KR100665121B1 - Wavelength Converting LED Package Manufacturing Method - Google Patents

Abstract

Translated fromKorean

본 발명은 백색 발광다이오드 패키지 제조방법에 관한 것으로서, 복수개의 LED 패키지를 위한 배선구조가 일정한 간격으로 형성된 패키지 기판을 마련하는 단계와, 상기 패키지 기판의 배선구조에 각각 연결되도록 복수개의 발광다이오드를 플립칩 본딩하는 단계와, 적어도 상기 발광다이오드가 실장된 높이보다 큰 두께로 균일하게 상기 패키지 기판 상에 형광체 페이스트를 도포하는 단계와, 상기 패키기기판 상에 복수개의 발광다이오드를 둘러싼 파장변환용 형광체막이 형성되도록 상기 형광체 페이스트를 경화시키는 단계와, 상기 형광체막이 형성된 패키지 기판을 개별 LED 패키지로 절단하는 단계를 포함하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing a white light emitting diode package, the method comprising: providing a package substrate in which wiring structures for a plurality of LED packages are formed at regular intervals, and flipping the plurality of light emitting diodes to be connected to the wiring structures of the package substrate, respectively; Chip bonding; uniformly applying a phosphor paste on the package substrate to a thickness greater than at least the height at which the light emitting diode is mounted; and a wavelength conversion phosphor film surrounding the plurality of light emitting diodes on the package substrate. It provides a wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method comprising the step of curing the phosphor paste to be formed, and cutting the package substrate on which the phosphor film is formed into a separate LED package.

형광체(phosphor), 웨이퍼레벨(wafer-level), 백색 발광다이오드(white light emitting diode)Phosphor, wafer-level, white light emitting diode

Description

Translated fromKorean

파장변환형 발광 다이오드 패키지 제조방법{METHOD OF PRODUCING WAVELENGTH-CONVERTED LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}METHODS OF PRODUCING WAVELENGTH-CONVERTED LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

도1은 종래의 백색 발광다이오드 패키지의 단면을 도시한 개략도이다.1 is a schematic view showing a cross section of a conventional white light emitting diode package.

도2는 종래의 백색 발광다이오드 패키지의 단면을 촬영한 사진이다.2 is a photograph of a cross section of a conventional white light emitting diode package.

도3a 내지 도3d는 본 발명의 일실시형태에 따른 파장변환형 발광다이오드 패키지의 제조공정을 설명하기 위한 공정단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a wavelength conversion type light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도4는 본 발명의 일실시형태에 따른 제조방법으로 얻어진 파장변환형 발광다이오드 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the wavelength conversion type light emitting diode package obtained by the manufacturing method according to the embodiment of the present invention.

도5a 내지 도5e는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 파장변환형 발광다이오드 패키지의 제조공정을 설명하기 위한 공정단면도이다.5A to 5E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a wavelength conversion type light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>

30,50: 발광다이오드 패키지31: 패키지 기판30, 50: light emitting diode package 31: package substrate

35,55: 발광다이오드 37,57: 측벽댐35, 55:light emitting diodes 37, 57: sidewall dam

38,58: 형광체 페이스트38',58': 형광체막38, 58: phosphor paste 38 ', 58': phosphor film

51: 제1 접착필름59: 제2 접착필름51: first adhesive film 59: second adhesive film

본 발명은 형광체를 이용한 파장변환형 발광다이오드에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 레벨에서 보다 간소화된 공정을 통해 대량 생산이 가능한 파장변환형 발광다이오드 패키지의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wavelength conversion type light emitting diode using a phosphor, and more particularly, to a method for manufacturing a wavelength conversion type light emitting diode package capable of mass production through a more simplified process at the wafer level.

일반적으로, 파장변환형 발광다이오드는 형광체 분말을 이용하여 고유 발광색의 파장을 변환시켜 원하는 발광색을 얻는 광원을 말한다. 특히, 백색 구현을 위한 파장변환형 발광다이오드는, 조명장치 또는 디스플레이 장치의 백라이트를 대체할 수 있는 고출력, 고효율 광원으로서 적극적으로 개발되고 있다.In general, the wavelength conversion type light emitting diode refers to a light source that converts the wavelength of intrinsic emission color using phosphor powder to obtain a desired emission color. In particular, the wavelength conversion type light emitting diode for white implementation is actively developed as a high power, high efficiency light source that can replace the backlight of the lighting device or the display device.

도1는 종래의 일방법에 따라 제조된 백색 발광다이오드 패키지(10)를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a white light emittingdiode package 10 manufactured according to a conventional method.

도1을 참조하면, 상기 백색 발광다이오드 패키지(10)는 2개의 리드프레임(13a,13b)이 형성된 서브마운트(11)과 상기 서브마운트기판(11)의 캡구조(12) 내에 실장된 청색 발광다이오드 패키지(10)를 포함한다. 상기 발광다이오드 패키지(10)는 발광다이오드(5)와 패키지 기판(15b)을 포함한다. 상기 패키지 기판(6)에 형성되어 발광다이오드(5)의 양전극(미도시)에 각각 연결된 전극부(미도시)은 각각 상기 리드프레임(13a,13b)의 상단에 와이어(14a,14b)로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 1, the white light emittingdiode package 10 includes asubmount 11 having twolead frames 13a and 13b and a blue light emitting device mounted in acap structure 12 of thesubmount substrate 11.Diode package 10 is included. The light emittingdiode package 10 includes alight emitting diode 5 and a package substrate 15b. Electrode portions (not shown) formed on thepackage substrate 6 and respectively connected to positive electrodes (not shown) of thelight emitting diodes 5 may be connected to the upper ends of the lead frames 13a and 13b bywires 14a and 14b. Can be.

상기 캡구조(12) 내부에는 상기 청색 LED(5) 주위를 둘러싸도록 Y-Al-Ga(YAG)계 형광체를 함유한 몰딩부(19)가 형성된다. 상기 몰딩부(19)에 분포한 형광체분말(18)은 LED(15a)로부터 방출되는 청색광의 일부를 황색광으로 변환하고, 변환된 황색광은 변환되지 않은 청색광과 조합되어 원하는 백색광으로 발산될 수 있다.Amolding unit 19 containing Y-Al-Ga (YAG) -based phosphor is formed in thecap structure 12 to surround theblue LED 5. Thephosphor powder 18 distributed in themolding unit 19 converts a part of the blue light emitted from the LED 15a into yellow light, and the converted yellow light is combined with the unconverted blue light to emit a desired white light. have.

일반적으로, 상기 파장변환용 몰딩부(19)는 형광체분말이 균일하게 분산된 액상수지를 디스펜싱공정을 이용하여 형성될 수 있다.In general, the wavelengthconversion molding unit 19 may be formed using a dispensing process of a liquid resin in which the phosphor powder is uniformly dispersed.

하지만, 종래의 디스펜싱공정은 도2의 단면사진과 같이 액상수지를 이용하므로 그 액상수지가 경화되는 과정에서 형광체분말이 침전되는 문제가 있다. 심지어, A로 표시된 발광다이오드 칩의 측면영역에는 형광체분말이 거의 존재하지 않으므로, 파장변환없이 방출되는 청색광의 비율이 지나치게 높아질 수 있다. 이로 인해 보다 많은 양의 형광체분말이 요구되며. 결과적으로 발광휘도가 저하되고, 편향각도에 따라 빛의 색온도가 상이하져 부분적으로 황백색 또는 청백색을 띠게 되는 색얼룩현상이 야기된다.However, in the conventional dispensing process, since the liquid resin is used as shown in the cross-sectional photograph of FIG. 2, there is a problem in that the phosphor powder is precipitated in the process of curing the liquid resin. Even since there is little phosphor powder in the side region of the light emitting diode chip indicated by A, the ratio of blue light emitted without wavelength conversion may be too high. This requires a larger amount of phosphor powder. As a result, the luminance is lowered, the color temperature of the light is different depending on the deflection angle, causing a color stain phenomenon that is partially yellowish white or blue white.

또한, 다양한 형광체분말을 혼합하여 사용하는 경우에, 상기한 형광체분말의 침전현상은 보다 심각한 문제가 된다. 예를 들어, 자외선 LED와 적절한 배합비를 갖는 적색, 녹색 및 청색 형광체분말의 혼합물을 이용하여 백색 발광다이오드를 제조하는 경우에, 각 형광체마다 다른 비중과 입도를 가지므로, 색의 불균일문제는 보다 심화된다.In addition, when various phosphor powders are mixed and used, the above-mentioned precipitation phenomenon of the phosphor powder becomes a more serious problem. For example, when a white light emitting diode is manufactured using a mixture of red, green, and blue phosphor powders having an appropriate blending ratio with an ultraviolet LED, each phosphor has a different specific gravity and particle size. do.

한편, 디스펜싱공정 및 경화시간에 따라 침전정도가 커지므로, 결과적으로 공정시간에 따라 색좌표가 변화할 수 있으며, 이로 인해, 불량율도 증가할 뿐만 아니라, 패키지에 따른 색좌표의 산포가 커지는 문제도 있다.On the other hand, since the degree of precipitation increases according to the dispensing process and the curing time, the color coordinates may change according to the process time. As a result, not only the defect rate increases, but also the scattering of the color coordinates along the package may increase. .

이러한 문제를 해결하기 위해서, 대한민국특허출원 2004-89870호(출원일: 2004.11.5, 출원인: 삼성전기주식회사, 발명명칭: 백색 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법)에서는 소정의 점도를 갖는 형광체 분말을 디스펜싱공정을 통해 발광다이오드 상에 도포함으로써, 원하는 두께의 형광체막을 형성할 뿐만 아니라, 형광체분말의 혼합물의 침전으로 인한 색불균일을 방지할 수 있는 방안이 제시되었다.In order to solve this problem, Korean Patent Application No. 2004-89870 (Application Date: 2004.11.5, Applicant: Samsung Electro-Mechanics, Inc., Invention Name: White light emitting diode package and its manufacturing method) dispenses a phosphor powder having a predetermined viscosity. By applying onto the light emitting diode through the process, not only a phosphor film having a desired thickness can be formed, but also a method of preventing color unevenness due to precipitation of a mixture of phosphor powders has been proposed.

하지만, 상기한 특허문헌에 따른 제조방법은 우수한 특성의 형광체막을 제공하는 방안을 제시하고 있으나, 실제 대량생산을 위해 필요한 웨이퍼 레벨에서의 제조공정을 개시하지 못하고 있다.However, the manufacturing method according to the above patent document suggests a method of providing a phosphor film with excellent characteristics, but does not disclose a manufacturing process at a wafer level required for actual mass production.

본 발명은 상술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 웨이퍼 레벨의 제조공정에서 발광다이오드의 표면에 원하는 두께를 갖는 형광체막을 제공할 수 있는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method capable of providing a phosphor film having a desired thickness on the surface of a light emitting diode in a wafer level manufacturing process. have.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명의 일측면은 복수개의 LED 패키지를 위한 배선구조가 일정한 간격으로 형성된 패키지 기판을 마련하는 단계와, 상기 패키지 기판의 배선구조에 각각 연결되도록 복수개의 발광다이오드를 플립칩 본딩하는 단계와, 적어도 상기 발광다이오드가 실장된 높이보다 큰 두께로 균일하게 상기 패키지 기판 상에 형광체 페이스트를 도포하는 단계와, 상기 패키지 기판 상에 복수개의 발광다이오드를 둘러싼 파장변환용 형광체막이 형성되도록 상기 형광체 페이스트를 경화시키는 단계와, 상기 형광체막이 형성된 패키지 기판을 개별 LED 패키지로 절단하는 단계를 포함하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, one side of the present invention is to provide a package substrate having a wiring structure for a plurality of LED packages at regular intervals, and a plurality of light emitting diodes to be connected to each of the wiring structure of the package substrate Flip chip bonding, uniformly applying a phosphor paste on the package substrate to a thickness greater than at least the height at which the light emitting diode is mounted, and a wavelength conversion phosphor surrounding the plurality of light emitting diodes on the package substrate. It provides a wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method comprising the step of curing the phosphor paste to form a film, and cutting the package substrate on which the phosphor film is formed into a separate LED package.

바람직하게, 상기 패키지 기판의 배선구조는, 상기 패키지 기판 상면에 형성된 제1 및 제2 접속패드와, 상기 패키지 기판 하면에 형성된 제1 및 제2 접속단자와, 상기 패키지 기판을 관통하여 상기 제1 및 제2 접속패드와 제1 및 제2 접속단자를 각각 연결하는 제1 및 제2 도전성 비아홀로 이루어진다.Preferably, the wiring structure of the package substrate includes first and second connection pads formed on an upper surface of the package substrate, first and second connection terminals formed on a lower surface of the package substrate, and penetrate the first through the package substrate. And first and second conductive via holes connecting the second connection pad and the first and second connection terminals, respectively.

본 발명에서 사용되는 형광체 페이스트는, 우수한 형광체막특성을 얻기 위해서, 파장변환용 형광체분말와 투명한 경화성 폴리머 수지를 혼합하여 제조된 500∼10000cps의 점도를 갖는 것이 바람직하다.The phosphor paste used in the present invention preferably has a viscosity of 500 to 10,000 cps prepared by mixing the phosphor powder for wavelength conversion and the transparent curable polymer resin in order to obtain excellent phosphor film properties.

여기서, 상기 파장변환용 형광체분말은, 상기 발광다이오드의 파장광을 백색광으로 변환하는 형광체로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 형광체 페이스트는, 상기 경화성 폴리머 수지에 대한 상기 형광체 분말의 중량비가 0.5∼10범위인 것이 바람직하다. 또한, 상기 경화성 폴리머 수지는, 실리콘계 폴리머 수지 또는 에폭시계 폴리머 수지일 수 있다.Here, the wavelength conversion phosphor powder may be formed of a phosphor for converting the wavelength light of the light emitting diode into white light. In the phosphor paste, the weight ratio of the phosphor powder to the curable polymer resin is preferably in the range of 0.5 to 10. In addition, the curable polymer resin may be a silicone-based polymer resin or an epoxy-based polymer resin.

본 발명에서, 상기 패키지 기판 상에 형광체 페이스트를 도포하는 단계는, 프린팅공정에 의해 용이하게 실행될 수 있다.In the present invention, the step of applying the phosphor paste on the package substrate can be easily performed by a printing process.

또한, 상기 형광체 페이스트의 도포단계는, 도포되는 형광체페이스트가 균일한 높이를 갖도록 일정한 높이를 갖는 측벽댐을 패키지 기판 측부에 배치하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the applying of the phosphor paste may include disposing a sidewall dam having a constant height on the side of the package substrate so that the phosphor paste to be applied has a uniform height.

바람직하게, 상기 형광체페이스트를 경화시키는 단계는, 도포된 형광체 페이스트로부터 기포가 제거되도록 진공상태에서 실시된다.Preferably, the step of curing the phosphor paste is carried out in a vacuum to remove bubbles from the applied phosphor paste.

본 발명의 바람직한 실시형태에서, 상기 패키지 기판을 절단하는 단계에서 제거되는 절삭폭은, 상기 발광다이오드 측면에 잔류하는 형광체막이 원하는 두께를 갖도록 설정된다. 이로써 발광다이오드 측면에서도 형광체막을 원하는 두께로 제어할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the cutting width removed in the step of cutting the package substrate is set so that the phosphor film remaining on the side of the light emitting diode has a desired thickness. As a result, the phosphor film can be controlled to a desired thickness on the light emitting diode side.

또한, 본 발명의 다른 측면은, 제1 접착필름 상에 전극형성면이 접착되도록 복수개의 발광다이오드를 일정한 간격으로 배열하는 단계와, 적어도 상기 발광다이 오드가 실장된 높이보다 큰 두께로 균일하게 상기 제1 접착필름 상에 형광체 페이스트를 도포하는 단계와, 상기 제1 접착필름 상에 복수개의 발광다이오드를 둘러싼 파장변환용 형광체막이 형성되도록 상기 형광체 페이스트를 경화시키는 단계와, 상기 복수개의 발광다이오드 전극면이 상부를 향하도록 상기 제1 접착필름으로부터 상기 제2 접착필름에 전사시키는 단계와, 싱기 제2 접착필름 상에서 상기 복수개의 발광다이오드 사이의 형광체막을 부분적으로 제거하여 개별 발광다이오드로 분리하는 단계를 포함하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법를 제공한다.In addition, another aspect of the invention, the step of arranging a plurality of light emitting diodes at regular intervals so that the electrode forming surface is bonded on the first adhesive film, and at least equal to a thickness greater than the height of the mounting of the light emitting diodes Coating a phosphor paste on a first adhesive film, curing the phosphor paste to form a wavelength conversion phosphor film surrounding the plurality of light emitting diodes on the first adhesive film, and the plurality of light emitting diode electrode surfaces Transferring the first adhesive film from the first adhesive film to the second adhesive film so as to face the upper portion, and partially removing the phosphor films between the plurality of light emitting diodes on the second second adhesive film and separating them into individual light emitting diodes. It provides a wavelength conversion light emitting diode package manufacturing method.

본 실시형태에서 얻어진 형광체막이 형성된 LED는 제2 접착필름에 접착된 상태에서 다양한 패키지 기판에 실장하는 단계와 결합되어 원하는 형태의 파장변환형 발광다이오드 패키지를 제공할 수 있다.The LED having the phosphor film obtained in the present embodiment may be combined with mounting on various package substrates in a state of being bonded to the second adhesive film to provide a wavelength conversion type light emitting diode package of a desired shape.

바람직하게, 상기 개별 발광다이오드로 분리하는 단계는, 적어도 상기 제2 접착필름이 완전히 절단되지 않는 절삭깊이 및/또는 주위 발광다이오드 측면에 잔류한 형광체막이 원하는 두께를 갖도록 정해진 절삭폭으로 설정된 절삭공정에 의해 실시될 수 있다.Preferably, the separating into the individual light emitting diodes may include a cutting process in which the phosphor film remaining on the side of the light emitting diode and / or the depth of cut at least the second adhesive film is not completely cut is set to a cutting width determined to have a desired thickness. It can be carried out by.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention in more detail.

도3a 내지 도3d는 본 발명의 일실시형태에 따른 파장변환형 발광다이오드 패 키지의 제조공정을 설명하기 위한 공정단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a wavelength conversion light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

우선, 도3a와 같이, 본 제조방법은 복수개의 LED 패키지를 위한 배선구조가 일정한 간격으로 형성된 패키지 기판(31)을 마련하는 단계로 시작된다. 상기 패키지 기판(31)에 구현된 배선구조는 웨이퍼 레벨에서 형성될 수 있는 다양한 형태로 구현될 수 있다.First, as shown in FIG. 3A, the manufacturing method starts with providing apackage substrate 31 having wiring structures for a plurality of LED packages formed at regular intervals. The wiring structure implemented on thepackage substrate 31 may be implemented in various forms that may be formed at the wafer level.

바람직하게, 본 실시형태와 같이 상기 패키지 기판(31) 상면에 제1 및 제2 접속패드(32a,32b)가 형성되고, 상기 패키지 기판(31) 하면에는 제1 및 제2 접속단자(33a,33b)가 형성된다. 또한, 상기 제1 및 제2 접속패드(32a,32b)와 제1 및 제2 접속단자(33a,33b)가 각각 연결되도록, 상기 패키지 기판(31)을 관통하는 제1 및 제2 도전성 비아홀(34a,34b)이 형성된다.Preferably, the first andsecond connection pads 32a and 32b are formed on the upper surface of thepackage substrate 31 as in the present embodiment, and the first andsecond connection terminals 33a and the lower surface of thepackage substrate 31 are formed. 33b) is formed. In addition, first and second conductive via holes penetrating through thepackage substrate 31 to connect the first andsecond connection pads 32a and 32b and the first andsecond connection terminals 33a and 33b, respectively. 34a, 34b) are formed.

이어, 도3b와 같이, 상기 패키지 기판(31)의 배선구조, 즉 제1 및 제2 접속패드(32a,32b)에 각각 연결되도록 복수개의 발광다이오드(35)를 플립칩 본딩한다. 이러한 플립칩 공정은 통상의 솔더(36a,36b)와 같은 본딩수단을 통해 용이하게 구현될 수 있다. 본 도면에서 발광다이오드의 상세한 도시는 생략되었으나, 제1 및 제2 접속패드(32a,32b)와 연결되는 발광다이오드(35)영역에 제1 및 제2 전극(미도시)이 형성되었음을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다.3B, a plurality oflight emitting diodes 35 are flip-chip bonded so as to be connected to the wiring structure of thepackage substrate 31, that is, the first andsecond connection pads 32a and 32b, respectively. Such a flip chip process can be easily implemented through bonding means such asconventional solders 36a and 36b. Although a detailed illustration of the light emitting diode is omitted in the figure, those skilled in the art will understand that the first and second electrodes (not shown) are formed in the area of thelight emitting diode 35 connected to the first andsecond connection pads 32a and 32b. Could be.

본 공정에서, 플립칩 본딩된 복수개의 발광다이오드(35)는 서로 일정한 간격(d)을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 이는 후속 절단공정에서 동일한 규격의 절삭공정을 통해 발광다이오드(35)의 측면에서 형광체막두께를 적절히 제어하기 위함이다. 이러한 발광다이오드(35)의 배열간격을 보다 정확하게 얻기 위해서는, 앞선 배선구조 형성공정에서 다른 LED를 위한 제1 및 제2 접속패드(32a,32b)의 간격도 적절히 고려할 필요가 있다.In this process, the plurality of flip chip bondedlight emitting diodes 35 may be formed to have a constant distance d from each other. This is to appropriately control the thickness of the phosphor film on the side of thelight emitting diode 35 through a cutting process of the same standard in the subsequent cutting process. In order to more accurately obtain such an arrangement interval of thelight emitting diodes 35, it is necessary to properly consider the intervals of the first andsecond connection pads 32a and 32b for other LEDs in the foregoing wiring structure forming process.

다음으로, 도3c와 같이, 적어도 상기 발광다이오드(35)가 실장된 높이보다 큰 두께로 균일하게 상기 패키지 기판(31) 상에 형광체 페이스트(38)를 도포한다. 본 공정은 통상의 프린팅기법으로 용이하게 실현될 수 있다. 본 공정에서, 발광다이오드(35) 상면에 형성된 형광체막 두께(t1)를 용이하게 제어하기 위해서, 일정한 높이를 갖는 측벽댐(37)을 패키지 기판(31) 측부에 배치하여 실시할 수 있다.Next, as shown in FIG. 3C, thephosphor paste 38 is uniformly coated on thepackage substrate 31 to a thickness greater than a height at which thelight emitting diodes 35 are mounted. The present process can be easily realized by conventional printing techniques. In this step, in order to easily control the thickness t1 of the phosphor film formed on the upper surface of thelight emitting diode 35, asidewall dam 37 having a constant height may be disposed on thepackage substrate 31 side.

본 발명에서 사용되는 형광체 페이스트(38)는 균일한 막형성과 공정 중에 형광체 분말의 불균일한 분포를 방지하기 위해서, 대한민국특허출원 제2004-89870호에서 제공된 형광체페이스트를 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 형광체 페이스트는, 파장변환용 형광체분말와 투명한 경화성 폴리머 수지를 혼합하여 제조된 500∼10000cps의 점도를 갖도록 한다. 여기서, 상기 경화성 폴리머 수지는, 실리콘계 폴리머 수지 또는 에폭시계 폴리머 수지일 수 있으며, 백색 발광다이오드 패키지를 제조하기 위해서, 발광다이오드의 파장광을 백색광으로 변환하는 형광체 조합을 사용할 수 있다. 또한, 바람직하게, 상기 경화성 폴리머 수지에 대한 상기 형광체 분말의 중량비가 0.5∼10범위인 형광체 페이스트를 제조하여 사용할 수 있다.Thephosphor paste 38 used in the present invention preferably uses the phosphor paste provided in Korean Patent Application No. 2004-89870 in order to prevent uniform film formation and uneven distribution of the phosphor powder during the process. That is, the phosphor paste has a viscosity of 500 to 10,000 cps prepared by mixing the wavelength conversion phosphor powder and the transparent curable polymer resin. Here, the curable polymer resin may be a silicone-based polymer resin or an epoxy-based polymer resin, and in order to manufacture a white light emitting diode package, a phosphor combination for converting wavelength light of the light emitting diode into white light may be used. In addition, preferably, a phosphor paste having a weight ratio of the phosphor powder to the curable polymer resin in a range of 0.5 to 10 may be prepared and used.

이어, 도3d와 같이, 상기 패키지 기판(31) 상에 복수개의 발광다이오드(35)를 둘러싼 파장변환용 형광체막(38')이 형성되도록 상기 형광체 페이스트(38)를 경화시킨 후에 상기 형광체막(38')이 형성된 패키지 기판(31)을 개별 LED 패키지로 절단한다. 여기서 경화공정은 도포된 형광체 페이스트(38) 상에 기포가 제거될 수 있도록 진공상태에서 실시하는 것이 바람직하다.3D, thephosphor paste 38 is cured to form a wavelengthconversion phosphor film 38 ′ surrounding the plurality oflight emitting diodes 35 on thepackage substrate 31, and then the phosphor film ( Thepackage substrate 31 on which 38 'is formed is cut into individual LED packages. Here, the curing step is preferably performed in a vacuum state so that bubbles can be removed on the appliedphosphor paste 38.

또한, 본 절단단계는 통상의 절삭(dicing)공정에 의해 실시될 수 있으나, 바람직하게는, 브레이드에 접하여 절삭되는 위치가 실장된 발광다이오드(35) 사이의 형광체막(38') 영역의 중심이 되도록 조절하고, 제거되는 절삭폭(w)을 적절히 설정함으로써, 상기 발광다이오드(35) 측면에 잔류하는 형광체막을 원하는 두께(t2)로 정확히 제어할 수 있다.In addition, the present cutting step may be performed by a normal cutting process, but preferably, the center of the phosphor film 38 'region between thelight emitting diodes 35 mounted in contact with the braid is mounted. By adjusting so as to adjust the cutting width w to be removed, the phosphor film remaining on the side surface of thelight emitting diode 35 can be precisely controlled to a desired thickness t2.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 제조방법에 따르면, 실장공정과 절단공정과 같은 간단한 웨이퍼레벨의 공정을 응용함으로써 발광다이오드의 상면과 측면에 형성되는 형광체막의 두께(t1,t2)를 정확히 제어할 수 있다는 장점이 있다.As described above, according to the manufacturing method according to the present embodiment, the thickness t1 and t2 of the phosphor film formed on the upper surface and the side surface of the light emitting diode can be accurately controlled by applying simple wafer level processes such as the mounting process and the cutting process. There is an advantage.

도4는 앞선 실시형태에 따른 제조방법으로 얻어진 파장변환형 발광다이오드 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a wavelength conversion type light emitting diode package obtained by the manufacturing method according to the foregoing embodiment.

도4에 도시된 바와 같이, 파장변환형 발광다이오드 패키지(30)는 소정의 배선구조를 갖는 패키지 기판(31)과 그 위에 솔더(36a,36b)에 의해 플립칩 본딩된 발광다이오드(35)를 포함한다. 상기 패키지 기판(31)의 배선구조는 상면에 형성된 제 1 및 제2 접속패드(32a.32b)와, 하면에 형성된 제1 및 제2 접속단자(33a,33b)를 포함하며, 상기 제1 및 제2 접속패드(32a,32b)와 제1 및 제2 접속단자(33a,33b)는 각각 제1 및 제2 도전성 비아홀(34a,34b)에 의해 연결된다.As shown in FIG. 4, the wavelength conversion type light emittingdiode package 30 includes apackage substrate 31 having a predetermined wiring structure and alight emitting diode 35 flip-chip bonded bysolders 36a and 36b thereon. Include. The wiring structure of thepackage substrate 31 includes first andsecond connection pads 32a and 32b formed on an upper surface and first andsecond connection terminals 33a and 33b formed on a lower surface thereof. Thesecond connection pads 32a and 32b and the first andsecond connection terminals 33a and 33b are connected by the first and second conductive viaholes 34a and 34b, respectively.

또한, 발광다이오드(35)의 상면과 측면에는 파장변환용 형광체막(38')이 제공된다. 상기 형광체막(38')의 상면 두께는 도3c에 설명된 도포공정과 같이 측벽댐과 같은 수단을 통해 원하는 범위로 제조될 수 있으며, 형광체막(38')의 측면두께는 발광다이오드(35)의 배열간격과 절삭폭을 조정하여 원하는 두께로 형성할 수 있다. 특히, 본 발명의 제조방법으로 얻어진 발광다이오드 패키지(30)의 형광체막(38')는 그 측면두께가 개별 패키지의 절단과정에서 얻어지므로, 패키지 기판(31)의 측면과 평탄한 측면을 갖는다는 것이 특징일 수 있다.In addition, a wavelength conversion phosphor film 38 'is provided on the top and side surfaces of thelight emitting diode 35. The thickness of the upper surface of the phosphor film 38 'may be manufactured to a desired range through a means such as a sidewall dam as in the coating process described in FIG. 3C, and the side thickness of the phosphor film 38' is alight emitting diode 35. By adjusting the spacing and cutting width of the can be formed to the desired thickness. In particular, thephosphor film 38 ′ of the light emittingdiode package 30 obtained by the manufacturing method of the present invention has a flat side surface with the side surface of thepackage substrate 31 because the side thickness thereof is obtained during the cutting of the individual package. May be a feature.

도5a 내지 도5e는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 파장변환형 발광다이오드 패키지의 제조공정을 설명하기 위한 공정단면도이다.5A to 5E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a wavelength conversion type light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

본 실시형태는 접착필름(본 도면에서는 제2 접착필름)에 접착된 상태로 형광체막이 형성된 발광다이오드를 제공하므로, 앞서 실시형태와 달리 원하는 다양한 구조의 패키지구조에 적용할 수 있다는 장점이 있다.This embodiment provides a light emitting diode in which a phosphor film is formed in a state of being bonded to an adhesive film (second adhesive film in this drawing), and thus, unlike the previous embodiment, it can be applied to a package structure having various desired structures.

도5a와 같이, 본 방법은 제1 접착필름(51) 상에 전극형성면이 접착되도록 복수개의 발광다이오드(55)를 일정한 간격(d)으로 배열하는 단계로 시작된다. 본 공정에서 배열되는 간격(d)은 후속 형광체막 분리공정까지 유지되므로, 원하는 형광 체막의 측면두께를 얻기 위해서 절삭폭과 연관되어 적절한 간격으로 설정한다. 본 공정에 사용되는 제1 접착필름(51)은 일면에 접착물질이 도포된 필름으로서 통상의 분류용 필름(sorting film)이 사용될 수 있다.As shown in FIG. 5A, the method starts with arranging a plurality oflight emitting diodes 55 at regular intervals d such that an electrode forming surface is adhered on the firstadhesive film 51. Since the interval d arranged in this process is maintained until the subsequent phosphor film separation process, it is set at an appropriate interval in association with the cutting width in order to obtain the side thickness of the desired phosphor film. The firstadhesive film 51 used in this process may be a conventional sorting film as a film coated with an adhesive material on one surface.

이어, 도5b와 같이, 적어도 상기 발광다이오드(55)가 실장된 높이보다 큰 두께로 균일하게 상기 제1 접착필름(51) 상에 형광체 페이스트(58)를 도포한다. 이에 한정되지 않으나, 본 공정은 통상의 프린팅기법으로 용이하게 실현될 수 있다. 본 공정에서, 발광다이오드(55) 상면에 형성된 형광체막 두께(t1)를 용이하게 제어하기 위해서, 일정한 높이를 갖는 측벽댐(57)을 제1 접착필름(51) 측부에 배치하여 실시할 수 있다. 상기 형광체 페이스트(58)는 앞선 실시형태와 유사하게 대한민국특허출원 제2004-89870호에서 제공된 형광체페이스트를 사용하는 것이 바람직하다.Subsequently, as shown in FIG. 5B, thephosphor paste 58 is uniformly coated on the firstadhesive film 51 to a thickness larger than the height at which thelight emitting diodes 55 are mounted. Although not limited to this, the present process can be easily realized by conventional printing techniques. In this process, in order to easily control the thickness t1 of the phosphor film formed on the upper surface of thelight emitting diode 55, asidewall dam 57 having a constant height may be disposed on the side of the firstadhesive film 51. . As thephosphor paste 58, it is preferable to use the phosphor paste provided in Korean Patent Application No. 2004-89870 similar to the above embodiment.

다음으로, 상기 제1 접착필름(51) 상에 복수개의 발광다이오드(55)를 둘러싼 파장변환용 형광체막(58')이 형성되도록 상기 형광체 페이스트(58)를 경화시킨 후에, 상기 복수개의 발광다이오드(55) 전극면이 상부를 향하도록 상기 제1 접착필름(51)으로부터 상기 제2 접착필름(59)에 전사시키고 상기 제1 접착필름(51)을 제거한다. 본 경화공정은 형광체페이스트(58)로부터 기포를 제거하기 위해서, 진공상태에서 실시되는 것이 바람직하다.Next, after curing thephosphor paste 58 to form a wavelength conversion phosphor film 58 'surrounding the plurality oflight emitting diodes 55 on the firstadhesive film 51, the plurality of light emitting diodes (55) The firstadhesive film 51 is transferred from the firstadhesive film 51 to the secondadhesive film 59 so that the electrode surface faces upward, and the firstadhesive film 51 is removed. This curing step is preferably performed in a vacuum state in order to remove bubbles from thephosphor paste 58.

이러한 제2 접착필름(59)을 이용한 전사공정을 통해 다른 임의의 패키지 기판에 실장할 수 있도록 발광다이오드(55)의 전극면을 노출시킬 수 있다. 상기 제2 접착필름(59)은 이에 한정되지는 않으나, UV경화성 테이프 등이 사용될 수 있다. 또한, 후속 절삭공정을 적용할 경우에는 절삭깊이를 제어하여 제2 접착필름(59)의 완전한 분리를 방지하는 것이 실장공정에 유리하다. 따라서, 상기 제2 접착필름(59)의 두께는 적어도 수㎜인 것이 바람직하다.Through the transfer process using the secondadhesive film 59, the electrode surface of thelight emitting diode 55 may be exposed to be mounted on any other package substrate. The secondadhesive film 59 is not limited thereto, and a UV curable tape may be used. In addition, when the subsequent cutting process is applied, it is advantageous to the mounting process to control the cutting depth to prevent complete separation of the secondadhesive film 59. Therefore, the thickness of the secondadhesive film 59 is preferably at least several mm.

다음으로, 상기 제2 접착필름(59) 상에서 상기 복수개의 발광다이오드(55) 사이의 형광체막(58')을 부분적으로 제거하여 개별 발광다이오드단위로 분리한다. 여기서, 상기 제2 접착필름(59)이 완전히 절단되지 않는 절삭깊이로 발광다이오드의 형광체막을 제거하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 형광체막이 형성된 발광다이오드를 제2 접착필름 상에 부착된 상태에서 보다 용이하게 패키지 기판에 실장할 수 있다. 또한, 본 공정은 주위 발광다이오드(55) 측면에 잔류한 형광체막(58')이 원하는 두께(t1)를 갖도록 정해진 절삭폭(w)으로 설정된 절삭공정에 의해 실시되는 것이 바람직하다.Next, thephosphor film 58 ′ between the plurality oflight emitting diodes 55 is partially removed on the secondadhesive film 59 and separated into individual light emitting diode units. Here, it is preferable to remove the phosphor film of the light emitting diode at a cutting depth at which the secondadhesive film 59 is not completely cut. In this case, the light emitting diode on which the phosphor film is formed can be more easily mounted on the package substrate in a state where it is attached on the second adhesive film. In addition, the present step is preferably carried out by a cutting step in which the phosphor film 58 'remaining on the side of the surroundinglight emitting diode 55 is set to a cutting width w defined to have a desired thickness t1.

최종적으로, 본 방법은 상기한 과정에서 형광체막(58')이 형성된 복수개의 발광다이오드(55)를 원하는 형태의 패키지 기판(61)에 실장하는 단계를 추가적으로 실시할 수 있다. 본 실장공정은 도5d에 도시된 바와 같이, 형광체막(58')이 형성된 발광다이오드를 제2 접착필름(59) 상에 부착된 상태로 실장공정을 진행하므로, 최종 발광다이오드(55)의 실장공정을 용이하게 실시할 수 있다.Finally, the method may additionally mount the plurality oflight emitting diodes 55 on which the phosphor film 58 'is formed on thepackage substrate 61 having a desired shape. In this mounting process, as shown in FIG. 5D, the mounting process is performed while the light emitting diode on which thephosphor film 58 ′ is formed is attached on the secondadhesive film 59, so that the finallight emitting diode 55 is mounted. The step can be easily performed.

도5e는 본 공정에 따라 제조된 파장변환형 발광다이오드 패키지를 나타낸다. 도5e에 예시된 패키지 기판은 도4의 구조와 달리, 상면의 접속패드영역으로부터 측면을 통해 하면까지 연장된 패턴(62a,62b)을 갖는다.5E shows a wavelength conversion light emitting diode package manufactured according to this process. Unlike the structure of FIG. 4, the package substrate illustrated in FIG. 5E haspatterns 62a and 62b extending from the connection pad region on the upper surface to the lower surface through the side surface.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. Accordingly, various forms of substitution, modification, and alteration may be made by those skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, which are also within the scope of the present invention. something to do.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 웨이퍼레벨에서 복수개의 플립칩 발광다이오드에 대해 형광체막을 형성할 수 있으므로, 실제 대량생산을 위한 공정에 매우 유익하게 적용될 수 있다. 특히, 본 발명에서는 발광다이오드의 상면에 형성된 형광체막 두께뿐만 아니라, 그 측면에 형성된 형광체막의 두께도 배열공정 및 절삭공정을 통해 정밀하게 형성할 수 있으므로, 불균일한 형광막두께로 인한 문제를 해결할 수 있다. As described above, according to the present invention, since a phosphor film can be formed for a plurality of flip chip light emitting diodes at the wafer level, it can be very advantageously applied to a process for actual mass production. In particular, in the present invention, not only the thickness of the phosphor film formed on the upper surface of the light emitting diode, but also the thickness of the phosphor film formed on the side surface of the light emitting diode can be precisely formed through the arrangement process and the cutting process, thereby solving the problem caused by the non-uniform phosphor film thickness. have.

Claims (21)

Translated fromKorean

복수개의 LED 패키지를 위한 배선구조가 일정한 간격으로 형성된 패키지 기판을 마련하는 단계;Providing a package substrate on which wiring structures for a plurality of LED packages are formed at regular intervals;상기 패키지 기판의 배선구조에 각각 연결되도록 복수개의 발광다이오드를 플립칩 본딩하는 단계;Flip chip bonding a plurality of light emitting diodes so as to be respectively connected to a wiring structure of the package substrate;적어도 상기 발광다이오드가 실장된 높이보다 큰 두께로 균일하게 상기 패키지 기판 상에 형광체 페이스트를 도포하는 단계;Applying a phosphor paste uniformly on the package substrate to a thickness at least greater than the height at which the light emitting diodes are mounted;상기 패키지 기판 상에 복수개의 발광다이오드를 둘러싼 파장변환용 형광체막이 형성되도록 상기 형광체 페이스트를 경화시키는 단계; 및Curing the phosphor paste such that a wavelength conversion phosphor film surrounding a plurality of light emitting diodes is formed on the package substrate; And상기 형광체막으로부터 상기 패키지 기판까지 절단하는 방식으로 개별 LED 패키지로 분리하는 단계를 포함하며,Separating into individual LED packages by cutting from the phosphor film to the package substrate,상기 패키지 기판의 배선구조는, 상기 패키지 기판 상면에 형성된 제1 및 제2 접속패드와, 상기 패키지 기판 하면에 형성된 제1 및 제2 접속단자와, 상기 패키지 기판을 관통하여 상기 제1 및 제2 접속패드와 제1 및 제2 접속단자를 각각 연결하는 제1 및 제2 도전성 비아홀로 이루어진 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The wiring structure of the package substrate may include first and second connection pads formed on an upper surface of the package substrate, first and second connection terminals formed on a lower surface of the package substrate, and first and second penetrating through the package substrate. A wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method comprising a first pad and a second conductive via hole connecting a connection pad and first and second connection terminals, respectively.삭제delete제1항에 있어서,The method of claim 1,상기 형광체 페이스트는, 파장변환용 형광체분말와 투명한 경화성 폴리머 수지를 혼합하여 제조된 500∼10000cps의 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The phosphor paste has a viscosity of 500 to 10,000 cps prepared by mixing a wavelength conversion phosphor powder and a transparent curable polymer resin, the wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method.제3항에 있어서,The method of claim 3,상기 파장변환용 형광체분말은, 상기 발광다이오드의 파장광을 백색광으로 변환하는 형광체로 이루어진 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The wavelength conversion phosphor powder is a wavelength conversion light emitting diode package manufacturing method, characterized in that consisting of a phosphor for converting the wavelength light of the light emitting diode into white light.제3항에 있어서,The method of claim 3,상기 형광체 페이스트는, 상기 경화성 폴리머 수지에 대한 상기 형광체 분말의 중량비가 0.5∼10범위인 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The phosphor paste is a wavelength conversion light emitting diode package manufacturing method, characterized in that the weight ratio of the phosphor powder to the curable polymer resin ranges from 0.5 to 10.제3항에 있어서,The method of claim 3,상기 경화성 폴리머 수지는, 실리콘계 폴리머 수지 또는 에폭시계 폴리머 수지인 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The curable polymer resin is a silicon-based polymer resin or epoxy-based polymer resin, characterized in that the wavelength conversion light emitting diode package manufacturing method.제1항에 있어서,The method of claim 1,상기 패키지 기판 상에 형광체 페이스트를 도포하는 단계는, 프린팅공정에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.Coating the phosphor paste on the package substrate, the wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method, characterized in that performed by a printing process.제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein상기 패키지 기판 상에 상기 형광체 페이스트를 도포하는 단계는, 도포되는 형광체페이스트가 균일한 높이를 갖도록 일정한 높이를 갖는 측벽댐을 패키지 기판 측부에 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The coating of the phosphor paste on the package substrate may include disposing a sidewall dam having a constant height on the side of the package substrate such that the phosphor paste is uniformly provided. Package manufacturing method.제1항에 있어서,The method of claim 1,상기 형광체페이스트를 경화시키는 단계는, 도포된 형광체 페이스트로부터 기포가 제거되도록 진공상태에서 실시되는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The curing of the phosphor paste, the wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method characterized in that carried out in a vacuum to remove bubbles from the applied phosphor paste.제1항에 있어서,The method of claim 1,상기 개별 LED 패키지로 분리하는 단계에서 제거되는 절삭폭은, 상기 발광다이오드 측면에 잔류하는 형광체막이 원하는 두께를 갖도록 설정된 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.Cutting width is removed in the step of separating into individual LED package, the wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method, characterized in that the phosphor film remaining on the side of the light emitting diode is set to have a desired thickness.제1 접착필름 상에 전극형성면이 접착되도록 복수개의 발광다이오드를 일정 한 간격으로 배열하는 단계;Arranging a plurality of light emitting diodes at regular intervals such that the electrode forming surface is adhered to the first adhesive film;적어도 상기 발광다이오드가 실장된 높이보다 큰 두께로 균일하게 상기 제1 접착필름 상에 형광체 페이스트를 도포하는 단계;Applying a phosphor paste on the first adhesive film uniformly to a thickness greater than at least the height at which the light emitting diodes are mounted;상기 제1 접착필름 상에 복수개의 발광다이오드를 둘러싼 파장변환용 형광체막이 형성되도록 상기 형광체 페이스트를 경화시키는 단계;Curing the phosphor paste to form a wavelength conversion phosphor film surrounding the plurality of light emitting diodes on the first adhesive film;상기 복수개의 발광다이오드 전극면이 상부를 향하도록 상기 제1 접착필름으로부터 상기 제2 접착필름에 전사시키는 단계; 및Transferring the first adhesive film from the first adhesive film to the second adhesive film such that the plurality of light emitting diode electrode surfaces face upwards; And싱기 제2 접착필름 상에서 상기 복수개의 발광다이오드 사이의 형광체막을 부분적으로 제거하여 개별 발광다이오드로 분리하는 단계를 포함하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.A method of manufacturing a wavelength conversion type light emitting diode package comprising a step of partially removing the phosphor film between the plurality of light emitting diodes on a second adhesive film and separating the light emitting diode into individual light emitting diodes.제11항에 있어서,The method of claim 11,배선구조를 갖는 패키지 기판 상에 상기 제2 접착필름을 이용하여 상기 분리된 개별 발광다이오드를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The method of manufacturing a wavelength conversion type light emitting diode package further comprising the step of mounting the separated individual light emitting diode using the second adhesive film on a package substrate having a wiring structure.제11항에 있어서,The method of claim 11,상기 형광체 페이스트는, 파장변환용 형광체분말와 투명한 경화성 폴리머 수지를 혼합하여 제조된 500∼10000cps의 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The phosphor paste has a viscosity of 500 to 10,000 cps prepared by mixing a wavelength conversion phosphor powder and a transparent curable polymer resin, the wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method.제13항에 있어서,The method of claim 13,상기 파장변환용 형광체분말은, 상기 발광다이오드의 파장광을 백색광으로 변환하는 형광체로 이루어진 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The wavelength conversion phosphor powder is a wavelength conversion light emitting diode package manufacturing method, characterized in that consisting of a phosphor for converting the wavelength light of the light emitting diode into white light.제13항에 있어서,The method of claim 13,상기 형광체 페이스트는, 경화성 폴리머 수지에 대한 상기 형광체 분말의 중량비가 0.5∼10범위인 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The phosphor paste is a wavelength conversion light emitting diode package manufacturing method, characterized in that the weight ratio of the phosphor powder to the curable polymer resin ranges from 0.5 to 10.제13항에 있어서,The method of claim 13,상기 경화성 폴리머 수지는, 실리콘계 폴리머 수지 또는 에폭시계 폴리머 수지인 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The curable polymer resin is a silicon-based polymer resin or epoxy-based polymer resin, characterized in that the wavelength conversion light emitting diode package manufacturing method.제11항에 있어서,The method of claim 11,상기 제1 접착필름 상에 형광체 페이스트를 도포하는 단계는, 프린팅공정에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.Coating the phosphor paste on the first adhesive film, the wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method, characterized in that performed by a printing process.제17항에 있어서,The method of claim 17,상기 제1 접착필름 상에 상기 형광체 페이스트를 도포하는 단계는, 도포되는 형광체페이스트가 균일한 높이를 갖도록 일정한 높이를 갖는 측벽댐을 상기 제1 접착필름 측부에 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The coating of the phosphor paste on the first adhesive film may include disposing a sidewall dam having a constant height on the side of the first adhesive film such that the phosphor paste is uniformly provided. Method of manufacturing a wavelength conversion light emitting diode package.제11항에 있어서,The method of claim 11,상기 형광체페이스트를 경화시키는 단계는, 도포된 형광체페이스트로부터 기포가 제거되도록 진공상태에서 실시되는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The curing of the phosphor paste, the wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method, characterized in that carried out in a vacuum to remove bubbles from the applied phosphor paste.제11항에 있어서,The method of claim 11,상기 개별 발광다이오드로 분리하는 단계는, 적어도 상기 제2 접착필름이 완전히 절단되지 않는 절삭깊이로 설정된 절삭공정에 의해 실시되는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The separating into the individual light emitting diodes, the wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method is carried out by a cutting process is set to a cutting depth at least the second adhesive film is not completely cut.제11항에 있어서,The method of claim 11,상기 개별 발광다이오드로 분리하는 단계는, 주위 발광다이오드 측면에 잔류한 형광체막이 원하는 두께를 갖도록 정해진 절삭폭으로 설정된 절삭공정에 의해 실시되는 파장변환형 발광다이오드 패키지 제조방법.The separating into the individual light emitting diodes is a wavelength conversion type light emitting diode package manufacturing method is carried out by a cutting process is set to a cutting width that has a desired thickness of the phosphor film remaining on the side of the surrounding light emitting diodes.

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