【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は半導体装置のリングラフィ技術に係り、特許リ
ソグラフィ技術′によって転写されるパターンの欠陥を
検査しかつこのパターン欠陥の発生を未然に防止するこ
とのできる検査システムに関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to phosphorography technology for semiconductor devices, and relates to a method for inspecting defects in patterns transferred by patented lithography technology and preventing the occurrence of pattern defects. This is about an inspection system that can be used.
半導体装置の製造に必要とされるリソグラフィ技術は、
例えばレチクルパターンを縮小してウェーハ上に転写す
るステッパに適用されているが、このリソグラフィ技術
における問題はレチクルに付着した鳳埃等の異物であり
、この種の異物によって転写パターンにパターン欠陥が
発生する。このため、従来からレチクル上の異物を検査
することが要求され、これまでは次のような方法が行な
われている。The lithography technology required for manufacturing semiconductor devices is
For example, it is applied to a stepper that reduces a reticle pattern and transfers it onto a wafer, but the problem with this lithography technology is foreign matter such as dust attached to the reticle, and this type of foreign matter causes pattern defects in the transferred pattern. do. For this reason, it has been required to inspect the foreign matter on the reticle, and the following methods have been used so far.
即ち、第６図にプロセスブロック図を示すように、ダミ
ー又は先行するウェーハにレチクルのパターン焼付を行
なった上でこのウェーハを現像（レジスト現像）シ、か
つエツチングを行なっ℃パターンを形成する。そして、
このパターンを顕微鏡や光電素子を利用して認識した上
でこれを基準パターンと比較して形成されたパターンの
良否判定を行なっている。このとき、パターンに欠陥が
なければ直ちに本焼付工程に進むが、欠陥が生じていた
ときにはレチクル洗浄を行なって異物を取り除く必要が
あり、以下パターン欠陥がなくなるまで同一工程を繰返
す。That is, as shown in the process block diagram of FIG. 6, a reticle pattern is printed on a dummy or preceding wafer, and then this wafer is developed (resist development) and etched to form a .degree. C. pattern. and,
This pattern is recognized using a microscope or a photoelectric element, and then compared with a reference pattern to determine the quality of the formed pattern. At this time, if there are no defects in the pattern, the process immediately proceeds to the main baking process, but if defects have occurred, it is necessary to clean the reticle to remove foreign matter, and the same process is repeated until there are no pattern defects.
しかしながら、このような検査方法では、少なくとも１
回はダミーウェーハへのパターンの焼付。However, in such testing methods, at least one
The second step is to print the pattern onto a dummy wafer.
現偉、エツチングおよび形成されたパターンの検査を行
なう必要があるため罠、異物有無の判定を得るまでに、
前述の工程に必要とされる時間、大略１〜２時間を必要
とし、その間作業を停止しなければならない等作業性の
低下を招くことになる。Since it is necessary to inspect the existing pattern, etching, and formed pattern, it is necessary to inspect the presence of traps and foreign objects.
The time required for the above-mentioned process is about 1 to 2 hours, and the work must be stopped during that time, resulting in a decrease in work efficiency.
特許高価なステッパをこの間停止させておくことはその
稼動率の低下を生じ、実質スルーブツトが低下すること
になる。Leaving the expensive stepper stopped during this period reduces its operating rate, resulting in a substantial drop in throughput.
また、レチクルのパターンの焼付後に現像、エツチング
等の工程が存在するために、これらの工程条件の違いや
ばらつき和よってレチクル上の異物の影響が常に一定し
て形成パターン上に現われるとは限らず、特に０．５μ
ｍ以下の異物を高い信頼度で検査することは困難である
。このため、検査時には存在しない欠陥が本パターン上
に発生することがあり、製品歩留の低下を招くことにな
る。Furthermore, since there are processes such as development and etching after the reticle pattern is printed, the influence of foreign matter on the reticle does not always appear uniformly on the formed pattern due to differences in these process conditions and the sum of variations. , especially 0.5μ
It is difficult to inspect foreign particles with a high degree of reliability. Therefore, defects that do not exist at the time of inspection may occur on the pattern, resulting in a reduction in product yield.
更に、パターン検査では光学系を利用するが、形成され
たパターンは深さくエツチング深さ）の存在する次元パ
ターンであるため、光学系の焦点深度との関係で高解像
度を得ることが難かしく、検査精度が低下される。Furthermore, although an optical system is used for pattern inspection, since the formed pattern is a dimensional pattern with a deep etching depth, it is difficult to obtain high resolution due to the depth of focus of the optical system. Inspection accuracy is reduced.
なお、この種のパターン検査として、本出願人が先に提
案している特願昭５５−１３１６７１号や特願昭５５−
１７８８６６号が一例として挙げられる。Furthermore, as this type of pattern inspection, Japanese Patent Application No. 131671/1983 and Japanese Patent Application No. 1983/1983, which the present applicant had previously proposed,
No. 178866 is cited as an example.
本発明の目的はダミーウェーハ等を用いた検査用のパタ
ーン転写工程を全て省略し、レチクルパターンを直接的
に検査して異物を検査することにより作業効率の向上を
図ると共に検査の信頼度を向上し、製品歩留の向上を図
ることのできる検査システムを提供することにある。The purpose of the present invention is to omit the inspection pattern transfer process using a dummy wafer, etc., and directly inspect the reticle pattern for foreign matter, thereby improving work efficiency and reliability of inspection. The object of the present invention is to provide an inspection system that can improve product yield.
また、本発明の目的は複数台のアライナを稼動する構成
においても検査システムの構成の簡易化を図りかつ稼動
効率の向上を図ることのできる検査システムを提供する
ことにある。Another object of the present invention is to provide an inspection system that can simplify the configuration of the inspection system and improve operating efficiency even in a configuration in which a plurality of aligners are operated.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、パターン転写を行なうウェーハ等の被転写体
を載置する可動テーブルの一部にパターン検査系のセン
サ部を設け、このセンサ部に転写パターンの照射を行な
い得るように構成する一方テハターン検査系は転写パタ
ーンを認識しかつそのパターン欠陥を検査し得るように
構成すること忙より、転写パターンにおける欠陥を直接
的に検査でき、これによりダミーの被転写体の処理工程
を不要にして検査の効率を向上しかつ欠陥の検査精度を
高めて製品歩留の向上を達成できる。That is, a sensor section for a pattern inspection system is provided on a part of a movable table on which an object to be transferred such as a wafer to which a pattern is to be transferred is placed, and the sensor section is configured to be able to irradiate the transferred pattern. The system is configured to be able to recognize the transferred pattern and inspect its pattern defects, so it can directly inspect defects in the transferred pattern, thereby eliminating the need for processing a dummy transfer object and increasing inspection efficiency. It is possible to improve product yield by improving defect inspection accuracy.
また、パターン検査系は複数台のアライナに夫夫設けた
センサ部と、これらセンサ部に共通して設けた中央制御
部とで構成することにより、コンビエータを内蔵する制
御部の共用化を図って全体システムを簡易化でき、かつ
一方ではステッパの稼動効率を向上できる。In addition, the pattern inspection system consists of sensor sections installed in multiple aligners and a central control section common to these sensor sections, allowing for the common use of the control section containing the combiator. The entire system can be simplified, and at the same time, the operating efficiency of the stepper can be improved.
第１図は本発明の一実施例の全体構成図であり、複数台
（本例では３台）のアライナ１，２．３を備するパター
ン転写システムに本検査システムを適用した例である。FIG. 1 is an overall configuration diagram of one embodiment of the present invention, and is an example in which the present inspection system is applied to a pattern transfer system equipped with a plurality of (three in this example) aligners 1, 2, and 3.
前記アライナ１，２．３は、その構成をアライナ１で代
表して示すように、転写パターンとしてのレチクル４を
有する投影光学系５と、レチクル４のパターンが転写さ
れる被転写体としてのウェーハ６を載置するＸＹテーブ
ル７とを備えている。The aligners 1, 2.3 each include a projection optical system 5 having a reticle 4 as a transfer pattern, and a wafer as a transfer target onto which the pattern of the reticle 4 is transferred, as shown by the aligner 1 as a representative example. 6 is placed on an XY table 7.
前記投影光学系５は、レチクル４を照明する光源８と、
レチクル４のパターンをＸＹテーブル７上に縮小投影す
る結像レンズ９を有している。また、ＸＹテーブル７は
、テーブル載置面をＸ方向、Ｙ方向に夫々移動させるＸ
駆動部１０．Ｘ駆動部１１を有し、これらをテーブル制
御回路１２に接続している。また、ＸＹテーブル７には
Ｘ、Ｙ位置を検出するためのレーザ光学系１３を付設し
ており、レーザ源１５をレーザ制御回路１４に接続して
いる。これらのテーブル制御回路１２とレーザ制御回路
１４とはステッパ制御回路１６に接続している。The projection optical system 5 includes a light source 8 that illuminates the reticle 4;
It has an imaging lens 9 that reduces and projects the pattern of the reticle 4 onto the XY table 7. The XY table 7 also has an
Drive unit 10. It has an X drive section 11 and is connected to a table control circuit 12. Further, the XY table 7 is equipped with a laser optical system 13 for detecting the X and Y positions, and a laser source 15 is connected to a laser control circuit 14. These table control circuit 12 and laser control circuit 14 are connected to a stepper control circuit 16.
一方、前記ＸＹテーブル７の載置面一部にはセッサ部と
して光電素子（本例ではＣ０Ｄ）１７を設置している。On the other hand, a photoelectric element (C0D in this example) 17 is installed as a sensor part on a part of the mounting surface of the XY table 7.
このＣＣＤ１７は、ＸＹテーブル７の移動に伴なって前
記投影光学系５の直下位置に移動でき、ここでレチクＡ
／４のパターンが投影される。前記ＣＣＤ１７にはセン
サ制御回路１８を接続している。This CCD 17 can be moved to a position directly below the projection optical system 5 as the XY table 7 moves, and here the reticle A
/4 pattern is projected. A sensor control circuit 18 is connected to the CCD 17.
そして、前記ステッパ制御回路１６とセンサ制御回路１
８とをアライナ１外に設けた中央制御部１９に接続し、
特にセンサ制御回路１８は前記センサ部１７と中央制御
部１９とでパターン検査系を構成している。The stepper control circuit 16 and the sensor control circuit 1
8 to a central control unit 19 provided outside the aligner 1,
In particular, the sensor control circuit 18 includes the sensor section 17 and the central control section 19 to form a pattern inspection system.
なお、他の２個のアライナ２，３も同様に構成され、夫
々のステッパ制御回路とセンサ制御回路を中央制御部１
９に接続している。Note that the other two aligners 2 and 3 are similarly configured, and their respective stepper control circuits and sensor control circuits are controlled by the central control unit 1.
Connected to 9.
図中、１５はレーザ光学系１３な構成するためのレーザ
源、２０はミラーである。In the figure, 15 is a laser source for configuring the laser optical system 13, and 20 is a mirror.
以上の構成によれば、ウェーハ６上へのレチクル４パタ
ーンの投影露光に先立ち、ＸＹテーブル７を移動して第
２図のように、投影光学系５の直下にＣＣＤ１７を位置
させ、この状態でレチクル４のパターンｔｃｃＤ１７上
に投影する。セして、これと同時にＸＹテーブル７をＸ
方向およびＹ方向に移動させ、ＣＣＤ１７を投影された
パターン４Ａに対して走査させる。このときのＸＹテー
ブル７の移動は、レーザ光学系１３とレーザ制御回路１
４によるＸＹテーブル７位置検出作用と、Ｘ駆動部１０
．Ｘ駆動部１１およびテーブル制御回路１２による駆動
作用とをステッパ制御回路１６および中央制御部１９で
コントロールすることにより好適に行なわれる。According to the above configuration, prior to projection exposure of the four reticle patterns onto the wafer 6, the XY table 7 is moved to position the CCD 17 directly below the projection optical system 5 as shown in FIG. It is projected onto the pattern tccD17 of the reticle 4. At the same time, set XY table 7 to
direction and the Y direction, and the CCD 17 is caused to scan the projected pattern 4A. The movement of the XY table 7 at this time is controlled by the laser optical system 13 and the laser control circuit 1.
4 and the XY table 7 position detection function and the X drive unit 10
．． This is suitably performed by controlling the drive action of the X drive unit 11 and the table control circuit 12 by the stepper control circuit 16 and central control unit 19.
投影パターン４Ａに対して走査されるＣＣＤ１７は、Ｃ
ＣＤの微細素子から明暗のパターン信号を出力し、この
信号はセンサ制御回路１８から中央制御部１９へ出力さ
れ、ここでパターン信号として取出される。更に、中央
制御部１９では内蔵すルコンピュータによって、このパ
ターンヲ基準パターンと比較でき、その良否が判断され
かつ出力される。したがって、この検出したパターンに
欠陥が認められない場合には、ＸＹテーブル７を移動さ
せて第１図のようにウェーハ６を投影光学系５位置に戻
し、公知のステッパ動作によりウェーハ６上にパターン
転写を開始する。一方、パターンに欠陥が認められた場
合にはレチクル４の洗浄を行なって異物を除去し、再度
の検査を行なうことになる（第３図のブロック図参照）
。The CCD 17 scanned with respect to the projection pattern 4A is C
A bright and dark pattern signal is output from the fine element of the CD, and this signal is output from the sensor control circuit 18 to the central control section 19, where it is taken out as a pattern signal. Further, in the central control section 19, this pattern can be compared with a reference pattern using a built-in computer, and its quality is determined and output. Therefore, if no defects are found in the detected pattern, move the XY table 7 to return the wafer 6 to the position of the projection optical system 5 as shown in FIG. Start transcription. On the other hand, if a defect is found in the pattern, the reticle 4 will be cleaned to remove foreign matter, and the inspection will be performed again (see block diagram in Figure 3).
.
ここで、例えばＣＣＤ１７を素子ピッチ１０μｍの５０
０素子として構成し、検出光学系２２を１００倍（１／
１００の縮小率）とすれば素子の分解能は１０μｍ／１
００＝０．１μｍピッチとなり、ウェーハ換算で０．２
μｍの寸法の異物（欠陥）を検出できる。また、ＸＹテ
ーブル７の移動速度を０．５ｓｅｃ／１０箇、中央制御
部１９等における信号処理（演算）速度を１０ｍ１０．
５５ｅｃＸ０．ＩＸ １０−” ｍ ＝ ２００ ＫＨ
２とすれば、パターン投影寸法２０Ｘ２０ｍをＣＣＤ１
７によって走査する時間は、（２０ｍＸ０．５１１６Ｃ
／１０ｍ５＋Ｘ６０）Ｘ （２０ｍ１５００Ｘ０．ｌＸ
１０−”ｍ）！７ｍ１ｎとなり、大略５〜１０分で完了
することになる。Here, for example, the CCD 17 is arranged at a 50mm
0 element, and the detection optical system 22 is magnified by 100 times (1/
100), the resolution of the element is 10 μm/1
00=0.1μm pitch, 0.2 in terms of wafer
Foreign matter (defects) with dimensions of μm can be detected. Further, the moving speed of the XY table 7 is 0.5 sec/10 times, and the signal processing (calculation) speed in the central control unit 19 etc. is 10 m10.
55ecX0. IX 10-” m = 200 KH
2, pattern projection size 20x20m is CCD1
The scanning time by 7 is (20m x 0.5116C
/10m5+X60)X (20m1500X0.lX
10-"m)!7m1n, and will be completed in approximately 5 to 10 minutes.
したがって、パターン欠陥検査に要する時間、つまりア
ライナの停止時間は５〜１０分でよく、検査効率、稼動
効率を大幅に向上できる。また、投影パターンをＣＯＤ
によって直接検査しているので、現像、エツチング等の
要因が関係されることがなく、高精度かつ高信頼度の検
査が可能になる。Therefore, the time required for pattern defect inspection, that is, the aligner stop time, is only 5 to 10 minutes, and inspection efficiency and operating efficiency can be significantly improved. Also, the projection pattern is COD
Since the inspection is performed directly, factors such as development and etching are not involved, making it possible to perform inspections with high accuracy and reliability.
なお、前記した検査は各アライナ１，２．３において行
なわれるが、中央制御部１９は各アライナ１，２．３に
共通に利用でき、共用化を図ることにより全体構成の簡
易化を図ることができる。Although the above-mentioned inspection is performed in each aligner 1, 2.3, the central control unit 19 can be commonly used for each aligner 1, 2.3, and by sharing the same, the overall configuration can be simplified. I can do it.
第４図はセンサ部の変形例を示しており、ＸＹテーブル
７の一部に４５°ミラー２１を取着する一方、このミラ
ー２１に対向するテープｌｖ７上にＣＣＤ１７等の光電
素子を配設している。なお、ミラー２１とＣＣＤ１７の
間圧レンズ２２を設けている。この構成によれば投影光
の方向なＸＹテーブル７０表面と平行にしかつ検出光学
系２２の作用により℃投影パターンの結像位置な自由に
調節できるので、ＣＣＤ１７の設置を容易に行なうこと
かできる。FIG. 4 shows a modification of the sensor section, in which a 45° mirror 21 is attached to a part of the XY table 7, and a photoelectric element such as a CCD 17 is arranged on the tape lv7 facing the mirror 21. ing. Note that a pressure lens 22 between the mirror 21 and the CCD 17 is provided. According to this configuration, the CCD 17 can be easily installed since it is parallel to the surface of the XY table 70 in the direction of the projection light and the imaging position of the °C projection pattern can be freely adjusted by the action of the detection optical system 22.
第５図はセ／す部の更に異なる実施例である。FIG. 5 shows a further different embodiment of the center section.
この構成はパターン検査に走査レーザを使用したもので
あり、投影光学系５０光源８とレチクル４０間にハーフ
ミラ−２３を介装すると共にこのミラー２３に向け℃レ
ーザ光源２４を配置し、更にミラー２３とレーザ光源２
４との間にポリゴンミラー２５やガルバーミラー２６等
の走査ミラーなＸ、Ｙ方向に向けて配設している。２７
はレンズである。また、ＸＹテープＮ７上には投影パタ
ーン４人全体をカバーし得る大きさの光電素子、本例で
は太陽電池２８を配置し、センサ制御回路に接続してい
る。This configuration uses a scanning laser for pattern inspection, and a half mirror 23 is interposed between the projection optical system 50, the light source 8, and the reticle 40, and a °C laser light source 24 is placed facing the mirror 23. and laser light source 2
4, a scanning mirror such as a polygon mirror 25 or a galver mirror 26 is disposed facing in the X and Y directions. 27
is a lens. Further, a photoelectric element, in this example, a solar cell 28, is arranged on the XY tape N7 and is connected to the sensor control circuit.
この構成によれば、ＸＹテーブル７を移動して太陽電池
２８をレチクル４のパターン投影位置にセットすると共
和、光源８は点灯させない状態でレーザ光源２４からレ
ーザ光を射出し、レンズ２７、ガルバーミラー２６．ポ
リゴンミラー２５゜ハーフミラ−２３を通してレチクル
４に投射させる。レチク）ｖ４を通過したレーザ光は結
像レンズ９により太陽電池２８上に結像される。したが
って、ガルバーミラー２６．ポリゴンミラー２５を夫々
Ｙ方向、Ｘ方向に作動することによりレーザ光をレチク
ルに対して走査し、結局レチクル４の全面パターンを太
陽電池２８上にレーザ投射し、太陽電池の出力によって
パターン欠陥の検査を行なうことができる。According to this configuration, when the XY table 7 is moved and the solar cell 28 is set at the pattern projection position of the reticle 4, laser light is emitted from the laser light source 24 without turning on the light source 8, and the lens 27 and galver mirror 26. The image is projected onto the reticle 4 through a polygon mirror 25° half mirror 23. The laser beam that has passed through the reticle (reticle) v4 is imaged onto the solar cell 28 by the imaging lens 9. Therefore, Galber mirror 26. By operating the polygon mirror 25 in the Y direction and the X direction, the laser beam is scanned over the reticle, and eventually the entire pattern of the reticle 4 is laser-projected onto the solar cell 28, and pattern defects are inspected based on the output of the solar cell. can be done.
本例によればレーザ光の走査を高速で行なうことができ
検査時間の短縮化を図ると・共に、レーザ光の光束径を
調節することによりパターン分解能を任意にコントロー
ルできる。According to this example, the laser beam can be scanned at high speed, thereby shortening the inspection time, and the pattern resolution can be arbitrarily controlled by adjusting the beam diameter of the laser beam.
（１） アライナの可動テーブルの一部にセ／す部を
設け、このセンサ部に対して転写パターンを投影露光し
得るように構成すると共に、このセンサ部には中央制御
部を接続してパターン欠陥を検査し得るように構成して
いるので、ダミーウェーハな用いた検査方法に比較して
短時間で検査を完了でき作業効率の向上を達成できる。(1) A sensor section is provided in a part of the movable table of the aligner, and the transfer pattern is projected and exposed onto this sensor section, and a central control section is connected to this sensor section, and the transfer pattern is Since it is configured to be able to inspect defects, the inspection can be completed in a shorter time compared to an inspection method using a dummy wafer, and work efficiency can be improved.
（２）現像、エツチング等の工程が不要であるので、こ
れらの要因のバラツキによる検査のバラツキもなく、微
小な欠陥や異物を高精度にかつ高信頼度で検査できる。(2) Since processes such as development and etching are not required, there are no variations in inspection due to variations in these factors, and minute defects and foreign substances can be inspected with high precision and reliability.
（３） 複数台のアライナ九対して１台の中央制御部
を接続しているので、中央制御部の共用化を図って設備
の簡易化を達成できる。(3) Since one central control unit is connected to a plurality of nine aligners, the central control unit can be shared and equipment can be simplified.
（４）可動テーブルの一部にセンサ部を設けているので
、被露光体への露光の直前に検査を行なうことができ、
検査の効果を向上できる。(4) Since a sensor section is provided in a part of the movable table, inspection can be performed immediately before exposing the object to be exposed.
The effectiveness of inspection can be improved.
（５）パターン検査のセンサ部に光電素子（ＣＣＤ。(5) A photoelectric element (CCD) is used in the sensor section for pattern inspection.
太陽電池等）を用いているので、パターン検出の高速化
を図り、更に検査全体を高速化できる。(solar cells, etc.), it is possible to speed up pattern detection and further speed up the entire inspection.
以上本発明者によりてなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、センサ部の
具体的な構成やそのパターン検出法には他の構成や他の
方法を利用することもできる。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on examples, it should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned examples and can be modified in various ways without departing from the gist of the invention. Not even. For example, other configurations and other methods may be used for the specific configuration of the sensor unit and its pattern detection method.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェーハへの
レチクルパターン縮小転写用アライナの検査システムに
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば１７１投影型アライナ、Ｘｍアライナ、フォトマ
スクやその外のパターン転写用アライナのいずれにも適
用できる。In the above explanation, the invention made by the present inventor has been mainly explained in terms of the field of application which is its background, which is the inspection system for an aligner for reducing the transfer of a reticle pattern onto a semiconductor wafer, but the present invention is not limited thereto. It can be applied to any of projection type aligners, Xm aligners, photomasks, and other pattern transfer aligners.
【図面の簡単な説明】第１図は本発明の一実施例の全体構成図、第２図はパタ
ーン検出時の状態を示す要部の構成図、第３図は本発明の方法のブロック図、第４図はセンサ部の変形例の斜視構成図、第５図は更に
異なるセンサ部の斜視構成図、第６図は従来方法のブロ
ック図である。１．２．３・・・アライナ、４・・・レチクル、５・・
・投影光学系、６・・・ウェーハ、７・・・ＸＹテーブ
ル、８・・・光源、９・・・結像レンズ、１２・・・テ
ーブル制御回路、１３・・・レーザ光学系、１４・・・
レーザ制御回路、１５・・・レーザ源、１６・・・ステ
ッパ制御回路、１７・・・ＣＣＤ、１８・・・センサ制
御回路、１９・・・中央制御部、２１・・・４５°ミラ
ー、２２・・・検出光学系、２３・・・ハーフミラ−１
２４・・・レーザ光源、２５・・・ポリゴンミラー、２
６・・・ガルバーミラー、２８・・・太陽電池。[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is an overall configuration diagram of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a configuration diagram of main parts showing the state during pattern detection, and Fig. 3 is a block diagram of the method of the present invention. , FIG. 4 is a perspective configuration diagram of a modified example of the sensor section, FIG. 5 is a perspective configuration diagram of a further different sensor section, and FIG. 6 is a block diagram of a conventional method. 1.2.3...aligner, 4...reticle, 5...
- Projection optical system, 6... Wafer, 7... XY table, 8... Light source, 9... Imaging lens, 12... Table control circuit, 13... Laser optical system, 14.・・・
Laser control circuit, 15... Laser source, 16... Stepper control circuit, 17... CCD, 18... Sensor control circuit, 19... Central control unit, 21... 45° mirror, 22 ...detection optical system, 23...half mirror-1
24... Laser light source, 25... Polygon mirror, 2
6...Galver mirror, 28...Solar cell.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59272822AJPS61152012A (en) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | inspection system |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59272822AJPS61152012A (en) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | inspection system |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61152012Atrue JPS61152012A (en) | 1986-07-10 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59272822APendingJPS61152012A (en) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | inspection system |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61152012A (en) |
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| JPH05303193A (en)* | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for inspecting mask |
| JP2001194318A (en)* | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Damage detection device and method |
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