JPS6196598A - Electrically erasable P-ROM count data storage method - Google Patents

Abstract

Translated fromJapanese

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

Translated fromJapanese

【発明の詳細な説明】Ｅ産業上の利用分野］本発明は電気的消去可能なＩ’−［ｔＯＭを用いたカウ
ントデータ記憶方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for storing count data using electrically erasable I'-[tOM.

し従来技術とその問題点］記憶データを電気的に消去可能なＰ−ＲＯＭては、記憶
素子のデータをｊ）き換えろ度に記憶累ｊ′のスレッノ
ヨルド電圧幅が変化する／）、最終的には記憶素子は永
久に／Ｉ！ｌ去されたままになり、ブタ、すき換えの繰
返しの回数に限度かある。このＩ）−Ｉｔ　ＯＭを電子
カウンタのカウントデータ記憶手段として使用した場合
、使用頻度の最ら高い１の位（１０°桁）を制御する素
子は一番先に消去限度回数を越え寿命がつきる。これを
防ぐ為に、１の位に関しては、予備の記憶素子を川Ｑし
ておくという方法ら考えられるか、この方法では、メモ
リ領域がその分だけ減少し、ＰＩｊＯＭの持つ、機能を
ｒ１効に生かす事が出来ないといら問題かあうノー、１
１発明の目的］本発明は、各記憶素子を使用頻度の異なる各桁間に順次
ローテーンジンさせることにより、各記憶素子を寿命近
くまで有効に利用できるＰ−ＲＯＭのカウントデータ記
憶方法を提供４゛ることをｌ−１的とする。Prior art and its problems] In a P-ROM whose stored data can be electrically erased, the threshold voltage width of the memory storage j' changes each time the data in the storage element is changed. In other words, the memory element is forever /I! There is a limit to the number of times pigs can be replaced. When this I)-It OM is used as a count data storage means of an electronic counter, the element that controls the most frequently used ones digit (10° digit) will be the first to exceed the erase limit and reach the end of its life. . In order to prevent this, it is possible to consider a method of storing a spare memory element for the 1's digit.In this method, the memory area will be reduced by that amount, and the function of PIjOM will be reduced by the r1 effect. Is it a problem if I can't make the most of it? No, 1
1. Purpose of the Invention] The present invention provides a P-ROM count data storage method that allows each storage element to be effectively utilized until close to its lifespan by sequentially lowering each storage element between each digit with a different frequency of use. Let that be l-1.

１発明の構成］本発明の電気的消去可能なｌ’−１ｔＯＭのカリントデ
ータ記憶方法は電気的に書き換え可能な、複数桁の記憶
素子を有するＰ−ＲＯＭをカウントデータ記憶手段とし
て用いる場合において、カラン　。1 Configuration of the Invention] The method for storing electrically erasable l'-1tOM culint data of the present invention includes the following steps when an electrically rewritable P-ROM having a multi-digit storage element is used as a count data storage means. Karan.

トデータのうちｍき換え頻度の、高い桁を分担していた
記憶素子の占き換え度数か所定値になったとき、書き換
え頻度の低い桁を分担するように、カウントデータの桁
と記憶素子の桁とを相対的にロテーノコンさせることを
特徴とする。When the retelling frequency of the memory element that shared the digits with high m rewriting frequency among the count data reaches a predetermined value, the digits of the count data and the memory element are divided so that the digits with low rewriting frequency are shared. It is characterized by making the rotenocon relative to the girder.

［実施例コ以下に、この発明の１実施例を図面とともに説明する。[Example code]An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第１図において、１はカウントデータ記憶手段としての
電気的に書き換え可能なＰ−ＲＯＭであり、ｂｏ−ｂｓ
はカウントデータの各桁の記憶素子を示している。In FIG. 1, numeral 1 is an electrically rewritable P-ROM as a count data storage means;
indicates a storage element for each digit of count data.

２はＣＰＵでＰ−ＲＯＭＩへのカウントデータの書込み
を制御するとともに、後述するようなＰＲＯＭの記憶桁
のローテーションを制御する。2 is a CPU that controls writing of count data to the P-ROMI and also controls rotation of storage digits of the PROM as described later.

３はローテーションの回数を計数するカウンタで、この
カウンタら電気的に書き換えＤＪ能なＰ−ＲＯＭを用い
て構成することがてきる。４はメモリ（Ｒ１〜Ｍ）であ
る。3 is a counter that counts the number of rotations, and this counter can be configured using a P-ROM that can be electrically rewritten and DJ-enabled. 4 is memory (R1 to M).

Ｐ−ＲＯＭＩの各素子への７１Ｆ込み・消去がｍ１ｏｎ
＋α回（ｍＳ　ｎは自然数、α＜１０ｎ）で不能となる
場合（例えば１２ｎ回で不能となる場合、ｍ　＝ｌ、ｎ
　＝５．　α＝２００００である。71F programming/erasing to each element of P-ROMI is m1on
If it becomes impossible after +α times (mS n is a natural number, α<10n) (for example, when it becomes impossible after 12n times, m = l, n
=5. α=20000.

）について、以下第２図と第３図を参照して本発明をさ
らに詳細に説明ケろ。), the present invention will be explained in more detail below with reference to FIGS. 2 and 3.

ステップＳｌでは初期化としてＰ−ＲＯＭｌの各桁す。In step Sl, each digit of P-ROMl is initialized.

−ｂ、をすへて０にリセットする。-b, and then reset it to 0.

ステップＳ２でＰ−ＲＯＭｌはＣＩ）　Ｕ　２から印加
される信号によってカウント動作を始め、カウントアツ
プする。In step S2, P-ROMl starts counting operation by the signal applied from CI) U2 and counts up.

なお、この実施例においては、１）−ＲＯＭｌの使用開
始直後は図上右端の素子す、ｌか、カウントデータの１
の位（１０°桁）、以後左へ順にり、、ｂ。In this embodiment, 1)-Immediately after the start of use of ROM1, the rightmost element in the figure, 1, or the count data 1
digit (10° digit), then move to the left in order, , b.

・が１０．ｔｏｏ　　・の位（１０’、ｌｏｇ・・桁）
をそれぞれ記憶するものとケる。・is 10. too digit (10', log digit)
It is said to memorize each.

ステップＳ３ではｌＯｎ桁、この実施例てはす。In step S3, there are 1On digits in this embodiment.

のデータがｍの整数倍になったかとうか（変化しｌ二時
点）をＣＰＵ２が判断する。The CPU 2 determines whether the data has become an integer multiple of m (at two points in time after the change).

例えば、Ｐ−４１ＭＩの各素子への潜込み・消去が１２
ｎ回で限度とされる場合には１２ｎ回−＋　−１０５＋
２０００回なのでｍ＝Ｉに設定しておく、こうしておく
事で、ｌＯ°折目すなわち１桁目がｍｘｌｏｎ回動作し
たかどうかを検知する。For example, the infiltration and erasure of each element of P-41MI is 12
If the limit is n times, 12n times-+ -105+
Since it is 2000 times, m=I is set. By doing this, it is detected whether the lO° fold, that is, the first digit has operated mxlon times.

ここで、１０ｎ桁のデータがｍの整数倍（カウントデー
ターｍＸ１Ｏｎ）であれば、即し素子す。Here, if the 10n-digit data is an integer multiple of m (count data mX1On), it is an element.

か「１」になるとステップＳ４に進み、Ｐ−ＲＯＭ１の
各桁を左へ１桁分だけローテーション１゛る。If it becomes "1", the process advances to step S4, and each digit of P-ROM1 is rotated by one digit to the left.

第３図にローテーションの例を示す。Figure 3 shows an example of rotation.

即ち、Ｐ−ＲＯＭＩの素子ｂ５がＯから１に変ったこと
をＣＰＵ２か検出すると、Ｐ−１？ＯＭ＋の素子す。か
１０’の桁、ｂ、は１０″の指、素子す、はＩＯｏの桁
というように各素子か記憶４”るブタの桁のローテーシ
ョンが行われる。That is, when the CPU 2 detects that element b5 of P-ROMI changes from O to 1, P-1? OM+ element. The digits stored in each element are rotated, such as the 10' digit, the 10' digit, the IO0 digit, and so on.

即ち１０°桁を記憶する素子す。の書さ換えが消去不能
となる回数近くなった事（第２図の例では１２ｎ回の古
き換えて）ｉ命となる素子を使用ずろ場合にはｌＯ万回
で他の素子に代替されろ。）を検知し、使用頻度の少な
い素子ｂ５を使用頻度の多い１０’桁目を記憶さＵる事
にある。In other words, it is an element that stores 10° digits. When the number of rewrites of the memory becomes close to the point where it cannot be erased (12n old rewrites in the example of Figure 2), if the element that becomes the i-dead is no longer used, it will be replaced with another element after 100,000 times. . ) is detected, and the less frequently used element b5 is stored in the frequently used 10' digit.

このとき、限界近くまで使用された１０°Ｈｊ　１１を
記憶していた素子ｂ０は最ら便ＩＩＩ　Ｓｉｉ度の少な
い最上桁（１０ｎ桁）を記憶Ｊ−る様にする。At this time, the element b0, which had stored 10°Hj 11 which has been used close to its limit, is made to store the highest digit (10n digit) with the least number of degrees.

ステップＳ５では、上述のローテーンヨノ１回行なう毎
にカウンタ３が１ずつカウントし、ステップＳ６でＰ−
ＲＯＭＩをクリアーし、ステップＳ５でのカウンタ３の
カウント値にｍＸ１ｏｎ（この実施例てはｌＸｌ０’）
を乗しその結果をステップＳ７にて、いったんメモリ４
へ格納する。In step S5, the counter 3 counts by 1 each time the above-mentioned low-temperature rotation is performed once, and in step S6, the counter 3 counts by 1.
Clear ROMI and set mX1on (lXl0' in this embodiment) to the count value of counter 3 in step S5.
, and the result is temporarily stored in memory 4 in step S7.
Store it in

そしてステップＳ８ではその演算結果（即ち、現在のカ
ウントデータ）をＰ−ＲＯＭＩに（記憶）表示する。そ
の後はステップＳ２に戻り、再びカウントアツプを始め
る。このときは素子す、か１０８桁を分担する。Then, in step S8, the calculation result (that is, the current count data) is (stored) and displayed on the P-ROMI. After that, the process returns to step S2 and starts counting up again. In this case, the elements share 108 digits.

尚、ステップＳ８において、カウントデータ（Ｐ、−Ｒ
ＯＭＩの記憶内容）は、（回目てｍＸ１Ｏｎ、２回目で
は２１＋１ｘｌＯｎ、３回目では３ｍ　Ｘ　Ｉ　Ｏｎと
なる。Incidentally, in step S8, the count data (P, -R
The memory contents of OMI) are (mX1On for the first time, 21+1x1On for the second time, and 3mXIOn for the third time).

この発明では各桁を記憶する素子を、書込み・消去が不
能となる回数のある程１ｊＩＣ以下で使用する’１＋が
前提となっている。The present invention is based on the premise that '1+' is used, in which the element for storing each digit is used at a frequency of 1jIC or less, to the extent that the number of times writing and erasing becomes impossible.

このある程度以下を表すものか、最初に述へたｍ−１０
ｎ＋αのαである。例えば６桁のカウンタて１桁目が１
０５回動作したらローテーションするようにしたとする
。Does this represent a certain level or less?
It is α of n+α. For example, in a 6-digit counter, the first digit is 1.
Suppose that it is configured to rotate after 05 operations.

この時、ローテーションを５回すなわち、各桁を記憶す
る素子を均等に使用した場合、その素子の書込み・消去
回数は１０５＋ＩＯ’　＋Ｉ０３＋１０’　＋ＩＯ１＋
ｌＯ°＝ｌ１１．Ｉ１１回となる。ケなわち、この方法
（１桁目か１０５回動作したらローテーションする方法
）は、Ｐ−ＲＯＭの書込み消去回数が１１１１１１回以
上の物（α＞１ｌｌｌ＝ｌ１１．ｌ１ｌ−１０００００
）でなければならない。At this time, if the rotation is performed five times, that is, if the elements that store each digit are used equally, the number of times the element will be written/erased will be 105 + IO' + I03 + 10' + IO1 +
lO°=l11. I will be 11 times. In other words, this method (rotating after the first digit or 105 operations) is suitable for P-ROMs whose number of writes and erases is 111,111 or more times (α>1llll=l11.l1l-100000).
)Must.

この様に、α値の設定には制約かある。In this way, there are some restrictions on the setting of the α value.

ｒ’−ＲＯＭへの書込み・消去限度をＸ回と４−ろとＸ
は、次式（１）で表イっす事ができる。r'-ROM writing/erasing limit is set to X times and 4-RotoX
can be expressed using the following equation (1).

Ｘ−ｍ１Ｏ°　＋−α（ｍ、ｎは自然数、α＜１０”＋
ここで、１０１桁のデータかｍにな一１／□−らで１桁
をローテーションするソフトウェアに於いて、　ｎ回ロ
ーテーノヨノした結果各素子への占込み・消去は、次式
（２）で表わされる回数分行われｒコ′ドになる。X-m1O° +-α (m, n are natural numbers, α<10"+
Here, in the software that rotates 1 digit of 101-digit data by m, 1/□-, etc., the filling and erasing of each element as a result of rotation n times is expressed by the following equation (2). This is repeated the number of times that the command is executed, resulting in the r code.

書込み消去回１ｆ（Ｎ＝ｍｘ（１０ｎ＋　＋　ｏｎ−’
＋１０’　−＋−−＝＋　ｌ　Ｏｏ）回、、、、−（２
）各桁をローテーション４゛る１ｉｉｉに素子かグ・°
ツノしてしまわない為には、Ｐ　−Ｉｔ　Ｏ）ｖｌへの
潜込み・消去限度回数Ｘは、実際の書込み・消去回数Ｎ
より大きくなければならない。Write/erase times 1f (N=mx(10n+ + on-'
+10' −+−−=+ l Oo) times, ,, −(2
) Each digit is rotated 4 times.
In order to avoid problems, the maximum number of times X of infiltrating and erasing P-It O)vl should be set to the actual number of times N of writing and erasing.
Must be bigger.

’、　　Ｘ−Ｎ＞０　　・・　（３）（１）、（２）、（３）式よりα＞ｍ（１０°−’＋　ｌ　Ｏｏ１＋・＋１０°）（４
）αの値は上式（４）を満たす必要があり、上式を満足
できないときはｍのｌ＋’ｆを変えればよい。',
) The value of α must satisfy the above formula (4), and if the above formula cannot be satisfied, l+'f of m may be changed.

上記の方法によれは凸Ａ；ｒの使用頻度の均一化を計る
ことができる。By the above method, it is possible to equalize the frequency of use of convex A;r.

１発明の効果］本発明によれば、Ｐ−ＲＯＭの素子への書込み限度回数
を設定する事でカウントデータの各桁を記憶４−る各素
子について、ある素子が書込み限度に達すると、ローテ
ーションをして、過去において書き換え頻度の低かった
素子には、訂き換え類１隻の高い桁を分担さＵ、逆に過
去において書き換え頻度の高かった素子には、書き換え
頻度の低い（行を分担させるごとにより、上記の【ｌ−
テーノヨノを桁数分たけ行なってカウントデータを記憶
することかできるので、Ｐ−ＲＯＭの６素ｒを均一に動
作させてより多くの数をカウントずろ事がて、さ、非−
；：（に効率的てめろ。1. Effects of the Invention] According to the present invention, when a certain element reaches the write limit for each element that stores each digit of count data by setting the write limit number of times to the P-ROM element, rotation is performed. Then, an element that has been rewritten less frequently in the past will be assigned a higher digit of the rewriting class, and conversely, an element that has been rewritten more frequently in the past will be assigned a lower number of rewritten rows (U). The above [l-
Since it is possible to memorize the count data by performing tenoyono for the number of digits, it is possible to uniformly operate the six elements of P-ROM and count more numbers.
;:(Be efficient.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の１実施例を示すブロック図、第２図は
第１図の実施例の動作を７５すフローチャト図、第３図
は第２図における動作を示す図で・Ｊうる。１＝Ｐ−ＲＯＭ、　　２・ＣＰＵ。３　ローテーションカウンタ、４　メモリ。第１図第２図スダート第３図FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart showing the operation of the embodiment of FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing the operation of FIG. 2. 1=P-ROM, 2・CPU. 3 rotation counter, 4 memory. Figure 1 Figure 2 Sudato Figure 3

Claims (1)

Translated fromJapanese

【特許請求の範囲】[Claims]　電気的に書き換え可能な複数桁の記憶素子を有するＰ
−ＲＯＭをカウントデータ記憶手段として用いる場合に
おいて、カウントデータのうち書き換え頻度の高い桁を
分担していた記憶素子の書き換え度数が所定値になった
とき、書き換え頻度の低い桁を分担するように、カウン
トデータの桁と記憶素子の桁とを相対的にローテーショ
ンさせることを特徴とする電気的消去可能なＰ−ＲＯＭ
のカウントデータ記憶方法。P having an electrically rewritable multi-digit storage element
- When a ROM is used as a count data storage means, when the rewriting frequency of the memory element that was sharing the digits with high rewriting frequency among the count data reaches a predetermined value, the ROM is configured to share the digits with low rewriting frequency; An electrically erasable P-ROM characterized by relatively rotating count data digits and storage element digits.
Count data storage method.