KR101772943B1 - Blankmask for Extreme Ultra-Violet Lithography and Photomask using the same - Google Patents
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Abstract
Translated fromKoreanDescription
Translated fromKorean본 발명은 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 13.5㎚의 극자외선(Extreme Ultra Violet; EUV)광을 노광광으로 사용하여 14㎚급 이하, 특히 10㎚급 이하의 미세 패턴 구현이 가능한 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a blank mask for extreme ultraviolet light and a photomask using the same. More particularly, the present invention relates to a blank mask for ultra-violet rays, which uses an extreme ultra violet (EUV) The present invention relates to a blank mask for an extreme ultraviolet ray and a photomask using the same.
고집적화에 따른 포토-리소그래피 (Photo-lithography) 기술은 고해상도 (High Resolution) 구현을 위하여 현재의 193㎚(ArF)의 노광광에서 근래에는 13.5㎚ 파장의 EUV 노광광을 이용한 리소그래피 기술로의 발전이 이루어지고 있다.Photo-lithography due to the high integration has developed from 193 nm (ArF) exposure light to 13.5 nm EUV exposure lithography technology for high resolution implementation. ought.
그러나, EUV 리소그래피에 사용되는 13.5㎚ 파장의 노광광은 대부분의 물질(기체 포함)에 쉽게 흡수되는 성질이 있어 EUV 리소그래피 기술은 기존의 투과형 리소그래피 기술(예를 들어, ArF 리소그래피 기술의 투광부와 차광부를 이용하는 원리)과는 달리 극자외선 광을 반사하는 반사막과 극자외선 광을 흡수하는 흡수막이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 즉, 극자외선용 블랭크 마스크는 크게 다층 반사막(Multi-reflective layer) 부분과 흡수막(Absorber layer) 부분의 2부분으로 구성된다.However, since the exposure light having a wavelength of 13.5 nm used in EUV lithography is easily absorbed by most substances (including gases), EUV lithography technology can be applied to a conventional transmission type lithography technique (for example, Unlike the principle of using ultraviolet light, a reflective film for reflecting extreme ultraviolet light and an absorbing film for absorbing extreme ultraviolet light are sequentially stacked. That is, the blank mask for extreme ultraviolet rays is mainly composed of two parts: a multi-reflective layer portion and an absorber layer portion.
일반적으로 상기 다층 반사막은 몰리브데늄(Mo)과 실리콘(Si)이 교대로 40층 내지 60층으로 적층된 구조를 가지며, 이는 13.5㎚의 파장에서 64% ∼ 66%의 반사율을 나타낸다. 그리고, 상기 흡수막은 13.5㎚의 극자외선 노광광을 흡수할 수 있는 물질로서 탄탈륨(Ta)이 사용되며, 일반적으로 흡수계수가 높은 탄탈륨(Ta) 물질을 기반으로 한 흡수막으로 사용되고 있다. 예를 들어, 현재 개발되고 있는 흡수막은 탄탈륨을 기반으로 질화탄탈륨(TaN), 질화산화탄탈륨(TaON)등으로 구성되며, 탄탈륨(Ta) 화합물의 경우 반도체 제조공정에서 널리 사용되고 있는 염소(Cl) 및 불소(F) 계열의 라디칼(Radical)을 이용한 플라즈마 식각이 용이하여, 마스크 제조 공정을 쉽게 할 수 있는 장점이 있다.Generally, the multilayer reflective film has a structure in which molybdenum (Mo) and silicon (Si) are alternately laminated from 40 to 60 layers, which exhibits a reflectance of 64% to 66% at a wavelength of 13.5 nm. The absorbing layer is made of tantalum (Ta) as a material capable of absorbing 13.5 nm extreme ultraviolet ray exposure light, and is generally used as an absorbing layer based on a tantalum (Ta) material having a high absorption coefficient. For example, the currently developed absorption membrane is composed of tantalum nitride (TaN) and tantalum nitride (TaON) based on tantalum. In the case of tantalum (Ta) compound, chlorine (Cl) and Plasma etching using a radical of a fluorine (F) series is easy, and the mask manufacturing process can be easily performed.
그러나, 상술한 탄탈륨(Ta) 화합물로 구성하는 흡수막을 이용하여 14㎚급 이하의 패턴을 구현하는 경우 아래와 같은 문제점이 발생한다.However, the following problems arise when a pattern having a size of 14 nm or less is implemented by using the absorbing film composed of the tantalum (Ta) compound described above.
도 1은 종래의 극자외선용 블랭크 마스크를 이용하여 제작된 포토마스크에서 발생되는 그림자 효과를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram illustrating a shadow effect generated in a photomask manufactured using a conventional extreme ultraviolet ray blank mask. FIG.
도 1을 참조하면, 종래의 극자외선용 블랭크 마스크는 상기 흡수막의 두께에 의한 그림자 효과(Shadowing Effect)가 문제된다. 그림자 효과란, 흡수막 패턴(106a)에 극자외선 노광광이 조사될 때 극자외선 노광광의 입사 각도가 수직입사 대비 기울어짐(약 4°∼ 6°)에 따라 흡수막 패턴(106a)이 가지는 두께에 의해 반사광이 흡수막 패턴(106a)에 흡수되어 일정 부분 전사되지 못하는 것을 말한다. 상기 흡수막 패턴(106a)이 탄탈륨(Ta) 화합물로 구성되는 경우, 탄탈륨(Ta)은 극자외선 노광광에 대한 흡수도가 비교적 낮기 때문에 흡수막 패턴(106a)은 70㎚ 이상의 두께를 필요로 한다. 흡수막 패턴(106a)은 그 두께가 두꺼울수록 그림자 효과 또한 커지기 때문에 흡수막 패턴(106a) 두께의 박막화가 요구된다. (도 1 에서 도면부호 102 는 투명 기판, 104 는 다층 반사막이다.)Referring to FIG. 1, a conventional shadow mask for a EUV ray has a problem of a shadowing effect due to the thickness of the absorption layer. The shadow effect refers to the thickness of the absorbing
또한, 그림자 효과는 최종적으로 포토마스크 제조 후 웨이퍼 전사 시, 가로 패턴(Horizontal Pattern: HP)과 세로 패턴(Vertical Pattern: VP) 사이에 패턴 간(HP-VP) 임계치수(CD) 편차(Bias)를 발생시킨다. 특히, 이러한 특성은 패턴의 방향(가로 또는 세로) 및 스캐너(Scanner)의 방향에 따라 가로 패턴과 세로 패턴 간의 그림자 효과가 달리 발생하게 된다.In addition, the shadow effect can be obtained by changing the HP-VP threshold value (CD) bias (Bias) between the horizontal pattern (HP) and the vertical pattern (VP) . Particularly, such a characteristic is different from the shadow effect between the horizontal pattern and the vertical pattern depending on the pattern direction (horizontal or vertical) and the direction of the scanner (Scanner).
도 2는 종래의 극자외선용 블랭크 마스크를 이용하여 제작된 포토마스크의 패턴 방향에 따른 그림자 효과의 발생 유무를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining whether or not a shadow effect according to a pattern direction of a photomask manufactured using a conventional extreme ultraviolet ray blank mask is generated.
도 2를 참조하면, 세로 패턴(a)의 경우 먼저 설명했던 바와 같이 그림자 효과가 발생하지만, 가로 패턴(b)의 경우에는 패턴의 방향과 입사광 및 반사광이 평행함에 따라 그림자 효과가 문제되지 않는다. 따라서, 세로 패턴(a)과 가로 패턴(b) 간에 임계치수 편차(CD Bias)가 발생한다.Referring to FIG. 2, a shadow effect occurs as described above in the case of the vertical pattern (a), but in the case of the horizontal pattern (b), the shadow effect does not matter as the direction of the pattern and the incident light and the reflected light are parallel. Therefore, a critical number deviation (CD Bias) occurs between the vertical pattern (a) and the horizontal pattern (b).
탄탈륨(Ta) 화합물로 형성된 흡수막 패턴이 70㎚ 이상의 두께를 가지는 경우, 가로-세로 패턴 간 임계 치수 편차가 약 10㎚ 이상 발생하여, 구현하고자 하는 패턴 크기가 작을수록 임계 치수 편차의 비율은 커진다.When the absorbent film pattern formed of a tantalum (Ta) compound has a thickness of 70 nm or more, a critical dimension deviation between the transverse-longitudinal pattern is about 10 nm or more, and the smaller the pattern size to be implemented, the larger the ratio of the critical dimension deviation .
이에 따라, 흡수막의 두께를 낮추기 위해 높은 소멸 계수(k)를 갖는 니켈(Ni), 은(Ag), 인듐(In), 플래티늄(Pt) 등의 단일 금속물질로 흡수막을 형성할 수 있으나, 상기 단일 금속 물질의 흡수막은 내화학성이 우수하지 못하다.Accordingly, the absorption layer can be formed of a single metal material such as nickel (Ni), silver (Ag), indium (In), platinum (Pt) or the like having a high extinction coefficient (k) The absorbing film of a single metal material is not excellent in chemical resistance.
본 발명은 흡수막의 차광성을 확보함과 동시에 흡수막을 박막화한 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a blank mask for extreme ultraviolet rays in which the light-shielding property of the absorbing film is ensured and the absorbing film is made thin, and a photomask using the same.
또한, 본 발명은 내화학성 및 내노광성을 향상시킬 수 있는 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a blank mask for extreme ultraviolet rays capable of improving chemical resistance and antigravity, and a photomask using the same.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 투명 기판 상에 적어도 다층 반사막, 흡수막 및 레지스트막이 적층된 극자외선용 블랭크 마스크에 있어서, 상기 흡수막은 플래티늄(Pt), 니켈(Ni), 탄탈(Ta), 아연(Zn), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 은(Ag), 인듐(In), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 금(Au) 중 선택되는 1종 이상의 금속 물질을 포함하거나, 또는, 상기 금속 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 구성되는 극자외선용 블랭크 마스크를 제공한다.In order to attain the above object, the present invention provides a blank mask for extreme ultraviolet rays, in which at least a multilayer reflective film, an absorbing film and a resist film are laminated on a transparent substrate, wherein the absorbing film is made of platinum (Pt), nickel (Ni) , At least one metal material selected from zinc (Zn), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), silver (Ag), indium (In), osmium (Os), iridium (Ir) Or a blanket mask for extreme ultraviolet rays, which further comprises at least one light element material selected from the group consisting of oxygen (O), nitrogen (N), carbon (C), boron (B) Lt; / RTI >
본 발명의 다른 측면에 따르면, 투명 기판 상에 적어도 다층 반사막, 흡수막 및 레지스트막이 적층된 극자외선용 블랭크 마스크에 있어서, 상기 흡수막은 플래티늄(Pt)을 필수적으로 포함하고, 상기 플래티늄(Pt)에 니켈(Ni), 탄탈(Ta), 아연(Zn), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 은(Ag), 인듐(In), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 금(Au) 중 선택되는 1종 이상의 금속 물질을 더 포함하여 이루어지거나, 상기 금속 물질에 1종 이상의 금속 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 구성되는 극자외선용 블랭크 마스크가 제안된다.According to another aspect of the present invention, there is provided an extreme ultraviolet blank mask in which at least a multilayer reflective film, an absorbing film and a resist film are laminated on a transparent substrate, wherein the absorbing film essentially contains platinum (Pt) (Ni), tantalum (Ta), zinc (Zn), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), silver (Ag), indium (In), osmium (N), carbon (C), boron (B), and hydrogen (H) in one or more metal materials in the metal material. There is proposed a blank mask for extreme ultraviolet rays which further comprises a light source material of at least two kinds.
상기 흡수막을 구성하는 플래티늄(Pt) 대비 추가 금속 물질(Ni, Ta, Zn, Ru, Rh, Ag, In, Os, Ir, Au)의 조성비는 95at% : 5at% ∼ 5at% : 95at% 인 것이 바람직하다.The composition ratio of the additional metal material (Ni, Ta, Zn, Ru, Rh, Ag, In, Os, Ir, Au) to the platinum (Pt) constituting the absorption film is 95at%: 5at% to 5at%: 95at% desirable.
상기 금속 대비 경원소의 조성비는 9 : 1 ∼ 2 : 8인 것이 바람직하다.The composition ratio of the metal to the metal is preferably 9: 1 to 2: 8.
상기 흡수막은 플래티늄(Pt) 화합물 단일 타겟을 이용하여 형성하거나, 또는, 플래티늄(Pt) 타겟을 포함하는 복수의 타겟을 동시에 스퍼터링(Co-Sputtering)하여 형성된다.The absorption layer is formed by using a single target of a platinum (Pt) compound or co-sputtering a plurality of targets including a platinum (Pt) target simultaneously.
상기 흡수막이 플래티늄(Pt) 화합물 단일 타겟을 이용하여 형성되는 경우, 상기 단일 타겟은 플래티늄(Pt) : 추가 금속 물질(Ni, Ta, Zn, Ru, Rh, Ag, In, Os, Ir, Au) = 1at% : 99at% ∼ 99at% : 1at%의 조성비를 갖는다.The single target may be formed of platinum (Pt): additional metal material (Ni, Ta, Zn, Ru, Rh, Ag, In, Os, Ir, Au), if the absorption layer is formed using a single target of platinum (Pt) = 1 at%: 99 at% to 99 at%: 1 at%.
상기 흡수막은 30㎚ ∼ 70㎚의 두께를 갖는다.The absorbing film has a thickness of 30 nm to 70 nm.
상기 흡수막은 상부층 및 하부층의 2층 구조로 이루어지며, 상기 상부층 및 하부층은 10% 이상의 금속 물질 및 경원소 함유량 차이를 갖는다.The absorbent layer has a two-layer structure of an upper layer and a lower layer, and the upper layer and the lower layer have a difference in content of metal material and light element of 10% or more.
상기 흡수막은 13.5㎚의 극자외선용 노광광에 대하여 10% 이하의 반사율을 갖고, 상기 흡수막은 193㎚의 검사 파장에 대하여 50% 이하의 반사율을 갖는다.The absorbing film has a reflectance of 10% or less with respect to 13.5 nm exposure light for extreme ultraviolet rays, and the absorbing film has a reflectance of 50% or less with respect to the inspection wavelength of 193 nm.
상기 흡수막은 300MPa 이하, 바람직하게, 200MPa 이하의 박막 응력을 갖는 것이 바람직하다.The absorbent film preferably has a thin film stress of 300 MPa or less, preferably 200 MPa or less.
본 발명의 블랭크마스크는, 상기 다층 반사막 및 흡수막 사이에 구비된 캡핑막, 상기 캡핑막과 흡수막 사이에 구비된 버퍼막, 상기 투명 기판의 하부에 구비된 도전막, 상기 다층반사막의 상부에 구비된 위상반전막, 상기 흡수막 상에 구비된 하드 필름 중 적어도 하나 이상의 막을 더 포함할 수 있다.The blank mask of the present invention may further comprise: a capping film provided between the multilayer reflective film and the absorption film; a buffer film provided between the capping film and the absorption film; a conductive film provided below the transparent substrate; And a hard film provided on the absorption layer.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기와 같은 구성을 갖는 극자외선용 블랭크 마스크로 형성된 극자외선용 포토마스크가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a photomask for extreme ultraviolet light formed of a blank mask for extreme ultraviolet light having the above-described structure.
본 발명은 흡수막을 높은 소멸 계수(k)를 갖는 금속 화합물로 구성하여, 흡수막의 차광성을 확보함과 동시에 흡수막의 박막화 가능한 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공할 수 있다.The present invention can provide an extreme ultraviolet blank mask and a photomask using the same, wherein the absorbing film is made of a metal compound having a high extinction coefficient (k) to secure the light shielding property of the absorbing film and make the absorbing film thinner.
또한, 본 발명은 흡수막을 구성하는 금속 및 경원소의 조성비를 조절하여 내화학성 및 내노광성을 향상시킬 수 있는 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a blank mask for EUV and a photomask using the same, which can improve the chemical resistance and antinodality by adjusting the composition ratio of the metal and the light source constituting the absorbing film.
도 1은 종래의 극자외선용 블랭크 마스크를 이용하여 제작된 포토마스크에서 발생되는 그림자 효과를 설명하기 위하여 도시한 도면.
도 2는 종래의 극자외선용 블랭크 마스크를 이용하여 제작된 포토마스크의 패턴 방향에 따른 그림자 효과의 발생 유무를 설명하기 위하여 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선용 블랭크 마스크를 도시한 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining a shadow effect generated in a conventional photomask manufactured using a blank mask for extreme ultraviolet rays. FIG.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a photomask, and more particularly,
3 is a cross-sectional view showing a blank mask for extreme ultraviolet rays according to an embodiment of the present invention.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings, but it should be understood that the present invention is not limited to these embodiments. For example, And is not intended to limit the scope of the invention. Therefore, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined by the technical matters of the claims.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선용 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a blank mask for extreme ultraviolet rays according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 극자외선용 블랭크 마스크(200)는 투명 기판(202) 상에 적층된 다층 반사막(204), 흡수막(212) 및 레지스트막(214)을 포함하며, 다층 반사막(204)과 흡수막(212) 사이에 구비된 캡핑막(206)을 더 포함할 수 있다.3, a
투명 기판(202)은 EUV광을 이용하는 반사형 마스크 블랭크용 글래스 기판으로서 적합하도록 노광 시의 열에 의한 패턴의 변형을 방지하기 위해 6 ± 1.0 × 10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 가지며, 바람직하게는 6 ± 0.3 × 10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 갖는 LTEM(Low Thermal Expansion Material) 기판이다.The
상기 LTEM 기판은 노광 시 반사광의 정밀도를 높이기 위하여 높은 평탄도(Flatness)가 요구된다. 평탄도는 TIR값으로 표현되며, TIR(Total Indicated Reading)이란 표면의 휘어짐(변형량)을 나타내는 값으로 기판 표면을 기준으로 하여 최소 제곱법에 의해 정해지는 평면을 초평면으로 하고, 이 초평면보다 위에 있는 기판 표면의 가장 높은 위치와 초평면보다 아래에 있는 기판 표면의 가장 낮은 위치와의 고저차의 절대값을 말한다. 따라서, 평탄도가 양호할수록 TIR값은 낮은 값을 갖게 되고, LTEM 기판은 낮은 TIR값을 갖는 것이 바람직하며, LTEM 기판의 평탄도는 60㎚ 이하의 TIR값을 가지며, 바람직하게, 40㎚ 이하의 평탄도를 갖는다.The LTEM substrate is required to have a high flatness in order to increase the precision of reflected light upon exposure. TIR (Total Indicated Reading) is a value representing the warpage (deformation amount) of the surface. The plane defined by the least squares method with reference to the surface of the substrate is defined as a hyperplane, Refers to the absolute value of the difference in height between the highest position of the substrate surface and the lowest position of the substrate surface below the hyperplane. Therefore, it is preferable that the flatness of the LTEM substrate has a low TIR value, the LTEM substrate has a low TIR value, and the flatness of the LTEM substrate has a TIR value of 60 nm or less, Flatness.
다층 반사막(204)은 몰리브데늄(Mo) 및 실리콘(Si)을 교대로 40층 내지 60층 적층하여 형성한다. 다층 반사막(204)은 이미지 감도(Image Contrast)를 좋게 하기 위하여 13.5㎚ 파장에 대한 높은 반사율이 요구된다. 이러한 다층 반사막의 반사 강도(Reflection Intensity)는 노광광의 입사 각도 및 각 층의 두께에 따라 달라지게 되는데, 예를 들어, 노광광의 입사 각도가 5˚일 경우 몰리브데늄(Mo) 및 실리콘(Si)이 각각 2.8㎚, 4.2㎚의 두께로 형성되는 것이 바람직하나, EUV 액침 노광 리소그래피(Immersion Lithography) 적용 시 입사 각도가 8˚∼ 14˚로 넓어짐에 따라, 반사 강도가 달라지게 된다. 따라서, 다층 반사막(204)은 노광광의 최종 입사 각도에 최적화된 반사 강도를 가져야 하며, 이때 몰리브데늄(Mo)은 2㎚ ∼ 4㎚, 실리콘(Si)은 3㎚ ∼ 5㎚의 두께를 갖는다.The multilayer
다층 반사막(204)은 몰리브데늄(Mo)이 대기에 접촉하면 쉽게 산화되어 반사율이 저하되기 때문에 산화 방지를 위한 보호막으로서 실리콘(Si)을 최상부층에 형성하는 것이 바람직하다. 다층 반사막(204)은 13.5㎚의 극자외선용 노광 파장에 대하여 65% 이상의 반사율을 가지며, 193㎚ 또는 257㎚의 파장에 대하여 40% ∼ 65%의 반사율을 갖는다. 다층 반사막(204)은 표면 TIR의 절대값으로 300㎚ 이하의 값을 가지며, 바람직하게, 100㎚ 이하의 값을 갖는다. 다층 반사막(204)의 표면 거칠기(Surface Roughness)는 0.2㎚RMS 이하의 값을 가지며, 바람직하게, 0.1㎚RMS 이하의 값을 갖는다.Since the multilayer
캡핑막(206)은 다층 반사막(204) 상에 형성되어 패턴 형성 시 다층 반사막(204)을 보호하는 역할을 한다.The
캡핑막(206)은, 루테늄(Ru), 니오븀(Nb)으로 구성되거나 또는 루테늄(Ru) 화합물, 니오븀(Nb) 화합물로 구성되며, 루테늄(Ru)과 니오븀(Nb)을 모두 포함하는 화합물로 형성할 수 있다. 캡핑막(206)은 상기 금속 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함할 수 있으며, 캡핑막(206)을 구성하는 금속 및 경원소(산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 함유된 물질의 합)는 10 : 0 ∼ 5 : 5의 함유량 비율을 갖는다.The
캡핑막(206)은 1㎚ ∼ 10㎚의 두께를 가지며, 바람직하게, 1㎚ ∼ 5㎚의 두께를 갖는다. 캡핑막(206)은 그 두께가 1㎚ 이하인 경우, 상부 흡수막 패턴 형성 시 식각 조건(예를 들어, Over Etching 등)을 고려하였을 때 하부에 형성된 다층 반사막(204)을 보호하기 어렵다. 또한, 그 두께가 10㎚ 이상인 경우, 13.5㎚의 노광 파장에 대하여 60% 미만의 반사율을 가져 흡수막(212) 반사율에 대한 이미지 감도(Image Contrast)가 감소한다.The
캡핑막(206)은 13.5㎚의 극자외선 노광 파장에 대하여 60% 이상의 반사율을 가지며, 표면 TIR의 절대값으로 300㎚ 이하의 값을 갖고, 바람직하게, 100㎚ 이하의 값을 갖는다. 캡핑막(206)의 표면 거칠기(Surface Roughness)는 0.2㎚RMS 이하의 값을 가지며, 바람직하게, 0.1㎚RMS 이하의 값을 갖는다.The
흡수막(212)은 캡핑막(206) 상에 형성되며 노광광을 흡수하는 역할을 한다.The
본 발명에 따른 극자외선용 블랭크 마스크(200)는 극자외선용 포토마스크의 노광 시 발생할 수 있는 그림자 효과를 저감하기 위하여 흡수막(212)의 박막화가 필요하다. 이를 위해, 흡수막(212)은 노광광에 대한 높은 소멸 계수(k)를 갖고, 하부 캡핑막(206)에 대하여 식각 선택비가 우수하며, 세정에 사용되는 화학 약품에 대하여도 우수한 내성을 갖는 물질로 구성된다.The
본 발명에서 흡수막(212)은 플래티늄(Pt)을 필수적으로 포함하며, 니켈(Ni), 탄탈(Ta), 아연(Zn), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 은(Ag), 인듐(In), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 금(Au) 중 선택되는 1종 이상의 금속 물질을 포함하여 이루어지거나, 또는 상기 1종 이상의 금속 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 이루어진다.In the present invention, the
상기 플래티늄(Pt)은 세정 및 기타 화학 약품에 대한 내성이 우수하고 13.5㎚의 노광 파장에서 높은 소멸 계수(k) 값을 가지므로, 내화학성이 우수한 흡수막을 구성하기에 적합하다. 자세하게, 종래 흡수막의 주요 구성 물질인 탄탈(Ta)이 13.5㎚의 노광 파장에서 각각 0.0408의 소멸 계수(k) 값을 갖는 것에 대비하여, 플래티늄(Pt)은 0.0600의 소멸 계수(k) 값을 가지므로 흡수막의 단위 두께당 차광성을 높여 박막화가 가능하다. 예를 들어, 탄탈(Ta)의 경우 13.5㎚의 노광 파장에서 1.0% 이하의 반사율을 만족하기 위하여 70㎚ 이상의 두께가 필요하였으나, 플래티늄(Pt)은 70㎚ 이하, 바람직하게는 65㎚ 이하의 두께로 가능하여 그림자 효과를 줄일 수 있게 되었다.The platinum (Pt) is excellent in resistance to cleaning and other chemicals, and has a high extinction coefficient (k) value at an exposure wavelength of 13.5 nm, so that it is suitable for constituting an absorbing film excellent in chemical resistance. In detail, platinum (Pt) has an extinction coefficient (k) value of 0.0600 in contrast to the tantalum (Ta), which is a main constituent of the conventional absorption film, has an extinction coefficient (k) value of 0.0408 at an exposure wavelength of 13.5 nm Thus, the light-shielding property per unit thickness of the absorbing film can be increased to make it thinner. For example, in the case of tantalum (Ta), a thickness of 70 nm or more is required to satisfy a reflectance of 1.0% or less at an exposure wavelength of 13.5 nm, but platinum (Pt) has a thickness of 70 nm or less, preferably 65 nm or less It is possible to reduce the shadow effect.
또한, 흡수막(212)은 플래티늄(Pt)을 주성분으로 하고, 상기 금속 물질 중 1종을 추가로 포함하여 이루어지거나, 또는 상기 금속 물질들에 상기 경원소 물질 중 1 종을 추가로 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 자세하게, 플래티늄(Pt)보다 높은 소멸 계수(k) 값을 갖는 금속 물질(니켈(Ni), 아연(Zn), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 은(Ag), 인듐(In), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 금(Au) 중 선택되는 1종 이상)을 포함하여 흡수막의 소멸 계수(k) 값을 높이고, 흡수막의 두께를 더욱 박막화할 수 있다. 이때, 플래티늄(Pt) 대비 추가 금속 물질(Ni, Ta, Zn, Ru, Rh, Ag, In, Os, Ir)은 95at% : 5at% ∼ 5at% : 95at%의 조성비를 갖는다.The
흡수막(212)은 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함할 수 있으며, 상기 금속 대비 경원소는 9 : 1 ∼ 2 : 8의 함유량 비율을 갖는다.The
흡수막(212)은 단층 또는 2층 이상의 다층막으로 구성할 수 있다.The absorbing
흡수막(212)이 단층 구조로 형성되는 경우, 흡수막(212)은 조성비가 일정한 단일막으로 구성되거나, 또는, 두께 방향으로 조성비가 변화되는 연속막의 형태로 구성할 수 있다. 또한, 흡수막(212)은 두께 방향으로 조성비가 변화하는 연속막 또는 2층 이상의 다층막의 구성을 가질 수 있다. 흡수막(212)이, 예를 들어, 하부층(208) 및 상부층(210)으로 구성된 2층의 다층막 구조로 형성되는 경우, 플래티늄(Pt)을 주성분으로 하는 상부층(210)은 산소(O) 및 질소(N) 중 적어도 하나 이상이 하부층(208) 대비 높은 조성을 가지며, 바람직하게, 막의 박막화를 위하여 상부층(210)에 비하여 낮은 산소(O) 함유량을 갖는다. 이때, 흡수막(212)을 구성하는 금속 물질 및 경원소는 하부층(208) 및 상부층(210) 사이에 적어도 10% 이상의 함유량 차이를 갖는다.When the
흡수막(212)은 플래티늄(Pt) 화합물로 구성된 단일 타겟, 또는, 플래티늄(Pt) 타겟을 포함하는 복수의 타겟을 동시 스퍼터링(Co-Sputtering)하여 형성할 수 있다.The
흡수막(212)이 단일 타겟을 이용하여 형성되는 경우, 상기 단일 타겟은 플래티늄(Pt) 화합물로 구성할 수 있으며, 플래티늄(Pt) : 추가 금속 물질(Ni, Ta, Zn, Ru, Rh, Ag, In, Os, Ir, Au) = 1at% : 99at% ∼ 99at% : 1at%의 조성비를 갖는다.When the
흡수막(212)이 복수의 타겟을 사용하는 경우, 상기 복수의 타겟은 동일한 챔버 안에서 동시에 스퍼터링(Co-Sputtering)하며, 타겟의 크기(표면적 비율)를 조절하여 막의 조성비를 조절 가능하다.When the
흡수막(212)은 30㎚ ∼ 70㎚의 두께를 갖는다. 흡수막(212)의 두께가 30㎚ 이하이면, 노광광에 대한 반사율이 10% 이상으로 반사율이 높고, 70㎚ 이상이면 가로-세로 패턴의 임계치수 편차가 높아 목표로 하는 임계치수 대비 편차가 커져 임계치수 균일도, MEEF(Mask-Enhanced Error Factor) 증가의 원인이 된다. 또한, 10㎚ 이하 급의 패턴 형성시 노광광의 입사 각도가 수직입사 대비 9°이상 기울어짐에 따라 그림자 효과가 더욱 커지는 현상이 발생하므로, 그림자 효과를 저감시키기 위하여 55㎚ 이하의 두께를 갖는 것이 바람직하다.The absorbing
흡수막(212)은 193㎚ 또는 257㎚의 파장에서 50% 이하의 낮은 반사율을 갖는다. 흡수막(212)은 13.5㎚의 극자외선용 노광광에 대하여 10% 미만의 반사율을 가지며, 바람직하게, 5% 이하의 반사율, 더욱 바람직하게, 1% 이하의 반사율을 갖는다.
흡수막(212)의 박막 응력(Stress)은 300㎫ 이하, 바람직하게 200㎫ 이하의 박막 응력을 갖는다.The thin film stress of the absorbing
레지스트막(214)은 화학증폭형 레지스트(CAR: Chemically Amplified Resist)가 사용되며, 레지스트막(214)은 200㎚ 이하의 두께를 갖고, 바람직하게, 100㎚ 이하의 두께를 갖는다.A chemically amplified resist (CAR: Chemically Amplified Resist) is used as the resist
아울러, 도시하지는 않았지만, 본 발명에 따른 극자외선 블랭크 마스크는 투명 기판의 후면에 구비된 도전막을 더 포함할 수 있다. 상기 도전막은 LTEM 기판 상에 다층 반사막, 캡핑막, 흡수막을 형성한 후 기판의 후면에 형성하거나, 또는, 상기 박막들의 형성 전에 LTEM 기판의 후면에 우선적으로 형성할 수 있다.Further, although not shown, the extreme ultraviolet blank mask according to the present invention may further include a conductive film provided on the rear surface of the transparent substrate. The conductive film may be formed on the rear surface of the substrate after forming the multilayer reflective film, the capping film, and the absorption film on the LTEM substrate, or may be preferentially formed on the rear surface of the LTEM substrate before the formation of the thin films.
상기 도전막은 낮은 면저항 값을 가져 정전척(Electronic-Chuck)과 극자외선용 블랭크 마스크의 밀착성을 향상시키며, 정전척과 도전막의 마찰에 의해 도전막에 의하여 파티클이 발생하는 것을 방지하도록 역할을 한다. 따라서, 도전막은 100Ω/□ 이하의 면 저항값을 가지며, 바람직하게, 50Ω/□ 이하, 더욱 바람직하게는 20Ω/□ 이하의 저항값을 갖는다.The conductive film has a low sheet resistance value to improve the adhesion between the electro-chuck and the extreme ultraviolet ray mask, and serves to prevent particles from being generated by the conductive film due to friction between the electrostatic chuck and the conductive film. Therefore, the conductive film has a surface resistance value of 100? /? Or less, and preferably has a resistance value of 50? /? Or less, more preferably 20? /? Or less.
상기 도전막은 70㎚ 이하의 두께를 가지며, 단층의 단일막, 단층의 연속막 또는 다층막의 형태로 구성할 수 있으며, 193㎚ 내지 257㎚ 파장에서 30% 이하의 반사율을 갖는다. 상기 도전막은, 예를 들어, 크롬(Cr)을 주성분으로 하여 형성할 수 있고, 2층의 다층막으로 구성되는 경우, 하부층은 크롬(Cr) 및 질소(N)를 포함하고, 상부층은 크롬(Cr), 질소(N) 및 산소(O)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이때, 도전막은 크롬(Cr) 및 경원소(산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B)의 합)가 8 : 2 ∼ 2 : 8의 조성비를 갖는다.The conductive film has a thickness of 70 nm or less and can be formed in the form of a single film, a continuous film or a multilayer film of a single layer, and has a reflectance of 30% or less at a wavelength of 193 nm to 257 nm. The conductive film may be formed of, for example, chromium (Cr) as a main component. When the multilayer film is composed of two layers, the lower layer includes chromium (Cr) and nitrogen (N) ), Nitrogen (N), and oxygen (O). At this time, the conductive film has a composition ratio of chromium (Cr) and light elements (sum of oxygen (O), nitrogen (N), carbon (C), and boron (B)) of 8: 2 to 2: 8.
아울러, 본 발명에 따른 극자외선용 블랭크 마스크는 다층 반사막의 상부에 위상 반전막을 형성하거나, 또는, 상기 흡수막 상에 흡수막과 식각 선택비를 가지며 흡수막의 패터닝 시 식각 마스크 역할을 하는 하드 필름을 삽입하여 패턴 정확도를 높일 수 있다.In addition, a blank mask for extreme ultraviolet rays according to the present invention may be formed by forming a phase reversal film on an upper portion of a multilayer reflective film, or a hard film having an absorption film and an etching selectivity ratio on the absorption film and serving as an etching mask when patterning the absorption film Pattern accuracy can be increased.
그리고, 다층 반사막, 캡핑막, 흡수막 및 도전막들은 선택적으로 열처리할 수 있으며, 열처리 공정은 급속 열처리 장치(Rapid Thermal Process; RTP), 진공 핫-플레이트(Vacuum Hot-Plate Bake), 플라즈마(Plasma) 및 퍼니스(Furnace) 중 1 종 이상의 방법으로 수행 가능하다.In addition, the multilayer reflective film, the capping film, the absorbing film and the conductive films can be selectively heat-treated, and the heat-treating process can be performed using a rapid thermal process (RTP), a vacuum hot-plate bake, a plasma ) And a furnace (Furnace).
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 극자외선용 블랭크 마스크에 대하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a blank mask for extreme ultraviolet rays according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
(실시예)(Example)
흡수막의 구성 물질에 따른 두께 평가Evaluation of thickness according to constituent material of absorbing film
극자외선용 블랭크 마스크는 상기 흡수막의 두께에 의한 그림자 효과가 문제된다. 이에 따라, 흡수막의 구성 물질 및 조성비에 따라 상기 광학 특성을 만족하는 두께를 비교 평가하였다.In the case of a blank mask for extreme ultraviolet rays, a shadow effect due to the thickness of the absorbing film is problematic. Thus, the thickness satisfying the above optical characteristics was compared and evaluated according to the constituent material and the composition ratio of the absorbing film.
상기 흡수막은 DC 마그네트론 스퍼터링 설비를 이용하여, 2층 구조로 형성하였으며, 하부층은 공정 가스로 Ar : N2 = 9sccm : 1sccm 주입하고, 공정 파워는 1.0㎾를 사용하여, 상기 각 금속의 질화층으로 형성하였다. 또한, 상부층은 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 5sccm : 3sccm 주입하고, 공정 파워는 1.0㎾를 사용하여, 각 금속의 산화질화층으로 형성하였다. 그리고, 비교예로 종래의 니켈(Ni) 및 니켈탄탈(NiTa) 화합물로 흡수막을 형성하였다.The absorption layer was formed into a two-layer structure using a DC magnetron sputtering facility, and the lower layer was doped with Ar: N2 = 9 sccm: 1 sccm as a process gas and the process power was 1.0 kW. . Further, the upper layer was formed as an oxynitride layer of each metal by injecting Ar: N2 : NO = 5 sccm: 5 sccm: 3 sccm as a process gas and using a process power of 1.0 kW. As a comparative example, a conventional nickel (Ni) and nickel tantalum (NiTa) compound was used to form an absorbing film.
상기 흡수막들의 반사율은 EUV Reflecto-meter를 이용하여 측정하였다.The reflectance of the absorbing films was measured using an EUV reflectometer.
표 1은 13.5㎚의 노광 파장에 대하여 1%의 반사율과 검사 파장인 193㎚에 대하여 30% 미만의 반사율을 나타내는 흡수막의 두께를 나타낸 것이다.Table 1 shows the reflectance of 1% with respect to the exposure wavelength of 13.5 nm and the thickness of the absorptive film showing reflectance of less than 30% with respect to the inspection wavelength of 193 nm.
조성비target
Composition ratio
두께Absorption membrane
thickness
= 5 : 5Ni: Pt
= 5: 5
= 7 : 3Ni: Pt
= 7: 3
= 9 : 1Ni: Pt
= 9: 1
표 1을 참조하면, 실시예 2 내지 실시예 4의 흡수막은 43.1㎚ ∼ 53.6㎚의 두께로 형성 가능하여 55㎚ 이하의 양호한 두께를 나타내었다.Referring to Table 1, the absorbing films of Examples 2 to 4 can be formed to have a thickness of 43.1 nm to 53.6 nm and exhibit a good thickness of 55 nm or less.
흡수막의Absorbent 구성 물질에 따른 광학 특성 및 내화학성 평가 Evaluation of optical properties and chemical resistance according to constituent materials
흡수막의 구성 물질 및 조성비에 따른 흡수막의 광학 특성 및 내화학성을 평가하였다.The optical properties and chemical resistance of the absorbing film were evaluated according to the composition of the absorbing film and the composition ratio.
상기 흡수막은 앞에서 실시한 "구성 물질에 따른 두께 평가"의 실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1을 동일하게 사용하였으며, 상기 흡수막들의 반사율은 EUV Reflecto-meter를 이용하여 측정하였고, 내화학성 평가를 위하여 각 흡수막에 대한 SPM 평가를 진행하였다.Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 of the " thickness evaluation according to constituent materials ", which were previously conducted, were similarly used, and the reflectance of the absorbent films was measured using an EUV reflectometer. The SPM evaluation for each absorbent membrane was performed.
SPM 평가는 H2SO4와 H2O2를 혼합한 용액을 사용하며, H2SO4 : H2O2 = 10 : 1의 비율로 하고, 약 90℃의 온도에서 10분간 3회 세정 공정을 진행하였으며, 세정 공정 전·후의 두께 변화를 측정하였다. 이때, 흡수막의 두께는 X-Ray Reflectometry (XRR) 또는 Bruker AXS사의 D8 Discover 장비를 사용하여 측정하였다.The SPM evaluation uses a solution of H2 SO4 and H2 O2 mixed with H2 SO4 : H2 O2 = 10: 1, washing at a temperature of about 90 ° C. for 10 minutes three times And the change in thickness before and after the cleaning process was measured. At this time, the thickness of the absorbing film was measured using X-Ray Reflectometry (XRR) or D8 Discover equipment from Bruker AXS.
표 2는 일정 두께로 형성된 흡수막의 구성 물질에 따른 광학 특성 및 SPM 평가에 따른 내화학성 평가를 나타낸 것이다.Table 2 shows the optical characteristics and the chemical resistance evaluation according to the SPM evaluation according to the constituent materials of the absorbent film formed to a certain thickness.
target
조성비target
Composition ratio
두께 변화Absorption membrane
Thickness change
= 5 : 5Ni: Pt
= 5: 5
= 7 : 3Ni: Pt
= 7: 3
= 9 : 1Ni: Pt
= 9: 1
표 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들은 흡수막의 두께 변화가 비교예 1과 비교하여 매우 적은 두께 변화를 나타내어 내화학성이 우수함을 확인할 수 있었다.The results are shown in Table 2. Referring to Table 2, it was confirmed that the embodiments of the present invention exhibited a very small change in the thickness of the absorbent film as compared with Comparative Example 1,
본 발명에 따른According to the invention극자외선용For ultraviolet rays 블 The랭크Rank 마스크의 제조 Manufacture of masks
본 발명에 따른 극자외선용 블랭크 마스크의 제조를 위하여, 기판은 6 inch x 6 inch x 0.25 inch의 크기를 가지고, 평탄도(TIR값)가 60㎚ 이하로 제어되며, SiO2-TiO 성분으로 이루어진 LTEM(Low Thermal Expansion Material) 기판을 준비하였다.In order to manufacture a blank mask for extreme ultraviolet rays according to the present invention, the substrate has a size of 6 inch x 6 inch x 0.25 inch, a flatness (TIR value) controlled to 60 nm or less, and a SiO2 -TiO component LTEM (Low Thermal Expansion Material) substrate was prepared.
상기 LTEM 기판의 후면에는 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 설비를 이용하여 크롬(Cr)을 주성분으로 하는 도전막(Conductive layer)을 형성하였다. 상기 도전막은 질화크롬(CrN; 하부층)과 산화질화크롬(CrON; 상부층)의 2층 구조로 형성하였다. 상기 상·하부층의 도전막은 모두 크롬(Cr) 타겟을 이용하여 형성하고, 하부층의 도전막은 공정 가스로 Ar : N2 = 5sccm : 5sccm 주입하고, 공정 파워 1.4㎾를 사용하여 42㎚의 두께를 갖는 질화크롬(CrN) 막으로 형성하였다. 상부층의 도전막은 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 7sccm : 7sccm : 7sccm 주입하고, 공정 파워는 1.4㎾를 사용하여 24㎚의 두께를 갖는 산화질화크롬(CrON) 막으로 형성하였다. 최종적으로 도전막은 66㎚의 두께로 형성되었고, 형성된 도전막의 면저항을 4-Point Probe를 이용하여 측정한 결과 16.5Ω/□의 면저항값을 나타내어 정전척과의 결합(E-Chucking)에 문제가 없음을 확인하였다.On the rear surface of the LTEM substrate, a conductive layer made of chromium (Cr) as a main component was formed using a DC magnetron reactive sputtering facility. The conductive film was formed into a two-layer structure of chromium nitride (CrN; lower layer) and chromium oxynitride (CrON (upper layer)). The conductive films of the upper and lower layers were all formed using a chromium (Cr) target, and the conductive film of the lower layer was implanted with Ar: N2 = 5 sccm: 5 sccm as a process gas. Using the process power of 1.4 kW, And a chromium nitride (CrN) film. The upper conductive film was formed by implanting Ar: N2 : NO = 7 sccm: 7 sccm: 7 sccm as a process gas and a process power of 1.4 kW to form a chromium oxynitride (CrON) film having a thickness of 24 nm. Finally, the conductive film was formed to a thickness of 66 nm, and the sheet resistance of the formed conductive film was measured using a 4-point probe, and it showed a sheet resistance value of 16.5? / ?. Thus, there was no problem in E-chucking with the electrostatic chuck Respectively.
상기 LTEM 기판의 전면부에 이온 빔 증착-저밀도결함(Ion Beam Deposition-Low Defect Density: 이하, 'IBD-LDD'라고 함) 장비를 이용하여 몰리브데늄(Mo) 4.8㎚, 실리콘(Si) 2.2㎚의 두께로 40층을 교대로 성막하여 다층 반사막을 형성하였다. 상기 다층 반사막의 반사율은 EUV Reflecto-meter를 이용하여 측정하였고, 측정 결과 13.5㎚의 파장에서 67.8%의 반사율을 나타내었으며, 193㎚의 파장에서 64.6%의 반사율을 나타내었다. 그리고, AFM(Atomic Force Microscopy) 장비를 이용하여 상기 다층 반사막의 표면 거칠기(Surface Roughness)를 측정하였고, 측정 결과 0.12㎚RMS의 표면 거칠기를 나타내어 EUV 노광광이 다층 반사막에서 반사 시 표면 거칠기에 의한 난반사가 적게 일어나는 것을 알 수 있었다. 또한, Ultra-Flat 장비를 이용하여 다층 반사막 142㎟ 영역의 평탄도를 측정한 결과 54㎚의 TIR(Total Indicated Reading) 값을 나타내어 반사막에 의한 패턴 위치 왜곡이 적은 것을 알 수 있었다.Molybdenum (Mo) of 4.8 nm, silicon (Si) of 2.2 .mu.m was deposited on the front surface of the LTEM substrate using an ion beam deposition-low defect density (hereinafter referred to as IBD-LDD) 40 layers were alternately formed to form a multilayer reflective film. The reflectance of the multilayer reflective film was measured using an EUV Reflecto-meter. As a result, the reflectance was 67.8% at a wavelength of 13.5 nm and 64.6% at a wavelength of 193 nm. The surface roughness of the multilayer reflective film was measured using an AFM (Atomic Force Microscopy) apparatus. The surface roughness of the multilayer reflective film was measured to be 0.12 nmRMS. As a result, the EUV exposure light was reflected by the surface roughness Of the total number of patients. In addition, the flatness of the 142 mm 2 area of the multilayer reflective film was measured using the Ultra-Flat equipment, and it was found that the TIR (Total Indicated Reading) value of 54 nm was obtained and the pattern position distortion caused by the reflective film was small.
상기 다층 반사막 상에 IBD-LDD 장비를 이용하여 루테늄(Ru)을 2.5㎚의 두께로 적층하여 캡핑막을 형성하였다. 상기 캡핑막의 형성 후, 다층 반사막과 동일하게 반사율을 측정한 결과 13.5㎚의 파장에서 65.8%의 반사율을 나타내어 다층 반사막의 반사율 수치였던 67.8%와 대비하여 반사율 변화가 거의 없음을 확인하였다. 그리고, 193㎚의 파장에서 반사율을 측정한 결과, 55.43%의 반사율을 나타내었다. 또한, 표면 거칠기 및 평탄도를 동일하게 측정한 결과, 표면 거칠기 값은 0.13㎚RMS를 나타내어 다층 반사막과 비교하여 거의 변화가 없었으며, TIR값 또한 54㎚로 변화가 없었음을 확인하였다.On the multilayer reflective film, ruthenium (Ru) was deposited to a thickness of 2.5 nm using IBD-LDD equipment to form a capping film. After the formation of the capping film, the reflectance was measured in the same manner as in the case of the multilayer reflective film. As a result, it was confirmed that the reflectance was 65.8% at a wavelength of 13.5 nm, and the reflectance was almost unchanged compared with 67.8% which was the reflectance value of the multilayer reflective film. As a result of measuring the reflectance at a wavelength of 193 nm, the reflectance was 55.43%. The surface roughness and flatness were measured in the same manner. As a result, the surface roughness value was 0.13 nmRMS, which showed almost no change compared to the multilayered reflective film, and the TIR value was also found to be 54 nm.
상기 캡핑막 상에 DC 마그네트론 스퍼터링 설비를 이용하여 상부층 및 하부층으로 이루어진 2층 구조의 흡수막을 성막하였다. 상기 상부층 및 하부층은 모두 니켈플래티늄(NiPt) 타겟(조성비 Ni : Pt = 50at% : 50at%)을 이용하였으며, 공정 가스 및 공정 파워를 조절하여 형성하였다.A two-layered absorption layer consisting of an upper layer and a lower layer was formed on the capping layer using a DC magnetron sputtering facility. Both the upper and lower layers were formed using a nickel platinum (NiPt) target (composition ratio Ni: Pt = 50 at%: 50 at%) and controlling the process gas and process power.
하부층은 공정 가스로 Ar : N2 = 9sccm : 1sccm 주입하고, 공정 파워는 1.0㎾를 사용하여 48㎚ 두께의 질화니켈플래티늄(NiPtN) 막을 형성하였고, 상부층은 공정가스로 Ar : N2 : NO = 5sccm : 5sccm : 3sccm 주입하고, 공정 파워는 1.0㎾를 사용하여 13㎚ 두께의 산화질화니켈플래티늄(NiPtON) 막을 형성하였다. 상기 상부층 및 하부층의 반사율을 측정한 결과, 상기 상부층은 13.5㎚의 노광 파장에 대하여 1.65%의 반사율을 나타내었으며, 상기 하부층은 13.5㎚의 노광 파장에 대하여 0.76%의 반사율을 나타내었고, 193㎚의 검사 파장에서는 22.4%의 반사율을 나타내었다.The lower layer was implanted with Ar: N2 = 9 sccm: 1 sccm as the process gas, and the process power was 1.0 kW to form a 48 nm thick NiPtN film. The upper layer was Ar: N2 : NO = 5 sccm: 5 sccm: 3 sccm, and a process power of 1.0 kW was used to form a 13 nm thick nickel platinum (NiPtON) film. As a result of measuring the reflectance of the upper and lower layers, the upper layer exhibited a reflectance of 1.65% with respect to an exposure wavelength of 13.5 nm, the lower layer exhibited a reflectance of 0.76% with respect to an exposure wavelength of 13.5 nm, The reflectance at the inspection wavelength was 22.4%.
상기 흡수막에 대하여 Ultra-Flat 장비를 이용하여 평탄도를 측정한 결과 61㎚의 TIR값을 나타내었으며, 박막 응력으로 환산하였을 경우 박막 응력은 97M㎩ 정도의 수치를 갖는 것으로서 평탄도에 문제가 없음을 확인하였다.As a result of measuring the flatness of the absorbent film using the Ultra-Flat equipment, the TIR value of 61 nm was obtained. When the thin film stress was converted, the thin film stress had a value of about 97 Mpa, Respectively.
이상, 본 발명을 가장 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 해당 기술분야의 일반적인 기술자라면 용이하게 알 수 있을 것이다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.While the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the technical scope of the present invention is not limited to the range described in the above embodiments. It will be readily apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made to the embodiments described above. It is apparent from the description of the claims that the form of such modification or improvement can be included in the technical scope of the present invention.
102 : 투명 기판 104: 다층 반사막
106 : 흡수막 106a: 흡수막 패턴
200 : 극자외선용 블랭크 마스크
202 : 투명 기판 204 : 다층 반사막
206 : 캡핑막 208 : 하부층
210 : 상부층 212 : 흡수막
214 : 레지스트막102: transparent substrate 104: multilayer reflective film
106: absorbing
200: Blank mask for extreme ultraviolet rays
202: transparent substrate 204: multilayer reflective film
206: capping film 208: lower layer
210: upper layer 212: absorbent film
214: resist film
Claims (12)
Translated fromKorean상기 흡수막은 플래티늄(Pt) 및 니켈(Ni)로 이루어지거나, 상기 플래티늄(Pt) 및 니켈(Ni)에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 이루어진 극자외선용 블랭크 마스크.
In a blank mask for extreme ultraviolet light, in which at least a multilayer reflective film, an absorbing film and a resist film are laminated on a transparent substrate,
The absorbent film may be made of platinum (Pt) and nickel (Ni), or may be formed of a mixture of oxygen (O), nitrogen (N), carbon (C), boron (B) ) Of at least one light element material.
상기 흡수막은 플래티늄(Pt)을 필수적으로 포함하고, 상기 플래티늄(Pt)에 니켈(Ni), 아연(Zn), 은(Ag), 인듐(In), 금(Au) 중 선택되는 1종 이상의 금속 물질을 더 포함하여 이루어지거나, 상기 금속 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 구성되는 극자외선용 블랭크 마스크.
In a blank mask for extreme ultraviolet light, in which at least a multilayer reflective film, an absorbing film and a resist film are laminated on a transparent substrate,
The absorbent film essentially contains platinum (Pt) and at least one metal selected from the group consisting of nickel (Ni), zinc (Zn), silver (Ag), indium (In) (C), boron (B), and hydrogen (H) is further included in the metal material, or the metal material further comprises at least one element selected from the group consisting of oxygen (O), nitrogen Blank mask for ultraviolet rays.
상기 흡수막이 플래티늄(Pt) 및 나머지 금속으로 이루어지는 경우, 플래티늄(Pt) 대비 나머지 금속은 95at% : 5at% ∼ 5at% : 95at%의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the remaining metal has a composition ratio of 95 at%: 5 at% to 5 at%: 95 at% when platinum (Pt) and the rest of the metal are made of the absorbent film.
상기 플래티늄(Pt) 포함 전체 금속 대비 경원소의 조성비는 9 : 1 ∼ 2 : 8인 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the composition ratio of the light source to the total metal including platinum (Pt) is from 9: 1 to 2: 8.
상기 흡수막은 플래티늄(Pt) 및 나머지 금속 중 적어도 하나를 포함하는 단일 타겟을 이용하여 형성하거나, 또는, 플래티늄(Pt) 타겟과 나머지 금속 중 적어도 하나를 포함하는 복수의 타겟을 동시에 스퍼터링(Co-Sputtering)하여 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
3. The method according to claim 1 or 2,
The absorption layer may be formed using a single target containing at least one of platinum (Pt) and the remaining metals, or may be formed by sputtering (Co-Sputtering) a plurality of targets including at least one of a platinum ). ≪ / RTI >
상기 흡수막이 플래티늄(Pt) 포함하는 화합물 단일 타겟을 이용하여 형성되는 경우, 상기 타겟은 플래티늄(Pt) : 나머지 금속 = 1at% : 99at% ∼ 99at% : 1at%의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
6. The method of claim 5,
Wherein the target has a composition ratio of platinum (Pt): remaining metal = 1 at%: 99 at% to 99 at%: 1 at% when the absorption film is formed using a compound single target containing platinum (Pt) Blank mask for ultraviolet rays.
상기 흡수막은 30㎚ ∼ 70㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the absorbing film has a thickness of 30 nm to 70 nm.
상기 흡수막은 상부층 및 하부층의 2층 구조로 이루어지며, 상기 상부층 및 하부층은 10% 이상의 금속 물질 및 경원소 함유량 차이를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the absorbent layer has a two-layer structure of an upper layer and a lower layer, and the upper layer and the lower layer have a difference in content of a metal material and a light element of at least 10%.
상기 흡수막은 13.5㎚의 극자외선용 노광광에 대하여 10% 이하의 반사율을 갖고, 상기 흡수막은 193㎚의 검사 파장에 대하여 50% 이하의 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the absorbing film has a reflectance of 10% or less with respect to exposure light for extreme ultraviolet light of 13.5 nm, and the absorbing film has a reflectance of 50% or less with respect to the inspection wavelength of 193 nm.
상기 흡수막은 300MPa 이하의 박막 응력을 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the absorbent film has a thin film stress of 300 MPa or less.
상기 다층 반사막 및 흡수막 사이에 구비된 캡핑막, 상기 캡핑막과 흡수막 사이에 구비된 버퍼막, 상기 투명 기판의 하부에 구비된 도전막, 상기 다층반사막의 상부에 구비된 위상반전막, 상기 흡수막 상에 구비된 하드 필름 중 적어도 하나 이상의 막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 블랭크 마스크.
3. The method according to claim 1 or 2,
A buffer layer disposed between the capping layer and the absorber layer, a conductive layer disposed under the transparent substrate, a phase reversing layer disposed on the multilayer reflective layer, a capping layer disposed between the capping layer and the absorber layer, Further comprising at least one film of a hard film provided on the absorptive film.
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