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KR101055862B1 - 인라인 열처리 장치 - Google Patents

인라인 열처리 장치
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Abstract

열처리를 위해 기판을 챔버로 로딩 및 언로딩하는 구동 롤러의 회전축에 히터를 설치하여 기판에 대한 균일한 열처리를 수행할 수 있고 챔버 내부의 공간 활용도를 높일 수 있는 인라인 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는, 기판을 연속적으로 열처리할 수 있는 인라인 열처리 장치로서, 기판에 대한 열처리 공간을 제공하며 전후에 개구가 대향하여 형성되어 있는 챔버(110); 기판을 지지하면서 이동시키는 구동 롤러(122)와 구동 롤러(122)를 관통하는 중공 형태의 회전축(124)을 포함하는 구동 롤러 유닛(120); 및 회전축(124)의 내측에 배치되는 히터(130)를 포함하고, 구동 롤러 유닛(120)은 기판의 이동 방향을 따라 복수개로 설치되어 챔버(110)로 기판을 로딩 및 챔버(110)로부터 기판을 언로딩하며, 히터(130)의 양단은 챔버(110)의 외벽에 고정되어 회전축(124)의 동작과 연동되지 않는 것을 특징으로 한다.
인라인 열처리 장치, 챔버, 히터, 구동 롤러, 회전축

Description

인라인 열처리 장치{In Line Type Heat Treatment Apparatus}
본 발명은 기판에 대한 인라인 열처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 열처리를 위해 기판을 챔버로 로딩 및 언로딩하는 구동 롤러의 회전축 내부에 히터를 설치하여 기판에 대한 균일한 열처리를 수행할 수 있고 챔버 내부의 공간 활용도를 높일 수 있는 인라인 열처리 장치에 관한 것이다.
기판을 사용하여 LCD(Liquid crystal display), PDP(Plasma display panel) 및 EL(Electro luminescent) 등 평면 디스플레이를 제작하는 경우, 기판에 대하여 열처리 공정을 수행한다.
이를 위하여 종래에는 기판의 열처리를 위해 엔드 이펙터와 같은 이송 기구를 사용하여 챔버에 기판을 로딩한 후 열처리를 수행하였다. 그러나, 근래에 기판이 점차 대면적화 되고 있어 엔드 이펙터를 이용한 기판의 로딩 작업시 기판이 변형되거나 손상을 입는 등의 문제점이 대두되었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 복수개의 구동 롤러를 챔버의 전후에 연속적으로 배치하고, 기판은 구동 롤러에 의해 챔버로 로딩되어 열처리 되도록 하며, 열처리가 종료되면 구동 롤러에 의해 언로딩되는 인라인(in-line) 방식의 열처리 장치가 개시되었다.
하지만 인라인 열처리 장치는 챔버의 내측에 구동 롤러와 구동 롤러의 동작을 위한 기기들이 설치될 뿐만 아니라 히터와 히터의 동작을 위한 기기들이 설치되므로 챔버의 공간이 협소해지는 문제점이 있었다.
챔버의 공간 확보를 위해서 챔버의 크기를 증대시키면 챔버의 제작비가 상승되는 문제점이 있었다.
또한, 대면적인 기판에 대한 균일한 열처리를 위해 챔버 내부에 히터를 균일하게 설치할 필요가 있으나, 챔버의 내부 공간이 협소해지는 문제가 있어 히터의 설치가 어려운 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 대면적 기판을 챔버로 로딩 및 언로딩하는 구동 롤러의 회전축에 히터를 설치하여 기판에 대한 효율적인 열처리를 수행할 수 있는 인라인 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 기판을 챔버로 로딩 및 언로딩하는 구동 롤러의 회전축에 히터를 설치함으로써 챔버 내부의 공간 활용도를 높일 수 있는 인라인 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는, 기판을 연속적으로 열처리할 수 있는 인라인 열처리 장치로서, 상기 기판에 대한 열처리 공간을 제공하며 전후에 개구가 대향하여 형성되어 있는 챔버; 상기 기판을 지지하면서 이동시키는 구동 롤러와 상기 구동 롤러를 관통하는 중공 형태의 회전축을 포함하는 구동 롤러 유닛; 및 상기 회전축의 내측에 배치되는 히터 를 포함하고, 상기 구동 롤러 유닛은 상기 기판의 이동 방향을 따라 복수개로 설치되어 상기 챔버로 상기 기판을 로딩 및 상기 챔버로부터 상기 기판을 언로딩하며, 상기 히터의 양단은 상기 챔버의 외벽에 고정되어 상기 회전축의 동작과 연동되지 않는 것을 특징으로 한다.
상기 구동 롤러 유닛은 상기 기판의 로딩 및 언로딩 방향에 대하여 직교하여 설치될 수 있다.
상기 복수개의 구동 롤러 유닛은 서로 연동할 수 있다.
상기 회전축의 일단에는 외부의 구동력을 공급받기 위한 구동 풀리가 연결될 수 있다.
상기 히터의 양단에는 외부의 전원을 공급받기 위한 단자가 설치될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 챔버의 내측에 배치되어 기판을 로딩 및 언로딩하는 구동 롤러의 회전축에 히터가 설치되어 있어 회전축에서 설치된 히터에서 기판에 대하여 균일한 열 공급이 가능하므로 효율적인 열처리가 이루어지는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 대면적 기판을 챔버로 로딩 및 언로딩하는 구동 롤러의 회전축 내부에 히터를 설치함으로써 챔버 내부의 기기 설치 공간을 감소시켜 챔버의 내부 공간 활용도를 향상시킬 수 있는 인라인 열처리 장치를 제공하는 데 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치(100)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치(100)의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 A 부분의 상세도면이다.
도 4는 도 3에서 회전축(124), 구동 풀리(126) 및 히터(130)의 연결 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 3의 B-B 선의 선단면도이다.
도 6은 도 1의 C-C 선의 선단면도이다.
도 7은 도 6의 D 부분의 상세도면으로서 히터(130)의 일 예를 나타낸다.
도 8은 도 6의 D 부분의 상세도면으로서 히터(130)의 다른 예를 나타낸다.
본 발명에 의한 인라인 열처리 장치는 내부에 열처리 공간이 제공되는 챔버, 기판을 가열하기 위한 히터 및 열처리 공정 분위기 조절을 위한 분위기 가스의 공급과 배기를 위한 가스 공급관 및 가스 배기관을 포함하여 구성될 수 있다. 이와 같은 인라인 열처리 장치의 일반적인 구성과 이를 이용한 열처리 공정은 이 분야에서는 널리 알려져 있는 공지 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1과 도 2를 참조하면, 도시한 바와 같이, 인라인 열처리 장치(100)는 챔버(110), 구동 롤러 유닛(120) 및 히터(130)를 포함하여 구성될 수 있다.
먼저, 인라인 열처리 장치(100)에 로딩되는 기판의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질의 기판이 로딩될 수 있다. 이하에서는 LCD나 OLED와 같은 평판 디스플레이나 박막형 실리콘 태양전지 분야에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판을 상정하여 설명한다.
인라인 열처리 장치(100)는 기판에 대한 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(110)와 챔버(110)를 지지하는 프레임(미도시)을 포함하여 구성된다.
제1 개구(112)가 챔버(110)의 전면으로 형성된다. 제1 개구(112)로는 기판이 로딩될 수 있다. 제1 개구(112)에는 상하 방향으로 개폐되는 도어가 설치될 수 있다.
제2 개구(114)는 제1 개구(112)의 반대측 즉, 챔버(110)의 후면으로 형성된다. 제2 개구(114)로는 열처리된 기판이 언로딩 될 수 있다. 제2 개구(114)에는 상하 방향으로 개폐되는 도어가 설치될 수 있다.
제3 개구(116)는 챔버(110)의 상부에 형성된다. 제3 개구(116)로는 챔버(110)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트, 가스 공급관 및 가스 배기관 등의 수리 및 교체가 이루어 질 수 있다. 제3 개구(116)에는 개폐 가능한 커버가 설치될 수 있다.
구동 롤러 유닛(120)은 제1 개구(112)를 통해 로딩된 기판을 이동시킬 수 있고, 기판에 대한 열처리 도중 기판을 지지할 수 있으며, 열처리가 종료된 기판을 언로딩하기 위해 제2 개구(144)로 이동시킬 수 있다. 구동 롤러 유닛(120)은 챔버(110)의 내부에 기판의 이동 방향을 따라 복수개로 설치된다. 복수개의 구동 롤러 유닛(120)은 기판의 로딩 및 언로딩 방향에 대하여 직교하는 방향으로 설치되어 있고, 서로 연동함으로써 기판이 제1 및 제2 개구(112, 114)를 통하여 용이하게 로딩 및 언로딩 되도록 한다.
그리고, 구동 롤러 유닛(120)은 챔버(110) 내부에 동일한 높이로 설치됨으로써 로딩된 기판을 안정적으로 지지할 수 있다.
도시되어 있지는 않으나 구동 롤러 유닛은 챔버(110)의 전방과 후방 즉, 제1 개구(112)와 제2 개구(114) 외측에 각각 복수개로 설치되어 챔버(110)로의 기판의 로딩과 언로딩을 용이하게 할 수 있다. 챔버(110)의 전방과 후방에 설치되는 구동 롤러 유닛은 챔버(110)의 내측으로 설치되는 구동 롤러 유닛(120)과 연동하는 것이 바람직하다.
구동 롤러 유닛(120)은 구동 롤러(122), 회전축(124)을 포함하여 구성될 수 있다.
구동 롤러(122)는 기판의 하면과 접촉하며 기판을 이동 및 지지할 수 있다. 구동 롤러(122)는 후술하는 회전축(124)이 중심축에 연결된다. 기판의 이동 및 지지를 안정적으로 하기 위해 각각의 구동 롤러 유닛(120)은 복수개의 구동 롤러(122)를 포함한다. 구동 롤러(122)의 개수는 로딩되는 기판의 안정적인 이동과 지지를 할 수 있는 범위에서 결정된다.
복수개의 구동 롤러(122)는 설치 위치에 따라 다른 폭으로 형성될 수 있으나, 직경은 모두 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 도 7과 도 8을 참조하면 복수개의 구동 롤러(122) 중 양측 외곽에 배치되는 구동 롤러(122)에는 기판이 정규 위치에서 이탈하는 것을 방지하기 위한 이탈 방지턱(122a)이 외주면 일측에 형성된다.
회전축(124)은 후술하는 모터(140)의 구동력을 전달받아 구동 롤러(122)를 회전시킨다. 회전축(124)은 중심축을 따라 내측으로 공간이 형성되어 있는 중공 형태로 형성된다. 회전축(124)은 구동 롤러(122)의 중심축을 관통하여 연결된다.
회전축(124)의 양단은 플랜지와 같은 기구를 이용하여 챔버(110)의 양측 벽에 회전 가능하게 설치된다.
그리고, 도 3과 도 4를 참조하면, 회전축(124)의 일단은 챔버(110)의 일측 벽을 통해 챔버(110)의 외부로 길게 연장되며, 연장 부위에는 외부에서 구동력을 전달받을 수 있도록 구동 풀리(126)가 설치된다. 구동 풀리(126)는 벨트(128)에 의해 후술하는 모터(140)의 구동력을 전달받고 그 구동력을 회전축(124)으로 전달한다.
도 4와 도 5를 참조하면, 회전축(124)의 일단에 설치되는 구동 풀리(126)는 한 쌍의 풀리로 구성되어 있다. 한 쌍의 풀리 중 하나의 풀리는 모터(150)의 구동력을 전달받아 회전축(124)을 동작시키기 위한 풀리이고, 다른 하나는 이웃하는 회전축으로 구동력을 전달하여 구동 롤러 유닛(120)이 연동할 수 있도록 하기 위한 풀리이다.
구동 풀리(126)는 외부의 구동력을 전달받아 회전축(124)을 회전시킬 수 있고, 다른 회전축과 연동할 수 있다면 도시한 바로 한정되지 않고 다른 방식으로도 구성될 수 있다.
텐션 풀리(154)는 벨트(128)와 밀착하며 벨트(128)의 텐션을 조절하여 구동력 전달이 용이하도록 한다. 텐션 풀리(154)는 구동 롤러 유닛(120)을 서로 연결하여 구동력을 전달하는 벨트(128)의 중간부에 밀착된다.
히터(130)는 외부에서 공급되는 전원에 의해 열을 발생시켜 기판으로 인가한다. 도 6을 참조하면, 히터(130)는 회전축(124)의 내측 공간에 배치되되, 히 터(130)의 길이는 회전축(124) 보다 길게 형성하여 히터(130)의 양단은 회전축(124)의 양단을 통해 챔버(110) 외부로 연장되도록 하고 연장된 히터(130)의 양단은 챔버(110)의 양측 외벽에 고정 브라켓(140)에 의해 고정된다. 이때 히터(130)와 고정 브라켓(140)의 연결을 견고히 하기 위해 고정 플랜지가 추가될 수 있다.
또한 히터(130) 양단의 연장된 부분에는 외부의 전원을 인가 받기 위한 단자(132)가 설치된다.
히터(130)은 양단은 고정 브라켓(140)에 의해 회전축(124)이 아닌 챔버(110)의 양측 외벽에 고정되므로 회전축(124)이 회전하여도 히터(130)는 회전하지 않는다.
고정 브라켓(140)은 금속 플레이트를 'ㄷ'형태로 절곡하여 형성될 수 있다. 고정 브라켓(140)의 양단을 챔버(110)의 외벽에 상하로 설치하면 고정 브라켓(140)의 양측은 벨트(128)가 통과할 수 있도록 개방된 상태가 된다. 고정 브라켓(140)의 개방된 양측을 통해 구동 롤러 유닛(120)이 서로 연결되어 구동 롤러 유닛(120)이 연동될 수 있다. 또한, 고정 브라켓(140)에서 모터(150)와 구동 풀리(126)를 연결하는 벨트(128)가 통과할 수 있도록 고정 브라켓(140)의 하부 측에는 벨트(128)가 통과하는 홀이 형성될 수 있다.
고정 브라켓(140)은 회전축(124)과 히터(130)가 연동하지 않도록 할 수 있다면 다른 형태로 형성될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에서 사용하는 히터(130)의 일 예가 도시되어 있 다.
도시되어 있는 히터(130)는 중심축상에 내부에 공간이 형성되어 있는 제1 관(130a)이 위치되고, 제2 관(130b)은 제1 관(130a)을 둘러싸는 형태로 배치되며, 제1 관(130a)의 외주면과 제2 관(130b)의 내주면은 소정 거리만큼 이격되어 있다. 이때, 제1 관(130a)의 내측 공간으로는 냉각용수 또는 냉각 가스가 흐를 수 있다. 제1 관(130a)과 제2 관(130b)의 이격 공간에는 제1 관(130a)을 감싸는 코일형 열선이 배치될 수 있다. 그리고, 제2 관(130b)의 외주면은 회전축(124)의 내주면과 소정 거리 이격되어 있다.
여기서, 열선의 재질은 니크롬을 포함할 수 있고, 제1 및 제2 관(130a, 130b)의 재질은 석영을 포함할 수 있다.
도시되어 있지는 않으나, 제1 관(130a)으로 냉각용수 또는 냉각 가스를 공급하여 흐르도록 하는 구성은 국내특허출원 2008-110813호 및 국내특허출원 2008-110814호에 기재되어 있는 구성을 사용할 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같이 구성되는 히터(130)는 열선에서 발열된 열이 구동 롤러(122)에 의해 지지되는 기판으로 인가되어 기판의 열처리를 진행할 수 있다. 또한, 열처리가 완료된 후에는 기판의 언로딩을 위해 제1 관(130a)의 내측으로 냉각용수 또는 냉각 가스가 흐르도록 하여 챔버 내부의 냉각이 빠르게 진행될 수 있다.
또한 도 8을 참조하면 본 발명에서 사용되는 히터(130)의 다른 예가 도시되어 있다.
도시되어 있는 히터(130)는 발열체(130c)와 전도체(130d)로 구성된다. 발열 체(130c)는 기판의 폭에 대응하는 길이로 형성되어 외부에서 공급되는 전원을 이용하여 열을 발생시킨 후 기판으로 인가하고, 전도체(130d)는 발열체(130c)의 양단에 연결되어 단자(132)를 통해 공급받은 외부의 전원을 발열체(130c)로 전달한다. 발열체(130c)의 재질은 니크롬 또는 칸탈(Kanthal)을 포함할 수 있고, 전도체(130d)의 재질은 SUS를 포함할 수 있다.
상기와 같이 구성된 히터(130)의 경우, 발열체(130c)는 기판에 대응하는 길이로 형성되어 있고, 전도체(130d)는 열 발생이 이루어지지 않으므로 히터(130)에서 발생된 열은 기판에 우선적으로 인가될 수 있다.
회전축(124)의 내부에 배치된 상태에서 열을 발생시켜 기판에 인가할 수 있다면, 히터는 다른 형태로 구성될 수 있다.
모터(140)는 구동 롤러 유닛(120)의 동작을 위한 구동력을 발생시키며, 챔버(110)의 외부 일측에 설치될 수 있다. 모터(140)의 회전축에는 모터 풀리(142)가 연결된다. 모터 풀리(142)는 구동 풀리(126)와 벨트로 연결되어, 모터(150)의 구동력을 회전축(124)으로 전달할 수 있다.
상기와 같이 구성된 인라인 열처리 장치(100)의 동작과 이에 의한 열처리 공정은 기존의 인라인 방식 열처리 장치와 동일한 방식으로 동작하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 발명에서는 히터(130)에서 발열된 열에 의해 기판에 대한 열처리가 진행될 때, 기판의 판면은 히터(130)와 평행하게 위치되므로 히터(130)에서 발생된 열은 기판 전체에 대하여 균일하게 인가되어 균일한 열처리가 이루어질 수 있다.
또한, 히터(130)는 회전축(124)의 내부에 배치되어 있으므로 챔버(110) 내부에서 히터(130)의 설치를 위한 공간이 감소될 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 A 부분의 상세도면이다.
도 4는 도 3에서 회전축, 구동 풀리 및 히터의 연결 상태를 나타내는 도면.
도 5는 도 3의 B-B 선의 선단면도이다.
도 6은 도 1의 C-C 선의 선단면도이다.
도 7은 도 6의 D 부분의 상세도면으로서 히터의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 6의 D 부분의 상세도면으로서 히터의 다른 예를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 인라인 열처리 장치
110: 챔버
112: 제1 개구
114: 제2 개구
116: 제3 개구
120: 구동 롤러 유닛
122: 구동 롤러
124: 회전축
126: 구동 풀리
128: 벨트
130: 히터
132: 단자
140: 고정 브라켓
150: 모터
152: 모터 풀리
154: 텐션 풀리

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
WO2012169754A2 (ko)*2011-06-102012-12-13주식회사 테라세미콘기판 처리 장치
KR101243314B1 (ko)*2011-06-202013-03-13주식회사 테라세미콘기판 처리 장치
US20130023129A1 (en)2011-07-202013-01-24Asm America, Inc.Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101435454B1 (ko)*2012-04-272014-08-28주식회사 테라세미콘기판 처리 장치
US10714315B2 (en)2012-10-122020-07-14Asm Ip Holdings B.V.Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en)2013-02-012016-12-29Asm Ip Holding B.V.System for treatment of deposition reactor
KR101432754B1 (ko)*2013-03-272014-08-21주식회사 테라세미콘인라인 열처리 장치
US11015245B2 (en)2014-03-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en)2014-10-072021-03-09Asm Ip Holding B.V.Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en)2015-03-122019-04-30Asm Ip Holding B.V.Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en)2015-06-262019-10-29Asm Ip Holding B.V.Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11139308B2 (en)2015-12-292021-10-05Asm Ip Holding B.V.Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en)2016-02-192020-01-07Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en)2016-03-182019-07-09Asm Ip Holding B.V.Aligned carbon nanotubes
US10367080B2 (en)2016-05-022019-07-30Asm Ip Holding B.V.Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en)2016-05-252022-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en)2016-07-082018-01-02Asm Ip Holding B.V.Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en)2016-07-082020-04-07Asm Ip Holdings B.V.Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko)2016-07-282023-05-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en)2016-07-282018-02-06Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en)2016-07-282017-11-07Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en)2016-10-272022-12-20Asm Ip Holding B.V.Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en)2016-11-012020-07-14ASM IP Holdings, B.V.Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko)2016-11-152023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko)2016-12-142025-02-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11447861B2 (en)2016-12-152022-09-20Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en)2016-12-152023-02-14Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko)2016-12-192024-08-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10269558B2 (en)2016-12-222019-04-23Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en)2017-01-102022-07-19Asm Ip Holding B.V.Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en)2017-02-152019-11-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en)2017-03-292020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en)2017-05-082020-09-08Asm Ip Holdings B.V.Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en)2017-06-202024-07-16Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en)2017-06-282022-04-19Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko)2017-07-182019-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en)2017-07-192022-06-28Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en)2017-07-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en)2017-07-192020-01-21Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en)*2017-07-262020-03-17Asm Ip Holdings B.V.Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en)2017-08-082020-09-08Asm Ip Holding B.V.Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en)2017-08-082020-06-23Asm Ip Holdings B.V.Radiation shield
US11139191B2 (en)2017-08-092021-10-05Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en)2017-08-092023-09-26Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en)2017-08-292023-11-28Asm Ip Holding B.V.Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en)2017-08-302022-04-05Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en)2017-08-302021-07-06Asm Ip Holding B.V.Layer forming method
KR102491945B1 (ko)2017-08-302023-01-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10658205B2 (en)2017-09-282020-05-19Asm Ip Holdings B.V.Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en)2017-10-052019-09-03Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en)2017-10-302021-02-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en)2017-11-242021-06-01Asm Ip Holding B.V.Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en)2017-11-272019-05-31Asm Ip Holding B.V.A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
CN111344522B (zh)2017-11-272022-04-12阿斯莫Ip控股公司包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en)2018-01-162020-12-22Asm Ip Holding B. V.Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko)2018-01-192024-08-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh)2018-01-192023-04-21荷蘭商Asm 智慧財產控股公司沈積方法
US11081345B2 (en)2018-02-062021-08-03Asm Ip Holding B.V.Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en)2018-02-142021-01-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en)2018-02-142019-08-22Asm Ip Holding B.V.A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en)2018-02-152020-08-04Asm Ip Holding B.V.Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko)2018-02-202024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en)2018-02-232021-04-13Asm Ip Holding B.V.Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en)2018-03-012022-10-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en)2018-03-092023-04-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en)2018-03-162021-09-07Asm Ip Holding B.V.Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko)2018-03-272024-03-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en)2018-03-292022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en)2018-03-292021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102600229B1 (ko)2018-04-092023-11-10에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en)2018-05-082024-07-02Asm Ip Holding B.V.Thin film forming method
US12272527B2 (en)2018-05-092025-04-08Asm Ip Holding B.V.Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko)2018-05-282023-10-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en)2018-06-042023-08-08Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh)2018-06-042024-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en)2018-06-082022-03-29Asm Ip Holding B.V.Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko)2018-06-212023-08-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 시스템
US10797133B2 (en)2018-06-212020-10-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI873894B (zh)2018-06-272025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko)2018-06-272025-09-02에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en)2018-06-292020-04-07ASM IP Holding, B.V.Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en)2018-07-032019-08-20Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en)2018-07-032020-08-25Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en)2018-08-062021-07-06Asm Ip Holding B.V.Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en)2018-08-222022-08-30Asm Ip Holding B.V.Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en)2018-09-112021-06-01Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko)2018-09-112024-09-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
US11049751B2 (en)2018-09-142021-06-29Asm Ip Holding B.V.Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh)2018-10-012024-10-25Asmip控股有限公司衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en)2018-10-032022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko)2018-10-082023-10-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko)2018-10-192023-11-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko)2018-10-192023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en)2018-10-242022-04-12Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en)2018-10-262025-08-05Asm Ip Holding B.V.High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en)2018-10-312021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko)2018-11-022024-12-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en)2018-11-062023-02-07Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en)2018-11-072021-06-08Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en)2018-11-162020-10-27Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en)2018-11-162020-11-24Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en)2018-11-282024-07-16Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en)2018-11-302022-01-04Asm Ip Holding B.V.Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko)2018-12-042024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en)2018-12-132021-10-26Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh)2018-12-142025-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI866480B (zh)2019-01-172024-12-11荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko)2019-01-222024-11-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
CN111524788B (zh)2019-02-012023-11-24Asm Ip私人控股有限公司氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh)2019-02-202024-04-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
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TWI873122B (zh)2019-02-202025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko)2019-02-202024-01-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh)2019-02-222024-05-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko)2019-03-082025-03-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko)2019-03-082025-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en)2019-03-082023-08-29Asm Ip Holding B.V.Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja)2019-03-282020-10-08エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェードアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko)2019-04-012025-05-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko)2019-04-192020-10-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko)2019-04-242020-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko)2019-05-072020-11-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11289326B2 (en)2019-05-072022-03-29Asm Ip Holding B.V.Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130652A (ko)2019-05-102020-11-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja)2019-05-162024-12-11エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja)2019-05-162025-01-14エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en)2019-05-172023-01-17Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD947913S1 (en)2019-05-172022-04-05Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD935572S1 (en)2019-05-242021-11-09Asm Ip Holding B.V.Gas channel plate
USD922229S1 (en)2019-06-052021-06-15Asm Ip Holding B.V.Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko)2019-06-062020-12-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko)2019-06-102020-12-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko)2019-06-112020-12-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en)2019-06-142022-03-01Asm Ip Holding B.V.Shower plate
USD931978S1 (en)2019-06-272021-09-28Asm Ip Holding B.V.Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko)2019-07-032021-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja)2019-07-092024-06-13エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh)2019-07-102021-01-12Asm Ip私人控股有限公司基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko)2019-07-162021-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210010816A (ko)2019-07-172021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko)2019-07-172025-09-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en)2019-07-182023-05-09Asm Ip Holding B.V.Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko)2019-07-192021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh)2019-07-192024-04-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh)2019-07-292024-08-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
CN112309899A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
US12169361B2 (en)2019-07-302024-12-17Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11227782B2 (en)2019-07-312022-01-18Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh)2019-08-052024-02-09Asm Ip私人控股有限公司用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh)2019-08-092021-02-09Asm Ip私人控股有限公司包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en)2019-08-192022-09-27Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD965524S1 (en)2019-08-192022-10-04Asm Ip Holding B.V.Susceptor support
JP2021031769A (ja)2019-08-212021-03-01エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en)2019-08-222023-02-28Asm Ip Holding B.V.Insulator
USD949319S1 (en)2019-08-222022-04-19Asm Ip Holding B.V.Exhaust duct
USD930782S1 (en)2019-08-222021-09-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor
USD940837S1 (en)2019-08-222022-01-11Asm Ip Holding B.V.Electrode
KR20210024423A (ko)2019-08-222021-03-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en)2019-08-232022-03-29Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko)2019-08-232021-03-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko)2019-09-042025-05-12에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko)2019-09-052024-11-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11562901B2 (en)2019-09-252023-01-24Asm Ip Holding B.V.Substrate processing method
CN112593212B (zh)2019-10-022023-12-22Asm Ip私人控股有限公司通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko)2019-10-082021-04-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh)2019-10-082021-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh)2019-10-082024-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理裝置
TWI846966B (zh)2019-10-102024-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en)2019-10-142024-06-11Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh)2019-10-162024-03-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en)2019-10-172023-04-25Asm Ip Holding B.V.Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko)2019-10-212025-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko)2019-10-252021-05-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en)2019-10-292023-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko)2019-11-052021-05-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en)2019-11-152022-11-15Asm Ip Holding B.V.Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko)2019-11-202025-09-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh)2019-11-262025-07-29Asmip私人控股有限公司基板处理设备
US11450529B2 (en)2019-11-262022-09-20Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692B (zh)2019-11-292025-08-15Asmip私人控股有限公司基板处理设备
CN120432376A (zh)2019-11-292025-08-05Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
JP7527928B2 (ja)2019-12-022024-08-05エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko)2019-12-042021-06-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210078405A (ko)2019-12-172021-06-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko)2019-12-192021-06-30에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7636892B2 (ja)2020-01-062025-02-27エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーチャネル付きリフトピン
JP7730637B2 (ja)2020-01-062025-08-28エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en)2020-01-082024-05-28Asm Ip Holding B.V.Injector
KR20210093163A (ko)2020-01-162021-07-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko)2020-01-202024-06-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh)2020-01-292025-07-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh)2020-02-032025-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko)2020-02-042021-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en)2020-02-072023-10-03Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh)2020-02-132021-12-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR20210103956A (ko)2020-02-132021-08-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh)2020-02-172024-09-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於生長磷摻雜矽層之方法
CN113410160A (zh)2020-02-282021-09-17Asm Ip私人控股有限公司专用于零件清洁的系统
KR20210113043A (ko)2020-03-042021-09-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko)2020-03-112021-09-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en)2020-03-112024-01-16Asm Ip Holding B.V.Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko)2020-03-122025-02-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en)2020-03-172024-12-24Asm Ip Holding B.V.Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko)2020-04-022025-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 형성 방법
TWI887376B (zh)2020-04-032025-06-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh)2020-04-082025-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en)2020-04-152023-11-21Asm Ip Holding B.V.Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko)2020-04-152021-10-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en)2020-04-162024-05-28Asm Ip Holding B.V.Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko)2020-04-212021-11-01에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko)2020-04-242021-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko)2020-04-242025-09-30에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132612A (ko)2020-04-242021-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
TW202208671A (zh)2020-04-242022-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
CN113555279A (zh)2020-04-242021-10-26Asm Ip私人控股有限公司形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102783898B1 (ko)2020-04-292025-03-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko)2020-05-012021-11-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR102788543B1 (ko)2020-05-132025-03-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh)2020-05-152021-12-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko)2020-05-192021-11-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210145079A (ko)2020-05-212021-12-01에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko)2020-05-212025-04-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh)2020-05-222025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko)2020-05-262021-12-06에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh)2020-05-292025-03-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
TW202212620A (zh)2020-06-022022-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh)2020-06-162022-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積含硼之矽鍺層的方法
TW202218133A (zh)2020-06-242022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成含矽層之方法
TWI873359B (zh)2020-06-302025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
US12431354B2 (en)2020-07-012025-09-30Asm Ip Holding B.V.Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh)2020-07-082022-01-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
KR20220010438A (ko)2020-07-172022-01-25에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh)2020-07-202025-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko)2020-07-202022-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en)2020-07-272025-06-03Asm Ip Holding B.V.Thin film deposition process
KR20220021863A (ko)2020-08-142022-02-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
US12040177B2 (en)2020-08-182024-07-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh)2020-08-252022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en)2020-08-262023-08-15Asm Ip Holding B.V.Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh)2020-08-272022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh)2020-09-102022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en)2020-09-112023-06-27Asm Ip Holding B.V.Weighted lift pin
KR20220036866A (ko)2020-09-162022-03-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en)2020-09-242024-01-30Asm Ip Holding B.V.Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh)2020-09-252025-07-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
US12009224B2 (en)2020-09-292024-06-11Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko)2020-10-062022-04-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh)2020-10-072022-04-08Asm Ip私人控股有限公司气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh)2020-10-142022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202232565A (zh)2020-10-152022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置
TW202217037A (zh)2020-10-222022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh)2020-10-282022-06-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh)2020-11-122022-08-01特文特大學沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh)2020-11-232022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh)2020-11-242022-09-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh)2020-11-302022-09-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en)2020-12-102025-03-18Asm Ip Holding B.V.Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh)2020-12-142022-09-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en)2020-12-162024-04-02Asm Ip Holding B.V.Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh)2020-12-182022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh)2020-12-222022-11-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh)2020-12-222022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh)2020-12-222022-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具匹配器的電漿處理裝置
USD980813S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en)2021-05-112023-03-28Asm Ip Holding B.V.Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en)2021-09-072023-06-27Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate
USD1060598S1 (en)2021-12-032025-02-04Asm Ip Holding B.V.Split showerhead cover
JP7597873B1 (ja)*2023-08-212024-12-10株式会社Screenホールディングス基板熱処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
KR20050051359A (ko)*2003-11-272005-06-01엘지.필립스 엘시디 주식회사표시소자의 제조장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JPS6398684A (ja)*1986-10-161988-04-30Sharp Corp定着装置
JPH02262177A (ja)*1989-04-031990-10-24Ricoh Co Ltd加熱定着装置
JPH04316073A (ja)*1991-04-151992-11-06Canon Inc熱ローラ定着装置及びヒータ
JP3155386B2 (ja)*1993-03-052001-04-09東芝テック株式会社熱定着装置
JP3337876B2 (ja)*1994-06-212002-10-28株式会社東芝半導体装置の製造方法
JP4616493B2 (ja)*2001-03-282011-01-19三機産業設備株式会社基板ストック装置
KR101015597B1 (ko)*2004-05-122011-02-17주식회사 비아트론반도체 소자의 열처리 장치
JP4582450B2 (ja)*2005-02-232010-11-17株式会社アルバック真空成膜装置の搬送機構
JP4531690B2 (ja)*2005-12-082010-08-25東京エレクトロン株式会社加熱処理装置
JP2007199148A (ja)*2006-01-242007-08-09Sharp Corp画像形成装置
KR100776206B1 (ko)*2006-06-212007-11-16아프로시스템 주식회사평판 디스플레이용 기판의 열처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
KR20050051359A (ko)*2003-11-272005-06-01엘지.필립스 엘시디 주식회사표시소자의 제조장치

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