【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明はシリコンを含有する堆積膜、とりわけ機能性膜
、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画
像入力用のラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素
子などｌこ用いるアモルファス状あるいは多結晶状等の
非単結晶状のシリコン含有堆積膜を形成するのに好適な
方法に関する。Detailed Description of the Invention [Field of Application of the Invention] The present invention is directed to silicon-containing deposited films, particularly functional films, particularly semiconductor devices, photosensitive devices for electrophotography, line sensors for image input, imaging devices, The present invention relates to a method suitable for forming an amorphous, polycrystalline, or other non-monocrystalline silicon-containing deposited film for use in photovoltaic devices and the like.
例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸涜
法、プラズマＯＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
ら几でおり、一般的正こは、プ２ズマＯＶＤ法が広く用
いらち、企業化されている。For example, attempts have been made to form an amorphous silicon film using the vacuum ablation method, plasma OVD method, CVD method, reactive sputtering method, ion blating method, photo-CVD method, etc. The 2Zuma OVD method is widely used and commercialized.
丙午らアモルファスシリコンで構成される堆積膜はｌＩ
ｃ気的１光字的時性及び、繰返し使用での疲労特性ある
いは匣用環境荷性、更ｉこは均一性、再現性を富めた生
産性、瀘産性の点において、更に総合的な特性の向上を
図る余地がある。The deposited film composed of amorphous silicon is lI
It is more comprehensive in terms of weatherability, fatigue characteristics during repeated use, environmental loadability for boxes, uniformity, highly reproducible productivity, and productivity. There is room for improvement in these characteristics.
従来から一般化さｎているプラズマＯＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来の０ＶＩ）法に比較してかなり複雑であり、その
反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜
の形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入
ガスの流量と比、形成時の圧力、高周波成力、４極碑造
、反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方法など）
これら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプ
ラズマが不安定な状ｆｌ１４１こなり、形成された堆積
膜に著しい悪影響を与えることが少なくなかった。The reaction process in forming an amorphous silicon deposited film using the conventionally popular plasma OVD method is considerably more complicated than that of the conventional OVD method, and there are many unknowns about the reaction mechanism. Ta. In addition, there are many formation parameters for the deposited film (for example, substrate temperature, flow rate and ratio of introduced gas, pressure during formation, high-frequency formation force, quadrupole structure, structure of reaction vessel, pumping speed, plasma generation method, etc.) )
Due to the combination of these many parameters, the plasma sometimes becomes unstable fl141, which often has a significant adverse effect on the deposited film formed.
そのうえ、装置ｔ特有のパラメータを装置ごとに選定し
なければならず、したがって製造条沖を一般化すること
がむず力）しいのが実状であった。一方、アモルファス
シリコン；漠として電気的、光学的、光導峨的乃至は機
械的特性の夫々を十分に満足させ得るものを発現させる
ためζこは、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成す
ることが最良とされている。Moreover, parameters unique to the device t must be selected for each device, making it difficult to generalize the manufacturing process. On the other hand, in order to develop amorphous silicon that sufficiently satisfies each of the electrical, optical, optical conductivity, and mechanical properties, it is currently best to form it by plasma CVD. has been done.
丙午ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも萬速成
膜ｆこよって再現性のあるｔ座化を図ねばならないため
、プラズマ（、ＩＤ法ｌこよるアモルファスシリコン堆
積膜の形成（こおいては、量産装置に多大な設備投資が
必要となり、またその量産の為の管理項目も複雑ｌこな
って、′ｕ埋許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であ
ることから、これらのことが、今後改善すべき問題点と
して指摘さ几ている。他方、通常のＣＶＤ法による従来
の技術では、高を品を必要とし、実用可能な・特性を有
する堆積膜が得られていなかった。According to Heigo et al., depending on the application of the deposited film, it is necessary to fully satisfy the requirements of large area, uniform film thickness, and uniform film quality, and also to achieve rapid film formation with reproducibility. Formation of amorphous silicon deposited film using plasma (ID method) requires a large amount of capital investment in mass production equipment, and the management items for mass production are complicated, resulting in limited As the width has become narrower and the adjustment of the equipment has become more delicate, these have been pointed out as problems that need to be improved in the future.On the other hand, conventional technology using the normal CVD method requires high quality and high quality. However, a deposited film with practical properties has not been obtained.
上述のμ口く、アモルファスシリコン漠の形成に於て、
その実用可能な特注、均一性を維持させながら、低コス
トなｇｃ置で産屋化できる形成方法を開発することが切
瀘されでいる。これ等のことは、他の機能性撲、例えば
窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜（こ
於ても同様なことがいえる。In the formation of the amorphous silicon desert mentioned above,
It remains to be seen how to develop a manufacturing method that can be manufactured using a low-cost GC machine while maintaining its practical customization and uniformity. The same can be said for other functional films, such as silicon nitride films, silicon carbide films, and silicon oxide films.
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共ｌこ、従来の形成方法ｉこよらない新規な堆積膜形
成法を提供するものである。The present invention eliminates the drawbacks of the plasma CVD method described above, and also provides a novel deposited film forming method that is superior to conventional forming methods.
本発明の目的は、形成される膜の緒特性、成膜速度、再
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の同上及び通産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。The purpose of the present invention is to improve the characteristics, film formation speed, and reproducibility of the film formed, and to make the film uniform in quality, while also being suitable for large-area films, improving film productivity, and increasing industrialization. The object of the present invention is to provide a deposited film forming method that can be easily achieved.
上記目的は、基体上（こ堆積膜を形成する為の成膜空間
内ｌこ、炭素とハロゲンを含む化合物を分解することに
より生成される活性種（Ａ）と、該活性＆ （Ａ）と化
学的相互作用をする成膜用のケイ素含有化合物より生成
される活性ｄ （Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに
放電エネルギーを作用させて化学反応させる事によって
、前記基体上に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明
の堆積膜形成法によって達成される。The above purpose is to remove active species (A) generated by decomposing compounds containing carbon and halogen on the substrate (inside the film formation space for forming the deposited film), and The active d (B) produced from the silicon-containing compound for film formation that chemically interacts with each other is introduced separately, and discharge energy is applied to them to cause a chemical reaction, thereby depositing a film on the substrate. This is achieved by the deposited film forming method of the present invention, which is characterized by forming.
本発明方法では、炭素とハロゲンを含む化合物を分解す
ることにより生成される活性種（Ａ）と成膜用のケイ素
含有化合切より生成される活性種（Ｂ）との共存ドに於
いて、これ等に放電エネルギーを作用させることにより
、これ等による化学的相互作用を生起させ、或いは促進
、増幅させるため、従来と比べで低い孜４エネルギーに
よっで成膜が９八Ｃとなり、形成される堆積膜は、エツ
チング作用、或いはその也の列えば異常放置作用などに
よる悪影響を受けるこおは実質的に殆んどない。In the method of the present invention, in the coexistence of the active species (A) produced by decomposing a compound containing carbon and halogen and the active species (B) produced by cutting a silicon-containing compound for film formation, By applying discharge energy to these elements, chemical interactions are caused, promoted, and amplified by these elements, so that the film is formed at 98C with a lower energy than before, and is formed. The deposited film is substantially less likely to be adversely affected by etching effects or other abnormal neglect effects.
又、本発明；こよ几ば、成膜仝間のｌ吐気温匠、基体温
度を所望に従って任意に制御することにより、より安定
したＣ’ＪＤ法とすることができる。Further, according to the present invention, a more stable C'JD method can be achieved by arbitrarily controlling the discharge air temperature during film formation and the substrate temperature as desired.
また、所望により、放電エネルギーに加えて、光エネル
ギー及び／又は熱エネルギーを併用することができる。Furthermore, if desired, in addition to discharge energy, light energy and/or thermal energy can be used in combination.
光エネルギーは、適宜の光学系を用いて基体の全体に照
射することができるし、あるいは所望部分のみに選択的
制御的に照射Ｔることもできるため、基体ｌこおける堆
積膜の形成位置及び膜厚等を（制御し易くすることがで
きる。また、熱エネルギーとしては、光エネルギーから
転換された熱エネルギーを１吏、巾することもできる。The light energy can be applied to the entire substrate using an appropriate optical system, or it can be applied selectively to a desired portion, so that the position and location of the deposited film on the substrate can be controlled. It is possible to easily control the film thickness, etc. Also, as the thermal energy, it is also possible to use 1 liter of thermal energy converted from light energy.
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化９間とい
う）に於い−Ｃ活性化された活性種を使うことである。One of the differences between the method of the present invention and the conventional CVD method is that -C-activated active species are used in advance in a space different from the film-forming space (hereinafter referred to as the activation 9 space). .
このことｊこより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛り
４的に伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体
温度も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の
安定した堆積膜を工業的に大通に、しかも低コストで提
供できる。As a result, the film formation rate can be increased by four times compared to the conventional CVD method, and the substrate temperature during deposition film formation can also be further lowered, resulting in improved film quality. Stable deposited films can be provided industrially and at low cost.
尚、本発明での゛前記活性種（Ａ）とは、前記成Ｉ戻用
のケイ素含有化合物より生成される活性種（Ｂ）と化学
的相互作用を起して例えばエネルギーを付与したり、化
学反応を起したりして、堆積膜の形成を促す作用を有す
るものを云う。従って、活性種としては、形成される堆
積膜を構成する構成要素に成る構成要素を含んでいても
良く、あるいはその様な構成要素を含んでいなくともよ
い。In addition, in the present invention, ``the active species (A) chemically interacts with the active species (B) generated from the silicon-containing compound for returning to Form I, for example, to impart energy, A substance that has the effect of promoting the formation of a deposited film by causing a chemical reaction. Therefore, the active species may contain constituent elements constituting the deposited film to be formed, or may not contain such constituent elements.
本発明では、成ａ仝間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの活性種（八）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成される堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用のケイ素含有化合物は活性化空間（Ｂ）
ｌこ於いて活性化エネルギーを作用されて活性化され
て活性種（Ｂ）を生成し、該活性ａ （Ｂ）が成膜空間
に導入され、堆積膜を形成すｂ際、同時に活性化空間（
Ａ）から導入される活性種（Ａ）と放電エネルギーの作
用ｌこより化学的ζこ相互作用する。、その結果、所望
の基体上に所望の堆積膜が容易に形成される。ケイ素含
有化合物より生成される活性ｆｆ１（ｄ）は、活性種（
Ａ）の場合と同様その構成要素が成膜空間で形成される
堆積膜を構成する成分を構成するものとなる。In the present invention, the active species (8) from the activation space (A) introduced between the formation chambers has a lifetime of 0.1 seconds or more, more preferably from the viewpoint of productivity and ease of handling. 1 second or more, optimally 10 seconds or more, is selected and used as desired, and the constituent elements of this active species (A) constitute the components constituting the deposited film formed in the film forming space. Become. In addition, the silicon-containing compound for film formation is activated in the activation space (B).
Activation energy is applied to the activated species (B) to generate active species (B), and when the activated species (B) are introduced into the film forming space and form a deposited film, the activated species (B) are simultaneously activated in the activated space. (
The activated species (A) introduced from A) interact chemically with the action of discharge energy. As a result, a desired deposited film can be easily formed on a desired substrate. Active ff1(d) produced from silicon-containing compounds is an active species (
As in the case of A), the constituent elements constitute the components constituting the deposited film formed in the film forming space.
本発明で使用する堆積膜形成用のケイ素含有化合物は、
活性化空間（Ｂ）に導入される以前に既に気体状態とな
っているか、あるいは気体状態とされて導入されること
が好ましい。例えば液状の化合物を用いる場合、化合物
供給源に適宜の気化装置を接続して化合物を気化してか
ら活性化空間（Ｂ）に導入することができるっケイ素含
有化合物としては、ケイ素に水素、ハロゲンなどが結合
したシラン類及びハロゲン化シラン類等を用いることが
できる。とりわけ鎖状及び環状のシラン化合物、この鎖
状及び環状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部を
ハロゲン原子で置換した化合物などが好適である。The silicon-containing compound for forming a deposited film used in the present invention is
It is preferable that the substance is already in a gaseous state before being introduced into the activation space (B), or that it is introduced in a gaseous state. For example, when using a liquid compound, the compound can be vaporized by connecting an appropriate vaporizer to the compound supply source and then introduced into the activation space (B). Silanes, halogenated silanes, etc. bonded with the like can be used. Particularly suitable are chain and cyclic silane compounds, and compounds in which some or all of the hydrogen atoms of the chain and cyclic silane compounds are replaced with halogen atoms.
具体的には、飼えば、Ｓ １）１４ 、 Ｓ ｔ ２Ｈ
６。Specifically, if kept, S 1) 14, S t 2H
6.
５ｉｓＨｓ ＝ ５ｉａｓｓ。＊ Ｓ １ ｓＨｔ ＊
Ｉ Ｓ １６Ｈ１４等の”ｐＨ２ｐ＋２ （ｐは１以
上好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０の整数
である。）で示される直鎖状シラン化合物、５ｉＨ３８
ｉＨ（ＳｉＨ，）ＳｉＨ，，５ｉＨ１ＳｉＨ（ＳｉＨ３
）Ｓｉ３Ｈ７，５ｉ１Ｈ１ＳｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ２Ｈ
＠ 等のＳ’Ｉ）Ｈ２１）＋２（ｐは前述の意味を有
する。）で示される分岐を有する鎖状シラン化合物、こ
れら直鎖状又は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素
原子の一部又は全部をへログ／原子で＃夷した化合物％
ＳｉｇＨ＠ ｙ Ｓｉ４Ｈｇ Ｈ８１ｓＨ１ｏ ｒＳ
ｉｓＨｘｉ等のＳ ｒ ｑ Ｈ２ｑ （ｑは３以上、好
ましくは３〜６の整数である。）で示される環状シラン
化合物、該環状シラン化合物の水素原子の一部又は全部
を他の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル基で置換
した化合物、上記例示したシラン化合物の水１ｇ原子の
一部又は全部をハロゲン原子でｌ！換した化合物の例七
して、５ｉＩ（３Ｆ’。5isHs = 5iass. * S 1 sHt *
Linear silane compounds having a pH of 2p+2 (p is an integer of 1 or more, preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10) such as IS 16H14, 5iH38
iH(SiH,)SiH,,5iH1SiH(SiH3
)Si3H7,5i1H1SiH(SiH3)Si2H
S'I)H21)+2 (p has the above-mentioned meaning) such as Or the total number of compounds in log/atoms %
SigH@y Si4Hg H81sH1orS
A cyclic silane compound represented by S r q H2q (q is an integer of 3 or more, preferably 3 to 6) such as isHxi, a part or all of the hydrogen atoms of the cyclic silane compound are replaced by other cyclic silanyl groups and / or a compound substituted with a chain silanyl group, a portion or all of 1 g of water atoms in the silane compounds exemplified above are replaced with halogen atoms! Example 7 of converted compounds: 5iI (3F').
５ｉＨｓＣ１，８ｉＨｓＢｒ 、５ｉＨ１１等（７）
Ｓ ｔ ｒｌ（５Ｘｔ（Ｘはハロゲン原子、ｒは１以上
、好ましくは１〜１０、より好ましくは３〜７の整数＋
ｓ ＋ ｔ ＝２ｒ＋２又は２「である。）で示され
る・・ロゲン置換鎖状又は環状シラン化合物などである
。これらの化合物は、ｌ槓を使用しても２ｉＩ以上を併
用してもよい。5iHsC1, 8iHsBr, 5iH11, etc. (7)
S t rl (5Xt (X is a halogen atom, r is an integer of 1 or more, preferably 1 to 10, more preferably 3 to 7 +
s + t = 2r + 2 or 2'').These compounds include a rogen-substituted linear or cyclic silane compound.These compounds may be used in combination with 1 or 2iI or more.
本発明において、活性化空間（Ａ）に導入される員索と
ハロゲンを含む化合物としＣは、炭素原子を主構成−１
！素とし、活性化されることｉこよりでＯＸ１辛（）Ｘ
はハロゲン）を発生し得る位置にＸが化学結合している
化片物、例えば鎖状又は環状炭化水素の水系原子の一部
乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、
具体的には、す１えば、０ｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の
ｊ敗、ＹはＦｏｌ、Ｂｒ及び■より選択される少なくと
も一種の元素である。）で示される鎖状ハロゲン化炭素
、Ｏｖ Ｙ ２ ｖ （ｖは３以上の！４数、Ｙは前述
の意味を有する。）で示される環状ハロゲン化炭素、０
ｕｉ（ｘＹ、（ｕ及びＹは前述の意味を有する。In the present invention, C is a compound containing a halogen and a member introduced into the activation space (A), and C is mainly composed of carbon atoms -1
! To be basic and activated, OX1 Spicy ()X
A chemical compound in which X is chemically bonded at a position capable of generating (halogen), such as a compound in which part or all of the aqueous atoms of a chain or cyclic hydrocarbon are replaced with a halogen atom, is used,
Specifically, for example, a chain halide carbon represented by 0uY2u+2 (u is 1 or more, Y is at least one element selected from Fol, Br, and ■), Ov Y 2 Cyclic halogenated carbon represented by v (v is a !4 number of 3 or more, Y has the above meaning), 0
ui(xY, (u and Y have the above meanings.
ｘ −） ｙ ＃ ２ ＋１又は２：ｕ−２である。）
で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられる。x −) y # 2 +1 or 2:u−2. )
Examples include chain or cyclic compounds shown in the following.
具体的には例えばＯＦｍ 、（（ＪＦ＊）ｓ 、（ＯＦ
ｍ）＊（ＯＦｚ）４ ．０ｚＦｓ 、０ｚＦｓ 、
０ＨＦｓ 、ＯＨ＊Ｆｚ。Specifically, for example, OFm, ((JF*)s, (OF
m)*(OFz)4. 0zFs, 0zFs,
0HFs, OH*Fz.
００１４（ＯＯ１＊）ｓ ｔ ０Ｂｒ４ 、（Ｏ
Ｂｒｓ）ｓ ｔＯｚＯｌｍ −０２０１ｓＦｓ な
どのガス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げられ
る。0014(OO1*)s t 0Br4 , (O
Examples include those in a gaseous state or those that can be easily gasified, such as Brs)s tOzOlm -0201sFs.
また、本発明においては、前記炭素とハロゲンを含む化
合物を分解することにより生成される活性ｍ （Ａ）に
加えてケイ素とノ・ロゲ／を含む化合物を分解すること
により生成される活性種（ＳＸ）を併用することができ
る。このケイ素とハロゲンを含む化合物としては、例え
ば鎖状又は環状シラン化合物の水素原子の一部乃至全部
をハロゲン原子で置換した化ｆＩ！−物が用いられ、具
体的には、例えば、５ｉｘＺｚｖ＋２（ｖは１以上の整
数、ＺはＦ、ＣＩ、Ｂｒ又はＩである。）で示される鎖
状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉｙ Ｚ ２ ｙ （ｖは３
以上の整数、Ｚは前述の意味を有する。）で示される環
状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉ ｖ Ｈｘ Ｚ ｙ （ｖ
及びＹは前述の意味を有する。ｘ ＋ ｙ −２ｖ又は
２Ｖ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物など
が挙げられる。In addition, in the present invention, in addition to the active species (A) produced by decomposing the compound containing carbon and halogen, the active species (A) produced by decomposing the compound containing silicon and SX) can be used in combination. Examples of the compound containing silicon and halogen include fI!, in which some or all of the hydrogen atoms of a chain or cyclic silane compound are replaced with halogen atoms. Specifically, for example, a chain silicon halide represented by 5ixZzv+2 (v is an integer of 1 or more, Z is F, CI, Br, or I), S iy Z 2 y ( v is 3
The above integer, Z, has the above-mentioned meaning. ) Cyclic silicon halide, S i v Hx Z y (v
and Y have the meanings given above. x + y -2v or 2V+2. ), and the like.
具体的には例えばＳ ｉ Ｆ ａ・（８ｉＦ、）、・（
ＳｉＦ’＊）ｓ 、（ＳｉＦｔ）４ｔ ＳｉｇＦｓ 、
５ｉｘＪ！’ｓ＋ＳｉＨＦ３ 、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＯ
１４（８ｉ０１２）６ 。Specifically, for example, S i F a・(8iF,),・(
SiF'*)s, (SiFt)4tSigFs,
5ixJ! 's+SiHF3, SiH2F2.5iO
14(8i012)6.
５ｉＢｒａ ＋ （ＳｔＢｒ２）３ 、ｓｔ、ｃｔｓ
Ｈ８ｉ＊０１ａＦｓ などのガス状態の又は容易ｌこ
ガス化し得るものが挙げられる。5iBra + (StBr2)3, st, cts
Examples include those that are in a gaseous state or can be easily gasified, such as H8i*01aFs.
活性ａｉ （Ａ）を生成させるためには、前記炭素とハ
ロゲンを含む化合物（及びケイ素と）・ロゲンを含む化
合物）に加えで、必要に応じてケイ素単体等他のケイ素
化合物、水素、ノ・ロゲン化合物（例えばＦ２ガス、Ｏ
１２ガス、ガス化したＢｒ２゜■２等）などを併用する
ことができる。In order to generate active ai (A), in addition to the above-mentioned compounds containing carbon and halogen (and silicon), other silicon compounds such as simple silicon, hydrogen, etc. chloride compounds (e.g. F2 gas, O
12 gas, gasified Br2゜2, etc.) can be used in combination.
本発明において、活性化空間（Ａ）及び（Ｂ）で活性種
（Ａ）及び（Ｂ）を生成させる方法としては、各々の条
件、装置を考慮してマイクロ波、）ＩＦ、低周波、ＤＣ
等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等による
熱エネルギー、レーザ光等の光エネルギーなどの励起エ
ネルギーが使用される。In the present invention, methods for generating activated species (A) and (B) in activation spaces (A) and (B) include microwave, ) IF, low frequency, DC
Excitation energy such as electrical energy such as, thermal energy such as heater heating, infrared heating, and optical energy such as laser light is used.
本発明に於いては、上述した化合物に、活性化空間（Ａ
）で上記の熱、光、電気などの励起エネルギーを加える
ことにより、活性種（Ａ）が生成される。In the present invention, the above-mentioned compound has an activation space (A
), the activated species (A) are generated by applying the above-mentioned excitation energy such as heat, light, electricity, etc.
本発明５こおいて、成嘆空間に導入される前記活性種（
Ｂ）と前記活性ｍ （Ａ）との盪の割合は、成膜条沖、
活性種の種類などで適宜所望ｌこ従って決めらｎるが、
好ましくは１０：１〜１：１０（導入流量比）が適当で
あり、より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ま
しい。In the present invention 5, the active species (
The ratio between B) and the activity m(A) is as follows:
The desired amount can be determined depending on the type of active species, etc., but
Preferably, 10:1 to 1:10 (introduction flow rate ratio) is appropriate, and more preferably 8:2 to 4:6.
本発明において、ケイ素含有化合物の他に、成膜用の化
学＃＊として水素ガス及び／又はハロゲン化合物（例え
ばＦ２ガス、ａｔ、ガス、ガス化したＢｒｘＩｚ等）、
ヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガスなどを活性
化空間（Ｂ）１こ導入して用いることもできる。これら
の成膜用の化学物質の複数を用いる場合には、予め混合
して活性化条件下（Ｂ）にガス状態で導入することもで
きるし、あるいはこれらの成膜用の化学′吻貞を夫々独
立した供給源から各個別に供給し、活性化空間（Ｂ）
Ｊこ 。In the present invention, in addition to silicon-containing compounds, hydrogen gas and/or halogen compounds (e.g. F2 gas, at, gas, gasified BrxIz, etc.) are used as film-forming chemicals #*.
An inert gas such as helium, argon, neon, etc. can also be introduced into the activation space (B). When using multiple of these film-forming chemicals, they can be mixed in advance and introduced in a gaseous state under activation conditions (B), or these film-forming chemicals can be mixed in advance. Each is supplied individually from an independent supply source, and the activation space (B)
J-ko.
導入することもできるし、又夫々独立の活性化空間に導
入して、夫々個別に活性化することも出来る。Alternatively, they can be introduced into independent activation spaces and activated individually.
また本発明の方法により形成される堆積膜は成膜中又は
成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能である
。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、周
期律表第■族Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ 、Ｇａ、Ｉｎ
、ＴＩ等が好適なものとしで挙げられ、ｎ型不純物とし
では、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ 、 Ａ ｓ
、 Ｓ ｂ 、 Ｈｉ等が好適なものとして挙げられ
るが、特にＨ，Ｇａ。Further, the deposited film formed by the method of the present invention can be doped with an impurity element during or after film formation. As the impurity element to be used, as a p-type impurity, an element of group Ⅰ A of the periodic table, such as B, AI, Ga, In
, TI, etc. are mentioned as suitable ones, and examples of n-type impurities include elements of group V A of the periodic table, such as P , A s
, S b , Hi, etc. are mentioned as suitable examples, especially H and Ga.
Ｐ、Ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純物の址
は、所望される電気的・光字的特注に応じて適宜決定さ
れるＪかかる不純物元素を成分としで言む物質（不純物導入用
物＊）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化装
置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい。P, Sb, etc. are optimal. The location of the impurity to be doped is determined as appropriate depending on the desired electrical and optical special orders. Preference is given to selecting compounds that are in the gaseous state, or at least are gaseous under the activation conditions and can be easily vaporized in a suitable vaporization device.
この様な化合物としでハ、Ｐ Ｈ２、Ｐ ＊ Ｈ４、Ｐ
Ｆ ｓ 、 Ｐ Ｆ ｓ −Ｐ ｃｌ ｓ 。Such compounds are Hideha, P H2, P * H4, P
F s , PF s −P cl s .
Ａ Ｓ Ｈ３ｔ Ａ Ｓ Ｆ ｚ ｐ Ａ Ｓ Ｆ ｓ
ｅ Ａ Ｓ ＯＩ ３ ｔ ｂ ｂ Ｈｓ ＨＳｂＦ
６，５ｉＨ１，ＢＦＳ、ＢＯＩＢ、ＢＢｒ＊＋Ｂ！Ｈ６
＊Ｂ４ＨＩ ｏ ｔＢｓＨｓ 、Ｂｓｆ（ｔ ｔ 、Ｂ
ｓｆ（ｔ ｏ 、ＢｍＨ＊ ｚ をへ１０１．等を挙げ
ることができる。不純物元素を含む化合物は、１種用い
ても２種以上併用してもよい。A S H3t A S F z p A S F s
e A SOI 3 t b b Hs HSbF
6,5iH1,BFS,BOIB,BBr*+B! H6
*B4HI o tBsHs , Bsf(t t , B
Examples include sf(t o , BmH* z ), etc. Compounds containing impurity elements may be used alone or in combination of two or more.
不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及Ｕ ＋
％ 性化２ ｒｊｌＪ ＣＢ） ｌｃ、活性ａｉ（Ａ）
及び活性ｆｉ （Ｂ）の夫々を生成する各物質と共に導
入されて活性化しでも良いし、或いは、活性化空間（Ａ
）及び活性化空間（Ｂ）とは別の第３の活性化空間（０
）に於いて活性化さ几ても良い。不純物導入用物質を活
性化するには、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）を生成す
るに列配された前述の活性化エネルギーを適宜選択して
採用することが出来る。不純物導入用物質を活性化して
生成される活性種（）’Ｎ） は活性攬（Ａ）又は／
及び活性種（Ｂ）と予め混会されて、又は独立に成膜空
間ｌこ導入される。The impurity introducing substance is used in the activation space (A) or/and U +
% sexualization 2 rjlJ CB) lc, active ai (A)
and active fi (B) may be introduced and activated together with each substance that produces each, or the activation space (A
) and a third activation space (0
) may be activated. In order to activate the impurity-introducing substance, the above-mentioned activation energies arranged to generate active species (A) and active species (B) can be appropriately selected and employed. The active species ()'N) generated by activating the impurity introducing substance is the active species (A) or /
and the active species (B), or may be introduced into the film forming space independently.
次に、本発明方法によって形成される電子写真用象形成
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。Next, the present invention will be described with reference to typical examples of electrophotographic image forming members formed by the method of the present invention.
第１図は、本発明によって得られる典盤的な電子写真用
象形成部材、光４区部材の構成例をｒｉ！１．明するた
めの模式図である。FIG. 1 shows an example of the structure of a typical electrophotographic image forming member and a four-light zone member obtained by the present invention. 1. FIG.
第１図示す光導電部材１０は、電子写真用象形成部材と
して適用させ得るものであって、光導電部材用としての
支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１２
、及び感光層１３で構成される層傳成を有している。The photoconductive member 10 shown in FIG. 1 can be applied as an image forming member for electrophotography, and has an intermediate layer 12 provided on a support 11 as the photoconductive member, if necessary.
, and a photosensitive layer 13.
光導電部材１０の製造に当っては、中間層１２又は／及
び感光層１３を本発明の方法によって作成することが出
来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化学
的、物質的ｌζ保護する為ｌこ設けられる保護層、或い
は電気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁
層又は／及び上部障壁層を有する場合Ｉこは、これ等を
本発明の方法で作成することも出来る。In manufacturing the photoconductive member 10, the intermediate layer 12 and/or the photosensitive layer 13 can be created by the method of the present invention. Furthermore, the photoconductive member 10 is provided with a protective layer for chemically and materially protecting the surface of the photosensitive layer 13, or a lower barrier layer and/or an upper barrier layer provided for the purpose of improving electrical withstand pressure. In this case, these can also be created by the method of the present invention.
支持体１１としては、導＃Ｅ性でも電気絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、Ｎ ｉ Ｏｒ
、 ｘテンＬ／ス、 ＡＩ 、 Ｏｒ 、Ｍｏ 。The support 11 may be conductive or electrically insulating. As the conductive support, for example, N i Or
, x Ten L/S, AI, Or, Mo.
Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金
属又はこれ等の合金が挙げられる。Examples include metals such as Au, Ir, Nb, Ta, v, Ti, Pt, and Pd, and alloys thereof.
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリグ
ロビレ／、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が油浴使用される。Ｊこ
れらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
万の漱面が＃電処理され、該導電処理された表面側に他
のノーが設けられるのが逼ましい。As electrically insulating supports, films or sheets of synthetic resins such as polyester, polyethylene, polycarbonate, cellulose acetate, polyglobile, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, glass, ceramic, paper, etc. can be used in an oil bath. be done. J These electrically insulating supports are preferably electrically treated on at least 10,000 side surfaces, and another layer is preferably provided on the electrically conductive surface side.
例えばガラスであれば、その表面がＮ１ｃｒ 。For example, if it is glass, its surface is N1cr.
Ａ Ｉ 、 Ｏｒ 、 八ｔｏ、Ａｕ、Ｉ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ。A I, Or, 8to, Au, I
r, Nb, Ta.
Ｖ、’Ｉ’ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ１ｚＯｉ、ＳｎＯ，。V, 'I'i, Pt, Pd, Ir1zOi, SnO,.
ＩＴＯ（ＩｎｚＯｓ＋ＳｎＯｇ）Ｊの薄膜を設けること
によっで導電処理され、あるいはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ ｔ Ｏｒ Ｉ Ａ
ｌ ＠ Ａ ｇ ＨＰ ｂ ｙ Ｚ ｎ ＨＮ ｔ
ｔ Ａ ｕ ｅＯｒ 、Ｍｏ 、 Ｉ ｒ 、Ｎｂ 、
Ｔａ 、 Ｖ、Ｔｉ 、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属
で２ミネート処理して、その表面が導電処理される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意
の形状とし得、所望によって、その形状が決定されるが
、例えば、第１図の光４域部材１０を電子写真用像形成
部材としで使用するのであれば、連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。If it is conductive treated by providing a thin film of ITO (InzOs+SnOg), or if it is a synthetic resin film such as polyester film, N t Or I A
l @ A g HP b y Z n HN t
tAueOr, Mo, Ir, Nb,
The surface is treated with a metal such as Ta, V, Ti, Pt, etc. by vacuum evaporation, electron beam evaporation, sputtering, etc., or by laminate treatment with the above metal to make the surface conductive. The shape of the support may be any shape such as a cylinder, a belt, or a plate, and the shape is determined depending on the need. If used as a forming member, it is desirable to have an endless belt shape or a cylindrical shape in the case of continuous high-speed copying.
中間層１２には例えば、支持体１１の側から感光Ｎ１３
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に向っ
て移動するフォ）−？ヤリアの感光層１３の側から支持
体１１の側への通過を容易に許す機能を有する。For example, photosensitive N13 is applied to the intermediate layer 12 from the support 11 side.
4) which effectively prevents the inflow of carriers into the photosensitive layer 13 and which is generated in the photosensitive layer 13 by irradiation with electromagnetic waves and moves toward the support 11 side. It has a function of easily allowing the film to pass from the photosensitive layer 13 side to the support body 11 side.
この中間層１２は、本発明の方法で作成するのであれば
、シリコン原子と炭素原子と、必要に応じて水素原子Ｃ
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を含有する半導体（
以下、ｌ’−Ａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で購成さ
几ると共に、！！気伝導性を支配する物質として、例え
ばホウ素（Ｂ）等のｐ型不純物あるいは燐（Ｐ）等、ｎ
Ｍ不純物が含有されている。更ｌこ別には、水素原子（
）Ｉ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有するアモル
ファスンリコ／（以下、「Ａ−８ｉ （Ｈ、Ｘ ） Ｊ
と記す。）で構成されると共に、電気伝導性を支配する
物質として、例えばホウ素（Ｂ）等のｐ型不純物あるい
は燐（Ｐ）等のｎ型不純物が含有されている。If this intermediate layer 12 is created by the method of the present invention, it will consist of silicon atoms, carbon atoms, and hydrogen atoms if necessary.
H) or/and a semiconductor containing a halogen atom (X) (
Hereinafter, it is written as l'-A-8iO(H,X)J). ! For example, p-type impurities such as boron (B) or n-type impurities such as phosphorus (P) can be used as substances that control gas conductivity.
Contains M impurity. In addition, the hydrogen atom (
)I) and/or amorphous sulfuric acid containing a halogen atom (X) (hereinafter referred to as "A-8i (H,X) J
It is written as ), and also contains a p-type impurity such as boron (B) or an n-type impurity such as phosphorus (P) as a substance that controls electrical conductivity.
本発明に於て、中間層１２中１こ含有さｎるＢ。In the present invention, one part of B is contained in the intermediate layer 12.
Ｐ等の伝導性を支配する物質のよ有量としては、好適に
は、０．００１〜５ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃｐ ｐ
ｍ 、より好適には０．５〜Ｉ Ｘ １０’ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ ％最適には１〜５Ｘ１０’ ａｔｏｍｉ
ｃ ｐｐｍとされるのが望ましい。The amount of the substance controlling conductivity such as P is preferably 0.001 to 5 x 10' atomic p p
m, more preferably 0.5 to I x 10'atom
icppm% optimally 1-5X10' atomi
It is preferable that the content be c ppm.
中間層１２が感光層１３と構成成分が類似、或いは同じ
である場合には中間層１２の形成は、中間ｌ３１２の形
成に続けて感光＃１３の形成まで連続的に行なうことが
できる。その場合には、中間層形成用の原料として、活
性化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化空
間（Ｂ）に導入された成膜用のケイ素含有化合物より生
成される活性種（Ｂ）と必要に応じて水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合
物のガス等を活性化することにより生成される活性種と
、を夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合しτ支持体
１１のｅ、置しである成膜壁１４に尋人して尋人された
活性種の共存雰囲気に放電エネルギーを作用させること
により、前記支持体１１上に中間層１２を形成させれば
よい。When the intermediate layer 12 has similar or the same constituent components as the photosensitive layer 13, the formation of the intermediate layer 12 can be performed continuously from the formation of the intermediate layer 1312 to the formation of photosensitive layer #13. In that case, the active species (A) generated in the activation space (A) and the silicon-containing compound for film formation introduced into the activation space (B) are used as raw materials for forming the intermediate layer. (B) and active species generated by activating a gas of a compound containing hydrogen, a halogen compound, an inert gas, an impurity element, etc. as components separately or as necessary. By applying electric discharge energy to the coexisting atmosphere of active species mixed on the film-forming wall 14, which is placed on the support 11, an intermediate layer is formed on the support 11. The layer 12 may be formed.
中間／１７１２を形成６せる際に活性化空間（Ａ）に導
入されて活性ｍ （Ａ）を生成する炭凧と・・ロゲンを
才む化合物としては、例えば容易にＯＦ、米の如き活性
種Ｃｋ）を生、成する１前記の化＆物を挙げることが出
来る〇中間層１２の層厚は、好ましくは、３０λ〜１０μ、よ
り好適には４０λ〜８μ、最適には５０λ〜５μとされ
るのが望ましい。The charcoal kite that is introduced into the activation space (A) to produce the active m (A) when forming the intermediate /1712 and the charcoal kite that generates the active m (A)... Compounds that produce rogens include active species such as OF and rice. The layer thickness of the intermediate layer 12 is preferably 30λ to 10μ, more preferably 40λ to 8μ, and optimally 50λ to 5μ. It is desirable to
感光層１３は、例えばＡ−８ｉ （）ｌ 、 Ｘ ）で
構成され、或いは本発明の方法で作成されるのであｎば
Ａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）で構成さし、レーザー光の照射に
よって７オトキヤリアを発生する電荷発生機能と、該電
荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を有する。The photosensitive layer 13 is composed of, for example, A-8i ()l, It has both a charge generation function that generates 7 automatic carriers and a charge transport function that transports the charges.
感光層１３の層厚としては、好ましくは、１〜１００μ
、より好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされ
るのが望ましい。The thickness of the photosensitive layer 13 is preferably 1 to 100μ.
, more preferably from 1 to 80μ, most preferably from 2 to 50μ.
感光層１３は、ノンドープのＡ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）或いは
Ａ −Ｓ ｉ Ｏ（Ｈ、Ｘ ）の層であるが、所望によ
り中間層１２に含有される伝導特性を支配する物質の極
性とは別の極性（例えばｎ型）の伝導特性を支配する物
質を含有させてもよいし、あるいは、同極性の伝導特性
を支配する物質を、中間層１２に含有される実際の量が
多い場合には、該盪よりも一段と少ない量にして含有さ
せてもよい。The photosensitive layer 13 is a non-doped A-8t (H, The intermediate layer 12 may contain a substance that governs conduction properties of a different polarity (for example, n-type), or may contain a substance that governs conductivity properties of the same polarity if the actual amount contained in the intermediate layer 12 is large. may be contained in an amount much smaller than that in (2).
感光／４１３の形成の場合も、本発明の方法によって形
成されるのであれば中間層１２の場合と同様ｌこ、活性
化空間（Ａ）に炭素と７１０ゲンを含む化合物が導入さ
れ、高餓下でこれ等を分解することにより、或いは放電
エネルギーや光エネルギーを作用させて励起することで
活性／ＩＩ （Ａ）が生成され、該活性４（Ａ）が成膜
空間に導入される。また、これとは別に、成膜用のケイ
素含有化合物より生成される活性Ｉと、必要に応じて、
水素、ノ・ロゲン化合物、不活性ガス、不純物元素を成
分として含む化合物のガス等から生成される活性種を、
支持体１１の設置しである成膜空間に導入し、放置エネ
ルギーを用いることにより、前記支持体１１上に中間層
１２を形成させｎばよい。In the case of forming photosensitive/413, if it is formed by the method of the present invention, a compound containing carbon and 710 is introduced into the activation space (A), and a high starvation layer is formed. By decomposing them below, or by exciting them with discharge energy or light energy, active /II (A) is generated, and the active 4 (A) is introduced into the film forming space. In addition, apart from this, active I generated from a silicon-containing compound for film formation and, if necessary,
Active species generated from hydrogen, hydrogen compounds, inert gases, compound gases containing impurity elements, etc.
The intermediate layer 12 may be formed on the support 11 by introducing it into the film forming space where the support 11 is installed and using the energy of leaving it there.
第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
でドーピングされたＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）堆積膜を利用し
たＰＩＮ型ダイオード・デバイスの典型例を示した模式
図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a typical example of a PIN type diode device using an A-8i (H,
図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ｉ型の半導体層２
５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。２８は外
部電気回路装置と結合される導線である。In the figure, 21 is a base, 22 and 27 are thin film electrodes, 23 is a semiconductor film, an n-type semiconductor layer 24, an i-type semiconductor layer 2
5. Consisting of a p-type semiconductor layer 26. 28 is a conductive wire connected to an external electric circuit device.
これ等の半導体層は、Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）。These semiconductor layers are A-8i(H,X).
Ａ −Ｓ ｉ Ｏ（Ｈ、Ｘ ）等で構成され、本発明の
方法はいず几の層の作成に於いても通用することが出来
るが、殊ｌこ半導体層２６を本発明の方法で作成するこ
とにより、変換効率を高めることが出来る。Although the method of the present invention can be applied to the production of any semiconductor layer 26 made of A-SiO(H,X), etc., the method of the present invention is particularly applicable to By doing so, the conversion efficiency can be increased.
基体２１としては導電性、半導電性、電気絶縁性のもの
が用いられる。半ＪｆＪＪ性基体としＣは、例えば、Ｓ
ｉ 、Ｇｅ 、ＧａＡｓ 、ＺｎＯ、ＺｎＳ等の半導
体が挙げられる。薄ａ、ｌ！１２２．２７としては例え
ば、Ｎ ｔ Ｏｒ ＨＡ ｌ ｒ Ｏｒ １Ｍ ｏ ＋
Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ｌ’ｔ、Ｐｄ。The base 21 may be conductive, semiconductive, or electrically insulating. C is a semi-JfJJ substrate, for example, S
Examples include semiconductors such as i, Ge, GaAs, ZnO, and ZnS. Thin a, l! For example, as 122.27, N t Or HA l r Or 1M o +
Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, l't, Pd.
Ｉ ｎ１０３．８ｎＯ１、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎ、０１＋８
ｎ０１）等の薄膜を、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等の処理で基体２１上に設けることによって
得られる。ｆＸｆｉ１２２．２７の膜厚としでは、好ま
しくは３０〜５Ｘ１０４＾、より好ましくは１００〜５
Ｘ１０”又 とされるのが望ましい。I n103.8nO1, I T O (In, 01+8
It can be obtained by providing a thin film such as n01) on the substrate 21 by a process such as vacuum evaporation, electron beam evaporation, or sputtering. The film thickness of fXfi122.27 is preferably 30~5X104^, more preferably 100~5
It is preferable that the diameter be 10" x 10".
前記の半導体層を構成するＡ体を必要に厄じでｎｆｆ１
又はｐｌＭとするをこは、ノー形成の際−こ、不純物元
素のうちｎｆｊｌ不純物又はｐｍ不純物、あるいは両不
純物を形成される層中にその盆を制御し乍らドーピング
しでやる事によって形成される。The A-body constituting the semiconductor layer described above is necessary and nff1
Or plM is formed by doping an nfjl impurity or a pm impurity, or both impurities among the impurity elements, into the layer to be formed while controlling its concentration. Ru.
本発明方法により、ｂＷｔｓ、ｉ・型及びｐｆｌｉの半
導体層を形成するには、活性化２間（Ａ）に炭素とハロ
ゲンを含む化合物が導入され、活性化エネルギーの作用
下でこれ等を励起し分解することで、例えばＯＦ、帯等
の活性種（Ａ）が生成さ几、該活性ｍ （Ａ）が成膜空
間に導入される。同時に、これとは別に、活性化空間（
Ｂ）に導入された成膜用のケイ素含有化合物と、必要に
応じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合
物のガス等を夫々活性化エネルギーによって励起し分解
して夫々の活性種を生成し、夫々を別々に又は適宜に混
合して、基体１１の設直しである成膜空間に導入する。To form bWts, i-type and pfli semiconductor layers by the method of the present invention, compounds containing carbon and halogen are introduced during activation 2 (A) and are excited under the action of activation energy. By the decomposition, active species (A) such as OF and bands are generated, and the active species (A) are introduced into the film forming space. At the same time, apart from this, the activation space (
B) Excite and decompose the silicon-containing compound for film formation introduced in step B) and, if necessary, inert gas and compound gas containing impurity elements as components, using activation energy to generate respective active species. Then, each of them is introduced separately or mixed as appropriate and introduced into the film forming space where the base 11 is to be reinstalled.
成膜空間に導入された活性種は放電エネルギーを用いる
ことにより化学的相互作用を生起され、又は促進或いは
増幅されて基体２１上に堆積膜が形成させる。ｎ鳳及び
ｐｍの半導体層の層厚としては、好ましくは１００〜１
０４° より好ましくは３００〜２０００λの範囲が
望ましい。The active species introduced into the film forming space are caused to undergo chemical interaction, promoted or amplified by using discharge energy, and a deposited film is formed on the substrate 21. The layer thickness of the n and pm semiconductor layers is preferably 100 to 1
04°, more preferably a range of 300 to 2000λ.
また、ｉ盤の半導体層の層厚としては、好ましくは５０
０〜１０４又、より好ましくは１０００〜１００００又
の範囲が望ましい。Further, the thickness of the semiconductor layer of the i-board is preferably 50
The range is preferably from 0 to 104, more preferably from 1000 to 10000.
以下に、本発明の具体的実施例を示す。Specific examples of the present invention are shown below.
実施例１第３図に示した装置を用い、以下の如き操作によりてｉ
ｆｆ、ｐ型及びｎｆｉのａ −Ｓ ｉ Ｏ（Ｈ，Ｘ）堆
積膜を形成した。Example 1 Using the apparatus shown in Figure 3, i
FF, p-type, and nfi a-SiO(H,X) deposited films were formed.
第３図においで、１０１は堆積室であり、内部の基体支
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。In FIG. 3, 101 is a deposition chamber, and a desired substrate 103 is placed on a substrate support 102 inside.
１０４は基体加熱用のヒーターであり、導線１０５を介
して給電され、発熱する。基体温度は特に制限されない
が、本発明方法を実施するにあたって、基体を加熱する
必要がある場合には基体温度は好ましくは５０〜４５０
°Ｃ１より好ましくは１００〜３５０°０であることが
望ましい。Reference numeral 104 denotes a heater for heating the substrate, which is supplied with electricity via a conductive wire 105 and generates heat. The substrate temperature is not particularly limited, but if it is necessary to heat the substrate in carrying out the method of the present invention, the substrate temperature is preferably 50 to 450℃.
It is desirable that the temperature is 100 to 350°0, more preferably 100°C to 350°0.
１０６乃至１゛０９は、ガス供給系であり、ケイ素含有
化合物、及び必要に応じで用いられる水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス、不純物元素を成分とする化合物のガ
スの種類に応じて設けられる。Reference numerals 106 to 109 denote gas supply systems, which are provided depending on the type of gas of the silicon-containing compound and the compound containing hydrogen, a halogen compound, an inert gas, and an impurity element, which are used as necessary.
これらのガスが標準状態に於いて液状のものを使用する
場合には、適宜の気化装置を具備させる。If these gases are liquid in their standard state, an appropriate vaporizer is provided.
図中ガス供給系１０６乃至１０９の符合にａを付したの
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのパルプである。１２
３は活性種（Ｂ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３の周りには活性種（Ｂ）を生成させる
為の活性エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ発生
装置１２２が設けられている。ガス導入ｆｌｌｏより供
給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは活性化室（Ｂ
） １２３内において活性化され、生じた活性種（Ｂ）
は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入される。In the figure, the gas supply systems 106 to 109 are marked with a for branch pipes, b for flowmeters, C for pressure gauges that measure the pressure on the high pressure side of each flowmeter, and d for gas supply systems 106 to 109. The letter ``e'' indicates the pulp used to adjust the flow rate of each gas. 12
3 is an activation chamber (B) for generating active species (B), and around the activation chamber 123 is a microwave plasma generator 122 that generates active energy for generating active species (B). is provided. The raw material gas for generating active species (B) supplied from the gas introduction flo is supplied to the activation chamber (B).
) Active species activated and generated within 123 (B)
is introduced into the film forming chamber 101 through the introduction pipe 124.
１１１はガス圧力計である。図中１１２は活性化室（Ａ
）、１１３は電気炉、１１４は固体０粒、１１５は活性
種（Ａ）の原料となる気体状態の炭素とハロゲンを含む
化合物の導入管であり、活性化室（Ａ） １１２で生成
された活性種（Ａ）は導入管１１６を介して成膜室１０
１内に導入される。111 is a gas pressure gauge. In the figure, 112 is an activation chamber (A
), 113 is an electric furnace, 114 is 0 solid particles, 115 is an introduction pipe for a compound containing gaseous carbon and halogen, which is the raw material for the activated species (A), and is generated in the activation chamber (A) 112. The activated species (A) are introduced into the film forming chamber 10 through the introduction pipe 116.
1.
１１７は放電エネルギー発生！ｉｔであって、マツチン
グボックス１１７３％高周波導入用カソード電極１１７
ｂ等を具備している。117 generates discharge energy! It is a matching box 1173% cathode electrode 117 for introducing high frequency.
It is equipped with b.
放電エネルギー発生装＃Ｌ１１７からの放電エネルギー
は、矢印１１９の向きに流れている活性種に作用し、作
用された各活性種は相互に化学反応させる事ｌこよって
基体１０３の全体あるいは所望部分子こＡ −Ｓ ｉ
Ｏ（Ｈ、Ｘ ）の堆積膜を形成する。The discharge energy from the discharge energy generator #L117 acts on the active species flowing in the direction of the arrow 119, and the acted active species cause a chemical reaction with each other.Thus, the entire base 103 or a desired portion of the molecules This A-S i
A deposited film of O(H,X) is formed.
また、図中、１２０は排気バルブ、１２１は排気管であ
る。先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルム製の基
体１０３を支持台１０２上に載置し、排気装［１（不図
示）を用いて成膜室１０１内を排気し、約１０−’Ｔｏ
ｒｒに減圧した。ガス供給用ボンベ１０６よりＳｉＨａ
１５０ＳＯＯＭ、 あるいはこれとＰＨ３ガス又はＢ
、）Ｉ＠ガス（何れも１１０００ｐｐ水素ガス希釈）４
０ＳＯＯＭとを混合したガスをガス導入管１１０を介し
て活性化室（Ｂ）１２３ にイ導入した。活性化室（Ｂ
） １２．３内に導入さｎたＳ ｉ Ｈ４ガスやＨ，ガ
ス等はマイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化
されて５ｉＨ１”や活性化水素等とされ、導入管１２４
を通じてＳ ｉ Ｈ！帯や活性化水素等を成膜室１０１
に導入した。Further, in the figure, 120 is an exhaust valve, and 121 is an exhaust pipe. First, the substrate 103 made of polyethylene terephthalate film is placed on the support stand 102, and the inside of the film forming chamber 101 is evacuated using the exhaust device [1 (not shown), and about 10-'To
The pressure was reduced to rr. SiHa from the gas supply cylinder 106
150SOOM, or this and PH3 gas or B
,) I@gas (all diluted with 11000pp hydrogen gas) 4
A gas mixed with 0SOOM was introduced into the activation chamber (B) 123 via the gas introduction pipe 110. Activation chamber (B
) The S i H4 gas, H, gas, etc. introduced into 12.3 are activated by the microwave plasma generator 122 and converted into 5iH1'', activated hydrogen, etc.
Through S i H! The film forming chamber 101
It was introduced in
また他方、活性化室（Ａ） １０２に固体０粒１１４を
詰めて、電気炉１１３により加熱し、Ｃを赤熱状態とし
、そこへ導入管１１５を通しで不図示のボンベよりＯＦ
４を吹き込むこと−こより、活性種（Ａ）としてのＯＦ
２帯を生成させ、該ＯＦ、帯を導入管１１６を経て、成
膜室１０１へ導入した。On the other hand, the activation chamber (A) 102 is filled with solid 0 grains 114, heated in an electric furnace 113 to bring C to a red-hot state, and OF is passed there through an inlet pipe 115 from a cylinder (not shown).
Infusing 4-OF as the active species (A)
Two bands were generated, and the OF and bands were introduced into the film forming chamber 101 through the introduction pipe 116.
成膜室１０１内の内圧をＱ、４Ｔｏｒｒに保ちつつ放電
装置からグ２ズマを作用させて、ノンドープのあるいは
ドーピングされたＡ −８ｉ （３（Ｈ、Ｘ ）膜（膜
厚７００＾）を形成した。成膜速度は２４又／ ｓ ｅ
ｃであった。A non-doped or doped A-8i (3(H, The film formation speed was 24/sec.
It was c.
次いで、得られたノンドープのあるいはｐ型のａ−８ｉ
Ｏ（Ｈ，Ｘ）膜試料を蒸着ｍ＋こ入れ、真空度１０弓Ｔ
ｏ ｒ ｒでクシ型のＡＩギャップ電極（ギャップ長
２５０μ、巾５ ＩＩＩＢ）を形成した後、印加電圧１
０Ｖで暗電流を測定し、暗導電率ｄａを求めて、各試料
の膜特性を評価した。結果を第１表に示した。Then, the obtained non-doped or p-type a-8i
Deposit O(H,
After forming a comb-shaped AI gap electrode (gap length 250 μ, width 5 IIIB) with o r r, the applied voltage 1
The dark current was measured at 0 V, the dark conductivity da was determined, and the film characteristics of each sample were evaluated. The results are shown in Table 1.
実施例２〜４Ｓ ｉＨ４の代りに直鎖状５ｉ２Ｈ，、分岐状８４ａＨ
１゜、又はＨ＠ Ｓ ｌ ｓ Ｆ ｍ を用いた以外
は、実施例１と同様にしてａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）膜を形
成した。暗導＃を率を測定し、結果を第１表に示した。Examples 2 to 4 Linear 5i2H, branched 84aH instead of SiH4
An a-8iO(H,X) film was formed in the same manner as in Example 1, except that 1° or H@S l s F m was used. The dark lead # was measured and the results are shown in Table 1.
第１表から、本発明によると電気特性に優れた、Ａ−８
ｉＯ（ｆ（、Ｘ）膜が得られ、また、ドーピングが十分
に行なわれたＡ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）膜が得られることが
判った０実施例５第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した０第４図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室、
２０３は電気炉、２０４は固体０粒、２０５は活性種（
Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）導入管、
２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と同様に用
いられる加熱ヒーター、２０９．２１０は吹き出し管、
２１１はＡＩクシリンダ−基体、２１２は排気パルプを
示している。From Table 1, it can be seen that according to the present invention, A-8 has excellent electrical characteristics.
It was found that an iO(f(, The first
A drum-shaped electrophotographic image forming member having a layer structure as shown in the figure was prepared. In FIG. 4, 201 is a film forming chamber, 202 is an activation chamber,
203 is an electric furnace, 204 is 0 solid particles, 205 is an active species (
A) raw material introduction pipe; 206 is an active species (A) introduction pipe;
207 is a motor, 208 is a heater used similarly to 104 in Fig. 3, 209 and 210 are blowing pipes,
211 is an AI cylinder base, and 212 is an exhaust pulp.
また、２１３乃至２１６は第３図中１０６乃至１０９と
同様の原料ガス供給源であり、２１７−１はガス導入管
である。Further, 213 to 216 are raw material gas supply sources similar to 106 to 109 in FIG. 3, and 217-1 is a gas introduction pipe.
成膜室２０１にＡｌシリンダー状基体２１１をつり下げ
、その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０
７により回転できる様にする。２１８は放電エネルギー
発生装置であって、マツチングボックス２１８３％高周
波導入用カンード或極２１８ｂ当を具備しでいる。An Al cylindrical substrate 211 is suspended in the film forming chamber 201, a heating heater 208 is provided inside the substrate, and a motor 20 is installed.
7 so that it can be rotated. Reference numeral 218 denotes a discharge energy generating device, which is equipped with a matching box 2183% and a canard or pole 218b for introducing high frequency.
また、活性化室（Ａ） ２０２に固体０粒２０４を詰め
て、電気炉２０３により加熱し、Ｃを赤熱状態とし、そ
こへ導入１２０６を通じて不図示のボ／ぺからＣＦ、を
吹き込むことにより、活性種（Ａ）としてのＣＦ、＊を
生成させ、該ＯＦ、帯導帯管入管６を５経て、成膜室２
０１へ導入した。In addition, the activation chamber (A) 202 is filled with solid 0 grains 204, heated in an electric furnace 203 to bring C into a red-hot state, and CF is blown therein from an unillustrated hole through an introduction 1206. CF,* as an active species (A) is generated, passes through the OF, band conduit tube 6 5, and enters the film forming chamber 2.
It was introduced into 01.
一方、導入管２１７−１より５ｉｆｔ（＠とＨｌの各ガ
スを成膜室２０１に導入した。導入されたＳ ｉ ＊
Ｈａガス、Ｈ２ガスは活性化室（Ｂ） ２２０において
、マイクロ波プラズマ発生装置ｔ２２１によりプラズマ
化等の活性化処理を受けて活性化水累化ケイ素、活性化
水素となり導入管２１７−２を通じて、成膜室２０１内
ζこ導入された。この際必要に応じてＰＨ，、Ｂ、Ｈ＠
等の不純物ガスも活性化室（Ｂ） ２２０内に導入され
て活性化された。次いで成膜室２０１内の内圧を１．０
Ｔｏｒｒに保ちつつ、放電装＠２１８により発生された
よりプラズマを作用させた。On the other hand, 5 ift (@ and Hl gases) were introduced into the film forming chamber 201 from the introduction pipe 217-1.
In the activation chamber (B) 220, the Ha gas and H2 gas are subjected to activation processing such as plasma formation by the microwave plasma generator t221, and become activated water, accumulated silicon, and activated hydrogen through the introduction pipe 217-2. This was introduced into the film forming chamber 201. At this time, PH,, B, H@
Impurity gases such as the following were also introduced into the activation chamber (B) 220 and activated. Next, the internal pressure inside the film forming chamber 201 was set to 1.0.
While maintaining the pressure at Torr, a plasma generated by a discharge device @218 was applied.
Ａｌシリンダー状基体２１１は２２０″Ｃにヒーター２
０８により加熱、保持され、回転させ、排ガスは排気バ
ルブ２１２の開口を適当に調整して排気させた。このよ
うにして感光層１３が形成された。The Al cylindrical base 211 is heated to 220″C by the heater 2.
08, and the exhaust gas was exhausted by appropriately adjusting the opening of the exhaust valve 212. In this way, the photosensitive layer 13 was formed.
また、中間層１２は、導入管２１７−１よりＨオ／ Ｂ
２ Ｈ＠（容量チでＢ、ｆ（、ガスが０．２％）の混
会ガスを更に導入し、膜厚２０００λで成膜さｎた。Further, the intermediate layer 12 is connected to H/B from the introduction pipe 217-1.
A mixed gas of 2 H@(capacity: B, f (gas content: 0.2%)) was further introduced to form a film with a thickness of 2000λ.
比較例１０ＦｔとＳｉ２Ｈ６，Ｈｚ 及びＢ ！ Ｈｓ の
各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構成の成膜室を
用意して１３．５６ Ｍ）ｌｚ の高周波装置を備え
で、一般的なプラズマＯＶＤ法により、第１図に示す層
構成の成子写真用隊形成部材を形成した。Comparative Example 1 0Ft and Si2H6,Hz and B! A film forming chamber with the same configuration as the film forming chamber 201 was prepared using each gas of Hs, and equipped with a high frequency device of 13.56 M) lz, and the film was formed using the general plasma OVD method as shown in Fig. 1. A Nariko photographic formation member having a layered structure was formed.
実施例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
製形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。The manufacturing conditions and performance of the drum-shaped electrophotographic forming members obtained in Example 3 and Comparative Example 1 are shown in Table 2.
第 ２ 表第 ２ 表（続き）実施例６ケイ素含有比合物として５ｉ２Ｈ，を用いて第３図の装
置直を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオードを作
製した。Table 2 Table 2 (Continued) Example 6 A PIN type diode shown in FIG. 2 was manufactured using the apparatus shown in FIG. 3 using 5i2H as the silicon-containing compound.
まず、１ｏｏｏｉのＩＴＯ１ｉ２２を蒸着したポリエチ
レンナフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１０
−’Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様に導入管１
１６からＯＦ、帯の活性種を成膜室１０１内に導入し、
また導入管１１０から８ｉｚＨａ １５０ Ｓ ＯＯＭ
、ＰＨ３ガス（１１０００ｐｐ水素ガス希釈の夫々を活
性化室（Ｂ） １２３に導入して活性化した。次いでこ
の活性化さ几たガスを導入管１１６を介して成膜室１０
１内に導入した。成膜室１０１内の圧力をＱ、１Ｔｏｒ
ｒｌこ保ちながら放電装置からプラズマを作用させて、
ＰでドーピングさＱ タｎ １ｊｌｌ、 ａ −８ｉ
０ （Ｈ、Ｘ ）膜２４（ａｉ厚７００ｋ）を形成した
。First, a polyethylene naphthalate film 21 on which 10oi of ITO1i22 was vapor-deposited was placed on a support stand, and
After reducing the pressure to −'Torr, the inlet pipe 1 is
From 16 on, active species of OF and band are introduced into the film forming chamber 101,
Also, from the introduction pipe 110, 8izHa 150 S OOM
, PH3 gas (diluted with 11,000 pp hydrogen gas) was introduced into the activation chamber (B) 123 and activated.Then, the activated and purified gases were introduced into the film forming chamber 10 through the introduction pipe 116.
It was introduced within 1. The pressure inside the film forming chamber 101 is Q, 1 Torr.
Plasma is applied from the discharge device while maintaining RL,
Doped with P Q tan 1jll, a −8i
0 (H,X) film 24 (ai thickness 700k) was formed.
次いで、Ｐ Ｈｓガスの代りにＢ ＊ Ｈｓガス（３０
０ｐｐｍ水素ガス希釈）を導入した以外はｎ屋ａ−８ｉ
Ｏ（Ｈ，Ｘ）膜の場合と同一の方法で１型ａ−８ｉＯ（
Ｈ，Ｘ）膜２５（膜厚５０００＾）を形成した。Next, B*Hs gas (30
nya a-8i except that 0ppm hydrogen gas dilution) was introduced.
Type 1 a-8iO (
A film 25 (thickness: 5000^) was formed.
次いで、Ｈ２ガスと共にＢ、Ｈ・ガス１１０００ｐｐ水
素ガス希釈）を使用し、それ以外はｎ型と同じ条件でＢ
でドーピングされたｐ １１ ａ −８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）
膜２６（膜厚７００λ）を形成した。Next, B, H gas (11000pp diluted with hydrogen gas) was used together with H2 gas, and B was added under the same conditions as the n-type except for that.
p 11 a -8iO(H,X) doped with
A film 26 (film thickness 700λ) was formed.
更ｌこ、このｐ型膜上に真空蒸着により膜厚１０００又
のＡＩ［極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。Furthermore, an AI electrode 27 having a thickness of 1000 mm was formed on this p-type film by vacuum evaporation to obtain a PIN-type diode.
かくして得られたダイオード素子（面積１ｃＩ／ｌ）ま
た、光照射特性においても、基板側から光を導入し、光
照射強度ＡＭＩ（約Ｉ Ｑ Ｏｍ Ｗ／ ｃｒ／ｌ ）
で、変換効率８．５％以上、開放端電圧０．９２Ｖ。The thus obtained diode element (area: 1 cI/l) also has light irradiation characteristics: light is introduced from the substrate side, and the light irradiation intensity is AMI (approximately I Q Om W/ cr/l ).
The conversion efficiency is 8.5% or more, and the open circuit voltage is 0.92V.
短絡電流１−０．５ ｍ Ａ ／ （−７ｄが得られた
。A short circuit current of 1-0.5 mA/(-7d was obtained.
実施例７〜９ケイ素含有化合物としてＳ ｉ 、Ｈ＠の代りに、直鎖
状８ ｉ ４Ｈ１ｏ ｓ分岐状Ｓ ｉ ４ Ｈｓ ａｓ
又はＨ＠ Ｓ ＋ ｍ Ｆ ｓ を用いた以外は、実
施例６と同一のＰＩＮ型ダイオードを作製した。整流特
性及び光起電力効果を評価し、結果を第３表に示した。Examples 7 to 9 As a silicon-containing compound, instead of S i , H@, linear 8 i 4H1os branched S i 4 Hs as
Alternatively, the same PIN diode as in Example 6 was manufactured except that H@S + m F s was used. The rectification characteristics and photovoltaic effect were evaluated and the results are shown in Table 3.
第３茨から、本発明ｌこよｎば、従来に比べ艮好な光学
的・電気的特性を有するａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）ＰＩＮｆ
ｉダイオードが得られることが判った。From the third thorn, the present invention provides a-8iO (H,
It has been found that an i-diode can be obtained.
本発明の堆積膜形成法１こよれば、形成される膜に所望
さ几る電気的、光学的、光導成約及び機械的特性が向上
し、しかも比較的低い基体温度で高速成膜が可能となる
。また、成膜Ｉζおける再現性が向上し、膜品質の向上
と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化に有
利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に達成
することができる。更に、耐熱性に乏しい基体上にも成
膜できる、低温処理によって工程の短縮化を図れるとい
った効果が発揮される。According to the deposited film forming method 1 of the present invention, the desired electrical, optical, optical conductivity, and mechanical properties of the formed film are improved, and high-speed film formation is possible at a relatively low substrate temperature. Become. In addition, the reproducibility in film formation Iζ is improved, making it possible to improve film quality and make the film uniform. It is also advantageous for increasing the area of the film, improving film productivity and easily achieving mass production. can do. Furthermore, the film can be formed even on a substrate with poor heat resistance, and the process can be shortened by low-temperature treatment.
第１図は本発明方法を用いて製造される電子写真用１象
形成部材の構成例を説明するための模式図である。第２図は本発明方法を用いで製造されるＰＩＮ型ダイオ
ードの構成例を説明するための模式図である。第３図及び第４囚はそれぞれ実施例で用いた本発明方法
を実施するための装ｒ＃の構成を説明するための模式図
である。１０ ・・・ 纜子写真用１象杉成部材、１１ ・・・
基体、１２ ・・・ 中間層、１３ ・・・ 感光層１２１ ・・・ 基体、２２．２７ ・・・ ｉｖ模α極、２４ ・・・ ｎ警手導体層、２５ ・・・ ｉ［半導体層、２６ ・・・ ｐｉ半半体体層１０１．２０１ ・・・ 成膜室、１１２．２０２ ・・・ 活性化ヱ（Ａ）、２１？１２３、≠金環 ・・・ 活性化室（Ｂ）、１０６．１
０７，１０８，１０９゜２１３．２１４，２１５，２１６・・・ ガス供給系、１０３．２１１ ・・・ 基体１１７．２１８ ・・・ 放電エネルギー発生装置。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an example of the structure of a one-image forming member for electrophotography manufactured using the method of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an example of the configuration of a PIN diode manufactured using the method of the present invention. FIGS. 3 and 4 are schematic diagrams for explaining the configuration of the equipment r# for implementing the method of the present invention used in the examples, respectively. 10... 1 elephant cedar material for Shinko photography, 11...
Substrate, 12... Intermediate layer, 13... Photosensitive layer 1 21... Substrate, 22.27... IV model α pole, 24... N conductor layer, 25... i[semiconductor Layer, 26... Pi half body layer 101.201... Film forming chamber, 112.202... Activation (A), 21? 123,≠Golden ring...Activation chamber (B), 106.1
07,108,109°213.214,215,216... Gas supply system, 103.211... Base 117.218... Discharge energy generating device.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035602AJPS61194819A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Deposited film formation method |
| US06/831,411US4853251A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-20 | Process for forming deposited film including carbon as a constituent element |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035602AJPS61194819A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Deposited film formation method |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194819Atrue JPS61194819A (en) | 1986-08-29 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60035602APendingJPS61194819A (en) | 1985-02-22 | 1985-02-25 | Deposited film formation method |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10421329B2 (en) | 2016-01-15 | 2019-09-24 | Oiles Corporation | Slide bearing |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140267A (en)* | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Vapor epitaxial crystal growing device |
| JPS52143980A (en)* | 1976-05-25 | 1977-11-30 | Nec Corp | Equipment for plasma deposition |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140267A (en)* | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Vapor epitaxial crystal growing device |
| JPS52143980A (en)* | 1976-05-25 | 1977-11-30 | Nec Corp | Equipment for plasma deposition |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10421329B2 (en) | 2016-01-15 | 2019-09-24 | Oiles Corporation | Slide bearing |
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| JPS62163311A (en) | Deposited film formation method | |
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| JPS6191010A (en) | Deposited film formation method | |
| JPS61248419A (en) | Formation of deposited film | |
| JPS6188520A (en) | Deposited film formation method | |
| JPS61179870A (en) | Deposited film formation method | |
| JPH0712026B2 (en) | Photovoltaic device manufacturing method | |
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| JPH0722123B2 (en) | Photovoltaic device manufacturing method | |
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