본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 세척 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate cleaning apparatus such as a semiconductor wafer.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 세척 장치는 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 입자, 유기 오염물, 금속 불순물과 같은 오염물을 제거하도록 사용된다. 이러한 장치들중 습식 세정 장치는 오염물을 효과적으로 제거할 수 있고 배치(batch) 공정이 높은 처리량을 달성하도록 실행될 수 있기 때문에, 폭 넓게 이용되고 있다.In the manufacturing process of a semiconductor device, a cleaning apparatus is used to remove contaminants such as particles, organic contaminants, and metal impurities from the surface of the semiconductor wafer. Among these devices, wet cleaning devices are widely used because they can effectively remove contaminants and the batch process can be performed to achieve high throughput.
이러한 형태의 세척 장치에서, 웨이퍼들이 화학제 세척조에서 암모니아, 플루오르화 수소산, 염산과 같은 화학제로 처리된 후에, 웨이퍼들은 헹굼조에서 예를 들어 순수에 의해 헹구어진다. 장치는 한 쌍의 화학제 세척조와 헹굼조들이 각각의 화학제들을 위하여 서로 직렬로 배열되고, 한번에 약 50개의 웨이퍼들을 각 조로 운반하기 위한 운반 시스템이 제공되도록 준비된다. 화학제 또는 헹굼 용액은 화학제 또는 헹굼조의 바닥 부분으로부터 공급되어, 일군의 웨이퍼의 평면을 따라서 직선의 판을 통해 진행한다. 최근에, 장치를 소형화하도록, 화학제 세척조와 헹굼조를 공동으로 사용하는 소위 하나의 배스(bath) 시스템이 검토되었다.In this type of cleaning apparatus, after the wafers have been treated with chemicals such as ammonia, hydrofluoric acid, hydrochloric acid in the chemical cleaning bath, the wafers are rinsed with pure water, for example, in a rinsing bath. The apparatus is arranged such that a pair of chemical cleaning baths and rinsing baths are arranged in series with each other for the respective chemicals, and a transport system for transporting about 50 wafers into each bath at a time is provided. The chemical or rinse solution is fed from the bottom portion of the chemical or rinse bath and proceeds through a straight plate along the plane of the group of wafers. Recently, in order to downsize the apparatus, a so-called bath system using a chemical washing tank and a rinsing tank jointly has been examined.
도 1은 “기판 세척 장치 및 방법”이라는 명칭으로 일본국에서 최초 출원된 신도 등의 미합중국 특허 제 5,730,162호에 개시된 장치를 도시한다.FIG. 1 shows an apparatus disclosed in US Pat. No. 5,730,162 to Shinto et al., Originally filed in Japan under the name “substrate cleaning apparatus and method”.
도 1에서, 처리조(304)는 바닥면 좌우측이 안쪽을 향하여 경사진 사각 형상이며, 삼각 형상의 노치 부분(도면에 도시되지 않음)들이 처리조(304)의 상부면 가장자리에 형성된다. 넘치는 용액을 수용하기 위한 수용조(342)가 처리조(304)의 상부 가장자리 부분 외측에 제공된다.In FIG. 1, the treatment tank 304 has a square shape in which the bottom left and right sides are inclined inward, and triangular notched portions (not shown) are formed at the upper edge of the treatment tank 304. A reservoir 342 for receiving the overflowed solution is provided outside the upper edge portion of the treatment vessel 304.
세척(헹굼) 용액을 분사하기 위한 다수의 노즐(305A,305B,306A 및 306B)들이 웨이퍼(W)들을 홀딩하기 위한 유지 로드(332,333)에 좌우측에, 그리고 유지 로드(332,333)의 하측부 근처에서 유지 로드(332,333)의 길이 방향으로 배치된다.A plurality of nozzles 305A, 305B, 306A, and 306B for spraying a cleaning (rinse) solution are on the left and right sides of the holding rods 332 and 333 for holding the wafers W, and near the lower side of the holding rods 332 and 333. The retaining rods 332 and 333 are disposed in the longitudinal direction.
각각의 노즐(305A,305B)들은 웨이퍼(W)의 중앙 부분을 향하여 세척(헹굼) 용액을 분사하기 위한 많은 수의 분사공(751)들이 예를 들어 10㎜의 내경을 가지는 용액 공급 파이프(750)에 형성된다.Each nozzle 305A, 305B is a solution supply pipe 750 in which a large number of injection holes 751 for injecting a cleaning (rinsing) solution toward the center portion of the wafer W have, for example, an inner diameter of 10 mm. Is formed.
각각의 노즐(306A 및 306B)들은 웨이퍼(W)의 중앙 부분을 향하여 세척(헹굼)을 분사하기 위한 많은 수의 분사공(761)들과, 웨이퍼(W)의 하측부를 향하여 세척(헹굼)용액을 분사하기 위한 많은 수의 분사공(762)들이 세척(헹굼) 용액 공급 파이프(760)에 형성되도록 구성된다. 이러한 노즐(305A,305B,306A 및 306B)들은 처리조(304)의 후면의 벽 부분을 통하여 연장하여, 외부의 세척(헹굼) 용액 공급원(도시되지 않음)에 연결된다.Each of the nozzles 306A and 306B has a large number of jet holes 761 for jetting the cleaning (rinsing) toward the center portion of the wafer W, and the cleaning solution for the lower side of the wafer W. A large number of injection holes 762 for spraying water are configured to be formed in the washing (rinsing) solution supply pipe 760. These nozzles 305A, 305B, 306A, and 306B extend through the wall portion of the rear side of the treatment tank 304 and are connected to an external cleaning (rinse) solution source (not shown).
분사공(751,761 또는 762)들은 웨이퍼 홀더(도시되지 않음)에 의하여 홀딩된 웨이퍼들의 피치 배열과 동일한 배열의 피치를 가진다. 동시에, 웨이퍼(W)들 사이의 중앙 부분에 대응하는 배열 방향에 있어서 각 분사공(751,761, 및 762)의 위치는 그 위치가 일군의 웨이퍼(W)들의 선단 또는 후단에서의 피치 절반만큼 변위되면 수평으로 절반 정도 변위된다.The injection holes 751, 761 or 762 have a pitch of the same arrangement as that of the wafers held by the wafer holder (not shown). At the same time, the positions of the respective injection holes 751, 761, and 762 in the arrangement direction corresponding to the center portion between the wafers W are displaced by half the pitch at the front end or the rear end of the group of wafers W. It is displaced about half horizontally.
처리조(304)로 세척(헹굼) 용액을 공급하기 위한 세척(헹굼) 용액 공급부(도시되지 않음)는 처리조(304) 바로 위에 배열되고, 세척(헹굼) 용액을 순환시키기위한 순환 경로(702)가 처리조(304)의 바닥 부분과 수용조(342) 사이에 배열된다. 밸브(V71,V73), 필터(F) 및 펌프(O)가 순환 경로(702)에 통합된다.A rinse (rinse) solution supply (not shown) for supplying the rinse (rinse) solution to the treatment tank 304 is arranged directly above the treatment tank 304, and a circulation path 702 for circulating the rinse (rinse) solution. ) Is arranged between the bottom portion of the treatment tank 304 and the receiving tank 342. The valves V71, V73, the filter F and the pump O are integrated in the circulation path 702.
세척(헹굼)용액을 배출하기 위한 밸브(V72)를 가지는 배출 파이프(703)는 수용조(342)에 배열된다. 처리조(304)로 헹굼(세척) 용액을 공급하도록, 헹굼(세척) 용액을 공급하기 위한 공급 경로가 순환 경로(702)의 중간부에 연결될 수도 있다.A discharge pipe 703 having a valve V72 for discharging the washing (rinsing) solution is arranged in the receiving tank 342. In order to supply the rinse (wash) solution to the treatment tank 304, a supply path for supplying the rinse (wash) solution may be connected to an intermediate portion of the circulation path 702.
그러나, 상기된 바와 같은 기판 세척 장치는 상하로 배열된 용액 공급 파이프로부터 웨이퍼의 중앙 부분 및 웨이퍼의 하측부를 향하여 세척(헹굼)용액을 분사하기 때문에, 상하로 배열되는 용액 공급 파이프들 사이에서 용액의 정체 구간이 발생되어, 처리조 내의 이물질이 외부로부터 배출되지 못하므로, 세척(헹굼) 효율이 저하되는 문제가 있었다.However, since the substrate cleaning apparatus as described above sprays the cleaning (rinsing) solution from the solution supply pipes arranged up and down toward the center portion of the wafer and the lower part of the wafer, the solution of the solution is arranged between the solution supply pipes arranged up and down. Since a stagnation section is generated, foreign matter in the treatment tank is not discharged from the outside, so that there is a problem that the washing (rinsing) efficiency is lowered.
또한, 용액을 분사하기 위한 분사공들의 위치가 고정되어 있으므로, 처리조 내에서 용액의 흐름이 층류로 형성되어, 웨이퍼의 세척(헹굼) 시간이 길다는 문제점이 있었다.In addition, since the position of the injection holes for injecting the solution is fixed, there is a problem that the flow of the solution is formed in the laminar flow in the treatment tank, so that the cleaning (rinse) time of the wafer is long.
따라서, 본 발명의 목적은 처리조 내의 이물질이 외부로 용이하게 배출될 수 있도록 정체 구간의 발생을 방지하는 한편, 필요에 따라서 층류 및/또는 난류를 형성시킴으로써, 웨이퍼의 세척(헹굼) 효율의 증가시키고 세척(헹굼) 시간을 단축할 수 있는 기판 세척 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to increase the cleaning (rinsing) efficiency of the wafer by preventing the generation of stagnation sections so that foreign matter in the treatment tank can be easily discharged to the outside, and forming laminar and / or turbulent flows as necessary. It is to provide a substrate cleaning apparatus that can be made and the cleaning (rinse) time can be shortened.
도 1은 종래의 기판 세척 장치의 처리조 및 노즐의 구성을 개략적으로 도시한 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows schematically the structure of the processing tank and nozzle of the conventional substrate cleaning apparatus.
도 2는 본 발명에 따른 기판 세척 장치에서 각 용액 공급 파이프로부터 용액이 분사되는 상태를 개략적으로 도시한 도면.Figure 2 schematically shows a state in which the solution is injected from each solution supply pipe in the substrate cleaning apparatus according to the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 기판 세척 장치에서 제 2 용액 공급 파이프가 하향하여 회전된 상태를 개략적으로 도시한 도면.FIG. 3 schematically illustrates a state in which the second solution supply pipe is rotated downward in the substrate cleaning apparatus of FIG. 2.
도 4는 용액 공급 파이프의 회전 구성을 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining a rotational configuration of a solution supply pipe.
도 5는 도 4에 도시된 용액 공급 파이프의 단부 부분의 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view of the end portion of the solution supply pipe shown in FIG. 4. FIG.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
1 : 처리조 2, 3 : 제 1 및 제 용액 공급 파이프1: treatment tank 2, 3: first and first solution supply pipe
2a, 3a : 분사공 4 : 흐름 정체 방지부2a, 3a: injection hole 4: flow stagnation prevention part
5 : 용액 공급 라인 6 : 모터5: solution supply line 6: motor
7 : 감속기 8 : 케이싱7: reducer 8: casing
9, 11 : 오링 10 : 반원형 케이싱9, 11: O-ring 10: Semi-circular casing
상기된 바와 같은 목적은, 용액이 저장되며 처리된 다수의 기판들을 수용하는 처리조; 처리조의 하부에서 기판들의 중심 및 하측으로 처리액을 분사하기 위하여 다수의 제 1 분사공들이 형성되는 제 1 용액 공급파이프; 및 처리조 내에서 기판의 중심보다 상측에 위치하며, 기판들의 중심, 하측 및 상측으로 처리액을 분사하기 위한 다수의 제 2 분사공들이 형성되는 제 2 용액 공급 파이프를 포함하며; 제 2 용액 공급 파이프는 그 축방향을 중심으로 선회가능하며, 처리조는 상기 제 1 및 제 2 용액 공급 파이프들 사이에 위치되는 양쪽 측벽 부분이 내측을 향해 절곡된 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 기판 세척 장치에 의하여 달성될 수 있다.An object as described above includes a treatment tank in which a solution is stored and accommodates a plurality of processed substrates; A first solution supply pipe in which a plurality of first injection holes are formed to inject a processing liquid from the lower part of the processing tank to the center and the lower side of the substrates; And a second solution supply pipe located above the center of the substrate in the treatment tank, the second solution supply pipe being formed with a plurality of second injection holes for injecting the treatment liquid into the center, the lower side and the upper side of the substrates; The second solution supply pipe is pivotable about its axial direction, and the treatment tank has a substrate according to the invention, wherein both side wall portions positioned between the first and second solution supply pipes are bent inward. By means of a cleaning device.
상기 제 2 분사공들은 상기 제 1 분사공으로부터 용액이 기판들 사이의 공간으로 분사될 때 기판의 중심 및 하부를 향하여 용액을 분사한다.The second injection holes spray the solution toward the center and the bottom of the substrate when the solution is injected from the first injection hole into the space between the substrates.
상기 처리조의 절곡 부분의 꺾임 각도는 바람직하게 80 내지 90°의 각도 범위를 가진다.The bending angle of the bent portion of the treatment tank preferably has an angle range of 80 to 90 degrees.
이하, 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 기판 세척 장치에서 각 용액 공급 파이프로부터 용액이 분사되는 상태를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 세척 장치에서, 웨이퍼(W)들은 세척 및 헹굼을 위하여 한번에 50개씩 웨이퍼 척(도시되지 않음)에 의해 파지되어 처리조(1)에 적재된다. 처리조(1)에는 처리조(1)에 적재된 기판을 세척하거나 또는 세척된 기판을 헹구기 위한 세척 또는 헹굼 용액이 저장된다.2 is a view schematically showing a state in which a solution is injected from each solution supply pipe in the substrate cleaning apparatus according to the present invention. As shown in Fig. 2, in the substrate cleaning apparatus according to the present invention, the wafers W are gripped by a wafer chuck (not shown) 50 at a time for cleaning and rinsing and are loaded into the processing tank 1. The treatment tank 1 stores a washing or rinsing solution for washing the substrate loaded in the treatment tank 1 or rinsing the washed substrate.
처리조(1)는 본 발명에 따라서 웨이퍼(W)로 처리 용액을 분사하기 위한 분사공(2a,3a)들을 가지는 제 1 및 제 1 용액 공급 파이프(2,3)들이 각각 처리조(1)의 하부 및 측부에 위치된다. 처리조(1)의 하부에 위치되는 제 1 용액 공급 파이프(2)는 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심 및 하측으로 처리액을 분사하기 위하여 다수의 제 1 분사공(2a)들이 그 길이 방향을 따라서 형성된다. 한편, 처리조(1)의 측부에 위치되는 제 2 용액 공급 파이프(3)는 웨이퍼(W)의 수평 중심선 위에 위치되며, 웨이퍼(W)들의 중심, 하측 및 상측으로 처리액을 분사하기 위한 다수의 제 2 분사공(3a)들이 길이 방향을 따라서 형성된다.The treatment tank 1 is composed of first and first solution supply pipes 2 and 3 having injection holes 2a and 3a for injecting a treatment solution onto the wafer W according to the present invention, respectively. It is located at the bottom and side of the. The first solution supply pipe 2 located below the processing tank 1 has a plurality of first injection holes 2a for injecting the processing liquid into the center and the lower side of the wafer W as shown in FIG. 2. Are formed along its longitudinal direction. On the other hand, the second solution supply pipe 3 located on the side of the processing tank 1 is located above the horizontal center line of the wafer W, and a plurality of the nozzles for spraying the processing liquid to the center, the lower side and the upper side of the wafers W are provided. Second injection holes 3a are formed along the longitudinal direction.
처리조(1)의 측부에 위치되는 제 2 용액 공급 파이프(3)는 본 발명에 따라서 소정의 속도로 소정의 각도 범위에서 선회되도록 구성되며, 처리조(1)는 제 1 및 제 2 용액 공급 파이프(2,3) 사이의 양쪽 측벽 부분이 안쪽을 향하여 절곡되는 흐름 정체 방지부(4)가 형성된다. 처리조(1)의 측부에 위치되는 제 2 용액 공급 파이프(3)가 본 발명에 따라서 소정의 속도로 소정의 각도 범위에서 선회되기 때문에, 제 1 용액 공급 파이프(2)의 분사공(2a)으로부터 분사된 용액이 층류의 형태로 흐르고, 반면에, 제 2 용액 공급 파이프(3)의 분사공(3a)으로부터 분사되는 용액은 제 1 용액 공급 파이프(2)의 분사공(2a)으로부터 분사된 용액과 합류되는 지점에서 난류를 발생시킨다. 따라서, 웨이퍼(W)의 세척 및 헹굼 시간을 단축할 수 있다.The second solution supply pipe 3 located on the side of the treatment tank 1 is configured to pivot in a predetermined angle range at a predetermined speed in accordance with the present invention, and the treatment tank 1 supplies the first and second solution. A flow stagnation prevention portion 4 is formed in which both side wall portions between the pipes 2 and 3 are bent inward. Since the second solution supply pipe 3 located on the side of the treatment tank 1 is pivoted at a predetermined angle range at a predetermined speed in accordance with the present invention, the injection hole 2a of the first solution supply pipe 2 is provided. The solution injected from the flows in the form of laminar flow, while the solution injected from the injection hole 3a of the second solution supply pipe 3 is injected from the injection hole 2a of the first solution supply pipe 2. Turbulence is generated at the point of confluence with the solution. Therefore, the washing and rinsing time of the wafer W can be shortened.
또한, 흐름 정체 방지부(4)가 본 발명에 따라서 제 1 및 제 2 용액 공급 파이프(2,3) 사이에서 처리조(1)의 안쪽을 향하여 절곡되므로, 제 1 용액 공급 파이프(2)의 분사공(2a)으로부터 분사된 용액이 그 지점에서 정체되는 것을 방지하여, 웨이퍼(W) 상의 이물질이 처리조(1)의 외부로 신속하게 배출될 수 있다. 이러한 흐름 정체 방지부(4)의 절곡 각도(α)는 처리될 웨이퍼(W)의 크기와 같은 조건에 따라서 변경될 수 있지만, 바람직하게 그 절곡 각도(α)는 80 내지 90°의 범위에 놓인다.Further, since the flow stagnation prevention part 4 is bent inwardly of the treatment tank 1 between the first and second solution supply pipes 2, 3 according to the present invention, the flow of the first solution supply pipe 2 By preventing the solution injected from the injection hole 2a from stagnating at that point, foreign matter on the wafer W can be quickly discharged to the outside of the treatment tank 1. The bend angle α of this flow stabilization prevention portion 4 can be changed depending on conditions such as the size of the wafer W to be processed, but preferably the bend angle α is in the range of 80 to 90 degrees. .
도 3은 도 3은 도 2에 도시된 기판 세척 장치에서 제 2 용액 공급 파이프가 하향하여 회전된 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.3 is a view schematically illustrating a state in which the second solution supply pipe is rotated downward in the substrate cleaning apparatus of FIG. 2.
도 3에서, 제 1 용액 공급 파이프(2)로부터만 용액이 분사공(2a)으로부터 분사될 때, 분사공(2a)으로부터의 용액은 층류의 형태로 흐르게 되어, 도 1에 도시된 기판 세척 장치에서와 같은 형태의 흐름이 되지만, 제 2 용액 공급 파이프(3)의 분사공(3a)으로부터의 용액 분사가 동시에 이루어지는 경우에, 상기된 바와 같이 제 1 및 제 2 용액 공급 파이프(2,3)의 분사공(2a,3a)으로부터 분사된 용액이 서로 합류되는 지점에서 난류가 발생되어, 웨이퍼(W) 상의 이물질을 보다 신속하게 제거하는 한편, 웨이퍼(W)를 보다 신속하게 헹굴 수 있다.In Fig. 3, when the solution is injected from the injection holes 2a only from the first solution supply pipe 2, the solution from the injection holes 2a flows in the form of laminar flow, so that the substrate cleaning apparatus shown in Fig. 1 In the case of the same type of flow as in the above, but when the solution injection from the injection hole 3a of the second solution supply pipe 3 is simultaneously performed, the first and second solution supply pipes 2 and 3 as described above. Turbulent flow is generated at the point where the solutions injected from the injection holes 2a and 3a join each other, so that foreign matter on the wafer W can be removed more quickly, and the wafer W can be rinsed more quickly.
이 때, 제 2 용액 공급 파이프(3)는 분사공(3a)들이 아래쪽으로 용액을 분사하도록 일정 각도만큼 회전되어, 분사공(3a)으로부터 분사되는 용액은 웨이퍼(W)의 중심 및 하부를 향하여 분사된다. 따라서, 제 1 용액 공급 파이프(2)의 분사공(2a)으로부터 분사되는 용액과 보다 용이하게 합류될 수 있다.At this time, the second solution supply pipe 3 is rotated by an angle such that the injection holes 3a spray the solution downward, so that the solution injected from the injection holes 3a is directed toward the center and the lower portion of the wafer W. Sprayed. Therefore, it can be more easily joined with the solution injected from the injection hole 2a of the first solution supply pipe 2.
도 4 및 도 5는 용액 공급 파이프의 회전 구성을 설명하기 위한 도면 및 단면도이다. 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 분사공(3a)들이 처리조(1) 내에 적재된 웨이퍼(W)들의 가장자리를 향하도록, 제 2 용액 공급 파이프(3)는 처리조(1)의 한 쪽 측벽으로부터 처리조(1)내로 연장한다. 제 2 용액 공급 파이프(3)는 그 양쪽 단부 부분이 처리조(1)의 양쪽 측벽에 선회 가능하게 지지되며, 한 쪽 측부에 용액을 공급 파이프(2)로 공급하기 위한 용액 공급 라인(5)이 엘보우와 같은 연결구(12)를 통하여 연결된다. 용액 공급 라인(5)은 제 2 용액 공급 파이프(3)가 보다 용이하게 회전될 수 있도록 바람직하게 벨로우즈와 같은 가요성 부재로 형성된다.4 and 5 are diagrams and cross-sectional views for explaining the rotational configuration of the solution supply pipe. As shown in FIGS. 4 and 5, the second solution supply pipe 3 is disposed in the treatment tank 1 such that the injection holes 3a face the edges of the wafers W loaded in the treatment tank 1. It extends into the processing tank 1 from one side wall. The second solution supply pipe 3 is rotatably supported at both end portions of both end portions of the treatment tank 1 and has a solution supply line 5 for supplying a solution to the supply pipe 2 at one side thereof. It is connected via a connector 12 such as an elbow. The solution supply line 5 is preferably formed of a flexible member such as a bellows so that the second solution supply pipe 3 can be rotated more easily.
한편, 제 2 용액 공급 파이프(3)의 한 쪽 단부는 감속기(7)가 연결되고, 감속기(7)는 제 2 용액 공급 파이프(3)를 일정 각도 범위에서 선회시키기 위한 모터(6)와 연결된다. 따라서, 제 2 용액 공급 파이프(3)는 모터(6)의 구동에 의하여 일정 각도만큼 감속된 속도로 구동된다. 감속기(7)는 필요에 따라서 적절한 것을 선택할 수 있다.On the other hand, one end of the second solution supply pipe (3) is connected to the reducer (7), the reducer (7) is connected to the motor (6) for turning the second solution supply pipe (3) in a certain angle range do. Thus, the second solution supply pipe 3 is driven at a speed reduced by a certain angle by the drive of the motor 6. The reducer 7 can select an appropriate one as needed.
한편, 제 2 용액 공급 파이프(3)는 처리조(1)의 측벽으로부터 처리조(1) 내로 연장하는 반원형 케이싱(10)에 의하여 한 쪽 측부가 지지되며, 제 2 용액 공급 파이프(3)는 반원형 케이싱(10) 내로 위치된 상태에서 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 처리조(1) 내로 연장한다. 제 2 공급 파이프(3)와 반원형 케이싱(10) 사이에는 두 부품들 사이의 기밀을 유지하기 위하여 다수의 오링(9)이 배열된다.On the other hand, the second solution supply pipe 3 is supported on one side by a semi-circular casing 10 extending from the side wall of the treatment tank 1 into the treatment tank 1, and the second solution supply pipe 3 is In the state positioned in the semi-circular casing 10 it extends into the treatment tank 1 as shown in FIGS. 4 and 5. A plurality of O-rings 9 are arranged between the second feed pipe 3 and the semicircular casing 10 to maintain the tightness between the two parts.
한편, 제 2 공급 파이프(2)와 반원형 케이싱(10)이 연결 부위에는 원통형상이 케이싱(8)이 배열되며, 케이싱(8)과 제 2 공급 파이프(2) 사이 그리고케이싱(8)과 반원형 케이싱(10) 사이에는 각 부품들 사이의 기밀성을 유지하기 위하여 다수의 오링(9)들이 배열된다.On the other hand, a cylindrical casing 8 is arranged at the connection portion between the second supply pipe 2 and the semicircular casing 10, between the casing 8 and the second supply pipe 2, and the casing 8 and the semicircular casing. Between the 10 a number of O-rings 9 are arranged to maintain the airtightness between the respective parts.
본 발명에 따른 기판 세척 장치에 따라서, 상기된 바와 같이 처리조 내에서 유체의 정체 구간을 제거하고, 층류와 난류를 이용하는 것에 의하여, 처리조 내의 이물질이 외부로 용이하게 배출될 수 있도록 정체 구간의 발생을 방지하는 한편, 필요에 따라서 층류 및/또는 난류를 형성시킴으로써, 웨이퍼의 세척(헹굼) 효율의 증가시키고 세척(헹굼) 시간을 단축할 수 있다.According to the substrate cleaning apparatus according to the present invention, by removing the stagnation section of the fluid in the treatment tank as described above, by using laminar and turbulent flow, the foreign matter in the treatment tank can be easily discharged to the outside. While preventing occurrence, it is possible to increase the cleaning (rinsing) efficiency and shorten the cleaning (rinsing) time of the wafer by forming laminar and / or turbulent flows as necessary.
이상에서는, 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대해 기술하고 도시하였으나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해, 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어남이 없이, 다양하게 변형 및 변경될 수 있다.In the above, the present invention has been described and illustrated with respect to specific preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and is intended by those skilled in the art to which the present invention pertains. Various modifications and changes may be made without departing from the spirit of the invention described in.
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| KR10-2001-0016724AKR100424913B1 (en) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Apparatus for washing substrates |
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