Movatterモバイル変換


[0]ホーム

URL:


KR101930561B1 - 재충전 가능한 고밀도 전기 화학 장치 - Google Patents

재충전 가능한 고밀도 전기 화학 장치
Download PDF

Info

Publication number
KR101930561B1
KR101930561B1KR1020137000350AKR20137000350AKR101930561B1KR 101930561 B1KR101930561 B1KR 101930561B1KR 1020137000350 AKR1020137000350 AKR 1020137000350AKR 20137000350 AKR20137000350 AKR 20137000350AKR 101930561 B1KR101930561 B1KR 101930561B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrochemically active
active material
cathode
conductivity
composite cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020137000350A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130119411A (ko
Inventor
숀 더블유 스나이더
베른트 요트. 노이덱커
Original Assignee
사푸라스트 리써치 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사푸라스트 리써치 엘엘씨filedCritical사푸라스트 리써치 엘엘씨
Publication of KR20130119411ApublicationCriticalpatent/KR20130119411A/ko
Application grantedgrantedCritical
Publication of KR101930561B1publicationCriticalpatent/KR101930561B1/ko
Activelegal-statusCriticalCurrent
Anticipated expirationlegal-statusCritical

Links

Images

Classifications

Landscapes

Abstract

본 발명은 재충전 가능한 고 밀도 전기 화학 장치를 개시한다. 이와 같은 전기 화학 장치는, 예를 들어 다른 배터리보다 소정의 제한된 부피에 더욱 많은 에너지를 저장하며, 또한 어떠한 액체 또는 겔 형 배터리 부재들 없이도 허용 가능한 전력 또는 전류 속도 능력을 보여주는 것으로서, 고 에너지 밀도를 나타낼 수 있다. 임의의 구체예는, 예를 들어 캐소드 이외의 모든 배터리 부재의 부피 또는 질량을 줄임과 동시에, 포지티브 캐소드 내 전기 화학적 활동량을 높인 것을 포함할 수 있다.

Description

재충전 가능한 고밀도 전기 화학 장치{RECHARGEABLE HIGH-DENSITY ELECTROCHEMICAL DEVICE}
관련 출원
본 출원은, 35 U.S.C.§119(e) 하에, 본원에 그 자체로서 참고용으로 인용된 미국 가 명세서 특허 출원 제61/352,082호(2010년 6월 7일 출원)의 우선권을 주장한다.
기술 분야
본 발명은 재충전 가능한 고밀도 전기 화학 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 임의의 구체예는, 예를 들어 제한된 부피로 더욱 많은 양의 에너지를 저장하는 용량을 가질 뿐만 아니라, 어떠한 액체형 또는 겔 형 배터리 부재들 없이도 허용 가능한 전력 또는 전류 속도 능력(power or current rate capability)을 나타내는, 전 고체(all-solid state) 재충전 가능한 고 에너지 밀도 배터리에 관한 것이다.
본 발명의 배경
재충전 가능한 배터리와 재충전 불가능한 배터리의 용량은 포지티브 캐소드와 네거티브 애노드에 의해 한정된다. 금속 리튬 애노드(예를 들어 Li-MnO2 코인 전지의 경우) 또는, 예를 들어 실리콘이나 주석을 주성분으로 할 수 있는 고용량(capacity rich) Li-이온 애노드를 사용할 때, 배터리의 용량은 포지티브 캐소드의 비 용량[mAh/g 또는 mAh/ccm으로 측정됨]에 의해 좌우되거나 제한된다. (예를 들어 전기 자동차의 경우) 모든 기타 배터리 부재의 부피를 줄이거나(소형 배터리에 가장 유용함), 모든 기타 배터리 부재의 질량을 줄임(대형 배터리에 가장 유용함)과 동시에, 포지티브 캐소드 내 전기 화학적 활동량(electrochemically active mass)을 증가시키는 것은, 소정의 캐소드-애노드 화학에 있어서 배터리의 에너지 밀도(예를 들어 Wh/리터로 측정)를 증가시키는데 가장 효과적인 방법이다.
포지티브 캐소드 내 전기 화학적 활동량을 증가시킨다는 것은, 캐소드 내 임의의 보조 상, 예를 들어 기계적 결합 물질, 또는 이온성 또는 전기적 전도성 재료를 감소시키거나, 또는 소정의 캐소드 영역에 캐소드 후막재(cathode thicker)를 조립하는 것을 의미한다. 캐소드 두께가 상당해지면(>>20㎛) 확산 속도가 제한되고, 이와 연관하여 전류 속도 또는 전력 능력도 제한되므로, 고 에너지 밀도 실온 배터리, 예를 들어 휴대 전화 및 노트북 컴퓨터용 배터리는, 이 배터리의 캐소드를 관통하는 고 전도성 액체-유기 용매계 리튬 이온 전해질을 필요로 한다. 그러나, 액체 유기 용매의 존재는 지난 20년에 걸쳐 상기와 같은 배터리가 겪는 가장 큰 문제점, 예를 들어 열 관련 고장, 예를 들어 배터리의 분해 또는 단락시의 열 폭주, 배터리가 어떠한 형태로든 고장 났을 때 화재/흄(fume)/연기 발생/폭발, 초기의 전기 화학 순환시 가스 발생 및 압력 상승, 충전-방전 순환의 횟수가 300~1000회로 제한되는 것, 작동 온도 범위가 제한되는 것(다수의 경우 0~60℃)의 발단이 된다. 뿐만 아니라, 휘발성 액체 유기 용매를 수용하는 데에는, 종종 초기 전기 화학 순환시 전지에 과도한 압력이 걸리는 것을 막아주는 밸브와 통풍구가 장착된 특이적 패키징 구조와 전지 수용 장치가 필요하다.
산업에서는 에너지 밀도가 높은 배터리가 필요하다. 특히 제한된 부피에 더욱 많은 양의 에너지를 저장하는 임의의 액체형 또는 겔 형 배터리 부재가 필요 없으면서, 여전히 허용 가능한 전력 및/또는 전류 속도 능력을 가지는 전 고체 재충전 가능한 배터리가 필요하다. 그 결과, 더욱 안전하고, 팩키징이 단순화될 수 있으며, 작동 및 저장 온도의 상한 및 하한이 더욱 높아지고 더욱 낮아진 배터리가 얻어진다.
발명의 개요
본 발명의 임의의 전형적인 구체예는 소정의 캐소드-애노드 화학용 고 에너지 밀도 배터리를 포함할 수 있다. 이하에 더욱 상세히 논의될 바와 같이, 임의의 구체예는, 예를 들어 캐소드 이외의 모든 배터리 부재의 부피 또는 질량을 줄임과 동시에, 포지티브 캐소드 내 전기 화학적 활동량을 높인 것을 포함할 수 있다.
포지티브 복합 캐소드를 가지는 재충전 가능한 전기 화학 장치의 구체예는 고체 전기 화학적 활성 재료, 고체 전기적 전도성 재료(전자 전도도가, 전기 화학적 활성 재료가 초충전되기 전, 이 전기 화학적 활성 재료의 전자 전도도보다 3배 이상 큰 재료), 그리고 고체 무기 재료로서 이온 전도성인 것(이온 전도도가, 전기 화학적 활성 재료가 초충전되기 전, 이 전기 화학적 활성 재료의 이온 전도도보다 3배 이상 큰 재료)을 포함할 수 있다.
대안적으로, 포지티브 복합 캐소드를 가지는 재충전 가능한 전기 화학 장치의 구체예는 하나 이상의 고체 전기 화학적 활성 재료, 하나 이상의 고체 이온 전도성 재료로서, 전기 화학적 활성 재료와는 상이한 것을 포함할 수 있으며, 또한 액체 또는 겔상 용매를 함유하지 않을 수 있다.
재충전 가능한 전기 화학 장치의 대안적인 구체예는 고체 포지티브 캐소드, 네거티브 애노드, 그리고 이 캐소드와 애노드 사이에 샌드위치된 고체 전해질을 포함할 수 있는데; 이 경우, 전기 화학 장치는 정격 용량이 포지티브 캐소드의 기하학적 풋 프린트(geometric footprint)를 기준으로, 예를 들어 2mAh/㎠ 이상인 단일 전기 화학 전지를 포함한다. 전기 화학 장치는 완전히 팩키징된 상태에서 적어도 250Ah/리터의 부피 용량 밀도를 포함하거나, 완전히 팩키징된 상태에서 적어도 1000Wh/리터의 부피 에너지 밀도를 포함한다.
도 1은, 휴대 전화에 사용될 수 있는 전형적인 Li-이온 또는 Li-중합체 배터리의 횡단면도를 도시한 것이다.
도 2는, 3개의 고체상, 예를 들어 전기 화학적 활성 캐소드 재료, 이온 전도성 재료 및 전기적 전도성 재료를 포함하는, 전형적인 전기 화학 장치를 도시한 것이다.
도 3은, 2개의 고체상, 예를 들어 전기 화학적 활성 캐소드 재료와 전기적 전도성 재료를 포함하는, 전형적인 전기 화학 장치를 도시한 것이다.
바람직한 구체예의 상세한 설명
본 발명은 변형이 가하여질 수 있는, 본원에 기술된 특정 방법, 화합물, 재료, 제조 기술, 용도 및 사용 분야에 한정되는 것은 아니라는 것이 이해될 것이다. 본원에 사용된 용어는 오로지 특정 구체예를 기술하기 위하여 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 제한하고지 하는 것은 아니라는 것도 이해될 것이다. 본원의 상세한 설명과 특허 청구의 범위에 사용된, 단수를 나타내는 관사 "하나", "하나의" 및 "상기"는, 내용 중 달리 명확히 언급되지 않는 한 복수도 포함한다는 것이 주목되어야 할 것이다. 그러므로, 예를 들어 "하나의 소자(a element)"란 하나 이상의 소자를 말하는 것으로서, 당 업자들에게 알려진 용어들에 상당하는 용어들로서 상당한 것들을 포함한다. 이와 유사하게, 다른 예에 있어서, "하나의 단계" 또는 "하나의 방법"이란 하나 이상의 단계 또는 방법을 말하는 것으로서, 하위 단계들 또는 종속 방법들을 포함할 수 있다. 여기서 사용된 모든 접속사들은 가능한 한 가장 포괄적인 의미로 이해될 것이다. 그러므로, "또는"이란 용어는, 내용 중 달리 명확하게 언급되지 않는 한 논리적으로 "~를 배제하거나 또는"으로서 정의된다기보다는 논리적으로 "또는"으로서 정의되는 것으로 이해해야 할 것이다. 본원에 기술된 구조는 또한, 이와 같은 구조의 기능상 균등물을 말하는 것으로 이해될 것이다. 대략적인 것을 나타내는 것으로 추론될 수 있는 용어들은 달리 명확히 언급되지 않는 한 그것 자체가 가지는 의미로서 이해되어야 할 것이다.
달리 정의하지 않는 한, 본원에 사용된 모든 기술 용어 및 과학 용어는 본 발명이 속하는 업계의 당 업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 본원에 기술된 임의의 방법, 기술, 장치 또는 재료와 유사하거나 동일한 임의의 방법, 기술, 장치 또는 재료가 본 발명을 수행하거나 테스트하는데 사용될 수 있긴 하지만, 본원에는 바람직한 방법, 기술, 장치 및 재료가 기술되어 있다. 본원에 기술된 구조들은 또한 이러한 구조들의 기능상 균등물을 말하는 것으로 이해될 것이다.
모든 특허와 기타 공보들은, 예를 들어 이와 같은 공보들에 개시된 방법으로서 본 발명과 연관하여 수행되기 유용할 수 있는 방법을 기술 및 개시하기 위하여, 참고용으로 본원에 인용되어 있다. 이와 같은 공보들은 오로지 본원의 출원일 이전에 자체의 내용을 공개하기 위해 제공된 것이다. 이러한 관점에서, 그 어떤 것도 무슨 이유로든 본 발명의 발명자들이 선행 발명에 의하여 공개된사항들보다 선행하는 권리가 없다는 것을 인정하는 것으로 해석되지 않는다.
본 발명의 임의의 구체예는, 예를 들어 통상의 휴대 전화 배터리 및 코인 형태의 전지와는 달리, 임의의 액체 또는 겔상 부재들을 포함하지 않는 전 고체 고 에너지 밀도 배터리 전지를 포함한다. 겔상 부재들은, 예를 들어 점도가 매우 커서 일반적인 액체처럼 흐르지 않는 용매로 이루어져 있다. 고 에너지 밀도는, 예를 들어 다음과 같은 작업들을 조합 실시함으로써 얻어질 수 있다:
1. 충전 및 방전 전류 능력을 허용 가능한 성능 한계 내로 유지시키면서, 단위 캐소드 영역당 캐소드 두께를 최대화함;
2. 캐소드 부피 중 100%를 채우는데 전기 화학적 활성 재료의 단일 상보다는 복합 재료를 사용할 수 있는, 캐소드 내 전기 화학적 활동량의 로딩 백분율 또는 부피 백분율을 최적화함;
3. 전 고체 리튬 이온 전도 및 전자 전도 증강 상을 함유하는 전기 화학적 활성 복합 재료를 이용함; 및/또는
4. 기타 모든 배터리 전지 부재들, 예를 들어 기재, 전해질, 네거티브 애노드, 전류 집전체 및 단자, 그리고 팩키징의 부피 분율을 최소화함.
1번 항목과 관련하여, 본 발명의 임의의 구체예는, 예를 들어 캐소드 두께가 약 100~1000㎛인 전기 화학 장치를 포함할 수 있는 반면에, 휴대 전화용 배터리의 캐소드 두께는, 예를 들어 약 100㎛일 수 있다. 2번 항목과 관련하여, 전형적인 전기 화학 장치의 전기 화학적 활성 재료의 로딩율은, 바람직하게 약 50vol% 초과일 수 있다. 전지(1번 항목 및 3번 항목)의 전력 및 전류 속도 능력을 증가시키기 위해서, 예를 들어 복합 캐소드 중 나머지 50vol%는 다음과 같은 2개의 재료들로 충전될 수 있다: (a) 리튬 이온 전도성 재료[이 재료는, 이온 전도도가 전기 화학적 활성 재료의 이온 전도도보다 3배 이상 크면서, 조립, 및 배터리 작동과 보관시 전기 화학적 활성 캐소드 재료에 화학적으로 안정함]; 및 (b) 전기적 전도성 재료[이 재료는, 전자 전도도가 전기 화학적 활성 재료의 전자 전도도보다 3배 이상 큼]. 4번 항목과 관련하여, 본 발명의 임의의 구체예에 의한 장치는 여러 부품(part)들 중 다음과 같은 부품들과 함께 배열될 수 있다: (i) 박 금속 캐소드 전류 집전체, 예를 들어 10㎛ Al 호일(임의의 기재로서도 사용됨)[또는 만일 포지티브 캐소드가, 포지티브 단자가 접속될 수 있는 자체의 외 표면을 따라서 충분히 전도성이면 이러한 전류 집전체는 필요 없음]; (ii) 박막 전해질, 예를 들어 두께 1~3㎛의 라이폰(Lipon); 및 (iii) 박 금속 애노드, 예를 들어 두께 10~50㎛인 금속 리튬. 4번 항목의 소자 하나 이상은, 물리적 증기 증착(PVD) 방법 또는 열-압력 라미네이션(용이하게 입수할 수 있는 Li 호일 사용)에 의해 본 발명의 임의의 구체예에 의한 장치로 조립될 수 있다. 마지막으로, 본 발명의 임의의 구체예에 의한 장치는, 예를 들어 본원에 그 자체로서 참고용으로 인용된 미국 특허 출원 공보 2009/0181303에 이미 개시된 바와 같이, 두께 약 3㎛인 박막 캡슐화를 이용하여 팩키징될 수 있다.
임의의 구체예에서, 임의의 휘발성 액체 유기 용매가 복합 캐소드 및/또는 전해질 내부에 존재하지 않으면, 전기 화학 장치의 작동 및 보관시 안전성이 개선되고, 온도 한계가 높아지도록 유도될 수 있는데, 이 경우, 상기 한계에는 수 분 동안 265℃ 이하의 온도 일탈(temperature excursion)이 일어날 수 있는 무연 솔더 리플로우(lead-free solder reflow) 조건이 포함된다.
본 발명의 임의의 구체예에 의한 저 비용 전지로서 용량이 큰 것은 하나의 두꺼운 세라믹층, 또는 다수의 층들[비 PVD 또는 비 화학 증착(CVD) 방법, 예를 들어 통상의 세라믹 또는 습식 화학 방법에 의해 전체 또는 부분적으로 조립됨]을 포함하는 전해질 대체물을 포함할 수 있다. 이와 같은 전해질 대체물의 예로서는 컴팩트형 Li2S-SiS2 또는 Li2S-P2S5계 유리 전해질 분말(층 두께 = 약 100㎛), Li3N-LiTi2(PO4)3 이중 층 세라믹 평판(두께 = 약 100㎛), 단일 면 라이폰 보호 LiAl2Ti(PO4)3 또는 Li0.35La0.55TiO3 평판(두께 = 약 100㎛) 또는 컴팩트형(압착형) Li7La3Zr2O12 분말(두께 = 약 50㎛)를 포함할 수 있다. 복합 캐소드와 유사하게, 복합 애노드는 본 발명의 임의의 구체예에 사용될 수 있으며, 이는 컴팩트형 세라믹 LiySn-활성화, 나노 크기의 Li4Ti5O12 분말(1.5V 대 Li+/Li; 결과로서는, 금속 리튬 애노드를 사용하는 4V 전지의 전압과 비교하였을 때, 본 발명의 임의의 구체예에 의하여 전체적으로 조립된 전기 화학적 전지의 전압이 1.5V 감소하는 것을 포함함)을 포함할 수 있으며, 여기서, LiySn은 부피 불변 LixTi5O12(4≤x≤7) 애노드 상 중 리튬 이온 및 전자 전도 증강 제2 상으로서의 역할을 한다. 기타 복합 애노드가 사용될 수도 있다.
고체 고 용량 전지로서, 세라믹 및/또는 습식 화학 조립된 전해질 및/또는 애노드를 가지는 전지의 조립은, 비용이 저렴하고 일정 처리량만큼 제작할 수 있다는 점에서 매력적일 수는 있지만, 전적으로 전기 화학적 활성 전지 종(예를 들어 Li-이온 배터리의 경우에는 금속 리튬)으로 이루어진 금속 애노드와 박막 전해질을 사용하는 전지는 본 발명의 임의의 구체예에 의한 전지의 전력과 에너지 밀도 성능을 포함하지 않는다. 세라믹 및/또는 습식 화학 조립된 전해질 및/또는 복합 애노드는 통상적으로 더욱 두껍고(전지 저항이 증가하고, 전지에 비 에너지 함유 부피(non-energy containing volume)가 가하여질 수 있음(이 성질은 둘 다 원치 않는 특징들임)), 낮은 전지 전압을 제공하므로(에너지와 전력 둘 다를 낮출 수 있음(이 성질은 둘 다 원치 않는 특징들임)), 이와 같은 저 비용의 배터리는 그다지 요망되는 것은 아니다.
본 발명에 의한 임의의 구체예의 캐소드(순수 캐소드 및 복합 캐소드 둘 다) 성능을 우수하도록 만드는 데에는, 예를 들어 캐소드 내부 확산 계수를 높여 효율적으로 만들어야 할 것이다. 전지가 방전될 때 이와 같은 캐소드 내부의 확산 계수는 가능한 한 다수의 전기 화학적 활성 종(이온 및 전자)이, 가능한 한 최단 시간 내에 캐소드에 삽입되고, 확산 기원 평면(캐소드-전해질 간 계면)으로부터 가장 멀리 떨어져 있는 캐소드 위치에 삽입되도록 만들 수 있다. 이하 간단히 표시한 수식에 있어서, 픽의 확산 제2 법칙(Fick's second law of diffusion)에 따른 1차원 솔루션을 이용할 수 있는데, 이 경우, 소정의 확산 계수 D에 있어서, 확산하는 종의 파면은 확산 기간 t 경과 후 깊이 X(종종 확산 길이라 칭하여짐)만큼 물체를 통과하는데, 이 관계를 등식으로 나타내면 다음과 같다:
(1) X = 2(D * t)1/2
등식 (1)은 이온과 전자의 결합 확산에 대한 정확한 추정치를 얻어내는 식이다. 다수의 실용적인 전기 화학적 활성 캐소드 재료에 있어서, 전자 전도도는 전기 화학적 활성 이온의 전자 전도도보다 훨씬 크다. 예를 들어 하전 LixCoO2(x < 0.7)의 전자 전도도는 상온에서 약 1S/㎝인 반면에, 리튬 이온의 전자 전도도는 10-7S/㎝ 미만이다. 그러므로, 적당한 리튬 이온 전도성 재료들을 혼합하여, 캐소드 복합체를 생성함으로써 캐소드의 리튬 이온 전도도를 증가시키는 것이 유리할 수 있다.
임의의 구체예에서, 등식 (1)에 대한 독립적인 변수를 결정할 때 이온 전도도를 사용할 경우, 확산 계수 D는 픽의 확산 법칙의 일부를 다음과 같이 바꾸어 표현할 수 있다:
(2) D = RT/(c * z * F2 * dE/dx)* j
상기 식 중, D는 기체 상수 R, 절대 온도 T, 확산 종의 국소 농도 c, 확산 종의 전하 수 z(Li+ 이온의 경우, z는 1임), 패러데이 상수(Faraday constant) F, 국소 전기장 세기 dE/dx, 및 확산 종의 전류 밀도 j와 관련되어 있다. 등식 (2)를 등식 (1)에 삽입한 후 결과로 얻어진 등식의 양변을 2 제곱하면 다음과 같은 등식이 된다:
(3) X2 = 4 * RT/(c * z * F2 * dE/dx)* t * j.
상기 식 중, 확산 기간 t는 또한 연속 방전 또는 충전 시간, 즉 소정의 전류 밀도 j에서 캐소드의 정격 용량만큼을 방전 또는 충전하는데 소요되는 시간으로서 해석될 수 있으며, 상기 정격 용량은 전기 화학적 활성 캐소드 재료, 이온 전도성 재료 및 전기적 전도성 재료의 소정 캐소드 복합체의 캐소드 두께 X에 비례한다. 캐소드의 정격 용량은, 예를 들어 배터리의 충전을 완료한 후 상온에서 공급되는 배터리의 방전 용량이다. 옴의 법칙을 이용하여 전류 밀도 j를 전도도 G로 전환한 후 얻어지는 등식은 다음과 같으며:
(4) R = E/(j * A)
(식 중, R은 저항을, E는 전체 캐소드에 걸친 전압을, 그리고 A는 확산 단면적을 나타냄)
전도도 G(역저항)의 정의는 다음과 같으며:
(5) G = 1/R * X/A
상기 등식 (5)는 다음과 같이 전환될 수 있다:
(6) j = E * G/X
등식 (6)을 등식 (2)에 삽입하고 캐소드 전체 두께 X에 걸친 전압 강하를 고려한 후 생성된 등식은 다음과 같으며:
(7) X2 = 4 * RT/(c * z * F2 * dE/dX)* t * E * G/X
상기 등식 (7)을 다시 정리하면 다음과 같이 된다:
(8) X3 = 4 * RT/(c * z * F2 * dE/dX)* t * E * G
전자 전도성이 우수한 캐소드에 대한 경우일 수 있는 일정 전기장 구배(constant electric field gradient)에 있어서, dE/dx는 E/X가 되므로, 등식 (8)은 다음과 같이 간단해진다:
(9) X2 = 4 * RT/(c * z * F2) * t * G
그러므로, 다음과 같은 식 (10)이 얻어진다:
(10) X2 ~ t * G
예를 들어 전기 화학적 전지의 두께 X를 통해 소정의 확산 기간(또는 방전 또는 충전 시간) t 동안 캐소드의 이온 전도도 G가 다른 점에서 정수 변수[즉, 특히 동일한 전기 화학적 활성 재료, 전기 화학적 활성 재료의 동일한 부피 로딩률, 캐소드의 동일한 단면적] 하에 풋 프린트 당 그 용량을 2배로 하기 위해 캐소드의 두께 X를 2배로 할 수 있기 전에 4배로 증가될 수 있으면, 상기 식 (10)은 캐소드에 대한 디자인 룰로 고려될 수 있다. 배터리의 방전 시간 능력은 그 역수, 소위 C-비율로 제공될 수 있으며, 이 비율은 방전 사이의 충전 기간을 수학적으로 무시하였을 때 배터리 또는 전기 화학적 전지가 1시간 이내에 얼마나 자주 그의 정격 용량만큼 수학적으로 방전할 수 있는지로 정의된다.
등식 (10)은 또한 캐소드 내부 소정의 전도도 G에 있어서, 캐소드 두께가 증가하면 훨씬 느린(즉 더 긴) 방전 시간 능력(더 낮은 C-비율)을 야기할 수 있다. 예를 들어 소정의 정격 용량의 완전 방전에 대한 방전 시간은, 캐소드 두께가 2배가 될 때 약 4배로 증가할 수 있다[C-비율은 약 25% 감소함]. 캐소드 두께를 2배로 만들면서 소정의 정격 용량을 유지시킨다는 것은 곧, 캐소드에 전기 화학적 비활성 재료를 첨가하거나, 그의 공극도를 2배로 만들거나, 또는 캐소드 내부의 전기 활성 재료를 바꾸면 두께가 증가할 수 있다는 것을 의미한다.
등식 (10)은 또한, 전기 화학적 비활성 재료, 예를 들어 전기 화학적 용량 또는 에너지를 저장하지 않아서, 캐소드의 용량 또는 에너지를 증가시키지 않으면서 캐소드 두께를 ΔX만큼 증가시키는, 이온 또는 전기적 전도성 재료만을 캐소드에 첨가하는 것은 비용이 드는 과정이므로: 임의의 구체예에서, 만일 하기 등식 (11)에 따라 방전 또는 충전 시간을 유지하거나 또는 더욱 단축하기 위해서 (복합) 캐소드의 이온 전도도가 G * (X + ΔX)/X2까지 증가되면, 비활성 재료를 첨가하는 것이 적당할 수 있음을 추가로 교시한다:
(11) (X + ΔX)2 ~ t * G[(X + ΔX)2/X2]
캐소드에 관한 임의의 구체예의 내부 이온 전도도가 큰 것이 중요하다는 것과 클 필요가 있다는 것은 명백한 사실이다. 전기 화학적 활성 캐소드 재료, 예를 들어 시판되고 있는 LiCoO2는 충분히 높은 리튬 이온 전도도 자체를 제공할 수 없으므로[예를 들어 상온에서 자체의 전기 화학적 활성 범위 4.2~2.0V vs. Li+/Li 간 전반에 걸쳐 < 10-7S/㎝일 수 있으므로], 예를 들어 리튬 이온 전도도가, 전기 화학적 활성 캐소드 재료의 리튬 이온 전도도보다 실질적으로 큰, 리튬 이온 전도성 재료를 사용하여 복합 캐소드를 조립할 수 있다.
적당한 리튬 이온 전도성 재료, 예를 들어 리튬 란타늄 티타네이트[25℃에서 G가 10-3S/㎝(벌크)이고, G가 2 * 10-5S/㎝(입계)인 Li0.35La0.55TiO3; 이에 관한 예는 본원에 그 자체로서 참고용으로 인용되어 있는 문헌(Y.Inaguma et al., Solid State Communications 86(1993)p689)에 기술됨], 리튬 란타늄 지르코네이트[25℃에서 G가 7.7 * 10-4S/㎝인 Li7La3Zr2O12; 이에 관한 예는 본원에 그 자체로서 참고용으로 인용되어 있는 문헌(R.Murugan et al. Angewandte Chemie International Edition 46(2007) 7778)에 기술됨], 리튬 알루미늄 티타늄, 인산염[25℃에서의 G가 7 * 10-4S/㎝인 Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3; 이에 관한 예는 본원에 그 자체로서 참고용으로 인용되어 있는 미국 특허 제4,985,317호(G.Adachi et al)에 기술됨], 또는 리튬 티오-인산염[25℃에서의 G가 7.4 * 10-4S/㎝인 Li2S 80% - P2S5 20%(Li8P2S9; "티오-리시콘 II"); 이에 관한 예는 본원에 그 자체로서 참고용으로 인용되어 있는 미국 특허 출원 공보 2007/0160911(Senga Minoru et al.)에 기술됨]의 선택을 마치면, 임의의 구체예에서, 리튬 이온 전도성 재료의 입도와 입도 분포를 포괄하는 형태를, 복합 캐소드 내 전기 화학적 활성 캐소드 재료의 입도 및 입도 분포로 조정하는 것이 중요하다. 이와 같은 접근법은 상기 복합 캐소드 내부 리튬 이온 전도도의 포지티브 3차원 망상 구조를 제공할 수 있다. 전도 경로 또는 입자 간 접촉 면적이 작으므로 복합 캐소드 내 공극도는 전도도가 큰 재료의 효능을 상쇄시킬 수 있는데(이온과 전자에 적용될 수 있음), 이로써 입자들 간 최적 전도와 복합 캐소드 전반에 걸친 최적 전도를 최대화할 수 있다. 이와 같은 목적은 캐소드 내 전기 화학적 활성 재료와 이온 전도성 재료 둘 다에 대한 입도가, 바람직하게는 약 0.1~10㎛, 가장 바람직하게는 0.5~5㎛일 때 잘 달성될 수 있다. 크기가 10㎛보다 훨씬 큰 입자들은, 이온 망상 구조 내 이온 전도 경로와 전자 망상 구조 내 전자 전도 경로가 중단(interrupting) 또는 차폐(shadowing)될 위험을 수반할 수 있다.
대안적으로 또는 부가적으로, 전기 화학적 활성 재료 자체의 이온 전도도는 증강될 수 있다. 이러한 결과는, 예를 들어 자체의 벌크 입자(입자 내) 부분을 기타 적당한 화학 원소로 도핑하고/도핑하거나, 입계(고체 캐소드 내부 입자들 간 제1 이온 전도 입구일 수 있음)를 화학적 또는 기계적으로 변형시켜 얻어질 수 있다. 적당한 화학 물질과의 반응을 통한 화학 변형은 본 발명의 임의의 구체예에 의한 바람직한 방법일 수 있다. 신속한 이온 입계 전도는 용량과 에너지 저장에 관여할 수 있는 전기 화학적 반응들이 진행되는 곳(입자 벌크 내부)에 이온을 제공하거나 이곳으로부터 이온을 제공받는데 가장 효과적이다. 만일 이와 같이 입자 벌크 및/또는 입계 내 증강된 전기 화학적 활성 재료, 예를 들어 캐소드 내부의 LiCoO2의 리튬 이온 전도도가 충분히 크면, 오로지 리튬 이온 전도도를 증강시키는 비활성 상, 예를 들어 리튬 란타늄 티타네이트(Li0.35La0.55TiO3)의 첨가는 불필요할 수 있다. 그러나, 예를 들어 캐소드 내부의 리튬 이온 전도도보다 훨씬 높은 전자 전도도를 가지는 캐소드의 전자 전도도가 잘 유지되도록 확보하는 것이 중요할 수 있다. 그렇지 않으면, 캐소드의 전자 전도도는 리튬 이온 전도도의 효능을 제한할 수 있으므로, 캐소드 전체에 걸친 리튬 확산은, 이온 대신 전자를 대상으로 등식 (9)를 적용하였을 때, 이 등식 (9)에 따라서 전자 전도도를 제한하는 속도로 진행될 수 있다.
전기적 전도성 재료, 예를 들어 탄소 또는 니켈 분말은 비교적 저렴하다. 이와 같은 재료들은 500℃ 이상에 이르기까지 충분히 안정한데, 이 경우, 일반적으로 전기 화학적 활성 재료(예를 들어 LiCoO2)가 사용되고, 이온 전도성 재료로서는, 예를 들어 리튬 란타늄 티타네이트(Li0.35La0.55TiO3) 또는 리튬 란타늄 지르코네이트(Li7La3Zr2O12)가 선택된다. 본 발명의 임의의 구체예에 따라서, 전기적 전도성 재료가, 적당한 입도 분포(전도성을 띄는 입도 분포)를 가질 수 있도록 만들어 복합 캐소드의 전자 전도도를 최대화하는 것이 바람직하며, 전기적 전도성 재료의 최소 혼합 부피 분율로 존재할 수 있도록 만드는 것이 가장 바람직하다. 만일 크기가 더 큰 입자, 예를 들어 50㎛ Ni가 사용되면, 이와 같은 입자는 복합 캐소드에 양호한 전자 전도도를 제공할 수 있지만, 더 중요한 전기 화학적 활성 캐소드 재료(에너지 제공) 및/또는 임의의 리튬 이온 전도성 재료(상기 전기 화학적 활성 캐소드 재료에 의해 제공되는 에너지 수준에서 전력 능력을 증가시킬 수 있음)로 충전될 수 없는, 복합 캐소드 내 유용한 공간을 쓸데없이 제거할 수 있다.
대안적으로 또는 부가적으로, 본 발명의 전기 화학적 활성 재료 자체의 전자 전도도는 증강될 수 있다. 이러한 결과는, 예를 들어 상기 재료의 벌크 입자(입자 내) 부분을 기타 적당한 화학 원소로 도핑하고/도핑하거나, 상기 재료의 입계(고체 캐소드 내부 입자들 간 제1 전자 전도 입구일 수 있음)를 화학적 또는 기계적으로 변형함으로써 얻어질 수 있다. 적당한 화학 물질과의 반응을 통한 화학적 변형은 본 발명의 임의의 구체예에 의한 바람직한 방법일 수 있다. 신속한 전자 입계 전도는 용량과 에너지 저장에 관여할 수 있는 전기 화학적 반응들이 진행되는 곳(입자 벌크 내부)에 전자를 제공하거나 이곳으로부터 전자를 제공받는데 가장 효과적이다. 만일 이와 같이 입자 벌크 및/또는 입계 내 증강된 전기 화학적 활성 재료, 예를 들어 캐소드 내부의 LiCoO2의 전자 전도도가 충분히 크면, 포지티브 캐소드에 상당한 전기 화학적 저장 용량을 공급하지 않고 오로지 전자 전도도를 증강시키는 비활성 상, 예를 들어 니켈 또는 탄소 분말을 첨가할 필요는 없을 수 있다.
적당한 입도 및 분포는, 예를 들어 미가공 분말을 나노/서브마이크론 크기의 입자로 분쇄할 수 있는 고 에너지 볼 밀링(high energy ball milling)을 실시하여 얻을 수 있다. 소정 재료의 비 입도 분포는, 상이한 분쇄 변수들이 적용된 분쇄 분말 회분들을 별도로 혼합함으로써 얻어질 수 있다. 이와 같이 얻어진 하나의 재료(예를 들어 리튬 이온 전도성 재료)의 분말은 비 입도 분포를 가지므로, 이와 같은 분말은 입도 분포가 유사한 방식으로 형성된 다른 재료(예를 들어 전기 화학적 활성 캐소드 재료)와 혼합될 수 있다. 마지막으로, 전기적 전도성 재료(비 입도 분포가 리튬 이온 전도성 재료에 적용된 방식과 유사한 방식으로 형성된 재료)는 분말 믹스에 첨가될 수 있다. 그 다음, 이 분말 믹스는, 다양한 방법, 예를 들어 하나 이상의 재료의 입도 분포를 분말 혼합물의 입도 분포 범위 내로 추가로 변경시킬 수 없거나 변경시킬 수 있는, 저 밀도 분쇄 매질, 예를 들어 Si3N4 또는 Al2O3을 낮은 농도로 사용하는, 저 에너지 볼 밀링으로 균질화될 수 있다.
본 발명의 예시적구체예
실시예 1: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 시판중인 LiCoO2 분말은, 그의 초충전 전에 (a) 두께 0.5㎜이고 직경 10㎜인 분말형 펠릿 7톤을 냉간 압축하고[자체의 밀도를 이론상 밀도 5.06g/ccm의 76%를 달성할 수 있음], (b) 두께 0.5㎜이고 직경 10㎜인 분말형 펠릿 7톤을 냉간 압축한 후, 공기 중에서 1시간 동안 900℃에서 펠릿을 소결하여[이론상 밀도 5.06g/㎝의 72%를 달성할 수 있음], 주위 조건에서 그의 전자 전도도를 측정하는데 사용될 수 있다. 이후, 이와 같이 제조된 펠릿을, 이 펠릿의 양면에 0.3㎛ 두께의 PVD 조립 리튬 이온 차단 금 전극으로 코팅하고, 전기 화학적 임피던스 분광 분석법 및 진폭 10mV을 이용하여 전자 저항를 측정할 수 있다. 전형적인 냉간 압축 LiCoO2 펠릿의 전자 전도도는 2.7 * 10-5S/㎝를 얻었고 반면에, 900℃에서 어닐링(annealing)될 수 있는 펠릿의 전자 전도도는 7.1 * 10-4S/㎝를 나타냈다.
실시예 2: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 시판중인 Ni 분말(입자 크기 = 2∼3㎛)의 전자 전도도는 두께 0.5㎜이고 직경 10㎜이었던 Ni 펠릿 7톤을 냉간 압축하여 측정될 수 있다. 밀도는 이론상 밀도(8.91g/ccm)의 80%일 수 있다. 이와 같이 얻어진 Ni 펠릿은 2개의 구리 전극들 사이에 샌드위치될 수 있으며, 이 펠릿에 10mVDC가 적용될 수 있다. 그러나, 전자 저항은 매우 낮을 수 있으므로(<< 1 Ohm), 전류는 테스트 장비의 능력을 초과한다(10A). 정확한 전자 전도도를 측정하는 대신, 전자 전도도는 Ni에 대한 문헌상의 수치[25℃에서 약 105S/㎝]에 의해 추산될 수 있다. 이 수치의 크기는, 초충전 전 LiCoO2의 수치의 크기보다 10 자릿수 초과이다.
실시예 3: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 시판중인 LiCoO2 분말(실시예 1)은, 그의 초충전 전에 (a) 두께 0.5㎜이고 직경 10㎜인 분말형 펠릿 7톤을 냉간 압축하고, (b) 두께 0.5㎜이고 직경 10㎜인 분말형 펠릿 7톤을 냉간 압축한 후, 공기 중에서 1시간 동안 700℃에서 펠릿을 소결하여[이론상 밀도 5.06g/㎝의 73%를 달성할 수 있음], 주위 조건에서 그의 이온 전도도를 측정하는데 사용될 수 있다. 이후, 이와 같이 제조된 펠릿은, 이 펠릿의 각 면에 3㎛ 두께의 전자 차단 라이폰 전해질 층으로 코팅될 수 있다. 뿐만 아니라, 2개의 금속 Li 전극들은 샌드위치된 LiCoO2 펠릿의 반대쪽에 있는 라이폰 전해질 층들 위에 PVD 조립될 수 있다. 이와 같은 이온 전도도 테스트 전지는, 리튬 도금 또는 스트립핑(stripping)이 진행될 수 있을 때, 리튬 전극에 다양한 전압(1 ~ 5 VDC)을 인가함으로써 옴 저항이 측정될 수 있다. 이와 같은 조건에서, 리튬 이온들만이 LiCoO2 펠릿을 통하여 전도될 수 있으며, 이때, 그의 전자 전도는 완전히 정지되었다. 결과로 형성되는 직류는 옴 거동을 보일 수 있으므로, 저항으로 산정되었다. 두께 3㎛인 라이폰 층들(일렬로 접속됨) 2개의 공지된 합산 저항을 (기타 별도의 실험 결과로부터) 공제할 경우, 초충전 전 LiCoO2의 이온 전도도가 추론될 수 있었다. 예시적으로 냉간 압축된 LiCoO2 펠릿과, 공기 중에서 1시간 동안 어닐링되었던(700℃) 냉간 압축 LiCoO2 펠릿 둘 다의 이온 전도도는, 25℃에서 측정하였을 때 2 * 10-8S/㎝이었는데, 이 경우, 상기 이온 전도도의 크기는 25℃에서 측정한 LiCoO2의 전자 전도도의 크기보다 세자릿수 초과하여 작다. 그러므로, 본 실시예에서 LiCoO2는 리튬 이온 전도도가 낮은, 전기적 전도성 재료로서 우수한 것임이 입증되었다.
실시예 4: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, Li0.35La0.55TiO3은, 화합물 LiOH, La2O3 및 TiO2를 출발 물질로 하는 표준 분말 반응을 통해 합성될 수 있다. 최종 생성된 분말 Li0.35La0.55TiO3는 사실상 불순물 상이 없을 수 있다[XRD에 의해 확인 가능]. 이후, 상기 분말은, (a) 두께 0.4㎜이고 직경 10㎜인 분말형 펠릿 7톤으로 냉간 압축되고[이론상 밀도 4.99g/ccm의 64%를 달성할 수 있음], (b) 두께 0.4㎜이고 직경 10㎜인 분말형 펠릿 7톤으로 냉간 압축될 수 있으며, 이후 이 펠릿은 공기 중에서 1시간 동안 1100℃에서 소결될 수 있다[이론상 밀도 4.99g/ccm의 70%를 달성할 수 있음]. 이와 같이 제조된 펠릿은, 그 펠릿의 각 면이 PVD 조립된 금 전극을 향하도록 하여 이 금 전극에 도포될 수 있다. Li0.35La0.55TiO3 펠릿의 이온 전도도는, 전기 화학적 임피던스 분광 분석법[냉간 압축 펠릿을 대상으로 25℃에서 측정된 입계(입자 간) 전도도가 5.6 * 10-8S/㎝임을 규명할 수 있음]에 의해 측정될 수 있는 반면에, 벌크(입자 내) 전도도는, 테스트 조건의 주파수 능력(frequency capability)이 제한됨으로 인해 측정될 수 없다[주파수가 약 10MHz 부근이어야 벌크 전도도가 측정될 수 있음]. 공기 중 700℃에서 1시간 동안 어닐링된 Li0.35La0.55TiO3 펠릿의 입계 전도도는, 25℃에서 측정하였을 때 약 1.8 * 10-7S/㎝으로 측정되었다. 그러나, 1100℃에서 조립된 펠릿의 전도도는 벌크(입자 간) 및 입계(입자 내)의 전도도로 보정될 수 있다[이 경우, 벌크 전도도는 5.6 * 10-4S/㎝이고, 입계 전도도는 2.4 * 10-6S/㎝일 수 있음]. 이와 같은 전도도는, 초충전 전, LiCoO2의 리튬 이온 전도도의 두자릿수를 초과하여 클 수 있다(실시예 3 참조).
실시예 5: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 복합 캐소드는, 예를 들어 Li0.35La0.55TiO3와 같은 이온 전도성 재료를 첨가하지 않고, LiCoO2 80wt%와 Ni 20wt%의 혼합물로 조립될 수 있다. 상기 혼합물은 치수 0.3㎜×10㎜(직경)인 복합 캐소드 펠릿으로 냉간 압축될 수 있다. 기타 펠릿은, 공기 중에서 1시간 동안 700℃에서 펠릿을 소결함으로써 추가로 처리될 수 있다. 생성된 냉간 압축 또는 소결 복합 캐소드 펠릿은 전자 전도성이 잘 유지될 수 있다(> 10-2S/㎝). 전술한 두 가지 유형의 펠릿이 두께 1.5㎛인 라이폰 전해질과 두께 10㎛인 금속 Li 애노드를 포함하는 전기 화학적 풀 셀(full cell)로 조립될 때, 이 펠릿은 4.2V의 정전압에서 초충전 단계가 진행될 때 전류 속도가 심각하게 제한되는 것으로 확인될 수 있다. 25℃에서 전류는 수 분 내에 약 1μA로 감쇠될 수 있는데, 이 현상은 10mAh 전지의 경우에 10,000h 초과(1년 초과)의 충전 시간을 야기할 수 있다. 예를 들어 이러한 전지는 LiCoO2를 83㎎ 함유할 수 있다. 전기 화학적 활성 캐소드 재료(LiCoO2)의 단순 조성은 예를 들어 두께가 얇은(예를 들어 30㎛ 미만인) 캐소드에 대해 충분한 이온 전도도 및 전자 전도도를 나타내며, 캐소드는 통상 본 발명의 임의의 구체예에 있어서 박막의 형태로 설계된다. 뿐만 아니라, 전기적 전도성 재료(Ni)는, 고 용량 전지(> 1mAh/㎠)용으로서 실질적 두께(>> 30㎛)로 사용될 때 우수한 전기 화학적 활성 복합 캐소드를 유도할 수 없다. 그러므로, 하나 이상의 중요 부재가 복합 캐소드에 결여되어도 성능이 우수한 배터리가 제조될 수 있다.
실시예 6: 본 실시예는 실시예 5에 비하여 전형적인 포텐셜 개선을 보여준다. 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 실시예 1∼4에서 사용된 분말은 다음과 같은 중량 백분율 비로 혼합될 수 있다: 40wt% LiCoO2(이론상 밀도 = 5.06g/ccm), 40wt% Li0.35La0.55TiO3(이론상 밀도 = 4.99g/ccm) 및 20wt% Ni(이론상 밀도 = 8.91g/ccm). 분말 혼합물은 이론상 밀도의 80%의 0.3㎜×10㎜(직경)인 복합 캐소드 펠릿으로 냉간 압축될 수 있다:
(12) 복합 캐소드 펠릿의 이론상 밀도(g/ccm) = 100% / (40wt% / 5.06g/ccm + 40wt% / 4.99g/ccm + 20wt% / 8.91g/ccm) = 5.50g/ccm
2회의 샌드위치 구리 도금을 통해 제조된, 전형적인 복합 캐소드 펠릿의 전자 전도도는 10-2S/㎝ 초과이었던 반면에, 출발 구성물인 LiCoO2, Li0.35La0.55TiO3 및 Ni 이외에 새로운 상들은 XRD에 의해 검출되지 않았다. 복합 캐소드의 이온 전도도는 복합 캐소드 내 Li0.35La0.55TiO3의 부피 분율(이하 등식 (13)에 의해 구하여짐)로부터 추산될 수 있다:
(13) Li0.35La0.55TiO3의 vol% = 40wt% * 5.50g/ccm / 4.99g/ccm = 44vol%
첫 번째 추산에 있어서, 복합 캐소드 내부에서 다음의 추산이 유효하다고 추정될 수 있다:
(14) 복합 캐소드의 밀도 / Li0.35La0.55TiO3의 실제 밀도 ≒ 복합 캐소드의 이론상 밀도 / Li0.35La0.55TiO3의 이론상 밀도
그러므로, 상기 등식 (13)은 복합 캐소드 내 Li0.35La0.55TiO3의 실제 vol%에 대한 양호한 추산치를 제공한다. 복합 캐소드 내 이상적인 입자 크기를 가지는 복합체에 대한 리튬 이온 전도도는 다량으로 존재하는 리튬 이온 도체의 하기 등식 (15)에 의한 vol%에 의해 측정될 수 있다:
(15) Li0.35La0.55TiO3의 실제 vol% * 5.6 * 10-8S/㎝ = 2.5 * 10-8S/㎝
예를 들어, Li0.35La0.55TiO3가 복합 캐소드 펠릿으로 냉 압축되고, 추후 열 처리되지 않을 때, 이 Li0.35La0.55TiO3의 리튬 이온 입계 전도도를 기준으로 리튬 이온 전도도는, 실제 목적상 매우 낮을 수 있으며, 순수한 LiCoO2(실시예 3 참조)의 리튬 이온 전도도와 유사할 수 있다. 그러므로, 복합 캐소드 펠릿은 700℃에서 열 처리될 수 있으며, 이 온도에서는 0.44 * 1.8 * 10-7S/㎝ = 7.9 * 10-8S/㎝가 성립하는 복합 캐소드가 제공될 수 있다. 상기 전도도는 실제 용도를 위해 아직 충분한 리튬 이온 전도도가 아닐 수 있다(실시예 14 참조). 900℃에서 복합 캐소드 펠릿을 어닐링하면, LiCoO2와 Ni의 몇몇 반응이 일어날 수 있으며, 그 결과, NiO 및 LiCoO2 분해 측 상(side phase)들이 형성될 수 있다. 리튬 이온 전도도의 개선은 작을 수 있으며/있거나 약 4 * 10-7S/㎝로 상승할 수 있다.
증강 재료의 리튬 이온 입계 전도도는 이 재료가 복합 캐소드 내부를 구성할 때 개선될 수 있음이 명백할 수 있다. 복합 캐소드는, 예를 들어 복합 캐소드의 구성 물질 간에 원치 않는 화학 반응들이 일어나기 전에 임의의 온도(예를 들어 900℃)보다 높은 온도에서 처리되지 않을 수 있다.
이와 같은 임의의 전형적인 개선은, 리튬 이온 전도성 재료 분말을 더 작은 입자 크기(<2㎛)로 분쇄 및 밀링하고/하거나, 상기 분말의 입자 표면을 기계적으로나 화학적으로 적당히 변형하여, 리튬 이온 입계 전도도를 증가시킴으로써 이루어질 수 있다. 이와 같이 표면이 변형된 리튬 이온 전도성 재료는, 이 재료가 복합 캐소드 펠릿으로 냉간 압축된 다음, 공기 중에서 1시간 동안 어닐링(700℃)될 때, 입계 전도도가 약 10-4S/㎝일 수 있다. 전형적인 복합 캐소드의 전체 리튬 이온 전도도(약 10-4S/㎝)는 연속 전류 인출(C/30)을 허용할 수 있는데, 이는 곧, 복합 캐소드의 두께가 300㎛일 수 있는 6mAh 전지에 대해서는 0.2mA인 것으로 해석된다(실시예 13 참조).
실시예 7: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 포지티브 캐소드의 기하학적 풋 프린트를 기준으로 용량이 2mAh/㎠인, 직경 10㎜의 전기 화학적 전지는 40wt% LiCoO2(이론상 밀도 = 5.06g/ccm), 40wt% Li0.35La0.55TiO3(이론상 밀도 = 4.99g/ccm) 및 20wt% Ni(이론상 밀도 = 8.91g/ccm)로 이루어진 복합 캐소드로 조립될 수 있다. 캐소드의 기하학적 풋 프린트는, 예를 들어 그의 표면 법선(surface normal)에 따른 또는 완전히 편평한 표면을 가정할 때 측정되는 기하학적 면적을 가지는, 장치의 주축에 따른 표면에 면할 때 얻어지는 표면적이다. 전기 화학적 활성 캐소드 재료(LiCoO2)가 로딩될 경우, 복합 캐소드는 LiCoO2 11.2㎎으로 조립될 수 있으며, 이로써 두께는, 바람직하게는 약 81㎛가 될 수 있다[28㎎ / (0.785㎠ * 80% * 5.50g/ccm)].
실시예 8: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 용량이 2mAh/㎠이고 직경이 10㎜인 전기 화학 전지는 20wt% LiCoO2(이론상 밀도 = 5.06g/ccm), 60wt% Li0.35La0.55TiO3(이론상 밀도 = 4.99g/ccm) 및 20wt% Ni(이론상 밀도 = 8.91g/ccm)로 이루어진 복합 캐소드로 조립될 수 있다. 이와 같은 전기 화학적 활성 캐소드 재료(LiCoO2)가 로딩될 경우, 복합 캐소드는 LiCoO2 11.2㎎으로 조립될 수 있으며, 이로써 두께는 약 162㎛가 될 수 있다[56㎎ / (0.785㎠ * 80% * 5.49g/ccm)].
실시예 9: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 용량이 4mAh/㎠이고 직경이 10㎜인 전기 화학 전지는 40wt% LiCoO2(이론상 밀도 = 5.06g/ccm), 40wt% Li0.35La0.55TiO3(이론상 밀도 = 4.99g/ccm) 및 20wt% Ni(이론상 밀도 = 8.91g/ccm)로 이루어진 복합 캐소드로 조립될 수 있다. 이와 같은 전기 화학적 활성 캐소드 재료(LiCoO2)가 로딩될 경우, 복합 캐소드는 LiCoO2 22.4㎎으로 조립될 수 있으며, 이로써 두께는 약 162㎛가 될 수 있다[56㎎ / (0.785㎠ * 80% * 5.50g/ccm)].
실시예 10: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 용량이 4mAh/㎠이고 직경이 10㎜인 전기 화학 전지는 20wt% LiCoO2(이론상 밀도 = 5.06g/ccm), 60wt% Li0.35La0.55TiO3(이론상 밀도 = 4.99g/ccm) 및 20wt% Ni(이론상 밀도 = 8.91g/ccm)로 이루어진 복합 캐소드로 조립될 수 있다. 이와 같은 전기 화학적 활성 캐소드 재료(LiCoO2)가 로딩될 경우, 복합 캐소드는 LiCoO2 22.4㎎으로 조립될 수 있으며, 이로써 두께는 약 325㎛가 될 수 있다[112㎎ / (0.785㎠ * 80% * 5.49g/ccm)].
실시예 11: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 용량이 5mAh/㎠이고 직경이 10㎜인 전기 화학 전지는 40wt% LiCoO2(이론상 밀도 = 5.06g/ccm), 40wt% Li0.35La0.55TiO3(이론상 밀도 = 4.99g/ccm) 및 20wt% Ni(이론상 밀도 = 8.91g/ccm)로 이루어진 복합 캐소드로 조립될 수 있다. 이와 같은 전기 화학적 활성 캐소드 재료(LiCoO2)가 로딩될 경우, 복합 캐소드는 LiCoO2 28㎎으로 조립될 수 있으며, 이로써 두께는 약 203㎛가 될 수 있다[70㎎ / (0.785㎠ * 80% * 5.50g/ccm)].
실시예 12: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 용량이 5mAh/㎠이고 직경이 10㎜인 전기 화학 전지는 20wt% LiCoO2(이론상 밀도 = 5.06g/ccm), 60wt% Li0.35La0.55TiO3(이론상 밀도 = 4.99g/ccm) 및 20wt% Ni(이론상 밀도 = 8.91g/ccm)로 이루어진 복합 캐소드로 조립될 수 있다. 이와 같은 전기 화학적 활성 캐소드 재료(LiCoO2)가 로딩될 경우, 복합 캐소드는 LiCoO2 28㎎으로 제조될 수 있으며, 이로써 두께는 약 406㎛가 될 수 있다[140㎎ / (0.785㎠ * 80% * 5.49g/ccm)].
실시예 13: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, LiCoO2 재료 28㎎ 대신 Li1.2Ni0.175Co0.10Mn0.525O2 28㎎을 대체할 수 있는 실시예 11의 전지(예를 들어 본원에 그 자체로서 참고용으로 인용된 미국 특허 출원 공보 2010/086853 참조)는, 전지의 용량을 4.6∼2.0V로 순환시켰을 때 70%까지 개선할 수 있으며, 반면에 부수적으로 단위 면적당 용량은 5mAh/㎠에서 약 8.5mAh/㎠ 초과로 향상시킬 수 있다. LiCoO2와 Li1.2Ni0.175Co0.10Mn0.525O2의 이론상 밀도는 유사하므로, 전지 내 조립된 복합 캐소드 펠릿의 실제 밀도도 유사하며, 따라서 복합 캐소드 펠릿 2가지의 두께는 둘 다 약 200㎛일 수 있다.
실시예 14: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 등식 (9)는 다음과 같이 재배열될 수 있다[(16) ~ (17)]:
(16) X2 = 4 * RT/(c * z * F2) * t * G
(17) X2 * c * z * F2 / (4 * RT) = t * G
상기 등식에서, c는 다음과 같은 등식 (18)로 구할 수 있다:
(18) c = 복합 캐소드 내에 로딩된 활성 캐소드의 vol% *
소정의 활성 캐소드 재료 중 이동성 이온 종의 농도
활성 캐소드 재료가 LiCoO2인 경우, 상기 c는 복합 캐소드 내 활성 캐소드 로딩 vol% * 2.3 * 10-2mol/ccm (100% 조밀 복합 캐소드인 것으로 가정)이고, 상기 z는 1이며, 상기 F는 96485 C/mol이고, 상기 R은 8.3143J/(K * mol)이며, 상기 T는 298K이고, 하기 등식 (19)가 성립한다:
(19) (복합 캐소드 두께)2 * 복합 캐소드 내 활성 캐소드 로딩 vol% * 2.2 * 104sec/(Ohm * ccm) = 방전 시간 * 복합 캐소드 내 리튬 이온 전도도
두께가 500㎛이고, 로딩률이 40vol%인 복합 캐소드의 경우, 예를 들어 방전 또는 충전 시간(C/10 비율)이 10시간(36,000초)이 되기 위해서는 복합 캐소드 내 리튬 이온의 최소 전도도가 약 6 * 10-4S/㎝이어야 하고, C/30 비율(방전 시간 또는 충전 시간이 30시간인 경우)이 되기 위해서는 복합 캐소드 내 리튬 이온의 최소 전도도가 단지 약 2 * 10-4S/㎝이어야 한다.
예를 들어, 소정의 용량을 유지하면서 캐소드 로딩률이 2배가 되면(80vol% 활성 로딩), 복합 캐소드를 캐소드 두께의 약 1/2 또는 250㎛에서 조립되게 허용한다. 결과적으로, 상기 C/10 비율 능력이 되기 위해서는 전도도가 단지 약 3 * 10-4S/㎝이어야 하고, C/30 비율 능력이 되기 위해서는 전도도가 단지 약 1 * 10-4S/㎝일 수 있다.
예를 들어 10-4S/㎝ 단위로 리튬 이온 전도도가 높은 복합 캐소드를 만드는 것은 어려운 일이므로, 하나의 옵션은, 소정의 복합 캐소드 내 소정의 용량과, 소정의 온도에서 소정의 방전 또는 충전 시간을 위해, 복합 캐소드의 두께를 최소화하면서, 이 복합 캐소드 내부의 전기 화학적 활성 재료의 로딩 vol%를 최대화하는 것일 수 있다.
소정의 이온 전도도를 가지는 소정의 복합 캐소드 내 소정의 용량 Q에 대해, 방전 또는 충전 시간 t는 하기 등식 (20)에 따라서 최대 연속 방전 또는 충전 전류를 결정한다:
(20) 최대 연속 방전 또는 충전 전류 = Q/t
실시예 15: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 실시예 7의 전지와 유사하되, Li0.35La0.55TiO3 분말의 평균 입자 크기가 2㎛ 미만인 전지의 입계 전도도는, 이 전지가 10시간 이하 이내에 가역성 범위(reversibility range) 4.2~2.0V에서 약 2mAh/㎠으로 연속 방전될 수 있는 방식으로 개선될 수 있다. 가역성 범위는, 예를 들어 일반적으로 허용되는 전압 범위를 말하며, 이 범위 내에서, 소정의 전극은 소정의 온도에서 "실질적으로" 안정하다. 고온에서는 통상적으로 전극의 가역성 범위가 감소할 수 있다. 예를 들어 25℃에서 LiCoO2의 가역성 범위는 일반적으로 4.2∼2.0V vs. Li+/Li인 것으로 허용되는데, 이 가역성 범위는 화학 양론 범위 약 Li1.0CoO2(2.0V vs. Li+/Li) ~ 약 Li0.5CoO2(4.2V vs. Li+/Li)에 상당하다.
실시예 16: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 실시예 9의 전지와 유사하되, Li0.35La0.55TiO3 분말의 평균 입자 크기가 1㎛ 미만인 전지의 입계 전도도는, 이 전지가 10시간 이하 이내에 4.2~2.0V에서 약 4mAh/㎠으로 연속 방전될 수 있는 방식으로 개선될 수 있다.
실시예 17: 본 발명에 의하면, 실시예 11의 전지와 유사하되, Li0.35La0.55TiO3 분말의 평균 입자 크기가 0.5㎛ 미만인 전지의 입계 전도도는, 이 전지가 10시간 이하 이내에 4.2~2.0V에서 약 5mAh/㎠으로 연속(및 완전히) 방전될 수 있는 방식으로 개선될 수 있다.
실시예 18: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 실시예 7에 의한 전기 화학 전지는 두께 1.5㎛인 라이폰 전해질, 두께 10㎛인 금속 Li 애노드, 10㎛의 Al 캐소드 집전체 호일, 10㎛의 Cu 애노드 집전체 호일로 구성될 수 있으며, 또한 이 전기 화학적 전지의 위 아래는 벽 두께가 100㎛인 중합체 파우치로 캡슐화될 수 있다. 이러한 특징은, 전지가 4.2V로 충전될 때 Li 애노드의 총 두께가 약 22㎛로 증가하고, 복합 캐소드의 총 두께가 약 82㎛로 증가한다는 사실을 참작한 후, 완전히 팩키징된 상태에서 약 59Ah/리터의 부피 용량 밀도(volumetric capacity density)[예를 들어 정격 용량을 완전히 팩키징된 배터리 부피로 나누어 계산] 및 약 236Wh/리터의 부피 에너지 밀도(volumetric energy density)[예를 들어 정격 용량과 정격 전압의 곱을 완전히 팩키징된 배터리 부피로 나누어 계산]를 제공한다. 예를 들어 "완전히 팩키징된 상태"란, 배터리에 내재하는 모든 부속 부재들, 예를 들어 집전체, 단자, (만일 하우징이 캡슐화 부재에 이미 포함되어 있는 상태가 아니면) 1차 캡슐화 부재, 그리고 하우징을 포함하는 배터리의 상태를 말한다.
실시예 19: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 실시예 9에 의한 전기 화학 전지는 두께 1.5㎛인 라이폰 전해질, 두께 10㎛인 금속 Li 애노드, 10㎛의 Al 캐소드 집전체 호일, 10㎛의 Cu 애노드 집전체 호일로 구성될 수 있으며, 또한 이 전기 화학적 전지의 위 아래는 벽 두께가 100㎛인 중합체 파우치로 캡슐화될 수 있다. 이러한 특징은, 전지가 4.2V로 충전될 때 Li 애노드의 총 두께가 약 34㎛로 증가하고, 복합 캐소드의 총 두께가 약 163㎛로 증가한다는 사실을 참작한 후, 완전히 팩키징된 상태에서 약 92Ah/리터의 부피 용량 밀도 및 약 368Wh/리터의 부피 에너지 밀도를 제공한다.
실시예 20: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 실시예 11에 의한 전기 화학 전지는 두께 1.5㎛인 라이폰 전해질, 두께 10㎛인 금속 Li 애노드, 10㎛의 Al 캐소드 집전체 호일, 10㎛의 Cu 애노드 집전체 호일로 구성될 수 있으며, 또한 이 전기 화학적 전지의 위 아래는 벽 두께가 100㎛인 중합체 파우치로 캡슐화될 수 있다. 이러한 특징은, 전지가 4.2V로 충전될 때 Li 애노드의 총 두께가 약 40㎛로 증가하고, 복합 캐소드의 총 두께가 약 205㎛로 증가한다는 사실을 참작한 후, 완전히 팩키징된 상태에서 약 103Ah/리터의 부피 용량 밀도 및 약 412Wh/리터의 부피 에너지 밀도를 제공한다.
실시예 21: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 실시예 18, 19 및 20에 제시된 에너지 밀도는, 이 실시예들 각각에 기술된 전기 화학적 활성 캐소드 재료(LiCoO2)의 로딩률이 약 40wt%로부터 약 60wt%까지 증가하고, 리튬 전도성 재료(LiCoO2의 밀도와 매우 유사한 밀도를 가지므로, 복합 캐소드 두께가 실질적으로 동일하게 유지되는 Li0.35La0.55TiO3)의 로딩률이 약 40wt%로부터 약 20wt%까지 감소할 때, 각각 약 354Wh/리터, 약 552Wh/리터, 그리고 약 618Wh/리터로 증가한다.
실시예 22: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 실시예 21에 의한 618Wh/리터 전지는 약 5.89mAh를 함유하며, 두께 50㎛인 Li7La3Zr2O12 전해질, 두께 50㎛인 LiySn-활성화된 나노 크기의 Li4Ti5O12 Li-이온 애노드, 10㎛ Al 캐소드 집전체 호일, 10㎛ Cu 애노드 집전체 호일로 구성될 수 있으며, 또한 이 전기 화학적 전지의 위 아래는 벽 두께가 100㎛인 중합체 파우치로 캡슐화될 수 있다. 이러한 배열은, 완전히 팩키징된 상태에서 약 135Ah/리터의 부피 용량 밀도 및약 338Wh/리터의 부피 에너지 밀도를 가진 전지를 제공하며, 반면에 전지가 4.2V로 충전될 때 상기 애노드의 두께가 약 50㎛로 일정하게 유지되고, 복합 캐소드의 총 두께가 약 205㎛에 도달할 수 있다. 그러나, 중간점 전압(midpoint voltage)은 4.0V(실시예 21)에서 약 2.5V로 바뀔 수 있다.
실시예 23: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 복합 캐소드는, LiCoO2 60wt%, Ni 20wt% 및 표면이 화학적으로 변형된 Li0.35La0.55TiO3 20wt%의 혼합물로 이루어지도록 조립될 수 있다. Li0.35La0.55TiO3의 화학적 표면 변형은, 250∼900℃의 온도에서 LiIO4*2H2O, 폴리피롤, Li3N, Ni 또는 탄소를 사용하는 별도의 선행 반응에 의해 이루어질 수 있다. 이후, 상기 혼합물은 치수 0.3㎜×10㎜(직경)인 복합 캐소드 펠릿으로 냉간 압축된 다음, 공기 중 250∼500℃에서 1시간 동안 어닐링될 수 있다. 그 결과 어닐링된 복합 캐소드 펠릿은 전자 전도성이 잘 유지된다(> 10-2S/㎝). 복합 캐소드가 두께 1.5㎛인 라이폰 전해질과 10㎛의 금속 Li 애노드를 포함하는 전기 화학적 풀 셀로 조립될 때, 이 복합 캐소드는 전지에 C/30 4.2∼2.0V 초과의 연속적으로 충전 및 방전 전류를 공급할 수 있다. 화학적 표면 변형은 실질적으로 이온 전도성 재료(Li0.35La0.55TiO3)의 리튬 이온 전도도를, 리튬 이온 입계(입자 내) 전도도 수치(10-7S/㎝)로부터 리튬 이온 입계 전도도 수치(10-4S/㎝에 근사)에 이르기까지, 약 세자릿수까지 증가시킨다.
실시예 24: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 표면이 화학적으로 변형된 LiCoO2 약 80wt% 및 Ni 약 20wt%의 혼합물로 이루어지되, 임의의 이온 전도성 재료, 예를 들어 Li0.35La0.55TiO3는 포함하지 않는 복합 캐소드가 제조될 수 있다. LiCoO2의 화학적 표면 변형은, 250∼900℃의 온도에서 LiIO4*2H2O 또는 폴리피롤을 사용하는 별도의 선행 반응에 의해 이루어질 수 있다. 이후, 상기 혼합물은 치수 0.3㎜×10㎜(직경)인 복합 캐소드 펠릿으로 냉간 압축된 다음, 공기 중 250∼500℃에서 1시간 동안 어닐링될 수 있다. 그 결과 생성된 복합 캐소드 펠릿은 전자 전도성이 잘 유지된다(> 10-2S/㎝). 복합 캐소드가 두께 1.5㎛인 라이폰 전해질과 10㎛의 금속 Li 애노드를 포함하는 전기 화학적 풀 셀로 조립될 때, 이 복합 캐소드는 전지에 연속적으로 충전 및 방전 전류[C/30 4.2∼2.0V 이상]를 공급할 수 있다. 화학적 표면 변형은 실질적으로 전기 화학적 활성 재료(LiCoO2)의 리튬 이온 전도도를, 약 2 * 10-8S/㎝로부터 약 10-4S/㎝에 근사한 수치에 이르기까지, 약 세자릿수까지 증가시킨다. 본 접근법은 전기 화학적 활성 재료일 수 있는 이온 전도성 재료를 가지는 복합 캐소드를 조립 가능하게 하며, 이로써, 전기 화학적 저장 용량이 없는, 별도로 제공된 이온 전도성 재료(예를 들어 Li0.35La0.55TiO3) 불필요하게 한다.
실시예 25: 본 발명의 하나의 구체예에 의하면, 직경 10㎜인 전기 화학적 전지로서, 실시예 24에 의한 복합 캐소드를 이용하는 전지가 제조될 수 있다. 본 실시예의 복합 캐소드는 실제 냉간 압축 밀도가 약 4.43g/ccm일 수 있으며[이 밀도는 이론상 밀도(약 5.54g/ccm)의 80%에 해당함], 두께는 약 350㎛일 수 있다. 이와 같은 복합 캐소드는 전지에 약 13.7mAh의 용량을 제공한다. 이 전지는 두께 1.5㎛인 라이폰 전해질, 두께 10㎛인 금속 Li 애노드, 10㎛의 Al 캐소드 집전체 호일, 10㎛의 Cu 애노드 집전체 호일로 구성될 수 있으며, 또한 이 전기 화학적 전지의 위 아래는 벽 두께가 100㎛인 중합체 파우치로 캡슐화될 수 있다. 이러한 구조는 전지가 4.2V로 충전될 때 Li 애노드의 총 두께가 약 92㎛로 증가하고, 복합 캐소드의 총 두께가 약 355㎛로 증가한다는 사실을 참작한 후, 완전히 팩키징된 상태에서 약 254Ah/리터의 부피 용량 밀도 및 약 1018Wh/리터의 부피 에너지 밀도를 가진 전지를 제공한다. 이와 같은 전기 화학적 전지는 입계 전도도가, 이 전지가 10시간 이하 이내에 4.2~2.0V에서 약 17mAh/㎠으로 연속(및 완전히) 방전될 수 있는 방식으로 개선될 수 있다.
도 1은 휴대 전화 배터리에 사용되는 Li-이온 또는 Li-중합체 배터리(선행 기술)의 횡단면도를 보여준다. 복합 캐소드(110)는 통상적으로 두께가 약 100㎛이며, 4개의 상들로 이루어져 있는데, 이 상들 중 3개는 고체 상이고, 네 번째는 액체 상이다. 전기 화학적 활성 캐소드 재료(111)는 고체 LiCoO2(또는 유도체) 분말일 수 있으며, 전기적 전도성 재료(113)은 흑연질 탄소일 수 있다. 중합체 결합 물질(114), 예를 들어 PVDF는 상기 2개의 고체 상들을 Al 호일 기재(130)에 결합시킨다. 비 수성 액체 전해질(112)은 리튬 염이 용해된 유기 용매로서, 복합 캐소드(110)의 공극들에 침적되어 있다. 측정 부피의 100%를 전해질이 차지하고 있을 때, 액체 전해질(112)의 25℃에서의 리튬 이온 전도도는 높다(10-2∼10-3S/㎝). 액체 전해질(112)은, 전기 화학적 활성 캐소드 재료(111), 전기적 전도성 재료(113) 및 중합체 결합 물질(114)(약간)이 이미 차지하고 있는 체적 요소(volume element)를 제외한, 복합 캐소드 내부의 거의 모든 체적 요소를 차지할 수 있다. 전해질(112)이, 예를 들어 복합 캐소드 부피의 약 30%만을 차지할 수 있으며, 또한 예를 들어 공극 내 진행이 어려운 경로들을 통과함으로써 그의 리튬 전도도를 나타낼 수 있다면, 복합 캐소드(110) 자체의 벌크 전체에 걸친 전반적 유효 리튬 이온 전도도가 약 10-3∼10-4S/㎝일 수 있다(25℃).
도 1은 또한 비 수성 액체 전해질(112)이, 중합체 분리체(120)(두께는 통상적으로 13∼50㎛임) 및 통상의 Li-이온 또는 Li-중합체 애노드(140)에 침적하여 이 분리체를 관통하고 있는 것을 추가로 보여준다. Li-이온 또는 Li-중합체 애노드(140)는 통상적으로 두께가 약 100㎛이며, 전기 화학적 애노드 재료(141)[보통 흑연질 탄소를 통해 제공됨], 중합체 결합 물질(142)[흑연질 탄소에 최적화됨], 그리고 비 수성 액체 전해질(112)로 이루어져 있다. 부가의 전지 부재들, 예를 들어 Cu 애노드 집전체 호일 및 전지 팩키징이 존재하지만, 도 1에는 도시되어 있지 않다.
도 2는 본 발명의 전형적인 구체예들 중 하나를 보여준다. 복합 캐소드(210)는, 예를 들어 다음과 같은 3개 이상의 고체 상들로 이루어져 있을 수 있다[액체 상들은 어떤 것도 존재하지 않음]: (1) 하나 이상의 고체 전기 화학적 활성 캐소드 재료(211), 예를 들어 LiCoO2; (2) 하나 이상의 고체 전기적 전도성 재료(213), 예를 들어 Ni[이것의 전자 전도도는, 상기 전기 화학적 활성 캐소드 재료(211)가 초충전 전의 전자 전도도보다 3배 이상 클 수 있음]; 및 (3) 하나 이상의 고체 무기 이온 전도성 재료(212), 예를 들어 Li0.35La0.55TiO3[이것의 이온 전도도는, 전기 화학적 활성 캐소드 재료(211)가 초충전 전의 이온 전도도보다 3배 이상 클 수 있음].
본 발명의 임의의 구체예에 의한 복합 캐소드(210)는, 액체 비 수성 전해질이 침적할 공극들을 전혀 필요로 하지 않으므로, 더욱 조밀한 형태(예를 들어 통상의 잔류 공극도 = 20% 미만)로 조립될 수 있으며, 더 높은 온도에서 어닐링되면 입계 결합이 개선될 수 있다. 본 발명의 임의의 구체예에 의한 복합 캐소드(210)는, 두께가 증가하고(예를 들어 100∼1000㎛) 기계적 특성이 개선되는 양태로 쉽게 조립될 수 있다. 본 발명의 임의의 구체예에 있어서, 복합 캐소드(210)는 강도가 충분할 수 있으므로, 자체의 기재 또는, 예를 들어 두께 1.5㎛인 고체 박막 전해질(220) 및 박막 금속 리튬 애노드(240)와 같은 기타 전지 부재용 기재로서 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 대안인 구체예를 보여준다. 복합 캐소드(310)는 다음과 같은 2개 이상의 고체 상으로 이루어져 있을 수 있다[액체 상들은 어떤 것도 존재하지 않음]: (1) 하나 이상의 고체 전기 화학적 활성 캐소드 재료(311), 예를 들어 표면이 변형된 LiCoO2로서, 리튬 이온 입계 전도도가 상당 수준 증강된 것; 그리고 (2) 하나 이상의 고체 전기적 전도성 재료(313), 예를 들어 Ni[이것의 전자 전도도는, 상기 전기 화학적 활성 캐소드 재료(311)가 초충전 전의 전자 전도도보다 3배 이상 클 수 있음]. 표면이 변형된 LiCoO2의 리튬 이온 입계 전도도를 상당 수준 증강시키면, 별도의 고체 무기 이온 전도성 재료, 예를 들어 도 2의 소자(212)를 필요로 하지 않을 수 있다.
본 발명의 임의의 구체예에 의한 복합 애노드(310)는, 액체 비 수성 전해질이 침적할 공극들을 전혀 필요로 하지 않으므로, 더욱 조밀한 형태(예를 들어 통상의 잔류 공극도 = 20% 미만)로 조립될 수 있으며, 더 높은 온도에서 어닐링되면 입계 결합이 개선될 수 있다. 본 발명의 임의의 구체예에 의한 복합 캐소드(310)는, 두께가 증가하고(예를 들어 100∼1000㎛) 기계적 특성이 개선되는 양태로 쉽게 조립될 수 있다. 대부분의 경우, 본 발명의 임의의 구체예에 의한 복합 캐소드(310)는 강도가 충분할 수 있으므로, 자체의 기재 또는, 예를 들어 두께 1.5㎛인 고체 박막 전해질(320) 및 박막 금속 리튬 애노드(340)와 같은 기타 전지 부재용 기재로서 사용될 수 있다.
전술된 구체예와 실시예는 오로지 예시를 위한 것이다. 당 업자는, 본원에 구체적으로 기술된 구체예의 변형 예로서, 본원에 개시된 사항과 본 발명의 범위 내에 포함되는 것을 알 수 있을 것이다. 그러므로, 본 발명은 오로지 이하 청구항들에 의해서만 제한된다. 그러므로, 본 발명은, 본 발명의 개질 예도 포함하되, 다만 이와 같은 개질 예는 첨부된 특허 청구의 범위와 이의 균등 범위 내에 포함되는 것으로 간주하여야 할 것이다.

Claims (37)

  1. 재충전가능한 전기 화학 장치로서,
    고체 복합 캐소드;
    네거티브 애노드; 및
    상기 고체 복합 캐소드와 상기 네거티브 애노드 사이에 샌드위치된 고체 전해질을 포함하고,
    상기 고체 복합 캐소드는
    이온 전도도 및 전기 전도도를 갖는 고체 리튬 기반 재료의 전기 화학적 활성 재료; 및
    상기 전기 화학적 활성 재료의 상기 이온 전도도보다 큰 이온 전도도를 갖는 고체 리튬 기반 화합물의 이온 전도성 재료
    를 포함하고,
    상기 고체 복합 캐소드는 액체를 포함하지 않고 겔상 부재를 포함하지 않으며,
    상기 전기 화학적 활성 재료 및 상기 이온 전도성 재료는 LiCoO2이고, 벌크 LiCoO2가 상기 전기 화학적 활성 재료이며, 상기 LiCoO2의 화학적 또는 기계적으로 변형된 표면은 상기 이온 전도성 재료인, 재충전가능한 전기 화학 장치.
KR1020137000350A2010-06-072011-06-07재충전 가능한 고밀도 전기 화학 장치ActiveKR101930561B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
US35208210P2010-06-072010-06-07
US61/352,0822010-06-07
PCT/US2011/039467WO2011156392A1 (en)2010-06-072011-06-07Rechargeable, high-density electrochemical device

Publications (2)

Publication NumberPublication Date
KR20130119411A KR20130119411A (ko)2013-10-31
KR101930561B1true KR101930561B1 (ko)2018-12-18

Family

ID=45064714

Family Applications (1)

Application NumberTitlePriority DateFiling Date
KR1020137000350AActiveKR101930561B1 (ko)2010-06-072011-06-07재충전 가능한 고밀도 전기 화학 장치

Country Status (6)

CountryLink
US (2)US20110300432A1 (ko)
EP (1)EP2577777B1 (ko)
JP (3)JP2013528912A (ko)
KR (1)KR101930561B1 (ko)
CN (1)CN102947976B (ko)
WO (1)WO2011156392A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
CN104321914B (zh)*2012-03-012019-08-13约翰逊Ip控股有限责任公司高容量固态复合正极、固态复合隔膜、固态可充电锂电池及其制造方法
US9793525B2 (en)2012-10-092017-10-17Johnson Battery Technologies, Inc.Solid-state battery electrodes
DE102012224377A1 (de)2012-12-272014-07-03Robert Bosch GmbhVerfahren zum Herstellen eines galvanischen Elements und galvanisches Element
JP6299251B2 (ja)*2014-02-102018-03-28セイコーエプソン株式会社電極複合体の製造方法、電極複合体および電池
US9627709B2 (en)*2014-10-152017-04-18Sakti3, Inc.Amorphous cathode material for battery device
DE102014226396A1 (de)*2014-12-182016-06-23Bayerische Motoren Werke AktiengesellschaftKompositkathode und diese umfassende Lithiumionenbatterie sowie Verfahren zur Herstellung der Kompositkathode
CN108604665B (zh)2015-12-212022-04-22约翰逊Ip控股有限公司固态电池、隔板、电极和制造方法
TWI575802B (zh)*2015-12-222017-03-21財團法人工業技術研究院鋰正極材料與鋰電池
US10218044B2 (en)2016-01-222019-02-26Johnson Ip Holding, LlcJohnson lithium oxygen electrochemical engine
WO2018006025A1 (en)*2016-06-302018-01-04Wildcat Discovery Technologies, Inc.Electrode compositions for solid-state batteries
US10734676B2 (en)2016-06-302020-08-04Wildcat Discovery Technologies, IncSolid electrolyte compositions
WO2018098176A1 (en)2016-11-232018-05-31Wildcat Discovery Technologies, Inc.Solid electrolyte compositions for electrochemical cells
WO2018193630A1 (ja)*2017-04-212018-10-25日立化成株式会社電気化学デバイス用電極及び電気化学デバイス
US11993710B2 (en)2017-06-302024-05-28Wildcat Discovery Technologies, Inc.Composite solid state electrolyte and lithium ion battery containing the same
KR102238829B1 (ko)*2018-02-072021-04-09주식회사 엘지화학리튬 금속 이차전지 및 이를 포함하는 전지모듈
US11108035B2 (en)*2019-01-082021-08-31Samsung Electronics Co., Ltd.Solid-state positive electrode, method of manufacture thereof, and battery including the electrode
KR102660233B1 (ko)*2019-02-202024-04-23유미코아충전식 리튬 이온 고체 전지용 분말상 고체 전해질 화합물
CN111896428A (zh)*2020-08-102020-11-06南京工业大学砂浆和混凝土中硫酸根离子扩散系数测定装置及方法
CN112103463B (zh)*2020-09-142022-03-29珠海冠宇动力电池有限公司一种负极极片及包括该负极极片的锂离子电池

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JP2000340257A (ja)*1998-12-032000-12-08Sumitomo Electric Ind Ltdリチウム二次電池
JP2001015162A (ja)*1999-06-292001-01-19Sony Corp固体電解質電池
JP2008270137A (ja)2007-03-232008-11-06Toyota Motor Corp合材層およびその製造方法ならびに固体電池およびその製造方法

Family Cites Families (773)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US712316A (en)1899-10-261902-10-28Francois LoppeElectric accumulator.
US3309302A (en)1963-10-071967-03-14Varian AssociatesMethod of preparing an electron tube including sputtering a suboxide of titanium on dielectric components thereof
US3616403A (en)1968-10-251971-10-26IbmPrevention of inversion of p-type semiconductor material during rf sputtering of quartz
US3790432A (en)1971-12-301974-02-05NasaReinforced polyquinoxaline gasket and method of preparing the same
US3797091A (en)1972-05-151974-03-19Du PontTerminal applicator
US3850604A (en)1972-12-111974-11-26Gte Laboratories IncPreparation of chalcogenide glass sputtering targets
US4111523A (en)1973-07-231978-09-05Bell Telephone Laboratories, IncorporatedThin film optical waveguide
US3939008A (en)1975-02-101976-02-17Exxon Research And Engineering CompanyUse of perovskites and perovskite-related compounds as battery cathodes
US4127424A (en)1976-12-061978-11-28Ses, IncorporatedPhotovoltaic cell array
US4082569A (en)1977-02-221978-04-04The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space AdministrationSolar cell collector
JPS559305A (en)1978-07-041980-01-23Asahi Chem Ind Co LtdThin metal-layer-halogen-type cell
DE2849294C3 (de)1977-11-221982-03-04Asahi Kasei Kogyo K.K., OsakaDünne Metall-Halogen-Zelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
IE49121B1 (en)1978-12-111985-08-07Triplex Safety Glass CoProducing glass sheets of required curved shape
US4318938A (en)1979-05-291982-03-09The University Of DelawareMethod for the continuous manufacture of thin film solar cells
JPS5676060A (en)1979-11-271981-06-23Mitsubishi Electric CorpElectric field strength detector
JPS56156675A (en)1980-04-121981-12-03Toshiba CorpSolid battery
US4395713A (en)1980-05-061983-07-26Antenna, IncorporatedTransit antenna
US4442144A (en)1980-11-171984-04-10International Business Machines CorporationMethod for forming a coating on a substrate
US4467236A (en)1981-01-051984-08-21Piezo Electric Products, Inc.Piezoelectric acousto-electric generator
US4328297A (en)1981-03-271982-05-04Yardngy Electric CorporationElectrode
US5055704A (en)1984-07-231991-10-08Sgs-Thomson Microelectronics, Inc.Integrated circuit package with battery housing
US4756717A (en)1981-08-241988-07-12Polaroid CorporationLaminar batteries and methods of making the same
US4664993A (en)1981-08-241987-05-12Polaroid CorporationLaminar batteries and methods of making the same
JPS58216476A (ja)1982-06-111983-12-16Hitachi Ltd光発電蓄電装置
JPS5950027A (ja)1982-09-131984-03-22Hitachi Ltd二硫化チタン薄膜およびその形成法
US4518661A (en)1982-09-281985-05-21Rippere Ralph EConsolidation of wires by chemical deposition and products resulting therefrom
US4437966A (en)1982-09-301984-03-20Gte Products CorporationSputtering cathode apparatus
JPS59217964A (ja)1983-05-261984-12-08Hitachi Ltd薄膜電池の正極構造
JPS59227090A (ja)1983-06-061984-12-20Hitachi Ltd不揮発性メモリ装置
DE3345659A1 (de)1983-06-161984-12-20Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 GöttingenKeramikkoerper aus zirkoniumdioxid (zro(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)) und verfahren zu seiner herstellung
JPS6068558A (ja)1983-09-261985-04-19Hitachi Ltd全固体薄膜リチウム電池
EP0140638B1 (en)1983-10-171988-06-29Tosoh CorporationHigh-strength zirconia type sintered body and process for preparation thereof
DE3417732A1 (de)1984-05-121986-07-10Leybold-Heraeus GmbH, 5000 KölnVerfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens
GB8414878D0 (en)1984-06-111984-07-18Gen Electric Co PlcIntegrated optical waveguides
JPH06101335B2 (ja)1984-11-261994-12-12株式会社日立製作所全固体リチウム電池
US4785459A (en)1985-05-011988-11-15Baer Thomas MHigh efficiency mode matched solid state laser with transverse pumping
JPS61269072A (ja)1985-05-231986-11-28Nippon Denki Sanei Kk圧電式加速度センサ−
US4710940A (en)1985-10-011987-12-01California Institute Of TechnologyMethod and apparatus for efficient operation of optically pumped laser
US5173271A (en)1985-12-041992-12-22Massachusetts Institute Of TechnologyEnhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US5296089A (en)1985-12-041994-03-22Massachusetts Institute Of TechnologyEnhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US4964877A (en)1986-01-141990-10-23Wilson Greatbatch Ltd.Non-aqueous lithium battery
JPS62267944A (ja)1986-05-161987-11-20Hitachi Ltd磁気記録媒体
US4668593A (en)1986-08-291987-05-26Eltron Research, Inc.Solvated electron lithium electrode for high energy density battery
US4977007A (en)1986-09-191990-12-11Matsushita Electrical Indust. Co.Solid electrochemical element and production process therefor
US4740431A (en)1986-12-221988-04-26Spice CorporationIntegrated solar cell and battery
JPS63290922A (ja)1987-05-221988-11-28Matsushita Electric Works Ltd体重計
US4728588A (en)1987-06-011988-03-01The Dow Chemical CompanySecondary battery
US4865428A (en)1987-08-211989-09-12Corrigan Dennis AElectrooptical device
JP2692816B2 (ja)1987-11-131997-12-17株式会社きもと薄型一次電池
US4826743A (en)1987-12-161989-05-02General Motors CorporationSolid-state lithium battery
US4878094A (en)1988-03-301989-10-31Minko BalkanskiSelf-powered electronic component and manufacturing method therefor
US4915810A (en)1988-04-251990-04-10Unisys CorporationTarget source for ion beam sputter deposition
US4903326A (en)1988-04-271990-02-20Motorola, Inc.Detachable battery pack with a built-in broadband antenna
US5096852A (en)1988-06-021992-03-17Burr-Brown CorporationMethod of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
DE3821207A1 (de)1988-06-231989-12-28Leybold AgAnordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
US5403680A (en)1988-08-301995-04-04Osaka Gas Company, Ltd.Photolithographic and electron beam lithographic fabrication of micron and submicron three-dimensional arrays of electronically conductive polymers
FR2638764B1 (fr)1988-11-041993-05-07Centre Nat Rech ScientElement composite comportant une couche en chalcogenure ou oxychalcogenure de titane, utilisable en particulier comme electrode positive dans une cellule electrochimique en couches minces
JPH02133599A (ja)1988-11-111990-05-22Agency Of Ind Science & Technol酸化イリジウム膜の製造方法
US4985317A (en)1988-11-301991-01-15Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.Lithium ion-conductive solid electrolyte containing lithium titanium phosphate
JPH02230662A (ja)1989-03-031990-09-13Tonen Corpリチウム電池
US5006737A (en)1989-04-241991-04-09Motorola Inc.Transformerless semiconductor AC switch having internal biasing means
US5100821A (en)1989-04-241992-03-31Motorola, Inc.Semiconductor AC switch
US5540742A (en)1989-05-011996-07-30Brother Kogyo Kabushiki KaishaMethod of fabricating thin film cells and printed circuit boards containing thin film cells using a screen printing process
JP2808660B2 (ja)1989-05-011998-10-08ブラザー工業株式会社薄膜電池内蔵プリント基板の製造方法
US5217828A (en)1989-05-011993-06-08Brother Kogyo Kabushiki KaishaFlexible thin film cell including packaging material
JP2690363B2 (ja)1989-06-301997-12-10株式会社テック直流電源装置及びその直流電源装置を使用した放電灯点灯装置
US5221891A (en)1989-07-311993-06-22Intermatic IncorporatedControl circuit for a solar-powered rechargeable power source and load
US5119269A (en)1989-08-231992-06-02Seiko Epson CorporationSemiconductor with a battery unit
US5223457A (en)1989-10-031993-06-29Applied Materials, Inc.High-frequency semiconductor wafer processing method using a negative self-bias
US5792550A (en)1989-10-241998-08-11Flex Products, Inc.Barrier film having high colorless transparency and method
JP2758948B2 (ja)1989-12-151998-05-28キヤノン株式会社薄膜形成方法
DE4022090A1 (de)1989-12-181991-06-20Forschungszentrum Juelich GmbhElektro-optisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US5124782A (en)1990-01-261992-06-23Sgs-Thomson Microelectronics, Inc.Integrated circuit package with molded cell
US5196374A (en)1990-01-261993-03-23Sgs-Thomson Microelectronics, Inc.Integrated circuit package with molded cell
US5252194A (en)1990-01-261993-10-12Varian Associates, Inc.Rotating sputtering apparatus for selected erosion
US5169408A (en)1990-01-261992-12-08Fsi International, Inc.Apparatus for wafer processing with in situ rinse
US5085904A (en)1990-04-201992-02-04E. I. Du Pont De Nemours And CompanyBarrier materials useful for packaging
US5306569A (en)1990-06-151994-04-26Hitachi Metals, Ltd.Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof
JP2642223B2 (ja)1990-06-251997-08-20シャープ株式会社電池用電極とその製造方法
JP2755471B2 (ja)1990-06-291998-05-20日立電線株式会社希土類元素添加光導波路及びその製造方法
JP2984035B2 (ja)1990-07-111999-11-29株式会社フジクラ溶射薄膜形成面の温度管理方法
US5645626A (en)1990-08-101997-07-08Bend Research, Inc.Composite hydrogen separation element and module
US5225288A (en)1990-08-101993-07-06E. I. Du Pont De Nemours And CompanySolvent blockers and multilayer barrier coatings for thin films
US5147985A (en)1990-08-141992-09-15The Scabbard CorporationSheet batteries as substrate for electronic circuit
US5110694A (en)1990-10-111992-05-05The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space AdministrationSecondary Li battery incorporating 12-Crown-4 ether
US5110696A (en)1990-11-091992-05-05Bell Communications ResearchRechargeable lithiated thin film intercalation electrode battery
US5273608A (en)1990-11-291993-12-28United Solar Systems CorporationMethod of encapsulating a photovoltaic device
US5493177A (en)1990-12-031996-02-20The Regents Of The University Of CaliforniaSealed micromachined vacuum and gas filled devices
US5057385A (en)1990-12-141991-10-15Hope Henry FBattery packaging construction
NL9002844A (nl)1990-12-211992-07-16Philips NvSysteem omvattende een apparaat en een cassette, alsmede een apparaat en een cassette geschikt voor toepassing in een dergelijk systeem.
CA2056139C (en)1991-01-312000-08-01John C. BaileyElectrochromic thin film state-of-charge detector for on-the-cell application
US5227264A (en)1991-02-141993-07-13Hydro-QuebecDevice for packaging a lithium battery
US6110531A (en)1991-02-252000-08-29Symetrix CorporationMethod and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition
US5180645A (en)1991-03-011993-01-19Motorola, Inc.Integral solid state embedded power supply
US5119460A (en)1991-04-251992-06-02At&T Bell LaboratoriesErbium-doped planar optical device
US5200029A (en)1991-04-251993-04-06At&T Bell LaboratoriesMethod of making a planar optical amplifier
US5107538A (en)1991-06-061992-04-21At&T Bell LaboratoriesOptical waveguide system comprising a rare-earth Si-based optical device
US5208121A (en)1991-06-181993-05-04Wisconsin Alumni Research FoundationBattery utilizing ceramic membranes
US5153710A (en)1991-07-261992-10-06Sgs-Thomson Microelectronics, Inc.Integrated circuit package with laminated backup cell
US5187564A (en)1991-07-261993-02-16Sgs-Thomson Microelectronics, Inc.Application of laminated interconnect media between a laminated power source and semiconductor devices
US5171413A (en)1991-09-161992-12-15Tufts UniversityMethods for manufacturing solid state ionic devices
US5196041A (en)1991-09-171993-03-23The Charles Stark Draper Laboratory, Inc.Method of forming an optical channel waveguide by gettering
US5355089A (en)1992-07-221994-10-11Duracell Inc.Moisture barrier for battery with electrochemical tester
JP2755844B2 (ja)1991-09-301998-05-25シャープ株式会社プラスチック基板液晶表示素子
US5702829A (en)1991-10-141997-12-30Commissariat A L'energie AtomiqueMultilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material
DE69218587T2 (de)1991-12-061997-08-14Yuasa Battery Co LtdDünne batterie und monolitische dünne batterie
ES2103030T3 (es)1991-12-111997-08-16Mobil Oil CorpPelicula de barrera de alta calidad.
US5287427A (en)1992-05-051994-02-15At&T Bell LaboratoriesMethod of making an article comprising an optical component, and article comprising the component
US5497140A (en)1992-08-121996-03-05Micron Technology, Inc.Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication
US6144916A (en)1992-05-152000-11-07Micron Communications, Inc.Itinerary monitoring system for storing a plurality of itinerary data points
SE9201585L (sv)1992-05-191993-11-01Gustavsson Magnus Peter MElektriskt uppvärmt plagg eller liknande
DE4345610B4 (de)1992-06-172013-01-03Micron Technology Inc.Verfahren zur Herstellung einer Hochfrequenz-Identifikationseinrichtung (HFID)
US5326652A (en)1993-01-251994-07-05Micron Semiconductor, Inc.Battery package and method using flexible polymer films having a deposited layer of an inorganic material
US5776278A (en)1992-06-171998-07-07Micron Communications, Inc.Method of manufacturing an enclosed transceiver
US5779839A (en)1992-06-171998-07-14Micron Communications, Inc.Method of manufacturing an enclosed transceiver
US6741178B1 (en)1992-06-172004-05-25Micron Technology, IncElectrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication
US6045652A (en)1992-06-172000-04-04Micron Communications, Inc.Method of manufacturing an enclosed transceiver
JP3558655B2 (ja)1992-06-282004-08-25株式会社アルバックマグネトロンスパッタ装置
US5338625A (en)1992-07-291994-08-16Martin Marietta Energy Systems, Inc.Thin film battery and method for making same
US7158031B2 (en)1992-08-122007-01-02Micron Technology, Inc.Thin, flexible, RFID label and system for use
JP3214910B2 (ja)1992-08-182001-10-02富士通株式会社平面導波路型光増幅器の製造方法
JPH06100333A (ja)1992-09-161994-04-12Kobe Steel Ltd金属イオン注入表面改質ガラス
US5538796A (en)1992-10-131996-07-23General Electric CompanyThermal barrier coating system having no bond coat
US5597661A (en)1992-10-231997-01-28Showa Denko K.K.Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
JP3231900B2 (ja)1992-10-282001-11-26株式会社アルバック成膜装置
US5326653A (en)1992-10-291994-07-05Valence Technology, Inc.Battery unit with reinforced current collector tabs and method of making a battery unit having strengthened current collector tabs
US5942089A (en)1996-04-221999-08-24Northwestern UniversityMethod for sputtering compounds on a substrate
JP3214107B2 (ja)1992-11-092001-10-02富士電機株式会社電池搭載集積回路装置
JPH06158308A (ja)1992-11-241994-06-07Hitachi Metals Ltdインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
US5279624A (en)1992-11-271994-01-18Gould Inc.Solder sealed solid electrolyte cell housed within a ceramic frame and the method for producing it
US5307240A (en)1992-12-021994-04-26Intel CorporationChiplid, multichip semiconductor package design concept
US6022458A (en)1992-12-072000-02-08Canon Kabushiki KaishaMethod of production of a semiconductor substrate
AU669754B2 (en)1992-12-181996-06-20Becton Dickinson & CompanyBarrier coating
US5303319A (en)1992-12-281994-04-12Honeywell Inc.Ion-beam deposited multilayer waveguides and resonators
SE500725C2 (sv)1992-12-291994-08-15Volvo AbAnordning vid paneler för farkoster
US5427669A (en)1992-12-301995-06-27Advanced Energy Industries, Inc.Thin film DC plasma processing system
US5718813A (en)1992-12-301998-02-17Advanced Energy Industries, Inc.Enhanced reactive DC sputtering system
US5547780A (en)1993-01-181996-08-20Yuasa CorporationBattery precursor and a battery
US5300461A (en)1993-01-251994-04-05Intel CorporationProcess for fabricating sealed semiconductor chip using silicon nitride passivation film
US5338624A (en)1993-02-081994-08-16Globe-Union Inc.Thermal management of rechargeable batteries
JPH06279185A (ja)1993-03-251994-10-04Canon Incダイヤモンド結晶およびダイヤモンド結晶膜の形成方法
US5262254A (en)1993-03-301993-11-16Valence Technology, Inc.Positive electrode for rechargeable lithium batteries
US5302474A (en)*1993-04-021994-04-12Valence Technology, Inc.Fullerene-containing cathodes for solid electrochemical cells
US5613995A (en)1993-04-231997-03-25Lucent Technologies Inc.Method for making planar optical waveguides
US5665490A (en)1993-06-031997-09-09Showa Denko K.K.Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
US5464692A (en)1993-06-171995-11-07Quality Manufacturing IncorporatedFlexible masking tape
SG46607A1 (en)1993-07-281998-02-20Asahi Glass Co LtdMethod of an apparatus for sputtering
US5499207A (en)1993-08-061996-03-12Hitachi, Ltd.Semiconductor memory device having improved isolation between electrodes, and process for fabricating the same
US5360686A (en)1993-08-201994-11-01The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space AdministrationThin composite solid electrolyte film for lithium batteries
US5599355A (en)1993-08-201997-02-04Nagasubramanian; GanesanMethod for forming thin composite solid electrolyte film for lithium batteries
JP2642849B2 (ja)1993-08-241997-08-20株式会社フロンテック薄膜の製造方法および製造装置
US5478456A (en)1993-10-011995-12-26Minnesota Mining And Manufacturing CompanySputtering target
EP0652308B1 (en)1993-10-142002-03-27Neuralsystems CorporationMethod of and apparatus for forming single-crystalline thin film
US5314765A (en)1993-10-141994-05-24Martin Marietta Energy Systems, Inc.Protective lithium ion conducting ceramic coating for lithium metal anodes and associate method
US5411537A (en)1993-10-291995-05-02Intermedics, Inc.Rechargeable biomedical battery powered devices with recharging and control system therefor
US5445856A (en)1993-11-101995-08-29Chaloner-Gill; BenjaminProtective multilayer laminate for covering an electrochemical device
US5512387A (en)1993-11-191996-04-30Ovonic Battery Company, Inc.Thin-film, solid state battery employing an electrically insulating, ion conducting electrolyte material
US5738731A (en)1993-11-191998-04-14Mega Chips CorporationPhotovoltaic device
US5985485A (en)1993-11-191999-11-16Ovshinsky; Stanford R.Solid state battery having a disordered hydrogenated carbon negative electrode
US5487822A (en)1993-11-241996-01-30Applied Materials, Inc.Integrated sputtering target assembly
US5433835B1 (en)1993-11-241997-05-20Applied Materials IncSputtering device and target with cover to hold cooling fluid
US5387482A (en)1993-11-261995-02-07Motorola, Inc.Multilayered electrolyte and electrochemical cells used same
US5654984A (en)1993-12-031997-08-05Silicon Systems, Inc.Signal modulation across capacitors
US5419982A (en)1993-12-061995-05-30Valence Technology, Inc.Corner tab termination for flat-cell batteries
US6242128B1 (en)1993-12-062001-06-05Valence Technology, Inc.Fastener system of tab bussing for batteries
US5569520A (en)1994-01-121996-10-29Martin Marietta Energy Systems, Inc.Rechargeable lithium battery for use in applications requiring a low to high power output
JPH07224379A (ja)1994-02-141995-08-22Ulvac Japan Ltdスパッタ方法およびそのスパッタ装置
US5961672A (en)1994-02-161999-10-05Moltech CorporationStabilized anode for lithium-polymer batteries
JP3836163B2 (ja)1994-02-222006-10-18旭硝子セラミックス株式会社高屈折率膜の形成方法
US5561004A (en)1994-02-251996-10-01Bates; John B.Packaging material for thin film lithium batteries
US5464706A (en)1994-03-021995-11-07Dasgupta; SankarCurrent collector for lithium ion battery
US6408402B1 (en)1994-03-222002-06-18Hyperchip Inc.Efficient direct replacement cell fault tolerant architecture
US5475528A (en)1994-03-251995-12-12Corning IncorporatedOptical signal amplifier glasses
US5470396A (en)1994-04-121995-11-28Amoco CorporationSolar cell module package and method for its preparation
US5805223A (en)1994-05-251998-09-08Canon KkImage encoding apparatus having an intrapicture encoding mode and interpicture encoding mode
US5411592A (en)1994-06-061995-05-02Ovonic Battery Company, Inc.Apparatus for deposition of thin-film, solid state batteries
KR100186895B1 (ko)1994-06-131999-04-15고다 시게노리유리박막으로된 탄산가스센서
US5472795A (en)1994-06-271995-12-05Board Of Regents Of The University Of The University Of Wisconsin System, On Behalf Of The University Of Wisconsin-MilwaukeeMultilayer nanolaminates containing polycrystalline zirconia
US5457569A (en)1994-06-301995-10-10At&T Ipm Corp.Semiconductor amplifier or laser having integrated lens
WO1996000996A1 (en)1994-06-301996-01-11The Whitaker CorporationPlanar hybrid optical amplifier
JP3407409B2 (ja)1994-07-272003-05-19富士通株式会社高誘電率薄膜の製造方法
US5504041A (en)1994-08-011996-04-02Texas Instruments IncorporatedConductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US6181283B1 (en)1994-08-012001-01-30Rangestar Wireless, Inc.Selectively removable combination battery and antenna assembly for a telecommunication device
US5445906A (en)1994-08-031995-08-29Martin Marietta Energy Systems, Inc.Method and system for constructing a rechargeable battery and battery structures formed with the method
US5458995A (en)1994-08-121995-10-17The United States Of America As Represented By The Secretary Of The ArmySolid state electrochemical cell including lithium iodide as an electrolyte additive
US5483613A (en)1994-08-161996-01-09At&T Corp.Optical device with substrate and waveguide structure having thermal matching interfaces
US5909346A (en)1994-08-261999-06-01Aiwa Research & Development, Inc.Thin magnetic film including multiple geometry gap structures on a common substrate
JP3042333B2 (ja)1994-10-182000-05-15オムロン株式会社電気信号変位変換装置、当該変換装置を用いた機器、および当該変換装置を用いた流体搬送装置の駆動方法
US5437692A (en)1994-11-021995-08-01Dasgupta; SankarMethod for forming an electrode-electrolyte assembly
US5498489A (en)1995-04-141996-03-12Dasgupta; SankarRechargeable non-aqueous lithium battery having stacked electrochemical cells
JPH08148709A (ja)1994-11-151996-06-07Mitsubishi Electric Corp薄型太陽電池の製造方法及び薄型太陽電池の製造装置
US7162392B2 (en)1994-11-212007-01-09Phatrat Technology, Inc.Sport performance systems for measuring athletic performance, and associated methods
US6025094A (en)1994-11-232000-02-15Polyplus Battery Company, Inc.Protective coatings for negative electrodes
US6204111B1 (en)1994-12-282001-03-20Matsushita Electronics CorporationFabrication method of capacitor for integrated circuit
CN1075243C (zh)1994-12-282001-11-21松下电器产业株式会社集成电路用电容元件及其制造方法
US5555342A (en)1995-01-171996-09-10Lucent Technologies Inc.Planar waveguide and a process for its fabrication
US5607789A (en)1995-01-231997-03-04Duracell Inc.Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same
JP3804974B2 (ja)1995-01-252006-08-02アプライド コマツ テクノロジー株式会社スパッタリングターゲット組立体のオートクレーブボンディング
US5755831A (en)1995-02-221998-05-26Micron Communications, Inc.Method of forming a button-type battery and a button-type battery with improved separator construction
US6444750B1 (en)1995-03-062002-09-03Exxonmobil Oil Corp.PVOH-based coating solutions
US5612153A (en)1995-04-131997-03-18Valence Technology, Inc.Battery mask from radiation curable and thermoplastic materials
EP0822996B1 (en)1995-04-252003-07-02VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GmbHSputtering system using cylindrical rotating magnetron electrically powered using alternating current
US5771562A (en)1995-05-021998-06-30Motorola, Inc.Passivation of organic devices
WO1996036746A1 (fr)1995-05-181996-11-21Asahi Glass Company Ltd.Procede de production d'une cible de pulverisation
US5645960A (en)1995-05-191997-07-08The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air ForceThin film lithium polymer battery
US5601952A (en)1995-05-241997-02-11Dasgupta; SankarLithium-Manganese oxide electrode for a rechargeable lithium battery
US5758575A (en)1995-06-071998-06-02Bemis Company Inc.Apparatus for printing an electrical circuit component with print cells in liquid communication
US5625202A (en)1995-06-081997-04-29University Of Central FloridaModified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
US6265652B1 (en)1995-06-152001-07-24Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kabushiki KaishaIntegrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same
KR100342189B1 (ko)1995-07-122002-11-30삼성전자 주식회사휘발성복합체를사용한희토류원소첨가광섬유제조방법
US6639578B1 (en)1995-07-202003-10-28E Ink CorporationFlexible displays
US6118426A (en)1995-07-202000-09-12E Ink CorporationTransducers and indicators having printed displays
US6459418B1 (en)1995-07-202002-10-01E Ink CorporationDisplays combining active and non-active inks
US5677784A (en)1995-07-241997-10-14Ellis D. Harris Sr. Family TrustArray of pellicle optical gates
EP0761838B1 (de)1995-08-182001-08-08W.C. Heraeus GmbH & Co. KGTarget für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets
US5563979A (en)1995-08-311996-10-08Lucent Technologies Inc.Erbium-doped planar optical device
US5582935A (en)1995-09-281996-12-10Dasgupta; SankarComposite electrode for a lithium battery
US5689522A (en)1995-10-021997-11-18The Regents Of The University Of CaliforniaHigh efficiency 2 micrometer laser utilizing wing-pumped Tm3+ and a laser diode array end-pumping architecture
US5716736A (en)1995-10-061998-02-10Midwest Research InstituteSolid lithium-ion electrolyte
US5616933A (en)1995-10-161997-04-01Sony CorporationNitride encapsulated thin film transistor fabrication technique
US5719976A (en)1995-10-241998-02-17Lucent Technologies, Inc.Optimized waveguide structure
JP3298799B2 (ja)1995-11-222002-07-08ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッドクラッディングポンプファイバとその製造方法
US5811177A (en)1995-11-301998-09-22Motorola, Inc.Passivation of electroluminescent organic devices
US5686360A (en)1995-11-301997-11-11MotorolaPassivation of organic devices
US6608464B1 (en)1995-12-112003-08-19The Johns Hopkins UniversityIntegrated power source layered with thin film rechargeable batteries, charger, and charge-control
US5644207A (en)1995-12-111997-07-01The Johns Hopkins UniversityIntegrated power source
US5897522A (en)1995-12-201999-04-27Power Paper Ltd.Flexible thin layer open electrochemical cell and applications of same
GB9601236D0 (en)1996-01-221996-03-20Atraverda LtdConductive coating
US5955161A (en)1996-01-301999-09-21Becton Dickinson And CompanyBlood collection tube assembly
US5637418A (en)1996-02-081997-06-10Motorola, Inc.Package for a flat electrochemical device
US5721067A (en)1996-02-221998-02-24Jacobs; James K.Rechargeable lithium battery having improved reversible capacity
US5845990A (en)1996-03-111998-12-08Hilite Systems, L.L.C.High signal lights for automotive vehicles
DE19609647A1 (de)1996-03-121997-09-18Univ SheffieldHartstoffschicht
WO1997035044A1 (en)1996-03-221997-09-25Materials Research CorporationMethod and apparatus for rf diode sputtering
US5930584A (en)1996-04-101999-07-27United Microelectronics Corp.Process for fabricating low leakage current electrode for LPCVD titanium oxide films
JPH1010675A (ja)1996-04-221998-01-16Fuji Photo Film Co Ltd記録材料
JP3346167B2 (ja)1996-05-272002-11-18三菱マテリアル株式会社高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法並びに膜
WO1997047695A1 (en)1996-06-121997-12-18Hoechst Trespaphan GmbhTransparent barrier coatings exhibiting reduced thin film interference
US5948464A (en)1996-06-191999-09-07Imra America, Inc.Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
EP0814529A1 (fr)1996-06-191997-12-29Koninklijke Philips Electronics N.V.Carte mince comprenant un accumulateur plat et des contacts
US5731661A (en)1996-07-151998-03-24Motorola, Inc.Passivation of electroluminescent organic devices
US5855744A (en)1996-07-191999-01-05Applied Komatsu Technology, Inc.Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering
US5693956A (en)1996-07-291997-12-02MotorolaInverted oleds on hard plastic substrate
JP3825843B2 (ja)1996-09-122006-09-27キヤノン株式会社太陽電池モジュール
CA2267319A1 (en)1996-10-111998-04-23Massachusetts Institute Of TechnologyPolymer electrolyte, intercalation compounds and electrodes for batteries
US6007945A (en)1996-10-151999-12-28Electrofuel Inc.Negative electrode for a rechargeable lithium battery comprising a solid solution of titanium dioxide and tin dioxide
JP3631341B2 (ja)1996-10-182005-03-23Tdk株式会社積層型複合機能素子およびその製造方法
US5716728A (en)1996-11-041998-02-10Wilson Greatbatch Ltd.Alkali metal electrochemical cell with improved energy density
US5841931A (en)1996-11-261998-11-24Massachusetts Institute Of TechnologyMethods of forming polycrystalline semiconductor waveguides for optoelectronic integrated circuits, and devices formed thereby
US5783333A (en)1996-11-271998-07-21Polystor CorporationLithium nickel cobalt oxides for positive electrodes
CA2242993C (en)1996-12-112008-09-09Tonen Chemical CorporationThin film of non-protonic electrolyte, electrolyte-immobilized liquid-film conductor and polymer battery
US6144795A (en)1996-12-132000-11-07Corning IncorporatedHybrid organic-inorganic planar optical waveguide device
US5842118A (en)1996-12-181998-11-24Micron Communications, Inc.Communication system including diversity antenna queuing
US6289209B1 (en)1996-12-182001-09-11Micron Technology, Inc.Wireless communication system, radio frequency communications system, wireless communications method, radio frequency communications method
JPH10195649A (ja)1996-12-271998-07-28Sony Corpマグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法
US5705293A (en)1997-01-091998-01-06Lockheed Martin Energy Research CorporationSolid state thin film battery having a high temperature lithium alloy anode
US5882812A (en)1997-01-141999-03-16Polyplus Battery Company, Inc.Overcharge protection systems for rechargeable batteries
US5790489A (en)1997-01-211998-08-04Dell Usa, L.P.Smart compact disk including a processor and a transmission element
JP4104187B2 (ja)1997-02-062008-06-18株式会社クレハ二次電池電極用炭素質材料
US5944964A (en)1997-02-131999-08-31Optical Coating Laboratory, Inc.Methods and apparatus for preparing low net stress multilayer thin film coatings
JPH10229201A (ja)1997-02-141998-08-25Sony Corp薄膜半導体装置の製造方法
JP3345878B2 (ja)1997-02-172002-11-18株式会社デンソー電子回路装置の製造方法
US5847865A (en)1997-02-181998-12-08Regents Of The University Of MinnesotaWaveguide optical amplifier
US5970393A (en)1997-02-251999-10-19Polytechnic UniversityIntegrated micro-strip antenna apparatus and a system utilizing the same for wireless communications for sensing and actuation purposes
JP3767151B2 (ja)1997-02-262006-04-19ソニー株式会社薄型電池
JP3228168B2 (ja)1997-02-282001-11-12株式会社豊田中央研究所回転速度検出装置及びタイヤ発生力検出装置
JPH10302843A (ja)1997-02-281998-11-13Mitsubishi Electric Corp電池用接着剤及びそれを用いた電池とその製造法
JP3098204B2 (ja)1997-03-072000-10-16ティーディーケイ株式会社光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法
JP2975907B2 (ja)1997-03-101999-11-10株式会社ワコー力・加速度・磁気の検出装置
US5952778A (en)1997-03-181999-09-14International Business Machines CorporationEncapsulated organic light emitting device
JPH10265948A (ja)1997-03-251998-10-06Rohm Co Ltd半導体装置用基板およびその製法
EP0867985B1 (en)1997-03-272001-02-14Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek TnoErbium-doped planar waveguide
US6106933A (en)1997-04-032000-08-22Toray Industries, Inc.Transparent gas barrier biaxially oriented polypropylene film, a laminate film, and a production method thereof
US6242132B1 (en)1997-04-162001-06-05Ut-Battelle, LlcSilicon-tin oxynitride glassy composition and use as anode for lithium-ion battery
US5948215A (en)1997-04-211999-09-07Tokyo Electron LimitedMethod and apparatus for ionized sputtering
EP0875952B1 (fr)1997-04-232001-10-24Hydro-QuebecPiles au lithium ultra-minces et à l'etat solide et procédé de fabrication
US6394598B1 (en)1997-04-282002-05-28Binney & Smith Inc.Ink jet marker
US6422698B2 (en)1997-04-282002-07-23Binney & Smith Inc.Ink jet marker
US5882721A (en)1997-05-011999-03-16Imra America IncProcess of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US6329213B1 (en)1997-05-012001-12-11Micron Technology, Inc.Methods for forming integrated circuits within substrates
JP3290375B2 (ja)1997-05-122002-06-10松下電器産業株式会社有機電界発光素子
US5895731A (en)1997-05-151999-04-20Nelson E. SmithThin-film lithium battery and process
JP3045998B2 (ja)1997-05-152000-05-29エフエムシー・コーポレイション層間化合物およびその作製方法
US5830330A (en)1997-05-221998-11-03Tokyo Electron LimitedMethod and apparatus for low pressure sputtering
US5977582A (en)1997-05-231999-11-02Lucent Technologies Inc.Capacitor comprising improved TaOx -based dielectric
US6000603A (en)1997-05-231999-12-143M Innovative Properties CompanyPatterned array of metal balls and methods of making
US6316563B2 (en)1997-05-272001-11-13Showa Denko K.K.Thermopolymerizable composition and use thereof
US6077106A (en)1997-06-052000-06-20Micron Communications, Inc.Thin profile battery mounting contact for printed circuit boards
CN1203462A (zh)1997-06-201998-12-30索尼株式会社电池
US5865860A (en)1997-06-201999-02-02Imra America, Inc.Process for filling electrochemical cells with electrolyte
US6051114A (en)1997-06-232000-04-18Applied Materials, Inc.Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US5831262A (en)1997-06-271998-11-03Lucent Technologies Inc.Article comprising an optical fiber attached to a micromechanical device
JP3813740B2 (ja)1997-07-112006-08-23Tdk株式会社電子デバイス用基板
US5982144A (en)1997-07-141999-11-09Johnson Research & Development Company, Inc.Rechargeable battery power supply overcharge protection circuit
JP3335884B2 (ja)1997-07-162002-10-21株式会社荏原製作所腐食・防食解析方法
US6046514A (en)1997-07-252000-04-043M Innovative Properties CompanyBypass apparatus and method for series connected energy storage devices
US5973913A (en)1997-08-121999-10-26Covalent Associates, Inc.Nonaqueous electrical storage device
US6252564B1 (en)1997-08-282001-06-26E Ink CorporationTiled displays
KR100250855B1 (ko)1997-08-282000-04-01손욱하이브리드 폴리머 전해질, 그 제조 방법 및 이를 사용하여제조한 리튬 전지
JPH11111273A (ja)1997-09-291999-04-23Furukawa Battery Co Ltd:Theリチウム二次電池用極板の製造法及びリチウム二次電池
CA2274483C (en)1997-10-072006-01-31Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.Non-aqueous electrolyte secondary battery
US5916704A (en)1997-10-101999-06-29Ultralife BatteriesLow pressure battery vent
ATE434259T1 (de)1997-10-142009-07-15Patterning Technologies LtdMethode zur herstellung eines elektrischen kondensators
US6094292A (en)1997-10-152000-07-25Trustees Of Tufts CollegeElectrochromic window with high reflectivity modulation
US6982132B1 (en)1997-10-152006-01-03Trustees Of Tufts CollegeRechargeable thin film battery and method for making the same
US6084285A (en)1997-10-202000-07-04The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior UniversityLateral flux capacitor having fractal-shaped perimeters
US5985484A (en)1997-10-201999-11-16Amtek Research International LlcBattery separation
DE69807513T2 (de)1997-10-222003-04-24Cambridge Consultants Ltd., CambridgeTragbare chipkarte
US6355378B2 (en)*1997-10-292002-03-12Sony CorporationSolid state electrolyte cell having at least one electrode impregnated with a solid electrolyte
US5948562A (en)1997-11-031999-09-07Motorola, Inc.Energy storage device
US6041734A (en)1997-12-012000-03-28Applied Materials, Inc.Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing
US6052397A (en)1997-12-052000-04-18Sdl, Inc.Laser diode device having a substantially circular light output beam and a method of forming a tapered section in a semiconductor device to provide for a reproducible mode profile of the output beam
US6042965A (en)1997-12-122000-03-28Johnson Research & Development Company, Inc.Unitary separator and electrode structure and method of manufacturing separator
US5976327A (en)1997-12-121999-11-02Applied Materials, Inc.Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation
US6120890A (en)1997-12-122000-09-19Seagate Technology, Inc.Magnetic thin film medium comprising amorphous sealing layer for reduced lithium migration
US6045942A (en)1997-12-152000-04-04Avery Dennison CorporationLow profile battery and method of making same
JPH11204088A (ja)1998-01-071999-07-30Toshiba Battery Co Ltdシート形電池
US6019284A (en)1998-01-272000-02-01Viztec Inc.Flexible chip card with display
US6137671A (en)1998-01-292000-10-24Energenius, Inc.Embedded energy storage device
US6608470B1 (en)1998-01-312003-08-19Motorola, Inc.Overcharge protection device and methods for lithium based rechargeable batteries
KR100474746B1 (ko)1998-02-122005-03-08에이씨엠 리서치, 인코포레이티드도금 장치 및 방법
US6402795B1 (en)1998-02-182002-06-11Polyplus Battery Company, Inc.Plating metal negative electrodes under protective coatings
US6753108B1 (en)1998-02-242004-06-22Superior Micropowders, LlcEnergy devices and methods for the fabrication of energy devices
US6223317B1 (en)1998-02-282001-04-24Micron Technology, Inc.Bit synchronizers and methods of synchronizing and calculating error
US6080508A (en)1998-03-062000-06-27Electrofuel Inc.Packaging assembly for a lithium battery
US6610440B1 (en)1998-03-102003-08-26Bipolar Technologies, IncMicroscopic batteries for MEMS systems
US6004660A (en)1998-03-121999-12-21E.I. Du Pont De Nemours And CompanyOxygen barrier composite film structure
US5889383A (en)1998-04-031999-03-30Advanced Micro Devices, Inc.System and method for charging batteries with ambient acoustic energy
GB9808061D0 (en)1998-04-161998-06-17Cambridge Display Tech LtdPolymer devices
US6563998B1 (en)1999-04-152003-05-13John FarahPolished polymide substrate
US6753114B2 (en)1998-04-202004-06-22Electrovaya Inc.Composite electrolyte for a rechargeable lithium battery
US6175075B1 (en)1998-04-212001-01-16Canon Kabushiki KaishaSolar cell module excelling in reliability
US6169474B1 (en)1998-04-232001-01-02Micron Technology, Inc.Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system
US6324211B1 (en)1998-04-242001-11-27Micron Technology, Inc.Interrogators communication systems communication methods and methods of processing a communication signal
US6459726B1 (en)1998-04-242002-10-01Micron Technology, Inc.Backscatter interrogators, communication systems and backscatter communication methods
US6905578B1 (en)1998-04-272005-06-14Cvc Products, Inc.Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure
US6214061B1 (en)1998-05-012001-04-10Polyplus Battery Company, Inc.Method for forming encapsulated lithium electrodes having glass protective layers
US6420961B1 (en)1998-05-142002-07-16Micron Technology, Inc.Wireless communication systems, interfacing devices, communication methods, methods of interfacing with an interrogator, and methods of operating an interrogator
US6075973A (en)1998-05-182000-06-13Micron Technology, Inc.Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system
US6115616A (en)1998-05-282000-09-05International Business Machines CorporationHand held telephone set with separable keyboard
DE19824145A1 (de)1998-05-291999-12-16Siemens AgIntegrierte Antennenanordnung für mobile Telekommunikations-Endgeräte
JP3126698B2 (ja)1998-06-022001-01-22富士通株式会社スパッタ成膜方法、スパッタ成膜装置及び半導体装置の製造方法
US6093944A (en)1998-06-042000-07-25Lucent Technologies Inc.Dielectric materials of amorphous compositions of TI-O2 doped with rare earth elements and devices employing same
US7854684B1 (en)1998-06-242010-12-21Samsung Electronics Co., Ltd.Wearable device
KR100287176B1 (ko)1998-06-252001-04-16윤종용고온산화를이용한반도체소자의커패시터형성방법
US6058233A (en)1998-06-302000-05-02Lucent Technologies Inc.Waveguide array with improved efficiency for wavelength routers and star couplers in integrated optics
GB9814123D0 (en)1998-07-011998-08-26British Gas PlcElectrochemical fuel cell
EP0969521A1 (de)1998-07-032000-01-05ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaftFotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE19831719A1 (de)1998-07-152000-01-20Alcatel SaVerfahren zur Herstellung planarer Wellenleiterstrukturen sowie Wellenleiterstruktur
JP4745472B2 (ja)1998-07-162011-08-10株式会社オハラリチウムイオン伝導性ガラスセラミックスおよびこれを用いた電池、ガスセンサー
US6358810B1 (en)1998-07-282002-03-19Applied Materials, Inc.Method for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes
US6146225A (en)1998-07-302000-11-14Agilent Technologies, Inc.Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6129277A (en)1998-08-032000-10-10Privicon, Inc.Card reader for transmission of data by sound
US6579728B2 (en)1998-08-032003-06-17Privicom, Inc.Fabrication of a high resolution, low profile credit card reader and card reader for transmission of data by sound
US6160373A (en)1998-08-102000-12-12Dunn; James P.Battery operated cableless external starting device and methods
JP2000067852A (ja)1998-08-212000-03-03Pioneer Electronic Corpリチウム二次電池
KR100305903B1 (ko)1998-08-212001-12-17박호군수직으로통합연결된박막형전지를구비하는전기및전자소자와그제작방법
US6480699B1 (en)1998-08-282002-11-12Woodtoga Holdings CompanyStand-alone device for transmitting a wireless signal containing data from a memory or a sensor
JP3386756B2 (ja)1998-08-312003-03-17松下電池工業株式会社薄膜形成方法および薄膜形成装置
US6210832B1 (en)1998-09-012001-04-03Polyplus Battery Company, Inc.Mixed ionic electronic conductor coatings for redox electrodes
US6192222B1 (en)1998-09-032001-02-20Micron Technology, Inc.Backscatter communication systems, interrogators, methods of communicating in a backscatter system, and backscatter communication methods
JP4014737B2 (ja)1998-09-172007-11-28昭和電工株式会社熱重合性組成物及びその用途
US6236793B1 (en)1998-09-232001-05-22Molecular Optoelectronics CorporationOptical channel waveguide amplifier
US6362916B2 (en)1998-09-252002-03-26Fiver LaboratoriesAll fiber gain flattening optical filter
US6159635A (en)1998-09-292000-12-12Electrofuel Inc.Composite electrode including current collector
KR100283954B1 (ko)1998-10-132001-03-02윤종용광증폭기용 광섬유
US7323634B2 (en)1998-10-142008-01-29Patterning Technologies LimitedMethod of forming an electronic device
KR100282487B1 (ko)1998-10-192001-02-15윤종용고유전 다층막을 이용한 셀 캐패시터 및 그 제조 방법
US6605228B1 (en)1998-10-192003-08-12Nhk Spring Co., Ltd.Method for fabricating planar optical waveguide devices
WO2000024070A1 (en)*1998-10-222000-04-27Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.Secondary cell having non-aqueous electrolyte
JP4126711B2 (ja)1998-10-232008-07-30ソニー株式会社非水電解質電池
JP3830008B2 (ja)1998-10-302006-10-04ソニー株式会社非水電解質電池
US6157765A (en)1998-11-032000-12-05Lucent TechnologiesPlanar waveguide optical amplifier
KR100280705B1 (ko)1998-11-052001-03-02김순택리튬 이온 폴리머 전지용 전극 활물질 조성물 및 이를 이용한리튬 이온 폴리머 전지용 전극판의 제조방법
CN1288594A (zh)1998-11-062001-03-21日本电池株式会社非水二次电解质电池
DE69932304T2 (de)1998-11-092007-12-06Ballard Power Systems Inc., BurnabyElektrische Kontaktvorrichtung für eine Brennstoffzelle
US6384573B1 (en)1998-11-122002-05-07James DunnCompact lightweight auxiliary multifunctional reserve battery engine starting system (and methods)
US6117279A (en)1998-11-122000-09-12Tokyo Electron LimitedMethod and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition
JP2000162234A (ja)1998-11-302000-06-16Matsushita Electric Ind Co Ltd圧電センサ回路
WO2000033409A1 (fr)*1998-12-032000-06-08Sumitomo Electric Industries, Ltd.Accumulateur au lithium
US6268695B1 (en)1998-12-162001-07-31Battelle Memorial InstituteEnvironmental barrier material for organic light emitting device and method of making
EP1145338B1 (en)1998-12-162012-12-05Samsung Display Co., Ltd.Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP2000188099A (ja)1998-12-222000-07-04Mitsubishi Chemicals Corp薄膜型電池の製造方法
GB9900396D0 (en)1999-01-081999-02-24Danionics AsArrangements of electrochemical cells
US6599662B1 (en)1999-01-082003-07-29Massachusetts Institute Of TechnologyElectroactive material for secondary batteries and methods of preparation
JP4074418B2 (ja)1999-01-112008-04-09三菱化学株式会社薄膜型リチウム二次電池
US6379835B1 (en)1999-01-122002-04-30Morgan Adhesives CompanyMethod of making a thin film battery
US6290822B1 (en)1999-01-262001-09-18Agere Systems Guardian Corp.Sputtering method for forming dielectric films
US6302939B1 (en)1999-02-012001-10-16Magnequench International, Inc.Rare earth permanent magnet and method for making same
US6306265B1 (en)1999-02-122001-10-23Applied Materials, Inc.High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave
ATE467910T1 (de)1999-02-252010-05-15Kaneka CorpPhotoelektrische dünnschicht- umwandlungsvorrichtung und verfahren zur abscheidung durch zerstäubung
US6210544B1 (en)1999-03-082001-04-03Alps Electric Co., Ltd.Magnetic film forming method
US6603391B1 (en)1999-03-092003-08-05Micron Technology, Inc.Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator
US6356764B1 (en)1999-03-092002-03-12Micron Technology, Inc.Wireless communication systems, interrogators and methods of communicating within a wireless communication system
DE60034838D1 (de)1999-03-162007-06-28Sumitomo Chemical CoNichtwässriger Elektrolyt und Lithium-Sekundärbatterie unter Verwendung desselben
US6277520B1 (en)1999-03-192001-08-21Ntk Powerdex, Inc.Thin lithium battery with slurry cathode
US6280875B1 (en)1999-03-242001-08-28Teledyne Technologies IncorporatedRechargeable battery structure with metal substrate
EP1039554B1 (en)1999-03-252003-05-14Kaneka CorporationMethod of manufacturing thin film solar cell-modules
US6160215A (en)1999-03-262000-12-12Curtin; Lawrence F.Method of making photovoltaic device
US6148503A (en)1999-03-312000-11-21Imra America, Inc.Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US6168884B1 (en)1999-04-022001-01-02Lockheed Martin Energy Research CorporationBattery with an in-situ activation plated lithium anode
US6242129B1 (en)1999-04-022001-06-05Excellatron Solid State, LlcThin lithium film battery
US6398824B1 (en)1999-04-022002-06-04Excellatron Solid State, LlcMethod for manufacturing a thin-film lithium battery by direct deposition of battery components on opposite sides of a current collector
US6855441B1 (en)1999-04-142005-02-15Power Paper Ltd.Functionally improved battery and method of making same
IL145904A0 (en)1999-04-142002-07-25Power Paper LtdFunctionally improved battery and method of making same
US6416598B1 (en)1999-04-202002-07-09Reynolds Metals CompanyFree machining aluminum alloy with high melting point machining constituent and method of use
KR100296741B1 (ko)1999-05-112001-07-12박호군트렌치 구조를 갖는 전지 및 그 제조방법
US6281142B1 (en)1999-06-042001-08-28Micron Technology, Inc.Dielectric cure for reducing oxygen vacancies
JP3736205B2 (ja)1999-06-042006-01-18三菱電機株式会社バッテリ蓄電装置
US6046081A (en)1999-06-102000-04-04United Microelectronics Corp.Method for forming dielectric layer of capacitor
US6133670A (en)1999-06-242000-10-17Sandia CorporationCompact electrostatic comb actuator
US6413676B1 (en)1999-06-282002-07-02Lithium Power Technologies, Inc.Lithium ion polymer electrolytes
JP2001020065A (ja)1999-07-072001-01-23Hitachi Metals Ltdスパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料
JP2001021744A (ja)1999-07-072001-01-26Shin Etsu Chem Co Ltd光導波路基板の製造方法
JP2001025666A (ja)1999-07-142001-01-30Nippon Sheet Glass Co Ltd積層体およびその製造方法
US6290821B1 (en)1999-07-152001-09-18Seagate Technology LlcSputter deposition utilizing pulsed cathode and substrate bias power
KR100456647B1 (ko)1999-08-052004-11-10에스케이씨 주식회사리튬 이온 폴리머 전지
US6249222B1 (en)1999-08-172001-06-19Lucent Technologies Inc.Method and apparatus for generating color based alerting signals
US6344795B1 (en)1999-08-172002-02-05Lucent Technologies Inc.Method and apparatus for generating temperature based alerting signals
US6414626B1 (en)1999-08-202002-07-02Micron Technology, Inc.Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of operating a wireless communication system, and methods of determining range of a remote communication device
US6356230B1 (en)1999-08-202002-03-12Micron Technology, Inc.Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of monitoring movement of a radio frequency identification device, methods of monitoring movement of a remote communication device and movement monitoring methods
US6645675B1 (en)1999-09-022003-11-11Lithium Power Technologies, Inc.Solid polymer electrolytes
US6537428B1 (en)1999-09-022003-03-25Veeco Instruments, Inc.Stable high rate reactive sputtering
US6664006B1 (en)1999-09-022003-12-16Lithium Power Technologies, Inc.All-solid-state electrochemical device and method of manufacturing
US6392565B1 (en)1999-09-102002-05-21Eworldtrack, Inc.Automobile tracking and anti-theft system
US6528212B1 (en)1999-09-132003-03-04Sanyo Electric Co., Ltd.Lithium battery
US6344366B1 (en)1999-09-152002-02-05Lockheed Martin Energy Research CorporationFabrication of highly textured lithium cobalt oxide films by rapid thermal annealing
US6296949B1 (en)1999-09-162001-10-02Ga-Tek Inc.Copper coated polyimide with metallic protective layer
JP4240679B2 (ja)1999-09-212009-03-18ソニー株式会社スパッタリング用ターゲットの製造方法
US6296967B1 (en)1999-09-242001-10-02Electrofuel Inc.Lithium battery structure incorporating lithium pouch cells
TW457767B (en)1999-09-272001-10-01Matsushita Electric Works LtdPhoto response semiconductor switch having short circuit load protection
JP4460742B2 (ja)1999-10-012010-05-12日本碍子株式会社圧電/電歪デバイス及びその製造方法
US6368275B1 (en)1999-10-072002-04-09Acuson CorporationMethod and apparatus for diagnostic medical information gathering, hyperthermia treatment, or directed gene therapy
DE19948839A1 (de)1999-10-112001-04-12Bps Alzenau GmbhLeitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6500287B1 (en)1999-10-142002-12-31Forskarpatent I Uppsala AbColor-modifying treatment of thin films
US6548912B1 (en)1999-10-252003-04-15Battelle Memorial InstituteSemicoductor passivation using barrier coatings
US6866901B2 (en)1999-10-252005-03-15Vitex Systems, Inc.Method for edge sealing barrier films
US7198832B2 (en)1999-10-252007-04-03Vitex Systems, Inc.Method for edge sealing barrier films
US20070196682A1 (en)1999-10-252007-08-23Visser Robert JThree dimensional multilayer barrier and method of making
US6413645B1 (en)2000-04-202002-07-02Battelle Memorial InstituteUltrabarrier substrates
US6573652B1 (en)1999-10-252003-06-03Battelle Memorial InstituteEncapsulated display devices
US6623861B2 (en)2001-04-162003-09-23Battelle Memorial InstituteMultilayer plastic substrates
US6413285B1 (en)1999-11-012002-07-02Polyplus Battery CompanyLayered arrangements of lithium electrodes
US6413284B1 (en)1999-11-012002-07-02Polyplus Battery CompanyEncapsulated lithium alloy electrodes having barrier layers
US6529827B1 (en)1999-11-012003-03-04Garmin CorporationGPS device with compass and altimeter and method for displaying navigation information
US6271793B1 (en)1999-11-052001-08-07International Business Machines CorporationRadio frequency (RF) transponder (Tag) with composite antenna
EP1183750A2 (en)1999-11-112002-03-06Koninklijke Philips Electronics N.V.Lithium battery comprising a gel-eletrolyte
US6340880B1 (en)1999-11-112002-01-22Mitsumi Electric Co., Ltd.Method of protecting a chargeable electric cell
JP3999424B2 (ja)1999-11-162007-10-31ローム株式会社端子基板、端子基板を備えた電池パック、および端子基板の製造方法
US6582481B1 (en)1999-11-232003-06-24Johnson Research & Development Company, Inc.Method of producing lithium base cathodes
US6733924B1 (en)1999-11-232004-05-11Moltech CorporationLithium anodes for electrochemical cells
US7247408B2 (en)1999-11-232007-07-24Sion Power CorporationLithium anodes for electrochemical cells
US6511516B1 (en)2000-02-232003-01-28Johnson Research & Development Co., Inc.Method and apparatus for producing lithium based cathodes
US6797428B1 (en)1999-11-232004-09-28Moltech CorporationLithium anodes for electrochemical cells
US6350353B2 (en)1999-11-242002-02-26Applied Materials, Inc.Alternate steps of IMP and sputtering process to improve sidewall coverage
US6426863B1 (en)1999-11-252002-07-30Lithium Power Technologies, Inc.Electrochemical capacitor
US6294288B1 (en)1999-12-012001-09-25Valence Technology, Inc.Battery cell having notched layers
JP2003515782A (ja)1999-12-022003-05-07ジェムファイア コーポレイション光デバイスの光画定
US6344419B1 (en)1999-12-032002-02-05Applied Materials, Inc.Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement
JP3611765B2 (ja)1999-12-092005-01-19シャープ株式会社二次電池及びそれを用いた電子機器
JP2001176464A (ja)1999-12-172001-06-29Sumitomo Electric Ind Ltd非水電解質電池
US6426163B1 (en)1999-12-212002-07-30AlcatelElectrochemical cell
US6576546B2 (en)1999-12-222003-06-10Texas Instruments IncorporatedMethod of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
JP2001171812A (ja)1999-12-222001-06-26Tokyo Gas Co Ltd岩盤内貯蔵施設およびその施工方法
US6534809B2 (en)1999-12-222003-03-18Agilent Technologies, Inc.Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks
CN1307376A (zh)2000-01-272001-08-08钟馨稼一种可反复充放电的铬氟锂固体动力电池
US6372383B1 (en)2000-01-312002-04-16Korea Advanced Institute Of Science And TechnologyMethod for preparing electrodes for Ni/Metal hydride secondary cells using Cu
US6627056B2 (en)2000-02-162003-09-30Applied Materials, Inc.Method and apparatus for ionized plasma deposition
TW523615B (en)2000-02-172003-03-11L3 Optics IncGuided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component
EP1256104B1 (en)2000-02-182008-04-02Cypak ABMethod and device for identification and authentication
JP3706521B2 (ja)2000-02-222005-10-12三洋電機株式会社リチウム二次電池
WO2001065615A2 (en)2000-02-232001-09-07Sri InternationalBiologically powered electroactive polymer generators
TW584905B (en)2000-02-252004-04-21Tokyo Electron LtdMethod and apparatus for depositing films
US6410471B2 (en)2000-03-072002-06-25Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.Method for preparation of sintered body of rare earth oxide
WO2001067523A1 (de)2000-03-092001-09-13ISOVOLTA Österreichische Isolierstoffwerke AktiengesellschaftVerfahren zum herstellen eines photovoltaischen dünnfilm-moduls
FR2806198B1 (fr)2000-03-132003-08-15SagemDispositif radio d'echange d'informations
CN1225057C (zh)2000-03-152005-10-26阿苏拉布股份有限公司用于小尺寸的设备的多频率天线
JP2001259494A (ja)2000-03-172001-09-25Matsushita Battery Industrial Co Ltd薄膜形成方法
US6962613B2 (en)2000-03-242005-11-08Cymbet CorporationLow-temperature fabrication of thin-film energy-storage devices
US6387563B1 (en)2000-03-282002-05-14Johnson Research & Development, Inc.Method of producing a thin film battery having a protective packaging
JP4106644B2 (ja)2000-04-042008-06-25ソニー株式会社電池およびその製造方法
US6423106B1 (en)2000-04-052002-07-23Johnson Research & DevelopmentMethod of producing a thin film battery anode
US6709778B2 (en)2000-04-102004-03-23Johnson Electro Mechanical Systems, LlcElectrochemical conversion system
GB2361244B (en)2000-04-142004-02-11Trikon Holdings LtdA method of depositing dielectric
US6365319B1 (en)2000-04-202002-04-02Eastman Kodak CompanySelf-contained imaging media comprising opaque laminated support
US20010052752A1 (en)2000-04-252001-12-20Ghosh Amalkumar P.Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
KR100341407B1 (ko)2000-05-012002-06-22윤덕용플라즈마 처리에 의한 리튬전이금속 산화물 박막의 결정화방법
US6423776B1 (en)2000-05-022002-07-23Honeywell International Inc.Oxygen scavenging high barrier polyamide compositions for packaging applications
US6433465B1 (en)2000-05-022002-08-13The United States Of America As Represented By The Secretary Of The NavyEnergy-harvesting device using electrostrictive polymers
US6261917B1 (en)2000-05-092001-07-17Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.High-K MOM capacitor
US6760520B1 (en)2000-05-092004-07-06Teralux CorporationSystem and method for passively aligning and coupling optical devices
US6384473B1 (en)2000-05-162002-05-07Sandia CorporationMicroelectronic device package with an integral window
JP4432206B2 (ja)2000-05-182010-03-17株式会社ブリヂストン積層膜の形成方法
US6436156B1 (en)2000-05-252002-08-20The Gillette CompanyZinc/air cell
EP1160900A3 (en)2000-05-262007-12-12Kabushiki Kaisha RikenEmbossed current collector separator for electrochemical fuel cell
US6284406B1 (en)2000-06-092001-09-04Ntk Powerdex, Inc.IC card with thin battery
US6524750B1 (en)2000-06-172003-02-25Eveready Battery Company, Inc.Doped titanium oxide additives
US6432577B1 (en)2000-06-292002-08-13Sandia CorporationApparatus and method for fabricating a microbattery
JP2002026173A (ja)2000-07-102002-01-25Fuji Photo Film Co LtdIc装置、基板、およびic組付基板
US6524466B1 (en)2000-07-182003-02-25Applied Semiconductor, Inc.Method and system of preventing fouling and corrosion of biomedical devices and structures
US20040247921A1 (en)2000-07-182004-12-09Dodsworth Robert S.Etched dielectric film in hard disk drives
JP3608507B2 (ja)2000-07-192005-01-12住友電気工業株式会社アルカリ金属薄膜部材の製造方法
KR100336407B1 (ko)2000-07-192002-05-10박호군박막 전지를 위한 전해질용 리튬인산염 스퍼터링 타겟제조방법
US6506289B2 (en)2000-08-072003-01-14Symmorphix, Inc.Planar optical devices and methods for their manufacture
US6402796B1 (en)2000-08-072002-06-11Excellatron Solid State, LlcMethod of producing a thin film battery
US20020110733A1 (en)2000-08-072002-08-15Johnson Lonnie G.Systems and methods for producing multilayer thin film energy storage devices
US6538211B2 (en)2000-08-152003-03-25World Properties, Inc.Multi-layer circuits and methods of manufacture thereof
US6572173B2 (en)2000-08-282003-06-03Mueller Hermann-FrankSun shield for vehicles
KR100387121B1 (ko)2000-08-312003-06-12주식회사 애니셀수직 방향으로 집적된 다층 박막전지 및 그의 제조방법
US6866963B2 (en)2000-09-042005-03-15Samsung Sdi Co., Ltd.Cathode active material and lithium battery employing the same
US6632563B1 (en)2000-09-072003-10-14Front Edge Technology, Inc.Thin film battery and method of manufacture
US7056620B2 (en)2000-09-072006-06-06Front Edge Technology, Inc.Thin film battery and method of manufacture
EP1364424A2 (de)2000-09-142003-11-26Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.Elektrochemisch aktivierbare schicht oder folie
US6628876B1 (en)2000-09-152003-09-30Triquint Technology Holding Co.Method for making a planar waveguide
TW448318B (en)2000-09-182001-08-01Nat Science CouncilErbium, Yttrium co-doped Titanium oxide thin film material for planar optical waveguide amplifier
DE10165107B3 (de)2000-09-202015-06-18Hitachi Metals, Ltd.Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
US6637916B2 (en)2000-10-052003-10-28Muellner Hermann-FrankLamp for vehicles
TW513822B (en)*2000-10-062002-12-11Sony CorpMethod for producing cathode active material and method for producing non-aqueous electrolyte cell
US6660660B2 (en)2000-10-102003-12-09Asm International, Nv.Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit
JP4532713B2 (ja)2000-10-112010-08-25東洋鋼鈑株式会社多層金属積層フィルム及びその製造方法
KR100389655B1 (ko)2000-10-142003-06-27삼성에스디아이 주식회사우수한 사이클링 안정성과 높은 이온 전도도를 갖는리튬-이온 이차 박막 전지
US6622049B2 (en)2000-10-162003-09-16Remon Medical Technologies Ltd.Miniature implantable illuminator for photodynamic therapy
US6488822B1 (en)2000-10-202002-12-03Veecoleve, Inc.Segmented-target ionized physical-vapor deposition apparatus and method of operation
US6525976B1 (en)2000-10-242003-02-25Excellatron Solid State, LlcSystems and methods for reducing noise in mixed-mode integrated circuits
JP2002140776A (ja)2000-11-012002-05-17Matsushita Electric Ind Co Ltd人体状態検出装置及び人体状態確認システム
US6413382B1 (en)2000-11-032002-07-02Applied Materials, Inc.Pulsed sputtering with a small rotating magnetron
US6863699B1 (en)2000-11-032005-03-08Front Edge Technology, Inc.Sputter deposition of lithium phosphorous oxynitride material
JP3812324B2 (ja)2000-11-062006-08-23日本電気株式会社リチウム二次電池とその製造方法
US6494999B1 (en)2000-11-092002-12-17Honeywell International Inc.Magnetron sputtering apparatus with an integral cooling and pressure relieving cathode
ATE356444T1 (de)2000-11-182007-03-15Samsung Sdi Co LtdDünnschicht anode für lithium enthaltende sekundärbatterie
KR100389908B1 (ko)2000-11-182003-07-04삼성에스디아이 주식회사리튬 2차 전지용 음극 박막
US6517964B2 (en)2000-11-302003-02-11Graftech Inc.Catalyst support material for fuel cell
US20020106297A1 (en)2000-12-012002-08-08Hitachi Metals, Ltd.Co-base target and method of producing the same
NL1016779C2 (nl)2000-12-022002-06-04Cornelis Johannes Maria V RijnMatrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
JP4461656B2 (ja)2000-12-072010-05-12セイコーエプソン株式会社光電変換素子
US20020071989A1 (en)2000-12-082002-06-13Verma Surrenda K.Packaging systems and methods for thin film solid state batteries
US20020091929A1 (en)2000-12-192002-07-11Jakob EhrensvardSecure digital signing of data
US6444336B1 (en)2000-12-212002-09-03The Regents Of The University Of CaliforniaThin film dielectric composite materials
KR100863603B1 (ko)2000-12-212008-10-15시온 파워 코퍼레이션전기화학 셀용 리튬 애노드
US6620545B2 (en)2001-01-052003-09-16Visteon Global Technologies, Inc.ETM based battery
US6650000B2 (en)2001-01-162003-11-18International Business Machines CorporationApparatus and method for forming a battery in an integrated circuit
US6533907B2 (en)2001-01-192003-03-18Symmorphix, Inc.Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications
US6673716B1 (en)2001-01-302004-01-06Novellus Systems, Inc.Control of the deposition temperature to reduce the via and contact resistance of Ti and TiN deposited using ionized PVD techniques
US6558836B1 (en)2001-02-082003-05-06The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space AdministrationStructure of thin-film lithium microbatteries
US6589299B2 (en)2001-02-132003-07-083M Innovative Properties CompanyMethod for making electrode
WO2002071506A1 (en)2001-02-152002-09-12Emagin CorporationThin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US20020139662A1 (en)2001-02-212002-10-03Lee Brent W.Thin-film deposition of low conductivity targets using cathodic ARC plasma process
US20020164441A1 (en)2001-03-012002-11-07The University Of ChicagoPackaging for primary and secondary batteries
US7048400B2 (en)2001-03-222006-05-23Lumimove, Inc.Integrated illumination system
US7164206B2 (en)2001-03-282007-01-16Intel CorporationStructure in a microelectronic device including a bi-layer for a diffusion barrier and an etch-stop layer
US6797137B2 (en)2001-04-112004-09-28Heraeus, Inc.Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal
US7914755B2 (en)2001-04-122011-03-29Eestor, Inc.Method of preparing ceramic powders using chelate precursors
US7595109B2 (en)2001-04-122009-09-29Eestor, Inc.Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US7033406B2 (en)2001-04-122006-04-25Eestor, Inc.Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US6677070B2 (en)2001-04-192004-01-13Hewlett-Packard Development Company, L.P.Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same
US6782290B2 (en)2001-04-272004-08-24Medtronic, Inc.Implantable medical device with rechargeable thin-film microbattery power source
US7744735B2 (en)2001-05-042010-06-29Tokyo Electron LimitedIonized PVD with sequential deposition and etching
US6743488B2 (en)2001-05-092004-06-01Cpfilms Inc.Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
JP2002344115A (ja)2001-05-162002-11-29Matsushita Electric Ind Co Ltd成膜方法及びプリント基板の製造方法
US6650942B2 (en)2001-05-302003-11-18Medtronic, Inc.Implantable medical device with dual cell power source
US6517968B2 (en)2001-06-112003-02-11Excellatron Solid State, LlcThin lithium film battery
US6752842B2 (en)2001-06-182004-06-22Power Paper Ltd.Manufacture of flexible thin layer electrochemical cell
US7527938B2 (en)2001-06-192009-05-05R.E.D. Laboratories N.V./S.A.Methods for diagnosis and treatment of chronic immune diseases
JP3737389B2 (ja)2001-06-192006-01-18京セラ株式会社バッテリー
JP4183401B2 (ja)2001-06-282008-11-19三洋電機株式会社リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池
JP3929839B2 (ja)2001-06-282007-06-13松下電器産業株式会社電池及び電池パック
US6768855B1 (en)2001-07-052004-07-27Sandia CorporationVertically-tapered optical waveguide and optical spot transformer formed therefrom
US7469558B2 (en)2001-07-102008-12-30Springworks, LlcAs-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
US20030029715A1 (en)2001-07-252003-02-13Applied Materials, Inc.An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US6758404B2 (en)2001-08-032004-07-06General Instrument CorporationMedia cipher smart card
US7022431B2 (en)2001-08-202006-04-04Power Paper Ltd.Thin layer electrochemical cell with self-formed separator
US6500676B1 (en)2001-08-202002-12-31Honeywell International Inc.Methods and apparatus for depositing magnetic films
US7335441B2 (en)2001-08-202008-02-26Power Paper Ltd.Thin layer electrochemical cell with self-formed separator
CN100355104C (zh)2001-08-242007-12-12大日本印刷株式会社真空蒸镀用多面成形掩模装置
KR100382767B1 (ko)2001-08-252003-05-09삼성에스디아이 주식회사리튬 2차 전지용 음극 박막 및 그의 제조방법
EP1422727A4 (en)2001-08-282009-01-21Tdk Corp COMPOSITION FOR THIN FILM CAPACITIVE DEVICE, HIGH DIELECTRIC CONSTANT INSULATION LAYER, THIN FILM CAPACITIVE DEVICE, AND THIN FILM MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR
US7425223B2 (en)2001-09-032008-09-16Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.Method for preparing electrochemical device with a layer structure
US7118825B2 (en)2001-09-052006-10-10Omnitek Partners LlcConformal power supplies
US6637906B2 (en)2001-09-112003-10-28Recot, Inc.Electroluminescent flexible film for product packaging
WO2003022564A1 (en)2001-09-122003-03-20Itn Energy Systems, Inc.Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration
TW560102B (en)2001-09-122003-11-01Itn Energy Systems IncThin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design
US6838209B2 (en)2001-09-212005-01-04Eveready Battery Company, Inc.Flexible thin battery and method of manufacturing same
CA2406500C (en)2001-10-012008-04-01Research In Motion LimitedAn over-voltage protection circuit for use in a charging circuit
US7115516B2 (en)2001-10-092006-10-03Applied Materials, Inc.Method of depositing a material layer
JP2003124491A (ja)2001-10-152003-04-25Sharp Corp薄膜太陽電池モジュール
JP4015835B2 (ja)2001-10-172007-11-28松下電器産業株式会社半導体記憶装置
US6666982B2 (en)2001-10-222003-12-23Tokyo Electron LimitedProtection of dielectric window in inductively coupled plasma generation
FR2831318B1 (fr)2001-10-222006-06-09Commissariat Energie AtomiqueDispositif de stockage d'energie a recharge rapide, sous forme de films minces
US6750156B2 (en)2001-10-242004-06-15Applied Materials, Inc.Method and apparatus for forming an anti-reflective coating on a substrate
KR100424637B1 (ko)2001-10-252004-03-24삼성에스디아이 주식회사리튬 이차 전지용 박막 전극 및 그 제조방법
US7404877B2 (en)2001-11-092008-07-29Springworks, LlcLow temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6805999B2 (en)*2001-11-132004-10-19Midwest Research InstituteBuried anode lithium thin film battery and process for forming the same
KR100425585B1 (ko)2001-11-222004-04-06한국전자통신연구원가교 고분자 보호박막을 갖춘 리튬 고분자 이차 전지 및그 제조 방법
US20030097858A1 (en)2001-11-262003-05-29Christof StrohhoferSilver sensitized erbium ion doped planar waveguide amplifier
US6830846B2 (en)2001-11-292004-12-143M Innovative Properties CompanyDiscontinuous cathode sheet halfcell web
US20030109903A1 (en)2001-12-122003-06-12Epic Biosonics Inc.Low profile subcutaneous enclosure
US6683749B2 (en)2001-12-192004-01-27Storage Technology CorporationMagnetic transducer having inverted write element with zero delta in pole tip width
JP2003208919A (ja)2002-01-152003-07-25Idemitsu Petrochem Co Ltdリチウムイオン伝導性硫化物ガラス及びガラスセラミックスの製造方法並びに該ガラスセラミックスを用いた全固体型電池
US6737789B2 (en)2002-01-182004-05-18Leon J. RadziemskiForce activated, piezoelectric, electricity generation, storage, conditioning and supply apparatus and methods
US20040081415A1 (en)2002-01-222004-04-29Demaray Richard E.Planar optical waveguide amplifier with mode size converter
US20030143853A1 (en)2002-01-312003-07-31Celii Francis G.FeRAM capacitor stack etch
DE10204138B4 (de)2002-02-012004-05-13Robert Bosch GmbhKommunikationsgerät
US20030152829A1 (en)2002-02-122003-08-14Ji-Guang ZhangThin lithium film battery
JP3565207B2 (ja)2002-02-272004-09-15日産自動車株式会社電池パック
US6713987B2 (en)2002-02-282004-03-30Front Edge Technology, Inc.Rechargeable battery having permeable anode current collector
US7081693B2 (en)2002-03-072006-07-25Microstrain, Inc.Energy harvesting for wireless sensor operation and data transmission
US20030174391A1 (en)2002-03-162003-09-18Tao PanGain flattened optical amplifier
US7378356B2 (en)2002-03-162008-05-27Springworks, LlcBiased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US20030175142A1 (en)2002-03-162003-09-18Vassiliki MilonopoulouRare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications
US6884327B2 (en)2002-03-162005-04-26Tao PanMode size converter for a planar waveguide
TWI283031B (en)2002-03-252007-06-21Epistar CorpMethod for integrating compound semiconductor with substrate of high thermal conductivity
US6885028B2 (en)2002-03-252005-04-26Sharp Kabushiki KaishaTransistor array and active-matrix substrate
JP2003282142A (ja)2002-03-262003-10-03Matsushita Electric Ind Co Ltd薄膜積層体、薄膜電池、コンデンサ、及び薄膜積層体の製造方法と製造装置
US6792026B2 (en)2002-03-262004-09-14Joseph Reid HenrichsFolded cavity solid-state laser
US7208195B2 (en)2002-03-272007-04-24Ener1Group, Inc.Methods and apparatus for deposition of thin films
KR100454092B1 (ko)2002-04-292004-10-26광주과학기술원급속 열처리법을 이용한 박막전지용 양극박막의 제조방법
US6949389B2 (en)2002-05-022005-09-27Osram Opto Semiconductors GmbhEncapsulation for organic light emitting diodes devices
DE10318187B4 (de)2002-05-022010-03-18Osram Opto Semiconductors GmbhVerkapselungsverfahren für organische Leuchtdiodenbauelemente
JP4053819B2 (ja)2002-05-302008-02-27株式会社オハラリチウムイオン二次電池
JP4043296B2 (ja)2002-06-132008-02-06松下電器産業株式会社全固体電池
US6700491B2 (en)2002-06-142004-03-02Sensormatic Electronics CorporationRadio frequency identification tag with thin-film battery for antenna
US6780208B2 (en)2002-06-282004-08-24Hewlett-Packard Development Company, L.P.Method of making printed battery structures
US6818356B1 (en)2002-07-092004-11-16Oak Ridge Micro-Energy, Inc.Thin film battery and electrolyte therefor
US7410730B2 (en)2002-07-092008-08-12Oak Ridge Micro-Energy, Inc.Thin film battery and electrolyte therefor
US7362659B2 (en)2002-07-112008-04-22Action Manufacturing CompanyLow current microcontroller circuit
US6835493B2 (en)2002-07-262004-12-28Excellatron Solid State, LlcThin film battery
US6770176B2 (en)2002-08-022004-08-03Itn Energy Systems. Inc.Apparatus and method for fracture absorption layer
JP2004071305A (ja)2002-08-052004-03-04Hitachi Maxell Ltd非水電解質二次電池
JP3729164B2 (ja)2002-08-052005-12-21日産自動車株式会社自動車用電池
US8394522B2 (en)2002-08-092013-03-12Infinite Power Solutions, Inc.Robust metal film encapsulation
US20070264564A1 (en)2006-03-162007-11-15Infinite Power Solutions, Inc.Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8445130B2 (en)2002-08-092013-05-21Infinite Power Solutions, Inc.Hybrid thin-film battery
US8236443B2 (en)2002-08-092012-08-07Infinite Power Solutions, Inc.Metal film encapsulation
US6916679B2 (en)2002-08-092005-07-12Infinite Power Solutions, Inc.Methods of and device for encapsulation and termination of electronic devices
US20080003496A1 (en)2002-08-092008-01-03Neudecker Bernd JElectrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8021778B2 (en)2002-08-092011-09-20Infinite Power Solutions, Inc.Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8431264B2 (en)2002-08-092013-04-30Infinite Power Solutions, Inc.Hybrid thin-film battery
KR20040017478A (ko)2002-08-212004-02-27한국과학기술원인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판
US7826702B2 (en)2002-08-272010-11-02Springworks, LlcOptically coupling into highly uniform waveguides
US20040048157A1 (en)2002-09-112004-03-11Neudecker Bernd J.Lithium vanadium oxide thin-film battery
US6994933B1 (en)2002-09-162006-02-07Oak Ridge Micro-Energy, Inc.Long life thin film battery and method therefor
JP4614625B2 (ja)2002-09-302011-01-19三洋電機株式会社リチウム二次電池の製造方法
US7282302B2 (en)2002-10-152007-10-16Polyplus Battery CompanyIonically conductive composites for protection of active metal anodes
US20040081860A1 (en)2002-10-292004-04-29Stmicroelectronics, Inc.Thin-film battery equipment
JP2004149849A (ja)2002-10-302004-05-27Hitachi Chem Co Ltd金属薄膜の形成方法及び電極付基板
US20040085002A1 (en)2002-11-052004-05-06Pearce Michael BakerMethod and apparatus for an incidental use piezoelectric energy source with thin-film battery
JP2004158268A (ja)2002-11-062004-06-03Sony Corp成膜装置
CN1723587A (zh)2002-11-072006-01-18碎云股份有限公司含微型天线的集成电路封装
KR100682883B1 (ko)2002-11-272007-02-15삼성전자주식회사고체 전해질, 그의 제조방법 및 이를 채용한 리튬전지 및 박막전지
KR100575329B1 (ko)2002-11-272006-05-02마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤고체전해질 및 그것을 사용한 전고체전지
JP4777593B2 (ja)2002-11-292011-09-21株式会社オハラリチウムイオン二次電池の製造方法
ATE348204T1 (de)2002-12-162007-01-15Basf AgVerfahren zur gewinnung von lithium
JP4145647B2 (ja)*2002-12-272008-09-03東芝電池株式会社リチウム二次電池およびその製造方法
TWI261045B (en)2002-12-302006-09-01Ind Tech Res InstComposite nanofibers and their fabrications
KR20050092384A (ko)2003-01-022005-09-21사임베트 코퍼레이션고체배터리 작동소자 및 그 제조방법
US6906436B2 (en)2003-01-022005-06-14Cymbet CorporationSolid state activity-activated battery device and method
TWI341337B (en)2003-01-072011-05-01Cabot CorpPowder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
US20040135160A1 (en)2003-01-102004-07-15Eastman Kodak CompanyOLED device
IL153895A (en)2003-01-122013-01-31Orion Solar Systems LtdSolar cell device
KR100513726B1 (ko)2003-01-302005-09-08삼성전자주식회사고체 전해질, 이를 채용한 전지 및 그 고체 전해질의 제조방법
DE10304824A1 (de)2003-01-312004-08-12Varta Microbattery GmbhDünne elektronische Chipkarte
RU2241281C2 (ru)2003-02-102004-11-27Институт химии и химической технологии СО РАНСпособ получения тонких пленок кобальтата лития
JP2004273436A (ja)2003-02-182004-09-30Matsushita Electric Ind Co Ltd全固体薄膜積層電池
WO2004077519A2 (en)2003-02-272004-09-10Mukundan NarasimhanDielectric barrier layer films
US6936407B2 (en)2003-02-282005-08-30Osram Opto Semiconductors GmbhThin-film electronic device module
KR100590376B1 (ko)2003-03-202006-06-19마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤집합전지
CN1274052C (zh)2003-03-212006-09-06比亚迪股份有限公司锂离子二次电池的制造方法
JP4635407B2 (ja)2003-03-252011-02-23三洋電機株式会社二次電池用非水系電解液及び非水系電解液二次電池
US6955986B2 (en)2003-03-272005-10-18Asm International N.V.Atomic layer deposition methods for forming a multi-layer adhesion-barrier layer for integrated circuits
US20070141468A1 (en)2003-04-032007-06-21Jeremy BarkerElectrodes Comprising Mixed Active Particles
CN100358144C (zh)2003-04-042007-12-26松下电器产业株式会社搭载电池的集成电路装置
WO2004093223A2 (en)2003-04-142004-10-28Massachusetts Institute Of TechnologyIntegrated thin film batteries on silicon integrated circuits
KR100508945B1 (ko)2003-04-172005-08-17삼성에스디아이 주식회사리튬 전지용 음극, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 리튬전지
US7088031B2 (en)2003-04-222006-08-08Infinite Power Solutions, Inc.Method and apparatus for an ambient energy battery or capacitor recharge system
US7045246B2 (en)2003-04-222006-05-16The Aerospace CorporationIntegrated thin film battery and circuit module
US6936377B2 (en)2003-05-132005-08-30C. Glen WensleyCard with embedded IC and electrochemical cell
US7238628B2 (en)2003-05-232007-07-03Symmorphix, Inc.Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US8728285B2 (en)2003-05-232014-05-20Demaray, LlcTransparent conductive oxides
US6852139B2 (en)2003-07-112005-02-08Excellatron Solid State, LlcSystem and method of producing thin-film electrolyte
US6886240B2 (en)2003-07-112005-05-03Excellatron Solid State, LlcApparatus for producing thin-film electrolyte
WO2005008828A1 (en)2003-07-112005-01-27Excellatron Solid State, LlcSystem and method of producing thin-film electrolyte
EP1665416B1 (en)2003-08-012014-04-30Bathium Canada Inc.Cathode material for polymer batteries and method of preparing same
JP2005078985A (ja)2003-09-022005-03-24Toshiba Battery Co Ltd非水系二次電池用電極及びこれを用いたリチウム二次電池。
US20050070097A1 (en)2003-09-292005-03-31International Business Machines CorporationAtomic laminates for diffusion barrier applications
US7230321B2 (en)2003-10-132007-06-12Mccain JosephIntegrated circuit package with laminated power cell having coplanar electrode
US20050079418A1 (en)2003-10-142005-04-143M Innovative Properties CompanyIn-line deposition processes for thin film battery fabrication
US7211351B2 (en)2003-10-162007-05-01Cymbet CorporationLithium/air batteries with LiPON as separator and protective barrier and method
FR2861218B1 (fr)2003-10-162007-04-20Commissariat Energie AtomiqueCouche et procede de protection de microbatteries par une bicouche ceramique-metal
US20050133361A1 (en)2003-12-122005-06-23Applied Materials, Inc.Compensation of spacing between magnetron and sputter target
EP1544917A1 (en)2003-12-152005-06-22Dialog Semiconductor GmbHIntegrated battery pack with lead frame connection
JP2005196971A (ja)2003-12-262005-07-21Matsushita Electric Ind Co Ltdリチウム二次電池用負極とその製造方法ならびにリチウム二次電池
US7494742B2 (en)2004-01-062009-02-24Cymbet CorporationLayered barrier structure having one or more definable layers and method
TWI302760B (en)2004-01-152008-11-01Lg Chemical LtdElectrochemical device comprising aliphatic nitrile compound
JP3859645B2 (ja)2004-01-162006-12-20Necラミリオンエナジー株式会社フィルム外装電気デバイス
CN1918727A (zh)2004-02-072007-02-21株式会社Lg化学用有机/无机复合多孔层涂覆的电极以及包括该电极的电化学装置
JP4813767B2 (ja)2004-02-122011-11-09出光興産株式会社リチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラス及びその製造方法
US7968233B2 (en)2004-02-182011-06-28Solicore, Inc.Lithium inks and electrodes and batteries made therefrom
US7624499B2 (en)2004-02-262009-12-01Hei, Inc.Flexible circuit having an integrally formed battery
KR101168253B1 (ko)2004-03-062012-07-31베르너 벱프너화학적으로 안정한 고체 리튬 이온 전도체
DE102004010892B3 (de)2004-03-062005-11-24Christian-Albrechts-Universität Zu KielChemisch stabiler fester Lithiumionenleiter
JP4418262B2 (ja)2004-03-122010-02-17三井造船株式会社基板・マスク固定装置
US20050255828A1 (en)2004-05-032005-11-17Critical Wireless CorporationRemote terminal unit and remote monitoring and control system
US7052741B2 (en)2004-05-182006-05-30The United States Of America As Represented By The Secretary Of The NavyMethod of fabricating a fibrous structure for use in electrochemical applications
WO2006014622A2 (en)2004-07-192006-02-09Face Bradbury RFootwear incorporating piezoelectric energy harvesting system
US7195950B2 (en)2004-07-212007-03-27Hewlett-Packard Development Company, L.P.Forming a plurality of thin-film devices
US7645246B2 (en)2004-08-112010-01-12Omnitek Partners LlcMethod for generating power across a joint of the body during a locomotion cycle
JP4892180B2 (ja)2004-08-202012-03-07セイコーインスツル株式会社電気化学セル、その製造方法およびその外観検査方法
JP4381273B2 (ja)2004-10-012009-12-09株式会社東芝二次電池及び二次電池の製造方法
EP1815553A2 (en)2004-12-022007-08-08Kabushiki Kaisha OharaAll solid lithium ion secondary battery and a solid electrolyte therefor
US7959769B2 (en)2004-12-082011-06-14Infinite Power Solutions, Inc.Deposition of LiCoO2
KR101127370B1 (ko)2004-12-082012-03-29인피니트 파워 솔루션스, 인크.LiCoO2의 증착
JP5165843B2 (ja)*2004-12-132013-03-21パナソニック株式会社活物質層と固体電解質層とを含む積層体およびこれを用いた全固体リチウム二次電池
US7670724B1 (en)2005-01-052010-03-02The United States Of America As Represented By The Secretary Of The ArmyAlkali-hydroxide modified poly-vinylidene fluoride/polyethylene oxide lithium-air battery
US20060155545A1 (en)2005-01-112006-07-13Hosanna, Inc.Multi-source powered audio playback system
EP1842250B1 (en)2005-01-192013-09-04Arizona Board of Regents, acting for and on behalf of Arizona State UniversityElectric current-producing device having a sulfone-based electrolyte
WO2006088600A2 (en)2005-01-202006-08-24Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc.Microradio design, manufacturing method and applications for the use of microradios
US20090302226A1 (en)2005-02-082009-12-10Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of JerusalemSolid-state neutron and alpha particles detector and methods for manufacturing and use thereof
DE102005014427B4 (de)2005-03-242008-05-15Infineon Technologies AgVerfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements
EP1713024A1 (en)2005-04-142006-10-18Ngk Spark Plug Co., Ltd.A card, a method of manufacturing the card, and a thin type battery for the card
US20060237543A1 (en)2005-04-202006-10-26Ngk Spark Plug Co., Ltd.Card, manufacturing method of card, and thin type battery for card
JP4982866B2 (ja)2005-07-012012-07-25独立行政法人物質・材料研究機構全固体リチウム電池
US20070021156A1 (en)2005-07-192007-01-25Hoong Chow TCompact radio communications device
US8182661B2 (en)2005-07-272012-05-22Applied Materials, Inc.Controllable target cooling
US7400253B2 (en)2005-08-042008-07-15Mhcmos, LlcHarvesting ambient radio frequency electromagnetic energy for powering wireless electronic devices, sensors and sensor networks and applications thereof
MX2008002074A (es)2005-08-092008-04-22Polyplus Battery Co IncEstructuras de sello flexible para anodos de metal activo protegidos.
EP1946429B1 (en)2005-08-102017-06-21Bionic Power Inc.Methods and apparatus for harvesting biomechanical energy
DK176361B1 (da)2005-08-122007-09-24Gn AsKommunikationsenhed med indbygget antenne
US7838133B2 (en)2005-09-022010-11-23Springworks, LlcDeposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
US7553582B2 (en)2005-09-062009-06-30Oak Ridge Micro-Energy, Inc.Getters for thin film battery hermetic package
US7202825B2 (en)2005-09-152007-04-10Motorola, Inc.Wireless communication device with integrated battery/antenna system
JP2007094641A (ja)2005-09-282007-04-12Kyocera Corp在宅情報システム、在宅情報管理装置及び在宅情報管理方法
US7345647B1 (en)2005-10-052008-03-18Sandia CorporationAntenna structure with distributed strip
JP2007107752A (ja)2005-10-112007-04-26Yamaoka Kinzoku Kogyo Kk屋外ストーブ
US20110267235A1 (en)2006-01-202011-11-03Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc.Method of tracking a vehicle using microradios
US20070187836A1 (en)2006-02-152007-08-16Texas Instruments IncorporatedPackage on package design a combination of laminate and tape substrate, with back-to-back die combination
TWI368347B (en)2006-02-162012-07-11Lg Chemical LtdElectrode including organic/inorganic composite coating layer and electrochemical device prepared thereby
DE102006009789B3 (de)2006-03-012007-10-04Infineon Technologies AgVerfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und Kunststoffgehäusemasse
KR100791791B1 (ko)2006-03-102008-01-04주식회사 엘지화학다공성 활성층이 코팅된 전극, 그 제조방법 및 이를 구비한전기화학소자
CN102360442B (zh)2006-03-102015-01-07株式会社半导体能源研究所半导体器件及其操作方法
KR20090008255A (ko)2006-03-222009-01-21파워캐스트 코포레이션무선 전원의 구현을 위한 방법 및 장치
US8155712B2 (en)2006-03-232012-04-10Sibeam, Inc.Low power very high-data rate device
US20070235320A1 (en)2006-04-062007-10-11Applied Materials, Inc.Reactive sputtering chamber with gas distribution tubes
DE102006025671B4 (de)2006-06-012011-12-15Infineon Technologies AgVerfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen
JP2008091328A (ja)2006-09-042008-04-17Sumitomo Electric Ind Ltdリチウム二次電池およびその製造方法
US8162230B2 (en)2006-10-172012-04-24Powerid Ltd.Method and circuit for providing RF isolation of a power source from an antenna and an RFID device employing such a circuit
JP2008103283A (ja)2006-10-202008-05-01Idemitsu Kosan Co Ltd全固体電池
DE102006054309A1 (de)2006-11-172008-05-21Dieter TeckhausBatteriezelle mit Kontaktelementenanordnung
US7466274B2 (en)2006-12-202008-12-16Cheng Uei Precision Industry Co., Ltd.Multi-band antenna
JP4779988B2 (ja)*2007-02-132011-09-28トヨタ自動車株式会社全固体リチウム二次電池
JP4466668B2 (ja)2007-03-202010-05-26セイコーエプソン株式会社半導体装置の製造方法
US7915089B2 (en)2007-04-102011-03-29Infineon Technologies AgEncapsulation method
US7862627B2 (en)2007-04-272011-01-04Front Edge Technology, Inc.Thin film battery substrate cutting and fabrication process
US7848715B2 (en)2007-05-032010-12-07Infineon Technologies AgCircuit and method
US20090202903A1 (en)*2007-05-252009-08-13Massachusetts Institute Of TechnologyBatteries and electrodes for use thereof
DE102007030604A1 (de)2007-07-022009-01-08Weppner, Werner, Prof. Dr.Ionenleiter mit Granatstruktur
US20090092903A1 (en)*2007-08-292009-04-09Johnson Lonnie GLow Cost Solid State Rechargeable Battery and Method of Manufacturing Same
JP5151692B2 (ja)2007-09-112013-02-27住友電気工業株式会社リチウム電池
JP5234394B2 (ja)*2007-09-212013-07-10住友電気工業株式会社リチウム電池
KR101147604B1 (ko)*2007-10-122012-05-23주식회사 엘지화학젤리-롤형 전극조립체의 변형을 억제하기 위한 제조방법
US8634773B2 (en)2007-10-122014-01-21Cochlear LimitedShort range communications for body contacting devices
JP5316809B2 (ja)2007-11-132013-10-16住友電気工業株式会社リチウム電池およびその製造方法
JP5705549B2 (ja)2008-01-112015-04-22インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド薄膜電池および他のデバイスのための薄膜カプセル化
JP5368711B2 (ja)*2008-01-232013-12-18出光興産株式会社全固体リチウム二次電池用の固体電解質膜、正極膜、又は負極膜、及びそれらの製造方法並びに全固体リチウム二次電池
JP5289080B2 (ja)2008-01-312013-09-11株式会社オハラリチウムイオン二次電池の製造方法
JP5239375B2 (ja)*2008-02-142013-07-17トヨタ自動車株式会社全固体電池およびその製造方法
US8056814B2 (en)2008-02-272011-11-15Tagsys SasCombined EAS/RFID tag
TW200952250A (en)2008-06-122009-12-16Arima Comm Co LtdPortable electronic device having broadcast antenna
WO2010019577A1 (en)2008-08-112010-02-18Infinite Power Solutions, Inc.Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
US8389160B2 (en)2008-10-072013-03-05Envia Systems, Inc.Positive electrode materials for lithium ion batteries having a high specific discharge capacity and processes for the synthesis of these materials
JP5577028B2 (ja)*2008-10-092014-08-20出光興産株式会社硫化物系固体電解質の製造方法
US8906818B2 (en)*2009-10-132014-12-09Recapping, Inc.High energy density ionic dielectric materials and devices
AR079451A1 (es)2009-12-182012-01-25Nycomed GmbhCompuestos 3,4,4a,10b-tetrahidro-1h-tiopirano[4,3-c]isoquinolina
FR2956523B1 (fr)2010-02-182012-04-27Centre Nat Rech ScientProcede de preparation d'une batterie monolithique par frittage sous courant pulse

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JP2000340257A (ja)*1998-12-032000-12-08Sumitomo Electric Ind Ltdリチウム二次電池
JP2001015162A (ja)*1999-06-292001-01-19Sony Corp固体電解質電池
JP2008270137A (ja)2007-03-232008-11-06Toyota Motor Corp合材層およびその製造方法ならびに固体電池およびその製造方法

Also Published As

Publication numberPublication date
JP2013528912A (ja)2013-07-11
US20110300432A1 (en)2011-12-08
JP2017135114A (ja)2017-08-03
CN102947976A (zh)2013-02-27
CN102947976B (zh)2018-03-16
JP2015228373A (ja)2015-12-17
WO2011156392A1 (en)2011-12-15
US20180097252A1 (en)2018-04-05
EP2577777A1 (en)2013-04-10
KR20130119411A (ko)2013-10-31
EP2577777B1 (en)2016-12-28
EP2577777A4 (en)2014-03-19
US10680277B2 (en)2020-06-09

Similar Documents

PublicationPublication DateTitle
KR101930561B1 (ko)재충전 가능한 고밀도 전기 화학 장치
US20250046865A1 (en)Method for Suppressing Metal Propagation in Solid Electrolytes
Huang et al.A Li-Garnet composite ceramic electrolyte and its solid-state Li-S battery
CN109526240B (zh)可再充电电池
Leng et al.Electrochemical cycle-life characterization of high energy lithium-ion cells with thick Li (Ni0. 6Mn0. 2Co0. 2) O2 and graphite electrodes
US10090557B2 (en)Solid-state multi-layer electrolyte, electrochemical cell and battery including the electrolyte, and method of forming same
RU2519935C2 (ru)Литиевый аккумулятор и способ его изготовления
US9799933B2 (en)Solid state battery with integrated rate booster
US20110081580A1 (en)Solid-state lithium secondary battery and method for producing the same
EP2214248A1 (en)Lithium battery and method for manufacturing the same
EP3576192A1 (en)Manufacturing method for electrode for all-solid-state battery and manufacturing method for all solid-state-battery
CN110233282B (zh)一种带有硅负极和硫化物固体电解质的全固态电池
KR20220071142A (ko)리튬 금속 고체 배터리용 나노-합금 계면상
EP3258529A1 (en)Nonaqueous-electrolyte secondary cell, and positive electrode of nonaqueous-electrolyte secondary cell
JP2013051171A (ja)全固体電池用電極体及び全固体電池
CN114600291A (zh)锂离子传导性固体电解质及锂离子传导性固体电解质的制造方法
JP5747237B2 (ja)無機固体電解質を用いた液体およびポリマーフリーのリチウム−空気電池
KR102822632B1 (ko)저저항 복합 실리콘-기반 전극
Chen et al.All-solid-state lithium battery with high capacity enabled by a new way of composite cathode design
Gutiérrez-Pardo et al.Will the competitive future of solid state Li metal batteries rely on a ceramic or a composite electrolyte?
WO2020243128A2 (en)Cermet electrode for solid state and lithium ion batteries
CN113439351B (zh)复合材料
JP2011142047A (ja)電極、マグネシウムイオン2次電池、および電力システム
Imanishi et al.Polymer Electrolytes for Lithium–Air Batteries

Legal Events

DateCodeTitleDescription
PA0105International application

Patent event date:20130107

Patent event code:PA01051R01D

Comment text:International Patent Application

PG1501Laying open of application
N231Notification of change of applicant
PN2301Change of applicant

Patent event date:20140924

Comment text:Notification of Change of Applicant

Patent event code:PN23011R01D

A201Request for examination
AMNDAmendment
PA0201Request for examination

Patent event code:PA02012R01D

Patent event date:20160601

Comment text:Request for Examination of Application

E902Notification of reason for refusal
PE0902Notice of grounds for rejection

Comment text:Notification of reason for refusal

Patent event date:20170719

Patent event code:PE09021S01D

AMNDAmendment
E902Notification of reason for refusal
PE0902Notice of grounds for rejection

Comment text:Notification of reason for refusal

Patent event date:20180313

Patent event code:PE09021S01D

AMNDAmendment
E601Decision to refuse application
PE0601Decision on rejection of patent

Patent event date:20180914

Comment text:Decision to Refuse Application

Patent event code:PE06012S01D

Patent event date:20180313

Comment text:Notification of reason for refusal

Patent event code:PE06011S01I

Patent event date:20170719

Comment text:Notification of reason for refusal

Patent event code:PE06011S01I

AMNDAmendment
PX0901Re-examination

Patent event code:PX09011S01I

Patent event date:20180914

Comment text:Decision to Refuse Application

Patent event code:PX09012R01I

Patent event date:20180514

Comment text:Amendment to Specification, etc.

Patent event code:PX09012R01I

Patent event date:20171120

Comment text:Amendment to Specification, etc.

Patent event code:PX09012R01I

Patent event date:20160601

Comment text:Amendment to Specification, etc.

PX0701Decision of registration after re-examination

Patent event date:20181107

Comment text:Decision to Grant Registration

Patent event code:PX07013S01D

Patent event date:20181016

Comment text:Amendment to Specification, etc.

Patent event code:PX07012R01I

Patent event date:20180914

Comment text:Decision to Refuse Application

Patent event code:PX07011S01I

Patent event date:20180514

Comment text:Amendment to Specification, etc.

Patent event code:PX07012R01I

Patent event date:20171120

Comment text:Amendment to Specification, etc.

Patent event code:PX07012R01I

Patent event date:20160601

Comment text:Amendment to Specification, etc.

Patent event code:PX07012R01I

X701Decision to grant (after re-examination)
GRNTWritten decision to grant
PR0701Registration of establishment

Comment text:Registration of Establishment

Patent event date:20181212

Patent event code:PR07011E01D

PR1002Payment of registration fee

Payment date:20181212

End annual number:3

Start annual number:1

PG1601Publication of registration
PR1001Payment of annual fee

Payment date:20211118

Start annual number:4

End annual number:4

PR1001Payment of annual fee

Payment date:20221027

Start annual number:5

End annual number:5

PR1001Payment of annual fee

Payment date:20241029

Start annual number:7

End annual number:7


[8]ページ先頭

©2009-2025 Movatter.jp