【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分￥ｆ）本発明は光通信に用いられる光アイソレータや光を用い
た電流又は磁界センサである光ＣＴに使用されるガーネ
ットフェライト単結晶を製造する方法の改良に関する。[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Usage ￥f) The present invention relates to a garnet ferrite used in optical isolators used in optical communication and optical CT, which is a current or magnetic field sensor using light. This invention relates to improvements in methods for producing single crystals.
（従来の技術）従来、ガーネットフェライト単結晶の製造方法としては
、フラックス法やＬＰＥ法（液相エピタキシャル法）が
多く用いられてきた。(Prior Art) Conventionally, the flux method and the LPE method (liquid phase epitaxial method) have been widely used as methods for producing garnet ferrite single crystals.
フラックス法は、酸化イツトリウムや希土類酸化物及び
酸化鉄等のガーネットフェライトの構成成分を含む原料
と、酸化鉛、フッ化鉛、酸化ホウ素、酸化ビスマス等の
フラックスとを例えば白金製のルツボに入れて均一に融
解した後、徐冷又はフラックスの革発によりガーネット
フェライト単結晶を成長させるものである。In the flux method, raw materials containing constituent components of garnet ferrite such as yttrium oxide, rare earth oxides, and iron oxide, and fluxes such as lead oxide, lead fluoride, boron oxide, and bismuth oxide are placed in a crucible made of platinum, for example. After uniformly melting, a garnet ferrite single crystal is grown by slow cooling or flux evolution.
また、ＬＰＥ法は、上述したようなガーネットフェライ
トの構成成分を含む原料とフラックスとをルツボに入れ
て均一に融解した後、融液を飽和温度よりもやや低い温
度に保ちながら、ガーネット構造を有する単結晶基板を
この融液に浸漬し、ガーネットフェライト単結晶を基板
上に薄膜として成長させるものである。In addition, in the LPE method, raw materials containing the constituent components of garnet ferrite as described above and flux are placed in a crucible and melted uniformly, and then the melt is maintained at a temperature slightly lower than the saturation temperature to form a garnet structure. A single crystal substrate is immersed in this melt, and a garnet ferrite single crystal is grown as a thin film on the substrate.
しかし、フラックス法では単結晶の育成時間が長い。一
方、ＬＰＥ法では単結晶の育成時間は短いものの、三次
元構造を有する大きな単結晶が得られない。However, the flux method takes a long time to grow a single crystal. On the other hand, although the LPE method requires a short time to grow a single crystal, it is not possible to obtain a large single crystal with a three-dimensional structure.
また、これらの方法では、フラックスやルツボを起源と
する不純物の混入が避けられない。こうした不純物のう
ち、特にＰｂ２÷、Ｐｔ４′＋等の３価以外の不純物が
ガーネットフェライト単結晶に混入すると、Ｆｅ３＋の
イオン価を変動させる。このため、主としてガーネット
フェライト単結晶の光学特性を劣化させるという問題が
ある。Furthermore, in these methods, contamination with impurities originating from flux or crucibles is unavoidable. Among these impurities, when impurities other than trivalent impurities such as Pb2÷ and Pt4'+ are mixed into the garnet ferrite single crystal, the ion valence of Fe3+ changes. For this reason, there is a problem that the optical characteristics of the garnet ferrite single crystal are mainly deteriorated.
また、これらの方法では、通常白金等の貴金属製のルツ
ボが使用されているため、育成する単結晶を大型化する
という要求に応じてルツボを大型化すると、製造コスト
が高くなるという問題がある。In addition, these methods usually use crucibles made of precious metals such as platinum, so if the crucibles are made larger to meet the demand for larger single crystals to be grown, there is a problem in that manufacturing costs increase. .
更に、ガーネットフェライト単結晶のファラデー回転係
ａ ＯＦは、ガーネットフェライトのＣサイトの一部を
Ｂｉ３＋で置換することにより、著しく増加させること
ができ、素子の小型化に有効であることが知られている
。しかし、フラックス法やＬＰＥ法を用いた場合、Ｂｉ
２Ｏ３が揮散しやすく、Ｂｉの分配係数が温度により変
化するため、ファラデー回転係数の均一なガーネットフ
ェライト単結晶を製造することが困難である。Furthermore, it is known that the Faraday rotation coefficient aOF of the garnet ferrite single crystal can be significantly increased by replacing some of the C sites of the garnet ferrite with Bi3+, which is effective in miniaturizing the device. There is. However, when using the flux method or LPE method, Bi
Since 2O3 easily volatilizes and the distribution coefficient of Bi changes depending on temperature, it is difficult to produce a garnet ferrite single crystal with a uniform Faraday rotation coefficient.
（発明が解決しようとする問題点）本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、単結晶の育成時間が短く、不純物混入がなく、ファ
ラデー回転係数が均一で、しかも製造コストを低減する
ことができるガーネットフェライト単結晶の製造方法を
提供することを目的とする。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a short growth time for single crystals, no contamination of impurities, a uniform Faraday rotation coefficient, and a manufacturing cost. An object of the present invention is to provide a method for producing a garnet ferrite single crystal that can reduce the
［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明のガーネットフェライト単結晶の製造方法は、Ｂ
ｉを含むガーネットフェライト原料を粒成長が生じる温
度域で焼成することを特徴とするものである。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The method for producing a garnet ferrite single crystal of the present invention includes B.
This method is characterized in that a garnet ferrite raw material containing i is fired in a temperature range where grain growth occurs.
本発明方法を更に詳細に説明する。本発明方法で得られ
るガーネットフェライト単結晶は、次式％式％（本発明方法においては、ガーネットフェライトのＣサイ
ト成分（Ｉ式におけるＲ及びＢｆ）としてＹ、希土類元
素、 Ｃａ 、 Ｓ ｒ 、 Ｂ ａ 、 Ｍ ｇから
選ばれる少なくとも１種（Ｒ）及びＢｉが、Ｃサイト成
分及びｄサイト成分（１式におけるＦｅ。The method of the present invention will be explained in more detail. The garnet ferrite single crystal obtained by the method of the present invention has the following formula: At least one (R) selected from a, Mg, and Bi are the C site component and the d site component (Fe in formula 1.
Ｍ及びＮ）としてＦｅのみ若しくはＳｎ、Ｚｒ。M and N) include only Fe or Sn, Zr.
Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｖ、Ｓｂから選択される少なくとも
１種（Ｍ）及びＦｅ若しくはＳｎ、Ｚｒ。At least one member (M) selected from Ti, Ge, Si, V, and Sb, and Fe, Sn, and Zr.
Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｖ、Ｓｂから選択される少なくとも
１種（Ｍ）、ＡｆＬ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃから選択される
少なくとも１種（Ｎ）及びＦｅが、それぞれ含まれるよ
うにガーネットフェライト原料を配合する。なお、Ｃサ
イト成分の原子モル比３モルのうち、Ｂｉの置換量が２
モルを超えると、ガーネット構造と異なる結晶構造とな
るおそれがあるので、Ｂｉの置換量は２モル以下である
ことが望ましい。The garnet ferrite raw material is prepared such that it contains at least one selected from Ti, Ge, Si, V, and Sb (M), at least one selected from AfL, Ga, In, and Sc (N), and Fe. Blend. In addition, the substitution amount of Bi is 2 out of 3 moles of the atomic molar ratio of the C site component.
If it exceeds 2 moles, there is a risk that the crystal structure will be different from the garnet structure, so it is desirable that the amount of Bi substitution be 2 moles or less.
本発明において用いられる原料としては、上記のような
各元素の酸化物又は焼成過程で分解して酸化物に添加す
るＣ ａｃＯ３，Ｆｅ０ＯＨ等が挙げられる。これらの
原料は混合時の均一性を高めるために、約５０ｇｍ以下
の粉末状態であることが望ましい。Examples of raw materials used in the present invention include oxides of each element as described above, and CacO3, Fe0OH, etc. which are decomposed during the firing process and added to the oxides. These raw materials are desirably in a powder state of about 50 gm or less in order to improve uniformity during mixing.
以」−のような原料を所定割合で混合した後、例えば湿
式ボールミルで十分に混合する。その後、得られた混合
粉末を例えば酸素雰囲気中で焼成する。なお、混合粉末
をより低い温度で一旦仮焼してガーネットフェライトの
多結晶体とした後、焼成してもよい。After mixing the following raw materials in a predetermined ratio, they are thoroughly mixed using, for example, a wet ball mill. Thereafter, the obtained mixed powder is fired, for example, in an oxygen atmosphere. Note that the mixed powder may be once calcined at a lower temperature to form a polycrystalline body of garnet ferrite, and then fired.
焼成温度は、原料粉末の組成、特にＢｉ置換量や粒径等
により変動するが、８００〜１３００℃に設定される。The firing temperature varies depending on the composition of the raw material powder, especially the amount of Bi substituted, the particle size, etc., but is set at 800 to 1300°C.
また、焼成時間は焼成温度とともに単結晶育成に影響を
与える要因であるが、通常は０．５〜２４時間に設定す
ることが望ましい。Further, the firing time is a factor that influences single crystal growth along with the firing temperature, and it is usually desirable to set it to 0.5 to 24 hours.
なお、本発明においては、ホットプレス法により焼成を
行なってもよい、ホットプレス条件は原料粉末の組成や
粒径等により変動するが、圧力は１０〜３０００ ｋｇ
／ ｃｒａ２に設定することが望ましい。In addition, in the present invention, firing may be performed by a hot press method. Hot press conditions vary depending on the composition and particle size of the raw material powder, but the pressure is 10 to 3000 kg.
It is desirable to set it to /cra2.
また１本発明方法においては、焼成雰囲気を酸化ビスマ
ス雰囲気としてもよい。こうすれば、焼成中に原料粉末
から酸化ビスマスが揮散するのを抑制することができる
。In one method of the present invention, the firing atmosphere may be a bismuth oxide atmosphere. In this way, it is possible to suppress volatilization of bismuth oxide from the raw material powder during firing.
更に、本発明方法においては、原料粉末にガーネットフ
ェライト１′μ結晶と同一結晶構造を有する単結晶を予
め接種しておき、これを焼成してもよい。接種する種結
晶は、結晶構造さえ同一であればよく、組成に関しては
目的とするガーネットフェライト単結晶と同一でもよい
し、異なっていてもよい、このような種結晶としては、
例えばＢｉＩＹ２Ｆｅ５０１２゜ＧＧＧ （Ｇｄ ３Ｇａ 、０．２）。Furthermore, in the method of the present invention, the raw material powder may be inoculated in advance with a single crystal having the same crystal structure as the garnet ferrite 1'μ crystal, and then fired. The seed crystals to be inoculated only need to have the same crystal structure, and may be the same or different in composition from the target garnet ferrite single crystal.Such seed crystals include:
For example, BiIY2Fe5012°GGG (Gd 3Ga , 0.2).
ＳｍＧＧ （ＳｍｉＧａｓＯｌｚ）。SmGG (SmiGasOlz).
ＮｄＧＧ （Ｎｄ３Ｇａ５０ｔ２）。NdGG (Nd3Ga50t2).
ＹＡＧ（Ｙ３Ａ交５０１２）等を用いることができる。YAG (Y3A intersection 5012) or the like can be used.
（作用）上述したような本発明方法によれば、焼結体中で異常粒
成長により粗大化した結晶粒が成長するので、その部分
を切出すことによりガーネットフェライト単結晶を製造
することができる。したがって、フラックス法やＬＰＥ
法と異なり、フラフクスやルツボを起源とする不純物の
混入がなく、高価なルツボを用いなくともよいのでコス
トを低減することができる。また、Ｂｉを添加してもフ
ラックス法やＬＰＥ法の場合に比べて組成変動がないた
め均一なガーネットフェライト単結晶が得られる。(Function) According to the method of the present invention as described above, coarse crystal grains grow due to abnormal grain growth in the sintered body, and a garnet ferrite single crystal can be manufactured by cutting out the part. . Therefore, flux method and LPE
Unlike the method, there is no contamination with impurities originating from fluff or crucibles, and there is no need to use expensive crucibles, so costs can be reduced. Further, even when Bi is added, there is no compositional change compared to the flux method or the LPE method, so a uniform garnet ferrite single crystal can be obtained.
そして、ガーネットフェライト単結晶中では、Ｃサイト
成分をＹ、希土類元素、Ｃａ、Ｓｒ。In the garnet ferrite single crystal, the C site components are Y, rare earth elements, Ca, and Sr.
Ｂａ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種及びＢｉとする
のに対応して、Ｃサイト成分及びｄサイト成分をＦｅの
み若しくはＳ ｎ 、 Ｚ ｒ 、 Ｔ ｉ 。Corresponding to at least one selected from Ba and Mg and Bi, the C site component and the d site component are Fe alone or Sn, Zr, Ti.
Ｇｅ、Ｓｉ、Ｖ、Ｓｂから選択される少なくとも１種及
びＦｅ若しくはＳｎ、Ｚｒ、Ｔｉ 、Ｇｅ 。At least one selected from Ge, Si, V, and Sb, and Fe or Sn, Zr, Ti, and Ge.
Ｓｉ、Ｖ、Ｓｂから選択される少なくとも１種、Ａｆｌ
、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃから選択される少なくとも１種及び
Ｆｅとすることにより電気的中性が保たれている。また
、上記各元素のうち、Ｃサイト成分となるＣａ、Ｂｒ、
Ｂａ、Ｍｇは原料粉末の焼結性を向上させる作用を有す
るので大きい単結晶を得るのに有利となる。Ｌａ、Ｃｅ
、Ｐｒ。At least one selected from Si, V, and Sb, Afl
, Ga, In, and Sc, and Fe, electrical neutrality is maintained. In addition, among the above elements, Ca, Br, which becomes the C site component,
Since Ba and Mg have the effect of improving the sinterability of the raw material powder, they are advantageous in obtaining large single crystals. La, Ce
, Pr.
ＮｄはＢｉとともに単結晶のファラデー回転係数を増大
させる作用を有する。また、Ｃサイト成分及びｄサイト
成分としてＦｅの一部と置換される各元素は単結晶の飽
和磁化を小さくしたり、キュリー温度を下げる作用を有
する。Nd, together with Bi, has the effect of increasing the Faraday rotation coefficient of the single crystal. Further, each element that replaces a part of Fe as a C site component and a d site component has the effect of reducing the saturation magnetization of the single crystal and lowering the Curie temperature.
（実施例）以下、本発明の詳細な説明する。(Example)The present invention will be explained in detail below.
実施例１〜１２まず、下記第１表に示す組成を目標として、Ｇ ｄ ２
０３ 、 Ｃａ ＣＯ３、Ｙ ２０３１ Ｖ ２０ ｓ
。Examples 1 to 12 First, aiming at the composition shown in Table 1 below, G d 2
03, Ca CO3, Y 2031 V 20 s
.
５ｒＣＯ，、Ｓｍ２０．、ＺｒＯ２゜ＢａＣＯ３，Ｅｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２，５ｉ０２゜Ｍｇ
（ＯＨ）２ 、Ｔｍ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３。5rCO,, Sm20. , ZrO2゜BaCO3, Er2O3, TiO2, 5i02゜Mg
(OH)2, Tm2O3, Dy2O3.
Ｇａ２Ｏ，、Ｈｏ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ２゜Ｔｂ４Ｏ７、Ｉ
ｎ２０３ 、Ｎｄ２Ｏ，。Ga2O,, Ho2O3, Al2O2゜Tb4O7, I
n203, Nd2O,.
Ｌ ｕ ２０３ 、 Ｐ ｂ ６０１１ 、 Ｙ ｂ
２０３ 。L u 203 , P b 6011 , Y b
203.
Ｆｅ０ＯＨ，Ｂｉ２Ｏ３を秤量して配合し、湿式ボール
ミルで２４時間粉砕・混合した後、乾燥した０次に、得
られた各混合粉末を造粒し、これをアルミナルツボに充
填して大気中において７５０°Ｃで４時間仮焼した。つ
づいて、仮焼粉を再び湿式ボールミルで粉砕した後、乾
燥した。得られた粉末はそれぞれ第１表に示す組成であ
った。Weighed and blended Fe0OH and Bi2O3, pulverized and mixed them in a wet ball mill for 24 hours, dried them, then granulated each of the obtained mixed powders, filled them into an alumina crucible, and heated them in the atmosphere for 750 min. It was calcined at °C for 4 hours. Subsequently, the calcined powder was ground again in a wet ball mill and then dried. The powders obtained had the compositions shown in Table 1.
つづいて、各粉末にポリビニルアルコール水溶液を適量
添加して１ｔｏｎ／ｃｒｙ２の圧でプレス成形し、直径
２０ ｍｌ１１．厚み５ｍｍのベレットを得た０次いで
、各ペレッ！・を大気中において、第１表に示す温度で
８時間焼成して焼結体を得た。Next, an appropriate amount of polyvinyl alcohol aqueous solution was added to each powder and press-molded at a pressure of 1 ton/cry2 to obtain a diameter of 20 ml. 0 Then each pellet to obtain a pellet with a thickness of 5 mm! A sintered body was obtained by firing in the atmosphere at the temperature shown in Table 1 for 8 hours.
得られた焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、理論
密度に対する相対密度（％）を算出した。また、焼結体
の表面を研摩した後、エツチングし、焼結体構成粒子の
平均粒径及び粗大化した結晶の最大結晶粒径を測定した
。なお、平均粒径は、異常粒成長により粗大化した結晶
粒以外の結晶粒について求めた。更に、単結晶を切出し
た後、光学研磨し、波長１．３ＪＬｍでファラデー回転
係数を測定した。これらの結果を第１表に示す。The density of the obtained sintered body was measured by the Archimedes method, and the relative density (%) with respect to the theoretical density was calculated. Further, after polishing the surface of the sintered body, it was etched, and the average grain size of the particles constituting the sintered body and the maximum crystal grain size of the coarsened crystals were measured. Note that the average grain size was determined for crystal grains other than crystal grains that became coarse due to abnormal grain growth. Furthermore, after cutting out the single crystal, it was optically polished and the Faraday rotation coefficient was measured at a wavelength of 1.3 JLm. These results are shown in Table 1.
第１表から明らかなように、上述したような本発明方法
により径が１０ｍｍ以上であり、ファラデー回転係数が
大きいガーネットフェライト単結晶を１与ることができ
た。As is clear from Table 1, by the method of the present invention as described above, one garnet ferrite single crystal having a diameter of 10 mm or more and a large Faraday rotation coefficient could be obtained.
実施例１３Ｂｉ！Ｙ３−！Ｆｅ５Ｏ１２なる一般式で表わされ、Ｂｉの置換量Ｘが異なるガーネ
ットフェライト単結晶を得ることを目標として、上述し
たのと同様な方法により、所定の原料を配合し、ペレッ
トを成形した。これらのペレットを８００〜１２００℃
で焼成した。Example 13 Bi! Y3-! With the aim of obtaining garnet ferrite single crystals represented by the general formula Fe5O12 and having different amounts of Bi substitution X, predetermined raw materials were blended and pellets were formed in the same manner as described above. These pellets were heated to 800-1200℃.
It was fired in
この結果、気孔率０．１％以下で、１０ｍ１以上の径を
有するガーネットフェライト単結晶が得られた。その後
、これらの単結晶を切出した後、光学研磨し、波長１．
３８Ｌｍでファラデー回転係数を測定した。ｎｉｌ換量
とファラデー回転係数との関係を第１図に示す。As a result, a garnet ferrite single crystal having a porosity of 0.1% or less and a diameter of 10 m1 or more was obtained. After that, these single crystals were cut out and optically polished to obtain a wavelength of 1.
The Faraday rotation coefficient was measured at 38 Lm. FIG. 1 shows the relationship between the nil conversion amount and the Faraday rotation coefficient.
第１図から明らかなように、本発明方法によればファラ
デー回転係数の絶対値が２０００ ｄｅｇ／ｃｔｘ程度
と大きいガーネットフェライト単結晶を得ることができ
る。As is clear from FIG. 1, according to the method of the present invention, a garnet ferrite single crystal having a large absolute value of Faraday rotation coefficient of about 2000 deg/ctx can be obtained.
なお、第１図に対応するＢｉ置換量とファラデー回転係
数との関係はガーネットフェライ）Ｉｆ結晶の組成によ
って相当異なるので、目的に応じて適当なりｉｉｌ換量
を決定することができる。Note that the relationship between the amount of Bi substitution and the Faraday rotation coefficient, which corresponds to FIG. 1, varies considerably depending on the composition of the garnet ferrite If crystal, so the amount of Bi substitution can be appropriately determined depending on the purpose.
実施例１４Ｂｉ２ＧｄｌＦｅ５ｏ１２なる組成のガーネットフェライト単結晶を得ることを目
標として、上述したのと同様な方法により、所定の原料
を配合し、ペレットを成形した。Example 14 Aiming at obtaining a garnet ferrite single crystal having a composition of Bi2GdlFe5o12, predetermined raw materials were blended and pellets were formed in the same manner as described above.
このペレットをホットプレス法により８００℃、３００
ｋｇ／ａｍ２で焼成した。The pellets were heated at 800°C and 300°C by hot pressing.
It was fired at kg/am2.
この結果、気孔率０．０１％以下で、８■の径を有する
ガーネットフェライト単結晶が得られた。その後、これ
らの単結晶を切出した後、光学研磨し、波長１．３ルｍ
で吸収係数を測定したところ、吸収係数α＝ ０．０１
ｃｍ−”であった。フラックス法で製造されたガーネッ
トフェライト単結晶では、不純物の影響により最良の値
でもα＝ ０．１ｃｍ−１以上であることを考慮すると
、本発明方法はガーネットフェライト単結晶の吸収特性
を改善する効果が大きいことがわかる。As a result, a garnet ferrite single crystal having a porosity of 0.01% or less and a diameter of 8 cm was obtained. After that, these single crystals were cut out and optically polished to a wavelength of 1.3 lumen.
When the absorption coefficient was measured, the absorption coefficient α = 0.01
cm-". Considering that in a garnet ferrite single crystal produced by the flux method, even the best value is 0.1 cm-1 or more due to the influence of impurities, the method of the present invention It can be seen that the effect of improving the absorption characteristics of
実施例１５Ｂ ｌ Ｉ Ｙ２ Ｆ ｅ５０１２なる組成のガーネットフェライト単結晶を得ることを目
標として、上述したのと同様な方法により、所定の原料
を配合し、ペレットを成形した。Example 15 Aiming at obtaining a garnet ferrite single crystal having a composition of B l I Y2 Fe5012, predetermined raw materials were blended and pellets were formed in the same manner as described above.
このペレットをＢｉ２Ｏ３とともにアルミナサヤに入れ
、アルミナ製の蓋をして、９００℃の醸化ビスマス雰囲
気中で焼成した。This pellet was placed in an alumina pod together with Bi2O3, covered with an alumina lid, and fired in a bismuth-enriched atmosphere at 900°C.
この結果、気孔率０．０５％以下で、Ｌｏ■の径を有す
るガーネットフェライト単結晶が得られた。As a result, a garnet ferrite single crystal having a porosity of 0.05% or less and a diameter of Lo■ was obtained.
実施例１６実施例１５と同一の原料を用い、ペレットを成形する際
に、その中心部にＧＧＧ単結晶を埋込んだ。このペレッ
トをホットプレス法により９００℃、２００ ｋｇ／
ｃｍ２で焼成した。Example 16 Using the same raw materials as in Example 15, when forming a pellet, a GGG single crystal was embedded in the center of the pellet. The pellets were heated to 900°C using a hot press method to produce 200 kg/
It was fired at cm2.
この結果、気孔率０．０１％以下で、１５■の径を有す
るガーネットフェライト単結晶が得られた。As a result, a garnet ferrite single crystal having a porosity of 0.01% or less and a diameter of 15 cm was obtained.
このように目的とするガーネットフェライト単結晶と同
一の結晶構造を有する単結晶を接種することにより更に
大きいガーネットフェライト単結晶を得ることができる
。In this way, a larger garnet ferrite single crystal can be obtained by inoculating a single crystal having the same crystal structure as the target garnet ferrite single crystal.
［発明の効果］以上詳述したように本発明方法によれば、不純物の混入
をなくし、吸収係数が小さく、ファラデー回転係数が大
きくかつ均一なガーネットフェライト単結晶を低コスト
で製造することができ、その工業的価値が大きいもので
ある。また、本発明方法で製造されたガーネットフェラ
イト単結晶はマイクロ波フィルター等のマイクロ波用素
子としても利用することができる。[Effects of the Invention] As detailed above, according to the method of the present invention, it is possible to eliminate the contamination of impurities and to produce a garnet ferrite single crystal having a small absorption coefficient, a large Faraday rotation coefficient, and uniformity at a low cost. , its industrial value is great. Further, the garnet ferrite single crystal produced by the method of the present invention can also be used as a microwave element such as a microwave filter.
第１図は本発明の一実施例におけるＢｉ置換量とファラ
デー回転係数との関係を示す特性図である。FIG. 1 is a characteristic diagram showing the relationship between the Bi substitution amount and the Faraday rotation coefficient in one embodiment of the present invention.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23174486AJPS6389495A (en) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Method for manufacturing garnet ferrite single crystal |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23174486AJPS6389495A (en) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Method for manufacturing garnet ferrite single crystal |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389495Atrue JPS6389495A (en) | 1988-04-20 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23174486APendingJPS6389495A (en) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Method for manufacturing garnet ferrite single crystal |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6389495A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63230527A (en)* | 1987-03-17 | 1988-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | magneto-optical element |
| JP2018150234A (en)* | 2011-06-06 | 2018-09-27 | スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッドＳｋｙｗｏｒｋｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ． | Rare-earth reduction garnet system, and related microwave application example |
| CN111187067A (en)* | 2020-01-15 | 2020-05-22 | 横店集团东磁股份有限公司 | Low-loss garnet microwave ferrite magnetic sheet and preparation method thereof |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63230527A (en)* | 1987-03-17 | 1988-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | magneto-optical element |
| JP2018150234A (en)* | 2011-06-06 | 2018-09-27 | スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッドＳｋｙｗｏｒｋｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ． | Rare-earth reduction garnet system, and related microwave application example |
| CN111187067A (en)* | 2020-01-15 | 2020-05-22 | 横店集团东磁股份有限公司 | Low-loss garnet microwave ferrite magnetic sheet and preparation method thereof |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4721547A (en) | Process for producing single crystal of garnet ferrite | |
| CN109111229B (en) | High-temperature sintered microwave dielectric ceramic material and preparation method thereof | |
| GB2097778A (en) | Barium titanate composition | |
| JP2008001556A (en) | Translucent rare earth gallium garnet sintered body, manufacturing method thereof and optical device | |
| JPH03218963A (en) | Production of transparent yttrium-aluminumgarvent-ceramics | |
| JP3243278B2 (en) | Polycrystalline transparent YAG ceramics for solid-state laser | |
| CN119751094A (en) | Preparation method and application of low shrinkage dense ceramics | |
| KR102353563B1 (en) | Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target | |
| JP3635410B2 (en) | Method for producing manganese-zinc based ferrite | |
| JPS6389495A (en) | Method for manufacturing garnet ferrite single crystal | |
| CN1935745A (en) | Method for inhibiting alkali metal volatilization during niobate base lead-free piezoelectric ceramic sintering process | |
| JP2019156657A (en) | Rare earth-iron-garnet-based transparent ceramic and optical devices using the same | |
| CN110573474A (en) | Sn-Zn-O oxide sintered body and method for producing same | |
| JPS6389493A (en) | Production of garnet ferrite single crystal | |
| JPS6389494A (en) | Method for manufacturing garnet ferrite single crystal | |
| JPH0678199B2 (en) | Method for producing single crystal of garnet ferrite | |
| JPH0822772B2 (en) | Method for producing translucent ferrite polycrystalline body | |
| JPS63260892A (en) | Method for growing garnet ferrite single crystal | |
| JP2523205B2 (en) | Method for producing garnet-type ferrite single crystal | |
| JP4543849B2 (en) | Ferrite magnetic material | |
| JPS6278195A (en) | Method for growing garnet ferrite single crystal | |
| JPS62153183A (en) | Method for manufacturing garnet ferrite single crystal | |
| JP2003146744A (en) | Method of controlling dielectric constant of dielectric ceramic for low temperature firing, dielectric ceramic for low temperature firing, and electronic parts | |
| US5538928A (en) | Dielectric ceramic composition for high frequencies and method for preparation of the same | |
| JP2002343616A (en) | Method for manufacturing oxide containing rare earth element |