JPWO2010061824A1 - 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

分子中に、少なくとも１つのジベンゾフランを有する置換基Ａと、少なくとも１つのジベンゾフラン又はカルバゾールを有する基から選択される置換基Ｂとを有し、置換基Ａ及び置換基Ｂは互いに異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合することを特徴とする芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子により、分子が結晶化しにくく、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する際の歩留りが向上し、効率が高く、寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供する。当該芳香族アミン誘導体を、陰極と陽極間に少なくとも発行層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が狭持されている有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜層の少なくとも１層、特に正孔輸送層に含有する。

Description

本発明は、芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子に関し、特に、特定の構造を有する芳香族アミン誘導体を正孔輸送材料に用いることにより、高温時においても高い効率が得られ、有機ＥＬ素子の寿命を改善することができる芳香族アミン誘導体に関するものである。

有機ＥＬ素子は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。

通常、高温環境下で有機ＥＬ素子を駆動させたり、保管すると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには正孔輸送材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高くする必要があった。そのために正孔輸送材料の分子内に多くの芳香族基を有する必要があり（例えば、特許文献１の芳香族ジアミン誘導体、特許文献２の芳香族縮合環ジアミン誘導体）、通常８〜１２個のベンゼン環を有する構造が好ましく用いられている。
しかしながら、分子内に多くの芳香族基を有する対称性の高い化合物や平面性の高い化合物においては、これらの正孔輸送材料を用いて薄膜を形成して有機ＥＬ素子を作製する際に結晶化が起こりやすく、蒸着に用いるるつぼの出口を塞いだり、結晶化に起因する薄膜の欠陥が発生し、有機ＥＬ素子の歩留り低下を招くなどの問題が生じていた。また、分子内に多くの芳香族基を有する化合物は、一般的にガラス転移温度（Ｔｇ）は高いものの、昇華温度が高く、蒸着時の分解や蒸着が不均一に形成される等の現象が起こると考えられるために寿命が短いという問題があった。
一方、ジベンゾフランを有するアミン化合物の報告としては、特許文献３〜５があるが、これらはジアミン化合物の中心骨格にジベンゾフランを有する構造である。モノアミンにアリール基を介してジベンゾフランを有する化合物の報告としては、特許文献６〜９があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。
また、Ｎ−カルバゾールがアリール基を介してアミンに結合したアミン化合物の報告は多数有り、その一例としては特許文献１０〜１２があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。
さらに、３−カルバゾールが直接アミンに結合したアミン化合物の報告としては、特許文献１３〜１４があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。また３−カルバゾールがアリール基を介してアミンに結合したアミン化合物の報告としては、特許文献１５〜１６があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。

以上のように、高効率、長寿命の有機ＥＬ素子の報告はあるものの、十分な性能ではなく、より優れた性能を有する有機ＥＬ素子の開発が強く望まれていた。

米国特許第４，７２０，４３２号明細書米国特許第５，０６１，５６９号明細書特開２００５−１１２７６５号公報特開平１１−１１１４６０号公報ＷＯ２００６／１２２６３０号公報ＷＯ２００６／１２８８００号公報特開２００６−１５１８４４号公報特開２００８−０２１６８７号公報ＷＯ２００７／１２５７１４号公報米国特許第６，２４２，１１５号明細書特開２００７−２８４４３１号公報特開２００３−０３１３７１号公報特開２００７−３１８１０１号公報特開２００６−１５１９７９号公報特開２００５−２９００００号公報ＷＯ２００８／０６２６３６号公報

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、高温においても高い効率が得られるとともに、寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、特定の２種類の置換基を有する新規な芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用い、特に正孔注入材料又は正孔輸送材料として用いると、前記の課題を解決できることを見出した。
特定の置換基として、ジベンゾフラン構造を有する基と、ジベンゾフラン構造又はカルバゾール構造を有する基が好適であり、ジベンゾフラン構造を有する基を少なくとも１つと、ジベンゾフラン構造及び／又はカルバゾール構造を有する基を少なくとも１つ有し、これらが互いに異なる基であるアミン誘導体は、分子の対称性を低下することができることから、分子間の相互作用が小さく、結晶化が抑制され、有機ＥＬ素子を製造する歩留を向上させることができる。また、上記アミン誘導体はＥｇが大きく、発光層からの電子を効果的にブロックすることが可能なため、効率を向上するとともに、正孔輸送層への電子の注入を抑制するため寿命を長くする効果があり、特に青色発光素子と組み合わせることにより、顕著な長寿命効果が得られることが見出された。本発明者らは、これらの知見に基づいて本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、
１．分子中に、少なくとも１つの下記一般式（１）で表される置換基Ａと、少なくとも１つの下記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂとを有し、置換基Ａ及び置換基Ｂは互いに異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合することを特徴とする芳香族アミン誘導体、

［式中、Ｌ¹及びＬ²は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ³は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。但し、Ｌ¹〜Ｌ³が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｘは、酸素原子又は−Ｎ（Ａｒ¹）−基を表す。
Ａｒ¹は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ａｒ¹が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ａ、ｃ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｂおよびｄは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。
Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ¹〜Ｒ⁶は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。
但し、芳香族アミン誘導体における水素原子は重水素原子を含む。］

２．前記一般式（２）におけるＸが−Ｎ（Ａｒ¹）−基を表す場合、Ｌ²が下記一般式（４）で表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、

[Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ⁷及びＲ⁸は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。]
３．前記置換基Ｂが、前記一般式（３）で表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、
４．前記一般式（３）におけるＬ³が下記一般式（４）で表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、

[Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ⁷及びＲ⁸は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。]

５．前記置換基Ａが下記一般式（１）で表され、さらに前記置換基Ｂが下記一般式（２−１）又は下記一般式（３）で表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、

［式中、Ｌ¹及びＬ²は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ³は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。但し、Ｌ¹〜Ｌ³が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ¹は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ａｒ¹が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ａ、ｃ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｂおよびｄは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。
Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ¹〜Ｒ⁶は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。］

６．前記置換基Ａが下記一般式（１−１）又は（１−２）で表される上記５記載の芳香族アミン誘導体、

７．前記置換基Ａ及び置換基Ｂが、それぞれ独立に、下記一般式（１）で表される上記１に記載の芳香族アミン誘導体、

［式中、Ｌ¹は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ¹が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ａは、０〜４の整数を表す。
ｂは、０〜３の整数を表す。
Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ¹及びＲ²は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。］

８．前記置換基Ａ及び置換基Ｂが、それぞれ独立に、下記一般式（１−１）〜（１−３）のいずれかで表される上記７記載の芳香族アミン誘導体、

９．前記置換基Ａが前記一般式（１−１）で表され、前記置換基Ｂが前記一般式（１−２）で表される上記８記載の芳香族アミン誘導体、
１０．少なくとも１つのターフェニル基を有する上記１記載の芳香族アミン誘導体、

１１．下記一般式（５）〜（９）のいずれかで表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、

｛Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ²〜Ａｒ²⁵のうち、前記置換基Ａ又は置換基Ｂでない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ⁴〜Ｌ¹²は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。
Ａｒ²〜Ａｒ²⁵及びＬ⁴〜Ｌ¹²が有してもよい置換基は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。

１２．前記一般式（５）で表される上記１１に記載の芳香族アミン誘導体、
１３．前記Ｌ¹〜Ｌ¹²が、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基又は９，９−ジメチルフルオレニレン基である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１４．前記Ｌ¹〜Ｌ¹²が、それぞれ独立に、下記一般式（４）、（１０）及び（１１）のいずれかで表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、

[Ｒ⁷〜Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ⁷〜Ｒ¹¹は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。Ｒ¹²およびＲ¹³は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、あるいは、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基である。
ｇ、ｈおよびｉは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。ｊおよびｋは、それぞれ独立に、０〜３の整数である]

１５．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ³とＡｒ⁴がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１６．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²とＡｒ³が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁴が前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１７．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ³が前記一般式（３）または（２−１）で表され、Ａｒ⁴が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である［但し、Ａｒ⁴の置換基は、それぞれ独立に環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子およびシアノ基のいずれかである］上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１８．前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁵とＡｒ⁶が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁷とＡｒ⁸がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１９．前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁵とＡｒ⁷が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁶とＡｒ⁸がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２０．前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁹が前記一般式（１）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２１．前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁹が前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２２．前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹が前記一般式（１）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２３．前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１）で表され、Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２４．前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²⁰、Ａｒ²²及びＡｒ²⁴が前記一般式（１）で表され、Ａｒ²¹、Ａｒ²³及びＡｒ²⁵がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、

２５．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴が前記一般式（１−２）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２６．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴が前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２７．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち２つが前記一般式（１−２）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２８．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち２つが前記一般式（１−１）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２９．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち少なくとも１つが前記一般式（１−２）で表され、少なくとも一つが前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３０．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ³及びＡｒ⁴が、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３１．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²及びＡｒ³が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ⁴が前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、

３２．Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも２つ、Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも２つ、Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つ、またはＡｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つが前記一般式（１−２）または前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３３．前記Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（７）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体および前記Ａｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは下記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは下記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体のいずれかである上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３４．前記Ａｒ⁵が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ⁶が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３５．前記Ａｒ⁵とＡｒ⁷が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ⁶とＡｒ⁸が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３６．前記Ａｒ⁹が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３７．前記Ａｒ¹⁰とＡｒ¹³が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３８．前記Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３９．前記Ａｒ¹⁵とＡｒ¹⁸が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
４０．前記Ａｒ²⁰、Ａｒ²²及びＡｒ²⁴が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ²¹、Ａｒ²³及びＡｒ²⁵が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
４１．前記Ａｒ²〜Ａｒ²⁵のうち置換基Ａ又は置換基Ｂでない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又はフルオレニル基である上記１１に記載の芳香族アミン誘導体、

４２．有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である上記１記載の芳香族アミン誘導体、
４３．有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である上記１記載の芳香族アミン誘導体、
４４．陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、上記１記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
４５．前記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を有し、上記１記載の芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有されている上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
４６．前記有機薄膜層が、少なくとも正孔輸送層及び正孔注入層を含む正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域のうち、発光層に直接接しない層に上記１記載の芳香族アミン誘導体が含有されている上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
４７．上記１〜４１のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体が主成分として正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有されている上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
４８．発光層にスチリルアミン化合物及び／又はアリールアミン化合物を含有する上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
４９．前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層を構成する各層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有する層である上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、及び
５０．青色系発光する上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
を提供する。

本発明の芳香族アミン誘導体は結晶化しにくく、これを有機ＥＬ素子材料として用いると、高温においても効率が高く、寿命が長いものが得られる。

本発明の芳香族アミン誘導体は、分子中に、少なくとも１つの前記一般式（１）で表される置換基Ａと、少なくとも１つの前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂとを有し、置換基Ａ及び置換基Ｂは互いに異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合する化合物である。
本発明において、「芳香族アミン誘導体」とは、分子量３００〜２０００である芳香族からなる置換基を有するアミン化合物が好ましく、当該分子量は４００〜１５００であることがさらに好ましく、５００〜１２００であることが特に好ましい。分子量が３００〜２０００であると、昇華による精製が可能であり、その結果、化合物の高純度化が可能となり、これを用いて得られる素子の性能が向上する。また、分子量が３００〜２０００であると、蒸着法により素子の作成ができるため好ましい。
「芳香族アミン誘導体」は特に限定されるものでないが、一般式（５）〜（９）で表されることが好ましく、一般式（５）又は（６）がさらに好ましく、一般式（５）が特に好ましい。一般式（５）で表されるモノアミン誘導体及び一般式（６）で表されるジアミン誘導体は合成が比較的容易なため、低コストにより製造することが期待できる。また、モノアミン誘導体及びジアミン誘導体はイオン化ポテンシャル（以下「ＩＰ」と略記することがある。）が大きいため、正孔輸送材料として用いた場合、発光層への正孔注入性が向上し、素子の電圧低下が期待できる。特にモノアミン誘導体は、エネルギーギャップが大きく、正孔輸送層への電子の注入を抑制できるため、素子の発光効率向上及び長寿命化が期待できる。
前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）におけるＲ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４、好ましくは６〜１０）、環形成炭素数６〜１６、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子（フッ素原子が好ましい）又はシアノ基である。隣接した複数のＲ¹〜Ｒ⁶はそれら自身およびＲ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁶は結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
シクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、４−フルオロシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられ、好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基である。
トリアルキルシリル基の具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリブチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘプチルシリル基、トリヘキシルシリル基等が挙げられ、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基である。シリル基に置換したアルキル基は同一でも異なっていても良い。
トリアリールシリル基の具体例としては、例えば、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基、トリアントリルシリル基等が挙げられ、好ましくは、トリフェニルシリル基である。シリル基に置換したアリール基は同一でも異なっていても良い。
アルキルアリールシリル基の具体例としては、例えば、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジプロピルフェニルシリル基、ジブチルフェニルシリル基、ジペンチルフェニルシリル基、ジヘプチルフェニルシリル基、ジヘキシルフェニルシリル基、ジメチルナフチルシリル基、ジプロピルナフチルシリル基、ジブチルナフチルシリル基、ジペンチルナフチルシリル基、ジヘプチルナフチルシリル基、ジヘキシルナフチルシリル基、ジメチルアントリルシリル基、ジエチルアントリルシリル基、ジプロピルアントリルシリル基、ジブチルアントリルシリル基、ジペンチルアントリルシリル基、ジヘプチルアントリルシリル基、ジヘキシルアントリルシリル基、ジフェニルメチル基等が挙げられ、好ましくは、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジフェニルメチル基である。
アリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニリル基、４−メチルビフェニリル基、４−エチルビフェニリル基、４−シクロヘキシルビフェニリル基、アントラセニル基、ナフタセニル基、ターフェニル基、トリフェニリル基、３，５−ジクロロフェニリル基、ナフチル基、５−メチルナフチル基、フェナントリル基、クリセニル基、ベンズフェナントリル基、ターフェニル基、ベンズアントラニル基、ベンゾクリセニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、インデニル基、アセナフチレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基等が挙げられ、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。ハロゲン原子の具体例はフッ素、塩素、臭素である。
複数のＲ¹〜Ｒ⁶はそれら自身およびＲ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁶が結合して形成される飽和もしくは不飽和の環の具体例としては、前記アリール基やシクロアルキル基ならびに後で述べるヘテロアリール基等が上げられる。
一般式（１）のうち、Ｌ¹、Ｒ¹及びＲ²を除いた置換基Ａの骨格構造や、一般式（２）のうち、Ｌ²、Ｒ³及びＲ⁴を除いた置換基Ｂの骨格構造であって、Ｘが酸素原子を表すものの具体例としては、下記に示す骨格構造が挙げられる。

前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）におけるａ、ｃ、ｅ及びｆは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。ｂ及びｄは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。
Ｌ¹及びＬ²は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２１、より好ましくは６〜１５のアリーレン基を表し、Ｌ³は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２１、より好ましくは６〜１５のアリーレン基を表す。但し、Ｌ¹〜Ｌ³が有していてもよい置換基は炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４、好ましくは６〜１２）、環形成炭素数６〜１６、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）又はシアノ基である。
連結基Ｌ¹、Ｌ²が単結合であり、ジベンゾフラン構造又はカルバゾール構造が直接に窒素原子と結合する場合、アミン化合物の電子密度が上昇し、ＩＰを小さくすることができる。一方、置換もしくは無置換のアリーレン基である連結基Ｌ¹、Ｌ²を介して窒素原子と結合した場合、アミン化合物の電子密度の向上を抑制し、ＩＰを大きくすることができる。
芳香族アミン誘導体が後述の一般式（５）で表わされるものである場合、Ｌ¹及びＬ²は、置換もしくは無置換のアリーレン基であることが好ましい。
即ち、連結基Ｌ¹、Ｌ²の選択によりアミン化合物のＩＰを調節することが可能であり、正孔注入材料、あるいは正孔輸送材料として好適な値にすることで、発光層への正孔注入性が向上し、素子の電圧低下が期待できる。
Ｌ¹〜Ｌ³で表されるアリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、テトラフルオロフェニレン基、ジメチルフェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基、フェナントリレン基、ピレニレン基、ナフタセニレン基、クゥーターフェニレン、ペンタセニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基、コロニレン基、フルオレニレン基、アセナフトフルオレニレン基、９，９−ジメチルフルオレニレン基等のアリーレン基が挙げられる。
前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）において、Ｌ¹〜Ｌ³のアリーレン基としては、下記一般式（４）、（１０）及び（１１）のいずれかで表わされるものが好ましい。
Ｘが−Ｎ（Ａｒ¹）−基である場合の一般式（２）及び（２−１）においては、Ｌ²のアリーレン基が一般式（４）で表される場合、アミン化合物の電子密度の向上を抑制し、その結果、ＩＰが大きくなり、正孔輸送材料として用いた場合、発光層への正孔注入性が向上し、素子の電圧低下が期待できる。特に、本発明の芳香族アミン誘導体が、ジベンゾフラン構造含有基と、カルバゾール構造含有基とを有するものである場合、具体的には、前記一般式（１）で表される置換基Ａと、前記一般式（２−１）又は（３）で表される置換基Ｂとを有する場合、該置換基ＢにおいてＬ₂及びＬ₃で表されるアリーレン基が、前記一般式（４）で表されることが好ましい。
置換基Ｂが一般式（３）で表される場合、芳香族アミン誘導体のエネルギーギャップが大きくなり、正孔輸送層への電子の注入を抑制できるため、素子の発光効率向上及び長寿命化が期待できる。特に、芳香族アミン誘導体がジベンゾフラン構造を有する置換基Ａ及びカルバゾール構造を有する置換基Ｂを有するアミンである場合、置換基Ｂが一般式（３）で表されることが好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体が複数の置換基Ａを有する場合、当該複数の置換基Ａが、それぞれ互いに異なる基であることが好ましい。また、本発明の芳香族アミン誘導体が複数の置換基Ｂを有する場合、当該複数の置換基Ｂが、それぞれ互いに異なる基であることが好ましい。置換基Ａ同士および／または置換基Ｂ同士が互いに異なる基であると、分子の対象性をさらに低下させることができ、結晶化をさらに抑制することが期待できる。
また、ジベンゾフラン構造を有する置換基は（１−１）、（１−２）、（１−３）、のうち、合成及び精製の容易性の観点から、（１−１）、（１−２）が好ましい。

一般式（４）、（１０）及び（１１）において、Ｒ⁷〜Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４、好ましくは６〜１０）、環形成炭素数６〜１４、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）又はシアノ基である。隣接した複数のＲ⁷〜Ｒ¹¹は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
一般式（４）、（１０）及び（１１）におけるＲ⁷〜Ｒ¹¹のアルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、アリール基、ハロゲン原子の具体例および好ましい例は前記Ｒ¹〜Ｒ¹⁶の説明において列挙したものと同じである。Ｒ⁷〜Ｒ¹¹は、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
一般式（１１）におけるＲ¹²およびＲ¹³は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、あるいは、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基である。アルキル基およびシクロアルキル基の具体例および好ましい例は前記Ｒ¹〜Ｒ⁶の説明において列挙したものと同じである。
一般式（４）、（１０）及び（１１）におけるｇ、ｈおよびｉはそれぞれ独立に０〜４の整数、好ましくは０〜１の整数である。ｊおよびｋはそれぞれ独立に０〜３の整数、好ましくは０〜１の整数である。

前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）におけるＬ¹〜Ｌ⁶の置換基は炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４、好ましくは６〜１０）、環形成炭素数６〜１４、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
アルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、アリール基、ハロゲン原子の具体例および好ましい例は前記Ｒ¹〜Ｒ⁶の説明において列挙したものと同じである。
一般式（８）〜（１０）の好ましい具体例としては、置換または無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、９，９−ジメチルフルオレニレン基が挙げられる。

前記一般式（２）におけるＡｒ¹は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４、好ましくは６〜１０のアリール基である。アリール基の具体例および好ましい例は前記Ｒ¹〜Ｒ⁶の説明において列挙したものと同じである。
アリール基の置換基は、それぞれ独立に炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子（好ましくフッ素原子）、シアノ基である。
アルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、アリール基の具体例および好ましい例は前記Ｒ¹〜Ｒ⁶の説明において列挙したものと同じである。

次に、前記一般式（５）〜（９）で表される化合物について説明する。
前記一般式（５）において、Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（６）において、Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（７）において、Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（８）において、Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（９）において、Ａｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（３）〜（７）において、Ａｒ²〜Ａｒ²⁵のうち、前記置換基Ａ又は置換基Ｂでない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２１、より好ましくは６〜１４のアリール基であり、アリール基の具体例および好ましい例は前記Ｒ¹〜Ｒ⁶の説明において列挙したものと同じであるが、特にターフェニル基であると好ましい。還元安定性に優れるターフェニル基を有することで分子の還元安定性が向上し、得られる有機ＥＬ素子の寿命を長くする効果があり、特に青色発光素子と組み合わせることにより、顕著な長寿命効果が得られる。
Ａｒ²〜Ａｒ²⁵の置換基の具体例および好ましい例は前記Ｒ¹〜Ｒ⁶の説明において列挙したものと同じである。
前記一般式（５）〜（９）におけるＬ⁴〜Ｌ¹²は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２１、より好ましくは６〜１５のアリーレン基を表す。Ｌ⁴〜Ｌ¹²のアリーレン基の具体例および好ましい例は、前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）について説明したＬ¹〜Ｌ³において列挙したものと同じである。

前記一般式（５）〜（９）におけるＡｒ²〜Ａｒ²⁵が前記置換基Ａ又は置換基Ｂである場合、前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）におけるＲ¹〜Ｒ⁶、Ｌ¹〜Ｌ³およびa〜ｆは前記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体について説明した通りである。

前記一般式（５）〜（９）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体において、好ましいものは下記の組み合わせの化合物である。
（Ｉ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ³とＡｒ⁴がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²とＡｒ³が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁴が前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＩＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ³が前記一般式（３）または（２−１）で表され、Ａｒ⁴が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である［但し、Ａｒ⁴の置換基は、それぞれ独立に環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子およびシアノ基のいずれかである］芳香族アミン誘導体。
（ＩＶ）前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁵とＡｒ⁶が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁷とＡｒ⁸がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（Ｖ）前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁵とＡｒ⁷が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁶とＡｒ⁸がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。

（ＶＩ）前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁹が前記一般式（１）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＶＩＩ）前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁹が前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＶＩＩＩ）前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹が前記一般式（１）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＩＸ）前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１−１）で表され、Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（Ｘ）前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²⁰、Ａｒ²²及びＡｒ²⁴が前記一般式（１）で表され、Ａｒ²¹、Ａｒ²³及びＡｒ²⁵がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴が前記一般式（１−３）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴が前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。

（ＸＩＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち２つが前記一般式（１−３）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である芳香族アミン誘導体。
（ＸＩＶ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち２つが前記一般式（１−１）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である芳香族アミン誘導体。
（ＸＶ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち少なくとも１つが前記一般式（１−３）で表され、少なくとも一つが前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＶＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ³及びＡｒ⁴が、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＶＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²及びＡｒ³が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ⁴が前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＶＩＩＩ）Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも２つ、Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも２つ、Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つ、またはＡｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つが前記一般式（１−３）または前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＩＸ）前記Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１−３）で表され、一般式（１−３）ではないＡｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１−３）で表され、一般式（１−３）ではないＡｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（７）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１−３）で表され、一般式（１−３）ではないＡｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体および前記Ａｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは下記一般式（１−３）で表され、一般式（１−３）ではないＡｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは下記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体のいずれかである芳香族アミン誘導体。

（ＸＸ）前記Ａｒ⁵が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ⁶が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＩ）前記Ａｒ⁵とＡｒ⁷が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ⁶とＡｒ⁸が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＩＩ）前記Ａｒ⁹が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＩＩＩ）前記Ａｒ¹⁰とＡｒ¹³が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＩＶ）前記Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＶ）前記Ａｒ¹⁵とＡｒ¹⁸が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＶＩ）前記Ａｒ²⁰、Ａｒ²²及びＡｒ²⁴が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ²¹、Ａｒ²³及びＡｒ²⁵が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＶＩＩ）前記Ａｒ²〜Ａｒ²⁵のうち置換基Ａ又は置換基Ｂでない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又はフルオレニル基である芳香族アミン誘導体。

前記一般式（５）〜（９）のいずれかで表わされる芳香族アミン誘導体の具体例としては下記のものが挙げられる。

本発明の芳香族アミン誘導体は、結晶化しにくく、有機ＥＬ素子用発光材料、中でも、有機ＥＬ素子用正孔輸送材料として好ましく用いられる。本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は高温においても効率が高く、寿命が長いものとなる。

次に、本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法について説明する。
本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法は、特に限定されず、例えば、下記の通りである。

（製造方法１）
一般式（５）によって表される本発明の芳香族アミン誘導体は例えば以下の反応により合成することができる。
（ａ）Ａｒ²〜Ａｒ⁴の全てが置換基Ａ又は置換基Ｂである芳香族アミン誘導体の合成
まず、一般式（１）で表される構造を生成させる化合物〔例えば、ジベンゾフラン−４−ボロン酸と４−ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）〕の存在下、溶媒〔例えば、トルエン〕とアルカリ性化合物〔例えば、炭酸ナトリウム〕水溶液中、５０〜１５０℃で反応させることにより、ハロゲン化物を得る。更に、上記ハロゲン化物、アミノ基を生成させる化合物〔例えば、アセトアミド〕を触媒（ヨウ化銅のような金属ハロゲン化物およびＮ，Ｎ‘−ジメチルエチレンジアミンのようなアミン〕およびアルカリ性物質〔例えば、炭酸カリウム〕の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させた後、アルカリ性物質〔例えば、水酸化カリウム〕と水の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させることにより、中間体Ｘを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
別途、一般式（３）で表わされる構造を生成させるハロゲン化物〔例えば、カルバゾールと４−ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、ヨウ化銅（ＣｕＩ）およびｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミンのようなアミン〕の存在下、溶媒〔例えば、１，４−ジオキサンン〕とアルカリ性化合物〔例えば、燐酸三カリウム〕中、５０〜１５０℃で反応させることにより、中間体Ｙを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
次に、中間体Ｘおよび中間体Ｙを触媒〔例えば、ｔ−ブトキシナトリウムおよびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）〕存在下、溶媒〔例えば、脱水トルエン〕中、０〜１５０℃で反応させることにより本発明の芳香族アミン誘導体を合成することができる。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
反応終了後、室温まで冷却し、水を加えて反応生成物を濾過し、濾液をトルエンのような溶媒で抽出し、無水硫酸マグネシウムのような乾燥剤で乾燥させ、これを減圧下で脱溶媒して濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンのような溶媒で再結晶し、それを濾別して乾燥することにより精製された本発明の芳香族アミン誘導体が得られる。
一般式（５）で表わされる芳香族アミン誘導体中に一般式（１）および一般式（２−１）を導入するには、上記中間体Ｙを合成する際に一般式（２−１）で表わされる構造を生成させるハロゲン化物〔例えば、９−フェニルカルバゾールとヨウ素〕を触媒〔例えば、過ヨウ素酸２水和物、酢酸および硫酸〕の存在下、溶媒〔例えば、水〕中、５０〜１００℃で反応させることにより、一般式（２−１）を導入することができる中間体Ｙを合成する。次に、中間体Ｘおよび中間体Ｙを上記と同様に反応させることにより一般式（１）および一般式（２−１）を導入した本発明の芳香族アミン誘導体を合成することができる。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。

（ｂ）Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうちの一つが一般式（１）、（２−１）又は（３）以外の基を有する芳香族アミン誘導体の合成
一般式（５）で表わされる芳香族アミン誘導体中に一般式（１）、（２−１）又は（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を導入するには、中間体Ｘを合成する際、または中間体Ｘと中間体Ｙを反応させる際に反応量比を制御し、一般式（１）および一般式（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基のハロゲン化物〔例えば、４−ブロモ−ｐ−テルフェニル〕を同様に順次反応し、導入すればよい〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、４−ブロモ−ｐ−テルフェニルを１当量投入して反応した後、加水分解することで一般式（１−１）と「一般式（１−１）、（１−２）及び（２）以外のアリール基」を導入した中間体Ｘが得られる〕。
一般式（１）のハロゲン化物と一般式（３）のハロゲン化物と一般式（１）および一般式（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基のハロゲン化物は任意に中間体Ｘに導入することが可能である。また、アリール基は１つもしくは２つ導入することが可能であり、さらに任意の組み合わせで導入することが可能である。その導入の結果得られたアミン化合物（中間体Ｘ）と任意のハロゲン化物（中間体Ｙ）を反応させることで目的物を得ることができる。これらの反応順序や組み合わせ方は、反応性や精製の容易さ等を考慮して行うことができる。

次に、前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
（ａ）Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸の全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成
上記と同様に一般式（１）と一般式（３）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）-ジベンゾフランを１：１で反応させた後、９−（４−ブロモ−フェニル）カルバゾールを1当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１）と一般式（３）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてジハロゲン化物〔例えば、４，４’−ジブロモビフェニル〕を中間体Ｙとする。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（６）におけるＡｒ⁵〜Ａｒ⁸の全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。
（ｂ）Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうちの少なくとも一つが一般式（１）、（２−１）又は（３）以外の基を有する芳香族アミン誘導体の合成
上記と同様に一般式（１）と一般式（３）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）-ジベンゾフランを１：１で反応させた後、９−（４−ブロモ−フェニル）カルバゾールを1当量投入して反応した後、加水分解することで一般式（１）と一般式（３）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物〔例えば、4−ブロモフェニル−ジフェニルアミン〕を中間体Ｙとする。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（６）におけるＡｒ⁵〜Ａｒ⁸のうちの少なくとも一つが一般式（１）、（２−１）又は（３）以外の基で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。

次に、前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様の方法で一般式（１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、加水分解することで一般式（１）を導入した中間体Ｘが得られる〕。ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物を中間体Ｙとして合成する〔例えば、アニリンとカルバゾールを１：１反応させた後、さらに４‘−ヨードブロモビフェニルを１：１で反応させることで一般式（３）を導入した中間体Ｙが得られる〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（７）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ¹¹〜Ａｒ¹⁵の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。

次に、前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様の方法で一般式（１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、４，４‘−ジヨードビフェニルと２：１で反応させた後、加水分解することで一般式（１）を導入したジアミン化合物の中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物を中間体Ｙとして合成する〔例えば、アニリンとカルバゾールを１：１反応させた後、さらに４‘−ヨードブロモベンゼンを１：１で反応させることで一般式（３）を導入した中間体Ｙが得られる〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（８）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。

次に、前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様の方法で一般式（１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、９−（４−ブロモ−フェニル）カルバゾールを１当量投入して反応した後、加水分解することで一般式（１）と一般式（３）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物を中間体Ｙとする〔例えば市販のトリス（４−ブロモフェニル）アミン〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（９）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ²²〜Ａｒ²⁷の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。
また、上記の合成については公知技術（特開２００３−１７１３６６号公報、ＷＯ２００６／１１４９２１号公報、ＷＯ２００６／０７３０５４号公報、ＷＯ２００７／１２５７１４号公報、ＷＯ２００８／０６２６３６号公報）中に記載された個別の類似合成法を用いてもよい。

（製造方法２）
一般式（５）によって表される本発明の芳香族アミン誘導体は例えば以下の反応により合成することができる。
まず、一般式（１−２）で表される構造を生成させる化合物〔例えば、ジベンゾフラン−４−ボロン酸と４−ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）〕の存在下、溶媒〔例えば、トルエン〕とアルカリ性化合物〔例えば、炭酸ナトリウム〕水溶液中、５０〜１５０℃で反応させることにより、ハロゲン化物を得る。更に、上記ハロゲン化物、アミノ基を生成させる化合物〔例えば、アセトアミド〕を触媒（ヨウ化銅のような金属ハロゲン化物およびＮ，Ｎ‘−ジメチルエチレンジアミンのようなアミン〕およびアルカリ性物質〔例えば、炭酸カリウム〕の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させた後、アルカリ性物質〔例えば、水酸化カリウム〕と水の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させることにより、中間体Ｘを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
別途、一般式（１−１）で表わされる構造を生成させるハロゲン化物〔例えば、ジベンゾフラン−２−ボロン酸と４−ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）〕の存在下、溶媒〔例えば、トルエン〕とアルカリ性化合物〔例えば、炭酸ナトリウム〕水溶液中、５０〜１５０℃で反応させることにより、中間体Ｙを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
次に、中間体Ｘおよび中間体Ｙを触媒〔例えば、ｔ−ブトキシナトリウムおよびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）〕存在下、溶媒〔例えば、脱水トルエン〕中、０〜１５０℃で反応させることにより本発明の芳香族アミン誘導体を合成することができる。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
反応終了後、室温まで冷却し、水を加えて反応生成物を濾過し、濾液をトルエンのような溶媒で抽出し、無水硫酸マグネシウムのような乾燥剤で乾燥させ、これを減圧下で脱溶媒して濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンのような溶媒で再結晶し、それを濾別して乾燥することにより精製された本発明の芳香族アミン誘導体が得られる。

上記ではＡｒ²とＡｒ³が一般式（１−２）であり、Ａｒ⁴が一般式（１−１）で表わされる芳香族アミン誘導体の製造方法を示したが、Ａｒ²が一般式（１−２）であり、Ａｒ³とＡｒ⁴が一般式（１−１）で表わされる芳香族アミン誘導体も同様の方法で製造できる。この場合は上記に製造において、一般式（１−２）を用いて中間体Ｘを合成し、一般式（１−１）を用いて中間体Ｙを合成した後、中間体Ｘと中間体Ｙを反応することで製造できる。
また、一般式（１−２）および／または一般式（１−１）で表されるＡｒ²〜Ａｒ⁴が全て異なる場合も同様に合成することができる。異なるＡｒ²〜Ａｒ⁴を導入するには、中間体Ｘを合成する際、または中間体Ｘと中間体Ｙを反応させる際に反応量比を制御し、ハロゲン化物を同様に順次反応し、導入すればよい〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１当量投入して反応させた後、加水分解することで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入した中間体Ｘが得られる〕。その後、中間体Ｘと既に導入した置換基とは異なるハロゲン化物の中間体Ｙ［例えば、４−（４−ブロモビフェニル）−ジベンゾフラン］と反応することで合成することができる。
一般式（１−２）のハロゲン化物と一般式（１−１）のハロゲン化物は任意に中間体Ｘに導入することが可能である。その導入の結果得られたアミン化合物（中間体Ｘ）と任意のハロゲン化物（中間体Ｙ）を反応させることで目的物を得ることができる。これらの反応順序や組み合わせ方は、反応性や精製の容易さ等を考慮して行うことができる。

次に、前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様に一般式（１−２）と一般式（１−１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてジハロゲン化物〔例えば、４，４’−ジブロモビフェニル〕を中間体Ｙとする。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（６）におけるＡｒ⁷〜Ａｒ¹⁰の全てが一般式（１−２）または（１−１）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。
また、ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物〔例えば、４−ブロモフェニル−ジフェニルアミン〕を中間体Ｙとして、上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（６）におけるＡｒ⁷〜Ａｒ¹⁰のうちの少なくとも一つが一般式（１−２）または（１−１）以外の基で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。

次に、前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
アミン化合物（例えば市販のアニリン）を中間体Ｘとする。
また、上記と同様の方法で一般式（１−２）と一般式（１−１）を含むアミン化合物を含むハロゲン化合物を中間体Ｙとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入したアミン化合物が得られる。さらに４‘−ヨードブロモビフェニルを１：１で反応させることで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入した中間体Ｙが得られる〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（７）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ⁹〜Ａｒ¹³の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１−２）または（１−１）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。

次に、前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
アミン化合物（例えば市販のＮ，Ｎ‘−ジフェニルベンジジン）を中間体Ｘとする。
また、上記と同様の方法で一般式（１−２）と一般式（１−１）を含むアミン化合物を含むハロゲン化合物を中間体Ｙとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを1当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１−１−３）と一般式（１−１−１）を導入したアミン化合物が得られる。さらに４‘−ヨードブロモベンゼンを１：１で反応させることで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入した中間体Ｙが得られる〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（８）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１−２）または（１−１）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。

次に、前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様に一般式（１−２）および一般式（１−１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを1当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１−２）および一般式（１−１）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物を中間体Ｙとする〔例えば市販のトリス（４−ブロモフェニル）アミン〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（９）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ²⁰〜Ａｒ²⁵の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１−２）または（１−１）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。
また、上記の合成については公知技術（特開２００３−１７１３６６号公報、ＷＯ２００６／１１４９２１号公報、ＷＯ２００６／０７３０５４号公報、ＷＯ２００７／１２５７１４号公報、ＷＯ２００８／０６２６３６号公報）中に記載された個別の類似合成法を用いてもよい。

以下、本発明の有機ＥＬ素子構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な構成としては、以下の構造を挙げることができる。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。

また、本発明の有機ＥＬ素子において、本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体は、上記有機薄膜層のうちどの層に用いられてもよいが、正孔注入層や正孔輸送層に含有されていることが好ましい。一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体の含有量は、３０〜１００モル％から選ばれる。

本発明の芳香族アミン誘導体は正孔注入層又は正孔輸送層用の材料として好ましく用いられる。
正孔注入層および正孔輸送層は、発光層への正孔の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。
このような正孔注入層および正孔輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましい。また、正孔の移動度が、例えば１０⁴〜１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^-4ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上であることが好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は、イオン化エネルギーが小さく、正孔移動度が大きいため正孔輸送材料として好ましい。また、本発明の芳香族アミン誘導体は、分子内に極性基を含有するため陽極との接着性が良く、基板の洗浄条件等の影響を受けにくいため、正孔注入材料として好ましい。これらの要因により、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は長寿命化すると考えられる。

正孔注入層または正孔輸送層は、本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜を形成することにより得ることができる。正孔注入層または正孔輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
この正孔注入層または正孔輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上記芳香族アミン誘導体の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、正孔注入層および正孔輸送層が、別種の化合物を含む正孔注入層および正孔輸送層を積層したものであってもよい。

また、有機半導体層は、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０^-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。

有機ＥＬ素子は、通常、透光性の基板（透光性基板）上に作製する。この透光性基板は、有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性は、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが好ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
このような透光性基板の好ましい例には、ガラス板、合成樹脂板などが含まれる。ガラス板の例には、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が含まれる。また、合成樹脂板の例には、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂などの板が含まれる。

陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有しており、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯ）、ＩＴＯと酸化セリウムの混合物（ＩＴＣＯ）、ＩＺＯと酸化セリウムの混合物（ＩＺＣＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムの混合物（ＩＣＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの混合物（ＡＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が含まれる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等により薄膜を形成することで得ることができる。

このように、発光層からの光を陽極から取り出す場合、陽極の光の透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／ｃｍ以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。

陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、セシウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、Ａｌ／Ｌｉ₂Ｏ、Ａｌ／ＬｉＯ、Ａｌ／ＬｉＦ、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが含まれる。
陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等により薄膜を形成させることで、得ることができる。
ここで、発光層からの光を陰極から取り出す場合、陰極の光の透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極のシート抵抗は数百Ω／ｃｍ以下が好ましい。陰極の膜厚は、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。

一般に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素の欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。絶縁層に用いられる材料の例には、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が含まれる。これらの２種以上の化合物の混合物や、該２種以上の化合物ごとに層を形成した積層物を、絶縁層としてもよい。

本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層は、
（ｉ）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層から正孔が注入され、陰極又は電子注入層から電子が注入される機能、
（ii）輸送機能；注入された電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、
（iii）発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これにより発光する機能、を有する。

発光層を形成する方法の例には、蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法が含まれる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化されることで形成された膜のことである。この分子堆積膜は、通常、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは、凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能の相違により区別される。

また、樹脂等の結着剤と、材料となる化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜を形成することによっても、発光層を形成することができる。

本発明においては、発光層に、ピレン系誘導体及びアミン化合物からなる発光材料や他の公知の金属錯体化合物を含有させてもよい。
金属錯体化合物としては、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅの中から選ばれる少なくとも一つの金属を含む金属錯体化合物であることが好ましい。配位子は、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格及びフェナントロリン骨格から選ばれる少なくとも一つの骨格を有することが好ましい。

このような金属錯体化合物の具体例には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が含まれるが、これらに限定されるものではない。要求される発光色、素子性能、ホスト化合物に応じて、適切な金属錯体化合物が選ばれる。

また、本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、りん光発光性のドーパントや蛍光性ドーパントが用いられてもよい。

りん光発光性のドーパントは、三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光するものである限り、特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＯｓおよびＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体またはオルトメタル化金属錯体がより好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性のドーパントは、単独で用いられてもよいし、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。

オルトメタル化金属錯体を形成する配位子には種々のものがあるが、好ましい配位子には、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（1−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が含まれる。これらの誘導体は、必要に応じて置換基を有してもよい。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を有する上記誘導体が、青色系ドーパントとして好ましい。さらに、補助配位子として、アセチルアセトナート、ピクリン酸等の、上記配位子以外の配位子を有していてもよい。

りん光発光性のドーパントの発光層における含有量は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．１〜７０質量％であり、好ましくは１〜３０質量％である。りん光発光性のドーパントの含有量が０．１質量％未満では、発光が微弱であり、その含有効果が十分に発揮されず、７０質量％を超えると、濃度消光と言われる現象が顕著になり、素子性能が低下する。また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有しても良い。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では、発光層の形成が困難であり、色度の調整が困難となる虞があり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する虞がある。

蛍光性ドーパントは、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましい。特に、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物が好ましく、その中でもスチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、芳香族アミン化合物、芳香族ジアミン化合物がより好ましく、縮合多環アミン誘導体がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは、単独でもまた複数の蛍光ドーパントが組み合わせて使用されてもよい。

本発明の有機ＥＬ素子においては、蛍光性ドーパントとしてスチリルアミン及び／又はアリールアミンを含有することが好ましい。スチリルアミン化合物及びまたはアリールアミンは、下記一般式（５０）で表されるものが好ましい。

一般式（５０）において、Ａｒ₂₇〜Ａｒ₂₉は、置換もしくは無置換の、環形成炭素数が６〜４０である芳香族基である。ｕは１〜４の整数であり、その中でも、ｕは１〜２の整数であることが好ましい。Ａｒ₂₇〜Ａｒ₂₉のいずれか一つは、スチリル基を含有する基であってもよい。Ａｒ₂₇〜Ａｒ₂₈のいずれか一つがスチリル基を有する場合、Ａｒ₂₈またはＡｒ₂₉の少なくとも一方は、スチリル基で置換されていることが好ましい。

ここで、環形成炭素数が６〜４０である芳香族基の例には、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラセニル基、ビスアントラセニル基又は下記一般式（Ｃ）および（Ｄ）で示されるアリーレン基等が含まれる。中でも、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基または一般式（Ｄ）で示されるアリーレン基が好ましい。

一般式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。

なお、前記アリール基およびアリーレン基に置換する好ましい置換基の例には、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、炭素数５〜４０のアリール基、炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が含まれる。

発光層に含まれる発光材料は、特に制限されず、ホスト材料としては、アントラセン化合物、フェナンスレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、トリフェニレン化合物、クリセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、ペリレン化合物、フタロペリレン化合物、ナフタロペリレン化合物、ナフタセン化合物、ペンタセン化合物のような多環芳香族化合物、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、トリス（５−フェニル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−（ｐ−ターフェニル−４−イル）アミン、１−アリール−２，５−ジ（２−チエニル）ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ポルフィリン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、クマリン系色素、ピラン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体、希土類系燐光発光性錯体（例えば、Ｉｒ錯体）及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリエチレンジオキサイドチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等の導電性高分子のような高分子材料等が挙げられ、これらは単独でも２種類以上の混合物として用いてもよい。

本発明の化合物と組み合わせて用いられるホスト材料は、下記式（１１）〜（１７）で表される化合物が好ましい。

下記一般式（５１）で表されるアントラセン誘導体。

一般式（５１）において、Ａ₂₁およびＡ₂₂は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の芳香族環基である。Ｒ₂₁〜Ｒ₂₈は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはヒドロキシ基である。

下記一般式（５２）で表されるピレン誘導体である。

一般式（５２）において、Ｒ₃₀〜Ｒ₃₉は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ基である。

下記一般式（５３）で表されるアントラセン誘導体。

一般式（５３）において、Ｒ₄₀〜Ｒ₄₉は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、置換してもよいアリール基、アルコキシル基、アリーロキシ基、アルキルアミノ基、アルケニル基、アリールアミノ基または置換してもよい複素環式基を示す。
ｉおよびｊは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ₄₀同士又はＲ₄₁同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ₄₀同士またはＲ₄₁同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ₄₂とＲ₄₃、Ｒ₄₄とＲ₄₅、Ｒ₄₆とＲ₄₇、Ｒ₄₈とＲ₄₉が、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ₁は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基または置換してもよいアリール基である）、アルキレン基またはアリーレン基を示す。

下記一般式（５４）で表されるアントラセン誘導体。

一般式（５４）において、Ｒ₅₀〜Ｒ₅₉は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシル基、アリーロキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基または置換してもよい複数環式基を示す。
ｋ，ｌ，ｍおよびｎは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ₅₀同士，Ｒ₅₁同士，Ｒ₅₅同士またはＲ₅₆同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ₅₂同士，Ｒ₅₃同士，Ｒ₅₄同士またはＲ₅₅同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ₅₂とＲ₅₃，Ｒ₅₇とＲ₅₈が、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ₂は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基またはアリーレン基を示す。

下記一般式（５５）で表されるスピロフルオレン誘導体。

一般式（５５）において、Ａ₃₁〜Ａ₃₄は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニリル基または置換もしくは無置換のナフチル基である。

下記一般式（５６）で表される化合物。

一般式（５６）において、Ａｒ₄₁〜Ａｒ₄₃はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリーレン基、Ａｒ₄₄〜Ａｒ₄₆はそれぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基を示す。
Ｒ₆₁〜Ｒ₆₃は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基またはハロゲン原子を示す。

下記一般式（５７）で表されるフルオレン化合物。

一般式（５７）において、Ｒ₇₃およびＲ₇₄は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ₇₁同士、Ｒ₇₂同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ₇₁およびＲ₇₂は、同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ₉₃およびＲ₉₄は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ₇₃同士、Ｒ₇₄同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ₇₃およびＲ₇₄は、同じであっても異なっていてもよい。
Ａｒ₇₁およびＡｒ₇₂は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わす。Ａｒ₇₁およびＡｒ₇₂は、同じであっても異なっていてもよい。ｖは、１乃至１０の整数を表す。

以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。
カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環などを有していてもよい。

このようなホスト化合物の具体例には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が含まれる。ホスト化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

具体例には、以下のような化合物が含まれる。

次に、電子注入層および電子輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい層である。また、付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着がよい材料からなる層である。
また、有機ＥＬ素子は、発光した光が電極（この場合は陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層の膜厚は、数ｎｍ〜数μｍの範囲で適宜選ばれる。特に、電子輸送層の膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０⁴〜１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上であることが好ましい。

電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に、８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。

式中、Ａｒ₈₁，Ａｒ₈₂，Ａｒ₈₃，Ａｒ₈₅，Ａｒ₈₆，Ａｒ₈₉はそれぞれ置換または無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ａｒ₈₄，Ａｒ₈₇，Ａｒ₈₈は置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

アリール基としては、フェニル基、ビフェニリル基、アントリル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、アントリレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は、薄膜を形成することができる性質を有するものが好ましい。

正孔注入層および正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。

このような正孔注入層および正孔輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０⁴〜１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^-4ｃｍ²／Ｖ・ｓであれば好ましい。

本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の芳香族アミン誘導体単独で正孔注入層または正孔輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。

本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔注入層および正孔輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本発明においては、正孔輸送能を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能な材料を正孔輸送材料と呼ぶ。

正孔注入層および正孔輸送層に使用される芳香族アミン誘導体としては、下記式に示される化合物があげられる。

Ａｒ₂₁₁〜Ａｒ₂₁₃、Ａｒ₂₂₁〜Ａｒ₂₂₃及びＡｒ₂₀₃〜Ａｒ₂₀₈は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ｐ、ｑ、ｓ、ｔ、ｗおよびｙはそれぞれ０〜３の整数である。

置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基が挙げられる。

置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフリル基、３−ベンゾフリル基、４−ベンゾフリル基、５−ベンゾフリル基、６−ベンゾフリル基、７−ベンゾフリル基、１−イソベンゾフリル基、３−イソベンゾフリル基、４−イソベンゾフリル基、５−イソベンゾフリル基、６−イソベンゾフリル基、７−イソベンゾフリル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基が挙げられる。

さらに、正孔注入層及び正孔輸送層に、下記式で表される化合物が使用できる。

Ａｒ₂₃₁〜Ａｒ₂₃₄は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基である。
Ｌは、連結基であり、単結合、もしくは置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ｘは、０〜５の整数である。

ここで置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、及び置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、前記と同様のものがあげられる。

さらに、正孔注入層及び正孔輸送層の材料の具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。

正孔注入層および正孔輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４,４'-ビス（Ｎ-（１-ナフチル）-Ｎ-フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、またトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４,４',４"-トリス（Ｎ-（３-メチルフェニル）-Ｎ-フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。

この他に、下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。

上記式中、Ｒ₁₂₁〜Ｒ₁₂₆は、それぞれ置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ₁₂₁〜Ｒ₁₂₆は同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ₁₂₁とＲ₁₂₂、Ｒ₁₂₃とＲ₁₂₄、Ｒ₁₂₅とＲ₁₂₆、Ｒ₁₂₁とＲ₁₂₆、Ｒ₁₂₂とＲ₁₂₃、Ｒ₁₂₄とＲ₁₂₅が縮合環を形成していてもよい。

さらに、下記式の化合物も用いることができる。

上記式中、Ｒ₁₃₁〜Ｒ₁₃₆は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。

これらの材料に代表されるように、アクセプター性材料も正孔注入材料として用いることができる。これらの具体例は上述した通りである。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層および正孔輸送層の材料として使用することができる。

正孔注入層および正孔輸送層は、本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜を形成することにより得ることができる。
正孔注入層および正孔輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入層および正孔輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、正孔注入層および正孔輸送層は、別種の化合物からなる正孔注入層および正孔輸送層を積層したものであってもよい。
また、発光層への正孔注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、１０^-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや、含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により陽極、発光層、正孔注入層、及び電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。

以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。
次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により形成することができる。均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。
真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０^-7〜１０^-3Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／ｓ、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。

次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料の薄膜を形成することにより得られる。均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から、真空蒸着法により形成することが好ましい。
真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。膜厚は１０〜４０ｎｍの範囲が好ましい。

次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
その後、陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は、金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリング等により形成することができる。下地の有機薄膜層を製膜時の損傷から守る観点では、真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機薄膜層の膜厚は、特に制限されないが、ピンホール等の欠陥や、効率を良くするため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極をプラス（＋）、陰極をマイナス（−）の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光を観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加した場合には、陽極がプラス（＋）、陰極がマイナス（−）の極性になった時のみ均一な発光を観測できる。印加する交流の波形は、任意でよい。

本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。

＜合成例１−１（中間体１−１の合成）＞
アルゴン気流下、１０００ミリリットルの三つ口フラスコに４−ブロモビフェニルを４７ｇ、ヨウ素を２３ｇ、過ヨウ素酸２水和物を９．４ｇ、水を４２ミリリットル、酢酸を３６０ミリリットル、硫酸を１１ミリリットル入れ６５℃で３０分撹拌後、９０℃で６時間反応した。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより６７ｇの白色粉末を得た。フィールドディソープションマススペクトル（以下、ＦＤ−ＭＳ）の分析により、Ｃ₁₂Ｈ₈ＢｒＩ＝３５９に対し、ｍ／ｚ＝３５８と３６０の主ピークが得られたので、中間体１−１と同定した。

＜合成例１−２（中間体１−２の合成）＞
合成例１−１において４−ブロモビフェニルのかわりに2−ブロモ−9，9−ジメチルフルオレンを用いる以外は同様に反応を行ったところ、６１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ₁₅Ｈ₁₂ＢｒＩ＝３９９に対し、ｍ／ｚ＝３９８と４００の主ピークが得られたので、中間体１−２と同定した。

＜合成例１−３（中間体１−３の合成）＞
ジベンゾフラン１５０ｇ（８９２ミリモル）と酢酸１リットルをフラスコに仕込み、窒素置換し、加熱溶解させた。臭素１８８ｇ（１．１８モル）を時々水冷しながら滴下した後、空冷下２０時間撹拌した。析出した結晶を濾別し、酢酸、水で順次洗浄し、減圧下乾燥させた。得られた結晶を、減圧蒸留にて精製しした後、メタノールで数回再結晶を繰り返し、２−ブロモジベンゾフラン６６．８ｇ（収率３１％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３と同定した。

＜合成例１−４（中間体１−４の合成）＞
アルゴン雰囲気下、２−ブロモジベンゾフラン（中間体１−３）２４．７ｇ（１００ミリモル）に無水ＴＨＦ４００ミリリットルを加え、−４０℃で撹拌中に、１．６Ｍ濃度のｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液６３ミリリットル(１００ミリモル)を加えた。反応溶液を０℃まで加温しながら１時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリメチル２６．０ｇ（２５０ミリモル）の乾燥ＴＨＦの５０ミリリットル溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ミリリットルを加え、1時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、ジベンゾフラン−２−ボロン酸１５．２ｇ（収率７２％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ₁₂Ｈ₉ＢＯ₃＝２１２に対し、ｍ／ｚ＝２１２の主ピークが得られたので、中間体１−４と同定した。

＜合成例１−５（中間体１−５の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ミリモル）、ジベンゾフラン−２−ボロン酸（中間体１−４）を２２．３ｇ（１０５ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）２．３１ｇ（２．００ミリモル）にトルエン３００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液１５０ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−（４−ブロモフェニル）ジベンゾフランの白色結晶２６．２ｇを得た(収率８１％)。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−５と同定した。

＜合成例１−６（中間体１−６の合成）＞
合成例１−５において、ジベンゾフラン−２−ボロン酸の代わりにジベンゾフラン−４−ボロン酸を２２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−６と同定した。

＜合成例１−７（中間体１−７の合成）＞
合成例１−６において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−１を３６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−６と同定した。

＜合成例１−８（中間体１−８の合成）＞
合成例１−６において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−２を４０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３０．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−８と同定した。

＜合成例１−９（中間体１−９の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ミリモル）、カルバゾールを１６．７ｇ（１００ミリモル）、ヨウ化銅（ＣｕＩ） ０．２ｇ（１．００ミリモル）、燐酸三カリウムを４２．４ｇ（２１０ミリモル）にｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミンを２ｍｌ、１，４−ジオキサンを３００ミリリットル入れ、１００℃にて２０時間撹拌した。
反応終了後、水３００ｍｌを加えた後分液し、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶１８．３ｇを得た(収率５７％)。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−９と同定した。

＜合成例１−１０（中間体１−１０の合成）＞
合成例１−９において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−１を３６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１０と同定した。

＜合成例１−１１（中間体１−１１の合成）＞
アルゴン気流下、カルバゾールを６７０ｇ、ヨードベンゼンを８５０ｋｇ、キシレンを２０Ｌ、ｔ−ＢｕＯＮａを４６０ｇ、酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＯＡｃ）₂）を入れ、８時間還流した。不純物を濾過し、濾液を減圧下で濃縮し、ヘキサンで洗浄後、乾燥したところ、フェニルカルバゾールを８２０ｇの白色粉末として得た。中間体１−１の合成において４−ブロモビフェニルの代わりにフェニルカルバゾールを用いた以外は同様に反応を行ったところ、６５０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１１と同定した。

＜合成例１−１２（中間体１−１２の合成）＞
合成例１−４および１−５において、中間体１−３の代わりに中間体１−１１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２５０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１２と同定した。

＜合成例１−１３（中間体１−１３の合成＞）
アルゴン気流下、ジフェニルアミンを１６．８ｇ、中間体１−１を３６．０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１０ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１．６ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ｍＬを入れ、１３０℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１３と同定した。

＜合成例１−１４（中間体１−１４の合成）＞
合成例１−１３において、中間体１−１の代わりに４−ヨードブロモベンゼンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、９．３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１４と同定した。

＜合成例１−１５（中間体１−１５の合成＞）
アルゴン気流下、１−アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、中間体１−６を３２３ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）及びデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を１８１ｇ濾取した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１５と同定した。

＜合成例１−１６（中間体１−１６の合成）＞
アルゴン気流下、中間体１−１５をエチレングリコール５Ｌ（和光純薬社製）、水５０ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液２１０gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン３Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１５１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１６と同定した。

＜合成例１−１７（中間体１−１７の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−７を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１７２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１７と同定した。

＜合成例１−１８（中間体１−１８の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−８を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１６８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１８と同定した。

＜合成例１−１９（中間体１−１９の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１５３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１９と同定した。

＜合成例１−２０（中間体１−２０の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の使用量を３２３ｇから６７８ｇに変えた以外は同様に反応を行ったところ、２８０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２０と同定した。

＜合成例１−２１（中間体１−２１の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりに中間体１−１５を用い、中間体１−６の代わりに４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２１と同定した。

＜合成例１−２２（中間体１−２２の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２４５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２２と同定した。

＜合成例１−２３（中間体１−２３の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりに中間体１−１５を用い、中間体１−６の代わりに中間体１−９を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２５５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２３と同定した。

＜合成例１−２４（中間体１−２４の合成）＞
アルゴン気流下、アニリンを１１．０ｇ、中間体１−９を３２．３ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１３．６ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．９２ｇ （アルドリッチ社製）及び脱水トルエン６００ｍＬを入れ、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、水５００ｍＬ を加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、２３．８ｇのアミン誘導体（淡黄色粉末）を得た。更に合成例１−１３において、ジフェニルアミンの代わりに上記得られたアミン誘導体（淡黄色粉末）を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２４と同定した。

＜合成例１−２５（中間体１−２５の合成）＞
合成例１−２４において、２段階目の反応で中間体１−１の代わりに４−ヨードブロモベンゼンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、２２．５ｇのアミン中間体（白色粉末）を得た。更に合成例１−１３において、ジフェニルアミンの代わりに上記得られたアミン中間体（白色粉末）を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２５と同定した。

＜合成例１−２６（中間体１−２６の合成）＞
アルゴン気流下、１−アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、中間体１−６を３２３ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）及びデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を１７５ｇ濾取した。
これに４，４’−ジヨードビフェニル１２０ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム１６３ｇ（和光純薬社製）、銅粉３．８ｇ（和光純薬社製）及びデカリン６００ｍＬを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。
反応後冷却し、トルエン６００ｍＬを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム１．４Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン１Ｌを加え、析出晶を３９１ｇ濾取した。
これをエチレングリコール１．５Ｌ（和光純薬社製）、水１５ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液４４gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン１Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１４０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２６と同定した。

＜合成例１−２７（中間体１−２７の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−９を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２２１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２７と同定した。

＜合成例１−２８（中間体１−２８の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６を３２３ｇ反応後、その反応液に中間体１−５を３２３ｇ添加し、引き続き反応した以外は同様に反応を行ったところ、２３２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２８と同定した。

＜合成例１−２９（中間体１−２９の合成）＞
合成例１−９において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−２を４０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２５．４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２９と同定した。

＜合成例１−３０（中間体１−３０の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりにアセトアニリドを用い、中間体１−６の代わりに中間体１−２９を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２０．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３０と同定した。

＜合成例１−３１（中間体１−３１の合成）＞
合成例１−４および１−５において、中間体１−３の代わりに中間体１−１１を用い、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−２を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２６ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３１と同定した。

＜合成例１−３２（中間体１−３２の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりにアセトアニリドを用い、中間体１−６の代わりに中間体１−３１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１９．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３２と同定した。

＜合成例１−３３（中間体１−３３の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりにアセトアニリドを用い、中間体１−６の代わりに中間体１−８を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１９．８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３３と同定した。

＜合成例１−３４（中間体１−３４の合成）＞
合成例１−４および１−５において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−２を用いた以外は同様に反応を行ったところ、３０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３４と同定した。

＜合成例１−３５（中間体１−３５の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりにアセトアニリドを用い、中間体１−６の代わりに中間体１−３４を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３５と同定した。

＜合成例１−３６（中間体１−３６の合成）＞
アルゴン雰囲気下、ジベンゾフラン７８．０ｇに脱水テトラヒドロフラン６００ｍLを加え、−３０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３００ｍLを滴下して、攪拌しながら１時間かけて室温まで昇温した。室温で５時間撹拌後、−６０℃まで冷却し、１，２−ジブロモエタン６０ｍLを１時間かけて滴下した。
室温で１５時間撹拌した後、氷水１０００ｍLに注ぎ、有機層をジクロロメタンで抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、テトラヒドロフラン／メタノールで洗浄し、減圧乾燥したところ、７０ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３６と同定した。

＜合成例１−３７（中間体１−３７の合成）＞
アルゴン雰囲気下、１−ブロモ−３−フルオロ−４−ヨードベンゼン１２０．０ｇ（３９９ミリモル）、２−メトキシフェニルボロン酸７２．７ｇ（４７９ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０） ９．２ｇ（７．９６ミリモル）にトルエン１０００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液５００ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−メトキシビフェニルの白色結晶８９．６ｇを得た（収率８０％）。
アルゴン雰囲気下、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−メトキシビフェニル８９．６ｇ（３１９ミリモル）にジクロロメタン９００ミリリットルを加え、氷冷下撹拌した。三臭化ホウ素９５．９ｇ（３８２ミリモル）を滴下して加え、その後、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、水２００ミリリットルを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−ヒドロキシビフェニルの白色結晶６８．１ｇを得た（収率７０％）。
４−ブロモ−２−フルオロ−２’−ヒドロキシビフェニル６８．１ｇ（２５５ミリモル）、炭酸カリウム７０．４ｇ（５１０ミリモル）にＮ−メチルピロリドン１５００ミリリットルを加え、１８０℃で３時間撹拌した。反応終了後、水を加え、トルエンで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をトルエンから再結晶して精製し、３−ブロモジベンゾフランの白色結晶４４．２ｇを得た（収率６０％）。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３７と同定した。

〔合成実施例１−１（化合物１−Ｈ１の合成）〕
アルゴン気流下、中間体１−２０を５．０ｇ、中間体１−９を３．２ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１．３ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）４６ｍｇ （アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２１ｍｇ及び脱水トルエン５０ｍＬ を入れ、８０℃にて８時間反応させた。
冷却後、水５００ｍＬ を加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、４．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１（前記例示化合物ＡＤ−２）と同定した。

〔合成実施例１−２（化合物１−Ｈ２の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−９の代わりに中間体１−１０を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２（前記例示化合物ＡＤ−１４）と同定した。

〔合成実施例１−３（化合物１−Ｈ３の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２１を４．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ３（前記例示化合物ＡＤ−４）と同定した。

〔合成実施例１−４（化合物１−Ｈ４の合成）〕
合成実施例１−２において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２１を４．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ４（前記例示化合物ＡＤ−１６）と同定した。

〔合成実施例１−５（化合物１−Ｈ５の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２２を５．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ５（前記例示化合物ＡＤ−３４）と同定した。

〔合成実施例１−６（化合物１−Ｈ６の合成）〕
合成実施例１−２において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２２を５．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ６（前記例示化合物ＡＤ−４６）と同定した。

実施例化合物変更に伴い合成法を変更しています（中間体２２→２８）
〔合成実施例１−７（化合物１−Ｈ７の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２８を５．０ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１２を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ７と同定した。

〔合成実施例１−８（化合物１−Ｈ８の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１６を１．３ｇ、中間体１−９を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ８（前記例示化合物ＡＤ−１９０）と同定した。

〔合成実施例１−９（化合物１−Ｈ９の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１７を１．７ｇ、中間体１−９を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ９（前記例示化合物ＡＤ−１９２）と同定した。

〔合成実施例１−１０（化合物１−Ｈ１０の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１８を１．９ｇ、中間体１−９を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１０（前記例示化合物ＡＤ−１９４）と同定した。

〔合成実施例１−１１（化合物１−Ｈ１１の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１９を１．３ｇ、中間体１−９を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１１（前記例示化合物ＡＤ−１９６）と同定した。

〔合成実施例１−１２（化合物１−Ｈ１２の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を３．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１２（前記例示化合物ＡＤ−１）と同定した。

〔合成実施例１−１３（化合物１−Ｈ１３の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２２を５．０ｇ用い、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を３．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１３（前記例示化合物ＡＤ−３３）と同定した。

〔合成実施例１−１４（化合物１−Ｈ１４の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２７を５．０ｇ用い、中間体１−９の代わりに中間体１−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１４（前記例示化合物ＡＤ−１９１）と同定した。

〔合成実施例１−１５（化合物１−Ｈ１５の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１６を１．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を７．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１５（前記例示化合物ＡＤ−１９３）と同定した。

〔合成実施例１−１６（化合物１−Ｈ１６の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１９を１．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を７．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１６（前記例示化合物ＡＤ−２４）と同定した。

〔合成実施例１−１７（化合物１−Ｈ１７の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２３を５．０ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１７（前記例示化合物ＡＤ−１９５）と同定した。

〔合成実施例１−１８（化合物１−Ｈ１８の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２３を５．０ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１３を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１８（前記例示化合物ＡＤ−１２０）と同定した。

〔合成実施例１−１９（化合物１−Ｈ１９の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２３を５．０ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１４を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１９（前記例示化合物ＡＤ−１９７）と同定した。

〔合成実施例１−２０（化合物１−Ｈ２０の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２６を３．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２０（前記例示化合物ＡＤ−１２９）と同定した。

〔合成実施例１−２１（化合物１−Ｈ２１の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１６を１．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−２４を１３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２１（前記例示化合物ＡＤ−１５１）と同定した。

〔合成実施例１−２２（化合物１−Ｈ２２の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２６を３．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−２５を９．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２２（前記例示化合物ＡＤ−１７１）と同定した。

〔合成実施例１−２３（化合物１−Ｈ２３の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２３を５．０ｇ、中間体１−９の代わりトリス（4−ブロモフェニル）アミンを９．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２３（前記例示化合物ＡＤ−１８７）と同定した。

〔合成実施例１−２４（化合物１−Ｈ２４の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−９の代わりに中間体１−１２を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２４と同定した。

〔合成実施例１−２５（化合物１−Ｈ２５の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３０を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３６を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２５と同定した。

〔合成実施例１−２６（化合物１−Ｈ２６の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３０を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２６と同定した。

〔合成実施例１−２７（化合物１−Ｈ２７の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３０を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３７を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２７と同定した。

〔合成実施例１−２８（化合物１−Ｈ２８の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３２を５．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３７を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２８と同定した。

〔合成実施例１−２９（化合物１−Ｈ２９の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３２を５．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２９と同定した。

〔合成実施例１−３０（化合物１−Ｈ３０の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３２を５．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３７を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ３０と同定した。

〔合成実施例１−３１（化合物１−Ｈ３１の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３３を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を３．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ３１と同定した。

〔合成実施例１−３２（化合物１−Ｈ３２の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３５を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を３．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ３２と同定した。

前記合成例１−１〜１−３７で合成された中間体１−１〜１−３７および合成実施例１−１〜１−３２で合成された本発明の芳香族アミン誘導体である化合物１−Ｈ１〜１−Ｈ３２ならびに比較化合物１−１〜１−６の構造式は下記の通りである。

［実施例１−１（有機ＥＬ素子の製造）］
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記化合物Ｈ２３２を蒸着し、膜厚６０ｎｍのＨ２３２膜を正孔注入層として膜を成膜した。このＨ２３２膜上に上記化合物１−Ｈ１を蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を成膜した。さらに下記化合物ＥＭ１を蒸着し膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。
この膜上に下記Ａｌｑを膜厚１０ｎｍに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
次に、得られた有機ＥＬ素子を１０５℃で８ｈ保存した後、発光効率を測定し、発光色を観察した。発光効率はミノルタ製ＣＳ１０００を用いて輝度を測定し、１０ｍＡ／ｃｍ²における発光効率を算出した。さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

［実施例１−２〜１−１１（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１−１において、正孔輸送材料として化合物１−Ｈ１の代わりに表１に記載の各化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、実施例１−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

［比較例１−１〜１−６］
実施例１−１において、正孔輸送材料として化合物１−Ｈ１の代わりに前記各比較化合物１−１〜１−６を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例１−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

［実施例１−１２（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１−１において、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。Ｍｅはメチル基である。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例１−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

［比較例１−７］
実施例１−１２において、正孔輸送材料として化合物１−Ｈ１の代わりに上記比較化合物１−４を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例１−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。

表１の結果より、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、比較用の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子と比べて高温時においても高い発光効率が得られ、半減寿命が長いことが明らかである。

＜合成例２−１（中間体２−１の合成）＞
アルゴン気流下、１０００ミリリットルの三つ口フラスコに４−ブロモビフェニルを４７ｇ、ヨウ素を２３ｇ、過ヨウ素酸２水和物を９．４ｇ、水を４２ミリリットル、酢酸を３６０ミリリットル、硫酸を１１ミリリットル入れ６５℃で３０分撹拌後、９０℃で６時間反応させた。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより６７ｇの白色粉末を得た。フィールドディソープションマススペクトル（以下、ＦＤ−ＭＳ）の分析により、Ｃ₁₂Ｈ₈ＢｒＩ＝３５９に対し、ｍ／ｚ＝３５８と３６０の主ピークが得られたので、中間体２−１と同定した。

＜合成例２−２（中間体２−２の合成）＞
合成例２−１において４−ブロモビフェニルのかわりに２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを用いる以外は同様に反応を行ったところ、６１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ₁₅Ｈ₁₂ＢｒＩ＝３９９に対し、ｍ／ｚ＝３９８と４００の主ピークが得られたので、中間体２−２と同定した。

＜合成例２−３（中間体２−３の合成）＞
ジベンゾフラン１５０ｇ（８９２ミリモル）と酢酸１リットルをフラスコに仕込み、窒素置換し、加熱溶解させた。臭素１８８ｇ（１．１８モル）を時々水冷しながら滴下した後、空冷下２０時間撹拌した。析出した結晶を濾別し、酢酸、水で順次洗浄し、減圧下乾燥させた。得られた結晶を、減圧蒸留にて精製しした後、メタノールで数回再結晶を繰り返し、２−ブロモジベンゾフラン６６．８ｇ（収率３１％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−３と同定した。

＜合成例２−４（中間体２−４の合成）＞
アルゴン雰囲気下、２−ブロモジベンゾフラン２４．７ｇ（１００ミリモル）に無水ＴＨＦ４００ミリリットルを加え、−４０℃で撹拌中に、１．６Ｍ濃度のｎ-ブチルリチウムのヘキサン溶液６３ミリリットル(１００ミリモル)を加えた。反応溶液を０℃まで加温しながら１時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリメチル２６．０ｇ（２５０ミリモル）の乾燥ＴＨＦの５０ミリリットル溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ミリリットルを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、ジベンゾフラン−２−ボロン酸１５．２ｇ（収率７２％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ₁₂Ｈ₉ＢＯ₃＝２１２に対し、ｍ／ｚ＝２１２の主ピークが得られたので、中間体２−４と同定した。

＜合成例２−５（中間体２−５の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ミリモル）、ジベンゾフラン−２−ボロン酸（中間体２−４）を２２．３ｇ（１０５ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）２．３１ｇ（２．００ミリモル）にトルエン３００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液１５０ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−（４−ブロモフェニル)ジベンゾフランの白色結晶２６．２ｇを得た(収率８１％)。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−５と同定した。

＜合成例２−６（中間体２−６の合成）＞
合成例２−５において、４−ヨードブロモベンゼンの代わりに中間体２−１を３５．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−６と同定した。

＜合成例２−７（中間体２−７の合成）＞
合成例２−５において、４−ヨードブロモベンゼンの代わりに中間体２−２を３９．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２７．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−７と同定した。

＜合成例２−８（中間体２−８の合成）＞
合成例２−５において、ジベンゾフラン−２−ボロン酸の代わりにジベンゾフラン−４−ボロン酸を２２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−８と同定した。

＜合成例２−９（中間体２−９の合成）＞
合成例２−８において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体２−１を３６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−９と同定した。

＜合成例２−１０（中間体２−１０の合成）＞
合成例２−８において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体２−２を４０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３０．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１０と同定した。

＜合成例２−１１（中間体２−１１の合成）＞
アルゴン気流下、ジフェニルアミンを１６．８ｇ、中間体２−１を３６．０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１０ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１．６ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ｍＬを入れ、１３０℃にて２４時間反応させた。
冷却後、水１０００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１１と同定した。

＜合成例２−１２（中間体２−１２の合成）＞
合成例２−１１において、中間体２−１の代わりに４−ヨードブロモベンゼンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、９．３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１２と同定した。

＜合成例２−１３（中間体２−１３の合成＞）
アルゴン気流下、１−アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、中間体２−８を３２３ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）及びデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応させた。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を１８１ｇ濾取した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１３と同定した。

＜合成例２−１４（中間体２−１４の合成）＞
合成例２−１３において、中間体２−８の使用量を３２３ｇから６７８ｇに変えた以外は同様に反応を行ったところ、３３０ｇの白色粉末を得た。さらに、アルゴン気流下、得られた白色粉末をエチレングリコール５Ｌ（和光純薬社製）、水５０ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液２１０gを添加後、１２０℃で８時間反応させた。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン３Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１９８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１４と同定した。

＜合成例２−１５（中間体２−１５の合成＞）
合成例２−１４において、中間体２−８の代わりに中間体２−５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２２１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１５と同定した。

＜合成例２−１６（中間体２−１６の合成）＞
合成例２−１３において、１−アセトアミドの代わりに中間体２−１３を用い、中間体２−８の代わりに中間体２−５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１９０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１６と同定した。

＜合成例２−１７（中間体２−１７の合成）＞
合成例２−１１において、ジフェニルアミンの代わりに中間体２−１６を用い、中間体２−１の代わりに４−ヨードブロモベンゼンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、４５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１７と同定した。

＜合成例２−１８（中間体２−１８の合成）＞
合成例２−１１において、ジフェニルアミンの代わりに中間体２−１６を用いた以外は同様に反応を行ったところ、５６ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１８と同定した。

＜合成例２−１９（中間体２−１９の合成）＞
アルゴン雰囲気下、ジベンゾフラン７８．０ｇに脱水テトラヒドロフラン６００ｍLを加え、−３０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３００ｍLを滴下して、攪拌しながら１時間かけて室温まで昇温した。室温で５時間撹拌後、−６０℃まで冷却し、１，２−ジブロモエタン６０ｍLを１時間かけて滴下した。
室温で１５時間撹拌した後、氷水１０００ｍLに注ぎ、有機層をジクロロメタンで抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、テトラヒドロフラン／メタノールで洗浄し、減圧乾燥したところ、７０ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１９と同定した。

＜合成例２−２０（中間体２−２０の合成）＞
アルゴン雰囲気下、１−ブロモ−３−フルオロ−４−ヨードベンゼン１２０．０ｇ（３９９ミリモル）、２−メトキシフェニルボロン酸７２．７ｇ（４７９ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０） ９．２ｇ（７．９６ミリモル）にトルエン１０００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液５００ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−メトキシビフェニルの白色結晶８９．６ｇを得た（収率８０％）。
アルゴン雰囲気下、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−メトキシビフェニル８９．６ｇ（３１９ミリモル）にジクロロメタン９００ミリリットルを加え、氷冷下撹拌した。三臭化ホウ素９５．９ｇ（３８２ミリモル）を滴下して加え、その後、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、水２００ミリリットルを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−ヒドロキシビフェニルの白色結晶６８．１ｇを得た（収率７０％）。
４−ブロモ−２−フルオロ−２’−ヒドロキシビフェニル６８．１ｇ（２５５ミリモル）、炭酸カリウム７０．４ｇ（５１０ミリモル）にＮ−メチルピロリドン１５００ミリリットルを加え、１８０℃で３時間撹拌した。反応終了後、水を加え、トルエンで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をトルエンから再結晶して精製し、白色結晶４４．２ｇを得た（収率６０％）。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−２０と同定した。

＜合成例２−２１（中間体２−２１の合成）＞
アルゴン雰囲気下、中間体２−２０を３４．２ｇ（１３８ミリモル）、４−クロロフェニルボロン酸２６．０ｇ（１６６ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０） ３．２ｇ（２．７７ミリモル）にトルエン３５０ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液１７０ミリリットルを加え、１２時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２３．１ｇの白色結晶を得た（収率６０％）。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−２１と同定した。

＜合成例２−２２（中間体２−２２の合成＞）
合成例２−１４において、中間体２−８の代わりに中間体２−２１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、３５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−２２と同定した。

〔合成実施例２−１（化合物２−Ｈ１の合成）〕
アルゴン気流下、中間体２−１４を５．０ｇ、中間体２−５を３．２ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１．３ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）４６ｍｇ（アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２１ｍｇ及び脱水トルエン５０ｍＬを入れ、８０℃にて８時間反応させた。
冷却後、水５００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１と同定した。

〔合成実施例２−２（化合物２−Ｈ２の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−６を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ２と同定した。

〔合成実施例２−３（化合物２−Ｈ３の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−７を４．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ３と同定した。

〔合成実施例２−４（化合物２−Ｈ４の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１５を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−８を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ４と同定した。

〔合成実施例２−５（化合物２−Ｈ５の合成）〕
合成実施例２−５（化合物２−Ｈ５の合成）
合成実施例２−４において、中間体２−８の代わりに中間体２−９を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ５と同定した。

〔合成実施例２−６（化合物２−Ｈ６の合成）〕
合成実施例２−４において、中間体２−８の代わりに中間体２−１０を４．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ６と同定した。

〔合成実施例２−７（化合物２−Ｈ７の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−９を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ７と同定した。

〔合成実施例２−８（化合物２−Ｈ８の合成）〕
合成実施例２−４において、中間体２−８の代わりに中間体２−６を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ８と同定した。

〔合成実施例２−９（化合物２−Ｈ９の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を５．０ｇ、中間体２−５の代わりに中間体２−１２を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ９と同定した。

〔合成実施例２−１０（化合物２−Ｈ１０の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を１．９ｇ、中間体２−５の代わりに中間体２−１１を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１０と同定した。

〔合成実施例２−１１（化合物２−Ｈ１１の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を５．０ｇ、中間体２−５の代わりに４，４’−ジブロモビフェニルを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１１と同定した。

〔合成実施例２−１２（化合物２−Ｈ１２の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりにアニリンを０．４ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−１８を７．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１２と同定した。

〔合成実施例２−１３（化合物２−Ｈ１３の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりにＮ，Ｎ‘-ジフェニルベンジジンを０．９ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−１７を６．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１３と同定した。

〔合成実施例２−１４（化合物２−Ｈ１４の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりにトリス（４−ブロモフェニル）アミンを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１４と同定した。

〔合成実施例２−１５（化合物２−Ｈ１５の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを３．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１５と同定した。

〔合成実施例２−１６（化合物２−Ｈ１６の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１６と同定した。

〔合成実施例２−１７（化合物２−Ｈ１７の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−２０を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１７と同定した。

〔合成実施例２−１８（化合物２−Ｈ１８の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１５を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−１９を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１８と同定した。

〔合成実施例２−１９（化合物２−Ｈ１９の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１５を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−２０を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１９と同定した。

〔合成実施例２−２０（化合物２−Ｈ２０の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−２２を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−１９を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ２０と同定した。

〔合成実施例２−２１（化合物２−Ｈ２１の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−２２を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ２１と同定した。

前記合成例２−１〜２−２２で合成された中間体２−１〜２−２２および合成実施例２−１〜２−２１で合成された本発明の芳香族アミン誘導体である化合物２−Ｈ１〜２−Ｈ２１ならびに比較化合物２−１〜２−７の構造式は下記の通りである。

［実施例２−１（有機ＥＬ素子の製造）］
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記化合物Ｈ２３２を蒸着し、膜厚６０ｎｍのＨ２３２膜を正孔注入層として膜を成膜した。このＨ２３２膜上に上記化合物２−Ｈ１を蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を成膜した。さらに下記化合物ＥＭ１を蒸着し膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。
この膜上に下記Ａｌｑを膜厚１０ｎｍに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
次に、得られた有機ＥＬ素子を１０５℃で８ｈ保存した後、発光効率を測定し、発光色を観察した。発光効率はミノルタ製ＣＳ１０００を用いて輝度を測定し、１０ｍＡ／ｃｍ²における発光効率を算出した。さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２−１に示す。

［実施例２−２〜２−８（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例２−１において、正孔輸送材料として化合物２−Ｈ１の代わりに表２に記載の各化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、実施例２−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。

［比較例２−１〜２−７］
実施例２−１において、正孔輸送材料として化合物２−Ｈ１の代わりに前記各比較化合物２−１〜２−７を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例２−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。

［実施例２−９（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例２−１において、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。Ｍｅはメチル基である。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例２−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。

［比較例２−８］
実施例２−９において、正孔輸送材料として化合物２−Ｈ１の代わりに上記比較化合物２−１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例２−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２−１に示す。

表２の結果より、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、比較用の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子と比べて高温時においても高い発光効率が得られ、半減寿命が長いことが明らかである。

以上詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体は分子が結晶化しにくく、これを有機薄膜層に含有させることによって、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上し、効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子を実現できる。このため、実用性の高い有機ＥＬ素子として極めて有用である。

Claims (50)

1. 分子中に、少なくとも１つの下記一般式（１）で表される置換基Ａと、少なくとも１つの下記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂとを有し、置換基Ａ及び置換基Ｂは互いに異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合することを特徴とする芳香族アミン誘導体。
   

   

   ［式中、Ｌ¹及びＬ²は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ³は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。但し、Ｌ¹〜Ｌ³が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
   Ｘは、酸素原子又は−Ｎ（Ａｒ¹）−基を表す。
   Ａｒ¹は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ａｒ¹が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
   ａ、ｃ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
   ｂおよびｄは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。
   Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ¹〜Ｒ⁶は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。
   但し、芳香族アミン誘導体における水素原子は重水素原子を含む。］
2. 前記一般式（２）におけるＸが−Ｎ（Ａｒ¹）−基を表す場合、Ｌ²が下記一般式（４）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   [Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ⁷及びＲ⁸は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
   ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。]
3. 前記置換基Ｂが、前記一般式（３）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
4. 前記一般式（３）におけるＬ³が下記一般式（４）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   [Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ⁷及びＲ⁸は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
   ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。]
5. 前記置換基Ａが下記一般式（１）で表され、さらに前記置換基Ｂが下記一般式（２−１）又は下記一般式（３）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   ［式中、Ｌ¹及びＬ²は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ³は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。但し、Ｌ¹〜Ｌ³が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
   Ａｒ¹は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ａｒ¹が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
   ａ、ｃ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
   ｂおよびｄは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。
   Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ¹〜Ｒ⁶は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。］
6. 前記置換基Ａが下記一般式（１−１）又は（１−２）で表される請求項５記載の芳香族アミン誘導体。
   

   
7. 前記置換基Ａ及び置換基Ｂが、それぞれ独立に、下記一般式（１）で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   ［式中、Ｌ¹は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ¹が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
   ａは、０〜４の整数を表す。
   ｂは、０〜３の整数を表す。
   Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ¹及びＲ²は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。］
8. 前記置換基Ａ及び置換基Ｂが、それぞれ独立に、下記一般式（１−１）〜（１−３）のいずれかで表される請求項７記載の芳香族アミン誘導体。
   

   
9. 前記置換基Ａが前記一般式（１−１）で表され、前記置換基Ｂが前記一般式（１−２）で表される請求項８記載の芳香族アミン誘導体。
10. 少なくとも１つのターフェニル基を有する請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
11. 下記一般式（５）〜（９）のいずれかで表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    ｛Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ²〜Ａｒ²⁵のうち、前記置換基Ａ又は置換基Ｂでない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
    Ｌ⁴〜Ｌ¹²は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。
    Ａｒ²〜Ａｒ²⁵及びＬ⁴〜Ｌ¹²が有してもよい置換基は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
12. 前記一般式（５）で表される請求項１１に記載の芳香族アミン誘導体。
13. 前記Ｌ¹〜Ｌ¹²が、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基又は９，９−ジメチルフルオレニレン基である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
14. 前記Ｌ¹〜Ｌ¹²が、それぞれ独立に、下記一般式（４）、（１０）及び（１１）のいずれかで表される請求項１１のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    [Ｒ⁷〜Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ⁷〜Ｒ¹¹は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。Ｒ¹²およびＲ¹³は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、あるいは、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基である。
    ｇ、ｈおよびｉは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。ｊおよびｋは、それぞれ独立に、０〜３の整数である]
15. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ³とＡｒ⁴がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
16. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²とＡｒ³が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁴が前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
17. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ³が前記一般式（３）または（２−１）で表され、Ａｒ⁴が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である［但し、Ａｒ⁴の置換基は、それぞれ独立に環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子およびシアノ基のいずれかである］請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
18. 前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁵とＡｒ⁶が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁷とＡｒ⁸がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
19. 前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁵とＡｒ⁷が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁶とＡｒ⁸がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
20. 前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ⁹が前記一般式（１）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
21. 前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１）で表され、Ａｒ⁹が前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
22. 前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹が前記一般式（１）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
23. 前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１）で表され、Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
24. 前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²⁰、Ａｒ²²及びＡｒ²⁴が前記一般式（１）で表され、Ａｒ²¹、Ａｒ²³及びＡｒ²⁵がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
25. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴が前記一般式（１−２）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
26. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴が前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
27. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち２つが前記一般式（１−２）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
28. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち２つが前記一般式（１−１）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
29. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²〜Ａｒ⁴のうち少なくとも１つが前記一般式（１−２）で表され、少なくとも一つが前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
30. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ³及びＡｒ⁴が、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
31. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ²及びＡｒ³が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ⁴が前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
32. Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも２つ、Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも２つ、Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つ、またはＡｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つが前記一般式（１−２）または前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
33. 前記Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ⁵〜Ａｒ⁸のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ⁹〜Ａｒ¹³のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（７）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ¹⁴〜Ａｒ¹⁹のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体および前記Ａｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは下記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ²⁰〜Ａｒ²⁵のうち少なくとも１つは下記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体のいずれかである請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
34. 前記Ａｒ⁵が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ⁶が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
35. 前記Ａｒ⁵とＡｒ⁷が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ⁶とＡｒ⁸が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
36. 前記Ａｒ⁹が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
37. 前記Ａｒ¹⁰とＡｒ¹³が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ¹¹とＡｒ¹²が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
38. 前記Ａｒ¹⁴とＡｒ¹⁹が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
39. 前記Ａｒ¹⁵とＡｒ¹⁸が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ¹⁶とＡｒ¹⁷が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
40. 前記Ａｒ²⁰、Ａｒ²²及びＡｒ²⁴が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ²¹、Ａｒ²³及びＡｒ²⁵が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
41. 前記Ａｒ²〜Ａｒ²⁵のうち置換基Ａ又は置換基Ｂでない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又はフルオレニル基である請求項１１に記載の芳香族アミン誘導体。
42. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
43. 有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
44. 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
45. 前記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を有し、請求項１記載の芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有されている請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
46. 前記有機薄膜層が、少なくとも正孔輸送層及び正孔注入層を含む正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域のうち、発光層に直接接しない層に請求項１記載の芳香族アミン誘導体が含有されている請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
47. 請求項１記載の芳香族アミン誘導体が主成分として正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有されている請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
48. 発光層にスチリルアミン化合物及び／又はアリールアミン化合物を含有する請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
49. 前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層を構成する各層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有する層である請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
50. 青色系発光する請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。