KR100780285B1 - Dry etching equipment - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

본 발명은 박막의 건식식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dry etching apparatus of a thin film.

종래의 건식식각 장치는 상부 전극에 다수의 홀이 형성되어 있어, 챔버의 상부면으로부터 주입된 반응가스가 상부 전극의 홀을 통해 상부 전극과 하부 전극 사이의 반응영역으로 이동하여 플라즈마를 형성한다. 상부 전극은 일반적으로 알루미늄계 물질로 형성되고, 반응가스에 상부 전극이 부식되는 것을 방지하기 위해 보호막으로 덮여 있다. 그런데, 이러한 보호막은 홀 부분에서 결합력이 약하기 때문에, 플라즈마 형성시 크랙이 발생하고 이에 따라 기판 상에 불순물이 떨어지게 된다.In the conventional dry etching apparatus, a plurality of holes are formed in the upper electrode, so that the reaction gas injected from the upper surface of the chamber moves to the reaction region between the upper electrode and the lower electrode through the hole of the upper electrode to form a plasma. The upper electrode is generally formed of an aluminum-based material and covered with a protective film to prevent the upper electrode from corroding to the reaction gas. However, since the protective film has a weak bonding force in the hole portion, cracks are generated during plasma formation, and impurities fall on the substrate.

본 발명에서는 상부 전극에 홀을 형성하지 않고 상부 전극 외곽에 다수의 노즐을 형성하여 반응가스를 분사한다. 따라서, 플라즈마 발생시 상부 전극의 보호막에 크랙이 발생하지 않고, 보호막에 의한 불순물의 발생도 방지할 수 있다.
In the present invention, a plurality of nozzles are formed outside the upper electrode without forming a hole in the upper electrode to inject the reaction gas. Accordingly, cracks do not occur in the protective film of the upper electrode during plasma generation, and generation of impurities by the protective film can be prevented.

건식식각, 노즐,Dry etching,

Description

Translated fromKorean

건식식각 장치{an apparatus for dry etching}Apparatus for dry etching            

도 1은 종래의 건식시각 장치에 대한 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional dry visual device.

도 2는 종래의 건식식각 장치의 상부 전극에 대한 평면도.2 is a plan view of the upper electrode of the conventional dry etching device.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 건식식각 장치의 단면도.3 is a cross-sectional view of a dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 건식식각 장치의 상부 전극에 대한 평면도.4 is a plan view of the upper electrode of the dry etching apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 건식식각 장치의 단면도.5 is a cross-sectional view of a dry etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 건식식각 장치의 상부 전극에 대한 평면도.
6 is a plan view of the upper electrode of the dry etching apparatus according to the second embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110 : 챔버111 : 배기구110: chamber 111: exhaust port

112 : 가스주입구121 : 하부 전극112gas inlet 121 lower electrode

122 : 기판123 : 하부 실드122: substrate 123: lower shield

131 : 상부 전극 132 : 노즐131: upper electrode 132: nozzle

133 : 상부 실드133: upper shield

본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막의 건식식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a dry etching device of a thin film.

최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 고밀도의 집적회로 제작 및 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었다.Recently, with the rapid development of the information society, the necessity of a flat panel display having excellent characteristics such as high density integrated circuit fabrication, thinning, light weight, and low power consumption has emerged.

집적회로는 그 집적도에 따라 고밀도 집적회로(large scale integration ; LSI)와 초고밀도 집적회로(very large scale integration ; VLSI) 등으로 나누어진다.Integrated circuits are classified into large scale integration (LSI), very large scale integration (VLSI), and the like according to their integration degree.

한편, 평판 표시 장치 중 해상도, 컬러표시, 화질 등의 장점을 가지는 액정 표시 장치(liquid crystal display)가 널리 이용되고 있는데, 액정 표시 장치는 다수의 박막 트랜지스터가 배열되어 있는 어레이 기판을 포함한다.On the other hand, a liquid crystal display (liquid crystal display) having advantages such as resolution, color display, image quality, etc. of the flat panel display device is widely used, the liquid crystal display includes an array substrate in which a plurality of thin film transistors are arranged.

이러한 액정 표시 장치의 어레이 기판 및 고밀도 집적회로는 박막을 증착하고 사진 식각하는 공정을 반복함으로써 이루어진다.An array substrate and a high density integrated circuit of such a liquid crystal display device are formed by repeating a process of depositing and photographic etching a thin film.

사진 식각은 감광막(photoresist)의 도포 및 베이킹, 노광, 현상, 그리고 박막의 식각으로 이루어지는데, 박막의 식각방법은 가스 플라즈마를 이용한 건식식각(dry etching)법과 화학용액을 이용한 습식식각(wet etching)법으로 크게 나누어진다.Photolithography consists of application and baking of photoresist, exposure, development, and etching of thin films. The etching methods of thin films are dry etching using gas plasma and wet etching using chemical solution. It is largely divided by law.                        

습식식각법은 주로 배선에 사용되는 금속막이나 화소 전극에 사용되는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide ; ITO)의 패턴 형성에 적용되며, 양호한 선택비(selectivity)와 대면적에서의 식각 균일도, 생산성 등이 우수하고 저가격화가 가능하며, 세정 효과를 동시에 얻을 수 있는 장점이 있다.Wet etching is mainly applied to the formation of indium-tin-oxide (ITO) patterns used for metal films or pixel electrodes used for wiring, and has good selectivity and large area etching. It is excellent in uniformity, productivity and the like, and it is possible to reduce the price and to obtain a cleaning effect at the same time.

이러한 습식식각법은 디핑(dipping) 방식과 스프레이(spray) 방식이 있는데, 디핑 방식은 기판을 화학 용액에 담그는 방식이고, 스프레이 방식은 화학 용액을 기판에 뿌려주는 방식으로, 이들을 혼합하여 사용하기도 한다.These wet etching methods include a dipping method and a spray method. The dipping method is a method of dipping a substrate in a chemical solution, and the spray method is a method in which a chemical solution is sprayed onto a substrate. .

박막을 디핑 방식으로 식각할 경우, 여러 장의 기판을 하나의 용기(bath)에 넣어 한번에 공정을 진행하는 배치(batch) 방식을 이용할 수 있는데, 이는 대량 생산이 가능하여 제조 비용을 절감할 수 있다.When the thin film is etched by a dipping method, a batch method in which a plurality of substrates are placed in a bath and processed at a time may be used. This may allow mass production to reduce manufacturing costs.

한편, 건식식각법은 절연막이나 반도체층의 패턴 형성시 주로 이용되며, 패턴의 정밀도가 습식식각법에 비해 우수하다.On the other hand, the dry etching method is mainly used when forming the pattern of the insulating film or the semiconductor layer, the pattern accuracy is superior to the wet etching method.

이러한 건식식각법에서는, 챔버(chamber)에 유입된 반응가스가 일정 압력하에서 플라즈마 방전되는데, 이때 생성된 이온이나 라디칼(radical)에 의해 물리적 충돌이나 화학적 반응으로 박막의 식각이 이루어진다.In such a dry etching method, the reaction gas introduced into the chamber is plasma discharged under a constant pressure, and the thin film is etched by physical collision or chemical reaction by the generated ions or radicals.

건식식각법은 반응 방식에 따라 플라즈마 식각(plasma etching) 방식과 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 방식으로 나눌 수 있다.Dry etching may be classified into a plasma etching method and a reactive ion etching method according to a reaction method.

플라즈마 식각 방식은 생성된 반응 물질 중 주로 라디칼이 화학적 반응에 의하여 식각에 이용된다. 라디칼은 분자가 여기된 중성 상태이기 때문에 전기장 방향에 영향을 받지 않는다. 따라서, 전기장 방향에 관계없이 식각비(etching ratio)가 동일하여 등방성(isotropy) 식각 양상을 보이며, 물리적 충돌이 적어 하부막에 대한 영향이 적고 선택적 식각에 유리하다.In the plasma etching method, mainly radicals of the generated reactants are used for etching by chemical reaction. The radicals are not affected by the direction of the electric field because the molecules are in a neutral state where they are excited. Therefore, the etching ratio is the same regardless of the electric field direction (isotropy) etching, the physical impact is small, there is little effect on the lower layer is advantageous for selective etching.

이에 비해, 반응성 이온 식각은 생성된 반응 물질 중 주로 이온이 전기장에 의해 가속되어 박막과 충돌함으로써 식각되는데, 이온은 전기장 방향으로 가속운동을 하므로 식각비가 방향에 따라 다르기 때문에, 이방성(anisotropy) 식각이 이루어진다.In contrast, reactive ion etching is mainly performed by etching ions accelerated by an electric field and colliding with a thin film. However, since an etch ratio varies depending on the direction since ions accelerate in an electric field direction, anisotropy etching is performed. Is done.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 플라즈마를 이용한 종래의 건식식각 장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a conventional dry etching apparatus using plasma will be described with reference to the accompanying drawings.

건식식각 장치는 처리되는 대상물을 가지는 밀폐된 반응용기인 챔버와, 챔버로 인입되는 기체물질을 저장하고 이를 챔버 내부로 유입하는 가스 도입부, 그리고 가스 도입부로부터 유입되는 기체물질을 챔버내에서 플라즈마로 변화시키기 위하여 챔버 내부와 전기적으로 연결되는 전력 공급부로 이루어진다.The dry etching apparatus includes a chamber, which is a sealed reaction container having an object to be treated, a gas inlet for storing gas material introduced into the chamber and introducing the gas material into the chamber, and a gas material flowing from the gas inlet into plasma in the chamber. It consists of a power supply that is electrically connected to the inside of the chamber to make.

도 1은 종래의 건식식각 장치의 챔버를 도시한 단면도이고, 도 2는 종래의 건식식각 장치의 상부 전극 부분에 대한 평면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a chamber of a conventional dry etching apparatus, and FIG. 2 is a plan view of an upper electrode portion of a conventional dry etching apparatus.

도시한 바와 같이, 반응용기인 챔버(10)의 상면에는 가스 도입부(도시하지 않음)로부터 반응가스를 챔버(10) 내부로 유입하기 위한 가스주입구(12)가 형성되어 있으며, 챔버(10)의 하면에는 챔버(10) 내부의 공기를 배출하기 위한 배기구(11)가 형성되어 있다. 챔버(10) 내에는 하부 전극(21)과 상부 전극(31)이 일정 간격을 가지고 배치되어 있으며, 두 전극(21, 31) 사이의 공간은 반응영역이 된다. 상부 전극(31)은 접지되어 있으며, 다수 개의 홀(32)을 가지고 있고, 상부 전극(31) 위에는 제 1 내지 제 3 가스 분사판(41, 42, 43)이 각각 배치되어 있는데, 제 1 내지 제 3 가스 분사판(41, 42, 43)은 가스주입구(12)를 통해 챔버(10) 내부로 유입된 가스의 분포를 고르게 하기 위한 것이다. 따라서, 챔버(10) 내로 유입된 가스는 가스 분사판(41, 42, 43)을 통해 고른 분포로 상부 전극(31)에 전달되고, 상부 전극(31)의 홀을 통해 상부 전극(31)과 하부 전극(21) 사이의 반응영역으로 확산되어 보내진다.As shown, agas inlet 12 for introducing a reaction gas into thechamber 10 from a gas inlet (not shown) is formed on the upper surface of thechamber 10 that is a reaction container, Anexhaust port 11 for discharging air in thechamber 10 is formed on the lower surface. In thechamber 10, thelower electrode 21 and theupper electrode 31 are arranged at regular intervals, and the space between the twoelectrodes 21 and 31 becomes a reaction region. Theupper electrode 31 is grounded, has a plurality ofholes 32, and first to thirdgas jet plates 41, 42, and 43 are disposed on theupper electrode 31, respectively. The thirdgas jet plates 41, 42, 43 are for evenly distributing the gas introduced into thechamber 10 through thegas inlet 12. Therefore, the gas introduced into thechamber 10 is delivered to theupper electrode 31 in an even distribution through thegas injection plates 41, 42, and 43, and theupper electrode 31 and the hole through the hole of theupper electrode 31. The diffusion is sent to the reaction region between thelower electrodes 21.

다음, 하부 전극(21) 상에는 처리되는 대상물 즉, 패터닝될 박막을 포함하는 기판(22)이 안치된다. 하부 전극(21)은 외부의 전력 공급부와 연결되어 무선주파수(radio frequency)를 가지는 전압이 인가된다.Next, thesubstrate 22 including the object to be processed, that is, the thin film to be patterned, is placed on thelower electrode 21. Thelower electrode 21 is connected to an external power supply so that a voltage having a radio frequency is applied.

하부 전극(21) 및 상부 전극(31)의 둘레에는 차폐물인 실드(shield)(23, 33)가 형성되어 있는데, 특히 상부 실드(33)는 일부가 반응영역 내에까지 연장되어 있어, 플라즈마 밀도가 기판(22)에 대응하는 부분에서 높아지도록 하는 역할을 한다.Shields 23 and 33, which are shields, are formed around thelower electrode 21 and theupper electrode 31. Particularly, theupper shield 33 extends partially within the reaction region, so that the plasma density is increased. It serves to increase in the portion corresponding to thesubstrate 22.

이와 같은 건식식각 장치에서는 상부 전극(31)에 다수의 홀(32)이 형성되어 있으므로, 가스의 분사를 고르게 하여 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있으나, 제 1 내지 제 3 가스 분사판(41, 42, 43)과 같은 분사판이 필요하고, 이러한 가스 분사판(41, 42, 43)은 구조가 복잡하여 제조하는데 있어 많은 비용이 드는 단점이 있다.In the dry etching apparatus, since the plurality ofholes 32 are formed in theupper electrode 31, the plasma density may be uniform by uniformly injecting the gas, but the first to thirdgas ejection plates 41 and 42 may be used. , 43, and the like, and thegas injection plate 41, 42, 43 has a disadvantage in that the structure is complicated and expensive to manufacture.

한편, 일반적으로 건식식각 장치의 전극 재료로는 알루미늄(aluminium)을 사용하며, 반응가스에 의해 전극이 부식되는 것을 방지하기 위해 양극산화시켜 전극의 표면에 얇은 보호막을 형성한다. 그런데, 이러한 보호막은 홀(32) 부분에서 결 합력이 약하기 때문에, 플라즈마 발생시 홀(32) 부분에서 크랙(crack)이 발생하며 또한 일부가 분리되어 기판(도 1의 22) 상에 떨어지게 되므로, 식각 불량이 나타나게 된다.
In general, aluminum is used as an electrode material of a dry etching apparatus, and in order to prevent corrosion of the electrode by the reaction gas, anodization is performed to form a thin protective film on the surface of the electrode. However, since the passivation layer has a weak bonding force in thehole 32 portion, cracks are generated in thehole 32 portion during plasma generation, and some portions are separated and fall on the substrate (22 in FIG. 1). Defect will appear.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반응 가스가 전극 외곽에서 분사되도록 함으로써, 전극의 보호막에 의한 식각 불량을 방지할 수 있는 건식식각 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to provide a dry etching apparatus that can prevent the etching failure by the protective film of the electrode by allowing the reaction gas is injected from the outer electrode. .

본 발명의 다른 목적은 구조가 간단하며 제조 비용을 감소시킬 수 있는 건식식각 장치를 제공하는 것이다.
It is another object of the present invention to provide a dry etching apparatus which is simple in structure and which can reduce manufacturing costs.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 건식식각 장치는 챔버와 챔버 내부에 위치하는 상부 전극, 그리고 상부 전극과 이격되어 위치하고 처리되는 대상물이 안치되는 하부 전극과, 반응가스를 챔버 내부로 유입하는 가스유입부, 상부전극 외곽에 위치하며 가스유입부로부터의 가스를 상부전극과 하부전극 사이로 전달하는 노즐과, 챔버 내부의 공기를 배출시키기 위한 배기부, 그리고 상부 전극 및 하부 전극과 연결되어 있는 전력 공급부를 포함한다.Dry etching apparatus according to the present invention for achieving the above object is the chamber and the upper electrode located inside the chamber, and the lower electrode spaced apart from the upper electrode and the object to be placed, the reaction gas is introduced into the chamber Gas inlet, located outside the upper electrode, a nozzle for transferring gas from the gas inlet between the upper electrode and the lower electrode, an exhaust for discharging air in the chamber, and the power connected to the upper electrode and the lower electrode It includes a supply.

여기서, 건식식각 장치는 상부전극 둘레에 세라믹으로 이루어진 실드를 더 포함할 수 있다.Here, the dry etching apparatus may further include a shield made of ceramic around the upper electrode.                    

노즐은 상부 전극과 실드 사이에 위치할 수 있으며, 또는 실드 바깥쪽에 위치할 수도 있다.The nozzle may be located between the top electrode and the shield, or may be located outside the shield.

이와 같이, 본 발명에 따른 건식식각 장치에서는 상부 전극 외곽에 다수의 노즐을 형성하여 반응가스를 분사함으로써, 플라즈마 발생시 상부 전극의 보호막에 크랙이 발생하는 것을 방지하고, 보호막에 의한 불순물의 발생도 막을 수 있으며, 또한, 가스 분사를 위한 장치의 구조가 간단하고 제조 비용을 감소시킬 수도 있다.As described above, in the dry etching apparatus according to the present invention, a plurality of nozzles are formed outside the upper electrode to inject the reaction gas, thereby preventing cracks in the protective film of the upper electrode during plasma generation, and preventing the generation of impurities by the protective film. In addition, the structure of the device for gas injection can be simple and reduce the manufacturing cost.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 건식식각 장치에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a dry etching apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 건식식각 장치의 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 건식식각 장치의 상부 전극 부분에 대한 평면도이다.3 is a cross-sectional view of a dry etching apparatus according to the present invention, Figure 4 is a plan view of the upper electrode portion of the dry etching apparatus according to the present invention.

도시한 바와 같이, 도시한 바와 같이, 반응용기인 챔버(110)의 상면에는 가스 도입부(도시하지 않음)로부터 반응가스를 챔버(110) 내부로 유입하기 위한 가스주입구(112)가 형성되어 있으며, 챔버(110)의 하면에는 챔버(110) 내부의 공기를 배출하기 위한 배기구(111)가 형성되어 있다. 챔버(110) 내에는 하부 전극(121)과 상부 전극(131)이 일정 간격을 가지고 배치되어 있으며, 두 전극(121, 131)의 사이 공간은 플라즈마가 생성되는 반응영역이 된다. 상부 전극(131)은 접지되어 있고, 상부 전극(131) 둘레에는 세라믹과 같은 물질로 이루어진 실드(133)가 형성되어 있으며, 상부 전극(131)과 실드(133) 사이에는 다수의 노즐(nozzle)(132)이 형성되어 있다. 여기서, 실드(133)는 일부가 반응영역 내에 위치하는 구조로 이루어져 플라즈마가 퍼지는 것을 막으며, 노즐(132)은 실드(133)의 형태를 따라 'ㄴ'자 형태를 이룬다.As shown, as shown, agas inlet 112 for introducing the reaction gas into thechamber 110 from the gas inlet (not shown) is formed on the upper surface of thechamber 110 that is a reaction vessel, Anexhaust port 111 for discharging air in thechamber 110 is formed at a lower surface of thechamber 110. In thechamber 110, thelower electrode 121 and theupper electrode 131 are disposed at a predetermined interval, and the space between the twoelectrodes 121 and 131 becomes a reaction region in which plasma is generated. Theupper electrode 131 is grounded, and ashield 133 made of a material such as ceramic is formed around theupper electrode 131, and a plurality of nozzles are formed between theupper electrode 131 and theshield 133. 132 is formed. Here, theshield 133 has a structure in which a part is located in the reaction region to prevent the plasma from spreading, and thenozzle 132 forms a 'b' shape along the shape of theshield 133.

다음, 하부 전극(121) 상에는 처리되는 대상물 즉, 패터닝될 박막을 포함하는 기판(122)이 안치된다. 하부 전극(121)은 외부의 전력 공급부와 연결되어 무선주파수를 가지는 전압이 인가되며, 하부 전극(121) 둘레에는 세라믹으로 이루어진 차폐물인 실드(123)가 형성되어 있다.Next, asubstrate 122 including an object to be processed, that is, a thin film to be patterned, is placed on thelower electrode 121. Thelower electrode 121 is connected to an external power supply and a voltage having a radio frequency is applied, and ashield 123, which is a shield made of ceramic, is formed around thelower electrode 121.

본 발명에서 상부 전극(131)과 하부 전극(121)은 알루미늄으로 형성할 수 있으며, 플라즈마에 의해 부식되는 것을 방지하기 위해 양극산화시켜 보호막을 형성하는 것이 좋다.In the present invention, theupper electrode 131 and thelower electrode 121 may be formed of aluminum, and may be anodized to form a protective film in order to prevent corrosion by plasma.

한편, 본 발명에서는 가스 분사의 균일도를 높이기 위해 노즐(132)의 끝단을 조절하여, 노즐(132) 끝단이 기판(122) 상면을 골고루 향하도록 한다.Meanwhile, in the present invention, the end of thenozzle 132 is adjusted to increase the uniformity of gas injection, so that the end of thenozzle 132 is evenly directed at the upper surface of thesubstrate 122.

따라서, 본 발명에서는 상부 전극에 가스 분사를 위한 홀을 형성하지 않기 때문에, 상부 전극 표면의 보호막이 분리되어 떨어지는 것을 방지할 수 있으며, 끝의 작은 구멍으로부터 유체를 분출시키는 노즐을 통해 가스를 분사함으로써, 플라즈마 밀도의 균일도가 저하되는 것을 막을 수 있다.Therefore, in the present invention, since the hole for gas injection is not formed in the upper electrode, the protective film on the surface of the upper electrode can be prevented from falling off, and by injecting gas through a nozzle that ejects the fluid from the small hole at the end. The fall of the uniformity of plasma density can be prevented.

앞선 실시예에서는 노즐을 상부 전극과 실드 사이에 배치하였으나, 노즐을 실드 바깥쪽에 배치할 수도 있는데, 이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 건식식각 장치의 단면도 및 상부 전극 부분의 평면도를 도 5와 도 6에 각각 도시하였다. 제 2 실시예는 노즐의 위치를 제외하면, 앞선 제 1 실시예와 동일한 구조를 가지므로 간략하게 설명하기로 한다.In the above embodiment, although the nozzle is disposed between the upper electrode and the shield, the nozzle may be disposed outside the shield. The cross-sectional view of the dry etching apparatus according to the second embodiment of the present invention and a plan view of the upper electrode portion are shown in FIGS. 6, respectively. Since the second embodiment has the same structure as the first embodiment except for the position of the nozzle, it will be briefly described.

도시한 바와 같이 하부의 배기구(211)와 상부의 가스주입구(212)를 가지는 챔버(210) 내에 상부 전극(231)과 하부 전극(221)이 일정 간격을 가지고 배치되어 있고, 하부 전극(221)의 상부에는 시료인 기판(222)이 안치되어 있다. 하부 전극(221) 및 상부 전극(231) 둘레에는 세라믹으로 이루어진 실드(223, 233)가 하부 전극(221)과 상부 전극(231)을 둘러싸고 있으며, 상부 실드(233) 바깥쪽에는 다수의 노즐(232)이 형성되어 실드(233)를 둘러싸고 있다.As shown in the drawing, theupper electrode 231 and thelower electrode 221 are disposed at a predetermined interval in thechamber 210 having thelower exhaust port 211 and the uppergas injection port 212, and thelower electrode 221. On the upper portion of thesubstrate 222, which is a sample, is placed.Shields 223 and 233 made of ceramic surround thelower electrode 221 and theupper electrode 231 and surround thelower electrode 221 and theupper electrode 231, and a plurality of nozzles outside theupper shield 233. 232 is formed surrounding theshield 233.

여기서도 가스 분사의 균일도를 높이기 위해 노즐(232)의 끝단이 기판(222) 상면을 골고루 향하도록 하는 것이 좋다.Here, in order to increase the uniformity of the gas injection, the end of thenozzle 232 may be directed toward the top surface of thesubstrate 222 evenly.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

본 발명에 따른 건식식각 장치에서는 상부 전극 외곽에 다수의 노즐을 형성하여 반응가스를 분사함으로써, 플라즈마 발생시 상부 전극의 보호막에 크랙이 발생하는 것을 방지하고, 보호막에 의한 불순물의 발생도 막을 수 있다. 또한, 가스 분사를 위한 장치의 구조가 간단하며 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
In the dry etching apparatus according to the present invention, by forming a plurality of nozzles around the upper electrode and injecting the reaction gas, cracks may be prevented from occurring in the protective film of the upper electrode during plasma generation, and generation of impurities by the protective film may be prevented. In addition, the structure of the device for gas injection is simple and the manufacturing cost can be reduced.

Claims (5)

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챔버와;A chamber;상기 챔버 내부에 위치하는 상부 전극과;An upper electrode positioned inside the chamber;상기 상부 전극과 이격되어 위치하며 처리되는 대상물이 안치되는 하부 전극과;A lower electrode positioned to be spaced apart from the upper electrode and having an object to be treated placed therein;반응가스를 상기 챔버 내부로 유입하는 가스유입부와;A gas inlet for introducing a reaction gas into the chamber;상기 상부전극의 측면에 위치하며, 상기 가스유입부로 유입된 상기 반응가스를 상기 상부전극과 하부전극 사이로 전달하는 노즐과;A nozzle positioned on a side of the upper electrode and transferring the reaction gas introduced into the gas inlet between the upper electrode and the lower electrode;상기 챔버 내부의 공기를 배출시키기 위한 배기부와;An exhaust unit for discharging air in the chamber;상기 상부 전극 및 하부 전극과 연결되어 있는 전력 공급부A power supply unit connected to the upper and lower electrodes를 포함하는 건식식각 장치.Dry etching apparatus comprising a.제 1 항에 있어서,The method of claim 1,상기 상부전극 둘레에 세라믹으로 이루어진 실드를 더 포함하는 건식식각 장치.Dry etching apparatus further comprises a shield made of a ceramic around the upper electrode.제 2 항에 있어서,The method of claim 2,상기 노즐은 상기 상부 전극과 상기 실드 사이에 위치하는 건식식각 장치.And the nozzle is positioned between the upper electrode and the shield.제 2 항에 있어서,The method of claim 2,상기 노즐은 상기 실드 바깥쪽에 위치하는 건식식각 장치.And the nozzle is located outside the shield.제 1 항에 있어서,The method of claim 1,상기 노즐은 일자형이거나 또는 하단부가 상기 상부 전극의 하부에서 수평하게 연장되는 'ㄴ'자 형태인 것을 특징으로 하는 건식식각 장치.The nozzle is a dry etching apparatus, characterized in that the straight or 'b' shape of the lower end extending horizontally below the upper electrode.

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