【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明はレーザ光によるパターン検出装置に関し、例
えば、半轟体露光装置における位置合せを目的とするパ
ターン検出装置として用いることのできるものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a pattern detection device using laser light, and can be used, for example, as a pattern detection device for the purpose of alignment in a half-dead exposure device. .
従来、上記のようなレーザ光の走査によるパターンの位
置合せを目的とするパターン検出装置として、第７図に
示した測定原理によるものが知られている。第７図にお
いて、１２はステージ１３゛に載置されたウェハであり
、２１はウェハ１２上に設けられた被測定パターンであ
る。７０はウェハ１２の面で収束されたレーザビームで
、７００はパターン２１のエツジ部Ａからの散乱光を示
し、散乱光７０ａは対物レンズ（不図示）の近傍所定位
置に設置された検出器１６ａで主として受光され、電気
的に出力される。同様にエツジＢからの散乱光は主とし
て検出器１６ｂで受光されて出力を得る。なお、第７図
は原理図であるので、装置として必要な光学系、ステー
ジ１３のＸ−Ｙ座標位置を読取る高精度のレーザ干渉計
などは省略した。また、ウェハ１２の部分に記したＷは
この場合パターンの線幅を示す。Conventionally, as a pattern detection apparatus for the purpose of aligning patterns by scanning with a laser beam as described above, one based on the measurement principle shown in FIG. 7 is known. In FIG. 7, 12 is a wafer placed on a stage 13', and 21 is a pattern to be measured provided on the wafer 12. Reference numeral 70 indicates a laser beam focused on the surface of the wafer 12, 700 indicates scattered light from the edge portion A of the pattern 21, and the scattered light 70a is detected by a detector 16a installed at a predetermined position near an objective lens (not shown). It mainly receives light and outputs it electrically. Similarly, the scattered light from edge B is mainly received by the detector 16b to obtain an output. Note that since FIG. 7 is a diagram of the principle, the optical system necessary for the apparatus, a high-precision laser interferometer for reading the X-Y coordinate position of the stage 13, etc. are omitted. Further, the W written on the wafer 12 indicates the line width of the pattern in this case.
上記の構成において、ステージ１３を矢印のように移動
しながら収束されたレーザ光７０をウェハ１２のパター
ン２１面に照射すると、レーザ光７０がパターン２１の
エツジＡ及びＢ部をよぎるときに、散乱光７０Ａが生じ
て光検知器１６ａ及び１６ｂによって受光され、光検知
器１６ａ及び１６ｂの出力からパルス状のピークとして
測定される。従って、光検知器１６ａからパルス状のピ
ークが得られた後、光検知器１６ｂからパルス状のピー
クが得られるまでのステージ１３の移動量からパターン
幅Ｗを算出することができる。すなわち、パターンの線
幅Ｗの測定は、上記のようにして光検知器１６ａ、１６
ｂから得られたエツジパルス信号の間隔を、Ｘ−Ｙ座標
位置を読取るレーザ干渉計からステージ１３の所定移動
量毎に出力されるパルスを計数することによって行われ
る。In the above configuration, when the converged laser beam 70 is irradiated onto the pattern 21 surface of the wafer 12 while moving the stage 13 in the direction of the arrow, when the laser beam 70 crosses the edges A and B of the pattern 21, it is scattered. Light 70A is generated and received by photodetectors 16a and 16b, and is measured as a pulsed peak from the output of photodetectors 16a and 16b. Therefore, the pattern width W can be calculated from the amount of movement of the stage 13 after a pulse-like peak is obtained from the photodetector 16a until a pulse-like peak is obtained from the photodetector 16b. That is, the line width W of the pattern is measured using the photodetectors 16a and 16 as described above.
The interval between the edge pulse signals obtained from b is determined by counting the pulses output every predetermined movement amount of the stage 13 from a laser interferometer that reads the X-Y coordinate position.
第８図は上記のパルス信号の測定例で、横軸はステージ
１３の移動距離、縦軸は検知器１６ａ及び１６ｂで測定
した検知器出力の和である。図のようにパルスピーク間
の距離Ｗをステージ１３の移動距離によって測定するこ
とができ、それがパターンの線幅Ｗに他ならない。FIG. 8 shows an example of measuring the above-mentioned pulse signal, in which the horizontal axis represents the moving distance of the stage 13, and the vertical axis represents the sum of the detector outputs measured by the detectors 16a and 16b. As shown in the figure, the distance W between the pulse peaks can be measured by the moving distance of the stage 13, which is nothing but the line width W of the pattern.
上記のような従来のパターン検出装置においては、１個
のレーザ光を使用し、このレーザ光のレーザスポット（
又は帯）の位置を基準として、パターンの検出をしてい
る。したがって、レーザ光源のゆらぎなどでレーザスポ
ット（又は帯）の位置が計測方向に変化すると、パター
ン位置の検出時もその変化量だけオフセット（定常偏差
）となり、被検出パターン２１の位置をずれた位置に測
定してしまう。In the conventional pattern detection device as described above, one laser beam is used and the laser spot (
The pattern is detected based on the position of the band (or band). Therefore, if the position of the laser spot (or band) changes in the measurement direction due to fluctuations of the laser light source, an offset (steady deviation) will occur by the amount of change when detecting the pattern position, and the position of the detected pattern 21 will be shifted. I end up measuring it.
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、レーザ光源のゆらぎ等によるレーザスポット
（又は帯）の位置ずれを光学的手段により取り除き、精
度の高いパターン検出装置を得ることを目的とするもの
である。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a highly accurate pattern detection device by removing the positional shift of the laser spot (or band) due to fluctuations of the laser light source etc. by optical means. The purpose is to
上記問題点の解決の為に本発明では１個のエネルギービ
ームを偏光部材を用いてＰ、Ｓ成分に分離した後、再び
重ね合わせて、パターンを備えた物体上に照射し、パタ
ーンから得られる２次のエネルギー情報を電気信号に変
換し、パターンを電気的に処理することを技術的要点と
している。In order to solve the above problems, in the present invention, one energy beam is separated into P and S components using a polarizing member, and then superimposed again and irradiated onto an object with a pattern. The technical point is to convert secondary energy information into electrical signals and process patterns electrically.
この発明においては、上記の様な光学手段により再び重
ね合わされたエネルギービームにより、測定面上のパタ
ーンより生ずる２次のエネルギー情報を計測し、その情
報によってパターンを電気的に処理するのでエネルギー
放射源のゆらぎなどによるエネルギービームのふれ（計
測方向への）による精度劣化を補償することを技術的要
素としている。In this invention, secondary energy information generated from the pattern on the measurement surface is measured by the energy beam superimposed again by the optical means as described above, and the pattern is electrically processed based on the information, so that the energy radiation source is The technical element is to compensate for accuracy deterioration due to energy beam deflection (in the measurement direction) due to fluctuations in the energy beam.
第一図はこの発明の第１の実施例を示す光学系と、パタ
ーン検出用の周辺機器を示すブロック図である。この図
において１は光源であるレーザ、２２はレーザ光を偏向
する反射板２．３はレーザ１よりの光路に置かれた２つ
の凸レンズにより構成したビームエキスパンダ、４はレ
ーザ光をＰ、Ｓ成分に分ける偏光ビームスプリフタ、５
．６はそれぞれの分離光（Ｐ、Ｓ成分）を反射するミラ
ー、７は２つのレーザ光（Ｐ、Ｓ成分）の光路を少しず
れた位置で重ねる為の偏光板、８はレーザビームの周辺
をカットし、２つのレーザ光（Ｐ、Ｓ成分）の重なり部
分のみを通過させるアパーチャー、９はシリンドリカル
レンズ、１０はパターン検出光を分離する為のハーフミ
ラ−１１１は投影レンズ、１２は被検体であるウェハ、
１３はウェハ１２を載置するステージ、１４はハーフミ
ラ−１０で反射された検出光を集束するレンズ、１５は
投影レンズ１１の瞳共役位置に共役に配置された空間フ
ィルタ、１６はフィルタ１５の背後に置かれた光電変換
器、２１はウェハ１２上に設けられたウェハマークであ
り、回折格子マークやベタマークが用いられる。FIG. 1 is a block diagram showing an optical system and peripheral equipment for pattern detection according to a first embodiment of the present invention. In this figure, 1 is a laser that is a light source, 22 is a reflector plate 2 that deflects the laser beam, 3 is a beam expander composed of two convex lenses placed in the optical path from the laser 1, and 4 is a beam expander that deflects the laser beam into P, S Polarizing beam splitter that separates into components, 5
．． 6 is a mirror that reflects each separated light (P, S component), 7 is a polarizing plate for overlapping the optical paths of the two laser beams (P, S components) at a slightly shifted position, 8 is a mirror that surrounds the laser beam 9 is a cylindrical lens, 10 is a half mirror for separating pattern detection light, 111 is a projection lens, and 12 is an object to be inspected. wafer,
13 is a stage on which the wafer 12 is placed; 14 is a lens that focuses the detection light reflected by the half mirror 10; 15 is a spatial filter arranged conjugately at the pupil conjugate position of the projection lens 11; and 16 is the back of the filter 15. 21 is a wafer mark provided on the wafer 12, and a diffraction grating mark or a solid mark is used.
このような構成であるから、レーザ光源１より発せられ
たレーザ光は、反射板２２によって偏向され、ビームエ
キスパンダ２．３により拡大された平行光となり、偏光
板４．７と反射板５．６の組み合わせにより、分離、重
ね合わせが行なわれる。横方向にずれた状態で再び重ね
合わせられたレーザビームはアパーチャ８で重ね合わさ
れた部分のみがとり出され、シリンドリカルレンズ９、
投影レンズ１１によってウェハ１２の面に帯状に集光す
る構成となっている。With such a configuration, the laser light emitted from the laser light source 1 is deflected by the reflector 22, becomes parallel light expanded by the beam expander 2.3, and is transmitted to the polarizer 4.7 and the reflector 5. Separation and overlapping are performed by the combination of 6. The laser beams are superimposed again in a horizontally shifted state, and only the superimposed portion is taken out by an aperture 8, and a cylindrical lens 9,
The projection lens 11 is configured to focus light onto the surface of the wafer 12 in a band shape.
ウェハ１２用のステージ１３を矢印六方向へ移動して、
ウェハマーク２１上にレーザビームが集光したとき、マ
ーク２１から発せられる鏡面反射光と回折光又は散乱光
は投影レンズ１１を通ってハーフミラ−１０によって反
射された後、レンズ１４によって作られるフーリエ面の
位置（投影レンズ１１の瞳共役位置に共役な位置）に設
置した空間フィルタ１５によって、この面での主光量を
なす鏡面反射光、すなわち正反射光はカットされるが、
上記回折光又は散乱光は光電変換器（例えば、光電子増
倍等）１６で受光され、測定データを得る。上記回折光
又は散乱光の測定例は後記の第３図及び第４図で説明す
る。Moving the stage 13 for the wafer 12 in the six directions of arrows,
When the laser beam is focused on the wafer mark 21, specularly reflected light and diffracted light or scattered light emitted from the mark 21 pass through the projection lens 11 and are reflected by the half mirror 10, and then are reflected by the Fourier surface created by the lens 14. The spatial filter 15 installed at the position (a position conjugate to the pupil conjugate position of the projection lens 11) cuts the specularly reflected light, that is, the specularly reflected light that constitutes the principal light amount on this surface.
The diffracted light or scattered light is received by a photoelectric converter (eg, photomultiplier, etc.) 16 to obtain measurement data. An example of measuring the above-mentioned diffracted light or scattered light will be explained with reference to FIGS. 3 and 4 below.
上記光電変換器１６で測定された光量変化は第１図に示
した波形処理装置１７によって処理され、制御装置１８
にその結果が送信される構成になっている。本実施例で
は干渉計１９によってステージ１３の位置を読取り、駆
動装置２０によってステージ２０を移動し、それに同期
して光量変化をサンプリングする構成をとっている。し
かし、本発明の構成においては、例えばレーザビーム自
身をパイブレーク等によって振ってやる方法でもマーク
２１に対して相対的にスキャンするということでは同等
の効果を有するものである。すなわち、例えば反射板２
２を１８動してやれば良い。この場合には、パイブレー
クの振れを計測するロータリーエンコーダ等に同期して
光電変換器１６の出力をサンプリングすることで、ステ
ージ移動の場合と同様の測定を行うことができる。また
、ウェハ表面と共役位置にある被検体ならば同様な位置
合せは容易に可能である。The change in the amount of light measured by the photoelectric converter 16 is processed by the waveform processing device 17 shown in FIG.
The configuration is such that the results are sent to In this embodiment, the position of the stage 13 is read by an interferometer 19, the stage 20 is moved by a drive device 20, and changes in light amount are sampled in synchronization with this. However, in the configuration of the present invention, a method in which the laser beam itself is waved by pie-breaking or the like can have the same effect as scanning relative to the mark 21. That is, for example, the reflector 2
All you have to do is move 2 by 18. In this case, the same measurement as in the case of stage movement can be performed by sampling the output of the photoelectric converter 16 in synchronization with a rotary encoder or the like that measures pie break deflection. Furthermore, similar alignment is easily possible if the object is located at a position conjugate to the wafer surface.
第３図及び第４図は、マーク２１にそれぞれ回折マーク
又はベタマークを設け、それらを検出する場合の測定例
を示す説明図である。FIGS. 3 and 4 are explanatory diagrams showing measurement examples in which a diffraction mark or a solid mark is provided on the mark 21, respectively, and these are detected.
第３図（Ａ）は回折格子マーク２１ａを帯状のレーザビ
ームａにて検出する場合を示しており、矢印は測定する
回折光の方向である。第２図（Ｂ）は空間フィルタ１５
に用いた回折光用の空間フィルタ１５ａの平面形状であ
り、図のように上下の半円部に光透過の窓を設けである
。窓内に示した細長い棒状の像はそれぞれ中央から±１
次光１５ｂ、±２次光１５ｃを示している。第３図（Ｃ
）は光電変換器１６で得られた波形データであって、横
軸はステージ位置、縦軸は光量を示している。すなわち
、第３図（Ａ）の矢印方向へレーザビームａを移動して
得られる波形データは、レーザビームａが回折格子マー
ク２１ａ上にあるとき最大値となる。従って、第３図（
Ｃ）のように得られたデータにより、ピーク位置ａ０を
求めればマーク２１ａの中心を求めることが可能である
。FIG. 3(A) shows a case where the diffraction grating mark 21a is detected by a band-shaped laser beam a, and the arrow indicates the direction of the diffracted light to be measured. FIG. 2(B) shows the spatial filter 15.
This is the planar shape of the spatial filter 15a for diffracted light used in the figure, and as shown in the figure, windows for light transmission are provided in the upper and lower semicircular parts. The elongated bar-shaped images shown in the window are each ±1 from the center.
Secondary light 15b and ±secondary light 15c are shown. Figure 3 (C
) is waveform data obtained by the photoelectric converter 16, in which the horizontal axis represents the stage position and the vertical axis represents the amount of light. That is, the waveform data obtained by moving the laser beam a in the direction of the arrow in FIG. 3(A) has a maximum value when the laser beam a is on the diffraction grating mark 21a. Therefore, Fig. 3 (
The center of the mark 21a can be found by finding the peak position a0 using the data obtained as shown in C).
第４図（Ａ）はベタマーク２１ｂを検出する場合を示し
ている。第４図（Ｂ）は空間フィルタ１５ｂの平面形状
を示しており、図のように、中央部に縦方向に遮光部を
有するものである。FIG. 4(A) shows a case where a solid mark 21b is detected. FIG. 4(B) shows the planar shape of the spatial filter 15b, and as shown in the figure, it has a light shielding part in the vertical direction at the center.
第４図（Ｃ）は光電変換器１６で得られた波形データを
示し、横軸はすなわち、第４図（Ａ）の矢印方向ヘレー
ザビームａを移動して得られる波形データは、レーザビ
ームａがへタマークステージ位置、縦軸は光量である。FIG. 4(C) shows the waveform data obtained by the photoelectric converter 16, and the horizontal axis indicates the waveform data obtained by moving the laser beam a in the direction of the arrow in FIG. 4(A). Hetamark stage position, vertical axis is light intensity.
２１ｂのエツジ部にあるとき、そこで最も回折光が生ず
ることにより、最大値が２つ出来る。この図から、第３
図と同様に横軸ピークの位置ａ０、ａｌの読みから（ａ
ｌ−ａｏ）／２の値を求めてマーク２１ｂの中心を求め
ることができる。At the edge portion of 21b, the most diffracted light occurs there, resulting in two maximum values. From this figure, the third
Similar to the figure, from the horizontal axis peak position a0, al reading (a
The center of the mark 21b can be found by finding the value of l-ao)/2.
さて、ここでレーザ光源１のゆらぎによるレーザビーム
のゆれを考えてみるに、従来のものは第５図（Ａ）の様
にレーザ光源１のゆらぎによって帯状のレーザビームａ
が例えば左側にシフトし、距離ｄだけ光量中心がずれる
が、第１の実施例による光学系の構成においては、レー
ザ光源１の所定のゆらぎ範囲内であれば、２つのレーザ
ビーム（Ｐ、Ｓ成分）の重なり合った部分のみが通過す
るように制限され、その結果、アパーチャ８内の光量分
布が平坦化される為に、レーザビームが多少ゆれても、
アパーチャ８を通った光には光量中心位置の移動はない
。ただし、第５図（Ｂ）の波形としては、その形を保持
したまま、全体が右側、左側ヘシフトする。Now, if we consider the fluctuation of the laser beam due to the fluctuation of the laser light source 1, in the conventional system, the fluctuation of the laser light source 1 causes a band-shaped laser beam a as shown in FIG.
is shifted to the left, for example, and the center of the light amount is shifted by a distance d. However, in the optical system configuration according to the first embodiment, as long as the fluctuation range of the laser light source 1 is within a predetermined range, the two laser beams (P, S As a result, the light intensity distribution within the aperture 8 is flattened, so even if the laser beam oscillates a little,
There is no movement of the light quantity center position of the light passing through the aperture 8. However, the waveform of FIG. 5(B) is entirely shifted to the right or left side while maintaining its shape.
第２図は本発明の第２実施例の光学系とパターン検出用
の周辺機器を示すブロック図である。第２図の第２実施
例が第１図の実施例と異なる点は、第１図の第１実施例
では、偏光のＰ、Ｓ成分に分割し、再び重ね合わせるた
めに、２つの偏光ビームスプリッタ４．７及び２つの反
射鏡５．６を用い、かつ光路制限用のアパーチャ８を用
いたのに対し、第２図の第２実施例は、偏光のＰ、Ｓ成
分に分離し、再び重ね合わせるために、２つの偏光ビー
ムスプリンタ２３．２５と１つの反射鏡２４を用いてい
る点である。偏光ビームスプリッタ２５は、偏光ビーム
スプリンタ２３を透過した成分と、偏光ビームスプリッ
タ２３、反射板２４を反射した成分とを、ずらすことな
く重ね合わせている。その結果、偏光ビームスプリッタ
２３．２５を透過した成分と、偏光ビームスプリッタ２
３、反射板２４、偏光ビームスプリンタ２５を反射する
成分とは、前者が反射回数０回、後者が反射回数３回で
あるから、レーザ光源１のゆらぎによるレーザビームの
ふれは、Ｐ成分によるものとＳ成分によるものは、レー
ザビームのふれのないときの光量中心位置に対して線対
称になる。FIG. 2 is a block diagram showing an optical system and peripheral equipment for pattern detection according to a second embodiment of the present invention. The difference between the second embodiment shown in FIG. 2 and the embodiment shown in FIG. 1 is that in the first embodiment shown in FIG. In contrast to using a splitter 4.7 and two reflecting mirrors 5.6 and an aperture 8 for limiting the optical path, the second embodiment shown in FIG. The point is that two polarizing beam splinters 23, 25 and one reflecting mirror 24 are used for superposition. The polarizing beam splitter 25 superimposes the component transmitted through the polarizing beam splitter 23 and the component reflected by the polarizing beam splitter 23 and the reflecting plate 24 without shifting them. As a result, the components transmitted through the polarizing beam splitter 23, 25 and the polarizing beam splitter 2
3. The components that are reflected by the reflector 24 and the polarized beam splinter 25 are: the former has 0 reflections, and the latter has 3 reflections; therefore, the deflection of the laser beam due to the fluctuation of the laser light source 1 is due to the P component. and the S component are line symmetrical with respect to the center position of the light amount when there is no fluctuation of the laser beam.
なお、第２図においてはその他の構成は第１図のものと
同じであるから同符号を付し、説明は省略する。Note that in FIG. 2, the other configurations are the same as those in FIG. 1, so the same reference numerals are given, and the explanation will be omitted.
このような構成であるから、投影レンズ１１の瞳共役位
置１１ａ上の光量分布はｐ、Ｓ成分の合成によって第６
図のようになる。そして、レーザ光源１のゆらぎによっ
て、レーザビームがふれるとすると、偏光ビームスプリ
ッタ２３を透過した成分と、反射した成分とは、レーザ
ビームのふれのないときの光量中心位置ａ０に対して線
対称になる。その結果、レーザ光源ｌのゆらぎによって
、レーザビームの幅りは光量中心位置ａ０を中心として
大きくなったり小さくなったりすることになる。換言す
れば、第２実施例の光学系の構成では、第６図の信号の
左端が左側にシフトすれば、右端は右側にシフトするの
で、その中心位置はビームのゆらぎの影響を受けず、パ
ターン検出の精度が向上する利点である。With such a configuration, the light amount distribution on the pupil conjugate position 11a of the projection lens 11 becomes the sixth one by combining the p and S components.
It will look like the figure. If the laser beam fluctuates due to the fluctuation of the laser light source 1, the component transmitted through the polarizing beam splitter 23 and the reflected component are line symmetrical with respect to the center position a0 of the light amount when there is no fluctuation of the laser beam. Become. As a result, due to the fluctuation of the laser light source l, the width of the laser beam increases or decreases around the light amount center position a0. In other words, in the configuration of the optical system of the second embodiment, if the left end of the signal in FIG. 6 shifts to the left, the right end shifts to the right, so the center position is not affected by beam fluctuation. This has the advantage of improving the accuracy of pattern detection.
なお、上記の実施例においては、半導体露光装置におけ
るつ互ハのパターン検出について説明したが、ウェハに
限定されるものではなく、本発明は広く精密加工機など
のパターンを用いて位置合せを行う場合にも適用できる
ものであることはいうまでもない。In addition, in the above embodiment, pattern detection between two wafers in a semiconductor exposure apparatus has been described, but the present invention is not limited to wafers, and the present invention can be broadly applied to alignment using patterns in precision processing machines, etc. Needless to say, it can also be applied to other cases.
以上のように本発明の実施例によればレーザビームのゆ
れによって帯状又はスポット状の照明が計測方向にシフ
トしても、簡単な光学系を用いるだけでシフト量が位置
合せ精度に影響しない構成によって位置合せ精度が向上
する効果がある。さらに２つの偏光板を用いることによ
って光量の損失がないビームスポットを形成することが
できるのでエネルギー効率の高いパターン検出光学系を
作ることが可能である。またビームを分割及び重ね合せ
するまでの位置がレーザビームを平行光線にした位置な
ので調整がしやすく、Ｐ、Ｓ成分を同じ光量にするのも
直線偏光のレーザチューブを回転させるだけなので、安
価で精度の高い装置を実現することができるという効果
がある。また第２の実施例においては受光位置にてＰ、
、Ｓ成分を分離して調整を行えば途中のハーフミラ−（
１０）等のＰ、Ｓ成分特性に依存せずにＰ、Ｓ成分の光
量を同じにすることが可能であり、分離して独立に受光
すればＰ、Ｓの光量を同じにしなくても同様の効果を得
ることが可能である。As described above, according to the embodiment of the present invention, even if the belt-shaped or spot-shaped illumination is shifted in the measurement direction due to the fluctuation of the laser beam, the shift amount does not affect the alignment accuracy simply by using a simple optical system. This has the effect of improving alignment accuracy. Furthermore, by using two polarizing plates, it is possible to form a beam spot without loss of light quantity, so it is possible to create a pattern detection optical system with high energy efficiency. In addition, the position at which the beam is split and superimposed is the position where the laser beam becomes parallel light, making it easy to adjust, and making the P and S components the same amount of light is achieved by simply rotating the linearly polarized laser tube, which is inexpensive. This has the effect that a highly accurate device can be realized. In addition, in the second embodiment, P at the light receiving position,
, if the S component is separated and adjusted, the half mirror in the middle (
It is possible to make the light amounts of the P and S components the same without depending on the P and S component characteristics such as 10), and it is possible to make the light amounts of the P and S components the same even if the light amounts of P and S are not the same if they are separated and received independently. It is possible to obtain the following effects.
また、第１図の実施例において、アパーチャ８とシリン
ドリカルレンズ９との間に一板を挿人すれば、Ｐ、Ｓ成
分による直線偏光が円偏光になるので、以後の光学系の
特性の影響をＰ、Ｓ成分各々による光が同等に受けるの
で、光量調整が容易に行なえるようになる。In addition, in the embodiment shown in FIG. 1, if a plate is inserted between the aperture 8 and the cylindrical lens 9, the linearly polarized light due to the P and S components becomes circularly polarized light, which will affect the characteristics of the optical system thereafter. Since the light from each of the P and S components is equally received, the amount of light can be easily adjusted.
（発明の効果）以上のように本発明によれば、エネルギービームをＰ、
Ｓ成分に分離した後、重ね合わせているので、重ね合わ
せた光の光量中心位置は、エネルギー放射源のゆらぎ等
によって変化することがないので、精度良くパターンの
位置を検出することができる。(Effect of the invention) As described above, according to the present invention, the energy beam is
Since the S component is separated and then superimposed, the center position of the light amount of the superimposed light does not change due to fluctuations of the energy radiation source, etc., so the position of the pattern can be detected with high accuracy.
第１図は本発明の第１実施例を示す図、第２図は本発明
の第２実施例を示す図、第３図（Ａ）。（Ｂ）、（Ｃ）は、第１図の基本動作を説明するための
図、第４図（Ａ）、 （ＢＬ （Ｃ）は、第２図の基本
動作を説明するための図、第５図（Ａ）、 （Ｂ）は第
１図の実施例と従来技術との違いを対比説明するための
瞳上での光量分布図、第６図は第２図の実施例における
瞳上での光量分布図、第７図は従来技術のパターン検出
原理を説明するための図、第８図は第７図により得られ
る信号波形を示す波形図である。（主要部分の符号の説明）■・・・レーザ光源４．７．２３．２５・・・偏光ビームスプリッタ５．６
．２４・・・反射板１０・・・ハーフミラ−１１・・・投影レンズ１２・・・ウェハ１４・・・レンズ１５・・・空間フィルタ１６・・・光電変換器２１・・・ウェハマーク。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the invention, FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the invention, and FIG. 3(A). (B) and (C) are diagrams for explaining the basic operation in Figure 1, Figures 4 (A) and (C) are diagrams for explaining the basic operation in Figure 2, and Figure 4 (A) and (C) are diagrams for explaining the basic operation in Figure 2. Figures 5 (A) and (B) are light intensity distribution diagrams on the pupil to compare and explain the differences between the embodiment in Figure 1 and the conventional technology, and Figure 6 is a diagram of the light intensity distribution on the pupil in the embodiment in Figure 2. 7 is a diagram for explaining the pattern detection principle of the prior art, and FIG. 8 is a waveform diagram showing the signal waveform obtained by FIG. 7. (Explanation of symbols of main parts) ■ ... Laser light source 4.7.23.25 ... Polarizing beam splitter 5.6
．． 24... Reflection plate 10... Half mirror 11... Projection lens 12... Wafer 14... Lens 15... Spatial filter 16... Photoelectric converter 21... Wafer mark.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62020083AJPS63187102A (en) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | pattern detection device |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62020083AJPS63187102A (en) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | pattern detection device |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63187102Atrue JPS63187102A (en) | 1988-08-02 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62020083APendingJPS63187102A (en) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | pattern detection device |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63187102A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7929867B2 (en) | 2002-10-24 | 2011-04-19 | Nakagawa Laboratories, Inc. | Emergency lamp and wireless emergency lamp data transmission system |
| JP4871267B2 (en)* | 2004-05-03 | 2012-02-08 | ウッドウェルディング・アクチェンゲゼルシャフト | Light diffuser and method for manufacturing the same |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7929867B2 (en) | 2002-10-24 | 2011-04-19 | Nakagawa Laboratories, Inc. | Emergency lamp and wireless emergency lamp data transmission system |
| JP4871267B2 (en)* | 2004-05-03 | 2012-02-08 | ウッドウェルディング・アクチェンゲゼルシャフト | Light diffuser and method for manufacturing the same |
| Publication | Publication Date | Title |
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