KR100699246B1 - Wafer laser sawing device and laser intensity control method - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

본 발명은 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법에 관한 것으로, 그 목적은 수차례의 상이한 레이저 세기로 커팅하여야 하는 레이저 커팅공정에서 공정의 중단 없이 자동으로 연속하여 요구되는 다양한 레이저 세기로 웨이퍼에 대한 커팅공정을 실시할 수 있도록 함으로써 레이저 커팅공정의 생산성을 현저히 향상시킬 수 있는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법을 제공하는 것이며, 그 구성은 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법에 있어서, 상기 레이저 세기 제어방법은 레이저 커팅공정에서 요구되는 셋팅값을 커팅공정 실시전에 미리 셋팅하는 레이저 빔 세기 셋팅단계와; 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계가 완료되었을 때 레이저 커팅대상 웨이퍼가 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계에서 셋팅된 다수개의 셋팅값중 어떤 셋팅값으로 커팅되는 지를 확인하는 셋팅값 확인단계와; 상기 셋팅값 확인단계에서 레이저 커팅대상웨이퍼에 해당되는 셋팅값이 확인되었을 때 해당되는 셋팅값으로 커팅대상웨이퍼를 레이저 커팅하는 레이저커팅단계와; 상기 레이저 커팅단계가 완료되었을 때 다음 커팅대상웨이퍼가 동일한 셋팅값으로 레이저 커팅이 실시되는지를 확인하고, 만약 동일한 셋팅값으로 레이저 커팅되는 것이 확인되었을 때 상기 레이저 커팅단계로 리턴되고, 만약 다른 셋팅값으로 레이저 커팅되어야 할 때 상기 셋팅값 확인단계로 리턴하는 동일커팅확인단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer laser sawing apparatus and a laser intensity control method. The object of the present invention is to provide a method for a wafer with various laser intensities that are continuously and automatically required without interruption in a laser cutting process that requires several different laser intensity cutting. The present invention provides a wafer laser sawing apparatus and a laser intensity control method capable of significantly improving the productivity of a laser cutting process by allowing a cutting process to be performed. The intensity control method includes a laser beam intensity setting step of presetting a setting value required in a laser cutting process before performing a cutting process; A setting value checking step of confirming, when the laser beam intensity setting step is completed, which of the plurality of setting values is set in the laser beam intensity setting step; A laser cutting step of laser cutting the cutting target wafer to the corresponding setting value when the setting value corresponding to the laser cutting target wafer is confirmed in the setting value checking step; When the laser cutting step is completed, the next cutting target wafer checks whether laser cutting is performed at the same setting value, and when it is confirmed that the laser cutting is performed at the same setting value, the laser cutting step is returned to the laser cutting step. When the laser cutting to be characterized in that it consists of the same cutting check step to return to the setting value check step.

Description

Translated fromKorean

웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법{An aperture change device for wafer laser sawing apparatus and control method therefore}An aperture change device for wafer laser sawing apparatus and control method therefore}

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 주요부분의 블록도.1 is a block diagram of an essential part of a wafer laser sawing apparatus according to the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법을 예시한 흐름도.Figure 2 is a flow chart illustrating a method of laser intensity control of the wafer laser sawing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 레이저출력부20: 레이저주파수변조부10: laser output unit 20: laser frequency modulator

30: 제어부S100: 레이저 빔 세기 셋팅단계30: control unit S100: laser beam intensity setting step

S200: 셋팅값 확인단계S300: 레이저커팅단계S200: setting value checking step S300: laser cutting step

S400: 동일커팅확인단계S400: same cutting check step

본 발명은 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수 차례의 상이한 레이저 세기로 커팅하여야 하는 레이저 커팅공정에서 공정의 중단 없이 자동으로 연속하여 요구되는 다양한 레이저 세기로 웨이퍼에 대한 커팅공정을 실시할 수 있도록 함으로써 레이저 커팅공정의 생산성을 현저히 향상시킬 수 있는 구조를 갖도록 한 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer laser sawing device and a laser intensity control method, and more particularly, to a wafer with various laser intensities continuously and continuously required without interruption in a laser cutting process in which several different laser intensities must be cut. The present invention relates to a wafer laser sawing apparatus and a laser intensity control method which have a structure capable of significantly improving the productivity of a laser cutting process by allowing the cutting process to be performed.

일반적으로, 종래의 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치는 작업자가 수동으로 조작하여 레이저 빔의 세기를 조절하는 세기 조절기를 구비하고 있으며, 커팅대상웨이퍼의 레이저 커팅시 다양한 세기의 레이저 빔을 사용하여 웨이퍼를 레이저 커팅하게되는데 이때 작업자는 레이저 빔의 세기를 달리할 때마다 레이저 커팅을 일시중지한 상태에서 요구되는 세기의 레이저 빔이 셋팅되도록 세기 조절기를 수동으로 조작한 후 재차 레이저 커팅을 실시하도록 하고 있다. 즉, 종래의 레이저 쏘잉 장치는 장착된 어퍼쳐를 교환하는 물리적인 방식으로 레이저 빔의 세기를 제어하기 때문에 어퍼쳐의 교환 작동시 레이저 쏘잉 장치의 가동을 일시중지한 후 요구되는 어펴쳐로 장착이 완료되었을 때 재차 레이저 쏘잉 장치가 가동되어 웨이퍼에 대한 커팅공정을 실시하도록 되어 있다.In general, a conventional wafer laser sawing apparatus is provided with an intensity controller for adjusting the intensity of the laser beam by a manual operation by an operator, and laser cutting the wafer using laser beams of various intensities when laser cutting the wafer to be cut. At this time, the operator is to perform laser cutting again after manually operating the intensity adjuster so that the laser beam of the required intensity is set in the state in which the laser cutting is paused whenever the intensity of the laser beam is changed. That is, the conventional laser sawing device controls the intensity of the laser beam in a physical manner in which the mounted aperture is exchanged. Therefore, the laser sawing device may be mounted with the required aperture after pausing the operation of the laser sawing device during the exchange operation of the aperture. When completed, the laser sawing device is operated again to perform the cutting process for the wafer.

그러나, 상기와 같은 종래의 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치는 레이저 빔의 세기를 조절해야할 때마다 작업자가 수동으로 세기 조절기를 조작하여야 함으로 웨이퍼의 레이저 커팅공정을 자동화시키는데 지장을 초래하고 있을 뿐만 아니라 레이저 빔의 세기조절 때마다 레이저 커팅공정을 일시중지시켜야 함으로 생산성도 현저히 저하 된다는 문제점이 있었다.However, the conventional wafer laser sawing apparatus as described above not only interferes with automating the laser cutting process of the wafer because the operator must manually operate the intensity controller whenever the intensity of the laser beam needs to be adjusted, as well as the intensity of the laser beam. There was a problem that the productivity is significantly reduced because the laser cutting process should be paused every time adjustment.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 고려하여 안출한 것으로써, 그 목적은 수 차례의 상이한 세기로 커팅하여야 하는 레이저 커팅공정에서 공정의 중단 없이 자동으로 연속하여 요구되는 다양한 레이저 세기로 웨이퍼에 대한 레이저 커팅공정을 실시할 수 있도록 함으로써 레이저 커팅공정의 생산성을 현저히 향상시킬 수 있는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide a wafer with various laser intensities that are continuously and automatically required without interruption in a laser cutting process that requires several different intensities. It is possible to provide a wafer laser sawing apparatus that can significantly improve the productivity of the laser cutting process by enabling the laser cutting process.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치를 제어하여 레이저 커팅공정을 자동화시킬 수 있는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a laser intensity control method of a wafer laser sawing apparatus capable of automating a laser cutting process by controlling the wafer laser sawing apparatus according to the present invention.

상기 본 발명의 목적은 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치에 있어서, 상기 장치는 레이저출력부와 전기적으로 연결되어 출력될 레이저의 주파수를 변조하는 레이저주파수변조부와; 상기 레이저주파수변조부와 전기적으로 연결되어 작업자에 의해 하나 또는 그 이상의 레이저 빔 세기 및 커팅순서로 구성되는 다수개의 셋팅값이 사전 셋팅되어 저장되고, 커팅대상웨이퍼에 대한 레이저 커팅시 커팅대상웨이퍼에 해당되는 셋팅값으로 커팅대상웨이퍼를 레이저커팅할 수 있도록 레이저주파수변조부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치에 의해 달성될 수 있는 것이다.An object of the present invention is a wafer laser sawing apparatus, comprising: a laser frequency modulator for electrically modulating a frequency of a laser to be output by being electrically connected to a laser output unit; A plurality of setting values, which are electrically connected to the laser frequency modulator and configured by one or more laser beam intensities and a cutting order, are preset and stored by a worker, and correspond to a cutting target wafer when laser cutting on the cutting target wafer. It can be achieved by a wafer laser sawing device comprising a control unit for controlling the laser frequency modulator to laser cut the wafer to be cut to the setting value.

또한, 본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법에 있어서, 상기 레이저 세기 제어방법은 레이저 커팅공정에서 요구되는 셋팅값을 커팅공정 실시전에 미리 셋팅하는 레이저 빔 세기 셋팅단계와; 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계가 완료되었을 때 레이저 커팅대상 웨이퍼가 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계에서 셋팅된 다수개의 셋팅값중 어떤 셋팅값으로 커팅되는 지를 확인하는 셋팅값 확인단계와; 상기 셋팅값 확인단계에서 레이저 커팅대상웨이퍼에 해당되는 셋팅값이 확인되었을 때 해당되는 셋팅값으로 커팅대상웨이퍼를 레이저 커팅하는 레이저커팅단계와; 상기 레이저 커팅단계가 완료되었을 때 다음 커팅대상웨이퍼가 동일한 셋팅값으로 레이저 커팅이 실시되는지를 확인하고, 만약 동일한 셋팅값으로 레이저 커팅되는 것이 확인되었을 때 상기 레이저 커팅단계로 리턴되고, 만약 다른 셋팅값으로 레이저 커팅되어야 할 때 상기 셋팅값 확인단계로 리턴하는 동일커팅확인단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어 방법에 의해 달성될 수 있는 것이다.In addition, another object of the present invention is a laser intensity control method of a wafer laser sawing apparatus, the laser intensity control method comprising: a laser beam intensity setting step of presetting a setting value required in a laser cutting process before performing a cutting process; A setting value checking step of confirming, when the laser beam intensity setting step is completed, which of the plurality of setting values is set in the laser beam intensity setting step; A laser cutting step of laser cutting the cutting target wafer to the corresponding setting value when the setting value corresponding to the laser cutting target wafer is confirmed in the setting value checking step; When the laser cutting step is completed, the next cutting target wafer checks whether laser cutting is performed at the same setting value, and when it is confirmed that the laser cutting is performed at the same setting value, the laser cutting step is returned to the laser cutting step. When the laser cutting is to be achieved by the laser intensity control method of the wafer laser sawing device, characterized in that consisting of the same cutting check step to return to the setting value check step.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a wafer laser sawing apparatus and a laser intensity control method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 주요부분의 블록도이며, 도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법을 예시한 흐름도이다.1 is a block diagram of a main part of a wafer laser sawing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a flowchart illustrating a laser intensity control method of the wafer laser sawing apparatus according to the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치는 레이저주파수변조부(20)와 제어부(30)를 포함한다.1 and 2, a wafer laser sawing apparatus according to the present invention includes alaser frequency modulator 20 and acontroller 30.

상기 레이저주파수변조부(20)는 레이저를 출력하는 레이저출력부(10)와 전기적으로 연결되어 출력될 레이저의 주파수의 수치값을 변조한다.Thelaser frequency modulator 20 is electrically connected to thelaser output unit 10 for outputting a laser to modulate the numerical value of the frequency of the laser to be output.

상기 제어부(30)는 상기 레이저주파수변조부(20)와 전기적으로 연결되어 작업자에 의해 하나 또는 그 이상의 레이저 빔 세기 및 커팅순서로 구성되는 다수개의 셋팅값이 사전 셋팅되어 저장되고, 커팅대상웨이퍼에 대한 레이저 커팅시 커팅대상웨이퍼에 해당되는 셋팅값으로 커팅대상웨이퍼를 레이저커팅할 수 있도록 레이저주파수변조부(20)를 제어한다.Thecontroller 30 is electrically connected to thelaser frequency modulator 20 and is pre-set and stored by a worker in a plurality of setting values consisting of one or more laser beam intensities and a cutting order, and are stored on a cutting target wafer. The laserfrequency modulation unit 20 is controlled to laser cut the cutting target wafer to a setting value corresponding to the cutting target wafer during the laser cutting.

또한, 상기 제어부(30)에는 하기 될 본 발명에 따른 레이저 세기 제어방법이 프로그램되어 탑재됩으로써, 상기 레이저출력부(10)로부터 출력되는 레이저 빔의 세기가 요구되는 세기 및 순서로 자동조절될 수 있는 것이다.In addition, thecontrol unit 30 is programmed with a laser intensity control method according to the present invention to be described below, the intensity of the laser beam output from thelaser output unit 10 can be automatically adjusted in the required intensity and order. It is.

본 발명에 따른 레이저 세기 제어방법은 레이저 빔 세기 셋팅단계(S100)와, 셋팅값 확인단계(S200)와, 레이저커팅단계(S300)와, 동일커팅확인단계(S400)로 구성된다.The laser intensity control method according to the present invention comprises a laser beam intensity setting step (S100), a setting value checking step (S200), a laser cutting step (S300), and the same cutting check step (S400).

상기 레이저 빔 세기 셋팅단계(S100)는 레이저 커팅공정에서 요구되는 하나 이상의 셋팅값을 커팅공정 실시전에 미리 셋팅하는데 이때 상기 셋팅값은 하나 이상의 레이저 빔 세기 값과 레이저 빔 세기의 조절순서로 이루어지며, 상기 레이저 빔 세기 값은 요구되는 레이저 빔 세기를 출력할 수 있는 레이저 주파수의 수치값이다. 즉, 레이저 빔의 세기는 주파수의 수치값이 높을수록 낮아지고, 주파수의 수치값이 낮을수록 높아지는 반비례 관계이다.The laser beam intensity setting step (S100) is set in advance one or more setting values required in the laser cutting process before the cutting process, wherein the setting value is made of one or more laser beam intensity values and the control sequence of the laser beam intensity, The laser beam intensity value is a numerical value of the laser frequency capable of outputting the required laser beam intensity. That is, the intensity of the laser beam is inversely proportional to the lower the numerical value of the frequency and the higher the numerical value of the frequency.

상기 셋팅값 확인단계(S200)는 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계(S100)가 완료되었을 때 레이저 커팅대상 웨이퍼가 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계(S100)에서 셋팅된 다수개의 셋팅값중 어떤 셋팅값으로 커팅되는 지를 확인한다.In the setting value checking step S200, when the laser beam intensity setting step S100 is completed, a laser cutting target wafer is cut to any one of a plurality of setting values set in the laser beam intensity setting step S100. Check it.

상기 레이저커팅단게(S300)는 상기 셋팅값 확인단계(S200)에서 레이저 커팅대상웨이퍼에 해당되는 셋팅값이 확인되었을 때 해당되는 셋팅값으로 커팅대상웨이 퍼를 레이저 커팅한다.The laser cutting step S300 laser cuts the cutting target wafer to the corresponding setting value when the setting value corresponding to the laser cutting target wafer is confirmed in the setting value checking step S200.

상기 동일커팅확인단계(S400)는 상기 레이저 커팅단계(S300)가 완료되었을 때 다음 커팅대상웨이퍼가 동일한 셋팅값으로 레이저 커팅이 실시되는지를 확인하고, 만약 동일한 셋팅값으로 레이저 커팅되는 것이 확인되었을 때 상기 레이저 커팅단계(S300)로 리턴되고, 만약 다른 셋팅값으로 레이저 커팅되어야 할 때 상기 셋팅값 확인단계(S200)로 리턴한다.When the same cutting confirmation step (S400) is the laser cutting step (S300) is completed, the next cutting target wafer checks whether laser cutting is performed at the same setting value, and if it is confirmed that the laser cutting to the same setting value Return to the laser cutting step (S300), and if it is to be laser cut to another setting value and returns to the setting value check step (S200).

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법은 레이저 커팅공정 실시전에 커팅공정에 사용될 다양한 레이저 세기 및 조절순서에 해당되는 값으로 이루어진 하나 이상의 셋팅값을 미리 셋팅하고, 레이저 커팅공정시 셋팅된 셋팅값에 따라 자동으로 레이저 빔의 세기가 조절됨으로 레이저 커팅공정을 완전 자동화시킬 수 있어 생산성의 현저히 향상시킴은 물론 인건비 절감등으로 제작단가도 낮출 수 있는 것이다.The wafer laser sawing apparatus and the laser intensity control method according to the present invention having the above-described configuration may preset one or more setting values including values corresponding to various laser intensities and adjustment procedures to be used in the cutting process before the laser cutting process is performed. The intensity of the laser beam is automatically adjusted according to the setting value set during the laser cutting process, thus fully automating the laser cutting process, thereby significantly improving productivity and lowering manufacturing costs by reducing labor costs.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치 및 레이저 세기 제어방법은 수차례의 상이한 레이저 세기로 커팅하여야 하는 레이저 커팅공정에서 공정의 중단 없이 자동으로 연속하여 요구되는 다양한 레이저 세기로 웨이퍼에 대한 레이저 커팅공정을 실시할 수 있도록 함으로써 레이저 커팅공정의 생산성을 현저히 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.The wafer laser sawing apparatus and the laser intensity control method according to the present invention having the configuration as described above are applied to the wafer at various laser intensities continuously and continuously required without interruption of the process in the laser cutting process in which several different laser intensities must be cut. By allowing the laser cutting process to be performed, the productivity of the laser cutting process can be significantly improved.

Claims (4)

Translated fromKorean

웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법에 있어서, 상기 레이저 세기 제어방법은 레이저 커팅공정에서 요구되는 하나 이상의 셋팅값을 커팅공정 실시전에 미리 셋팅하는 레이저 빔 세기 셋팅단계(S100)와; 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계(S100)가 완료되었을 때 레이저 커팅대상 웨이퍼가 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계(S100)에서 셋팅된 다수개의 셋팅값중 어떤 셋팅값으로 커팅되는 지를 확인하는 셋팅값 확인단계(S200)와; 상기 셋팅값 확인단계(S200)에서 레이저 커팅대상웨이퍼에 해당되는 셋팅값이 확인되었을 때 해당되는 셋팅값으로 커팅대상웨이퍼를 레이저 커팅하는 레이저커팅단계(S300)와; 상기 레이저 커팅단계(S300)가 완료되었을 때 다음 커팅대상웨이퍼가 동일한 셋팅값으로 레이저 커팅이 실시되는지를 확인하고, 만약 동일한 셋팅값으로 레이저 커팅되는 것이 확인되었을 때 상기 레이저 커팅단계(S300)로 리턴되고, 만약 다른 셋팅값으로 레이저 커팅되어야 할 때 상기 셋팅값 확인단계(S200)로 리턴하는 동일커팅확인단계(S400)로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법.A laser intensity control method of a wafer laser sawing apparatus, the laser intensity control method comprising: a laser beam intensity setting step (S100) of presetting at least one setting value required in a laser cutting process before performing a cutting process; When the laser beam intensity setting step (S100) is completed, a setting value checking step (S200) of checking which of the plurality of setting values set in the laser beam intensity setting step (S100) are cut. )Wow; A laser cutting step (S300) of laser cutting the cutting target wafer to the corresponding setting value when the setting value corresponding to the laser cutting target wafer is confirmed in the setting value checking step (S200); When the laser cutting step S300 is completed, the next cutting target wafer checks whether laser cutting is performed at the same setting value, and if it is confirmed that the laser cutting is performed at the same setting value, it returns to the laser cutting step S300. And the same cutting check step (S400) of returning to the setting check step (S200) when laser cutting to another setting value is performed.제1항에 있어서, 상기 레이저 빔 세기 셋팅단계(S100)의 각각의 셋팅값은 하나 이상의 레이저 빔 세기 값과 레이저 빔 세기의 조절순서로 이루어 진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법The method according to claim 1, wherein each setting value of the laser beam intensity setting step (S100) comprises at least one laser beam intensity value and a control sequence of the laser beam intensity.제 2항에 있어서, 상기 레이저 빔 세기 값은 레이저 주파수의 수치값인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 레이저 세기 제어방법.3. The method of claim 2, wherein the laser beam intensity value is a numerical value of a laser frequency.웨이퍼 레이저 쏘잉 장치에 있어서, 상기 장치는 레이저출력부(10)와 전기적으로 연결되어 출력될 레이저의 반복 주파수를 변조하는 레이저주파수변조부(20)와; 상기 레이저주파수변조부(20)와 전기적으로 연결되어 작업자에 의해 하나 또는 그 이상의 레이저 빔 세기 및 커팅순서로 구성되는 다수개의 셋팅값이 사전 셋팅되어 저장되고, 커팅대상웨이퍼에 대한 레이저 커팅시 커팅대상웨이퍼에 해당되는 셋팅값으로 커팅대상웨이퍼를 레이저커팅할 수 있도록 레이저주파수변조부(20)를 제어하는 제어부(30)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치.In the wafer laser sawing apparatus, the apparatus comprises: a laser frequency modulator (20) which is electrically connected to the laser output unit (10) and modulates the repetition frequency of the laser to be output; A plurality of setting values, which are electrically connected to the laser frequency modulator 20 and configured by one or more laser beam intensities and a cutting order, are preset and stored by an operator, and are cut during laser cutting of the wafer to be cut. Wafer laser sawing apparatus comprising a control unit (30) for controlling the laser frequency modulator 20 to laser-cut the wafer to be cut to a setting value corresponding to the wafer.

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