딩암(220)의 핸드부(226)에 미처리 기판(W1)을 안착한 상태로 대기한다.
기판의 처리는 도 13에 도시된 바와 같이 복수의 기판 처리 공간 중 어느 하나의 기판처리공간에서 나머지 기판 처리 공간에서와는 다른 공정 가스를 이용하여 수행될 수도 있고, 도 14에 도시된 바와 같이 서로 다른 두 가지 공정 가스를 이용한 두 가지 공정이 교대로 수행될 수도 있다. 이때 로딩 영역과 언로딩영역에서는 서로 다른 기판 처리가 이루어질 수 있다. 또한, 도 15에 도시된 바와 같이 복수의 기판처리공간 모두에서 서로 다른 공정 가스를 이용한 기판 처리가 이루어질 수도 있으며, 적어도 어느 하나의 기판처리공간에서는 기판의 플라즈마 처리가 수행될 수도 있다. 예컨대 하나의 프로세스 챔버(130) 내에서 동일한 공정 가스를 이용한 기판 처리 공정은 박막을 증착하는 경우 동일 박막을 복수 회에 걸쳐 단계적으로 증착하는 경우일 수도 있다. 이때, 복수의 기판처리공간 중 어느 하나, 예컨대 언로딩영역의 기판처리공간에서는 박막 증착 후 플라즈마처리를 수행할 수도 있다. 플라즈마 처리는 기판이 안착되는 기판지지대와 가스분사체에 전원을 인가하여 기판 처리 공간에 플라즈마를 형성함으로써 수행될 수도 있고, 프로세스 챔버 외부에서 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시켜 가스분사체를 통해 기판 처리 공간을 공급할 수도 있다. 또는 가스분사체 내에서 공정가스를 여기시켜 기판 처리 공간으로 공급할 수도 있다.
그리고 서로 다른 공정 가스를 이용한 두 가지 공정은 서로 다른 박막, 예컨대 산화막과 질화막의 적층구조를 반복해서 증착하는 공정일 수도 있다. 이때, 적층구조의 층수에 따라 기판이 언로딩영역의 기판지지대에 도달한 이후에도 턴테이블을 이용하여 기판을 이동시키면서 반복해서 박막을 증착시킬 수도 있다.
또한, 서로 다른 네 가지의 박막을 각각의 기판처리공간에서 증착할 수도 있으며, 이 경우도 마찬가지로 적어도 어느 하나의 기판처리공간에서는 기판의 플라즈마 처리가 수행될 수도 있다.
기판 처리는 로딩영역(L)의 기판 처리 공간에서 시작되어 언로딩영역(UL)의 기판처리공간에서 완료될 수 있다. 이때, 기판 처리 공간의 개수보다 많은 기판 처리가 수행되는 경우에도 최종적인 기판 처리는 언로딩영역(UL)의 기판처리공간에서 완료되어 기판의 반출이 이루어질 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 기판(W1)이 언로딩 영역(UL)에 도달하여 처리가 완료되면, 턴테이블(135b)과 기판지지대(137b)를 하강시키고, 프로세스 챔버(130)의 언로딩 영역(UL)에 위치하는 리프트 핀을 기판지지대(137b) 상부로 돌출시켜 처리 기판(W2)을 리프트 핀 상에 지지시킨다.
이후, 언로딩 영역(UL)에 구비되는 제2게이트(131b)를 개방하고 언로딩암(230)의 핸드부(236)를 프로세스 챔버(130)의 언로딩 영역(UL)으로 전진시켜 처리 기판(W2)을 핸드부(236)의 블레이드(238)에 안착(도 9 참조)시킨 다음 핸드부(236)를 후퇴시켜 트랜스퍼 챔버(120) 내로 언로딩시킨다. 처리 기판(W2)이 언로딩되면, 제2게이트(131b)를 폐쇄하고 턴테이블(135b)을 회전시켜 처리 기판(W2)을 로딩 영역(L)으로 이동(도 10 참조)시킨다.
다음, 제1게이트(131a)를 개방하고 로딩암(220)을 프로세스 챔버(130) 내부로 전진시켜 트랜스퍼 챔버(120) 내에 대기하고 있던 미처리 기판(W1)을 리프트 핀 상부에 로딩(도 11 참조)시킨다.
그 다음, 로딩암(220)의 핸드부(226)를 후퇴시킨 후 제1게이트(131a)를 폐쇄하고, 로딩 영역(L)에서 미처리 기판(W1)의 처리를 수행한다. 이와 함께 기판 이송 로봇(200)의 회전축(210)을 회전시켜 로딩암(220)과 언로딩암(230)의 핸드부(236)를 로드락 챔버 전방으로 이동시킨다.
이어서 제2로드락 챔버(110b)의 게이트를 개방하고 언로딩암(230)의 핸드부(236)를 제2로드락 챔버(110b) 내부로 전진시켜 처리 기판(W2)을 제2로드락 챔버(110b) 내부로 반입(도 12 참조)시킨다.
제2로드락 챔버(110b) 내부로 처리 기판(W2)이 반입되면, 제2로드락 챔버(110b)의 게이트를 폐쇄한다.
그리고 일련의 과정을 반복하여 프로세스 챔버(130)에서 처리 기판(W2)의 언로딩과 미처리 기판(W1)의 로딩을 반복한다.
상기한 바와 같이 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은 하나의 프로세스 챔버(130)에서 복수의 공정이 가능하여 기판 처리에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 기판 이송 로봇(200)의 로딩암(220)과 언로딩암(230)이 기판의 로딩과 언로딩을 각각 담당함으로써 기판을 이송하는데 소요되는 단축시킬 수 있다. 또한, 프로세스 챔버(130)에서 처리되는 기판의 개수가 증가하더라도 기판 이송 로봇(200)의 증가 없이 기판을 효과적으로 이송시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
110: 로드락 챔버 120: 트랜스퍼 챔버
130: 프로세스 챔버 135: 기판이동부
137: 기판지지부 140: 가스분사체
200: 기판 이송 로봇
130: 프로세스 챔버 135: 기판이동부
137: 기판지지부 140: 가스분사체
200: 기판 이송 로봇
Claims (14)
- 로드락 챔버와;
상기 로드락 챔버의 일측에 배치되는 트랜스퍼 챔버와; 상기 트랜스퍼 챔버의 일측에 배치되는 프로세스 챔버; 및
상기 트랜스퍼 챔버 내부에 구비되어 상기 로드락 챔버와 상기 프로세스 챔버 간에 기판을 이송하는 기판 이송로봇;을 포함하고,
상기 프로세스 챔버는 내부에 기판을 지지하는 복수의 기판지지대와, 상기 복수의 기판지지대 상으로 공정 가스를 각각 분사하는 복수의 가스분사체 및 상기 복수의 기판지지대 간에 기판을 이송하는 턴테이블과, 미처리 기판이 인입되는 제1게이트와, 처리 기판이 인출되는 제2게이트가 구비되고,
상기 기판 이송로봇은 상기 미처리 기판과 상기 처리 기판을 상기 제1게이트와 상기 제2게이트를 통해 각각 개별적으로 이송하며,
상기 프로세스 챔버에는 상기 제1게이트 측에 로딩영역이 구비되고, 상기 제2게이트 측에 언로딩영역이 구비되며,
상기 로딩영역과 언로딩영역 각각에는 상기 복수의 기판지지대 중 어느 하나가 구비되어 기판 처리 공간을 형성하며,
상기 기판 이송 로봇은 상기 트랜스퍼 챔버에 설치되는 회전축과, 상기 회전축의 상부에 회전 가능하도록 연결되어 상기 제1게이트를 통해 상기 미처리 기판을 상기 프로세스 챔버로 이송하는 로딩암 및 상기 회전축에 회전 가능하도록 연결되어 상기 제2게이트를 통해 상기 프로세스 챔버 내 처리 기판을 인출하는 언로딩암을 포함하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 프로세스 챔버는 상부가 개방되고 내부 공간이 형성되는 본체와,
상기 본체의 상부에 구비되어 상기 본체의 상부를 커버하는 탑리드를 포함하고,
상기 탑리드에는 상하방향으로 연장되어 그 내부에 기판이 처리되는 공간을 형성하는 연장부가 구비되는 기판 처리 장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 탑리드에 상기 기판이 처리되는 공간이 복수 개 형성되고,
상기 가스분사체와 상기 기판 지지대는 상기 기판이 처리되는 공간의 개수에 대응하는 개수로 구비되는 기판 처리 장치. - 청구항 3에 있어서,
상기 복수개의 가스분사체 중 적어도 하나는 나머지 가스분사체와 다른 공정 가스를 분사하는 기판 처리 장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 턴테이블 상부에는 기판을 지지하는 복수의 기판 지지링이 구비되고,
상기 턴테이블에는 상기 기판 지지대가 관통되는 복수의 개구가 형성되며 상기 개구에는 상기 기판 지지링을 지지하도록 상기 개구 내측으로 돌기가 구비되고,
상기 기판 지지링은 상기 기판지지대와 턴테이블에 선택적으로 지지되는 기판 처리 장치. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 로드락 챔버는 미처리 기판이 수용되는 제1로드락 챔버와, 상기 프로세스 챔버에서 처리가 완료된 처리 기판이 수용되는 제2로드락 챔버를 포함하는 기판 처리 장치. - 로드락 챔버와, 상기 로드락 챔버의 일측에 배치되는 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버의 일측에 배치되는 프로세스 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버에 배치되는 기판 이송 로봇을 포함하는 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법으로서,
상기 프로세스 챔버에는 미처리 기판이 인입되는 제1게이트와, 처리 기판이 인출되는 제2게이트가 구비되며,
상기 기판 이송 로봇은 상기 제1게이트를 통해 상기 미처리 기판을 상기 프로세스 챔버로 인입하고, 상기 제2게이트를 통해 상기 프로세스 챔버 내 처리 기판을 인출하는 기판 처리 방법. - 청구항 8에 있어서,
상기 프로세스 챔버는 복수개의 기판지지대와, 상기 복수개의 기판 지지대에 대향되게 배치되는 복수개의 가스분사체와, 상기 복수의 기판 지지대 간에 기판을 이송하는 턴테이블 및 상기 복수개의 기판지지대와 복수개의 가스분사체 사이에 각각 형성되는 복수개의 기판 처리 공간을 포함하며,
상기 복수개의 기판 처리 공간 중 어느 하나의 기판 처리 공간에서 기판 처리가 완료되면, 상기 턴테이블의 회전 구동에 의해 상기 기판을 다른 기판지지대로 이동시켜 서로 다른 기판 처리 공간에서 기판 처리를 수행하는 기판 처리 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 로딩영역의 기판 처리 공간에서 기판 처리를 시작하여 상기 언로딩영역의 기판 처리 공간에서 기판 처리가 완료되는 기판 처리 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 복수개의 가스분사체로 모두 동일한 공정 가스를 공급하여 상기 복수개의 기판 처리 공간에서 모두 동일한 기판 처리를 수행하는 기판 처리 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 복수개의 가스분사체 중 적어도 어느 하나의 가스분사체로 다른 공정 가스를 공급하여 상기 복수개의 기판 처리 공간 중 적어도 어느 하나의 기판 처리 공간에서 서로 다른 기판 처리를 수행하는 기판 처리 방법. - 청구항 12에 있어서,
상기 로딩영역에 구비되는 기판 처리 공간과 상기 언로딩영역에 구비되는 기판 처리 공간에서 서로 다른 기판 처리를 수행하는 기판 처리 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 복수개의 기판 처리 공간 중 적어도 하나의 기판 처리 공간 내에서 기판의 플라즈마 처리를 수행하는 기판 처리 방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140023493AKR102135740B1 (ko) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2015028395AJP6062975B2 (ja) | 2014-02-27 | 2015-02-17 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| TW104105490ATWI587425B (zh) | 2014-02-27 | 2015-02-17 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| CN201510087749.9ACN104882395B (zh) | 2014-02-27 | 2015-02-26 | 基板处理装置及基板处理方法 |
| US14/633,123US20150243490A1 (en) | 2014-02-27 | 2015-02-26 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140023493AKR102135740B1 (ko) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150101786A KR20150101786A (ko) | 2015-09-04 |
| KR102135740B1true KR102135740B1 (ko) | 2020-07-20 |
Family
ID=53882889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140023493AActiveKR102135740B1 (ko) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150243490A1 (ko) |
| JP (1) | JP6062975B2 (ko) |
| KR (1) | KR102135740B1 (ko) |
| CN (1) | CN104882395B (ko) |
| TW (1) | TWI587425B (ko) |
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| JP6062975B2 (ja) | 2017-01-18 |
| CN104882395B (zh) | 2018-06-12 |
| CN104882395A (zh) | 2015-09-02 |
| TW201535571A (zh) | 2015-09-16 |
| US20150243490A1 (en) | 2015-08-27 |
| KR20150101786A (ko) | 2015-09-04 |
| JP2015162677A (ja) | 2015-09-07 |
| TWI587425B (zh) | 2017-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application | Patent event code:PA01091R01D Comment text:Patent Application Patent event date:20140227 | |
| PG1501 | Laying open of application | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant | Patent event date:20160415 Comment text:Notification of Change of Applicant Patent event code:PN23011R01D | |
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination | Patent event code:PA02012R01D Patent event date:20171212 Comment text:Request for Examination of Application Patent event code:PA02011R01I Patent event date:20140227 Comment text:Patent Application | |
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection | Comment text:Notification of reason for refusal Patent event date:20190627 Patent event code:PE09021S01D | |
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection | Comment text:Final Notice of Reason for Refusal Patent event date:20200220 Patent event code:PE09021S02D | |
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration | Patent event code:PE07011S01D Comment text:Decision to Grant Registration Patent event date:20200618 | |
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment | Comment text:Registration of Establishment Patent event date:20200714 Patent event code:PR07011E01D | |
| PR1002 | Payment of registration fee | Payment date:20200714 End annual number:3 Start annual number:1 | |
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee | Payment date:20240603 Start annual number:5 End annual number:5 | |
| PR1001 | Payment of annual fee | Payment date:20250610 Start annual number:6 End annual number:6 |