KR102023945B1

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Info

Publication number: KR102023945B1
Application number: KR1020120157364A
Authority: KR
Inventors: 하상명; 타로 하스미
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2012-12-28
Publication date: 2019-11-04
Anticipated expiration: 2032-12-28
Also published as: KR20140086639A

Abstract

Translated fromKorean

본 발명의 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 캡핑층(capping layer)을 상부의 점착층 외부까지 연장함으로써 1차 보호층이 받는 스트레스를 완화시켜 벤딩(bending) 시 발생할 수 있는 크랙(crack)을 방지하는 동시에 상기 캡핑층 위에 2차 보호층을 증착하여 수분 침투를 방지하기 위한 것으로, 표시부와 외곽부로 구분되는 TFT 기판; 상기 표시부의 TFT 기판 위에 형성된 유기발광다이오드와 구동회로부; 상기 표시부의 TFT 기판과 최외곽 영역 이외의 상기 외곽부의 TFT 기판 위에 형성된 다수의 절연층; 상기 다수의 절연층이 형성된 TFT 기판 위에 상기 절연층을 덮으며, 일부가 더 연장되어 상기 TFT 기판 위에 직접 형성되는 1차 보호층; 상기 1차 보호층 위에 형성된 캡핑층; 및 상기 표시부와 외곽부 일부를 덮으면서 상기 캡핑층이 형성된 TFT 기판 위에 부착되는 보호 필름(barrier film)을 포함하며, 상기 캡핑층은 그 상부의 상기 보호 필름의 외부까지 연장되어 벤딩 시 상기 1차 보호층이 받는 스트레스를 완화시키는 것을 특징으로 한다.The flexible organic light emitting display device of the present invention extends the capping layer to the outside of the upper adhesive layer to alleviate the stress of the primary protective layer to prevent cracking that may occur during bending. A TFT substrate which is deposited on the capping layer to prevent moisture penetration and is divided into a display portion and an outer portion; An organic light emitting diode and a driving circuit unit formed on the TFT substrate of the display unit; A plurality of insulating layers formed on the TFT substrate of the display unit and the TFT substrate of the outer portion other than the outermost region; A first protective layer covering the insulating layer on the TFT substrate on which the plurality of insulating layers are formed, a part of which is further extended to be formed directly on the TFT substrate; A capping layer formed on the primary protective layer; And a barrier film attached to the TFT substrate on which the capping layer is formed while covering a portion of the display portion and the outer portion, wherein the capping layer extends to the outside of the protective film on the upper portion thereof to be bent in the primary layer. It is characterized in that to reduce the stress received by the protective layer.

Description

Translated fromKorean

플렉서블 유기발광 디스플레이 장치{FLEXIBLE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Flexible organic light emitting display device {FLEXIBLE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 벤딩(bending) 시 발생할 수 있는 크랙을 방지한 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible organic light emitting display device, and more particularly, to a flexible organic light emitting display device which prevents cracks that may occur during bending.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시소자인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시소자(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, with increasing interest in information display and increasing demand for using a portable information carrier, a lightweight flat panel display (FPD), which replaces a conventional display device, a cathode ray tube (CRT), is used. The research and commercialization of Korea is focused on.

이러한 평판표시소자 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 다양한 요구에 따라 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.In the field of flat panel display devices, a liquid crystal display device (LCD), which has been light and low in power consumption, has been the most attracting display device until now, but development of new display devices has been actively developed according to various demands.

새로운 디스플레이 장치 중 하나인 유기발광 디스플레이 장치는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시장치에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.The organic light emitting display device, which is one of the new display devices, has a better viewing angle and contrast ratio than the liquid crystal display device because of its self-luminous type, and is lightweight and thinner because it does not require a backlight. . In addition, there is an advantage that the DC low-voltage drive is possible and the response speed is fast, in particular, it has an advantage in terms of manufacturing cost.

상기의 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정에는 액정표시장치나 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel; PDP)과는 달리 증착 및 봉지(encapsulation) 공정이 공정의 전부라고 할 수 있기 때문에 제조공정이 매우 단순하다. 또한, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(보호 필름 Film Transistor; TFT)를 가지는 액티브 매트릭스(active matrix)방식으로 유기발광 디스플레이 장치를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비 전력, 고정세 및 대형화가 가능한 장점을 가진다.In the manufacturing process of the organic light emitting display device, unlike the liquid crystal display device or the plasma display panel (PDP), the deposition and encapsulation process are all processes, and thus the manufacturing process is very simple. In addition, when the organic light emitting display device is driven by an active matrix method having a thin film transistor (TFT) which is a switching element for each pixel, the same luminance is achieved even when a low current is applied. It has the advantage that it can be fixed and large sized.

이하, 상기 유기발광 디스플레이 장치의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the basic structure and operation characteristics of the organic light emitting display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 유기발광 디스플레이 장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.1 is a diagram illustrating a light emission principle of a general organic light emitting display device.

일반적인 유기발광 디스플레이 장치는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(8) 사이에 형성된 유기 화합물층(19a, 19b, 19c, 19d, 19e)을 구비한다.A general organic light emitting display device is provided with an organic light emitting diode as shown in FIG. The organic light emitting diode includesorganic compound layers 19a, 19b, 19c, 19d, and 19e formed between ananode 18 as a pixel electrode and acathode 8 as a common electrode.

이때, 상기 유기 화합물층(19a, 19b, 19c, 19d, 19e)은 정공주입층(hole injection layer)(19a), 정공수송층(hole transport layer)(19b), 발광층(emission layer)(19c), 전자수송층(electron transport layer)(19d) 및 전자주입층(electron injection layer)(19e)을 포함한다.In this case, theorganic compound layers 19a, 19b, 19c, 19d, and 19e may include ahole injection layer 19a, ahole transport layer 19b, anemission layer 19c, and an electron. Anelectron transport layer 19d and anelectron injection layer 19e.

상기 양극(18)과 음극(8)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(19b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(19d)을 통과한 전자가 발광층(19c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(19c)이 가시광선을 발산하게 된다.When a driving voltage is applied to theanode 18 and thecathode 8, holes passing through thehole transport layer 19b and electrons passing through theelectron transport layer 19d are moved to theemission layer 19c to form excitons. As a result, thelight emitting layer 19c emits visible light.

유기발광 디스플레이 장치는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.The organic light emitting display device displays an image by arranging pixels having an organic light emitting diode having the above-described structure in a matrix form and selectively controlling the pixels with data voltage and scan voltage.

이와 같은 상기 유기발광 디스플레이 장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식 또는 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 능동 매트릭스(active matrix) 방식의 표시소자로 나뉘어진다. 이 중 상기 능동 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온(turn on)시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.Such an organic light emitting display device is divided into a passive matrix type or an active matrix type display element using a TFT as a switching element. Among these, the active matrix method selectively turns on the active TFT, selects a pixel, and maintains light emission of the pixel at a voltage maintained in a storage capacitor.

도 2는 일반적인 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도로써, 능동 매트릭스 방식의 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 일반적인 2T1C(2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함)의 화소에 대한 등가 회로도를 예를 들어 나타내고 있다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel in a typical organic light emitting display device, and an equivalent circuit diagram of a pixel of a general 2T1C (including two transistors and one capacitor) in an organic matrix display of an active matrix type. Is shown as an example.

상기 도 2를 참조하면, 능동 매트릭스 방식의 유기발광 디스플레이 장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(DL)과 스캔라인(게이트라인)(GL), 스위칭 TFT(SW), 구동 TFT(DR) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.Referring to FIG. 2, a pixel of an organic matrix display device of an active matrix type includes an organic light emitting diode (OLED), a data line DL and a scan line (gate line) GL, a switching TFT SW, A driving TFT DR and a storage capacitor Cst are provided.

이때, 상기 스위칭 TFT(SW)는 스캔라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT(SW)의 온-타임기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT(SW)의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT(DR)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다.At this time, the switching TFT SW is turned on in response to the scan pulse from the scan line GL to conduct a current path between its source electrode and the drain electrode. During the on-time period of the switching TFT SW, the data voltage from the data line DL passes through the gate electrode and the storage capacitor Cst of the driving TFT DR via the source electrode and the drain electrode of the switching TFT SW. Is applied to.

이때, 상기 구동 TFT(DR)는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터전압과 저전위 전원전압(VSS) 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.In this case, the driving TFT DR controls a current flowing through the organic light emitting diode OLED according to a data voltage applied to its gate electrode. The storage capacitor Cst stores a voltage between the data voltage and the low potential power supply voltage VSS and maintains the voltage constant for one frame period.

이와 같은 특징을 갖는 일반적인 유기발광 디스플레이 장치의 경우 TFT 기판으로 글라스 기판을 적용할 수 있으며, 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 경우 상기 TFT 기판으로 폴리이미드(polyimide; PI) 기판을 적용할 수 있다.In the case of a general organic light emitting display device having such a feature, a glass substrate may be applied to a TFT substrate, and in the case of a flexible organic light emitting display device, a polyimide (PI) substrate may be applied to the TFT substrate.

도 3은 일반적인 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 구조를 예시적으로 보여주는 사시도로써, 연성 회로기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)이 체결된 상태의 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치를 예를 들어 나타내고 있다.FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of a structure of a general flexible organic light emitting display device, and illustrates a flexible organic light emitting display device in a state where a flexible printed circuit board (FPCB) is fastened.

상기 도 3을 참조하면, 일반적으로 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 크게 영상을 표시하는 패널 어셈블리와 상기 패널 어셈블리에 연결되는 연성 회로기판(30)을 포함한다.Referring to FIG. 3, a flexible organic light emitting display device generally includes a panel assembly displaying a large image and aflexible circuit board 30 connected to the panel assembly.

상기 패널 어셈블리는 TFT 기판(5)과 상기 TFT 기판(5) 위에 형성되는 보호 필름(barrier film)(4)을 포함한다.The panel assembly includes aTFT substrate 5 and abarrier film 4 formed on theTFT substrate 5.

이때, 상기 TFT 기판(5)은 다수의 부화소(sub pixel)들이 배치되어 실제로 영상을 표시하는 표시부(AA) 및 상기 표시부(AA)의 외곽에 형성되어 외부로부터 인가되는 신호를 상기 표시부(AA) 내에 전달하는 외곽부로 구분할 수 있으며, 상기 보호 필름(4)은 상기 표시부(AA)와 외곽부 일부를 덮으면서 상기 TFT 기판(5) 위에 형성되게 된다.In this case, theTFT substrate 5 includes a display unit AA in which a plurality of subpixels are arranged to actually display an image, and a signal applied from the outside to the display unit AA, which is formed outside the display unit AA. Theprotective film 4 is formed on theTFT substrate 5 while covering the display portion AA and a portion of the outer portion.

이때, 상기 보호 필름(4)에 의해 덮이지 않고 노출되는 외곽부는 패드가 형성되는 패드부(PA)를 구성한다.At this time, the outer portion exposed without being covered by theprotective film 4 constitutes a pad portion PA in which a pad is formed.

상기 TFT 기판(5)으로 폴리이미드 기판을 적용할 수 있으며, 그 배면에는 백 플레이트(back plate)(10)가 부착되어 있다.A polyimide substrate can be applied to theTFT substrate 5, and aback plate 10 is attached to the rear surface thereof.

그리고, 상기 보호 필름(4) 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판(미도시)이 부착되어 있다.A polarizing plate (not shown) is attached to theprotective film 4 to prevent reflection of light incident from the outside.

이때, 자세히 도시하지 않았지만, 상기 TFT 기판(5)의 표시부(AA)에는 부화소들이 매트릭스 형태로 배치되며, 상기 표시부(AA)의 외측, 즉 상기 외곽부에는 상기 부화소들을 구동시키기 위한 스캔 드라이버와 데이터 드라이버 등의 구동소자, 패드전극들 및 기타 부품들이 위치한다.In this case, although not shown in detail, sub-pixels are arranged in a matrix form on the display portion AA of theTFT substrate 5, and a scan driver for driving the subpixels outside the display portion AA, that is, the outer portion. And driving devices such as data drivers, pad electrodes, and other components are located.

상기 보호 필름(4)은 TFT 기판(5)에 형성된 유기발광다이오드들과 구동회로들 위에 형성되어 유기발광다이오드들과 구동회로들을 외부로부터 밀봉하여 보호한다.Theprotective film 4 is formed on the organic light emitting diodes and the driving circuits formed on theTFT substrate 5 to seal and protect the organic light emitting diodes and the driving circuits from the outside.

이렇게 구성된 상기 패널 어셈블리의 패드부(PA)에는 칩 온 글라스(chip on glass) 방식으로 집적회로 칩(미도시)이 실장 된다.An integrated circuit chip (not shown) is mounted on the pad part PA of the panel assembly configured as described above in a chip on glass manner.

상기 연성 회로기판(30)에는 구동 신호를 처리하기 위한 전자 소자(미도시)들이 칩 온 필름(chip on film) 방식으로 실장되고, 외부 신호를 연성 회로기판(30)으로 전송하기 위한 커넥터(미도시)가 설치된다.Electronic devices (not shown) for processing driving signals are mounted on the flexible printedcircuit board 30 in a chip on film manner, and connectors for transmitting external signals to the flexible printed circuit board 30 (not shown). Is installed.

이러한 연성 회로기판(30)은 패널 어셈블리의 뒤쪽으로 접혀 연성 회로기판(30)이 패널 어셈블리의 배면과 마주하도록 한다. 즉, TFT 기판(5)에 보호 필름(4)이 합착되어 모듈 어셈블리를 구성하는 상태에서 벤딩부를 가진 연성 회로기판(30)이 접착층(미도시)을 통해 유기발광 디스플레이 장치의 배면에 부착되게 된다.Theflexible circuit board 30 is folded to the rear of the panel assembly so that theflexible circuit board 30 faces the back of the panel assembly. That is, in the state where theprotective film 4 is bonded to theTFT substrate 5 to form a module assembly, theflexible circuit board 30 having the bending portion is attached to the rear surface of the organic light emitting display device through an adhesive layer (not shown). .

이때, TFT 기판(5)의 단자부와 연성 회로기판(30)의 접속부가 서로 전기적으로 접속하도록 하기 위하여 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film; ACF)(미도시)을 이용하게 된다.At this time, an anisotropic conductive film (ACF) (not shown) is used to electrically connect the terminal portion of theTFT substrate 5 and the connecting portion of theflexible circuit board 30 to each other.

이와 같이 구성되는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 상기 TFT 기판(5)과 보호 필름(4)을 글라스가 아닌 필름형태의 재료를 사용하여 구현한다.The flexible organic light emitting display device configured as described above implements theTFT substrate 5 and theprotective film 4 by using a film type material rather than glass.

이때, 상기 필름형태의 TFT 기판(5)과 보호 필름(4) 사이에는 점착층이 존재하여 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위한 봉지 기술을 구현하며, 상기 필름형태의 TFT 기판(5) 하부에는 전술한 바와 같이 백 플레이트(10)를 점착제를 이용하여 접착시킴으로써 평평함을 유지할 수 있는 플렉서블 디스플레이를 구현하게 된다.In this case, an adhesive layer is present between the film-type TFT substrate 5 and theprotective film 4 to implement an encapsulation technique for implementing a flexible display, and as described above under the film-type TFT substrate 5. As described above, theback plate 10 is bonded using an adhesive to implement a flexible display that can maintain flatness.

한편, 도 4는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 벤딩(bending) 시 스트레스에 의해 크랙이 발생하는 현상을 예시적으로 보여주는 도면이다.Meanwhile, FIG. 4 is a diagram exemplarily illustrating a phenomenon in which cracks occur due to stress during bending of the flexible organic light emitting display device.

상기 도 4를 참조하면, 이러한 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 필름형태의 TFT 기판(5)과 보호 필름(4)의 평평함을 유지하기 위해 하부에 부착한 백 플레이트(10)와 봉지수단으로 상부에 부착한 상기 보호 필름(4), 그리고 최상부의 편광판이 가진 열 팽창력의 차이로 인하여 벤딩 시 패널 어셈블리에 스트레스가 가해지고, 이러한 스트레스는 패널 어셈블리의 가장 취약한 부분인 외곽부에 몰리게 되어 패널 어셈블리에 크랙(crack)이 발생하게 된다.Referring to FIG. 4, the flexible organic light emitting display device is attached to the upper portion with aback plate 10 attached to the lower portion and an encapsulation means to maintain the flatness of theTFT substrate 5 and theprotective film 4 in the form of a film. Due to the difference in thermal expansion force of theprotective film 4 and the uppermost polarizing plate, stress is applied to the panel assembly during bending, and such stress is concentrated on the outer part of the panel assembly, which is the most vulnerable part of the panel assembly. cracks will occur.

이러한 크랙은 상기 외곽부에서 가장 약한 부분인 보호층에서 발생하여 안으로 전파되기 때문에 벤딩 후 패널 어셈블리의 구동불량을 야기하는 문제점이 있다.This crack occurs in the protective layer, which is the weakest part of the outer part, and propagates therein, which causes a problem in driving the panel assembly after bending.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 벤딩 시 발생할 수 있는 크랙을 방지하는 동시에 수분 침투를 방지하도록 한 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치를 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a flexible organic light emitting display device which prevents water infiltration while preventing cracks that may occur when bending.

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the configuration and claims of the invention which will be described later.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 표시부와 외곽부로 구분되는 TFT 기판; 상기 표시부의 TFT 기판 위에 형성된 유기발광다이오드와 구동회로부; 상기 표시부의 TFT 기판과 최외곽 영역 이외의 상기 외곽부의 TFT 기판 위에 형성된 다수의 절연층; 상기 다수의 절연층이 형성된 TFT 기판 위에 상기 절연층을 덮으며, 일부가 더 연장되어 상기 TFT 기판 위에 직접 형성되는 1차 보호층; 상기 1차 보호층 위에 형성된 캡핑층(capping layer); 및 상기 표시부와 외곽부 일부를 덮으면서 상기 캡핑층이 형성된 TFT 기판 위에 부착되는 보호 필름(barrier film)을 포함하며, 상기 캡핑층은 그 상부의 상기 보호 필름의 외부까지 연장되어 벤딩(bending) 시 상기 1차 보호층이 받는 스트레스를 완화시키는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the flexible organic light emitting display device of the present invention is a TFT substrate divided into a display portion and the outer portion; An organic light emitting diode and a driving circuit unit formed on the TFT substrate of the display unit; A plurality of insulating layers formed on the TFT substrate of the display unit and the TFT substrate of the outer portion other than the outermost region; A first protective layer covering the insulating layer on the TFT substrate on which the plurality of insulating layers are formed, a part of which is further extended to be formed directly on the TFT substrate; A capping layer formed on the primary protective layer; And a barrier film attached to the TFT substrate on which the capping layer is formed while covering a portion of the display portion and the outer portion, wherein the capping layer extends to the outside of the protective film on the upper side of the capping layer. It is characterized in that to reduce the stress received by the primary protective layer.

이때, 상기 TFT 기판은 폴리이미드(polyimide; PI) 기판으로 이루어진 것을 특징으로 한다.At this time, the TFT substrate is characterized in that made of a polyimide (PI) substrate.

상기 캡핑층 위에 형성되는 2차 보호층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it further comprises a secondary protective layer formed on the capping layer.

이때, 상기 2차 보호층은 상기 캡핑층을 덮도록 상기 1차 보호층의 단부까지 연장, 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the secondary protective layer is characterized in that extending to the end of the primary protective layer to cover the capping layer.

이때, 상기 2차 보호층은 수분이 상기 캡핑층을 타고 내부로 침투하는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다.In this case, the secondary protective layer is characterized in that the moisture is prevented from penetrating inside the capping layer.

상기 보호 필름은 상기 2차 보호층 위에 점착층을 통해 부착되는 것을 특징으로 한다.The protective film is characterized in that the adhesive layer is attached on the secondary protective layer.

상기 보호 필름 위에 점착제를 통해 부착된 편광판을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it further comprises a polarizing plate attached on the protective film via an adhesive.

상기 캡핑층은 폴리머 등의 유기물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.The capping layer is made of an organic material such as a polymer.

상기 표시부 및 외곽부에 형성되는 격벽을 추가로 포함하며, 상기 표시부 내의 격벽은 각 화소영역을 구획하는 것을 특징으로 한다.And a partition wall formed in the display unit and the outer portion, wherein the partition wall in the display unit partitions each pixel area.

이때, 상기 1차 보호층은 상기 격벽이 형성된 TFT 기판 위에 형성되는 한편, 상기 캡핑층은 상기 외곽부의 일정 영역까지 연장되어 상기 격벽을 완전히 덮는 것을 특징으로 한다.In this case, the primary protective layer is formed on the TFT substrate on which the partition wall is formed, while the capping layer extends to a predetermined region of the outer portion to completely cover the partition wall.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 캡핑층(capping layer)을 상부 점착층 외부까지 연장함으로써 1차 보호층이 받는 스트레스를 완화시켜 벤딩 시 발생할 수 있는 크랙을 방지하는 동시에 상기 캡핑층 위에 2차 보호층을 증착함으로써 수분 침투를 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 수율이 향상되는 한편, 향후 제품 개발 시 벤딩에 대한 제한을 완화시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the flexible organic light emitting display device according to the present invention extends the capping layer to the outside of the upper adhesive layer to relieve stress of the primary protective layer to prevent cracks that may occur when bending. By depositing a second protective layer on the capping layer it is possible to prevent the penetration of moisture. As a result, the yield is improved, while also providing the effect of easing the restriction on bending in future product development.

도 1은 일반적인 유기발광 디스플레이 장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 일반적인 유기발광 디스플레이 장치에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도.
도 3은 일반적인 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 구조를 예시적으로 보여주는 사시도.
도 4는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 벤딩 시 스트레스에 의해 크랙이 발생하는 현상을 예시적으로 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 구조를 예시적으로 보여주는 사시도.
도 6은 상기 도 5에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 A-A'선에 따른 단면을 개략적으로 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 단면을 개략적으로 나타내는 도면.
도 8a 및 도 8m은 상기 도 7에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.1 is a diagram illustrating a light emission principle of a general organic light emitting display device.
2 is an equivalent circuit diagram of one pixel in a conventional organic light emitting display device.
3 is a perspective view illustrating an exemplary structure of a general flexible organic light emitting display device.
4 is a diagram illustrating a phenomenon in which cracks are generated by stress when bending the flexible organic light emitting display device.
5 is a perspective view illustrating a structure of a flexible organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of the flexible organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIG. 5.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a flexible organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention; FIG.
8A and 8M are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a flexible organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention shown in FIG. 7.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the flexible organic light emitting display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the present embodiments to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 구조를 예시적으로 보여주는 사시도로써, 연성 회로기판이 체결된 상태의 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치를 예를 들어 나타내고 있다.FIG. 5 is a perspective view illustrating a structure of a flexible organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and illustrates a flexible organic light emitting display device in a state where a flexible circuit board is fastened.

도 6은 상기 도 5에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 A-A'선에 따른 단면을 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ of the flexible organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIG. 5.

상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 크게 영상을 표시하는 패널 어셈블리(100)와 상기 패널 어셈블리(100)에 연결되는 연성 회로기판(130)을 포함한다.Referring to the drawings, the flexible organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention includes apanel assembly 100 displaying a large image and aflexible circuit board 130 connected to thepanel assembly 100. .

상기 패널 어셈블리(100)는 TFT 기판(105)과 상기 TFT 기판(105) 위에 형성되는 보호 필름(104)을 포함한다.Thepanel assembly 100 includes aTFT substrate 105 and aprotective film 104 formed on theTFT substrate 105.

이때, 상기 보호 필름(104)은 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC)나 사이클로올레핀폴리머(cycloolefin polymer; COP) 재질의 투명 필름 하부에 SiO, SiN, Al₂O₂ 등의 무기 배리어 층이 증착된 필름을 의미한다.In this case, theprotective film 104 is a film in which an inorganic barrier layer such as SiO, SiN, Al₂ O₂ is deposited on a transparent film made of polycarbonate (PC) or cycloolefin polymer (COP) material. it means.

이때, 상기 TFT 기판(105)은 다수의 부화소들이 배치되어 실제로 영상을 표시하는 표시부(AA) 및 상기 표시부(AA)의 외곽에 형성되어 외부로부터 인가되는 신호를 상기 표시부(AA) 내에 전달하는 외곽부로 구분할 수 있으며, 상기 보호 필름(104)은 상기 표시부(AA)와 외곽부 일부를 덮으면서 상기 TFT 기판(105) 위에 형성되게 된다.In this case, theTFT substrate 105 includes a display unit AA in which a plurality of sub-pixels are arranged to actually display an image, and a signal formed from the outside of the display unit AA to transmit a signal applied from the outside into the display unit AA. Theprotective film 104 may be formed on theTFT substrate 105 while covering the display portion AA and a portion of the outer portion.

이때, 상기 외곽부 중에 상기 보호 필름(104)에 의해 덮이지 않고 노출되는 부분은 패드가 형성되는 패드부(PA)를 구성하게 된다.In this case, a portion of the outer portion exposed without being covered by theprotective film 104 constitutes a pad portion PA in which a pad is formed.

상기 부화소는 유기발광다이오드와 구동회로부로 이루어진다.The subpixel includes an organic light emitting diode and a driving circuit unit.

상기 유기발광다이오드는 제 1 전극(118)과 유기 화합물층(119) 및 제 2 전극(108)을 포함한다.The organic light emitting diode includes afirst electrode 118, anorganic compound layer 119, and asecond electrode 108.

이때, 자세히 도시하지 않았지만, 상기 유기 화합물층(119)은 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달하기 위한 다양한 유기 층들을 더 포함할 수 있다.In this case, although not shown in detail, theorganic compound layer 119 may further include various organic layers for efficiently transferring a carrier of holes or electrons to the light emitting layer, in addition to the light emitting layer in which actual light is emitted.

상기 유기 층들은 상기 제 1 전극(118)과 발광층 사이에 위치하는 정공주입층 및 정공수송층, 상기 제 2 전극(108)과 발광층 사이에 위치하는 전자주입층 및 전자수송층을 포함할 수 있다.The organic layers may include a hole injection layer and a hole transport layer between thefirst electrode 118 and the light emitting layer, an electron injection layer and an electron transport layer located between thesecond electrode 108 and the light emitting layer.

이와 같이 플라스틱이나 스테인레스 스틸로 이루어진 TFT 기판(105) 상에 투명 산화물로 이루어진 제 1 전극(118)이 형성되며, 상기 제 1 전극(118) 위에는 순차적으로 유기 화합물층(119) 및 제 2 전극(108)이 적층되어 있다.As such, thefirst electrode 118 made of a transparent oxide is formed on theTFT substrate 105 made of plastic or stainless steel, and theorganic compound layer 119 and thesecond electrode 108 are sequentially formed on the first electrode 118. ) Are stacked.

이때, 상기 TFT 기판(105)으로 글라스 이외의 폴리이미드(polyimide) 재질을 사용할 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(105) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET)의 플라스틱으로 이루어진 백 플레이트(110)가 점착제(113)를 통해 부착될 수 있다.In this case, a polyimide material other than glass may be used as theTFT substrate 105, and in this case, theback plate 110 made of plastic of polyethylene terephthalate (PET) is formed on the rear surface of the TFT substrate 105. ) May be attached through the adhesive 113.

상기 구조를 기반으로 유기발광다이오드는 제 1 전극(118)에서 주입되는 정공과 제 2 전극(108)에서 주입되는 전자가 각각의 수송을 위한 수송층을 경유하여 발광층에서 결합한 후 낮은 에너지 준위로 이동하면서 상기 발광층에서의 에너지 차에 해당하는 파장의 빛을 생성하게 된다.Based on the structure, the organic light emitting diode moves to a low energy level after the holes injected from thefirst electrode 118 and the electrons injected from thesecond electrode 108 are combined in the light emitting layer via the transport layers for the respective transport. Light of a wavelength corresponding to the energy difference in the light emitting layer is generated.

이때, 백색광의 발광을 위하여 상기 발광층은 더욱 구체적으로 적색발광층, 녹색발광층 및 청색발광층으로 이루어질 수 있다.In this case, in order to emit white light, the light emitting layer may be more specifically formed of a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer.

그리고, 상기 구동회로부는 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 적어도 하나의 스토리지 커패시터를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터는 기본적으로 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터를 포함한다.The driving circuit unit includes at least two thin film transistors and at least one storage capacitor. The thin film transistor basically includes a switching transistor and a driving transistor.

도시하지 않았지만, 스위칭 트랜지스터는 스캔라인과 데이터라인에 연결되고, 스캔라인에 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인에 입력되는 데이터 전압을 구동 트랜지스터로 전송한다. 스토리지 커패시터는 스위칭 트랜지스터와 전원 라인에 연결되며, 스위칭 트랜지스터로부터 전송 받은 전압과 전원라인에 공급되는 전압의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.Although not shown, the switching transistor is connected to the scan line and the data line, and transmits the data voltage input to the data line to the driving transistor according to the switching voltage input to the scan line. The storage capacitor is connected to the switching transistor and the power line, and stores a voltage corresponding to the difference between the voltage received from the switching transistor and the voltage supplied to the power line.

구동 트랜지스터는 전원 라인과 스토리지 커패시터에 연결되어 스토리지 커패시터에 저장된 전압과 문턱 전압의 차이의 제곱에 비례하는 출력 전류를 유기발광다이오드로 공급하고, 유기발광다이오드는 출력 전류에 의해 발광한다.The driving transistor is connected to the power line and the storage capacitor to supply an output current to the organic light emitting diode, which is proportional to the square of the difference between the voltage stored in the storage capacitor and the threshold voltage, and the organic light emitting diode emits light by the output current.

상기 구동 트랜지스터는 반도체층(124)과 게이트전극(121) 및 소오스/드레인전극(122, 123)을 포함하며, 유기발광다이오드의 제 1 전극(118)이 구동 트랜지스터의 드레인전극(123)에 연결될 수 있다. 즉, 상기 구동 트랜지스터는 상기 TFT 기판(105) 위에 형성된 버퍼층(115a), 상기 버퍼층(115a) 위에 형성된 반도체층(124), 상기 반도체층(124)이 형성된 TFT 기판(105) 위에 형성된 제 1 절연층(115b), 상기 제 1 절연층(115b) 위에 형성된 게이트전극(121), 상기 게이트전극(121)이 형성된 TFT 기판(105) 위에 형성된 제 2 절연층(115c) 및 상기 제 2 절연층(115c) 위에 형성되어 제 1 콘택홀을 통해 상기 반도체층(124)의 소오스/드레인영역과 전기적으로 접속하는 소오스/드레인전극(122, 123)으로 구성된다.The driving transistor includes asemiconductor layer 124, agate electrode 121, and source /drain electrodes 122 and 123, and thefirst electrode 118 of the organic light emitting diode is connected to thedrain electrode 123 of the driving transistor. Can be. In other words, the driving transistor includes abuffer layer 115a formed on theTFT substrate 105, asemiconductor layer 124 formed on thebuffer layer 115a, and a first insulating layer formed on theTFT substrate 105 on which thesemiconductor layer 124 is formed. Alayer 115b, agate electrode 121 formed on the first insulatinglayer 115b, a second insulatinglayer 115c and a second insulating layer formed on theTFT substrate 105 on which thegate electrode 121 is formed. And source /drain electrodes 122 and 123 formed on 115c and electrically connected to the source / drain regions of thesemiconductor layer 124 through first contact holes.

이때, 상기 버퍼층(115a)은 단일 층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있으며, 상기 반도체층(124)은 수소화된 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 산화물 반도체로 형성할 수 있다.In this case, thebuffer layer 115a may be formed of a single layer or a plurality of layers, and thesemiconductor layer 124 may be formed of an oxide semiconductor such as hydrogenated amorphous silicon, polycrystalline silicon, or indium gallium zinc oxide (IGZO). have.

상기 게이트전극(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다.Thegate electrode 121 may be formed of an aluminum-based metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, a silver-based metal such as silver (Ag) or a silver alloy, a copper-based metal such as copper (Cu) or a copper alloy, or molybdenum (Mo). ) Or a low resistance opaque conductive material such as molybdenum-based metal such as molybdenum alloy, chromium (Cr), tantalum (Ta), or titanium (Ti). However, they may have a multilayer film structure including two conductive films having different physical properties.

상기 제 1 절연층(115b)과 제 2 절연층(115c)은 질화규소(SiNx)나 이산화규소(SiO₂)와 같은 무기절연물질로 이루어진 단일 층, 또는 상기 질화규소와 이산화규소로 이루어진 이중의 층으로 이루어질 수 있다.The first insulatinglayer 115b and the second insulatinglayer 115c may be formed of a single layer made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon dioxide (SiO₂ ), or a double layer made of silicon nitride and silicon dioxide. Can be done.

상기 소오스전극(122)과 드레인전극(123)은 알루미늄이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다.Thesource electrode 122 and thedrain electrode 123 may be formed of aluminum-based metal such as aluminum or aluminum alloy, silver-based metal such as silver or silver alloy, copper-based metal such as copper or copper alloy, molybdenum-based metal such as molybdenum or molybdenum alloy, and chromium. Low resistance opaque conductive materials such as, tantalum and titanium can be used. However, they may have a multilayer film structure including two conductive films having different physical properties.

다만, 이러한 부화소의 구성은 전술한 예에 한정되지 않으며 다양하게 변형 가능하다.However, the configuration of such a subpixel is not limited to the above-described example and may be variously modified.

이렇게 구성된 상기 구동 트랜지스터가 형성된 TFT 기판(105) 위에는 제 3 절연층(115d)이 형성되며, 상기 제 3 절연층(115d)은 질화규소나 이산화규소와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다.A third insulatinglayer 115d may be formed on theTFT substrate 105 having the driving transistor configured as described above, and the third insulatinglayer 115d may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon dioxide.

한편, 외곽부의 TFT 기판(105)의 제 2 절연층(115c) 위에는 공통패드(131)가 형성된다. 상기 공통패드(131)는 외부의 신호를 표시부(AA) 내의 제 2 전극(108)에 인가하기 위한 것으로, 구동 트랜지스터의 소오스전극(122) 및 드레인전극(123)과 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.On the other hand, acommon pad 131 is formed on the second insulatinglayer 115c of theTFT substrate 105 in the outer portion. Thecommon pad 131 is for applying an external signal to thesecond electrode 108 in the display unit AA, and may be formed by the same process as thesource electrode 122 and thedrain electrode 123 of the driving transistor. have.

도시하지 않았지만, 상기 외곽부에는 구동 트랜지스터의 게이트전극(121)에 주사신호를 인가하는 게이트패드와 제 1 전극(118)에 신호를 인가하는 데이터패드가 형성된다.Although not shown, a gate pad for applying a scan signal to thegate electrode 121 of the driving transistor and a data pad for applying a signal to thefirst electrode 118 are formed in the outer portion.

이때, 상기 구동 트랜지스터의 드레인전극(123)은 상기 제 3 절연층(115d)에 형성된 제 2 컨택홀을 통해 상기 제 1 전극(118)과 전기적으로 접속되며, 상기 외곽부의 공통패드(131)는 상기 제 3 절연층(115d)에 형성된 제 3 컨택홀을 통해 그 상부의 공통패드 전극(138)과 전기적으로 접속된다.In this case, thedrain electrode 123 of the driving transistor is electrically connected to thefirst electrode 118 through a second contact hole formed in the third insulatinglayer 115d, and thecommon pad 131 of the outer portion is The third pad is electrically connected to thecommon pad electrode 138 through the third contact hole formed in the third insulatinglayer 115d.

상기 제 1 전극(118)과 공통패드 전극(138)은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다. 상기 제 1 전극(118)과 공통패드 전극(138)은 동일한 도전물질로 동일한 공정에 의해 형성될 수도 있지만, 다른 공정에 의해 서로 다른 종류의 도전물질로 형성될 수도 있다.Thefirst electrode 118 and thecommon pad electrode 138 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), aluminum, silver, or the like. It may be made of a reflective conductive material such as an alloy thereof. Thefirst electrode 118 and thecommon pad electrode 138 may be formed of the same conductive material by the same process, or may be formed of different kinds of conductive materials by different processes.

그리고, 상기 표시부(AA) 내의 제 3 절연층(115d) 상부의 각 화소영역의 경계에는 격벽(115e)이 형성된다. 상기 격벽(115e)은 각 화소영역을 구획하여 인접하는 화소영역에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하기 위한 것이다.Apartition wall 115e is formed at a boundary of each pixel area on the third insulatinglayer 115d in the display unit AA. Thepartition wall 115e divides each pixel area and prevents light of a specific color output from adjacent pixel areas from being mixed and output.

이러한 격벽(115e)은 상기 외곽부의 공통패드 전극(138)을 외부로 노출시키는 상태로 상기 외곽부로 연장된다.Thepartition wall 115e extends to the outer portion in a state in which thecommon pad electrode 138 of the outer portion is exposed to the outside.

전술한 유기발광다이오드는 유기 화합물층(119)은 상기 격벽(115e) 사이의 제 1 전극(118) 위에 형성된다.The organic light emitting diode described above is formed on thefirst electrode 118 between thepartition wall 115e.

상기 표시부(AA)의 유기 화합물층(119) 위에는 상기 제 2 전극(108)이 형성된다. 상기 제 2 전극(108)은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.Thesecond electrode 108 is formed on theorganic compound layer 119 of the display unit AA. Thesecond electrode 108 receives a common voltage and is made of a reflective conductive material including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum, silver, or a transparent conductive material such as ITO or IZO. Can be.

이때, 외곽부에도 제 2 전극(108)이 형성된다. 외곽부의 제 2 전극(108)은 상기 공통패드 전극(138)을 통해 공통패드(131)와 접속되고, 표시부(AA)의 제 2 전극(108)과 연결되어 외부의 신호가 상기 공통패드(131)를 통해 제 2 전극(108)으로 인가된다.At this time, thesecond electrode 108 is also formed in the outer portion. Thesecond electrode 108 of the outer part is connected to thecommon pad 131 through thecommon pad electrode 138, and is connected to thesecond electrode 108 of the display part AA so that an external signal is transmitted to thecommon pad 131. Is applied to thesecond electrode 108.

외곽부와 표시부(AA)의 제 2 전극(108) 및 격벽(115e) 상부에는 상기 TFT 기판(105) 전체에 걸쳐서 1차 보호층(passivation layer)(115f)이 형성된다. 상기 1차 보호층(115f)은 질화규소나 이산화규소와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다.Apassivation layer 115f is formed over the entirety of theTFT substrate 105 on the outer portion, thesecond electrode 108 and thepartition 115e of the display portion AA. The primaryprotective layer 115f may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon dioxide.

또한, 상기 1차 보호층(115f) 위에는 폴리머 등의 유기물질로 이루어진 캡핑층(115g)이 형성된다.In addition, acapping layer 115g formed of an organic material such as a polymer is formed on the firstprotective layer 115f.

상기 캡핑층(115g) 위에는 점착층(103)이 형성되며, 그 위에 보호 필름(104)이 배치되어, 상기 점착층(103)에 의해 보호 필름(104)이 부착된다.Anadhesive layer 103 is formed on thecapping layer 115g, and aprotective film 104 is disposed thereon, and theprotective film 104 is attached by theadhesive layer 103.

이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 캡핑층(115g)은 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치를 벤딩 시 발생할 수 있는 응력을 완화하고자 그 상부의 점착층(103) 외부까지 연장, 형성하는 것을 특징으로 한다. 즉, 기존에는 벤딩 시 발생하는 스트레스를 1차 보호층(115f)이 모두 받게 되어 손상 및 크랙이 발생하게 되나, 본 발명의 제 1 실시예와 같이 상기 캡핑층(115g)의 증착 영역을 상부의 점착층(103) 외부까지 연장함으로써 상기 1차 보호층(115f)이 받는 스트레스를 완화시켜 크랙을 미연에 방지할 수 있게 된다.In this case, thecapping layer 115g according to the first embodiment of the present invention extends and forms to the outside of theadhesive layer 103 on the upper portion of thecapping layer 115g to alleviate the stress that may occur when bending the flexible organic light emitting display device. do. That is, conventionally, the firstprotective layer 115f receives all of the stress generated during bending, thereby causing damage and cracks. However, as in the first embodiment of the present invention, the deposition region of thecapping layer 115g is disposed on the upper portion. By extending to the outside of theadhesive layer 103, the stress applied to the primaryprotective layer 115f may be alleviated to prevent cracking.

상기 보호 필름(104)의 상부에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판(101)이 점착제(미도시)를 통해 부착될 수 있다.Thepolarizer 101 may be attached to an upper portion of theprotective film 104 to prevent reflection of light incident from the outside through an adhesive (not shown).

이렇게 구성된 상기 패널 어셈블리(100)의 패드부(PA)에는 칩 온 글라스 방식으로 집적회로 칩(미도시)이 실장될 수 있다.An integrated circuit chip (not shown) may be mounted on the pad part PA of thepanel assembly 100 configured as described above in a chip on glass manner.

상기 연성 회로기판(130)에는 구동 신호를 처리하기 위한 전자 소자(미도시)들이 칩 온 필름 방식으로 실장되고, 외부 신호를 연성 회로기판(130)으로 전송하기 위한 커넥터(미도시)가 설치될 수 있다.Electronic devices (not shown) for processing driving signals may be mounted on theflexible circuit board 130 in a chip-on film manner, and connectors (not shown) for transmitting external signals to theflexible circuit board 130 may be installed. Can be.

이러한 연성 회로기판(130)은 패널 어셈블리(100)의 뒤쪽으로 접혀 연성 회로기판(130)이 패널 어셈블리(100)의 배면과 마주하도록 한다. 즉, TFT 기판(105)에 보호 필름(104)이 합착되어 모듈 어셈블리를 구성하는 상태에서 벤딩부를 가진 연성 회로기판(130)이 접착층(미도시)을 통해 유기발광 디스플레이 장치의 배면에 부착되게 된다.Theflexible circuit board 130 is folded to the rear of thepanel assembly 100 so that theflexible circuit board 130 faces the rear surface of thepanel assembly 100. That is, in the state where theprotective film 104 is bonded to theTFT substrate 105 to form a module assembly, theflexible circuit board 130 having the bending portion is attached to the rear surface of the organic light emitting display device through an adhesive layer (not shown). .

이때, TFT 기판(105)의 단자부와 연성 회로기판(130)의 접속부가 서로 전기적으로 접속하도록 하기 위하여 이방성 도전필름(미도시)을 이용할 수 있다.In this case, an anisotropic conductive film (not shown) may be used to electrically connect the terminal portion of theTFT substrate 105 and the connection portion of theflexible circuit board 130 to each other.

이와 같이 본 발명의 제 1 실시예에서는 캡핑층을 점착층 외부까지 연장, 증착 시킴으로써 벤딩 시 1차 보호층에 가해지는 스트레스를 완화시키는 것을 특징으로 한다. 다만, 이 경우에는 캡핑층이 외부에 노출되게 됨에 따라 수분이 상기 캡핑층을 타고 내부로 침투할 가능성이 있으며, 이에 본 발명의 제 2 실시예에서는 상기 캡핑층 위에 2차 보호층을 증착 시키게 되며, 이를 다음의 도면을 통해 상세히 설명한다.As described above, in the first embodiment of the present invention, the capping layer is extended and deposited to the outside of the adhesive layer to relieve stress applied to the primary protective layer during bending. However, in this case, as the capping layer is exposed to the outside, moisture may penetrate inside the capping layer, and accordingly, in the second embodiment of the present invention, a secondary protective layer is deposited on the capping layer. This will be described in detail with reference to the following drawings.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 단면을 개략적으로 나타내는 도면으로써, 외곽부와 외곽부에 인접한 표시부의 일부 구성을 예를 들어 나타내고 있다.FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a flexible organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention. FIG. 7 illustrates an example of an outer portion and a part of a display unit adjacent to the outer portion.

이때, 상기 도 7에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 캡핑층 위에 상기 캡핑층을 덮도록 2차 보호층을 증착하는 것을 제외하고는 실질적으로 전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일한 구성으로 이루어져 있다.In this case, the flexible organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention illustrated in FIG. 7 is substantially the same as that of the present invention except for depositing a secondary protective layer on the capping layer to cover the capping layer. It consists of the same structure as 1st Embodiment.

상기 도 7을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 크게 영상을 표시하는 패널 어셈블리(200)와 상기 패널 어셈블리(200)에 연결되는 연성 회로기판(미도시)을 포함한다.Referring to FIG. 7, the flexible organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention includes apanel assembly 200 displaying an image and a flexible circuit board (not shown) connected to thepanel assembly 200. Include.

상기 패널 어셈블리(200)는 TFT 기판(205)과 상기 TFT 기판(205) 위에 형성되는 보호 필름(204)을 포함한다.Thepanel assembly 200 includes aTFT substrate 205 and aprotective film 204 formed on theTFT substrate 205.

이때, 상기 보호 필름(204)은 폴리카보네이트나 사이클로올레핀폴리머 재질의 투명 필름 하부에 SiO, SiN, Al₂O₂ 등의 무기 배리어 층이 증착된 필름을 의미한다.At this time, theprotective film 204 refers to a polycarbonate or cyclo-olefin polymer material of the transparent film underlying SiO, SiN, O₂ Al₂ etc. of the inorganic barrier layer is deposited on the film.

이때, 상기 TFT 기판(205)은 다수의 부화소들이 배치되어 실제로 영상을 표시하는 표시부 및 상기 표시부의 외곽에 형성되어 외부로부터 인가되는 신호를 상기 표시부 내에 전달하는 외곽부로 구분할 수 있으며, 상기 보호 필름(204)은 상기 표시부와 외곽부 일부를 덮으면서 상기 TFT 기판(205) 위에 형성되게 된다.In this case, theTFT substrate 205 may be divided into a display unit where a plurality of subpixels are arranged to actually display an image, and an outer portion which is formed on the outside of the display unit to transmit a signal applied from the outside into the display unit. 204 is formed on theTFT substrate 205 while covering the display portion and the outer portion.

이때, 상기 외곽부 중에 상기 보호 필름(204)에 의해 덮이지 않고 노출되는 부분은 패드가 형성되는 패드부(미도시)를 구성하게 된다.In this case, a portion of the outer portion exposed without being covered by theprotective film 204 constitutes a pad portion (not shown) in which a pad is formed.

전술한 바와 같이 상기 부화소는 유기발광다이오드와 구동회로부로 이루어진다.As described above, the subpixel includes an organic light emitting diode and a driving circuit unit.

상기 유기발광다이오드는 제 1 전극(218)과 유기 화합물층(219) 및 제 2 전극(208)을 포함한다.The organic light emitting diode includes afirst electrode 218, anorganic compound layer 219, and asecond electrode 208.

이때, 자세히 도시하지 않았지만, 상기 유기 화합물층(219)은 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달하기 위한 다양한 유기 층들을 더 포함할 수 있다.In this case, although not shown in detail, theorganic compound layer 219 may further include various organic layers for efficiently transferring carriers of holes or electrons to the light emitting layer in addition to the light emitting layer in which actual light is emitted.

상기 유기 층들은 상기 제 1 전극(218)과 발광층 사이에 위치하는 정공주입층 및 정공수송층, 상기 제 2 전극(208)과 발광층 사이에 위치하는 전자주입층 및 전자수송층을 포함할 수 있다.The organic layers may include a hole injection layer and a hole transport layer between thefirst electrode 218 and the light emitting layer, an electron injection layer and an electron transport layer located between thesecond electrode 208 and the light emitting layer.

이와 같이 플라스틱이나 스테인레스 스틸로 이루어진 TFT 기판(205) 상에 투명 산화물로 이루어진 제 1 전극(218)이 형성되며, 상기 제 1 전극(218) 위에는 순차적으로 유기 화합물층(219) 및 제 2 전극(208)이 적층되어 있다.As such, afirst electrode 218 made of a transparent oxide is formed on theTFT substrate 205 made of plastic or stainless steel, and theorganic compound layer 219 and thesecond electrode 208 are sequentially formed on the first electrode 218. ) Are stacked.

이때, 상기 TFT 기판(205)으로 글라스 이외의 폴리이미드 재질을 사용할 수 있으며, 이 경우 상기 TFT 기판(205) 배면에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 플라스틱으로 이루어진 백 플레이트(205)가 점착제(213)를 통해 부착될 수 있다.In this case, a polyimide material other than glass may be used as theTFT substrate 205. In this case, aback plate 205 made of polyethylene terephthalate plastic is attached to theTFT substrate 205 through the adhesive 213. Can be.

상기 구조를 기반으로 유기발광다이오드는 제 1 전극(218)에서 주입되는 정공과 제 2 전극(208)에서 주입되는 전자가 각각의 수송을 위한 수송층을 경유하여 발광층에서 결합한 후 낮은 에너지 준위로 이동하면서 상기 발광층에서의 에너지 차에 해당하는 파장의 빛을 생성하게 된다.Based on the structure, the organic light emitting diode moves to a low energy level after the holes injected from thefirst electrode 218 and the electrons injected from thesecond electrode 208 are combined in the light emitting layer via the transport layers for respective transport. Light of a wavelength corresponding to the energy difference in the light emitting layer is generated.

상기 구동 트랜지스터는 반도체층(224)과 게이트전극(221) 및 소오스/드레인전극(222, 223)을 포함하며, 유기발광다이오드의 제 1 전극(218)이 구동 트랜지스터의 드레인전극(223)에 연결될 수 있다. 즉, 상기 구동 트랜지스터는 상기 TFT 기판(205) 위에 형성된 버퍼층(215a), 상기 버퍼층(215a) 위에 형성된 반도체층(224), 상기 반도체층(224)이 형성된 TFT 기판(205) 위에 형성된 제 1 절연층(215b), 상기 제 1 절연층(215b) 위에 형성된 게이트전극(221), 상기 게이트전극(221)이 형성된 TFT 기판(205) 위에 형성된 제 2 절연층(215c) 및 상기 제 2 절연층(215c) 위에 형성되어 제 1 콘택홀을 통해 상기 반도체층(224)의 소오스/드레인영역과 전기적으로 접속하는 소오스/드레인전극(222, 223)으로 구성된다.The driving transistor includes asemiconductor layer 224, agate electrode 221, and source /drain electrodes 222 and 223. Thefirst electrode 218 of the organic light emitting diode is connected to thedrain electrode 223 of the driving transistor. Can be. That is, the driving transistor includes abuffer layer 215a formed on theTFT substrate 205, asemiconductor layer 224 formed on thebuffer layer 215a, and a first insulating layer formed on theTFT substrate 205 on which thesemiconductor layer 224 is formed. Alayer 215b, agate electrode 221 formed on the first insulatinglayer 215b, a second insulatinglayer 215c formed on theTFT substrate 205 on which thegate electrode 221 is formed, and the second insulating layer ( And source /drain electrodes 222 and 223 formed on 215c and electrically connected to the source / drain regions of thesemiconductor layer 224 through the first contact hole.

이때, 상기 버퍼층(215a)은 단일 층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있으며, 상기 반도체층(224)은 수소화된 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 IGZO와 같은 산화물 반도체로 형성할 수 있다.In this case, thebuffer layer 215a may be formed of a single layer or a plurality of layers, and thesemiconductor layer 224 may be formed of an oxide semiconductor such as hydrogenated amorphous silicon, polycrystalline silicon, or IGZO.

상기 게이트전극(221)은 알루미늄이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다.Thegate electrode 221 may be formed of an aluminum-based metal such as aluminum or an aluminum alloy, a silver-based metal such as silver or a silver alloy, a copper-based metal such as copper or a copper alloy, or a molybdenum-based metal such as molybdenum or a molybdenum alloy, such as chromium, tantalum, or titanium. Low resistance opaque conductive materials can be used. However, they may have a multilayer film structure including two conductive films having different physical properties.

상기 제 1 절연층(215b)과 제 2 절연층(215c)은 질화규소나 이산화규소와 같은 무기절연물질로 이루어진 단일 층, 또는 상기 질화규소와 이산화규소로 이루어진 이중의 층으로 이루어질 수 있다.The first insulatinglayer 215b and the second insulatinglayer 215c may be formed of a single layer made of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon dioxide, or a double layer made of silicon nitride and silicon dioxide.

상기 소오스전극(222)과 드레인전극(223)은 알루미늄이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다.Thesource electrode 222 and thedrain electrode 223 may be an aluminum-based metal such as aluminum or an aluminum alloy, a silver-based metal such as silver or a silver alloy, a copper-based metal such as copper or a copper alloy, or a molybdenum-based metal such as molybdenum or molybdenum alloy, or chromium Low resistance opaque conductive materials such as, tantalum and titanium can be used. However, they may have a multilayer film structure including two conductive films having different physical properties.

다만, 전술한 바와 같이 이러한 부화소의 구성은 전술한 예에 한정되지 않으며 다양하게 변형 가능하다.However, as described above, the configuration of such a subpixel is not limited to the above-described example and may be variously modified.

이렇게 구성된 상기 구동 트랜지스터가 형성된 TFT 기판(205) 위에는 제 3 절연층(215d)이 형성되며, 상기 제 3 절연층(215d)은 질화규소나 이산화규소와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다.A third insulatinglayer 215d may be formed on theTFT substrate 205 on which the driving transistor is configured, and the third insulatinglayer 215d may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon dioxide.

한편, 외곽부의 TFT 기판(205)의 제 2 절연층(215c) 위에는 공통패드(231)가 형성된다. 상기 공통패드(231)는 외부의 신호를 표시부 내의 제 2 전극(208)에 인가하기 위한 것으로, 구동 트랜지스터의 소오스전극(222) 및 드레인전극(223)과 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.On the other hand, acommon pad 231 is formed on the second insulatinglayer 215c of theTFT substrate 205 in the outer portion. Thecommon pad 231 is for applying an external signal to thesecond electrode 208 in the display unit and may be formed by the same process as thesource electrode 222 and thedrain electrode 223 of the driving transistor.

도시하지 않았지만, 상기 외곽부에는 구동 트랜지스터의 게이트전극(221)에 주사신호를 인가하는 게이트패드와 제 1 전극(218)에 신호를 인가하는 데이터패드가 형성된다.Although not shown, a gate pad for applying a scan signal to thegate electrode 221 of the driving transistor and a data pad for applying a signal to thefirst electrode 218 are formed in the outer portion.

이때, 상기 구동 트랜지스터의 드레인전극(223)은 상기 제 3 절연층(215d)에 형성된 제 2 컨택홀을 통해 상기 제 1 전극(218)과 전기적으로 접속되며, 상기 외곽부의 공통패드(231)는 상기 제 3 절연층(215d)에 형성된 제 3 컨택홀을 통해 그 상부의 공통패드 전극(238)과 전기적으로 접속된다.In this case, thedrain electrode 223 of the driving transistor is electrically connected to thefirst electrode 218 through a second contact hole formed in the third insulatinglayer 215d, and thecommon pad 231 of the outer portion is It is electrically connected to thecommon pad electrode 238 thereon through the third contact hole formed in the third insulatinglayer 215d.

상기 제 1 전극(218)과 공통패드 전극(238)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다. 상기 제 1 전극(218)과 공통패드 전극(238)은 동일한 도전물질로 동일한 공정에 의해 형성될 수도 있지만, 다른 공정에 의해 서로 다른 종류의 도전물질로 형성될 수도 있다.Thefirst electrode 218 and thecommon pad electrode 238 may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, or a reflective conductive material such as aluminum, silver, or an alloy thereof. Thefirst electrode 218 and thecommon pad electrode 238 may be formed of the same conductive material by the same process, or may be formed of different kinds of conductive materials by different processes.

그리고, 상기 표시부 내의 제 3 절연층(215d) 상부의 각 화소영역의 경계에는 격벽(215e)이 형성된다. 상기 격벽(215e)은 각 화소영역을 구획하여 인접하는 화소영역에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하기 위한 것이다.Apartition wall 215e is formed at the boundary of each pixel region above the third insulatinglayer 215d in the display unit. Thepartition wall 215e divides each pixel area and prevents light of a specific color that is output from an adjacent pixel area from being mixed and output.

이러한 격벽(215e)은 상기 외곽부의 공통패드 전극(238)을 외부로 노출시키는 상태로 상기 외곽부로 연장된다.Thepartition wall 215e extends to the outer portion in a state in which thecommon pad electrode 238 of the outer portion is exposed to the outside.

전술한 유기발광다이오드는 유기 화합물층(219)은 상기 격벽(215e) 사이의 제 1 전극(218) 위에 형성된다.The organic light emitting diode described above is formed on thefirst electrode 218 between thebarrier ribs 215e.

상기 표시부의 유기 화합물층(219) 위에는 상기 제 2 전극(208)이 형성된다. 상기 제 2 전극(208)은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.Thesecond electrode 208 is formed on theorganic compound layer 219 of the display unit. Thesecond electrode 208 receives a common voltage and may be made of a reflective conductive material including calcium, barium, magnesium, aluminum, silver, or a transparent conductive material such as ITO or IZO.

이때, 외곽부에도 제 2 전극(208)이 형성된다. 외곽부의 제 2 전극(208)은 상기 공통패드 전극(238)을 통해 공통패드(231)와 접속되고, 표시부의 제 2 전극(208)과 연결되어 외부의 신호가 상기 공통패드(231)를 통해 제 2 전극(208)으로 인가된다.At this time, thesecond electrode 208 is also formed in the outer portion. Thesecond electrode 208 of the outer portion is connected to thecommon pad 231 through thecommon pad electrode 238, and is connected to thesecond electrode 208 of the display portion so that an external signal is transmitted through thecommon pad 231. Is applied to thesecond electrode 208.

외곽부와 표시부의 제 2 전극(208) 및 격벽(215e) 상부에는 상기 TFT 기판(205) 전체에 걸쳐서 1차 보호층(215f)이 형성된다. 상기 1차 보호층(215f)은 질화규소나 이산화규소와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다.The primaryprotective layer 215f is formed over the entirety of theTFT substrate 205 on thesecond electrode 208 and thepartition 215e of the outer portion and the display portion. The primaryprotective layer 215f may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon dioxide.

또한, 상기 1차 보호층(215f) 위에는 폴리머 등의 유기물질로 이루어진 캡핑층(215g)이 형성된다.In addition, acapping layer 215g formed of an organic material such as a polymer is formed on the firstprotective layer 215f.

상기 캡핑층(215g) 위에는 상기 캡핑층(215g)을 덮도록 2차 보호층(215h)이 형성된다. 그리고, 점착층(203)이 형성되며, 그 위에 상기 보호 필름(204)이 배치되어, 상기 점착층(203)에 의해 보호 필름(204)이 부착된다.The secondaryprotective layer 215h is formed on thecapping layer 215g to cover thecapping layer 215g. Theadhesive layer 203 is formed, and theprotective film 204 is disposed thereon, and theprotective film 204 is attached by theadhesive layer 203.

그리고, 상기 보호 필름(204) 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판(201)이 점착제(미도시)를 통해 부착될 수 있다.Thepolarizing plate 201 may be attached to theprotective film 204 through an adhesive (not shown) to prevent reflection of light incident from the outside.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 캡핑층(215g)은 전술한 제 1 실시예와 동일하게 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치를 벤딩 시 발생할 수 있는 응력을 완화하고자 그 상부의 점착층(203) 외부까지 연장, 형성하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 상기 캡핑층(215g)의 증착 영역을 상부의 점착층(203) 외부까지 연장함으로써 상기 1차 보호층(215f)이 받는 스트레스를 완화시켜 크랙을 미연에 방지할 수 있게 된다.At this time, thecapping layer 215g according to the second embodiment of the present invention is the same as the first embodiment described above to relieve the stress that may occur when bending the flexible organic light emitting display deviceadhesive layer 203 of the upper portion It extends and forms to the outside. As such, by extending the deposition region of thecapping layer 215g to the outside of the upperadhesive layer 203, the stress applied to the firstprotective layer 215f may be alleviated to prevent cracking.

특히, 상기 본 발명의 제 2 실시예는 상기 캡핑층(215g)의 상부에 상기 캡핑층(215g)을 덮도록 2차 보호층(215h)을 증착함으로써 수분이 상기 캡핑층(215g)을 타고 내부로 침투하는 것을 원천적으로 방지할 수 있게 된다.Particularly, in the second embodiment of the present invention, the secondprotective layer 215h is deposited on thecapping layer 215g to cover thecapping layer 215g. It is possible to prevent the infiltration into the source.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the flexible organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 8a 및 도 8m은 상기 도 7에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도이다.8A and 8M are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a flexible organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention shown in FIG. 7.

도 8a에 도시된 바와 같이, 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 TFT 기판(205) 위에 버퍼층(buffer layer)(215a)과 규소막을 형성한다.As shown in FIG. 8A, abuffer layer 215a and a silicon film are formed on theTFT substrate 205 made of an insulating material such as transparent glass or plastic.

이때, 상기 버퍼층(215a)은 단일 층 또는 복수의 층으로 형성할 수 있으며, 상기 TFT 기판(205) 내에 존재하는 나트륨(natrium; Na) 등의 불순물이 공정 중에 상부 층으로 침투하는 것을 차단하는 역할을 한다.In this case, thebuffer layer 215a may be formed of a single layer or a plurality of layers, and serves to block impurities such as sodium (Narium) Na present in theTFT substrate 205 from penetrating into the upper layer during the process. Do it.

상기 규소막은 비정질 규소 또는 다결정 규소로 형성할 수 있으나, 상기 본 발명의 실시예에서는 다결정 규소를 이용하여 박막 트랜지스터를 구성한 경우를 예를 들어 나타내고 있다. 이때, 상기 다결정 규소는 TFT 기판(205) 위에 비정질 규소를 증착한 후 여러 가지 결정화 방식을 이용하여 형성할 수 있다.The silicon film may be formed of amorphous silicon or polycrystalline silicon, but in the embodiment of the present invention, a thin film transistor is formed using polycrystalline silicon, for example. In this case, the polycrystalline silicon may be formed using various crystallization methods after depositing amorphous silicon on theTFT substrate 205.

이후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 규소막을 선택적으로 제거함으로써 상기 표시부에 상기 다결정 규소로 이루어진 액티브층(224)을 형성한다.Thereafter, the silicon film is selectively removed through a photolithography process to form anactive layer 224 made of the polycrystalline silicon on the display unit.

이때, 전술한 바와 같이 상기 본 발명의 제 2 실시예는 상기 액티브층(224)을 다결정 규소로 형성한 경우를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(224)은 수소화된 비정질 규소 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다.In this case, as described above, the second embodiment of the present invention illustrates a case in which theactive layer 224 is formed of polycrystalline silicon, but the present invention is not limited thereto. May consist of hydrogenated amorphous silicon or oxide semiconductor.

한편, 상기 액티브층(224)으로 수소화된 비정질 규소를 이용하는 경우에는 상기 비정질 규소와 함께 n+ 비정질 규소를 증착하여 패터닝함으로써 저항성 접촉 부재를 형성하게 되며, 이 경우에는 코플라나(coplanar) 구조 대신에 탑 게이트(top gate) 구조로 박막 트랜지스터를 형성할 수 있다. 이와 같이 본 발명은 상기 액티브층(224)을 구성하는 물질 및 그에 따른 박막 트랜지스터의 구조에 관계없이 적용 가능하다.Meanwhile, in the case of using the hydrogenated amorphous silicon as theactive layer 224, the resistive contact member is formed by depositing and patterning n + amorphous silicon together with the amorphous silicon, and in this case, a top instead of a coplanar structure. The thin film transistor may be formed in a top gate structure. As described above, the present invention can be applied regardless of the material of theactive layer 224 and the structure of the thin film transistor.

다음으로, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(224)이 형성된 TFT 기판(205) 위에 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 제 1 절연층(215b)을 형성하며, 그 위에 게이트전극(221)과 게이트라인(미도시) 및 유지전극(미도시)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8B, a first insulatinglayer 215b made of silicon nitride, silicon dioxide, or the like is formed on theTFT substrate 205 on which theactive layer 224 is formed, and thegate electrode 221 is formed thereon. And gate lines (not shown) and sustain electrodes (not shown).

상기 게이트전극(221)과 게이트라인 및 유지전극은 제 1 도전막을 상기 TFT 기판(205) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.Thegate electrode 221, the gate line, and the storage electrode are formed by depositing a first conductive layer on the entire surface of theTFT substrate 205 and selectively patterning the same by a photolithography process.

여기서, 상기 제 1 도전막으로 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO 및 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어질 수 있다.Here, the first conductive film may include aluminum-based metals such as aluminum (Al) and aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, copper-based metals such as copper (Cu) and copper alloys, and molybdenum ( Molybdenum-based metals such as Mo) and molybdenum alloys, and low resistance opaque conductive materials such as chromium (Cr), tantalum (Ta) and titanium (Ti) can be used. However, they may have a multilayer film structure including two conductive films having different physical properties. One of the conductive layers may be made of a low resistivity metal such as an aluminum-based metal, a silver-based metal, or a copper-based metal so as to reduce signal delay or voltage drop. Alternatively, other conductive films may be made of other materials, particularly materials having excellent physical, chemical, and electrical contact properties with ITO and IZO, such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum, and the like.

상기 게이트전극(221)과 게이트라인 및 유지전극의 측면은 TFT 기판(205) 면에 대하여 경사질 수 있으며, 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.Sidewalls of thegate electrode 221 and the gate line and the sustain electrode may be inclined with respect to theTFT substrate 205 surface, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

다음으로, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(221)과 게이트라인 및 유지전극이 형성된 TFT 기판(205) 전면에 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 제 2 절연층(215c)을 형성한 후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 제 2 절연층(215c)과 제 1 절연층(215b)을 선택적으로 제거하여 상기 액티브층(224)의 소오스/드레인영역을 노출시키는 제 1 콘택홀(240a)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8C, after the second insulatinglayer 215c made of silicon nitride or silicon dioxide is formed on the entire surface of theTFT substrate 205 on which thegate electrode 221, the gate line, and the sustain electrode are formed. Thefirst contact hole 240a exposing the source / drain regions of theactive layer 224 is formed by selectively removing the second insulatinglayer 215c and the first insulatinglayer 215b through a photolithography process. do.

이때, 외곽부에도 상기 버퍼층(215a)과 제 1 절연층(215b) 및 제 2 절연층(215c)이 형성되지만, 외곽부의 최외곽 영역에는 상기 버퍼층(215a)과 제 1 절연층(215b) 및 제 2 절연층(215c)이 형성되지 않는다.In this case, thebuffer layer 215a, the first insulatinglayer 215b, and the second insulatinglayer 215c are formed in the outer portion, but thebuffer layer 215a and the first insulatinglayer 215b and the outermost region of the outer portion are formed. The secondinsulating layer 215c is not formed.

그리고, 도 8d에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 절연층(215c)이 형성된 TFT 기판(205) 전면에 제 2 도전막을 형성한 후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(미도시)과 구동 전압라인(미도시) 및 소오스/드레인전극(222, 223)을 형성한다.As shown in FIG. 8D, after the second conductive film is formed over theentire TFT substrate 205 on which the second insulatinglayer 215c is formed, the second conductive film is selectively removed by a photolithography process. A data line (not shown), a driving voltage line (not shown), and source /drain electrodes 222 and 223 formed of a second conductive layer are formed.

이때, 상기 외곽부에는 상기 데이터 배선용 금속으로 이루어진 공통패드(231)가 형성될 수 있다.In this case, acommon pad 231 made of the data wiring metal may be formed in the outer portion.

상기 소오스전극(222)과 드레인전극(223)은 상기 게이트전극(221)을 중심으로 서로 마주보는 한편, 상기 소오스/드레인전극(222, 223)은 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 액티브층(224)의 소오스/드레인영역에 전기적으로 접속하게 된다.Thesource electrode 222 and thedrain electrode 223 face each other with respect to thegate electrode 221, while the source /drain electrodes 222 and 223 are connected to theactive layer 224 through the first contact hole. Is electrically connected to the source / drain region of the

이때, 상기 제 2 도전막으로 알루미늄이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 2개의 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO 및 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를 들면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 만들어질 수 있다.In this case, the second conductive film may include aluminum-based metals such as aluminum or aluminum alloys, silver-based metals such as silver or silver alloys, copper-based metals such as copper or copper alloys, molybdenum-based metals such as molybdenum and molybdenum alloys, chromium, tantalum, and titanium; The same low resistance opaque conductive material can be used. However, they may have a multilayer film structure including two conductive films having different physical properties. One of the conductive layers may be made of a low resistivity metal, such as aluminum-based metal, silver-based metal, or copper-based metal, so as to reduce signal delay or voltage drop. Alternatively, other conductive films may be made of other materials, particularly materials having excellent physical, chemical, and electrical contact properties with ITO and IZO, such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum, and the like.

상기 데이터라인, 구동 전압라인, 소오스/드레인전극(222, 223) 및 공통패드(231) 또한 그 측면이 TFT 기판(205) 면에 대하여 약 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.The data line, the driving voltage line, the source /drain electrodes 222 and 223, and thecommon pad 231 may also be inclined at an inclination angle of about 30 ° to 80 ° with respect to theTFT substrate 205 surface. .

다음으로, 도 8e에 도시된 바와 같이, 상기 데이터라인, 구동 전압라인, 소오스/드레인전극(222, 223) 및 공통패드(231)가 형성된 TFT 기판(205) 전면에 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 제 3 절연층(215d)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8E, silicon nitride or silicon dioxide is formed on theentire TFT substrate 205 on which the data line, the driving voltage line, the source /drain electrodes 222 and 223, and thecommon pad 231 are formed. The thirdinsulating layer 215d is formed.

이후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 제 3 절연층(215d)을 선택적으로 제거하여 상기 드레인전극(223)을 노출시키는 제 2 콘택홀(240b)을 형성하는 한편, 상기 외곽부의 제 3 절연층(215d)을 선택적으로 제거하여 상기 공통패드(231)를 노출시키는 제 3 콘택홀(240c)을 형성한다.Thereafter, the third insulatinglayer 215d is selectively removed through a photolithography process to form asecond contact hole 240b exposing thedrain electrode 223, while the third insulatinglayer 215d in the outer portion is formed. ) Is selectively removed to form athird contact hole 240c exposing thecommon pad 231.

또한, 상기 제 3 절연층(215d)은 외곽부의 최외곽 영역에는 형성되지 않으며, 일 예로 상기 제 3 절연층(215d)은 그 하부의 제 2 절연층(215c)보다 더 안쪽으로 형성될 수 있다.In addition, the third insulatinglayer 215d is not formed in the outermost region of the outer portion, and as an example, the third insulatinglayer 215d may be formed inwardly than the second insulatinglayer 215c at the bottom thereof. .

그리고, 도 8f에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 절연층(215d)이 형성된 TFT 기판(205) 전면에 제 3 도전막을 증착한 후, 포토리소그래피공정을 통해 상기 제 3 도전막을 선택적으로 제거하여 상기 제 3 도전막으로 이루어진 화소전극(218)과 연결전극(미도시)을 형성한다.8F, after depositing a third conductive film over theentire TFT substrate 205 on which the third insulatinglayer 215d is formed, the third conductive film is selectively removed through a photolithography process. Apixel electrode 218 and a connection electrode (not shown) made of a third conductive film are formed.

이때, 상기 애노드용 금속을 이용하여 상기 공통패드(231) 위에 공통패드 전극(238)을 형성한다.In this case, thecommon pad electrode 238 is formed on thecommon pad 231 using the anode metal.

상기 제 3 도전막은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.The third conductive layer may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

애노드인 상기 화소전극(218)은 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(223)과 전기적으로 접속하는 한편, 상기 공통패드 전극(238)은 상기 제 3 콘택홀을 통해 상기 공통패드(231)와 전기적으로 접속하게 된다.An anode of thepixel electrode 218 is electrically connected to thedrain electrode 223 through the second contact hole, while thecommon pad electrode 238 is connected to thecommon pad 231 through the third contact hole. Electrical connection with the.

다음으로, 도 8g에 도시된 바와 같이, 상기 표시부 및 외곽부에 격벽(215e)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8G, apartition wall 215e is formed in the display portion and the outer portion.

이때, 상기 표시부 내의 격벽(215e)은 각 화소영역을 구획하여 인접하는 화소영역에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하며, 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽(215e)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(215e)은 차광부재의 역할을 하게 된다.In this case, thepartition wall 215e in the display unit partitions each pixel area to prevent light of a specific color output from adjacent pixel areas from being mixed and output, and is made of an organic insulating material or an inorganic insulating material. Thepartition 215e may also be made of a photosensitizer including a black pigment, in which case thepartition 215e serves as a light blocking member.

이러한 격벽(215e)은 상기 외곽부의 공통패드 전극(238)을 외부로 노출시키도록 상기 외곽부로 연장되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Thepartition wall 215e extends to the outer portion to expose thecommon pad electrode 238 to the outer portion, but the present invention is not limited thereto.

그리고, 도 8h에 도시된 바와 같이, 상기 격벽(215e)이 형성된 표시부의 TFT 기판(205) 위에 소정의 유기발광층(219)을 형성한다.8H, a predetermined organiclight emitting layer 219 is formed on theTFT substrate 205 of the display unit in which thepartition wall 215e is formed.

전술한 바와 같이 상기 유기발광층(219)은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.As described above, the organiclight emitting layer 219 may have a multilayer structure including an auxiliary layer for improving the light emitting efficiency of the light emitting layer in addition to the light emitting layer emitting light. The auxiliary layer includes an electron transport layer and a hole transport layer to balance electrons and holes, and an electron injection layer and a hole injection layer to enhance injection of electrons and holes.

다음으로, 도 8i에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광층(219)이 형성된 TFT 기판(205) 위에 캐소드인 공통전극(208)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8I, acommon electrode 208 as a cathode is formed on theTFT substrate 205 on which the organiclight emitting layer 219 is formed.

이때, 상기 공통전극(208)을 구성하는 캐소드용 금속은 노출된 상기 공통패드(231)와 전기적으로 접속하게 되며, 따라서 상기 공통전극(208)은 상기 공통패드(231)를 통해 공통 전압을 인가 받게 된다. 이러한 상기 공통전극(208)은 칼슘, 바륨, 마그네슘, 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.In this case, the cathode metal constituting thecommon electrode 208 is electrically connected to the exposedcommon pad 231. Accordingly, thecommon electrode 208 applies a common voltage through thecommon pad 231. Will receive. Thecommon electrode 208 may be made of a reflective conductive material including calcium, barium, magnesium, aluminum, silver, or the like, or a transparent conductive material such as ITO or IZO.

이후, 도 8j에 도시된 바와 같이, 상기 공통전극(208)이 형성된 TFT 기판(205) 위에 봉지수단으로 1차 보호층(215f)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 8J, a primaryprotective layer 215f is formed on theTFT substrate 205 on which thecommon electrode 208 is formed as an encapsulation means.

상기 1차 보호층(215f)은 질화규소나 이산화규소와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다.The primaryprotective layer 215f may be formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon dioxide.

이때, 상기 1차 보호층(215f)은 외곽부의 절연층(215a, 215b, 215c, 215d)과 격벽(215e)을 덮고 일부가 더 연장되어 상기 TFT 기판(205) 위에 직접 배치되도록 형성된다.At this time, the primaryprotective layer 215f covers the insulatinglayers 215a, 215b, 215c, and 215d and thepartition wall 215e of the outer portion, and is partially extended to be disposed directly on theTFT substrate 205.

이후, 도 8k에 도시된 바와 같이, 상기 1차 보호층(215f) 위에 폴리머 등의 유기물질로 이루어진 캡핑층(215g)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 8K, acapping layer 215g formed of an organic material such as a polymer is formed on the firstprotective layer 215f.

이때, 상기 캡핑층(215g)은 스크린프린팅 법에 의해 형성될 수 있다. 즉, 스크린을 TFT 기판(205) 위에 배치하고 폴리머를 스크린 위에 충진 한 다음, 닥터 블레이드나 롤에 의해 압력을 인가함으로써 상기 캡핑층(215g)을 형성할 수 있다.In this case, thecapping layer 215g may be formed by a screen printing method. That is, thecapping layer 215g can be formed by placing a screen on theTFT substrate 205, filling a polymer on the screen, and then applying pressure with a doctor blade or roll.

상기 캡핑층(215g)은 약 5㎛ ~ 10㎛의 두께로 형성되어 외곽부의 일정 영역까지 연장되어 상기 격벽(215e)을 완전히 덮게 된다.Thecapping layer 215g is formed to have a thickness of about 5 μm to 10 μm and extends to a predetermined region of the outer portion to completely cover thepartition wall 215e.

이어서, 상기 캡핑층(215g) 위에 질화규소나 이산화규소와 같은 무기절연물질을 적층하여 2차 보호층(215h)을 형성한다. 이때, 상기 2차 보호층(215h)은 상기 캡핑층(215g)을 덮도록 상기 1차 보호층(215f)의 단부까지 연장되어 형성되게 된다.Subsequently, an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon dioxide is stacked on thecapping layer 215g to form a secondaryprotective layer 215h. In this case, the secondaryprotective layer 215h is formed to extend to the end of the primaryprotective layer 215f to cover thecapping layer 215g.

이후, 도 8l 및 도 8m에 도시된 바와 같이, 상기 2차 보호층(215h) 위에 점착층(203)이 형성되며, 그 위에 상기 보호 필름(204)이 배치되어, 상기 점착층(203)에 의해 보호 필름(204)이 부착된다.Subsequently, as illustrated in FIGS. 8L and 8M, theadhesive layer 203 is formed on the secondaryprotective layer 215h, and theprotective film 204 is disposed thereon, thereby forming theadhesive layer 203. Theprotective film 204 is attached by this.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 캡핑층(215g)은 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치를 벤딩 시 발생할 수 있는 응력을 완화하고자 그 상부의 점착층(203) 외부까지 연장, 형성함으로써 상기 1차 보호층(215f)이 받는 스트레스를 완화시켜 크랙을 미연에 방지할 수 있게 된다.In this case, thecapping layer 215g according to the second embodiment of the present invention extends to the outside of theadhesive layer 203 on the upper portion of thecapping layer 215g so as to alleviate stress that may occur when bending the flexible organic light emitting display device. The stress applied to theprotective layer 215f can be alleviated to prevent cracking.

또한, 상기 본 발명의 제 2 실시예는 상기 캡핑층(215g)의 상부에 상기 캡핑층(215g)을 덮도록 상기 2차 보호층(215h)이 형성됨에 따라 수분이 상기 캡핑층(215g)을 타고 내부로 침투하는 것을 원천적으로 방지할 수 있게 된다.In addition, according to the second embodiment of the present invention, as the secondaryprotective layer 215h is formed to cover thecapping layer 215g on thecapping layer 215g, moisture may form thecapping layer 215g. It will be possible to prevent infiltration into the interior of the ride.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Many details are set forth in the foregoing description but should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the invention should not be defined by the described embodiments, but should be defined by the claims and their equivalents.

101,201 : 편광판105,205 : TFT 기판
110,210 : 백 플레이트115f,215f : 1차 보호층
115g,215g : 캡핑층215h : 2차 보호층101,201: polarizer 105,205: TFT substrate
110,210: Backplate 115f, 215f: Primary protective layer
115g, 215g: Cappinglayer 215h: Secondary protective layer

Claims

Translated fromKorean

표시부와 외곽부로 구분되는 TFT 기판;
상기 표시부의 TFT 기판 위에 형성된 유기발광다이오드와 구동회로부;
상기 표시부의 TFT 기판과 최외곽 영역 이외의 상기 외곽부의 TFT 기판 위에 형성된 다수의 절연층;
상기 다수의 절연층이 형성된 TFT 기판 위에 상기 절연층을 덮으며, 일부가 더 연장되어 상기 TFT 기판 위에 직접 형성되는 1차 보호층;
상기 1차 보호층 위에 형성된 캡핑층(capping layer);
상기 캡핑층 위에 형성된 점착층;
상기 표시부와 외곽부 일부를 덮으면서 상기 캡핑층이 형성된 TFT 기판 위의 상기 점착층상에 부착되는 보호 필름(barrier film);
상기 보호필름의 상부에 외부로부터 입사된 광의 반사를 방지하기 위해 부착되는 편광판을 포함하며,
상기 캡핑층은 상기 편광판, 보호 필름 및 점착층보다 외측으로 연장 형성되어 벤딩(bending) 시 상기 1차 보호층이 받는 스트레스를 완화시키고,
상기 1차 보호층은 상기 다수의 절연층 측면을 덮으면서 상기 캡핑층보다 외측으로 연장되게 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.A TFT substrate divided into a display portion and an outer portion;
An organic light emitting diode and a driving circuit unit formed on the TFT substrate of the display unit;
A plurality of insulating layers formed on the TFT substrate of the display unit and the TFT substrate of the outer portion other than the outermost region;
A first protective layer covering the insulating layer on the TFT substrate on which the plurality of insulating layers are formed, a part of which is further extended to be formed directly on the TFT substrate;
A capping layer formed on the primary protective layer;
An adhesive layer formed on the capping layer;
A barrier film attached to the adhesive layer on the TFT substrate on which the capping layer is formed while covering the display portion and the outer portion;
It includes a polarizing plate attached to the upper portion of the protective film to prevent reflection of light incident from the outside,
The capping layer is formed to extend outward than the polarizing plate, the protective film and the adhesive layer to relieve the stress received by the primary protective layer when bending (bending),
The first passivation layer covers the plurality of insulating layers and extends outward from the capping layer.

제 1 항에 있어서, 상기 TFT 기판은 폴리이미드(polyimide; PI) 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device of claim 1, wherein the TFT substrate is formed of a polyimide (PI) substrate.

제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층 위에 형성되는 2차 보호층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device of claim 1, further comprising a secondary protective layer formed on the capping layer.

제 3 항에 있어서, 상기 2차 보호층은 상기 캡핑층을 덮도록 상기 1차 보호층의 단부까지 연장, 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device as claimed in claim 3, wherein the secondary protective layer extends to an end portion of the primary protective layer to cover the capping layer.

제 4 항에 있어서, 상기 2차 보호층은 수분이 상기 캡핑층을 타고 내부로 침투하는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device of claim 4, wherein the secondary protective layer prevents moisture from penetrating into the capping layer.

제 3 항에 있어서, 상기 보호 필름은 상기 2차 보호층 위에 점착층을 통해 부착되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device of claim 3, wherein the protective film is attached to the secondary protective layer through an adhesive layer.

제 1 항에 있어서, 상기 보호 필름 위에 점착제를 통해 부착된 상기 편광판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device of claim 1, further comprising the polarizing plate attached to the protective film through an adhesive.

제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층은 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device of claim 1, wherein the capping layer is formed of a polymer.

제 1 항에 있어서, 상기 표시부 및 외곽부에 형성되는 격벽을 추가로 포함하며, 상기 표시부 내의 격벽은 각 화소영역을 구획하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device of claim 1, further comprising a partition wall formed in the display unit and an outer portion, wherein the partition wall partitions each pixel area.

제 9 항에 있어서, 상기 1차 보호층은 상기 격벽이 형성된 TFT 기판 위에 형성되는 한편, 상기 캡핑층은 상기 외곽부의 일정 영역까지 연장되어 상기 격벽을 완전히 덮는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible organic light emitting display device as claimed in claim 9, wherein the primary protective layer is formed on the TFT substrate on which the partition wall is formed, while the capping layer extends to a predetermined region of the outer portion to completely cover the partition wall.

제 1 항에 있어서, 상기 외곽부의 TFT의 절연층위에 형성된 공통패드와, 상기 외곽부의 공통패드 상부에 상기 절연층을 관통하여 전기적으로 접속되는 공통패드 전극을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.The flexible display device of claim 1, further comprising a common pad formed on an insulating layer of the TFT of the outer portion, and a common pad electrode electrically connected to the upper portion of the common pad through the insulating layer. Organic light emitting display device.

제 11 항에 있어서, 상기 유기발광다이오드는 제 1 전극과 유기 화합물층 및 제 2 전극을 포함하고, 상기 제 2 전극은 외곽부로 연장되어 상기 공통패드 전극과 전기적으로 접속하는 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치.

The flexible organic light emitting display device of claim 11, wherein the organic light emitting diode includes a first electrode, an organic compound layer, and a second electrode, and the second electrode extends outward to electrically connect with the common pad electrode.