KR101885105B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하기 위한 공간이 내부에 형성된 몸체; 상기 몸체 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 몸체 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 몸체 내부에 고주파 전력을 인가하여 상기 몸체 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시키는 안테나; 상기 몸체의 내측면을 따라 제공되며, 상기 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 에워싸는 라이너; 및 상기 라이너를 회전시키는 라이너 회전부를 포함한다.A substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes: a body having a space therein for processing a substrate; A substrate support positioned within the body and supporting the substrate; A gas supply unit for supplying a process gas into the body; An antenna for applying a high frequency power to the inside of the body to excite a process gas staying inside the body; A liner provided along the inner side of the body and surrounding the excitation space into which the process gas is excited; And a liner rotating unit for rotating the liner.

Description

Translated fromKorean

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to an apparatus and a method for processing a substrate using plasma.

플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma is an ionized gas state produced by very high temperature, strong electric field or RF electromagnetic fields, and composed of ions, electrons, radicals, and so on. The semiconductor device fabrication process employs a plasma to perform the etching process. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

공정 처리가 수행되는 공정 챔버의 내부에는 공정 챔버의 내측면을 보호하기 위한 라이너가 제공된다. 공정 챔버와 라이너 각각에는 기판이 출입하는 개구가 형성된다. 공정 가스는 공정 챔버의 개구와 라이너의 개구로 확산되므로, 공정 챔버 내부에서 공정 가스의 밀도 분포가 불균일해진다. 이러한 공정 가스의 확산을 방지하기 위하여, 공정 챔버의 내부에는 라이너의 개구를 개폐하는 셔터가 제공되나, 셔터는 공정 챔버 내부에서 별도의 공간을 차지하고, 접지에 취약하여 공정 가스가 여기되는 과정에서 아크 방전을 일으키는 요인이 될 수 있다.Inside the process chamber in which process processing is performed is provided a liner for protecting the inner surface of the process chamber. In each of the process chamber and the liner, an opening through which the substrate enters and leaves is formed. The process gas is diffused into the openings of the process chamber and the liner so that the density distribution of the process gas inside the process chamber becomes non-uniform. In order to prevent the diffusion of the process gas, a shutter for opening and closing an opening of the liner is provided in the process chamber. However, the shutter occupies a separate space inside the process chamber, Which may cause a discharge.

선행기술 1: 한국공개특허공보 제10-2010-37060호Prior Art 1: Korean Unexamined Patent Publication No. 10-2010-37060

본 발명의 실시예들은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for uniformly treating a substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하기 위한 공간이 내부에 형성된 몸체; 상기 몸체 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 몸체 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 몸체 내부에 고주파 전력을 인가하여 상기 몸체 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시키는 안테나; 상기 몸체의 내측면을 따라 제공되며, 상기 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 에워싸는 라이너; 및 상기 라이너를 회전시키는 라이너 회전부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a body having a space therein for processing a substrate; A substrate support positioned within the body and supporting the substrate; A gas supply unit for supplying a process gas into the body; An antenna for applying a high frequency power to the inside of the body to excite a process gas staying inside the body; A liner provided along the inner side of the body and surrounding the excitation space into which the process gas is excited; And a liner rotating unit for rotating the liner.

또한, 상기 몸체의 측벽에는 상기 기판이 출입하는 개구가 형성되고, 상기 라이너의 측벽에는 상기 기판이 출입하는 통로가 형성되고, 상기 라이너 회전부는 상기 통로가 상기 개구와 일직선상에 위치하는 제1위치와 상기 통로가 상기 개구와 서로 상이한 직선상에 위치하는 제2위치간에 상기 라이너를 회전시킬 수 있다.In addition, a sidewall of the body is provided with an opening through which the substrate enters and exits, a sidewall of the liner is provided with a passage through which the substrate enters and exits, and the liner rotation portion includes a first position where the passage is aligned with the opening And a second position in which the passage is located on a straight line that is different from the opening.

또한, 상기 제2위치에서 상기 통로와 일직선상에 위치하고, 상기 몸체의 내측면에 탈착가능하게 설치되며, 상기 라이너와 동일한 재질로 제공되는 보조 라이너를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a secondary liner disposed on the inner surface of the body in a straight line with the passage at the second position and provided with the same material as the liner.

또한, 상기 라이너 회전부는 상기 몸체의 내부에 위치하며, 상기 라이너의 하단에 고정 결합하는 회전 링; 상기 회전 링의 외주면을 따라 상이한 극성의 자석들이 교대로 반복적으로 배치되는 제1자석부; 상기 몸체의 외부에서 상기 회전 링과 동일 높이에 위치하는 회전 몸체; 상기 회전 몸체의 외주면을 따라 상이한 극성의 자석들이 교대로 반복적으로 배치되는 제2자석부; 및 상기 회전 몸체를 회전시키는 구동부를 포함할 수 있다.In addition, the liner rotating part is located inside the body and is fixed to the lower end of the liner; A first magnet portion in which magnets of different polarities are alternately and repeatedly arranged along an outer peripheral surface of the rotary ring; A rotating body located outside the body at the same height as the rotating ring; A second magnet portion in which magnets of different polarities are alternately and repeatedly arranged along an outer peripheral surface of the rotating body; And a driving unit for rotating the rotating body.

또한, 상기 라이너 회전부는 상기 몸체와 상기 라이너 사이에 설치되며, 상기 라이너의 회전을 보조하는 베어링을 더 포함할 수 있다.The liner rotating unit may further include a bearing installed between the body and the liner to assist rotation of the liner.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 몸체의 개구와 라이너의 통로를 일직선상에 위치시키고, 상기 개구와 상기 통로를 통하여 상기 몸체의 내부로 기판을 제공하고, 상기 개구와 상기 통로가 서로 상이한 직선상에 위치하도록 상기 라이너를 회전시켜 상기 개구를 차단하며, 상기 몸체 내부에 공급된 공정 가스를 여기시켜 상기 기판을 처리한다.A substrate processing method in accordance with an embodiment of the present invention includes positioning a passage of a body and a liner in a straight line, providing a substrate into the interior of the body through the opening and the passage, The liner is rotated to position the substrate on a different straight line to block the opening, and the substrate is processed by exciting the process gas supplied to the inside of the body.

또한, 상기 라이너는 비접촉방식에 의해 회전될 수 있다.Further, the liner can be rotated by a non-contact method.

또한, 상기 라이너에 연결된 회전 링의 외주면을 따라 서로 상이한 극성의 제1자석들이 교대로 반복적으로 배치되고, 상기 몸체의 외부에 위치된 회전 몸체의 외주면을 따라 서로 상이한 극성의 제2자석들이 교대로 반복적으로 배치되며, 상기 라이너는 상기 회전 몸체의 회전으로 발생된 상기 제1자석들과 상기 제2자석들의 자력 변화에 의해 회전될 수 있다.Further, first magnets of mutually different polarities are alternately and repeatedly arranged along the outer circumferential surface of the rotary ring connected to the liner, and second magnets of different polarities are alternately arranged along the outer circumferential surface of the rotating body located outside the body And the liner can be rotated by a magnetic force change of the first magnets and the second magnets generated by the rotation of the rotating body.

본 발명의 실시예들에 의하면, 플라스마 밀도 분포가 균일하게 발생되므로 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.According to the embodiments of the present invention, since the plasma density distribution is uniformly generated, the substrate processing can be performed uniformly.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 몸체와 리니어가 배치되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 라이너 회전부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 회전 링과 회전 몸체의 단면을 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figs. 2 and 3 are cross-sectional views showing a state in which the body and the linear in Fig. 1 are arranged. Fig.
Fig. 4 is a perspective view showing the liner rotating unit of Fig. 1;
Fig. 5 is a view showing a section of the rotating ring and the rotating body of Fig. 4;

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, an apparatus and a method for processing a substrate according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지부(200), 가스 공급부(300), 그리고, 플라스마 생성부(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, asubstrate processing apparatus 10 processes a substrate W using a plasma. Thesubstrate processing apparatus 10 includes aprocess chamber 100, asubstrate supporting unit 200, agas supplying unit 300, and aplasma generating unit 400.

공정 챔버(100)는 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)는 몸체(110), 밀폐 커버(120), 라이너(130), 라이너 회전부(140), 보조 라이너(170)를 포함한다.Theprocess chamber 100 provides a space in which the substrate W processing process is performed. Theprocess chamber 100 includes abody 110, asealing cover 120, aliner 130, aliner rotation part 140, and asecondary liner 170.

몸체(110)에는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 몸체(110)의 내부 공간은 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 몸체(110)는 금속 재질로 제공된다. 몸체(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(110)의 측벽에는 개구(111)가 형성된다. 개구(111)는 기판이 몸체(110) 내부로 이송되는 통로를 제공한다. 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(181)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 몸체의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(181)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 몸체(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.In thebody 110, a space having an opened upper surface is formed therein. The inner space of thebody 110 is provided as a space in which the substrate W processing process is performed. Thebody 110 is made of a metal material. Thebody 100 may be made of aluminum. Anopening 111 is formed in the side wall of thebody 110. Theopening 111 provides a passage through which the substrate is transferred into thebody 110. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of thebody 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 181. The reaction by-products generated in the process and the gas staying in the inner space of the body can be discharged to the outside through the exhaust line 181. [ The inside of thebody 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

밀폐 커버(120)는 몸체(110)의 개방된 상면을 덮는다. 밀폐 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 몸체(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 밀폐 커버(120)는 몸체(110)와 상이한 재질로 제공될 수 있다. 밀폐 커버(120)는 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다.Thesealing cover 120 covers the open upper surface of thebody 110. Thesealing cover 120 is provided in a plate shape to seal the inner space of thebody 110. Thesealing cover 120 may be provided in a material different from that of thebody 110. Thehermetic cover 120 may be provided as a dielectric substance.

라이너(130)는 몸체(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면에 상응하거나 그보다 작은 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 몸체(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)의 측벽에는 통로(132)가 형성된다. 통로(132)를 통하여 기판(W)이 라이너(130) 내부로 제공된다. 라이너(130)는 몸체(110)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 공정 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면을 보호하여 몸체(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 몸체(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)이 손상될 경우, 새로운 라이너로 교체할 수 있다.Theliner 130 is provided inside thebody 110. Theliner 130 has a space in which the upper surface and the lower surface are opened. Theliner 130 may be provided in a cylindrical shape. Theliner 130 may have a radius that is equal to or less than the inner surface of thebody 110. Theliner 130 is provided along the inner surface of thebody 110. At the upper end of theliner 130, asupport ring 131 is formed. Thesupport ring 131 is provided in the form of a ring and projects outwardly of theliner 130 along the periphery of theliner 130. Thesupport ring 131 rests on the top of thebody 110 and supports theliner 130. Apassage 132 is formed in a side wall of theliner 130. The substrate W is provided through thepassageway 132 into theliner 130. Theliner 130 may be provided in the same material as thebody 110. Theliner 130 may be made of aluminum. Theliner 130 protects the inside surface of thebody 110. An arc discharge may be generated in theprocess chamber 100 during the excitation of the process gas. Arc discharge damages peripheral devices. Theliner 130 protects the inner surface of thebody 110 to prevent the inner surface of thebody 110 from being damaged by the arc discharge. Theliner 130 is less expensive than thebody 110 and is easy to replace. Thus, if theliner 130 is damaged by arc discharge, it can be replaced with a new liner.

라이너 회전부(140)는 라이너(130)를 회전시킨다. 라이너 회전부(140)는 비접촉방식에 의해 라이너(130)를 회전시킬 수 있다. 라이너 회전부(140)는 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 제1위치 또는 제2위치에 위치하도록 라이너(130)를 회전시킨다. 제1위치에서는 도 2와 같이, 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 일직선상에 위치하고, 제2위치에서는 도 3과 같이, 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 서로 상이한 직선상에 위치한다. 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 제1위치에 위치하는 상태에서 기판(W)이 몸체(110) 내부로 이송된다. 그리고, 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 제2위치에 위치하는 상태에서 기판(W)에 대한 공정 처리가 수행된다.Theliner rotation unit 140 rotates theliner 130. Theliner rotating part 140 can rotate theliner 130 by a non-contact method. Theliner rotation part 140 rotates theliner 130 such that theopening 111 of thebody 110 and thepassage 132 of theliner 130 are located at the first position or the second position. 2, theopening 111 of thebody 110 and thepassage 132 of theliner 130 are positioned on a straight line, and in the second position, theopening 110 of thebody 110 111 and thepassageway 132 of theliner 130 are located on a line that is different from each other. The substrate W is transferred into thebody 110 in a state where theopening 111 of thebody 110 and thepassage 132 of theliner 130 are positioned at the first position. The processing of the substrate W is performed in a state where theopening 111 of thebody 110 and thepassage 132 of theliner 130 are located at the second position.

도 4는 라이너 회전부를 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view showing the liner rotating part.

도 1 및 도 4를 참조하면, 라이너 회전부(140)는 회전 링(141), 제1자석부(142), 회전 몸체(143), 제2자석부(144), 회전 로드(145), 구동기(146), 그리고 베어링(147)을 포함한다.1 and 4, theliner rotating part 140 includes arotating ring 141, afirst magnet part 142, arotating body 143, asecond magnet part 144, arotating rod 145, (146), and a bearing (147).

회전 링(141)은 몸체(110)의 내부에 위치하며, 라이너(130)와 동일한 반경을 가지는 링 형상으로 제공된다. 회전 링(141)은 라이너(130)의 하부에 위치하며, 라이너(130)의 하단에 고정 결합된다.Therotating ring 141 is located inside thebody 110 and is provided in a ring shape having the same radius as theliner 130. Therotating ring 141 is positioned below theliner 130 and is fixedly coupled to the lower end of theliner 130.

제1자석부(142)는 제2자석부(144)와 자력에 의해 라이너(130)를 회전시킨다. 제1자석부(142)는 회전 링(141)의 외주면을 따라 배치되는 복수개의 제1자석(142a, 142b)들을 포함한다. 제1자석(142a, 142b)들은 서로 상이한 극성이 교대로, 그리고 반복적으로 배치된다. 인접한 제1자석(142a, 142b)들은 서로 상이한 극성을 갖는다.Thefirst magnet portion 142 rotates theliner 130 by thesecond magnet portion 144 and the magnetic force. Thefirst magnet portion 142 includes a plurality offirst magnets 142a and 142b disposed along the outer circumferential surface of therotary ring 141. [ Thefirst magnets 142a and 142b are arranged alternately and repeatedly with different polarities from each other. Adjacentfirst magnets 142a and 142b have different polarities from each other.

회전 몸체(143)는 몸체(110)의 외부에 위치한다. 회전 몸체(143)는 회전 링(141)과 동일한 높이에 위치한다. 회전 몸체(143)는 원통 형상으로 제공된다. 회전 몸체(143)에는 제2자석부(144)가 제공된다. 제2자석부(144)는 회전 몸체(143)의 회전력을 제1자석부(142)에 전달한다. 제2자석부(144)는 회전 몸체(143)의 외주면을 따라 배치되는 복수개의 제2자석(144a, 144b)들을 포함한다. 제2자석(144a, 144b)들은 서로 상이한 극성이 교대로, 그리고 반복적으로 배치된다. 인접한 제2자석(144a, 144b)들은 서로 상이한 극성을 갖는다. 제2자석(144a, 144b)들은 제1자석(142a, 144b)들과 마주하여 배치된다.Therotating body 143 is located outside thebody 110. Therotating body 143 is located at the same height as therotating ring 141. Therotating body 143 is provided in a cylindrical shape. Therotating body 143 is provided with asecond magnet portion 144. Thesecond magnet portion 144 transmits the rotating force of therotating body 143 to thefirst magnet portion 142. Thesecond magnet portion 144 includes a plurality ofsecond magnets 144a and 144b disposed along the outer circumferential surface of therotating body 143. Thesecond magnets 144a and 144b are alternately and repeatedly arranged with different polarities. Adjacentsecond magnets 144a and 144b have mutually different polarities. Thesecond magnets 144a and 144b are disposed facing thefirst magnets 142a and 144b.

회전 로드(145)는 회전 몸체(143)의 하부에 수직방향으로 제공되며, 회전 몸체(143)의 중심에 삽입 고정된다. 구동기(146)는 회전 로드(145)의 하단에 결합되며, 회전 로드(145)의 길이방향과 나란한 축을 중심으로 회전 로드(145)를 회전시킨다.Therotary rod 145 is provided in a vertical direction at a lower portion of therotary body 143 and is inserted and fixed to the center of therotary body 143. Thedriver 146 is coupled to the lower end of therotary rod 145 and rotates therotary rod 145 about an axis parallel to the longitudinal direction of therotary rod 145.

베어링(147)은 라이너(130)의 회전을 보조한다. 베어링(147)은 라이너(130)와 몸체(110) 사이에 제공된다. 베어링(147)의 내륜은 라이너(130)의 외주면을 따라 제공되며, 라이너(130)에 고정 설치된다. 베어링(147)의 외륜은 몸체(110)의 내측면을 따라 제공되며, 몸체(110)에 고정 설치된다.The bearing 147 assists rotation of theliner 130. Abearing 147 is provided between theliner 130 and thebody 110. The inner ring of thebearing 147 is provided along the outer circumferential surface of theliner 130 and fixed to theliner 130. The outer ring of thebearing 147 is provided along the inner surface of thebody 110 and fixed to thebody 110.

보조 라이너(170)는 도 3과 같이, 라이너(130)의 통로(132)가 제2위치에 위치되는 경우, 라이너(130)의 통로(132)와 일적선상에 위치되도록 몸체(110)의 내측면에 설치된다. 보조 라이너(170)는 탈착가능하도록 몸체(110)의 내측면에 설치될 수 있다. 보조 라이너(170)는 라이너(130)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 보조 라이너(170)는 라이너(130)의 통로(132)에 대응하거나, 그보다 큰 사이즈로 제공될 수 있다. 보조 라이너(170)는 공정 가스가 여기되는 과정에서 라이너(130)의 통로(132)를 통하여 몸체(110)의 내측면이 손상되는 것을 방지한다. 보조 라이너(170)에 손상이 발생할 경우, 보조 라이너(170)를 탈착하여 새로운 보조 라이너로 교체할 수 있다.Theauxiliary liner 170 may be positioned within the interior of thebody 110 such that it is positioned in line with thepassageway 132 of theliner 130 when thepassageway 132 of theliner 130 is in the second position, Respectively. Theauxiliary liner 170 may be installed on the inner surface of thebody 110 so as to be detachable. Theauxiliary liner 170 may be provided in the same material as theliner 130. [ Thesecondary liner 170 may correspond to thepassage 132 of theliner 130, or may be provided in a larger size. Thesecondary liner 170 prevents the inner surface of thebody 110 from being damaged through thepassageway 132 of theliner 130 during the process gas excitation. In the event of damage to thesecondary liner 170, thesecondary liner 170 can be removed and replaced with a new secondary liner.

몸체(110)의 내부에는 기판 지지부(200)가 위치한다. 기판 지지부(200)는 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함한다.Asubstrate support 200 is positioned within thebody 110. Thesubstrate support 200 supports the substrate W. [ Thesubstrate support 200 includes an electrostatic chuck for attracting the substrate W using an electrostatic force.

정전 척(200)은 유전판(210), 하부 전극(220), 히터(230), 지지판(240), 그리고 절연판(270)을 포함한다.Theelectrostatic chuck 200 includes adielectric plate 210, alower electrode 220, aheater 230, asupport plate 240, and aninsulation plate 270.

유전판(210)은 정전 척(200)의 상단부에 위치한다. 유전판(210)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(210)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리영역은 유전판(210)의 외측에 위치한다. 유전판(210)에는 제1공급 유로(211)가 형성된다. 제1공급 유로(211)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1공급 유로(211)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.Thedielectric plate 210 is located at the upper end of theelectrostatic chuck 200. Thedielectric plate 210 is provided as a dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of thedielectric plate 210. The upper surface of thedielectric plate 210 has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge region of the substrate W is located outside thedielectric plate 210. Afirst supply passage 211 is formed in thedielectric plate 210. Thefirst supply passage 211 is provided from the upper surface to the lower surface of thedielectric plate 210. A plurality offirst supply passages 211 are formed to be spaced apart from each other and are provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

유전판(210)의 내부에는 하부 전극(220)과 히터(230)가 매설된다. 하부 전극(220)은 히터(230)의 상부에 위치한다. 하부 전극(220)은 제1하부 전원(221)과 전기적으로 연결된다. 제1하부 전원(221)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(220)과 제1하부 전원(221) 사이에는 스위치(222)가 설치된다. 하부 전극(220)은 스위치(222)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1하부 전원(221)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(222)가 온(ON) 되면, 하부 전극(220)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(220)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(220)과 기판(W) 사이에는 전기력이 작용하며, 전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착된다.Alower electrode 220 and aheater 230 are buried in thedielectric plate 210. Thelower electrode 220 is located on the upper portion of theheater 230. Thelower electrode 220 is electrically connected to the firstlower power source 221. The firstlower power supply 221 includes a DC power source. Aswitch 222 is provided between thelower electrode 220 and the firstlower power source 221. Thelower electrode 220 may be electrically connected to the firstlower power source 221 by turning on / off theswitch 222. [ When theswitch 222 is turned ON, a DC current is applied to thelower electrode 220. An electric force is applied between thelower electrode 220 and the substrate W by the current applied to thelower electrode 220 and the substrate W is attracted to thedielectric plate 210 by the electric force.

히터(230)는 제2하부 전원(231)과 전기적으로 연결된다. 히터(230)는 제2하부 전원(231)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(210)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(230)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(230)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 히터(230)는 균일한 간격으로 유전판(210)에 매설될 수 있다.Theheater 230 is electrically connected to the secondlower power source 231. Theheater 230 generates heat by resisting the current applied from the secondlower power supply 231. The generated heat is transferred to the substrate W through thedielectric plate 210. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated in theheater 230. Theheater 230 includes a helical coil. Theheaters 230 may be embedded in thedielectric plate 210 at regular intervals.

유전판(210)의 하부에는 지지판(240)이 위치한다. 유전판(210)의 저면과 지지판(240)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(240)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(240)의 상면은 중심 영역이 가장자리영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(240)의 상면 중심 영역은 유전판(210)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(210)의 저면과 접착된다. 지지판(240)에는 제1순환 유로(241), 제2순환 유로(242), 그리고 제2공급 유로(243)가 형성된다.Asupport plate 240 is disposed under thedielectric plate 210. The bottom surface of thedielectric plate 210 and the top surface of thesupport plate 240 may be adhered by an adhesive 236. [ Thesupport plate 240 may be made of aluminum. The upper surface of thesupport plate 240 may be stepped so that the central region is located higher than the edge region. The upper surface central region of thesupport plate 240 has an area corresponding to the bottom surface of thedielectric plate 210 and is bonded to the bottom surface of thedielectric plate 210. The firstcirculation flow path 241, the secondcirculation flow path 242, and the secondsupply flow path 243 are formed in thesupport plate 240.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1순환 유로(241)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1순환 유로(241)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1순환 유로(241)들은 서로 연통될 수 있다. 제1순환 유로(241)들은 동일한 높이에 형성된다.Thefirst circulation channel 241 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The firstcirculation flow path 241 may be formed in a spiral shape inside thesupport plate 240. Alternatively, the firstcirculation flow path 241 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the firstcirculation flow paths 241 can communicate with each other. The firstcirculation flow paths 241 are formed at the same height.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2순환 유로(242)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2순환 유로(242)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2순환 유로(242)들은 서로 연통될 수 있다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2순환 유로(242)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)의 하부에 위치될 수 있다.Thesecond circulation passage 242 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The secondcirculation flow path 242 may be formed in a spiral shape inside thesupport plate 240. Alternatively, the secondcirculation flow path 242 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the secondcirculation flow paths 242 can communicate with each other. Thesecond circulation channel 242 may have a larger cross-sectional area than thefirst circulation channel 241. The secondcirculation flow paths 242 are formed at the same height. Thesecond circulation channel 242 may be positioned below thefirst circulation channel 241.

제2공급 유로(243)는 제1순환 유로(241)부터 상부로 연장되며, 지지판(240)의 상면으로 제공된다. 제2공급 유로(243)는 제1공급 유로(211)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1순환 유로(241)와 제1공급 유로(211)를 연결한다.Thesecond supply passage 243 extends upward from thefirst circulation passage 241 and is provided on the upper surface of thesupport plate 240. Thesecond supply passage 243 is provided in a number corresponding to thefirst supply passage 211 and connects thefirst circulation passage 241 and thefirst supply passage 211.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체 공급라인(251)을 통해 열전달 매체 저장부(252)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(252)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(251)을 통해 제1순환 유로(241)에 공급되며, 제2공급 유로(243)와 제1공급 유로(211)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라스마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(200)으로 전달되는 매개체 역할을 한다. 플라스마에 함유된 이온 입자들은 정전 척(200)에 형성된 전기력에 끌려 정전 척(200)으로 이동하며, 이동하는 과정에서 기판(W)과 충돌하여 식각 공정을 수행한다. 이온 입자들이 기판(W)에 충돌하는 과정에서 기판(W)에는 열이 발생한다. 기판(W)에서 발생된 열은 기판(W) 저면과 유전판(210)의 상면 사이 공간에 공급된 헬륨 가스를 통해 정전 척(200)으로 전달된다. 이에 의해, 기판(W)은 설정온도로 유지될 수 있다.Thefirst circulation channel 241 is connected to the heat transfermedium storage unit 252 through a heat transfermedium supply line 251. The heat transfermedium storage unit 252 stores the heat transfer medium. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the firstcirculation flow path 241 through thesupply line 251 and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the secondsupply flow path 243 and the firstsupply flow path 211 in order. The helium gas acts as a medium through which heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to theelectrostatic chuck 200. The ion particles contained in the plasma are attracted to theelectrostatic chuck 200 by theelectrostatic chuck 200 and move to theelectrostatic chuck 200. The ions collide with the substrate W during the movement and perform the etching process. Heat is generated in the substrate W during the collision of the ion particles with the substrate W. The heat generated in the substrate W is transferred to theelectrostatic chuck 200 through the helium gas supplied to the space between the bottom surface of the substrate W and the upper surface of thedielectric plate 210. Thereby, the substrate W can be maintained at the set temperature.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체 공급라인(261)을 통해 냉각 유체 저장부(262)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(262)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(262) 내에는 냉각기(263)가 제공될 수 있다. 냉각기(263)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(263)는 냉각 유체 공급 라인(261) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(261)을 통해 제2순환 유로(242)에 공급된 냉각 유체는 제2순환 유로(242)를 따라 순환하며 지지판(240)을 냉각한다. 지지판(240)의 냉각은 유전판(210)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.The secondcirculation flow passage 242 is connected to the coolingfluid reservoir 262 through a coolingfluid supply line 261. The cooling fluid is stored in the coolingfluid reservoir 262. A cooler 263 may be provided in the coolingfluid reservoir 262. The cooler 263 cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 263 may be installed on the coolingfluid supply line 261. The cooling fluid supplied to thesecond circulation channel 242 through the coolingfluid supply line 261 circulates along thesecond circulation channel 242 to cool thesupport plate 240. Cooling of thesupport plate 240 cools thedielectric plate 210 and the substrate W together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

지지판(240)의 하부에는 절연판(270)이 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)에 상응하는 크기로 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)과 챔버(100)의 바닥면 사이에 위치한다. 절연판(270)은 절연 재질로 제공되며, 지지판(240)과 챔버(100)를 전기적으로 절연시킨다.An insulatingplate 270 is provided under thesupport plate 240. The insulatingplate 270 is provided in a size corresponding to the supportingplate 240. The insulatingplate 270 is positioned between thesupport plate 240 and the bottom surface of thechamber 100. The insulatingplate 270 is made of an insulating material and electrically insulates the supportingplate 240 from thechamber 100.

포커스 링(280)은 정전 척(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(200)은 링 형상을 가지며, 유전판(210)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(280)의 상면은 외측부(280a)가 내측부(280b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리영역을 지지한다. 포커스 링(280)의 외측부(280a)는 기판(W) 가장자리영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(280)은 플라스마가 형성되는 영역의 중심에 기판(W)이 위치하도록 전기장 형성 영역을 확장시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라스마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.Thefocus ring 280 is disposed in the edge region of theelectrostatic chuck 200. Thefocus ring 200 has a ring shape and is disposed along the periphery of thedielectric plate 210. The upper surface of thefocus ring 280 may be stepped so that theouter portion 280a is higher than theinner portion 280b. The upper surfaceinner side portion 280b of thefocus ring 280 is located at the same height as the upper surface of thedielectric plate 210. [ The upper sideinner side portion 280b of thefocus ring 280 supports the edge region of the substrate W positioned outside thedielectric plate 210. [ Theouter side portion 280a of thefocus ring 280 is provided so as to surround the edge region of the substrate W. [ Thefocus ring 280 extends the electric field forming region such that the substrate W is positioned at the center of the region where the plasma is formed. Thereby, the plasma is uniformly formed over the entire area of the substrate W, so that each area of the substrate W can be uniformly etched.

가스 공급부(300)는 공정 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급부(300)는 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 밀폐 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 밀폐 커버(120)의 하부에 위치하며, 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.Thegas supply unit 300 supplies the process gas into theprocess chamber 100. Thegas supply unit 300 includes agas supply nozzle 310, agas supply line 320, and agas storage unit 330. Thegas supply nozzle 310 is installed at the center of the sealingcover 120. A jetting port is formed on the bottom surface of thegas supply nozzle 310. The injection port is located at the bottom of the sealingcover 120 and supplies the process gas into theprocess chamber 100. Thegas supply line 320 connects thegas supply nozzle 310 and thegas storage unit 330. Thegas supply line 320 supplies the process gas stored in thegas storage unit 330 to thegas supply nozzle 310. A valve 321 is installed in thegas supply line 320. The valve 321 opens and closes thegas supply line 320 and regulates the flow rate of the process gas supplied through thegas supply line 320.

플라스마 생성부(400)는 공정 챔버(100) 내부에 고주파 전력을 인가하여 공정 챔버(100) 내부에 공급된 공정 가스를 여기시킨다. 플라스마 생성부(400)는 하우징(410), 상부 전원(420), 그리고 안테나(430)를 포함한다.Theplasma generating unit 400 applies high frequency power to the inside of theprocess chamber 100 to excite the process gas supplied into theprocess chamber 100. Theplasma generator 400 includes ahousing 410, anupper power source 420, and anantenna 430.

하우징(410)은 저면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된다. 하우징(410)은 밀폐 커버(120)의 상부에 위치하며, 밀폐 커버(120)의 상면에 놓인다. 하우징(410)의 내부는 안테나(430)가 위치하는 공간으로 제공된다. 상부 전원(420)은 고주파 전류를 발생시킨다. 발생된 고저파 전류는 안테나(430)에 인가된다. 안테나(430)는 공정 챔버(100) 내부에 고주파 전력을 인가한다. 안테나(430)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 코일들이 동일한 중심에 위치되도록 배치될 수 있다.
Thehousing 410 is opened at its bottom, and a space is formed therein. Thehousing 410 is located on the top of the sealingcover 120 and lies on the top surface of the sealingcover 120. The inside of thehousing 410 is provided in a space where theantenna 430 is located. Theupper power supply 420 generates a high-frequency current. The generated gentle current is applied to theantenna 430. Theantenna 430 applies high frequency power to theprocess chamber 100. Theantenna 430 may be arranged such that ring-shaped coils having radii different from each other are located at the same center.

이하, 상술한 기판 처리 장치(10)를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of processing the substrate using the above-describedsubstrate processing apparatus 10 will be described.

도 2와 같이, 라이너 회전부(140)의 구동으로 라이너(130)가 회전되어 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 일직선상에 위치한다. 기판(W)은 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)를 거쳐 몸체(110)의 내부로 이송된다. 몸체(110)의 내부에 위치된 기판(W)은 정전 척(200)에 제공된 리프트 핀(미도시)의 승강에 의해 유전판(210)의 상면에 놓인다. 기판(W)이 몸체(110) 내부로 이송되면, 도 3과 같이, 라이너 회전부(140)의 구동으로 라이너(130)가 회전되어 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 서로 상이한 직선상에 위치한다. 라이너(130)의 개구(132)는 보조 라이너(170)와 동일한 직선상에 위치된다.Theliner 130 is rotated by driving theliner rotating part 140 so that thepassage 132 of theliner 130 and theopening 111 of thebody 110 are positioned on a straight line. The substrate W is transferred into the interior of thebody 110 through theopening 111 of thebody 110 and thepassageway 132 of theliner 130. The substrate W positioned inside thebody 110 is placed on the upper surface of thedielectric plate 210 by lifting and lowering a lift pin (not shown) provided on theelectrostatic chuck 200. When the substrate W is transferred into thebody 110, theliner 130 is rotated by driving theliner rotating unit 140 as shown in FIG. 3, so that thepassage 132 of theliner 130 and the opening of the body 110 (111) are located on different straight lines. Theopening 132 of theliner 130 is located on the same straight line as theauxiliary liner 170.

제1하부 전원(221)으로부터 하부 전극(220)에 직류 전류가 인가되며, 인가된 전류에 의해 하부 전극(220)과 기판(W) 사이에는 전기력이 작용한다. 전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착된다.A direct current is applied to thelower electrode 220 from the firstlower power source 221 and an electric force acts between thelower electrode 220 and the substrate W by the applied current. The substrate W is attracted to thedielectric plate 210 by an electric force.

기판(W)이 정전 척(200)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(310)을 통하여 공정 챔버(100) 내부에 공정 가스가 공급된다. 그리고, 상부 전원(420)에서 생성된 고주파 전력이 안테나(430)를 통해 공정 챔버(100) 내부에 인가된다. 인가된 고주파 전력은 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시킨다. 여기된 공정 가스는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리한다. 여기된 공정 가스는 식각 공정을 수행할 수 있다.When the substrate W is attracted to theelectrostatic chuck 200, the process gas is supplied into theprocess chamber 100 through thegas supply nozzle 310. Then, the high frequency power generated in theupper power source 420 is applied to the inside of theprocess chamber 100 through theantenna 430. The applied high frequency power excites the process gas staying inside theprocess chamber 100. The excited process gas is supplied to the substrate W to process the substrate W. The excited process gas may be subjected to an etching process.

기판(W) 처리가 완료되면, 라이너 회전부(140)의 구동으로 라이너(130)가 회전되어 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 도 2와 같이, 일직선상에 위치한다. 공정 처리가 완료된 기판(W)은 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)를 거쳐 공정 챔버(100) 외부로 이송된다.When the processing of the substrate W is completed, theliner 130 is rotated by driving theliner rotating part 140 so that thepassageway 132 of theliner 130 and theopening 111 of thebody 110 are aligned Lt; / RTI > The processed substrate W is transferred to the outside of theprocess chamber 100 through thepassage 132 of theliner 130 and theopening 111 of thebody 110.

도 2와 같이 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 일직선상에 위치된 상태에서 공정 처리가 진행될 경우, 여기된 공정 가스는 라이너(130)의 통로(132) 및 몸체(110)의 개구(111)로 확산되므로, 몸체(110) 내부에는 공정 가스가 균일하게 분포되지 못한다. 불균일한 공정 가스 분포는 기판(W) 처리를 불균일하게 하므로, 라이너(130)의 통로(132)를 개폐할 수 있는 별도의 장치, 예컨대 라이너 셔터(Liner Shutter) 및 셔터 구동부가 필요하다. 그러나, 이와 같은 장치는 결합 구조가 복잡하고, 몸체(110)의 내부에서 별도의 공간을 차지한다. 또한, 상기 장치들은 접지에 취약하므로, 공정 챔버(100) 내부에 인가된 고주파 전력의 전계에 영향을 미칠 수 있으며, 공정 가스가 여기되는 과정에서 아크 방전을 일으키는 요인이 될 수 있다.2, when the processing is proceeded with thepassage 132 of theliner 130 and theopening 111 of thebody 110 aligned with each other, the excited process gas flows through thepassage 132 of theliner 130 And theopening 111 of thebody 110, so that the process gas is not uniformly distributed inside thebody 110. A nonuniform process gas distribution may cause unevenness in the processing of the substrate W so that a separate apparatus such as a liner shutter and a shutter drive unit capable of opening and closing thepassageway 132 of theliner 130 is required. However, such a device has a complicated coupling structure and occupies a separate space inside thebody 110. [ In addition, since the devices are vulnerable to ground, they can affect the electric field of high-frequency power applied inside theprocess chamber 100 and cause arc discharge in the course of excitation of the process gas.

그러나, 본 발명은 도 3과 같이, 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 서로 상이한 직선상에 배치된 상태에서 공정 처리가 수행되므로, 몸체 (110) 내부에는 개구(111)가 차단된 원통 형상의 공간이 형성된다. 개구(111)로 공정가스의 확산이 예방되므로, 몸체(110) 내부에는 공정가스가 균일하게 분포되어 기판(W)이 균일하게 처리된다. 또한, 라이너(130)에 회전력을 제공하는 라이너 회전부(140)는 몸체(110) 외부에 위치되므로, 몸체(110) 내부에서 별도의 공간을 차지하지 않는다. 그리고, 회전 링(141) 및 제1자석부(142)는 공정 가스가 여기되는 여기 공간으로부터 이격된 지점에 위치되므로, 공정 챔버(100) 내부에 인가된 고주파 전력의 전계에 영향을 미치지 않는다. 또한, 라이너 회전부(140)는 제1자석(142a, 142b)들과 제2자석(144a, 144b)들의 자력에 의한 비접촉 방식으로 라이너(130)를 회전시키므로, 그 구조가 간단하게 제공될 수 있다.
3, since the processing is performed in a state in which thepassageway 132 of theliner 130 and theopening 111 of thebody 110 are disposed on a straight line that is different from each other, A cylindrical space in which theopening 111 is blocked is formed. Since diffusion of the process gas into theopening 111 is prevented, the process gas is uniformly distributed inside thebody 110, and the substrate W is uniformly processed. Since theliner rotation unit 140 that provides the rotational force to theliner 130 is located outside thebody 110, theliner rotation unit 140 does not occupy a separate space inside thebody 110. Since therotating ring 141 and thefirst magnet portion 142 are located at a position spaced apart from the excitation space where the process gas is excited, the electric field of the high frequency power applied inside theprocess chamber 100 is not affected. Theliner rotating unit 140 rotates theliner 130 in a noncontact manner by the magnetic forces of thefirst magnets 142a and 142b and thesecond magnets 144a and 144b so that the structure can be simply provided .

상기 실시예에서는 플라스마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 기판 처리 공정은 이에 한정되지 않으며, 플라스마를 이용하는 다양한 기판 처리 공정, 예컨대 증착 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정등에도 적용될수 있다.
In the above embodiments, the etching process is performed using the plasma. However, the substrate process is not limited thereto, and may be applied to various substrate processing processes using plasma, such as a deposition process, an ashing process, and a cleaning process.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 공정 챔버110: 몸체
120: 밀폐 커버130: 라이너
140: 라이너 회전부170: 보조 라이너
200: 기판 지지부300: 가스 공급부
400: 플라스마 생성부100: process chamber 110: body
120: sealing cover 130: liner
140: liner rotation part 170: auxiliary liner
200: substrate supporting part 300: gas supply part
400: Plasma generating unit

Claims (8)

Translated fromKorean

기판을 처리하기 위한 공간이 내부에 형성된 몸체;
상기 몸체 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 몸체 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 몸체 내부에 고주파 전력을 인가하여 상기 몸체 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시키는 안테나;
상기 몸체의 내측면을 따라 제공되며, 상기 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 에워싸는 라이너; 및
상기 라이너를 회전시키는 라이너 회전부를 포함하며,
상기 몸체의 측벽에는 상기 기판이 출입하는 개구가 형성되고,
상기 라이너의 측벽에는 상기 기판이 출입하는 통로가 형성되고,
상기 라이너 회전부는 상기 통로가 상기 개구와 일직선상에 위치하는 제1위치와 상기 통로가 상기 개구와 서로 상이한 직선상에 위치하는 제2위치간에 상기 라이너를 회전시키는 기판 처리 장치.A body having a space formed therein for processing the substrate;
A substrate support positioned within the body and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the body;
An antenna for applying a high frequency power to the inside of the body to excite a process gas staying inside the body;
A liner provided along the inner side of the body and surrounding the excitation space into which the process gas is excited; And
And a liner rotation part for rotating the liner,
An opening through which the substrate enters and exits is formed in a sidewall of the body,
A passage through which the substrate enters and exits is formed on a sidewall of the liner,
Wherein the liner rotation portion rotates the liner between a first position in which the passage is aligned with the opening and a second position in which the passage is located on a straight line that is different from the opening.삭제delete제 1 항에 있어서,
상기 제2위치에서 상기 통로와 일직선상에 위치하고, 상기 몸체의 내측면에 탈착가능하게 설치되며, 상기 라이너와 동일한 재질로 제공되는 보조 라이너를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a secondary liner positioned in a straight line with the passage at the second position and detachably mounted on an inner surface of the body and provided with the same material as the liner.기판을 처리하기 위한 공간이 내부에 형성된 몸체;
상기 몸체 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 몸체 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
상기 몸체 내부에 고주파 전력을 인가하여 상기 몸체 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시키는 안테나;
상기 몸체의 내측면을 따라 제공되며, 상기 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 에워싸는 라이너; 및
상기 라이너를 회전시키는 라이너 회전부를 포함하며,
상기 라이너 회전부는
상기 몸체의 내부에 위치하며, 상기 라이너의 하단에 고정 결합하는 회전 링;
상기 회전 링의 외주면을 따라 상이한 극성의 자석들이 교대로 반복적으로 배치되는 제1자석부;
상기 몸체의 외부에서 상기 회전 링과 동일 높이에 위치하는 회전 몸체;
상기 회전 몸체의 외주면을 따라 상이한 극성의 자석들이 교대로 반복적으로 배치되는 제2자석부; 및
상기 회전 몸체를 회전시키는 구동부를 포함하는 기판 처리 장치.A body having a space formed therein for processing the substrate;
A substrate support positioned within the body and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the body;
An antenna for applying a high frequency power to the inside of the body to excite a process gas staying inside the body;
A liner provided along the inner side of the body and surrounding the excitation space into which the process gas is excited; And
And a liner rotation part for rotating the liner,
The liner rotating part
A rotating ring located inside the body and fixedly coupled to the lower end of the liner;
A first magnet portion in which magnets of different polarities are alternately and repeatedly arranged along an outer peripheral surface of the rotary ring;
A rotating body located outside the body at the same height as the rotating ring;
A second magnet portion in which magnets of different polarities are alternately and repeatedly arranged along an outer peripheral surface of the rotating body; And
And a driving unit for rotating the rotating body.제 4 항에 있어서,
상기 라이너 회전부는
상기 몸체와 상기 라이너 사이에 설치되며, 상기 라이너의 회전을 보조하는 베어링을 더 포함하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The liner rotating part
And a bearing installed between the body and the liner to assist rotation of the liner.몸체의 개구와 라이너의 통로를 일직선상에 위치시키고, 상기 개구와 상기 통로를 통하여 상기 몸체의 내부로 기판을 제공하고,
상기 개구와 상기 통로가 서로 상이한 직선상에 위치하도록 상기 라이너를 회전시켜 상기 개구를 차단하며,
상기 몸체 내부에 공급된 공정 가스를 여기시켜 상기 기판을 처리하며,
상기 라이너에 연결된 회전 링의 외주면을 따라 서로 상이한 극성의 제1자석들이 교대로 반복적으로 배치되고,
상기 몸체의 외부에 위치된 회전 몸체의 외주면을 따라 서로 상이한 극성의 제2자석들이 교대로 반복적으로 배치되며,
상기 라이너는 상기 회전 몸체의 회전으로 발생된 상기 제1자석들과 상기 제2자석들의 자력 변화에 의해 회전되는 기판 처리 방법.Positioning the opening of the body and the passageway of the liner in a straight line, providing the substrate through the opening and the passageway into the interior of the body,
The liner is rotated to block the opening so that the opening and the passage are on different lines,
Processing the substrate by exciting the process gas supplied to the inside of the body,
First magnets of mutually different polarities are alternately and repeatedly arranged along the outer circumferential surface of the rotary ring connected to the liner,
Second magnets of different polarities are alternately and repeatedly arranged along the outer circumferential surface of the rotating body located outside the body,
Wherein the liner is rotated by a magnetic force change of the first magnets and the second magnets generated by the rotation of the rotating body.제 6 항에 있어서,
상기 라이너는 비접촉방식에 의해 회전되는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the liner is rotated by a non-contact method.삭제delete

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