KR101540077B1 - 알루미늄 탄화수소 화합물들을 이용한 금속 카바이드 막들의 원자층 증착법 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 일반적으로 기상 증착 공정들에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 기상 증착 공정들에 의하여 금속 카바이드 막을 증착하는 것에 관한 것이다.
<관련 출원의 참조>
본 출원은 2008년 4월 16일 출원되고 그 개시한 바를 여기에 인용하여 포함하는 미합중국 가출원 제61/045,554호의 35 U.S.C. §119(e)에 따른 우선권을 주장한다.
금속 카바이드류는 게이트 전극들로부터 장벽층들에 이르기까지 전자 산업의 다양한 응용 분야에서 용도를 찾아왔다. 예를 들면, 탄탈륨 카바이드(TaC)는 n-형 금속 산화물 반도체(n-type metal oxide semiconductor, NMOS) 게이트 전극으로서 사용될 수 있는 낮은 저항률(resistivity)의 금속이다. 또한, TaC는 금속 상호 연결부와 금속 배선 사이의 계면에서 귀금속 원자의 전자이동(electromigration)을 방지하는 데 효과적임이 발견되었다.
일반적으로, 전이금속 원소들의 카바이드류는 주기율표의 제4족, 제5족, 제6족, 제7족, 제8족, 제9족, 제10족 및 제11족에 있다. 전이금속 카바이드류들은 비교적 불활성이고, 매우 높은 녹는점을 가지며, 경도가 극히 높으면서 내마모성이 우수하고, 높은 열전도도와 금속에 유사한 전기 전도도를 갖는다.
전이금속 카바이드류는 넓은 범위의 조성들을 가질 수 있다. 정돈되고 정돈되지 않은 탄소 결핍 형태들이 존재하는데, 텅스텐 탄화물들인 WCx가 이러한 형태들의 예이다. 이러한 형태들에 있어서, 탄소는 금속 원자들 사이의 틈새 공동(interstitial cavity) 내에 위치한다.
금속 카바이드 막들은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD), 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD), 및 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)을 포함하는 다양한 방법들에 의하여 형성되어 왔다.
금속 카바이드 막을 형성하기 위한 "열적(thermal)" ALD 방법에서는 기판이 둘 또는 그보다 많은 소스 화학 물질들의 기상 펄스들과 순차적으로 그리고 교대적으로 접촉되는데, 이는 예를 들면, 미합중국 등록특허 제6,482,262호에 설명되어 있다. 여기에 설명되어 있는 방법들에 따르면, 상승된 온도로 유지되고 기판을 포함하는 반응 공간 내부로 전이금속 소스 화학물질과 탄소 소스 가스가 순차적이고도 교대적으로 펄스 공급된다. 이 펄스 공급 순서는 원하는 두께의 금속 카바이드(예를 들면, TaC) 막을 형성하기 위하여 반복된다. ALD의 자기제한적인 속성으로 인하여 막들은 증착 사이클당 대략 하나의 단일층(monolayer, ML)의 속도로 성장된다.
텅스텐 헥사플루오라이드, 수소 및 탄소-함유 가스로부터 텅스텐 카바이드를 증착하는 CVD 방법이, 예를 들면, 국제특허출원 WO 00/47796호에 설명되어 있다. 이 탄소-함유 화합물은 초기에 열적으로 활성화된다. 모든 가스 형태의 소스 화학 물질들이 동시에 반응 공간 내부로 도입되어 기판 위에 비휘발성의 텅스텐 카바이드가 증착되는 결과를 가져온다. WF6와 트리메틸아민 및 H2의 CVD 반응이 700 ℃ 내지 800 ℃에서 WC 막들을 가져오고, 400 ℃ 내지 600 ℃에서 베타-WCx 막들을 가져오는 것이 알려졌다(Nakajima et al., J. Electrochem. Soc. 144 (1997) 2096-2100). H2의 유속이 텅스텐 카바이드 막의 증착 속도에 영향을 미친다는 것이 발견되었다. 공개된 공정에서의 문제점은 기판 온도가 최신 기술의 반도체 제조, 특히 금속 배선 단계에서의 열적 여유(thermal budget)에 비하여 다소 높다는 것이다.
PVD 공정들은 일반적으로 시선 방향(line-of-sight)을 따라 증착된다. 확산 장벽층을 위하여 탄탈륨 카바이드를 PVD에 의하여 증착하는 한 방법이 미합중국 등록특허 제5,973,400호에 설명되어 있다. N2/CH4/Ar 분위기 하에서 탄탈륨 또는 탄탈륨 카바이드를 스퍼터링함으로써 탄탈륨 카바이드층이 형성되었다. 그러나, 시선 방향 증착은 기판 윤곽(contour)이 복잡한 경우 그림자 영역에서 막의 도포가 충분하지 않을 것임을 의미한다. 또한, 시선 방향 증착은 소스로부터 기판에 직접 도달하는 저-휘발성 소스 물질이 자신과 처음으로 만나는 고체 표면 상에 달라붙을 것이고, 따라서 콘포말(conformal)한 성질이 낮은 도포성을 가져올 것임을 의미한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 금속 카바이드 막을 기판 위에 성장시키는 방법들이 제공된다. 상기 방법들은 일반적으로 금속 소스 화학 물질을 포함하는 제 1 반응물과 알루미늄 탄화수소 화합물을 포함하는 제 2 반응물을 반응 공간 내에서 기판과 접촉시키고, 그에 의하여 상기 기판 위에 금속 카바이드 막을 형성시키는 단계를 포함한다. 상기 금속 카바이드 막은 알루미늄을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 반응 공간 내의 기판 위에 금속 카바이드 박막을 형성하기 위한 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD) 공정들이 제공된다. 상기 방법들은 약 6% 내지 약 16%의 알루미늄을 포함하는 금속 카바이드 막이 형성되도록 상기 기판을 제 1 금속 전구체와 제 1 알루미늄 탄화수소 화합물의 기상 펄스들에 교대적으로 그리고 순차적으로 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 알루미늄 탄화수소 화합물은 트리메틸 알루미늄(trimethyl aluminum, TMA), 트리에틸 알루미늄(triethyl aluminum, TEA), 및 디메틸알루미늄하이드라이드(dimethylaluminumhydride, DMAH) 중 하나 이상을 포함한다.
본 발명의 다른 측면들에 있어서, 알루미늄을 포함하는 금속 카바이드 막이 알루미늄 탄화수소 화합물들을 이용하여 증착된다. 상기 알루미늄의 양은 적절한 탄화수소 화합물을 제 2 반응물로서 선택함으로써 조절될 수 있다. 온도, 압력, 펄스 및 퍼지 길이와 플라스마와 같은 다른 반응 조건들도 원하는 알루미늄 농도를 달성하기 위하여 조절될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 알루미늄 농도는 약 6%이다. 다른 구현예들에 있어서, 상기 알루미늄 농도는 약 16%까지 이를 수 있다. 그러나, 더 높은 농도도 가능하다. 알루미늄의 양을 제어함으로써, 낮은 저항률, 우수한 부착성(adhesion), 및 내산화성(oxidation resistance)을 포함하여 원하는 특성을 지니는 막들을 형성할 수 있다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드 막의 저항률은 알루미늄 탄화수소 반응물, 증착 온도 및 증착 압력을 포함하는 적절한 증착 조건들을 선택함으로써 제어될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에서, 우수한 부착성을 갖는 금속 카바이드류를 제조하는 방법들이 제공된다. 일부 구현예들에 있어서, 탄탈륨 카바이드 막들이 탄탈륨 할로겐화물 전구체들과 TEA를 이용하여 ALD로 증착된다.
다른 구현예들에 있어서, 금속 카바이드 막 내의 알루미늄의 양을 조절함으로써 상기 금속 카바이드 막의 내산화성이 조절된다. 알루미늄의 양은 ALD 공정에 탄소 처리제(carburizing agent)로서 사용될 알루미늄 탄화수소 반응물을 선택함으로써 그리고 다른 반응 조건들을 조절함으로써 제어될 수 있다.
일부 구현예들에 있어서, 원하는 수준의 내산화성을 갖는 금속 카바이드 박막을 형성하는 방법들이 제공된다. 상기 방법들은 기판을 금속 전구체와 알루미늄 탄화수소 화합물의 기상 펄스들과 교대적으로 그리고 순차적으로 접촉시키는 것에 의하여 금속 카바이드 박막을 증착시키는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 금속 카바이드 박막 내에 알루미늄을 원하는 농도로 가져오기 위해 하나 이상의 반응 조건들이 선택되고, 상기 금속 카바이드 내의 알루미늄의 농도는 약 1% 내지 약 30%이다.
다른 구현예들에 있어서, 게이트 전극의 일함수는 금속 카바이드 막 내의 알루미늄의 양을 조절함으로써 결정된다. 상기 게이트 전극은, 예를 들면, 플래시 메모리 구조의 제어 게이트이거나 또는 CMOS 트랜지스터의 게이트 전극일 수 있다. 게이트 스택은 제 1 게이트 전극층과 제 2 게이트 전극층을 포함할 수 있다. 상기 제 1 게이트 전극층은 제 1 금속 카바이드 게이트 전극 물질을 포함하고, 제 2 게이트 전극층은 폴리실리콘, 티타늄 또는 탄탈륨 나이트라이드 또는 텅스텐과 같은 제 2 게이트 전극 물질을 포함한다. 상기 제 1 게이트 전극 물질과 상기 제 2 게이트 전극 물질은 도전성인 것이 바람직하다. 바람직한 구현예들에 있어서, 상기 제 1 게이트 전극 물질은 상기 제 2 게이트 전극 물질과 상이하다. 상기 게이트 전극의 일함수는 상기 제 1 금속 카바이드 게이트 전극 물질에 의하여 결정될 수 있다.
금속 카바이드 층을 포함하는 플래시 메모리의 형성 방법들도 제공된다. 바람직한 구현예들에 있어서, 유전층(터널 산화물)이 기판 위에 증착되고, 플로팅(floating) 게이트가 상기 유전층의 직접 위에 증착된다. 상기 플로팅 게이트는, 예를 들면, 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 일부 구현예들에서, TaNOS 플래시 구조와 같은 경우에 있어서 전하 트랩층이 상기 플로팅 게이트를 대신하여 이용된다. 상기 전하 트랩층은 실리콘 나이트라이드일 수 있다. AlO2와 같은 장벽 산화물이 상기 플로팅 게이트 또는 전하 트랩층 위에 증착되고, 제어 게이트가 상기 장벽 산화물 위에 형성된다.
일부 구현예들에 있어서, 기판 위에 플래시 메모리를 형성하기 위한 방법들은: 상기 기판 위에 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층의 직접 위에 상기 유전층과 인접하여 전하 트랩층을 형성하는 단계; 상기 전하 트랩층의 직접 위에 상기 전하 트랩층과 인접하여 장벽 산화물을 형성하는 단계; 상기 장벽 산화물 위에 금속 카바이드 제어 게이트를 형성하는 단계; 플래시 구조체를 형성하기 위하여 상기 유전층, 전하 트랩층, 장벽 산화물 및 제어 게이트를 식각하는 단계; 및 SiO2를 증착함으로써 상기 플래시 구조체를 패시베이션하는 단계;를 포함한다. 여기서, 상기 금속 카바이드 제어 게이트는 알루미늄을 포함하고, 상기 SiO2를 증착하는 동안 상기 금속 카바이드 내의 알루미늄은 산소와 반응하여 상기 제어 게이트를 자기-부동태화(self-passivate)한다.
상기 제어 게이트를 형성하는 단계는 금속 카바이드층이 상기 제어 게이트의 일함수를 조절하도록 하나 이상의 알루미늄 탄화수소 화합물들을 이용하여 ALD로 금속 카바이드 게이트 전극층을 증착하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 금속 카바이드 층은 바람직하게는 약 1 Å 내지 약 1000 Å의, 더욱 바람직하게는 약 1 Å 내지 약 500 Å의, 그리고 더더욱 바람직하게는 약 25 Å 내지 약 200 Å의 두께로 증착된다. 온도, 압력 및 선택된 반응물을 포함하는 증착 조건들은 상기 금속 카바이드 층 내에서 알루미늄의 원하는 양이 달성되고, 그에 따라서 원하는 일함수와 다른 특성들을 갖도록 조절된다. 예를 들면, 바람직한 알루미늄의 함량은 상기 막이 우수한 내산화성을 갖고, 후속 패터닝 및/또는 증착 단계들 동안 자기-부동태화될 수 있도록 하는 것이다.
폴리실리콘, 금속 또는 금속 나이트라이드층, 예를 들면, 티타늄 나이트라이드 또는 텅스텐층과 같은 추가적인 도전층이 상기 제 1 게이트 전극층 위에 증착될 수 있다. 그런 다음, 상기 구조체는 패터닝되고, 식각되며, 예를 들면 실리콘 옥사이드로 부동태화된다. 상기 부동태화 공정 동안, 상기 금속 카바이드 층의 에지(edge)들은 노출되고, 상기 금속 카바이드 내의 알루미늄이 산소와 반응하여 나머지 금속막을 자기-부동태화시킨다.
이들 구현예들 모두는 여기에 개시된 본 발명의 범위 내인 것이 의도된다. 본 발명의 이 구현예들 및 다른 구현예들은, 첨부 도면을 참조하는 다음의 바람직한 구현예들의 상세한 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들에게 쉽게 명백해질 것이며 본 발명은 개시된 어느 특정한 바람직한 구현예(들)에도 한정되지 않는다.
본 발명은 원하는 물성을 지니는 금속 카바이드 막의 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.
본 발명은 바람직한 구현예들의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 더 잘 이해될 것이다. 상기 바람직한 구현예들의 상세한 설명과 첨부된 도면은 예시적인 것을 의미하며 본 발명이 여기에 한정되지 않는다.
도 1은 일부 구현예에 따른 ALD-형 공정에서의 펄싱-시퀀스의 블록 다이아그램이다.
도 2는 일부 구현예들에 따라 형성된 플래시 메모리 구조체를 개념적으로 예시한 것이다.
도 3은 CMOS 트랜지스터에서 게이트 전극 스택을 개념적으로 예시한 것이다.
도 1은 일부 구현예에 따른 ALD-형 공정에서의 펄싱-시퀀스의 블록 다이아그램이다.
도 2는 일부 구현예들에 따라 형성된 플래시 메모리 구조체를 개념적으로 예시한 것이다.
도 3은 CMOS 트랜지스터에서 게이트 전극 스택을 개념적으로 예시한 것이다.
금속 카바이드 막들, 예를 들면 탄탈륨 카바이드(TaC) 막들은 플래시 메모리 구조체들의 제어 전극들과 같은 다양한 구조체를 형성하기 위하여 사용될 수 있다. 그러한 응용들에 있어서, 상기 막들은 하부에 놓인 물질에 대한 부착력이 우수하고, 또한 낮은 저항률과 우수한 내산화성을 갖는 것이 바람직하다.
바람직한 성질들을 갖는 금속 카바이드 막들은 알루미늄 탄화수소 화합물들을 채용하여 기판 위에 금속 막을 탄소 처리하는 것에 의하여 형성될 수 있다. 본 발명의 일부 구현예들에 있어서, ALD-형 공정들에서 금속 화합물과 탄소-함유 화합물을 기판과 교대적이면서 순차적으로 접촉시키는 것에 의하여 기판 위에 금속 카바이드 막들이 형성된다. 여기서 상기 탄소-함유 화합물은 알루미늄 탄화수소 화합물이다.
여기에 설명된 방법들과 조성물들을 이용하면, 제어된 알루미늄 함량을 갖는 금속 카바이드 막들이 기판 위에 형성될 수 있다. 반응 공간 내의 기판은 기상의 금속 소스 화학 물질 (또는 금속 화합물) 및 알루미늄 탄화수소 화합물과 접촉된다. 상기 막들은 우수한 부착력, 낮은 저항률 및 우수한 내산화성을 바람직하게 갖는다. 알루미늄 함량, 부착력, 저항률 및/또는 내산화성을 포함하는 상기 금속 카바이드 막들의 특성들은 적절한 알루미늄 탄화수소 반응물을 선택함으로써 조절될 수 있다. 또한, 반응 온도, 압력, 펄스 및 퍼지 시간, 펄싱 순서 및 증착후 어닐링과 같은 반응 조건들은 원하는 성질들을 갖는 막들이 달성되도록 조절될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 막의 원하는 특성들은 플라스마 강화 ALD 공정을 이용함으로써 달성될 수 있다.
적절한 알루미늄 탄화수소 화합물과 적절한 반응 조건들을 선택함으로써, 특정 상황에 유리한 성질들을 갖는 금속 카바이드 막이 형성될 수 있다. 예를 들면, 일부 구현예들에 있어서 TMA, TEA 또는 DMAH를 알루미늄 탄화수소 화합물로 이용함으로써 낮은 저항률을 갖는 막이 형성된다. 일부 구현예들에서, 우수한 부착력을 갖는 막들은 TEA 및 TaCl5와 같은 금속 할로겐화물 반응물을 이용하여 얻을 수 있다. 일부 구현예들에서, 금속 카바이드 막 내의 알루미늄을 원하는 수준으로 제공하는 조건들과 반응물들을 선택함으로써 내산화성 막들을 형성할 수 있다. 예를 들면, 일부 구현예들에 있어서 원하는 수준의 내산화성을 얻기 위하여 약 1% 내지 약 30%의, 더욱 바람직하게는 약 6% 내지 약 16%의 알루미늄 농도를 갖는 막들이 증착된다.
비록 여기서는 주로 플래시 메모리 응용들의 맥락에서 설명되었지만, 상기 금속 카바이드 막들과 증착 공정들이 다양한 상황들에서 그 용도를 발견할 수 있고, 이는 당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들에 의하여 인식될 수 있을 것이다. 예를 들면, 형성된 금속 카바이드 막은, 예를 들면, 듀얼 다마신 구조에서의 배선의 일부를 형성하는 도전성 확산 장벽, (알루미늄 농도에 따라) NMOS 또는 PMOS 게이트 전극과 같은 CMOS 트랜지스터에서의 금속 게이트 전극, 또는 반사방지 코팅과 같이 집적 회로(integrated circuit, IC)의 한 구성 부품일 수 있다. 다른 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드 막은 기계적인 마모에 대하여 보호를 할 수 있는 기판 상의 하드 코팅의 일부를 형성할 수 있고, 또는 부식 방지막의 한 구성부로서 이용될 수 있다. 또 다른 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드 막은, 예를 들면, 화학 반응 촉매의 일부로서 또는 식각 정지 장벽으로서 이용될 수 있다.
정의들
본 개시의 문맥에서, "ALD 공정" 또는 "ALD형 공정"은 일반적으로 자기-포화적인 화학 반응들을 이용하여 기판 위에 막을 단일층(분자층)씩(monolayer by monolayer) 만들기 위한 공정을 가리킨다. ALD의 일반적인 원리들은, 예를 들면 T. Suntola에서, 예를 들면, the Handbook of Crystal Growth 3, Thin Films and Epitaxy, Part B: Growth Mechanisms and Dynamics, Chapter 14, Atomic Layer Epitaxy, pp. 601-663, Elsevier Science B.V. 1994 및 미합중국 등록특허 제4,058,430호 및 제5,711,811호에 개시되며, 이들에 개시된 바는 여기에 인용되어 포함된다. ALD 공정에서, 기체 반응물들, 즉, 전구체들 또는 소스 물질들은 이들이 기판과 접촉하여 표면 반응을 제공하는 반응 공간 내부로 교대적으로 그리고 순차적으로 전해진다. 반응 조건들은 일반적으로 각 펄싱 사이클 동안 물질의 약 하나의 단일층(즉, 원자층 또는 분자층)까지만이 일시에 증착되도록 선택된다. 전구체 펄스들이 서로 분리되고, 잉여의 기상 반응물들 및 있을지도 모르는 반응 부산물들을 반응 챔버로부터 제거하기 위하여 상기 반응 챔버가 비활성 가스(예를 들면, 질소, 알곤, 또는 수소)로 퍼지(purge)되거나 및/또는 예를 들면, 펌핑 시스템을 이용하여 전구체 펄스들 사이에 비워지기 때문에 전구체들 사이의 기상 반응들과 부산물들의 원하지 않은 반응들은 억제된다. 따라서, 상기 반응 공간 내의 반응물들의 농도 프로파일은 시간에 대하여 서로 겹치지 않는다. 그러나, 당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 반응물 펄스들의 분리에도 불구하고 하나보다 많은 단일층이 하나 이상의 ALD 사이클들에서 증착될 수 있음을 인식할 것이다.
"플라스마-여기된 종(plasma-excited species)"은 가스에 에너지를 가함으로써 생성되는 라디칼, 이온 또는 다른 여기된 종들을 가리킨다. 플라스마-여기된 종들은 직접 플라스마 생성기(즉, "인 시투(in situ)" 또는 "직접(direct)" 플라스마 생성) 및/또는 원격 플라스마 생성기(즉, "엑스 시투(ex situ)" 또는 "원격(remote)" 플라스마 생성)를 이용하여 생성될 수 있다. 에너지는 유도 결합, 자외선 조사, 마이크로파, 용량적 결합(capacitive coupling), RF 전력의 인가 등과 같은 다양한 방법들을 통하여 가스에 가해질(결합될) 수 있다. 결합시키는 에너지가 없게되면, 플라스마 생성은 종료된다. 플라스마-여기된 종들은 수소와 질소 라디칼들을 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
"플라스마 파라미터들(plasma parameters)"은 플라스마 생성 전력, 가스 압력, 가스 (또는 반응물) 유속, 및 플라스마 펄스 지속시간을 포함하는 하나 이상의 플라스마 생성 변수들을 가리키기 위하여 사용되지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, RF 전력을 이용하는 플라스마 생성에 있어서, 플라스마 파라미터들은 라디오 주파수(radio frequency, RF) 전력의 공급 시간(power on time), RF 전력의 크기, RF 전력의 주파수 또는 (이중 주파수 시스템들에 있어서는) 주파수들, 반응물 농도, 반응물의 유속, 반응 공간 압력, 전체 가스 유속, 반응물 펄스 지속시간과 이격 시간, 및 RF 전극의 간격을 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
"반응 공간"은 막의 성장에 영향을 미치기 위하여 내부의 조건들이 조절될 수 있는 반응기 또는 반응 챔버("챔버"), 또는 그 안에 임의로 정의된 용적을 가리키기 위하여 사용된다. 예를 들면, 상기 반응 공간은 단일-웨이퍼 ALD 반응기 또는 여러 기판들 위에 동시에 증착이 일어날 수 있는 배치(batch) ALD 반응기일 수 있다.
"흡착"은 표면 위에서의 원자들 또는 분자들의 화학적 부착을 가리키기 위하여 사용된다.
"기판"은 증착을 하고자 하는 임의의 표면이고, 바람직한 구현예들에 있어서는 집적 회로(IC) 제조를 위하여 적합한 임의의 작업 대상(workpiece)을 포함할 수 있다. 전형적인 기판들을, 실리콘, 실리카, 코팅된 실리콘 및 금속 산화물들과 같은 고유전율(high k) 물질들을 포함하지만 여기에 한정되지 않는다.
"표면"은 반응 공간과 상기 기판의 지형 사이의 경계를 가리키기 위하여 사용된다.
"막(films)"은 소스로부터 상기 기판으로 개별 이온들, 원자들 또는 분자들로서 전달되는 원소들 또는 화합물들로부터 기판 위에 성장된 막을 의미한다. 상기 막의 두께는 응용분야에 의존하여 달라질 것이며, 바람직하게 하나의 원자층으로부터 100 나노미터(nm) 또는 그 이상으로까지 넓은 범위에서 변화할 수 있다. 상기 막이 플래시 메모리에서 일함수를 설정하기 위한 역할을 하는 것과 같은 경우와 같은 일부 구현예들에 있어서, 상기 두께는 약 25 Å 내지 약 200 Å일 수 있고, 또 다른 구현예들에 있어서는 500 Å 또는 1000 Å까지도 높아질 수 있다. CMOS 게이트 응용에서와 같은 다른 구현예들에 있어서, 상기 막은 약 200 Å 미만의 두께, 더욱 바람직하게는 약 100 Å 미만의 두께, 그리고 가장 바람직하게는 약 50 Å 미만의 두께를 가질 수 있다.
"금속 카바이드 막"은 적어도 하나의 금속과 탄소를 포함하는 막을 가리킨다. 상기 금속은 단일 원소의 금속 또는 금속 합금과 같이 복수의 금속들일 수 있다. 상기 금속 카바이드 막은 예를 들면, TaC와 같이 양론적(stoichiometric)일 수도 있고, 예를 들면, TaCx와 같이 비양론적일 수도 있다. 여기서, 만일 상기 막이 과량의 탄소를 갖는다면 'x'는 1보다 크고, 만일 상기 막에서 탄소가 부족하다면 'x'는 1보다 작다. 바람직한 구현예들에 있어서, 여기에 설명된 방법들에 따라 증착된 금속 카바이드 막들은 제 1 금속, 탄소, 및 알루미늄을 포함한다. 상기 제 1 금속은 통상 알루미늄이 아니다.
ALD 방법들
ALD는 자기-제한적인 반응들에 기초하며, 그에 따라 반응 전구체들의 순차적이면서 교대적인 펄스들이, 증착 펄스당 물질의 대략 하나의 원자 (또는 분자) 단일층을 증착하기 위하여 사용된다. 상기 증착의 조건들과 전구체들은, 하나의 펄스에서 흡착된 층은 동일한 펄스의 기상 반응물들과 비반응성인 표면 종결을 남기도록 자기-포화적인(self-saturating) 반응들을 제공하기 위하여 선택된다. 상이한 반응물들의 후속 펄스는 이전의 종결물과 반응하여 계속적인 증착을 가능하게 한다. 따라서, 교대되는 펄스들의 각 사이클은 통상 원하는 물질의 단일층을 대략 하나만 남기게 된다. 그러나, 위에서 언급된 바와 같이, 당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하나 이상의 ALD 사이클들에서, 예를 들면, 만일 어떤 기상 반응들이 반응물들을 분리하여 제공하였음에도 불구하고 일어난다면, 물질의 하나보다 많은 단일층이 증착될 수 있음을 알 것이다.
금속 카바이드 막들을 증착시키기 위한 통상의 ALD-형 공정에서, 하나의 증착 사이클은 기판을 제 1 반응물에 노출시키는 단계, 반응 공간으로부터 미반응의 제 1 반응물 및 반응 부산물들을 제거하는 단계, 상기 기판을 제 2 반응물에 노출시키는 단계, 그에 이어서 제 2 제거 단계를 포함한다. (비록 어느 반응물로든 공정을 시작하는 것이 가능하지만) 상기 제 1 반응물은 금속 전구체인 것이 바람직하고, 상기 제 2 반응물은 탄소 처리 (또는 탄소-부여하는(carbon-contributing)) 화합물인 것이 바람직하다.
상기 금속 화합물은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 레늄(Re), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 및 오스뮴(Os)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속들을 포함하는 것이 바람직하다.
ALD 증착에서 금속 전구체들로서, 예를 들면 TaCl5 및 HfCl4와 같은 할로겐화 반응물들이 통상 사용되는데, 그것은 이들 전구체들이 가격이 저렴하고 비교적 안정한 반면 동시에 다양한 타입의 표면기들에 대하여 반응성이 있기 때문이다.
탄소-부여하는 화합물들은 알루미늄 탄화수소 화합물들인 것이 바람직하다. 상기 알루미늄 탄화수소 화합물은, 예를 들면, 알칸, 알켄 또는 알킨일 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 알루미늄 탄화수소 화합물은 트리메틸 알루미늄(TMA), 트리에틸 알루미늄(TEA), 및 디메틸알루미늄하이드라이드(DMAH)로 구성되는 군으로부터 선택된다.
상기 알루미늄 탄화수소 화합물은 상기 금속 카바이드 막 내에서 원하는 특성들이 달성되도록 선택되는 것이 바람직하다. 이들은 부착력, 저항률, 내산화성 및 일함수를 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 또한, 적절한 알루미늄 탄화수소 화합물과 적절한 증착 조건들을 선택함으로써, 상기 금속 카바이드 막 내의 알루미늄의 수준이 조절될 수 있다. 예를 들면, 특정 막 내에서 높은 알루미늄 농도를 달성하고자 한다면, TMA 대신 TEA가 선택될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 금속 카바이드 막 내의 알루미늄 함유를 조절하기 위하여 서로 다른 ALD 증착 사이클들에서 상이한 알루미늄 탄화수소 화합물들이 이용될 수 있다. 예를 들면, 금속 카바이드 층을 증착하기 위한 증착 공정에서, 제 1 ALD 사이클은 제 1 알루미늄 화합물을 사용하고, 하나 이상의 ALD 사이클들은 다른 알루미늄 화합물을 사용할 수 있다.
전구체들을 알곤과 같은 불활성 기체들로 분리하는 것은 반응물들 사이의 기상 반응을 방지하고 자기-포화적인 표면 반응들을 가능하게 한다. 상기 반응들이 자기-포화적이기 때문에 기판의 엄밀한 온도 제어와 전구체들의 정확한 도스(dose) 제어가 불필요하다. 그러나, 상기 기판 온도는 도입되는 가스 종이 단일층으로 응축되거나 또는 표면 위에서 분해되지 않도록 하는 온도인 것이 바람직하다. 과잉의 화학 물질과 반응 부산물들이 만일 존재한다면, 상기 챔버 내부로 다음 반응 화학 물질의 펄스가 도입되기 전에 이들은 상기 반응 공간으로부터 제거된다. 원하지 않는 가스 분자들은 불활성의 퍼지 가스의 도움으로 상기 반응 공간으로부터 효과적으로 배출될 수 있다. 상기 퍼지 가스는 상기 과잉의 분자들을 상기 챔버 외부로 몰아낸다. 상기 퍼지를 돕기 위하여 진공 펌프가 이용될 수 있다.
본 발명의 일부 구현예들에 따르면, ALD-형 공정은 집적회로 작업 대상물과 같은 기판 위에 금속 카바이드 막들을 형성하기 위하여 사용된다. 바람직하게, 각 ALD 사이클은 두 개의 구별되는 증착 스텝들 또는 단계들을 포함한다. 상기 증착 사이클의 제 1 단계("금속 단계")에서, 금속을 포함하는 제 1 반응물(즉, 금속 소스 물질 또는 금속 소스 화학 물질)이 상기 반응 공간 내부로 펄스 공급되어 기판 표면 위에 화학흡착되어 상기 기판의 표면 위에 대략 하나뿐인 단일층을 형성한다. 이 단계에서의 상기 금속 소스 물질은, 바람직한 조건 하에서 상기 표면에 결합될 수 있는 금속 소스 물질의 양이 이용될 수 있는 결합 사이트들의 수 및 화학흡착되는 종들(리간드 포함)의 물리적인 크기에 의하여 결정되도록 선택된다. 상기 금속 소스 화학 물질의 펄스에 의하여 남겨진 화학흡착된 층은 그 펄스의 잔존하는 화학 제품과 비반응성인 표면으로 자기-종결된다. 여기서는 이러한 현상을 "자기-포화(self-saturation)"라고 부른다. 당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 단계의 상기 자기-제한적인 성질이 전체 ALD 사이클을 자기-제한적으로 만듬을 인식할 것이다.
상기 금속 소스 물질은 증착되는 막에서 선호되는 금속 종을 포함하는 것이 바람직하다. 일부 구현예들에 있어서, 여기서 "금속 화합물"이라고도 지칭되는 상기 금속 소스 화학 물질은 할로겐화물이며, 흡착된 단일층은 할로겐 리간드들로 종결된다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 금속 화합물은 금속 브롬화물, 금속 염화물, 및 금속 요오드화물로 구성되는 군으로부터 선택된다. 예를 들면, 탄탈륨-함유 금속 카바이드 막은 TaBrw, TaClx, 및 TaIz로 구성되는 군으로부터 선택되는 금속 화합물을 이용하여 증착될 수 있다. 여기서, w, x, y, 및 z는 1 내지 5의 수들이다. 일부 구현예들에 있어서, 탄탈륨-카바이드 막을 원하는 경우, 금속 화합물로서 TaCl5가 사용된다.
과량의 금속 소스 물질과 반응 부산물들(만일 있다면)은, 예를 들면, 불활성 가스로 퍼지함으로써 상기 반응 공간으로부터 제거된다. 과량의 금속 소스 물질과 임의의 반응 부산물들은 펌핑 시스템에 의하여 형성된 진공의 도움으로 제거될 수 있다.
작업 대상물의 표면 위에 최대의 스텝 커버리지(단차 도포성)는 통상 금속 소스 물질이 자기-제한적인 펄스 각각에서 대략 하나의 단일층만을 형성할 때 얻어진다. 화학흡착되는 종의 크기와 반응성 사이트들의 수로 인하여, 금속 반응물들의 각 펄스들에서 단일층보다 약간 적게 적층될 수 있다. 따라서, 금속 소스 물질의 최대의 도포성은 단일층보다 작을 수 있다. 공정 조건에 따라 일부 구현예들에 있어서 기판 표면 위에 하나보다 많은 제 1 반응의 단일층이 존재하는 것이 가능할 수 있다.
증착 사이클의 제 2 단계("탄소-부여 단계"("carbon-contributing phase"))에서, 여기서 "제 2 소스 화학 물질"로도 지칭되는 제 2 반응물이 상기 반응 공간 내부로 펄스 공급되어 선행 펄스에서 상기 기판 표면에 남겨진 금속-함유 분자들과 반응한다. 상기 제 2 소스 화학 물질은 알루미늄 탄화수소 화합물이다. 바람직하게, 제 2 단계에서 탄소는 상기 금속 소스 물질에 의하여 남겨진 단일층과 제 2 소스 화학 물질의 상호 작용에 의하여 상기 막 내부로 포함되어진다. 바람직한 구현예들에 있어서, 상기 제 2 소스 화학 물질과 화학흡착된 금속 종 사이의 반응은 상기 기판 위에 금속 카바이드 막을 생성한다.
알루미늄은 이 제 2 단계에서 상기 막 내부로 포함되어질 수도 있다. 상기 막 내의 알루미늄 함량을 원하는 대로 달성하기 위하여 반응물의 선택, 온도, 압력, 및 펄스와 퍼징의 시간들을 포함하는 반응조건들이 조절되지만 반응 조건이 여기에 한정되는 것은 아니다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 알루미늄의 함량은 약 0% 내지 약 30%로 변화할 수 있고, 더욱 바람직하게는 약 6% 내지 약 16%로 변화할 수 있다. 다른 구현예들에 있어서, 상기 알루미늄의 함량은 더 높을 수 있다.
상기 알루미늄 탄화수소는 알칸류(alkanes), 알켄류(alkenes) 및 알킨류(alkynes)로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다. 예를 들면, 상기 탄소-함유 화합물은 TMA, DMAH, 또는 TEA일 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 하나보다 많은 알루미늄 탄화수소 화합물이 이용될 수 있다. 예를 들면, 둘 이상의 알루미늄 탄화수소 화합물들이 동일한 펄스에서 동시에 공급될 수 있다. 다른 구현예들에 있어서, 둘 이상의 상이한 알루미늄 탄화수소 화합물들이 단일 증착 공정에서 구별되는 ALD 사이클들로 공급된다.
과량의 제 2 소스 화학 물질과 반응 부산물들은(만일 있다면) 퍼지 가스의 펄스 및/또는 펌핑 시스템에 의하여 생성된 진공에 의하여 상기 반응 공간으로부터 제거된다. 퍼지 가스는 알곤(Ar) 또는 헬륨(He)과 같은 임의의 불활성 가스인 것이 바람직한데, 여기에 한정되는 것은 아니다. 퍼지(즉, 퍼지 가스 펄스) 또는 다른 반응물의 제거 단계가 중간에 끼어 들면, 하나의 단계가 다른 단계를 즉시 뒤따르는 것으로 일반적으로 간주된다.
일부 구현예들에 있어서, 예를 들면, 막 내에 추가적인 종을 더 포함시키거나 또는 증착된 막을 환원시키기 위하여 추가적인 반응물들이 이용될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 제 3 반응물은, 예를 들면, 인 시투(in situ) 또는 원격 플라스마 생성기에 의하여 생성된 수소의 플라스마-여기된 종과 같은 환원제일 수 있다. 상기 환원제는 증착된 막을 환원시키기 위하여 상기 금속 단계 및/또는 상기 탄소-부여 단계 이후에 반응 공간으로 펄스 공급될 수 있다(또는 상기 반응 공간 내에 생성될 수 있다). 예를 들면, 상기 환원제는 상기 막 내의 및/또는 상기 기판 내의 할로겐 원자 또는 산화성 물질(예를 들면, 산소 원자들)과 같은 불순물들을 제거하기 위하여 사용될 수 있다. 그것은 또한 상기 금속 카바이드 막 내로의 알루미늄의 포함을 제어하고, 그에 의하여 상기 막의 성질들을 제어하기 위하여 사용될 수도 있다. 일부 구현예들에 있어서, 증착되는 막 내의 알루미늄 농도를 제어하기 위하여 동일한 증착 공정 내에서 열적 ALD와 플라스마 ALD 사이클들이 사용된다. 플라스마 ALD 사이클들에 대한 열적 ALD 사이클들의 비는 상기 박막 내에서 원하는 알루미늄 농도 및/또는 농도 프로파일을 달성하도록 선택될 수 있다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드 막 내부로 포함되는 알루미늄의 수준 및/또는 탄소에 대한 탄탈륨의 비를 조정하기 위하여 플라스마 파라미터들이 선택될 수 있다. 즉, 일부 구현예들에 있어서, 막의 조성들이 플라스마 파라미터들의 함수로써 제어될 수 있다. 조성뿐만 아니라, 결정도(crystallinity), 결정 격자 상수, 저항률(resistivity) 및 결정 응력과 같은 다른 막 특성들도 적절한 플라스마 파라미터들을 선택함으로써 조절될 수 있다.
일부 구현예들에 있어서, 플라스마 파라미터들은 플라스마 파라미터들과 막 조성 및 특성들 사이에서 확립된 관계들로부터 선택된다. 예를 들면, "플라스마 파라미터들"은 RF 전력 및 RF 주파수를 포함할 수 있다. 원하는 막의 성질을 이루기 위하여 RF 전력과 같은 하나의 플라스마 파라미터, 또는 다중 플라스마 파라미터들, 즉 RF 전력 및 RF 주파수와 같은 플라스마 파라미터들의 세트가 하나 이상의 ALD 사이클들에서 조절될 수 있다. 플라스마 파라미터들은 원하는 조성으로 금속 카바이드 막이 얻어지도록 선택되는 것이 바람직하다. 일부 경우들에 있어서, 플라스마 파라미터들은 원하는 게이트 스택 일함수를 가져오도록 특정 조성을 갖는 게이트 전극을 형성하기 위하여 선택된다.
일부 구현예들에 있어서, 금속 카바이드 막들을 위한 증착 레시피들은 플라스마 파라미터들을 선택함으로써 결정되거나 설계될 수 있다. 예로서, RF 전력은 원하는 양론 반응(stoichiometry)에 영향을 주기 위하여 선택될 수 있다. 다른 하나의 예로서, 원하는 조성을 얻기 위하여 특정 플라스마 펄스의 지속 시간 또는 RF 전력 공급 시간(RF power on time)이 사용될 수 있다. 또 다른 하나의 예로서, RF 전력, 반응물 펄스의 지속 시간, 및 반응물의 유속의 조합을 선택함으로써 원하는 조성이 달성될 수 있다.
바람직하게, 상기 플라스마-여기된 종은 수소를 포함한다. 수소의 플라스마-여기된 종은 수소 라디칼(H*) 및 수소 양이온들(예를 들면, H+, H2+)을 포함할 수 있지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 수소의 플라스마-여기된 종은 예를 들면 수소 분자 (H2) 또는 수소-함유 화합물(예를 들면, 실란, 디보레인(diborane) 등)로부터 인 시투로 또는 원격적으로 형성될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 여기에 설명된 하나 이상의 반응물들이 플라스마로서 제공될 수 있다.
플라스마, 반응물들 등과 같은 증착 파라미터들과 박막 조성 사이의 관계들은 파라미터(들)을 선택하고, 선택된 상기 파라미터(들)을 이용하여 원하는 두께의 막이 형성될 때까지 원자층 증착 공정으로 금속 카바이드 막을 증착하는 것에 의하여 확립될 수 있다. 그런 후 상기 막의 조성과 특성들이 결정될 수 있고, 다른 막이 상이한 파라미터들을 이용하여 증착된다. 이 공정은 파라미터들과 막 조성 사이의 관계를 개발하기 위하여 상이한 파라미터들에 대하여 반복될 수 있다.
적절한 반응 조건들을 선택함으로써 원하는 대로의 조성을 갖는 화합물 막이 형성될 수 있다.
일 구현예에서, ALD-형 공정을 통한 금속 카바이드 막의 형성은 다음 단계들을 모두 포함하는 증착 사이클을 하나 이상 포함한다.
1. 반응 공간에 금속 화합물을 제공하는 단계;
2. 과잉의 금속 화합물 및 반응 부산물들을 퍼지하거나 및/또는 배출해 내는 단계;
3. 상기 반응 공간에 알루미늄 탄화수소 화합물을 제공하는 단계; 및
4. 과잉의 알루미늄 탄화수소 화합물 및 반응 부산물들을 상기 반응 공간으로부터 퍼지하거나 및/또는 배출해 내는 단계.
단계 1 내지 단계 4는 열적 ALD 사이클로 지칭될 수 있다. 단계 1 내지 단계 4는 원하는 두께와 원하는 알루미늄 농도를 갖는 금속 카바이드 막을 생성하기 위하여 필요한 만큼 반복될 수 있다. 예를 들면, 단계 1 내지 단계 4는 하나 또는 여러 원자층들의 두께로부터 100 나노미터(nm) 이상의 두께에 이르는 균일한 두께를 갖는 금속 카바이드 층들을 생성하기 위하여 10회, 100회 또는 심지어 1000회 이상까지도 반복될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 단계 1 내지 단계 4는 금속 카바이드 막이 약 1 Å 내지 약 1000 Å의 두께, 바람직하게는 약 1000 Å 미만의 두께, 더욱 바람직하게는 약 500 Å 미만의 두께로 형성될 때까지 반복될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 막은 약 300 Å 미만의 두께를 갖고, 다른 구현예들에 있어서, 상기 막은 약 200 Å 미만의 두께를 갖는다. 일 구현예에 있어서, 상기 두께는 약 100 Å 내지 약 200 Å 사이인 것이 바람직하다. 다른 구현예들에 있어서, 상기 두께는 약 20 Å 내지 약 200 Å인 것이 바람직하다. 당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상기 금속 카바이드 막의 두께가 특정 응용에 따라 달라질 수 있음을 이해할 것이다. 예로서, NMOS 게이트에 응용하는 경우, 상기 두께는 통상 약 50 Å 내지 약 500 Å이다. 다른 하나의 예로서, MIM 커패시터에 응용하는 경우(예를 들면, DRAM, eDRAM 등), 상기 두께 범위는 대개 약 50 Å 내지 약 200 Å이다. 또한, 상기 금속 카바이드 막이 플래시 메모리에서 일함수를 설정하는 역할을 하는 응용에 있어서는, 상기 두께는 약 20 Å 내지 약 200 Å 사이인 것이 바람직하다.
일부 구현예들에 있어서, 단계 1 및 단계 2는 단계 3 및 단계 4에 선행하여 소정 횟수 반복된다. 예를 들면, 단계 1 및 단계 2는 단계 3 및 단계 4에 선행하여 5회 반복될 수 있다. 다른 하나의 예로서, 단계 1 및 단계 2는 단계 3 및 단계 4에 선행하여 10회 반복될 수 있다. 만일 균일한 조성을 갖는 금속 카바이드 막을 원한다면 단계 1 및 단계 2가 반복되는 횟수가 상기 금속막의 실질적인 탄소 처리(carburization)를 막을 정도의 횟수를 초과해서는 안됨이 이해될 것이다. 일 구현예에 있어서, 상기 금속 화합물은 낮은 분해 온도를 가지며, 단계 1 및 단계 2가 반복되는 횟수는 1회를 초과하지 않는다.
여기서 논의되는 바와 같이, 탄화수소 알루미늄 반응물들의 선택은 부착성, 저항률, 내산화성 및/또는 일함수와 같은 원하는 특성들을 갖는 막의 증착을 달성하기 위하여 이용될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 여러 알루미늄 탄화수소 화합물들이 이용된다. 또한, 원하는 막의 성질과 조성을 달성하기 위하여 다양한 반응 조건들이 조작될 수 있다. 이들 반응 조건들은, 반응 온도, 소스 컨테이너의 온도, 압력, 유속, 플라스마 파라미터들과 퍼지 및 펄싱 시간들을 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 있어서, ALD-형 공정을 통한 금속 카바이드 막의 형성은 둘 이상의 증착 사이클들을 포함하며, 제 1 사이클은 다음 단계들을 포함하고:
1. 반응 공간에 금속 화합물을 제공하는 단계;
2. 과잉의 금속 화합물 및 반응 부산물들을 퍼지 및/또는 배출해 내는 단계;
3. 상기 반응 공간에 제 1 알루미늄 탄화수소 화합물을 제공하는 단계; 및
4. 상기 반응 공간으로부터 과잉의 알루미늄 탄화수소 화합물과 반응 부산물들을 퍼지 및/또는 배출해 내는 단계,
제 2 증착 사이클은 다음 단계들을 포함한다:
5. 상기 반응 공간에 금속 화합물을 제공하는 단계;
6. 과잉의 금속 화합물 및 반응 부산물들을 퍼지 및/또는 배출해 내는 단계;
7. 상기 반응 공간에 제 2 알루미늄 탄화수소 화합물을 제공하는 단계; 및
8. 상기 반응 공간으로부터 과잉의 알루미늄 탄화수소 화합물과 반응 부산물들을 퍼지 및/또는 배출해 내는 단계.
상기 제 1 사이클과 상기 제 2 사이클은 연속적일 필요가 없고, 또한 제 2 사이클에 대한 제 1 사이클의 비율은 원하는 조성을 달성하기 위하여 선택될 수 있다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 증착 사이클들은 임의의 반응물들로 시작될 수 있다. 상기 제 1 알루미늄 탄화수소 화합물과 제 2 알루미늄 탄화수소 화합물은 상이한 화합물들인 것이 바람직하다. 상기 제 1 알루미늄 탄화수소 화합물과 제 2 알루미늄 탄화수소 화합물은 TMA, TEA, 또는 DMAH를 포함한다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 제 1 알루미늄 탄화수소 화합물은 TEA를 포함하고, 상기 제 2 알루미늄 탄화수소 화합물은 TMA를 포함한다. 일부 구현예들에 있어서, TEA를 이용하는 여러 증착 사이클들이 수행된 후 TMA를 이용하는 여러 증착 사이클이 수행된다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 제 1 알루미늄 탄화수소 펄스들과 제 2 알루미늄 탄화수소 펄스들 사이의 비는 약 1 : 100 과 약 100 : 1 사이이다. 바람직하게는, 상기 제 1 알루미늄 탄화수소 펄스들과 제 2 알루미늄 탄화수소 펄스들 사이의 비는 약 5 : 1 과 약 1 : 5 사이이다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 제 1 알루미늄 탄화수소 펄스들과 제 2 알루미늄 탄화수소 펄스들 사이의 비는 약 1 : 1이다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드 막을 증착하는 동안 플라스마가 사용될 수 있다. 일 구현예에 있어서, ALD-형 공정을 통한 금속 카바이드 막의 형성은 하나 이상의 플라스마 ALD 증착 사이클들을 포함하며, 상기 플라스마 ALD 증착 사이클은 다음 단계들을 포함한다:
1. 반응 공간에 금속 화합물을 제공하는 단계;
2. 과잉의 금속 화합물과 반응 부산물들을 퍼지 및/또는 배출해 내는 단계;
3. 상기 반응 공간에 제 1 알루미늄 탄화수소 화합물을 제공하는 단계;
4. 상기 반응 공간으로부터 과잉의 알루미늄 탄화수소 화합물과 반응 부산물들을 퍼지 및/또는 배출해 내는 단계;
5. 상기 반응 공간에 플라스마-여기된 종을 공급하는 단계; 및
6. 상기 반응 공간으로부터 과잉의 플라스마 소스 및 반응 부산물들을 퍼지 및/또는 배출해 내는 단계.
단계 1 내지 단계 6은 플라스마 증착 사이클로 지칭될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 플라스마의 소스는 상기 금속 화합물 이후에, 그리고 상기 알루미늄 탄화수소 화합물 이전에 제공될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 증착 사이클은 임의의 반응물들로부터 시작될 수 있다. 바람직하게는, 상기 플라스마-여기된 종은 수소를 포함한다.
일부 구현예들에 있어서, 플라스마 ALD 사이클들과 열적 ALD 사이클들이 동일한 증착 공정에서 사용된다. 열적 ALD 사이클들과 플라스마 ALD 사이클들 사이의 비는 통상 약 1 : 100과 약 100 : 1 사이이다. 바람직하게, 상기 제 1 알루미늄 탄화수소 펄스들과 제 2 알루미늄 탄화수소 펄스들 사이의 비는 약 5 : 1 내지 약 1 : 5이다. 일부 구현예들에 있어서, 열적 ALD 사이클들과 플라스마 ALD 사이클들 사이의 비는 약 1 : 1이다.
다음의 일반적인 조건들은 여기에 개시된 임의의 증착 사이클들에 적용된다. 반응 온도는 약 150 ℃ 내지 약 550 ℃인 것이 바람직하고, 약 300 ℃ 내지 약 400 ℃인 것이 더욱 바람직하다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 반응 온도는 약 350 ℃ 내지 약 375 ℃이다.
반응 압력은 약 0.5 torr 내지 약 10 torr이다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 압력은 약 2 torr 내지 약 7 torr이다. 상기 압력은 원하는 성장 속도 및 받아들일 수 있는 균일성을 달성하도록 조절되는 것이 바람직하다.
일부 구현예들에 있어서, 반응물 용기의 온도는 막에 원하는 특성이 부여되도록 선택될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 할로겐화물 반응물 용기의 온도는 약 40 ℃ 내지 약 80 ℃이다. 예를 들면, 금속 전구체로써 TaCl5를 이용하는 탄탈륨 함유막의 증착에 있어서, 반응물 용기의 온도는 약 45 ℃ 내지 약 75 ℃일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 약 65 ℃일 수 있다.
상기 금속 반응물 펄스 시간은 약 0.1 초 내지 약 20 초인 것이 바람직하고, 약 1 초 내지 약 10 초인 것이 더욱 바람직하다.
상기 알루미늄 탄화수소 화합물의 펄스 시간은 약 0.1 초 내지 약 20 초인 것이 바람직하고, 약 0.5 초 내지 약 2 초인 것이 더욱 바람직하다. 일부 구현예들에 있어서, 알루미늄 탄화수소 반응물로서 TMA가 이용되며, 약 1초보다 긴 펄스 시간이 사용되고, 더욱 바람직하게는 약 2초보다 긴 펄스 시간이 사용된다. 다른 구현예들에 있어서, 알루미늄 탄화수소 반응물로서 TEA가 이용되며, 약 1초의 펄스 시간을 갖는다. 다른 구현예들에 있어서, 알루미늄 탄화수소 반응물로서 DMAH가 이용되며, 약 1초의 펄스 시간을 갖는다. 다른 구현예들에 있어서, 둘 이상의 상이한 알루미늄 탄화수소 반응물들이 사용될 수 있다. 또 다른 구현예들에 있어서, 더 긴 펄스 시간들이 사용될 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 알루미늄 탄화수소 화합물에 대하여 상기 기판 위에 상기 화합물의 포화에 영향을 미치기 위하여 더 긴 펄스 시간들이 이용될 수 있다.
퍼지 시간들은 일반적으로 약 0.1 초 내지 약 10 초이고, 더욱 바람직하게는 약 2 초 내지 약 8 초이다. 일부 구현예들에 있어서, 약 6 초의 퍼지 시간이 사용된다. 그러나, 다른 구현예들에 있어서, 더 긴 퍼지 시간이 이용될 수 있다. 퍼지 시간은 일부 구현예들에 있어서 금속 반응물의 퍼지와 알루미늄 탄화수소 반응물의 퍼지에 대하여 동일한 반면, 다른 구현예들에 있어서는 상이한 반응물들에 대하여 퍼지 시간이 상이하다.
알곤과 같은 불활성 퍼지 가스에 있어서, 유속은 일반적으로 약 100 sccm 내지 약 400 sccm이다. 금속 전구체 및 알루미늄 탄화수소 모두에 있어서 캐리어의 흐름은 약 100 sccm 내지 약 400 sccm인 것이 바람직하다. 상기 캐리어 가스는 알곤과 같은 불활성 가스인 것이 바람직하며, 상기 퍼지 가스와 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 상기 퍼지 가스와 캐리어 가스의 유속은 부분적으로는 특정 반응기에 근거하여 결정될 수 있으며, 이는 당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 이해될 것이다.
도 1을 참조하면, ALD-형 공정에 의하여 금속 카바이드 막을 형성하기 위한 예시적인 구현예가 도시된다. 만일 필요하다면 최초 표면 종결(surface termination)을 한 후, 제 1 반응물 또는 소스 물질이 기판 또는 작업 대상물(workpiece)에 공급 또는 펄스 공급된다(10). 바람직한 구현예에 따르면, 제 1 반응물 펄스는 캐리어 가스의 흐름과 금속 전구체, 바람직하게는 관심 대상인 작업 대상물 표면과 반응성이 있는 휘발성의 할로겐화물 화합물을 포함한다. 상기 할로겐화물 화합물은 상기 금속 카바이드 막의 일부를 형성할 금속 종을 포함한다. 따라서, 상기 작업 대상물 표면에 금속-함유 종이 흡착된다. 상기 제 1 반응물 펄스는, 제 1 반응물 펄스의 임의의 과잉의 성분들이 이 공정에 의하여 형성된 단일층과 추가적인 반응을 하지 않도록 상기 작업 대상물 표면들을 자기-포화시킨다. 자기-포화는 상기 단일층을 종결시키고 추가적인 반응으로부터 상기 층을 보호하는 할로겐화물 꼬리(halide tail)와 같은 리간드들에 기인한다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 제 1 반응물은 TaCl5와 같은 탄탈륨 할로겐화 화합물이다.
그런 다음, 과잉의 제 1 반응물은 상기 반응 공간으로부터 제거된다(20). 바람직하게, 단계 104는 과잉의 반응물 및 반응 부산물들을 상기 반응 공간으로부터 확산시키거나 퍼지하기에 충분한 시간 동안 바람직하게는 반응 챔버 약 두 개보다 큰 부피의 퍼지 가스로, 더욱 바람직하게는 챔버 약 세 개보다 큰 부피의 퍼지 가스로 캐리어 가스(예를 들면, Ar 또는 H2)를 계속적으로 유동시키면서 제 1 반응물의 흐름 또는 화학 작용을 멈추는 것을 수반할 뿐이다. 바람직하게, 상기 제거 단계(20)는 상기 제 1 반응물 펄스의 흐름을 멈춘 후 퍼지 가스를 약 0.1 초와 20 초 사이 동안 유동시키는 것을 계속하는 단계를 포함한다. 펄스-간(inter-pulse) 퍼지는 1999년 9월 8일 출원되어 계속 중이며 그 개시한 바가 여기에 인용되어 포함되는 미합중국 특허출원 일련번호 제09/392,371호 IMPROVED APPARATUS AND METHOD FOR GROWTH OF A THIN FILM에 설명되어 있다. 다른 장치에 있어서, 상기 챔버는 교호하는 화학 반응들 사이에 펌프로 비워질 수 있다. 예를 들면, 1996년 6월 6일 간행되고 그 개시한 바가 여기에 인용되어 포함되는 PCT 공개번호 WO 96/17107 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING THIN FILMS를 참조하라. 상기 흡착 단계(10) 및 반응물 제거 단계(20)는 함께 상기 증착 사이클의 제 1 단계(50)을 나타낸다. 따라서, 도시된 증착 사이클의 상기 제 1 단계(50)는 금속 단계이다.
도 1을 계속하여 참조하면, 제 2 반응물 또는 소스 화학 물질이 상기 작업 대상물에 펄스 공급된다(30). 상기 제 2 화학 물질은 상기 제 1 반응물에 의하여 남겨진 단일층 위에 흡착된다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 제 2 반응물은 단계(10)에서 증착된 금속-함유 종으로부터 리간드들을 제거한다. 도시된 구현예에서, 상기 제 2 반응물은 상기 제 1 반응물에 의하여 증착된 층과 반응하여 금속 카바이드를 형성하는 알루미늄 탄화수소 화합물이다. 상기 알루미늄 탄화수소 화합물은 상기 금속 단계에서 형성된 금속층에 탄소를 증착시킨다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 알루미늄 탄화수소 화합물은 캐리어 가스(예를 들면, H2)와 함께, 바람직하게는 불활성 캐리어 가스(예를 들면, He, Ar)와 함께 펄스 공급된다.
성장하는 막에 탄소를 증착시키기에 충분한 시간이 경과한 후, 알루미늄 탄화수소 화합물의 제공이 종결되고, 만일 있다면 반응 부산물들(바람직하게는 휘발성이기도 한)을 상기 반응 공간으로부터 바람직하게는 퍼지 가스에 의하여 제거한다(40). 상기 제거는 단계 20에서 설명한 바와 같을 수 있다. 단계(30)과 단계(40)은 도시된 ALD 공정의 제 2 단계를 나타내고, 탄소-부여 단계(60)으로 지칭될 수도 있다.
단계들 (10) 내지 (40)은 원하는 두께의 금속 카바이드 층을 형성하기 위하여 반복될 수 있다(70). 약 하나의 단일층의 두께 또는 그 미만의 두께를 갖는 금속 카바이드 막을 원한다면 상기 반복 단계(70)는 배제될 수 있다.
여기서 설명된 ALD-형 공정들에 있어서, 상기 기판은 바람직하게는 약 150 ℃ 내지 약 550 ℃의 온도를, 더욱 바람직하게는 약 350 ℃ 내지 약 400 ℃의 온도를 유지한다. 상기 챔버는 바람직하게 약 200 mTorr 내지 약 10 Torr의 압력을, 더욱 바람직하게는 약 1 Torr 내지 약 8 Torr의 압력을 유지한다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 제 1 반응물은 TaCl5와 같은 탄탈륨 할로겐화물이고, 상기 제 2 반응물은 TMA, DMAH, 또는 TEA와 같은 알루미늄 탄화수소 화합물이며, 형성되는 막은 탄탈륨 카바이드이다. 상기 탄탈륨 카바이드 막은 알루미늄을 포함하는 것이 바람직하다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 탄탈륨 카바이드 막은 약 6% 내지 약 16%의 알루미늄을 포함한다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 막은 증착 후에 어닐링될 수 있다. 증착 후의 막의 어닐링은 상기 박막의 성질들을 개질시킬 수 있다. 예를 들면, 어닐링은 상기 막의 수소 및 염소 함량을 변화시킬 수 있다. 바람직하게, 어닐링 동안 상기 기판의 온도는 약 500 ℃ 내지 약 1200 ℃이다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 어닐링 단계 동안 상기 기판의 온도는 약 600 ℃ 내지 약 1000 ℃이다. 바람직하게, 상기 어닐링 단계는 불활성 분위기에서 수행된다. 어닐링을 위해 바람직한 불활성 분위기들은 질소, 헬륨 및 알곤을 포함한다. 어닐링 단계 동안 압력은 대략 대기압인 것이 바람직하다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 압력은 대기압보다 높을 수도 있고 낮을 수도 있다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 어닐링 분위기는 낮은 분압의 산소를 포함한다.
플래시 메모리
일부 구현예들에 있어서, 컨트롤 게이트의 적어도 일부를 형성하기 위하여 여기에서 설명된 바와 같은 ALD에 의하여 금속 카바이드 막이 증착되는 플래시 메모리 구조가 제공된다. 예시적인 플래시 메모리 구조의 주된 요소들이 도 2에 도시된다. 유전층(터널 산화막)(110)이 기판(100) 위에 증착된다. 상기 유전층(110)은 비록 일부 구현예들에 있어서 고유전(high-k) 물질일 수 있지만 통상 SiO2이다. 고유전 물질들은 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 하프늄(HfO2), 산화 탄탈륨(Ta2O5), 바륨 스트론튬 티타네이트(barium, strontium titanate, BST), 스트론튬 비스무트 탄탈레이트(strontium, bismuth tantalate, SBT), 란탄화 산화물들, 및 HfSiOx 및 HfZrOx와 같은 이들의 조합들과 같이 일반적으로 약 7보다 큰 k 값들을 갖는 금속 산화물들의 형태이다. 비록 통상적으로는 산화물이지만, 상기 유전층(110)은 다른 형태의 물질일 수 있다.
플로팅 게이트(120)는 상기 유전층의 직접 위에 증착된다. 상기 플로팅 게이트(120)는, 예를 들면, 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 일부 구현예들에 있어서 상기 플로팅 게이트(120)는 전하 트랩층과 대체된다. 일부 구현예들에 있어서 상기 전하 트랩층은 비록 다른 물질들도 가능하지만 실리콘 질화물이다.
장벽 산화물(또는 블로킹 유전체)(130)은 플로팅 게이트 또는 전하 트랩층(120) 위에 형성된다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 장벽 산화물(130)은 Al2O3를 포함하지만, AlLaOx, AlZrOx 및 HfLaO와 같은 다른 재료들도 사용될 수 있다. 또한, 상기 장벽 산화물(130)은, 예를 들면 상기 플로팅 게이트 또는 전하 트랩층(120)에 인접하는 하부 유전 물질, 컨트롤 게이트(140)에 인접하여 하부에 위치하는 상부 유전 물질, 및 상기 상부 유전 물질과 하부 유전 물질 사이에 배치되는 개재 나이트라이드 층을 포함하는 ONO (산화물 질화물 산화물) 구조일 수도 있다.
컨트롤 게이트(140)은 장벽 산화물 위에 형성된다. 컨트롤 게이트(140)를 형성하는 단계는 금속 카바이드 층이 상기 컨트롤 게이트(140)의 일함수를 제어하도록 하나 이상의 알루미늄 탄화수소 화합물들을 이용하여 ALD로 금속 카바이드 게이트 전극층(150)을 증착하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 바람직한 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드는 TaC이다. 상기 금속 카바이드 층(150)은 약 100 Å 내지 200 Å의 두께로 증착되는 것이 바람직하다. 상기 증착의 조건들은, 예를 들면 온도, 압력, 펄스 및 퍼지 시간들, 플라스마 조건들(만일 사용된다면), 및 반응물의 선택은 상기 금속 카바이드 층(150) 내에 알루미늄의 원하는 함량을 달성하고 그에 의하여 원하는 일함수를 이끌어 내기 위하여 조절된다. 또한, 상기 알루미늄 함량은 상기 막이 후속되는 패터닝 및/또는 증착 단계들 동안 자기-부동태화할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드 층은 전체 컨트롤 게이트로서 작용한다. 다른 구현예들에 있어서, 제 2 상부 게이트 전극층(160)이 상기 제 1 하부 게이트 전극층(150)에 인접하여 그의 상부에 증착된다. 상기 제 2 게이트 전극층(160)은 폴리실리콘, 티타늄 나이트라이드 및/또는 텅스텐과 같은 금속 등의 도전성 물질을 포함한다. 상기 상부 게이트 전극층(160)은상기 하부 게이트 전극층(150)보다 더 두꺼울 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 상부 게이트 전극층(160)은 약 1000 Å의 두께를 갖는다. 통상, 상기 상부 게이트 전극층(160)은 상기 컨트롤 게이트(140)의 일함수에 기여하지 않는다. 그러나, 일부 구현예들에 있어서, 상기 하부 게이트 전극층(150)과 상기 상부 게이트 전극층(160)의 두께는 이들 각각이 일함수에 기여하여 원하는 일함수가 달성되도록 선택된다.
유전체 층(110), 플로팅 게이트 또는 전하 트랩층(120), 장벽 산화물(130) 및 (만일 있다면) 상부 게이트 전극층(160)에 있어서 적절한 물질은 당 기술분야에 알려져 있으며 특정 상황에 기초하여 당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 선택될 수 있다. 상기 유전체 층(110)은 ALD 또는 PEALD와 같이 당 기술 분야에서 알려진 임의의 증착 방법에 의하여 증착될 수 있다. 상기 상부 게이트 전극층(160)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD)형 또는 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD)형 공정에 의하여 바람직하게 증착된다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 장벽 산화물(130)과 상기 컨트롤 게이트(150)는 어떤 공기의 틈입 없이 동일한 플랫폼 상에 증착된다.
그런 다음 상기 구조가 패터닝되고, 식각되고, 그리고 예를 들면 실리콘 산화물로 부동태화된다. 상기 부동태화 공정 중에, 상기 금속 카바이드 층의 가장자리는 노출되며, 상기 금속 카바이드 내의 알루미늄은 산소와 반응하여 나머지 금속 막을 자기-부동태화시킨다.
게이트 전극들
일부 구현예들에 있어서, 여기에 설명한 바와 같이 ALD에 의하여 증착된 금속 카바이드 막이 게이트 전극의 적어도 일부를 이루는 트랜지스터 구조물들이 제공된다. 도 3에 CMOS 트랜지스터에서의 게이트 스택이 개념적으로 도시된다. 특히, 반도체 기판(200)이 그 위에 형성된 트랜지스터 게이트 스택(210)과 함께 도시된다. 도시된 구현예에 있어서, 상기 기판(200)은 단결정 실리콘 웨이퍼의 상부 부분을 포함하지만, 당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상기 기판이 다른 반도체 물질들도 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 상기 게이트 스택(210)은 금속 카바이드를 포함하는 게이트 전극층(220)을 포함한다. 측벽 스페이서들(230)과 절연층(240)은 상기 전극(220)을 통상의 방식으로 보호 및 격리시킨다. 통상 금속을 포함하고, 더욱 고도로 도전성인 스트래핑 층(strapping layer)(250)도 상기 실리콘-함유 게이트 전극층(220) 위에 도시된다. 상기 스트랩(250)은 상기 웨이퍼를 가로지르는 트랜지스터 게이트들 사이에서의 신속한 신호 전파를 용이하게 하고 상기 게이트들을 논리 회로에 연결한다. 집적 회로의 트랜지스터들은 도 3의 트랜지스터와 반드시 모두 닮지는 않은 다양한 형태드을 가질 수 있음에 유의해야 한다. 그러나, 바람직한 구현예들에서의 상기 게이트 전극층(220)은 다양한 트랜지스터 유형들의 게이트 전극들에서 응용될 수 있을 것이다(예를 들면, 이종접합 BiCMOS 트랜지스터들).
상기 게이트 전극(220)의 적어도 일부는 하나 이상의 알루미늄 탄화수소 화합물들을 이용하여 ALD로 금속 카바이드 층을 증착시킴으로써 형성된다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드 층은 상기 게이트 전극(220)의 일함수를 제어한다. 바람직한 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드는 TaC를 포함한다. 상기 금속 카바이드 층은 바람직하게 약 20 Å 내지 약 200 Å의 두께로 증착된다. 증착 조건들은, 예를 들면, 온도, 압력, 펄스 및 퍼지 시간, (만일 사용되는 경우) 플라스마 조건들 및 반응물의 선택은상기 금속 카바이드 층 내에 원하는 알루미늄 함량을 달성하고, 그에 의하여 원하는 일함수를 생성하도록 조절된다. 또한, 상기 알루미늄 함량은 상기 막이 후속되는 패터닝 및/또는 증착 단계들 동안 자기-부동태화시킬 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
일부 구현예들에 있어서, 상기 금속 카바이드 층은 전체 게이트 전극(220)으로서 작용할 수 있다. 다른 구현예들에 있어서, 제 2 상부 게이트 전극층이 상기 금속 카바이드 층에 인접하여 상부에 증착된다. 상기 제 2 상부 게이트 전극층은 폴리실리콘, 티타늄 나이트라이드 및/또는 텅스텐과 같은 금속 등의 도전성 물질을 포함한다. 상기 상부 게이트 전극층은 상기 금속 카바이드 게이트 전극층보다 두꺼울 수 있다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 상부 게이트 전극층은 약 1000 Å의 두께를 갖는다. 통상, 상기 상부 게이트 전극층은 상기 게이트 전극의 일함수에 기여하지 않는다. 그러나, 일부 구현예들에 있어서 상기 하부 게이트 전극층과 상기 상부 게이트 전극층의 두께는 이들 각각이 일함수에 기여하여 원하는 일함수가 달성되도록 선택된다. 상기 상부 게이트 전극층은 화학 기상 증착(CVD)형 또는 물리 기상 증착(PVD)형 공정에 의하여 바람직하게 증착된다.
실시예들
이산화실리콘(SiO2), Al2O3, SiN, HfO2 및 Ta2O5 기판들 위에 EmerALD 및 Pulsar 반응기 모두 내에서 ALD-형 공정들에 의하여 탄탈륨 카바이드 막들이 증착되었다. 상기 공정들에서의 단계들의 순서는 금속 화합물(TaCl5), 알루미늄 탄화수소 (TMA 또는 TEA) 및 퍼지 가스(Ar)를 상기 기판을 포함하는 반응 공간 내부로 교대적으로 그리고 순차적으로 펄스 공급하는 단계를 포함하였다. 증착은 다양한 반응 조건들 하에서 수행되었다.
가스 펄스들의 순서는 다음과 같았다:
(1) TaCl5 펄스;
(2) Ar 퍼지;
(3) TMA 또는 TEA 펄스; 및
(4) Ar 퍼지.
단계들 (1)-(4)를 반복하여 탄탈륨 카바이드 막을 형성하였다.
TMA를 이용한 탄탈륨 카바이드 증착
일 실험예에서, 약 375 ℃의 반응 온도에서 이산화 실리콘(SiO2) 위에 TMA 및 TaCl5로부터 탄탈륨 카바이드 막들이 증착되었다. 가스 펄스들 및 퍼지들의 순서(밀리초, "ms")는 다음과 같았다:
(1) TaCl5 펄스 (1000 ms);
(2) Ar 퍼지 (3000 ms);
(3) TMA 펄스 (1000 ms); 및
(4) Ar 퍼지 (3000 ms).
단계들 (1)-(4)를 반복하여 대략 3.5 Å/사이클의 증착 속도로 균일한 탄탈륨 카바이드 막을 형성하였다.
TEA를 이용한 탄탈륨 카바이드 증착
다른 실험예에서, 약 375 ℃의 반응 온도에서 이산화 실리콘(SiO2) 위에 TEA 및 TaCl5로부터 탄탈륨 카바이드 막들이 증착되었다. 가스 펄스들 및 퍼지들의 순서(밀리초, "ms")는 다음과 같았다:
(1) TaCl5 펄스 (1000 ms);
(2) Ar 퍼지 (3000 ms);
(3) TEA 펄스 (2000 ms); 및
(4) Ar 퍼지 (4000 ms).
단계들 (1)-(4)를 반복하여 대략 4 Å/사이클의 증착 속도로 균일한 탄탈륨 카바이드 막을 형성하였다.
TaC 막의 성질들
상기 실시예들에서 개괄한 절차들에 따라 형성된 200 Å 탄탈륨 카바이드 막의 저항률은 TMA를 알루미늄 탄화수소로 사용하였을 때 약 1200 uohm*cm이었고, TEA를 알루미늄 탄화수소 반응물로 사용하였을 때 약 700 uohm*cm이었다.
Al2O3 기판 위에 증착되었을 때, 알루미늄 탄화수소 화합물로서 TMA를 이용하여 증착된 TaC 막은 스크래치 및 테이프 테스트에서 기판으로부터 박리되었다. 그러나, TEA를 사용하고 다른 조건들은 동일하게 증착된 TaC 막은 동일한 평가를 이용하였을 때 우수한 부착력을 보여주었다.
앞서 언급된 구현예들의 적어도 일부에서, 구현예에 사용된 임의의 요소는 불가능하지 않은 한 다른 구현예에서 서로 바꾸어 사용될 수 있다.
당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않으면서 위에서 설명한 방법들과 구조들에 다양한 다른 생략, 추가 및 변경이 가해질 수 있음을 이해할 것이다. 그러한 모든 변경들과 변화들은 첨부된 특허청구범위에 의하여 정의되는 바와 같이 본 발명의 범위 내에 속할 것이 의도된다.
Claims (47)
- 반응 공간 내에서 기판 위에 금속 카바이드 박막을 형성하기 위한 원자층 증착 방법으로서,
적어도 16%의 알루미늄을 포함하는 금속 카바이드 막이 형성되도록 복수의 열적 ALD 사이클들을 수행하는 단계;
를 포함하고, 상기 사이클들 각각은:
상기 기판 상에 금속층을 형성하는 기상 금속 할로겐화물을 상기 반응 공간 내부로 제공하는 단계;
과잉의 기상 금속 할로겐화물 및 반응 부산물들을 제거하는 단계;
상기 금속층 내에 탄소를 퇴적시키고 휘발성 반응 부산물들을 형성하기 위하여 상기 금속층과 반응하는 기상 트리에틸 알루미늄(triethyl aluminum, TEA)을 상기 반응 공간으로 제공하는 단계; 및
과잉의 기상 TEA 및 휘발성 반응 부산물들을 상기 반응 공간으로부터 제거하는 단계;
를 포함하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 Ti, Ze, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Ir, Ru, 및 Os로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 탄탈륨 할로겐화물인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 TaCl5인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 Nb을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 Ti을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 TaBrw, TaClx, 및 TaIz(여기서, w, x, y, 및 z는 1 내지 5의 정수임)로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 카바이드는 탄탈륨 카바이드인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 카바이드가 1 Å 내지 1000 Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 카바이드가 20 Å 내지 200 Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 원자층 증착 방법이 350 ℃ 내지 400 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 원자층 증착 방법이 2 Torr 내지 5 Torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기상 TEA를 상기 반응 공간으로 제공하는 단계는 20초까지의 TEA 펄스를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 제 1 항에 있어서,
기상 금속 할로겐화물을 상기 반응 공간 내부로 제공하는 단계는 1초 내지 10초의 제 1 금속 할로겐화물 펄스를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법. - 금속 카바이드 박막을 형성하기 위한 열적 원자층 증착 방법으로서,
기판을 반응 공간 내에서 기상의 금속 할로겐화물 및 트리에틸알루미늄(triethyl aluminum, TEA)과 교대적으로 그리고 순차적으로 접촉시킴으로써 적어도 16%의 알루미늄을 포함하는 금속 카바이드 박막을 증착시키는 단계;
를 포함하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 기판을 기상의 금속 할로겐화물 및 TEA와 접촉시키는 단계는:
상기 기판 위에 금속층을 형성하기 위하여 기상 금속 할로겐화물을 상기 반응 공간으로 제공하는 단계;
상기 반응 공간으로부터 상기 기상 금속 할로겐화물을 제거하는 단계;
상기 금속층과 반응하여 (a) 상기 금속층 내에 탄소를 퇴적시키고 (b) 휘발성의 반응 부산물들을 형성하는 TEA를 상기 반응 공간에 제공하는 단계; 및
상기 반응 공간으로부터 상기 휘발성의 반응 부산물들 및 기상 TEA를 제거하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 기판을 기상의 금속 할로겐화물 및 TEA와 접촉시키는 단계는 20초까지 기판과 기상의 TEA를 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 기판을 기상의 금속 할로겐화물 및 TEA와 접촉시키는 단계는 1초 내지 10초 동안 기판과 기상의 금속 할로겐화물 을 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 Ti, Ze, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Ir, Ru, 및 Os로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물이 Nb을 포함하는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물이 Ti을 포함하는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물이 Ta을 포함하는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 TaBrw, TaClx, 및 TaIz(여기서, w, x, y, 및 z는 1 내지 5의 정수임)로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 금속 할로겐화물은 TaCl5인 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 금속 카바이드는 탄탈륨 카바이드인 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 금속 카바이드가 1 Å 내지 1000 Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 원자층 증착 방법이 2 Torr 내지 5 Torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 원자층 증착 방법이 350 ℃ 내지 400 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 열적 원자층 증착 방법. - 삭제
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| JP6039996B2 (ja)* | 2011-12-09 | 2016-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
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| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
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| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US11421321B2 (en) | 2015-07-28 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatuses for thin film deposition |
| US10204790B2 (en) | 2015-07-28 | 2019-02-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for thin film deposition |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9941425B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-10 | Asm Ip Holdings B.V. | Photoactive devices and materials |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| KR101818610B1 (ko)* | 2015-11-12 | 2018-01-16 | 성균관대학교산학협력단 | 탄소, 산소, 및 금속을 포함하는 금속탄화산화물 박막 및 그의 제조방법 |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102378021B1 (ko) | 2016-05-06 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 박막의 형성 |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US20180094352A1 (en)* | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Uchicago Argonne, Llc | Systems and methods for metal layer adhesion |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| JP7208891B2 (ja)* | 2017-04-28 | 2023-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN114875388A (zh) | 2017-05-05 | 2022-08-09 | Asm Ip 控股有限公司 | 用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法 |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| KR102332003B1 (ko)* | 2017-06-12 | 2021-12-01 | 가부시키가이샤 알박 | 박막 형성 방법 |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
| TWI761636B (zh) | 2017-12-04 | 2022-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 電漿增強型原子層沉積製程及沉積碳氧化矽薄膜的方法 |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102550652B1 (ko)* | 2018-04-02 | 2023-07-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7515402B2 (ja)* | 2018-04-19 | 2024-07-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 気相堆積によるｐ－金属仕事関数膜の仕事関数の調整 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR20190129718A (ko)* | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| TWI873894B (zh) | 2018-06-27 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| KR102854019B1 (ko) | 2018-06-27 | 2025-09-02 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TWI874340B (zh) | 2018-12-14 | 2025-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| US12359315B2 (en) | 2019-02-14 | 2025-07-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxides and nitrides |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
| TWI873122B (zh) | 2019-02-20 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
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| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| US20200362458A1 (en)* | 2019-05-14 | 2020-11-19 | Applied Materials, Inc. | Deposition of rhenium-containing thin films |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
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| TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| CN112342526A (zh) | 2019-08-09 | 2021-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
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| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
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| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| JP7730637B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-08-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| US12142479B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-11-12 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US12341005B2 (en) | 2020-01-17 | 2025-06-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiCN thin films |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TW202513845A (zh) | 2020-02-03 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置結構及其形成方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TW202146691A (zh) | 2020-02-13 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法 |
| KR20210103956A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| TWI855223B (zh) | 2020-02-17 | 2024-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法 |
| US11380697B2 (en) | 2020-02-25 | 2022-07-05 | Tokyo Electron Limited | Raised pad formations for contacts in three-dimensional structures on microelectronic workpieces |
| CN113410160A (zh) | 2020-02-28 | 2021-09-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 专用于零件清洁的系统 |
| KR20210113043A (ko) | 2020-03-04 | 2021-09-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210130646A (ko) | 2020-04-21 | 2021-11-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 방법 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210132612A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| TWI873343B (zh) | 2020-05-22 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| TW202208659A (zh) | 2020-06-16 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積含硼之矽鍺層的方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220021863A (ko) | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TW202228863A (zh) | 2020-08-25 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| TW202217045A (zh) | 2020-09-10 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202232565A (zh) | 2020-10-15 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置 |
| TWI889919B (zh) | 2020-10-21 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於可流動間隙填充之方法及裝置 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202248447A (zh)* | 2021-03-08 | 2022-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成包含有鋁、鈦、與碳之層的方法及系統 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| US12295163B2 (en) | 2021-12-16 | 2025-05-06 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of gate stacks comprising a threshold voltage tuning layer |
| KR102849157B1 (ko)* | 2023-10-05 | 2025-08-21 | 한양대학교 산학협력단 | 수직형 cmos 인버터 및 그 제조 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003512527A (ja)* | 1999-10-15 | 2003-04-02 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 遷移金属炭化物の堆積 |
| US20040208994A1 (en)* | 2003-02-06 | 2004-10-21 | Planar Systems, Inc. | Deposition of carbon-and transition metal-containing thin films |
| JP2005277426A (ja)* | 2000-06-08 | 2005-10-06 | Genitech Inc | 薄膜形成方法 |
| US20070218670A1 (en)* | 2006-03-20 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Method of plasma enhanced atomic layer deposition of TaC and TaCN films having good adhesion to copper |
Family Cites Families (182)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI117944B (fi) | 1999-10-15 | 2007-04-30 | Asm Int | Menetelmä siirtymämetallinitridiohutkalvojen kasvattamiseksi |
| FI119941B (fi)* | 1999-10-15 | 2009-05-15 | Asm Int | Menetelmä nanolaminaattien valmistamiseksi |
| US3708728A (en)* | 1971-06-10 | 1973-01-02 | Int Standard Electric Corp | Electrolytic capacitor electrode comprising semiconductor core with film-forming metal coating |
| US4085430A (en)* | 1974-01-24 | 1978-04-18 | U.S. Philips Corporation | Thin film magnetic head with a gap formed between a loop shaped core part and a bridging core part |
| SE393967B (sv) | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| US4282267A (en)* | 1979-09-20 | 1981-08-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for generating plasmas |
| US4389973A (en)* | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
| JPS5833841A (ja) | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| DE3463641D1 (en)* | 1983-11-11 | 1987-06-19 | Japan Res Dev Corp | Boron nitride containing titanium nitride, method of producing the same and composite ceramics produced therefrom |
| US5693139A (en) | 1984-07-26 | 1997-12-02 | Research Development Corporation Of Japan | Growth of doped semiconductor monolayers |
| GB8516537D0 (en)* | 1985-06-29 | 1985-07-31 | Standard Telephones Cables Ltd | Pulsed plasma apparatus |
| US5769950A (en)* | 1985-07-23 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming deposited film |
| US4761269A (en)* | 1986-06-12 | 1988-08-02 | Crystal Specialties, Inc. | Apparatus for depositing material on a substrate |
| US4747367A (en)* | 1986-06-12 | 1988-05-31 | Crystal Specialties, Inc. | Method and apparatus for producing a constant flow, constant pressure chemical vapor deposition |
| US4767494A (en)* | 1986-07-04 | 1988-08-30 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Preparation process of compound semiconductor |
| US5221556A (en)* | 1987-06-24 | 1993-06-22 | Epsilon Technology, Inc. | Gas injectors for reaction chambers in CVD systems |
| US5166092A (en) | 1988-01-28 | 1992-11-24 | Fujitsu Limited | Method of growing compound semiconductor epitaxial layer by atomic layer epitaxy |
| US4851095A (en)* | 1988-02-08 | 1989-07-25 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Magnetron sputtering apparatus and process |
| US4981724A (en) | 1988-10-27 | 1991-01-01 | Hochberg Arthur K | Deposition of silicon oxide films using alkylsilane liquid sources |
| JPH0831454B2 (ja) | 1989-04-21 | 1996-03-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5549937A (en)* | 1989-10-11 | 1996-08-27 | U.S. Philips Corporation | Method of plasma-activated reactive deposition of electrically conducting multicomponent material from a gas phase |
| JP2822536B2 (ja) | 1990-02-14 | 1998-11-11 | 住友電気工業株式会社 | 立方晶窒化ホウ素薄膜の形成方法 |
| US5071670A (en) | 1990-06-11 | 1991-12-10 | Kelly Michael A | Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means |
| US5225366A (en)* | 1990-06-22 | 1993-07-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors |
| US5382333A (en)* | 1990-07-30 | 1995-01-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing copper clad laminate |
| US5356673A (en) | 1991-03-18 | 1994-10-18 | Jet Process Corporation | Evaporation system and method for gas jet deposition of thin film materials |
| US5316793A (en)* | 1992-07-27 | 1994-05-31 | Texas Instruments Incorporated | Directed effusive beam atomic layer epitaxy system and method |
| US5270247A (en) | 1991-07-12 | 1993-12-14 | Fujitsu Limited | Atomic layer epitaxy of compound semiconductor |
| US5242530A (en) | 1991-08-05 | 1993-09-07 | International Business Machines Corporation | Pulsed gas plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon |
| CA2059818C (en) | 1991-08-21 | 1995-01-03 | Gokichi Hatouchi | Apparatus for storing articles |
| JPH05335257A (ja) | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Showa Shell Sekiyu Kk | ｐ型シリコンカーバイドの形成方法 |
| US5342652A (en)* | 1992-06-15 | 1994-08-30 | Materials Research Corporation | Method of nucleating tungsten on titanium nitride by CVD without silane |
| JPH0637041A (ja) | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Hitachi Ltd | 配線部材の形成方法 |
| US5306666A (en)* | 1992-07-24 | 1994-04-26 | Nippon Steel Corporation | Process for forming a thin metal film by chemical vapor deposition |
| JPH0669157A (ja) | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Sony Corp | チタン膜の形成方法 |
| FR2695944B1 (fr)* | 1992-09-24 | 1994-11-18 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Appareil de dépôt chimique en phase vapeur activé par un plasma micro-ondes. |
| US5443647A (en)* | 1993-04-28 | 1995-08-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method and apparatus for depositing a refractory thin film by chemical vapor deposition |
| US5438028A (en)* | 1993-10-15 | 1995-08-01 | Texaco Inc. | Method of enhancing finished catalysts |
| JP3356531B2 (ja) | 1994-02-15 | 2002-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ボロン含有ポリシリコン膜の形成方法 |
| US6200389B1 (en)* | 1994-07-18 | 2001-03-13 | Silicon Valley Group Thermal Systems Llc | Single body injector and deposition chamber |
| FI97731C (fi)* | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| FI97730C (fi)* | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
| FI100409B (fi)* | 1994-11-28 | 1997-11-28 | Asm Int | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
| JPH09509288A (ja) | 1994-11-30 | 1997-09-16 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | シリコン含有ソースガスを用いる窒化タングステン付着方法 |
| US5780164A (en) | 1994-12-12 | 1998-07-14 | The Dow Chemical Company | Computer disk substrate, the process for making same, and the material made therefrom |
| WO1996018756A1 (en) | 1994-12-16 | 1996-06-20 | Nkt Research Center A/S | A PA-CVD PROCESS FOR DEPOSITION OF A SOLID METAL-CONTAINING FILM ONTO A SUBSTRATE CONTAINING AT LEAST 50 % of Fe or WC |
| EP0800592B1 (de) | 1994-12-27 | 1998-08-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen von mit bor dotiertem, einkristallinem siliciumcarbid |
| US6006763A (en) | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
| JPH08264530A (ja) | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| DE19514081A1 (de) | 1995-04-13 | 1996-10-17 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts auf einer SiC-Oberfläche |
| US5744254A (en)* | 1995-05-24 | 1998-04-28 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Composite materials including metallic matrix composite reinforcements |
| US5595784A (en)* | 1995-08-01 | 1997-01-21 | Kaim; Robert | Titanium nitride and multilayers formed by chemical vapor deposition of titanium halides |
| JPH0987857A (ja) | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Res Dev Corp Of Japan | プラズマｃｖｄによる炭化物コーティング方法 |
| TW328971B (en) | 1995-10-30 | 1998-04-01 | Dow Corning | Method for depositing Si-O containing coatings |
| KR0155918B1 (ko)* | 1995-11-03 | 1998-12-01 | 김광호 | 선택적 텅스텐질화박막을 이용한 반도체장치의 캐패시터 형성방법 |
| US6509098B1 (en) | 1995-11-17 | 2003-01-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Poly(ethylene oxide) coated surfaces |
| US5672054A (en)* | 1995-12-07 | 1997-09-30 | Carrier Corporation | Rotary compressor with reduced lubrication sensitivity |
| US5946594A (en) | 1996-01-02 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition of titanium from titanium tetrachloride and hydrocarbon reactants |
| US5965004A (en) | 1996-03-13 | 1999-10-12 | Sterling Pulp Chemicals, Ltd. | Chlorine dioxide generation for water treatment |
| CA2172870A1 (en) | 1996-03-28 | 1997-09-29 | Michael Lambert | Connectors for a modular building set |
| US5789024A (en)* | 1996-05-15 | 1998-08-04 | New Jersey Institute Of Technology | Subnanoscale composite, N2-permselective membrane for the separation of volatile organic compounds |
| US6342277B1 (en) | 1996-08-16 | 2002-01-29 | Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. | Sequential chemical vapor deposition |
| US5915004A (en)* | 1996-07-11 | 1999-06-22 | Microsoft Corporation | Moving a messaging system mailbox |
| US5916365A (en)* | 1996-08-16 | 1999-06-29 | Sherman; Arthur | Sequential chemical vapor deposition |
| FI100758B (fi) | 1996-09-11 | 1998-02-13 | Planar Internat Oy Ltd | Menetelmä ZnS:Mn-loisteainekerroksen kasvattamiseksi ohutkalvoelektrol uminenssikomponentteja varten |
| JP3353874B2 (ja) | 1996-09-24 | 2002-12-03 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP0841690B1 (en)* | 1996-11-12 | 2006-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tungsten nitride (WNx) layer manufacturing method and metal wiring manufacturing method |
| TW320752B (en)* | 1996-11-18 | 1997-11-21 | United Microelectronics Corp | Metal gate electrode process |
| US6174377B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-01-16 | Genus, Inc. | Processing chamber for atomic layer deposition processes |
| US6156382A (en) | 1997-05-16 | 2000-12-05 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition process for depositing tungsten |
| US6287965B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co, Ltd. | Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor |
| KR100269306B1 (ko) | 1997-07-31 | 2000-10-16 | 윤종용 | 저온처리로안정화되는금속산화막으로구성된완충막을구비하는집적회로장치및그제조방법 |
| KR100261017B1 (ko) | 1997-08-19 | 2000-08-01 | 윤종용 | 반도체 장치의 금속 배선층을 형성하는 방법 |
| US5913145A (en) | 1997-08-28 | 1999-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Method for fabricating thermally stable contacts with a diffusion barrier formed at high temperatures |
| US6348376B2 (en) | 1997-09-29 | 2002-02-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming metal nitride film by chemical vapor deposition and method of forming metal contact and capacitor of semiconductor device using the same |
| KR100274603B1 (ko) | 1997-10-01 | 2001-01-15 | 윤종용 | 반도체장치의제조방법및그의제조장치 |
| US5972430A (en) | 1997-11-26 | 1999-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Digital chemical vapor deposition (CVD) method for forming a multi-component oxide layer |
| US6099904A (en)* | 1997-12-02 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Low resistivity W using B2 H6 nucleation step |
| FI104383B (fi)* | 1997-12-09 | 2000-01-14 | Fortum Oil & Gas Oy | Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi |
| US6104074A (en)* | 1997-12-11 | 2000-08-15 | Apa Optics, Inc. | Schottky barrier detectors for visible-blind ultraviolet detection |
| KR100269328B1 (ko)* | 1997-12-31 | 2000-10-16 | 윤종용 | 원자층 증착 공정을 이용하는 도전층 형성방법 |
| US6015917A (en) | 1998-01-23 | 2000-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate |
| KR100287174B1 (ko) | 1998-03-17 | 2001-04-16 | 윤종용 | 다원자계산화물 및 질화물의박막제조방법 |
| US6380627B1 (en) | 1998-06-26 | 2002-04-30 | The Regents Of The University Of California | Low resistance barrier layer for isolating, adhering, and passivating copper metal in semiconductor fabrication |
| DE19832245A1 (de) | 1998-07-17 | 2000-01-20 | Heidelberger Druckmasch Ag | Verfahren zum Bedienen von Geräten in der Reproduktionstechnik |
| JP2960928B1 (ja)* | 1998-07-24 | 1999-10-12 | スタンレー電気株式会社 | 車両用信号灯具 |
| KR100275738B1 (ko)* | 1998-08-07 | 2000-12-15 | 윤종용 | 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법 |
| US6188134B1 (en)* | 1998-08-20 | 2001-02-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electronic devices with rubidium barrier film and process for making same |
| JP3142821B2 (ja)* | 1998-08-27 | 2001-03-07 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 情報通信ネットワークの課金方法 |
| TR200102340T2 (tr) | 1999-02-11 | 2002-01-21 | Hardide Limited | Tungstenli karbür kaplamalar ve bunların üretimine yönelik prosesler. |
| DE10080457T1 (de) | 1999-02-12 | 2001-04-26 | Gelest Inc | CVD-Abscheidung von Wolframnitrid |
| US6200893B1 (en) | 1999-03-11 | 2001-03-13 | Genus, Inc | Radical-assisted sequential CVD |
| KR20000060438A (ko) | 1999-03-16 | 2000-10-16 | 이경수 | 산화알루미늄 막의 형성 방법 |
| KR100273473B1 (ko) | 1999-04-06 | 2000-11-15 | 이경수 | 박막 형성 방법 |
| US6124158A (en) | 1999-06-08 | 2000-09-26 | Lucent Technologies Inc. | Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants |
| US6613383B1 (en) | 1999-06-21 | 2003-09-02 | Regents Of The University Of Colorado | Atomic layer controlled deposition on particle surfaces |
| US6391785B1 (en)* | 1999-08-24 | 2002-05-21 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes |
| US6511539B1 (en)* | 1999-09-08 | 2003-01-28 | Asm America, Inc. | Apparatus and method for growth of a thin film |
| US6576053B1 (en)* | 1999-10-06 | 2003-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming thin film using atomic layer deposition method |
| FI117942B (fi) | 1999-10-14 | 2007-04-30 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen kasvattamiseksi |
| WO2001029893A1 (en) | 1999-10-15 | 2001-04-26 | Asm America, Inc. | Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces |
| KR100737901B1 (ko) | 1999-10-15 | 2007-07-10 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. | 민감한 표면에 나노적층박막을 증착하는 방법 |
| KR100795534B1 (ko) | 1999-10-15 | 2008-01-16 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. | 상감법 금속화를 위한 균일한 라이닝층 |
| US6727169B1 (en)* | 1999-10-15 | 2004-04-27 | Asm International, N.V. | Method of making conformal lining layers for damascene metallization |
| US6203613B1 (en)* | 1999-10-19 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Atomic layer deposition with nitrate containing precursors |
| US6780704B1 (en) | 1999-12-03 | 2004-08-24 | Asm International Nv | Conformal thin films over textured capacitor electrodes |
| FI20000099A0 (fi)* | 2000-01-18 | 2000-01-18 | Asm Microchemistry Ltd | Menetelmä metalliohutkalvojen kasvattamiseksi |
| KR20010075977A (ko) | 2000-01-21 | 2001-08-11 | 윤덕용 | 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 13 족 질화물 박막의제조방법 |
| US6137706A (en) | 2000-02-19 | 2000-10-24 | Pulizzi Engineering Inc | Dual-input, automatic-switching power supply |
| JP5016767B2 (ja)* | 2000-03-07 | 2012-09-05 | エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | 傾斜薄膜の形成方法 |
| KR20010088044A (ko) | 2000-03-10 | 2001-09-26 | 윤종용 | 위성 이동통신단말기의 안테나 장치 |
| WO2001078123A1 (en) | 2000-04-11 | 2001-10-18 | Genitech Co., Ltd. | Method of forming metal interconnects |
| DE10018156A1 (de) | 2000-04-12 | 2001-10-25 | Bosch Gmbh Robert | Elektromotor |
| US6482733B2 (en) | 2000-05-15 | 2002-11-19 | Asm Microchemistry Oy | Protective layers prior to alternating layer deposition |
| JP5173101B2 (ja)* | 2000-05-15 | 2013-03-27 | エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | 集積回路の製造方法 |
| US6194310B1 (en)* | 2000-06-01 | 2001-02-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming amorphous conducting diffusion barriers |
| US20040224504A1 (en) | 2000-06-23 | 2004-11-11 | Gadgil Prasad N. | Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7405158B2 (en)* | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US6355561B1 (en)* | 2000-11-21 | 2002-03-12 | Micron Technology, Inc. | ALD method to improve surface coverage |
| US20020104481A1 (en)* | 2000-12-06 | 2002-08-08 | Chiang Tony P. | System and method for modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
| KR100386034B1 (ko)* | 2000-12-06 | 2003-06-02 | 에이에스엠 마이크로케미스트리 리미티드 | 확산 방지막의 결정립계를 금속산화물로 충진한 구리 배선구조의 반도체 소자 제조 방법 |
| US6464779B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-10-15 | Novellus Systems, Inc. | Copper atomic layer chemical vapor desposition |
| FI109770B (fi)* | 2001-03-16 | 2002-10-15 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmä metallinitridiohutkalvojen valmistamiseksi |
| KR100532081B1 (ko) | 2001-05-14 | 2005-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시소자의 인듐 틴 옥사이드 재생방법 |
| KR100404342B1 (ko) | 2001-07-10 | 2003-11-03 | 주식회사 아펙스 | 자외선 조사장치 |
| US7211144B2 (en)* | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US20040206008A1 (en) | 2001-07-16 | 2004-10-21 | Chien-Min Sung | SiCN compositions and methods |
| US7098131B2 (en) | 2001-07-19 | 2006-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for forming atomic layers and thin films including tantalum nitride and devices including the same |
| ES2217229T3 (es) | 2001-08-06 | 2004-11-01 | Degussa Ag | Compuestos de organosilicio. |
| JP4666912B2 (ja) | 2001-08-06 | 2011-04-06 | エー・エス・エムジニテックコリア株式会社 | プラズマで補強した原子層蒸着装置及びこれを利用した薄膜形成方法 |
| DE10140256B4 (de) | 2001-08-07 | 2012-09-06 | Bos Gmbh & Co. Kg | Schutzvorrichtung für einen Laderaum eines Fahrzeugs |
| JP4938962B2 (ja)* | 2001-09-14 | 2012-05-23 | エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | ゲッタリング反応物を用いるａｌｄによる金属窒化物堆積 |
| US20030049931A1 (en)* | 2001-09-19 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Formation of refractory metal nitrides using chemisorption techniques |
| US6960537B2 (en)* | 2001-10-02 | 2005-11-01 | Asm America, Inc. | Incorporation of nitrogen into high k dielectric film |
| TW589684B (en)* | 2001-10-10 | 2004-06-01 | Applied Materials Inc | Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques |
| KR100405259B1 (ko) | 2001-10-19 | 2003-11-12 | 홍영기 | 소방용 관창의 멜빵 |
| KR100441568B1 (ko) | 2001-11-16 | 2004-07-23 | 한스타 디스플레이 코퍼레이션 | 열소산 구조물 |
| US6809026B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of a barrier layer on a metal film |
| US20030123216A1 (en)* | 2001-12-27 | 2003-07-03 | Yoon Hyungsuk A. | Deposition of tungsten for the formation of conformal tungsten silicide |
| US6827978B2 (en)* | 2002-02-11 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten films |
| US20030157760A1 (en)* | 2002-02-20 | 2003-08-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten films for dynamic random access memory (DRAM) applications |
| US6833161B2 (en)* | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US6972267B2 (en)* | 2002-03-04 | 2005-12-06 | Applied Materials, Inc. | Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor |
| US20030194825A1 (en) | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Kam Law | Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US20030203616A1 (en) | 2002-04-24 | 2003-10-30 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten barrier layers using tungsten carbonyls and boranes for copper metallization |
| US20040129212A1 (en) | 2002-05-20 | 2004-07-08 | Gadgil Pradad N. | Apparatus and method for delivery of reactive chemical precursors to the surface to be treated |
| KR100505043B1 (ko) | 2002-05-25 | 2005-07-29 | 삼성전자주식회사 | 커패시터 형성 방법 |
| KR20030093575A (ko) | 2002-06-03 | 2003-12-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고선택성 질화막을 이용한 캐패시터 제조방법 |
| US7041335B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Titanium tantalum nitride silicide layer |
| US6838125B2 (en)* | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
| US7144806B1 (en) | 2002-10-23 | 2006-12-05 | Novellus Systems, Inc. | ALD of tantalum using a hydride reducing agent |
| US7045406B2 (en)* | 2002-12-03 | 2006-05-16 | Asm International, N.V. | Method of forming an electrode with adjusted work function |
| US7211508B2 (en)* | 2003-06-18 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials |
| US20050064247A1 (en)* | 2003-06-25 | 2005-03-24 | Ajit Sane | Composite refractory metal carbide coating on a substrate and method for making thereof |
| US7030430B2 (en)* | 2003-08-15 | 2006-04-18 | Intel Corporation | Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys |
| US20050095763A1 (en)* | 2003-10-29 | 2005-05-05 | Samavedam Srikanth B. | Method of forming an NMOS transistor and structure thereof |
| US7186446B2 (en)* | 2003-10-31 | 2007-03-06 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced ALD of tantalum nitride and bilayer |
| US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US7211507B2 (en)* | 2004-06-02 | 2007-05-01 | International Business Machines Corporation | PE-ALD of TaN diffusion barrier region on low-k materials |
| JP2006079159A (ja)* | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Masui Yoshiharu | 防犯装置 |
| KR100552820B1 (ko)* | 2004-09-17 | 2006-02-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR100714269B1 (ko)* | 2004-10-14 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 사용되는 금속층 형성방법 |
| KR100773755B1 (ko)* | 2004-11-18 | 2007-11-09 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법 |
| US7846499B2 (en)* | 2004-12-30 | 2010-12-07 | Asm International N.V. | Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor |
| KR100640550B1 (ko) | 2005-01-26 | 2006-10-31 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법 |
| US20060240187A1 (en) | 2005-01-27 | 2006-10-26 | Applied Materials, Inc. | Deposition of an intermediate catalytic layer on a barrier layer for copper metallization |
| US7438949B2 (en)* | 2005-01-27 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium containing layer deposition method |
| JP4931171B2 (ja) | 2005-03-03 | 2012-05-16 | 株式会社アルバック | タンタル窒化物膜の形成方法 |
| US8486845B2 (en) | 2005-03-21 | 2013-07-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| US7220671B2 (en)* | 2005-03-31 | 2007-05-22 | Intel Corporation | Organometallic precursors for the chemical phase deposition of metal films in interconnect applications |
| US7459392B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-12-02 | Intel Corporation | Noble metal barrier and seed layer for semiconductors |
| US7927948B2 (en)* | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| US7547796B2 (en)* | 2005-09-29 | 2009-06-16 | Praxair Technology, Inc. | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
| US8993055B2 (en)* | 2005-10-27 | 2015-03-31 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| JP4838766B2 (ja)* | 2006-10-20 | 2011-12-14 | 古河機械金属株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体基板 |
| US8268409B2 (en)* | 2006-10-25 | 2012-09-18 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition of metal carbide films |
| US8795771B2 (en) | 2006-10-27 | 2014-08-05 | Sean T. Barry | ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds |
| US7611751B2 (en)* | 2006-11-01 | 2009-11-03 | Asm America, Inc. | Vapor deposition of metal carbide films |
| US7598170B2 (en)* | 2007-01-26 | 2009-10-06 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films |
| US7713874B2 (en) | 2007-05-02 | 2010-05-11 | Asm America, Inc. | Periodic plasma annealing in an ALD-type process |
| US7666474B2 (en)* | 2008-05-07 | 2010-02-23 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced pulsed deposition of metal carbide films |
- 2009
- 2009-04-15KRKR1020107023348Apatent/KR101540077B1/koactiveActive
- 2009-04-15USUS12/424,470patent/US20090315093A1/ennot_activeAbandoned
- 2009-04-15WOPCT/US2009/040705patent/WO2009129332A2/enactiveApplication Filing
- 2009-04-15JPJP2011505180Apatent/JP5551681B2/jaactiveActive
- 2009-04-16TWTW098112674Apatent/TWI488990B/zhactive
- 2013
- 2013-11-01USUS14/069,681patent/US9631272B2/enactiveActive
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003512527A (ja)* | 1999-10-15 | 2003-04-02 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 遷移金属炭化物の堆積 |
| JP2005277426A (ja)* | 2000-06-08 | 2005-10-06 | Genitech Inc | 薄膜形成方法 |
| US20040208994A1 (en)* | 2003-02-06 | 2004-10-21 | Planar Systems, Inc. | Deposition of carbon-and transition metal-containing thin films |
| US20070218670A1 (en)* | 2006-03-20 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Method of plasma enhanced atomic layer deposition of TaC and TaCN films having good adhesion to copper |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140127405A1 (en) | 2014-05-08 |
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| US9631272B2 (en) | 2017-04-25 |
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