KR101028316B1 - Light emitting diode package - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

실시 예는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting diode package.

실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 캐비티에 형성된 전극; 상기 전극과 전기적으로 연결된 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각 패턴에 대응되는 두께를 갖는 형광체층; 상기 형광체층 위에 형성된 투광성 수지층; 상기 투광성 수지층 위에 형성된 렌즈를 포함한다.The LED package according to the embodiment, the electrode formed in the cavity; A light emitting diode electrically connected to the electrode; A phosphor layer having a thickness corresponding to a directivity angle pattern of light emitted from the light emitting diode; A translucent resin layer formed on the phosphor layer; It includes a lens formed on the light-transmissive resin layer.

LED, 백라이트 유닛LED, backlight unit

Description

Translated fromKorean

발광 다이오드 패키지{LGIHT EMITTING DIODE PACKAGE}Light Emitting Diode Package {LGIHT EMITTING DIODE PACKAGE}

실시 예는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting diode package.

표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube), 전계 광학적인 효과를 이용한 액정표시장치(Liquid Crystal Display :LCD), 가스방전을 이용한 플라즈마 표시소자(PDP : Plasma Display Panel) 및 전계 발광 효과를 이용한 EL 표시소자(ELD : Electro Luminescence Display) 등이 있으며, 그 중에서 액정표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.The display device is a CRT (Cathode Ray Tube), a liquid crystal display (LCD) using an electro-optic effect, a plasma display device (PDP: Plasma Display Panel) using a gas discharge and an EL display device using an electroluminescent effect (ELD: Electro Luminescence Display), among which researches on liquid crystal displays are being actively conducted.

액정표시장치는 대부분이 외부에서 들어오는 광의 양을 조절하여 화상을 표시하는 수광성 장치이기 때문에, LCD 패널에 광을 조사하기 위한 별도의 광원 즉, 백라이트 유닛(BackLight unit)이 요구되고 있다.Since most liquid crystal display devices are light-receiving devices that display an image by controlling the amount of light coming from the outside, a separate light source for illuminating the LCD panel, that is, a backlight unit, is required.

실시 예는 캐비티에서의 형광체층의 두께에 따라 발광된 광의 패턴을 변화시켜 줄 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting diode package capable of changing a pattern of emitted light according to a thickness of a phosphor layer in a cavity.

실시 예는 형광체층의 두께에 비례하여 지향각 패턴을 넓게 변화시켜 줄 수 있도록 한 발광 다이오드 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting diode package capable of changing the orientation angle pattern in proportion to the thickness of the phosphor layer.

실시 예는 형광체층의 두께와 렌즈를 이용하여 지향각의 분포를 변화시켜 줄 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting diode package capable of changing the distribution of the directivity angle by using the thickness of the phosphor layer and the lens.

실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 캐비티에 형성된 전극; 상기 전극과 전기적으로 연결된 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각 패턴에 대응되는 두께를 갖는 형광체층; 상기 형광체층 위에 형성된 투광성 수지층; 상기 투광성 수지층 위에 형성된 렌즈를 포함한다.The LED package according to the embodiment, the electrode formed in the cavity; A light emitting diode electrically connected to the electrode; A phosphor layer having a thickness corresponding to a directivity angle pattern of light emitted from the light emitting diode; A translucent resin layer formed on the phosphor layer; It includes a lens formed on the light-transmissive resin layer.

실시 예는 라이트 유닛의 두께에 따라 대응되는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting diode package corresponding to the thickness of the light unit.

실시 예는 패키지의 다양한 타켓 지향각 패턴에 대응되는 두께를 갖는 라이트 유닛을 사용할 수 있다.The embodiment may use a light unit having a thickness corresponding to various target orientation angle patterns of the package.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings as follows.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 평면도이며, 도3은 도 1의 지향각 패턴을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view of FIG. 1, and FIG. 3 is a view of the orientation angle pattern of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)는 복수개의 전극(111,112), 절연체(113), 발광 다이오드(120), 제1형광체층(130), 제1투광성 수지층(140), 사이드 방출 렌즈(150)를 포함한다.1 and 2, the lightemitting diode package 100 includes a plurality ofelectrodes 111 and 112, aninsulator 113, alight emitting diode 120, afirst phosphor layer 130, and a firsttransparent resin layer 140. And aside emission lens 150.

상기 복수개의 전극(111,112)은 리드 프레임으로 구현될 수 있으며, 소정 깊이의 캐비티(115)를 갖고 서로 대응된 형태이다. 즉, 상기 전극(111,112)는 서로 오픈되며, 상기 캐비티(115)를 에워싸고 있는 형태로 배치될 수 있다. 상기 캐비티 측면(116)은 바닥면에 대해 수직한 축을 기준으로 외측 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.The plurality ofelectrodes 111 and 112 may be implemented as a lead frame, and have acavity 115 having a predetermined depth and correspond to each other. That is, theelectrodes 111 and 112 may be open to each other and may be arranged to surround thecavity 115. Thecavity side 116 may be formed to be inclined outward with respect to an axis perpendicular to the bottom surface.

상기 캐비티(115)의 개구부 형상은 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티 바닥면의 형상은 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. .The opening shape of thecavity 115 may be formed in a circular or polygonal shape, and the shape of the bottom surface of the cavity may be formed in a circular or polygonal shape. .

상기 전극(111,112)은 패키지 몸체로서, 상기 발광 다이오드(120)이 탑재되며 열 방출 및 패키지 지지 기능을 수행하게 된다. 실시 예는 리드 프레임 대신 FR-4(FLAME RETARDANT-4)로 구현할 수 있다.Theelectrodes 111 and 112 are package bodies, and thelight emitting diodes 120 are mounted to perform heat dissipation and package support. The embodiment may be implemented with a FLAME RETARDANT-4 (FR-4) instead of the lead frame.

상기 복수개의 전극(111,112) 사이에는 절연체(113)가 형성된다. 상기 절연체(113)는 복수개의 전극(111,112) 사이를 전기적으로 오프시켜 주는 기능을 수행한다.Aninsulator 113 is formed between the plurality ofelectrodes 111 and 112. Theinsulator 113 performs a function of electrically turning off the plurality ofelectrodes 111 and 112.

상기 절연체(113)는 백색 절연 물질로 구현될 수 있으며, 상기 발광 다이오드(120)으로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 또한 상기 절연체(113)는 상기 전극(111,112) 사이를 접착시켜 줄 수 있다.Theinsulator 113 may be made of a white insulating material and may reflect light emitted from thelight emitting diodes 120. In addition, theinsulator 113 may bond theelectrodes 111 and 112.

상기 발광 다이오드(120)는 청색 LED 칩, 적색 LED 칩, 황색 LED 칩, UV LED 칩, 녹색 LED 칩 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드(120)는 복수개의 전극(111,112)에 와이어(122)로 연결되거나, 칩 타입에 맞게 다이 본딩 및 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용할 수 있다.Thelight emitting diode 120 may include at least one of a blue LED chip, a red LED chip, a yellow LED chip, a UV LED chip, and a green LED chip. Thelight emitting diode 120 may be connected to the plurality ofelectrodes 111 and 112 by awire 122 or may be selectively used in a die bonding and flip bonding method according to a chip type.

상기 캐비티(115)에는 제1형광체층(130)이 형성되며, 상기 제1형광체층(130)은 투광성 수지에 적색 형광체, 녹색 형광체, 황색 형광체, 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Afirst phosphor layer 130 is formed in thecavity 115, and thefirst phosphor layer 130 may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, a yellow phosphor, and a red phosphor in the light transmitting resin.

상기 제1형광체층(130)의 두께(T1)는 상기 캐비티(115)의 깊이(T)의 1/4 높이로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 T1는 상기 캐비티(115)의 바닥면에서 캐비티 깊이(T)에 비해 1/4 두께로 형성된다. 상기 투광성 수지는 실리콘 또는 에폭시를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The thickness T1 of thefirst phosphor layer 130 may be formed at a quarter height of the depth T of thecavity 115. For example, the T1 is formed to be 1/4 thicker than the cavity depth T at the bottom surface of thecavity 115. The light transmitting resin may include silicone or epoxy, but is not limited thereto.

상기 제1형광체층(130) 위에는 제1투광성 수지층(140)이 형성되며, 상기 제1투광성 수지층(140)은 상기 제1형광체층(130) 위에서 상기 캐비티(115) 표면까지 형성될 수 있다. 상기 제1투광성 수지층(140)은 실리콘 또는 에폭시를 포함할 수 있다.A firsttransmissive resin layer 140 may be formed on thefirst phosphor layer 130, and the firsttransmissive resin layer 140 may be formed from thefirst phosphor layer 130 to the surface of thecavity 115. have. The first light-transmissive resin layer 140 may include silicon or epoxy.

상기 제1투광성 수지층(140)의 두께는 상기 제1형광체층(130)의 두께에 따라 달라질 수 있으며, 표면이 오목 렌즈 형상, 플랫한 형상, 볼록 렌즈 형상 중 어느 한 형상으로 형성될 수 있다.The thickness of the first light-transmissive resin layer 140 may vary depending on the thickness of thefirst phosphor layer 130, and the surface may be formed in any one of a concave lens shape, a flat shape, and a convex lens shape. .

상기 제1투광성 수지층(140)의 위 및 캐비티(115) 외측에는 사이드 방출 렌 즈(150)가 형성된다. 상기 사이드 방출 렌즈(150)는 예컨대, 사이드 방향을 광을 방출하는 특성을 갖는 렌즈로 구현될 수 있으며, 그 외주면 형상이 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 사이드 방출 렌즈(150)의 외주면 형상은 상기 캐비티(115)의 개구부 형상과 동일한 형상으로 형성될 수 있다.Side emission lenses 150 are formed on the first light-transmissive resin layer 140 and on the outside of thecavity 115. Theside emission lens 150 may be implemented as, for example, a lens having a characteristic of emitting light in a side direction, and an outer circumferential surface thereof may be formed in a circular or polygonal shape. Here, the outer circumferential surface of theside emission lens 150 may be formed in the same shape as that of the opening of thecavity 115.

상기 사이드 방출 렌즈(150)는 투명한 수지 재료를 이용하여 트랜스퍼 몰딩 방식으로 소정 형상을 갖도록 제조될 수 있다.Theside emission lens 150 may be manufactured to have a predetermined shape by a transfer molding method using a transparent resin material.

상기 사이드 방출 렌즈(150)의 직경은 캐비티(115)의 개구부 직경보다 크게 형성되어, 상기 사이드 방출 렌즈(150)의 외측은 상기 캐비티(115)의 개구부 외측에 위치한 전극(111,112)의 상면 위에 배치된다.The diameter of theside emission lens 150 is greater than the opening diameter of thecavity 115, and the outside of theside emission lens 150 is disposed on the upper surfaces of theelectrodes 111 and 112 located outside the opening of thecavity 115. do.

상기 사이드 방출 렌즈(150)는 베이스부(151), 굴절부(152), 반사부(153)를 포함하며, 상기 베이스부(151)는 광이 입사되며, 상기 굴절부(152)는 소정 곡률을 갖는 곡면 형태, 반구 형태, 도넛 형태 등으로 형성되며, 상기 반사부(153)는 상기 굴절부(152)의 내측 중심 영역에서 소정 깊이를 갖는 역 뿔 형상으로 형성될 수 있다.Theside emission lens 150 includes abase part 151, arefraction part 152, and areflection part 153. Thebase part 151 receives light, and therefraction part 152 has a predetermined curvature. Is formed in a curved shape, hemispherical shape, a donut shape and the like, thereflector 153 may be formed in an inverted horn shape having a predetermined depth in the inner central region of the refractingportion 152.

상기 베이스부(151)의 내측은 상기 투광성 수지층(140)과 접촉되며, 외측 둘레는 상기 전극(111,112)의 상면과 접촉된다. 상기 베이스부(151)의 외주면 형상은 원형상 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다.The inner side of thebase portion 151 is in contact with thetranslucent resin layer 140, and the outer periphery is in contact with the upper surfaces of theelectrodes 111 and 112. The outer circumferential surface of thebase unit 151 may be formed in a circular or polygonal shape.

상기 굴절부(152)는 상기 베이스부(151)의 외측 둘레와 상기 반사부(153) 사이에 배치되며, 입사된 광을 굴절시켜 측 방향으로 방출시켜 주게 된다. 상기 굴절부(152)는 곡면 또는/및 사선 형태의 경사면으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 굴 절부(152)는 서로 다른 곡률을 갖는 복수개의 곡면이 서로 연결되는 형상이거나, 사선으로 경사진 평면으로 형성될 수 있다. 또한 상기 베이스부(151)의 외측 둘레와 상기 굴절부(152) 사이에는 소정 각도로 기울어진 평면(즉, 경사면)이 더 배치될 수 있다.The refractingpart 152 is disposed between the outer circumference of thebase part 151 and the reflectingpart 153 and refracts incident light to emit laterally. The refractingportion 152 may be formed as a curved surface and / and an inclined surface of the diagonal shape. For example, thecurved portion 152 may have a shape in which a plurality of curved surfaces having different curvatures are connected to each other, or may be formed in a plane inclined diagonally. In addition, a plane (that is, an inclined surface) inclined at a predetermined angle may be further disposed between the outer circumference of thebase portion 151 and therefractive portion 152.

상기 반사부(153)는 상기 입사광을 상기 굴절부(152)와 상기 베이스부(151) 중 적어도 어느 한 방향으로 전 반사시켜 주게 된다. 상기 반사부(153)에서 상기 굴절부(152)와 상기 반사부(151) 중심 사이의 면이 소정 곡률 반경을 갖는 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 곡면으로 입사된 광은 전 반사된다.Thereflector 153 reflects the incident light in at least one of therefraction unit 152 and thebase unit 151. In thereflective part 153, a surface between therefraction part 152 and the center of thereflective part 151 may be formed as a curved surface having a predetermined radius of curvature, and the light incident on the curved surface is totally reflected.

이러한 발광 다이오드 패키지(100)는 발광 다이오드(120)에서 광이 방출되면, 상기 방출된 광의 일부는 상기 제1형광체층(130)에 흡수되어 다른 광으로 방출되며, 상기 방출된 광들은 제1투광성 수지층(140)를 통해 상기 사이드 방출 렌즈(150)를 거쳐 외부로 방출되고 서로 혼색된다. 이때 상기 사이드 방출 렌즈(150)는 베이스부(151)를 통해 광을 입사받고, 상기 굴절부(152)는 상기 베이스부(151)를 통해 입사되거나 상기 반사부(153)에 의해 전반사된 광을 굴절시켜 측 방향으로 방출시키거나 전극(111,112) 위로 반사시켜 줄 수 있다.When the lightemitting diode package 100 emits light from thelight emitting diode 120, a part of the emitted light is absorbed by thefirst phosphor layer 130 to be emitted as another light, and the emitted light is first transmissive. It is emitted to the outside through theside emitting lens 150 through theresin layer 140 and mixed with each other. In this case, theside emission lens 150 receives light through thebase part 151, and therefracting part 152 receives light incident through thebase part 151 or totally reflected by thereflecting part 153. It may be refracted to emit laterally or reflected onto theelectrodes 111 and 112.

상기 반사부(153)는 역 원뿔 형상으로 형성되어, 베이스부(151)를 통해 입사된 광을 측 방향으로 전반사시켜 주며, 상기 전반사된 광은 상기 굴절부(152)로 진행하거나 상기 캐비티 외주변의 전극(111,112)으로 진행하게 된다.Thereflector 153 is formed in an inverted cone shape, and totally reflects the light incident through thebase unit 151 in the lateral direction, and the totally reflected light travels to therefraction unit 152 or the outer periphery of the cavity. It proceeds to theelectrodes 111 and 112.

상기 사이드 방출 렌즈(150) 아래의 전극(111,112)은 상기 반사된 광을 반사시켜 줌으로써, 상기 반사광은 상기 전극(111,112)과 상기 굴절부(152)에 의해 반 사 또는 재 반사되어 그 임계각이 변화되어 외부로 방출되게 된다.Theelectrodes 111 and 112 under theside emission lens 150 reflect the reflected light, so that the reflected light is reflected or re-reflected by theelectrodes 111 and 112 and therefraction unit 152, thereby changing its critical angle. And released to the outside.

상기 사이드 방출 렌즈(150)에 의해 방출된 광은 도 3과 같은 지향각 패턴을 형성되며, 상기 지향각 패턴은 수직 방향(90°) 보다는 사이드 방향(0°, 180°)으로 넓게 분포되는 특성을 갖는다. 상기 지향각 패턴은 상기 제1형광체층(130)에 비례하여 형성될 수 있는데, 예컨대, 상기 제1형광체층(130)의 두께가 상대적으로 얇은 경우, 상기 지향각 패턴은 사이드 방향으로 분포된다.The light emitted by theside emission lens 150 forms a directivity angle pattern as shown in FIG. 3, and the directivity angle pattern is widely distributed in the side direction (0 °, 180 °) rather than the vertical direction (90 °). Has The direction angle pattern may be formed in proportion to thefirst phosphor layer 130. For example, when the thickness of thefirst phosphor layer 130 is relatively thin, the direction angle pattern is distributed in the side direction.

도 4는 제2실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 측 단면도이며, 도 5는 도 4의 지향각 패턴을 나타낸 도면이다. 상기 제2실시 예를 설명함에 있어서, 상기 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며 중복 설명은 생략하기로 한다.4 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment, and FIG. 5 is a view illustrating the orientation angle pattern of FIG. 4. In the description of the second embodiment, the same parts as the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and redundant description thereof will be omitted.

도 4를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100A)는 제2형광체층(131)의 두께(T2)를 캐비티(115) 깊이(T)에 비해 2/4(=T2)까지의 높이로 형성시켜 준다. 상기 제2형광체층(131)의 두께(T2)에 의해 제2투광성 수지층(141)의 두께는 도 1에 비해 얇아질 수 있다.Referring to FIG. 4, the lightemitting diode package 100A forms the thickness T2 of thesecond phosphor layer 131 to a height of 2/4 (= T2) compared to the depth T of thecavity 115. . The thickness of the secondtranslucent resin layer 141 may be thinner than that of FIG. 1 by the thickness T2 of thesecond phosphor layer 131.

상기 제2형광체층(131)의 두께가 증가하게 되므로, 도 5와 같은 지향각 패턴을 갖는다. 상기 지향각 패턴은 상기 제2형광체층(131)의 두께에 대응되는 패턴으로서, 도 3의 지향각 패턴보다는 좀더 넓은 지향각을 갖고 수직 방향으로 상향된 분포로 형성된다.Since the thickness of thesecond phosphor layer 131 is increased, thesecond phosphor layer 131 has a direction angle pattern as shown in FIG. 5. The directivity angle pattern is a pattern corresponding to the thickness of thesecond phosphor layer 131 and has a wider directivity than the directivity angle pattern of FIG.

도 6은 제3실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 측 단면도이며, 도 7는 도 6의 지향각 패턴을 나타낸 도면이다. 상기 제3실시 예를 설명함에 있어 서, 상기 제1 및 제2실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며 중복 설명은 생략하기로 한다.6 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a third embodiment, and FIG. 7 is a view illustrating the orientation angle pattern of FIG. 6. In the description of the third embodiment, the same parts as the first and second embodiments will be denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted.

도 6을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100B)는 제3형광체층(132)의 두께(T3)를 캐비티(115) 바닥에서 3/4 높이까지 형성시켜 준다. 상기 제3형광체층(132)의 두께(T3)에 의해 제3투광성 수지층(142)의 두께는 도 5에 비해 얇아질 수 있다.Referring to FIG. 6, the light emittingdiode package 100B forms a thickness T3 of thethird phosphor layer 132 up to 3/4 height from the bottom of thecavity 115. The thickness of the thirdtransparent resin layer 142 may be thinner than that of FIG. 5 by the thickness T3 of thethird phosphor layer 132.

상기 제3형광체층(132)의 두께(T3)는 캐비티 깊이(T)의 3/4 정도까지 형성되므로, 도 7과 같은 지향각 패턴을 갖는다. 상기 지향각 패턴은 상기 제3형광체층(132)의 두께(T3)에 대응되는 패턴으로서, 도 5의 지향각 패턴보다는 좀더 넓은 지향각을 갖고 수직 방향으로 상향된 분포로 형성된다.Since the thickness T3 of thethird phosphor layer 132 is formed to about 3/4 of the cavity depth T, thethird phosphor layer 132 has the orientation angle pattern as shown in FIG. 7. The directivity angle pattern is a pattern corresponding to the thickness T3 of thethird phosphor layer 132 and has a wider directivity than the directivity angle pattern of FIG.

도 8은 도 1을 이용한 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.8 is a view illustrating a light unit using FIG. 1.

도 8을 참조하면, 라이트 유닛(200)은 기판(160) 위에 발광 다이오드 패키지(100)가 탑재되며, 상기 발광 다이오드 패키지(100) 위에는 광학 시트(확산 시트, 프리즘 시트)(170)이 배치된다. 상기 발광 다이오드 패키지(100)는 상기 기판(160)의 리드 패턴(161,162)에 본딩되고, 복수개가 어레이된다.Referring to FIG. 8, thelight unit 200 includes a light emittingdiode package 100 mounted on asubstrate 160, and an optical sheet (diffusion sheet, prism sheet) 170 disposed on the light emittingdiode package 100. . TheLED package 100 is bonded to thelead patterns 161 and 162 of thesubstrate 160, and a plurality ofLED packages 100 are arrayed.

상기 발광 다이오드 패키지(100)와 상기 광학 시트(170) 사이의 거리(D)는 도 3의 지향각 패턴에 의해 결정된다. 즉, 상기 지향각 패턴이 사이드 방향으로 분포하므로, 상기 광학 시트(170)와의 거리(D)를 낮추더라도, 핫 스폿과 같은 문제가 발생되지 않게 된다. 이 경우, 상기 라이트 유닛(200)의 두께는 상기 패키지(100)의 지향각 패턴에 의해 달라질 수 있다.The distance D between the light emittingdiode package 100 and theoptical sheet 170 is determined by the orientation angle pattern of FIG. 3. That is, since the orientation angle pattern is distributed in the side direction, even if the distance D from theoptical sheet 170 is reduced, a problem such as a hot spot does not occur. In this case, the thickness of thelight unit 200 may vary depending on the orientation angle pattern of thepackage 100.

상기와 같은 방식으로 도 4 및 도 6의 패키지(100A,100B)를 적용할 경우, 각 패키지의 지향각 패턴에 따라 상기 광학 시트(170)와의 거리를 조절할 수 있으며, 상기 라이트 유닛(200)의 두께를 조절할 수 있다.When thepackages 100A and 100B of FIGS. 4 and 6 are applied in the same manner as described above, a distance from theoptical sheet 170 may be adjusted according to a direction angle pattern of each package, and thelight unit 200 may be The thickness can be adjusted.

실시 예의 도 1 내지 도 8을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100,100A,100B) 내의 캐비티(115)에 형성된 형광체층(130,131,132)의 두께에 비례하여 지향각 패턴을 변화시켜 줌으로써, 라이트 유닛(200)의 두께에 대응되는 패키지(100,100A,100B)를 제공할 수 있다. 예컨대, 도 1의 패키지(100)는 사이드 지향각 패턴에 의해 라이트 유닛(200)의 광학 시트(예: 확산 시트)(170)와의 거리가 10mm 이하인 환경에 적용될 수 있으며, 도 4의 패키지(100A)는 라이트 유닛(200)의 광학 시트(170)와의 거리가 25mm 이하인 환경에 적용될 있으며, 도 6의 패키지(100B)는 라이트 유닛(200)의 광학 시트(170)와의 거리가 35mm 이하인 환경에 적용될 수 있다.1 to 8, thelight unit 200 is changed by changing a direction angle pattern in proportion to the thickness of the phosphor layers 130, 131, and 132 formed in thecavities 115 in the LED packages 100, 100A, and 100B.Packages 100, 100A, and 100B corresponding to the thicknesses may be provided. For example, thepackage 100 of FIG. 1 may be applied to an environment in which a distance from an optical sheet (eg, a diffusion sheet) 170 of thelight unit 200 is 10 mm or less by a side orientation angle pattern, and thepackage 100A of FIG. 4. ) Is applied to an environment having a distance of 25 mm or less from theoptical sheet 170 of thelight unit 200, and thepackage 100B of FIG. 6 is applied to an environment having a distance of 35 mm or less to theoptical sheet 170 of thelight unit 200. Can be.

실시 예의 기술사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시 예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the embodiments has been described in detail according to the above-described preferred embodiments, it should be noted that the above-described embodiments are for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various implementations are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 측 단면도이다.1 is a side cross-sectional view of a light emitting diode package according to a first embodiment.

도 2는 도 1의 평면도이다.2 is a plan view of Fig.

도 3은 도 1의 지향각 패턴을 나타낸 도면이다.3 is a view illustrating the orientation angle pattern of FIG. 1.

도 4는 제2실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 측 단면도이다.4 is a side cross-sectional view of the LED package according to the second embodiment.

도 5는 도 4의 지향각 패턴을 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating the orientation angle pattern of FIG. 4. FIG.

도 6은 제3실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지의 측 단면도이다.6 is a side cross-sectional view of a light emitting diode package according to a third embodiment.

도 7은 도 6의 지향각 패턴을 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a view illustrating the orientation angle pattern of FIG. 6.

도 8은 도 1을 이용한 라이트 유닛을 나타낸 측 단면도이다.8 is a side cross-sectional view illustrating the light unit using FIG. 1.

Claims (9)

Translated fromKorean

상부가 개방된 캐비티 및 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 전극을 포함하는 패키지 몸체;A package body including a cavity having an upper opening and a plurality of electrodes disposed in the cavity;상기 캐비티 내에 배치되며 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결된 발광 다이오드;A light emitting diode disposed in the cavity and electrically connected to the plurality of electrodes;상기 캐비티 내에 배치된 상기 발광 다이오드를 덮는 형광체층;A phosphor layer covering the light emitting diode disposed in the cavity;상기 형광체층 위에 형성된 투광성 수지층; 및A translucent resin layer formed on the phosphor layer; And상기 투광성 수지층 위에 형성된 렌즈를 포함하며,It includes a lens formed on the light-transmissive resin layer,상기 형광체층은 상기 캐비티의 바닥면부터 상기 캐비티 깊이의 1/4 두께로 형성되는 발광 다이오드 패키지.The phosphor layer is formed of a light emitting diode package is formed to a quarter thickness of the cavity depth from the bottom surface of the cavity.제1항에 있어서, 상기 형광체층은 상기 캐비티 깊이의 3/4 두께까지 더 형성되는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 1, wherein the phosphor layer is further formed to a thickness of 3/4 of the cavity depth.제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2,상기 복수의 전극은 리드 프레임을 포함하고, 상기 복수의 전극 사이에 형성된 절연체를 포함하는 발광 다이오드 패키지.The plurality of electrodes includes a lead frame, the light emitting diode package including an insulator formed between the plurality of electrodes.제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2,상기 캐비티의 측면은 상기 복수의 전극 중 적어도 하나가 배치되는 발광 다이오드 패키지.The side surface of the cavity is a light emitting diode package is disposed at least one of the plurality of electrodes.제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2,상기 복수의 전극 중 적어도 한 전극의 두께는 상기 캐비티의 깊이보다 더 두꺼운 발광 다이오드 패키지.The thickness of at least one of the plurality of electrodes of the light emitting diode package is thicker than the depth of the cavity.제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2,상기 렌즈는 상기 투광성 수지층으로 광을 입사받는 베이스부; 상기 입사광의 일부를 굴절시켜 측면으로 출사시켜 주기 위한 곡면 형태의 굴절부; 및 상기 굴절부의 중심 영역 상에 오목한 형상을 갖고 상기 입사광을 상기 굴절부 및 상기 패키지 몸체의 상면으로 반사시켜 주는 반사부를 포함하는 발광 다이오드 패키지.The lens may include a base portion for receiving light incident on the transparent resin layer; A curved refraction part for refracting a part of the incident light and outputting the light toward the side surface; And a reflecting portion having a concave shape on the center region of the refracting portion and reflecting the incident light to an upper surface of the refracting portion and the package body.제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2,상기 캐비티의 측면은 상기 캐비티 바닥면에 수직한 축을 기준으로 외측 방향으로 경사진 발광 다이오드 패키지.The side surface of the cavity is inclined outwardly relative to the axis perpendicular to the bottom surface of the cavity LED package.제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2,상기 캐비티의 표면 형상은 원 형상 또는 다각형 형상이며, 상기 렌즈의 하면 너비는 상기 캐비티의 상면 너비보다 적어도 크게 형성되는 발광 다이오드 패키지.The surface shape of the cavity is a circular shape or a polygonal shape, the lower surface width of the lens is a light emitting diode package is formed at least larger than the upper surface width of the cavity.삭제delete

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