KR100699161B1 - Light emitting device package and manufacturing method thereof - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 양극 산화(Anodic oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 서브마운트 기판을 양분(兩分)하고, 이 양분된 영역 중 한 영역에 발광 소자를 실장하고, 양분된 다른 한 영역에 발광 소자와 전기적으로 연결한 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same, wherein the conductive submount substrate is bisected into an insulating region oxidized by an anodic oxidation method, and the light emitting device is disposed in one of the divided regions. By mounting and implementing a package electrically connected to the light emitting device in another divided region, there is an effect of simplifying the package structure and reducing the manufacturing cost.

또한, 본 발명은 알루미늄 서브마운트 기판을 통하여 실장된 고출력 발광 소자에 고 전류를 안정적으로 공급하여 고 신뢰성의 패키지를 구현할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of stably supplying a high current to the high output light emitting device mounted through the aluminum submount substrate to implement a package of high reliability.

게다가, 본 발명은 발광 소자에서 방출되는 열 전달 경로를 짧게하여 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of improving the heat dissipation efficiency by shortening the heat transfer path emitted from the light emitting device.

Description

Translated fromKorean

발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 { Light emitting device package and method for manufacturing the same } Light emitting device package and method for manufacturing the same

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 개략적으로 도시한단면도1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a LED package according to the prior art

도 2는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 사시도2 is a schematic perspective view of a light emitting device package according to the present invention;

도 3a와 3b는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에 실장되는 발광 소자를 설명하기 위한 단면도3A and 3B are cross-sectional views illustrating a light emitting device mounted on a light emitting device package according to the present invention.

도 4a 내지 4d는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 여러 실시예를 설명하기 위한 단면도4A to 4D are cross-sectional views illustrating various embodiments of light emitting device packages according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에 실장된 발광소자에서 방출되는 광의 경로를 설명하기 위한 개념도5 is a conceptual diagram illustrating a path of light emitted from a light emitting device mounted on a light emitting device package according to the present invention.

도 6a 내지 6f는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지를 제조하는 공정을 설명하기 위한 단면도6A to 6F are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a light emitting device package according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 홈에 반사막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도7 is a cross-sectional view illustrating a process of forming a reflective film in a groove of a light emitting device package according to the present invention.

도 8a와 8b는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 하부에 솔더를 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도8A and 8B are cross-sectional views illustrating a process of forming solder in a lower portion of a light emitting device package according to the present invention.

도 9a 내지 9g는 본 발명에 따른 복수개의 발광 소자 패키지들을 서브마운트 기판에 제조하는 공정을 설명하기 위한 개략적인 단면도9A to 9G are schematic cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a plurality of light emitting device packages on a submount substrate according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 전도성 서브마우트 기판 110 : 제 1 영역100 conductivesubmount substrate 110 first region

115,115a,130,130a : 홈 120 : 제 2 영역115, 115a, 130, 130a: groove 120: second region

121 : 전극패드 135 : 산화막121: electrode pad 135: oxide film

140 : 전도성 반사막 141,142 : 솔더140: conductive reflective film 141,142: solder

150 : 비전도성 반사막 151 : 개구150: non-conductive reflecting film 151: opening

200 : 발광 소자 201,202,203,204 : 금속패드200: light emitting device 201,202,203,204: metal pad

210 : 와이어 500 : 산화 억제층210: wire 500: antioxidant layer

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양극 산화(Anodic oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 서브마운트 기판을 양분(兩分)하고, 이 양분된 영역 중 한 영역에 발광 소자를 실장하고, 양분된 다른 한 영역에 발광 소자와 전기적으로 연결한 패키지를 구현함으로 써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same. More particularly, the conductive submount substrate is bisected into an insulating region oxidized by an anodizing method, and one of the divided regions is provided. The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same, by mounting a light emitting device and implementing a package electrically connected to the light emitting device in another divided region, thereby simplifying the package structure and reducing the manufacturing cost.

21세기 화합물 반도체가 주도하는 광반도체 시대의 차세대 광원으로 기존광원에 비하여 에너지 절감 효과가 매우 뛰어나고 반 영구적으로 사용할 수 있는 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)가 빛을 발하고 있다.As a next-generation light source in the optical semiconductor era led by compound semiconductors in the 21st century, light-emitting diodes (LEDs), which are more energy-saving and semi-permanent than conventional light sources, emit light.

이러한 발광 다이오드 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다.The light emitting diode light emitting device can implement various colors such as red, green, blue, and ultraviolet rays by the development of thin film growth technology and device materials, and can also realize efficient white light by using fluorescent materials or combining colors.

이러한 기술의 발달로 최근 들어 디스플레이 백라이트 유닛(Backlight Unit)용 뿐만 아니라, 자동차용, 광고판용, 교통신호등용, 조명용등 산업 전반적으로 사용되고 있다.With the development of this technology, in recent years, not only for display backlight units, but also for automobiles, billboards, traffic signals, and lighting industries.

특히, 크기가 작으면서도 고휘도라는 장점을 가진 백라이트유닛용 액정 디스플레이는 기존 백라이트 유닛의 광원으로 사용되어 온 CCFL램프를 대체하면서 모바일 기기의 상승곡선과 같은 궤적을 그릴 전망이다.In particular, the liquid crystal display for a backlight unit having a small size and high brightness is expected to draw a trajectory such as a rising curve of a mobile device, replacing the CCFL lamp that has been used as a light source of a conventional backlight unit.

이러한 발광 다이오드는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)에 직접 실장하기 위하여 표면 실장소자(Surface Mount Device; SMD)형으로 만들어지고 있으며, 정보 통신기기의 소형화 및 슬림화 추세에 따라 발광 다이오드 패키지 또한 더욱 소형화, 단순화되고 있다.Such light emitting diodes are made of a surface mount device (SMD) type for direct mounting on a printed circuit board (PCB), and according to the trend of miniaturization and slimming of information and communication devices, the light emitting diode package is further improved. It is being miniaturized and simplified.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 개략적으로 도시한단면도로서, 방열판(10) 상부에 인쇄회로기판(11)이 본딩되어 있고, 상기 인쇄회로 기판(11) 상부에 상호 이격된 한 쌍의 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)이 본딩되어 있고, 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b) 상부에 발광 다이오드 패키지(30)가 전기적으로 연결되며 실장되어 있다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a light emitting diode package according to the related art, in which a printedcircuit board 11 is bonded to an upper portion of aheat sink 10 and spaced apart from each other on an upper portion of the printedcircuit board 11. A pair of mounting printedcircuit boards 12a and 12b are bonded, and a lightemitting diode package 30 is electrically connected to and mounted on the mounting printedcircuit boards 12a and 12b.

그리고, 상기 발광 다이오드 패키지(30)는 상부에 홈이 형성된 히트 슬러그(20)와; 상기 히트 슬러그(20)의 홈 내부에 본딩되며, 상부에 두 단자(22a,22b)를 갖는 서브 마운트 기판(21)과; 상기 서브 마운트 기판(21)의 두 단자(22a,22b)에 플립칩 본딩된 발광 다이오드(25)와; 상기 히브 슬러그(20)를 감싸며, 성형된 플라스틱 사출물(26)과; 상기 플라스틱 사출물(26)에 고정되며, 플라스틱 사출물(26) 측면에 노출된 리드들(27a,27b)과; 상기 서브 마운트 기판(21)의 두 단자(22a,22b)와 리드들(27a,27b)을 전기적으로 연결시키는 와이어(23)와; 상기 발광 다이오드(25)에서 방출되는 광의 분포를 제어하도록 상기 플라스틱 사출물(26)에 고정된 렌즈(22)로 이루어진다.The lightemitting diode package 30 includes aheat slug 20 having a groove formed thereon; Asub-mount substrate 21 bonded inside the groove of theheat slug 20 and having twoterminals 22a and 22b thereon; A light emitting diode (25) flip-chip bonded to two terminals (22a, 22b) of the sub-mount substrate (21); A molded plastic injection molding (26) surrounding the heave slug (20);Leads 27a and 27b fixed to theplastic injection molding 26 and exposed to theplastic injection molding 26; A wire (23) for electrically connecting the two terminals (22a, 22b) and the leads (27a, 27b) of the sub-mount substrate (21); It consists of a lens 22 fixed to theplastic injection molding 26 to control the distribution of light emitted from thelight emitting diodes 25.

여기서, 상기 발광 다이오드 패키지(30)의 플라스틱 사출물(26)은 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)에 본딩되고, 상기 리드들(27a,27b)은 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)과 전기적으로 연결되도록 본딩된다.Here, theplastic injection molding 26 of theLED package 30 is bonded to the mounting printedcircuit boards 12a and 12b, and theleads 27a and 27b are mounted to the mounting printedcircuit boards 12a and 12b. Is electrically connected to each other.

이와 같은 종래 기술의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 구동 시 발생 하는 열이 열전달 속도가 늦은 인쇄회로기판을 통하여 방열기판(Heat sink)에 전달 됨으로 방열 효과가 미비할 뿐만 아니라 이로 인하여 광 특성이 저하되는 문제점이 있다.Such a conventional LED package has a problem that the heat generated when the LED is driven is transferred to a heat sink through a printed circuit board having a slow heat transfer rate, so that the heat dissipation effect is insignificant and the optical characteristics are deteriorated. There is this.

또한, 서브 마운트 기판, 히트 슬러그와 방열판을 추가로 제작하고, 이를 본 딩하는 공정을 수행함으로써, 부품 수 및 작업공정 증가로 인하여 시간적으로나 경제적으로 제조비용이 증가하게 되는 문제점이 있다.In addition, by further manufacturing the sub-mount substrate, the heat slug and the heat sink, and bonding the same, there is a problem that the manufacturing cost increases in time and economically due to the increase in the number of parts and work process.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 양극 산화(Anodic oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 서브마운트 기판을 양분(兩分)하고, 이 양분된 영역 중 한 영역에 발광 소자를 실장하고, 양분된 다른 한 영역에 발광 소자와 전기적으로 연결한 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention divides the conductive submount substrate into an insulating region oxidized by an anodizing method, and mounts the light emitting device in one of the divided regions. In addition, it is an object of the present invention to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same, by implementing a package electrically connected to the light emitting device in another divided region, thereby simplifying the package structure and reducing the manufacturing cost.

본 발명의 다른 목적은 알루미늄 서브마운트 기판을 통하여 실장된 고출력 발광 소자에 고 전류를 안정적으로 공급하여 고 신뢰성의 패키지를 구현할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a light emitting device package and a method for manufacturing the same, which can realize a high reliability package by stably supplying a high current to a high output light emitting device mounted through an aluminum submount substrate.

본 발명의 또 다른 목적은 발광 소자에서 방출되는 열 전달 경로를 짧게하여 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same, which can shorten the heat transfer path emitted from the light emitting device to improve heat dissipation efficiency.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 1 양태(樣態)는,A first preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is

절연성 영역에 의해 제 1과 2 영역으로 양분되며, 상기 제 1 영역 상부에 홈이 형성된 전도성 서브마운트 기판과;A conductive submount substrate divided into first and second regions by an insulating region and having a groove formed on the first region;

하부전극과 상부전극을 구비하고, 상기 제 1 영역에 형성된 홈 내부에 실장 되어 상기 하부전극이 상기 제 1 영역과 전기적으로 연결되는 발광 소자와;A light emitting device having a lower electrode and an upper electrode, the light emitting device being mounted in a groove formed in the first region to electrically connect the lower electrode to the first region;

상기 전도성 서브마운트 기판의 제 2 영역 상부에 형성된 전극패드와;An electrode pad formed on the second region of the conductive submount substrate;

상기 전극패드와 상기 발광 소자의 상부전극을 전기적으로 연결하는 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지가 제공된다.Provided is a light emitting device package including a conductor electrically connecting the electrode pad and an upper electrode of the light emitting device.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 2 양태(樣態)는,A second preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is

전도성 서브마운트 기판의 상부에 두 상부 영역으로 양분(兩分)하는 제 1 홈을 형성하고, 양분된 한 상부영역 내측에 제 2 홈을 형성하는 단계와;Forming a first groove bisecting two upper regions on the conductive submount substrate, and forming a second groove inside the bisected upper region;

상기 제 1 홈을 제외하고, 상기 전도성 서브마운트 기판 상부에 산화 억제층을 형성하는 단계와;Forming an oxidation inhibiting layer over the conductive submount substrate, except for the first groove;

상기 산화 억제층에 의해 노출된 제 1 홈 내부면의 전도성 서브마운트 기판을 산화시켜 형성된 산화막으로 상기 전도성 서브마운트 기판을 상기 제 2 홈이 있는 제 1 영역과 제 2 영역으로 양분하는 단계와;Dividing the conductive submount substrate into a first region having a second groove and a second region with an oxide film formed by oxidizing a conductive submount substrate on an inner surface of the first groove exposed by the oxidation inhibiting layer;

상기 산화 억제층을 제거하고, 상기 제 2 영역 상부에 전극패드를 형성하는 단계와;Removing the oxidation inhibiting layer and forming an electrode pad on the second region;

상기 제 2 홈에 발광 소자를 본딩하여 상기 발광 소자의 하부에 형성된 금속패드를 상기 제 1 영역에 전기적으로 연결시키고, 상기 발광 소자의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역의 전극패드를 와이어 본딩하는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법이 제공된다.Bonding a light emitting device to the second groove to electrically connect a metal pad formed under the light emitting device to the first area, and wire bonding a metal pad formed on the light emitting device to an electrode pad of the second area. Provided is a method of manufacturing a light emitting device package comprising the steps of:

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 3 양태(樣態)는,A third preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is

전도성 서브마운트 기판의 상부에, 임의의 두 영역과, 이 두 영역을 양분(兩分)하는 제 1 홈과, 양분된 한 영역 내측에 형성된 제 2 홈으로 이루어진 단일 패키지 영역을 복수개 형성하는 단계와;Forming a plurality of single package regions on the conductive submount substrate, the plurality of single package regions consisting of any two regions, a first groove bisecting the two regions, and a second groove formed inside the bisected region; ;

상기 각각의 단일 패키지 영역의 제 1 홈을 제외하고, 상기 전도성 서브마운트 기판 상부에 산화 억제층을 형성하는 단계와;Forming an oxidation inhibiting layer over the conductive submount substrate, except for the first groove of each single package region;

상기 산화 억제층에 의해 노출된 제 1 홈 내부면의 전도성 서브마운트 기판을 산화시켜 형성된 산화막으로 각각의 단일 패키지 영역을 상기 제 2 홈이 있는 제 1 영역과 제 2 영역으로 양분하는 단계와;Dividing each single package region into a first region having a second groove and a second region with an oxide film formed by oxidizing a conductive submount substrate on the inner surface of the first groove exposed by the oxidation inhibiting layer;

상기 산화 억제층을 제거하고, 상기 각각의 단일 패키지 영역의 제 2 영역 상부에 전극패드를 형성하고, 상기 제 2 홈 내부면에 전도성 반사막을 형성하는 단계와;Removing the redox layer, forming an electrode pad over the second region of each single package region, and forming a conductive reflective film on the inner surface of the second groove;

상기 각각의 단일 패키지 영역에 있는 제 1 영역과 제 2 영역 하부 각각에 솔더를 형성하는 단계와;Forming solder in each of the first region and the lower portion of the second region in each single package region;

상기 각각의 단일 패키지 영역에 있는 제 2 홈에 발광 소자를 본딩하고, 상기 발광 소자의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역의 전극패드를 와이어 본딩하는 단계와;Bonding a light emitting element to a second groove in each single package region, and wire bonding a metal pad formed on the light emitting element and an electrode pad of the second region;

상기 각각의 단일 패키지 영역을 분리시키는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법이 제공된다.Provided is a method of manufacturing a light emitting device package comprising separating each single package region.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 사시도로서, 본 발명의 발광 소자 패키지는 절연성 영역에 의해 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분되며, 상기 제 1 영역(110) 상부에 홈(115)이 형성된 전도성 서브마운트 기판(100)과; 하부전극과 상부전극을 구비하고, 상기 제 1 영역(110)에 형성된 홈(115) 내부에 실장되어 상기 하부전극이 상기 제 1 영역과 전기적으로 연결되는 발광 소자(200)와; 상기 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 2 영역(120) 상부에 형성된 전극패드(121)와; 상기 전극패드(121)와 상기 발광 소자(200)의 상부전극을 전기적으로 연결하는 와이어(210)로 구성된다.FIG. 2 is a schematic perspective view of a light emitting device package according to the present invention, wherein the light emitting device package of the present invention is divided into first andsecond regions 110 and 120 by an insulating region, and a groove () is formed on thefirst region 110. A conductivesubmount substrate 100 on which 115 is formed; A light emitting device (200) having a lower electrode and an upper electrode and mounted in a groove (115) formed in the first region (110) to electrically connect the lower electrode to the first region; Anelectrode pad 121 formed on thesecond region 120 of the conductivesubmount substrate 100; It is composed of awire 210 for electrically connecting theelectrode pad 121 and the upper electrode of thelight emitting device 200.

여기서, 상기 절연성 영역은 상기 제 1과 2 영역(110) 각각이 전기적으로 독립되도록, 상기 제 1과 2 영역(110) 사이의 상기 전도성 서브마운트 기판(100) 영역을 산화시켜 형성된 산화막(135)으로 이루어진 것이 바람직하다.Theinsulating region 135 is formed by oxidizing the conductivesubmount substrate 100 region between the first andsecond regions 110 so that each of the first andsecond regions 110 is electrically independent. It is preferably made of.

이 때, 상기 산화막(135)은, 상기 제 1과 2 영역(110) 사이의 상기 전도성 서브마운트 기판(100) 영역에 홈(130)을 형성하고, 이 홈(130)의 양측면과 바닥면을 산화시켜 만들어진 것이 더 바람직하다.In this case, theoxide film 135forms grooves 130 in theconductive submount substrate 100 region between the first andsecond regions 110, and forms both side surfaces and the bottom surface of thegroove 130. More preferably, it is made by oxidation.

그리고, 상기 제 1 영역(110)에 형성된 홈(115)을 원형 그루브(Groove) 형상으로 형성하면, 상기 발광 소자(200)의 측면에서 방출된 광을 상부로 반사시켜 발광 효율을 증대할 수 있는 것이다.In addition, when thegroove 115 formed in thefirst region 110 is formed in a circular groove shape, light emitted from the side surface of thelight emitting device 200 may be reflected upwards to increase luminous efficiency. will be.

그러므로, 본 발명의 발광 소자 패키지는 간단한 구조의 전도성 서브마운트 기판(100)에 발광 소자를 실장함으로써, 패키지를 구성하는 부품수를 줄일 수 있어 저가로 제조할 수 있는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package of the present invention has an advantage that the number of parts constituting the package can be reduced and manufactured at low cost by mounting the light emitting device on theconductive submount substrate 100 having a simple structure.

도 3a와 3b는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에 실장되는 발광 소자를 설명하기 위한 단면도로서, 도 3a의 발광 소자(200a)는 소자의 상부 및 하부에 금속패드 '201'과 '202'가 형성되어 있는 구조이고, 도 3b의 발광 소자(200b)는 소자의 하부에 금속패드 '203'과 '204'가 형성되어 있는 구조이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a light emitting device mounted on a light emitting device package according to the present invention. In thelight emitting device 200a of FIG. 3A, metal pads '201' and '202' are formed on upper and lower portions of the light emitting device. Thelight emitting device 200b of FIG. 3B has a structure in which metal pads '203' and '204' are formed under the device.

본 발명의 발광 소자 패키지는 도 3a의 발광 소자가 실장된다.In the light emitting device package of the present invention, the light emitting device of FIG. 3A is mounted.

도 4a 내지 4d는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 여러 실시예를 설명하기 위한 단면도로서, 먼저, 도 4a의 발광 소자 패키지는 산화막(135)에 의해 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분된 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 1 영역(110) 상부에 형성된 홈(115)에 발광 소자(200)가 플립칩(Flip chip) 본딩되어 있다.4A to 4D are cross-sectional views illustrating various embodiments of a light emitting device package according to the present invention. First, the light emitting device package of FIG. 4A is divided into first andsecond regions 110 and 120 by anoxide film 135. Thelight emitting device 200 is flip chip bonded to thegroove 115 formed on thefirst region 110 of thesubmount substrate 100.

그리고, 상기 발광 소자(200) 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역(120) 상부에 형성된 전극패드(121)가 와이어(210)로 본딩되어 있다.In addition, the metal pad formed on thelight emitting device 200 and theelectrode pad 121 formed on thesecond region 120 are bonded with thewire 210.

즉, 상기 발광 소자(200) 상부에 형성된 금속패드는 와이어 본딩된 전극패드(121)를 통하여 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 2 영역(120)과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성된 금속패드는 전도성 페이스트(250)와 같은 접착제에 의해 본딩과 동시에 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 1 영역(110)과 전기적으로 연결된다.That is, the metal pad formed on thelight emitting device 200 is electrically connected to thesecond region 120 of theconductive submount substrate 100 through the wire bondedelectrode pad 121 and thelight emitting device 200. The metal pad formed at the lower portion of the metal pad is electrically connected to thefirst region 110 of theconductive submount substrate 100 simultaneously with bonding by an adhesive such as theconductive paste 250.

그리고, 도 4b의 발광 소자 패키지는 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 1 영역(110)과 제 2 영역(120) 각각의 하부에 솔더(141,142)가 형성되어 있다.In the light emitting device package of FIG. 4B, solders 141 and 142 are formed under each of thefirst region 110 and thesecond region 120 of theconductive submount substrate 100.

이렇게 형성된 솔더(141,142)는 발광 소자 패키지가 보다 쉽게 마더 보드(Mother board)에 실장될 수 있게 도와준다.Thesolders 141 and 142 formed as described above may help the light emitting device package to be easily mounted on the mother board.

또한, 도 4c의 발광 소자 패키지는 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 1 영역(110) 상부에 형성된 홈(115) 내부면에 전도성 반사막(140)이 형성되어 있고, 이 전도성 반사막(140) 상부에 발광 소자(200)가 본딩되어 있다.In addition, in the light emitting device package of FIG. 4C, a conductivereflective film 140 is formed on an inner surface of thegroove 115 formed on thefirst region 110 of theconductive submount substrate 100, and the upper portion of the conductivereflective film 140 is formed. Thelight emitting element 200 is bonded.

즉, 상기 발광 소자(200)에서 방출된 광은 상기 전도성 반사막(140)에서 반사되어 상부로 진행하게 되어, 발광 소자 패키지의 광출력을 증대시킬 수 있는 것이다.That is, the light emitted from thelight emitting device 200 is reflected by the conductive reflectingfilm 140 to proceed upward, thereby increasing the light output of the light emitting device package.

더불어, 도 4d의 발광 소자 패키지는 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 1 영역(110) 상부에 형성된 홈(115) 내부면에 비전도성 반사막(150)이 형성되어 있고, 상기 비전도성 반사막(150)에는 홈(115) 바닥면의 일부가 도출되는 개구(151)가 형성되어 있고, 상기 비전도성 반사막(150)의 개구(151)에 의해 노출된 홈(115) 바닥면에 발광 소자(200)가 본딩되어 있다.In addition, in the light emitting device package of FIG. 4D, a nonconductivereflective film 150 is formed on an inner surface of thegroove 115 formed on thefirst region 110 of theconductive submount substrate 100, and the nonconductivereflective film 150 is formed. Anopening 151 through which a portion of the bottom surface of thegroove 115 is drawn is formed, and thelight emitting device 200 is formed on the bottom surface of thegroove 115 exposed by theopening 151 of the non-conductivereflective film 150. Is bonded.

그러므로, 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성된 금속패드는 상기 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 1 영역(110)에 전기적으로 연결되는 것이다.Therefore, the metal pad formed under thelight emitting device 200 is electrically connected to thefirst region 110 of theconductive submount substrate 100.

전술된 발광 소자 패키지들의 전도성 서브마운트 기판은 두께가 100 ~ 1000㎛가 바람직하고, 그 기판의 재질은 알루미늄으로 사용하는 것이 바람직하다.The conductive submount substrate of the above-described light emitting device packages preferably has a thickness of 100 to 1000 μm, and the material of the substrate is preferably aluminum.

즉, 상기 전도성 서브마운트 기판은 알루미늄 시트(Sheet)를 사용하는 것이다.That is, the conductive submount substrate uses an aluminum sheet.

그리고, 상기 전도성 반사막(140)과 비전도성 반사막(150)은 상기 전도성 서브마운트 기판(100)과 접착력이 우수한 접착층과 발광 소자의 광을 효율적으로 반사시킬 수 있도록 반사 효율이 우수한 미러(Mirror)층으로 형성될 수 있다.In addition, the conductivereflective film 140 and the non-conductivereflective film 150 may have an adhesive layer having excellent adhesion with theconductive submount substrate 100 and a mirror layer having excellent reflection efficiency so as to efficiently reflect light of a light emitting device. It can be formed as.

이 때, 접착층과 미러층 사이에는 배리어층(Barrier layer)을 형성하여, 후 공정에서 100 ~ 400도의 고온에 노출되는 경우 접착층의 물질이 미러층으로 확산되어 반사 효율이 저하되는 것을 방지하는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable to form a barrier layer between the adhesive layer and the mirror layer so as to prevent the material of the adhesive layer from diffusing into the mirror layer and decreasing the reflection efficiency when exposed to a high temperature of 100 to 400 degrees in a later step. Do.

그러므로, 상기 전도성 서브마운트 기판이 알루미늄 시트인 경우, 상기 전도성 반사막(140)은 접착층으로 Ti층, 배리어층으로 Pt층과 미러층으로 Ag층으로 형성하는데, 스퍼터링 방법 또는 이빔 이베퍼레이션(E-beam evaporation) 방법으로 순차적으로 증착하여 형성한다.Therefore, when the conductive submount substrate is an aluminum sheet, the conductivereflective film 140 is formed of a Ti layer as an adhesive layer, a Pt layer as a barrier layer, and an Ag layer as a mirror layer. The sputtering method or the e-beam evaporation (E−) It is formed by sequentially depositing by a beam evaporation method.

한편, 상기 발광 소자(200)가 실장된 홈(115) 내부에는 상기 발광 소자(200)를 감싸며 형광체, 실리콘 젤과 투광성이 우수한 에폭시 중 어느 하나가 충진되어 있는 것이 바람직하다.On the other hand, thegroove 115 in which thelight emitting device 200 is mounted is preferably filled with any one of a phosphor, a silicone gel and an epoxy having excellent light transmittance, surrounding thelight emitting device 200.

그리고, 상기 발광 소자(200)에서 방출된 광의 분포를 제어하기 위하여 렌즈를 상기 전도성 서브마운트 기판에 본딩하는 것이 바람직하다.In addition, in order to control the distribution of light emitted from thelight emitting device 200, it is preferable to bond a lens to the conductive submount substrate.

전술된 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 전도성 서브마운트 기판을 알루미늄으로 사용한 경우, 고출력 발광 소자를 패키징한 때에도 상기 알루미늄 서브마운트 기판을 통하여 고 전류를 안정적으로 발광 소자에 공급할 수 있어, 고 신뢰성의 패키지를 구현할 수 있는 장점이 있다.As described above, the light emitting device package according to the present invention can stably supply high current to the light emitting device through the aluminum submount substrate even when the high power light emitting device is packaged when the conductive submount substrate is used as aluminum. It has the advantage of implementing a package of reliability.

그리고, 구조가 단순하여 발광 소자에서 방출되는 열 전달 경로를 짧게하여 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, since the structure is simple, there is an advantage of improving heat dissipation efficiency by shortening the heat transfer path emitted from the light emitting device.

도 5는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에 실장된 발광소자에서 방출되는 광의 경로를 설명하기 위한 개념도로서, 발광 소자 패키지의 전도성 서브마운트 기판에 형성된 홈(115) 내부의 측면은 'θ'의 각도로 경사져 있는 것이 바람직하다.FIG. 5 is a conceptual view illustrating a path of light emitted from a light emitting device mounted on a light emitting device package according to the present invention. The side surface of thegroove 115 formed in the conductive submount substrate of the light emitting device package has an angle of 'θ'. It is preferable to incline to.

즉, 상기 홈(115) 내부의 측면이 경사져 있으면, 발광 소자에서 방출된 광이 홈(115) 내부의 측면에서 반사되어 발광 소자 상부로 진행하게 되어 광출력을 향상시킬 수 있게 된다.That is, if the side surface of thegroove 115 is inclined, the light emitted from the light emitting device is reflected from the side surface of thegroove 115 to proceed to the upper portion of the light emitting device to improve the light output.

도 6a 내지 6f는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지를 제조하는 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 전도성 서브마운트 기판(100)의 상부에 두 상부 영역으로 양분(兩分)하는 제 1 홈(130a)을 형성하고, 양분된 한 상부영역 내측에 제 2 홈(115a)을 형성한다.(도 6a)6A through 6F are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a light emitting device package according to the present invention, and include afirst groove 130a bisecting into two upper regions on theconductive submount substrate 100. And asecond groove 115a inside the bisected upper region (FIG. 6A).

그 후, 상기 제 1 홈(130a)을 제외하고, 상기 전도성 서브마운트 기판(100) 상부에 산화 억제층(500)을 형성한다.(도 6b)Thereafter, except for thefirst groove 130a, anoxidation inhibiting layer 500 is formed on theconductive submount substrate 100. (FIG. 6B)

여기서, 상기 산화 억제층(500)은 후술되는 산화 공정에서 상기 산화 억제층(500)에 의해 노출된 제 1 홈(130a) 내부면의 전도성 서브마운트 기판(100) 영역만 산화되고, 나머지 전도성 서브마운트 기판(100) 영역은 산화되지 못하게 하는 기능을 수행한다.Here, theoxidation inhibiting layer 500 is oxidized only the region of theconductive submount substrate 100 of the inner surface of thefirst groove 130a exposed by theoxidation inhibiting layer 500 in the oxidation process to be described later, the remaining conductive sub Themount substrate 100 region functions to prevent oxidation.

연이어, 상기 산화 억제층(500)에 의해 노출된 제 1 홈(130a) 내부면의 전도성 서브마운트 기판(100)을 산화시켜 형성된 산화막(135)으로 상기 전도성 서브마운트 기판(100)을 상기 제 2 홈(115a)이 있는 제 1 영역(110)과 제 2 영역(120)으 로 양분한다.(도 6c)Subsequently, theconductive submount substrate 100 is formed by oxidizing theconductive submount substrate 100 on the inner surface of thefirst groove 130a exposed by theoxidation inhibiting layer 500. It divides into the 1st area |region 110 and the 2nd area |region 120 which have the groove |channel 115a (FIG. 6C).

여기서, 상기 산화 공정은 질소산(Nitric acid) 또는 붕소산(Boric acid)와 같은 전해액(Electrolytes)을 이용한 양극 산화(Anodic oxidation) 방법을 수행하는 것이 바람직하다.Here, the oxidation process is preferably performed by the anodic oxidation (Anodic oxidation) method using an electrolyte (Electrolytes), such as nitric acid (Nitric acid) or boric acid (Boric acid).

이 때, 상기 전해액의 온도는 10 ~ 50도가 적당하고, 펄스 전류(Pulsed current)를 인가한다.At this time, the temperature of the electrolyte is 10 ~ 50 degrees is appropriate, and a pulsed current (Pulsed current) is applied.

그리고, 상기 전해액에 산화막의 두께 및 강도를 증가시키기 위하여 유황산(Sulfuric acid)를 첨가하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to add sulfuric acid (Sulfuric acid) to increase the thickness and strength of the oxide film to the electrolyte.

또한, 상기 산화 억제층(500)은 양극 산화 공정시 사용되는 전해액(Electrolytes)에 반응이 없어야 하며, 산화막 형성 후, 산화 억제층(500)이 제거될 때, 전도성 서브마운트 기판(100) 및 산화막(135)의 손상없이 제거될 수 있는 물질이어야 한다.In addition, theoxidation inhibiting layer 500 should not react with the electrolyte (Electrolytes) used in the anodic oxidation process, and after forming the oxide film, when theoxidation inhibiting layer 500 is removed, theconductive submount substrate 100 and the oxide film It shall be of a material that can be removed without damaging (135).

즉, 상기 산화 억제층(500)은 폴리머(Polymer) 계열의 물질 또는 금속 물질로 형성할 수 있다.That is, theantioxidant layer 500 may be formed of a polymer-based material or a metal material.

그 다음, 상기 산화 억제층(500)을 제거한다.(도 6d)Then, theoxidation inhibiting layer 500 is removed (FIG. 6D).

이어서, 상기 제 2 영역(120) 상부에 전극패드(121)를 형성한다.(도 6e)Subsequently, anelectrode pad 121 is formed on the second region 120 (FIG. 6E).

마지막으로, 상기 제 2 홈(115a)에 발광 소자(200)를 본딩하여 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성된 금속패드를 상기 제 1 영역(110)에 전기적으로 연결시키고, 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역(120)의 전극패드(121)를 와이어 본딩한다.(도 6f)Finally, thelight emitting device 200 is bonded to thesecond groove 115a to electrically connect a metal pad formed under thelight emitting device 200 to thefirst region 110. Wire bonding of the metal pad formed on the upper part of the upper part) and theelectrode pad 121 of the second region 120 (FIG. 6F).

도 7은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 홈에 반사막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 전술된 도 6e와 도 6f의 공정 사이에, 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 2 홈(115a) 내부면에 전도성 반사막(140)을 형성하는 공정을 더 수행하는 것이 바람직하다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process of forming a reflective film in a groove of a light emitting device package according to the present invention. Between the processes of FIGS. 6E and 6F, thesecond groove 115a of theconductive submount substrate 100 is described. It is preferable to perform the process of forming the conductivereflective film 140 on the inner surface.

즉, 상기 전도성 반사막(140) 상부에는 발광 소자(200)가 본딩되고, 이 발광 소자(200)의 측면에서 방출되는 광은 상기 전도성 반사막(140)에서 반사되어 발광 소자(200) 상부로 출사되는 것이다.That is, thelight emitting device 200 is bonded to the upper portion of the conductive reflectingfilm 140, and the light emitted from the side surface of thelight emitting device 200 is reflected from the conductive reflectingfilm 140 and emitted to the upper part of thelight emitting device 200. will be.

도 8a와 8b는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 하부에 솔더를 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 먼저, 도 8a는 전술된 도 7의 공정을 수행한 후에, 전도성 서브마운트 기판(100)의 제 1 영역(110)과 제 2 영역(110,120) 하부 각각에 솔더(141,142)를 형성하는 공정을 수행하는 것이다.8A and 8B are cross-sectional views illustrating a process of forming solder in a lower portion of a light emitting device package according to the present invention. First, FIG. 8A illustrates aconductive submount substrate 100 after performing the above-described process of FIG. 7. The process of forming thesolders 141 and 142 in the lower portions of thefirst region 110 and thesecond regions 110 and 120 of FIG.

그리고, 도 8b는 도 8a의 공정을 수행한 후에, 전도성 반사막(140) 상부에 발광 소자(200)를 본딩하고, 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역(120)의 전극패드(121)를 와이어 본딩하는 것이다.In addition, after performing the process of FIG. 8A, FIG. 8B bonds thelight emitting device 200 on the conductivereflective film 140, and the metal pad and thesecond region 120 formed on thelight emitting device 200. Wire-bonding theelectrode pad 121.

도 9a 내지 9g는 본 발명에 따른 복수개의 발광 소자 패키지들을 서브마운트 기판에 제조하는 공정을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 전도성 서브마운트 기판(100)의 상부에, 임의의 두 영역(A영역,B영역)과, 이 두 영역(A영역,B영역)을 양분(兩分)하는 제 1 홈(130a)과, 양분된 한 영역(B영역) 내측에 형성된 제 2 홈(115a)으로 이루어진 단일 패키지 영역을 복수개 형성한다.(도 9a)9A to 9G are schematic cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a plurality of light emitting device packages according to an exemplary embodiment of the present invention on a submount substrate. Area B), afirst groove 130a which bisects these two areas (area A and area B), and asecond groove 115a formed inside the divided area B (region B). A plurality of package regions are formed (Fig. 9A).

그 다음, 상기 각각의 단일 패키지 영역의 제 1 홈(130a)을 제외하고, 상기 전도성 서브마운트 기판(100) 상부에 산화 억제층(500)을 형성한다.(도 9b)Then, anoxide suppression layer 500 is formed on theconductive submount substrate 100 except for thefirst grooves 130a of each single package region (FIG. 9B).

이어서, 상기 산화 억제층(500)에 의해 노출된 제 1 홈(130a) 내부면의 전도성 서브마운트 기판(100)을 산화시켜 형성된 산화막(135)으로 각각의 단일 패키지 영역을 상기 제 2 홈(115a)이 있는 제 1 영역(110)과 제 2 영역(120)으로 양분한다.(도 9c)Subsequently, each single package region is formed of anoxide layer 135 formed by oxidizing theconductive submount substrate 100 on the inner surface of thefirst groove 130a exposed by theoxidation inhibiting layer 500. Is divided into afirst region 110 and a second region 120 (Fig. 9C).

연이어, 상기 산화 억제층(500)을 제거한다.(도 9d)Subsequently, theoxidation inhibiting layer 500 is removed (FIG. 9D).

계속하여, 상기 각각의 단일 패키지 영역의 제 2 영역(120) 상부에 전극패드(121)를 형성하고, 상기 제 2 홈(115a) 내부면에 전도성 반사막(140)을 형성한다.(도 9e)Subsequently, anelectrode pad 121 is formed on thesecond region 120 of each single package region, and a conductivereflective film 140 is formed on the inner surface of thesecond groove 115a.

그 다음, 상기 각각의 단일 패키지 영역에 있는 제 1 영역(110)과 제 2 영역(110,120) 하부 각각에 솔더(141,142)를 형성한다.(도 9f)Next, solders 141 and 142 are formed in the lower portions of thefirst region 110 and thesecond region 110 and 120 in each of the single package regions (FIG. 9F).

이어서, 상기 각각의 단일 패키지 영역에 있는 제 2 홈(115a)에 발광 소자(200)를 본딩하고, 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역(120)의 전극패드(121)를 와이어 본딩한다.(도 9g)Subsequently, thelight emitting device 200 is bonded to thesecond groove 115a in each single package area, and a metal pad formed on thelight emitting device 200 and an electrode pad of thesecond area 120 are formed. 121 is wire bonded (FIG. 9G).

마지막으로, 상기 각각의 단일 패키지 영역이 분리시킨다.(도 9h)Finally, each single package region separates (FIG. 9H).

따라서, 도 9h의 공정으로 본 발명에 따른 패키지가 완성된다.Thus, the package according to the present invention is completed by the process of FIG. 9H.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 양극 산화(Anodic oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 서브마운트 기판을 양분(兩分)하고, 이 양분된 영역 중 한 영역에 발광 소자를 실장하고, 양분된 다른 한 영역에 발광 소자와 전기적으로 연결한 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention divides the conductive submount substrate into an insulating region oxidized by an anodizing method, mounts a light emitting device in one of the divided regions, and By implementing a package electrically connected to the light emitting device in another area, the package structure can be simplified and manufacturing costs can be reduced.

또한, 본 발명은 알루미늄 서브마운트 기판을 통하여 실장된 고출력 발광 소자에 고 전류를 안정적으로 공급하여 고 신뢰성의 패키지를 구현할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of stably supplying a high current to the high output light emitting device mounted through the aluminum submount substrate to implement a package of high reliability.

게다가, 본 발명은 발광 소자에서 방출되는 열 전달 경로를 짧게하여 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of improving the heat dissipation efficiency by shortening the heat transfer path emitted from the light emitting device.

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to specific examples, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.

Claims (20)

Translated fromKorean

절연성 영역에 의해 제 1과 2 영역으로 양분되며, 상기 제 1 영역 상부에 홈이 형성된 전도성 서브마운트 기판과;A conductive submount substrate divided into first and second regions by an insulating region and having a groove formed on the first region;하부전극과 상부전극을 구비하고, 상기 제 1 영역에 형성된 홈 내부에 실장되어 상기 하부전극이 상기 제 1 영역과 전기적으로 연결되는 발광 소자와;A light emitting device having a lower electrode and an upper electrode, the light emitting device being mounted in a groove formed in the first region to electrically connect the lower electrode to the first region;상기 전도성 서브마운트 기판의 제 2 영역 상부에 형성된 전극패드와;An electrode pad formed on the second region of the conductive submount substrate;상기 전극패드와 상기 발광 소자의 상부전극을 전기적으로 연결하는 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지.Light emitting device package comprising a conductor for electrically connecting the electrode pad and the upper electrode of the light emitting device.제 1 항에 있어서,The method of claim 1,상기 절연성 영역은,The insulating region,상기 제 1과 2 영역 각각이 전기적으로 독립되도록, 상기 제 1과 2 영역 사이의 상기 전도성 서브마운트 기판 영역을 산화시켜 형성된 산화된 영역인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.And an oxidized region formed by oxidizing the conductive submount substrate region between the first and second regions so that each of the first and second regions is electrically independent.제 2 항에 있어서,The method of claim 2,상기 산화된 영역은,The oxidized region,상기 제 1과 2 영역 사이의 상기 전도성 서브마운트 기판 영역에 홈을 형성하고, 이 홈의 양측면과 바닥면을 산화시켜 만들어진 영역인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.And a groove formed in the conductive submount substrate region between the first and second regions, and oxidizing both side and bottom surfaces of the groove.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3,상기 전도성 서브마운트 기판의 제 1 영역과 제 2 영역 각각의 하부에 솔더가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.And a solder is further formed below each of the first region and the second region of the conductive submount substrate.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3,상기 전도성 서브마운트 기판의 제 1 영역 상부에 형성된 홈 내부면에,On the inner surface of the groove formed on the first region of the conductive submount substrate,전도성 반사막이 더 형성되어 있고,A conductive reflecting film is further formed,이 전도성 반사막 상부에 발광 소자가 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.A light emitting device package comprising a light emitting device bonded to an upper portion of the conductive reflective film.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3,상기 전도성 서브마운트 기판의 제 1 영역 상부에 형성된 홈 내부면에,On the inner surface of the groove formed on the first region of the conductive submount substrate,비전도성 반사막이 더 형성되어 있고,A non-conductive reflective film is further formed,상기 비전도성 반사막에는 홈 바닥면의 일부가 도출되는 개구가 형성되어 있고,The non-conductive reflecting film is formed with an opening through which a part of the groove bottom surface is drawn,상기 비전도성 반사막의 개구에 의해 노출된 홈 바닥면에 발광 소자가 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package, characterized in that the light emitting device is bonded to the groove bottom surface exposed by the opening of the non-conductive reflective film.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3,상기 전도성 서브마운트 기판은 두께는,The conductive submount substrate has a thickness,100 ~ 1000㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.Light emitting device package, characterized in that 100 ~ 1000㎛.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3,상기 전도성 서브마운트 기판의 재질은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package, characterized in that the material of the conductive submount substrate is aluminum.제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein상기 전도성 반사막은,The conductive reflective film,상기 전도성 서브마운트 기판과 접착력이 우수한 접착층과;An adhesive layer having excellent adhesion with the conductive submount substrate;상기 발광 소자의 광을 효율적으로 반사시킬 수 있도록 반사 효율이 우수한 미러(Mirror)층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package, characterized in that formed of a mirror (Mirror) layer having a high reflection efficiency to efficiently reflect the light of the light emitting device.제 9 항에 있어서,The method of claim 9,상기 접착층과 미러층 사이에는,Between the adhesive layer and the mirror layer,상기 접착층의 물질이 미러층으로 확산되어 반사 효율이 저하되는 것을 방지하는 배리어층(Barrier layer)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.And a barrier layer further preventing a material of the adhesive layer from diffusing into the mirror layer to reduce reflection efficiency.제 10 항에 있어서,The method of claim 10,상기 전도성 서브마운트 기판이 알루미늄 시트인 경우,When the conductive submount substrate is an aluminum sheet,상기 전도성 반사막은,The conductive reflective film,상기 접착층으로 Ti층이고,Ti layer as the adhesive layer,상기 배리어층으로 Pt층이고,The barrier layer is a Pt layer,상기 미러층으로 Ag층인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.Light emitting device package, characterized in that the Ag layer as the mirror layer.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3,상기 발광 소자가 실장된 홈 내부에는,In the groove in which the light emitting element is mounted,상기 발광 소자를 감싸며 형광체, 실리콘 젤과 투광성이 우수한 에폭시 중 어느 하나가 더 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.A light emitting device package surrounding the light emitting device, wherein any one of a phosphor, a silicone gel, and an excellent light transmitting epoxy is further filled.제 12 항에 있어서,The method of claim 12,상기 발광 소자에서 방출된 광의 분포를 제어하기 위하여,In order to control the distribution of light emitted from the light emitting device,렌즈를 상기 전도성 서브마운트 기판에 더 본딩되어 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.And a lens further bonded to the conductive submount substrate.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3,상기 제 1 영역에 형성된 홈의 측면은 경사져 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The side surface of the groove formed in the first region is inclined light emitting device package.전도성 서브마운트 기판의 상부에 두 상부 영역으로 양분(兩分)하는 제 1 홈을 형성하고, 양분된 한 상부영역 내측에 제 2 홈을 형성하는 단계와;Forming a first groove bisecting two upper regions on the conductive submount substrate, and forming a second groove inside the bisected upper region;상기 제 1 홈을 제외하고, 상기 전도성 서브마운트 기판 상부에 산화 억제층을 형성하는 단계와;Forming an oxidation inhibiting layer over the conductive submount substrate, except for the first groove;상기 산화 억제층에 의해 노출된 제 1 홈 내부면의 전도성 서브마운트 기판을 산화시켜 형성된 산화막으로 상기 전도성 서브마운트 기판을 상기 제 2 홈이 있는 제 1 영역과 제 2 영역으로 양분하는 단계와;Dividing the conductive submount substrate into a first region having a second groove and a second region with an oxide film formed by oxidizing a conductive submount substrate on an inner surface of the first groove exposed by the oxidation inhibiting layer;상기 산화 억제층을 제거하고, 상기 제 2 영역 상부에 전극패드를 형성하는 단계와;Removing the oxidation inhibiting layer and forming an electrode pad on the second region;상기 제 2 홈에 발광 소자를 본딩하여 상기 발광 소자의 하부에 형성된 금속패드를 상기 제 1 영역에 전기적으로 연결시키고, 상기 발광 소자의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역의 전극패드를 와이어 본딩하는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법.Bonding the light emitting device to the second groove to electrically connect the metal pad formed under the light emitting device to the first area, and wire bonding the metal pad formed on the light emitting device to the electrode pad of the second area. Method of manufacturing a light emitting device package comprising a step.제 15 항에 있어서,The method of claim 15,상기 산화 공정은,The oxidation process,전해액(Electrolytes)을 이용한 양극 산화(Anodic oxidation) 방법을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.A method of manufacturing a light emitting device package comprising performing an anodic oxidation method using an electrolytic solution.제 16 항에 있어서,The method of claim 16,상기 전해액에 산화막의 두께 및 강도를 증가시키기 위하여 유황산(Sulfuric acid)를 첨가하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.Method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that to add sulfuric acid (Sulfuric acid) to increase the thickness and strength of the oxide film to the electrolyte.제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,The method according to claim 16 or 17,상기 산화 억제층은,The antioxidant layer is,폴리머(Polymer) 계열의 물질 또는 금속 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.A method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that formed of a polymer-based material or a metal material.제 15 항에 있어서,The method of claim 15,상기 전극패드를 형성하는 공정과 발광 소자 본딩하는 공정 사이에,Between the step of forming the electrode pad and the step of bonding the light emitting device,상기 전도성 서브마운트 기판의 제 2 홈 내부면에 전도성 반사막을 형성하는 공정을 더 수행하고,Performing a process of forming a conductive reflective film on an inner surface of the second groove of the conductive submount substrate,상기 전도성 반사막 상부에는 발광 소자를 본딩하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that for bonding the light emitting device on the conductive reflective film.전도성 서브마운트 기판의 상부에, 임의의 두 영역과, 이 두 영역을 양분(兩分)하는 제 1 홈과, 양분된 한 영역 내측에 형성된 제 2 홈으로 이루어진 단일 패키지 영역을 복수개 형성하는 단계와;Forming a plurality of single package regions on the conductive submount substrate, the plurality of single package regions consisting of any two regions, a first groove bisecting the two regions, and a second groove formed inside the bisected region; ;상기 각각의 단일 패키지 영역의 제 1 홈을 제외하고, 상기 전도성 서브마운 트 기판 상부에 산화 억제층을 형성하는 단계와;Forming an oxidation inhibiting layer over the conductive submount substrate, except for the first groove of each single package region;상기 산화 억제층에 의해 노출된 제 1 홈 내부면의 전도성 서브마운트 기판을 산화시켜 형성된 산화막으로 각각의 단일 패키지 영역을 상기 제 2 홈이 있는 제 1 영역과 제 2 영역으로 양분하는 단계와;Dividing each single package region into a first region having a second groove and a second region with an oxide film formed by oxidizing a conductive submount substrate on the inner surface of the first groove exposed by the oxidation inhibiting layer;상기 산화 억제층을 제거하고, 상기 각각의 단일 패키지 영역의 제 2 영역 상부에 전극패드를 형성하고, 상기 제 2 홈 내부면에 전도성 반사막을 형성하는 단계와;Removing the redox layer, forming an electrode pad over the second region of each single package region, and forming a conductive reflective film on the inner surface of the second groove;상기 각각의 단일 패키지 영역에 있는 제 1 영역과 제 2 영역 하부 각각에 솔더를 형성하는 단계와;Forming solder in each of the first region and the lower portion of the second region in each single package region;상기 각각의 단일 패키지 영역에 있는 제 2 홈에 발광 소자를 본딩하고, 상기 발광 소자의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역의 전극패드를 와이어 본딩하는 단계와;Bonding a light emitting element to a second groove in each single package region, and wire bonding a metal pad formed on the light emitting element and an electrode pad of the second region;상기 각각의 단일 패키지 영역을 분리시키는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법.And separating each of said single package regions.

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